JP2018098185A - 発光表示装置とその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 190
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 250
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 86
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 46
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 40
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 34
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 24
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 10
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 9
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 8
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- -1 or Cs Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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Abstract
【課題】有機発光層の寿命が短くなる点灯不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施例に係る発光表示装置は、複数の画素とコンタクトホールを備え、複数の画素の各々は、ゲート電極、前記ゲート電極と重畳するアクティブ層、前記アクティブ層の一側に接続したソース電極、前記アクティブ層の他側に接続したドレイン電極を有するトランジスタ；第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、前記発光層上に配置された第２電極を有する発光素子を含み、前記コンタクトホールの少なくとも二つの画素の第１電極が各ソース電極の側面または、各ドレイン電極の側面に電気的に接続される。【選択図】図４
Description
本発明は、発光表示装置とその製造方法に関するものである。
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。そのため、最近では液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP：Plasma Display Panel）、発光表示装置（Light Emitting Display）などの様々な表示装置が活用されている。発光表示装置には、有機発光素子を用いる有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display）とマイクロ発光ダイオード（micro light emitting diode）を含むマイクロ発光表示装置が含まれる。
表示装置の中で、有機発光表示装置は、自己発光型であり、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別個のバックライトを必要としないので軽量薄型が可能であり、消費電力において有利な長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価であるという長所がある。
有機発光表示装置は、アノード電極、アノード電極を区画するバンク、およびアノード電極上に形成される正孔輸送層（hole transporting layer）、有機発光層（organic light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）、および電子輸送層上に形成されるカソード電極を備える。ここで、アノード電極に高電位電圧が印加され、カソード電極に低電位電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて有機発光層に移動して、有機発光層で互いに結合して発光する。
有機発光表示装置では、画素は、アノード電極、有機発光層、及びカソード電極が順次に積層された各領域に形成される。バンクは、光を発光しない各非発光部に配置される。つまり、バンクは画素を定義する画素定義膜としての役割をする。
アノード電極は、コンタクトホールを通じて薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極に接続されて薄膜トランジスタを通じて高電位電圧が印加される。有機発光層は、コンタクトホールの段差により、コンタクトホール内で均一に蒸着され難いので、コンタクトホールに形成されず、バンクによって覆われる。
一方、最近では、有機発光表示装置を含むヘッドマウントディスプレイ（head mounted display）が開発されている。ヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display、HMD）は、眼鏡やヘルメットの形態で着用して、使用者の目前の近い距離に焦点が形成される仮想現実（Virtual Reality、VR）または拡張現実（Augmented Reality、AR）のモニター装置である。ヘッドマウントディスプレイとモバイル等に使用される小型の有機発光表示装置は、高解像度を有するので、画素の大きさがますます小さくなっている。
しかし、コンタクトホールは、フォト工程で形成され、フォト工程の限界によって所定の大きさ以下に形成することができない。つまり、画素のサイズが小さくてなってもコンタクトホールを小さくするには限界がある。特に、コンタクトホールは、非発光部に配置されるので、画素の大きさが小さくなる場合、画素内の非発光部の面積の割合が高くなり、発光部の面積の割合が低くなる。画素内で発光部の面積の割合が低くなる場合、発光部の減少した割合を補償するために、発光部の輝度を高くしなければならない。これにより、有機発光層の寿命が短くなる。
また、画素の大きさが小さくなる場合、薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極の大きさがコンタクトホールのサイズよりも小さくなり得る。この場合には、アノード電極がコンタクトホールを通じて露出したソースまたはドレイン電極の上部面にのみ形成されるのではなく、コンタクトホールの床面とソースまたはドレイン電極の側面にも形成され得る。これにより、アノード電極がコンタクトホールの床面とソースまたはドレイン電極との間の段差により、ソースまたはドレイン電極の側面でも図１ａ及び図１ｂに示すように、断線し得る。これにより、画素が発光しない点灯不良が発生し得る。
本発明は、有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる発光表示装置及びその製造方法を提供する。
また、本発明は、点灯不良を防止することができる発光表示装置及びその製造方法を提供する。
本発明の一実施例に係る発光表示装置は、複数の画素とコンタクトホールを備え、複数の画素の各々は、ゲート電極、前記ゲート電極と、重畳するアクティブ層、前記アクティブ層の一側に接続したソース電極、前記アクティブ層の他側に接続したドレイン電極を有するトランジスタ；第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、前記発光層上に配置された第２電極を有する発光素子を含み、前記コンタクトホールの少なくとも二つの画素の第１電極が各ソース電極の側面または、各ドレイン電極の側面に電気的に接続する。
本発明の他の実施例による発光表示装置は、複数の画素とコンタクトホールを備え、前記複数の画素の各々は、ゲート電極、ソース領域、およびドレイン領域を有するトランジスタ；前記ソース領域に接続したソース電極；前記ドレイン領域に接続したドレイン電極；前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれかに接続した補助電極；および前記補助電極に接続した発光素子の第１電極を含み、前記コンタクトホールにおいて、前記少なくとも二つの画素の第1電極は、各補助電極の側面に電気的に接続する。
本発明の実施例は、第１電極が共有コンタクトホール内で切断されるように形成することができる。その結果、本発明の実施例は、互いに隣接する画素それぞれの有機発光素子の第１電極が共有コンタクトホールを通じて薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続するように形成することができる。したがって、本発明の実施例は、Ｎ個の画素が有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールを共有することができる。その結果、本発明の実施例は、共有コンタクトホールによって発光部の面積が減少することを防止することができ、したがって、発光部の面積の減少によって有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる。
本発明の実施例は、第１平坦化膜、保護膜、ドレイン金属層、および層間絶縁膜を一括エッチングして、共有コンタクトホールを形成する。これにより、本発明の実施例は、薄膜トランジスタのドレイン電極の側面が共有コンタクトホールによって露出するように形成することができる。その結果、本発明の実施例は、薄膜トランジスタのドレイン電極のサイズがコンタクトホールのサイズよりも小さく形成されることを防止することができるので、第１電極がコンタクトホールの床面とドレイン電極との間の段差により、ソースまたはドレイン電極の側面で断線することを防ぐことができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
明細書全体にわたって同一の参照番号は、実質的に同一の構成要素を意味する。以下の説明では、本発明の主要な構成と関連がない場合や、本発明の技術分野で公知された構成と機能の詳細な説明は省略することができる。本明細書で記述する用語の意味は、次のように理解されなければならない。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述する実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の記載によってのみ定義される。
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
本明細書で言及した「備える」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現する場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り連続していない場合も備え得る。
第１、第２などがさまざまな構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」および「Ｚ軸方向」は、互いの関係が垂直方向からなる幾何学的な関係だけに解釈してはならず、本発明の構成は、機能的に作用することができる範囲内で、より広い方向性を有することを意味することができる。
「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。たとえば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうち少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれのみならず、第１項目、第２項目及び第３項目の中で２つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味することができる。
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に様々な連動と駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、連関関係で一緒に実施することもできる。
以下、添付の図を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図２は、本発明の一実施例による有機発光表示装置を示す斜視図である。図３は図２の有機発光表示装置を詳細に示す平面図である。
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、表示パネル１１０、ゲート駆動部１２０、ソースドライブ集積回路（integrated circuit、以下「ＩＣ」と称する）１３０、軟性フィルム１４０、回路基板１５０、およびタイミング制御部１６０を備える。
表示パネル１１０は、第１基板１１１と第２基板１１２を含む。第２基板１１２は、封止基板であり得る。第１基板１１１は、プラスチックフィルム（plastic film）またはガラス基板（glass substrate）であり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルム（保護フィルム）であり得る。
