TWI647837B - 發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

發光顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI647837B
TWI647837B TW106140375A TW106140375A TWI647837B TW I647837 B TWI647837 B TW I647837B TW 106140375 A TW106140375 A TW 106140375A TW 106140375 A TW106140375 A TW 106140375A TW I647837 B TWI647837 B TW I647837B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
contact hole
layer
pixel
display device
Prior art date
Application number
TW106140375A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201822348A (zh
Inventor
金鍾成
金豪鎮
白承旼
Original Assignee
南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Publication of TW201822348A publication Critical patent/TW201822348A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI647837B publication Critical patent/TWI647837B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明提供一種發光顯示裝置及其製造方法，可防止發光層的壽命縮短並防止導通缺陷的發生。該發光顯示裝置包括複數個像素，該等像素的每一個包含一電晶體，具有一閘極電極；一主動層，與該閘極電極重疊；一源極電極，連接到該主動層的一側；以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側。該等像素進一步包含一發光裝置，具有一第一電極；一發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在該發光層上。該發光顯示裝置包括一接觸孔，該等像素中的至少兩個的第一電極電性連接到在該接觸孔中之各自源極電極的側表面或者各自汲極電極的側表面。

Description

發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種發光顯示裝置以及其製造方法。
隨著資訊導向的社會進展，對於顯示影像的顯示裝置的各式各樣的需求係與日俱增。因此，如液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)裝置、電漿顯示面板(Plasma Display Panel，PDP)裝置以及有機發光顯示(Organic Light Emitting Display，OLED)裝置等各種形式的顯示裝置皆被使用。
發光顯示裝置包括作為自發光顯示裝置的有機發光顯示裝置，並且其視角和對比度比LCD裝置更佳。而且，由於有機發光顯示裝置不需要單獨的背光，所以可以使有機發光顯示裝置更亮更薄，並且有機發光顯示裝置的功耗優異。此外，有機發光顯示裝置以低直流(Direct Current,DC)電壓驅動，具有快速的響應時間，並且製造成本低。
有機發光顯示裝置包括：陽極電極；堤部，劃分陽極電極；電洞傳輸層；有機發光層；電子傳輸層，其形成在陽極電極上；以及陰極電極，其形成在電子傳輸層上。在此情況中，當高位準電壓施加至陽極電極，且低位準電壓施加至陰極電極時，電洞與電子會分別經由電洞傳輸層以及電子傳輸層移動到有機發光層，並且會在有機發光層中彼此結合以發出光。
在有機發光顯示裝置中，發光的像素形成對應於順序地堆疊陽極電極、有機發光層和陰極電極的區域中。在不發光的非發光區域中設有堤部。亦即，堤部用作定義像素的像素定義層。
陽極電極通過接觸孔連接到薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)的源極或汲極，並通過TFT施加有高位準電壓。由於接觸孔的階差高度， 有機發光層難以均勻地沉積在接觸孔中，因此，有機發光層被堤部覆蓋而沒有形成在接觸孔中。
最近，正在開發各自包括有機發光顯示裝置的頭戴式顯示器。頭戴式顯示器是用於虛擬實境(Virtual Reality,VR)或擴增實境(Augmented Reality,AR)的螢幕裝置，其以眼鏡型或頭盔型佩戴，並且在使用者的眼腈近距離處形成焦點。應用於頭戴式顯示器、行動裝置等之小型有機發光顯示裝置具有高解析度，因此每個像素的尺寸逐漸減小。
然而，接觸孔通過光刻製程來形成，並且由於光刻製程的限制，接觸孔不能形成為具有一定尺寸或更小。也就是說，縱使像素的尺寸減小，但是在減小接觸孔的尺寸方面存在限制。更詳細地說，接觸孔被設置在非發光區域中，因此，當像素的尺寸減小時，像素中的非發光區域的面積比例增加，並且像素中的發光面積的面積比例減少。如果像素中的發光面積的面積比例減少，則應當增加發光區域面積的亮度以補償發光區域面積的比例減少，因此，有機發光層的壽命縮短。
此外，如果像素的尺寸減小，則TFT的源極或汲極的尺寸會變得小於接觸孔的尺寸。在此情況下，陽極電極不僅形成在通過接觸孔暴露的源極或汲極的上表面上，而且可以形成在接觸孔的底面以及源極或汲極的側表面上。因此，如圖1A和圖1B所示，由於接觸孔的底面與源極或汲極之間的階差高度，陽極電極可以在源極或汲極的側表面中斷開。出於這個原因，可能發生像素不發光的導通缺陷。
因此，本發明係關於一種發光顯示裝置及一種製造該發光顯示裝置的方法，基本上消除了由於習知技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個方面旨在提供一種發光顯示裝置及其製造方法，其防止發光層的壽命縮短。
本發明的另一方面旨在提供一種防止發生導通缺陷的發光顯示裝置及其製造方法。
對於本發明額外的優點，目的和特點將在隨後的描述中闡明，部分內容將對於此領域具有技術者將在審視隨後的描述，或者可以藉由實施本發明瞭解到而顯而易見。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了實現這些和其他優點並根據本發明的目的，如在此具體化和廣泛描述的，提供了一種發光顯示裝置，該發光顯示裝置包括複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一主動層，與該閘極電極重疊、一源極電極，連接到該主動層的一側、以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側；以及一發光裝置，具有一第一電極、一發光層，設置在該第一電極上、以及一第二電極，設置在該發光層上。該發光顯示裝置包括一接觸孔，以及該等像素中的至少兩個的第一電極係電性連接到在該接觸孔中之各自源極電極的側表面或者各自汲極電極的側表面。
在本發明的另一實施態樣中，提供了一種發光顯示裝置，包括複數個像素和一接觸孔。該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一源極區域和一汲極區域；一源極電極，耦合到該源極區域；一汲極電極，耦合到該汲極區域；一輔助電極，耦合到該源極電極或該汲極電極的其中一個；以及一發光裝置的一第一電極，耦合到該輔助電極。該等像素中的至少兩個的第一電極電性連接到在該接觸孔中之各自輔助電極的側表面。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述之本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
120‧‧‧閘極驅動器
130‧‧‧源極驅動集成電路
140‧‧‧可撓性薄膜
150‧‧‧電路板
160‧‧‧時序控制器
210‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
211‧‧‧主動層
212‧‧‧閘極電極
213‧‧‧源極電極
214‧‧‧汲極電極
214a‧‧‧汲極金屬層
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧層間介電質
240‧‧‧鈍化層
250‧‧‧第一平坦化層
251‧‧‧第二平坦化層
260‧‧‧有機發光裝置
261‧‧‧第一電極
261a‧‧‧虛設電極
262‧‧‧有機發光層
263‧‧‧第二電極
264‧‧‧輔助電極
270‧‧‧堤部
280‧‧‧封裝層
290‧‧‧黏合層
301、302‧‧‧彩色濾光片
310‧‧‧黑色矩陣
A‧‧‧區域
AND‧‧‧第一電極
CNT‧‧‧接觸區域
CT1‧‧‧第一接觸孔
CT2‧‧‧第二接觸孔
CT3‧‧‧輔助接觸孔
CTS‧‧‧共用接觸孔
DA‧‧‧顯示區域
EA‧‧‧發光區域
ENT‧‧‧入口
FL‧‧‧底面
NDA‧‧‧非顯示區域
P‧‧‧像素
PR1‧‧‧第一光刻圖案
PR2‧‧‧第二光刻圖案
PR3‧‧‧第三光刻圖案
W1、W2、W3‧‧‧寬度
S101~S106‧‧‧步驟
S201~S208‧‧‧步驟
本說明書包括附圖以提供對本發明的進一步理解，且將附圖併入本說明書中構成本說明書的一部分。附圖說明本發明的實施例，且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在該些圖式中：圖1A和圖1B是顯示當有機發光層形成在接觸孔中時，由於接觸孔的階差高度而使陽極與陰極短路的示例的示意圖；圖2是說明依據本發明一個或多個實施例之有機發光顯示裝置的立體圖；圖3是說明圖2之有機發光顯示裝置的進一步細節的平面圖； 圖4是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中的像素的示例的平面圖；圖5為沿著圖4的I-I’線所截取的剖視圖；圖6為圖5之區域A的放大剖視圖；圖7是顯示根據本發明一個或多個實施例之製造有機發光顯示裝置的方法之流程圖；圖8A至圖8F是根據本發明實施例沿著圖4之I-I’線所截取的剖視圖，用於描述圖7之製造有機發光顯示裝置的方法；圖9是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中的像素的另一示例的平面圖；圖10為沿著圖9之III-III’線所截取的剖視圖；圖11是說明根據本發明一個或多個實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖；圖12A至圖12H是根據本發明實施例沿著圖9之III-III’線所截取的剖視圖，用於描述圖11之製造有機發光顯示裝置的方法；圖13A、圖13B是詳細說明在根據本發明實施例之顯示區域中的像素的進一步示例的平面圖；圖14A、圖14B是詳細說明在根據本發明實施例之顯示區域中的像素的進一步示例的平面圖；以及圖15A、圖15B是詳細說明在根據本發明實施例之顯示區域中的像素的進一步示例的平面圖。
