KR20140077690A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20140077690A
KR20140077690A KR1020120146763A KR20120146763A KR20140077690A KR 20140077690 A KR20140077690 A KR 20140077690A KR 1020120146763 A KR1020120146763 A KR 1020120146763A KR 20120146763 A KR20120146763 A KR 20120146763A KR 20140077690 A KR20140077690 A KR 20140077690A
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pixel electrode
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임승혁
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치는 복수의 화소가 제공된 기판, 각각의 상기 화소 마다 구비된 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터 상에 제공된 패시베이션 층, 상기 패시베이션 층 상에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 패시베이션 층 상에 위치하고 상기 화소 전극에 의해 완전히 덮이며 상기 화소 전극보다 전기 전도도가 높은 보조 전극, 상기 화소 전극 상에 위치한 영상 표시층, 및 상기 영상 표시층 상에 위치한 공통 전극을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
현대 사회에서 반도체 집적 회로, 반도체 소자, 반도체 장치 등의 역할은 갈수록 중요해지고 있으며, 다양한 산업 분야에서 광범위하게 사용되고 있다. 특히, 정보화 사회가 가속화 됨에 따라 전자 디스플레이 분야가 발전을 거듭하여 정보화 사회에서 요구하는 다양한 기능을 수행할 수 있는 새로운 기능의 전자 디스플레이 장치가 개발 되고 있다. 종래 이러한 전자 디스플레이 분야를 주도한 것으로 음극선관(cathode ray tube)을 들 수 있다. 그러나 음극선 관은 무거운 중량, 큰 용적 및 높은 소비 전력 등에서 한계를 지니고 있어, 액정 표시 장치(liquid crystal display), 유기 전계발광 장치(organic electroluminescent display), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel) 등의 평판 표시 장치가 음극선관을 대체할 만한 것으로 각광받고 있다. 이중 액정 표시 장치 및 유기 EL 장치는 박형화, 경량화가 용이하여 모니터, 노트북, 텔레비전, 휴대폰 등 다양한 분야에 적용되고 있다. 상기 액정 표시 장치나 유기 EL 장치는 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 박막 트랜지스터(thin film transistor) 어레이 기판을 일 기판으로 사용하고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극을 제1 전극으로 사용한다.
상기 화소 전극 상에는 각 화소를 정의하는 화소 정의막과, 상기 화소 정의막 사이에 제공된 영상 표시층, 및 상기 모든 화소에 공통적으로 제공되는 공통 전극이 제공된다.
상기 화소 전극은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide, ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide, IZO) 등의 도전성막으로 제공될 수 있으며, 투명한 박막으로 제공된다.
본 발명은 화소 전극의 전압 강하에 따른 휘도 감소 현상을 방지하고자 하는 것이다.
본 발명의 표시 장치는 복수의 화소가 제공된 기판, 각각의 상기 화소마다 구비된 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터 상에 제공된 패시베이션 층, 상기 패시베이션 층 상에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 패시베이션 층 상에 위치하고 상기 화소 전극에 의해 완전히 덮이며 상기 화소 전극보다 전기 전도도가 높은 보조 전극, 상기 화소 전극 상에 위치한 영상 표시층, 및 상기 영상 표시층 상에 위치한 공통 전극을 포함한다.
상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함한다. 또한 상기 패시베이션 층은 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함한다. 상기 화소 전극 및 상기 보조 전극은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 이 때 상기 콘택홀은 복수 개로 제공될 수 있으며, 상기 화소 전극과 상기 보조 전극은 서로 다른 콘택홀들을 통해 상기 드레인 전극과 접촉할 수 있다.
상기 화소 전극이 광 투과형이고, 상기 공통 전극이 광 반사형일 때, 상기 보조 전극은 광 투과형이거나 광 반사형일 수 있다. 상기 보조 전극은 알루미늄, 은, 구리, 금, 크롬, 백금, 및 이들의 합금 중에서 하나를 포함한다.