第2基板１１２と向き合う第1基板１１１の一面上にゲートライン、データライン、及び画素が形成される。画素はゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に設けられる。
画素の各々は、薄膜トランジスタと、第１電極、有機発光層、及び第２電極を備える有機発光素子を備え得る。画素の各々は、薄膜トランジスタを用いてゲートラインからゲート信号が入力する場合は、データラインのデータ電圧に応じて、有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素それぞれの有機発光素子は、所定の電流に応じて所定の明るさで発光することができる。画素に対する詳細な説明は、図４及び図８を結びつけて後述する。
表示パネル１１０は、図３のように画素が形成されて画像を表示する表示領域（ＤＡ）と画像を表示しない非表示領域（ＮＤＡ）に区分することができる。表示領域（ＤＡ）には、ゲートライン、データライン、及び画素が形成され得る。非表示領域（ＮＤＡ）は、ゲート駆動部１２０とパッドが形成され得る。
ゲート駆動部１２０は、タイミング制御部１６０から入力するゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一側または両側の外側の非表示領域（ＤＡ）にＧＩＰ（gate driver in panel）方式で形成され得る。また、ゲート駆動部１２０は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してＴＡＢ（tape automated bonding）方式で表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一側または両側の外側の非表示領域（ＤＡ）に設けることもできる。
ソースドライブＩＣ１３０は、タイミング制御部１６０からデジタルビデオデータとソース制御信号が入力する。ソースドライブＩＣ１３０は、ソース制御信号に基づいて、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブＩＣ１３０が駆動チップに製作されている場合には、ＣＯＦ（chip on film）またはＣＯＰ（chip on plastic）方式で軟性フィルム１４０に実装され得る。
表示パネル１１０の非表示領域（ＮＤＡ）には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム１４０には、パッドとソースドライブＩＣ１３０を接続する配線、パッドと回路基板１５０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム１４０は、異方性導電フィルム（antisotropic conducting film）を用いて、パッド上に付着し、これにより、パッドと軟性フィルム１４０の配線が接続し得る。
回路基板１５０は、軟性フィルム１４０に付着することができる。回路基板１５０は、駆動チップに実装された多数の回路が実装され得る。例えば、回路基板１５０には、タイミング制御部１６０が実装され得る。回路基板１５０は、プリント回路基板（printed circuit board）またはフレキシブルプリント回路基板（flexible printed circuit board）であり得る。
タイミング制御部１６０は、回路基板１５０のケーブルを通じて外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が入力する。タイミング制御部１６０は、タイミング信号に基づいて、ゲート駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブＩＣ１３０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部１６０は、ゲート制御信号をゲート駆動部１２０に供給し、ソース制御信号をソースドライブＩＣ１３０に供給する。
図4は、表示領域の画素の一例を詳細に示す平面図である。
図４では説明の便宜のために画素（Ｐ）、有機発光素子の第１電極（ＡＮＤ）、発光部（ＥＡ）、第１及び第２コンタクトホール（ＣＴ１、ＣＴ２）、および共有コンタクトホール（ＣＴＳ）のみを示した。
図４を参照すると、画素（Ｐ）のそれぞれは、少なくとも一つの薄膜トランジスタと有機発光素子を備える。
薄膜トランジスタは、アクティブ層、アクティブ層と重畳するゲート電極、アクティブ層の一側に接続するソース電極、およびアクティブ層の他側に接続するドレイン電極を備え得る。アクティブ層は、ソース領域、ドレイン領域、およびソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域を含む。従って、ソース電極は、アクティブ層のソース領域に接続し、ドレイン電極は、アクティブ層のドレイン領域に接続し得る。
有機発光素子は、アノード電極に対応する第１電極（ＡＮＤ）、有機発光層、及びカソード電極に対応する第２電極を備え得る。発光部（ＥＡ）は、第１電極（ＡＮＤ）、有機発光層、及び第２電極が順次に積層され、第１電極（ＡＮＤ）からの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して光を発光する領域を示す。隣接する画素（Ｐ）の発光部（ＥＡ）は、バンクによって区画され得、これにより、バンクは、光を発光しない非発光部に該当する。
第１コンタクトホール（ＣＴ１）は、薄膜トランジスタのドレイン電極をアクティブ層に接続するために形成されたコンタクトホールであり得る。したがって、薄膜トランジスタのドレイン電極は、第１コンタクトホール（ＣＴ１）を通じてアクティブ層に接続し得る。
第２コンタクトホール（ＣＴ２）は、薄膜トランジスタのソース電極をアクティブ層に接続するために形成されたコンタクトホールであり得る。したがって、薄膜トランジスタのソース電極は、第２コンタクトホール（ＣＴ２）を通じてアクティブ層に接続し得る。
Ｎ（Ｎは２以上の整数）個の画素（Ｐ）は、図４に示すように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有する。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、Ｎ個の画素（Ｐ）のそれぞれの薄膜トランジスタのドレイン電極を露出するホールである。つまり、Ｎ個の画素（Ｐ）の薄膜トランジスタのドレイン電極は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて露出し得る。Ｎ個の画素（Ｐ）のそれぞれの有機発光素子の第１電極（ＡＮＤ）は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）により薄膜トランジスタのドレイン電極に接続し得る。
図４では、「Ｎ＝４」である例を示したが、これに限定されない。例えば、図１３ａおよび図１４ａに示すように「Ｎ＝２」であり得、図１５ａに示すように「Ｎ＝３」でもあり得る。「Ｎ＝２」である場合にも、図１３ａに示すように、第１方向（例えば、ｙ軸方向）に隣接する画素（Ｐ）が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することもあり、図１４ａに示すように、第１方向（例えば、ｙ軸方向）と交差する第２方向（例えば、ｘ軸方向）に隣接する画素（Ｐ）が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することもできる。また、「Ｎ＝３」の場合、図１５ａに示すように三角形の形態で隣接する画素（Ｐ）が、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。
以上で説明したように、本発明の実施例は、Ｎ個の画素（Ｐ）が、有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホールにより発光部（ＥＡ）の面積が減少することを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部（ＥＡ）の面積の減少により、有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる。
一方、図４では、説明の便宜上、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）が薄膜トランジスタのドレイン電極を露出する例を示したが、これに限定されない。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、薄膜トランジスタのソース電極を露出することもできる。
図５は、図４のＩ−Ｉ’の一例を示す断面図である。
図５を参照すると、第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上には、バッファ膜が形成される。バッファ膜は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２１０と、有機発光素子２６０を保護するために、第１基板１１１の一面上に形成される。バッファ膜は、交互して積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜は、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONのいずれかひとつ以上の無機膜が交互に積層した多重膜で形成することができる。バッファ膜は省略することができる。
バッファ膜上には、薄膜トランジスタ２１０が形成される。図５では、画素（Ｐ）のそれぞれの第１電極２６１は、少なくとも一つの薄膜トランジスタのドレイン電極２１４に接続した例を示したが、これに限定されない。例えば、画素（Ｐ）のそれぞれの第１電極２６１は、ソース電極２１３に接続することもできる。
薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３およびドレイン電極２１４を備える。図５は、薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、top gate）方式で形成された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。つまり、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、bottom gate）方式またはゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部と下部の両方に位置するダブルゲート（double gate）方式で形成され得る。
バッファ膜上には、アクティブ層２１１が形成される。アクティブ層２１１は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。バッファ膜とアクティブ層２１１との間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
アクティブ層２１１上には、ゲート絶縁膜２２０が形成され得る。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
ゲート絶縁膜２２０上には、ゲート電極２１２とゲートラインが形成され得る。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタニウム（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）および、銅（Cu）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または複数層で形成され得る。
ゲート電極２１２とゲートライン上には、層間絶縁膜２３０が形成され得る。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。ゲート電極２１２は、ゲートラインに接続してゲートラインに提供される信号を入力することができる。
層間絶縁膜２３０上には、ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインが形成され得る。ソース電極２１３は、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第２コンタクトホール（ＣＴ２）を通じて、アクティブ層２１１に接続され得る。ドレイン電極２１４は、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第１コンタクトホール（ＣＴ１）を通じて、アクティブ層２１１に接続され得る。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタニウム（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）および銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または複数層で形成され得る。データラインは、ソース電極２１３に接続され、薄膜トランジスタが、ゲート電極２１２に提供するゲート信号によってターンオンされる場合、データラインに提供される駆動信号は、ドレイン電極２１４に提供され得る。
ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータライン上には、薄膜トランジスタ２１０を絶縁するための保護膜２４０が形成され得る。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
