CN111785741B - 阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及显示领域，提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，在阵列基板上的指定位置开设有用于容置指定功能组件的通孔，在阵列基板上，且位于通孔周围环绕设置有环形阻挡结构，环形阻挡结构用于隔绝外界环境中的水汽经由通孔进入阵列基板，包括。应用本申请，可以隔绝外界环境中的水汽经由通孔进入阵列基板，从而减少甚至避免显示屏出现“葫芦屏”的现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着全面屏的不断发展，广大消费者已经不能满足于“刘海屏”“水滴屏”等显示屏的设计，所以，屏占比更高的打孔屏便应运而生。打孔屏基于带孔的显示面板，该孔可以用来放置摄像头(在其它位置时也可以用于放置听筒、人脸识别传感器、光线传感器等)，从而大大增加了屏幕的利用率，提高了用户的视觉体验效果。
但是，目前上市的某些手机屏幕，被用户曝出有出现“葫芦屏”的现象。“葫芦屏”其实是一种黑斑不良，指在屏幕上孔的附近形成的一种近似圆形的黑斑区域，这个区域和摄像头位置相连，二者看起来像是一个葫芦的形状，所以被称为“葫芦屏”，而手机出现“葫芦屏”，则严重影响了用户的体验效果和品牌形象。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，可以隔绝外界环境中的水汽经由所述通孔进入所述阵列基板，从而减少甚至避免显示屏出现“葫芦屏”的现象。
为实现本申请的目的，第一方面提供一种阵列基板，在所述阵列基板上的指定位置开设有用于容置指定功能组件的通孔，在所述阵列基板上，且位于所述通孔周围环绕设置有环形阻挡结构，所述环形阻挡结构用于隔绝外界环境中的水汽经由所述通孔进入所述阵列基板。
可选地，所述环形阻挡结构包括设置在所述阵列基板上的环形凸部，所述环形凸部相对于所述阵列基板的发光层向远离所述阵列基板的衬底基板的方向凸出。
可选地，所述环形凸部靠近所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影，位于所述环形凸部远离所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影的边缘内侧。
可选地，所述环形凸部的靠近所述衬底基板的端面与远离所述衬底基板的端面之间具有收缩部，所述收缩部在所述衬底基板上的正投影位于所述环形凸部靠近所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影的边缘内侧。
可选地，所述环形凸部包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的第一子环形凸部和第二子环形凸部，所述第一子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述断口对称的第一梯形，且所述第一梯形的长边靠近所述衬底基板；所述第二子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述断口对称的第二梯形，且所述第二梯形的短边靠近所述衬底基板，所述第二梯形的长边的长度大于或等于所述第一梯形的长边的长度。
可选地，所述环形阻挡结构与所述阵列基板的平坦化层一体成型，所述平坦化层设置在所述阵列基板的源极漏极层与所述阵列基板的阳极层之间。
可选地，所述环形阻挡结构位于所述阵列基板的栅极绝缘层和层间绝缘层的上方。
为实现本申请的目的，第二方面提供一种显示面板，包括阵列基板和封装结构，所述阵列基板为第一方面提供的阵列基板。
为实现本申请的目的，第三方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板的指定位置具有通孔，所述通孔用于放置指定功能组件；
在所述衬底基板上向远离所述衬底基板的方向依次形成栅极层、栅极绝缘层、有源层、层间介质层及源极漏极层；
在形成所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述层间介质层及所述源极漏极层中任意层之前或之后，在所述通孔周围形成环绕所述通孔的环形阻挡结构，所述环形阻挡结构用于隔绝外界环境中的水汽经由所述通孔进入所述阵列基板。