現將對本發明之例示性實施例進行更詳細地參閱，其範例係繪示於附圖中。在可能的情況下，所有的圖式中會使用相同的元件符號來標示相同或相似的零件。
在以下描述中，可能省略對公知功能、特徵或配置的詳細描述，否則在此描述的包含可能使本發明的各種實施例的描述變得模糊。說明書中描述的術語應該以下述方式被理解。
本發明的優點、特點及其實施方法將通過後面參考所附圖式描述的示例性實施例予以闡明。然而，本發明可以不同的形式體現且不應該被解釋為限制本文闡述的實施例。相反地，這些實施例被提供以使得本發明通暢完整，且會完全傳達本發明的範圍給熟悉本領域的技術人員。
在附圖中揭露用於說明本發明實施例的形狀、尺寸、比例、角度以及數量僅為示例，從而，本發明不侷限於敘述的細節。
在本說明書中使用諸如「包括」，「具有」和「包含」等術語以具有包含性的含義，並且可以包括額外的部分，組件，特徵等，除非明確地受被術語限制為「唯一」。單數形式的用於可能包含複數形式，除非提到相反的情況。
在解釋一元件時，此元件解釋為包含的一誤差範圍，雖然沒有明確描述。
在描述位置關係時，例如，當兩個零件之間的位置關係被描述為「在...上」、「在...上方」、「在...之下」和「相鄰於...」，除非使用「緊接」或「直接」，否則一或多個其他零件可以設置在兩個零件之間。
在說明時間關係時，舉例來說，當以「之後~」、「接著~」、「下一步~」以及「之前」等用語說明暫時次序時，除非有使用「緊接」或「直接」等用語說明以外，也可以包括非連續的情況。
將被理解的是，雖然第一、第二等用詞在本文中可以被用來描述不同元件，這些元件不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用來區分一個元件與另一個元件。例如，在不背離本發明之範疇下，第一元件可以被稱為第二元件，且同樣地，第二元件可以被稱為第一元件。
這裡使用的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向不應被解釋為繪示任何特定的幾何關係或配向(例如，垂直或水平取向)，而是旨在於在本發明的要素在功能上操作的範圍內具有更廣泛的方向性。
用語「至少一個」應理解為包含一個或多個相關所列項目的任何以及所有組合。例如，「第一項目、第二項目和第三項目中的至少一個」的含義是第一項目、第二項目和第三項目中的兩個或更多個的任意組合、以及任意之第一項目、第二項目、或第三項的其中之一。
如本領域技術人員可以充分理解的，本發明的各種實施例的特徵可以部分或者全部耦合至彼此或彼此結合，並且可以彼此間各樣的交互操作和技術性驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地進行，或者可以根據共同依附關係一起進行。
以下，將參照附圖來詳細闡述本發明之各示例性實施例。
圖2是說明根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置100的示意圖。圖3是說明了圖2之有機發光顯示裝置100的進一步細節的平面圖，例如，第一基板、閘極驅動器、源極驅動積體電路(Integrated Circuit,IC)、可撓性薄膜、電路板、以及時序控制器。
參考圖2、圖3，根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置可以包括：顯示面板110；閘極驅動器120；源極驅動IC 130；可撓性薄膜140；電路板150；以及時序控制器160。
顯示面板110可以包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可為封裝基板。第一基板111可以是塑膠膜、玻璃基板等。第二基板112可以是塑膠膜、玻璃基板或封裝膜(保護膜)等。
複數條閘極線、複數條資料線和複數個像素P可以設置在第一基板111的面向第二基板112的表面上。像素P可以分別設置在由這些閘極線和資料線的交叉點定義的複數個區域中。
每個像素可以包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)和包含第一電極、有機發光層和第二電極的有機發光裝置。當閘極訊號通過閘極線輸入時，每個像素可以根據通過資料線施加的資料電壓，藉由使用TFT向有機發光裝置供應特定的電流。基於此原因，每一個像素的有機發光裝置可以根據該特定電流發出具有特定亮度的光。這裡將更詳細地描述像素的各種實施例。
如圖3所示，顯示面板110可以劃分為顯示區域DA和不顯示影像的非顯示區域NDA，在顯示區域DA中設置像素以顯示影像。閘極線、資料線和像素可以設置在顯示區域DA中。閘極驅動器120以及複數個墊部可以設置在非顯示區域NDA中。
閘極驅動器120可以依據從時脈控制器160輸入的閘極控制訊號將閘極訊號提供到閘極線。閘極驅動器120可以以板中閘極驅動器(Gate Driver-In Panel,GIP)類型設置在顯示面板110的顯示區域DA的一側或兩側外 部的非顯示區域NDA中。或者，閘極驅動器120可以製成為驅動晶片以及被安置在可撓性薄膜中，此外，可以以捲帶式自動接合(Tape Automated Bonding,TAB)模式接合在顯示面板的一側或兩側外部的非顯示區域NDA中。
源極驅動IC 130可以從時脈控制器160接收數位視訊資料和源極控制訊號。源極驅動IC 130可以根據源極控制訊號將數位視訊資料轉換為類比視訊資料，並且可以分別將類比視訊資料提供至資料線。如果源極驅動IC 130被製成為驅動晶片，則源極驅動IC 130可以以覆晶薄膜(Chip-On Film,COF)類型或者覆晶塑膠(Chip-On Plastic,COP)類型安裝在可撓性薄膜140上。
複數個例如資料墊部的墊部可以設置在顯示面板110的非顯示區域NDA中。將該等墊部連接到源極驅動IC 130的複數條線路以及將該等墊部連接到電路板150的線路的複數條線路可以設置在可撓性薄膜140上。可撓性薄膜140可以利用各向異性導電薄膜貼附於該等墊部，因此，該等墊部可以連接至可撓性薄膜140的該等線路。
如圖所示，電路板150可以附著在可撓性薄膜140上，可撓性薄膜140可以被設置為複數個可撓性薄膜140。實現為驅動晶片的複數個電路可以安置在電路板150上。例如，時脈控制器160可安裝在電路板150上。電路板150可為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)或者可撓性PCB(Flexible PCB,FPCB)。
時脈控制器160可通過電路板150的纜線從外部系統板(圖未顯示)接收數位視訊資料和時脈訊號。時脈控制器160可基於時脈訊號產生用於控制閘極驅動器120之操作時脈的閘極控制訊號以及用於控制源極驅動IC 130的源極控制訊號，源極驅動IC 130可以設置為複數個源極驅動IC 130。時脈控制器160可以將閘極控制訊號提供到閘極驅動器120，並且可以將源極控制訊號提供到源極驅動IC 130。
圖4是詳細說明在顯示區域中之像素的示例的平面圖。
在圖4中，為了便於描述，僅繪示了像素P、有機發光裝置的第一電極AND、發光區域EA、第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2、以及共用接觸孔CTS。
參考圖4，可以設置複數個像素P，並且每個像素P可以包含至少一個TFT和一有機發光裝置。
TFT可以包括：主動層；閘極電極，與主動層重疊；源極電極，連接到主動層的一側；以及汲極電極，連接到主動層的另一側。主動層可以包括源極區、汲極區、以及源極區與汲極區之間的通道區。因此，源極電極可以連接到主動層的源極區域，並且汲極電極可以連接到主動層的汲極區域。
有機發光裝置可以包括：第一電極AND，對應於陽極電極；有機發光層；以及第二電極，對應於陰極電極。發光區域EA可以代表順序地堆疊第一電極AND、有機發光層和第二電極的區域，並且來自第一電極AND的電洞和來自第二電極的電子在有機發光層中結合以發出光。相鄰的像素P的發光區域EA可以被堤部分開，因此，堤部可以對應於不發光的非發光區域。
第一接觸孔CT1可以是形成用於將TFT的汲極電極連接到主動層的接觸孔。因此，TFT的汲極電極可以通過第一接觸孔CT1連接到主動層。
第二接觸孔CT2可以是形成用於將TFT的源極電極連接到主動層的接觸孔。因此，TFT的源極電極可以通過第二接觸孔CT2連接到主動層。
如圖4所示，N(其中N是等於或大於2的整數)個像素P可以共享共用接觸孔CTS。共用接觸孔CTS可以是暴露N個像素P中的每一個的TFT的汲極電極的孔。也就是說，N個像素P的TFT的汲極電極可以通過共用接觸孔CTS暴露。N個像素P中的每一個的有機發光裝置的第一電極AND可以通過共用接觸孔CTS連接到對應的TFT的汲極電極。
在圖4中，N被繪示為四個(N=4)，但是本實施例不限於此。例如，如圖13A和圖14A所示，N可以是兩個(N=2)，並且如圖15A所示，N可以是三個(N=3)。即使在N=2的情況下，如圖13A所示，在第一方向(即，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS，而如圖14A所示，在與第一方向(即，Y軸方向)相交的第二方向(即，X軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS。而且，當N=3時，如圖15A所示，以三角形狀相鄰的像素P可共享共用接觸孔CTS。
如上所述，在本發明的一實施例中，N個像素P可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接至TFT的汲極電極的共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，防止發光區域EA被接觸孔減小，由此，防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
在圖4中，為了便於描述，共用接觸孔CTS被描述為暴露TFT的汲極電極，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，共用接觸孔CTS可以暴露TFT的源極電極。
圖5是說明沿著圖4之I-I’線所截取的示例的剖視圖。圖6為圖5之區域A的放大剖視圖。
參考圖5，可以在第一基板111的面向第二基板112的表面上形成緩衝層(圖未顯示)。該緩衝層可以形成在第一基板111的表面上，用於保護複數個TFT 210和複數個有機發光裝置260免受滲透第一基板111的水的影響，而該第一基板111可能易受水滲入的破壞。該緩衝層可以包括複數個交替堆疊的無機層。例如，該緩衝層可以由矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)和氮氧化矽(SiON)的一個或多個無機層交替堆疊的多層結構形成。在各種實施例中，可以省略該緩衝層。