保護膜２４０上には、薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦にするための第１平坦化膜２５０が形成され得る。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
第１平坦化膜２５０上には、有機発光素子２６０とバンク２７０が形成される。有機発光素子２６０は、第１電極２６１、有機発光層２６２、及び第２電極２６３を備える。第１電極２６１は、アノード電極であり、第２電極２６３は、カソード電極であり得る。
第１電極２６１は、第１平坦化膜２５０上に形成され得る。第１電極２６１は、保護膜２４０と、第１平坦化膜２５０を貫通して層間絶縁膜２３０の一部が掘られた共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面に接続され得る。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第１平坦化膜２５０と保護膜２４０を貫通するホールであり得、層間絶縁膜２３０に部分的に延長され得る。したがって、層間絶縁膜２３０の一部が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）でくぼみがつくられ得る。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第１平坦化膜２５０、保護膜２４０、ドレイン電極２１４、および層間絶縁膜２３０を一括エッチングして形成する。従って、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面だけが共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって露出し得、第１電極２６１がドレイン電極２１４の露出した側面に接続するために共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の側面に沿って延長されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の露出した側面に接続され得る。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の形成に対しては、図７のＳ１０３工程で詳細に説明する。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図６のように入口（ＥＮＴ）、床面（ＦＬ）、およびコンタクト領域（ＣＮＴ）を備え得る。第１電極２６１と薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４は、入口（ＥＮＴ）と床面（ＦＬ）の間に位置するコンタクト領域（ＣＮＴ）で互いに接続する。コンタクト領域（ＣＮＴ）で第１電極２６１が薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４と接続するように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）からコンタクト領域（ＣＮＴ）まで正テーパー形状に傾斜した側壁を有するように形成され、特に入口（ＥＮＴ）の幅（Ｗ１）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成され得る。また、画素（Ｐ）の第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で前記画素（Ｐ）と隣接する画素（Ｐ）の第１電極と切断されなければならない。したがって、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で、第１電極２６１を、隣接する画素（Ｐ）の第１電極と切断されるように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）の幅（Ｗ２）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成され得る。特にコンタクト領域（ＣＮＴ）から床面（ＦＬ）まで逆テーパー形状に傾斜形成したり、コンタクト領域（ＣＮＴ）で薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるように、そのような形態で形成することができる。たとえば、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図５に示すように、トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるように、トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下に配置された層間絶縁膜２３０が掘られたアンダーカット（under cut）形態を有することができる。アンダートカットは、第１電極２６１を形成する物質の一部を収容する空間を提供するので、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で、第１電極２６１は、切断され得る。
第１電極２６１は、スパッタリング法（sputtering）、ｅ−ＢＥＡＭ蒸着法、および蒸発法（Evaporation）などで形成し得る。第１電極２６１を、ステップカバレッジ特性に優れたスパッタリング法（sputtering）で形成しても、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断するように形成され得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法により蒸着された膜が、段差が形成された部分でも切断されずにつながるように形成されることを指す。しかし、図６のように、第１電極２６１を形成する工程が、優れたステップカバレッジを有していても、第１電極２６１は、アンダーカットのためにコンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で切断され得る。
また、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）が、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるような形態で形成されるので、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）には、第１電極２６１と切断されるようにダミー電極２６１ａを形成し得る。ダミー電極２６１ａは、図５に示すように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で層間絶縁膜２３０の側面の第１部分に接することができる。層間絶縁膜２３０の側面の第２部分は、ダミー電極２６１ａに接しないことがあり得る。第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、同一な工程で形成されるので、同一物質で形成され得る。従って、ダミー電極２６１ａは、第１電極２６１を形成する物質の一部であり得、ダミー電極２６１ａは、第１電極と切断している。例えば、第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成し得る。透明な金属物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
バンク２７０は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たすように形成し得る。バンク２７０は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で層間絶縁膜２３０の側面の第２部分に接することができる。つまり、バンク２７０は、ダミー電極２６１ａの上面とドレイン電極２１４の下面との間に、層間絶縁膜２３０の側面に接することができる。また、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を区画するために、第１平坦化膜２５０上で第１電極２６１の端を覆うように形成し得る。つまり、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を定義する役割をする。
発光部（ＥＡ）のそれぞれは、アノード電極に該当する第１電極２６１、有機発光層２６２、及びカソード電極に該当する第２電極２６３が順次に積層され、第１電極からの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して発光する領域を示す。この場合には、バンク２７０が形成された領域は、光を発光しないので、非発光部と定義することができる。
バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
第１電極２６１とバンク２７０上には、有機発光層２６２が形成される。有機発光層２６２は、画素（Ｐ）に共通して形成される共通層であり、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合には、有機発光層２６２は、２スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックはそれぞれ、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を備え得る。
また、スタックの間には、電荷生成層を形成し得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷生成層とｎ型電荷生成層上に形成され、上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷生成層を備え得る。ｎ型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入して、ｐ型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。ｎ型電荷生成層は、電子輸送能力を有する有機ホスト物質にLi、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属がドープされた有機層であり得る。ｐ型電荷生成層は、正孔輸送能力を有する有機ホスト物質にドーパントがドープされた有機層であり得る。
図５では、有機発光層２６２が画素（Ｐ）に共通して形成される共通層であり、白色光を発光する白色発光層である例を示したが、本発明の実施例は、これに限定されない。つまり、有機発光層２６２は、画素（Ｐ）ごとに形成することができ、この場合、画素（Ｐ）は、赤色光を発光する赤色発光層を含む赤色画素、緑色光を発光する緑色発光層を含む緑色画素、および青色光を発光する青色画素に区分し得る。
第２電極２６３は、有機発光層２６２上に形成される。第２電極２６３は、画素（Ｐ）に共通して形成される共通層である。第２電極２６３は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成し得る。第２電極２６３が半透過金属物質で形成する場合には、マイクロキャビティ（micro cavity）によって出光効率が高くなり得る。第２電極２６３上にキャップピング層（capping layer）が形成され得る。
第２電極２６３上に封止膜２８０が配置される。封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。封止膜２８０は、少なくとも一つの無機膜を備え得る。無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。また、封止膜２８０は、異物（particles）が無機膜を突き抜けて、有機発光層２６２と第２電極２６３に投入されることを防止するために、少なくとも一つの有機膜をさらに備え得る。
カラーフィルタ３０１、３０２とブラックマトリックス３１０が第２基板１１２上に配置され、第２基板１１２と封止膜２８０の間に配置され得る。カラーフィルタ３０１、３０２それぞれは、画素（Ｐ）それぞれに対応するように配置され得る。ブラックマトリックス３１０は、部分的に重畳する隣接カラーフィルタ３０１、３０２間に配置され得、バンク２７０に対応するように配置され得る。
第２基板１１２のカラーフィルタ３０１、３０２と、第１基板１１１の封止膜２８０は、接着層２９０を用いて接着することができる。これにより、第１基板１１１および、第１基板１１１上に形成された構造物は、第２基板１１２および第２基板１１２上に形成された構造物と合着され得る。接着層２９０は、透明な接着フィルムまたは透明な接着レジンであり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルム（保護フィルム）であり得る。
以上で説明したように、本発明の実施例は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）が、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断され得る。その結果、本発明の実施例は、互いに隣接する画素（Ｐ）のそれぞれの第１電極２６１は、互いに短絡せず、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて、各薄膜トランジスタ２１０の各ドレイン電極２１４と電気的に接続するように形成することができる。したがって、本発明の実施例は、Ｎ個の画素（Ｐ）が、有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホールにより発光部（ＥＡ）の面積が減少することを防止することができ、発光部（ＥＡ）の面積の減少によって有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる。
