WO2013046275A1 - 表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2013046275A1
WO2013046275A1 PCT/JP2011/005523 JP2011005523W WO2013046275A1 WO 2013046275 A1 WO2013046275 A1 WO 2013046275A1 JP 2011005523 W JP2011005523 W JP 2011005523W WO 2013046275 A1 WO2013046275 A1 WO 2013046275A1
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insulating film
display
display elements
opening
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Inventor
哲郎 近藤
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パナソニック株式会社
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Definitions

  • the present invention relates to a display panel and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 a display panel in which light-emitting elements having an organic light-emitting layer or the like between an anode (pixel electrode) and a cathode (common electrode) are formed in a matrix on an substrate via an insulating film has been studied (for example, Patent Document 1).
  • FIG. 20 is a partial plan view of an organic display panel using a conventional organic light-emitting element.
  • FIG. 21A is a view of the X1-X2 cross section of FIG. 20 as viewed from the direction of the arrow.
  • FIG. 20 is a view of the Y1-Y2 cross section of FIG. 20 viewed from the arrow direction, and
  • FIG. 20C is a view of the Z1-Z2 cross section of FIG. 20 viewed from the arrow direction.
  • the substrate is a TFT substrate 905 in which TFT elements (drive terminals) 903 that are drive elements are arranged in a matrix, and an insulating film 907 is formed on the upper surface of the TFT substrate 905.
  • a plurality of light emitting elements 909 are formed in a predetermined pattern on the upper surface of the insulating film 907, and each light emitting element 909 is formed on the anode 911 and the anode 911 formed on the insulating film 907 in element units.
  • a light emitting layer 917 and a cathode 919 formed on the light emitting layer 917 are provided.
  • Each light emitting element 909 is partitioned by a bank 915 formed on the insulating film 907.
  • the anode 911 and the TFT element 903 are connected to an opening (a so-called contact window) in a portion corresponding to the TFT element 903 in the insulating film 907.
  • a contact window (Hereinafter referred to as a contact window) 921 is provided, and an anode 911 is formed on the TFT element 935 exposed in the contact window 921.
  • the contact window 921 is filled with the same material as that of the bank 915, as shown in FIGS.
  • the aperture ratio of the display panel (the area ratio of a region effective for display (hereinafter, simply referred to as “display effective region”) in the entire region of one light emitting element) is improved. In the case of coping with this, it is difficult to further improve the aperture ratio with the above technique and the technique of Patent Document 1.
  • An object of the present invention is to provide a display panel and a display panel manufacturing method capable of improving the aperture ratio.
  • a display panel is a display panel that individually feeds power to a plurality of display elements arranged two-dimensionally and displays an image using the plurality of display elements.
  • An insulating film is disposed on the insulating film, and the insulating film has one opening in a portion corresponding to two or more adjacent display elements, and the portion of the substrate exposed in the opening includes The power supply terminals for the two or more display elements are formed so as to share the opening.
  • a display panel manufacturing method is a display panel manufacturing method in which power is individually supplied to a plurality of two-dimensionally arranged display elements and an image is displayed by the plurality of display elements.
  • two or more power supply terminals for display elements are formed in a state where the opening portion is shared with a portion of the substrate exposed to the inside.
  • An opening can be shared by a plurality of display elements, the ratio of the opening occupied in one display element can be reduced, and the aperture ratio of the display panel can be reduced according to one display element. It can be larger than the aperture ratio.
  • an opening is formed in a portion corresponding to two or more adjacent power supply terminals, and two or more connected to the two or more adjacent power supply terminals in the vicinity thereof. Since the display element is formed, the ratio of the opening occupied in one display element can be reduced, and the aperture ratio of the display panel is made larger than the aperture ratio of the display panel having one opening corresponding to one display element. Can do.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a plan view of the display panel according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display panel according to Embodiment 1, wherein (a) is a view of the X1-X2 cross section in FIG. 2 viewed from the arrow direction, and (b) is a Y1-Y2 cross section in FIG. (C) is a view of the Z1-Z2 cross section in FIG. 2 as viewed from the direction of the arrow.
  • 3 is a cross-sectional perspective view of a contact window portion of the display panel according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a plan view of the display panel according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display panel according to Embodiment 1, wherein (a)
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a part of the manufacturing method of the display panel according to Embodiment 1.
  • FIG. It is explanatory drawing for comparing the aperture ratio of Example 1 and the aperture ratio of the prior art example 1.
  • FIG. It is sectional drawing of the area
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a display panel according to Embodiment 2, wherein (a) is a view of a Y1-Y2 cross section in FIG. 9 viewed from the arrow direction, and (b) is a Z1-Z2 cross section in FIG.
  • FIG. It is explanatory drawing for comparing the aperture ratio of Example 2 and the aperture ratio of the prior art example 2.
  • FIG. It is a schematic plan view of a display panel including subpixels having a hexagonal shape in plan view, (a) is a diagram showing a display panel according to Embodiment 3, and (b) is a display panel having a conventional structure.
  • FIG. It is a schematic plan view which shows the display panel which comprised the light emitting element group by two light emitting elements.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram of an aperture ratio in the display panel shown in FIG. 14A
  • FIG. 14A is a schematic plan view
  • FIG. 14B is a view of the Y1-Y2 cross section of FIG.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view corresponding to the Y1-Y2 cross section of FIG.
  • the display panel which comprised the light emitting element group by six light emitting elements is shown, (a) is a schematic plan view, (b) is the figure which looked at the Y1-Y2 cross section of (a) from the arrow direction, ( c) is a view of the Z1-Z2 cross section viewed from the direction of the arrow. It is a schematic plan view which shows the display panel of the structure which combined the light emitting element group which consists of four light emitting elements, and the light emitting element group which consists of two light emitting elements. It is a schematic plan view which shows the display panel which the opening part made groove shape. It is the schematic which shows the display panel which made the connection of the anode and TFT element in an opening part alternately.
  • FIG. 20A is a view of the X1-X2 cross section of FIG. 20 viewed from the arrow direction
  • FIG. 20B is a view of the Y1-Y2 cross section of FIG. 20 viewed from the arrow direction
  • FIG. FIG. 3 is a view of a ⁇ Z2 cross section viewed from the direction of an arrow.
  • a display panel is a display panel that individually feeds power to a plurality of display elements that are two-dimensionally arranged to display an image using the plurality of display elements, and the plurality of display elements are substrate surfaces.
  • An insulating film is disposed on the insulating film, and the insulating film has one opening in a portion corresponding to two or more adjacent display elements, and the portion of the substrate exposed in the opening includes The power supply terminals for the two or more display elements are formed so as to share the opening.
  • a plurality of the openings are formed in a state of being scattered on the surface of the insulating film, and the openings are shared by two or more display elements that do not share other openings. Further, the portion corresponding to the two or more adjacent display elements exists in a region surrounded by the outer periphery of the two or more display elements in plan view.
  • the plurality of display elements are arranged along a first direction and a second direction intersecting the direction, and the two or more power supply terminals are at least one of the first direction and the second direction. Arranged along the direction.
  • the portion corresponding to the two or more adjacent display elements exists outside the region surrounded by the outer periphery of the two or more display elements in plan view.
  • the opening has a hole shape or a groove shape.
  • the display element includes a pixel electrode formed on the insulating film and extending from the insulating film into the opening to be connected to the power supply terminal, and the number of the two or more display elements is 2
  • the pixel electrodes of the two display elements are arranged in a first direction across the opening, and the power supply terminals for the two display elements are in a second direction orthogonal to the first direction.
  • the two pixel electrodes extend in parallel to each other from both sides of the opening.
  • the display element has a pixel electrode formed on the insulating film and extending from the insulating film into the opening and connected to the power supply terminal, and is formed on the insulating film.
  • a bank having a plurality of corresponding openings on the pixel electrodes of the plurality of display elements is formed, and the intervals between the plurality of openings in the bank are equal.
  • a method for manufacturing a display panel is a method for manufacturing a display panel that individually supplies power to a plurality of display elements arranged two-dimensionally and displays an image using the plurality of display elements.
  • Embodiments of a display panel and a display panel manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the materials, numerical values, shapes, and the like described in the embodiments are only preferable examples, and the present invention is not limited to these embodiments.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a display device according to an embodiment.
  • the display device 1 includes an organic EL display panel (hereinafter simply referred to as a “display panel”) 10 provided with a plurality of organic light-emitting elements (hereinafter simply referred to as “light-emitting elements”) utilizing an electroluminescence phenomenon of an organic material. And a drive control unit 20 connected to the display panel 10 for driving and controlling the organic light emitting elements.
  • the display device 1 is used for, for example, a display, a television, a mobile phone, and the like.
  • the display panel 10 includes a plurality of light emitting elements arranged in a matrix on the substrate in, for example, XY directions (vertical and horizontal directions).
  • the drive control unit 20 includes four drive circuits 21 to 24 and a control circuit 25.
  • the vertical direction and the horizontal direction of the display panel may be simply referred to as the vertical direction and the horizontal direction.
  • the display panel 10 here uses an organic EL display panel
  • an inorganic EL display panel using an inorganic light emitting element using an electroluminescent phenomenon of an inorganic material may be used.
  • the display device including the organic EL display panel is an organic EL display device and includes an inorganic EL display panel.
  • the display device is an inorganic EL display device.
  • FIG. 2 is a plan view of the display panel according to the first embodiment.
  • 3 is a cross-sectional view of the display panel according to the first embodiment, (a) is a view of the X1-X2 cross section in FIG. 2 as viewed from the direction of the arrow, and (b) is a Y1-Y2 cross section in FIG.
  • FIG. 3C is a view of the Z1-Z2 cross section in FIG. 2 as viewed from the direction of the arrow.
  • the display panel 10 is a so-called top emission type in which the light emission direction is the upper side in FIG. 3, that is, the display surface is the upper side.
  • one pixel (pixel) 12 is constituted by three light emitting elements (11) emitting one of red (R), green (G), and blue (B).
  • the light emitting elements of the respective emission colors are subpixels 11, and the subpixels 11 are arranged in a matrix.
  • the sub-pixel corresponds to the “display element” of the present invention.
  • sub-pixels that emit red light are expressed as “11R”
  • sub-pixels that emit green light are expressed as “11G”
  • sub-pixels that emit blue light is expressed as “11B”.
  • the subpixel 11 has a rectangular shape that is long in the vertical direction (the Y direction in FIG. 1), and the pixel 12 including three subpixels 11 ⁇ / b> R, 11 ⁇ / b> G, and 11 ⁇ / b> B having different emission colors. It becomes a substantially square shape in plan view.
  • the plurality of subpixels 11 are arranged on the TFT substrate 101 with an insulating film 103 interposed therebetween as shown in FIGS.
  • Each subpixel 11 is formed on the top surface of the insulating film 103, the anode 107 which is a pixel electrode formed corresponding to each subpixel 11, the light emitting layer 109 formed on the anode 107, and the light emitting layer 109.
  • the cathode 111 which is a common electrode as a basic configuration
  • a bank 113 for partitioning each subpixel 11 is mainly provided on the insulating film 103.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a plan view of the display panel 10, where a portion corresponding to each subpixel 11 is rectangular, and a portion corresponding to the light emitting layer 109 constituting each subpixel 11 is an ellipse. Show.
  • the anode 107 and the light emitting layer 109 constituting each of the sub-pixels 11R, 11G, and 11B need to be distinguished by each emission color, the corresponding emission color for each anode 107 and the light emitting layer 109 is set. Meaning “R”, “G”, and “B” are attached.
  • the TFT substrate 101 has a plurality of TFT element groups each having two or more TFT elements 121 as a set.
  • the TFT element group is composed of two TFT elements 121 adjacent vertically.
  • the upper TFT element is represented as “121a”, and the lower TFT element is represented as “121b”.
  • the insulating film 103 has a contact window 123 which is an opening from which a portion corresponding to each TFT element group existing at a plurality of locations is removed, and the contact window 123 is shared at the bottom of the contact window 123. In this state, the two TFT elements 121a and 121b are exposed.
  • the subpixels connected to the two TFT elements 121a and 121b in the contact window 123 are the two subpixels 11a and 11b positioned above and below the contact window 123 in FIG.
  • the subpixel 11a is connected to the TFT element 121a
  • the subpixel 11b located below the contact window 123 is connected to the TFT element 121b.
  • the contact window 123 is shown in an elliptical shape, and the upper and lower circles 122a and 122b in the contact window 123 indicate the connection portions between the anodes 107a and 107b and the TFT elements 121a and 121b.
  • subpixels 11a and 11b that are vertically adjacent via the contact window 123 are defined as a subpixel group.
  • TFT substrate 101 as a substrate is made of an insulating material, and a plurality of TFT elements (thin film transistors) 121 for driving the display panel 10 by an active matrix method are formed on the surface. .
  • the anode 107 is connected to the source electrode of the transistor which is the TFT element 121, and is supplied with power from the electrode (a power supply terminal).
  • the TFT element 121 corresponds to a subpixel group composed of two subpixels 11 adjacent in the vertical direction. They are arranged in the sub-pixel group area in the form of element groups.
  • the boundary of the subpixel group region is represented by a line segment “K1” in FIG. 2, and this boundary is also an envelope for a plurality of subpixels constituting the subpixel group.
  • the TFT element 121a corresponding to the upper subpixel 11Ba has a lower subpixel 11Bb.
  • the TFT element 121b corresponding to the subpixel 11Bb located on the lower side is present at the end (upper end) near the subpixel 11Ba located on the upper side.