TFT 210可以形成在緩衝層上。在圖5中，每個像素P的第一電極261被圖示為連接到至少一個TFT的汲極電極214，但第一電極261也可以連接到源極電極213，惟不限於此。
每個TFT 210可以包含主動層211、閘極電極212、源極電極213、以及汲極電極214。在圖5中，TFT 210示例性地繪示為形成為閘極電極212設置在主動層211上的頂部閘極型，但是本文提供的實施例不限於此。在其他實施例中，TFT 210可形成為閘極電極212設置在主動層211下的底部閘極型，或者形成為閘極電極212設置在主動層211上及下的雙閘極型。
主動層211可以形成在緩衝層上。主動層211可以由包含矽基半導體材料或氧基半導體材料的任何半導體材料形成。用於阻擋入射到主動層211上的外部光的光阻擋層(圖未顯示)可以形成在緩衝層與主動層211之間。
閘極絕緣層220可以形成於主動層211上。閘極絕緣層220可以由例如矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、或其多層結構的無機層形成。
閘極電極212以及閘極線可以形成在閘極絕緣層220上。閘極電極212和閘極線可以分別由包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)中的一種或其合金的單層或多層結構所形成。閘極電極212可以連接到閘極線，使得閘極電極212接收提供在閘極線上的訊號。
層間介電質230可以形成在閘極電極212和閘極線上。層間介電質230可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
源極電極213、汲極電極214以及資料線可形成在層間介電質230上。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第二接觸孔CT2接觸主動層211。汲極電極214可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第一接觸孔CT1接觸主動層211。源極電極213、汲極電極214和資料線均可以由包含Mo、Cr、Ti、Ni、Nd、Cu中的一種或其合金的單層結構或多層結構所形成。資料線可以連接到源極電極213，使得當TFT透過在閘極電極212處提供的閘極訊號導通時，在資料線上提供的驅動訊號可以被提供給汲極電極214。
用於將TFT 210絕緣的鈍化層240可以形成在源極電極213、汲極電極214和資料線上。鈍化層240可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
用於平坦化由TFT 210造成的階差高度的第一平坦化層250可以形成在鈍化層240上。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
有機發光裝置260和堤部270可以形成在第一平坦化層250上。有機發光裝置260可以包括：第一電極261；有機發光層262；以及第二電極263。第一電極261可以為陽極電極，而第二電極263可以為陰極電極。
第一電極261可形成在第一平坦化層250上。第一電極261可以穿過鈍化層240和第一平坦化層250，並且可以通過共用接觸孔CTS連接到TFT 210的汲極電極214的側表面。共用接觸孔CTS可以是穿過第一平坦化層250、鈍化層240並且至少部分地延伸到層間介電質230中的孔。因此，層間介電質230的一部分凹入或凹進共用接觸孔CTS中。共用接觸孔CTS可以藉由同時蝕刻第一平坦化層250、鈍化層240、汲極電極214和層間介電質230來形成。因此，僅有TFT的汲極電極214的側表面可以被共用接觸孔CTS暴露，因此當第一電極261沿著共用接觸孔CTS的側表面延伸以接觸汲極電極214的暴露側表面時，第一電極261可以通過共用接觸孔CTS連接到TFT 210的汲極電極214的暴露側表面。將在圖7的操作(S103)中更詳細地描述形成共用接觸孔CTS的過程。
如圖6中之進一步所示，共用接觸孔CTS可以包括入口ENT、底面FL和接觸區域CNT。TFT 210的第一電極261和汲極電極214在位於入口ENT與底面FL之間的接觸區域CNT中彼此連接。為了使第一電極261連接到TFT 210的汲極電極214，共用接觸孔CTS可以形成錐形，以具有從入口ENT到接觸區域CNT的傾斜側壁。共用接觸孔CTS的入口ENT的寬度W1可以比接觸區域CNT的寬度W3寬。此外，像素P的第一電極261應當在共用接觸孔CTS中與相鄰於該像素P的像素P的第一電極斷開。因此，為了要使第一電極261在共用接觸孔CTS中與一相鄰像素P的第一電極斷開，共用接觸孔CTS的底面FL的寬度W2可以比接觸區域CNT的寬度W3寬，這有助於共用接觸孔CTS中的第一電極261的斷開。更詳細地說，共用接觸孔CTS可以成為倒錐形，以從接觸區域CNT傾斜到地面FL，或者可以以任何使得TFT 210的汲極電極214的下表面暴露在接觸區域CNT中之形狀形成。例如，如圖5所示，共用接觸孔CTS可以具有底切(undercut)形狀，其中設置在TFT 210的汲極電極214下方的層間介電質230被凹陷，以暴露TFT 210的汲極電極214的下表面。該底切形狀提供了用於容納形成第一電極261的部分材料的空間，藉以斷開在共用接觸孔CTS中的第一電極261。
第一電極261可以通過濺射製程、電子束(e-BEAM)沉積製程、蒸發製程等形成。即使當通過具有階差覆蓋特性良好的濺射製程形成第一電極261時，共用接觸孔CTS可以形成為在接觸區域CNT與底面FL之間具有倒錐形形狀，或者可以形成為使得TFT 210的汲極電極214的下表面可以暴露之任何形狀，藉此，第一電極261可以形成為在共用接觸孔CTS中斷開。階差覆蓋代表通過沉積製程沉積的層即使在形成階差高度的部分中也不會斷開而連續地連接。然而，如圖6所示，即使形成具有良好階差覆蓋的第一電極261的製程，由於倒錐形或底切，也會導致接觸區域CNT與底面FL之間的第一電極261的斷開。
此外，由於共用接觸孔CTS在接觸區域CNT與底面FL之間形成為倒錐形，或者可以以任何使得TFT 210的汲極電極214的下表面可以暴露之形狀形成，虛設電極261a可以形成在共用接觸孔CTS的底面FL上，從而與第一電極261斷開。如圖5所示，虛設電極261a可以接觸共用接觸孔CTS中的層間介電質230的側表面的第一部分。層間介電質230的側表面的第二部分 不與虛設電極261a接觸。第一電極261和虛設電極261a可以通過相同的製程來形成，並且因此可以由相同的材料形成。虛設電極261a因此可以是形成第一電極261的材料的一部分，但是虛設電極261a與第一電極261斷開。舉例而言，第一電極261及虛設電極261a可以由透明金屬材料或不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO))，或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是：Al；Ag；Mo；Mo和Ti的堆疊結構(Mo/Ti)；Cu；Al和Ti的堆疊結構；Al和ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)；APC合金；或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)及銅(Cu)所形成的合金。
堤部270可以被形成以填充共用接觸孔CTS。堤部270可以接觸共用接觸孔CTS中的層間介電質230的側表面的第二部分。也就是說，堤部270可以接觸虛設電極261a的上表面與汲極電極214的下表面之間的層間介電質230的側表面。而且，堤部270可以形成在第一平坦化層250上並且可以覆蓋第一電極261的邊緣。堤部270因此劃分複數個發光區域EA。也就是說，堤部270可以定義發光區域EA。
每個發光區域EA可以代表對應於陽極電極的第一電極261、有機發光層262和對應於陰極電極的第二電極263順序地堆疊的區域並且來自第一電極261的電洞和來自第二電極263的電子在有機發光層中結合以發出光。在此情況下，設置有堤部270的區域不發光，因此，可以定義為非發光區域。
堤部270可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
有機發光層262可以形成在第一電極261和堤部270上。有機發光層262可以是共同形成在每個像素P中的公共層，並且可以是發出白光的白色發光層。在此情況下，有機發光層262可以形成為兩個或更多個疊層的串疊結構。各個疊層可以包括一電洞傳輸層、至少一發光層以及一電子傳輸層。
而且，一電荷產生層可以形成在該等疊層之間。電荷產生層可以包括：n型電荷產生層，與下側疊層相鄰設置；以及p型電荷產生層，形成在n型電荷產生層上並與上側疊層相鄰設置。n型電荷產生層可以將電子注入到下 側疊層中，而p型電荷產生層可以將電洞注入到上側疊層中。n型電荷產生層可以形成為摻雜有諸如鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)或銫(Cs)等鹼金屬或者摻雜有諸如鎂(Mg)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或鐳(Ra)等鹼土金屬之有機層。p型電荷產生層可以是藉由摻雜具有傳輸電洞能力的摻雜物的有機本體材料而形成的有機層。
在圖5中，繪示了有機發光層262是共同形成在每個像素P中的公共層，並且是發出白光的白色發光層，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，可以在每個像素P中分別設置相應的有機發光層262，並且在此情況下，像素P可以被分成：紅色像素，包含發出紅光之紅色發光層；綠色像素，包含發出綠光之綠色發光層；以及藍光像素，包含發出藍光之藍色發光層。
第二電極263可以形成在有機發光層262上。第二電極263可以是共同形成在每個像素P中的公共層。第二電極263可以由能夠透射光之諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料(TCO)形成或者由諸如Mg、Ag或者Mg和Ag的合金等的半透射導電材料形成。在第二電極263由半透射導電材料形成的情況下，發光效率可以通過微腔(Micro-Cavity)來增強。覆蓋層可以形成在第二電極263上。
封裝層280可以設置在第二電極263上。封裝層280防止氧或水滲入到有機發光層262和第二電極263中。封裝層280可以包含至少一個無機層。該無機層可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化矽、氧化鋁、氧化鈦等形成。而且，封裝層280還可以包括至少一個有機層，用於防止顆粒經由封裝層280滲入到有機發光層262和第二電極263中。