可选地，所述在形成所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述层间介质层及所述源极漏极层中任意层之前或之后，在所述通孔周围形成环绕所述通孔的环形阻挡结构，进一步包括：
在形成所述源极漏极层之后，在形成所述源极漏极层上形成整层膜层；
采用半色调掩膜一次形成所述平坦化层和环绕所述通孔的第一子环形凸部，所述第一子环形凸部向远离所述衬底基板的方向凸起，且在沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述通孔中轴线对称的第一梯形，所述第一梯形的长边靠近所述衬底基板；
在所述第一子环形凸部上形成覆盖所述第一子环形凸部的第二子环形凸部，以形成包括所述第一子环形凸部和所述第二子环形凸部的所述环形阻挡结构，所述第二子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述通孔中轴线对称的第二梯形，且所述第二梯形的短边靠近所述衬底基板，所述第二梯形的长边的长度大于或等于所述第一梯形的长边的长度。
本申请具有以下有益效果：
本实施例提供的阵列基板，在指定位置设置有用于放置指定功能组件的阵列基板，并在阵列基板周围设置有环形阻挡结构，该环形阻挡结构可以隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板进入阵列基板，从而切断了有机发光材料层与阵列基板之间用于传输水汽和氧气的通道，可以防止子像素单元因为阵列基板内的水汽和氧气进入发光层而导致的发光失效，继而保证了子像素单元的正常显示，有效避免了上述“葫芦屏”式黑斑不良的出现。
附图说明
图1为包括本申请实施例提供的阵列基板的显示面板的外视结构示意图；
图2为包括本申请实施例提供的阵列基板的显示面板的通孔处的剖视结构示意图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的区域划分图；
图4为本申请实施例提供的阵列基板的通孔处的剖视结构示意图一(图中仅示出了一侧的结构)；
图5为本申请实施例提供的阵列基板的通孔处的剖视结构示意图二(图中仅示出了一侧的结构)；
图6为本申请实施例提供的阵列基板的通孔处的剖视结构示意图三(图中仅示出了一侧的结构)；
图7为本申请实施例提供的阵列基板的通孔处的剖视结构示意图四(图中仅示出了一侧的结构)。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本实施例为解决手机屏出现“葫芦屏”式黑斑不良的原因做了研究分析，结果发现：由于目前打孔屏(通常是OLED显示面板，有机发光二极管显示面板)需要将有机发光材料层在孔的边缘处有效地断开，因为有机发光材料层对水氧非常敏感，直接在有机发光材料层打孔的话，有机发光材料层在打孔边缘处会裸露，如果不能将有机发光材料层在孔的边缘处有效地断开，有机发光材料层与孔之间可以形成传输水汽和氧气的通道，从而可能导致像素区域发光失效，不能正常显示，从而出现上述“葫芦屏”式黑斑不良。
基于上述出现“葫芦屏”式黑斑不良的原因，本实施例提供一种阵列基板100，如图1所示，在阵列基板100上的指定位置开设有用于容置指定功能组件的阵列基板110，在阵列基板100上，且位于阵列基板110周围环绕设置有环形阻挡结构120，环形阻挡结构120用于隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板110进入阵列基板100。
可以理解的是，上述阵列基板110和环形阻挡结构120是本实施例提供的解决上述”葫芦屏”式黑斑不良的必要技术特征，但并不表示本实施例提供的阵列基板100仅包括该阵列基板110和环形阻挡结构120。上述指定功能组件可以但不限于手机或平板电脑等电子设备的屏幕上的摄像组件、传感器组件(如指纹组件)等，上述指定位置即摄像组件、传感器组件(如指纹组件)等指定功能组件在上述屏幕上的位置。
