TWI659529B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

揭露一種有機發光顯示裝置，包括：遮光層和第一輔助電極，每一者皆設置在由顯示區域和焊墊區域所定義的基板的顯示區域中；緩衝層，覆蓋遮光層和第一輔助電極；薄膜電晶體，設置在緩衝層上，使得薄膜電晶體與遮光層重疊；下焊墊部分，設置在焊墊區域的緩衝層上；上焊墊部分，經由層間絕緣膜與下焊墊部分間隔開，並通過焊墊接觸孔連接到下焊墊部分；第二輔助電極，通過第一接觸孔連接到第一輔助電極；平坦化膜，覆蓋薄膜電晶體和第二輔助電極；焊墊保護膜，覆蓋上焊墊部分的側表面並暴露上焊墊部分的上表面的一部分；第一電極，設置在平坦化膜上且電性連接到薄膜電晶體；第三輔助電極，通過第二接觸孔連接到第二輔助電極；有機發光層，設置在第一電極上；及第二電極，設置在包含發射層的有機發光層上且電性連接到第三輔助電極。

Description

有機發光顯示裝置
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，特別是關於一種可減少厚度、降低成本、以及保護面板部件的有機發光顯示裝置及其製造方法。
用於在螢幕上顯示各種資訊的影像顯示裝置在資訊技術時代是重要的技術，正被開發成更輕薄、更輕便、更可攜和更高功能的形式。呼應於這些要求，透過控制由有機發光層發射的光量來顯示影像的有機發光顯示裝置作為能夠減小重量和體積的平板顯示裝置引起很大關注，而這正是陰極射線管的缺點。
有機發光顯示裝置通過設置成矩陣形式的複數個像素來顯示影像。每一個像素包含發光元件和獨立操作發光元件並包含複數個電晶體、儲存電容器等的像素驅動電路。每一個發光顯示元件於第一電極與第二電極間皆包含發射層。
近年來，已經積極研究確保開口率並實現透明顯示的頂部發射型有機發光顯示裝置。頂部發射型的有機發光顯示裝置的發射層應該滲透上電極，即第二電極，並且發光，以顯示影像。因此，第二電極使用透明導電材料形成。由於透明導電材料具有比金屬更高的電阻，因此，使用輔助電極來降低這種電阻。在此情況下，輔助電極可以形成在與第一電極相同的層中，但是不能以與第一電極重疊的方式來形成。因此，在增加輔助電極的面積方面存在空間上的限制，這對降低第二電極的電阻造成了限制。
因此，提出頂部發射型有機發光顯示裝置，其進一步包括經由絕緣膜插入在第一電極與薄膜電晶體之間的連接電極(連接層)，以連接第一電極到薄膜電晶體，其中，輔助電極形成在與連接層相同的層中。
然而，在此情況下，堆疊該附加層導致有機發光顯示裝置的厚度增加並且使用的遮罩數量增加，從而導致製造成本的增加。另外，在所提出的有機發光顯示裝置中，通常使用諸如銀(Ag)的具有高反射率的金屬來形成連接電極，並且使用與形成連接電極相同的製程來形成焊墊部分。然而，當使用銀形成焊墊部分時，有機發光顯示裝置的焊墊部分由於銀的低耐腐蝕性而被腐蝕，從而存在接觸缺陷的問題。
因此，本發明係的實施例涉及一種有機發光顯示裝置，實質上避免了由於習知技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個態樣是提供一種有機發光顯示裝置，以減小厚度、降低製造成本、並保護焊墊部分。
其他特徵和態樣將在以下說明書中加以闡述，並且一部分將從說明書中變得顯而易見，或者可以通過實踐本文提供的發明構思而習得。本發明構思的其它特徵和態樣可以通過書面說明書中特別指出的結構或從其中推導出的結構、以及其申請專利範圍和附圖來實現和獲得。
為了實現本發明構思的這些和其它態樣，如具體且廣泛地描述，一種有機發光顯示裝置，包括：一遮光層和一第一輔助電極，每一者皆設置在由一顯示區域和一焊墊區域所定義的一基板的該顯示區域中；一緩衝層，覆蓋該遮光層和該第一輔助電極；一薄膜電晶體，設置在該緩衝層上，使得該薄膜電晶體與該遮光層重疊；一下焊墊部分，設置在該焊墊區域的該緩衝層上；一上焊墊部分，經由一層間絕緣膜與該下焊墊部分間隔開，並通過一焊墊接觸孔連接到該下焊墊部分；一第二輔助電極，通過一第一接觸孔連接到該第一輔助電極；一平坦化膜，覆蓋該薄膜電晶體和該第二輔助電極；一焊墊保護膜，覆蓋該上焊墊部分的一側表面並暴露該上焊墊部分的一上表面的一部分；一第一電極，設置在該平坦化膜上且電性連接到該薄膜電晶體；一第三輔助電極，通過一第二接觸孔連接到該第二輔助電極；一有機發光層，設置在該第一電極上； 以及一第二電極，設置在包含一發射層的該有機發光層上且電性連接到該第三輔助電極。
應該理解的是，上述一般說明以及以下詳細說明為實例性及解釋性，並旨在提供對所請求保護的發明構思的進一步解釋。
8‧‧‧遮光層
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
12‧‧‧層間絕緣膜
13‧‧‧平坦化膜
14‧‧‧堤岸絕緣膜
20‧‧‧主動層
21‧‧‧通道區域
22‧‧‧源極區域
23‧‧‧汲極區域
24‧‧‧源極電極
24a‧‧‧第一源極分層
24b‧‧‧第二源極分層
24c‧‧‧第三源極分層
25‧‧‧汲極電極
25a‧‧‧第一汲極分層
25b‧‧‧第二汲極分層
25c‧‧‧第三汲極分層
26‧‧‧閘極絕緣膜
27‧‧‧閘極電極
30‧‧‧輔助電極
31‧‧‧第一輔助電極
32‧‧‧第二輔助電極
32a‧‧‧第一輔助電極分層
32b‧‧‧第二輔助電極分層
32c‧‧‧第三輔助電極分層
33‧‧‧第三輔助電極
33a‧‧‧第四輔助電極分層
33b‧‧‧第五輔助電極分層
33c‧‧‧第六輔助電極分層
40‧‧‧焊墊電極
41‧‧‧下墊部分
42‧‧‧上墊部分
42a‧‧‧第一焊墊部分層
42b‧‧‧第二焊墊部分層
42c‧‧‧第三焊墊部分層
45‧‧‧焊墊保護膜
51‧‧‧第一電極
51a‧‧‧第一電極下層
51b‧‧‧第一電極中間層
51c‧‧‧第一電極上層
52‧‧‧有機發光層
53‧‧‧第二電極
54‧‧‧阻障層
511‧‧‧開口
512‧‧‧有機孔
H1‧‧‧第一接觸孔
H2‧‧‧第二接觸孔
H3‧‧‧第三接觸孔
H4‧‧‧第四接觸孔
H5‧‧‧第五接觸孔
H6‧‧‧第六接觸孔
H7‧‧‧焊墊部分接觸孔/第七接觸孔
T‧‧‧薄膜電晶體
A/A‧‧‧顯示區域
P/A‧‧‧焊墊區域
附圖說明本發明的實施例，並與說明書一起用於解釋本發明的各種原理，其中，包括提供對本發明的進一步理解並且被併入且構成本申請的一部分。在該些圖式中：圖1係說明根據本發明之有機發光顯示裝置的剖視圖；以及圖2A至圖2D係說明根據本發明之製造有機發光顯示裝置的方法的示意圖。
在下文中，本發明的較佳實施例將參照附圖描述。只要有可能，在整個附圖中將使用相同的參考編號來表示相同或相似的部件。在以下描述中，可以省略與本發明相關的公知技術或配置的詳細描述，以免不必要地模糊本發明的請求標的。此外，在以下描述中，使用的元件名稱是考慮到說明書的容易性來選擇的，並且可能與元件的實際名稱不同。
應該理解的是，就位置關係的描述而言，當元件被稱為「在...之上」、「在...之上方」、「在...下面」或「在...旁邊」時，一個或多個中間元件可以是在兩個元件之間出現，除非使用「立即」或「直接」一詞。
縱使可以使用諸如「第一」和「第二」的術語來描述各種組件，但是這些術語僅旨在將相同或相似的組件彼此區分開。因此，在整個說明書中，除非另外特別提及，否則在本發明的技術概念內，「第一」組件可以與「第二」組件相同。
圖式中的元件的尺寸和厚度是為了方便繪圖，本發明不一定限於此。
在下文中，本發明之各種實施例將參考附圖來描述。
圖1係說明根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置的示意圖。
根據本發明的有機發光顯示裝置包括顯示區域(A/A)和焊墊區域(P/A)。
根據本發明的有機發光顯示裝置包括設置在顯示區域A/A中的薄膜電晶體T、電性連接到薄膜電晶體T的第一電極51、有機發光層52、第二電極53、以及電性連接到第二電極53的輔助電極30。另外，根據本發明的有機發光顯示裝置包括設置在焊墊區域(P/A)中的焊墊電極40。
薄膜電晶體T包含：主動層20、閘極絕緣膜26、閘極電極27、以及源極電極24和汲極電極25。
輔助電極30包含：第一輔助電極31、第二輔助電極32、以及第三輔助電極33。
另外，焊墊電極40包含下墊部分41和上墊部分42。
以下將更加詳細地描述圖1。參閱圖1，緩衝層11設置在基板10上。緩衝層11防止濕氣或雜質免於滲入到基板10中，並且平坦化膜13起到了平坦化基板10的上表面的作用。緩衝層11可以使用諸如SiNx或SiOx的無機絕緣材料來形成。
在緩衝層11上形成由例如矽或氧化物半導體的半導體製成的主動層20。在主動層20上設置閘極絕緣膜26，在閘極絕緣膜26上設置閘極電極27。閘極電極27被設置成經由閘極絕緣膜26與主動層20的通道區域21重疊。這裡，閘極電極27可以是由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金的其中之任一者所形成的單層或多層，但不限於此。