複數個彩色濾光片301、302以及黑色矩陣310可以設置在第二基板112上並且位於第二基板112與封裝層280之間。彩色濾光片301、302可以分別與像素P對應地設置。黑色矩陣310可以設置在相鄰的彩色濾光片301和302之間並且部分地重疊於相鄰的彩色濾光片301和302，而且可以與堤部270對應地設置。
第二基板112上的彩色濾光片301和302可以通過黏合層290黏附到第一基板111上的封裝層280。因此，第一基板111和在其上形成的結構可以被黏合到第二基板112和在其上形成的結構。黏合層290可以是透明黏合 薄膜、透明黏合樹脂等。第二基板112可以是塑膠薄膜、玻璃基板或封裝薄膜(保護薄膜)等。
如上所述，在本發明的一實施例中，由於共用接觸孔CTS在接觸區域CNT與底面FL之間形成為具有倒錐形形狀，或者可以以任何使得TFT 210的汲極電極214可以暴露之形狀形成，第一電極261可以在共用接觸孔CTS中斷開。結果，在本發明的一實施例中，每個相鄰像素P的有機發光裝置260的第一電極261可以通過共用接觸孔CTS電性連接到相應TFT 210的相應汲極電極214，而不會相互短路。因此，在本發明的一實施例中，N個像素可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接至TFT的汲極的共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，防止發光區域被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
圖7是說明根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的流程圖。圖8A至圖8F為沿著圖4之I-I’線的剖面圖，用於描述依據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在圖8A至圖8F中所繪示的剖視圖係關於製造圖5所示之有機發光顯示裝置的方法，因此，相同的元件符號表示相同的元件。以下，參考圖7、圖8A至圖8F詳細說明根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在S101，參考圖8A，可以形成包含在複數個TFT 210的每一個中的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極金屬層214a，並且可以形成覆蓋TFT 210之鈍化層240和第一平坦化層250。
詳細地說，在形成TFT 210之前，可以在第一基板111上形成緩衝層，用於保護TFT 210免受滲透第一基板111的水的影響。該緩衝層可以包括複數個交替堆疊的無機層，用於保護TFT 210和有機發光裝置260免受滲透第一基板111的水的影響，而該第一基板111可能易受水滲入的破壞。例如，該緩衝層可以由SiOx、SiNx和SiON的一個或多個無機層交替堆疊的多層結構形成。該緩衝層可以藉由使用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)製程來形成。
隨後，可以在緩衝層上形成每個TFT 210的主動層211。詳細地，可以藉由使用濺射製程、金屬有機CVD(Metal Organic CVD,MOCVD)製程 等在整個緩衝層上形成主動金屬層。接著，可以藉由使用光刻圖案(Photoresist Pattem)通過光罩製程圖案化主動金屬層來形成主動層211。主動層211可以由矽基半導體材料、氧基半導體材料等形成。
然後，閘極絕緣層220可以形成在主動層211上。閘極絕緣層220可以由例如矽氧化物或矽氮化物或者該等材料之多層結構無機材料所形成。
接著，各個TFT 210的閘極電極212可以形成在閘極絕緣層220上。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個閘極絕緣層220上形成第一金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第一金屬層來形成閘極電極212。閘極電極212可以由包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或者其合金的單層結構或多層結構形成。
然後，層間介電質230可以形成在閘極電極212上。層間介電質230可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
隨後，可以形成穿過閘極絕緣層220和層間介電質230以暴露主動層211的複數個個接觸孔CT1、CT2。
接著，可以在層間介電質230上形成每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214a。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個層間介電質230上以及接觸孔CT1、CT2中形成第二金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第二金屬層來形成源極電極213和汲極金屬層214a。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第二接觸孔CT2接觸主動層211的一側。汲極金屬層214a可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第一接觸孔CT1接觸主動層211的另一側。源極電極213和汲極金屬層214a可以分別由包含Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。此外，如圖8A所示，相鄰像素P的汲極金屬層214a可以彼此連接。
隨後，鈍化層240可以形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214a上以及層間介電質230上。鈍化層240可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。鈍化層240可以藉由使用CVD來形成。
接著，可以在鈍化層240上形成用於平坦化由TFT 210引起的階差高度的第一平坦化層250。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
在S102，參考圖8B，可以在第一平坦化層250上形成第一光刻圖案PR1。第一光刻圖案PR1可以形成在除了要形成共用接觸孔CTS的區域之外的區域中。
在S103，參考圖8C，可以藉由同時蝕刻沒有被第一光刻圖案PR1覆蓋的第一平坦化層250、鈍化層240、汲極金屬層214a和層間介電質230來形成共用接觸孔CTS，然後，可以移除第一光刻圖案PR1。
共用接觸孔CTS可以是穿過第一平坦化層250、鈍化層240和汲極金屬層214a並且至少部分地延伸到層間介電質230中的孔。共用接觸孔CTS因此形成層間介電質230的凹陷或下陷部分。由於藉由同時刻蝕第一平坦化層250、鈍化層240、汲極金屬層214a和層間介電質230形成共用接觸孔CTS，所以可以完成汲極電極214的圖案，且TFT 210的汲極電極214的側面被共用接觸孔CTS暴露。
共用接觸孔CTS可以包括入口ENT、底面FL以及接觸區域CNT，該接觸區域CNT藉由在入口ENT與底面FL之間暴露TFT 210的汲極電極214的側表面來形成。為了使第一電極261連接到TFT 210的汲極電極214，共用接觸孔CTS可以形成為從入口ENT向接觸區域CNT傾斜成錐形，具體來說，入口ENT的寬度W1可以比接觸區域CNT的寬度W3寬。此外，像素P的第一電極261應該在共用接觸孔CTS中斷開，否則第一電極261將連接到與該像素P相鄰的像素P的第一電極。因此，為了使第一電極261在共用接觸孔CTS中斷開，共用接觸孔CTS的底面FL的寬度W2可以比接觸區域CNT的寬度W3寬。共用接觸孔CTS可以形成為從接觸區域CNT以倒錐形傾斜到地面FL，或者可以以任何使得TFT 210的汲極電極214的下表面可以暴露在接觸區域CNT中之形狀形成。例如，如圖8C所示，共用接觸孔CTS可以具有底切形狀，其中設置在TFT 210的汲極電極214下方的層間介電質230被凹陷，以暴露TFT 210的汲極電極214的下表面。
共用接觸孔CTS可以藉由使用乾刻製程來形成。首先，可以藉由利用第一蝕刻氣體蝕刻第一平坦化層250和鈍化層240來暴露汲極金屬層 214a。在此情況下，第一蝕刻氣體可以是蝕刻第一平坦化層250和鈍化層240但不蝕刻例如汲極金屬層214a的金屬層的氣體。隨後，可以藉由利用第二蝕刻氣體蝕刻暴露的汲極金屬層214a來形成汲極電極214。在此情況下，第二蝕刻氣體可以是蝕刻諸如汲極金屬層214a的金屬層但不蝕刻層間介電質230的氣體。隨後，可以藉由利用第三蝕刻氣體蝕刻層間介電質230來完成共用接觸孔CTS，以形成底切和凹陷或下陷部分。第三蝕刻氣體可以是氧(O2)或O2和CF4的混合氣體，用於以使得TFT 210的汲極電極214的下表面可以被暴露的形狀形成共用接觸孔CTS。
在S104，參考圖8D，可以在共用接觸孔CTS的第一平坦化層250上和傾斜側表面上形成第一電極261。
詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程、e-BEAM沉積製程、蒸發製程等在整個第一平坦化層250上方形成第三金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第三金屬層來形成第一電極261。
第一電極261可以連接到通過共用接觸孔CTS暴露的TFT 210的汲極電極214的側表面。由於第一電極261僅連接到TFT 210的汲極電極214的側表面，所以第一電極261和汲極電極214的接觸電阻可能較高。因此，為了降低第一電極261和汲極電極214的接觸電阻，第一電極261的厚度和汲極電極214的厚度可以被選擇為足夠厚以提供合適的接觸電阻。第一電極261的厚度和汲極電極214的厚度可以基於第一電極261和汲極電極214的接觸電阻來選擇，這可以通過提前的實驗適當地確定。
即使當通過具有階梯覆蓋特性良好的濺射製程形成第一電極261時，共用接觸孔CTS可以形成為在接觸區域CNT與底面FL之間具有倒錐形狀，或者可以是以任何使得TFT 210的汲極電極214的下表面可以暴露之形狀形成，因此，第一電極261可以在共用接觸孔CTS中斷開。階差覆蓋代表通過沉積製程沉積的層即使在形成階差高度的部分中也不會斷開而連續地連接。
