CN113192979A - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。本发明的有益效果在于：本发明的阵列基板及其制备方法将邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，具有耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
大尺寸OLED背板为减少走线阻抗采用铜走线作为栅极/源极/漏极，铜稳定性差，暴露在外部环境时容易氧化，因此不能直接用作邦定区邦定：
1.对于底发光大尺寸OLED背板邦定区邦定通常使用阳极ITO(氧化铟锡)将铜覆盖住，邦定区邦定为ITO+铜，ITO可靠性较好，目前底发光量产品均为此结构。
2.但对于顶发光大尺寸OLED背板，阳极为反射金属层+ITO，一般是银or铝(反射率较高应用于目前的顶发光反射金属)，①由于反射金属的蚀刻液(HNO3,H3PO4等)对铜有严重腐蚀；②反射金属稳定性同样不佳，不能满足邦定区邦定的可靠性需求；因此顶发光大尺寸OLED背板的邦定区邦定设计需要检讨方案。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：有源层，设于所述基板上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括：钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。
相应的，本申请实施例还包括一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管和所述第一金属层包括以下制备步骤：在所述基板上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料后形成若干半导体单元，所述半导体单元设于所述显示区中；在基板上制备一层绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述半导体单元，所述绝缘材料自所述显示区延伸至所述邦定区；在所述绝缘材料上制备叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层设置的第一钼钛合金层、铜层、第二钼钛合金层，所述叠层结构自所述显示区延伸至所述邦定区；在所述叠层结构上制备一层光刻胶，刻蚀所述光刻胶形成若干第一光刻胶单元以及若干第二光刻胶单元，所述第一光刻胶单元对应所述半导体单元，所述第二光刻胶单元设于所述邦定区中；通过湿法刻蚀所述叠层结构，获得栅极层半成品和第一金属层半成品，其中，所述栅极层半成品对应所述第一光刻胶单元，所述第一金属层半成品对应所述第二光刻胶单元；通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构，导体化所述半导体单元获得有源层；去除所有光刻胶，获得裸露的栅极层和裸露的第一金属层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构的制备步骤如下：通过氧气刻蚀所述第一光刻胶单元和所述第二光刻胶单元，刻蚀后的第一光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第一光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合，刻蚀后的第二光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第二光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合；通过混合气体刻蚀裸露于所述第一光刻胶边缘处以及所述第二光刻胶边缘处的第一钼钛合金层和第二钼钛合金层，获得栅极层和第一金属层；刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料，获得若干栅极绝缘层和若干第一绝缘层；导体化所述栅极层对应的半导体单元，获得有源层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管和所述第一金属层还包括以下步骤：在所述基板上制备一层介电层，所述介电层覆盖所述栅极层、所述有源层以及所述第一金属层；在所述介电层对应所述有源层处刻蚀源漏电极通孔，在所述介电层上制备源漏电极，所述源漏电极填充所述源漏电极通孔并连接至所述有源层；在所述介电层上制备一层钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏电极；在所述钝化层上制备一层平坦层；刻蚀所述平坦层、所述钝化层以及所述介电层形成一开孔，所述开孔对应第一金属层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合气体包括氯气、三氯化硼气体、六氟化硫气体、氧气中的至少两种气体混合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料步骤中，采用的刻蚀气体为四氟化碳和/或氧气。
本发明的有益效果在于：本发明的阵列基板及其制备方法将邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，具有耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性，同时采用先湿刻蚀后干刻蚀的方式，解决了由于三层金属刻蚀速率不同导致的“顶层帽檐”和“底层拖尾”问题，解决了后续绝缘层覆盖时的开裂问题，提升了阵列基板的良品率，同时第一金属层和栅极层采用同一光罩制备形成，减少了一道光罩，节约了制备成本和制备时间。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是实施例中的阵列基板侧视图；