図７は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を示す流れ図である。図８ａ〜図８ｆは、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
図８ａ〜図８ｆに示した断面図は、前述した図５に示した有機発光表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対して同一の符号を付与した。以下では、図７及び図８ａ〜図８ｆを結びつけて、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
Ｓ１０１工程で、図８ａのように、薄膜トランジスタ２１０のそれぞれのアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、およびソース電極２１３、およびドレイン金属層２１４ａを形成し、薄膜トランジスタ２１０を覆う保護膜２４０と、第１平坦化膜２５０を形成する。
詳細には、薄膜トランジスタを形成する前に、基板１１０を通じて浸透する水分から保護するために、第１基板１１１上にバッファ膜を形成することができる。バッファ膜は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２１０と、有機発光素子２６０を保護するためのものであり、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜は、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONのいずれかひとつ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成することができる。バッファ膜は、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することができる。
そして、バッファ膜上に薄膜トランジスタのアクティブ層２１１を形成する。詳細には、スパッタリング法（Sputtering）またはＭＯＣＶＤ法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などを用いて、バッファ膜上全面に、アクティブ金属層を形成することができる。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングして、アクティブ層２１１を形成することができる。アクティブ層２１１は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。
そして、アクティブ層２１１上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
そして、ゲート絶縁膜２２０上に薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２を形成する。詳細には、スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などを用いて、ゲート絶縁膜２２０上の全面に第１金属層を形成することができる。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第１金属層をパターニングしてゲート電極２１２を形成することができる。ゲート電極２１２は、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタニウム（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれかひとつ、またはこれらの合金からなる単一層または複数層で形成され得る。
そして、ゲート電極２１２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
そして、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通して、アクティブ層２１１を露出するコンタクトホール（ＣＴ１、ＣＴ２）を形成する。
そして、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン金属層２１４ａを形成する。詳細には、スパッタリング法またはＭＯＣＶＤ法などを用いて、第１及び第２コンタクトホール（ＣＴ１、ＣＴ２）と層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成することができる。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第２金属層をパターニングして、ソース電極２１３とドレイン金属層２１４ａを形成することができる。ソース電極２１３は、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第２コンタクトホール（ＣＴ２）を通じて、アクティブ層２１１の一側に接続され得る。ドレイン金属層２１４ａは、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第１コンタクトホール（ＣＴ１）を通じて、アクティブ層２１１の他側に接続され得る。ソース電極２１３とドレイン金属層２１４ａは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタニウム（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれかひとつ、またはこれらの合金からなる単一層または複数層で形成され得る。一方、図８ａに示すように、互いに隣接する画素（Ｐ）においてドレイン金属層２１４ａは、互いに接続するように形成することができる。
そして、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン金属層２１４ａ、および層間絶縁膜２３０上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。保護膜２４０は、ＣＶＤ法を用いて形成することができる。
そして、保護膜２４０上に薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための第１平坦化膜２５０を形成する。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成ことができる。
Ｓ１０２工程で、図８ｂに示すように、第１平坦化膜２５０上に第１フォトレジストパターン（ＰＲ１）を形成する。第１フォトレジストパターン（ＰＲ１）は共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成する領域を除いた領域に形成され得る。
Ｓ１０３工程で、図８ｃに示すように、第１フォトレジストパターン（ＰＲ１）によって覆われない第１平坦化膜２５０、保護膜２４０、ドレイン金属層２１４ａ、および層間絶縁膜２３０を一括エッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成した後、第１フォトレジストパターン（ＰＲ１）を除去する。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第１平坦化膜２５０、保護膜２４０、およびドレイン金属層２１４ａを貫通する孔である。また、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、層間絶縁膜２３０に部分的に延長され得る。従って、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって、層間絶縁膜２３０の一部にくぼみができるように形成する。第１平坦化膜２５０、保護膜２４０、ドレイン金属層２１４ａ、および層間絶縁膜２３０を一括エッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成するため、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面だけが共有コンタクトホール（ＣＴＳ）により露出するようにドレイン電極２１４のパターンを完成することができる。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）、床面（ＦＬ）、および入口（ＥＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面が露出したコンタクト領域（ＣＮＴ）を備え得る。第１電極２６１が薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４と接続するように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）からコンタクト領域（ＣＮＴ）まで正テーパー形状に傾斜して形成され、特に、入口（ＥＮＴ）の幅（Ｗ１）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ２）より広く形成され得る。また、画素（Ｐ）の第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断され、そうでなければ、前記画素（Ｐ）と隣接する画素（Ｐ）の第１電極と接続することができる。したがって、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で、第１電極２６１を切断するように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）の幅（Ｗ３）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ２）より広く形成され、特にコンタクト領域（ＣＮＴ）から床面（ＦＬ）まで逆テーパー形状に傾斜して形成したり、コンタクト領域（ＣＮＴ）で薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現われるような形態で形成され得る。たとえば、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図５に示すように、トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるように、トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下に配置された層間絶縁膜２３０が掘られたアンダーカット（under cut）の形態を有することができる。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、ドライエッチング（dry etch）工程を用いて形成することができる。まず、第１エッチングガスを用いて、第１平坦化膜２５０と保護膜２４０をエッチングしてドレイン金属層２１４ａを露出する。この場合、第１エッチングガスは、第１平坦化膜２５０と保護膜２４０をエッチングするが、ドレイン金属層２１４ａのような金属膜をエッチングしないガスであり得る。そして、第２エッチングガスを用いてドレイン金属層２１４ａをエッチングしてドレイン電極２１４を形成する。この場合、第２エッチングガスは、ドレイン金属層２１４ａのような金属膜をエッチングして、層間絶縁膜２３０をエッチングしないガスであり得る。そして、アンダーカットとくぼみが掘られた部分を形成するために第３エッチングガスを用いて層間絶縁膜２３０をエッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を完成することができる。薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるように、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成するために、第３エッチングガスは、酸素（O2）または酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスであり得る。
Ｓ１０４工程で、図８ｄに示すように、第１平坦化膜２５０と共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の傾斜側面上に第1電極２６１を形成する。
詳細には、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ｅ−ＢＥＡＭ蒸着法、または蒸発法（Evaporation）などを用いて、第1平坦化膜２５０上の全面に第３金属層を形成することができる。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第３金属層をパターニングして第１電極２６１を形成することができる。