此外，虛設電極261a可以形成在共用接觸孔CTS的底面FL上，從而與第一電極261斷開。第一電極261和虛設電極261a可以通過相同的製程形成，並且因此可以由相同的材料形成。也就是說，虛設電極261a可以是形成在共用接觸孔CTS的底面FL上的第三金屬層的一部分，但是由於倒錐形或底切而與第一電極261斷開。舉例而言，第一電極261及虛設電極261a可以由透 明金屬材料或不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(TCO)，或者諸如鎂(Mg)、銀(Ag)或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是：Al；Ag；Mo；Mo、Ti的堆疊結構(Mo/Ti)；Cu；Al、Ti的堆疊結構；Al、ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)；APC合金；或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
在S105，參考圖8E，可以形成堤部270以填充共用接觸孔CTS。
堤部270可以填充共用接觸孔CTS以便有機發光層262被均勻地沉積。此外，堤部270可以形成在第一平坦化層250上，用以覆蓋第一電極261的邊緣，藉此將複數個發光區域EA分隔出來。也就是說，堤部270可以定義發光區域EA。
堤部270可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
在S106，參考圖8F，可以在第一電極261和堤部270上形成有機發光層262和第二電極263。
詳細地，可以通過沉積製程或溶液製程在第一電極261和堤部270上形成有機發光層262。有機發光層262可以是共同形成在每個像素P中的公共層。在此示例性實施例中，有機發光層262可為發出白光的白色發光層。
如果有機發光層262是白色發光層，則有機發光層262可以以兩個或更多個疊層的串疊結構形成。各個疊層可以包括一電洞傳輸層、至少一發光層以及一電子傳輸層。
而且，一電荷產生層可以形成在疊層之間。該電荷產生層可以包括：n型電荷產生層，與下側疊層相鄰設置；以及p型電荷產生層，形成在n型電荷產生層上並與上側疊層相鄰設置。n型電荷產生層可以將電子注入到下側疊層中，而p型電荷產生層可以將電洞注入到上側疊層中。n型電荷產生層可以由摻雜有諸如鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)或銫(Cs)等鹼金屬或者摻雜有如鎂(Mg)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或鐳(Ra)等鹼土金屬的有機層形成。p型電荷產生層可以是藉由摻雜具有傳輸電洞能力的摻雜物的有機材料而形成的有機層。
隨後，可以在有機發光層262上形成第二電極263。第二電極263可以是共同形成在每個像素P中的公共層。第二電極263可以由能夠透射光的諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料(或TCO)或諸如Mg、Ag、或者Mg和Ag的合金等的半透射導電材料形成。在第二電極263由半透射導電材料形成的情況下，發光區域效率可以通過微腔來增強。第二電極263可以利用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)製程來形成。覆蓋層可以形成在第二電極263上。
然後，封裝層280可以形成在第二電極263上。封裝層280防止氧或水滲入到有機發光層262和第二電極263中。封裝層280可包含至少一個無機層。該無機層可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化矽、氧化鋁、氧化鈦等形成。
封裝層280可以進一步包含至少一個有機層。該有機層可以被形成為具有足夠的厚度以防止顆粒經由封裝層280滲入到有機發光層262和第二電極263中。
接著，可以將設置有複數個彩色濾光片301、302以及黑色矩陣310的第二基板112黏合到第一基板111。第二基板112上的彩色濾光片301、302可以通過黏合層290黏附到第一基板111上的封裝層280。黏合層290可以是透明黏合薄膜、透明黏合樹脂等。
如上所述，根據本發明的一實施例，可以藉由同時蝕刻第一平坦化層250、鈍化層240、汲極金屬層214a和層間介電質230來形成共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，TFT 210的汲極電極214的側表面可以被共用接觸孔CTS暴露。結果，在本發明的一實施例中，防止TFT 210的汲極電極214的尺寸小於接觸孔的尺寸，從而防止由於接觸孔的底面與汲極電極214之間的階差高度而導致之第一電極261在源極電極或汲極電極之側表面中斷開。因此，在本發明的一實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
圖9是詳細說明在顯示區域中之像素的另一示例的平面圖。
在圖9中，為了便於描述，僅繪示了像素P、第一電極AND、發光區域EA、輔助接觸孔CT3和共用接觸孔CTS。
參考圖9，可以設置複數個像素P，並且每個像素P可以包括至少一個TFT和一有機發光裝置。
TFT可以包含：主動層；閘極電極，與主動層重疊；源極電極，連接到主動層的一側；以及汲極電極，連接到主動層的另一側。
有機發光裝置可以包括對應於陽極電極的第一電極AND、有機發光層以及對應於陰極電極的第二電極。發光區域EA可以代表順序地堆疊有第一電極AND、有機發光層和第二電極的區域，並且來自第一電極的電洞和來自第二電極的電子在有機發光層中結合以發出光。相鄰像素P的發光區域EA可以被堤部分開，並且因此堤部可以對應於不發光的非發光區域區。
輔助接觸孔CT3可以是為了將TFT的汲極電極連接到輔助電極而形成的接觸孔。因此，TFT的汲極電極可以通過輔助接觸孔CT3連接到輔助電極。
共用接觸孔CTS可以是暴露與N(其中N是等於或大於2的整數)個像素P中的每一個的相應汲極電極連接的輔助電極的孔。也就是說，N個像素P的輔助電極可以通過共用接觸孔CTS暴露。N個像素P中的每一個的有機發光裝置的第一電極可以通過共用接觸孔CTS連接到輔助電極。也就是說，N個像素P中的每一個的有機發光裝置的第一電極可以通過輔助電極電性連接到TFT的汲極電極。
如圖9所示，N個像素P可以共享共用接觸孔CTS。在圖9中，N被示為四個(N=4)，但是本實施例不限於此。例如，如圖13B、圖14B所示，N可以是兩個(N=2)，或者如圖15B所示，N可以是三個(N=3)。即使在N=2的情況下，如圖13B所示，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS，並且如圖14B所示，在與第一方向(例如，Y軸方向)相交的第二方向(例如，X軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS。而且，當N=3時，如圖15B所示，以三角形形狀彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS。
如上所述，在本發明的一實施例中，N個像素P可以共享共用接觸孔CTS，以將有機發光裝置的第一電極電性連接到TFT的汲極電極。因此，在本發明的實施例中，防止發光區域EA被接觸孔減小，由此防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
在圖9中，為了便於描述，輔助電極被描述為通過輔助接觸孔CT3連接到TFT的汲極電極，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，輔助電極可以通過輔助接觸孔CT3連接到TFT的源極電極。
圖10為沿著如圖9所示之III-III’線所截取的另一示例的剖視圖。
除了輔助電極264和第二平坦化層251被額外地形成，並且通過共用接觸孔CTS暴露輔助電極264而不是TFT 210的源極電極213或汲極電極214之外，圖10中所示的剖面圖大致上與參考圖5所示的相同。因此，將省略圖10之第一基板111和第二基板112；TFT 210的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極電極214；閘極絕緣層220；層間介電質230；鈍化層240；第一平坦化層250；有機發光層262；第二電極263；封裝層280；黏合層290；彩色濾光片301和302；以及黑色矩陣310的詳細描述。
參考圖10，可以形成穿過鈍化層240和第一平坦化層250以暴露TFT 210的汲極電極214的輔助接觸孔CT3。輔助電極264可以形成在第一平坦化層250上和輔助接觸孔CT3中，並且可以通過輔助接觸孔CT3連接到TFT 210的汲極電極214。
輔助電極264可以由透明金屬材料或不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或TCO)，或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是：Al；Ag；Mo；Mo和Ti的堆疊結構(Mo/Ti)；Cu；Al和Ti的堆疊結構；Al和ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)；APC合金；或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
第二平坦化層251可以形成在輔助電極264上和輔助接觸孔CT3中。第二平坦化層251可以形成為填充輔助接觸孔CT3。第二平坦化層251可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
第一電極261可形成在第二平坦化層251上。第一電極261可以穿過第二平坦化層251並且可以通過共用接觸孔CTS連接到輔助電極264的側表面。共用接觸孔CTS可以是穿過第二平坦化層251並且至少部分地延伸到第一平坦化層250中的孔。因此，第一平坦化層250的一部分凹陷或凹入共用接 觸孔CTS中。可以藉由同時蝕刻第二平坦化層251、輔助電極264和第一平坦化層251來形成共用接觸孔CTS。因此，只有輔助電極264的側表面可以通過共用接觸孔CTS暴露，並且因此第一電極261可以通過共用接觸孔CTS連接到輔助電極264的側表面。將在圖11的操作(S205)中更詳細地描述形成共用接觸孔CTS的過程。
第一電極261可以僅連接到輔助電極264的側表面，由此增加第一電極261和輔助電極264的接觸電阻。因此，為了降低第一電極261和輔助電極264的接觸電阻，可以增加第一電極261的厚度和輔助電極264的厚度以提供合適的接觸電阻。第一電極261的厚度和輔助電極264的厚度可以基於第一電極261和輔助電極264的接觸電阻來選擇，這可以通過提前的實驗適當地確定。
如圖6中之實施例所示，共用接觸孔CTS可以包括入口ENT、底面FL以及接觸區域CNT，在入口ENT與底面FL之間的第一電極261和輔助電極264通過該接觸區域CNT彼此連接。為了將第一電極261連接到輔助電極264，共用接觸孔CTS可以形成為具有從入口ENT到接觸區域CNT的呈錐形的傾斜側壁，並且更詳細地說，入口ENT的寬度W1可以比接觸區域CNT的寬度W3寬。而且，像素P的第一電極261應當在共用接觸孔CTS中與相鄰於該像素P的像素P的第一電極斷開。因此，為了使第一電極261在共用接觸孔CTS中斷開，共用接觸孔CTS的底面FL的寬度W2可以比接觸區域CNT的寬度W3寬，並且更詳細地說，共用接觸孔CTS可以形成為從接觸區域CNT傾斜到底面FL呈倒錐形，或者可以以任何使得輔助電極264的下表面可以暴露在接觸區域CNT中之形狀形成。例如，如圖10所示，共用接觸孔CTS可以具有底切形狀，其中設置在輔助電極264下方的第一平坦化層250凹陷以便使輔助電極264的下表面暴露。
第一電極261可以通過濺射製程、MOCVD製程、e-BEAM沉積製程、蒸發製程等來形成。即使當通過具有階梯覆蓋特性良好的濺射製程形成第一電極261時，共用接觸孔CTS可以形成為在接觸區域CNT與底面FL之間具有倒錐形形狀，或者可以以任何使得輔助電極264的下表面可以被暴露之形狀來形成，並且因此第一電極261可以在共用接觸孔CTS中斷開。
此外，虛設電極261a可以形成在共用接觸孔CTS的底面FL上，以與第一電極261斷開。第一電極261和虛設電極261a可以通過相同的製程形成，並且因此可以由相同的材料形成。舉例而言，第一電極261及虛設電極261a可以由透明金屬材料或者不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或TCO)，或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的堆疊結構(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的堆疊結構、Al和ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
堤部270可以形成為填充共用接觸孔CTS。堤部270可以形成在第二平坦化層251上，用以覆蓋第一電極261的邊緣，藉此分隔複數個發光區域EA。也就是說，堤部270可以定義發光區域EA。
如上所述，在本發明的一實施例中，由於共用接觸孔CTS在接觸區域CNT與底面FL之間形成為倒錐形，或者可以以任何使得輔助電極264可以被暴露之形狀形成，輔助電極264可以在共用接觸孔CTS中斷開。結果，在本發明的一實施例中，每個相鄰像素P的有機發光裝置260的第一電極261可以通過共用接觸孔CTS電性連接到輔助電極264。第一電極261因此經由輔助電極264連接到TFT 210的汲極電極214。因此，在本發明的一實施例中，N個像素可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接到輔助電極264(並且因此連接到TFT的汲極電極)的共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，防止發光區域被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
圖11是說明根據本發明一實施例之發光顯示裝置的示意圖。圖12A至圖12H為沿著圖9之III-III’線所截取的剖面圖，用於描述根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在圖12A至圖12H中所示之剖面圖係關於圖10所示之製造有機發光顯示裝置的方法，因此，相同的元件符號代表相同的元件。以下，參考圖11、圖12A至圖12H詳細說明根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在S201，參考圖12A，可以形成包含在複數個TFT 210的每一個中的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極電極214，並且可以形成覆蓋TFT 210的鈍化層240和第一平坦化層250。
形成TFT 210之主動層211和閘極電極212、形成閘極絕緣層220和形成層間介電質230的方法基本上與參考圖8所描述之圖7的操作(S101)相同。
每個TFT 210之源極電極213以及汲極電極210可形成在層間介電質230上。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個層間介電質230上形成第二金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案的光罩製程圖案化第二金屬層來形成源極電極213和汲極電極214。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第二接觸孔接觸主動層211的一側。汲極電極214可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的第一接觸孔接觸主動層211的另一側。源極電極213和汲極電極214均可以由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。
隨後，鈍化層240可以形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極電極214上以及層間介電質230上。鈍化層240可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。鈍化層240可以藉由使用CVD製程來形成。
然後，可以在鈍化層240上形成用於平坦化由TFT 210引起的階差高度的第一平坦化層250。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
在S202，參考圖12B，可以在第一平坦化層250上形成第二光刻圖案PR2。第二光刻圖案PR2可以形成在除了將要形成輔助接觸孔CT3的區域之外的區域中。
在S203，參照圖12C，藉由蝕刻未被第二光刻圖案PR2覆蓋的第一平坦化層250，可以形成暴露每個TFT 210的汲極電極214的輔助接觸孔CT3，然後，可以移除第二光刻圖案PR2。
在S204，參照圖12D，可以在第一平坦化層250上和輔助接觸孔CT3中形成輔助金屬層264’。輔助金屬層264’可以連接到輔助接觸孔CT3中每個TFT 210之暴露的汲極電極214。
輔助金屬層264’可以由透明金屬材料或不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或TCO)，或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的堆疊結構(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的堆疊結構、Al和ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
隨後，可以在輔助金屬層264’上形成第二平坦化層251。第二平坦化層251可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
接著，可以在第二平坦化層251上形成第三光刻圖案PR3。第三光刻圖案PR3可以形成在除了將形成共用接觸孔CTS的區域之外的區域中。
在S205，參照圖12E，共用接觸孔CTS可以藉由同時蝕刻未被第三光刻圖案PR3覆蓋的第二平坦化層251、輔助金屬層264’和第一平坦化層250而形成，然後可移除第三光刻圖案PR3。
共用接觸孔CTS可以是穿過第二平坦化層251和輔助金屬層264’並且至少部分地延伸到第一平坦化層250中的孔。共用接觸孔CTS因此形成第一平坦化層250的凹陷或下陷部分。由於藉由同時蝕刻第二平坦化層251、輔助金屬層264’和第一平坦化層250來形成共用接觸孔CTS，所以可以完成輔助電極264的圖案，且同時輔助電極264的側表面被共用接觸孔CTS暴露。
共用接觸孔CTS可以包括入口ENT、底面FL以及接觸區域CNT，該接觸區域CNT藉由暴露在入口ENT與底面FL之間的輔助電極264的側表面來形成。為了將第一電極261連接到輔助電極264，共用接觸孔CTS可以形成為從入口ENT向接觸區域CNT傾斜成錐形，更詳細地說，入口ENT的寬度W1可以比接觸區域CNT的寬度W3寬。此外，像素P的第一電極261應該在共用接觸孔CTS中斷開，否則第一電極261將連接到相鄰於該像素P的像素P的第一電極。因此，為了使第一電極261在共用接觸孔CTS中斷開，共用接觸孔CTS的底面FL的寬度W2可以寬於接觸區域CNT的寬度W3，更詳細地說，共用接觸孔CTS可以形成為從接觸區域CNT以倒錐形傾斜到地面FL，或者可以以任何使得輔助電極264的下表面可以暴露在接觸區域CNT中 之形狀形成。例如，如圖12E所示，共用接觸孔CTS可以具有底切形狀，其中設置在輔助電極264下方的第一平坦化層250凹陷，以使輔助電極264的下表面暴露。
共用接觸孔CTS可以藉由使用乾刻製程來形成。首先，可以藉由利用第一蝕刻氣體蝕刻第二平坦化層251來暴露輔助金屬層264’。在此情況下，該第一蝕刻氣體可以是蝕刻第二平坦化層251但不蝕刻諸如輔助金屬層264’的金屬層的氣體。隨後，可以藉由利用第二蝕刻氣體蝕刻暴露的輔助金屬層264’來形成輔助電極264。在此情況下，該第二蝕刻氣體可以是蝕刻諸如輔助金屬層264’的金屬層但不蝕刻第一平坦化層250的氣體。接著，可以藉由用第三蝕刻氣體蝕刻第一平坦化層250來完成共用接觸孔CTS，以形成底切和凹陷或下陷部分。
在S206，參照圖12F，第一電極261可以形成在第二平坦化層251上以及共用接觸孔CTS的傾斜側表面上。
詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程、e-BEAM沉積製程、蒸發製程等在整個第二平坦化層251上形成第三金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第三金屬層來形成第一電極261。
第一電極261可以連接到通過共用接觸孔CTS暴露的輔助電極264的側表面。由於第一電極261僅連接到輔助電極264的側表面，所以第一電極261和輔助電極264的接觸電阻可能較高。因此，為了降低第一電極261和輔助電極264的接觸電阻，第一電極261的厚度和輔助電極264的厚度可以被選擇為足夠厚以提供合適的接觸電阻。第一電極261的厚度和輔助電極264的厚度可以基於第一電極261和輔助電極264的接觸電阻來選擇，這可以通過提前的實驗適當地確定。
即使當通過具有階梯覆蓋特性良好的濺射製程形成第一電極261時，共用接觸孔CTS可以形成為在接觸區域CNT與底面FL之間具有倒錐形狀，或者可以是形成為使得輔助電極264的下表面可以暴露之任意形狀，因此，第一電極261可以在共用接觸孔CTS中斷開。階差覆蓋代表通過沉積製程沉積的層即使在形成階差高度的部分中也不會斷開而連續地連接。
