CN113871433A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113871433A CN113871433A CN202111094996.3A CN202111094996A CN113871433A CN 113871433 A CN113871433 A CN 113871433A CN 202111094996 A CN202111094996 A CN 202111094996A CN 113871433 A CN113871433 A CN 113871433A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- cathode
- light emitting
- metal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板定义有发光区和及阴极搭接区,显示面板包括位于阴极搭接区的第一走线、位于阴极搭接区的第二走线、位于阴极搭接区的扩展走线、以及位于的发光区发光器件;其中,发光器件依次包括阳极层、有机功能层以及阴极层,阴极层从发光区延伸至阴极搭接区,且连接至扩展走线。在阴极搭接区设置金属层形成扩展走线作为辅助阴极走线,该辅助阴极走线通过金属保护层与上层的阴极层连接,相当于显示面板整面的阴极层与辅助阴极走线以金属网格的方式并列在一起了,能够很大的减少面板中间到四周的电阻,从而减少压降。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器,其具有OLED顶发射器件结构,并且以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术,可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
目前,在有机发光二极管显示器中,薄阴极带来的大面电阻而产生的压降(IRdrop)问题。由于人们追求更高的分辨率,屏幕的解析度已经从2K发展到4K甚至8K,一次又一次的刷新记录。当然,有机发光二极管显示器也从一贯的60Hz发展到备受青睐的120Hz。然而,显示器的电路设计通常采用两层金属结构形成信号走线,难以满足电路设计多个信号走线的需求。其主要因素是,金属走线一般采用铜(Cu)金属走线作为信号走线,而铜金属走线无法做到更细,因此不能在有限的空间内排布更多的走线。另外,两层金属结构限制了不同信号走线的数量,从而导致无法满足信号需求。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有的电路设计不能在有限的空间内排布更多的走线,无法满足信号需求的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,定义有发光区和阴极搭接区,所述显示面板包括:第一金属层,包括第一走线,所述第一走线位于所述阴极搭接区;第二金属层,设于所述第一金属层上方,所述第二金属层包括第二走线,所述第二走线位于所述阴极搭接区;第三金属层,设于所述第二金属层上方,所述第三金属层包括扩展走线,所述扩展走线位于所述阴极搭接区;以及发光器件,设于所述第二金属层上方,且位于所述发光区;其中,所述发光器件依次包括阳极层、有机功能层以及阴极层,所述阴极层从所述发光区延伸至所述阴极搭接区,且连接至所述扩展走线。
进一步的,所述显示面板还定义有绑定区,所述绑定区设于所述发光区与所述绑定区之间;所述第一金属层还包括第一电极,所述第一电极位于所述发光区;所述第二金属层还包括第二电极、第三电极以及第三走线,其中所述第二电极和所述第三电极位于所述发光区,所述第三走线位于所述绑定区。
进一步的,所述的显示面板还包括:钝化层,设于所述第二金属层与所述第三金属层之间,所述钝化层开设有第一开口和第二开口,所述第一开口用以暴露所述第二电极,所述第二开口用以暴露所述第三走线;第一金属保护层,填充所述第一开口且延伸至部分所述钝化层的表面;以及第二金属保护层,与所述第一金属保护层同层设置,其中,在所述第二开口内,所述第二金属保护层覆于所述第三走线的表面,且延伸至部分所述钝化层的表面。
进一步的,所述的显示面板还包括:平坦层,设于所述钝化层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区,所述平坦层开设有第三开口和第四开口,所述第三开口用以暴露所述第一金属保护层,所述第四开口用以暴露所述扩展走线;其中,所述阳极层填充所述第三开口,且通过所述第一金属保护层连接至所述第二电极。
进一步的,所述的显示面板还包括:第三金属保护层,覆盖所述扩展走线,且位于所述阴极搭接区;平坦层,设于所述钝化层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区,所述平坦层开设有第三开口和第四开口,所述第三开口用以暴露所述第一金属保护层,所述第四开口用以暴露所述第三金属保护层;
其中,所述阳极层填充所述第三开口,且通过所述第一金属保护层连接至所述第二电极。
进一步的,所述的显示面板还包括:像素定义层,设于所述阳极层及所述平坦层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区;所述像素定义层开设有第五开口,用以暴露所述阳极层;其中,所述有机功能层设于所述第五开口内;所述阴极层设于所述像素定义层上,填充所述第四开口,且连接至所述扩展走线。
进一步的,所述的显示面板还包括:玻璃基板;以及薄膜晶体管层,设于所述玻璃基板上;其中,所述薄膜晶体管层包括:有源层,设于所述玻璃基板上,且位于所述发光区;绝缘层,包括第一绝缘层和第二绝缘层;其中所述第一绝缘层设于所述有源层上,且位于所述发光区;所述第二绝缘层设于所述玻璃基板上,且位于所述阴极搭接区;所述第一电极设于所述第一绝缘层上,且位于所述发光区;所述第一走线设于所述第二绝缘层上,且位于所述阴极搭接区;介电层,覆盖所述第一电极、所述第一走线,延伸至所述玻璃基板表面,且位于所述发光区、所述阴极搭接区及所述绑定区;在所述发光区,所述介电层开设有第一过孔和第二过孔,分别贯穿至所述有源层表面,且设于所述第一电极的两侧;以及所述第二电极填充所述第一过孔且延伸至所述介电层表面,且连接至所述有源层;所述第三电极填充所述第二过孔且延伸至所述介电层表面,且连接至所述有源层;所述第二走线设于所述介电层上,且位于所述阴极搭接区;所述第三走线设于所述介电层上,且位于所述绑定区。
进一步的,所述扩展走线在所述玻璃基板上的投影与所述第二走线在所述玻璃基板上的投影至少部分重合。
进一步的,所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属的材质均为铜或铜合金;所述扩展走线为辅助阴极走线或者信号走线。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板定义有发光区和阴极搭接区,所述显示面板的制备方法包括如下步骤:形成第一金属层;对所述第一金属层图案化处理,形成有第一电极和第一走线,所述第一电极位于所述发光区,所述第一走线位于所述阴极搭接区;形成第二金属层于所述第一金属层上方;对所述第二金属层图案化处理,形成有第二走线,所述第二走线位于所述阴极搭接区;形成第三金属层于所述第二金属层上方;对所述第三金属层图案化处理,形成有扩展走线,且位于所述阴极搭接区;以及形成发光器件于所述第二金属层上方,所述扩展走线位于所述发光区;其中,所述发光器件依次包括阳极层、有机功能层以及阴极层,所述阴极层从所述发光区延伸至所述阴极搭接区,且连接至所述扩展走线。
进一步的,所述显示面板还定义有绑定区,所述绑定区设于所述发光区与所述绑定区之间;在对所述第二金属层图案化处理的步骤中,所述第二金属层还图案化处理有第二电极、第三电极以及第三走线,其中所述第二电极和所述第三电极位于所述发光区,所述第三走线位于所述绑定区。
本发明的技术效果在于,提供一种显示面板及其制备方法,在阴极搭接区设置金属层形成扩展走线作为辅助阴极走线,该辅助阴极走线通过金属保护层与上层的阴极层连接,相当于显示面板整面的阴极层与辅助阴极走线以金属网格的方式并列在一起了,能够很大的减少面板中间到四周的电阻,从而减少压降。另外,显示面板具有三层金属结构,其中,第三金属层(辅助阴极走线)在玻璃基板上的投影与第二金属层的第二走线在玻璃基板上的投影至少部分重合,这样有利于节省布线空间,并且能够满足多个信号走线的需求。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示面板的剖面图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
图3为本申请实施例提供的薄膜晶体管层形成的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的第一、第二金属保护层形成的结构示意图。
图5为本申请实施例提供的辅助阴极走线及发光器件形成的结构示意图。
附图部件标识如下:
1000、显示面板; 100a、发光区;
100b、绑定区; 100c、阴极搭接区;
1、玻璃基板; 2、薄膜晶体管层;
3、钝化层; 4、平坦层;
5、发光器件; 6、像素定义层;
7、第三金属层; 21、有源层;
22、绝缘层; 23、第一金属层;
24、介电层; 25、第二金属层;
221、第一绝缘层; 222、第二绝缘层;
231、第一电极; 232、第一走线;
251、第二电极; 252、第三电极;
253、第二走线; 254、第三走线;
51、阳极层; 52、有机功能层;
53、阴极层; 71、辅助阴极走线;
O1、第一开口; O2、第二开口;
O3、第三开口; O4、第四开口;
O5、第五开口; P1、第一金属保护层;
P2、第二金属保护层; P3、第三金属保护层;
V1、第一过孔; V2、第二过孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
如图1所示,本实施例提供一种显示面板1000,定义有发光区100a、绑定区100b以及设于所述发光区100a与所述绑定区100b之间的阴极搭接区100c。
显示面板1000包括玻璃基板1、薄膜晶体管层2、钝化层3、平坦层4、发光器件5以及像素定义层6。
薄膜晶体管层2可以包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管的结构可以为BCE结构(Back channel etch,背沟道刻蚀)、ESL结构(an etch stop layer,刻蚀阻挡层)等结构,在此不一一赘述。
在本实施例中,薄膜晶体管层2包括有源层21、绝缘层22、第一金属层23、介电层24以及第二金属层25。
有源层21设于玻璃基板1上,且位于发光区100a。
绝缘层22包括第一绝缘层221和第二绝缘层222。其中,第一绝缘层221设于有源层21上,且位于发光区100a。第二绝缘层222设于玻璃基板1上,且位于阴极搭接区100c。
第一金属层23图案化形成第一电极231和第一走线232。第一电极231设于第一绝缘层221上,且位于所述发光区100a,该第一电极231为栅极。第一走线232设于第二绝缘层222上,且位于阴极搭接区100c,该第一走线232为扫描线。本实施例中,第一金属层23所用的材质为铜、铁、铝中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
介电层24覆盖第一电极231、第一走线232,延伸至玻璃基板1表面,且位于发光区100a、阴极搭接区100c及绑定区100b。具体的,在发光区100a内,介电层24开设有第一过孔V1和第二过孔V2,分别贯穿至有源层21表面,且设于第一电极231的两侧。本实施例中,介电层24所用的材质为氮化硅、氧化硅的一种或多种。
第二金属层25设于介电层24上表面,第二金属层25图案化形成第二电极251、第三电极252、第二走线253以及第三走线254。其中,第二电极251和第三电极252均位于发光区100a,第二走线253位于阴极搭接区100c,第三走线254位于绑定区100b。第二金属层25所用的材质为铁、铝、钼、铜等中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
具体的,第二电极251填充第一过孔V1且延伸至介电层24表面,且连接至有源层21。第三电极252填充第二过孔V2且延伸至介电层24表面,且连接至有源层21。第二走线253设于介电层24上,且位于阴极搭接区100c。第三走线254设于介电层24上,且位于绑定区100b。
钝化层3设于第二金属层25上,钝化层3开设有第一开口O1和第二开口O2,第一开口O1用以暴露第二电极251,第二开口O2用以暴露第三走线254。
第一金属保护层P1填充第一开口O1且延伸至部分钝化层3的表面。
第二金属保护层P2与第一金属保护层P1同层设置,其覆于第三走线254的表面,且延伸至部分钝化层3的表面。第二金属保护层P2用以保护第三走线254,使其有良好的导电、抗酸、抗热性能。
第三金属层7设于第二金属层25上方。具体的,第三金属层7设于钝化层3上,其图案化形成扩展走线,且位于阴极搭接区100c。第三金属层7所用的材质为铁、铝、钼、铜等中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
本实施例中,扩展走线在玻璃基板1上的投影与第二走线253在玻璃基板1上的投影至少部分重合,这样有利于节省布线空间,并且能够满足多个信号走线的需求。
本实施例提供的显示面板1000还包括第三金属保护层P3,覆盖扩展走线,且位于阴极搭接区100c。该第三金属保护层P3用以保护第三金属层7,使得第三金属层7具有良好的导电、抗酸、抗热性能。
本实施例中,第一金属保护层P1、第二金属保护层P2以及第三金属保护层P3的材质均为钼钛复合材料、钛或铟锡氧化物,主要用以保护金属层,防止金属层在其他工艺制程中被氧化、酸化等,使得这些金属层具有良好的导电性、抗热性能。
本实施例中,扩展走线可以为辅助阴极走线71或者信号走线(图未示)。当扩展走线为辅助阴极走线71时,该辅助阴极走线71与上层的阴极层53连接,相当于是整面的阴极层53和辅助阴极走线71以金属网格的方式并联在一起了,能够很大的减少面板中间到四周的电阻,从而减少压降。
平坦层4设于钝化层3上,且位于发光区100a和阴极搭接区100c。平坦层4开设有第三开口O3和第四开口O4,其中第三开口O3用以暴露第一金属保护层P1,第四开口O4用以暴露扩展走线。
进一步地,在其他实施例中为了保护扩展走线表面,需要在扩展走线上表面形成金属保护层,即第三金属保护层P3。需要说明的是,在实际制程中,先在钝化层3上形成扩展走线,然后在扩展走线上形成第三金属保护层P3,最后对平坦层4进行挖孔处理形成第四开口O4,以暴露第三金属保护层P3。
发光器件5设于第二金属层25上方,且位于发光区100a。发光器件5依次包括阳极层51、有机功能层52以及阴极层53。本实施例中,阳极层51填充第三开口O3,且通过第一金属保护层P1连接至第二电极251。
本实施例提供的显示面板1000还包括像素定义层6,设于阳极层51及平坦层4上,且位于发光区100a和阴极搭接区100c。其中,像素定义层6开设有第五开口O5,用以暴露阳极层51。
本实施例中,有机功能层52设于第五开口O5内。有机功能层52可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等,以提高发光器件5的发光效率,以及延长发光器件5的寿命。
阴极层53设于像素定义层6上,从发光区100a延伸至阴极搭接区100c。本实施例中,阴极层53填充第四开口O4,且连接至扩展走线。
需要说明的是,在顶发射OLED发光器件5中,阴极层53为一整面的很薄、半透明的金属层,且该阴极的电阻率很大,而OLED发光器件5是电流原件,屏幕中间和四周流过电流后会因为阴极大电阻造成很大的压降。因此,本实施例在阴极搭接区100c设置辅助阴极走线71,且该辅助阴极走线71通过第三金属保护层P3与上层的阴极层53连接,相当于是整面的阴极层53和辅助阴极走线71以金属网格的方式并联在一起了,能够很大的减少面板中间到四周的电阻,从而减少压降。
发光器件5在实际工作中,从发光器件5的阳极层51流出的电流以辅助阴极走线71为主干道,从显示面板1000的中间向四周流出,即电流通过阴极层53及附近的搭接孔(即第四开口O4),其中辅助阴极走线71的电阻远远小于阴极层53的电阻,从而有利于减少压降。
本实施例还提供一种显示面板的制备方法,显示面板定义有发光区100a、绑定区100b以及设于所述发光区100a与所述绑定区100b之间的阴极搭接区100c,参照图1。
如图2所示,显示面板的制备方法包括如下步骤S1)-S12)。
S1)形成第一金属层23。
S2)对所述第一金属层23图案化处理,形成第一电极231和第一走线232,所述第一电极231位于所述发光区100a,所述第一走线232位于所述阴极搭接区100c。
如图3所示,第一金属层23图案化形成第一电极231和第一走线232。第一电极231设于第一绝缘层221上,且位于所述发光区100a,该第一电极231为栅极。第一走线232设于第二绝缘层222上,且位于阴极搭接区100c,该第一走线232为扫描线。本实施例中,第一金属层23所用的材质为铜、铁、铝中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
S3)形成介电层24,所述介电层24覆盖所述第一电极231、所述第一走线232,延伸至所述玻璃基板1表面,且位于所述发光区100a、所述阴极搭接区100c及所述绑定区100b。
参照图3,在发光区100a内,介电层24开设有第一过孔V1和第二过孔V2,分别贯穿至有源层21表面,且设于第一电极231的两侧。本实施例中,介电层24所用的材质为氮化硅、氧化硅的一种或多种。
S4)形成第二金属层25于所述介电层24上方。
S5)对所述第二金属层25图案化处理,形成有第二走线253,所述第二走线位于所述阴极搭接区。
具体的,对所述第二金属层25图案化处理,形成第二电极251、第三电极252、第二走线253以及第三走线254,所述第二电极251和所述第三电极252位于所述发光区100a,所述第二走线253位于所述阴极搭接区100c,所述第三走线254位于所述绑定区100b。
参照图3,第二金属层25设于介电层24上表面,第二金属层25图案化形成第二电极251、第三电极252、第二走线253以及第三走线254。其中,第二电极251和第三电极252均位于发光区100a,第二走线253位于阴极搭接区100c,第三走线254位于绑定区100b。第二金属层25所用的材质为铁、铝、钼、铜等中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
具体的,第二电极251填充第一过孔V1且延伸至介电层24表面,且连接至有源层21。第三电极252填充第二过孔V2且延伸至介电层24表面,且连接至有源层21。第二走线253设于介电层24上,且位于阴极搭接区100c。第三走线254设于介电层24上,且位于绑定区100b。
S6)形成钝化层3于所述第二金属层25上。
如图4所示,钝化层3设于第二金属层25上,钝化层3开设有第一开口O1和第二开口O2,第一开口O1用以暴露第二电极251,第二开口O2用以暴露第三走线254。
S7)形成第一金属保护层P1和第二金属保护层P2。
参照图4,第一金属保护层P1填充第一开口O1且延伸至部分钝化层3的表面。第二金属保护层P2与第一金属保护层P1同层设置,其覆于第三走线254的表面,且延伸至部分钝化层3的表面。第二金属保护层P2用以保护第三走线254,使其有良好的导电、抗酸、抗热性能。
S8)形成第三金属层7于所述钝化层3上。
S9)对所述第三金属层7图案化处理,形成有扩展走线,且位于所述阴极搭接区100c。
如图5所示,第三金属层7设于第二金属层25上方。具体的,第三金属层7设于钝化层3上,其图案化形成扩展走线,且位于阴极搭接区100c。第三金属层7所用的材质为铁、铝、钼、铜等中的一种或多种,优选为铜或铜合金。
S10)形成第三金属保护层P3于所述第三金属层7上。
参照图5,第三金属保护层P3覆盖扩展走线,且位于阴极搭接区100c。该第三金属保护层P3用以保护第三金属层7,使得第三金属层7具有良好的导电、抗酸、抗热性能。需要说明的是,在实际制程中,步骤S10)也可以省略掉,也就是说本领域技术人员可以根据实际需求确定是否实施步骤S10),在此不做特别的限定。
S11)形成平坦层4于所述钝化层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区。
参照图5,平坦层4开设有第三开口O3和第四开口O4,其中第三开口O3用以暴露第一金属保护层P1,第四开口O4用以暴露第三金属保护层P3。
S12)形成发光器件5于所述第二金属层25上方,且位于所述发光区100a;其中,所述发光器件5包括阳极层51、有机功能层52以及阴极层53,所述阴极层53从所述发光区100a延伸至所述阴极搭接区100c,且连接至所述扩展走线。
参照图5,在形成阳极层51之后,在阳极层51及平坦层4上形成像素定义层6,且位于发光区100a和阴极搭接区100c。其中,像素定义层6开设有第五开口O5,用以暴露阳极层51。
在形成像素定义层6之后,在第五开口O5内,形成有机功能层52于阳极层51上。有机功能层52可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等,以提高发光器件5的发光效率,以及延长发光器件5的寿命。
最后,参照图1,形成阴极层53于像素定义层6上,从发光区100a延伸至阴极搭接区100c。本实施例中,阴极层53填充第四开口O4,且连接至扩展走线。
需要说明的是,在顶发射OLED发光器件5中,阴极为一整面的很薄、半透明的金属层,且该阴极的电阻率很大,而OLED发光器件5是电流原件,屏幕中间和四周流过电流后会因为阴极大电阻造成很大的压降。因此,本实施例在阴极搭接区100c设置辅助阴极走线71,且该辅助阴极走线71通过第三金属保护层P3与上层的阴极层53连接,相当于是整面的阴极层53和辅助阴极走线71以金属网格的方式并联在一起了,能够很大的减少面板中间到四周的电阻,从而减少压降。另外,扩展走线在玻璃基板1上的投影与第二走线253在玻璃基板1上的投影至少部分重合,这样有利于节省布线空间,并且能够满足多个信号走线的需求。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,定义有发光区和阴极搭接区,
所述显示面板包括:
第一金属层,包括第一走线,所述第一走线位于所述阴极搭接区;
第二金属层,设于所述第一金属层上方,所述第二金属层包括第二走线,所述第二走线位于所述阴极搭接区;
第三金属层,设于所述第二金属层上方,所述第三金属层包括扩展走线,所述扩展走线位于所述阴极搭接区;以及
发光器件,设于所述第二金属层上方,且位于所述发光区;
其中,所述发光器件依次包括阳极层、有机功能层以及阴极层,所述阴极层从所述发光区延伸至所述阴极搭接区,且连接至所述扩展走线。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还定义有绑定区,所述绑定区设于所述发光区与所述绑定区之间;
所述第一金属层还包括第一电极,所述第一电极位于所述发光区;
所述第二金属层还包括第二电极、第三电极以及第三走线,其中所述第二电极和所述第三电极位于所述发光区,所述第三走线位于所述绑定区。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
钝化层,设于所述第二金属层与所述第三金属层之间,所述钝化层开设有第一开口和第二开口,所述第一开口用以暴露所述第二电极,所述第二开口用以暴露所述第三走线;
第一金属保护层,填充所述第一开口且延伸至部分所述钝化层的表面;以及
第二金属保护层,与所述第一金属保护层同层设置,其中,在所述第二开口内,所述第二金属保护层覆于所述第三走线的表面,且延伸至部分所述钝化层的表面。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
平坦层,设于所述钝化层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区,所述平坦层开设有第三开口和第四开口,所述第三开口用以暴露所述第一金属保护层,所述第四开口用以暴露所述扩展走线;
其中,所述阳极层填充所述第三开口,且通过所述第一金属保护层连接至所述第二电极。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第三金属保护层,覆盖所述扩展走线,且位于所述阴极搭接区;
平坦层,设于所述钝化层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区,所述平坦层开设有第三开口和第四开口,所述第三开口用以暴露所述第一金属保护层,所述第四开口用以暴露所述第三金属保护层;
其中,所述阳极层填充所述第三开口,且通过所述第一金属保护层连接至所述第二电极。
6.根据权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,还包括:
像素定义层,设于所述阳极层及所述平坦层上,且位于所述发光区和所述阴极搭接区;所述像素定义层开设有第五开口,用以暴露所述阳极层;
其中,所述有机功能层设于所述第五开口内;
所述阴极层设于所述像素定义层上,填充所述第四开口,且连接至所述扩展走线。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
玻璃基板;以及
薄膜晶体管层,设于所述玻璃基板上;
其中,所述薄膜晶体管层包括:
有源层,设于所述玻璃基板上,且位于所述发光区;
绝缘层,包括第一绝缘层和第二绝缘层;其中所述第一绝缘层设于所述有源层上,且位于所述发光区;所述第二绝缘层设于所述玻璃基板上,且位于所述阴极搭接区;
所述第一电极设于所述第一绝缘层上,且位于所述发光区;所述第一走线设于所述第二绝缘层上,且位于所述阴极搭接区;
介电层,覆盖所述第一电极、所述第一走线,延伸至所述玻璃基板表面,且位于所述发光区、所述阴极搭接区及所述绑定区;在所述发光区,所述介电层开设有第一过孔和第二过孔,分别贯穿至所述有源层表面,且设于所述第一电极的两侧;以及
所述第二电极填充所述第一过孔且延伸至所述介电层表面,且连接至所述有源层;所述第三电极填充所述第二过孔且延伸至所述介电层表面,且连接至所述有源层;所述第二走线设于所述介电层上,且位于所述阴极搭接区;
所述第三走线设于所述介电层上,且位于所述绑定区。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述扩展走线在所述玻璃基板上的投影与所述第二走线在所述玻璃基板上的投影至少部分重合。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板定义有发光区和阴极搭接区,
所述显示面板的制备方法包括如下步骤:
形成第一金属层;
对所述第一金属层图案化处理,形成有第一电极和第一走线,所述第一电极位于所述发光区,所述第一走线位于所述阴极搭接区;
形成第二金属层于所述第一金属层上方;
对所述第二金属层图案化处理,形成有第二走线,所述第二走线位于所述阴极搭接区;
形成第三金属层于所述第二金属层上方;
对所述第三金属层图案化处理,形成有扩展走线,所述扩展走线位于所述阴极搭接区;以及
形成发光器件于所述第二金属层上方,且位于所述发光区;其中,所述发光器件依次包括阳极层、有机功能层以及阴极层,所述阴极层从所述发光区延伸至所述阴极搭接区,且连接至所述扩展走线。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板还定义有绑定区,所述绑定区设于所述发光区与所述绑定区之间;
在对所述第二金属层图案化处理的步骤中,
所述第二金属层还图案化处理有第二电极、第三电极以及第三走线,其中所述第二电极和所述第三电极位于所述发光区,所述第三走线位于所述绑定区。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111094996.3A CN113871433A (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板及其制备方法 |
PCT/CN2021/121598 WO2023039953A1 (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-29 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111094996.3A CN113871433A (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113871433A true CN113871433A (zh) | 2021-12-31 |
Family
ID=78996537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111094996.3A Pending CN113871433A (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113871433A (zh) |
WO (1) | WO2023039953A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023184609A1 (zh) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103872040A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
US20150144922A1 (en) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Large area organic light emitting diode display |
CN105633297A (zh) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | 乐金显示有限公司 | 透视有机发光显示装置及其制造方法 |
CN105742324A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-06 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN106409870A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
US20170125507A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
CN108122955A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN108336107A (zh) * | 2017-01-19 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管(oled)阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN110911461A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN210349841U (zh) * | 2019-09-19 | 2020-04-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN211150599U (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置 |
CN111564481A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111755487A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-10-09 | 福建华佳彩有限公司 | 一种新型amoled显示结构及其制备方法 |
CN112310306A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180047536A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN106847867B (zh) * | 2017-02-20 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件及其制备方法和显示装置 |
CN110061152B (zh) * | 2019-04-08 | 2021-11-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板制备方法、oled显示面板及显示装置 |
CN110808340B (zh) * | 2019-11-14 | 2023-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN110752250B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-08-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板 |
CN112416168A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-02-26 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示设备 |
-
2021
- 2021-09-17 CN CN202111094996.3A patent/CN113871433A/zh active Pending
- 2021-09-29 WO PCT/CN2021/121598 patent/WO2023039953A1/zh active Application Filing
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103872040A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
US20150144922A1 (en) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Large area organic light emitting diode display |
CN105633297A (zh) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | 乐金显示有限公司 | 透视有机发光显示装置及其制造方法 |
CN105742324A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-06 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN106409870A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
US20170125507A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
CN108122955A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN108336107A (zh) * | 2017-01-19 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管(oled)阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN210349841U (zh) * | 2019-09-19 | 2020-04-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110911461A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN211150599U (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置 |
CN111564481A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111755487A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-10-09 | 福建华佳彩有限公司 | 一种新型amoled显示结构及其制备方法 |
CN112310306A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023184609A1 (zh) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023039953A1 (zh) | 2023-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108962947B (zh) | 一种柔性显示面板和显示装置 | |
US10971574B2 (en) | Display device | |
CN206194793U (zh) | 一种顶发光型oled显示装置 | |
US20210335990A1 (en) | Array substrabe, display panel, and manufacturing method of array substrate | |
US9859435B2 (en) | Thin film transistor and display substrate having the same | |
CN107195663B (zh) | Amoled显示面板结构 | |
CN104953044B (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
WO2018045658A1 (zh) | Amoled显示装置 | |
CN105789266A (zh) | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US11164918B2 (en) | Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof | |
KR20120072173A (ko) | 유기전계 발광소자용 기판 | |
JP2014192149A (ja) | Oled表示パネル及びその製造方法 | |
CN113471257B (zh) | 显示面板及移动终端 | |
CN111640774B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN211789021U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN101483188B (zh) | 有机el面板及其制造方法 | |
CN111682031A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN109585699A (zh) | Oled显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN113871433A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
US11889724B2 (en) | Display device including a sealing area overlapping transfer wirings | |
WO2023246261A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
JP2013118074A (ja) | 表示装置 | |
US20220102449A1 (en) | Organic light emitting display device | |
JPWO2011158303A1 (ja) | 有機el表示装置 | |
US20230200168A1 (en) | Display panel and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |