JPWO2013046275A1 - 表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

表示パネルは、２次元状に配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する。この表示パネルは、複数の表示素子が基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に少なくとも１個の開口部を有している。この開口部内に露出する基板の部位には、この開口部を共有する状態で２個以上の表示素子用の給電端子が形成され、基板上に形成された２個以上の表示素子が開口部内の２個以上の給電端子と電気的に接続されている。

Description

本発明は、表示パネルおよびその製造方法に関する。

近年、陽極（画素電極）と陰極（共通電極）との間に有機発光層等を有する発光素子が基板上に絶縁膜を介してマトリクス状に形成されてなる表示パネルが検討されている（例えば、特許文献１）。

図２０は、従来の有機発光素子を用いた有機表示パネルの一部平面図であり、図２１の（ａ）は図２０のＸ１−Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２０のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２０のＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。

基板は、駆動素子であるＴＦＴ素子（駆動端子）９０３をマトリクス状に配設したＴＦＴ基板９０５であり、当該ＴＦＴ基板９０５の上面には絶縁膜９０７が形成されている。

絶縁膜９０７の上面には複数の発光素子９０９が所定のパターンで形成されており、各発光素子９０９は、素子単位で絶縁膜９０７上に形成された陽極９１１と、陽極９１１上に形成された発光層９１７と、発光層９１７上に形成された陰極９１９とを備え、絶縁膜９０７に形成されたバンク９１５により各発光素子９０９が区画されている。

陽極９１１とＴＦＴ素子９０３との接続は、図２０並びに図２１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、絶縁膜９０７におけるＴＦＴ素子９０３に対応する部分に開口部（所謂、コンタクトウインドウであり、以下、コンタクトウインドウという。）９２１を設けて、コンタクトウインドウ９２１内で露出するＴＦＴ素子９３５上に陽極９１１を形成することで行われる。なお、コンタクトウインドウ９２１は、図２１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、バンク９１５と同じ材料により埋められている。

特開２００９−１２２６５２号公報

近年、表示サイズに対する表示パネルの小型化（同じ表示サイズで表示パネルを小型化する。）が要求されている。この要求に対し、表示パネルにおける開口率（１個の発光素子の領域全体の内、表示に有効な領域（以下、単に「表示有効領域」とする。）の面積比率である。）を向上させて対処する場合、上記技術や特許文献１の技術では、開口率のさらなる向上は困難である。

本発明は、開口率の向上を可能とする表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一形態である表示パネルは、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている。

本発明の一形態である表示パネルの製造方法は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程とを含む。

本発明の一形態である表示パネルでは、１個の開口部において、内部に露出する基板の部位に開口部を共有する状態で２個以上の表示素子用の給電端子が形成されているため、複数の表示素子で開口部を共有することができ、１表示素子に占める開口部比率を小さくでき、表示パネルの開口率を、１つの表示素子に対応して１つの開口部を有する表示パネルの開口率よりも大きくすることができる。

本発明の一形態である表示パネルの創造方法では、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を形成し、その周辺に前記近接する２以上の給電端子に接続される２以上の表示素子を形成するため、１表示素子に占める開口部比率を小さくでき、表示パネルの開口率を、１つの表示素子に対応して１つの開口部を有する表示パネルの開口率よりも大きくすることができる。

実施の形態１に係る表示装置の全体構成を示す図である。 実施の形態１に係る表示パネルの平面図である。 実施の形態１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＸ１−Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２におけるＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２におけるＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 実施の形態１に係る表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。 実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の一部を説明する図である。 実施例１の開口率と従来例１の開口率とを比較するための説明図である。 コンタクトウインドウを含む領域の断面図である。 従来技術に含まれる表示装置におけるコンタクトウインドウを含む領域の断面図である。 実施の形態２に係る表示パネルを示す図であり、（ａ）は表示パネルの平面図であり、（ｂ）は表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。 実施の形態２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図９におけるＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図９におけるＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 実施例２の開口率と従来例２の開口率とを比較するための説明図である。 平面視形状が６角形状をしたサブピクセルを備える表示パネルの概略平面図であり、（ａ）は実施の形態３に係る表示パネルを示す図であり、（ｂ）は従来構造の表示パネルを示す図である。 ２個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。 ３個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。 図１４の（ａ）に示す表示パネルにおける開口率についての説明図であり、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は従来構造における（ａ）のＹ１−Ｙ２断面に相当する断面図である。 ６個の発光素子により発光素子群を構成した表示パネルを示し、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）はＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。 ４個の発光素子からなる発光素子群と、２個の発光素子からなる発光素子群とを組み合わせた構成の表示パネルを示す概略平面図である。 開口部が溝状をした表示パネルを示す概略平面図である。 開口部内の陽極とＴＦＴ素子との接続を互い違いにした表示パネルを示す概略図である。 従来の有機発光素子を用いた有機表示パネルの一部平面図である。 （ａ）は図２０のＸ１−Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２０のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２０のＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。

＜本発明の一態様の概要＞
本発明の一態様に係る表示パネルは、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている。

また、前記開口部は、前記絶縁膜表面に点在する状態で複数形成され、前記開口部は、他の開口部を共有しない２個以上の表示素子により共有されている。さらに、前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域内に存在する。あるいは、前記複数の表示素子は、第１方向と、当該方向と交差する第２方向とに沿って配置され、前記２個以上の給電端子は、前記第１方向及び第２方向の少なくとも一方の方向に沿って配されている。

また、前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域外に存在する。さらに、前記開口部は、孔形状または溝形状をしている。あるいは、前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、前記２個以上の表示素子数は２個であり、当該２個の表示素子の画素電極は、前記開口部を挟んで第１方向に配され、前記２個の表示素子用の給電端子は、前記第１方向と直交する第２方向に並設され、前記２個の画素電極は、前記開口部を挟んだ両側から相互に当該開口部内へと延伸している。

また、前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、前記絶縁膜上に形成されている前記複数の表示素子の画素電極上に対応した開口部を複数有するバンクが形成され、当該バンクの複数の開口部の間隔が等しい。

一方、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程とを含む。
＜実施の形態＞
以下、本発明に係る表示パネル及び表示パネルの製造方法についての実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態で説明する、材料、数値、形状等は好ましい例を示しているだけであり、この形態に本発明は限定されることはない。

また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、他の実施の形態や後述の変形例との組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能であり、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。
＜表示装置＞
図１は、実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す図である。

表示装置１は、有機材料の電界発光現象を利用した有機発光素子（以下、単に「発光素子」とする。）が複数設けられた有機ＥＬ表示パネル（以下、単に「表示パネル」という。）１０と、表示パネル１０に接続され有機発光素子を駆動制御する駆動制御部２０とを備えている。なお、表示装置１は、例えば、ディスプレイ、テレビ、携帯電話等に用いられる。

表示パネル１０は、複数の発光素子が基板上に例えばＸＹ方向（縦・横方向）にマトリクス状に配置してなる。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。なお、以下、単に表示パネルの縦方向・横方向は、単に縦方向・横方向とする場合もある。

ここでの表示パネル１０は有機ＥＬ表示パネルを利用しているが、無機材料の電界発光現象を利用した無機発光素子を用いた無機ＥＬ表示パネルを利用しても良い。なお、有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置と、無機ＥＬ表示パネルを備える表示装置と区別する必要がある場合は、有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置を有機ＥＬ表示装置とし、無機ＥＬ表示パネルを備える表示装置を無機ＥＬ表示装置とそれぞれする。

また、実際の表示装置では、表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置や接続関係については、これに限られない。
＜実施の形態１＞
１．表示パネルの概要
以下、表示パネルについての実施の形態１について説明する。

図２は、実施の形態１に係る表示パネルの平面図である。図３は、実施の形態１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＸ１−Ｘ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図２におけるＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は図２におけるＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。

表示パネル１０は、ここでは、光の出射方向を図３の上側、つまり表示面を上側とする、所謂、トップエミッション型である。

表示パネル１０は、ここでは、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色を発する３つの発光素子（１１）により１ピクセル（画素）１２が構成されている。各発光色の発光素子をサブピクセル１１とし、サブピクセル１１がマトリクス状に配設されている。サブピクセルは、本発明の「表示素子」に相当する。

なお、赤発光するサブピクセルを「１１Ｒ」として、緑発光するサブピクセルを「１１Ｇ」として、青発光するサブピクセルを「１１Ｂ」としてそれぞれ表し、発光色に関係なくサブピクセルを表す場合は、単に「１１」として表す。

サブピクセル１１は、図２に示すように、縦方向（図１におけるＹ方向である。）に長い矩形状をし、発光色の異なる３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからなるピクセル１２は、平面視においてほぼ正方形状となる。

複数のサブピクセル１１は、図３の（ａ）および（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁膜１０３を介して配置されている。各サブピクセル１１は、絶縁膜１０３の上面に各サブピクセル１１に対応して形成された画素電極である陽極１０７と、陽極１０７上に形成された発光層１０９と、発光層１０９上に形成された共通電極である陰極１１１とを基本構成として含む他、各サブピクセル１１を区画するバンク１１３が主に絶縁膜１０３上に設けられている。

なお、図２は、表示パネル１０の平面図の模式図であり、各サブピクセル１１に対応する部分を矩形状で、各サブピクセル１１を構成する発光層１０９に対応する部分を長円でそれぞれ示している。

また、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを構成する陽極１０７や発光層１０９であって、各発光色で区別する必要がある場合は、各陽極１０７や発光層１０９に対して対応する発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を付して表す。

ＴＦＴ基板１０１は、２以上のＴＦＴ素子１２１を１組としたＴＦＴ素子群を複数個所に有する。ここでは、ＴＦＴ素子群は、上下に隣接する２個のＴＦＴ素子１２１により構成されている。なお、上側に位置するＴＦＴ素子を「１２１ａ」として、下側に位置するＴＦＴ素子を「１２１ｂ」としてそれぞれ表す。

絶縁膜１０３は、複数個所に存在する各ＴＦＴ素子群上に相当する部分が除去された開口部であるコンタクトウインドウ１２３を有しており、コンタクトウインドウ１２３の底には当該コンタクトウインドウ１２３を共有する状態で２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが露出している。

コンタクトウインドウ１２３内の２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続するサブピクセルは、図２において、コンタクトウインドウ１２３の上下に位置する２つのサブピクセル１１ａ，１１ｂであり、コンタクトウインドウ１２３の上側に位置するサブピクセル１１ａはＴＦＴ素子１２１ａに接続され、コンタクトウインドウ１２３の下側に位置するサブピクセル１１ｂはＴＦＴ素子１２１ｂに接続される。

図２では、コンタクトウインドウ１２３を楕円形状で示し、コンタクトウインドウ１２３内の上下の２つの円１２２ａ，１２２ｂは、陽極１０７ａ，１０７ｂとＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂとの接続部分を示している。

なお、コンタクトウインドウ１２３を介して上下に隣接する２個のサブピクセル１１ａ，１１ｂをサブピクセル群とする。

サブピクセル群を構成する各サブピクセルを、発光色で区別する必要がある場合は、上下のサブピクセル１１ａ，１１ｂに対して、発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ、「Ｂ」を「１１」と「ａ」又は「ｂ」との間に挿入して表すことにする。コンタクトウインドウ１２３を各発光色で区別する必要がある場合は、コンタクトウインドウの符合に発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を付して表す。
２．各部の構成
（１）基板
基板としてのＴＦＴ基板１０１は、絶縁材料から構成され、表面には、表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するための複数のＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）１２１が形成されている。なお、陽極１０７は、ＴＦＴ素子１２１であるトランジスタのソース電極と接続され、当該電極（給電端子である。）から給電される。

ＴＦＴ素子１２１は、図２並びに図３の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、縦方向に隣接する２個のサブピクセル１１からなるサブピクセル群に対応して、２個１組のＴＦＴ素子群の形態でサブピクセル群の領域内に配されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図２における「Ｋ１」の線分で表し、この境界は、サブピクセル群を構成する複数のサブピクセルに対する包絡線でもある。

図２及び図３の（ｃ）に示すように、上下に隣接する２つのサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂにおいて、上側に位置するサブピクセル１１Ｂａに対応するＴＦＴ素子１２１ａは、下側に位置するサブピクセル１１Ｂｂに近い端部（下端部）に存在し、下側に位置するサブピクセル１１Ｂｂに対応するＴＦＴ素子１２１ｂは、上側に位置するサブピクセル１１Ｂａに近い端部（上端部）に存在している。
（２）絶縁膜
絶縁膜１０３は、ＴＦＴ基板１０１の表面のＴＦＴ素子１２１の絶縁性を確保しつつ、ＴＦＴ素子１２１等による凹凸を埋める（凹凸をなくする）ためのものであり、絶縁材料により形成されている。絶縁膜１０３には、ＴＦＴ素子群を構成する２個のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが露出するように、コンタクトウインドウ１２３が形成されている。

図４は、実施の形態１に係る表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。

コンタクトウインドウ１２３は、縦方向に隣接する１組のサブピクセル１１ａ，１１ｂの形成予定領域に跨るように形成されている。

コンタクトウインドウ１２３は、図２に示すように、ここでは、縦方向に長い楕円形状をし、図３の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１から厚み方向に離れるに従って開口径が大きくなるように形成されている。つまり、コンタクトウインドウ１２３は、ＴＦＴ基板１０１側が絶縁膜１０３の上面側より径が小さい楕円錐台状をしている。これにより、ＴＦＴ素子１２１から絶縁膜１０３の表面に移るに従って、外側に拡がるように傾斜した周面１２５を有する。
（３）陽極
陽極１０７は、発光層１０９に対して電界を印加するためのものであり、サブピクセル１１の平面視形状に合わせて、縦方向に長い形状、具体的には矩形状をしている。陽極１０７は、隣接する他のサブピクセル１１の陽極１０７と離間する状態で、サブピクセル１１単位で絶縁膜１０３に形成されている。

陽極１０７について、図２におけるサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂにおける陽極１０７ａ，１０７ｂを利用して説明する。

陽極１０７ａ，１０７ｂは、一対のサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂの形成予定部分に跨って形成されたコンタクトウインドウ１２３Ｂ内に露出する２つのＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続されている。

陽極１０７ａ，１０７ｂは、図３の（ｂ）及び（ｃ）並びに図４に示すように、絶縁膜１０３の上面に位置する電極部１３１ａ，１３１ｂと、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂと接続される接続部１３３ａ，１３３ｂと、電極部１３１ａ，１３１ｂと接続部１３３ａ，１３３ｂとを連結する連結部１３５ａ，１３５ｂとを含み、導電材料により構成されている。

連結部１３５ａ，１３５ｂは、図４に示すように、コンタクトウインドウ１２３Ｂの周面１２５Ｂ上に主に形成され（正確には、底面にも形成されている場合がある。）、接続部１３３ａ，１３３ｂから電極部１３１ａ，１３１ｂに移るに従って幅が広くなっている。なお、電極部１３１ａ，１３１ｂも連結部１３５ａ，１３５ｂから縦方向に離れるに従って幅が広くなる部分を有する。
（４）発光層
発光層１０９は、キャリア（ホールと電子）の再結合によって所望の光色の発光を行う部位であり、図３の（ａ）及び（ｃ）に示すように、陽極１０７の電極部１３１上に形成されている。つまり、絶縁膜１０３には、隣接するサブピクセル１１を区画するためのバンク１１３が形成されており、陽極１０７上であってバンク１１３により区画された部分に発光層１０９が形成されている。なお、図２等で示すサブピクセル１１Ｂａ，１１Ｂｂの発光層は符号「１０９Ｂａ」、「１０９Ｂｂ」を用いる。
（５）陰極
陰極１１１は、バンク１１３の表面（上面及び斜面を含む。）であって発光層１０９により被覆されていない部分（上面及び斜面を含む。）と発光層１０９の上面とを被覆するように形成されている。

なお、本実施の形態１で説明する表示パネル１０はトップエミッション型であるため、陰極１１１は透光性の導電材料が用いられている。
（６）バンク
バンク１１３は、各サブピクセル１１を囲うように形成されている。具体的には、陽極１０７の電極部１３１の周囲とコンタクトウインドウ１２３内とに形成されている。つまり、絶縁膜１０３上に形成されている陽極１０７の電極部１３１（正確には、電極部１３１の周縁を除いた中央領域である。）を除いて、絶縁膜１０３の表面を被覆するように形成されている。

バンク１１３の平面視形状は、陽極１０７の電極部１３１の上面に開口部を有する井桁状をしている。この開口部に上述の発光層１０９が形成されている。

バンク１１３は、コンタクトウインドウ１２３の内部を除いて、縦・横方向に隣接する陽極１０７間（図３の（ａ）及び図（ｃ）参照）では、隣接する陽極１０７間を埋め、陽極１０７の上面から上方部分の断面形状が台形状（上底が下底より短い台形状である。）をしている。コンタクトウインドウ１２３の内部では、図３の（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂ間、陽極１０７ａ，１０７ｂの接続部１３３ａ，１３３ｂ間を埋め、陽極１０７の上面から上方部分の断面形状が台形状（上底が下底より短い台形状である。）をしている。
３．製造方法
表示パネル１０は、ＴＦＴ素子群が設けられた基板を準備する基板準備工程と、ＴＦＴ素子群の対応する部位にコンタクトウインドウを有する状態で絶縁膜を基板に形成する絶縁膜形成工程と、各サブピクセルに対応して絶縁膜の上面からコンタクトウインドウ内のＴＦＴ素子までの領域に陽極を形成する陽極形成工程と、絶縁膜の上面に形成されている陽極上に開口部を有するバンクを形成するバンク形成工程と、バンクの開口部内に発光層を形成する発光層形成工程と、バンクの表面及び発光層の上面に亘る範囲に陰極を形成する陰極形成工程とを経て形成される。

図５は、実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の一部を説明する図である。

以下、各工程について図５を用いて説明する。
（１）基板準備工程
基板準備工程では、基板（１０１）を準備できれば良く、例えば、表面の所定位置にＴＦＴ素子群が複数配されたＴＦＴ基板を準備しても良いし、絶縁板の所定位置にＴＦＴ素子群を形成しても良い。なお、ＴＦＴ素子群を構成するＴＦＴ素子は近接配置されている。

ここで、ＴＦＴ素子群の所定位置とは、コンタクトウインドウ１２３が形成される位置である。なお、コンタクトウインドウ１２３内に露出す複数のＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂは、当該コンタクトウインドウ１２３に隣接して形成される陽極１０７ａ，１０７ｂと接続される。
（２）絶縁膜形成工程
絶縁膜形成工程は、絶縁膜１０３と同じ材料の絶縁材料からなる絶縁膜１５１を基板１０１の上面に形成する絶縁膜形成工程（図５の（ｂ）である。）と、ＴＦＴ素子群（つまり、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂである。）に対応する部分に開口部を形成する開口部形成工程（図５の（ｃ）から（ｄ）である。）とを含む。

絶縁膜１５１は、例えば、ＴＦＴ基板１０１の上面にアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料膜を塗布形成することで得られる。開口部は、例えば、フォトリソグラフィー法を利用することで得られる。具体的には、図５の（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに対応した開口部１５３を有するフォトマスク１５５を利用して、絶縁膜１５１を露光・現像することで、図５の（ｄ）に示すように、コンタクトウインドウ１２３が形成された絶縁膜１０３が得られる。
（３）陽極形成工程
陽極形成工程では、例えば、導電膜１６１を形成する導電膜形成工程（図５の（ｅ）である。）と、導電膜１６１の不要部分を除去する不要部除去工程（図５の（ｆ）〜（ｈ））とを有する。

図５では、導電膜１６１の不要部は、コンタクトウインドウ１２３内であってＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂの上面以外の部分や、陽極１０７を画素単位とすべく各サブピクセル１１間に相当する部分（図示省略）である。

導電膜形成工程では、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を利用することで絶縁膜１０３の表面上に導電膜１６１が得られる。なお、導電膜形成工程は、真空成膜法以外にも、導電インク、導電性ペーストを用いて大気雰囲気中で形成する工程も用いることもできる。

不要部除去工程は、フォトリソグラフィー法を利用することで、不要部分を除去することができる。具体的には、（ｉ）図５の（ｆ）に示すように、導電膜１６１上にレジスト膜１６３を塗布し、除去部に対応した開口部１６５を有するマスク１６７を利用して、塗布されたレジスト膜１６３を露光し、（ｉｉ）露光されたレジスト膜１６３を現像することで、図５の（ｇ）に示すように除去部に対応した部分に開口部１６９を有するレジスト膜１６３が形成され、（ｉｉｉ）導電膜１６１に対してエッチングを行うことで、導電膜１６１の不要部が除去され、そのあとレジスト膜１６３を除去する。

以上により、図５の（ｈ）に示すようにＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂに接続された陽極１０７ａ、１０７ｂが絶縁膜１０３に形成される。
（４）バンク形成工程
バンク１１３の形成は、例えば、バンク用の有機材料を塗布等により有機材料膜を形成し（有機材料膜形成工程）、有機材料膜上にバンク１１３に合わせた開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から露光した後、余分な有機材料膜を現像液で洗い出す（不要部除去工程）。これにより、陽極１０７の電極部１３１上に開口部を有するバンク１１３が形成される。
（５）発光層形成工程
発光層１０９の形成は、例えば、インクジェット法を利用することができる。具体的には、Ｒ，Ｇ，Ｂいずれかの色に対応する有機材料と溶媒を含むインクをバンク１１３の開口部に滴下（滴下工程）し、溶媒を蒸発乾燥させる（乾燥工程）ことにより形成する。
（６）陰極形成工程
陰極１１１の形成は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を利用することができる。
４．実施例
（１）基板
ＴＦＴ基板１０１を構成する絶縁材料として、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等がある。

ＴＦＴ基板１０１の表面のＴＦＴ素子１２１を構成する材料としては、チャネル材料にシリコンを用いたもの、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの酸化物半導体を用いたもの、ペンタセン等の有機半導体を用いたもの等がある。
（２）絶縁膜
絶縁膜１０３は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。絶縁膜１０３の厚みは、ＴＦＴ基板１０１の表面の凹凸状態に依存するが、凹凸に対して例えば５倍以上あれば良く、１０００[ｎｍ]以上あれば良い。なお、絶縁膜の厚みは、ＴＦＴ基板の表面の凹凸部分であって平坦部分（例えば凹部の底に平坦部分がある場合等である。）の上方に対応してサブピクセルを形成する場合は、ＴＦＴ基板の表面の凹凸に対して５倍よりも小とすることもでき、１０００[ｎｍ]より小とすることもできる。
（３）陽極
陽極１０７を構成する導電性材料としては、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等がある。
（４）発光層
発光層１０９として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等がある。
（５）陰極
陰極１１１は透光性の材料により構成され、陰極１１１として利用可能な材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等がある。
（６）バンク
バンク１１３は、ここでは、陽極１０７に近づくに従って開口幅が小さくなる（換言すると、バンクの幅が大きくなる。）台形状の開口を陽極１０７上に有するような断面形状をしている。バンク１１３として利用可能な材料としては、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）や無機材料（例えば、ＳｉＯ２やＳｉＯＮ等）がある。
５．開口率について
（１）概要
実施の形態１に係る表示パネル１０における開口率について、従来構造を有する表示パネル（図２０や図２１参照）における開口率と比較しながら説明する。なお、実施の形態１に係る表示パネルを実施例１とし、従来構造を有する表示パネルを従来例１とする。

図６は、実施例１の開口率と従来例１の開口率とを比較するための説明図である。

なお、図６は、表示パネルにおいて、縦方向に隣接する実施例１のサブピクセルにおける陽極１０７ａ，１０７ｂと、従来例１のサブピクセルにおける陽極９１１ａ，９１１ｂとを示す概略図である。

図６中の「Ａ」、「Ａ２」は絶縁膜１０３，９０７の上面に形成された陽極の長さを示し、「Ａ」は特に電極部の長さ（表示有効領域の長さに相当する。）を示す。「Ｂ」はコンタクトウインドウ１１３，９２１の周面間の左右方向のテーパ長を示し、「Ｃ」は接続部の長さを示し、「Ｄ」は隣接する他の陽極との絶縁性を確保ための長さを示している。Ａ〜Ｄの長さ、コンタクトウインドウ１１３，９２１の深さは、実施例１及び従来例１とも同じである。

図６に示すように、従来例１の１画素の長さは、図６の左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ２」である。これに対し、実施例１における左側の１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋２Ｅ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ」となり、右側の１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ＋２Ｅ」となる。なお、実施例１では、左側の画素、右側の画素とも、１画素あたりの長さは同じである。また、従来例１と実施例１とでは、1画素の長さは同じである。

このことから、１画素当たり、実施例１の長さ（表示有効領域の長さ）は、従来例１よりも「２Ｅ」だけ長くなることが分かり、実施例１の開口率を従来例１よりも「２Ｅ」の分だけ向上させることができる。なお、ここで、差分「２Ｅ」は、従来例１の「Ｂ」と「Ａ２」との和に相当する。
（２）コンタクトウインドウ
図７は、コンタクトウインドウを含む領域の断面図である。

コンタクトウインドウ１７１の大きさは、図７の（ａ）に示すように、コンタクトウインドウ１７１の底１７１ａの長さＦと、周面１７１ｂの長さであるテーパ長Ｂを２倍したものとの和になる。

ここで、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂの傾斜角Ｇは、コンタクトウインドウ１７１の製造上の観点からは９０［°］以下が好ましい。また、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂに陽極１０７の連結部１３５を形成することを考慮すると、傾斜角Ｇは、特に７０［°］以下が好ましい。このように傾斜角Ｇを、７０［°］以下の所定の角度であって一定と考えると、テーパ長Ｂは、絶縁膜１７３の厚みＨによって規定される。

なお、傾斜角Ｇが７０［°］以下であると、連結部１３５を効率よく成形でき、コンタクトウインドウ１７１の周面１７１ｂと陽極との密着力をさらに向上させることができる。

一方、発光層１０９の厚み等は下地の凹凸の影響を受け易い（発光ムラの原因となる。）。このため、発光層１０９を平坦な部分に形成する目的と、ＴＦＴ基板１０１の導電層（ＴＦＴ素子１２１以外の素子やＴＦＴ素子１２１のソース電極以外の電極等である。）と陽極１０７との間で発生する寄生容量を小さくする目的のために、近年、絶縁膜１０３を厚くする傾向にある。

以上のことから、コンタクトウインドウ１７１の成形技術が向上し、図７の（ｂ）に示すように、コンタクトウインドウ１７１を小さく形成できるようになった場合でも、コンタクトウインドウ１７１の底１７１ａの長さＦを短くできるだけであり、テーパ長Ｂを小さくすることはできない。

実施例１では、コンタクトウインドウ１７１の断面において、２つの周面１７１ｂを利用して陽極１０７ａ，１０７ｂを形成しているため、従来例１に対して、実質的に１画素当たりに１つのテーパ長Ｂだけ短くでき、開口率を向上させることができる。
（３）考察
図６で示した従来例１は、１画素の長さに「Ａ２」と「Ｄ」が含まれている。Ａ２は、コンタクトウインドウ９２１の内周面と陽極９１１との密着力を確保する目的で、絶縁膜９０７の上面であってコンタクトウインドウ９２１の周辺まで陽極９１１を形成していたが、陽極９１１上にバンク９１５を形成する等のため、コンタクトウインドウ９２１と陽極９０７の密着性が問題になることは少ない。

このため、従来例１においても、実施例１と同様に、コンタクトウインドウ９２１の断面において一方の周面を含めた底１７１ａ（図７参照）にのみ陽極９１１を形成する場合、対向する他方の周面１７１ｂ（図７参照）に陽極を形成する必要がない。このような構成を採用すると、他方の周面１７１ｂに陽極がなくなり、隣接する陽極９１１ａ，９１１ｂ同士が離間する。このため、図６における従来例１における隣接する陽極９１１ａ，９１１ｂ間の絶縁性を確保のための間隔Ａ２は不要となる。

図８は、従来技術に含まれる表示装置におけるコンタクトウインドウを含む領域の断面図である。

なお、図８の（ｂ）では、従来例２と１画素の長さを同じにした場合の実施例１ａを示している。

図８の（ａ）に示す従来例１ａは、図６に示す従来例１の「Ａ２」と「Ｄ」をなくしたものであり、１画素の長さは、左側から、「Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。この長さは、図６で示す実施例１における１画素の長さと等しい。

しかしながら、従来例１ａでは、絶縁膜９０７上に形成された陽極９１１ａ，９１１ｂは、図８の（ａ）における左右のコンタクトウインドウ９２１の周縁まであり、周縁付近では、コンタクトウインドウ１２３の凹凸の影響を受け、発光ムラを生じる。

また、陽極９１１ａ，９１１ｂの周縁部分はバンク（９１５）により被覆されることになるが、陽極９１１ａ，９１１ｂの内、コンタクトウインドウ９２１内に延伸していない側の端（各画素における左側端である。）は、コンタクトウインドウ９２１の周縁にまで達しているのでバンク（９１５）の管理が困難となり、発光層９１７の面積がばらつき、結果的に輝度ムラを生じる。

以上のことから、１つのコンタクトウインドウ９２１に１つの陽極９１１が接続される構造を採用する場合において、開口率を向上させるために、図６の従来例１での１画素における「Ａ２」と「Ｄ」とを削除することは可能であるが、発光ムラ等の表示性能を低下させるものである。

そこで、実施例１と同等の表示性能を有し、１つの陽極９１１が１つのコンタクトウインドウ９２１内に存在する１つのＴＦＴ素子（９０３）に接続する構成を有する表示パネルにおいて、１画素の全長が最も小さくなるのは、図８の（ｂ）に示す構造を有する表示パネル（従来例２とする。）である。

従来例２における１画素の長さは、左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。一方、図６で示す実施例１を従来例２の１画素の長さに合わせたものは、図８の（ｂ）に示す実施例１ａである。

このように、背景技術で説明した表示パネルにおいて、表示性能を低下させることなく、１画素当たりの長さを最大にした従来例２に対して、１画素の長さを同じにしても、実施例１ａでは１画素当たり「Ｅ」だけ表示有効領域を長くすることができる。

実施例１ａの有効表示領域において長くなった「Ｅ」は、従来例２のテーパ長Ｂに相当し、図７で説明したように、絶縁膜１０３，９０７が厚くなる傾向にあり、また傾斜角Ｇを大きくすることができないことを考慮すると、１画素の全長における「Ｅ」分（換言すると「Ｂ」分である。）の違いによる開口率向上は大きいものと考えられる。
（４）具体例
（ａ）２０インチＨＤ（ＨＩＧＨ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）
２０インチＨＤパネルの場合、テーパ長Ｂが１０［μｍ］であり、１画素の長さ（陽極部の長さである。）が３００［μｍ］で、開口率は約３［％］程度向上する。
（ｂ）４０インチ 画素数４ｋ×２ｋ
４０インチパネルの場合、例えばテーパ長Ｂが１［μｍ］であり、１画素の長さが２００［μｍ］で、開口率は約０．５［％］程度向上する。
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、縦方向に隣接する２つのサブピクセル１１ａ，１１ｂ間にコンタクトウインドウ１２３を有し、当該コンタクトウインドウ１２３内で隣接方向である縦方向にＴＦＴ素子１２１ａ，１２１ｂが配されている。しかしながら、コンタクトウインドウ１２３内でのＴＦＴ素子１２１の配置は、複数（ここでは２個である。）のサブピクセル１１ａ，１１ｂの隣接方向に合わせる必要はなく、他の配置でも良い。

本実施の形態２に係る表示パネル２１０は、２つの隣接するサブピクセル２１１ａ，２１１ｂに接続されるＴＦＴ素子２２１ａ，２２１ｂがコンタクトウインドウ２２３内でサブピクセル２１１ａ，２１１ｂの隣接方向と直交する方向に配されている。
１．構成
図９は、実施の形態２に係る表示パネルを示す図であり、（ａ）は表示パネルの平面図であり、（ｂ）は表示パネルのコンタクトウインドウ部分の断面斜視図である。

図１０は、実施の形態２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図９におけるＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｂ）は図９におけるＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。

表示パネル２１０は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する３つのサブピクセル２１１により構成される１ピクセル（画素）２１２を縦・横方向のマトリクス状に有する。

サブピクセル２１１に対し発光色による区別が必要な場合は、その発光色を意味する「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」を「２１１」の後に付して表すことにする。また、３つのサブピクセル２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂは縦方向に長い矩形状をし、３つのサブピクセル２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂからなるピクセル２１２は、図９の（ａ）に示すように、平面視においてほぼ正方形状となる。

表示パネル２１０は、図１０に示すように、ＴＦＴ基板２０１、絶縁膜２０３、複数のサブピクセル２１１を備える。各サブピクセル２１１の構成は実施の形態１と基本的に同じであるが、陽極のＴＦＴ素子への延伸構造が異なる。

ここでは、縦方向に隣接する２つのサブピクセル２１１Ｂａ,２１１Ｂｂを代表例として説明する。

サブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂは、図１０に示すように、各サブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂに対応して絶縁膜２０３の上面に形成された陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂと、陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂ上に形成された発光層２０９Ｂａ，２０９Ｂｂ、発光層２０９Ｂａ，２０９Ｂｂ上に形成された陰極２１０とを有し、絶縁膜２０３に形成されたバンク２１３によりサブピクセル単位に区画されている。

絶縁膜２０３は、ＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂ上に相当する部分が除去されたコンタクトウインドウ２２３Ｒ，２２３Ｇ，２２３Ｂを有する。このコンタクトウインドウ２２３は、サブピクセル群の領域内に配されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図９における「Ｋ２」の線分で表す。

ここで、図９の（ｂ）のコンタクトウインドウ２２３Ｂに着目して説明すると、１つのコンタクトウインドウ２２３Ｂの底には、当該コンタクトウインドウ２２３Ｂの周辺に配される２つの隣接するサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂに接続される２つのＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂが露出している。

ＴＦＴ素子２２１Ｂａ，２２１Ｂｂは、対応する２つのサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂの隣接方向と直交する方向に並設され、コンタクトウインドウ２２３Ｂ内を２つのサブピクセル２１１Ｂａ，２１１Ｂｂの隣接する方向に延伸する仮想の境界線により２分された２つの領域内に位置している。

サブピクセル２１１の陽極２０７について、図９の（ｂ）のコンタクトウインドウ２２３Ｂに着目して説明すると、陽極２０７Ｂａ，２０７Ｂｂは、実施の形態１と同様に、電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂと、接続部２３３Ｂａ，２３３Ｂｂと、連結部２３５Ｂａ，２３５Ｂｂとを有する。

電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂは、絶縁膜２０３上に形成され、表示パネル２１０の縦方向に長い矩形状をしている。コンタクトウインドウ２２３Ｂは、縦方向に隣接する電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂ間に形成されている。

連結部２３５Ｂａ，２３５Ｂｂのそれぞれは、図９の（ｂ）に示すように、コンタクトウインドウ２２３Ｂ内であって２分された各領域の周面を、電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂの長手方向に沿って各電極部２３１Ｂａ，２３１Ｂｂから接続部２３３Ｂａ，２３３Ｂｂまで延伸している。

縦方向に隣接するサブピクセル群とサブピクセル群との間には、図９の（ａ）及び図１０の（ｂ）に示すように、陰極２１０に接続する補助電極２１５が横方向に延伸している。この補助電極２１５は陰極２１０の電気特性を均一にするためのものである。
２．開口率について
実施の形態２に係る表示パネル２００における開口率について、従来構造を有する表示パネル（図８の（ｂ）参照）における開口率と比較しながら説明する。なお、実施の形態２に係る表示パネルを実施例２とし、従来構造を有する表示パネルを従来例２とする。

図１１は、実施例２の開口率と従来例２の開口率とを比較するための説明図である。

なお、図１１は、縦方向に隣接するサブピクセルにおける陽極９１１ａ，９１１ｂ，２０７ａ，２０７ｂを示す概略図である。また、実施例２の１画素の長さは、従来例２の１画素の長さ同じになるようにしている。

図１１中の「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」で表す長さは、実施の形態１で説明した「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」で表す長さと同じ定義であり、Ａ〜Ｄの長さ、コンタクトウインドウ２２３，９２１の深さは、実施例２及び従来例２とも同じである。

図１１に示すように、従来例２の２画素の長さは、図１１の左側から、「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」＋「Ｄ＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ」である。これに対し、実施例２における２画素は、左側から、「Ｄ＋Ｅ１＋Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｂ＋Ａ＋Ｅ２」となる。

このことから、実施例２の２画素における表示有効領域の長さは、従来例２の２画素の長さに対して、「Ｅ１」と「Ｅ２」だけ長くなることが分かる。この「Ｅ１」と「Ｅ２」は、従来例２における１つのコンタクトウインドウ９２１（Ｂ＋Ｃ+Ｂ）分の長さと、「Ｄ」との和である。

このように、１画素の長さを同じにした場合、実施例２の方が表示有効領域を長くでき、実施例２の開口率を従来例２よりも向上させることができる。
３．具体例
４０インチパネル（画素数：４ｋ×２ｋ）の場合、下底の長さが５［μｍ］、上底の長さが７［μｍ］のコンタクトウインドウ２２３を用いると、２画素に対して、少なくとも１つのコンタクトウインドウ９２１の長さ分だけ、つまり、１画素で３．５［μｍ］だけ短くできる。１画素の長さが２００［μｍ］の場合、開口率は約１．７５［％］程度従来例２に対して向上する。
＜実施の形態３＞
実施の形態１，２では、サブピクセルの平面視形状は矩形状をしていたが、他の形状であっても良い。他の形状としては、正方形状、円形状、楕円形状、六角形状等の多角形状等がある。以下、平面視形状が６角形状のサブピクセル（発光素子）３１１を有する表示パネル３０１について、実施の形態３として説明する。

図１２は、平面視形状が６角形状をした表示パネルの概略平面図であり、（ａ）は実施の形態３に係る表示パネルを示す図であり、（ｂ）は従来構造の表示パネルを示す図である。

表示パネル３０１は、図１２に示すように、平面視６角形状をしたサブピクセル３１１をＴＦＴ基板（図示省略）上に絶縁膜（図示省略）を介して複数備える。

同図に示す６角形状は、サブピクセル３１１を表しており、複数のサブピクセル３１１が第１方向であるＸ方向と第２方向であるＹ方向とに配置されている。Ｘ方向上の複数のサブピクセル３１１は、六角形状を構成する６つの辺のうちの１つが対向する状態で配置されて１列を構成し、この列に対して、Ｙ方向に隣接する他の１列が、サブピクセル３１１の１／２ピッチ分だけずれた状態で配されている。

本実施の形態３では、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃによりサブピクセル群が構成され、このサブピクセル群の領域内に１つのコンタクトウインドウ３１３が形成されている。なお、サブピクセル群の領域の境界を、図１２の（ａ）における「Ｋ３」の線分で表す。

具体的には、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃのそれぞれの１つの頂角が１か所に集まる個所であって、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃに跨るようにコンタクトウインドウ３１３が形成されている。

従来の平面視形状が６角形状をしたサブピクセル９５１をＸ方向とＹ方向に複数配置されてなる表示パネル９５３を図１２の（ｂ）に示す。

従来構造の表示パネル９５３では、平面視において、実施の形態３と同様な６角形状をした１つのサブピクセル９５１に対しコンタクトウインドウ９５５を１つ有している。

これに対し、実施の形態３に係る表示パネル３０１では、３つのサブピクセル（例えば、３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃである。）により１つのコンタクトウインドウ３１３を共有するため、コンタクトウインドウ３１３の周面の３分１だけあれば、陽極とＴＦＴ素子とを接続することができ、コンタクトウインドウ１個内に１つのＴＦＴ素子を有する従来構造の表示パネル９５３よりも開口率を向上させることができる。

本実施の形態３では、３つのサブピクセル３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃにより発光素子群を構成していたが、例えば、隣接する２個のサブピクセル（例えば、３１１ａ，３１１ｂである。）によりサブピクセル群を構成しても良い。
＜まとめ＞
上記実施の形態等で説明した表示パネルは、本発明の実施に形態における例示である。つまり、本発明は、サブピクセルの数、形状、コンタクトウインドウの形状、個数等により限定されるものでなく、種々の仕様の表示パネルに適用できる。

以下、種々の仕様について説明する。なお、ここでは、サブピクセルの平面視形状が矩形状をしたものについて説明するが、実施の形態３で説明したような平面視形状が６角形状のサブピクセルを有する表示パネルや、他の形状のサブピクセルを有する表示パネル等にも適用できる場合がある。
１．例１
図１３は、２個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。

図１３の（ａ）に示す表示パネル４０１は、２個の隣接するサブピクセル４０３ａ，４０３ｂによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ４」である。）に１個のコンタクトウインドウ４０５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４０７ａ，４０７ｂで行われている。

ここでは、２個の隣接するサブピクセルは、矩形状のサブピクセルの長辺に対して平行に延伸させた長手方向（実施の形態１における縦方向である。）に隣接している。

また、図１３の（ａ）では、コンタクトウインドウ４０５は、矩形状のサブピクセルの長手方向に長い楕円形状若しくは長円形状をしているが、長手方向に長い矩形状であっても良いし、サブピクセルの長手方向に短い矩形状、楕円形状、長円形状等でも良く、コンタクトウインドウ４０５の平面視形状は特に限定するものではない。

図１３の（ｂ）に示す表示パネル４１１は、２個の隣接するサブピクセル４１３ａ，４１３ｂによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ５」である。）に１個のコンタクトウインドウ４１５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４１７ａ，４１７ｂで行われている。

ここでは、２個の隣接するサブピクセル４１３ａ，４１３ｂは、矩形状の短辺に対して平行に延伸させた短手方向（実施の形態１における横方向である。）に隣接している。

また、図１３の（ｂ）では、コンタクトウインドウ４１５は、矩形状のサブピクセル４１３ａ，４１３ｂの短手方向に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良いし、長手方向に長い矩形状、楕円形状、長円形状等でも良く、コンタクトウインドウ４１５の平面視形状は特に限定するものではない。
２．例２
図１４は、３個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示す概略平面図である。

図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１は、３個の隣接するサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ６」である。）に１個のコンタクトウインドウ４２５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４２７ａ，４２７ｂ，４２７ｃで行われている。

ここでは、３個の隣接するサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃは、矩形状のサブピクセルの短辺に対して平行に延伸させた短手方向に隣接している。

図１４の（ａ）では、コンタクトウインドウ４２５は、矩形状のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃの短手方向（サブピクセルの隣接方向と同じである。）に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウの平面視形状は特に限定するものではない。

コンタクトウインドウ４２５は、縦方向に隣接するサブピクセル群が互いに対向する側に形成されている。つまり、３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群（上側に位置するサブピクセル群である。）と、当該サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃが隣接する方向（横方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群（下側に位置するサブピクセル群である。）とで組を構成し、当該サブピクセル群における他のサブピクセル群側に形成されている。

図１４の（ｂ）に示す表示パネル４３１は、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１と同様に、３個の隣接するサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ７」である。）に１個のコンタクトウインドウ４３５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４３７ａ，４３７ｂ，４３７ｃで行われている。

サブピクセル群を構成する３個のサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃの隣接方向、コンタクトウインドウ４３５の形状は、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１のこれらと同じであるが、コンタクトウインドウ４３５の位置が各サブピクセル群の下部側に存する点で異なる。つまり、サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４３３ａ，４３３ｂ，４３３ｃが隣接する方向（横方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群側（下側である。）にコンタクトウインドウ４３５がある点で、図１４の（ａ）に示す表示パネル４２１と異なる。

換言すると、図１４の（ａ）の各コンタクトウインドウ４２５は、各サブピクセル群において、隣接する２つのサブピクセル群が互いに対向する側（図１４の（ａ）ではサブピクセル群の間である。）に形成され、図１４の（ｂ）の各コンタクトウインドウ４３５は、各サブピクセル群の領域における所定位置（下部側である。）に形成される点で異なる。

図１４の（ｃ）に示す表示パネル４４１は、３個の隣接するサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域外（境界線は同図の「Ｋ８」である。）に１個のコンタクトウインドウ４４５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４４７ａ，４４７ｂ，４４７ｃで行われている。

ここでは、３個の隣接するサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃは、矩形状のサブピクセルの長辺に対して平行に延伸させた長手方向に隣接している。

図１４の（ｃ）では、コンタクトウインドウ４４５は、矩形状のサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃの長手方向に長い矩形状をしているが、長手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウ４４５の平面視形状は特に限定するものではない。

コンタクトウインドウ４４５は、３つのサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃからなるサブピクセル群（例えば、図１４の（ｃ）における右端に位置するサブピクセル群である。）の領域と、当該サブピクセル群に対して３つのサブピクセル４４３ａ，４４３ｂ，４４３ｃが隣接する方向（縦方向）と直交する方向に隣接する他のサブピクセル群（例えば、ず１４の（ｃ）における中央に位置するサブピクセル群である。）の領域との間に形成されている。

なお、サブピクセル群を構成し且つ隣接方向の端に位置するサブピクセル４４３ａ，４４３ｃの各陽極は、絶縁膜上に形成された電極部と、コンタクトウインドウ４４５の周面上に形成された連結部との間に、電極部から連結部にまで延伸する延伸部が絶縁膜上に形成されている。なお、延伸部は図１４の（ｃ）では破線で示している。

図１５は、図１４の（ａ）に示す表示パネルにおける開口率についての説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）は従来構造における（ａ）のＹ１−Ｙ２断面に相当する断面図である。

表示パネル４２１は、横方向に隣接する３つのサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃに対して１つのコンタクトウインドウ４２５を有し、図１５の（ｂ）に示すように、隣接方向における両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃの陽極４２４ａ，４２４ｃは、中央に位置するサブピクセル４２３ｂに近い位置で、基板４０８のＴＦＴ素子４０８ａ，４０８ｃと接続している。

一方、従来構造の表示パネル９７０では、横方向に隣接する３つのサブピクセルのそれぞれにコンタクトウインドウ９７５ａ，９７５ｂ，９７５ｃを有し、陽極９７３ａ，９７３ｂ，９７３ｃがＴＦＴ素子９７７ａ，９７７ｂ，９７７ｃに接続している。

このため、表示パネル４２１の構造は、従来構造に対して、断面において、３つの隣接するサブピクセルのうちの両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃのコンタクトウインドウの一方の周面の長さ（テーパ長）が不要となる。つまり、図１５の（ｃ）に示す「Ｅ」分だけ隣接方向の長さを短くすることができ、開口率を向上させることができる。
３．例３
図１６は、６個のサブピクセルによりサブピクセル群を構成した表示パネルを示し、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ１−Ｙ２断面を矢印方向から見た図であり、（ｃ）はＺ１−Ｚ２断面を矢印方向から見た図である。

図１６の（ａ）に示す表示パネル４５１は、６個の隣接するサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆによりサブピクセル群を構成し、サブピクセル群の領域内（境界線は同図の「Ｋ９」である。）に１個のコンタクトウインドウ４５５がある。なお、陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分４５７ａ，４５７ｂ，４５７ｃ，４５７ｄ，４５７ｅ，４５７ｆで行われている。

ここでは、６個の隣接するサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆは、矩形状のサブピクセルの短辺と長辺とのそれぞれに対して平行に延伸させた短手方向（横方向）と長手方向（縦方向）とに沿って隣接している。なお、短手方向及び長手方向は、第１方向及び第２方向であり、互いに直交する。

コンタクトウインドウ４５５は、図１６の（ａ）に示すように、矩形状のサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃの短手方向に長い矩形状をしているが、短手方向に長い長円形状や楕円形状であっても良く、コンタクトウインドウの平面視形状は特に限定するものではない。

コンタクトウインドウ４５５は、短手方向に隣接する３つのサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃと、同じく短手方向に隣接する他の３つのサブピクセル４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆとが長手方向に対向する部分に形成されている。つまり、コンタクトウインドウ４５５は、長手方向に隣接する２つのサブピクセル群間であって、６個のサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ，４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆに跨るように形成されている。

３つのサブピクセル４５３ａ，４５３ｂ，４５３ｃ（４５３ｄ，４５３ｅ，４５３ｆ）の隣接方向における両側のサブピクセル４５３ａ，４５３ｃの陽極４５４ａ，４５４ｃは、図１６の（ｂ）に示すように、中央に位置するサブピクセル４５３ｂに近い位置で、基板４５８のＴＦＴ素子４５８ａ，４５８ｃと接続している。

このように、サブピクセルの短手方向に隣接する３つのサブピクセルに亘る断面において、３つの隣接するサブピクセルのうちの両側のサブピクセル４２３ａ，４２３ｃは、コンタクトウインドウ４５５の両側の周面を利用してＴＦＴ素子４５８ａ，４５８ｃと接続するため、両側に位置するサブピクセル４２３ａ，４２３ｃにおける短手方向のコンタクトウインドウ４５５の影響を少なくでき、結果的に開口率を向上させることができる。

また、長手方向に隣接する２つのサブピクセル４５３ｂ，４５３ｅ（４５３ａと４５３ｄ、４５３ｃと４５３ｆ）は、図１６の（ｃ）に示すように、１つのコンタクトウインドウ４５５内で基板４５８のＴＦＴ素子４５８ｂ，４５８ｅ（４５８ａと４５８ｄ、４５８ｃと４５８ｆ）と接続している。

このように、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの断面において、２つのサブピクセル４５３ｂ，４５３ｅ（４５３ａと４５３ｄ、４５３ｃと４５３ｆ）は、コンタクトウインドウ４５５の長手方向の両側に位置する周面を利用してＴＦＴ素子４５８ｂ，４５８ｅ（４５８ａと４５８ｄ、４５８ｃと４５８ｆ）と接続するため、コンタクトウインドウ４５５の周面を効率良く利用でき、結果的に開口率を向上させることができる。
４．例４
図１７は、４個のサブピクセルによりサブピクセル群と、２個のサブピクセルによりサブピクセル群とを組み合わせた構成の表示パネルを示す概略平面図である。

表示パネル４６１は、４個の隣接するサブピクセル４６３ａ，４６３ｂ，４６３ｄ，４６３ｅにより第１のサブピクセル群を構成し、２個の隣接するサブピクセル４６３ｃ，４６３ｆにより第２のサブピクセル群を構成し、各サブピクセル群の領域内に１個のコンタクトウインドウ４６５，４６７がある。

陽極（正確には接続部である。）とＴＦＴ素子との接続は、右上がりのハッチングを施した部分で行われている。

ここでは、サブピクセル数が異なる２以上のサブピクセル群を組み合わせた構造について説明するものであり、図１７に示した表示パネル４６１は一例である。従って、各サブピクセル群を構成するサブピクセルの個数、コンタクトウインドウの位置や形状は、図１７に示すものに限定するものでない。

例えば、図１４の（ａ）に示すような３個のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群と、図１６の（ａ）に示すような６個のサブピクセル４５３ａ〜４５３ｆからなるサブピクセル群とを組み合わせても良いし、図１７に示すような４個のサブピクセル４６３ａ，４６３ｂ，４６３ｄ，４６３ｅからなるサブピクセル群と２個のサブピクセル４６３ｃ，４６３ｆからなるサブピクセル群と、さらに、図１４の（ａ）に示すような３個のサブピクセル４２３ａ，４２３ｂ，４２３ｃからなるサブピクセル群と、図１６の（ａ）に示すような６個のサブピクセル４５３ａ〜４５３ｆからなるサブピクセル群とを組み合わせても良い。
５．例５
図１８は、溝状の開口部を有する表示パネルを示す概略平面図である。

表示パネル４７１は、サブピクセルの長手方向に隣接する２個のサブピクセル４７３ａと４７３ｅ，４７３ｂと４７３ｆ，４７３ｃと４７３ｇ，４７３ｄと４７３ｈの間をサブピクセルの短手方向に延伸する開口部の一つである溝４７５を有する。

ここでは、表示パネル４７１は、開口部として、短手方向に延伸する溝４７５を有しているが、他の表示パネルに対しても適用できる。例えば、図１４の（ｃ）に示す表示パネル４４１の場合、コンタクトウインドウ４４５の代わりに、サブピクセル４４３の長手方向に延伸する溝を設けても良い。なお、溝以外に、実施の形態１等で説明したコンタクトウインドウも組み合わせて備えても良い。
６．例６
図１９は、開口部内の陽極とＴＦＴ素子との接続を互い違いにした表示パネルを示す概略図である。

実施の形態２では、サブピクセルの長手方向に隣接する２個のサブピクセル２１１ａ，２１１ｂに対応して設けられたコンタクトウインドウ２２３内を２つに分けて、各サブピクセル２１１ａ，２１１ｂの陽極２０７ａ，２０７ｂのそれぞれが、長手方向の逆方向から交互に延伸してＴＦＴ素子２２１ａ，２２１ｂに接続している。

図１９の（ａ）に示す表示パネル４８１は、サブピクセルの長手方向と短手方向とに隣接する６個のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ，４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆからなるサブピクセル群に対して平面視において短手方向に長いコンタクトウインドウ４８５を１個有している。

各サブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ，４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆとＴＦＴ素子との接続は、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの陽極が他方のサブピクセル側へと交互に延伸して行われている。

図１９の（ａ）を用いて具体的に説明すると、長手方向の一方側（ここでは例えば上側とする。）のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃの陽極が、長手方向に隣接する他方側（ここでは下側となる。）のサブピクセル４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆ側に延伸し、長手方向の他方側（ここでは下側となる。）のサブピクセル４８３ｄ，４８３ｅ，４８３ｆの陽極が、長手方向に隣接する一方側（ここでは上側となる。）のサブピクセル４８３ａ，４８３ｂ，４８３ｃ側に延伸している。

各陽極における長手方向に隣接する相手側に延伸する幅（短手方向の寸法である。）は、各サブピクセルの陽極の幅の半分以下であり、交互に延伸して２つ合わせてもサブピクセルの幅以下となる。

図１９の（ｂ）に示す表示パネル４９１は、サブピクセルの長手方向と短手方向とに隣接する６個のサブピクセル４９３ａ，４９３ｂ，４９３ｃ，４９３ｄ，４９３ｅ，４９３ｆからなるサブピクセル群に対して短手方向に延伸する溝４９５を有している。

各サブピクセル４９３ａ，４９３ｂ，４９３ｃ，４９３ｄ，４９３ｅ，４９３ｆとＴＦＴ素子との接続は、長手方向に隣接する２つのサブピクセルの陽極が他方のサブピクセル側へと交互に延伸して行われている。
<変形例＞
以上、複数の実施の形態等について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
１．発光素子の構成
実施の形態等では、発光素子の基本構成として、画素電極（陽極）、発光層、共通電極（陰極）を備えていたが、これらの層の機能（単に機能層ともいう。）を高めるために、補助機能層を上記機能層に設けても良い。

補助機能層としては、例えば、正孔注入層、電子注入層、封止層等がある。正孔注入層は、画素電極から発光層への正孔の注入を促進させるものである。電子注入層は、共通電極から発光層への電子の注入を促進させるものである。封止層は、発光層が水分や空気等にふれて劣化することを抑制するものである。
２．発光素子の形状
実施の形態１，２及び例１〜例６では、発光素子は、表示パネルの縦方向に長い矩形状をしていたが、例えば、表示パネルの横方向に長い矩形状をしていても良い。
３．表示素子
実施の形態等では、表示素子として発光素子を利用した表示パネルについて説明したが、本発明は、２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルに適用することができる。実施の形態等説明した発光素子以外の表示素子としては、ＴＦＴ駆動型の液晶パネルに使用される表示素子がある。
４．基板
実施の形態等では、基板としてＴＦＴ基板を利用したが、基板上に形成された表示素子に個別に給電できる構成を有していれば良く、ＴＦＴ素子を利用しなくても良く、例えば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）が絶縁板に形成されたような基板であっても良い。

また実施の形態等では、基板としてＴＦＴ素子が形成されたＴＦＴ基板を利用し、１の表示素子が１のＴＦＴ素子に接続する形態で説明している。これは、表示素子の画素電極が末端のＴＦＴ素子に接続されることを意味し、画素電極に給電するために、末端のＴＦＴ素子を含む複数のＴＦＴ素子が形成されているような基板であっても良い。
５．光の取出し構造
実施の形態等では、光の取出し方向が基板と反対側である、所謂トップエミッション型であったが、光の取出し方向が基板側である、所謂ボトムエミッション型であっても良い。

この場合、基板を透明基板（例えば、ガラス基板である。）で、光を取り出す側の画素電極（基板に近い方の電極）を透明電極（例えば、ＩＴＯである。）で、他方の電極（基板に遠い方の電極）に反射率の高い電極（例えば、ＡｇやＡｌである。）を用いた構成にすることで実施できる。
６．その他
以上の説明では、ＥＬ表示パネルについて例示したが、本願発明は、液晶表示パネル、また、ＥＬ表示パネルであっても有機ＴＦＴを駆動回路素子に使用するものについても適応でき、同様な効果を発揮できることは言うまでもない。

本発明の表示パネルは、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる表示パネルに好適に利用可能である。

１０ 表示パネル
１０１ ＴＦＴ基板
１０３ 絶縁膜
１０７ 陽極
１０９ 発光層
１１１ 陰極
１１３ バンク
１２３ コンタクトウインドウ

Claims (9)

1. ２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルであって、
   前記複数の表示素子は基板表面上に絶縁膜を介して配されていると共に、前記絶縁膜は隣接する２個以上の表示素子に対応する部位に１個の開口部を有し、
   前記開口部内に露出する基板の部位には、開口部を共有する状態で前記２個以上の表示素子用の給電端子が形成されている
   表示パネル。
   
2. 前記開口部は、前記絶縁膜表面に点在する状態で複数形成され、
   前記開口部は、他の開口部を共有しない２個以上の表示素子により共有されている
   請求項１に記載の表示パネル。
   
3. 前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域内に存在する
   請求項１に記載の表示パネル。
   
4. 前記複数の表示素子は、第１方向と、当該方向と交差する第２方向とに沿って配置され、
   前記２個以上の給電端子は、前記第１方向及び第２方向の少なくとも一方の方向に沿って配されている
   請求項１に記載の表示パネル。
   
5. 前記隣接する２個以上の表示素子に対応する部位は、平面視において、当該２個以上の表示素子の外周に囲まれた領域外に存在する
   請求項１に記載の表示パネル。
   
6. 前記開口部は、孔形状または溝形状をしている
   請求項１に記載の表示パネル。
   
7. 前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、
   前記２個以上の表示素子数は２個であり、当該２個の表示素子の画素電極は、前記開口部を挟んで第１方向に配され、
   前記２個の表示素子用の給電端子は、前記第１方向と直交する第２方向に並設され、
   前記２個の画素電極は、前記開口部を挟んだ両側から相互に当該開口部内へと延伸している
   請求項１に記載の表示パネル。
   
8. 前記表示素子は、前記絶縁膜上に形成され且つ前記絶縁膜上から前記開口部内へと延伸して前記給電端子と接続する画素電極を有し、
   前記絶縁膜上に形成されている前記複数の表示素子の画素電極上に対応した開口部を複数有するバンクが形成され、当該バンクの複数の開口部の間隔が等しい
   請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示パネル。
   
9. ２次元配置された複数の表示素子に個別に給電して当該複数の表示素子により画像を表示する表示パネルの製造方法であって、
   前記複数の表示素子用の給電端子を複数備える基板を準備する工程と、
   近接する２以上の給電端子に対応する部位に開口部を有する絶縁膜を前記基板上に形成する絶縁膜形成工程と、
   前記２以上の給電端子のそれぞれに接続される２以上の表示素子を前記絶縁膜上であって前記開口部周辺に形成する表示素子形成工程と
   を含む表示パネルの製造方法。

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