此外，虛設電極261a可以形成在共用接觸孔CTS的底面FL上，從而與第一電極261斷開。第一電極261和虛設電極261a可以通過相同的製程 形成，並且因此可以由相同的材料形成。舉例而言，第一電極261及虛設電極261a可以由透明金屬材料或不透明金屬材料形成。該透明導電材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或TCO)，或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、或Mg和Ag的合金之類的半透射導電材料。該不透明導電材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的堆疊結構(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的堆疊結構、Al和ITO的堆疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是由銀(Ag)、鈀(Pd)以及銅(Cu)所形成的合金。
在S207，參考圖12G，可以形成堤部270以填充共用接觸孔CTS。
堤部270可以填充共用接觸孔CTS以便有機發光層262被均勻地沉積。堤部270可以形成在第二平坦化層251上，以覆蓋第一電極261的邊緣，藉此將複數個發光區域EA分隔出來。也就是說，堤部270可以定義發光區域EA。
堤部270可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
在S208，參考圖12H，有機發光層262和第二電極263可以形成在第一電極261和堤部270上。
在圖11中形成有機發光層262和第二電極263的操作(S208)與參考圖8F之圖7的操作(S106)大致相同。因此，將省略圖12H中形成有機發光層262和第二電極263的操作(S208)之詳細描述。
如上所述，根據本發明的一實施例，可以藉由同時蝕刻第二平坦化層251、輔助金屬層264’和第一平坦化層250來形成共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，輔助電極264的側表面可以被共用接觸孔CTS暴露。結果，在本發明的一實施例中，防止TFT 210的汲極電極214的尺寸小於接觸孔的尺寸，從而防止由於接觸孔的底面與汲極電極214之間的階差高度而導致之第一電極261在源極電極或汲極電極之側表面中斷開。因此，在本發明的一實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
通過總結和綜述，根據本發明的實施例，第一電極可以被斷開地形成在共用接觸孔中。結果，在本發明的實施例中，每個相鄰像素的有機發光裝置的第一電極可以通過共用接觸孔電性連接到TFT的汲極電極。因此，在本 發明的實施例中，N個像素可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接至TFT的汲極電極的共用接觸孔。因此，在本發明的實施例中，防止發光區域被共用接觸孔減小，從而防止了由於發光區域面積的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
此外，根據本發明的實施例，可以藉由同時蝕刻第一平坦化層、鈍化層、汲極金屬層和層間介電質來形成共用接觸孔。因此，在本發明的實施例中，TFT的汲極電極的側表面可以通過共用接觸孔暴露。結果，在本發明的實施例中，防止TFT的汲極電極的尺寸小於接觸孔的尺寸，從而防止由於接觸孔的底面與汲極電極之間的階差高度而導致之第一電極在源極電極或汲極電極之側表面中斷開。因此，在本發明的實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
對本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍下，可以對本發明做出各種修改和變化。因此，本發明旨在涵蓋本發明的修改和變化，只要它們落入所附的申請專利範圍及其等同物的範圍內。
上面描述的各種實施例可以被組合以提供另外的實施例。根據以上詳細描述，可以對這些實施例做出這些和其他改變。通常，在下面的申請專利範圍中，所使用的術語不應該被解釋為將申請專利範圍限制在說明書和申請專利範圍中所公開的具體實施例，而應該被解釋為包括所有可能的實施例以及這些申請專利範圍所涵蓋的所有範圍。因此，申請專利範圍不受本發明的限制。
本申請案主張於2016年12月14日提交的韓國專利申請第10-2016-0170350號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。

Claims (19)

  1. 一種發光顯示裝置，包括：複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有：一閘極電極；一主動層，與該閘極電極重疊；一源極電極，連接到該主動層的一側；以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側；以及一發光裝置，具有：一第一電極；一發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在該發光層上；一接觸孔，該等像素中的至少兩個的第一電極電性連接到在該接觸孔中之各自源極電極的側表面或者各自汲極電極的側表面，其中，該接觸孔包括一入口、一底面、以及位於該入口與該底面之間的一接觸區域，以及一虛設電極設置在該接觸孔的該底面上，該虛設電極與該至少兩個像素的該等第一電極斷開。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該接觸孔被底切，以暴露該各自源極電極或該各自汲極電極的下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該入口具有一第一寬度，該底面具有一第二寬度，以及該接觸區域具有一第三寬度，以及其中，該等第一電極電性連接到在該接觸區域中之該各自源極電極或該各自汲極電極，該第三寬度小於該第一寬度和該第二寬度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該虛設電極和該等第一電極係由相同的材料所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一堤部，位在該接觸孔的該底面、該接觸區域和該入口中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一堤部，填充該接觸孔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一第一平坦化層，位在該第一電極與該源極電極和該汲極電極的至少一個之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光顯示裝置，其中，該虛設電極位於在該接觸孔中的該第一平坦化層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光顯示裝置，其中，該虛設電極接觸在該接觸孔中的該第一平坦化層的一側表面的一第一部分，並且該堤部接觸在該接觸孔中的該源極電極或該汲極電極與該虛設電極之間的該第一平坦化層的該側表面的一第二部分。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該電晶體進一步包含：一閘極絕緣層，設置在該主動層與該閘極電極之間；一層間介電層，設置在該閘極電極與該源極電極之間以及在該閘極電極與該汲極電極之間；以及一第一平坦化層，設置在該源極電極和該汲極電極上，以及其中，該接觸孔延伸穿過該第一平坦化層並且至少部分地延伸到該層間介電層中。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素包含：一第一像素；一第二像素，在一第一方向上與該第一像素相鄰；一第三像素，在與該第一方向正交的一第二方向上與該第一像素相鄰；以及一第四像素，在該第一方向上與該第三像素相鄰並且在該第二方向上與該第二像素相鄰。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素包含： 一第一像素；一第二像素，在一第一方向上與該第一像素相鄰；以及一第三像素，在與該第一方向正交的一第二方向上與該第一像素或者該第二像素的其中之一相鄰。
  13. 一種發光顯示裝置，包括：複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一源極區域和一汲極區域；一源極電極，耦合到該源極區域；一汲極電極，耦合到該汲極區域；一第一平坦化層，位於該源極電極及該汲極電極上；一輔助電極，位於該第一平坦化層上且耦合到該源極電極或該汲極電極的其中一個；一第二平坦化層，位於該輔助電極上，該第二平坦化層在該輔助電極的一第一端以及一第二端之間覆蓋該輔助電極的一上表面；以及一發光裝置的一第一電極，位於該第二平坦化層上且耦合到該輔助電極；以及一接觸孔，該等像素中的至少兩個的第一電極電性連接到在該接觸孔中之各自輔助電極的側表面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光顯示裝置，其中，該接觸孔包括一底切部，該底切部暴露該各自輔助電極的下表面。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之發光顯示裝置，其中，該等像素的每一個進一步包含：一輔助接觸孔，延伸穿過該第一平坦化層並且暴露該源極電極或該汲極電極的其中一個的一部分，該輔助電極耦合到在該輔助接觸孔中之該源極區域或該汲極區域的該其中一個的該暴露部分。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光顯示裝置，其中，該等像素的每一個進一步包含：一閘極絕緣層，位於該源極區域和該汲極區域與該閘極電極之間；以及 一層間介電質，位於該閘極電極與源極電極之間以及該閘極電極與該汲極電極之間，其中，該第二平坦化層設置於該輔助接觸孔中，以及其中，該接觸孔延伸穿過該第二平坦化層並且至少部分地延伸到該第一平坦化層中。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一堤部，填充該接觸孔，該堤部形成該發光顯示裝置的一非發光區域。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之發光顯示裝置，該至少兩個像素包含：一第一像素；一第二像素，在一第一方向上與該第一像素相鄰；一第三像素，在與該第一方向正交的一第二方向上與該第一像素相鄰；以及一第四像素，在該第一方向上與該第三像素相鄰並且在該第二方向上與該第二像素相鄰。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素包含：一第一像素；一第二像素，在一第一方向上與該第一像素相鄰；以及一第三像素，在與該第一方向正交的一第二方向上與該第一像素或者該第二像素的其中之一相鄰。