또한 본 발명의 표시 장치는 복수의 화소가 제공된 기판, 각각의 상기 화소마다 구비된 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터 상에 제공된 패시베이션 층, 상기 패시베이션 층 상에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 위치한 영상 표시층, 및 상기 영상 표시층 상에 위치한 공통 전극을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 패시베이션 층 상에 제공되며 상기 박막트랜지스터에 연결된 제1 전극, 및 상기 제1 전극 상에 제공되어 상기 제1 전극을 완전히 덮으며 상기 제1 전극과 전기 전도도가 다른 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함한다. 또한 상기 패시베이션 층은 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함한다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때 상기 콘택홀은 복수 개로 제공될 수 있으며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 콘택홀들을 통해 상기 드레인 전극과 접촉할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 알루미늄, 은, 구리, 금, 크롬, 백금, 및 이들의 합금 중에서 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따라 화소 전극보다 전기 전도도가 더 높은 보조 전극을 상기 화소 전극과 접촉시켜 구비함으로써, 상기 화소 전극의 전압 강하가 발생하는 것을 억제할 수 있으며, 모든 화소에 전압이 균일하게 걸리게 함으로써 표시 장치의 휘도가 균일해질 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한 본 발명의 표시 장치는 유기 전계발광 표시 장치인 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 액정 표시 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널에도 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(SUB)과, 상기 기판(SUB)상에 제공된 박막트랜지스터(TR), 상기 박막트랜지스터(TR)와 연결된 보조 전극(SEL) 및 화소 전극(PEL)을 포함한다. 또한 상기 표시 장치는 상기 화소 전극(PEL)상에 순차적으로 적층된 영상 표시층(IDL), 및 공통 전극(CE)를 더 포함한다.
상기 기판(SUB) 상에는 복수의 게이트 배선(GL)들과, 복수의 데이터 배선(DL)들, 및 복수의 화소(PXL)들이 제공되어 있다.
상기 기판(SUB)은 대략 사각 형상을 가지며 투명 절연 물질로 이루어진다. 여기서, 도 1 및 도 2에서는 설명의 편의를 위하여, 복수의 게이트 배선(GL)들 중 하나와 복수의 데이터 배선(DL)들 중 하나에 연결된 하나의 화소(PXL)를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 나머지 화소(PXL)들도 이와 유사한 구조를 가진다.
상기 게이트 배선(GL)은 상기 기판(SUB) 상에 제1 방향으로 연장되어 제공된다. 상기 데이터 배선(DL)은 상기 게이트 배선(GL)과 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 제2 방향으로 연장되어 제공된다. 이 때 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 교차할 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 실질적으로 상기 기판(SUB) 상의 전면에 제공되며, 상기 게이트 배선(GL)을 커버한다.
상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배선(DL)은 상기 박막트랜지스터(TR)에 신호를 전달한다.
상기 각 화소(PXL)는 상기 게이트 배선(GL)들 중 대응하는 게이트 배선(GL)과 상기 데이터 배선(DL)들 중 대응하는 데이터 배선(DL)에 연결된다. 상기 각 화소(PXL)는 박막트랜지스터(TR)와 상기 박막트랜지스터(TR)에 연결된 보조 전극(SEL) 및 화소 전극(PEL)을 포함한다. 상기 박막트랜지스터(TR)는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 반도체 층(SCL)을 포함한다.
따라서 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배선(DL)로부터 상기 박막트랜지스터(TR)에 전달된 신호는, 상기 보조 전극(SEL) 및 상기 화소 전극(PEL)으로 전달된다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 배선(GL)으로부터 돌출되거나 상기 게이트 배선(GL)의 일부 영역 상에 제공된다.
상기 게이트 전극(GE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 탄탈륨, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 몰리브덴, 알루미늄, 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막이거나, 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 된 단일막일 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI)은 상기 게이트 배선(GL)으로부터, 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)을 전기적으로 절연되도록 한다. 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘 질화막(SiNX) 및 실리콘 산화막(SiO2)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 층(SCL)은 상기 게이트 절연막(GI)상에 제공된다. 상기 반도체 층(SCL)은 상기 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(GE) 상에 제공된다. 상기 반도체 층(SCL)은 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다.