第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて露出した薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面に接続され得る。第１電極２６１は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面にのみに接続されるので、第１電極２６１とドレイン電極２１４のコンタクト抵抗が高くなり得る。したがって、第１電極２６１とドレイン電極２１４のコンタクト抵抗を下げるために、第１電極２６１の厚さとドレイン電極２１４の厚さは、適切なコンタクト抵抗を提供するために十分な厚さに選択することができる。第１電極２６１とドレイン電極２１４のコンタクト抵抗を考慮した第１電極２６１の厚さとドレイン電極２１４の厚さは、事前実験を通じて予め設定され得る。
第１電極２６１が、ステップカバレッジ特性に優れたスパッタリング法（sputtering）で形成されても、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断され得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法により蒸着された膜が、段差が形成された部分でも切れずにつながるように形成されることを指す。
また、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）には、第１電極２６１と切断するようにダミー電極２６１ａを形成し得る。第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、同一工程で形成されるので、同一物質で形成され得る。つまり、ダミー電極２６１ａは、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で床面（ＦＬ）上に形成された第３金属層の一部であり得るが、アンダーカットまたは逆テーパー形状により、第1電極２６１と切断され得る。
例えば、第１電極２６１とダミー電極２６１aは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成され得る。透明な金属物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
Ｓ１０５工程で、図８ｅに示すように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たすようバンク２７０を形成する。
バンク２７０は、有機発光層２６２が均一に蒸着されるように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たす役割をする。また、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を区画するために、第１平坦化膜２５０上で第１電極２６１の端を覆うように形成され得る。つまり、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を定義する役割をする。
バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
Ｓ１０６工程で、図８ｆに示すように、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する。
詳細には、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２を蒸着工程または溶液工程で形成する。有機発光層２６２は、画素（Ｐ）に共通して形成される共通層であり得る。この場合、有機発光層２６２は、白色光を発光する白色発光層で形成することができる。
有機発光層２６２が白色発光層である場合には、２スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を備え得る。
また、スタックの間には、電荷生成層が形成され得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷生成層とｎ型電荷生成層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷生成層を備え得る。ｎ型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、ｐ型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。ｎ型電荷生成層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaのようなアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。ｐ型電荷生成層は、正孔輸送能力を有する有機物質にドーパントがドーピングされてなり得る。
そして、有機発光層２６２上に第２電極２６３を形成する。第２電極２６３は、画素（Ｐ）に共通して形成される共通層であり得る。第２電極２６３は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）で形成され得る。第２電極２６３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（micro cavity）によって出光効率が高くなり得る。第２電極２６３は、スパッタリング法のような物理気相蒸着法 （physics vapor deposition）で形成され得る。第２電極２６３上にキャップピング層（capping layer）が形成され得る。
そして、第２電極２６３上に封止膜２８０を形成する。封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２８０は、少なくとも一つの無機膜を備え得る。無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、または酸化チタンで形成され得る。
また、封止膜２８０は、少なくとも一つの有機膜をさらに備え得る。有機膜は、異物（particles）が封止膜２８０を突破し、有機発光層２６２と第2電極２６３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することができる。
そして、カラーフィルタ３０１、３０２とブラックマトリックス３１０が形成された第２基板１１２を、第１基板１１１に合着する。第２基板１１２のカラーフィルタ３０１、３０２と、第１基板１１１の封止膜２８０は、接着層２９０を用いて接着することができる。接着層２９０は、透明な接着フィルムまたは透明な接着レジンであり得る。（図７のＳ１０６）
以上で説明したように、本発明の実施例は、第１平坦化膜２５０、保護膜２４０、ドレイン金属層２１４ａ、および層間絶縁膜２３０を一括エッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成する。これにより、本発明の実施例は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の側面が、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって露出するように形成することができる。その結果、本発明の実施例は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４のサイズがコンタクトホールのサイズよりも小さく形成されることを防止することができるので、第１電極２６１がコンタクトホールの床面とドレイン電極２１４との間の段差により、ソースまたはドレイン電極の側面で断線することを防ぐことができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
図９は、表示領域の画素の別の例を詳細に示す平面図である。
図９は、説明の便宜上、画素（Ｐ）、第１電極（ＡＮＤ）、発光部（ＥＡ）、補助コンタクトホール（ＣＴ３）、および共有コンタクトホール（ＣＴＳ）のみを示した。
図９を参照すると、画素（Ｐ）のそれぞれは、少なくとも一つの薄膜トランジスタと有機発光素子を備える。
薄膜トランジスタは、アクティブ層、アクティブ層と重畳するゲート電極、アクティブ層の一側に接続するソース電極、およびアクティブ層の他側に接続するドレイン電極を備え得る。
有機発光素子は、アノード電極に該当する第１電極（ＡＮＤ）、有機発光層、及びカソード電極に該当する第２電極を備え得る。発光部（ＥＡ）は、第１電極（ＡＮＤ）、有機発光層、及び第２電極が順次に積層され、第１電極（ＡＮＤ）からの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して光を発光する領域を示す。隣接する画素（Ｐ）の発光部（ＥＡ）は、バンクによって区画され得、これにより、バンクは、光を発光しない非発光部に該当する。
補助コンタクトホール（ＣＴ３）は、薄膜トランジスタのドレイン電極を補助電極に接続するために形成されたコンタクトホールであり得る。したがって、薄膜トランジスタのドレイン電極は、補助コンタクトホール（ＣＴ３）を通じて補助電極に接続され得る。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、Ｎ（Ｎは２以上の整数）個の画素（Ｐ）それぞれのドレイン電極に接続した補助電極を露出するホールであり得る。つまり、Ｎ個の画素（Ｐ）の補助電極は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて露出し得る。Ｎ個の画素（Ｐ）それぞれの有機発光素子の第１電極は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって補助電極に接続し得る。つまり、Ｎ個の画素（Ｐ）それぞれの有機発光素子の第１電極は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）と補助電極を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続することができる。
Ｎ個の画素（Ｐ）は、図９に示すように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有する。図９では、「Ｎ＝４」である例を示したが、これに限定されない。例えば、図１３ｂ及び図１４ｂに示すように「Ｎ＝２」であり得、図１５ａに示すように「Ｎ＝３」でもあり得る。「Ｎ＝２」である場合にも、図１３ｂに示すように、第１方向（例えば、ｙ軸方向）に隣接する画素（Ｐ）が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することもあり、図１４ｂに示すように、第１方向（例えば、ｙ軸方向）と交差する第２方向（例えば、ｘ軸方向）に隣接する画素（Ｐ）が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することもできる。また、「Ｎ＝３」の場合、図１５ｂに示すように三角形の形態で隣接する画素（Ｐ）が、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。
以上で説明したように、本発明の実施例は、Ｎ個の画素（Ｐ）が、有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を電気的に接続するための共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホールにより発光部（ＥＡ）の面積が減少することを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部（ＥＡ）の面積の減少によって有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる。
一方、図９では、説明の便宜上、補助電極が補助コンタクトホール（ＣＴ３）を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した例を示したが、これに限定されない。つまり、補助電極は、補助コンタクトホール（ＣＴ３）を通じて薄膜トランジスタのソース電極に接続させることができる。
図１０は、図９のII−II’の他の例を示す断面図である。
図１０に示す断面図は、補助電極２６４と第２平坦化膜２５１が追加で形成され、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３またはドレイン電極２１４ではない補助電極２６４が露出したことを除いては、図５を結びつけて説明したのと実質的に同一である。したがって、図１０に示す第１及び第２基板１１１、１１２、薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、及びドレイン電極２１４、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０、及び第１平坦化膜２５０、有機発光層２６２、第２電極２６３、封止膜２８０、接着層２９０、カラーフィルタ３０１、３０２、およびブラックマトリックス３１０の詳細な説明は省略する。
図１０を参照すると、保護膜２４０と、第１平坦化膜２５０を貫通して薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４を露出する補助コンタクトホール（ＣＴ３）が形成される。補助電極２６４は、第１平坦化膜２５０と補助コンタクトホール（ＣＴ３）上に形成され、補助コンタクトホール（ＣＴ３）を通じて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４に接続され得る。