如图2和图3所示，阵列基板100可以不仅包括上述阵列基板110和环形阻挡结构120，还包括衬底基底和设置在衬底基板1上的TFT，上述阵列基板110贯穿衬底基板1和TFT，该TFT可以但不限于包括沿远离衬底基板1的方向依次设置的栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、层间绝缘层5、源极漏极层6及钝化层7，其中，栅极层2可以设置在衬底基底上，其材质可以为铜/铝/银/钛等金属材质。栅极绝缘层3可以设置在衬底基底上，并完全覆盖栅极层2，其材质可以为氧化硅或者氮化硅等绝缘材质，栅极绝缘层3也可以为氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，以提高其绝缘性能。有源层4可以设置在栅极绝缘层3上，其材质可以为含铟、镓、锌等金属的氧化物(如IGZO)或者低温多晶硅(如P型多晶硅)等。层间介质层可以设置在栅极绝缘层3上，并完全覆盖有源层4，其结构及材质的设置可以参照栅极绝缘层3，即其材质同样可以为氧化硅或者氮化硅等，层间介质层同样可以为氧化硅层和氮化硅层的层叠结构。源极漏极层6可以设置在层间介质层上，并可以通过层间介质层上的过孔81与有源层4电连接，源极漏极层6的材质可以参考栅极层2，即源极漏极层6也可以为铜/铝/银/钛等金属。钝化层7通常具有防潮、抗腐蚀性等，可以对下方膜层起到保护作用，其结构和材质同样可以参照栅极绝缘层3，即钝化层7的材质也可以为氧化硅或者氮化硅等，钝化层7的结构可以为氧化硅层和氮化硅层的层叠结构。而上述环形阻挡结构120可以包括设置在阵列基板100上的环形凸部，环形凸部可相对于阵列基板100的发光层向远离衬底基板1的方向凸出，可以在上述栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、层间绝缘层5、源极漏极层6及钝化层7形成之前或之后进行制作，可以形成在任意膜层之上，本实施例对此不作具体限定。
本实施例提供的阵列基板100，在指定位置设置有用于放置指定功能组件的阵列基板110，并在阵列基板110周围设置有环形阻挡结构120，该环形阻挡结构120可以隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板110进入阵列基板100，从而切断了有机发光材料层与阵列基板110之间用于传输水汽和氧气的通道，可以防止子像素单元因为阵列基板110内的水汽和氧气进入发光层而导致的发光失效，继而保证了子像素单元的正常显示，有效避免了上述“葫芦屏”式黑斑不良的出现。
需要说明的是，本实施例虽针对OLED显示面板进行设计，但本实施例并不限于应用于OLED显示面板，若LED显示面板、LCD显示面板等需要设置阵列基板110，且有必要在通周围设置环形阻挡结构120，以隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板110进入阵列基板100中，则也可以应用本实施例提供的阵列基板100。
于本实施例一具体实施方式中，如图4-图6所示，上述阵列基板100的TFT还可以包括平坦化层8和阳极层9，平坦化层8可以设置在钝化层7上，环形阻挡结构120可以在形成平坦化层8时形成，即环形阻挡结构120可以与平坦化层8一体成型。平坦化层8通常为具有防腐蚀性的致密绝缘材质，具有防水、密封作用，可以同时制作平坦化层8和环形阻挡结构120，以隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板110进入阵列基板100中，如此，可以简化整体工艺，提高生产效率，且平坦化层8距离发光层较近，可以有效阻断有机发光材料层与阵列基板110之间用于传输水汽和氧气的通道。
如图3所示，上述阵列基板100可以划分为三部分，即显示区域、打孔边缘区域以及打孔区域。其中，显示区域可以包括有效显示区域和非有效显示区域，有效显示区域可以理解为你能够控制显示并进行显示的区域；非有效显示区域靠近打孔边缘区域，可以理解为能够进行显示、但不能控制显示的区域。衬底基板1与平坦化层8均可以覆盖上述显示区域和打孔边缘区域，并在打孔区域设置孔段(阵列基板110的一部分)。而TFT的上述其它层可仅覆盖上述显示区域(可以仅覆盖有效显示区域，也可以覆盖整个显示区域)。
如图2和图4所示，环形阻挡结构120可以位于阵列基板100的栅极绝缘层3和层间绝缘层5的上方，即环形阻挡结构120可位于上述非显示区域，以免影响显示面板的显示。且由于有机发光层12的材料具有一定的流动性，将环形阻挡结构120设置在该区域，对有机发光层12材料具有一定的限定作用，可以拦截有机发光层12的材料向打孔边缘区域及打孔区域流动蔓延，更有利于制备有机发光层12。
于本实施例另一具体实施方式中，，环形凸部靠近衬底基板1的端面在衬底基板1上的正投影，可以位于环形凸部远离衬底基板1的端面在衬底基板1上的正投影的边缘内侧，即环形凸部远离衬底基板1的端面的面积大于靠近衬底基板1的端面，如此，在形成该环形凸部之后的形成的各膜层，将会在环形阻挡结构120处自然断开，阻断传输水汽和氧气的通道，进一步防止产生“葫芦瓶”式黑斑不良。
优选地，环形凸部的靠近衬底基板1的端面与远离衬底基板1的端面之间具有收缩部，收缩部在衬底基板1上的正投影位于环形凸部靠近衬底基板1的端面在衬底基板1上的正投影的边缘内侧。如此，在环形凸部的靠近衬底基板1的端面与远离衬底基板1的端面之间具有收缩部，可以增强对有机发光层12的材料的容纳性，更便于拦截有机发光层12的材料向打孔边缘区域及打孔区域流动蔓延，则更有利于制备有机发光层12。
进一步地，环形凸部可以包括沿远离衬底基板1的方向依次设置的第一子环形凸部83和第二子环形凸部84，第一子环形凸部83的沿垂直衬底基板1的方向的截面为两个关于断口对称的第一梯形，且第一梯形的长边靠近衬底基板1；第二子环形凸部84的沿垂直衬底基板1的方向的截面为两个关于断口对称的第二梯形，且第二梯形的短边靠近衬底基板1，第二梯形的长边的长度大于或等于第一梯形的长边的长度。
如图4-图6所示，可以在形成平坦化层8时，先一体成型平坦化层8和上述第一子环形凸部83，然后再在第一子环形凸部83上形成第二子环形凸部84。具体地，由于平坦化层8上的阳极层9通过过孔81与平坦化层8下面的源极漏极层6电连接，所以，通常会在平坦化层8上说设置用于连接源极漏极层6和阳极层9的过孔81。则在形成平坦化层8时，可以先在钝化层7上形成整层膜层，然后可采用光敏性(正性)有机膜层，通过半色调掩膜(halftonemask)制作出平坦化层8的平坦化主体82、过孔81及第一子环形凸部83，且半色调掩膜可以分别对应平坦化主体82、过孔81及第一子环形凸部83设置颜色深浅不同的区域，如部分曝光区域、完全曝光区域及未曝光区域，以分别对该整层膜层进行部分刻蚀、完全刻蚀及未刻蚀，从而得到包括平坦化主体82、过孔81及第一子环形凸部83的平坦化层8。然后可采用负性光敏有机膜，通过曝光显影，则可在上述第一子环形凸部83上制作出上述第二子环形凸部84，上述第一子环形凸部83和上述第二子环形凸部84加一起可组成单侧截面为“工”字形的环形阻挡结构120，上述第一子环形凸部83可高出平坦化层84um～8um(微米)，上述第二子环形凸部84的高度可以为2um～4um，上述“工”字形的环形阻挡结构120的宽度可以为40um～60um。
在实际应用中，如图5所示，得到平坦化层8、过孔81及第一子环形凸部83之后，可以上述平坦化层8作为刻蚀保护层，刻蚀过孔81底部的钝化层7，以得到贯穿平坦化层8和钝化层7的整体过孔811，整体过孔811底部为源极漏极层6的上表面。
于本实施例另一具体实施方式中，如图6和图7所示，该阵列基板100还包括设置在阳极层9上，并沿远离衬底基板1的方向依次设置的像素限定层10、发光单元及阴极层14。其中，阳极层9可通过镀膜、光刻、刻蚀等工艺制作，阳极的材质可以为氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)等高功函数的透明导电薄膜材质，且可以在上述透明导电薄膜的底部制作反射金属层，如Al/Ag等，以便制作出顶发射型OLED结构。像素限定层10可涂覆光敏性有机膜，然后通过曝光、显影等工序制备，像素限定层10的堤部围绕着发光单元的发光区域，有机发光层12可以制作在像素限定层10的凹坑中，且像素限定层10可以起到将相邻的阳极绝缘开的作用。
通常OLED装置上的单个发光单元可以包括层叠设置的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层12、电子传输层(ETL)及电子注入层(EIL)，当然也可以省略其中一层或者几层。由于空穴注入层、空穴传输层和电子传输层以及电子注入层公共地覆盖子像素的阳极以及像素限定层10的堤部，因此空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层被定义为公共层。其中，空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)可合并成第一公共层11，通过蒸镀的方法，在整个阵列基板100的上表面进行蒸镀。然后，可继续通过蒸镀的方法，利用蒸镀掩膜版，在不同的子像素区域依次蒸镀出R、B、G材料的有机发光层12。然后，在R、B、G材料的有机发光层12上继续蒸镀制作包括电子传输层和电子注入层的第二公共层13。在蒸镀发光单元的各膜层时，由于“工”字形的环形阻挡结构120的特殊结构，发光单元的各膜层将会在“工”字形的环形阻挡结构120处自然断开，即“工”字形的环形阻挡结构120可以将打孔边缘区域的各膜层与有效显示区域的各膜层彻底隔离开，阻断传输水汽和氧气的通道，防止产生黑斑不良；同时，由于各膜层均为有机材料，具有一定的流动性，因此为了便于制备发光单元，设置“工”字形的环形阻挡结构120可有效拦截有机材料向靠近打孔区域的一侧流动、蔓延。
制作完发光单元后，可通过蒸镀或者其他方式在整个阵列基板100的上表面制作透明的阴极，阴极也将会在“工”字形的环形阻挡结构120处自然断开。
基于阵列基板100相同的构思，本实施例还提供一种显示面板，如图2所示，包括阵列基板100和封装结构15，该阵列基板100可以为上述任一实施方式的阵列基板100。
其中，封装结构15可以包括的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层，第一无机封装层和第二无机封装层可用于防止从显示面板正面进入的水汽和氧气进入发光单元中。第一无机封装层和第二无机封装层的材料为无机物，比如氮化硅和/或氧化硅等。有机封装层可用于防止第一无机封装层中的无机物颗粒影响第二无机封装层的制备，导致第二无机封装层的膜层破裂，因此需要设置有机封装层平坦化第一无机封装层，有机封装层的材料例如可以为亚克力。上述封装结构15的各膜层也将会在“工”字形的环形阻挡结构120处自然断开。
待封装结构15制作完成后，可通过激光切割得到多个带孔的显示面板。
本实施例提供的显示面板，包括上述任一实施方式的阵列基板100，至少可以实现上述阵列基板100的有益效果，在此不再赘述。
基于阵列基板100相同的构思，本实施例还提供一种阵列基板100的制作方法，可包括以下处理步骤：
提供一衬底基板1，衬底基板1的指定位置具有阵列基板110，阵列基板110用于放置指定功能组件；
在衬底基板1上向远离衬底基板1的方向依次形成栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、层间介质层及源极漏极层6；
在形成栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、层间介质层及源极漏极层6中任意层之前或之后，在阵列基板110周围形成环绕阵列基板110的环形阻挡结构120，环形阻挡结构120用于隔绝外界环境中的水汽经由阵列基板110进入阵列基板100。
于本实施例一具体实施方式中，在形成栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、层间介质层及源极漏极层6中任意层之前或之后，在阵列基板110周围形成环绕阵列基板110的环形阻挡结构120，可进一步包括以下处理：
在形成源极漏极层6之后，在形成源极漏极层6上形成整层膜层；
采用半色调掩膜一次形成平坦化层8和环绕阵列基板110的第一子环形凸部83，第一子环形凸部83向远离衬底基板1的方向凸起，且在沿垂直衬底基板1的方向的截面为两个关于阵列基板110中轴线对称的第一梯形，第一梯形的长边靠近衬底基板1；
在第一子环形凸部83上形成覆盖第一子环形凸部83的第二子环形凸部84，以形成包括第一子环形凸部83和第二子环形凸部84的环形阻挡结构120，第二子环形凸部84的沿垂直衬底基板1的方向的截面为两个关于阵列基板110中轴线对称的第二梯形，且第二梯形的短边靠近衬底基板1，第二梯形的长边的长度大于或等于第一梯形的长边的长度。
本实施例提供的阵列基板100的制作方法，可制作上述阵列基板100，至少可以实现上述阵列基板100的有益效果，在此不再赘述。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (7)
1.一种阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板上的指定位置开设有用于容置指定功能组件的通孔，在所述阵列基板上，且位于所述通孔周围环绕设置有环形阻挡结构，所述环形阻挡结构用于隔绝外界环境中的水汽经由所述通孔进入所述阵列基板；
所述环形阻挡结构与所述阵列基板的平坦化层一体成型，所述平坦化层设置在所述阵列基板的源极漏极层与所述阵列基板的阳极层之间；
所述环形阻挡结构包括设置在所述阵列基板上的环形凸部，所述环形凸部相对于所述阵列基板的发光层向远离所述阵列基板的衬底基板的方向凸出；
所述环形凸部靠近所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影，位于所述环形凸部远离所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影的边缘内侧；
所述阵列基板包括衬底基板，所述通孔贯穿所述衬底基板；
所述阵列基板划分为显示区域、打孔边缘区域和打孔区域；
所述阵列基板还包括TFT，所述TFT包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层、层间绝缘层、源极漏极层和钝化层；
所述衬底基板和所述平坦化层覆盖所述显示区域和所述打孔边缘区域；
所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述层间绝缘层、所述源极漏极层和所述钝化层与所述打孔边缘区域无交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述环形凸部的靠近所述衬底基板的端面与远离所述衬底基板的端面之间具有收缩部，所述收缩部在所述衬底基板上的正投影位于所述环形凸部靠近所述衬底基板的端面在所述衬底基板上的正投影的边缘内侧。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述环形凸部包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的第一子环形凸部和第二子环形凸部，所述第一子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于断口对称的第一梯形，且所述第一梯形的长边靠近所述衬底基板；所述第二子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述断口对称的第二梯形，且所述第二梯形的短边靠近所述衬底基板，所述第二梯形的长边的长度大于或等于所述第一梯形的长边的长度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述环形阻挡结构位于所述阵列基板的栅极绝缘层和层间绝缘层的上方。
5.一种显示面板，包括阵列基板和封装结构，其特征在于，所述阵列基板为如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种如权利要求1-4任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板的指定位置具有通孔，所述通孔用于放置指定功能组件；
在所述衬底基板上向远离所述衬底基板的方向依次形成栅极层、栅极绝缘层、有源层、层间介质层及源极漏极层；
在形成所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述层间介质层及所述源极漏极层中任意层之前或之后，在所述通孔周围形成环绕所述通孔的环形阻挡结构，所述环形阻挡结构用于隔绝外界环境中的水汽经由所述通孔进入所述阵列基板。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在形成所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述层间介质层及所述源极漏极层中任意层之前或之后，在所述通孔周围形成环绕所述通孔的环形阻挡结构，进一步包括：
在形成所述源极漏极层之后，在形成所述源极漏极层上形成整层膜层；
采用半色调掩膜一次形成所述平坦化层和环绕所述通孔的第一子环形凸部，所述第一子环形凸部向远离所述衬底基板的方向凸起，且在沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述通孔中轴线对称的第一梯形，所述第一梯形的长边靠近所述衬底基板；
在所述第一子环形凸部上形成覆盖所述第一子环形凸部的第二子环形凸部，以形成包括所述第一子环形凸部和所述第二子环形凸部的所述环形阻挡结构，所述第二子环形凸部的沿垂直所述衬底基板的方向的截面为两个关于所述通孔中轴线对称的第二梯形，且所述第二梯形的短边靠近所述衬底基板，所述第二梯形的长边的长度大于或等于所述第一梯形的长边的长度。
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