JP2020505715A - 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents

有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置 Download PDF

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Abstract

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置であって、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板（１０１）と、ベース基板（１０１）に設置される駆動トランジスタ（１０２）、第一電極（１０３）、第二電極（１０４）、有機材料機能層（１０５）及び第二電極（１０４）に接続される補助電極（１０６）とを備え、該有機材料機能層（１０５）は第一電極（１０３）と第二電極（１０４）との間に位置し、該駆動トランジスタ（１０２）は、ゲート電極（１０２１）、ソース電極（１０２２）及びドレイン電極（１０２３）を備え、該第一電極（１０３）はソース電極（１０２２）又はドレイン電極（１０２３）と電気的に接続され、補助電極（１０６）は、第一電極（１０３）、ゲート電極（１０２１）及びドレイン電極（１０２３）のうちの少なくとも１つと同層に設置される。本開示の実施例は補助電極を第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置し、ＯＬＥＤアレイ基板の第一電極、ゲート電極及び／又はドレイン電極を形成するステップにおいて補助電極を形成することで、工程を省く。

Description

本開示は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置に関する。
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光デバイス）ディスプレイは次世代のディスプレイであり、液晶ディスプレイに比べて、自己発光、高速応答及び広視野角等の利点を持ち、フレキシブル表示、透明表示、３Ｄ表示等に用いることができる。
ＯＬＥＤ表示装置は陽極、陰極及び有機材料機能層で構成され、ＯＬＥＤ表示装置の主な作動原理は、有機材料機能層が陽極及び陰極で形成される電界の駆動で、キャリアの注入と再結合によって発光することである。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供し、ベース基板と、前記ベース基板に設置される駆動トランジスタ、第一電極、第二電極、有機材料機能層及び前記第二電極に接続される補助電極とを備え、前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に位置し、前記駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、前記第一電極は前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続され、前記補助電極は前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記補助電極は前記第一電極及び前記ゲート電極と同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記補助電極は前記第一電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記補助電極は前記ゲート電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記補助電極は前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、前記第二電極と前記補助電極との間に設置される絶縁構造をさらに備え、前記絶縁構造に複数のビア構造が設置され、前記第二電極は前記複数のビア構造によって前記補助電極と接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記ベース基板における前記第二電極の正射影は、前記ベース基板における前記補助電極の正射影と少なくとも部分的に重なる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記第一電極は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備え、前記第二電極は第二金属導電層を備える。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記第一金属導電層の厚さが８０〜１２０ｎｍであり、前記第二金属導電層の厚さが３〜２０ｎｍである。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記第一電極が陽極であり、前記第二電極が陰極であり、又は、前記第一電極が陰極であり、前記第二電極が陽極である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、遮光部をさらに備え、前記遮光部は前記第一電極と同層に同様な材料で設置され、前記遮光部は前記補助電極と一体構造である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、遮光部をさらに備え、前記遮光部は前記第一電極と同層に同様な材料で設置され、前記遮光部は前記補助電極と相互に離間される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記ベース基板における前記遮光部の正射影は、前記ベース基板における前記駆動トランジスタの正射影と重なる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、さらにスイッチングトランジスタを備え、前記ベース基板における前記遮光部の正射影は、前記ベース基板における前記スイッチングトランジスタの正射影と重なる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記有機材料機能層は、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層を備える。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例は上記いずれかに記載のＯＬＥＤアレイ基板を備える表示装置をさらに提供する。
本開示の少なくとも１つの実施例は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造方法をさらに提供し、ベース基板を提供することと、前記ベース基板に駆動トランジスタ、第一電極、有機材料機能層、第二電極及び補助電極を形成することとを含み、前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に形成され、前記駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、前記第一電極が前記ドレイン電極と電気的に接続され、前記補助電極は、前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極のうちの少なくとも１つと同じパターニングプロセスで形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記補助電極は三層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される、前記補助電極の第三層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、前記第二電極と前記補助電極との間に絶縁構造を形成し、前記絶縁構造に複数のビア構造を形成することをさらに含み、前記第二電極は前記複数のビア構造によって前記補助電極と接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第一電極は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備え、前記第二電極は第二金属導電層を備える。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第一金属導電層の厚さが８０〜１２０ｎｍであり、前記第二金属導電層の厚さが３〜２０ｎｍである。
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下では実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、下記図面は単に本開示の一部の実施例に過ぎず、本開示を限定するものではない。
図１は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の断面構造模式図である。 図２は本開示の一実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図である。 図３は図２におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図４は本開示の一実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図である。 図５は図４におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図６は本開示の一実施例に係るさらに別のＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図である。 図７は図６におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図８は本開示の一実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図９は本開示の一実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図１０は本開示の一実施例に係るさらに別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。 図１１は本開示の一実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の製造方法のフローチャートである。
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下では本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明瞭で、完全に説明する。勿論、説明した実施例は本開示の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。説明した本開示の実施例に基づいて、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得られる全ての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解可能な一般的なの意味である。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する単語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部材を区別するものだけである。「含む」又は「備える」のような用語は該用語前に現れた素子又はデバイスが該用語後に現れる素子又はデバイス及びその同等物をカバーすることを意味し、他の素子又はデバイスを排除しない。「接続」又は「連結」のような用語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接か間接に関わらず電気的接続を含む。「上方」、「下方」、「左方」、「右方」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
図１は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の断面構造模式図であり、図１に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１に設置される駆動トランジスタ１０２、第一電極１０３、第二電極１０４、第一電極１０３と第二電極１０４との間に位置する有機材料機能層１０５及び第二電極１０４に設置される補助電極１０６とを備え、駆動トランジスタ１０２は、ゲート電極１０２１、ソース電極１０２２、ドレイン電極１０２３及び活性層１０２４を備え、第一電極１０３はソース電極１０２２又はドレイン電極１０２３と電気的に接続され、図１において第一電極１０３はドレイン電極１０２３と電気的に接続される。
ＯＬＥＤアレイ基板の第二電極１０４は一般的に薄層金属銀で製造され、第一電極１０３は一般的にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、インジウムスズ酸化物）で製造され、薄層金属銀及びＩＴＯの抵抗率が高く、特に大面積で成形された第二電極１０４に対して、薄層金属銀で製造された第二電極１０４の抵抗率が大きく、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が大きいため、ＯＬＥＤアレイ基板の実際の駆動電圧と電源電圧との差が大きくなり、寸法が大きいＯＬＥＤ表示装置において、大面積範囲にわたって輝度が不均一で、表示効果に悪影響を与える。図１に示すように、第二電極１０４に一層の補助電極１０６を形成することによって第二電極１０４の抵抗を低減させることができるが、第二電極１０４に一層の補助電極１０６を形成すると、プロセスの工程が増加し、それにより生産コストが増加し、また、補助電極の材料が金属材料であると、第二電極の透光性が低下し、補助電極の材料は抵抗率がより大きい金属酸化物半導体であると、第二電極の抵抗を低減させる効果が著しくない。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供し、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板と、ベース基板に設置される駆動トランジスタ、第一電極、第二電極、有機材料機能層及び第二電極と並列接続される補助電極とを備え、該有機材料機能層は第一電極と第二電極との間に位置し、該駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、第一電極はソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、該補助電極は、第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置される。