補助電極２６４は、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成され得る。透明な金属物質はＩＴＯ、ＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
補助電極２６４の上と補助コンタクトホール（ＣＴ３）内には、第２平坦化膜２５１が形成される。第２平坦化膜２５１は、補助コンタクトホール（ＣＴ３）を満たすように形成され得る。第２平坦化膜２５１は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
第１電極２６１は、第２平坦化膜２５１上に形成され得る。第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて補助電極２６４の側面に接続され得る。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第２平坦化膜２５１を貫通し、第１平坦化膜２５０に部分的に延長されたホールであり得る。したがって、第１平坦化膜２５０の一部は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）でくぼみが掘られ得る。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第２平坦化膜２５１、補助電極２６４、及び第１平坦化膜２５０を一括エッチングして形成する。従って、補助電極２６４の側面だけが共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって露出することができ、これにより、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて補助電極２６４の側面に接続することができる。共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の形成については、図１１のＳ２０５工程で詳細に説明する。
第１電極２６１は、補助電極２６４の側面にのみに接続するので、第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗が高くなり得る。したがって、第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗を下げるために、第１電極２６１の厚さと補助電極２６４の厚さは、ある程度厚く形成することが好ましい。第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗を考慮した第１電極２６１の厚さと補助電極２６４の厚さは、事前実験を通じて予め設定され得る。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図６のように入口（ＥＮＴ）、床面（ＦＬ）、および入口（ＥＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で、第１電極２６１と補助電極２６４が接続するコンタクト領域（ＣＮＴ）を備え得る。第１電極２６１が補助電極２６４と接続するように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）からコンタクト領域（ＣＮＴ）まで正テーパー形状で傾斜した側壁を有するように形成され、特に入口（ＥＮＴ）の幅（Ｗ１）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成され得る。また、画素（Ｐ）の第１電極２６１が、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で画素（Ｐ）と隣接する画素（Ｐ）の第１電極と切断されなければならない。従って、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で、第１電極２６１を切断されるようにするために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）の幅（Ｗ２）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成され、特にコンタクト領域（ＣＮＴ）から床面（ＦＬ）まで逆テーパー形状に傾斜して形成したり、コンタクト領域（ＣＮＴ）で補助電極２６４の下部面が現れるような形態で形成され得る。たとえば、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図１０のように補助電極２６４の下部面が現れるように補助電極２６４の下に配置された第１平坦化膜２５０が掘られたアンダーカット（under curt）の形態を有することができる。
第１電極２６１は、スパッタリング法（sputtering）、ＭＯＣＶＤ法、ｅ−ＢＥＡＭ蒸着法、または蒸発法（Evaporation）などで形成され得る。第１電極２６１が、ステップカバレッジ特性に優れたスパッタリング法（sputtering）で形成されても、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状を有するように形成されたり補助電極２６４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断され得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法により蒸着された膜が、段差が形成された部分でも切れずにつながるように形成されることを指す。
また、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）には、第１電極２６１と切断されるようにダミー電極２６１ａが形成され得る。第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、同一工程で形成されるので、同一物質で形成され得る。例えば、第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成され得る。透明な金属物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
バンク２７０は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たすように形成され得る。また、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を区画するための第２平坦化膜２５１上で第１電極２６１の端を覆うように形成され得る。つまり、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を定義する役割をする。
以上で説明したように、本発明の実施例は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）が、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断するように形成され得る。その結果、本発明の実施例は、互いに隣接する画素（Ｐ）それぞれの有機発光素子２６０の第１電極２６１が、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて補助電極２６４と接続するように形成することができる。従って、第１電極２６１は、補助電極２６４を通じて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４と電気的に接続することができる。したがって、本発明の実施例は、Ｎ個の画素（Ｐ）が、有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を共有することができる。その結果、本発明の実施例は、コンタクトホールによって発光部（ＥＡ）の面積が減少することを防止することができ、発光部（ＥＡ）の面積減少によって有機発光層の寿命が短くなることを防止することができる。
図１１は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を示す流れ図である。図１２ａ〜図１２ｈは、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのIII−III’の断面図である。
図１２ａ〜図１２ｈに示した断面図は、前述した図１０に示した有機発光表示装置の製造方法に関するものなので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。以下では、図１１及び図１２ａ〜図１２ｈを結びつけて、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
Ｓ２０１工程で、図１２ａに示すように、薄膜トランジスタ２１０それぞれのアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、及びドレイン電極２１４を形成し、薄膜トランジスタ２１０を覆う保護膜２４０と、第１平坦化膜２５０を形成する。
薄膜トランジスタ２１０それぞれのアクティブ層２１１とゲート電極２１２、ゲート絶縁膜２２０、および層間絶縁膜２３０を形成する方法は、図８ａを結びつけて説明した図７のＳ１０１ステップと実質的に同一なので省略する。
層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン電極２１４を形成する。詳細には、スパッタリング法またはＭＯＣＶＤ法などを用いて層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成することができる。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第２金属層をパターニングして、ソース電極２１３とドレイン電極２１４を形成することができる。ソース電極２１３は、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第２コンタクトホールを通じて、アクティブ層２１１の一側に接続され得る。ドレイン電極２１４は、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通する第１コンタクトホールを通じて、アクティブ層２１１の他側に接続され得る。ソース電極２１３とドレイン電極２１４は、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタニウム（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または複数層で形成され得る。
そして、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン電極２１４、および層間絶縁膜２３０上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。保護膜２４０は、ＣＶＤ法を用いて形成することができる。
そして、保護膜２４０上に薄膜トランジスタ２１０に起因する段差を平坦化するための第１平坦化膜２５０を形成する。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成ことができる。
Ｓ２０２工程で、図１２ｂに示すように、第１平坦化膜２５０上に第２フォトレジストパターン（ＰＲ２）を形成する。第２フォトレジストパターン（ＰＲ２）は補助コンタクトホール（ＣＴ３）を形成する領域を除いた領域に形成され得る。
Ｓ２０３工程で、図１２ｃに示すように、第２フォトレジストパターン（ＰＲ２）によって覆われていない第１平坦化膜２５０をエッチングして薄膜トランジスタ２１０それぞれのドレイン電極２１４を露出する補助コンタクトホール（ＣＴ３）を形成した後、第２フォトレジストパターン（ＰＲ２）を除去する。（図１１のＳ２０３）
Ｓ２０４工程で、図１２ｄに示すように、第１平坦化膜２５０上と補助コンタクトホール（ＣＴ３）内で補助金属層２６４’を形成する。補助金属層２６４’は、補助コンタクトホール（ＣＴ３）で薄膜トランジスタ２１０それぞれの露出したドレイン電極２１４に接続され得る。
補助金属層２６４’は、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成され得る。透明な金属物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
そして、補助金属層２６４’上に第２平坦化膜２５１を形成する。第２平坦化膜２５１は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成ことができる。
そして、第２平坦化膜２５１上に第３フォトレジストパターン（ＰＲ３）を形成する。第３フォトレジストパターン（ＰＲ３）は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成する領域を除いた領域に形成され得る。
Ｓ２０５工程で、図１２ｅに示すように、第３フォトレジストパターン（ＰＲ３）によって覆われない第２平坦化膜２５１、補助金属層２６４’、及び第１平坦化膜２５０を一括エッチングして共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成した後、第３フォトレジストパターン（ＰＲ３）を除去する。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、第２平坦化膜２５１と補助金属層２６４’を貫通する孔であり、第１平坦化膜２５０に部分的に延長される。従って、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって、第１平坦化膜２５０の一部がくぼむように掘って形成される。第２平坦化膜２５１、補助金属層２６４’、及び第１平坦化膜２５０を一括エッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成するため、補助電極２６４の側面だけが共有コンタクトホール（ＣＴＳ）によって露出するように補助電極２６４のパターンを完成し得る。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）、床面（ＦＬ）、および入口（ＥＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で補助電極２６４の側面が露出したコンタクト領域（ＣＮＴ）を備え得る。第１電極２６１が薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４と接続するように形成するために、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、入口（ＥＮＴ）からコンタクト領域（ＣＮＴ）まで正テーパー形状に傾斜形成され、特に、入口（ＥＮＴ）の幅（Ｗ１）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成され得る。また、画素（Ｐ）の第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）上で切断されなければならず、そうでない場合は、前記画素（Ｐ）と隣接する画素（Ｐ）の第１電極が接続し得る。したがって、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で、第１電極２６１が切断されるようにするため、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）の幅（Ｗ２）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）の幅（Ｗ３）より広く形成し、特にコンタクト領域（ＣＮＴ）から床面（ＦＬ）まで逆テーパー形状に傾斜するように形成したり、コンタクト領域（ＣＮＴ）で補助電極２６４の下部面が現れるような形態で形成し得る。たとえば、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、図１０のように補助電極２６４の下部面が現れるように補助電極２６４の下に配置された第１平坦化膜２５０が掘られたアンダーカット（under cut ）の形態を有することができる。
共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、ドライエッチング（dry etch）工程を用いて形成することができる。まず、第１エッチングガスを用いて、第２平坦化膜２５１をエッチングして、補助金属層２６４’を露出する。この場合、第１エッチングガスは、第２平坦化膜２５１をエッチングするが、補助金属層２６４’のような金属膜をエッチングしないガスであり得る。そして、第２エッチングガスを用いて補助金属層２６４’をエッチングして補助電極２６４を形成する。この場合、第２エッチングガスは、補助金属層２６４’のような金属膜をエッチングして、第１平坦化膜２５０をエッチングしないガスであり得る。そして、アンダーカットとくぼむように掘られた部分を形成するために第３エッチングガスを用いて、第１平坦化膜２５０をエッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を完成することができる。（図１１のＳ２０５）
Ｓ２０６工程で、図１２ｆに示すように、第２平坦化膜２５１と共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の傾斜面上に第１電極２６１を形成する。
詳細には、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ｅ−ＢＥＡＭ蒸着法、または蒸発法（Evaporation）などを用いて、第２平坦化膜２５１上の全面に第３金属層を形成することができる。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第３金属層をパターニングして第１電極２６１を形成することができる。
第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を通じて露出した補助電極２６４の側面に接続され得る。第１電極２６１は、補助電極２６４の側面にのみに接続するので、第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗が高くなり得る。したがって、第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗を下げるために、第１電極２６１の厚さと補助電極２６４の厚さは、適切なコンタクト抵抗を提供するために十分な厚さに選択することができる。第１電極２６１と補助電極２６４のコンタクト抵抗を考慮した第１電極２６１の厚さと補助電極２６４の厚さは、事前実験を通じて予め設定され得る。
第１電極２６１を、ステップカバレッジ特性に優れたスパッタリング法（sputtering）で形成しても、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）は、コンタクト領域（ＣＮＴ）と床面（ＦＬ）の間で逆テーパー形状または補助電極２６４の下部面が現れるような形態で形成されるので、第１電極２６１は、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）内で切断され得る。ステップカバレッジは、所定の蒸着方法により蒸着された膜の段差が形成された部分でも切れずにつながるように形成されることを指す。
また、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）の床面（ＦＬ）には、第１電極２６１と切断されるようにダミー電極２６１ａを形成し得る。第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、同一工程で形成できるので、同一物質で形成され得る。第１電極２６１とダミー電極２６１ａは、透明な金属物質または不透明な金属物質で形成され得る。透明な金属物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのＴＣＯ（Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）であり得る。不透明な金属物質は、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、モリブデン（Mo）、モリブデンとチタンの積層構造（Mo/Ti）、銅（Cu）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、またはＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）であり得る。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。（図１１のＳ２０６）
Ｓ２０７工程で、図１２ｇに示すように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たすようバンク２７０を形成する。
バンク２７０は、有機発光層２６２が均一に蒸着されるように共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を満たす役割をする。また、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を区画するための第２平坦化膜２５１上で第１電極２６１の端を覆うように形成され得る。つまり、バンク２７０は、発光部（ＥＡ）を定義する役割をする。
バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。（図１１のＳ２０７）
Ｓ２０８工程で、図１２ｈに示すように、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２と第2電極２６３を形成する。
図１２のＳ２０８工程の有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する工程は、図６のＳ１０６工程と実質的に同一である。したがって、図１２のＳ２０８工程の有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する工程の詳細な説明は省略する。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第２平坦化膜２５１、補助金属層２６４’、及び第１平坦化膜２５０を一括エッチングして、共有コンタクトホール（ＣＴＳ）を形成する。これにより、本発明の実施例は、補助電極２６４の側面が共有コンタクトホール（ＣＴＳ）で露出するように形成することができる。その結果、本発明の実施例は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４のサイズがコンタクトホールのサイズよりも小さく形成されることを防止することができるので、第１電極２６１がコンタクトホールの床面とドレイン電極２１４との間の段差により、ソースまたはドレイン電極の側面で断線することを防ぐことができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
以上、添付の図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
１００：有機発光表示装置
１１０：表示パネル
１１１：下部基板
１１２：上部基板
１２０：ゲート駆動部
１３０：ソースドライブＩＣ
１４０：軟性フィルム
１５０：回路基板
１６０：タイミング制御部
２１０：薄膜トランジスタ
２１１：アクティブ層
２１２：ゲート電極
２１３：ソース電極
２１４：ドレイン電極
２２０：ゲート絶縁膜
２３０：層間絶縁膜
２４０：保護膜
２５０：第１平坦化膜
２５１：第２平坦化膜
２６０：有機発光素子
２６１：第１電極
２６２：有機発光層
２６３：第２電極
２６４：補助電極
２７０：バンク
２８０：封止膜
２９０：接着層
３０１、３０２：カラーフィルタ
３１０：ブラックマトリックス
１１０：表示パネル
１１１：下部基板
１１２：上部基板
１２０：ゲート駆動部
１３０：ソースドライブＩＣ
１４０：軟性フィルム
１５０：回路基板
１６０：タイミング制御部
２１０：薄膜トランジスタ
２１１：アクティブ層
２１２：ゲート電極
２１３：ソース電極
２１４：ドレイン電極
２２０：ゲート絶縁膜
２３０：層間絶縁膜
２４０：保護膜
２５０：第１平坦化膜
２５１：第２平坦化膜
２６０：有機発光素子
２６１：第１電極
２６２：有機発光層
２６３：第２電極
２６４：補助電極
２７０：バンク
２８０：封止膜
２９０：接着層
３０１、３０２：カラーフィルタ
３１０：ブラックマトリックス
Claims (20)
- 複数の画素とコンタクトホールを備え、
複数の画素の各々は、
ゲート電極、前記ゲート電極と重畳するアクティブ層、前記アクティブ層の一側に接続したソース電極、前記アクティブ層の他側に接続したドレイン電極を有するトランジスタと、
第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、前記発光層上に配置された第２電極を有する発光素子を含み、
前記コンタクトホールで少なくとも二つの画素の第１電極が各ソース電極の側面または各ドレイン電極の側面に電気的に接続することを特徴とする発光表示装置。 - 前記コンタクトホールが、前記各ソース電極又は前記各ドレイン電極の下部面を露出するためにアンダーカットされたことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
- 前記コンタクトホールが、第１幅で形成された入口、第２幅で形成された床面、及び前記入口と前記床面の間に位置して第３幅で形成されたコンタクト領域を含み、前記第１電極は、前記コンタクト領域において、前記各ソース電極又は前記各ドレイン電極に電気的に接続し、前記第３幅は、前記第１幅と前記第２幅よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
- 前記コンタクトホールの前記床面に配置され、前記少なくとも二つの画素の前記第１電極と切断されたダミー電極をさらに備える、請求項３に記載の発光表示装置。
- 前記ダミー電極が、前記第１電極と同一な物質からなることを特徴とする、請求項４に記載の発光表示装置。
- 前記コンタクトホールの前記床面、前記コンタクト領域、及び前記入口に配置されたバンクをさらに備える、請求項３に記載の発光表示装置。
- 前記コンタクトホールを部分的に満たすバンクをさらに備える、請求項１に記載の発光表示装置。
- 前記第１電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極の中で少なくともいずれか一つの間に配置された第１平坦化膜をさらに備える、請求項７に記載の発光表示装置。
- 前記コンタクトホール内で前記第１平坦化膜上に配置されたダミー電極をさらに備える、請求項８に記載の発光表示装置。
- 前記ダミー電極が、前記コンタクトホールで層間絶縁膜の側面の第１部分に接し、前記バンクは、前記コンタクトホールにおいて、前記ダミー電極と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の間に配置された前記層間絶縁膜の側面の第２部分に接することを特徴とする、請求項９に記載の発光表示装置。
- 前記トランジスタが、前記アクティブ層と前記ゲート電極の間に配置されたゲート絶縁膜、前記ゲート電極と前記ソース電極の間と前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に配置された層間絶縁膜、及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置された第１平坦化膜をさらに備え、
前記コンタクトホールは、前記第１平坦化膜を貫通し、前記層間絶縁膜に部分的に延長されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。 - 前記少なくとも二つの画素が、第１画素、第１方向に前記第１画素と隣接した第２画素、前記第１方向と交差する第２方向に前記第１画素と隣接した第３画素、及び前記第１方向に第３画素と隣接して前記第２方向に前記第２画素と隣接した第４画素を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
- 前記少なくとも二つの画素が、第１画素、第１方向に前記第１画素と隣接した第２画素、及び前記第１方向と交差する第２方向に前記第１画素または前記第２画素と隣接した第３画素を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
- 複数の画素とコンタクトホールを備え、
前記複数の画素の各々は、
ゲート電極、ソース領域、およびドレイン領域を有するトランジスタと、
前記ソース領域に接続したソース電極と、
前記ドレイン領域に接続したドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれか一つに接続した補助電極、および
前記補助電極に接続した発光素子の第１電極とを含み、
前記コンタクトホールにおいて、前記少なくとも二つの画素の第１電極は、それぞれの前記補助電極の側面に電気的に接続することを特徴とする発光表示装置。 - 前記コンタクトホールが、それぞれの前記補助電極の下部面を露出するアンダーカットを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。
- 前記複数の画素の各々が、
前記ソース電極と前記ドレイン電極上に配置された第１平坦化膜、および
前記第１平坦化膜を貫通して前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれか一つの一部を露出する補助コンタクトホールをさらに備え、
前記補助電極は、前記補助コンタクトホールにおいて、前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれか一つの露出した一部に接続することを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。 - 前記複数の画素の各々が、
前記ソースおよびドレイン領域と前記ゲート電極の間に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記ソース電極の間と前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に配置された層間絶縁膜、および
前記補助コンタクトホールにおいて、前記補助電極上に配置された第２平坦化膜をさらに備え、
前記コンタクトホールは、前記第２平坦化層を貫通して前記第１平坦化膜に部分的に延長されたことを特徴とする、請求項１６に記載の発光表示装置。 - 前記コンタクトホールを部分的に満たすバンクをさらに備え、
前記バンクは、非表示領域を形成することを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。 - 前記少なくとも二つの画素は、第１画素、第１方向に前記第１画素と隣接した第２画素、前記第１方向と交差する第２方向に前記第１画素に隣接した第３画素、及び前記第１方向に第３画素と隣接して前記第２方向に前記第２画素と隣接した第４画素を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。
- 前記少なくとも二つの画素が、第１画素、第１方向に前記第１画素と隣接した第２画素、及び前記第１方向と交差する第２方向に前記第１画素または前記第２画素と隣接した第３画素を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160170350A KR20180068549A (ko) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| KR10-2016-0170350 | 2016-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018098185A true JP2018098185A (ja) | 2018-06-21 |
| JP6612305B2 JP6612305B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=60673525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017219778A Active JP6612305B2 (ja) | 2016-12-14 | 2017-11-15 | 発光表示装置とその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10692947B2 (ja) |
| EP (1) | EP3336899B1 (ja) |
| JP (1) | JP6612305B2 (ja) |
| KR (1) | KR20180068549A (ja) |
| CN (1) | CN108231834B (ja) |
| TW (1) | TWI647837B (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10270033B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-04-23 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| KR20230117645A (ko) | 2017-04-26 | 2023-08-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치 |
| CN116997204A (zh) | 2017-05-17 | 2023-11-03 | Oti照明公司 | 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置 |
| KR102481170B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 조명장치 |
| US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| US11489136B2 (en) | 2018-05-07 | 2022-11-01 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
| KR102593461B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2023-10-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20200049115A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| WO2020178804A1 (en) | 2019-03-07 | 2020-09-10 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| CN114097102B (zh) | 2019-06-26 | 2023-11-03 | Oti照明公司 | 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备 |
| US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
| CN114342068A (zh) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | Oti照明公司 | 包含辅助电极和分区的光电子装置 |
| CN110649173B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-05-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 有机发光二极管、oled显示面板和显示设备 |
| KR20210082908A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
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| JP5396905B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2014-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR20130007006A (ko) | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20140077690A (ko) | 2012-12-14 | 2014-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6625835B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2019-12-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2016
- 2016-12-14 KR KR1020160170350A patent/KR20180068549A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-10-17 US US15/786,169 patent/US10692947B2/en active Active
- 2017-11-15 JP JP2017219778A patent/JP6612305B2/ja active Active
- 2017-11-21 TW TW106140375A patent/TWI647837B/zh active
- 2017-12-05 CN CN201711267179.7A patent/CN108231834B/zh active Active
- 2017-12-13 EP EP17207119.3A patent/EP3336899B1/en active Active
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| US20160300855A1 (en) * | 2013-11-08 | 2016-10-13 | Au Optronics Corporation | Pixel array |
| WO2016072598A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | Touch panel, method of manufacturing the same and touch panel integrated organic light emitting display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108231834A (zh) | 2018-06-29 |
| KR20180068549A (ko) | 2018-06-22 |
| JP6612305B2 (ja) | 2019-11-27 |
| US10692947B2 (en) | 2020-06-23 |
| CN108231834B (zh) | 2021-11-05 |
| EP3336899B1 (en) | 2022-02-09 |
| EP3336899A1 (en) | 2018-06-20 |
| TWI647837B (zh) | 2019-01-11 |
| TW201822348A (zh) | 2018-06-16 |
| US20180166522A1 (en) | 2018-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171115 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |