CN115799274A - 显示基板及其制备方法、包括该显示基板的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开一种显示基板及其制备方法、包括该显示基板的显示装置。在具体实施方式中，显示基板包括衬底基板；设置在所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层远离衬底基板一侧设置有凹槽；设置在所述缓冲层上的有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层表面共形；设置在所述凹槽内所述有源层上的栅极；以及设置在所述凹槽内所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层。本发明通过在包括顶栅型薄膜晶体管的显示面板的栅极下方的结构中提供凹槽，将栅极设置在凹槽中，可实现平缓形貌的钝化层和平坦的源漏电极层。在增加薄膜晶体管的遮光效果的同时，有效解决过孔腐蚀不良，提高AOI检出率和驱动晶体管的光照稳定性，提升显示面板的产品良率和品质。

Description

显示基板及其制备方法、包括该显示基板的显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、以及包括该显示基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点已经在手机、平板电脑、数码相机等显示装置上得到越来越多地应用。

大尺寸、高分辨显示装置的显示背板通常采用顶栅型薄膜晶体管，顶栅型薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源漏电极层以及层间介质层，源漏电极层通过层间介质层上的过孔与有源层相连。在一些薄膜晶体管结构设计中，将源漏电极层覆盖在栅极上方来减少光照对晶体管性能的影响。源漏电极层爬坡栅极的台阶结构给晶体管制备工艺提出较高要求。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的一个方面，提供一种显示基板，该显示基板包括

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层远离衬底基板一侧设置有凹槽；

设置在所述缓冲层上的有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层表面共形；

设置在所述凹槽内，且位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅极；以及

设置在所述凹槽内，且位于所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层。

可选地，所述衬底基板靠近缓冲层一侧设置有凹槽，所述缓冲层在衬底基板凹槽上的部分与衬底基板表面共形。

可选地，所述栅极表面、位于凹槽区域外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于所述栅极和所述有源层之间的所述栅极绝缘层的表面大体齐平。

可选地，所述显示基板进一步包括设置在所述衬底基板表面和所述缓冲层之间的第一导电结构层，该第一导电结构层为第一金属层，或该第一导电结构层包括设置在衬底基板表面上的第一金属层及设置在所述第一金属层上的第一导电金属氧化物层。

可选地，所述显示基板进一步包括设置在所述衬底基板表面和所述缓冲层之间的第一导电结构层，该第一导电结构层包括设置在衬底基板表面上的第一金属层及设置在所述第一金属层上第一导电金属氧化物层，所述第一导电金属氧化物层在所述衬底基板表面上的正投影覆盖所述凹槽在所述衬底基板表面上的正投影。

可选地，所述显示基板进一步包括覆盖所述栅极表面、栅极绝缘层表面以及有源层表面的层间绝缘层，该层间绝缘层远离衬底基板一侧具有平坦表面。

可选地，所述显示基板进一步包括设置在所述层间绝缘层表面具有平坦结构的源漏电极层，所述源漏电极层通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与有源层电连接。

可选地，所述源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述栅极表面与所述有源层表面的高度差小于源漏电极层的厚度。

可选地，所述显示基板进一步包括

设置在所述层间绝缘层的暴露表面和所述源漏电极层上的钝化层；

设置在所述钝化层的远离所述衬底基板一侧表面上的第二绝缘层；以及

设置在所述第二绝缘层表面上的第一电极，该第一电极通过贯穿第二绝缘层和钝化层的开口区域与所述源漏电极层电连接。

可选地，所述凹槽在衬底基板表面上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板表面上的正投影不交叠。

可选地，所述开口区域在所述衬底基板上的正投影覆盖所述层间绝缘层过孔在所述衬底基板表面的正投影。

本发明的另一方面提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的显示面板。

本发明的再一方面提供一种显示面板的制作方法，该方法包括

提供衬底基板；

所述衬底基板上形成缓冲层，在该缓冲层远离衬底基板的一侧形成有凹槽；

在所述缓冲层表面形成有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形；

在所述有源层表面形成栅极绝缘层，该栅极绝缘层在所述凹槽上的部分与凹槽共形；

在所述凹槽中形成栅极；

对所述栅极绝缘层进行图案化，暴露有源层在所述凹槽外的表面。

可选地，该方法进一步包括

在栅极表面、位于凹槽区域外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于所述栅极和所述有源层之间的所述栅极绝缘层的表面上形成具有平坦表面的层间绝缘层，形成贯穿所述层间绝缘层的过孔；

在得到的表面上形成源漏电极层，该源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，并通过所述贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层电连接。

本发明的有益效果如下：

本发明的显示面板，通过在栅极下方的结构中提供凹槽，将顶栅型薄膜晶体管的栅极设置在凹槽中形成填埋结构，可实现栅极表面相对于有源层表面大体齐平，取消源漏电极层用于爬坡栅极的台阶，提供平缓形貌的钝化层和平坦的源漏电极层。这样的平坦形貌设计，可以在增加薄膜晶体管的遮光效果的同时，有效避免在源漏电极层表面上形成钝化层的过程中由于台阶的存在而形成的褶皱，保护源漏电极层在后续工艺中不因腐蚀性液体沿褶皱侵入而被腐蚀，可有效解决过孔腐蚀不良，防止自动光学检测AOI中出现AOI爆点和孔接触不良，提高AOI检出率和驱动晶体管的光照稳定性，提升显示面板的产品良率和品质，提高大尺寸产品良率，尤其提高95寸8K产品良率。进一步，本发明显示面板因为取消了层间绝缘层及源漏电极层用于爬坡栅极的台阶，也节省了层间绝缘层用于形成该台阶的开孔步骤，在简化工艺流程的同时节约了工艺时间降低了制作成本。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出现有显示面板的截面结构示意图。

图2示出现有显示面板结构的缺陷示意图。

图3示出根据本发明第一实施例的显示面板的截面结构示意图。

图4示出图3所示显示面板的平面布局示意图。

图5示出根据本发明的显示面板的制备方法流程图。

图6A-6F示出图3所示显示面板的制备流程结构示意图。

图7示出根据本发明第二实施例的显示面板的截面结构示意图。

图8A-8B示出根据本发明第二施例的显示面板的制备流程简要示意图。

图9示出根据本发明第三实施例的显示面板的截面结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图仅是说明性的，为了易于解释，附图可能未按比例画出。此外，在整个用于描述各实施方式的附图中，具有相同或相似功能的组件可由同一参考标记或数字表示。相同或相似组件的描述可能被省略。

应当理解，本公开所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内普通技术人员所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上下”、“左右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”等类似的词语可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本公开中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与衬底基板间的距离相等，也不代表它们与衬底基板间的其它层结构完全相同。在本公开中，“表面”是指所描述结构远离衬底基板一侧的表面。图1为现有显示面板的截面结构示意图，如图所示，该显示面板100包括衬底基板101，依次层叠设置在衬底基板101上的金属层102、缓冲层103和有源层111，设置在有源层111上的栅极绝缘层112和设置在栅极绝缘层上的栅极113，覆盖栅极和暴露的有源层的层间绝缘层(ILD)104，设置在层间绝缘层上的源漏电极层(SD)105，覆盖暴露的源漏电极层和层间绝缘层的钝化层(PVX)106，设置在钝化层上的树脂层(Resin)107，以及第一电极层108。在该显示面板电路结构中，有源层111、栅极绝缘层112和栅极113构成薄膜晶体管，源漏电极层105通过贯穿层间绝缘层104的过孔121与有源层111电连接。树脂层107作为平坦化层、与钝化层106和层间绝缘层104共同限定了用于形成过孔的开口区域，第一电极108在开口区域与源漏电极层105电连接。显示器件中，为改善驱动薄膜晶体管稳定性，通常设置遮光层避免光照对有源层产生影响。该显示面板中位于衬底基板上的金属层102可用作遮光层，避免来自衬底基板的光照对有源层111的照射。源漏电极层105被设置为与栅极113至少部分重叠，用于避免光照对栅极下方的有源层沟道部分的影响。由于源漏电极层需要设置在栅极的上方，对应的层间绝缘层需要爬坡设计。如图1所示，源漏电极层包括设置在层间绝缘层表面上与栅极至少部分重叠的第一部分STP1，作为开口区域的底部的第二部分STP2，和通过贯穿层间绝缘层的孔与有源层电连接的第三部分STP3。在显示面板的制备工艺中，在形成源漏电极层后形成覆盖源漏电极层的钝化层时，由于台阶的存在，钝化层容易在源漏电极层的第二部分STP2表面形成褶皱。在后续对平坦化层和钝化层进行开孔形成开口区域的工艺中，显影液经褶皱渗入导致源漏电极层腐蚀，如图2左侧部分所示，对显示器件的光学性能和电学性能造成严重影响，例如形成薄暗点簇或AOI爆点，如图2右侧部分所示。

本发明提供一种显示区域过孔下方的薄膜晶体管特别是驱动晶体管的优化设计。显示面板包括衬底基板；设置在所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层远离衬底基板一侧设置有凹槽；设置在所述缓冲层上的有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层共形；设置在所述凹槽内，且位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅极；以及设置在所述凹槽内，且位于所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层。本文中“共形”可以表示两个形状相同或大致相似。通过在薄膜晶体管的栅极下方的结构中提供凹槽，将薄膜晶体管的栅极设置在凹槽中，构建了一系列平坦的栅极表面和有源层表面、平坦的层间绝缘层表面和平坦的源漏电极层表面的形貌结构。由于栅极表面相对于凹槽区域外的有源层表面大体齐平，取消了源漏电极层用于爬坡栅极的台阶，可以有效降低源漏电极层和栅极之间层间绝缘层的高度，由此取消了层间绝缘层表面用于提供开口区域底部或用于降低源漏电极层高度的台阶，为按需求设计平坦的层间绝缘层厚度形成平坦的源漏电极层提供了可能性。这样的平坦形貌设计，在减少源漏电极层爬坡栅极和钝化层爬坡源漏电极层台阶处钝化层断裂不良情况下，增加遮光层和源漏电极层遮挡驱动晶体管的光照的效果，可以有效避免在源漏电极层表面上形成钝化层的过程中由于台阶的存在钝化层形成褶皱，保护源漏电极层在钝化层开口工艺中不被腐蚀，降低由于源漏电极层腐蚀引起的光学和电学不良，提升显示面板的产品良率和品质，提高大尺寸产品良率。

图3为根据本发明第一实施例的显示面板的截面结构示意图，图4为该实施例显示面板的平面布局图。如图3所示，该显示面板200包括衬底基板201，依次层叠设置在衬底基板201上的金属层202、缓冲层203和有源层211。设置在有源层211上的栅极绝缘层212和设置在栅极绝缘层上的栅极213，覆盖栅极和暴露的有源层和栅极绝缘层的层间绝缘层204，部分地设置在层间绝缘层上的源漏电极层205，覆盖暴露的源漏电极层和层间绝缘层的钝化层206，设置在钝化层上的树脂层207，以及第一电极层208。有源层211、栅极213及其间的栅极绝缘层212构成薄膜晶体管TFT。源漏电极层205通过贯穿层间绝缘层的过孔230与有源层211电连接，第一电极208通过贯穿树脂层207和钝化层206的开口区域240与源漏电极层205电连接。

