CN108336107A - 有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，该OLED阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与第二电极并联的辅助电极，该有机材料功能层位于第一电极和第二电极之间；该驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，该第一电极与源极或漏极电连接；辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置。本发明的实施例将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中形成辅助电极，节省了工艺步骤。

Description

有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光器件)显示器是新一代的显示器，与液晶显示器相比，具有自发光，响应速度快以及视角宽等优点，可以用于柔性显示，透明显示，3D显示等。
OLED显示器件由阳极、阴极以及有机材料功能层构成，OLED显示器件主要的工作原理是有机材料功能层在阳极和阴极形成的电场的驱动下，通过载流子注入和复合而发光。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与所述第二电极并联的辅助电极，其中，所述有机材料功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。
例如，本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板，还包括设置在所述第二电极和所述辅助电极之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构中设置有多个过孔结构，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极并联。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一金属导电层的厚度为80～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～20nm。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
例如，本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板，还包括遮光部，所述遮光部与所述第一电极同层同材料设置，所述遮光部与所述辅助电极连接或者不连接。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。
例如，本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板还包括开关晶体管，其中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述开关晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。
例如，在本发明至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述有机材料功能层包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。
例如，本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一所述的OLED阵列基板。
本发明至少一实施例还提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成驱动晶体管、第一电极、有机材料功能层、第二电极和辅助电极，其中，所述有机材料功能层形成在所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一在同一构图工艺中形成。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。
例如，本发明至少一实施例提供的制备方法，还可以包括：在所述第二电极和所述辅助电极之间形成绝缘结构；在所述绝缘结构中形成多个过孔结构；其中，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极连接。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。
例如，在本发明至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属导电层的厚度为80～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～20nm。
本发明的至少一个实施例通过将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中形成辅助电极，节省了工艺步骤；辅助电极通过多个过孔结构和第二电极并联，以降低第二电极的电阻，且不会增加工艺步骤；辅助电极的材料可以包括金属导电材料和透明导电材料形成的双层叠层结构；将辅助电极延长并遮挡住驱动晶体管和开关晶体管，可以防止外界光照射到驱动晶体管和开关晶体管上，进而避免了漏电流的产生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的截面结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种OLED阵列基板的平面结构示意图；
图3为图2中OLED阵列基板的截面结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的再一种OLED阵列基板的平面结构示意图；
图5为图4中OLED阵列基板的截面结构示意图；
图6为本发明一实施例提供的又一种OLED阵列基板的平面结构示意图；
图7为图6中OLED阵列基板的截面结构示意图；
图8为本发明一实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图；
图9为本发明一实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图；
图10为本发明一实施例提供的又OLED阵列基板的截面结构示意图；
图11为本发明一实施例提供的一种OLED阵列基板的制备方法的流程图。
附图标记：
101-衬底基板；102-驱动晶体管；1021-栅极；1022-源极；1023-漏极；1024-有源层；1026-第一绝缘层；103-第一电极；104-第二电极；105-有机材料功能层；106-辅助电极；107a,107b-遮光部；108-开关晶体管；109-过孔结构；110-像素界定层；111-钝化层；112-数据线；113-电源线；114-封装层；115-第二绝缘层；116-栅线。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的截面结构示意图，如图1所示，该OLED阵列基板包括衬底基板101以及设置在衬底基板101上的驱动晶体管102、第一电极103、第二电极104、位于第一电极103和第二电极104之间有机材料功能层105以及设置在第二电极104上的辅助电极106，驱动晶体管102包括栅极1021、源极1022、漏极1023和有源层1024，第一电极103与源极1022或漏极1023电连接，在图1中第一电极103与漏极1023电连接。
OLED阵列基板的第二电极104一般采用薄层金属银制备，第一电极103一般采用ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)制备，薄层金属银以及ITO的电阻率较高，尤其是对于大面积成型的第二电极104，采用薄层金属银制备的第二电极104的电阻率较大，压降(IRdrop)较大，造成OLED阵列基板的实际驱动电压与电源电压有较大差异，在大尺寸的OLED显示器件上，表现为大面积的亮度不均匀，影响显示效果。如图1所示，在第二电极104上形成一层辅助电极106可以降低第二电极104的电阻，但是，在第二电极104上形成一层辅助电极106会增加工艺步骤，从而增加了生产成本，除此之外，如果辅助电极的材料为金属材料则会降低第二电极的透光性，如果辅助电极的材料为电阻率更大的金属氧化物半导体，则降低第二电极的电阻的效果不明显。
本发明至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，该OLED阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与第二电极并联的辅助电极，该有机材料功能层位于第一电极和第二电极之间；该驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，第一电极与源极或漏极电连接；该辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置。
本发明的实施例通过将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，以便于在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中同步形成辅助电极，辅助电极通过多个过孔结构和第二电极并联，以降低第二电极的电阻，且不会增加工艺步骤；辅助电极的材料可以包括金属导电材料和透明导电材料形成的双层叠层结构，如果将辅助电极延长并遮挡住驱动晶体管和开关晶体管，还可以防止外界光照射到驱动晶体管和开关晶体管上，进而避免了漏电流的产生。
下面通过几个实施例对本发明的技术方案进行说明。
实施例一
本实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，例如，图2为本实施例提供的一种OLED阵列基板的平面结构示意图，图3为图2中OLED阵列基板的截面结构示意图。如图2和图3所示，该OLED阵列基板包括：衬底基板101以及设置在衬底基板101上的驱动晶体管102、第一电极103、第二电极104、有机材料功能层105以及与第二电极104并联的辅助电极106，该有机材料功能层105位于第一电极103和第二电极104之间；驱动晶体管102包括栅极1021、源极1022和漏极1023，第一电极103与源极1022或漏极1023电连接；辅助电极106与第一电极103、栅极1021和漏极1023中的至少之一同层设置。示例性地，在图3中，辅助电极106与第一电极103同层设置。
例如，该OLED阵列基板包括显示区域和显示区域之外的外围区域，其中显示区域又称为AA(Active Area)区，一般用于实现显示，外围区域可用于设置驱动电路、进行显示面板的封装等。例如，在外围区域，第二电极104可以和辅助电极106电连接，在显示区域，第二电极104可以和辅助电极106电连接，这样第二电极104和辅助电极106在两端分别连接以形成并联电路，或者第二电极104和辅助电极106彼此连接的两端可以都位于显示区域中。当第二电极104接受电压信号并将电压信号进行传递，且当电压信号到达和第二电极电连接的辅助电极106时，辅助电极作为电压信号传递的支路与第二电极104同时传递电压信号，这样相当于第二电极104和辅助电极106形成并联电路，降低了电信号传递过程中的电阻，或者，也可以是辅助电极先接受电压信号，当电压信号到达和辅助电极106电连接的第二电极104时，第二电极104作为电压信号传递的支路与辅助电极106同时传递电压信号；再或者，第二电极104和辅助电极106同时接受电压信号，第二电极104和辅助电极106作为两条支路同时传递电压信号。
例如，如图2和图3所示，该OLED阵列基板还包括设置在衬底基板101上的电源线113、数据线112和与栅极1021连接的栅线116，栅线116和数据线112交叉限定的区域内设置有像素结构，该示例性的像素结构包括开关晶体管108、驱动晶体管102和OLED器件(包括第一电极103、第二电极104和有机材料功能层105)，开关晶体管108连接到栅线116和数据线112，驱动晶体管102连接到开关晶体管108、电源线113和OLED器件。
例如，OLED器件还包括形成在第一电极103和第二电极104之间的像素界定层110，该像素界定层110可以用于隔离相邻两个子像素单元。
例如，图3所示的驱动晶体管为顶栅型结构，结合图2和图3可以看出，在衬底基板101上还设置有源层1024，在有源层1024上依次形成有栅绝缘层1025、栅极1021和第一绝缘层1026，在第一绝缘层1026上形成有源极1022和漏极1023。源极1022和漏极1023分别与有源层1024电连接。在源极1022和漏极1023上形成第二绝缘层115，在第二绝缘层115上形成第一电极103和辅助电极106。第一电极103和辅助电极106设置在同一层，且在同一工艺步骤中形成，不需要额外的工艺步骤制备辅助电极，节省了工艺步骤，降低了生产成本。
例如，本实施例提供的OLED阵列基板还包括设置在第二电极104和辅助电极106之间的绝缘结构，需要说明的是，该“绝缘结构”是指设置在第二电极104和辅助电极106之间的具有绝缘作用的层结构，绝缘结构中设置有多个过孔结构，第二电极104通过多个过孔结构与辅助电极106连接，以使第二电极104和辅助电极106并联。
例如，在图3中，像素界定层110通常采用有机绝缘材料(例如，丙烯酸类树脂)或者无机绝缘材料(例如，氮化硅SiNx或者氧化硅SiOx)形成，像素界定层110具有绝缘的性质。在图3中，像素界定层110可以被看作设置在第二电极104和辅助电极106之间的绝缘结构，像素界定层110中设置有多个过孔结构109，第二电极104通过多个过孔结构109与辅助电极106并联。
除此之外，通过多个过孔结构109将第二电极104与辅助电极106并联，还可以增加第二电极104的厚度，相当于增加了第二电极104的横截面积，进一步地减小第二电极104的电阻。
例如，第二电极104在衬底基板101上的正投影与辅助电极106在衬底基板101上的正投影至少部分重合，这样便于在绝缘结构中形成过孔结构以将第二电极104和辅助电极进行电连接。
例如，第一电极103包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构。
例如，第一电极103的材料可以为透明导电材料，该透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，第一电极103的材料可以为金属导电材料，该金属导电材料包括铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、金(Au)、银(Ag)以及铂(Pt)等单金属或者上述金属形成的合金材料，例如，铜铬合金(CuCr)或者铬钼合金(CrMo)等。
例如，第一电极103的材料还可以为上述透明导电材料和金属导电材料的任意组合形成的叠层结构，例如：ITO-Ag-ITO、ITO-Mo-IZO、ITO-Cr-In2O3、ITO-Cu-ZnO以及ITO-Pt-IGO形成的两层透明导电材料中间夹设一层金属导电材料的结构，或者，IZO-Mo、ITO-Cr、ZnO-Mg以及ITO-Au形成的一层金属导电材料和一层透明导电材料形成的双层叠层结构，例如，透明导电材料和金属导电材料的任意组合形成的叠层结构不限于上述中的双层、三层叠层结构。
需要说明的是，由于上述形成第一电极的金属材料或者合金材料的功函较低，与OLED阵列基板中的有机材料功能层的匹配性不好，在第一金属层的靠近有机材料功能层的一侧形成一层的透明导电材料可以提高第一金属的功函，使第一电极与有机材料功能层能更好的匹配，除此之外，双层结构或者三层结构的第一电极相比于单层结构的第一电极，电阻更小，降低了第一电极的电阻。
例如，第一金属导电层的厚度可以为40～120nm，例如：40nm，50nm,60nm，70nm,80nm，90nm,100nm，110nm或者120nm。
例如，在图3所示的结构中，辅助电极106和第一电极同层形成，辅助电极106的材料和层结构可参见上述第一电极的相关描述，在此不再赘述。
例如，第二电极包括第二金属导电层，第二电极104的材料包括银、镁、铝、锂单金属或者镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等。
例如，第二金属导电层的厚度可以为3～30nm，例如：5nm，10nm,15nm,20nm,25nm或者30nm。
例如，图4为本实施例提供的再一种OLED阵列基板的平面结构示意图，图5为图4中OLED阵列基板的截面结构示意图，如图4和图5所示，该OLED阵列基板还包括遮光部107a和107b，遮光部107a和107b与第一电极103同层同材料设置，遮光部107a和107b与辅助电极106连接。
例如，图6为本实施例提供的又一种OLED阵列基板的平面结构示意图，图7为图6中OLED阵列基板的截面结构示意图，如图6和图7所示，遮光部107a和107b与第一电极103同层同材料设置，遮光部107a和107b与辅助电极106不连接。
例如，如图4和图6所示，遮光部107a在衬底基板101上的正投影与驱动晶体管102在衬底基板101上的正投影重合，由于遮光部107a与辅助电极106、第一电极103同层同材料形成，当第一电极为上述第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构或者只由第一金属导电层形成时，遮光部107a也具有遮光的作用，这样可以通过遮光部107a对驱动晶体管102进行遮光。
例如，如图4和图6所示，该OLED阵列基板还包括开关晶体管，遮光部107b在衬底基板101上的正投影与开关晶体管在衬底基板101上的正投影重合，当第一电极为上述第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构或者只由第一金属导电层形成时，可以通过遮光部107b对开关晶体管进行遮光。
当遮光部107a和107b与辅助电极106连接时，上述叠层结构或者金属导电材料形成的位于驱动晶体管上的遮光部107a和开关晶体管上的遮光部107b，除了对驱动晶体管和开关晶体管进行遮光，还可以与金属导线形成电容，吸收电场的变化，防止电压波动对驱动晶体管和开关晶体管上的电压的稳定性造成影响。
例如，本实施例提供的驱动晶体管和开关晶体管可以为底栅型结构、顶栅型结构或者双栅型结构。例如，图3所示的驱动晶体管为顶栅型结构。顶栅、底栅是相对于有源层和栅极的位置而定的，即相对于衬底基板，当栅极靠近衬底基板，有源层远离衬底基板时为底栅型薄膜晶体管；当栅极远离衬底基板，有源层靠近衬底基板时，为顶栅型薄膜晶体管；双栅型结构则同时包括顶栅和底栅，底栅结构和双栅结构的驱动晶体管和开关晶体管的各层结构可以参见上述顶栅型结构的描述，在此不再赘述。
例如，第一电极为阳极，第二电极为阴极，或者，第一电极为阴极，第二电极为阳极。
需要说明的是，上述第一电极和第二电极的材料和结构只是本实施例中的一个示例，第一电极和第二电极还可以由其他的材料制备而成，根据第一电极和第二电极的材料的不同，可以分为单面出光型阵列基板和双面出光型阵列基板，当阳极和阴极中一个电极的材料为不透光或半透光材料时，阵列基板为单面出光型，当阳极和阴极的材料均为透光材料和/或半透光材料时，该阵列基板为双面出光型。
对于单面出光型OLED阵列基板，根据阳极和阴极的材料的不同，又可以分为顶出光型和底出光型。当阳极靠近衬底基板设置，阴极远离衬底基板设置，且阳极的材料为透光导电材料，阴极的材料为不透光导电材料时，由于光从阳极、再经衬底基板一侧出射，可以称为底出光型；当阳极的材料为不透光导电材料，阴极的材料为透明或半透明导电材料时，由于光从阴极远离衬底基板一侧出射，可以称为顶出光型。也可以将上述两种阳极和阴极的相对位置进行替换，在此不再赘述。例如，采用上述第一金属导电层的材料制备的第一电极具有很好的反光性，采用上述第二金属导电层的材料制备在上述厚度范围内的第二电极，具有很好的透光性，上述OLED阵列基板可以为顶出光型的。
对于双面出光型显示基板，当阳极靠近衬底基板设置，阴极远离衬底基板设置，且阳极和阴极的材料均为透光导电和/或半透光材料时，由于光一方面从阳极、再经衬底基板一侧出射，另一方面从阴极远离衬底基板一侧出射，可以称为双面出光型。这里，也可以是阳极远离衬底基板设置，阴极靠近衬底基板设置。
根据需要，可以选择第一电极和第二电极的材料以分别适用于顶出光型、底出光型和双面出光型，本实施例对第一电极和第二电极材料的选择不做限制，只要满足第二电极与辅助电极并联可以降低第二电极的电阻即可。
例如，图8为本实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图，辅助电极106与源极1022、漏极1023同层同材料形成，源极105、漏极106以及与漏极106同层形成的辅助电极106的材料包括钼、钛、铜和铬等金属材料或者由上述金属形成的合金材料，例如，铜钼合金(CuMo)、铜钛合金(CuTi)、铜钼钛合金(CuMoTi)、铜钼钨合金(CuMoW)、铜钼铌合金(CuMoNb)、钼合金(CrMo)、铬钛合金(CrTi)、铬钼钛合金(CrMoTi)等。例如，在图8中，对应的绝缘结构包括第二绝缘层115和像素界定层110，第二电极104通过设置在第二绝缘层115和像素界定层110中的过孔结构109与辅助电极106连接，以使第二电极104和辅助电极106形成并联结构。
例如，图9为本实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图，如图9所示，辅助电极106还可以与栅极1021同层同材料形成，栅极1021以及与栅极1021同层形成的辅助电极106的材料包括钼、钛、铜和铬等金属材料或者由上述金属形成的合金材料，例如，铜钼合金(CuMo)、铜钛合金(CuTi)、铜钼钛合金(CuMoTi)、铜钼钨合金(CuMoW)、铜钼铌合金(CuMoNb)、钼合金(CrMo)、铬钛合金(CrTi)、铬钼钛合金(CrMoTi)等。例如，在图9中，对应的绝缘结构包括第一绝缘层1026、第二绝缘层115和像素界定层110，第二电极104通过设置在第二绝缘层115和像素界定层110中的过孔结构109与辅助电极106连接，以使第二电极104和辅助电极106形成并联结构。
例如，图10为本实施例提供的又一种OLED阵列基板的截面结构示意图，如图10所示，辅助电极106还可以同时与栅极1021、源极1022、第一电极103同层形成，辅助电极106为相互连接的三层结构，这样通过将第二电极104同时与三层导电材料并联，可以进一步减少第二电极的电阻。
需要说明的是，本实施例中的辅助电极还可以是与栅极1021、源极1022、第一电极103中的任意两层同层形成的双层结构,例如，辅助电极与第一电极和所述栅极均同层设置；例如，辅助电极与第一电极和漏极均同层设置；例如，辅助电极与栅极和漏极均同层设置，在此不再赘述。
例如，当辅助电极与源极或漏极同层同材料形成时，辅助电极的延伸方向与数据线的延伸方向一致；当辅助电极与栅线或栅极同层同材料形成时，辅助电极的延伸方向与栅线的延伸方向一致；当辅助电极与第一电极同层同材料形成时，辅助电极的延伸方向可以与数据线的延伸方向一致也可以与栅线的延伸方向一致。需要说明的是，在辅助电极具有多层结构的情况下，不同层的辅助电极在它们的交叠区域通过过孔连接。
例如，在本实施例中，第一绝缘层1026、第二绝缘层115的材料可以和像素界定层110的材料一样，可以包括有机绝缘材料(例如，丙烯酸类树脂)或者无机绝缘材料(例如，氮化硅SiNx或者氧化硅SiOx)。
例如，被用作栅绝缘层1025的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其他适合的材料。
例如，该有机材料功能层105可以包括：空穴传输层、发光层和电子传输层，为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，该有机材料功能层还可以包括设置在阴极与电子传输层之间的电子注入层，以及设置在阳极与空穴传输层之间的空穴注入层等有机功能层。
由于水、氧气等对阴极、有机材料功能层的性能的影响较大，如图3所示，该OLED阵列基板的第二电极104上还可以设置有钝化层111和封装层114。
例如，该钝化层111的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及丙烯酸类树脂等。
例如，封装层114的材料包括氮化硅、氧化硅或者感光树脂形成的单一膜层或者复合膜层，例如，感光树脂可以为聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂或者聚酰胺类树脂等。
实施例二
本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括实施例一中的任一OLED阵列基板。显示装置中的其他结构可参见常规设计。该显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
实施例三
本实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法，例如，图11为本实施例提供的一种OLED阵列基板的制备方法的流程图，如图11所示，该制备方法包括如下步骤：
步骤101、提供衬底基板。
例如，该衬底基板可以为玻璃基板、石英基板以及塑料基板等。
步骤102、在衬底基板上形成驱动晶体管、第一电极、有机材料功能层、第二电极和辅助电极。
例如，该有机材料功能层形成在第一电极和第二电极之间，该驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，该第一电极与漏极电连接，该辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一在同一构图工艺中形成。
以驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管且辅助电极与第一电极同层形成为例说明OLED阵列基板的形成过程：
步骤201：提供衬底基板，并在衬底基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、第一绝缘层和源漏电极层(包括源极和漏极)以构成驱动晶体管。
步骤202：在驱动晶体管的源漏电极层(包括源极和漏极)上形成第二绝缘层。
步骤203：在第二绝缘层上形成OLED器件的第一电极和辅助电极。
步骤204：在OLED器件的第一电极上形成像素界定层，并在像素界定层中形成多个过孔结构。
步骤205：在像素界定层上形成有机材料功能层。
步骤206：在有机材料功能层上形成第二电极，第二电极通过形成在像素界定层中的多个过孔结构与辅助电极并联。
步骤207：在第二电极上形成钝化层和封装层。
例如，在上述步骤中，在第二电极和辅助电极之间形成的绝缘结构为像素界定层，在绝缘结构中形成多个过孔结构，第二电极通过多个过孔结构与辅助电极连接。
例如，通过多个过孔结构将第二电极与辅助电极并联还可以增加第二电极的厚度，相当于增加了第二电极的横截面积，进一步地减小第二电极的电阻。
例如，在外围区域，第二电极可以和辅助电极电连接；在显示区域，第二电极可以和辅助电极通过多个过孔结构电连接，这样第二电极和辅助电极在两端分别连接以形成并联电路，或者第二电极和辅助电极彼此连接的两端可以都位于显示区域中。当第二电极接受电压信号并将电压信号进行传递，且当电压信号到达和第二电极电连接的辅助电极时，辅助电极作为电压信号传递的支路与第二电极同时传递电压信号，这样相当于第二电极和辅助电极形成并联电路，降低了电信号传递过程中的电阻，或者，辅助电极先接受电压信号，当电压信号到达和辅助电极电连接的第二电极时，第二电极作为电压信号传递的支路与辅助电极同时传递电压信号，再或者，第二电极和辅助电极同时接受电压信号，第二电极和辅助电极作为两条支路同时传递电压信号。
例如，第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构。
例如，第一电极的材料可以为透明导电材料，该透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，第一电极的材料可以为金属导电材料，该金属导电材料包括铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、金(Au)、银(Ag)以及铂(Pt)等单金属或者上述金属形成的合金材料铜铬合金(CuCr)或者铬钼合金(CrMo)等。
例如，第一电极的材料还可以为上述透明导电材料和金属导电材料的任意组合形成的叠层结构，例如：ITO-Ag-ITO、ITO-Mo-IZO、ITO-Cr-In2O3、ITO-Cu-ZnO以及ITO-Pt-IGO形成的两层透明导电材料中间夹设一层金属导电材料的结构，或者，IZO-Mo、ITO-Cr、ZnO-Mg以及ITO-Au形成的一层金属导电材料和一层透明导电材料形成的双层叠层结构，例如，透明导电材料和金属导电材料的任意组合形成的叠层结构不限于上述中的双层、三层叠层结构。
需要说明的是，由于上述形成第一电极的金属材料或者合金材料的功函较低，与OLED器件中的有机材料功能层的匹配性不好，在第一金属层的靠近有机材料功能层的一侧形成一层透明导电材料可以提高第一金属的功函，使第一电极与有机材料功能层能更好的匹配，除此之外，双层结构或者三层结构的第一电极相比于单层结构的第一电极，电阻更小。
例如，第一金属导电层的厚度可以为40～120nm，例如：40nm，50nm,60nm，70nm,80nm，90nm,100nm，110nm或者120nm。例如，第二电极包括第二金属导电层，第二电极104的材料包括镁、铝、锂单金属或者镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等。
例如，第二金属导电层的厚度可以为3～30nm，例如：5nm，10nm,15nm,20nm,25nm或者30nm。辅助电极还可以与栅极或漏极同层形成，或者与第一电极、栅极和漏极中的至少两层同层形成，例如，辅助电极与第一电极和所述栅极均同层设置；例如，辅助电极与第一电极和漏极均同层设置；例如，辅助电极与栅极和漏极均同层设置，在此不再赘述。
本发明的实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置具有以下至少一项有益效果：
(1)将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中形成辅助电极，节省了工艺步骤。
(2)辅助电极通过多个过孔结构和第二电极并联，以降低第二电极的电阻，且不会增加工艺步骤。
(3)辅助电极的材料可以包括金属导电材料和透明导电材料形成的双层叠层结构，将辅助电极延长并遮挡住驱动晶体管和开关晶体管，可以防止外界光照射到驱动晶体管和开关晶体管上，进而避免了漏电流的产生。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (23)

1.一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：
衬底基板，
设置在所述衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与所述第二电极并联的辅助电极，其中，
所述有机材料功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间；
所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接；
所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一同层设置。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。
3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。
4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的OLED阵列基板，还包括设置在所述第二电极和所述辅助电极之间的绝缘结构，
其中，所述绝缘结构中设置有多个过孔结构，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极并联。
7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
8.根据权利要求7所述的OLED阵列基板，其中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。
9.根据权利要求8所述的OLED阵列基板，其中，所述第一金属导电层的厚度为40～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～30nm。
10.根据权利要求7或8所述的OLED阵列基板，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
11.根据权利要求1-3和5中任一项所述的OLED阵列基板，还包括遮光部，其中，所述遮光部与所述第一电极同层同材料设置，所述遮光部与所述辅助电极连接或者不连接。
12.根据权利要求11所述的OLED阵列基板，其中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。
13.根据权利要求11所述的OLED阵列基板，还包括开关晶体管，其中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述开关晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。
14.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述有机材料功能层包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。
15.一种显示装置，包括权利要求1-14中任一项所述的OLED阵列基板。
16.一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法，包括：
提供衬底基板，
在所述衬底基板上形成驱动晶体管、第一电极、有机材料功能层、第二电极和辅助电极，其中，
所述有机材料功能层形成在所述第一电极和所述第二电极之间；
所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；
所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一在同一构图工艺中形成。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。
18.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。
19.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。
20.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。
21.根据权利要求16-20中任一项所述的制备方法，还包括：在所述第二电极和所述辅助电极之间形成绝缘结构；在所述绝缘结构中形成多个过孔结构；
其中，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极连接。
22.根据权利要求21所述的制备方法，其中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。
23.根据权利要求22所述的制备方法，其中，所述第一金属导电层的厚度为40～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～30nm。
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