本開示の実施例は補助電極を第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置することによって、ＯＬＥＤアレイ基板の第一電極、ゲート電極及び／又はドレイン電極を形成するステップにおいて補助電極を同期に形成し、補助電極は複数のビア構造によって第二電極と並列接続され、それによりプロセスの工程を追加せずに第二電極の抵抗を低減させ、補助電極の材料が金属導電材料及び透明導電材料で形成される二層積層構造を備えてもよく、補助電極を延長させて駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタを遮断すると、外光が駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタに照射することを防止でき、更に漏れ電流の発生を回避する。
本開示の実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供し、例えば、図２は本開示の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図であり、図３は図２におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図である。図２及び図３に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１に設置される駆動トランジスタ１０２、第一電極１０３、第二電極１０４、有機材料機能層１０５及び第二電極１０４と接続される補助電極１０６とを備え、該有機材料機能層１０５は第一電極１０３と第二電極１０４との間に位置し、駆動トランジスタ１０２は、ゲート電極１０２１、ソース電極１０２２及びドレイン電極１０２３を備え、第一電極１０３はソース電極１０２２又はドレイン電極１０２３と電気的に接続され、補助電極１０６は、第一電極１０３、ゲート電極１０２１及びドレイン電極１０２３のうちの少なくとも１つと同層に設置される。例示的に、図３において、補助電極１０６は第一電極１０３と同層に設置される。
なお、「同層に設置される」とは、補助電極１０６が第一電極１０３、ゲート電極１０２１及びドレイン電極１０２３のうちの少なくとも１つと同じ工程で形成され、且つ補助電極１０６がそれと同層に設置される電極と同じ材料で製造されることを意味する。
例えば、第二電極１０４と補助電極１０６との接続が並列接続であってもよい。以下では第二電極１０４が補助電極１０６と並列接続されることを例として説明する。
例えば、該ＯＬＥＤアレイ基板は、表示領域及び表示領域外の外周領域を含み、表示領域はＡＡ（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ）領域とも呼称され、一般的に表示を実現することに用いられ、外周領域は駆動回路を設置し、表示パネルのパッケージングを行う等に用いることができる。例えば、外周領域において、第二電極１０４が補助電極１０６と電気的に接続されてもよく、表示領域において、第二電極１０４が補助電極１０６と電気的に接続されてもよく、このように第二電極１０４と補助電極１０６は、並列回路を形成するように、両端においてそれぞれ接続され、又は第二電極１０４と補助電極１０６の互いに接続される両端は全て表示領域に位置するようにしてもよい。第二電極１０４は電圧信号を受信し電圧信号を伝送し、且つ電圧信号が第二電極と電気的に接続される補助電極１０６に到着する時に、補助電極は電圧信号を伝送する分岐回路として第二電極１０４と同時に電圧信号を伝送し、このように第二電極１０４が補助電極１０６と並列回路を形成することに相当し、電気信号を伝送する過程における抵抗を低減させ、又は、補助電極が先ず電圧信号を受信し、電圧信号が補助電極１０６と電気的に接続される第二電極１０４に到着する時に、第二電極１０４は電圧信号を伝送する分岐回路として補助電極１０６と同時に電圧信号を伝送し、又は、第二電極１０４と補助電極１０６が同時に電圧信号を受信し、第二電極１０４と補助電極１０６は二本の分岐回路として電圧信号を同時に伝送する。
例えば、図２及び図３に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板１０１に設置される電源線１１３、データ線１１２及びゲート電極１０２１に接続されるゲート線１１６をさらに備え、ゲート線１１６とデータ線１１２が交差して制限される領域内に画素構造が設置され、該例示的な画素構造は、スイッチングトランジスタ１０８、駆動トランジスタ１０２及びＯＬＥＤデバイス（第一電極１０３、第二電極１０４及び有機材料機能層１０５を備える）を備え、スイッチングトランジスタ１０８はゲート線１１６及びデータ線１１２に接続され、駆動トランジスタ１０２はスイッチングトランジスタ１０８、電源線１１３及びＯＬＥＤデバイスに接続される。
例えば、ＯＬＥＤデバイスは、第一電極１０３と第二電極１０４との間に形成される画素定義層１１０をさらに備え、該画素定義層１１０は隣接する２つのサブ画素ユニットを分離することに用いられることができる。
例えば、図３に示される駆動トランジスタはトップゲート型構造であり、図２及び図３から分かるように、ベース基板１０１に活性層１０２４がさらに設けられ、活性層１０２４にゲート絶縁層１０２５、ゲート電極１０２１及び第一絶縁層１０２６が順に形成され、第一絶縁層１０２６にソース電極１０２２とドレイン電極１０２３が形成される。ソース電極１０２２及びドレイン電極１０２３はそれぞれ活性層１０２４と電気的に接続される。ソース電極１０２２及びドレイン電極１０２３に第二絶縁層１１５が形成され、第二絶縁層１１５に第一電極１０３及び補助電極１０６が形成される。第一電極１０３及び補助電極１０６が同層に設置され、且つ同じ工程で形成され、補助電極を製造する工程を追加する必要がなく、工程を減少させ、生産コストを低減させる。
例えば、本開示の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、第二電極１０４と補助電極１０６との間に設置される絶縁構造をさらに備え、なお、該「絶縁構造」とは、第二電極１０４と補助電極１０６との間に設置される絶縁作用を持つ層構造を意味し、絶縁構造において複数のビア構造が設置され、第二電極１０４は複数のビア構造によって補助電極１０６と接続され、それにより第二電極１０４が補助電極１０６と並列接続される。