该实施例中，衬底基板201例如为玻璃基板，玻璃基板上形成有凹槽220，凹槽的深度和大小被设置为用于容置栅极以及栅极与玻璃基板之间的各相关层。金属层202设置在衬底基板201具有凹槽一侧的表面上，且在所述凹槽上的部分与凹槽共形以保持用于容置栅极的凹槽形状。缓冲层203设置在金属层202具有凹槽的表面上且在所述凹槽上的部分与凹槽共形以保持用于容置栅极的凹槽形状。有源层211设置在缓冲层203具有凹槽的表面上且在所述凹槽上的部分与凹槽共形，保持用于容置栅极的凹槽形状。该有源层可以包括氧化物半导体等，例如，氧化物半导体包括金属氧化物半导体，例如，金属氧化物半导体包括氧化铟镓锌(IGZO)，本文中以IGZO作为举例进行说明，但应当理解本发明的技术方案不限于此。栅极绝缘层212设置在有源层211的凹槽内并与凹槽共形设置，栅极绝缘层212的凹槽中设置有栅极213。如图所示，栅极213容置在位于其下的各层结构提供的凹槽220中，作为优选实施例，其中，栅极表面、凹槽区域以外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层暴露的表面大体齐平。层间绝缘层204覆盖栅极表面、栅极绝缘层暴露的表面以及有源层暴露的表面，在远离衬底基板一侧具有平坦表面。源漏电极层205设置在所述层间绝缘层的平坦表面上且具有平坦结构，源漏电极层通过贯穿层间绝缘层的过孔230与有源层实现电连接。作为优选实施例，源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，用于遮挡发光单元对薄膜晶体管的光照引起薄膜晶体管的不稳定。由此本发明的结构优选适用于显示面板的驱动晶体管，为显示面板提供稳定的驱动性能，提高产品的品质和良率。

在OLED显示面板中，特别是在大尺寸显示面板中，形成在衬底基板上的金属层可用作遮光层，用于防止光照经玻璃衬底到达有源层的沟道区，改善薄膜晶体管的稳定性；还可用作电极层，例如分别与薄膜晶体管的源漏电极层以及位于薄膜晶体管上方的其他导电层例如ITO层形成存储电容。不同的电容对电极间介电层的厚度有不同的要求，薄膜晶体管显示面板的制备工艺对其间形成过孔的绝缘层的厚度和过孔的尺寸也提出相应的要求，因而降低各绝缘层和介电层的厚度，减小过孔的尺寸，有利于实现显示面板的小型化、轻型化和高分辨率。将栅极容置于凹槽中降低栅极与有源层之间的高度差，可有效降低源漏电极层和栅极之间层间绝缘层的高度，源漏电极层无需爬坡即可实现与栅极的重叠；使根据需要设计层间绝缘层厚度提供具有平坦表面的层间绝缘层成为可能。层间绝缘层高度的降低，可取消层间绝缘层用于实现第一电极电连接的层间绝缘层过孔所需的台阶，取消用于将源漏电极层用作存储电容的第二电极所需的台阶，例如图1中的台阶STP2，使根据性能需要和工艺需要设计并实现具有平坦表面的层间绝缘层并由此在平坦的层间绝缘层表面形成具有平坦结构的源漏电极层成为可能。

钝化层206平整地设置在源漏电极层平坦的表面上，避免了因源漏电极层存在多个台阶导致钝化层在源漏电极层表面形成褶皱。贯穿树脂层207和钝化层206的开口区域240提供第一电极与源漏电极层205电连接的过孔，该开口区域240在衬底基板上的正投影覆盖层间绝缘层提供源漏电极层与有源层电连接的过孔230在所述衬底基板表面的正投影。作为优选实施例，该开口区域240在衬底基板上的正投影与用于容置栅极的凹槽在衬底基板表面的正投影不交叠。

图5示出根据本发明的显示面板的制备方法流程图，该方法包括提供衬底基板；所述衬底基板上形成缓冲层，在该缓冲层远离衬底基板的一侧形成有凹槽；在所述缓冲层表面形成有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形；在所述有源层表面形成栅极绝缘层，该栅极绝缘层在所述凹槽上的部分与凹槽共形；在所述凹槽中形成栅极；对所述栅极绝缘层进行图案化，暴露有源层在所述凹槽外的表面。

该方法进一步包括，在栅极表面、位于凹槽区域外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于所述栅极和所述有源层之间的所述栅极绝缘层的表面上形成具有平坦表面的层间绝缘层，形成贯穿所述层间绝缘层的过孔；在得到的结构表面上形成源漏电极层，该源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，并通过所述贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层电连接。

下面参照图6A-6F具体说明图3所示第一实施例的显示面板的制备方法。

提供衬底基板例如玻璃基板201，在衬底基板的一侧形成凹槽220，如图6A所示。

在衬底基板的具有凹槽的表面上淀积第一金属层202。对第一金属层202进行图案化，该金属层在衬底基板凹槽上的部分与凹槽共形。图案化后的金属层可用作薄膜晶体管的遮光层，以及用作存储电容的第一电极。所述存储电容例如以源漏电极层用作第二电极的存储电容，例如以平坦化层上的ITO层用作第二电极的存储电容等。在所述第一金属层202表面形成缓冲层203，该缓冲层在所述凹槽上的部分与金属层中的所述凹槽共形。在所述缓冲层203表面形成IGZO有源层211，该有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层中的所述凹槽共形；在所述IGZO有源层表面形成栅极绝缘层212，该栅极绝缘层在所述凹槽上的部分与IGZO有源层凹槽共形，如图6B所示。

在栅极绝缘层表面沉积栅极金属层，该金属的材料例如是铜Cu或铝Al。对栅极金属层进行图案化，得到容置在凹槽中的例如块状结构的栅极213。随后对栅极绝缘层进行剥离得到设置在有源层211和栅极213之间的栅极绝缘层212，暴露有源层位于凹槽外的表面。作为本发明的一个优选实施例，所得到的栅极表面与暴露的有源层表面的高度差小于源漏电极层的厚度。作为本发明的另一个优选实施例，所得到的栅极表面、有源层表面和其间的栅极绝缘层表面为大体齐平的表面，如图6C所示。

在栅极下方的衬底基板中提供凹槽并在衬底基板上的各层中特别是有源层和栅极绝缘层中保持凹槽形状，为将顶栅型薄膜晶体管的栅极设置在凹槽中，降低栅极表面与有源层表面之间的高度差提供了可能。允许栅极表面与有源层表面有一定的高度差，只要该高度差不影响在其上形成的层间绝缘层的表面具有平缓坡度，为栅极图案化工艺以及栅极绝缘层的剥离工艺提供了工艺冗余度，降低了工艺难度。

随后对暴露的IGZO有源层进行导体化。

在得到的结构表面上沉积一层绝缘层204，例如SiO₂绝缘层，作为层间绝缘层。对该层间绝缘层进行开孔工艺，得到贯穿层间绝缘层的过孔230。在得到的结构表面沉积一层金属层，该金属材料可以是铜Cu或铝Al。对该金属层进行图案化，得到源漏电极层205。源漏电极层205在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，用于为薄膜晶体管的沟道区遮光。在本发明中，因为栅极表面与暴露的栅极绝缘层表面和暴露的有源层表面大体齐平，可以根据各导电层绝缘性能的需要或用于形成存储电容的绝缘层介电性能的需要设置层间绝缘层的厚度，降低了图1所示现有技术中源漏电极层爬坡栅极结构的层间绝缘层厚度，相比于图1所示结构的制备工艺，本申请层间绝缘层仅经历了形成源漏电极层与有源层的电连接过孔203的开孔工艺，即对层间绝缘层进行一次图案化，形成贯穿层间绝缘层的过孔，节省了减薄层间绝缘层形成用于形成ITO电极与源漏电极层电接触的过孔的台阶的工艺步骤，且所得到的层间绝缘层在过孔230外的其他部分均具有平坦表面，设置在层间绝缘层的平坦表面上的源漏电极层具有平坦结构，如图6D所示。

在得到的结构表面上沉积钝化层206，例如厚度为3000～5000A的氧化硅SiO_x钝化层，覆盖暴露的层间绝缘层表面和暴露的源漏电极层表面。源漏电极层具有平坦结构，在其上形成的钝化层完整覆盖源漏电极层表面，避免了因台阶的存在而出现褶皱等现象的发生。在得到的钝化层表面上淀积树脂层207作为平坦化层。对树脂层和钝化层进行图案化，形成贯穿树脂层和钝化层的开口区域240，在开口区域的底部暴露源漏电极层，如图6E所示。因为钝化层完整覆盖源漏电极层表面，在该形成开口区域的腐蚀工艺中，例如显影液的腐蚀性液体不会因钝化层褶皱的存在渗入源漏电极层表面导致源漏电极层的腐蚀进而影响显示面板的光学性能和电学性能，避免了显示面板暗点簇和爆点的出现。

随后在得到的结构表面淀积电极层，例如氧化物金属电极ITO层，通过图案化，形成通过开口区域与源漏电极层电连接的第一电极，如图6F所示。

与图1所示现有技术的显示面板电路制备方法相比，本发明显示面板实现源漏电极层为薄膜晶体管遮挡光照改善晶体管性能的同时，取消了层间绝缘层及源漏电极层用于爬坡栅极的台阶STP2，节省了用于形成该STP2台阶的开孔工艺，缩短了工艺时间并降低了显示面板的制作成本。

图7为根据本发明第二实施例的显示面板300的截面结构示意图。不同于图3所示第一实施例，如图7所示，位于栅极下方用于容置栅极的凹槽没有设置在衬底基板中而自缓冲层开始设置。具体地，该显示面板300包括衬底基板301，设置在衬底基板上的金属层302；设置在金属层上的缓冲层303，缓冲层303远离衬底基板一侧的表面上形成有凹槽320；设置在缓冲层具有凹槽的表面上的有源层311，有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层中的所述凹槽共形，保持用于容置栅极的凹槽形状；设置在有源层311的凹槽内并与凹槽共形的栅极绝缘层312；以及设置在栅极绝缘层312的凹槽中的栅极313。有源层311、栅极313及其间的栅极绝缘层312构成薄膜晶体管TFT。如图所示，栅极表面、凹槽外暴露的有源层表面及栅极与有源层间的栅极绝缘层暴露的表面大体齐平。

显示面板300的其他电路结构与图3所示第一实施例相似。显示面板进一步包括覆盖栅极和暴露的有源层和栅极绝缘层的层间绝缘层304，部分地设置在层间绝缘层上的源漏电极层305，覆盖暴露的源漏电极层和层间绝缘层的钝化层306，设置在钝化层上的树脂层307，以及第一电极层308。有源层311、栅极313及其间的栅极绝缘层312构成薄膜晶体管TFT。源漏电极层305通过贯穿层间绝缘层的过孔330与有源层311电连接，第一电极308通过贯穿树脂层307和钝化层306的开口区域340与源漏电极层305电连接。

根据该优选实施例的电路结构，通过将凹槽设置在缓冲层中，可节省在玻璃衬底中开槽的工艺环节，缩短工艺时间并降低制作成本。进一步，通过将凹槽设置在缓冲层中，本发明的电路结构可应用于衬底基板为柔性材料的柔性显示面板，实现柔性轻薄的显示装置。

本发明第二实施例的显示面板300的制备方法包括以下步骤，提供衬底基板301；在衬底基板的表面上淀积第一金属层302，对金属层进行图案化，形成薄膜晶体管的遮光层和各存储电容的第一电极。在所述第一金属层表面上形成缓冲层303，在该缓冲层远离衬底基板的一侧形成凹槽320，如图8A所示，凹槽的深度和大小设置为用于容置有源层、栅极绝缘层和栅极。在缓冲层表面共形地形成IGZO有源层311和栅极绝缘层312，栅极绝缘层表面具有用于容置栅极的凹槽320，如图8B所示。在所述凹槽中形成栅极；对所述栅极绝缘层进行刻蚀，暴露有源层在所述凹槽外的表面。此后制备第二实施例显示面板的步骤与图6C-6F及相关描述相似，简明起见，这里不再赘述。

图9为根据本发明第三实施例的显示面板400的截面结构示意图。不同于图3所示第一实施例，第三实施例的电路结构在金属层和缓冲层之间设置有导电金属氧化物层，例如ITO层，金属层和导电金属氧化物层一起构成设置在衬底基板表面上的第一导电结构层。具体地，该显示面板400包括衬底基板401，设置在衬底基板上的第一金属层402，设置在第一金属层上的导电金属氧化物ITO层442和设置在导电金属氧化物层上的缓冲层403。衬底基板401可以是玻璃基板，玻璃基板上形成有凹槽420，凹槽的深度和大小被设置为用于容置栅极以及栅极与玻璃基板之间的各相关层。第一金属层402设置在衬底基板401具有凹槽一侧的表面上，且在所述凹槽上的部分与凹槽共形以保持用于容置栅极的凹槽形状。ITO层442设置在金属层402具有凹槽一侧的表面上，且在所述凹槽上的部分与凹槽共形以保持用于容置栅极的凹槽形状。作为一个实施例，ITO层在衬底基板表面上覆盖所述第一金属层在所述衬底基板表面上的正投影；作为另一个实施例，ITO层在衬底基板表面上的正投影至少覆盖所述凹槽在衬底基板表面上的正投影。缓冲层403设置在ITO层442具有凹槽一侧的表面上，且在所述凹槽上的部分与凹槽共形以保持用于容置栅极的凹槽形状。该实施例中的导电金属氧化物层用于对设置于其下的第一金属层提供保护，使金属层免于在缓冲层开孔工艺中被腐蚀，影响金属层对其上形成的薄膜晶体管的遮光效果，损害金属层作为存储电容的第一电极的电学性能。显示面板400进一步包括设置在缓冲层具有凹槽的表面上的有源层411，有源层在所述凹槽上的部分与凹槽共形，保持用于容置栅极的凹槽形状；设置在有源层411的凹槽内并与凹槽共形设置的栅极绝缘层412；以及设置在栅极绝缘层412的凹槽中的栅极413。有源层411、栅极413及其间的栅极绝缘层412构成薄膜晶体管TFT。如图所示，栅极表面、凹槽外暴露的有源层表面及栅极与有源层间的栅极绝缘层暴露的表面大体齐平。显示面板400的其他电路结构与第一和第二实施例相似，简明起见，这里不再赘述。

本领域技术人员可以理解，本实施例中提供设置在衬底基板和缓冲层之间的第一导电结构层结构可与第二实施例结合使用。

本发明第三实施例的显示面板400的制备方法包括以下步骤(未示出)，提供衬底基板例如玻璃基板401，在衬底基板的一侧形成凹槽420，在衬底基板的具有凹槽的表面上形成第一导电结构层，该第一导电结构层在衬底基板凹槽上的部分与衬底基板的凹槽共形。第一导电结构包括位于衬底基板上的第一金属层402和位于第一金属层上的ITO层442。作为一个实施例，形成第一导电结构层的步骤包括，在衬底基板具有凹槽的表面上与衬底基板共形地形成第一金属层，在第一金属层上与第一金属层共形地形成ITO层。对ITO层和第一金属层进行图案化，得到第一导电结构层中所述第一导电金属氧化物层在所述衬底基板表面上的正投影覆盖所述金属层在所述衬底基板表面上的正投影。作为另一个实施例，形成第一导电结构层的步骤包括，在衬底基板具有凹槽的表面上与形成第一金属层，对第一金属层进行图案化，形成具有与衬底基板上凹槽共形的凹槽、用作薄膜晶体管遮光层和存储电容第一电极的金属层。在图案化的第一金属层上形成ITO层。对ITO层进行图案化，图案化的ITO层在衬底基板表面上的正投影覆盖所述第一金属层在所述衬底基板表面上的正投影，或者图案化的ITO层在衬底基板表面上的正投影至少覆盖所述凹槽在衬底基板表面上的正投影。利用ITO层对第一金属层进行覆盖，避免后续对缓冲层进行图案化的步骤中过度刻蚀导致图案化的金属层断线或变细，解决暗点不良问题。

在得到的结构表面上形成缓冲层，形成缓冲层403，该缓冲层在所述凹槽上的部分与第一导电结构层中的所述凹槽共形。在缓冲层表面共形地形成IGZO有源层311和栅极绝缘层312，栅极绝缘层表面具有用于容置栅极的凹槽420。在所述凹槽中形成栅极；对所述栅极绝缘层进行刻蚀，暴露有源层在所述凹槽外的表面。此后制备第三实施例显示面板的步骤与图6C-6F及相关描述相似，简明起见，这里不再赘述。

本发明的第四实施例，提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的显示面板。作为一个实施例，本发明提供一种柔性显示装置，该显示装置包括如上所述的柔性显示面板。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层远离衬底基板一侧设置有凹槽；

设置在所述缓冲层上的有源层，所述有源层在所述凹槽上的部分与缓冲层表面共形；

设置在所述凹槽内，且位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅极；以及

设置在所述凹槽内，且位于所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板靠近缓冲层一侧设置有凹槽，所述缓冲层在衬底基板凹槽上的部分与衬底基板表面共形。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述栅极表面、位于凹槽区域外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于所述栅极和所述有源层之间的所述栅极绝缘层的表面大体齐平。

4.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板进一步包括设置在所述衬底基板表面和所述缓冲层之间的第一导电结构层，该第一导电结构层为第一金属层，或该第一导电结构层包括设置在衬底基板表面上的第一金属层及设置在所述第一金属层上的第一导电金属氧化物层。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板进一步包括设置在所述衬底基板表面和所述缓冲层之间的第一导电结构层，该第一导电结构层包括设置在衬底基板表面上的第一金属层及设置在所述第一金属层上第一导电金属氧化物层，所述第一导电金属氧化物层在所述衬底基板表面上的正投影覆盖所述凹槽在所述衬底基板表面上的正投影。

6.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板进一步包括覆盖所述栅极表面、栅极绝缘层表面以及有源层表面的层间绝缘层，该层间绝缘层远离衬底基板一侧具有平坦表面。

7.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板进一步包括设置在所述层间绝缘层表面具有平坦结构的源漏电极层，所述源漏电极层通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与有源层电连接。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述栅极表面与所述有源层表面的高度差小于源漏电极层的厚度。

10.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板进一步包括

设置在所述层间绝缘层的暴露表面和所述源漏电极层上的钝化层；

设置在所述钝化层的远离所述衬底基板一侧表面上的第二绝缘层；以及

设置在所述第二绝缘层表面上的第一电极，该第一电极通过贯穿第二绝缘层和钝化层的开口区域与所述源漏电极层电连接。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽在衬底基板表面上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板表面上的正投影不交叠。

12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述开口区域在所述衬底基板上的正投影覆盖所述层间绝缘层过孔在所述衬底基板表面的正投影。

13.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括如权利要求1-12中任何之一所述的显示面板。

14.一种显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括

提供衬底基板；

所述衬底基板上形成缓冲层，在该缓冲层远离衬底基板的一侧形成有凹槽；

在所述缓冲层表面形成有源层，该有源层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形；

在所述有源层表面形成栅极绝缘层，该栅极绝缘层在所述凹槽上的部分与凹槽共形；

在所述凹槽中形成栅极；

对所述栅极绝缘层进行图案化，暴露有源层在所述凹槽外的表面。

15.根据权利要求14所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该方法进一步包括

在栅极表面、位于凹槽区域外的有源层的表面，以及在平行于衬底基板的方向上位于所述栅极和所述有源层之间的所述栅极绝缘层的表面上形成具有平坦表面的层间绝缘层，并形成贯穿所述层间绝缘层的过孔；

在得到的表面上形成源漏电极层，该源漏电极层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，并通过所述贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层电连接。

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