  • (2) Insulating film The insulating film 103 is for filling the unevenness (removing the unevenness) by the TFT element 121 and the like while ensuring the insulating property of the TFT element 121 on the surface of the TFT substrate 101. Is formed.
  • a contact window 123 is formed on the insulating film 103 so that the two TFT elements 121a and 121b constituting the TFT element group are exposed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional perspective view of a contact window portion of the display panel according to the first embodiment.
  • the contact window 123 is formed so as to straddle a region where a pair of subpixels 11a and 11b adjacent in the vertical direction is to be formed.
  • the contact window 123 has an elliptical shape that is long in the vertical direction. As shown in FIGS. 3B and 3C, the contact window 123 has an opening diameter that increases as the distance from the TFT element 121 increases in the thickness direction. Is formed to be large. That is, the contact window 123 has an elliptic frustum shape whose diameter is smaller on the TFT substrate 101 side than on the upper surface side of the insulating film 103. Thus, the peripheral surface 125 is inclined so as to expand outward as it moves from the TFT element 121 to the surface of the insulating film 103.
  • the anode 107 is for applying an electric field to the light emitting layer 109 and has a shape that is long in the vertical direction, specifically a rectangular shape, in accordance with the shape of the subpixel 11 in plan view. Yes.
  • the anode 107 is formed on the insulating film 103 in units of subpixels 11 while being separated from the anodes 107 of other adjacent subpixels 11.
  • the anode 107 will be described using the anodes 107a and 107b in the subpixels 11Ba and 11Bb in FIG.
  • the anodes 107a and 107b are connected to the two TFT elements 121a and 121b exposed in the contact window 123B formed across the portions where the pair of subpixels 11Ba and 11Bb are to be formed.
  • the anodes 107a and 107b are connected to the electrode portions 131a and 131b located on the upper surface of the insulating film 103 and the TFT elements 121a and 121b.
  • the connecting portions 135a and 135b are mainly formed on the peripheral surface 125B of the contact window 123B (to be exact, they may also be formed on the bottom surface), and the connecting portions 133a and 133b.
  • the width becomes wider as it moves from the electrode portions 131a and 131b.
  • the electrode portions 131a and 131b also have portions that increase in width as they move away from the connecting portions 135a and 135b in the vertical direction.
  • the light-emitting layer 109 is a part that emits light of a desired light color by recombination of carriers (holes and electrons). As shown in FIGS. It is formed on the electrode part 131.
  • a bank 113 for partitioning adjacent subpixels 11 is formed in the insulating film 103, and a light emitting layer 109 is formed on the anode 107 in a portion partitioned by the bank 113.
  • the light emitting layers of the subpixels 11Ba and 11Bb shown in FIG. 2 and the like use reference numerals “109Ba” and “109Bb”.
  • Cathode The cathode 111 covers the surface (including the upper surface and the inclined surface) of the bank 113 that is not covered with the light emitting layer 109 (including the upper surface and the inclined surface) and the upper surface of the light emitting layer 109. It is formed as follows.
  • the display panel 10 described in Embodiment 1 is a top emission type, a light-transmitting conductive material is used for the cathode 111.
  • Bank The bank 113 is formed so as to surround each subpixel 11. Specifically, it is formed around the electrode part 131 of the anode 107 and in the contact window 123. In other words, the surface of the insulating film 103 is covered except for the electrode part 131 of the anode 107 formed on the insulating film 103 (more precisely, the central region excluding the periphery of the electrode part 131). Is formed.
  • the shape of the bank 113 in plan view is a cross beam shape having an opening on the upper surface of the electrode portion 131 of the anode 107.
  • the light emitting layer 109 described above is formed in the opening.
  • the bank 113 fills the gap between the adjacent anodes 107 between the adjacent anodes 107 in the vertical and horizontal directions (see FIGS. 3A and 3C).
  • the cross-sectional shape of the upper part from the upper surface is trapezoidal (the upper base is shorter than the lower base).
  • the space between the TFT elements 121a and 121b and between the connecting portions 133a and 133b of the anodes 107a and 107b is filled. It has a trapezoidal shape (the upper base is shorter than the lower base). 3.
  • Manufacturing method Display panel 10 includes a substrate preparation step of preparing a substrate provided with a TFT element group, an insulating film formation step of forming an insulating film on the substrate in a state having a contact window at a corresponding portion of the TFT element group, An anode forming step for forming an anode in the region from the upper surface of the insulating film to the TFT element in the contact window corresponding to each subpixel, and a bank having an opening on the anode formed on the upper surface of the insulating film A bank forming step, a light emitting layer forming step for forming a light emitting layer in the opening of the bank, and a cathode forming step for forming a cathode in a range extending over the surface of the bank and the upper surface of the light emitting layer.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a part of the manufacturing method of the display panel according to the first embodiment.
  • Substrate preparation step In the substrate preparation step, it is only necessary to prepare the substrate (101). For example, a TFT substrate in which a plurality of TFT element groups are arranged at a predetermined position on the surface may be prepared, or a predetermined position of the insulating plate A TFT element group may be formed. The TFT elements constituting the TFT element group are arranged close to each other.
  • the predetermined position of the TFT element group is a position where the contact window 123 is formed.
  • the plurality of TFT elements 121 a and 121 b exposed in the contact window 123 are connected to anodes 107 a and 107 b formed adjacent to the contact window 123.
  • the insulating film forming step is an insulating film forming step for forming an insulating film 151 made of the same insulating material as the insulating film 103 on the upper surface of the substrate 101 (FIG. 5B). And an opening forming step (from (c) to (d) in FIG. 5) for forming an opening in a portion corresponding to the TFT element group (that is, the TFT elements 121a and 121b).
  • the insulating film 151 is obtained, for example, by applying and forming an organic material film such as an acrylic resin or a polyimide resin on the upper surface of the TFT substrate 101.
  • the opening can be obtained by using, for example, a photolithography method.
  • the insulating film 151 is exposed and developed using a photomask 155 having an opening 153 corresponding to the TFT elements 121a and 121b.
  • the insulating film 103 in which the contact window 123 is formed is obtained.
  • Anode Formation Step In the anode formation step, for example, a conductive film formation step (FIG. 5E) for forming the conductive film 161 and an unnecessary portion removal step (removal of unnecessary portions of the conductive film 161). (F) to (h) in FIG.
  • unnecessary portions of the conductive film 161 are portions in the contact window 123 other than the top surfaces of the TFT elements 121a and 121b, and portions corresponding to between the sub-pixels 11 so that the anode 107 is a pixel unit (illustrated). (Omitted).
  • the conductive film 161 is obtained on the surface of the insulating film 103 by using a vacuum film forming method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method.
  • a vacuum film forming method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method.
  • the conductive film forming step can also be a step of forming in an air atmosphere using a conductive ink or a conductive paste.
  • unnecessary portions can be removed by using a photolithography method. Specifically, (i) as shown in FIG. 5 (f), a resist film 163 is applied on the conductive film 161 and applied using a mask 167 having an opening 165 corresponding to the removed portion. The resist film 163 is exposed and (ii) the exposed resist film 163 is developed to form a resist film 163 having an opening 169 at a portion corresponding to the removed portion as shown in FIG. (Iii) By etching the conductive film 161, unnecessary portions of the conductive film 161 are removed, and then the resist film 163 is removed.
  • the bank 113 is formed by, for example, forming an organic material film by applying an organic material for the bank (organic material film forming process), and opening an opening corresponding to the bank 113 on the organic material film. After the masks are stacked and exposed from above the mask, the excess organic material film is washed out with a developer (unnecessary portion removing step). As a result, a bank 113 having an opening is formed on the electrode part 131 of the anode 107.
  • Light emitting layer formation process Formation of the light emitting layer 109 can utilize the inkjet method, for example. Specifically, an ink containing an organic material corresponding to one of the colors R, G, and B and a solvent is dropped onto the opening of the bank 113 (dropping step), and the solvent is evaporated and dried (drying step). To do.
  • Cathode formation process Formation of the cathode 111 can utilize vacuum film-forming methods, such as sputtering method and a vacuum evaporation method, for example. 4).
  • Example (1) Substrate As an insulating material constituting the TFT substrate 101, non-alkali glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, boric acid glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy Resin, polyethylene, polyester, silicone resin, or alumina.
  • the insulating film 103 is made of an insulating material such as polyimide resin or acrylic resin. The thickness of the insulating film 103 depends on the uneven state of the surface of the TFT substrate 101, but may be, for example, 5 times or more with respect to the unevenness, and may be 1000 [nm] or more.
  • the thickness of the insulating film is an uneven part on the surface of the TFT substrate, and when the subpixel is formed corresponding to the upper part of the flat part (for example, when there is a flat part at the bottom of the concave part),
  • the surface roughness of the TFT substrate can be smaller than 5 times, and can be smaller than 1000 [nm].
  • Light-Emitting Layer Materials that can be used for the light-emitting layer 109 include polyparaphenylene vinylene (PPV), polyfluorene, and, for example, an oxinoid compound described in a patent publication (JP-A-5-163488), Perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds, tetracene compounds, pyrene compounds, coronene compounds, quinolone compounds and azaquinolone compounds , Pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentadiene compounds, stilbene compounds, diphenylquinone compounds, styryl Compound, butadiene compound, dicyanom
  • the cathode 111 is made of a light-transmitting material, and materials usable as the cathode 111 include ITO, IZO, and the like.
  • the bank 113 has a cross-sectional shape that has a trapezoidal opening on the anode 107 as the opening width becomes smaller (in other words, the bank width becomes larger) as it approaches the anode 107. Yes.
  • materials that can be used as the bank 113 include insulating organic materials (for example, acrylic resins, polyimide resins, novolac type phenol resins, etc.) and inorganic materials (for example, SiO 2 and SiON). 5.
  • the aperture ratio in the display panel 10 according to the first embodiment will be described in comparison with the aperture ratio in a display panel having a conventional structure (see FIGS. 20 and 21).
  • the display panel according to Embodiment 1 is referred to as Example 1, and the display panel having a conventional structure is referred to as Conventional Example 1.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram for comparing the aperture ratio of Example 1 with the aperture ratio of Conventional Example 1.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram for comparing the aperture ratio of Example 1 with the aperture ratio of Conventional Example 1.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing anodes 107a and 107b in the subpixels of Example 1 adjacent to each other in the vertical direction and anodes 911a and 911b in the subpixels of Conventional Example 1 in the display panel.
  • “A” and “A2” indicate the length of the anode formed on the upper surfaces of the insulating films 103 and 907, and “A” particularly corresponds to the length of the electrode portion (the length of the display effective region). .) “B” indicates the taper length in the left-right direction between the peripheral surfaces of the contact windows 113 and 921, “C” indicates the length of the connecting portion, and “D” indicates insulation from other adjacent anodes. Indicates the length. The lengths A to D and the depths of the contact windows 113 and 921 are the same as in the first embodiment and the conventional example 1.
  • the length of one pixel in Conventional Example 1 is “D + A + B + C + B + A2” from the left side of FIG.
  • the length of one pixel on the left side in the first embodiment is “D + 2E + A + B + C” from the left side
  • the length of one pixel on the right side is “D + C + B + A + 2E” from the left side.
  • the left pixel and the right pixel have the same length per pixel.
  • the length of one pixel is the same in Conventional Example 1 and Example 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a region including a contact window.
  • the size of the contact window 171 is the sum of the length F of the bottom 171a of the contact window 171 and the taper length B that is the length of the peripheral surface 171b. become.
  • the inclination angle G of the peripheral surface 171 b of the contact window 171 is preferably 90 ° or less from the viewpoint of manufacturing the contact window 171.
  • the inclination angle G is particularly preferably 70 [°] or less.
  • the taper length B is defined by the thickness H of the insulating film 173.
  • the connecting portion 135 can be efficiently molded, and the adhesion between the peripheral surface 171b of the contact window 171 and the anode can be further improved.
  • the thickness or the like of the light emitting layer 109 is easily affected by the unevenness of the base (causes uneven light emission). Therefore, between the purpose of forming the light emitting layer 109 in a flat portion and the conductive layer of the TFT substrate 101 (an element other than the TFT element 121 or an electrode other than the source electrode of the TFT element 121) and the anode 107. In recent years, there is a tendency to increase the thickness of the insulating film 103 for the purpose of reducing the parasitic capacitance generated in FIG.
  • the contact window 171 is improved in forming technique and the contact window 171 can be made smaller as shown in FIG. 7B, the length F of the bottom 171a of the contact window 171 is reduced.
  • the taper length B cannot be reduced.
  • Example 1 also in Conventional Example 1, as in Example 1, when the anode 911 is formed only on the bottom 171a (see FIG. 7) including one peripheral surface in the cross section of the contact window 921, the other peripheral surface is opposed. It is not necessary to form an anode on the surface 171b (see FIG. 7). When such a configuration is adopted, the other peripheral surface 171b has no anode, and the adjacent anodes 911a and 911b are separated from each other. For this reason, the space
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a region including a contact window in a display device included in the prior art.
  • FIG. 8B shows Example 1a in which the length of one pixel is the same as that in Conventional Example 2.
  • Conventional example 1a shown in FIG. 8A is obtained by eliminating “A2” and “D” from conventional example 1 shown in FIG. 6, and the length of one pixel is “A + B + C + B” from the left side. . This length is equal to the length of one pixel in the first embodiment shown in FIG.
  • the anodes 911a and 911b formed on the insulating film 907 extend to the peripheral edges of the left and right contact windows 921 in FIG. And uneven light emission occurs.
  • the peripheral portions of the anodes 911a and 911b are covered with the bank (915), but the end of the anodes 911a and 911b that does not extend into the contact window 921 (the left end of each pixel). ) Reaches the periphery of the contact window 921, it becomes difficult to manage the bank (915), and the area of the light emitting layer 917 varies, resulting in uneven brightness.
  • Example 1a shown in FIG. 8B is obtained by matching Example 1 shown in FIG. 6 with the length of one pixel in Conventional Example 2.
  • the display panel described in the background art is implemented even if the length of one pixel is the same as that of the conventional example 2 in which the length per pixel is maximized without degrading the display performance.
  • the display effective area can be lengthened by “E” per pixel.
  • “E” that is longer in the effective display area of Example 1a corresponds to the taper length B of Conventional Example 2, and as described with reference to FIG. 7, the insulating films 103 and 907 tend to be thicker, and the inclination angle is larger. Considering that G cannot be increased, it is considered that the improvement in aperture ratio due to the difference of “E” (in other words, “B”) in the entire length of one pixel is large.
  • B the improvement in aperture ratio due to the difference of “E” (in other words, “B”) in the entire length of one pixel is large.
  • a contact window 123 is provided between two subpixels 11a and 11b adjacent in the vertical direction, and TFT elements 121a and 121b are arranged in the vertical direction which is the adjacent direction in the contact window 123. .
  • the arrangement of the TFT elements 121 in the contact window 123 does not have to be aligned with the adjacent direction of the plurality of (here, two) subpixels 11a and 11b, and other arrangements may be used.
  • FIG. 9 is a diagram showing a display panel according to Embodiment 2, wherein (a) is a plan view of the display panel, and (b) is a cross-sectional perspective view of a contact window portion of the display panel.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the display panel according to the second embodiment, (a) is a view of the Y1-Y2 cross section in FIG. 9 as viewed from the direction of the arrow, and (b) is a Z1-Z2 cross section in FIG. It is the figure which looked at from the arrow direction.
  • the display panel 210 is a vertical / horizontal matrix of 1 pixel (pixel) 212 composed of three sub-pixels 211 corresponding to one of red (R), green (G), and blue (B) emission colors. It has a shape.
  • the sub-pixel 211 needs to be distinguished by the emission color, “R”, “G”, and “B” meaning the emission color are added after “211”. Further, the three sub-pixels 211R, 211G, and 211B have a rectangular shape that is long in the vertical direction, and the pixel 212 composed of the three sub-pixels 211R, 211G, and 211B has a plan view as shown in FIG. It is almost square.
  • the display panel 210 includes a TFT substrate 201, an insulating film 203, and a plurality of subpixels 211 as shown in FIG.
  • the configuration of each subpixel 211 is basically the same as that of the first embodiment, but the extension structure of the anode to the TFT element is different.
  • the subpixels 211Ba and 211Bb include anodes 207Ba and 207Bb formed on the upper surface of the insulating film 203 corresponding to the subpixels 211Ba and 211Bb, and light emitting layers formed on the anodes 207Ba and 207Bb.
  • the insulating film 203 has contact windows 223R, 223G, and 223B from which corresponding portions are removed from the TFT elements 221Ba and 221Bb.
  • the contact window 223 is arranged in the subpixel group region. Note that the boundary of the sub-pixel group region is represented by a line segment “K2” in FIG.
  • the TFT elements 221Ba and 221Bb are arranged side by side in a direction orthogonal to the adjacent direction of the corresponding two subpixels 211Ba and 211Bb, and extend in the contact window 223B in the adjacent direction of the two subpixels 211Ba and 211Bb. It is located in two areas divided by lines.
  • the anode 207 of the subpixel 211 will be described by paying attention to the contact window 223B of FIG. 233Bb and connecting portions 235Ba and 235Bb.
  • the electrode portions 231Ba and 231Bb are formed on the insulating film 203 and have a rectangular shape that is long in the vertical direction of the display panel 210.
  • the contact window 223B is formed between the electrode portions 231Ba and 231Bb adjacent in the vertical direction.
  • each of the connecting portions 235Ba and 235Bb has a circumferential surface of each region divided in the contact window 223B along the longitudinal direction of the electrode portions 231Ba and 231Bb.
  • the electrode portions 231Ba and 231Bb extend to the connection portions 233Ba and 233Bb.
  • the auxiliary electrode 215 connected to the cathode 210 extends in the horizontal direction between the subpixel groups adjacent to each other in the vertical direction. ing.
  • the auxiliary electrode 215 is for making the electrical characteristics of the cathode 210 uniform. 2.
  • the aperture ratio in the display panel 200 according to Embodiment 2 will be described in comparison with the aperture ratio in a display panel having a conventional structure (see FIG. 8B).
  • a display panel according to Embodiment 2 is referred to as Example 2
  • a display panel having a conventional structure is referred to as Conventional Example 2.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram for comparing the aperture ratio of Example 2 with the aperture ratio of Conventional Example 2.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing anodes 911a, 911b, 207a, and 207b in subpixels adjacent in the vertical direction.
  • the length of one pixel in the second embodiment is the same as the length of one pixel in the second conventional example.
  • the lengths represented by “A”, “B”, “C”, and “D” in FIG. 11 are the lengths represented by “A”, “B”, “C”, and “D” described in the first embodiment.
  • the lengths A to D and the depths of the contact windows 223 and 921 are the same as in the second embodiment and the conventional example 2.
  • the length of the two pixels in Conventional Example 2 is “D + A + B + C + B” + “D + A + B + C + B” from the left side of FIG.
  • the two pixels in the second embodiment are “D + E1 + A + B + C + B + A + E2” from the left side.
  • the length of the display effective area in the two pixels of Example 2 is longer by “E1” and “E2” than the length of the two pixels of Conventional Example 2.
  • “E1” and “E2” are the sum of the length of one contact window 921 (B + C + B) in Conventional Example 2 and “D”.
  • the display effective area can be made longer in the second embodiment, and the aperture ratio in the second embodiment can be improved than that in the second conventional example.
  • the display effective area can be made longer in the second embodiment, and the aperture ratio in the second embodiment can be improved than that in the second conventional example.
  • 3 Specific Example In the case of a 40-inch panel (number of pixels: 4k ⁇ 2k), when a contact window 223 having a lower base length of 5 [ ⁇ m] and an upper base length of 7 [ ⁇ m] is used, The length can be shortened by the length of at least one contact window 921, that is, 3.5 [ ⁇ m] per pixel. When the length of one pixel is 200 [ ⁇ m], the aperture ratio is improved by about 1.75 [%] compared to Conventional Example 2.
  • the shape of the sub-pixel in plan view is rectangular, but may be other shapes.
  • Other shapes include polygonal shapes such as a square shape, a circular shape, an elliptical shape, and a hexagonal shape.
  • a display panel 301 having subpixels (light emitting elements) 311 having a hexagonal shape in plan view will be described as a third embodiment.
  • FIG. 12A and 12B are schematic plan views of a display panel having a hexagonal shape in plan view.
  • FIG. 12A is a diagram showing the display panel according to Embodiment 3, and FIG. FIG.
  • the display panel 301 includes a plurality of hexagonal subpixels 311 on a TFT substrate (not shown) via an insulating film (not shown).
  • the hexagonal shape shown in the figure represents a subpixel 311, and a plurality of subpixels 311 are arranged in the X direction as the first direction and the Y direction as the second direction.
  • the plurality of sub-pixels 311 in the X direction are arranged in a state where one of the six sides constituting the hexagonal shape is opposed to each other to form one column, and another column adjacent to the column in the Y direction One row is arranged in a state shifted by a half pitch of the sub-pixel 311.
  • a subpixel group is configured by three subpixels 311a, 311b, and 311c, and one contact window 313 is formed in the region of the subpixel group. Note that the boundary of the sub-pixel group region is represented by a line segment “K3” in FIG.
  • the contact window 313 is formed so that one apex angle of each of the three subpixels 311a, 311b, and 311c is gathered at one place and straddles the three subpixels 311a, 311b, and 311c. Has been.
  • FIG. 12B shows a display panel 953 in which a plurality of conventional subpixels 951 having a hexagonal shape in plan view are arranged in the X direction and the Y direction.
  • the display panel 953 having a conventional structure has one contact window 955 for one subpixel 951 having a hexagonal shape similar to that of Embodiment 3 in plan view.
  • one contact window 313 is shared by three subpixels (for example, 311a, 311b, and 311c), 3 on the peripheral surface of the contact window 313. If it is only one minute, the anode and the TFT element can be connected, and the aperture ratio can be improved as compared with the display panel 953 having a conventional structure having one TFT element in one contact window.
  • the light emitting element group is configured by the three subpixels 311a, 311b, and 311c.
  • the subpixel group is configured by two adjacent subpixels (for example, 311a and 311b). May be configured.
  • the display panel described in the above embodiment and the like is an example in the embodiment of the present invention. That is, the present invention is not limited by the number and shape of subpixels, the shape and number of contact windows, and can be applied to display panels having various specifications.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing a display panel in which a subpixel group is configured by two subpixels.
  • a display panel 401 shown in FIG. 13A forms a subpixel group by two adjacent subpixels 403a and 403b, and the area of the subpixel group (the boundary line is “K4” in the figure). ) Has one contact window 405. Note that the anode (to be precise, the connection portion) and the TFT element are connected at the portions 407a and 407b that are hatched to the right.
  • two adjacent subpixels are adjacent to each other in the longitudinal direction (longitudinal direction in the first embodiment) extended parallel to the long side of the rectangular subpixel.
  • the contact window 405 has an elliptical shape or an oval shape that is long in the longitudinal direction of the rectangular subpixel, but may be a rectangular shape that is long in the longitudinal direction.
  • a rectangular shape, an elliptical shape, an oval shape, or the like that is short in the longitudinal direction of the subpixel may be used, and the planar view shape of the contact window 405 is not particularly limited.
  • a display panel 411 shown in FIG. 13B forms a subpixel group by two adjacent subpixels 413a and 413b, and the area of the subpixel group (the boundary line is “K5” in the figure). ) Has one contact window 415. Note that the anode (to be precise, the connection portion) and the TFT element are connected to the portions 417a and 417b that are hatched to the right.
  • the two adjacent subpixels 413a and 413b are adjacent to each other in the short direction (the horizontal direction in the first embodiment) extended in parallel to the rectangular short side.
  • the contact window 415 has a long rectangular shape in the short direction of the rectangular subpixels 413a and 413b, but has a long oval shape or an elliptical shape in the short direction.
  • the shape may be a rectangular shape that is long in the longitudinal direction, an elliptical shape, an elliptical shape, or the like, and the shape of the contact window 415 in plan view is not particularly limited.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing a display panel in which a subpixel group is constituted by three subpixels.
  • a subpixel group is configured by three adjacent subpixels 423a, 423b, and 423c, and the subpixel group is within the region (the boundary line is “K6” in the figure).
  • the anode (to be precise, the connection portion) and the TFT element are connected at the portions 427a, 427b, and 427c that are hatched to the right.
  • the three adjacent subpixels 423a, 423b, and 423c are adjacent to each other in the short direction extended in parallel to the short side of the rectangular subpixel.
  • the contact window 425 has a rectangular shape that is long in the short direction of the rectangular subpixels 423a, 423b, and 423c (the same as the adjacent direction of the subpixels).
  • An elliptical shape or an elliptical shape that is long in the hand direction may be used, and the planar view shape of the contact window is not particularly limited.
  • the contact window 425 is formed on the side where subpixel groups adjacent in the vertical direction face each other. That is, a sub-pixel group composed of three sub-pixels 423a, 423b, and 423c (a sub-pixel group located on the upper side) and a direction in which the three sub-pixels 423a, 423b, and 423c are adjacent to the sub-pixel group. (Horizontal direction) and another subpixel group (a subpixel group located on the lower side) adjacent to each other in a direction perpendicular to the horizontal direction, a set is formed on the other subpixel group side in the subpixel group. ing.
  • a subpixel group is configured by three adjacent subpixels 433a, 433b, and 433c. There is one contact window 435 in the group area (the boundary line is “K7” in the figure). It should be noted that the anode (to be precise, the connecting portion) and the TFT element are connected to the portions 437a, 437b, and 437c that are hatched to the right.
  • the adjacent direction of the three subpixels 433a, 433b, and 433c constituting the subpixel group and the shape of the contact window 435 are the same as those of the display panel 421 shown in FIG. It differs in that the position is on the lower side of each subpixel group. That is, the contact window 435 is located on the other subpixel group side (lower side) adjacent to the direction orthogonal to the direction (lateral direction) in which the three subpixels 433a, 433b, and 433c are adjacent to the subpixel group. It differs from the display panel 421 shown in FIG.
  • each contact window 425 in FIG. 14A is on the side where two adjacent subpixel groups face each other (in FIG. 14A, between the subpixel groups). 14 is different in that each contact window 435 in FIG. 14B is formed at a predetermined position (on the lower side) in the region of each subpixel group.
  • a subpixel group is configured by three adjacent subpixels 443a, 443b, and 443c, and the area outside the subpixel group (the boundary line is “K8” in FIG. 14). There is one contact window 445. Note that the anode (to be precise, the connection portion) and the TFT element are connected to the portions 447a, 447b, and 447c that are hatched to the right.
  • three adjacent subpixels 443a, 443b, and 443c are adjacent to each other in the longitudinal direction extending in parallel to the long side of the rectangular subpixel.
  • the contact window 445 has a rectangular shape that is long in the longitudinal direction of the rectangular subpixels 443a, 443b, and 443c.
  • the shape of the contact window 445 in plan view is not particularly limited.
  • the contact window 445 includes a region of a subpixel group (for example, a subpixel group located at the right end in FIG. 14C) composed of three subpixels 443a, 443b, and 443c, and the subpixel group.
  • the other subpixel group for example, the subpixel group located in the center in (c) of 14 adjacent to the direction (vertical direction) perpendicular to the adjacent direction (vertical direction) of the three subpixels 443a, 443b, and 443c.
  • Region for example, the subpixel group located at the right end in FIG. 14C
  • each of the anodes of the subpixels 443a and 443c constituting the subpixel group and positioned at the end in the adjacent direction includes an electrode portion formed on the insulating film and a connecting portion formed on the peripheral surface of the contact window 445.
  • the extending portion extending from the electrode portion to the connecting portion is formed on the insulating film.
  • stretching part is shown with the broken line in (c) of FIG.
  • FIG. 15A and 15B are explanatory views of the aperture ratio in the display panel shown in FIG. 14A, FIG. 15A is a plan view, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line Y1-Y2 in FIG. (C) is a cross-sectional view corresponding to the Y1-Y2 cross section of (a) in the conventional structure.
  • the display panel 421 has one contact window 425 for three subpixels 423a, 423b, and 423c adjacent in the horizontal direction, and as shown in FIG. 15B, the subpixels 423a on both sides in the adjacent direction. , 423c are connected to the TFT elements 408a and 408c of the substrate 408 at positions close to the sub-pixel 423b located at the center.
  • the display panel 970 having a conventional structure has contact windows 975a, 975b, and 975c in three subpixels adjacent in the horizontal direction, and anodes 973a, 973b, and 973c are connected to the TFT elements 977a, 977b, and 977c. ing.
  • the structure of the display panel 421 has a cross-sectional length (taper length) of one of the contact windows of the sub-pixels 423a and 423c on both sides of the three adjacent sub-pixels in the cross section compared to the conventional structure. Is no longer necessary. That is, the length in the adjacent direction can be shortened by “E” shown in FIG. 15C, and the aperture ratio can be improved. 3.
  • Example 3 16A and 16B show a display panel in which a sub-pixel group is configured by six sub-pixels, where FIG. 16A is a schematic plan view, and FIG. 16B is a view of the Y1-Y2 cross section of FIG. (C) is a view of the Z1-Z2 cross section viewed from the direction of the arrow.
  • a subpixel group is configured by six adjacent subpixels 453a, 453b, 453c, 453d, 453e, and 453f.
  • six adjacent sub-pixels 453a, 453b, 453c, 453d, 453e, and 453f are short-side directions (lateral) extending parallel to the short side and the long side of the rectangular sub-pixel.
  • Direction and the longitudinal direction (longitudinal direction).
  • the short direction and the long direction are the first direction and the second direction, and are orthogonal to each other.
  • the contact window 455 has a rectangular shape that is long in the short direction of the rectangular subpixels 453a, 453b, and 453c.
  • the shape may be a shape, and the planar view shape of the contact window is not particularly limited.
  • the contact window 455 is formed in a portion where the three subpixels 453a, 453b, and 453c adjacent in the short direction and the other three subpixels 453d, 453e, and 453f adjacent in the short direction are opposed in the longitudinal direction. Has been. That is, the contact window 455 is formed between two subpixel groups adjacent in the longitudinal direction and straddling the six subpixels 453a, 453b, 453c, 453d, 453e, and 453f.
  • the TFT elements 458a and 458c of the substrate 458 are connected at positions close to the pixel 453b.
  • the subpixels 423a and 423c on both sides of the three adjacent subpixels use the peripheral surfaces on both sides of the contact window 455. Since the TFT elements 458a and 458c are connected to each other, the influence of the short-direction contact window 455 in the subpixels 423a and 423c located on both sides can be reduced, and as a result, the aperture ratio can be improved.
  • two subpixels 453b and 453e (453a and 453d, 453c and 453f) adjacent in the longitudinal direction are arranged in a single contact window 455 as shown in FIG. 458e (458a and 458d, 458c and 458f).
  • FIG. 17 is a schematic plan view showing a display panel having a configuration in which a subpixel group is composed of four subpixels and a subpixel group is composed of two subpixels.
  • a first subpixel group is configured by four adjacent subpixels 463a, 463b, 463d, and 463e, and a second subpixel group is configured by two adjacent subpixels 463c and 463f.
  • connection between the anode (more precisely, the connection part) and the TFT element is performed at the part where the hatching is performed to the right.
  • the display panel 461 shown in FIG. 17 is an example. Therefore, the number of subpixels constituting each subpixel group and the position and shape of the contact window are not limited to those shown in FIG.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing a display panel having a groove-shaped opening.
  • the display panel 471 is one of openings that extend between two subpixels 473a and 473e, 473b and 473f, 473c and 473g, and 473d and 473h adjacent to each other in the longitudinal direction of the subpixel.
  • a groove 475 which is
  • the display panel 471 has the groove 475 extending in the short direction as an opening, but can be applied to other display panels.
  • a groove extending in the longitudinal direction of the subpixel 443 may be provided instead of the contact window 445.
  • the contact window described in the first embodiment may be combined. 6).
  • FIG. 19 is a schematic view showing a display panel in which the connection between the anode in the opening and the TFT element is staggered.
  • the contact window 223 provided corresponding to two subpixels 211a and 211b adjacent to each other in the longitudinal direction of the subpixel is divided into two, and the anodes 207a and 207a of the subpixels 211a and 211b are divided.
  • Each of 207b extends alternately from the opposite direction of the longitudinal direction and is connected to the TFT elements 221a and 221b.
  • the display panel 481 shown in FIG. 19A is for a subpixel group composed of six subpixels 483a, 483b, 483c, 483d, 483e, and 483f adjacent to each other in the longitudinal direction and the short direction of the subpixels.
  • One contact window 485 that is long in the lateral direction in plan view is provided.
  • Each subpixel 483a, 483b, 483c, 483d, 483e, 483f is connected to the TFT element by alternately extending the anodes of two subpixels adjacent in the longitudinal direction to the other subpixel side. .
  • the anodes of the subpixels 483a, 483b, and 483c on one side in the longitudinal direction are adjacent to each other in the longitudinal direction (here Is extended to the sub-pixels 483d, 483e, and 483f side, and the anodes of the sub-pixels 483d, 483e, and 483f on the other side in the longitudinal direction (here, the lower side) are adjacent to each other in the longitudinal direction.
  • the sub-pixels 483a, 483b, 483c side of one side here, the upper side.
  • each anode that extends to the other side adjacent to the longitudinal direction is less than half the width of the anode of each subpixel. Less than the width of the pixel.
  • the display panel 491 shown in FIG. 19B has a sub-pixel group composed of six sub-pixels 493a, 493b, 493c, 493d, 493e, and 493f adjacent to each other in the longitudinal direction and the short direction of the sub-pixels. It has a groove 495 extending in the short direction.
  • Each subpixel 493a, 493b, 493c, 493d, 493e, and 493f is connected to the TFT element by alternately extending the anodes of two subpixels adjacent in the longitudinal direction toward the other subpixel. .
  • ⁇ Modification> Although a plurality of embodiments and the like have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the following modifications can be considered. 1. Configuration of Light-Emitting Element
  • the pixel electrode (anode), the light-emitting layer, and the common electrode (cathode) are provided as the basic structure of the light-emitting element.
  • an auxiliary functional layer may be provided in the functional layer.
  • the auxiliary function layer examples include a hole injection layer, an electron injection layer, a sealing layer, and the like.
  • the hole injection layer promotes injection of holes from the pixel electrode to the light emitting layer.
  • the electron injection layer promotes injection of electrons from the common electrode to the light emitting layer.
  • the sealing layer suppresses the light emitting layer from being deteriorated by contact with moisture or air.
  • Shape of Light Emitting Element In Embodiments 1 and 2 and Examples 1 to 6, the light emitting element has a long rectangular shape in the vertical direction of the display panel. For example, the light emitting element has a long rectangular shape in the horizontal direction of the display panel. May be. 3. In the display element embodiment and the like, a display panel using a light emitting element as a display element has been described.
  • the present invention separately supplies power to a plurality of two-dimensionally arranged display elements to display an image by the plurality of display elements. It can be applied to a display panel to be displayed.
  • a display element other than the light-emitting element described in the embodiment and the like there is a display element used for a TFT drive type liquid crystal panel. 4).
  • Substrate In the embodiment and the like, a TFT substrate is used as a substrate. However, it is only necessary to have a configuration capable of individually supplying power to a display element formed on the substrate, and it is not necessary to use a TFT element.
  • a substrate in which a TFD (thin film diode) is formed on an insulating plate may be used.
  • the pixel electrode of the display element is connected to the terminal TFT element, and the substrate is such that a plurality of TFT elements including the terminal TFT element are formed to supply power to the pixel electrode. May be. 5.
  • Light Extraction Structure In the embodiments, etc., the so-called top emission type in which the light extraction direction is opposite to the substrate is used. However, the so-called bottom emission type in which the light extraction direction is on the substrate side may be used. .
  • the substrate is a transparent substrate (for example, a glass substrate), the pixel electrode (electrode closer to the substrate) on the light extraction side is a transparent electrode (for example, ITO), and the other electrode (for example, ITO).
  • a transparent substrate for example, a glass substrate
  • the pixel electrode (electrode closer to the substrate) on the light extraction side is a transparent electrode (for example, ITO), and the other electrode (for example, ITO).
  • an electrode for example, Ag or Al
  • the present invention can be applied to a liquid crystal display panel, or an EL display panel that uses an organic TFT as a drive circuit element, and has similar effects. It goes without saying that it can be demonstrated.
  • the display panel of the present invention can be suitably used for a display panel used for, for example, various displays for home use or public facilities, or for business use, a television device, a display for a portable electronic device, and the like.

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Abstract

　表示パネルは、２次元状に配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する。この表示パネルは、複数の表示素子が基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に少なくとも１個の開口部を有している。この開口部内に露出する基板の部位には、この開口部を共有する状態で２個以上の表示素子用の給電端子が形成され、基板上に形成された２個以上の表示素子が開口部内の２個以上の給電端子と電気的に接続されている。

Description

表示パネルおよびその製造方法
　本発明は、表示パネルおよびその製造方法に関する。
　近年、陽極（画素電極）と陰極（共通電極）との間に有機発光層等を有する発光素子が基板上に絶縁膜を介してマトリクス状に形成されてなる表示パネルが検討されている（例えば、特許文献１）。
　図２０は、従来の有機発光素子を用いた有機表示パネルの一部平面図であり、図２１の（ａ）は図２０のＸ１－Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２０のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２０のＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。
　基板は、駆動素子であるＴＦＴ素子（駆動端子）９０３をマトリクス状に配設したＴＦＴ基板９０５であり、当該ＴＦＴ基板９０５の上面には絶縁膜９０７が形成されている。
　絶縁膜９０７の上面には複数の発光素子９０９が所定のパターンで形成されており、各発光素子９０９は、素子単位で絶縁膜９０７上に形成された陽極９１１と、陽極９１１上に形成された発光層９１７と、発光層９１７上に形成された陰極９１９とを備え、絶縁膜９０７に形成されたバンク９１５により各発光素子９０９が区画されている。
　陽極９１１とＴＦＴ素子９０３との接続は、図２０並びに図２１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、絶縁膜９０７におけるＴＦＴ素子９０３に対応する部分に開口部（所謂、コンタクトウインドウであり、以下、コンタクトウインドウという。）９２１を設けて、コンタクトウインドウ９２１内で露出するＴＦＴ素子９３５上に陽極９１１を形成することで行われる。なお、コンタクトウインドウ９２１は、図２１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、バンク９１５と同じ材料により埋められている。
特開２００９－１２２６５２号公報
　近年、表示サイズに対する表示パネルの小型化（同じ表示サイズで表示パネルを小型化する。）が要求されている。この要求に対し、表示パネルにおける開口率（１個の発光素子の領域全体の内、表示に有効な領域（以下、単に「表示有効領域」とする。）の面積比率である。）を向上させて対処する場合、上記技術や特許文献１の技術では、開口率のさらなる向上は困難である。
　本発明は、開口率の向上を可能とする表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一形態である表示パネルは、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている。
　本発明の一形態である表示パネルの製造方法は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程とを含む。
　本発明の一形態である表示パネルでは、１個の開口部において、内部に露出する基板の部位に開口部を共有する状態で２個以上の表示素子用の給電端子が形成されているため、複数の表示素子で開口部を共有することができ、１表示素子に占める開口部比率を小さくでき、表示パネルの開口率を、１つの表示素子に対応して１つの開口部を有する表示パネルの開口率よりも大きくすることができる。
　本発明の一形態である表示パネルの創造方法では、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を形成し、その周辺に前記近接する２以上の給電端子に接続される２以上の表示素子を形成するため、１表示素子に占める開口部比率を小さくでき、表示パネルの開口率を、１つの表示素子に対応して１つの開口部を有する表示パネルの開口率よりも大きくすることができる。
実施の形態１に係る表示装置の全体構成を示す図である。 実施の形態１に係る表示パネルの平面図である。 実施の形態１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＸ１－Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２におけるＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２におけるＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 実施の形態１に係る表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。 実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の一部を説明する図である。 実施例１の開口率と従来例１の開口率とを比較するための説明図である。 コンタクトウインドウを含む領域の断面図である。 従来技術に含まれる表示装置におけるコンタクトウインドウを含む領域の断面図である。 実施の形態２に係る表示パネルを示す図であり、（ａ）は表示パネルの平面図であり、（ｂ）は表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。 実施の形態２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図９におけるＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図９におけるＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 実施例２の開口率と従来例２の開口率とを比較するための説明図である。 平面視形状が６角形状をしたサブピクセルを備える表示パネルの概略平面図であり、（ａ）は実施の形態３に係る表示パネルを示す図であり、（ｂ）は従来構造の表示パネルを示す図である。 ２個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。 ３個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。 図１４の（ａ）に示す表示パネルにおける開口率についての説明図であり、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は従来構造における（ａ）のＹ１－Ｙ２断面に相当する断面図である。 ６個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示し、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）はＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 ４個の発光素子からなる発光素子群と、２個の発光素子からなる発光素子群とを組み合わせた構成の表示パネルを示す概略平面図である。 開口部が溝状をした表示パネルを示す概略平面図である。 開口部内の陽極とＴＦＴ素子との接続を互い違いにした表示パネルを示す概略図である。 従来の有機発光素子を用いた有機表示パネルの一部平面図である。 （ａ）は図２０のＸ１－Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２０のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２０のＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。
＜本発明の一態様の概要＞
　本発明の一態様に係る表示パネルは、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている。
　また、前記開口部は、前記絶縁膜表面に点在する状態で複数形成され、前記開口部は、他の開口部を共有しない２個以上の表示素子により共有されている。さらに、前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域内に存在する。あるいは、前記複数の表示素子は、第１方向と、当該方向と交差する第２方向とに沿って配置され、前記２個以上の給電端子は、前記第１方向及び第２方向の少なくとも一方の方向に沿って配されている。
　また、前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域外に存在する。さらに、前記開口部は、孔形状または溝形状をしている。あるいは、前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、前記２個以上の表示素子数は２個であり、当該２個の表示素子の画素電極は、前記開口部を挟んで第１方向に配され、前記２個の表示素子用の給電端子は、前記第１方向と直交する第２方向に並設され、前記２個の画素電極は、前記開口部を挟んだ両側から相互に当該開口部内へと延伸している。
　また、前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、前記絶縁膜上に形成されている前記複数の表示素子の画素電極上に対応した開口部を複数有するバンクが形成され、当該バンクの複数の開口部の間隔が等しい。
　一方、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程とを含む。
＜実施の形態＞
　以下、本発明に係る表示パネル及び表示パネルの製造方法についての実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態で説明する、材料、数値、形状等は好ましい例を示しているだけであり、この形態に本発明は限定されることはない。
　また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、他の実施の形態や後述の変形例との組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能であり、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。
＜表示装置＞
　図１は、実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す図である。
　表示装置１は、有機材料の電界発光現象を利用した有機発光素子（以下、単に「発光素子」とする。）が複数設けられた有機ＥＬ表示パネル（以下、単に「表示パネル」という。）１０と、表示パネル１０に接続され有機発光素子を駆動制御する駆動制御部２０とを備えている。なお、表示装置１は、例えば、ディスプレイ、テレビ、携帯電話等に用いられる。
　表示パネル１０は、複数の発光素子が基板上に例えばＸＹ方向（縦・横方向）にマトリクス状に配置してなる。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とから構成されている。なお、以下、単に表示パネルの縦方向・横方向は、単に縦方向・横方向とする場合もある。
　ここでの表示パネル１０は有機ＥＬ表示パネルを利用しているが、無機材料の電界発光現象を利用した無機発光素子を用いた無機ＥＬ表示パネルを利用しても良い。なお、有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置と、無機ＥＬ表示パネルを備える表示装置と区別する必要がある場合は、有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置を有機ＥＬ表示装置とし、無機ＥＬ表示パネルを備える表示装置を無機ＥＬ表示装置とそれぞれする。
　また、実際の表示装置では、表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置や接続関係については、これに限られない。
＜実施の形態１＞
１．表示パネルの概要
　以下、表示パネルについての実施の形態１について説明する。
　図２は、実施の形態１に係る表示パネルの平面図である。図３は、実施の形態１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＸ１－Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２におけるＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２におけるＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。
　表示パネル１０は、ここでは、光の出射方向を図３の上側、つまり表示面を上側とする、所謂、トップエミッション型である。
　表示パネル１０は、ここでは、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色を発する３つの発光素子（１１）により１ピクセル（画素）１２が構成されている。各発光色の発光素子をサブピクセル１１とし、サブピクセル１１がマトリクス状に配設されている。サブピクセルは、本発明の「表示素子」に相当する。
　なお、赤発光するサブピクセルを「１１Ｒ」として、緑発光するサブピクセルを「１１Ｇ」として、青発光するサブピクセルを「１１Ｂ」としてそれぞれ表し、発光色に関係なくサブピクセルを表す場合は、単に「１１」として表す。
　サブピクセル１１は、図２に示すように、縦方向（図１におけるＹ方向である。）に長い矩形状をし、発光色の異なる３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからなるピクセル１２は、平面視においてほぼ正方形状となる。
　複数のサブピクセル１１は、図３の（ａ）および（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁膜１０３を介して配置されている。各サブピクセル１１は、絶縁膜１０３の上面に各サブピクセル１１に対応して形成された画素電極である陽極１０７と、陽極１０７上に形成された発光層１０９と、発光層１０９上に形成された共通電極である陰極１１１とを基本構成として含む他、各サブピクセル１１を区画するバンク１１３が主に絶縁膜１０３上に設けられている。
　なお、図２は、表示パネル１０の平面図の模式図であり、各サブピクセル１１に対応する部分を矩形状で、各サブピクセル１１を構成する発光層１０９に対応する部分を長円でそれぞれ示している。
　また、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを構成する陽極１０７や発光層１０９であって、各発光色で区別する必要がある場合は、各陽極１０７や発光層１０９に対して対応する発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を付して表す。
　ＴＦＴ基板１０１は、２以上のＴＦＴ素子１２１を１組としたＴＦＴ素子群を複数個所に有する。ここでは、ＴＦＴ素子群は、上下に隣接する２個のＴＦＴ素子１２１により構成されている。なお、上側に位置するＴＦＴ素子を「１２１ａ」として、下側に位置するＴＦＴ素子を「１２１ｂ」としてそれぞれ表す。
　絶縁膜１０３は、複数個所に存在する各ＴＦＴ素子群上に相当する部分が除去された開口部であるコンタクトウインドウ１２３を有しており、コンタクトウインドウ１２３の底には当該コンタクトウインドウ１２３を共有する状態で２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが露出している。
　コンタクトウインドウ１２３内の２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続するサブピクセルは、図２において、コンタクトウインドウ１２３の上下に位置する２つのサブピクセル１１ａ，１１ｂであり、コンタクトウインドウ１２３の上側に位置するサブピクセル１１ａはＴＦＴ素子１２１ａに接続され、コンタクトウインドウ１２３の下側に位置するサブピクセル１１ｂはＴＦＴ素子１２１ｂに接続される。
　図２では、コンタクトウインドウ１２３を楕円形状で示し、コンタクトウインドウ１２３内の上下の２つの円１２２ａ，１２２ｂは、陽極１０７ａ，１０７ｂとＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂとの接続部分を示している。
　なお、コンタクトウインドウ１２３を介して上下に隣接する２個のサブピクセル１１ａ，１１ｂをサブピクセル群とする。
　サブピクセル群を構成する各サブピクセルを、発光色で区別する必要がある場合は、上下のサブピクセル１１ａ，１１ｂに対して、発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ、「Ｂ」を「１１」と「ａ」又は「ｂ」との間に挿入して表すことにする。コンタクトウインドウ１２３を各発光色で区別する必要がある場合は、コンタクトウインドウの符合に発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を付して表す。
２．各部の構成
（１）基板
　基板としてのＴＦＴ基板１０１は、絶縁材料から構成され、表面には、表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するための複数のＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）１２１が形成されている。なお、陽極１０７は、ＴＦＴ素子１２１であるトランジスタのソース電極と接続され、当該電極（給電端子である。）から給電される。
　ＴＦＴ素子１２１は、図２並びに図３の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、縦方向に隣接する２個のサブピクセル１１からなるサブピクセル群に対応して、２個１組のＴＦＴ素子群の形態でサブピクセル群の領域内に配されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図２における「Ｋ１」の線分で表し、この境界は、サブピクセル群を構成する複数のサブピクセルに対する包絡線でもある。
　図２及び図３の（ｃ）に示すように、上下に隣接する２つのサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂにおいて、上側に位置するサブピクセル１１Ｂａに対応するＴＦＴ素子１２１ａは、下側に位置するサブピクセル１１Ｂｂに近い端部（下端部）に存在し、下側に位置するサブピクセル１１Ｂｂに対応するＴＦＴ素子１２１ｂは、上側に位置するサブピクセル１１Ｂａに近い端部（上端部）に存在している。
（２）絶縁膜
　絶縁膜１０３は、ＴＦＴ基板１０１の表面のＴＦＴ素子１２１の絶縁性を確保しつつ、ＴＦＴ素子１２１等による凹凸を埋める（凹凸をなくする）ためのものであり、絶縁材料により形成されている。絶縁膜１０３には、ＴＦＴ素子群を構成する２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが露出するように、コンタクトウインドウ１２３が形成されている。
　図４は、実施の形態１に係る表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。
　コンタクトウインドウ１２３は、縦方向に隣接する１組のサブピクセル１１ａ，１１ｂの形成予定領域に跨るように形成されている。
　コンタクトウインドウ１２３は、図２に示すように、ここでは、縦方向に長い楕円形状をし、図３の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１から厚み方向に離れるに従って開口径が大きくなるように形成されている。つまり、コンタクトウインドウ１２３は、ＴＦＴ基板１０１側が絶縁膜１０３の上面側より径が小さい楕円錐台状をしている。これにより、ＴＦＴ素子１２１から絶縁膜１０３の表面に移るに従って、外側に拡がるように傾斜した周面１２５を有する。
（３）陽極
　陽極１０７は、発光層１０９に対して電界を印加するためのものであり、サブピクセル１１の平面視形状に合わせて、縦方向に長い形状、具体的には矩形状をしている。陽極１０７は、隣接する他のサブピクセル１１の陽極１０７と離間する状態で、サブピクセル１１単位で絶縁膜１０３に形成されている。
　陽極１０７について、図２におけるサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂにおける陽極１０７ａ，１０７ｂを利用して説明する。
　陽極１０７ａ，１０７ｂは、一対のサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂの形成予定部分に跨って形成されたコンタクトウインドウ１２３Ｂ内に露出する２つのＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続されている。
　陽極１０７ａ，１０７ｂは、図３の（ｂ）及び（ｃ）並びに図４に示すように、絶縁膜１０３の上面に位置する電極部１３１ａ，１３１ｂと、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂと接続される接続部１３３ａ，１３３ｂと、電極部１３１ａ，１３１ｂと接続部１３３ａ，１３３ｂとを連結する連結部１３５ａ，１３５ｂとを含み、導電材料により構成されている。
　連結部１３５ａ，１３５ｂは、図４に示すように、コンタクトウインドウ１２３Ｂの周面１２５Ｂ上に主に形成され（正確には、底面にも形成されている場合がある。）、接続部１３３ａ，１３３ｂから電極部１３１ａ，１３１ｂに移るに従って幅が広くなっている。なお、電極部１３１ａ，１３１ｂも連結部１３５ａ，１３５ｂから縦方向に離れるに従って幅が広くなる部分を有する。
（４）発光層
　発光層１０９は、キャリア（ホールと電子）の再結合によって所望の光色の発光を行う部位であり、図３の（ａ）及び（ｃ）に示すように、陽極１０７の電極部１３１上に形成されている。つまり、絶縁膜１０３には、隣接するサブピクセル１１を区画するためのバンク１１３が形成されており、陽極１０７上であってバンク１１３により区画された部分に発光層１０９が形成されている。なお、図２等で示すサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂの発光層は符号「１０９Ｂａ」、「１０９Ｂｂ」を用いる。
（５）陰極
　陰極１１１は、バンク１１３の表面（上面及び斜面を含む。）であって発光層１０９により被覆されていない部分（上面及び斜面を含む。）と発光層１０９の上面とを被覆するように形成されている。
　なお、本実施の形態１で説明する表示パネル１０はトップエミッション型であるため、陰極１１１は透光性の導電材料が用いられている。
（６）バンク
　バンク１１３は、各サブピクセル１１を囲うように形成されている。具体的には、陽極１０７の電極部１３１の周囲とコンタクトウインドウ１２３内とに形成されている。つまり、絶縁膜１０３上に形成されている陽極１０７の電極部１３１（正確には、電極部１３１の周縁を除いた中央領域である。）を除いて、絶縁膜１０３の表面を被覆するように形成されている。
　バンク１１３の平面視形状は、陽極１０７の電極部１３１の上面に開口部を有する井桁状をしている。この開口部に上述の発光層１０９が形成されている。
　バンク１１３は、コンタクトウインドウ１２３の内部を除いて、縦・横方向に隣接する陽極１０７間（図３の（ａ）及び図（ｃ）参照）では、隣接する陽極１０７間を埋め、陽極１０７の上面から上方部分の断面形状が台形状（上底が下底より短い台形状である。）をしている。コンタクトウインドウ１２３の内部では、図３の（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂ間、陽極１０７ａ，１０７ｂの接続部１３３ａ，１３３ｂ間を埋め、陽極１０７の上面から上方部分の断面形状が台形状（上底が下底より短い台形状である。）をしている。
３．製造方法
　表示パネル１０は、ＴＦＴ素子群が設けられた基板を準備する基板準備工程と、ＴＦＴ素子群の対応する部位にコンタクトウインドウを有する状態で絶縁膜を基板に形成する絶縁膜形成工程と、各サブピクセルに対応して絶縁膜の上面からコンタクトウインドウ内のＴＦＴ素子までの領域に陽極を形成する陽極形成工程と、絶縁膜の上面に形成されている陽極上に開口部を有するバンクを形成するバンク形成工程と、バンクの開口部内に発光層を形成する発光層形成工程と、バンクの表面及び発光層の上面に亘る範囲に陰極を形成する陰極形成工程とを経て形成される。
　図５は、実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の一部を説明する図である。
　以下、各工程について図５を用いて説明する。
（１）基板準備工程
　基板準備工程では、基板（１０１）を準備できれば良く、例えば、表面の所定位置にＴＦＴ素子群が複数配されたＴＦＴ基板を準備しても良いし、絶縁板の所定位置にＴＦＴ素子群を形成しても良い。なお、ＴＦＴ素子群を構成するＴＦＴ素子は近接配置されている。
　ここで、ＴＦＴ素子群の所定位置とは、コンタクトウインドウ１２３が形成される位置である。なお、コンタクトウインドウ１２３内に露出す複数のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂは、当該コンタクトウインドウ１２３に隣接して形成される陽極１０７ａ，１０７ｂと接続される。
（２）絶縁膜形成工程
　絶縁膜形成工程は、絶縁膜１０３と同じ材料の絶縁材料からなる絶縁膜１５１を基板１０１の上面に形成する絶縁膜形成工程（図５の（ｂ）である。）と、ＴＦＴ素子群（つまり、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂである。）に対応する部分に開口部を形成する開口部形成工程（図５の（ｃ）から（ｄ）である。）とを含む。
　絶縁膜１５１は、例えば、ＴＦＴ基板１０１の上面にアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料膜を塗布形成することで得られる。開口部は、例えば、フォトリソグラフィー法を利用することで得られる。具体的には、図５の（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに対応した開口部１５３を有するフォトマスク１５５を利用して、絶縁膜１５１を露光・現像することで、図５の（ｄ）に示すように、コンタクトウインドウ１２３が形成された絶縁膜１０３が得られる。
（３）陽極形成工程
　陽極形成工程では、例えば、導電膜１６１を形成する導電膜形成工程（図５の（ｅ）である。）と、導電膜１６１の不要部分を除去する不要部除去工程（図５の（ｆ）～（ｈ））とを有する。
　図５では、導電膜１６１の不要部は、コンタクトウインドウ１２３内であってＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂの上面以外の部分や、陽極１０７を画素単位とすべく各サブピクセル１１間に相当する部分（図示省略）である。
　導電膜形成工程では、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を利用することで絶縁膜１０３の表面上に導電膜１６１が得られる。なお、導電膜形成工程は、真空成膜法以外にも、導電インク、導電性ペーストを用いて大気雰囲気中で形成する工程も用いることもできる。
　不要部除去工程は、フォトリソグラフィー法を利用することで、不要部分を除去することができる。具体的には、（ｉ）図５の（ｆ）に示すように、導電膜１６１上にレジスト膜１６３を塗布し、除去部に対応した開口部１６５を有するマスク１６７を利用して、塗布されたレジスト膜１６３を露光し、（ｉｉ）露光されたレジスト膜１６３を現像することで、図５の（ｇ）に示すように除去部に対応した部分に開口部１６９を有するレジスト膜１６３が形成され、（ｉｉｉ）導電膜１６１に対してエッチングを行うことで、導電膜１６１の不要部が除去され、そのあとレジスト膜１６３を除去する。
　以上により、図５の（ｈ）に示すようにＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続された陽極１０７ａ、１０７ｂが絶縁膜１０３に形成される。
（４）バンク形成工程
　バンク１１３の形成は、例えば、バンク用の有機材料を塗布等により有機材料膜を形成し（有機材料膜形成工程）、有機材料膜上にバンク１１３に合わせた開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から露光した後、余分な有機材料膜を現像液で洗い出す（不要部除去工程）。これにより、陽極１０７の電極部１３１上に開口部を有するバンク１１３が形成される。
（５）発光層形成工程
　発光層１０９の形成は、例えば、インクジェット法を利用することができる。具体的には、Ｒ，Ｇ，Ｂいずれかの色に対応する有機材料と溶媒を含むインクをバンク１１３の開口部に滴下（滴下工程）し、溶媒を蒸発乾燥させる（乾燥工程）ことにより形成する。
（６）陰極形成工程
　陰極１１１の形成は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を利用することができる。
４．実施例
（１）基板
　ＴＦＴ基板１０１を構成する絶縁材料として、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等がある。
　ＴＦＴ基板１０１の表面のＴＦＴ素子１２１を構成する材料としては、チャネル材料にシリコンを用いたもの、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの酸化物半導体を用いたもの、ペンタセン等の有機半導体を用いたもの等がある。
（２）絶縁膜
　絶縁膜１０３は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。絶縁膜１０３の厚みは、ＴＦＴ基板１０１の表面の凹凸状態に依存するが、凹凸に対して例えば５倍以上あれば良く、１０００[ｎｍ]以上あれば良い。なお、絶縁膜の厚みは、ＴＦＴ基板の表面の凹凸部分であって平坦部分（例えば凹部の底に平坦部分がある場合等である。）の上方に対応してサブピクセルを形成する場合は、ＴＦＴ基板の表面の凹凸に対して５倍よりも小とすることもでき、１０００[ｎｍ]より小とすることもできる。
（３）陽極
　陽極１０７を構成する導電性材料としては、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等がある。
（４）発光層
　発光層１０９として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等がある。
（５）陰極
　陰極１１１は透光性の材料により構成され、陰極１１１として利用可能な材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等がある。
（６）バンク
　バンク１１３は、ここでは、陽極１０７に近づくに従って開口幅が小さくなる（換言すると、バンクの幅が大きくなる。）台形状の開口を陽極１０７上に有するような断面形状をしている。バンク１１３として利用可能な材料としては、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）や無機材料（例えば、ＳｉＯ２やＳｉＯＮ等）がある。
５．開口率について
（１）概要
　実施の形態１に係る表示パネル１０における開口率について、従来構造を有する表示パネル（図２０や図２１参照）における開口率と比較しながら説明する。なお、実施の形態１に係る表示パネルを実施例１とし、従来構造を有する表示パネルを従来例１とする。
　図６は、実施例１の開口率と従来例１の開口率とを比較するための説明図である。
　なお、図６は、表示パネルにおいて、縦方向に隣接する実施例１のサブピクセルにおける陽極１０７ａ，１０７ｂと、従来例１のサブピクセルにおける陽極９１１ａ，９１１ｂとを示す概略図である。
　図６中の「Ａ」、「Ａ２」は絶縁膜１０３，９０７の上面に形成された陽極の長さを示し、「Ａ」は特に電極部の長さ（表示有効領域の長さに相当する。）を示す。「Ｂ」はコンタクトウインドウ１１３，９２１の周面間の左右方向のテーパ長を示し、「Ｃ」は接続部の長さを示し、「Ｄ」は隣接する他の陽極との絶縁性を確保ための長さを示している。Ａ～Ｄの長さ、コンタクトウインドウ１１３，９２１の深さは、実施例１及び従来例１とも同じである。
　図６に示すように、従来例１の１画素の長さは、図６の左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ２」である。これに対し、実施例１における左側の１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋２Ｅ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ」となり、右側の１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ＋２Ｅ」となる。なお、実施例１では、左側の画素、右側の画素とも、１画素あたりの長さは同じである。また、従来例１と実施例１とでは、1画素の長さは同じである。
　このことから、１画素当たり、実施例１の長さ（表示有効領域の長さ）は、従来例１よりも「２Ｅ」だけ長くなることが分かり、実施例１の開口率を従来例１よりも「２Ｅ」の分だけ向上させることができる。なお、ここで、差分「２Ｅ」は、従来例１の「Ｂ」と「Ａ２」との和に相当する。
（２）コンタクトウインドウ
　図７は、コンタクトウインドウを含む領域の断面図である。
　コンタクトウインドウ１７１の大きさは、図７の（ａ）に示すように、コンタクトウインドウ１７１の底１７１ａの長さＦと、周面１７１ｂの長さであるテーパ長Ｂを２倍したものとの和になる。
　ここで、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂの傾斜角Ｇは、コンタクトウインドウ１７１の製造上の観点からは９０［°］以下が好ましい。また、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂに陽極１０７の連結部１３５を形成することを考慮すると、傾斜角Ｇは、特に７０［°］以下が好ましい。このように傾斜角Ｇを、７０［°］以下の所定の角度であって一定と考えると、テーパ長Ｂは、絶縁膜１７３の厚みＨによって規定される。
　なお、傾斜角Ｇが７０［°］以下であると、連結部１３５を効率よく成形でき、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂと陽極との密着力をさらに向上させることができる。
　一方、発光層１０９の厚み等は下地の凹凸の影響を受け易い（発光ムラの原因となる。）。このため、発光層１０９を平坦な部分に形成する目的と、ＴＦＴ基板１０１の導電層（ＴＦＴ素子１２１以外の素子やＴＦＴ素子１２１のソース電極以外の電極等である。）と陽極１０７との間で発生する寄生容量を小さくする目的のために、近年、絶縁膜１０３を厚くする傾向にある。
　以上のことから、コンタクトウインドウ１７１の成形技術が向上し、図７の（ｂ）に示すように、コンタクトウインドウ１７１を小さく形成できるようになった場合でも、コンタクトウインドウ１７１の底１７１ａの長さＦを短くできるだけであり、テーパ長Ｂを小さくすることはできない。
　実施例１では、コンタクトウインドウ１７１の断面において、２つの周面１７１ｂを利用して陽極１０７ａ，１０７ｂを形成しているため、従来例１に対して、実質的に１画素当たりに１つのテーパ長Ｂだけ短くでき、開口率を向上させることができる。
（３）考察
　図６で示した従来例１は、１画素の長さに「Ａ２」と「Ｄ」が含まれている。Ａ２は、コンタクトウインドウ９２１の内周面と陽極９１１との密着力を確保する目的で、絶縁膜９０７の上面であってコンタクトウインドウ９２１の周辺まで陽極９１１を形成していたが、陽極９１１上にバンク９１５を形成する等のため、コンタクトウインドウ９２１と陽極９０７の密着性が問題になることは少ない。
　このため、従来例１においても、実施例１と同様に、コンタクトウインドウ９２１の断面において一方の周面を含めた底１７１ａ（図７参照）にのみ陽極９１１を形成する場合、対向する他方の周面１７１ｂ（図７参照）に陽極を形成する必要がない。このような構成を採用すると、他方の周面１７１ｂに陽極がなくなり、隣接する陽極９１１ａ，９１１ｂ同士が離間する。このため、図６における従来例１における隣接する陽極９１１ａ，９１１ｂ間の絶縁性を確保のための間隔Ａ２は不要となる。
　図８は、従来技術に含まれる表示装置におけるコンタクトウインドウを含む領域の断面図である。
　なお、図８の（ｂ）では、従来例２と１画素の長さを同じにした場合の実施例１ａを示している。
　図８の（ａ）に示す従来例１ａは、図６に示す従来例１の「Ａ２」と「Ｄ」をなくしたものであり、１画素の長さは、左側から、「Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。この長さは、図６で示す実施例１における１画素の長さと等しい。
　しかしながら、従来例１ａでは、絶縁膜９０７上に形成された陽極９１１ａ，９１１ｂは、図８の（ａ）における左右のコンタクトウインドウ９２１の周縁まであり、周縁付近では、コンタクトウインドウ１２３の凹凸の影響を受け、発光ムラを生じる。
　また、陽極９１１ａ，９１１ｂの周縁部分はバンク（９１５）により被覆されることになるが、陽極９１１ａ，９１１ｂの内、コンタクトウインドウ９２１内に延伸していない側の端（各画素における左側端である。）は、コンタクトウインドウ９２１の周縁にまで達しているのでバンク（９１５）の管理が困難となり、発光層９１７の面積がばらつき、結果的に輝度ムラを生じる。
　以上のことから、１つのコンタクトウインドウ９２１に１つの陽極９１１が接続される構造を採用する場合において、開口率を向上させるために、図６の従来例１での１画素における「Ａ２」と「Ｄ」とを削除することは可能であるが、発光ムラ等の表示性能を低下させるものである。
　そこで、実施例１と同等の表示性能を有し、１つの陽極９１１が１つのコンタクトウインドウ９２１内に存在する１つのＴＦＴ素子（９０３）に接続する構成を有する表示パネルにおいて、１画素の全長が最も小さくなるのは、図８の（ｂ）に示す構造を有する表示パネル（従来例２とする。）である。
　従来例２における１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。一方、図６で示す実施例１を従来例２の１画素の長さに合わせたものは、図８の（ｂ）に示す実施例１ａである。
　このように、背景技術で説明した表示パネルにおいて、表示性能を低下させることなく、１画素当たりの長さを最大にした従来例２に対して、１画素の長さを同じにしても、実施例１ａでは１画素当たり「Ｅ」だけ表示有効領域を長くすることができる。
　実施例１ａの有効表示領域において長くなった「Ｅ」は、従来例２のテーパ長Ｂに相当し、図７で説明したように、絶縁膜１０３，９０７が厚くなる傾向にあり、また傾斜角Ｇを大きくすることができないことを考慮すると、１画素の全長における「Ｅ」分（換言すると「Ｂ」分である。）の違いによる開口率向上は大きいものと考えられる。
（４）具体例
（ａ）２０インチＨＤ（ＨＩＧＨ　Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）
　２０インチＨＤパネルの場合、テーパ長Ｂが１０［μｍ］であり、１画素の長さ（陽極部の長さである。）が３００［μｍ］で、開口率は約３［％］程度向上する。
（ｂ）４０インチ　画素数４ｋ×２ｋ
　４０インチパネルの場合、例えばテーパ長Ｂが１［μｍ］であり、１画素の長さが２００［μｍ］で、開口率は約０．５［％］程度向上する。
＜実施の形態２＞
　実施の形態１では、縦方向に隣接する２つのサブピクセル１１ａ，１１ｂ間にコンタクトウインドウ１２３を有し、当該コンタクトウインドウ１２３内で隣接方向である縦方向にＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが配されている。しかしながら、コンタクトウインドウ１２３内でのＴＦＴ素子１２１の配置は、複数（ここでは２個である。）のサブピクセル１１ａ，１１ｂの隣接方向に合わせる必要はなく、他の配置でも良い。
　本実施の形態２に係る表示パネル２１０は、２つの隣接するサブピクセル２１１ａ，２１１ｂに接続されるＴＦＴ素子２２１ａ，２２１ｂがコンタクトウインドウ２２３内でサブピクセル２１１ａ，２１１ｂの隣接方向と直交する方向に配されている。
１．構成
　図９は、実施の形態２に係る表示パネルを示す図であり、（ａ）は表示パネルの平面図であり、（ｂ）は表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。
　図１０は、実施の形態２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図９におけるＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図９におけるＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。
　表示パネル２１０は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する３つのサブピクセル２１１により構成される１ピクセル（画素）２１２を縦・横方向のマトリクス状に有する。
　サブピクセル２１１に対し発光色による区別が必要な場合は、その発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を「２１１」の後に付して表すことにする。また、３つのサブピクセル２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂは縦方向に長い矩形状をし、３つのサブピクセル２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂからなるピクセル２１２は、図９の（ａ）に示すように、平面視においてほぼ正方形状となる。
　表示パネル２１０は、図１０に示すように、ＴＦＴ基板２０１、絶縁膜２０３、複数のサブピクセル２１１を備える。各サブピクセル２１１の構成は実施の形態１と基本的に同じであるが、陽極のＴＦＴ素子への延伸構造が異なる。
　ここでは、縦方向に隣接する２つのサブピクセル２１１Ｂａ,２１１Ｂｂを代表例として説明する。
　サブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂは、図１０に示すように、各サブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂに対応して絶縁膜２０３の上面に形成された陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂと、陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂ上に形成された発光層２０９Ｂａ，２０９Ｂｂ、発光層２０９Ｂａ，２０９Ｂｂ上に形成された陰極２１０とを有し、絶縁膜２０３に形成されたバンク２１３によりサブピクセル単位に区画されている。
　絶縁膜２０３は、ＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂ上に相当する部分が除去されたコンタクトウインドウ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂを有する。このコンタクトウインドウ２２３は、サブピクセル群の領域内に配されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図９における「Ｋ２」の線分で表す。
　ここで、図９の（ｂ）のコンタクトウインドウ２２３Ｂに着目して説明すると、１つのコンタクトウインドウ２２３Ｂの底には、当該コンタクトウインドウ２２３Ｂの周辺に配される２つの隣接するサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂに接続される２つのＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂが露出している。
　ＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂは、対応する２つのサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂの隣接方向と直交する方向に並設され、コンタクトウインドウ２２３Ｂ内を２つのサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂの隣接する方向に延伸する仮想の境界線により２分された２つの領域内に位置している。
　サブピクセル２１１の陽極２０７について、図９の（ｂ）のコンタクトウインドウ２２３Ｂに着目して説明すると、陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂは、実施の形態１と同様に、電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂと、接続部２３３Ｂａ，２３３Ｂｂと、連結部２３５Ｂａ，２３５Ｂｂとを有する。
　電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂは、絶縁膜２０３上に形成され、表示パネル２１０の縦方向に長い矩形状をしている。コンタクトウインドウ２２３Ｂは、縦方向に隣接する電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂ間に形成されている。
　連結部２３５Ｂａ，２３５Ｂｂのそれぞれは、図９の（ｂ）に示すように、コンタクトウインドウ２２３Ｂ内であって２分された各領域の周面を、電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂの長手方向に沿って各電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂから接続部２３３Ｂａ，２３３Ｂｂまで延伸している。
　縦方向に隣接するサブピクセル群とサブピクセル群との間には、図９の（ａ）及び図１０の（ｂ）に示すように、陰極２１０に接続する補助電極２１５が横方向に延伸している。この補助電極２１５は陰極２１０の電気特性を均一にするためのものである。
２．開口率について
　実施の形態２に係る表示パネル２００における開口率について、従来構造を有する表示パネル（図８の（ｂ）参照）における開口率と比較しながら説明する。なお、実施の形態２に係る表示パネルを実施例２とし、従来構造を有する表示パネルを従来例２とする。
　図１１は、実施例２の開口率と従来例２の開口率とを比較するための説明図である。
　なお、図１１は、縦方向に隣接するサブピクセルにおける陽極９１１ａ，９１１ｂ，２０７ａ，２０７ｂを示す概略図である。また、実施例２の１画素の長さは、従来例２の１画素の長さ同じになるようにしている。
　図１１中の「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」で表す長さは、実施の形態１で説明した「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」で表す長さと同じ定義であり、Ａ～Ｄの長さ、コンタクトウインドウ２２３，９２１の深さは、実施例２及び従来例２とも同じである。
　図１１に示すように、従来例２の２画素の長さは、図１１の左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」＋「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。これに対し、実施例２における２画素は、左側から、「Ｄ＋Ｅ１＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ＋Ｅ２」となる。
　このことから、実施例２の２画素における表示有効領域の長さは、従来例２の２画素の長さに対して、「Ｅ１」と「Ｅ２」だけ長くなることが分かる。この「Ｅ１」と「Ｅ２」は、従来例２における１つのコンタクトウインドウ９２１（Ｂ＋Ｃ+Ｂ）分の長さと、「Ｄ」との和である。
　このように、１画素の長さを同じにした場合、実施例２の方が表示有効領域を長くでき、実施例２の開口率を従来例２よりも向上させることができる。
３．具体例
　４０インチパネル（画素数：４ｋ×２ｋ）の場合、下底の長さが５［μｍ］、上底の長さが７［μｍ］のコンタクトウインドウ２２３を用いると、２画素に対して、少なくとも１つのコンタクトウインドウ９２１の長さ分だけ、つまり、１画素で３．５［μｍ］だけ短くできる。１画素の長さが２００［μｍ］の場合、開口率は約１．７５［％］程度従来例２に対して向上する。
＜実施の形態３＞
　実施の形態１，２では、サブピクセルの平面視形状は矩形状をしていたが、他の形状であっても良い。他の形状としては、正方形状、円形状、楕円形状、六角形状等の多角形状等がある。以下、平面視形状が６角形状のサブピクセル（発光素子）３１１を有する表示パネル３０１について、実施の形態３として説明する。
　図１２は、平面視形状が６角形状をした表示パネルの概略平面図であり、（ａ）は実施の形態３に係る表示パネルを示す図であり、（ｂ）は従来構造の表示パネルを示す図である。
　表示パネル３０１は、図１２に示すように、平面視６角形状をしたサブピクセル３１１をＴＦＴ基板（図示省略）上に絶縁膜（図示省略）を介して複数備える。
　同図に示す６角形状は、サブピクセル３１１を表しており、複数のサブピクセル３１１が第１方向であるＸ方向と第２方向であるＹ方向とに配置されている。Ｘ方向上の複数のサブピクセル３１１は、六角形状を構成する６つの辺のうちの１つが対向する状態で配置されて１列を構成し、この列に対して、Ｙ方向に隣接する他の１列が、サブピクセル３１１の１／２ピッチ分だけずれた状態で配されている。
　本実施の形態３では、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃによりサブピクセル群が構成され、このサブピクセル群の領域内に１つのコンタクトウインドウ３１３が形成されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図１２の（ａ）における「Ｋ３」の線分で表す。
　具体的には、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃのそれぞれの１つの頂角が１か所に集まる個所であって、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃに跨るようにコンタクトウインドウ３１３が形成されている。
　従来の平面視形状が６角形状をしたサブピクセル９５１をＸ方向とＹ方向に複数配置されてなる表示パネル９５３を図１２の（ｂ）に示す。
　従来構造の表示パネル９５３では、平面視において、実施の形態３と同様な６角形状をした１つのサブピクセル９５１に対しコンタクトウインドウ９５５を１つ有している。
　これに対し、実施の形態３に係る表示パネル３０１では、３つのサブピクセル（例えば、３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃである。）により１つのコンタクトウインドウ３１３を共有するため、コンタクトウインドウ３１３の周面の３分１だけあれば、陽極とＴＦＴ素子とを接続することができ、コンタクトウインドウ１個内に１つのＴＦＴ素子を有する従来構造の表示パネル９５３よりも開口率を向上させることができる。
　本実施の形態３では、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃにより発光素子群を構成していたが、例えば、隣接する２個のサブピクセル（例えば、３１１ａ，３１１ｂである。）によりサブピクセル群を構成しても良い。
＜まとめ＞
　上記実施の形態等で説明した表示パネルは、本発明の実施に形態における例示である。つまり、本発明は、サブピクセルの数、形状、コンタクトウインドウの形状、個数等により限定されるものでなく、種々の仕様の表示パネルに適用できる。
　以下、種々の仕様について説明する。なお、ここでは、サブピクセルの平面視形状が矩形状をしたものについて説明するが、実施の形態３で説明したような平面視形状が６角形状のサブピクセルを有する表示パネルや、他の形状のサブピクセルを有する表示パネル等にも適用できる場合がある。
１．例１
　図１３は、２個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。
　図１３の（ａ）に示す表示パネル４０１は、２個の隣接するサブピクセル４０３ａ，４０３ｂによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ４」である。）に１個のコンタクトウインドウ４０５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４０７ａ，４０７ｂで行われている。
　ここでは、２個の隣接するサブピクセルは、矩形状のサブピクセルの長辺に対して平行に延伸させた長手方向（実施の形態１における縦方向である。）に隣接している。
　また、図１３の（ａ）では、コンタクトウインドウ４０５は、矩形状のサブピクセルの長手方向に長い楕円形状若しくは長円形状をしているが、長手方向に長い矩形状であっても良いし、サブピクセルの長手方向に短い矩形状、楕円形状、長円形状等でも良く、コンタクトウインドウ４０５の平面視形状は特に限定するものではない。
　図１３の（ｂ）に示す表示パネル４１１は、２個の隣接するサブピクセル４１３ａ，４１３ｂによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ５」である。）に１個のコンタクトウインドウ４１５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４１７ａ，４１７ｂで行われている。
　ここでは、２個の隣接するサブピクセル４１３ａ，４１３ｂは、矩形状の短辺に対して平行に延伸させた短手方向（実施の形態１における横方向である。）に隣接している。
　また、図１３の（ｂ）では、コンタクトウインドウ４１５は、矩形状のサブピクセル４１３ａ，４１３ｂの短手方向に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良いし、長手方向に長い矩形状、楕円形状、長円形状等でも良く、コンタクトウインドウ４１５の平面視形状は特に限定するものではない。
２．例２
　図１４は、３個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。
　図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１は、３個の隣接するサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ６」である。）に１個のコンタクトウインドウ４２５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４２７ａ，４２７ｂ，４２７ｃで行われている。
　ここでは、３個の隣接するサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃは、矩形状のサブピクセルの短辺に対して平行に延伸させた短手方向に隣接している。
　図１４の（ａ）では、コンタクトウインドウ４２５は、矩形状のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃの短手方向（サブピクセルの隣接方向と同じである。）に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウの平面視形状は特に限定するものではない。
　コンタクトウインドウ４２５は、縦方向に隣接するサブピクセル群が互いに対向する側に形成されている。つまり、３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群（上側に位置するサブピクセル群である。）と、当該サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃが隣接する方向（横方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群（下側に位置するサブピクセル群である。）とで組を構成し、当該サブピクセル群における他のサブピクセル群側に形成されている。
　図１４の（ｂ）に示す表示パネル４３１は、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１と同様に、３個の隣接するサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ７」である。）に１個のコンタクトウインドウ４３５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４３７ａ，４３７ｂ，４３７ｃで行われている。
　サブピクセル群を構成する３個のサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃの隣接方向、コンタクトウインドウ４３５の形状は、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１のこれらと同じであるが、コンタクトウインドウ４３５の位置が各サブピクセル群の下部側に存する点で異なる。つまり、サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃが隣接する方向（横方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群側（下側である。）にコンタクトウインドウ４３５がある点で、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１と異なる。
　換言すると、図１４の（ａ）の各コンタクトウインドウ４２５は、各サブピクセル群において、隣接する２つのサブピクセル群が互いに対向する側（図１４の（ａ）ではサブピクセル群の間である。）に形成され、図１４の（ｂ）の各コンタクトウインドウ４３５は、各サブピクセル群の領域における所定位置（下部側である。）に形成される点で異なる。
　図１４の（ｃ）に示す表示パネル４４１は、３個の隣接するサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域外（境界線は同図の「Ｋ８」である。）に１個のコンタクトウインドウ４４５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４４７ａ，４４７ｂ，４４７ｃで行われている。
　ここでは、３個の隣接するサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃは、矩形状のサブピクセルの長辺に対して平行に延伸させた長手方向に隣接している。
　図１４の（ｃ）では、コンタクトウインドウ４４５は、矩形状のサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃの長手方向に長い矩形状をしているが、長手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウ４４５の平面視形状は特に限定するものではない。
　コンタクトウインドウ４４５は、３つのサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃからなるサブピクセル群（例えば、図１４の（ｃ）における右端に位置するサブピクセル群である。）の領域と、当該サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃが隣接する方向（縦方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群（例えば、ず１４の（ｃ）における中央に位置するサブピクセル群である。）の領域との間に形成されている。
　なお、サブピクセル群を構成し且つ隣接方向の端に位置するサブピクセル４４３ａ，４４３ｃの各陽極は、絶縁膜上に形成された電極部と、コンタクトウインドウ４４５の周面上に形成された連結部との間に、電極部から連結部にまで延伸する延伸部が絶縁膜上に形成されている。なお、延伸部は図１４の（ｃ）では破線で示している。
　図１５は、図１４の（ａ）に示す表示パネルにおける開口率についての説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は従来構造における（ａ）のＹ１－Ｙ２断面に相当する断面図である。
　表示パネル４２１は、横方向に隣接する３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃに対して１つのコンタクトウインドウ４２５を有し、図１５の（ｂ）に示すように、隣接方向における両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃの陽極４２４ａ，４２４ｃは、中央に位置するサブピクセル４２３ｂに近い位置で、基板４０８のＴＦＴ素子４０８ａ，４０８ｃと接続している。
　一方、従来構造の表示パネル９７０では、横方向に隣接する３つのサブピクセルのそれぞれにコンタクトウインドウ９７５ａ，９７５ｂ，９７５ｃを有し、陽極９７３ａ，９７３ｂ，９７３ｃがＴＦＴ素子９７７ａ，９７７ｂ，９７７ｃに接続している。
　このため、表示パネル４２１の構造は、従来構造に対して、断面において、３つの隣接するサブピクセルのうちの両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃのコンタクトウインドウの一方の周面の長さ（テーパ長）が不要となる。つまり、図１５の（ｃ）に示す「Ｅ」分だけ隣接方向の長さを短くすることができ、開口率を向上させることができる。
３．例３
　図１６は、６個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示し、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１－Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）はＺ１－Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。
　図１６の（ａ）に示す表示パネル４５１は、６個の隣接するサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ９」である。）に１個のコンタクトウインドウ４５５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４５７ａ，４５７ｂ，４５７ｃ，４５７ｄ，４５７ｅ，４５７ｆで行われている。
　ここでは、６個の隣接するサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆは、矩形状のサブピクセルの短辺と長辺とのそれぞれに対して平行に延伸させた短手方向（横方向）と長手方向（縦方向）とに沿って隣接している。なお、短手方向及び長手方向は、第１方向及び第２方向であり、互いに直交する。
　コンタクトウインドウ４５５は、図１６の（ａ）に示すように、矩形状のサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃの短手方向に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウの平面視形状は特に限定するものではない。
　コンタクトウインドウ４５５は、短手方向に隣接する３つのサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃと、同じく短手方向に隣接する他の３つのサブピクセル４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆとが長手方向に対向する部分に形成されている。つまり、コンタクトウインドウ４５５は、長手方向に隣接する２つのサブピクセル群間であって、６個のサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆに跨るように形成されている。
　３つのサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ（４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆ）の隣接方向における両側のサブピクセル４５３ａ，４５３ｃの陽極４５４ａ，４５４ｃは、図１６の（ｂ）に示すように、中央に位置するサブピクセル４５３ｂに近い位置で、基板４５８のＴＦＴ素子４５８ａ，４５８ｃと接続している。
　このように、サブピクセルの短手方向に隣接する３つのサブピクセルに亘る断面において、３つの隣接するサブピクセルのうちの両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃは、コンタクトウインドウ４５５の両側の周面を利用してＴＦＴ素子４５８ａ，４５８ｃと接続するため、両側に位置するサブピクセル４２３ａ，４２３ｃにおける短手方向のコンタクトウインドウ４５５の影響を少なくでき、結果的に開口率を向上させることができる。
　また、長手方向に隣接する２つのサブピクセル４５３ｂ，４５３ｅ（４５３ａと４５３ｄ、４５３ｃと４５３ｆ）は、図１６の（ｃ）に示すように、１つのコンタクトウインドウ４５５内で基板４５８のＴＦＴ素子４５８ｂ，４５８ｅ（４５８ａと４５８ｄ、４５８ｃと４５８ｆ）と接続している。
　このように、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの断面において、２つのサブピクセル４５３ｂ，４５３ｅ（４５３ａと４５３ｄ、４５３ｃと４５３ｆ）は、コンタクトウインドウ４５５の長手方向の両側に位置する周面を利用してＴＦＴ素子４５８ｂ，４５８ｅ（４５８ａと４５８ｄ、４５８ｃと４５８ｆ）と接続するため、コンタクトウインドウ４５５の周面を効率良く利用でき、結果的に開口率を向上させることができる。
４．例４
　図１７は、４個のサブピクセルによりサブピクセル群と、２個のサブピクセルによりサブピクセル群とを組み合わせた構成の表示パネルを示す概略平面図である。
　表示パネル４６１は、４個の隣接するサブピクセル４６３ａ，４６３ｂ，４６３ｄ，４６３ｅにより第１のサブピクセル群を構成し、２個の隣接するサブピクセル４６３ｃ，４６３ｆにより第２のサブピクセル群を構成し、各サブピクセル群の領域内に１個のコンタクトウインドウ４６５，４６７がある。
　陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分で行われている。
　ここでは、サブピクセル数が異なる２以上のサブピクセル群を組み合わせた構造について説明するものであり、図１７に示した表示パネル４６１は一例である。従って、各サブピクセル群を構成するサブピクセルの個数、コンタクトウインドウの位置や形状は、図１７に示すものに限定するものでない。
　例えば、図１４の（ａ）に示すような３個のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群と、図１６の（ａ）に示すような６個のサブピクセル４５３ａ～４５３ｆからなるサブピクセル群とを組み合わせても良いし、図１７に示すような４個のサブピクセル４６３ａ，４６３ｂ，４６３ｄ，４６３ｅからなるサブピクセル群と２個のサブピクセル４６３ｃ，４６３ｆからなるサブピクセル群と、さらに、図１４の（ａ）に示すような３個のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群と、図１６の（ａ）に示すような６個のサブピクセル４５３ａ～４５３ｆからなるサブピクセル群とを組み合わせても良い。
５．例５
　図１８は、溝状の開口部を有する表示パネルを示す概略平面図である。
　表示パネル４７１は、サブピクセルの長手方向に隣接する２個のサブピクセル４７３ａと４７３ｅ，４７３ｂと４７３ｆ，４７３ｃと４７３ｇ，４７３ｄと４７３ｈの間をサブピクセルの短手方向に延伸する開口部の一つである溝４７５を有する。
　ここでは、表示パネル４７１は、開口部として、短手方向に延伸する溝４７５を有しているが、他の表示パネルに対しても適用できる。例えば、図１４の（ｃ）に示す表示パネル４４１の場合、コンタクトウインドウ４４５の代わりに、サブピクセル４４３の長手方向に延伸する溝を設けても良い。なお、溝以外に、実施の形態１等で説明したコンタクトウインドウも組み合わせて備えても良い。
６．例６
　図１９は、開口部内の陽極とＴＦＴ素子との接続を互い違いにした表示パネルを示す概略図である。
　実施の形態２では、サブピクセルの長手方向に隣接する２個のサブピクセル２１１ａ，２１１ｂに対応して設けられたコンタクトウインドウ２２３内を２つに分けて、各サブピクセル２１１ａ，２１１ｂの陽極２０７ａ，２０７ｂのそれぞれが、長手方向の逆方向から交互に延伸してＴＦＴ素子２２１ａ，２２１ｂに接続している。
　図１９の（ａ）に示す表示パネル４８１は、サブピクセルの長手方向と短手方向とに隣接する６個のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ，４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆからなるサブピクセル群に対して平面視において短手方向に長いコンタクトウインドウ４８５を１個有している。
　各サブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ，４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆとＴＦＴ素子との接続は、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの陽極が他方のサブピクセル側へと交互に延伸して行われている。
　図１９の（ａ）を用いて具体的に説明すると、長手方向の一方側（ここでは例えば上側とする。）のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃの陽極が、長手方向に隣接する他方側（ここでは下側となる。）のサブピクセル４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆ側に延伸し、長手方向の他方側（ここでは下側となる。）のサブピクセル４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆの陽極が、長手方向に隣接する一方側（ここでは上側となる。）のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ側に延伸している。
　各陽極における長手方向に隣接する相手側に延伸する幅（短手方向の寸法である。）は、各サブピクセルの陽極の幅の半分以下であり、交互に延伸して２つ合わせてもサブピクセルの幅以下となる。
　図１９の（ｂ）に示す表示パネル４９１は、サブピクセルの長手方向と短手方向とに隣接する６個のサブピクセル４９３ａ，４９３ｂ，４９３ｃ，４９３ｄ，４９３ｅ，４９３ｆからなるサブピクセル群に対して短手方向に延伸する溝４９５を有している。
　各サブピクセル４９３ａ，４９３ｂ，４９３ｃ，４９３ｄ，４９３ｅ，４９３ｆとＴＦＴ素子との接続は、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの陽極が他方のサブピクセル側へと交互に延伸して行われている。
<変形例＞
　以上、複数の実施の形態等について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
１．発光素子の構成
　実施の形態等では、発光素子の基本構成として、画素電極（陽極）、発光層、共通電極（陰極）を備えていたが、これらの層の機能（単に機能層ともいう。）を高めるために、補助機能層を上記機能層に設けても良い。
　補助機能層としては、例えば、正孔注入層、電子注入層、封止層等がある。正孔注入層は、画素電極から発光層への正孔の注入を促進させるものである。電子注入層は、共通電極から発光層への電子の注入を促進させるものである。封止層は、発光層が水分や空気等にふれて劣化することを抑制するものである。
２．発光素子の形状
　実施の形態１，２及び例１～例６では、発光素子は、表示パネルの縦方向に長い矩形状をしていたが、例えば、表示パネルの横方向に長い矩形状をしていても良い。
３．表示素子
　実施の形態等では、表示素子として発光素子を利用した表示パネルについて説明したが、本発明は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルに適用することができる。実施の形態等説明した発光素子以外の表示素子としては、ＴＦＴ駆動型の液晶パネルに使用される表示素子がある。
４．基板
　実施の形態等では、基板としてＴＦＴ基板を利用したが、基板上に形成された表示素子に個別に給電できる構成を有していれば良く、ＴＦＴ素子を利用しなくても良く、例えば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）が絶縁板に形成されたような基板であっても良い。
　また実施の形態等では、基板としてＴＦＴ素子が形成されたＴＦＴ基板を利用し、１の表示素子が１のＴＦＴ素子に接続する形態で説明している。これは、表示素子の画素電極が末端のＴＦＴ素子に接続されることを意味し、画素電極に給電するために、末端のＴＦＴ素子を含む複数のＴＦＴ素子が形成されているような基板であっても良い。
５．光の取出し構造
　実施の形態等では、光の取出し方向が基板と反対側である、所謂トップエミッション型であったが、光の取出し方向が基板側である、所謂ボトムエミッション型であっても良い。
　この場合、基板を透明基板（例えば、ガラス基板である。）で、光を取り出す側の画素電極（基板に近い方の電極）を透明電極（例えば、ＩＴＯである。）で、他方の電極（基板に遠い方の電極）に反射率の高い電極（例えば、ＡｇやＡｌである。）を用いた構成にすることで実施できる。
６．その他
　以上の説明では、ＥＬ表示パネルについて例示したが、本願発明は、液晶表示パネル、また、ＥＬ表示パネルであっても有機ＴＦＴを駆動回路素子に使用するものについても適応でき、同様な効果を発揮できることは言うまでもない。
　本発明の表示パネルは、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる表示パネルに好適に利用可能である。
　　　１０　　表示パネル
　　１０１　　ＴＦＴ基板
　　１０３　　絶縁膜
　　１０７　　陽極
　　１０９　　発光層
　　１１１　　陰極
　　１１３　　バンク
　　１２３　　コンタクトウインドウ

Claims (9)

  1. 　２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、
    　前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、
    　前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている
    　表示パネル。
     
  2. 　前記開口部は、前記絶縁膜表面に点在する状態で複数形成され、
    　前記開口部は、他の開口部を共有しない２個以上の表示素子により共有されている
    　請求項１に記載の表示パネル。
     
  3. 　前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域内に存在する
    　請求項１に記載の表示パネル。
     
  4. 　前記複数の表示素子は、第１方向と、当該方向と交差する第２方向とに沿って配置され、
    　前記２個以上の給電端子は、前記第１方向及び第２方向の少なくとも一方の方向に沿って配されている
    　請求項１に記載の表示パネル。
    　
  5. 　前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域外に存在する
    　請求項１に記載の表示パネル。
     
  6. 　前記開口部は、孔形状または溝形状をしている
    　請求項１に記載の表示パネル。
     
  7. 　前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、
    　前記２個以上の表示素子数は２個であり、当該２個の表示素子の画素電極は、前記開口部を挟んで第１方向に配され、
    　前記２個の表示素子用の給電端子は、前記第１方向と直交する第２方向に並設され、
    　前記２個の画素電極は、前記開口部を挟んだ両側から相互に当該開口部内へと延伸している
    　請求項１に記載の表示パネル。
     
  8. 　前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、
    　前記絶縁膜上に形成されている前記複数の表示素子の画素電極上に対応した開口部を複数有するバンクが形成され、当該バンクの複数の開口部の間隔が等しい
    　請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示パネル。
     
  9. 　２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、
    　前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、
    　近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、
    　前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程と
    　を含む表示パネルの製造方法。
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