KR20160033571A - 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20160033571A
KR20160033571A KR1020140187515A KR20140187515A KR20160033571A KR 20160033571 A KR20160033571 A KR 20160033571A KR 1020140187515 A KR1020140187515 A KR 1020140187515A KR 20140187515 A KR20140187515 A KR 20140187515A KR 20160033571 A KR20160033571 A KR 20160033571A
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장진희
김세준
이준석
이소정
장민호
임종혁
이재성
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Abstract

본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 패드 영역을 위한 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극, 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극, 및 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드, 및 상기 패드 상에 구비된 패드 커버 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 패드 커버 전극은 상기 패드가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드의 상부를 덮도록 구비된다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있어, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 개구율이 저하되는 문제가 발생되기 때문에, 최근에는 상부 발광 방식이 주로 이용되고 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(20), 평탄화층(30), 제1 전극(40), 보조 전극(50), 뱅크(60), 유기 발광층(70) 및 제2 전극(80)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(10) 상에는 도면에 도시되지는 않았으나 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하도록 구비되어 화소 영역을 정의하고, 각 화소 영역에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(T)가 구비되어 있다.
상기 패시베이션층(20)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 덮으며 상기 기판(10) 전면에 구비되고, 평탄화층(30)은 상기 패시베이션층(20) 전면을 덮는다.
상기 제1 전극(40)은 상기 평탄화층(30) 상에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결되어 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(40)은 반사율이 높은 물질 예를 들어, 은합금(Ag alloy)층을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극(50)은 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(50)은 상기 제2 전극(80)과 연결되어 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주는 역할을 한다.
상기 뱅크(60)는 각각의 화소 영역의 경계에 구비되어 있다. 상기 뱅크(60)는 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50) 사이에 구비되어, 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50)을 절연시킨다.
상기 유기 발광층(70)은 상기 제1 전극(40) 상에 구비된다.
상기 제2 전극(80)은 상기 기판(10) 전면에 구비되며, 상기 보조 전극(50)과 연결된다. 상기 제2 전극(80)은 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께로 얇게 형성된 금속성 물질로 이루어질 수 있다.
그러나, 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서는 상기 제2 전극(80)의 두께가 얇게 형성되기 때문에 상대적으로 저항이 높아질 수 있다. 이러한 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주기 위해 상술한 바와 같이 상기 제2 전극(80)과 상기 보조 전극(50)을 연결해줄 수 있으나, 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 보조 전극(50)을 구비하여야 하기 때문에 상기 보조 전극(50)의 크기를 증가시키는데 공간적 제약이 따른다. 이에 따라, 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 기판(10) 상의 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)이 구비될 때, 상기 기판(10) 상의 패드 영역에는 패드 전극이 구비될 수 있다. 그러나 상기 패드 전극은 부식에 취약하여, 이후 공정이 진행됨에 따라 패드 영역에 부식 및 금속 전이(Migration)가 발생될 수 있다. 상기 패드 영역의 부식 및 금속 전이를 방지하기 위하여 상기 패드 영역만을 위한 별도의 공정을 추가할 수 있으나, 이 경우, 공정 추가에 따른 표시 장치의 생산성이 저하될 수 있다.
본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 패드 영역만을 위한 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극, 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극, 및 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드, 및 상기 패드 상에 구비된 패드 커버 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 패드 커버 전극은 상기 패드가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드의 상부를 덮도록 구비된다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 연결 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 보조 배선 상에 상기 보조 배선을 덮도록 보조 커버 배선을 형성하고, 상기 패드 연결 전극 상에 상기 패드 연결 전극을 덮도록 패드 커버 전극을 형성하는 단계, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 화소 영역에 제2 평탄화층을 형성하고, 상기 패드 영역에 패드 보호 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 패드 보호 패턴을 제거하는 단계, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 패드 커버 전극은 상기 보조 커버 배선과 동시에 형성된다.
본 발명의 실시예들에 따르면 보조 전극 하부에 상기 보조 전극과 연결되는 보조 배선이 구비되고, 상기 보조 배선이 상기 보조 전극을 통해 제2 전극과 연결되기 때문에 상기 제2 전극의 저항을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 패드의 상부를 덮도록 패드 커버 전극을 구비할 수 있기 때문에, 상기 패드에서의 부식이 발생하지 않을 수 있으며, 이에 따른 금속 전이를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 패드의 상부를 덮도록 패드 연결 전극이 구비되고, 상기 패드 연결 전극의 측면 및 상면을 덮도록 상기 패드 커버 전극을 구비할 수 있기 때문에, 상기 패드에서의 부식이 발생하지 않을 수 있으며, 이에 따른 금속 전이를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 패드 영역만을 위한 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드를 보호할 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예가 상세히 설명된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(AA)과 패드 영역(PA)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(114), 제1 평탄화층(151), 연결 배선(163), 보조 배선(161), 제2 평탄화층(152), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 뱅크(180), 유기 발광층(173), 제2 전극(172)이 구비되어 있다.
상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(130), 게이트 절연막(112), 게이트 전극(135), 층간 절연막(113), 소스 전극(142) 및 드레인 전극(141)을 포함하여 이루어진다.
상기 액티브층(130)은 상기 게이트 전극(135)과 중첩되도록 상기 기판(110) 상에 구비된다. 상기 액티브층(130)는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon) 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 기판(110)과 상기 액티브층(130) 사이에는 버퍼층(111)이 추가로 구비될 수 있다. 상기 버퍼층(111)은 상기 기판(110)으로부터 금속 이온 등의 불순물이 확산되어 상기 액티브층(130)으로 침투되는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
상기 게이트 절연막(112)은 상기 액티브층(130)상에 구비된다. 상기 게이트 절연막(112)은 상기 액티브층(130)과 게이트 전극(135)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 게이트 절연막(112)은 상기 액티브층(130)을 덮으며, 상기 화소 영역(AA) 전면에 형성된다. 상기 게이트 절연막(112)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 게이트 전극(135)은 상기 게이트 절연막(112) 상에 구비된다. 상기 게이트 전극(135)은 상기 게이트 절연막(112)을 사이에 두고, 상기 액티브층(130)과 중첩되도록 구비된다. 상기 게이트 전극(135)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 층간 절연막(113)은 상기 게이트 전극(135) 상에 구비된다. 상기 층간 절연막(113)은 상기 게이트 전극(135)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비된다. 상기 층간 절연막(113)은 상기 게이트 절연막(112)과 동일한 물질로 이루어 질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 소스 전극(142) 및 드레인 전극(141)은 상기 층간 절연막(113) 상에서 서로 이격되어 구비된다.
상기 소스 전극(142)은 하부 소스 전극(142a) 및 상기 하부 소스 전극(142a) 상에 구비된 상부 소스 전극(142b)을 포함하여 이루어 질 수 있다. 이 경우, 상기 상부 소스 전극(142b)의 산화도는 상기 하부 소스 전극(142a)의 산화도보다 작을 수 있다. 이 경우, 상기 하부 소스 전극(142a)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 또한, 상기 상부 소스 전극(142b)은 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO : Indium Tin Oxide) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO : Indium Zinc Oxide)로 이루어질 수 있다.
상기 드레인 전극(141)은 하부 드레인 전극(141a) 및 상기 하부 드레인 전극(141a) 상에 구비된 상부 드레인 전극(141b)을 포함하여 이루어 질 수 있다. 이 경우, 상기 상부 드레인 전극(141b)의 산화도는 상기 하부 드레인 전극(141a)의 산화도보다 작을 수 있다. 상기 하부 드레인 전극(141a)은 상기 하부 소스 전극(142a)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. 또한, 상기 상부 드레인 전극(141b)은 상기 상부 소스 전극(142b)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 기판(110) 상에서 각각의 화소 영역(AA) 마다 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
상기 패시베이션층(114)은 상기 박막 트랜지스터(T) 상에 구비된다. 상기 패시베이션층(114)은 상기 소스 전극(142) 및 드레인 전극(141)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비되어 있다. 상기 패시베이션층(114)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 기능을 한다. 상기 패시베이션층(114)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 평탄화층(151)은 상기 패시베이션층(114) 상에 구비된다. 상기 제1 평탄화층(151)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 상기 기판(110) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 제1 평탄화층(151)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전술한 상기 패시베이션층(114)과 제1 평탄화층(151)에는 상기 드레인 전극(141)을 노출시키는 제1 콘택홀(121)이 구비되어 있다. 상기 제1 콘택홀(121)을 통하여 상기 드레인 전극(141)과 상기 연결 배선(163)이 연결된다.
상기 연결 배선(163)은 상기 제1 평탄화층(151) 상에 구비된다. 상기 연결 배선(163)은 상기 드레인 전극(142)과 상기 제1 전극(171)을 연결시키는 기능을 수행한다. 상기 연결 배선(163)은 차례로 적층된 하부 연결 배선(163c), 중앙 연결 배선(163b), 및 상부 연결 배선(163a)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 하부 연결 배선(163c) 및 상기 상부 연결 배선(163a)의 산화도는 중앙 연결 배선(163b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 하부 연결 배선(163c) 및 상부 연결 배선(163a)을 이루는 물질은 상기 중앙 연결 배선(163b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어 질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하부 연결 배선(163c) 및 상부 연결 배선(163a)은 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 중앙 연결 배선(163b)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층으로 이루어질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 이격되어 구비된다. 상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 보조 배선(161)은 차례로 적층된 하부 보조 배선(161c), 중앙 보조 배선(161b) 및 상부 보조 배선(161a)으로 이루어질 수 있다. 상기 보조 배선(161)은 후술되는 제2 콘택홀(122)을 통하여 상기 보조 전극(175)과 연결된다.
상기 제2 평탄화층(152)은 연결 배선(163) 및 보조 배선(161) 상부를 덮으며 구비된다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 제2 평탄화층(152)이 구비되지 않는다. 상기 제2 평탄화층(152)은 상기 제1 평탄화층(151)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극(171)은 상기 제2 평탄화층(152) 상에 구비된다. 상기 제1 전극(171)은 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 연결 배선(163)이 상기 드레인 전극(141)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제1 전극(171)은 상기 연결 배선(163)을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(141)과 연결된다.
상기 제1 전극(171)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 타입에 따라 애노드 전극 또는 캐소드 전극의 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 전극(171)은 유기 발광 소자의 애노드 기능을 수행하는 것으로서, 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어진다. 또한, 상기 제1 전극(171)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다.
상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(175)과 상기 제1 전극(171)은 서로 이격되어 구비된다. 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
상기 보조 전극(175)은 상기 제2 평탄화층(152)에 구비되어 있는 제2 콘택홀(122)을 통하여 노출되어 있는 상기 보조 배선(161)과 연결된다. 상기 보조 전극(175)은 후술되는 바와 같이 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위하여 상기 제2 전극(172)과 접촉되도록 구비된다.
상기 뱅크(180)는 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175) 사이에 배치되며, 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 뱅크(180)는 예를 들어, 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 유기 발광층(173)은 상기 제1 전극(171) 상에 구비된다. 상기 유기 발광층(173)은 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층의 구조, 또는 정공 주입층/ 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층/ 전자 주입층의 구조를 가지도록 구비될 수 있다. 나아가, 상기 유기 발광층(173)에는 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층이 더 포함될 수도 있다
상기 제2 전극(172)은 상기 유기 발광층(173) 및 상기 뱅크(180)의 상부를 덮도록 구비된다. 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 덮도록 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다.
상기 제1 전극(171)이 애노드 전극의 역할을 하는 경우, 상기 제2 전극(172)은 캐소드 전극의 역할을 한다. 상기 제2 전극(172)으로는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(172)으로는 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 금속성 물질들이 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께, 예를 들어, 200Å 이하로 형성되어 상기 제2 전극(172)으로 사용될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 캐소드로 사용될 수 있다.
상기 제2 전극(172)이 투명한 캐소드로 사용되는 경우, 두께가 얇아지기 때문에 상대적으로 저항이 높아 질 수 있다. 이러한 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위해 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결된다. 그러나, 상기 보조 전극(175)이 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비되기 때문에, 상기 보조 전극(175)을 구비하기 위한 공간에 제약이 있다. 즉, 상기 제2 전극(172)과 접촉하는 상기 보조 전극(175)의 면적이 넓을수록 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소될 수 있다. 그러나, 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)이 구비되어 있지 않은 영역에만 배치될 수 있기 때문에, 상기 보조 전극(175)의 크기를 증가시키는데 제약이 있어, 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 이를 해결하기 위하여, 상기 보조 전극(175) 하부에 상기 보조 전극(175)과 연결되는 보조 배선(161)을 구비한다. 상기 제2 전극(172)이 상기 보조 전극(175) 및 상기 보조 배선(161)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결되는 종래와 비교하여 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소할 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 상기 제2 전극(172) 상에는 밀봉부가 추가로 구비될 수 있다. 상기 밀봉부는 외부의 충격으로부터 유기 발광 소자 및 상기 박막 트랜지스터(T) 등의 소자들을 보호하고, 수분의 침투를 방지한다.
상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(112), 층간 절연막(113), 패드(240), 패시베이션층(114) 및 패드 커버 전극(290)이 구비되어 있다.
상기 게이트 절연막(112)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다.
상기 층간 절연막(113)은 상기 게이트 절연막(112) 상에 배치되며, 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다.
상기 패드(240)는 상기 패드 영역(PA)에 위치되며, 상기 층간 절연막(113) 상에 구비된다. 상기 패드(240)는 상기 드레인 전극(141)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성된다.
이에 따라, 상기 패드(240)는 하부 패드(240a) 및 상기 하부 패드(240a) 상에 구비된 상부 패드(240b)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 하부 패드(240a)는 상기 하부 드레인 전극(141a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 상부 패드(240b)는 상기 상부 드레인 전극(141b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 상부 패드(240b)의 산화도는 상기 하부 패드(240a)의 산화도보다 작을 수 있다.
상기 패시베이션층(114)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면을 덮도록 구비된다. 다만, 상기 패시베이션층(114)에는 상기 패드(240)의 일부를 노출시키는 패드 콘택홀(220)이 구비되어 있다.
상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드(240) 상에 구비된다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드(240)가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드(240)의 상부를 덮는다. 상기 패드 커버 전극(290)과 상기 패드(240)는 상기 패시베이션층(114)에 구비된 상기 패드 콘택홀(220)을 통해 서로 연결된다.
상기 패드 커버 전극(290)은 상기 보조 배선(161) 중에서 하부 보조 배선(161c)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 상기 패드 커버 전극(290)은 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어 질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 패드(240) 상에 상기 패드(240)를 덮도록 상기 패드 커버 전극(290)이 구비되기 때문에, 이 후 포토 마스크 공정에서 사용되는 에칭 용액에 의해 발생되는 상기 패드 영역(PA)의 부식 및 금속전이(Migration)를 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 영역(AA)의 보조 배선(161) 상에 보조 커버 배선(190)이 구비되고, 상기 패드 영역(PA)의 패드(240)와 패드 커버 전극(290) 사이에 패드 연결 전극(261)이 추가로 구비되는 것을 제외하고는 도 2를 참조로 설명한 본 발명의 일 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(AA)과 패드 영역(PA)를 포함하여 이루어진다.
상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(114), 제1 평탄화층(151), 연결 배선(163), 보조 배선(161), 보조 커버 배선(190), 제2 평탄화층(152), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 뱅크(180), 유기 발광층(173) 및 제2 전극(172)이 구비되어 있다.
여기서, 상기 연결 배선(163)은 상기 제1 평탄화층(151) 상에 구비되며, 상기 제1 평탄화층(151) 및 패시베이션층(114)에 구비되어 있는 제1 콘택홀(121)을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결된다. 상기 연결 배선(163)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.
상기 보조 배선(161)은 상기 제1 평탄막(151) 상에 구비되며, 상기 연결 배선(163)과 이격되도록 구비된다. 상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다.
이 경우, 상기 보조 배선(161) 상에는 상기 보조 배선(161)의 측면 및 상면을 덮는 보조 커버 배선(190)이 구비된다. 이러한 상기 보조 커버 배선(190)은 상기 연결 배선(161) 상에도 동일하게 구비될 수 있다. 상기 보조 커버 배선(190)은 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어 질 수 있다.
상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(112), 층간 절연막(113), 패드(240), 패시베이션층(114), 패드 연결 전극(261) 및 패드 커버 전극(290)이 구비되어 있다.
상기 패드 연결 전극(261)은 상기 패드(240) 상에 구비된다. 상기 패드 연결 전극(261)은 상기 패드(240)가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드(240)의 상부를 덮는다. 상기 패드 연결 전극(261)과 상기 패드(240)는 상기 패시베이션층(114)에 구비되어 있는 패드 콘택홀(220)을 통해 서로 연결된다. 상기 패드 연결 전극(261)은 상기 보조 배선(161)과 동일한 공정을 통해, 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다.
상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261) 상에 구비된다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261)이 외부로 노출되지 않도록 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면을 덮는다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261)과 접촉하고 있는 패시베이션층(114)의 일부를 덮도록 구비된다. 이에 따라, 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면은 상기 패드 커버 전극(290)에 의해 완전하게 밀봉될 수 있다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 보조 커버 배선(190)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 영역(AA)의 보조 전극(175)이 제1 보조 전극(175a) 및 제2 보조 전극(175b)으로 구성되고, 상기 보조 전극(175) 상에 보조 커버 전극(195)이 구비되며, 상기 패드 영역(PA)의 상기 패드(240) 및 상기 패드 커버 전극(290) 사이에 패드 연결 전극(261)이 구비되는 것을 제외하고는 도 2를 참조로 설명한 본 발명의 일 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
도 4에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(114), 제1 평탄화층(151), 연결 배선(163), 보조 배선(161), 제2 평탄화층(152), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 보조 커버 전극(195), 뱅크(180), 유기 발광층(173) 및 제2 전극(172)이 구비되어 있다.
상기 연결 배선(163)은 상기 제1 평탄화층(151) 상에 구비된다. 상기 연결 배선(163)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 서로 이격되어 구비된다. 상기 보조 배선(161)은 상기 연결 배선(163)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다.
상기 보조 전극(175)은 상기 제2 평탄화층(152) 상에 구비된다. 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 보조 전극(175)은 제1 보조 전극(175a) 및 제2 보조 전극(175b)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 보조 전극(175a)은 반사효율이 우수한 금속 물질 예를 들어, 은(Ag) 또는 APC(Ag;Pb;Cu)로 이루어 질 수 있다. 또한, 상기 제2 보조 전극(175b)은 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어 질 수 있다. 즉, 상기 보조 전극(175)은 예를 들어, ITO/Ag로 이루어질 수 있다.
상기 보조 커버 전극(195)은 상기 보조 전극(175) 상부에 구비되며, 상기 보조 전극(175)의 측면 및 상면을 덮도록 구비되어 있다. 상기 보조 커버 전극(195)은 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어 질 수 있다. 이러한 상기 보조 커버 전극(195)은 상기 제1 전극(171) 상에도 동일하게 구비될 수 있다.
상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(112), 층간 절연막(113), 패드(240), 패시베이션층(114), 패드 연결 전극(261) 및 패드 커버 전극(290)이 구비되어 있다.
상기 패드 연결 전극(261)은 상기 패드(240) 상에 구비된다. 상기 패드 연결 전극(261)은 상기 패드(240)가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드(240)의 상부를 덮는다. 상기 패드 연결 전극(261)과 상기 패드(240)는 상기 패시베이션층(114)에 구비되어 있는 패드 콘택홀(220)을 통해 서로 연결된다. 상기 패드 연결 전극(261)은 상기 보조 전극(175)과 동일한 공정을 통해, 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다.
상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261) 상에 구비된다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261)이 외부로 노출되지 않도록 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면을 덮는다. 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면은 상기 패드 커버 전극(290)에 의해 완전하게 밀봉될 수 있다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 보조 커버 전극(190)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극(171), 보조 전극(175) 및 패드 연결 전극(261)의 구성을 제외하고는 도 4를 참조로 설명한 본 발명의 또 다른 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
도 5에서 알 수 있듯이, 상기 화소 영역(AA)에 구비된 상기 제1 전극(175) 및 보조 전극(175)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성되며, 동일한 물질 예를 들어, ITO/Ag/ITO로 이루어질 수 있다.
상기 보조 커버 전극(195)은 상기 보조 전극(175) 상부에 구비되며, 상기 보조 전극(175)의 측면 및 상면을 덮도록 구비되어 있다. 이러한 상기 보조 커버 전극(195)은 상기 제1 전극(171) 상에도 동일하게 구비될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)에 구비되는 상기 패드 연결 전극(261)은 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 상기 패드 연결 전극(261)은 예를 들어, ITO/Ag/ITO로 이루어질 수 있다.
상기 패드 커버 전극(290)은 상기 패드 연결 전극(261)이 외부로 노출되지 않도록 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면을 덮는다. 상기 패드 커버 전극(290)은 상기 보조 커버 전극(190)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다. 상기 패드(240)는 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(142) 및 드레인 전극(141)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성된다.
다음, 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함하는 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(114)을 형성한다. 상기 패시베이션층(114)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(141)을 노출시키는 제1 콘택홀(121)과 상기 패드(240)를 노출시키는 패드 콘택홀(220)을 구비하도록 형성한다.
다음, 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(114) 상에 제1 평탄화층(151)을 형성한다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 제1 평탄화층(151)이 형성되지 않는다. 상기 제1 평탄화층(151)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(141)을 노출시키는 제1 콘택홀(121)을 구비하도록 형성한다.
다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 평탄화층(151) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결되는 연결 배선(163) 및 상기 연결 배선(163)과 이격되도록 배치되는 보조 배선(161)을 형성한다. 또한, 상기 연결 배선(163) 및 보조 배선(161)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드(240)와 연결되는 패드 커버 전극(290)을 형성한다. 여기서, 상기 보조 배선(161)은 차례로 적층된 하부 보조 배선(161c), 중앙 보조 배선(161b) 및 상부 보조 배선(161a)으로 이루어질 수 있으며, 상기 패드 커버 전극(290)은 이 중에서 상기 하부 보조 배선(161c)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질 즉, ITO 또는 IZO로 이루어 질 수 있다.
다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 상기 화소 영역(AA)에 제2 평탄화층(152)을 형성하고, 상기 제2 평탄화층(152) 상에 상기 연결 배선(163)과 연결되는 제1 전극(171) 및 상기 보조 배선(161)과 연결되는 보조 전극(175)을 형성한다
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하는 과정에서 상기 패드(240)에 부식이 발생할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하기 위해서는 금속 물질 예를 들어, ITO/Ag alloy/ITO를 에칭 용액으로 에칭하는 과정을 거치게 되는데, 이 과정에서 상기 에칭 용액에 의해 상기 패드(240)에 부식이 발생할 수 있다. 그러나, 상기 패드 커버 전극(290)이 상기 패드(240)를 보호하고 있기 때문에, 상기 패드(240)에서 발생되는 부식을 방지 할 수 있다.
마지막으로, 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)을 구분하기 위한 뱅크(180)를 형성하고, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 타고 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다.
상술한 바와 같이, 상기 화소 영역(AA)의 보조 배선(161) 및 보조 커버 전극(190)을 형성하는 공정을 이용하여, 상기 패드 영역(PA)의 패드 커버 전극(290)을 형성하기 때문에, 패드 영역(PA) 만을 위한 별도의 마스크 공정을 추가하지 않고도 상기 패드 영역(PA)의 부식 및 금속전이(Migration)를 방지할 수 있다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 7a에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다.
다음, 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함하는 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(114)을 형성하고, 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(114) 상에 제1 평탄화층(151)을 형성한다.
다음, 도 7b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 평탄화층(151) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결되는 연결 배선(163) 및 상기 연결 배선(163)과 이격되도록 배치되는 보조 배선(161)을 형성한다. 또한, 상기 연결 배선(163) 및 보조 배선(161)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드(240)와 연결되는 패드 연결 전극(261)을 형성한다.
다음, 상기 연결 배선(163) 및 보조 배선(161)과 상에 보조 커버 배선(190)을 형성한다. 또한, 상기 보조 커버 배선(190)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면을 덮도록 패드 커버 전극(290)을 형성한다.
다음, 도 7c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에 제2 평탄화층(152)을 형성하고, 상기 패드 영역(PA)에 패드 보호 패턴(150a)을 형성한다. 상기 제2 평탄화층(152) 및 상기 패드 보호 패턴(150a)은 동일한 마스크 공정을 이용하여 동시에 형성할 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 제2 평탄화층(152) 및 상기 패드 보호 패턴(150a)은 예를 들어, 하프톤 마스크(Halftone mask)를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 하프톤 마스크(Halftone mask)는 차광부, 투광부 및 반투광부를 갖는 마스크로서, 상기 차광부는 빛을 차단하는 부분이고, 상기 투광부는 빛을 투과하는 부분이며, 상기 반투광부는 빛의 투과량 상기 투광부 보다 적은 부분을 말한다. 상기 하프톤 마스크를 사용할 경우, 빛의 양을 차등적으로 인가시켜, 높이가 서로 다른 패턴이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 패드 보호 패턴(150a)이 형성되고, 상기 화소 영역(AA)에는 상기 제2 평탄화층(152)이 형성될 수 있다.
다음, 도 7d에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 전면에 상기 제1 전극(171) 및 상기 보조 전극(175)을 형성한다. 이 경우, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하기 위해서는 금속 물질 예를 들어, ITO/Ag alloy/ITO를 에칭 용액으로 에칭하는 과정을 거치게 되는데, 상기 패드 보호 패턴(150a)이 상기 패드 커버 전극(290)을 덮고 있기 때문에, 상기 패드 영역(PA) 발생되는 부식을 추가적으로 방지 할 수 있다.
여기서, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성한 후, 후술되는 에싱(ashing) 공정에서 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 보호하기 위하여, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175) 상에는 남아있는 포토 레지스트(153)는 제거하지 않고 그대로 남겨 둔다.
다음, 도 7e에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110)을 에싱(ashing)처리하고, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175) 상에 남아있는 포토 레지스트(153)를 제거한다. 이에 따라, 상기 패드 영역(PA)상기 패드 보호 패턴(150a)이 제거된다.
마지막으로, 도 7f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175) 사이에 뱅크(180)를 형성한다. 또한, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(AA)의 연결 배선(163) 및 보조 전극(175)을 형성하는 공정을 이용하여, 상기 패드 영역(PA)의 패드 커버 전극(290)을 형성하기 때문에, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않고도 상기 패드 영역(PA)의 부식 및 금속전이(Migration)를 방지할 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 4 및 도 5에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 8a에서 알 수 있듯이, 상기 기판(110) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(110) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다.
다음, 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함하는 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함하는 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(114)을 형성하고, 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(114) 상에 제1 평탄화층(151)을 형성한다.
다음, 도 8b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 평탄화층(151) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결되는 연결 배선(163) 및 상기 연결 배선(163)과 이격되도록 배치되는 보조 배선(161)을 형성한다. 또한, 상기 화소 영역(AA)에 제2 평탄화층(152)을 형성한다.
다음, 도 8c에서 알 수 있듯이, 상기 제2 평탄화층(152) 상에 상기 연결 배선(163)과 연결되는 제1 전극(171) 및 상기 보조 배선(161)과 연결되는 보조 전극(175)을 형성한다. 또한, 상기 제1 전극(171) 및 상기 보조 전극(175)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드(240)와 연결되는 패드 연결 전극(261)을 형성한다.
다음, 상기 제1 전극(171) 상에 제1 커버 전극(192) 및 상기 보조 전극(175) 상에 보조 커버 전극(195)을 형성한다. 또한, 상기 보조 커버 전극(195)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드 연결 전극(261)의 측면 및 상면을 덮도록 패드 커버 전극(290)을 형성한다.
마지막으로, 도 8d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)을 구분하기 위한 뱅크(180)를 형성하고, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 타고 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(AA)의 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하는 공정을 이용하여, 상기 패드 영역(PA)의 패드 커버 전극(290)을 형성하기 때문에, 상기 패드 영역(PA)만을 위한 별도의 마스크 공정을 추가하지 않고도 상기 패드 영역(PA)의 부식 및 금속전이(Migration)를 방지할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 기판 163 : 연결 배선
161 : 보조 배선 171 : 제1 전극
175 : 보조 전극 240 : 패드
261 : 패드 연결 전극 290 : 패드 커버 전극

Claims (12)

  1. 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극;
    상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극;
    상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선;
    상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드; 및
    상기 패드 상에 구비된 패드 커버 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 패드 커버 전극은 상기 패드가 외부로 노출되지 않도록 상기 패드의 상부를 덮도록 구비된 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패드는 차례로 적층된 하부 패드 및 상부 패드로 이루어지고,
    상기 상부 패드의 산화도는 상기 하부 패드의 산화도보다 작은 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 배선은 차례로 적층된 하부 보조 배선, 중앙 보조 배선 및 상부 보조 배선으로 이루어지고,
    상기 패드 커버 전극은 상기 하부 보조 배선과 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패드와 상기 패드 커버 전극 사이에 구비된 패드 연결 전극을 더 포함하고,
    상기 패드 커버 전극은 상기 패드 연결 전극의 측면과 상면을 덮도록 구비된 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 보조 배선 상에 구비된 보조 커버 배선을 더 포함하고,
    상기 보조 배선은 상기 패드 연결 전극과 동일한 물질로 이루어지고,
    상기 보조 커버 배선은 상기 패드 커버 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 보조 커버 배선은 상기 보조 배선의 측면 및 상면을 덮도록 구비된 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 보조 전극 상에 구비된 보조 커버 전극을 더 포함하고,
    상기 보조 전극은 상기 패드 연결 전극과 동일한 물질로 이루어지고,
    상기 보조 커버 전극은 상기 패드 커버 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 커버 전극은 상기 보조 전극의 측면 및 상면을 덮도록 구비된 유기 발광 표시 장치.
  9. 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 커버 전극을 형성하는 단계;
    상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 보조 배선은 하부 보조 배선, 중앙 보조 배선 및 상부 보조 배선을 차례로 적층하여 형성하고,
    상기 패드 커버 전극은 상기 하부 보조 배선과 동시에 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  10. 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 연결 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 배선 상에 상기 보조 배선을 덮도록 보조 커버 배선을 형성하고, 상기 패드 연결 전극 상에 상기 패드 연결 전극을 덮도록 패드 커버 전극을 형성하는 단계;
    하프톤 마스크를 이용하여 상기 화소 영역에 제2 평탄화층을 형성하고, 상기 패드 영역에 패드 보호 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 패드 보호 패턴을 제거하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 패드 커버 전극은 상기 보조 커버 배선과 동시에 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
  11. 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하는 단계;
    상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 연결 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 덮도록 제1 커버 전극을 형성하고, 상기 보조 전극을 덮도록 보조 커버 전극을 형성하고, 상기 패드 연결 전극을 덮도록 패드 커버 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 커버 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 상기 보조 커버 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 패드 연결 전극은 상기 보조 전극과 동시에 형성하고, 상기 패드 커버 전극은 상기 보조 커버 전극과 동시에 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
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