图2是实施例中刻蚀光刻胶对应的阵列基板局部图；
图3是实施例中刻蚀叠层结构对应的阵列基板局部图；
图4是实施例中干刻蚀法第一步对应的阵列基板局部图；
图5是实施例中干刻蚀法第二步对应的阵列基板局部图；
图6是实施例中干刻蚀法第三步对应的阵列基板局部图；
图7是实施例中干刻蚀法第四步对应的阵列基板局部图；
图8是实施例中干刻蚀法第五步对应的阵列基板局部图；
图9是实施例中阵列基板制备方法的流程图；
图10是实施例中薄膜晶体管和第一金属层制备方法的流程图。
图中标号如下：
基板100； 显示区11；
邦定区12； 开孔121；
遮光金属层200； 缓冲层300；
薄膜晶体管400； 有源层410；
栅极绝缘层420； 栅极层430；
源漏电极440； 介电层500；
钝化层600； 平坦层700；
第一金属层800； 像素电极900；
挡墙910； 发光层920；
第一钼钛层810； 铜层820；
第二钼钛层830； 第一光刻胶单元13；
第二光刻胶单元14。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例
如图1所示，本实施例中，本发明的阵列基板包括基板100、遮光金属层200、缓冲层300、薄膜晶体管400、介电层500、钝化层600、平坦层700、第一金属层800、像素电极900。
所述阵列基板包括显示区11和邦定区12，所述邦定区12设于显示区11下方，所述邦定区12用以邦定驱动元件。
所述基板100为硬质基板，一般为玻璃基板，用以承接各膜层元件，同时避免外界水汽杂质入侵。
所述遮光金属层200设于所述基板100的上表面，所述遮光金属层200设于所述显示区11中，用以避免外界光线直射薄膜晶体管400，遮光金属层200的材料为金属材料，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，遮光金属层200的厚度为500埃米～2000埃米。
所述缓冲层300设于所述遮光金属层200和所述基板100的上表面，起到缓冲的作用，所述缓冲层300的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，所述缓冲层300的厚度为1000埃米～5000埃米。
所述薄膜晶体管400设于所述缓冲层300远离所述基板100的一侧表面，所述薄膜晶体管400设于所述显示区11中，所述薄膜晶体管400包括有源层410、栅极绝缘层420、栅极层430以及源漏电极440。
所述有源层410设于所述缓冲层300的上表面，所述有源层410对应所述遮光金属层200，所述有源层410的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)，所述有源层410的厚度为100埃米～1000埃米。
所述栅极绝缘层420设于所述有源层410的上表面，所述栅极绝缘层420的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，所述栅极绝缘层420的厚度为1000埃米～3000埃米。所述栅极绝缘层420与所述有源层410相对设置，所述栅极绝缘层420起到绝缘的作用，防止所述阵列基板内部的各线路之间短路。
栅极层430设于所述栅极绝缘层420的上表面，所述栅极层430的材质为金属材料。
第一金属层800与所述栅极层430同层设置，第一金属层800设于所述邦定区12中，由于在后续邦定制程中，所述第一金属层800需要裸露出来进行后续邦定，为了避免酸性物质对第一金属层800的腐蚀，所述第一金属层800的上表面需要采用抗腐蚀金属材料，所以本实施例中的第一金属层800与所述栅极层430的材料为叠层金属材料，包括钼钛-铜-钼钛叠层设置的三层金属层。钼钛金属能够有效抵挡铝、银金属蚀刻液的腐蚀，增加第一金属层800的寿命。
所述介电层500设于所述缓冲层300的上表面，所述介电层500覆盖所述有源层410、所述栅极层430以及所述第一金属层800。所述介电层500为层间绝缘层，所述介电层500的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，起到绝缘作用，防止电路短路。所述介电层500的厚度为2000埃米～10000埃米。
所述源漏电极440设于所述介电层500的上表面，所述源漏电极440的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分金属材料贯穿所述介电层500并连接至有源层410，形成电路导通。所述源漏电极440的厚度为2000埃米～8000埃米。
所述钝化层600设于所述介电层500的上表面，所述钝化层600的材料包括硅的氧化物材料，所述钝化层600的厚度为1000埃米～5000埃米。所述钝化层600起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。
所述平坦层700设于所述钝化层600的上表面，所述像素电极900设于所述平坦层700的上表面，且部分贯穿所述平坦层700，连接至所述源漏电极440。
在所述邦定区12中，对应所述第一金属层800上方设有开孔121，所述开孔121贯穿所述平坦层700、所述钝化层600和所述介电层500，使得所述第一金属层800裸露于所述开孔121内，便于第一金属层800实现后续邦定。
像素电极900设于所述平坦层700的上表面，且对应所述源漏电极440，所述像素电极900部分贯穿所述平坦层700，并电连接至所述源漏电极440，用以实现电信号传输。
挡墙910设于所述平坦层700的上表面，所述挡墙910覆盖所述像素电极900，所述挡墙910对应所述像素电极900处设有像素开孔，所述像素开孔内设有发光层920，所述发光层920的一侧表面与所述像素电极900直接接触，用以从所述像素电极900上获得电信号，实现发光效果。
为了更好的解释本发明，本实施例还提供了上述阵列基板的制备方法，如图9所示，其具体制备步骤如下：
S1)提供一基板100，所述基板100为硬质玻璃基板。
S2)在所述基板100上制备一层金属材料，图案化所述金属材料后形成遮光金属层200，所述遮光金属层200设于显示区11中。
S3)在所述基板100上制备一层缓冲层300，所述缓冲层300覆盖所述遮光金属层200。
S4)在所述缓冲层300上制备若干薄膜晶体管400和第一金属层800，所述薄膜晶体管400设于显示区11中，如图10所示，所述薄膜晶体管400的制备步骤如下：
S401)在所述缓冲层300上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料形成半导体单元，所述半导体单元对应所述遮光金属层200。
S402)在所述有源层410和所述缓冲层300上制备栅极绝缘材料，所述栅极绝缘材料从所述显示区11延伸至所述邦定区12。
S403)在所述栅极绝缘层420上制备一层金属材料，所述金属包括叠层设置的第一钼钛层810、铜层820、第二钼钛层830三层金属的叠层结构，所述金属材料从所述显示区11延伸至所述邦定区12，在所述金属材料商制备一层光刻胶，图案化所述光刻胶，如图2所示，获得若干第一光刻胶单元13第二光刻胶单元14，所述第一光刻胶单元13对应所述半导体单元，所述第二光刻胶单元14设于所述邦定区12中，由于所述叠层结构中的铜层820不能采用干刻蚀法刻蚀，故只能先通过湿法刻蚀所述叠层结构，如图3所示，获得栅极层半成品和第一金属层半成品，其中，所述栅极层半成品对应所述第一光刻胶单元13，所述第一金属层半成品对应所述第二光刻胶单元14，但由于钼钛层和铜层在湿刻蚀过程中的被刻蚀速率不同，在湿刻蚀完成后，所述叠层结构的第一钼钛层810和第二钼钛层830(上下层)会比铜层820(中间层)突出，即所述栅极层半成品和所述第一金属层半成品会出现“顶层帽檐”和“底层拖尾”的技术问题，其中第一钼钛层810的“顶层帽檐”现象会对造成后续绝缘层覆盖不良，造成绝缘层开裂的问题，影响所述阵列基板的良品率，本实施例中，为了解决这一问题，在所述湿法刻蚀步骤后，再通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构，所述干刻蚀法刻蚀步骤为：
如图4所示，第一步：所述栅极层半成品和所述第一金属层半成品中间的铜层820尺寸为基准，采用氧气刻蚀所述第一光刻胶单元13和所述第二光刻胶单元14，使得刻蚀后的第一光刻胶和第二光刻胶的外围尺寸小于或等于所述铜层尺寸。
如图5所示，第二步：以刻蚀后的所述第一光刻胶和所述第二光刻胶为基准，采用Cl2(氯气)，BCL3(三氯化硼气体)，SF6(六氟化硫气体)，O2(氧气)的组合气体继续刻蚀所述栅极层半成品和所述第一金属层半成品，从而去除所述栅极层半成品和所述第一金属层半成品中上下钼钛层突出的部分，去除所述“顶层帽檐”和“底层拖尾”的突出部分。
如图6所示，第三步：以刻蚀后的所述第一光刻胶和所述第二光刻胶为基准，采用CF4(四氟化碳气体)、O2(氧气)刻蚀所述栅极绝缘材料，形成所述栅极绝缘层420，其中，所述第一金属层800下方的所述栅极绝缘层420起到垫高所述第一金属层800的作用，有利于第一金属层800在后续邦定时搭接COF(覆晶薄膜)。
如图7所示，第四步：以刻蚀后的所述第一光刻胶和所述第二光刻胶为基准导体化所述半导体单元，其中，与所述栅极绝缘层420相对应的半导体单元为有源层410，其余导体化后的半导体单元与遮光金属层200形成电容结构，用以存储和释放电流。
如图8所示，第五步：去除所有光刻胶，获得裸露的栅极层430和裸露的第一金属层800。
上述干刻蚀法的程序可以设置成多个步骤，方案一为第一刻蚀步骤(包括所述第一步+所述第二步)+第二刻蚀步骤(所述第三步)+Plasma导体化(所述第四步)，共计三步刻蚀步骤，需要将所述基板卡夹进出机台三次，方案二为一步刻蚀步骤(第一步+第二步+第三步+第四步)，方案二中玻璃卡夹仅需要进出机台一次，节省了制备时间。
本实施例中，所述薄膜晶体管400的栅极层430与邦定区12中用于邦定的第一金属层800采用同一光罩形成，在满足第一金属层800邦定需求的同时，也可以节省一张光罩，节约成本。
S404)在所述缓冲层300上制备一层介电层500，所述介电层500覆盖所述栅极层430、所述有源层410以及所述第一金属层800。
S405)在所述介电层对应所述有源层410处刻蚀源漏电极通孔，在所述介电层500上制备源漏电极440，所述源漏电极440填充所述源漏电极通孔并连接至所述有源层410。
S406)在所述介电层500上制备一层钝化层600，所述钝化层600覆盖所述源漏电极440。
S407)在所述钝化层600上制备一层平坦层700。
S408)刻蚀所述平坦层700、所述钝化层600以及所述介电层500形成一开孔121，所述开孔121对应第一金属层800，所述第一金属层800裸露于所述开孔121内，便于第一金属层800实现后续邦定。
本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及其制备方法，阵列基板邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，需要耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性，同时采用先湿刻蚀后干刻蚀的方式，解决了三层金属刻蚀速率不同导致的“顶层帽檐”和“底层拖尾”问题，解决了后续绝缘层覆盖时的开裂问题，提升了阵列基板的良品率，同时第一金属层和栅极层采用同一光罩制备形成，减少了一道光罩，节约了制备成本和制备时间。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，还包括：
基板；
若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；
第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括：
有源层，设于所述基板上；
栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；
介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；
源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；
平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；
像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；
挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；
发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；
缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。
5.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；
在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，制备所述薄膜晶体管和所述第一金属层包括以下步骤：
在所述基板上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料后形成若干半导体单元，所述半导体单元设于所述显示区中；
在基板上制备一层绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述半导体单元，所述绝缘材料自所述显示区延伸至所述邦定区；
在所述绝缘材料上制备叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层设置的第一钼钛合金层、铜层、第二钼钛合金层，所述叠层结构自所述显示区延伸至所述邦定区；
在所述叠层结构上制备一层光刻胶，刻蚀所述光刻胶形成若干第一光刻胶单元以及若干第二光刻胶单元，所述第一光刻胶单元对应所述半导体单元，所述第二光刻胶单元设于所述邦定区中；
通过湿法刻蚀所述叠层结构，获得栅极层半成品和第一金属层半成品，其中，所述栅极层半成品对应所述第一光刻胶单元，所述第一金属层半成品对应所述第二光刻胶单元；
通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构，导体化所述半导体单元获得有源层；
去除所有光刻胶，获得裸露的栅极层和裸露的第一金属层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构的制备步骤如下：
通过氧气刻蚀所述第一光刻胶单元和所述第二光刻胶单元，刻蚀后的第一光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第一光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合，刻蚀后的第二光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第二光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合；
通过混合气体刻蚀裸露于所述第一光刻胶边缘处以及所述第二光刻胶边缘处的第一钼钛合金层和第二钼钛合金层，获得栅极层和第一金属层；
刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料，获得若干栅极绝缘层和若干第一绝缘层；
导体化所述栅极层对应的半导体单元，获得有源层。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，制备所述薄膜晶体管和所述第一金属层还包括以下步骤：
在所述基板上制备一层介电层，所述介电层覆盖所述栅极层、所述有源层以及所述第一金属层；
在所述介电层对应所述有源层处刻蚀源漏电极通孔，在所述介电层上制备源漏电极，所述源漏电极填充所述源漏电极通孔并连接至所述有源层；
在所述介电层上制备一层钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏电极；
在所述钝化层上制备一层平坦层；
刻蚀所述平坦层、所述钝化层以及所述介电层形成一开孔，所述开孔对应第一金属层。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述混合气体包括氯气、三氯化硼气体、六氟化硫气体、氧气中的至少两种气体混合。
10.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料步骤中，采用的刻蚀气体为四氟化碳和/或氧气。
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