CN113013193A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提出了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基板，其包括发光区域和非发光区域；电路元件层，其形成在基板上并且具有设置在该电路元件层上的电路元件；外涂层，其覆盖电路元件层；辅助电极，其形成在非发光区域的外涂层上并且由多层构成，在多层之间具有反射层；电子传输层，其覆盖辅助电极；以及阴极电极，其形成在电子传输层上，其中，辅助电极包括穿过多层的电极孔，并且反射层包括从电极孔的侧壁朝向内部突出并接触阴极电极的至少一个突出部。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月20日提交的韩国专利申请第10-2019-0171594号的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用出于所有目的而并入本文，就如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容一般涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，已经开发了各种类型的显示装置。近来，已经利用了各种显示装置例如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)。
构成有机发光显示装置的有机发光元件是自发光型的，并且不需要单独的光源，使得显示装置的厚度和重量可以减小。另外，有机发光二极管显示器表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
发明内容
根据本公开内容的实施方式旨在提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置通过使用构成发光元件的阳极电极的反射层的离子迁移来连接发光元件的阴极电极和辅助电极。
一种根据实施方式的显示装置包括：基板，该基板包括发光区域和非发光区域；电路元件层，该电路元件层形成在基板上并且具有设置在该电路元件层上的电路元件；外涂层，该外涂层覆盖电路元件层；辅助电极，该辅助电极形成在非发光区域的外涂层上并且由多层构成，在所述多层之间具有反射层；电子传输层，该电子传输层覆盖辅助电极；以及阴极电极，该阴极电极形成在电子传输层上，其中，辅助电极包括穿过多层的电极孔，并且反射层包括从电极孔的侧壁朝向内部突出并接触阴极电极的至少一个突出部。
至少一个突出部可以不规则地形成。
至少一个突出部可以具有其中至少一个区域为倒锥形的形状。
电子传输层可以不连续地形成在至少一个突出部上；以及阴极电极可以连续地形成在至少一个突出部上。
电子传输层可以形成为覆盖至少一个突出部的一个区域并使另一区域露出。
阴极电极可以覆盖至少一个突出部的所露出的另一区域。
辅助电极可以由银或银合金制成。
辅助电极可以包括：第一透明导电层；设置在第一透明导电层上的反射层；以及设置在反射层上的第二透明导电层。
电路元件层可以包括：辅助布线，该辅助布线形成在基板上并且连接至电力线；至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层覆盖辅助布线；以及桥电极，该桥电极形成在至少一个绝缘层上并且通过接触孔连接至辅助布线，其中，辅助布线通过穿过外涂层的通孔连接至桥电极。
电极孔可以形成在与通孔对应的区域中。
显示装置还可以包括：阳极电极，该阳极电极形成在发光区域中的外涂层上；堤部，该堤部形成在外涂层上并且覆盖辅助电极和阳极电极的边缘区域；以及发光层，该发光层形成在阳极电极的未被堤部覆盖的中心区域中，其中，电子传输层和阴极电极广泛地形成在发光区域和非发光区域上。
显示装置还可以包括介于阳极电极与发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
一种根据实施方式的显示装置的制造方法包括：在包括发光区域和非发光区域的基板上形成电路元件层；形成覆盖电路元件层的外涂层；在非发光区域中的外涂层上堆叠包括反射层的多层以形成辅助电极；在辅助电极上形成穿过多层的电极孔；对基板进行处理以引起反射层的离子跃迁；形成覆盖辅助电极的电子传输层；以及在电子传输层上形成阴极电极。
对基板的处理可以包括将基板放置在室温下或者利用热、臭氧或硫化氢对基板进行处理。
当对基板进行处理时，在反射层中可以形成从电极孔的侧壁朝向内部突出的至少一个突出部。
电子传输层的形成和阴极电极的形成可以通过蒸发沉积或物理气相沉积来执行。
电子传输层可以不连续地形成在至少一个突出部上；以及阴极电极可以连续地形成在至少一个突出部上。
阴极电极可以覆盖至少一个突出部的未被电子传输层覆盖的露出区域。
电路元件层的形成可以包括：在基板上形成辅助布线；形成覆盖辅助布线的至少一个绝缘层；以及形成通过至少一个绝缘层上的接触孔连接至辅助布线的桥电极。
该方法还可以包括：在形成覆盖电路元件层的外涂层之后，在外涂层中形成通孔，其中，辅助电极通过通孔连接至桥电极。
根据实施方式的显示装置及其制造方法可以简化发光元件的阴极电极与辅助电极之间的连接结构和连接方法，从而减小阴极电极与辅助电极之间的电阻。
根据实施方式的显示装置及其制造方法可以减少功率消耗和热生成并且改善图像质量。
根据实施方式的显示装置及其制造方法使得能够实现具有长寿命、高效率和均匀的大面积的显示面板。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据实施方式的显示装置的配置的框图；
图2是示出图1所示出的像素的实施方式的电路图；
图3是示出根据实施方式的显示面板的截面图；
图4是图3的区域AA的放大截面图；以及
图5至图20是示出根据实施方式的显示装置的制造方法的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据本公开内容的实施方式。在本说明书中，当部件(或区域、层、部分等)被称为在另一部件“上”、“连接至”或“接合至”另一部件时，这意味着该部件可以直接连接/耦接至另一部件，或者该部件可以通过这两个部件之间的第三部件连接/耦接至另一部件。
相同的附图标记指代相同的部件。另外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了部件的厚度、比率和尺寸。术语“和/或”包括能够由相关联的配置限定的一个或更多个组合。
诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种部件，但是部件不受术语的限制。术语仅用于将一个部件与其他部件进行区分的目的。例如，在不脱离各种实施方式的权利范围的情况下，第一部件可以被称为第二部件，并且类似地，第二部件也可以被称为第一部件。除非上下文另外明确指示，否则单数表达包括复数表达。
诸如“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等的术语用于描述附图中所示的部件的关联。术语是相对的概念，并且基于附图中指示的方向进行说明。
应当理解，诸如“包括”或“具有”的术语旨在指定说明书中所描述的特征、数字、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在，但是不排除一个或更多个其他特征或数字、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在或添加的可能性。
图1是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的配置的框图。
参照图1，显示装置1可以包括时序控制器10、栅极驱动器20、数据驱动器30、电力供应40和显示面板50。
时序控制器10可以从外部接收图像信号RGB和控制信号CS。图像信号RGB可以包括多条灰度(gradation)数据。控制信号CS可以包括例如水平同步信号、竖直同步信号和主时钟信号。
时序控制器10以适合于显示面板50的操作条件的方式对图像信号RGB和控制信号CS进行处理，以生成并输出图像数据DATA、栅极驱动控制信号CONT1、数据驱动控制信号CONT2和电力供应控制信号CONT3。
栅极驱动器20可以通过多条第一栅极线GL11至GL1n连接至显示面板50的像素PX。栅极驱动器20可以基于从时序控制器10输出的栅极驱动控制信号CONT1来生成栅极信号。栅极驱动器20可以通过多条第一栅极线GL11至GL1n向像素PX提供所生成的栅极信号。
根据各种实施方式，栅极驱动器20可以通过多条第二栅极线GL21至GL2n进一步连接至显示面板50的像素PX。栅极驱动器20可以通过多条第二栅极线GL21至GL2n向像素PX提供感测信号。可以供应感测信号以测量设置在像素PX内部的驱动晶体管和/或发光元件的特性。
数据驱动器30可以通过多条数据线DL1至DLm连接至显示面板50的像素PX。数据驱动器30可以基于从时序控制器10输出的图像数据DATA和数据驱动控制信号CONT2来生成数据信号。数据驱动器30可以通过多条数据线DL1至DLm向像素PX提供所生成的数据信号。
根据各种实施方式，数据驱动器30可以通过多条感测线(或参考线)SL1至SLm进一步连接至显示面板50的像素PX。数据驱动器30通过多条感测线SL1至SLm向像素PX提供参考电压(或感测电压、初始化电压)，或者基于从像素PX反馈回的电信号来感测像素PX的状态。
电力供应40可以通过多条电力线PL1和PL2连接至显示面板50的像素PX。电力供应40可以基于电力供应控制信号CONT3来生成要提供至显示面板50的驱动电压。驱动电压可以包括例如高电位驱动电压ELVDD和低电位驱动电压ELVSS。电力供应40可以通过相应的电力线PL1和PL2向像素PX提供所生成的驱动电压ELVDD和ELVSS。
多个像素PX(或被称为子像素)设置在显示面板50上。例如，像素PX可以以矩阵的形式布置在显示面板50上。
每个像素PX可以电连接至相应的栅极线和数据线。像素PX可以发射具有与通过栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm供应的栅极信号和数据信号对应的亮度的光。
每个像素PX可以显示第一颜色至第三颜色中的任意一种。在一个实施方式中，每个像素PX可以显示红色、绿色和蓝色中的任意一种。在另一实施方式中，每个像素PX可以显示青色、品红色和黄色中的任意一种。在各种实施方式中，像素PX可以被配置成显示四种或更多种颜色中的任意一种。例如，每个像素PX可以显示红色、绿色、蓝色和白色中的任意一种。
时序控制器10、栅极驱动器20、数据驱动器30和电力供应40可以各自配置有单独的集成电路(IC)，或者时序控制器10、栅极驱动器20、数据驱动器30和电力供应40中的至少一部分可以形成在集成电路中。例如，数据驱动器30和电力供应40中的至少一个可以由与时序控制器10组合的集成电路构成。
另外，在图1中，栅极驱动器20和数据驱动器30被示为与显示面板50分离的部件，但是栅极驱动器20和数据驱动器30中的至少一个可以通过板内方法与显示面板50一体地形成。例如，栅极驱动器20可以根据板内栅极(GIP)方法与显示面板50一体地形成。
图2是示出图1所示出的像素的实施方式的电路图。图2示出了连接至第i条第一栅极线GL1i和第j条数据线DLj的像素PXij的示例。
参照图2，像素PX包括开关晶体管ST、驱动晶体管DT、感测晶体管SST、存储电容器Cst和发光元件LD。
在开关晶体管ST中，第一电极(例如，源电极)电连接至第j条数据线DLj，并且第二电极(例如，漏电极)电连接至第一节点N1。开关晶体管ST的栅电极电连接至第i条第一栅极线GL1i。当将栅极导通电平的栅极信号施加至第i条第一栅极线GL1i时，开关晶体管ST被导通，以将施加至第j条数据线DLj的数据信号V_data发送至第一节点N1。
存储电容器Cst被配置成具有电连接至第一节点N1的第一电极和连接至发光元件LD的第一电极的第二电极。存储电容器Cst可以对与施加至第一节点N1的电压和施加至发光元件LD的第一电极的电压之间的差对应的电压进行充电。
驱动晶体管DT被配置成具有接收高电位驱动电压ELVDD的第一电极(例如，源电极)和电连接至发光元件LD的第一电极(例如，阳极电极)的第二电极(例如，漏电极)。驱动晶体管DT的栅电极电连接至第一节点N1。当通过第一节点N1施加栅极导通电平的电压时，驱动晶体管DT被导通，以与提供至栅电极的电压对应地控制流过发光元件LD的驱动电流I_DS的量。
在感测晶体管SST中，第一电极(例如，源电极)电连接至第j条感测线SLj，并且第二电极(例如，漏电极)电连接至发光元件LD的第一电极。感测晶体管SST的栅电极电连接至第i条第二栅极线GL2i。当将栅极导通电平的感测信号施加至第i条第二栅极线GL2i时，感测晶体管SST被导通，使得施加至第j条感测线SLj的参考电压被发送至发光元件LD的第一电极。
发光元件LD输出与驱动电流对应的光。发光元件LD可以输出与红色、绿色和蓝色中的任意一种对应的光。发光元件LD可以是有机发光二极管OLED，或者可以是具有从微米至纳米级的尺寸的超小型无机发光二极管，但是本发明不限于此。在下文中，将参照其中发光元件LD由有机发光二极管构成的实施方式来描述本发明的技术理念。
在本发明中，像素PX的结构不限于图2所示的结构。根据实施方式，像素PX还可以包括用于下述项的至少一个元件：用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压、或者用于初始化驱动晶体管DT的栅电极的电压和/或发光元件LD的阳极电极的电压。
尽管在图2中示出了其中开关晶体管ST、驱动晶体管DT和感测晶体管SST是NMOS晶体管的示例，但是本发明不限于此。例如，构成每个像素PX的晶体管的至少一部分或全部可以被配置为PMOS晶体管。在各种实施方式中，开关晶体管ST、驱动晶体管DT和感测晶体管SST中的每一个可以被实现为低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或低温多晶氧化物(LTPO)薄膜晶体管。
图3是示出根据实施方式的显示面板的截面图。图4是示出图3的区域AA的放大截面图。
参照图3，根据实施方式的像素PX包括：基板110；电路元件层，该电路元件层形成在基板110上并且设置有至少一个电路元件；以及发光元件层，该发光元件层设置有发光元件LD。
基板110可以是透光基板，作为显示面板50的基底基板。基板110可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性基板或由塑料制成的柔性基板。例如，基板110可以由塑料材料例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等形成。然而，基板110的材料不限于此。基板110可以包括焊盘区域PA和显示区域AA。
电路元件层形成在基板110上，并且可以包括电路元件(例如，晶体管和电容器)和构成像素PX的布线。
在基板110上可以设置有第一导电层120。第一导电层120可以包括光阻挡层121、存储电容器Cst的下电极122以及辅助布线123。辅助布线123可以连接至施加有低电位驱动电压ELVSS的第二电力线PL2。光阻挡层121被设置成与有源层140交叠，特别地与在平面上的沟道141交叠，从而保护氧化物半导体器件免受外部光的影响。存储电容器Cst的下电极122可以与光阻挡层121一体地形成为单个图案。然而，该实施方式不限于此。
在基板110上设置有缓冲层130以覆盖光阻挡层121和辅助布线123。缓冲层130可以防止离子或杂质从基板110扩散并阻止湿气渗透。另外，缓冲层130可以改善基板110的表面平坦度。缓冲层130可以包括无机、有机或有机/无机复合物例如氧化物和氮化物，并且可以以单层或多层结构形成。例如，缓冲层130可以具有由硅氧化物、硅氮化物和硅氧化物组成的三层或更多层的结构。
有源层140可以形成在缓冲层130上。有源层140可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。基于硅的半导体材料的示例可以包括非晶硅或多晶硅。基于氧化物的半导体材料的示例包括：诸如铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)的四元金属氧化物；诸如铟镓锌氧化物(InGaZnO)、铟锡锌氧化物(InSnZnO)、铟铝锌氧化物(InAlZnO)、锡镓锌氧化物(SnGaZnO)、铝镓锌氧化物(AlGaZnO)和锡铝锌氧化物(SnAlZnO)的三元金属氧化物；诸如铟锌氧化物(InZnO)、锡锌氧化物(SnZnO)、铝锌氧化物(AlZnO)、锌镁氧化物(ZnMgO)、锡镁氧化物(SnMgO)、铟镁氧化物(InMgO)、铟镓氧化物(InGaO)的二元金属氧化物；以及诸如铟氧化物(InO)、锡氧化物(SnO)和锌氧化物(ZnO)的单金属氧化物等。
有源层140可以包括：包含p型杂质或n型杂质的漏极区143和源极区142；以及形成在源极区142与漏极区143之间的沟道141。有源层140的一个区域可以形成存储电容器Cst的中间电极144。中间电极144可以被设置成使得其至少一个区域与下电极122交叠。在形成在第一导电层120上的下电极122与形成在有源层140上的中间电极144之间形成有电场以使得存储电容器Cst能够起作用。
可以与形成有稍后要描述的栅电极161和焊盘162的区域对应来设置栅极绝缘层150。例如，栅极绝缘层150可以形成在有源层140的沟道141上。栅极绝缘层150可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或它们的多层。
在栅极绝缘层150上可以设置有第二导电层160。第二导电层160可以包括栅电极161。栅电极161可以设置在与有源层140的沟道141对应的位置处。栅电极161由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任意一种或它们的合金形成。另外，栅电极161可以是由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任意一种或它们的合金构成的多层。例如，栅电极161可以是钼/铝-钕或钼/铝的双层。
第二导电层160还可以包括焊盘162。焊盘162可以设置在焊盘区域PA中。焊盘162可以通过设置在焊盘区域PA中的布线电连接至时序控制器10和/或电力供应40。焊盘162由与栅电极161相同的材料制成，并且可以通过相同的工艺形成，但是本发明不限于此。
在第二导电层160上可以形成有层间绝缘层170。层间绝缘层170覆盖构成第二导电层160的栅电极161和焊盘162。层间绝缘层170可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或由它们构成的多层。
在层间绝缘层170上可以形成有第三导电层180。第三导电层180可以包括源电极181和漏电极182。源电极181和漏电极182以预定距离设置在层间绝缘层170上。源电极181和漏电极182可以通过穿过层间绝缘层170的接触孔分别连接至有源层140的源极区142和漏极区143。
源电极181和漏电极182可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金构成。在多层的情况下，源电极181和漏电极182可以由钼/铝-钕的双层、或者由钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层构成。
源电极181、漏电极182、栅电极161以及与其对应的有源层140可以构成晶体管。该晶体管可以是例如驱动晶体管DT或开关晶体管ST。在图4中，作为示例示出了其中漏电极182连接至发光元件LD的阳极电极210的驱动晶体管DT。
第三导电层180还可以包括存储电容器Cst的上电极183。根据实施方式，上电极183可以与驱动晶体管DT的漏电极182一体地形成，但是不限于此。上电极183可以被设置成使得其至少一个区域与中间电极144交叠。在形成在有源层140上的中间电极144与形成在第三导电层180上的上电极183之间形成电场以使得存储电容器Cst能够起作用。
如上面所描述的，根据本实施方式，存储电容器Cst具有由下电极122、中间电极144和上电极183构成的双层结构，但是本实施方式不限于此。存储电容器Cst可以由其中省略了下电极122、中间电极144和上电极183中的任意一个的单层形成。
第三导电层180还可以包括桥电极184。桥电极184通过穿过层间绝缘层170和缓冲层130的接触孔连接至辅助布线123。桥电极184可以由与源电极181和漏电极182相同的材料制成，并且可以由单层或多层形成。
在各种实施方式中，第三导电层180还可以包括焊盘连接电极185。焊盘连接电极185可以通过穿过层间绝缘层170的接触孔连接至焊盘162。
电路元件层可以被钝化层191和外涂层192覆盖。
具体地，钝化层191可以形成在第三导电层180上。钝化层191可以作为旨在保护下面的元件的绝缘层，并且可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或由它们构成的多层。
外涂层192可以形成在钝化层191上。外涂层192以覆盖显示区域AA的方式形成。外涂层192可以是旨在减轻下部结构的台阶差的平坦化膜，并且可以由有机材料例如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂和丙烯酸酯制成。
此处，形成在焊盘区域PA中的焊盘连接电极185未被钝化层191和外涂层192覆盖，而是暴露于外部。焊盘连接电极185可以连接至与焊盘区域PA耦接的集成电路的导电引线，以发送和接收电信号。
发光元件层形成在外涂层192上并且包括发光元件LD。发光元件LD包括阳极电极210、发光层220和阴极电极230。
阳极电极210和阴极电极230中的至少一个可以是透射电极，而另一电极可以是反射电极。例如，当发光元件LD是背面发光型时，阳极电极210可以是透射电极，而阴极电极230可以是反射电极。相反，当发光元件LD是正面发光型时，阳极电极210可以是反射电极，而阴极电极230可以是透射电极。根据另一示例，当发光元件LD是双面发光型时，阳极电极210和阴极电极230两者都可以是透射电极。在下文中，将针对发光元件LD是正面发光型的情况来描述发光元件LD的详细配置。
阳极电极210形成在外涂层192上。阳极电极210通过穿过外涂层192和钝化层191的第一通孔VIA1连接至驱动晶体管DT的漏电极182。阳极电极210可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或锌氧化物(ZnO)构成。当阳极电极210是反射电极时，阳极电极210可以包括反射层。反射层可以由金属材料例如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或它们的合金制成。根据实施方式，反射层可以由APC(银/钯/铜合金)构成。
当阳极电极210包括反射层时，阳极电极210可以由三层形成，所述三层由透明导电层/反射层/透明导电层构成。例如，阳极电极210可以由包括ITO/Ag/ITO的三层构成。
在外涂层192上可以形成堤部250。堤部250可以是限定像素PX的发光区域EA的像素限定层。堤部250可以形成为使阳极电极210的一部分例如中心区域露出并覆盖剩余区域例如边缘。可以期望将所露出的阳极电极210的面积设计为可能的最大值，以确保足够的开口率。阳极电极210的未被堤部250覆盖的露出区域可以被限定为像素PX的发光区域EA。在发光区域EA中，阳极电极210、发光层220和阴极电极230被堆叠为彼此直接接触。堤部250可以由有机膜例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。
发光层220形成在阳极电极210的被堤部250包围的露出区域上。有机发光层可以由包括磷光材料或荧光材料的有机材料形成。
发光层220中生成的光的颜色可以是红色、绿色和蓝色中的一种，但是本发明不限于此。例如，从发光层220生成的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种，或者可以是白色。
根据实施方式，在发光层220与阳极电极210之间可以设置有空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)等。空穴传输层和空穴注入层用于将从阳极电极210注入的空穴平稳地传输至发光层220。
阴极电极230形成在发光层220上。阴极电极230可以覆盖发光层220，并且可以广泛地形成在显示区域AA上。阴极电极230可以由能够透射光的透明导电材料(TCO)形成，或者由半透射导电材料例如钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)以及它们的合金形成。当阴极电极230由半透射金属材料形成时，可以通过微腔提高发光效率。
在阴极电极230与发光层220之间可以设置有电子传输层(ETL)240。电子传输层240用于将从阴极电极230注入的电子平稳地传输至发光层220。
根据本实施方式，像素PX还包括用于将阴极电极230和第二电力线PL2电连接的辅助电极260。辅助电极260形成在与阳极电极210相同的层上，并且可以设置在非发光区域NEA中。辅助电极260可以通过穿过外涂层192和钝化层191的第二通孔VIA2连接至桥电极184。由于桥电极184经由辅助布线123连接至第二电力线PL2，因此辅助电极260可以电连接至第二电力线PL2。
辅助电极260由与阳极电极210相同的材料构成，并且可以通过相同的工艺形成。根据实施方式，辅助电极260可以以与阳极电极210相同的方式由三层形成，所述三层由ITO/Ag/ITO构成。
在非发光区域NEA中，堤部250可以以使中心区域露出并覆盖辅助电极260中的边缘的方式形成。阴极电极230广泛地形成在显示区域AA中，并且因此覆盖所露出的辅助电极260的中心区域。阴极电极230可以通过辅助电极260、桥电极184和辅助布线123电连接至第二电力线PL2。
当电子传输层240形成在阴极电极230的下层上时，阴极电极230和辅助电极260可以不彼此直接接触。在该实施方式中，阴极电极230与辅助电极260之间的电连接可以完全地或部分地断开。因此，防止了阴极电极230与第二电力线PL2之间的传导，使得不向阴极电极230供应低电位驱动电压ELVSS。
根据本实施方式，为了解决上述问题，通过使用金属材料的迁移，尽管存在电子传输层240，但是提供了其中阴极电极230和辅助电极260可以稳定地接触的结构。
具体地，参照图4，根据本实施方式，辅助电极260由透明导电层261(第一透明导电层)/反射层262/透明导电层263(第二透明导电层)的三层构成。根据实施方式，反射层262可以由具有高离子传导性的银(Ag)或银合金构成。
电极孔H穿过辅助电极260的三层以使桥电极184露出。电极孔H可以形成在与第二通孔VIA2对应的区域(例如，与第二通孔VIA2交叠的区域)中，但是不限于此。构成辅助电极260的透明导电层261、反射层262和透明导电层263可以暴露于电极孔H的侧壁中。
反射层262可以包括从电极孔H的侧壁朝向内部突出的至少一个突出部PR。根据实施方式，当透明导电层261、反射层262和透明导电层263被堆叠在外涂层192上并且然后被蚀刻使得阳极电极210、辅助电极260以及辅助电极260的电极孔H被图案化时，在暴露于蚀刻剂的反射层262中产生离子跃迁，从而可以形成突出部PR。根据另一实施方式，当形成电极孔H并且然后将其上形成有辅助电极260的基板110放置在室温下或者对基板110执行热处理或臭氧(O3)或硫化氢(H2S)处理时，在反射层262中引起离子跃迁，从而可以形成突出部PR。这样的突出部PR是非典型地产生的。突出部PR的端部可以具有弯曲表面或角形形状，并且其至少一个区域可以形成为倒锥形形状。
在堤部250和发光层220形成在阳极电极210和辅助电极260上之后，电子传输层240可以通过诸如热蒸发的蒸发沉积方法或诸如溅射的物理气相沉积方法形成。在本文中，构成电子传输层240的有机材料可以根据台阶覆盖特性而在突出部PR周围被切断，并且可以不连续地沉积。当电子传输层240被切断时，突出部PR的侧表面和/或下表面可以不被电子传输层240覆盖，而是暴露于外部。
阴极电极230可以通过诸如热蒸发的蒸发沉积方法或诸如溅射的物理气相沉积方法形成。由于阴极电极230具有比电子传输层240更好的台阶覆盖特性，因此阴极电极230连续地形成而没有在突出部PR周围被切断。阴极电极230可以形成为覆盖突出部PR的侧表面和/或底表面，该突出部PR的侧表面和/或底表面未被电子传输层240覆盖而是被暴露。
因此，当阴极电极230直接接触反射层262时，可以稳定地形成阴极电极230与辅助电极260之间的电连接。阴极电极230可以经由辅助电极260稳定地连接至第二电力线PL2。
返回参照图3，在阴极电极230上可以形成有封装层300。封装层300用于防止外部湿气渗透到发光层220中。封装层300可以由无机绝缘材料制成，或者可以由其中无机绝缘材料和有机绝缘材料交替地堆叠的结构形成，但是不限于此。
在封装层300上可以形成有盖基板410。盖基板410可以由与基板110相同的材料制成。盖基板410可以通过粘合剂等粘附至封装层300。然而，盖基板410的接合方法不限于此。
在各种实施方式中，在封装层300与盖基板410之间可以进一步形成有滤色器420。滤色器420可以设置在发光区域EA中。滤色器420是波长选择滤光器，该波长选择滤光器仅选择性地透射入射光的部分波长带，使得透射特定波长带中的光并阻挡另一特定波长带中的光。滤色器可以由包含着色剂例如颜料或染料的光敏树脂构成。由发光元件LD生成并穿过滤色器420的光可以具有红色、绿色和蓝色中的任意一种。当像素PX显示白色时，对于像素PX，可以省略滤色器420。
图5至图20是示出根据实施方式的显示装置的制造方法的图。
首先，参照图5，包括光阻挡层121、存储电容器Cst的下电极122以及辅助布线123的第一导电层120形成在基板110上。光阻挡层121和存储电容器Cst的下电极122可以形成为单个图案。缓冲层130形成在第一导电层120上。
参照图6，有源层140形成在缓冲层130上。将p型杂质或n型杂质掺杂到有源层140中，使得形成源极区142和漏极区143，并且在源极区142与漏极区143之间形成有沟道141。根据实施方式，存储电容器Cst的中间电极144可以进一步形成在有源层140上。
栅极绝缘层150形成在有源层140上。栅极绝缘层150可以形成在其中要设置栅电极161和焊盘162的位置处。
参照图7，第二导电层160形成在栅极绝缘层150上。具体地，栅电极161形成在显示区域AA中的栅极绝缘层150上，并且焊盘162可以形成在焊盘区域PA中的栅极绝缘层150上。层间绝缘层170形成在第二导电层160上。层间绝缘层170可以覆盖第二导电层160、有源层140的未形成栅极绝缘层150和第二导电层160的露出区域以及缓冲层120的未形成有源层140的露出区域。
在形成层间绝缘层170之后，可以形成使得第一导电层120、有源层140和第二导电层160能够接触上层的接触孔。例如，为了使得焊盘162能够接触稍后要形成的焊盘连接电极185，可以形成使焊盘162的区域露出的接触孔。另外，为了使得有源层140的源极区142和漏极区143能够接触稍后要形成的源电极181和漏电极182，可以形成使源极区142和漏极区143露出的接触孔。另外，为了使得光阻挡层121和辅助布线123能够接触稍后要形成的漏电极182和桥电极184，可以形成使光阻挡层121和辅助布线123中的每一个的一个区域露出的接触孔。
参照图8，第三导电层180形成在层间绝缘层170上。具体地，源电极181和漏电极182形成在显示区域AA中的层间绝缘层170上。源电极181和漏电极182通过接触孔分别连接至有源层140的源极区142和漏极区143。存储电容器Cst的上电极183可以进一步形成在第三导电层180上。上电极183可以与漏电极182形成为一个图案。另外，桥电极184进一步形成在显示区域AA中的层间绝缘层170上。桥电极184通过接触孔连接至辅助布线123。
焊盘连接电极185形成在焊盘区域PA中的层间绝缘层170上。焊盘连接电极185可以通过接触孔连接至焊盘162。
钝化层191形成在第三导电层180上。钝化层191广泛地形成在显示面板50上，并且被形成为覆盖源电极181、漏电极182、存储电容器Cst的上电极183以及桥电极184。在钝化层191中可以形成接触孔，使得焊盘连接电极185的一个区域在焊盘区域PA中暴露于外部。
外涂层192可以形成在钝化层191上。外涂层192被形成为覆盖显示区域AA中的钝化层191的整个区域。
在形成外涂层192之后，可以形成使得第三导电层180能够接触上层的通孔。例如，可以形成使得漏电极182能够接触稍后要形成的阳极电极210的第一通孔VIA1。另外，可以形成使得桥电极184能够接触稍后要形成的辅助电极260的第二通孔。桥电极184的区域可以通过第二通孔VIA2暴露于外部。
参照图9，阳极电极210形成在外涂层192上。阳极电极210通过穿过外涂层192和钝化层191的第一通孔VIA1连接至漏电极182。
辅助电极260进一步形成在外涂层192上。辅助电极260通过穿过外涂层192和钝化层191的第二通孔VIA2连接至桥电极184。
参照图10，阳极电极210和辅助电极260可以由三层形成，所述三层由透明导电层261、反射层262和透明导电层263构成。透明导电层261和263可以由例如ITO制成，并且反射层262可以由例如金属材料例如银或银合金制成。在本实施方式中，在透明导电层261、反射层262、透明导电层263依次堆叠之后，阳极电极210和辅助电极260可以通过在施加与阳极电极210和辅助电极260的图案对应的掩模的状态下施加选择性蚀刻溶液以共同蚀刻(湿法蚀刻)所述三层而形成。
电极孔H可以形成在辅助电极260中。根据实施方式，与电极孔H对应的开口可以形成在用于使辅助电极260图案化的掩模中。因此，当对辅助电极260进行图案化时，电极孔H可以通过单次湿法蚀刻工艺来形成。然而，形成辅助电极260的方法不限于此。根据另一实施方式，在对辅助电极260进行图案化之后，电极孔H可以通过单独的蚀刻工艺来形成。如图10所示出的，构成辅助电极260的透明导电层261、反射层262和透明导电层263可以暴露于电极孔H的侧壁中。
根据实施方式，如图11的(a)所示，电极孔H可以基本上形成为正方形形状或矩形形状，但是不限于此。如图11的(b)所示，电极孔H形成为圆形或椭圆形形状，或者如图11的(c)所示，电极孔H可以由具有多个顶点的图案化多边形形成。
在形成电极孔H之后，对如图12所示的基板110执行热处理。离子跃迁可能发生在通过热处理暴露于外部的金属层即反射层262的露出端处。通过离子跃迁，在反射层262的端部处形成至少一个突出部PR，如图13和图14所示。突出部PR具有从电极孔H的侧壁朝向内部延伸的形状。突出部PR被形成为如图14的(a)至(c)所示的各种不规则形状。突出部PR的端部可以具有弯曲表面或角形形状，并且在至少一个区域中可以形成为倒锥形形状。
同时，图12示出了其中对基板110执行热处理以使得突出部PR能够扩展的示例，但是本实施方式不限于此。根据另一实施方式，可以通过将基板110放置在室温下或者利用臭氧(O3)或硫化氢(H2S)对基板110进行处理来使突出部PR扩展。
可替选地，当对电极孔H进行图案化时，由于电极孔H的侧壁暴露于蚀刻溶液，因此在反射层262中可能发生离子跃迁，从而可以形成突出部PR。在该实施方式中，可以不需要单独的热处理或硫化氢处理工艺来形成突出部PR。
参照图15，堤部250形成在外涂层192上。堤部250可以形成为使得露出阳极电极210的部分区域例如中心区域并覆盖剩余区域例如边缘。堤部250可以进一步形成为使得露出辅助电极260的中心区域并覆盖边缘。在本文中，堤部250可以被形成为不覆盖形成在辅助电极260中的电极孔H。
堤部250可以被设置成使得表面的至少一部分由疏水性形成。例如，堤部250可以在施加其中将诸如氟(F)的疏水材料与有机绝缘材料混合的溶液之后通过光刻工艺来形成。诸如氟的疏水材料可以通过在光刻工艺期间发射的光移动至堤部250的顶部，并且因此，堤部250的顶表面可以具有疏水性质，并且剩余区域可以具有亲水性质。然而，本实施方式的技术精神不限于此，并且堤部250的整个部分可以具有疏水性质。当随后通过溶液工艺形成发光层220时，疏水性堤部250可以用作防止墨在发光区域EA之间混合的堤坝。
此后，可以形成发光层220。发光层220可以形成在由堤部250包围的发光区域EA中的所露出的阳极电极210上。发光层220可以通过以下溶液工艺来形成：使用喷嘴等将有机溶液滴入由堤部250包围的腔中并且然后使有机溶液固化。通过疏水性堤部250可以防止有机溶液溢出至发光区域EA的外部。
当经由溶液工艺形成发光层220时，由于有机溶液与堤部250之间的张力，在发光层220的中心区域与邻近堤部250的边缘区域之间可能出现发光层200的高度(厚度)差。例如，发光层220的顶表面可以形成为在中心具有最低高度和在与堤部250接触的区域具有最高高度的凹形状。然而，本实施方式不限于此。也就是说，在各种其他实施方式中，可以设置用于提高发光层220的厚度均匀性的结构(例如，亲水性堤部等)，并且发光层220可以在发光区域EA内具有基本上均匀的高度。
参照图16，形成电子传输层240。电子传输层240广泛地形成在显示区域AA上以覆盖发光层220、堤部250和辅助电极260。
电子传输层240可以通过诸如热蒸发的蒸发沉积方法或诸如溅射的物理气相沉积方法形成。在本文中，构成电子传输层240的有机材料可以根据台阶覆盖特性而在突出部PR的周围被切断，并且因此可以不连续地沉积。如图17所示，当电子传输层240被切断时，突出部PR的侧表面和/或底表面可以不被电子传输层240覆盖，而是暴露于外部。
参照图18，阴极电极230形成在电子传输层240上。阴极电极230可以广泛地形成在显示区域AA中。阴极电极230可以通过诸如热蒸发的蒸发沉积或诸如溅射的物理气相沉积形成。如图19所示，由于阴极电极230具有比电子传输层240更好的台阶覆盖特性，因此阴极电极230连续地形成而没有在突出部PR周围被切断。阴极电极230可以形成为覆盖突出部PR的侧表面和/或底表面，该突出部PR的侧表面和/或底表面未被电子传输层240覆盖而是暴露于外部。
如上面所描述的，当阴极电极230与反射层262直接接触时，可以稳定地形成阴极电极230与辅助电极260之间的电连接。阴极电极230可以经由辅助电极260稳定地连接至第二电力线PL2。
参照图20，封装层300可以形成在阴极电极230上。另外，滤色器420可以形成在封装层300上。随后，盖基板410可以形成在针对基板110的整个区域的最上方处。在各个实施方式中，在盖基板410上形成滤色器420之后，基板110和盖基板410可以通过粘合剂等彼此耦接。然而，盖基板410的接合方法不限于此。
本发明所属领域的普通技术人员将理解，可以在不改变本发明的技术精神或本质特征的情况下以其他特定形式来实现本发明。因此，应当理解，上面所描述的实施方式在所有方面都是说明性的而不是限制性的。应当解释的是，本发明的范围由稍后将描述的权利要求的范围指示，而不是由详细描述指示，并且从权利要求的含义和范围以及从其等同概念得到的所有修改或修改形式都包括在本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括发光区域和非发光区域；
电路元件层，所述电路元件层形成在所述基板上并且具有设置在所述电路元件层上的电路元件；
外涂层，所述外涂层覆盖所述电路元件层；
辅助电极，所述辅助电极形成在所述非发光区域的外涂层上并且由多层构成，在所述多层之间具有反射层；
电子传输层，所述电子传输层覆盖所述辅助电极；以及
阴极电极，所述阴极电极形成在所述电子传输层上，
其中，所述辅助电极包括穿过所述多层的电极孔，并且
所述反射层包括至少一个突出部，所述至少一个突出部从所述电极孔的侧壁朝向内部突出并接触所述阴极电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个突出部不规则地形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个突出部具有其中至少一个区域为倒锥形的形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电子传输层不连续地形成在所述至少一个突出部上；以及
所述阴极电极连续地形成在所述至少一个突出部上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电子传输层形成为覆盖所述至少一个突出部的一个区域并使另一区域露出。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述阴极电极覆盖所述至少一个突出部的所露出的另一区域。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助电极由银或银合金制成。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助电极包括：
第一透明导电层；
设置在所述第一透明导电层上的所述反射层；以及
设置在所述反射层上的第二透明导电层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括：
辅助布线，所述辅助布线形成在所述基板上并且连接至电力线；
至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层覆盖所述辅助布线；以及
桥电极，所述桥电极形成在所述至少一个绝缘层上并且通过接触孔连接至所述辅助布线，
其中，所述辅助布线通过穿过所述外涂层的通孔连接至所述桥电极。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述电极孔形成在与所述通孔对应的区域中。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
阳极电极，所述阳极电极形成在所述发光区域中的所述外涂层上；
堤部，所述堤部形成在所述外涂层上并且覆盖所述辅助电极和所述阳极电极的边缘区域；以及
发光层，所述发光层形成在所述阳极电极的未被所述堤部覆盖的中心区域中，
其中，所述电子传输层和所述阴极电极广泛地形成在所述发光区域和所述非发光区域上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
介于所述阳极电极与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
13.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
在包括发光区域和非发光区域的基板上形成电路元件层；
形成覆盖所述电路元件层的外涂层；
在所述非发光区域中的所述外涂层上堆叠包括反射层的多层以形成辅助电极；
在所述辅助电极上形成穿过所述多层的电极孔；
对所述基板进行处理以引起所述反射层的离子跃迁；
形成覆盖所述辅助电极的电子传输层；以及
在所述电子传输层上形成阴极电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述基板的处理包括：
将所述基板放置在室温下或者利用热、臭氧或硫化氢对所述基板进行处理。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，当对所述基板进行处理时，在所述反射层中形成从所述电极孔的侧壁朝向内部突出的至少一个突出部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述电子传输层的形成和所述阴极电极的形成通过蒸发沉积或物理气相沉积来执行。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述电子传输层不连续地形成在所述至少一个突出部上；以及
所述阴极电极连续地形成在所述至少一个突出部上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述阴极电极覆盖所述至少一个突出部的未被所述电子传输层覆盖的露出区域。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电路元件层的形成包括：
在所述基板上形成辅助布线；
形成覆盖所述辅助布线的至少一个绝缘层；以及
形成通过所述至少一个绝缘层上的接触孔连接至所述辅助布线的桥电极。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在形成覆盖所述电路元件层的所述外涂层之后，
在所述外涂层中形成通孔，
其中，所述辅助电极通过所述通孔连接至所述桥电极。
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