例えば、図３において、画素定義層１１０は通常に有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）又は無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘ又は酸化ケイ素ＳｉＯｘ）で形成され、画素定義層１１０は絶縁性質を有する。図３において、画素定義層１１０は第二電極１０４と補助電極１０６との間に設置される絶縁構造としてみなしてもよく、画素定義層１１０に複数のビア構造１０９が設置され、第二電極１０４は複数のビア構造１０９によって補助電極１０６と並列接続される。
また、複数のビア構造１０９によって第二電極１０４を補助電極１０６と並列接続することにより、第二電極１０４の厚さを増加でき、第二電極１０４の横断面積を増加することに相当し、第二電極１０４の抵抗をさらに減少させる。
例えば、ベース基板１０１における第二電極１０４の正射影は、ベース基板１０１における補助電極１０６の正射影と少なくとも部分的に重なり、このようにして、第二電極１０４と補助電極を電気的に接続するように、絶縁構造にビア構造を形成することに有利である。
例えば、第一電極１０３は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備える。
例えば、第一電極１０３の材料は透明導電材料であってもよく、該透明導電材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）及びカーボンナノチューブ等を含む。
例えば、第一電極１０３の材料は金属導電材料であってもよく、該金属導電材料は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及び白金（Ｐｔ）等の単金属又は上記金属で形成される合金材料を含み、例えば、銅クロム合金（ＣｕＣｒ）又はクロムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）等である。
例えば、第一電極１０３の材料は、上記透明導電材料及び金属導電材料の任意の組合せで形成される積層構造であってもよく、例えば、ＩＴＯ−Ａｇ−ＩＴＯ、ＩＴＯ−Ｍｏ−ＩＺＯ、ＩＴＯ−Ｃｒ−Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ−Ｃｕ−ＺｎＯ及びＩＴＯ−Ｐｔ−ＩＧＯで形成される二層の透明導電材料の間に一層の金属導電材料を挟む構造であり、又は、ＩＺＯ−Ｍｏ、ＩＴＯ−Ｃｒ、ＺｎＯ−Ｍｇ及びＩＴＯ−Ａｕで形成される一層の金属導電材料と一層の透明導電材料で形成される二層積層構造であり、例えば、透明導電材料と金属導電材料の任意の組合せで形成される積層構造は上記の二層、三層積層構造に限定されるものではない。
なお、上記第一電極を形成する金属材料又は合金材料の仕事関数が低く、ＯＬＥＤアレイ基板における有機材料機能層とのマッチング性が悪いため、有機材料機能層に近い第一金属層の一側に一層の透明導電材料を形成すると、第一金属の仕事関数を向上させ、第一電極を有機材料機能層とより良好的にマッチングさせることができ、また、二層構造又は三層構造の第一電極は単層構造の第一電極に比べて、抵抗がより小さくなり、第一電極の抵抗を低減させる。
例えば、第一金属導電層の厚さは４０〜１２０ｎｍであってもよく、例えば、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ又は１２０ｎｍである。
例えば、図３に示される構造において、補助電極１０６が第一電極と同層に形成され、補助電極１０６の材料及び層構造は上記第一電極の関連説明を参照でき、ここで詳細な説明を省略する。
例えば、第二電極は第二金属導電層を備え、第二電極１０４の材料は、銀、マグネシウム、アルミニウム、リチウムの単金属又はマグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）等を含む。
例えば、第二金属導電層の厚さは３〜３０ｎｍであってもよく、例えば、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ又は３０ｎｍである。
例えば、図４は本開示の実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図であり、図５は図４におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図であり、図４及び図５に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板は遮光部１０７ａ及び１０７ｂをさらに備え、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは第一電極１０３と同層に同材料で設置され、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは補助電極１０６と接続され、例えば、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは補助電極１０６と一体構造である。
例えば、図６は本開示の実施例に係るさらに別のＯＬＥＤアレイ基板の平面構造模式図であり、図７は図６におけるＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図であり、図６及び図７に示すように、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは第一電極１０３と同層に同材料で設置され、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは補助電極１０６と接続しない。例えば、遮光部１０７ａ及び１０７ｂは補助電極１０６と相互に離間される。
例えば、図４及び図６に示すように、ベース基板１０１における遮光部１０７ａの正射影は、ベース基板１０１における駆動トランジスタ１０２の正射影と重なり、遮光部１０７ａは補助電極１０６、第一電極１０３と同層に同材料で形成され、第一電極は上記第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造であり又は第一金属導電層のみで形成される時に、遮光部１０７ａも遮光作用を有し、このように遮光部１０７ａによって駆動トランジスタ１０２に対して遮光を行うことができる。
例えば、図４及び図６に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板はスイッチングトランジスタをさらに備え、ベース基板１０１における遮光部１０７ｂの正射影は、ベース基板１０１におけるスイッチングトランジスタの正射影と重なり、第一電極は上記第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造であり又は第一金属導電層のみで形成される時に、遮光部１０７ｂによってスイッチングトランジスタに対して遮光を行うことができる。
遮光部１０７ａ及び１０７ｂは補助電極１０６と接続される時に、上記積層構造又は金属導電材料で形成される、駆動トランジスタに位置する遮光部１０７ａ及びスイッチングトランジスタに位置する遮光部１０７ｂは、駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタを遮光することに加えて、金属導線とコンデンサを形成でき、電界の変化を吸収し、電圧変動により駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタの電圧の安定性に影響を与えることを防止する。
例えば、本開示の実施例に係る駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタはボトムゲート型構造、トップゲート型構造又はダブルゲート型構造であってもよい。例えば、図３に示される駆動トランジスタはトップゲート型構造である。トップゲート、ボトムゲートは活性層及びゲート電極の位置に対して決定され、すなわちベース基板に対して、ゲート電極がベース基板に近く、活性層がベース基板から離れる場合にボトムゲート型薄膜トランジスタであり、ゲート電極がベース基板から離れ、活性層がベース基板に近い場合に、トップゲート型薄膜トランジスタであり、ダブルゲート型構造はトップゲート及びボトムゲートを同時に含み、ボトムゲート構造とダブルゲート構造の駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタの各層構造は上記トップゲート型構造の説明を参照でき、ここで詳細な説明を省略する。
例えば、第一電極が陽極であり、第二電極が陰極であり、又は、第一電極が陰極であり、第二電極が陽極である。
なお、上記第一電極及び第二電極の材料及び構造は、本開示の実施例における一例だけであり、第一電極及び第二電極はさらに他の材料で製造されてもよく、第一電極及び第二電極の材料に応じて、片面発光型アレイ基板及び両面発光型アレイ基板に分けることができ、陽極と陰極のうちの一方の材料が非透光又は半透光材料である場合に、アレイ基板が片面発光型であり、陽極と陰極の材料がいずれも透光材料及び／又は半透光材料である場合に、該アレイ基板が両面発光型である。
片面発光型ＯＬＥＤアレイ基板は、陽極及び陰極の材料に応じて、トップ発光型及びボトム発光型に分けることができる。陽極がベース基板に近接して設置され、陰極がベース基板から離れて設置され、且つ陽極の材料が透光導電材料であり、陰極の材料が非透光導電材料である場合に、光が陽極から、ベース基板の一側を経て出射するため、ボトム発光型と呼称でき、陽極の材料が非透光導電材料であり、陰極の材料が透明又は半透光導電材料である場合に、光が陰極のベース基板から離れる一側から出射するため、トップ発光型と呼称できる。上記２種の陽極及び陰極の相対位置を置き換えてもよく、ここで詳細な説明を省略する。例えば、上記第一金属導電層の材料で製造される第一電極は非常に良好な反射性を有し、上記第二金属導電層の材料で製造される上記厚さ範囲内の第二電極は、非常に良好な透光性を有し、上記ＯＬＥＤアレイ基板がトップ発光型であってもよい。
両面発光型表示基板は、陽極がベース基板に近接して設置され、陰極がベース基板から離れて設置され、且つ陽極及び陰極の材料はいずれも透光導電及び／又は半透光材料である場合に、光が陽極から、ベース基板の一側を経て出射する一方で、陰極のベース基板から離れる一側から出射するため、両面発光型と呼称できる。ここで、陽極がベース基板から離れて設置され、陰極がベース基板に近接して設置されるようにしてもよい。
必要に応じて、それぞれトップ発光型、ボトム発光型及び両面発光型に適用するように、第一電極及び第二電極の材料を選択してもよく、本開示の実施例は第一電極及び第二電極の材料を制限せず、第二電極を補助電極と並列接続して第二電極の抵抗を低減させることを満たせればよい。
例えば、図８は本開示の実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図であり、補助電極１０６はソース電極１０２２、ドレイン電極１０２３と同層に同材料で形成され、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びドレイン電極１０６と同層に形成される補助電極１０６の材料は、モリブデン、チタン、銅及びクロム等の金属材料又は上記金属で形成される合金材料を含み、例えば、銅モリブデン合金（ＣｕＭｏ）、銅チタン合金（ＣｕＴｉ）、銅モリブデンチタン合金（ＣｕＭｏＴｉ）、銅モリブデンタングステン合金（ＣｕＭｏＷ）、銅モリブデンニオブ合金（ＣｕＭｏＮｂ）、モリブデン合金（ＣｒＭｏ）、クロムチタン合金（ＣｒＴｉ）、クロムモリブデンチタン合金（ＣｒＭｏＴｉ）等である。例えば、図８において、対応する絶縁構造は、第二絶縁層１１５及び画素定義層１１０を備え、第二電極１０４と補助電極１０６との並列接続構造を形成するように、第二電極１０４は第二絶縁層１１５及び画素定義層１１０に設置されるビア構造１０９によって補助電極１０６と接続される。
例えば、図９は本開示の実施例に係る別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図であり、図９に示すように、補助電極１０６はさらにゲート電極１０２１と同層に同材料で形成されてもよく、ゲート電極１０２１及びゲート電極１０２１と同層に形成される補助電極１０６の材料は、モリブデン、チタン、銅及びクロム等の金属材料又は上記金属で形成される合金材料を含み、例えば、銅モリブデン合金（ＣｕＭｏ）、銅チタン合金（ＣｕＴｉ）、銅モリブデンチタン合金（ＣｕＭｏＴｉ）、銅モリブデンタングステン合金（ＣｕＭｏＷ）、銅モリブデンニオブ合金（ＣｕＭｏＮｂ）、モリブデン合金（ＣｒＭｏ）、クロムチタン合金（ＣｒＴｉ）、クロムモリブデンチタン合金（ＣｒＭｏＴｉ）等である。例えば、図９において、対応する絶縁構造は、第一絶縁層１０２６、第二絶縁層１１５及び画素定義層１１０を備え、第二電極１０４と補助電極１０６との並列接続構造を形成するように、第二電極１０４は第二絶縁層１１５及び画素定義層１１０に設置されるビア構造１０９によって補助電極１０６と接続される。
例えば、図１０は本開示の実施例に係るさらに別のＯＬＥＤアレイ基板の断面構造模式図であり、図１０に示すように、補助電極１０６はさらに同時にゲート電極１０２１、ソース電極１０２２、第一電極１０３と同層に形成されてもよく、補助電極１０６は相互に接続される三層構造であり、このように第二電極１０４を同時に三層の導電材料と並列接続することで、第二電極の抵抗を更に減少できる。
なお、本開示の実施例における補助電極はさらにゲート電極１０２１、ソース電極１０２２、第一電極１０３のうちの任意の二層と同層に形成される二層構造であってもよく、例えば、補助電極が第一電極及び前記ゲート電極と同層に設置され、例えば、補助電極は第一電極及びドレイン電極と同層に設置され、例えば、補助電極はゲート電極及びドレイン電極と同層に設置され、ここで詳細な説明を省略する。
例えば、補助電極がソース電極又はドレイン電極と同層に同材料で形成される場合に、補助電極の延伸方向はデータ線の延伸方向に一致し、補助電極がゲート線又はゲート電極と同層に同材料で形成される場合に、補助電極の延伸方向はゲート線の延伸方向に一致し、補助電極が第一電極と同層に同材料で形成される場合に、補助電極の延伸方向はデータ線の延伸方向に一致してもよくゲート線の延伸方向に一致してもよい。なお、補助電極は多層構造を有する場合に、異なる層の補助電極はそれらの重なる領域においてビアによって接続される。
例えば、本開示の実施例において、第一絶縁層１０２６、第二絶縁層１１５の材料は画素定義層１１０の材料と同じであってもよく、有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）又は無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘ又は酸化ケイ素ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
例えば、ゲート絶縁層１０２５に用いられる材料は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は他の適切な材料を含む。
例えば、該有機材料機能層１０５は、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含んでもよく、発光層への電子・正孔注入効率を向上させるために、該有機材料機能層は、陰極と電子輸送層との間に設置される電子注入層、及び陽極と正孔輸送層との間に設置される正孔注入層等の有機機能層をさらに備えてもよい。
水、酸素等による陰極、有機材料機能層の特性への影響が大きいため、図３に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板の第二電極１０４にパッシベーション層１１１及びパッケージ層１１４をさらに設置してもよい。
例えば、該パッシベーション層１１１の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及びアクリル系樹脂等であってもよい。
例えば、パッケージ層１１４の材料は、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は感光樹脂で形成される単一膜層又は複合膜層を含み、例えば、感光樹脂はポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂又はポリアミド系樹脂等であってもよい。
本開示の実施例は上記のいずれかのＯＬＥＤアレイ基板を備える表示装置をさらに提供する。表示装置における他の構造は通常の設計を参照できる。該表示装置は例えば携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。
本開示の実施例はさらに有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造方法を提供し、例えば、図１１は本開示の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の製造方法のフローチャートであり、図１１に示すように、該製造方法は下記ステップを含む。
ステップ１０１：ベース基板を提供する。
例えば、該ベース基板はガラス基板、セキエイ基板及びプラスチック基板等あってもよい。
ステップ１０２：ベース基板に駆動トランジスタ、第一電極、有機材料機能層、第二電極及び補助電極を形成する。
例えば、該有機材料機能層は第一電極と第二電極との間に形成され、該駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、該第一電極はドレイン電極と電気的に接続され、該補助電極は第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同じパターニングプロセスで形成される。
なお、「同じパターニングプロセス」とは、補助電極が第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同じ工程で形成され、且つ補助電極がそれと同層に設置される電極と同じ材料で製造されることを意味する。
駆動トランジスタをトップゲート型薄膜トランジスタとし、且つ補助電極と第一電極を同層に形成することを例としてＯＬＥＤアレイ基板の形成過程を説明する。
ステップ２０１：駆動トランジスタを構成するように、ベース基板を提供し、ベース基板に活性層、ゲート絶縁層、ゲート電極、第一絶縁層及びソースドレイン電極層（ソース電極とドレイン電極を備える）を順に形成する。
ステップ２０２：駆動トランジスタのソースドレイン電極層（ソース電極及びドレイン電極を備える）に第二絶縁層を形成する。
ステップ２０３：第二絶縁層にＯＬＥＤデバイスの第一電極及び補助電極を形成する。
ステップ２０４：ＯＬＥＤデバイスの第一電極に画素定義層を形成し、画素定義層に複数のビア構造を形成する。
ステップ２０５：画素定義層に有機材料機能層を形成する。
ステップ２０６：有機材料機能層に第二電極を形成し、第二電極が画素定義層に形成される複数のビア構造によって補助電極と接続される。
ステップ２０７：第二電極にパッシベーション層及びパッケージ層を形成する。
例えば、上記ステップにおいて、第二電極と補助電極との間に形成される絶縁構造は画素定義層であり、絶縁構造に複数のビア構造を形成し、第二電極は複数のビア構造によって補助電極と接続される。
例えば、複数のビア構造によって第二電極と補助電極を並列接続することは、第二電極の厚さを増加でき、第二電極の横断面積を増加したことに相当し、第二電極の抵抗を更に減少する。
例えば、外周領域において、第二電極は補助電極と電気的に接続でき、表示領域において、第二電極が補助電極と複数のビア構造によって電気的に接続でき、このようにして、並列回路を形成するように、第二電極及び補助電極は両端においてそれぞれ接続され、又は第二電極及び補助電極の互いに接続される両端は全て表示領域に位置する。第二電極は電圧信号を受信して伝送し、且つ電圧信号が第二電極と電気的に接続される補助電極に到着した時に、補助電極は電圧信号を伝送する分岐回路として第二電極と同時に電圧信号を伝送し、このように第二電極と補助電極が並列回路を形成することに相当し、電気信号を伝送する過程での抵抗を低減させ、又は、補助電極は先ず電圧信号を受信し、電圧信号が補助電極と電気的に接続される第二電極に到着した時に、第二電極は電圧信号を伝送する分岐回路として補助電極と同時に電圧信号を伝送し、又は、第二電極及び補助電極が同時に電圧信号を受信し、第二電極及び補助電極は二本の分岐回路として電圧信号を同時に伝送する。
例えば、第一電極は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備える。
例えば、第一電極の材料は透明導電材料であってもよく、該透明導電材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）及びカーボンナノチューブ等を含む。
例えば、第一電極の材料は金属導電材料であってもよく、該金属導電材料は銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及び白金（Ｐｔ）等の単金属又は上記金属で形成される銅クロム合金（ＣｕＣｒ）又はクロムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）等の合金材料を含む。
例えば、第一電極の材料はさらに上記透明導電材料及び金属導電材料の任意の組合せで形成される積層構造であってもよく、例えば、ＩＴＯ−Ａｇ−ＩＴＯ、ＩＴＯ−Ｍｏ−ＩＺＯ、ＩＴＯ−Ｃｒ−Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ−Ｃｕ−ＺｎＯ及びＩＴＯ−Ｐｔ−ＩＧＯで形成される二層の透明導電材料の間に一層の金属導電材料を挟む構造であり、又は、ＩＺＯ−Ｍｏ、ＩＴＯ−Ｃｒ、ＺｎＯ−Ｍｇ及びＩＴＯ−Ａｕで形成される一層の金属導電材料及び一層の透明導電材料で形成される二層積層構造であり、例えば、透明導電材料及び金属導電材料の任意の組合せで形成される積層構造は上記の二層、三層積層構造に限定されるものではない。
なお、上記第一電極を形成する金属材料又は合金材料の仕事関数が低く、ＯＬＥＤデバイスにおける有機材料機能層とのマッチング性が悪いため、有機材料機能層に近い第一金属層の一側に一層の透明導電材料を形成すると第一金属の仕事関数を向上させ、第一電極を有機材料機能層とより良好にマッチングさせることができ、また、二層構造又は三層構造の第一電極が単層構造の第一電極に比べて、抵抗がより小さい。
例えば、第一金属導電層の厚さは４０〜１２０ｎｍであってもよく、例えば、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ又は１２０ｎｍである。例えば、第二電極は第二金属導電層を備え、第二電極１０４の材料は、マグネシウム、アルミニウム、リチウムの単金属又はマグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）等を含む。
例えば、第二金属導電層の厚さは３〜３０ｎｍであってもよく、例えば、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ又は３０ｎｍである。補助電極はさらに、ゲート電極又はドレイン電極と同層に形成され、又は第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも二層と同層に形成されてもよく、例えば、補助電極は第一電極及び前記ゲート電極と同層に設置され、例えば、補助電極は第一電極及びドレイン電極と同層に設置され、例えば、補助電極はゲート電極及びドレイン電極と同層に設置され、ここで詳細な説明を省略する。
例えば、該補助電極は二層構造であり、補助電極の第一層と第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、補助電極の第二層とゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、補助電極は二層構造であり、補助電極の第一層と第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、補助電極の第二層とドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、補助電極は二層構造であり、補助電極の第一層とゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、補助電極の第二層とドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
例えば、補助電極は三層構造であり、補助電極の第一層と第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、補助電極の第二層とゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、補助電極の第三層とドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される。
本開示の実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置を提供し、以下の少なくとも１つの有益な効果を有する。
（１）補助電極を第一電極、ゲート電極及びドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置し、ＯＬＥＤアレイ基板の第一電極、ゲート電極及び／又はドレイン電極を形成するステップにおいて補助電極を形成することで、工程を省く。
（２）補助電極は複数のビア構造によって第二電極と並列接続されることで、工程を追加せずに第二電極の抵抗を低減させることができる。
（３）補助電極の材料が金属導電材料及び透明導電材料で形成される二層積層構造を備えてもよく、補助電極を延長させて駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタを遮断すると、外光が駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタに照射することを防止でき、更に漏れ電流の発生を回避する。
なお、
（１）本開示の実施例における図面は本開示の実施例に係る構造に関するものに過ぎず、他の構造は通常の設計を参照してもよい。
（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は領域の厚さが拡大され又は縮小され、すなわちこれらの図面は実際の縮尺に応じてレンダリングするものではない。層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子の「上」又は「下」に位置する場合、該素子が別の素子の「上」又は「下」に「直接」的に位置してもよく、中間素子が存在してもよいと理解できる。
（３）矛盾しない場合に、本開示の実施例及び実施例における特徴は相互に組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
以上、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はここに限定されるものではなく、本開示の保護範囲は前記特許請求の範囲の保護範囲を基準とすべきである。
本願は２０１７年１月１９日に出願した中国特許出願第２０１７１００４３３３５．５号の優先権を主張し、ここで上記中国特許出願の全内容を援用して本願の一部として組み込む。
１０１ ベース基板
１０２ 駆動トランジスタ
１０３ 第一電極
１０４ 第二電極
１０５ 有機材料機能層
１０６ 補助電極
１０７ａ 遮光部
１０７ｂ 遮光部
１０８ スイッチングトランジスタ
１０９ ビア構造
１１０ 画素定義層
１１１ パッシベーション層
１１２ データ線
１１３ 電源線
１１４ パッケージ層
１１５ 第二絶縁層
１１６ ゲート線
１０２１ ゲート電極
１０２２ ソース電極
１０２３ ドレイン電極
１０２４ 活性層
１０２５ ゲート絶縁層
１０２６ 第一絶縁層

Claims (24)

  1. ベース基板と、
    前記ベース基板に設置される駆動トランジスタ、第一電極、第二電極、有機材料機能層、及び前記第二電極に接続される補助電極とを備え、
    前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に位置し、
    前記駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、前記第一電極は前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続され、
    前記補助電極は前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極のうちの少なくとも１つと同層に設置される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板。
  2. 前記補助電極は前記第一電極及び前記ゲート電極と同層に設置される、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  3. 前記補助電極は前記第一電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  4. 前記補助電極は前記ゲート電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  5. 前記補助電極は前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極と同層に設置される、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  6. 前記第二電極と前記補助電極との間に設置される絶縁構造をさらに備え、
    前記絶縁構造に複数のビア構造が設置され、前記第二電極は前記複数のビア構造によって前記補助電極と接続される、請求項１から５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  7. 前記ベース基板における前記第二電極の正射影は、前記ベース基板における前記補助電極の正射影と少なくとも部分的に重なる、請求項６に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  8. 前記第一電極は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備え、前記第二電極は第二金属導電層を備える、請求項７に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  9. 前記第一金属導電層の厚さが４０〜１２０ｎｍであり、前記第二金属導電層の厚さが３〜３０ｎｍである、請求項８に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  10. 前記第一電極が陽極であり、前記第二電極が陰極であり、又は、前記第一電極が陰極であり、前記第二電極が陽極である、請求項１から９のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  11. 遮光部をさらに備え、前記遮光部は前記第一電極と同層に同様な材料で設置され、前記遮光部は前記補助電極と一体構造である、請求項１から３及び５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  12. 遮光部をさらに備え、前記遮光部は前記第一電極と同層に同様な材料で設置され、前記遮光部は前記補助電極と相互に離間される、請求項１から３及び５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  13. 前記ベース基板における前記遮光部の正射影は、前記ベース基板における前記駆動トランジスタの正射影と重なる、請求項１１又は１２に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  14. スイッチングトランジスタをさらに備え、前記ベース基板における前記遮光部の正射影は、前記ベース基板における前記スイッチングトランジスタの正射影と重なる、請求項１１又は１２に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  15. 前記有機材料機能層は、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層を備える、請求項１から１４のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
  16. 請求項１から１５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板を備える表示装置。
  17. ベース基板を提供することと、
    前記ベース基板に駆動トランジスタ、第一電極、有機材料機能層、第二電極及び補助電極を形成することとを含み、
    前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に形成され、
    前記駆動トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、前記第一電極が前記ドレイン電極と電気的に接続され、
    前記補助電極は、前記第一電極、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極のうちの少なくとも１つと同じパターニングプロセスで形成される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造方法。
  18. 前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される、請求項１７に記載の製造方法。
  19. 前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される、請求項１７に記載の製造方法。
  20. 前記補助電極は二層構造であり、前記補助電極の第一層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される、請求項１７に記載の製造方法。
  21. 前記補助電極は三層構造であり、前記補助電極の第一層と前記第一電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第二層と前記ゲート電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成され、前記補助電極の第三層と前記ドレイン電極が、単一マスク及び単一材料で製造して形成される、請求項１７に記載の製造方法。
  22. 前記第二電極と前記補助電極との間に絶縁構造を形成し、前記絶縁構造に複数のビア構造を形成することをさらに含み、
    前記第二電極は前記複数のビア構造によって前記補助電極と接続される、請求項１７から２１のいずれか一項に記載の製造方法。
  23. 前記第一電極は、第一金属導電層、透明導電層、又は第一金属導電層及び透明導電層で形成される積層構造を備え、前記第二電極は第二金属導電層を備える、請求項２２に記載の製造方法。
  24. 前記第一金属導電層の厚さが４０〜１２０ｎｍであり、前記第二金属導電層の厚さが３〜３０ｎｍである、請求項２３に記載の製造方法。
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