TW106140375A 2016-12-14 2017-11-21 發光顯示裝置及其製造方法 TWI647837B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160170350A KR20180068549A (ko) 2016-12-14 2016-12-14 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
??10-2016-0170350 2016-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201822348A TW201822348A (zh) 2018-06-16
TWI647837B true TWI647837B (zh) 2019-01-11

Family

ID=60673525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106140375A TWI647837B (zh) 2016-12-14 2017-11-21 發光顯示裝置及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10692947B2 (zh)
EP (1) EP3336899B1 (zh)
JP (1) JP6612305B2 (zh)
KR (1) KR20180068549A (zh)
CN (1) CN108231834B (zh)
TW (1) TWI647837B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180075589A (ko) 2015-10-26 2018-07-04 오티아이 루미오닉스 인크. 표면 상에 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 디바이스
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
CN110832660B (zh) 2017-05-17 2023-07-28 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
KR102481170B1 (ko) * 2017-09-29 2022-12-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 조명장치
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20210006912A (ko) 2018-05-07 2021-01-19 오티아이 루미오닉스 인크. 보조 전극을 제공하는 방법 및 보조 전극을 포함하는 장치
KR102593461B1 (ko) * 2018-10-19 2023-10-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200049115A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
JP7390739B2 (ja) 2019-03-07 2023-12-04 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN117500334A (zh) 2019-06-26 2024-02-02 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
CN110649173B (zh) * 2019-09-30 2022-05-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管、oled显示面板和显示设备
KR20210082908A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
TWI713178B (zh) * 2020-04-16 2020-12-11 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝結構
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
TWI803161B (zh) * 2022-01-21 2023-05-21 友達光電股份有限公司 有機發光二極體裝置及其製造方法
KR20230134028A (ko) * 2022-03-10 2023-09-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201306248A (zh) * 2011-06-28 2013-02-01 Samsung Display Co Ltd 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
US20140152171A1 (en) * 2011-09-29 2014-06-05 Panasonic Corporation Display panel and method for manufacturing same
KR20140077690A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20150053955A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Japan Display Inc. Organic el display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4593179B2 (ja) * 2003-06-17 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP5396905B2 (ja) * 2008-04-01 2014-01-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5376287B2 (ja) * 2008-08-06 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置、電子機器
KR102198111B1 (ko) * 2013-11-04 2021-01-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI615664B (zh) * 2013-11-08 2018-02-21 友達光電股份有限公司 畫素陣列
KR102299875B1 (ko) 2014-11-07 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널, 이의 제조 방법 및 터치 패널 일체형 유기 발광 표시 장치
JP6625835B2 (ja) * 2015-06-25 2019-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201306248A (zh) * 2011-06-28 2013-02-01 Samsung Display Co Ltd 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
US20140152171A1 (en) * 2011-09-29 2014-06-05 Panasonic Corporation Display panel and method for manufacturing same
KR20140077690A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20150053955A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Japan Display Inc. Organic el display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN108231834A (zh) 2018-06-29
TW201822348A (zh) 2018-06-16
EP3336899B1 (en) 2022-02-09
CN108231834B (zh) 2021-11-05
EP3336899A1 (en) 2018-06-20
US10692947B2 (en) 2020-06-23
JP2018098185A (ja) 2018-06-21
US20180166522A1 (en) 2018-06-14
KR20180068549A (ko) 2018-06-22
JP6612305B2 (ja) 2019-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI647837B (zh) 發光顯示裝置及其製造方法
KR102611500B1 (ko) 유기발광표시장치와 그의 제조방법
TWI651703B (zh) 有機發光顯示裝置
CN107785393B (zh) 显示装置及其制造方法
KR20190067968A (ko) 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
US20200358036A1 (en) Display device and electronic apparatus
TWI670844B (zh) 發光顯示裝置及其製造方法
TWI628789B (zh) 顯示裝置及其製造方法
TW202119613A (zh) 具有基板孔的顯示裝置
KR102593332B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20200025582A (ko) 표시장치
US11864419B2 (en) Transparent display apparatus
JP2022093311A (ja) 有機発光表示装置
KR20230092438A (ko) 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 멀티 스크린 디스플레이 장치
CN116437751A (zh) 显示设备以及包括显示设备的多屏显示设备
KR20180069367A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법