상기 반도체 층(SCL)은 수소화 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체, 비정질 산화물 반도체, 결정질 실리콘 반도체, 및 다결정 실리콘 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐, 갈륨, 아연, 및 납 중에서 적어도 어느 하나의 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 층(SCL)은 징크옥사이드(zinc oxide, ZnO), 틴옥사이드(tin oxide), 인듐 옥사이드(Indium oxide), 인듐-징크 옥사이드(In-Zn oxide), 인듐-스타늄 옥사이드(In-Sn oxide), 인듐-갈륨-징크 옥사이드(In-Ga-Zn oxide), 인듐-징크-스타늄 옥사이드(In-Zn-Sn oxide), 및 인듐-갈륨-징크-스타늄 옥사이드(In-Ga-Zn-Sn oxide)을 포함하는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 배선(DL)에서 분지되어 제공된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 반도체 층(SCL) 상에 제공되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 층(SCL)을 사이에 두고 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격되어 제공된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 층(SCL) 상에 제공되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되도록 제공된다.
상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 이루어진 단일막일 수 있다.
상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)이 이격됨에 따라, 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이의 상기 반도체 층(SCL)의 상면이 노출된다. 상기 이격된 공간은 상기 게이트 전극(GE)의 전압 인가 여부에 따라 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널부(conductive channel)를 이루는 채널부(CA)가 된다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 채널부(CA)를 제외한 영역에서 상기 반도체 층(SCL)의 일부와 중첩한다.
상기 화소 전극(PEL) 및 상기 보조 전극(SEL)은 패시베이션 층(PL)을 사이에 두고 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다. 상기 패시베이션 층(PL)은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 채널부(CA), 및 상기 게이트 절연막(GI)을 커버하며, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 갖는다.
상기 패시베이션 층(PL)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 등을 포함할 수 있으며 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물로는, 예를 들어 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있다. 또한 상기 패시베이션 층(PL)은 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 다중층의 한 층은 유기막이고, 나머지 한 층은 무기막일 수 있다. 또한 상기 다중층은 모두 유기막이거나 모두 무기막일 수 있다.
상기 보조 전극(SEL) 및 상기 화소 전극(PEL)은 상기 패시베이션 층(PL) 상에 제공된다. 상기 보조 전극(SEL) 및 상기 화소 전극(PEL)은 동일한 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉한다. 또한, 상기 화소 전극(PEL)은 상기 보조 전극(SEL)보다 더 넓은 면적으로 제공되어, 상기 보조 전극(SEL)을 완전히 덮는 형태로 제공된다. 예를 들어, 상기 보조 전극(SEL)이 상기 콘택홀(CH)에 의해 노출된 상기 드레인 전극(DE)의 일부 영역과 접촉하고, 상기 화소 전극(PEL)이 상기 드레인 전극(DE)의 나머지 영역과 접촉하여 상기 보조 전극(SEL)을 완전히 덮을 수 있다.
상기 보조 전극(SEL) 및 상기 화소 전극(PEL)이 상기 드레인 전극(DE)과 접촉함에 따라, 상기 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된다.
한편, 상기 일 실시예에서는 상기 화소 전극(PEL)이 상기 보조 전극(SEL)을 완전히 덮는 예를 들었으나, 상기 화소 전극(PEL)과 상기 보조 전극(SEL)의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 즉, 상기 화소 전극(PEL)과 상기 보조 전극(SEL)은 동일한 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하고, 상기 보조 전극(SEL)이 상기 화소 전극(PEL)을 완전히 덮는 형태로도 제공될 수 있다.
상기 화소 전극(PEL)은 캐소드 또는 애노드일 수 있다.
상기 화소(PXL)가 상기 공통 전극(CE)에서 상기 기판(SUB)으로 연장된 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 상기 화소 전극(PEL)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide, ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide, IZO), 징크옥사이드(zinc oxide, ZnO), 및 인듐-틴-징크 옥사이드(In-Tin-Zn oxide, ITZO) 등의 투명 도전성막, 즉 광 투과형 전극으로 제공될 수 있다.
상기 인듐틴옥사이드, 인듐징크옥사이드, 징크옥사이드, 및 인듐-틴-징크 옥사이드 등은 얇아질수록 투명해지지만, 전기 전도도는 감소한다. 상기 화소 전극(PEL)을 제공하기 위해서는 상기 인듐틴옥사이드, 인듐징크옥사이드, 징크옥사이드, 및 인듐-틴-징크 옥사이드 등의 도전성 화합물은 박막으로 제공되는 것이 바람직하다.
따라서 상기 박막으로 제공되는 화소 전극(PEL)의 전기 전도도를 증가시키기 위해, 상기 보조 전극(SEL)은 상기 화소 전극(PEL)보다 전기 전도도가 높은 물질로 제공된다. 예를 들면, 상기 보조 전극(SEL)은 알루미늄, 금, 구리, 은, 크롬, 백금, 및 이들의 합금 중에서 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 전극(SEL)은 광 투과형으로 제공되거나, 광 반사형으로 제공될 수 있다. 상기 보조 전극(SEL)이 광 반사형으로 제공되는 경우에는, 상기 보조 전극(SEL)의 면적은 상기 광 투과형일 때의 면적보다 더 작아질 수 있으며, 상기 화소(PXL)의 개구율은 감소한다.
상기 보조 전극(SEL) 및 상기 화소 전극(PEL) 상에는 각 화소 영역(PXA)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 화소 전극(PEL)의 상면을 노출하며 상기 화소(PXL)의 둘레를 따라 상기 기판(SUB)으로부터 돌출된다.
상기 화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 화소 영역(PXA)에는 상기 영상 표시층(IDL)이 제공되며, 상기 영상 표시층(IDL) 상에는 상기 공통 전극(CE)이 제공된다.
상기 영상 표시층(IDL)은 유기 전계발광 표시장치인 경우, 발광층을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 상기 각 화소(PXL)에 대응하여 적색, 녹색, 및 청색을 방출하는 발광 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 화소(PXL)는 각각 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역, 및 청색 화소 영역에 대응하는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소가 된다. 여기서, 하나의 적색 화소, 하나의 녹색 화소, 및 하나의 청색 화소가 하나의 메인 화소(PXL)를 이룰 수 있다. 그러나, 상기 각 화소(PXL)의 방출 컬러, 즉 방출 파장은 이에 한정되는 것은 아니며, 적색, 녹색, 및 청색 이외에도 옐로우나 마젠타와 같은 추가 색상을 방출하거나, 하나의 화소(PXL)가 백색광을 방출할 수도 있다.
여기서, 상기 발광층은 단일층으로 제공될 수 있으나, 서로 다른 기능을 하는 다수의 층으로 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 발광층은 상기 화소 전극(PEL) 상에 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함할 수 있으며, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층, 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나가 생략될 수도 있다.
상기 공통 전극(CE)은 캐소드 또는 애노드일 수 있으며, 전기 전도성 화합물을 포함할 수 있다.
상기 화소(PXL)가 상기 공통 전극(CE)에서 상기 기판(SUB)으로 연장된 방향으로 영상을 제공하고자 하는 경우, 상기 공통 전극(CE)은 광 반사형 전극으로 제공될 수 있다.
상기 공통 전극(CE) 상에는 상기 공통 전극(CE)을 커버하는 봉지막(SL)이 제공될 수 있다. 상기 봉지막(SL)은 유기물이나, 유기물과 무기물의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 봉지막(SL) 상부에는 실란트를 이용하여 보호캡(미도시)이 추가적으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 보조 전극(SEL)이 구비됨으로써, 상기 영상 표시층(IDL)과 접촉하는 상기 화소 전극(PEL)의 모든 부분에 균일한 전압이 제공될 수 있다. 상기 화소 전극(PEL)은 전압이 전 면적에 걸쳐 균일하게 인가되지 않는 전압 강하 현상이 일어날 수 있는데, 전기 전도도가 더 높은 상기 보조 전극(SEL)이 구비되면 전 영역에 걸쳐 전압이 균일하게 제공될 수 있다. 따라서 상기 각 화소(PXL)들의 휘도가 균일해진다.
이하, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치를 상세하게 설명한다. 하기와 같이 설명함에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시된 구성 요소와 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일하거나 유사한 참조번호를 부여하고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략된다. 또한 중복된 설명을 피하기 위하여, 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 3은 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 패시베이션 층(PL)이 제1 콘택홀(CH1) 및 제2 콘택홀(CH2)를 가진다. 또한, 상기 화소 전극(PEL') 및 상기 보조 전극(SEL')은 각각 상기 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제2 콘택홀(CH2)를 통해 상기 드레인 전극에 접촉된다.
즉, 상기 보조 전극(SEL')은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 화소 전극(PEL')은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PEL')은 상기 보조 전극(SEL')보다 더 넓은 면적으로 제공되어, 상기 보조 전극(SEL')을 완전히 덮는다.
상기 다른 일 실시예에서는 상기 화소 전극(PEL')이 상기 보조 전극(SEL')을 완전히 덮는 예를 들었으나, 상기 화소 전극(PEL')과 상기 보조 전극(SEL')의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 즉, 상기 화소 전극(PEL')이 상기 제2 콘택홀(CH2)를 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하고, 상기 보조 전극(SEL')이 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있다. 이 때, 상기 보조 전극(SEL')은 상기 화소 전극(PEL')보다 더 넓은 면적으로 제공될 수 있으며, 상기 화소 전극(PEL')을 완전히 덮을 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따라 상기 보조 전극(SEL')이 구비됨으로써, 상기 영상 표시층(IDL)과 접촉하는 상기 화소 전극(PEL')의 모든 부분에 균일한 전압이 제공될 수 있다. 상기 화소 전극(PEL')은 전압이 전 면적에 걸쳐 균일하게 인가되지 않는 전압 강하 현상이 일어날 수 있는데, 전기 전도도가 더 높은 상기 보조 전극(SEL')이 구비되면 전 영역에 걸쳐 전압이 균일하게 제공될 수 있다. 따라서 각 화소(PXL)들의 휘도가 균일해진다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
TR: 박막트랜지스터 GE: 게이트 전극 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 PL: 패시베이션 층 CH: 콘택홀
CH1: 제1 콘택홀 CH2: 제2 콘택홀 PEL, PEL': 화소 전극
SEL, SEL': 보조 전극 IDL: 영상 표시층 CE: 공통 전극

Claims (14)

  1. 복수의 화소들이 제공된 기판;
    각각의 상기 화소마다 구비된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터 상에 제공된 패시베이션 층;
    상기 패시베이션 층 상에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극;
    상기 패시베이션 층 상에 위치하고 상기 화소 전극에 의해 완전히 덮이며 상기 화소 전극보다 전기 전도도가 높은 보조 전극;
    상기 화소 전극 상에 위치한 영상 표시층; 및
    상기 영상 표시층 상에 위치한 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 화소 전극 및 상기 보조 전극은 상기 드레인 전극과 접촉하여 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 패시베이션 층은 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함하며,
    상기 화소 전극 및 상기 보조 전극은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 복수로 제공되며,
    상기 화소 전극과 상기 보조 전극은 서로 다른 콘택홀들을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 알루미늄, 은, 구리, 금, 크롬, 백금 및 이들의 합금 중에서 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 인듐틴옥사이드, 인듐징크옥사이드, 징크옥사이드, 및 인듐-틴-징크 옥사이드 중에서 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 광 투과형이고, 상기 공통 전극은 광 반사형인 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 광 투과형인 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 광 반사형인 표시 장치.
  10. 복수의 화소가 제공된 기판;
    각각의 상기 화소마다 구비된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터 상에 제공된 패시베이션 층;
    상기 패시베이션 층 상에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극;
    상기 화소 전극 상에 위치한 영상 표시층; 및
    상기 영상 표시층 상에 위치한 공통 전극을 포함하며,
    상기 화소 전극은 상기 패시베이션 층 상에 제공되며 상기 박막트랜지스터에 연결된 제1 전극, 및 상기 제1 전극 상에 제공되어 상기 제1 전극을 완전히 덮으며 상기 제1 전극과 전기 전도도가 다른 제2 전극을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 드레인 전극과 접촉하여 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 패시베이션 층은 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 복수로 제공되며,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 콘택홀들을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 표시 장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 알루미늄, 은, 구리, 금, 크롬, 백금 및 이들의 합금 중에서 하나를 포함하는 표시 장치.
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