遮光層8設置在薄膜電晶體T下方。遮光層8用於阻擋入射到主動層20上的光，並減少在薄膜電晶體(T)與各條線之間產生的寄生電容(圖中未示)。遮光層8可以由銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和釹(Nd)或其合金的其中之任一者的金屬所形成。
層間絕緣膜12設置在閘極電極27上。層間絕緣膜12從顯示區域A/A延伸到包含焊墊區域(P/A)的下墊部分41的基板10的一表面的整個區域。層間絕緣膜12可以形成為由諸如SiNx或SiOx的無機絕緣材料所製成的單層或多層。
在此情況下，層間絕緣膜12包含暴露主動層20的源極區域22的第一接觸孔H1和暴露汲極區域23的第二接觸孔H2。
源極電極24通過第一接觸孔H1連接到源極區域22，並且汲極電極25通過第二接觸孔H2連接到汲極區域23。在此情況下，為了在汲極電極25與主動層20和遮光層8之間產生等電位，汲極電極25可以進一步通過第三接觸孔H3連接到遮光層8，該第三接觸孔H3藉由去除層間絕緣膜12和緩衝層11的一部分來形成。當在汲極電極25和主動層20及遮光層8之間形成等電位時，防止了在汲極電極25與主動層20之間或在主動層20與遮光層8之間形成寄生電容。
這裡，源極電極24和汲極電極25可以是包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金的其中之任一者所形成的單層或多層，但不限於此。然而，根據本發明的有機發光顯示裝置設置有由有機絕緣材料製成的上述平坦化膜13，代替了在薄膜電晶體T上由無機絕緣材料製成的鈍化層，與傳統有機發光顯示裝置不同。因此，源極電極24和汲極電極25形成為具有多層結構，從而保護電極不受外部氧氣、濕氣等影響，並且使用高度防腐蝕材料形成最上層和最下層以透過封蓋來保護設置在中間部分的電極層。
例如，源極電極24可以包含三個層，即第一源極分層24a、第二源極分層24b、和第三源極分層24c。類似地，汲極電極25也包含三層，即第一汲極分層25a、第二汲極分層25b、和第三汲極分層25c。
在此情況下，第一源極分層至第三源極分層24a至24c和第一汲極分層至第三汲極分層25a至25c可以是以此順序堆疊的MoTi/Cu/MoTi三層。然而，第一源極分層至第三源極分層24a至24c和第一汲極分層至第三汲極分層25a至25c可以使用各種材料來形成，而不限於上述材料。
平坦化膜13設置在薄膜電晶體T上。平坦化膜13起到了平坦化設置有薄膜電晶體T的基板10的上部的作用。平坦化膜13可以例如由丙烯酸樹脂 (acrylic resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醘胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)等製成。
第一電極51形成在平坦化膜13上。第一電極51設置在開口511中以定義基板10中的發光區域並且電性連接到薄膜電晶體T。在此情況下，第一電極51設置在平坦化膜13中，且通過暴露汲極電極25的第四接觸孔H4電性連接到薄膜電晶體T的汲極電極25。
取決於薄膜電晶體T的類型，第一電極51作用為陽極或陰極。在本實施例中，第一電極51作用為有機發光元件的陽極。在此情況下，第一電極51由具有較高功函數的透明導電材料(例如，ITO、IZO、ZnO、或IGZO)製成。另外，第一電極51可以包含高反射性金屬材料，例如鋁(Al)、銀(Ag)、APC(Ag/Pb/Cu)等。這是為了使入射在有機發光元件的下部上的光朝向其上部反射，以有助於有機發光元件的發光，以便提高頂部型發光裝置的效率和壽命。在此情況下，諸如鋁(Al)或銀(Ag)之類的高反射性金屬容易被外部氧氣、濕氣等氧化。因此，第一電極51還包含：三層，即第一電極下層51a、第一電極中間層51b、和第一電極上層51c，第一電極中間層51b包含諸如Ag的高反射材料，而第一電極下層51a和第一電極上層51c較佳使用透明導電材料來形成，以保護第一電極中間層51b的高反射金屬層。在此情況下，第一電極上層51c由透明導電材料製成，使得由第一電極中間層51b反射的光穿過第一電極上層51c並且朝向有機發光元件的上部發射。基於這些特徵，根據本發明的有機發光顯示裝置具有改進的有機發光元件的效率和壽命的優點，因為入射到發光元件的下部的光被反射朝向上部，這有助於有機發光元件的發光。
堤岸絕緣膜14形成為覆蓋第一電極51的一部分並且定義作為發光區域的開口511。堤岸絕緣膜14可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等製成。
有機發光層52設置在第一電極51上。在此情況下，有機發光層52可以具有電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)的結構。此外，有機發光層52可以進一步包含至少一個功能層，以提高發光層的發光效率和壽命，例如產生電荷的電荷產生層、額外的電子傳輸層、額外的電洞傳輸層等。
有機發光層52可以延伸以覆蓋堤岸絕緣膜14的上部，以減少遮罩的數量。在此情況下，有機發光層52的發光層可以僅設置在第一電極51上，並且可以不形成在其他區域中。
設置第二電極53以覆蓋有機發光層52和堤岸絕緣膜14的上表面。當第一電極51作為陽極時，第二電極53作為陰極。在頂部發射型有機發光顯示裝置中，第二電極53使用具有小厚度(例如，大約200埃或更小)的金屬材料來形成以透過光並且具有低功函數，使得來自有機發光層52穿過第二電極53，因此實現頂部發射。能夠用在第二電極53中的材料例如可以包含銀(Ag)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Mo)、以及銀(Ag)和鎂(Mg)的合金中的至少一種。另外，第二電極53使用諸如ITO、IZO、IGZO、或ZnO的透明導電材料來形成，從而允許來自有機發光層52的光穿過第二電極53並實現頂部發射。
由極薄金屬或透明導電材料製成的第二電極53具有較高的電阻。當第二電極53是陰極時，隨著第二電極53的電阻增加，供應到有機發光元件的低電源電壓(VSS)增加，因此，降低有機發光元件的亮度、功效和壽命。在嘗試解決這些問題中，為了降低第二電極53的電阻，第二電極53與輔助電極30電性連接。輔助電極30使用電阻相對較低的材料來形成，從而第二電極53連接到輔助電極30，從而降低第二電極53的電阻。
在此情況下，輔助電極30可以具有包含第一輔助電極31、第二輔助電極32和第三輔助電極33的三層結構，並且第二電極53可以電性連接到透過去除堤岸絕緣膜14的一部分而露出的第三輔助電極33。
在下文中，將更詳細描述輔助電極30的結構。
第一輔助電極31形成在與遮光層8相同的層上，即在基板10上，並被緩衝層11覆蓋。在此情況下，第一輔助電極31可以使用與遮光層8相同的材料來形成。如上所述，由於層間絕緣膜12設置在基板10的整個表面上，因此，緩衝層11和層間絕緣膜12設置在第一輔助電極31上。
第二輔助電極32設置在第一輔助電極31與層間絕緣膜12重疊的區域中。第二輔助電極32透過去除緩衝層11和層間絕緣膜12的一部分，通過暴露第一輔助電極31的第五接觸孔H5連接到第一輔助電極31。
第二輔助電極32可以使用與源極電極24和汲極電極25相同的材料形成在同一層中。也就是說，與由第一分層到第三分層構成的源極電極24和汲極電極25一樣，第二輔助電極32也可以具有三層結構，包含第一輔助電極分層32a、第二輔助電極分層32b和第三輔助電極分層32c，但是本發明不限於此。第二輔助電極32可以形成為單層或多層。例如，當源極電極24和汲極電極25是具有MoTi/Cu/MoTi疊層的三層時，第一輔助電極分層32a和第三輔助電極分層32c由MoTi製成，而第二輔助電極分層32b由Cu製成，使得第二輔助電極32形成有依次堆疊的MoTi/Cu/MoTi三層。在此情況下，用於第二輔助電極32的材料不限於上述材料，並且可以從構成源極電極24和汲極電極25的上述金屬中可變地選擇。
平坦化膜13形成在薄膜電晶體T上並延伸到第二輔助電極32的上部。在此情況下，在平坦化膜13與第二輔助電極32重疊的區域的一部分中，設置透過去除平坦化膜13而暴露出第二輔助電極32的上表面的第六接觸孔H6。
第三輔助電極33形成於平坦化膜13上。由於第三輔助電極33是使用與第一電極51同層的相同材料來形成，因此，不需要額外的製程即可形成。
與包含第一電極下層51a、第一電極中間層51b、和第一電極上層51c的三層結構的第一電極51一樣，第三輔助電極33也形成為三層結構，但是本發明不限於此。第一電極51可以形成為單一層或多層。當第三輔助電極33是三層結構時，第三輔助電極33可以具有第四輔助電極分層33a、第五輔助電極分層33b、和第六輔助電極分層33c的三層結構。
與第一電極51類似，第三輔助電極33包含：由諸如Ag等高反射材料製成的第五輔助電極分層33b、以及由透明導電材料製成的第四輔助電極分層33a和第六輔助電極分層33c，從而具有用於保護第一電極中間層51b的高反射金屬層的結構。
堤岸絕緣膜14也可以設置在第三輔助電極33上。堤岸絕緣膜14覆蓋第一電極51的一部分並延伸到第三輔助電極33的上部。在此情況下，在第三輔助電極33中設置透過去除堤岸絕緣膜14的一部分而露出第三輔助電極33的一部分的有機孔512。
阻障層54可以進一步設置在有機孔512中。阻障層54具有倒錐形的側面端，但是本發明不限於此。阻障層54可以使用與堤岸絕緣膜14相同的材料來形成，但卻不限於此。阻障層54具有倒錐形的兩個側表面，使得有機發光層52的一部分不連續地形成在阻障層54的上側，同時有機發光層52不形成在阻障層54的鄰近區域中。因此，第三輔助電極33的第六輔助電極分層33c暴露在阻障層54的相鄰區域中，並且第二電極53接觸在阻障層54的相鄰區域中的第三輔助電極33。
如上所述，第二電極53形成在開口511和堤岸絕緣膜14兩者上。也就是說，第二電極53形成在設置第六輔助電極分層33c的區域中，並且第二電極53的一部分也不連續地形成在阻障層54上部中之不連續的有機發光層52上。
在此情況下，與有機發光層52不同，第二電極53從開口511中的第二電極連續地延伸到阻障層54的相鄰區域。因此，第三輔助電極33和連續的第二電極53(其一部分通過有機孔512暴露)在阻障層54的相鄰區域中電性連接。
如上所述，第二電極53連接到輔助電極30，從而降低第二電極53的高電阻。特別是，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，輔助電極30包含順序地堆疊的第一輔助電極31至第三輔助電極33，因此與傳統的情況相比，輔助電極30的面積大大增加，由此有效地減小第二電極53的電阻。特別是，當輔助電極30形成為三層結構時，第二電極53的電阻有效地減小，而不會增加形成在與第一電極51相同層中的第三輔助電極33的面積。因此，不需要在第一電極51與汲極電極25之間插入連接電極以增加輔助電極，如傳統的有機發光顯示裝置，使得有機發光顯示裝置的厚度因此可以減少，用於形成連接電極的遮罩的數量可以減少，以及可以簡化製造有機發光顯示裝置的整體製程，並降低製造成本。
雖然未顯示，但是密封件可以設置在第二電極53上。該密封件用於保護有機發光元件和諸如薄膜電晶體T的元件免受外部衝擊，並防止濕氣滲入。在此情況下，該密封件可以是由諸如SiOx或SiNx的無機絕緣材料製成的單層，或者由無機絕緣材料交替層疊製成的多層。
焊墊電極40設置在焊墊區域(P/A)的基板10上。將參考圖1更詳細描述這樣的配置。焊墊電極40包含下墊部分41和上墊部分42。
雖然在圖1中未顯示，焊墊電極40與用於連接到驅動電路(圖中未示)的驅動線(圖中未示)接觸以驅動有機發光顯示裝置。另外，驅動電路供應多個驅動訊號以通過焊墊電極40驅動有機發光顯示裝置。根據本發明的焊墊電極40具有包含下墊部分41和上墊部分42的雙層結構，因此，由於在上層中產生接觸，從而減小焊墊電極40的電阻且容易接觸。
下墊部分41設置在緩衝層11的焊墊區域(P/A)上，該緩衝層11設置在基板10的一表面的整個區域上方。下墊部分41可以使用與薄膜電晶體T的閘極電極27相同的材料來形成。
層間絕緣膜12設置在下墊部分41上。層間絕緣膜12從顯示區域A/A延伸到基板10的整個表面，由此覆蓋下墊部分41。在此情況下，透過去除層間絕緣膜12的一部分而暴露出下墊部分41的上部的焊墊部分接觸孔H7設置在與下墊部分41對應的區域中。即，層間絕緣膜12覆蓋下焊墊部分41的側面，以防止構成下墊部分41的金屬的腐蝕。
上墊部分42設置在層間絕緣膜12與下墊部分41重疊的區域中。
上墊部分42可以使用與源極電極24和汲極電極25相同的材料形成。也就是說，上墊部分42可以是包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)(可用於形成源極電極24和汲極電極25)或其合金中的任何一種的單層或多層，但是本發明不限於此。
上墊部分42可以具有三層結構，如具有三層結構的源極電極24和汲極電極25。例如，與包含第一分層到第三分層的源極電極24和汲極電極25一樣，上墊部分42也可以具有三層結構，包含第一焊墊部分層42a、第二焊墊部分層42b、和第三焊墊部分層42c，但是本發明不限於此。在此情況下，當源極電極24和汲極電極25是依次堆疊的MoTi/Cu/MoTi三層時，第一焊墊部分層42a和第三焊墊部分層42c由MoTi製成，而第二焊墊部分層42b由Cu製成，使得上墊部分42可以具有以這種順序堆疊的MoTi/Cu/MoTi三層結構，但是本發明不限於這些材料。
焊墊保護膜45被設置以覆蓋上墊部分42的側表面。另外，焊墊保護膜45不完全覆蓋上墊部分42的上表面並暴露上墊部分42的一部分。通過具有 暴露的上表面的上墊部分42，焊墊電極40接觸各條線並接收驅動訊號以驅動有機發光顯示裝置。
焊墊保護膜45覆蓋上墊部分42的側表面。上墊部分42的第二焊墊部分層42b可以由具有弱耐腐蝕性的銅(Cu)製成。因此，焊墊保護膜45圍繞第二焊墊部分層42b，因此，有利地防止第二焊墊部分層42b的腐蝕。
特別是，當上墊部分42與源極電極24和汲極電極25同時形成時，用於形成第一電極51的蝕刻劑可能產生缺陷(第二焊墊部分層42b的腐蝕)。因此，焊墊保護膜45圍繞第二焊墊部分層42b，由此，防止第二焊墊部分層42b的腐蝕。
焊墊保護膜45可以使用與平坦化膜13相同的材料同時形成。即，與平坦化膜13一樣，焊墊保護膜45可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等製成。在此情況下，如上所述，第二焊墊部分層42b使用諸如銅(Cu)的金屬形成。當丙烯酸樹脂連接到包含銅(Cu)的第二墊片部分層42b時，第二墊片部分層42b可能被腐蝕，但聚醯亞胺樹脂不可能造成這種現象。因此，為了保護第二焊墊部分層42b，焊墊保護膜45最佳使用聚醯亞胺樹脂來形成。因此，當同時形成焊墊保護膜45和平坦化膜13時，較佳平坦化膜13一樣使用聚醯亞胺樹脂來形成。
圖2A至圖2D係說明根據本發明之製造有機發光顯示器裝置的方法的示意圖。
首先，如圖2A所示，在基板10上形成遮光層8和第一輔助電極31，透過在基板10的整個表面上沈積來形成緩衝層11，以覆蓋基板10的上部。可以通過沈積選自銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、和釹(Nd)或其合金的單一材料同時形成遮光層8和第一輔助電極31，然後圖案化。
然後，如圖2B所示，在緩衝層11上形成由半導體材料製成的主動層20。另外，在主動層20的通道區域21上依次形成閘極絕緣膜26和閘極電極27。
另外，透過與形成閘極電極27相同的製程形成下墊部分41。閘極電極27和下墊部分41可以透過沈積具有包含鉬(Mo)、鋁(Al、鉻(Cr)、金 (Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、和銅(Cu)或其合金中之任一者的單層或多層結構的第二金屬層(圖中未示)來形成，然後圖案化，但是本發明不限於此。
然後，使用閘極電極27作為遮罩對主動層20摻雜雜質以形成源極區域22和汲極區域23。當主動層20由氧化物半導體製成時，可以透過電漿處理固化主動層20的兩側來形成源極區域22和汲極區域23。
接下來，在閘極電極27和下墊部分41上的基板10的整個表面上形成層間絕緣膜12。層間絕緣膜12可以如緩衝層11那樣由無機絕緣材料製成。
然後，層間絕緣膜12被圖案化以形成暴露源極區域22的第一接觸孔H1和暴露汲極區域23的第二接觸孔H2。在此情況下，在顯示區域A/A中，層間絕緣膜12和緩衝層11的一部分被圖案化以形成暴露遮光層8的第三接觸孔H3和暴露第一輔助電極31的第五接觸孔H5。另外，在焊墊區域(P/A)中設置透過圖案化層間絕緣膜12而暴露下墊部分41的上表面的焊墊部分接觸孔H7。
然後，在層間絕緣膜12上形成通過第一接觸孔H1連接到源極區域22的源極電極24，並形成通過第二接觸孔H2連接到汲極區域23的汲極電極25。此時，汲極電極25可以通過第三接觸孔H3連接到遮光層8，但是本發明不限於此。同時，在層間絕緣膜12上，形成通過第五接觸孔H5連接到第一輔助電極31的第二輔助電極32和通過第七接觸孔H7連接到下墊部分41的上墊部分42。
在此情況下，如上所述，源極電極24、汲極電極25、第二輔助電極32、和上墊部分42可以具有多層結構。例如，當它們具有MoTi/Cu/MoTi的三層堆疊結構時，它們可以透過在層間絕緣膜12的整個上表面上堆疊MoTi/Cu/MoTi的三層金屬，並同時對其進行圖案化來同時形成。
接著，如圖2C所示，在薄膜電晶體T和第二輔助電極32上形成平坦化膜13。平坦化膜13可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等製成。
同時，焊墊保護膜45被形成以覆蓋設置在焊墊區域(P/A)中的焊墊電極40的上墊部分42的側表面。焊墊保護膜45使用與平坦化膜13相同的材料來形成。
在平坦化膜13和焊墊保護膜45的形成中，焊墊保護膜45被圖案化，使得焊墊保護膜45的厚度小於使用半調式遮罩等的平坦化膜13的厚度。
另外，平坦化膜13被圖案化以形成暴露汲極電極25的一部分的第四接觸孔H4和暴露第二輔助電極32的一部分的第六接觸孔H6。同時，焊墊保護膜45的一部分在焊墊區域(P/A)中被圖案化，以暴露上墊部分42的上表面。另外，在平坦化膜13上形成第一電極51和第三輔助電極33。如上所述，第一電極51和第三輔助電極33可以形成為三層結構。為此目的，第一電極51和第三輔助電極33可以透過沈積複數個金屬層，然後同時圖案化來形成。
例如，假定第一電極51的下層51a和上層51c以及第三輔助電極33的第四輔助電極分層33a和第六輔助電極分層33c由ITO製成，且第一電極51的中間層51b和第五輔助電極分層33b由Ag製成，這些層可以通過按照ITO/Ag/ITO的順序依次沈積金屬層然後同時圖案化來形成。在此情況下，包含第二焊墊部分層42b的焊墊電極40包括諸如Cu之具有較差耐腐蝕性的金屬，但是由耐腐蝕性差的金屬製成的層被焊墊保護膜45密封，並且僅在焊墊保護膜45上露出具有較高的耐腐蝕性的金屬，使得用於形成第一電極51和第三輔助電極33的圖案化的蝕刻劑的衝擊小。
接著，如圖2D所示，在第一電極51和第三輔助電極33上形成堤岸絕緣膜14。堤岸絕緣膜14可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等製成，但是本發明不限於此。然後，堤岸絕緣膜14被圖案化以形成開口511和有機孔512。
同時，在通過有機孔512暴露的第三輔助電極33上形成具有倒錐形的阻障層54。堤岸絕緣膜14和阻障層54可以同時形成並且可以透過不同的製程形成。阻障層54可以使用與堤岸絕緣膜14相同的材料來形成。
另外，有機發光層52形成在第一電極51和堤岸絕緣膜14上。
有機發光層52包含：電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、發光層EML、電子傳輸層ETL、以及電子注入層EIL。
第二電極53形成在基板10的一表面的整個區域之上。使用諸如銀(Ag)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Mo)、和鎂(Mg)或其合金之具有低功函 數的材料，或諸如ITO、IZO、IGZO或ZnO的透明導電材料，第二電極53可以形成為較小的厚度。如上所述，第二電極53可以接觸在阻障層54的鄰近區域中的輔助電極30的第三輔助電極33。
另外，密封層(圖未顯示)形成在下基板10的整個表面之上。該密封層可以是包含SiOx和SiNx中的至少一單層，或者包含交替堆疊的SiOx和SiNx的多層。
傳統的有機發光顯示裝置包括包含在汲極電極與第一電極之間的連接電極和輔助電極的個別的層，並且進一步包括在連接電極和輔助電極上之附加的平坦化層。另外，傳統的有機發光顯示裝置還包括由無機膜製成的鈍化層，以保護焊墊部分。
相反地，在根據本發明的有機發光顯示裝置中，不是形成鈍化層，而是為了提供鈍化的特徵，用於保護上墊部分42的焊墊保護膜45透過形成聚醯亞胺(PI)平坦化膜13的製程來形成，同時形成均具有三層堆疊結構的源極電極24和汲極電極25、第二輔助電極32、和上墊部分42。另外，根據本發明的有機發光顯示裝置不需要形成連接電極和設置在與連接電極相同的層中的輔助電極，並且實現平坦化層作為單層。
總之，根據本發明的有機發光顯示裝置可以在不形成鈍化層、額外的平坦化膜、額外的連接電極和輔助電極的情況下，以足夠的面積確保輔助電極30。因此，有利的是，根據本發明的頂部發射型有機發光顯示裝置可以比傳統的有機發光顯示裝置減少三至四個遮罩，從而簡化製程，且降低製造成本、有機發光顯示裝置的厚度、以及第二電極53的電阻。
對於本領域技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明的技術思想或範圍的情況下，可以對本發明的有機發光顯示裝置進行各種修改和變化。因此，本發明意圖涵蓋本發明的修改和變化，只要它們落入所附申請專利範圍及其均等範圍內。
本申請案主張於2016年11月30日提交的韓國專利申請第10-2016-0162383號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一遮光層和一第一輔助電極，每一者皆設置在由一顯示區域和一焊墊區域所定義的一基板的該顯示區域中；一緩衝層，覆蓋該遮光層和該第一輔助電極；一薄膜電晶體，設置在該緩衝層上，使得該薄膜電晶體與該遮光層重疊；一下焊墊部分，設置在該焊墊區域的該緩衝層上；一上焊墊部分，經由一層間絕緣膜與該下焊墊部分間隔開，並且通過一焊墊接觸孔連接到該下焊墊部分；一第二輔助電極，通過一第一接觸孔連接到該第一輔助電極；一平坦化膜，覆蓋該薄膜電晶體和該第二輔助電極；一焊墊保護膜，覆蓋該上焊墊部分的一側表面並暴露該上焊墊部分的一上表面的一部分；一第一電極，設置在該平坦化膜上且電性連接到該薄膜電晶體；一第三輔助電極，通過一第二接觸孔連接到該第二輔助電極；一有機發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在包含一發射層的該有機發光層上且電性連接到該第三輔助電極，其中，該薄膜電晶體的一汲極電極通過一第三接觸孔連接到該遮光層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該焊墊保護膜係使用與該平坦化膜相同的材料在與該平坦化膜相同的層上來形成，並與該平坦化膜分離，該焊墊保護膜的厚度小於該平坦化膜的厚度，以及該焊墊保護膜下面的該層間絕緣膜暴露在該焊墊區域中的該焊墊保護膜的側表面的周邊上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該薄膜電晶體包含：一主動層，設置在該緩衝層上，且包含一通道區、一源極區、和一汲極區；一閘極絕緣膜，設置在該主動層的該通道區上；一閘極電極，設置在該閘極絕緣膜上；一源極電極，連接到該主動層的該源極區；以及該汲極電極，連接到該主動層的該汲極區；其中，該層間絕緣膜覆蓋該閘極電極，以及該下焊墊部分與該閘極電極設置在同一層中，並且使用與該閘極電極相同的材料來形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中，該源極電極和該汲極電極與該上焊墊部分和該第二輔助電極設置在同一層中，並且使用與該上焊墊部分和該第二輔助電極相同的材料來形成。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中，該源極電極、該汲極電極、該上焊墊部分、和該第二輔助電極中的至少一個具有包含三個金屬層的一堆疊結構。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中，該三個金屬層是依次堆疊的MoTi、Cu和MoTi。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，進一步包括：一堤岸絕緣膜，設置在該第一電極上，以暴露該第一電極的一部分、定義一發光區域、以及暴露該第三輔助電極的一部分；以及一阻障層，設置在該第三輔助電極的所暴露部分上並具有一倒錐形狀，其中，該第三輔助電極在該阻障層的一鄰近區域中電性連接到該第二電極。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中，該焊墊保護膜和該平坦化膜包含聚醯亞胺(PI)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一電極和該第三輔助電極中的至少一個具有包含一下層、一中間層、和一上層的三個金屬層的一堆疊結構。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中，該三個金屬層是依次堆疊的ITO、Ag和ITO。
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