JP6090630B2 - 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルおよびその製造方法に関し、特に、パネル中央部の電圧降下を低減するための補助配線の構造に関する。
現在、画素毎に有機ＥＬ素子とそれを駆動する駆動回路とを備えたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルが盛んに研究開発されている。有機ＥＬ素子は、下部電極と、上部電極と、これらの間に配置された有機発光層とを備え、さらに必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの機能層を備える。有機ＥＬパネルでは、一般的に、有機ＥＬ素子の上部電極が全画素に共通の共通電極とされ、下部電極が画素毎に個別の画素電極とされる。また、画素の開口率を高めるためにトップエミッション構造が採用される場合が多く、この場合、上部電極である共通電極に光透過性が要求される。光透過性を確保するには、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ等の透明導電材料を採用するか、あるいは、１０ｎｍ乃至２０ｎｍの薄膜のＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属材料を採用することが考えられる。ところが、ＩＴＯ等の透明導電材料は、金属材料に比べて抵抗が高く、共通電極においてパネル中央部の電圧降下が大きくなり易い。一方、Ａｇ等の金属材料は、薄膜化によりシート抵抗が増加するため、やはり共通電極においてパネル中央部の電圧降下が大きくなり易い。
そこで、従来から、パネル中央部の電圧降下を低減するために補助配線を設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１）。図２４は、特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルの構造を示す部分断面図である。同図では３画素分が示されている。
有機ＥＬ表示パネルは、基板５１、電源配線５２、ＴＦＴ層５３、層間絶縁膜５４、画素電極５５、補助配線５６、隔壁層５８、有機発光層６０および共通電極６２を備える。画素電極５５と補助配線５６は層間絶縁膜５４上に離間して配置されている。隔壁層５８は、層間絶縁膜５４を覆うように形成され、画素電極５５の上方と補助配線５６の上方のそれぞれに開口部を有している。有機発光層６０は、画素電極５５上方の開口部に形成されている。そして、共通電極６２は、隔壁層５８を覆うように形成され、画素電極５５上方の開口部内にて有機発光層６０を介して画素電極５５と電気的に接続され、さらに、補助配線５６上方の開口部内にて補助配線５６と電気的に接続されている。同図には現れていないが、補助配線５６は、パネル周縁部からパネル中央部まで延在している。このように補助配線５６を設けることで、補助配線５６を設けない場合に比べて共通電極６２と補助配線５６の合成抵抗を低減することができるので、パネル中央部の電圧降下を低減することができる。
特開２００４−２０７２１７号公報
ところで、補助配線と共通電極との間には、パネルの製造工程の都合により何らかの別の層が介在してしまう場合がある。例えば、画素電極上に正孔注入層や電子輸送層などの機能層を設ける場合に、機能層を局所的に形成するのが技術的あるいは費用的に困難なため補助配線上にも形成する場合や、補助配線の表面の自然酸化を防止するための保護層を形成する場合などである。このような場合、補助配線と共通電極とのコンタクト抵抗が増大し、パネル中央部の電圧降下の低減を十分に図ることができない恐れがある。また、補助配線と共通電極との間に別の層が介在しない場合でも、これらのコンタクト抵抗を低減するに越したことはない。
そこで、本発明は、補助配線と共通電極とのコンタクト抵抗を低減し、これにより、パネル中央部の電圧降下のさらなる低減を図る技術を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上方に位置する画素電極と、前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極と離間した補助配線と、前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極の上方および前記補助配線の上方のそれぞれに開口部を有する隔壁層と、前記画素電極上方の開口部内に位置する有機発光層と、前記画素電極上方の開口部内にて前記画素電極と対向し、前記有機発光層を介して前記画素電極と電気的に接続されるとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と対向し、前記補助配線と電気的に接続される共通電極と、を備え、前記層間絶縁膜は、前記補助配線が上方に位置する領域内に少なくとも一組の凹下部と非凹下部とを有し、前記凹下部の上面が前記非凹下部の上面に対して凹下しており、前記補助配線は、前記凹下部上の部分と前記非凹下部上の部分とを有し、前記凹下部上の部分の上面が前記非凹下部上の部分の上面に対して凹下している。
上記構成によれば、層間絶縁膜に凹下部と非凹下部が設けられ、それに伴い、補助配線にも凹下部上の部分と非凹下部上の部分とが設けられる。このように補助配線に凹下部上の部分と非凹下部上の部分とを設けることで、共通電極における補助配線に電気的に接続される領域の面積を広げることができる。したがって、共通電極と補助配線とのコンタクト抵抗を低減することができ、これにより、パネル中央部の電圧降下のさらなる低減を図ることができる。
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す部分断面図 画素回路の一例を示す回路図 図１の有機ＥＬ表示パネルにおける画素電極、補助配線、隔壁層および走査線のレイアウトを示す平面図 図１の有機ＥＬ表示パネルの部分的な斜視断面図 （ａ）は、図２のＡ−Ａ断面図の一部であり、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ断面図 図１の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 図１の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 図１の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルにおける、画素電極、補助配線、隔壁層および走査線のレイアウトを示す平面図 （ａ）は、図９のＡ１−Ａ１断面図であり、（ｂ）は、図９のＡ２−Ａ２断面図 隔壁材料層が現像により除去されていく様子を示す模式図 凹下部の深さに関する変形例を示す断面図 画素電極と補助配線との厚み方向の位置関係についての変形例を示す断面図 図１３の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 凹下部に関する変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図 凹下部に関する変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図 凹下部に関する変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図 凹下部に関する変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ１−Ａ１断面図およびＡ２−Ａ２断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図 凹下部に関する変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図 補助配線の凹下部内の積層構造に関する変形例を示す断面図 図２０の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 図１の有機ＥＬ表示パネルを表示装置に適用した場合の機能ブロックを示す図 図２２の表示装置の外観を例示する図 特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルの構造を示す部分断面図
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上方に位置する画素電極と、前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極と離間した補助配線と、前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極の上方および前記補助配線の上方のそれぞれに開口部を有する隔壁層と、前記画素電極上方の開口部内に位置する有機発光層と、前記画素電極上方の開口部内にて前記画素電極と対向し、前記有機発光層を介して前記画素電極と電気的に接続されるとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と対向し、前記補助配線と電気的に接続される共通電極と、を備え、前記層間絶縁膜は、前記補助配線が上方に位置する領域内に少なくとも一組の凹下部と非凹下部とを有し、前記凹下部の上面が前記非凹下部の上面に対して凹下しており、前記補助配線は、前記凹下部上の部分と前記非凹下部上の部分とを有し、前記凹下部上の部分の上面が前記非凹下部上の部分の上面に対して凹下している。
上記構成によれば、層間絶縁膜に凹下部と非凹下部が設けられ、それに伴い、補助配線にも凹下部上の部分と非凹下部上の部分とが設けられる。このように補助配線に凹下部上の部分と非凹下部上の部分とを設けることで、共通電極における補助配線に電気的に接続される領域の面積を広げることができる。したがって、共通電極と補助配線とのコンタクト抵抗を低減することができ、これにより、パネル中央部の電圧降下のさらなる低減を図ることができる。
また、前記凹下部の上面の全域に、前記層間絶縁膜を構成する絶縁性材料が露出していることとしてもよい。即ち、層間絶縁膜の凹下部は、層間絶縁膜の上面から下面まで貫通する貫通孔ではない。これにより、補助配線の電気的な絶縁性を確保しつつ、補助配線に凹下部上の部分と非凹下部上の部分とを設けることができる。
また、前記層間絶縁膜は、前記薄膜トランジスタの上方に位置するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の上方に位置する平坦化膜と、を含み、前記凹下部の上面が、前記平坦化膜内に位置する、または、前記パッシベーション膜と前記平坦化膜との境界に位置する。これにより、補助配線の電気的な絶縁性を確保しつつ、補助配線に凹下部上の部分と非凹下部上の部分とを設けることができる。
また、さらに、前記基板の上方に位置する、前記薄膜トランジスタの動作を制御する走査信号を伝達するための走査線を備え、前記層間絶縁膜の前記補助配線が上方に位置する領域は、平面視で前記走査線と重なる領域と重ならない領域とを有し、前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線が上方に位置する領域内の前記走査線と重ならない領域に位置し、前記走査線と重なる領域には位置しないこととしてもよい。
走査線に入力される信号の遅延を少なくする観点からは、走査線の寄生容量はできるだけ小さいことが望ましい。上記構成によれば、層間絶縁膜の凹下部は、平面視で走査線と重なる領域には形成されないので、補助配線と走査線との距離をある程度確保することができる。したがって、走査線の寄生容量を小さくすることができ、その結果、走査線により伝達される走査信号の遅延を少なくすることができる。
また、前記層間絶縁膜の前記走査線と重なる領域の上面が平坦であることとしてもよい。
また、前記走査線は、平面視で前記補助配線と交差していることとしてもよい。
また、さらに、前記基板の上方に位置する、前記薄膜トランジスタに電源電圧を印加するための電源配線を備え、前記層間絶縁膜の前記凹下部は、平面視で前記電源配線と重なる領域に位置し、前記補助配線の前記凹下部上の部分は、前記層間絶縁膜を構成する絶縁性材料を挟んで前記電源配線の上方に位置していることとしてもよい。
また、前記補助配線の前記凹下部上の部分と前記共通電極との間に、前記有機発光層と同一の材料が介挿されていることとしてもよい。
また、前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線に沿う第１の溝部と、前記第１の溝部の少なくとも一部と交差する第２の溝部とからなり、前記第２の溝部の幅は、前記第１の溝部の幅よりも広いこととしてもよい。
また、前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線に沿う第１の溝部と、前記第１の溝部の少なくとも一部と交差する第２の溝部とからなり、前記第２の溝部の深さは、前記第１の溝部の深さよりも深いこととしてもよい。
また、さらに、前記画素電極上方の開口部内にて前記有機発光層と接するとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と接する機能層を備え、前記共通電極は、前記補助配線上方の開口部内にて前記機能層に接していることとしてもよい。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を用意する第１工程と、前記基板の上方に薄膜トランジスタを形成する第２工程と、前記薄膜トランジスタの上方に層間絶縁膜を形成する第３工程と、前記層間絶縁膜の上方に、画素電極と前記画素電極と離間する補助配線とを形成する第４工程と、前記層間絶縁膜の上方に、前記画素電極の上方および前記補助配線の上方のそれぞれに開口部を有する隔壁層を形成する第５工程と、前記画素電極上方の開口部内に有機発光層を形成する第６工程と、前記画素電極上方の開口部内にて前記画素電極と対向し、前記有機発光層を介して前記画素電極と電気的に接続されるとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と対向し、前記補助配線と電気的に接続される共通電極を形成する第７工程と、を含み、前記第３工程において形成された前記層間絶縁膜は、前記補助配線が上方に形成される領域内に少なくとも一組の凹下部と非凹下部とを有し、前記凹下部の上面が前記非凹下部の上面に対して凹下しており、前記第４工程において形成された前記補助配線は、前記凹下部上の部分と前記非凹下部上の部分とを有し、前記凹下部上の部分の上面が前記非凹下部上の部分の上面に対して凹下している。
本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。
［実施の形態１］
＜全体構成＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す部分断面図である。同図では３画素分が示されている。
有機ＥＬ表示パネルは、基板１、電源配線２、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３、層間絶縁膜４、画素電極５、補助配線６、正孔注入層７、隔壁層８、正孔輸送層９、有機発光層１０、電子輸送層１１、共通電極１２および封止層１３を備える。
基板１は、ガラスまたは樹脂などの絶縁性材料からなる。
電源配線２は、基板１の上方に位置している。電源配線２の材料としては、導電性があれば良く、公知の配線材料を用いることができる。
ＴＦＴ３は、基板１の上方に位置している。Ａ部の拡大図に示すように、ＴＦＴ３は、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、半導体層３３、ドレイン電極３４、ソース電極３５を含む。ＴＦＴ３の構造はこれに限らず、別の構造であってもよい。
層間絶縁膜４は、ＴＦＴ３の上方に位置している。同図には現れていないが、層間絶縁膜４は、画素毎に画素電極５とＴＦＴ３とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有している。なお、本実施の形態では、層間絶縁膜４は、パッシベーション膜４１および平坦化膜４２からなる。パッシベーション膜４１は、電源配線２およびＴＦＴ３を被覆することにより、電源配線２およびＴＦＴ３を保護するために設けられている。また、平坦化膜４２は、パッシベーション膜の上方に位置し、画素電極５の下地を平坦化するために設けられている。パッシベーション膜４１および平坦化膜４２の材料としては、絶縁性があれば良く、公知の無機材料または有機材料を用いることができる。本実施の形態では、平坦化膜４２の材料として感光性樹脂を採用した場合で説明する。
画素電極５は、層間絶縁膜４の上方に位置している。画素電極５は、画素毎に個別に設けられる。画素電極５の材料としては、導電性があれば良く、また、トップエミッション型の場合には光反射性があれば良い。このような材料として、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などが挙げられる。
補助配線６は、層間絶縁膜４の上方において画素電極５から離間して位置している。補助配線６の材料としては、導電性があれば良い。なお、画素電極５と同じ工程で形成する場合には、必然的に画素電極５と同じ材料となる。
正孔注入層７は、画素電極５から供給される正孔を有機発光層１０に注入する機能を有する。正孔注入層７の材料としては、例えば、タングステン酸化物やモリブデン酸化物などの遷移金属酸化物が挙げられる。なお、正孔注入層７は、画素電極５上に存在すればよく、補助配線６上に存在する必要はない。ただし、本実施の形態では、製造プロセスの簡略化の観点から、正孔注入層７が層間絶縁膜４の上方の全体を覆うように形成されている。その結果、正孔注入層７は、補助配線６の上方にも存在している。
隔壁層８は、層間絶縁膜４の上方に位置し、画素電極５の上方と補助配線６の上方のそれぞれに開口部を有している。隔壁層８の材料としては、絶縁性があれば良く、公知の無機材料または有機材料を用いることができる。本実施の形態では、隔壁層８の材料として感光性樹脂を採用した場合で説明する。
正孔輸送層９は、隔壁層８の画素電極上方の開口部内に形成されている。正孔輸送層９の材料としては公知の材料を利用することができる。例えば、特開平５−１６３４８８号に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体を用いることができる。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができる。
有機発光層１０は、隔壁層８の画素電極上方の開口部内において正孔輸送層９上に形成されている。有機発光層１０は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。有機発光層１０の材料としては公知の材料を利用することができる。例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質を用いることができる。
電子輸送層１１は、画素電極上方の開口部内にて画素電極５と対向し、補助配線上方の開口部内にて補助配線６に対向している。共通電極１２から供給される電子を有機発光層１０に輸送する機能を有する。
電子輸送層１１の材料としては公知の材料を利用することができる。例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体を用いることができる。なお、電子注入性を更に向上させる点から、上記材料に、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドーピングしてもよい。なお、電子輸送層１１は、画素電極上方の開口部内に存在すればよく、補助配線上方の開口部内に存在する必要はない。ただし、本実施の形態では、製造プロセスの簡略化の観点から、電子輸送層１１が隔壁層８の上方の全体を覆うように形成されている。その結果、電子輸送層１１は、補助配線６の上方にも存在している。
共通電極１２は、画素電極上方の開口部内にて画素電極５に対向し、電子輸送層１１、有機発光層１０、正孔輸送層９および正孔注入層７を介して画素電極５に電気的に接続され、補助配線上方の開口部内にて補助配線６に対向し、電子輸送層１１および正孔注入層７を介して補助配線６に電気的に接続されている。具体的には、共通電極１２は、画素電極上方の開口部内に位置する第１部分と、補助電極上方の開口部内に位置する第２部分と、隔壁層８の上方に位置する第３部分とを含む。第１部分と第２部分とが第３部分により連結されている。共通電極１２の材料としては、導電性があれば良く、また、トップエミッション型の場合には光透過性があれば良い。光透過性を確保するには、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等の透明導電材料を採用するか、あるいは、１０ｎｍ乃至２０ｎｍの薄膜のＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属材料を採用することが考えられる。
封止層１３は、有機発光層１０に水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。封止層１３の材料としては窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナなどの公知の材料を利用することができる。
本実施形態では、有機ＥＬ素子が、画素電極５、正孔注入層７、正孔輸送層９、有機発光層１０、電子輸送層１１および共通電極１２から構成されている。そして、１つの画素が１つの有機ＥＬ素子と１つの画素回路を備える。図２に、画素回路の一例を示す。
画素回路３０は、ｐ型のＴＦＴ３ａ、３ｂとキャパシタとを含む。ＴＦＴ３ａのソースはデータ線３６に接続され、ＴＦＴ３ａのドレインはＴＦＴ３ｂのゲートに接続され、ＴＦＴ３ａのゲートは走査線１４に接続されている。また、ＴＦＴ３ｂのソースは電源配線２に接続され、ＴＦＴ３ｂのドレインは有機ＥＬ素子のアノード（画素電極）に接続され、ＴＦＴ３ｂのゲートはＴＦＴ３ａのドレインに接続されている。キャパシタは、ＴＦＴ３ｂのソースとゲートとの間に接続されている。また、有機ＥＬ素子のカソード（共通電極）は補助配線６に接続されている。電源配線２は、ＴＦＴ３ｂのソースに電源電圧を印加するための配線である。補助配線６は、有機ＥＬ素子のカソードにグラウンド電圧を印加するための配線である。走査線１４は、ＴＦＴ３ａの動作を制御する走査信号を伝達するための配線である。データ線３６は、ＴＦＴ３ｂの動作を制御するデータ信号を伝達するための配線である。
電源配線２、補助配線６およびデータ線３６は、有機ＥＬ表示パネルの列方向に沿って延在している。また、走査線１４は、有機ＥＬ表示パネルの行方向に沿って延在している。そして、電源配線２は、パネル周縁部において外部電源の電源端子に電気的に接続されている。補助配線６は、パネル周縁部において外部電源のグラウンド端子に電気的に接続されている。また、データ線３６および走査線１４は、パネル周縁部において外部の駆動回路に電気的に接続されている。
＜補助配線の詳細＞
本実施の形態は、補助配線の形状に特徴を有する。以下、補助配線の形状について詳細に説明する。
図３は、画素電極、補助配線、隔壁層および走査線のレイアウトを示す平面図である。同図のＡ−Ａ断面図が図１に相当する。画素電極５は、それぞれ矩形状であり、互いに離間して行列状に配置されている。補助配線６は、列方向に沿ってストライプ状に配置されている。隔壁層８は、画素電極５の上方に開口部８ａを有し、補助配線６の上方に開口部８ｂを有している。走査線１４は、行方向に沿って配置されている。即ち、補助配線６と走査線１４は平面視で直交していることになる。
補助配線６は、溝状の凹下部６ａと非凹下部６ｂとを有する。凹下部６ａの長手方向の長さは、１画素の列方向の長さよりも短く、且つ、凹下部６ａの数量は、１行に対して１個である。補助配線６の凹下部６ａと非凹下部６ｂについては、図４の有機ＥＬ表示パネルの部分的な斜視断面図を見ると分かりやすい。凹下部６ａは、非凹下部６ｂに対して凹下していることが分かる。
図５（ａ）は、図３のＡ−Ａ断面図の一部であり、図５（ｂ）は、図３のＢ−Ｂ断面図である。層間絶縁膜４に凹下部４ａと非凹下部４ｂが形成されており、それに伴い、補助配線６に凹下部６ａと非凹下部６ｂとが形成されている。そして、正孔注入層７、電子輸送層１１および共通電極１２が補助配線６の凹下部６ａの形状に沿って凹下している。通常、層間絶縁膜４の厚みは数μｍ程度なので、非凹下部４ｂに対する凹下部４ａの深さも数μｍ程度に設定することができる。これに対して、補助配線６の厚みは数１００ｎｍ程度なので、層間絶縁膜４の凹下部４ａの形状が補助配線６の凹下部６ａの形状に反映される。また、正孔注入層７の厚みは数１０ｎｍ程度、電子輸送層１１の厚みは数１０ｎｍ程度と非常に薄いのでこれらの厚みはほとんど無視することができる。そのため、補助配線６の凹下部６ａに沿って共通電極１２が凹下することとなり、共通電極１２における補助配線６に電気的に接続される領域の面積（コンタクト面積）を広げることができる。なお、電気的に接続される面積が広がる量は、概ね、凹下部６ａと非凹下部６ｂとで形成される段差の側面の面積に相当する。以上より、共通電極１２と補助配線６とのコンタクト抵抗を低減することができ、これにより、パネル中央部の電圧降下のさらなる低減を図ることができる。
なお、層間絶縁膜４の凹下部４ａの深さは、平坦化膜４２を貫通しない程度に設定されている。そのため、凹下部４ａの上面の全域に平坦化膜４２を構成する絶縁性材料が露出していることになる。即ち、層間絶縁膜４の凹下部４ａは、層間絶縁膜４の上面から下面まで貫通する貫通孔ではない。従って、補助配線６と電源配線２は、いずれも列方向に延在し、且つ、平面視で互いに重なる位置に存在しているが、これらの電気的な絶縁性を確保することができる。
また、図３に示すように、補助配線６の凹下部６ａは、平面視で走査線１４に重なる領域には形成されておらず、平面視で走査線１４に重ならない領域に形成されている。即ち、補助配線６の平面視で走査線１４に重なる領域の上面が平坦である。これにより、図５（ｂ）に示すように、補助配線６と走査線１４との距離をある程度確保することができる。したがって、走査線１４の寄生容量を小さくすることができ、その結果、走査線１４に伝達される走査信号の遅延を少なくすることができる。
＜製造方法＞
図６乃至図８は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。
まず、基板１の上方に電源配線２およびＴＦＴ３を形成する。さらに、基板１の上方に電源配線２およびＴＦＴ３を被覆するパッシベーション膜４１を形成する（図６（ａ））。
次に、平坦化膜４２を形成するための平坦化材料層４２ｃを積層する（図６（ｂ））。
次に、フォトマスクを介して平坦化材料層４２ｃを露光し、その後、現像することにより、凹下部４ａと非凹下部４ｂとを有する平坦化膜４２を形成する（図６（ｃ））。なお、この工程は、平坦化膜４２に画素電極５とＴＦＴ３とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程と同じ工程で行うことができる。ここで、非凹下部４ｂに対する凹下部４ａの深さは、フォトマスクの光透過率を変えることで調整可能である。例えば、露光領域が現像により除去され非露光領域が残留する材料の場合、凹下部４ａを形成しようとする領域を露光することになる。このとき、ハーフトーンマスクを採用することにより、凹下部４ａを形成しようとする領域の露光量を調整することができる。これにより、凹下部４ａの深さを調整することができる。
次に、平坦化膜４２の上方に画素電極５および補助配線６を形成するための導電層５ｃを積層し（図６（ｄ））、導電層５ｃをエッチングすることにより、画素電極５と補助配線６を形成する（図７（ａ））。補助配線６の厚みは、層間絶縁膜４の凹下部４ａの深さに対して薄いので、凹下部４ａの形状が補助配線６の凹下部６ａの形状に反映される。
次に、画素電極５と補助配線６が形成された層間絶縁膜４の上方に正孔注入層７を積層し（図７（ｂ））、正孔注入層７の上方に隔壁層８を形成するための隔壁材料層８ｃを積層する（図７（ｃ））。
次に、フォトマスクを介して隔壁材料層８ｃを露光し、その後、現像することにより、画素電極５上方に開口部８ａを有し補助配線６上方に開口部８ｂを有する隔壁層８を形成する（図７（ｄ））。
次に、隔壁層８の開口部８ａ内に、正孔輸送層９および有機発光層１０を積層し（図８（ａ））、隔壁層８の上方の全域を覆うように電子輸送層１１を積層し（図８（ｂ））、さらに、電子輸送層１１の上方に共通電極１２を積層する（図８（ｃ））。
最後に、共通電極１２の上方に封止層１３を積層して、有機ＥＬ表示パネルが完成する（図８（ｄ））。
［実施の形態２］
実施の形態２では、補助配線６の凹下部６ａの形状が実施の形態１と異なる。これ以外の事項については実施の形態１と同様なので、説明を省略する。
図９は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルにおける、画素電極、補助配線、隔壁層および走査線のレイアウトを示す平面図である。本実施の形態では、補助配線６の凹下部６ａが補助配線に沿う第１の溝部６ａ１とこれに直交する第２の溝部６ａ２とからなる。第２の溝部６ａ２の幅Ｗ２は、第１の溝部６ａ１の幅Ｗ１よりも広い。また、第２の溝部６ａ２の幅Ｗ３は、第１の溝部６ａ１の幅Ｗ１よりも長い。図１０（ａ）は、図９のＡ１−Ａ１断面図であり、図１０（ｂ）は、図９のＡ２−Ａ２断面図である。第１の溝部６ａ１の深さと第２の溝部６ａ２の深さは同じである。
本実施の形態では補助配線６の凹下部６ａの形状の工夫により、隔壁層８を形成する工程において、凹下部６ａに残留する隔壁材料層８ｃの残渣量を低減することができる。以下、この効果について説明する。
図１１は、隔壁材料層８ｃが現像により除去されていく様子を示す模式図である。Ａ１が第１の溝部６ａ１（図９のＡ１−Ａ１）の断面図であり、Ａ２が第２の溝部６ａ２（図９のＡ２−Ａ２）の断面図である。
隔壁材料層８ｃは、凹下部６ａの形状に沿って凹下した部分８ｄを有する（図１１（ａ））。ただし、第１の溝部６ａ１の幅が狭いため、隔壁材料層８ｃの凹下した部分８ｄの幅も狭い。これに対し、第２の溝部６ａ２の幅は広いため、隔壁材料層８ｃの凹下した部分８ｄの幅が広い。
隔壁材料層８ｃが現像液８ｅに曝されると、隔壁材料層８ｃの補助配線６上方の部分８ｆが次第に溶解していく（図１１（ｂ）、（ｃ））。このとき、第２の溝部６ａ２では第１の溝部６ａ１に比べて隔壁材料層８ｃの凹下した部分が広いので、現像液８ｅが入り込みやすく、溶解が適度に進む（図１１（ｄ））。第２の溝部６ａ２内の隔壁材料層８ｃが除去されると、今度は、現像液８ｅは、第２の溝部６ａ２を通じて第１の溝部６ａ１の側面に接しやすくなる。そうすると、第１の溝部６ａ１内の隔壁材料層８ｃの溶解が側面からも進むことになり、その結果、第１の溝部６ａ１内の隔壁材料層８ｃが除去される（図１１（ｅ））。
このように、補助配線６の凹下部６ａを、補助配線に沿う第１の溝部とそれに直交する第２の溝部とで構成し、第２の溝部の幅を第１の溝部の幅よりも広くすることで、隔壁材料層８ｃを現像する際に第１の溝部に現像液を入り込ませやすくし、その結果、凹下部６ａに残留する隔壁材料層８ｃの残渣量を低減することができる。
なお、電子輸送層１１を蒸着法で形成し、共通電極１２をスパッタ法で形成する場合には、以下の理由によっても、補助配線６と共通電極１２とのコンタクト抵抗を低減することができる。
一般に、蒸着法は幅の狭い溝部の側面には成膜しにくい特性を有する（即ち、カバレッジが悪い）。一方、スパッタ法は幅の狭い溝部の側面にも成膜しやすい特性を有する（即ち、カバレッジが良い）。したがって、補助配線６上に電子輸送層１１を形成した場合に、溝幅の狭い部分の側面には電子輸送層１１が成膜されにくく、そのため、電子輸送層１１の厚みが極めて薄い部分や電子輸送層１１の厚みがない部分が存在することになる。この電子輸送層１１の上に共通電極１２を形成した場合、これらの部分で補助配線６と共通電極１２とのコンタクト抵抗を低減することができる。
そして、第１の溝部６ａ１の幅が狭く第２の溝部６ａ２の幅が広い場合、第１の溝部６ａ１の幅が広く第２の溝部６ａ２の幅が狭い場合に比べて、第１の溝部６ａ１における第２の溝部６ａ２の交差する部分を除く部分を長くすることができる。即ち、溝幅の狭い部分を長くすることができる。したがって、補助配線６と共通電極１２とのコンタクト抵抗を低減することができる。
一方、上述のように、溝幅の狭い部分の側面には、電子輸送層１１の厚みが極めて薄い部分や電子輸送層１１の厚みがない部分が存在することになる。これらの部分では、電界集中が起きてしまう恐れがある。このような場合、第１の溝部６ａ１の幅を広く第２の溝部６ａ２の幅を狭くしてもよい。そうすると、第１の溝部６ａ１の幅が狭く第２の溝部６ａ２の幅が広い場合に比べて、第１の溝部６ａ１における第２の溝部６ａ２の交差する部分を除く部分を短くすることができる。即ち、溝幅の狭い部分を短くすることができる。したがって、電界集中の起きやすい部分を少なくすることができる。
以上より、コンタクト抵抗を低減することを重視する場合には、第１の溝部６ａ１の幅を狭く第２の溝部６ａ２の幅を広くすることとし、電界集中の抑制を重視する場合には、第１の溝部６ａ１の幅を広く第２の溝部６ａ２の幅を狭くすることとしてもよい。
［変形例］
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られるものではない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
（１）層間絶縁膜の凹下部の深さ
実施の形態１、２では、層間絶縁膜４の凹下部４ａの深さは、平坦化膜４２を貫通しない程度に設定されている。しかしながら、層間絶縁膜４の絶縁性さえ確保できれば、これに限られない。例えば、図１２に示すように、層間絶縁膜４の凹下部４ａが平坦化膜４２を貫通し、凹下部４ａの上面にパッシベーション膜４１が露出することとしてもよい。
（２）画素電極と補助配線との厚み方向の位置関係
実施の形態１、２では、画素電極５と補助配線６の非凹下部６ｂとが厚み方向で同じレベルに形成されている（例えば、図１参照）。これに対し、図１３に示すように、画素電極５と補助配線６の凹下部６ａとが厚み方向で同じレベルに形成されていてもよい。図１３の構成においても、層間絶縁膜４の補助配線６が形成される領域に凹下部４ａと非凹下部４ｂとを設けることにより、補助配線６に凹下部６ａと非凹下部６ｂとを設け、その結果、凹下部６ａと非凹下部６ｂとの段差の側面の面積分だけコンタクト面積を広げるという効果が得られる。
図１４は、図１３の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。基板１の上方に電源配線２、ＴＦＴ３およびパッシベーション膜４１を形成し（図１４（ａ））、パッシベーション膜４１の上方に平坦化材料層４２ｃを積層する（図１４（ｂ））。そして、フォトマスクを介して平坦化材料層４２ｃを露光し、その後、現像する（図１４（ｃ））。このとき、補助配線６の凹下部６ａおよび画素電極５を形成する領域を凹下部４ａとし、補助配線６の非凹下部６ｂとなる領域を非凹下部４ｂとする。この点が、実施の形態１、２と異なる。そして、層間絶縁膜４上に画素電極５と補助配線６を形成する（図１４（ｄ））。
（３）凹下部の形状および数量
実施の形態１、２では、凹下部の形状および数量が具体的に示されているが、凹下部と非凹下部とが存在しさえすれば、これらに限られない。以下のいずれの例でも、凹下部６ａと非凹下部６ｂとの段差の側面の面積分だけコンタクト面積を広げるという効果が得られる。
図１５乃至図１９は、それぞれ凹下部に関する変形例を示す図である。各々（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
図１５の例では、凹下部６ａの形状が平面視で矩形であり、凹下部６ａの数量が、１行に対して２個である。また、これ以外に、凹下部６ａの形状が平面視で円形や、楕円形でもよい。また、凹下部６ａの数量も、１行に対して２個以上、例えば、数１０個存在してもよい。
図１６の例では、凹下部６ａが補助配線６の全体に亘り形成された溝部からなる。この例では、実施の形態１に比べて、走査線と補助配線との距離が近くなる一方、凹下部６ａと非凹下部６ｂとの段差の側面の面積を広げることができる。実施の形態１と図１６の例とでどちらを採用するかは、走査線に入力される信号の遅延を少なくすることと、補助配線と共通電極とのコンタクト面積を広げることのどちらを重視するかで決めればよい。
図１７の例では、凹下部６ａが補助配線６に沿う溝部からなり、１行に対して２個並設されている。これにより、凹下部６ａと非凹下部６ｂとの段差の側面の面積をより一層広げることができる。
図１８の例では、凹下部６ａが補助配線６に沿う第１の溝部６ａ１とこれに直交する２つの第２の溝部６ａ２とからなる。このような形状でも、隔壁層８を形成する工程において、凹下部６ａに残留する隔壁材料層８ｃの残渣量を低減することができる。
図１９の例では、凹下部６ａが補助配線に沿う第１の溝部６ａ１とこれに直交する第２の溝部６ａ２とからなる。実施の形態２と異なるのは、第１の溝部６ａ１の幅Ｗ１と第２の溝部６ａ２の幅Ｗ２とが同じであり、且つ、第１の溝部６ａ１の深さよりも第２の溝部６ａ２の深さが深いことである。このように、第２の溝部６ａ２の深さを第１の溝部６ａ１の深さよりも深くすることによっても、隔壁層８を形成する工程において、凹下部６ａに残留する隔壁材料層８ｃの残渣量を低減することができる。なお、第１の溝部６ａ１の幅Ｗ１よりも第２の溝部６ａ２の幅Ｗ２を広くすると、より一層の効果が得られる。
なお、第１の溝部６ａ１と第２の溝部６ａ２の幅および深さは適宜組み合わせることが出来ることは言うまでもない。例えば、第１の溝部６ａ１を、第２の溝部６ａ２よりも深さが深くかつ幅を広く設計しても良い。
また、第１の溝部６ａ１と第２の溝部６ａ２が存在することにより、以下のような効果も得られる。有機ＥＬ表示パネルの製造過程において、補助配線６上にダストが付着することがある。補助配線６上にダストが付着すると、ダストの高さによっては上部の封止層１３にピンホールが生じることがある。ピンホールが生じると、水分や空気が侵入してしまうので、電子輸送層１１に部分的な劣化が生じる。そして、水分や空気はピンホールから常時供給されるため、電子輸送層１１の劣化した部分がピンホールを中心として経時的に広がっていくことになる。
一方、前述の通り、電子輸送層１１を蒸着法で形成した場合、補助配線６の溝部の側面には、電子輸送層１１の厚みが極めて薄い部分や、電子輸送層１１の厚みがない部分が存在することになる。電子輸送層１１の劣化が経時的に広がってきたとしても、そのような部分では電子輸送層１１の厚みが極めて薄いか、あるいは、厚みがないので、劣化の進行を遅らせる、あるいは、停止させることができる。これにより、電子輸送層１１の劣化に起因する寿命の低下を抑制することができる。
（４）補助配線の凹下部内の積層構造
実施の形態１、２では、有機発光層１０は画素電極５の上方の開口部８ａ内のみに形成されているが、これに限られない。例えば、図２０に示すように、有機発光層１０と同一の材料の層１５が補助配線６の上方の開口部８ｂ内に形成されていてもよい。同図では、具体的には、有機発光層１０と同一の材料の層１５が補助配線６の凹下部６ａ内に形成されている。
図２１は、図２０の有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。隔壁層８に、画素電極５の上方の開口部８ａと補助配線６の上方の開口部８ｂとを形成する（図２１（ａ））。次に、有機発光層１０を構成する有機発光材料と溶媒とを含むインク１０ａを開口部８ａ内に滴下する。このとき、インク１０ａを開口部８ｂ内にも滴下する（図２１（ｂ））。そして、インク１０ａから溶媒を蒸発させて、開口部８ａ内に有機発光層１０を形成しつつ、開口部８ｂ内に有機発光層と同一の材料の層１５を形成する（図２１（ｃ））。このように、インク１０ａを開口部８ｂ内にも滴下しておくことにより、どの開口部８ａにおいても両側にインク１０ａが存在する環境を形成することができる。これにより、どの開口部８ａでも同じように溶媒を蒸発させることができ、その結果、有機発光層１０の形状のばらつきを抑制することができる。
（５）第１の溝部と第２の溝部との成す角度
実施の形態２では、第１の溝部６ａ１と第２の溝部６ａ２とが直交しているが、これらが交差していれば、本発明はこれに限られない。例えば、第１の溝部６ａ１と第２の溝部６ａ２との成す角度が４５°や６０°などのように、９０°以外の角度としてもよい。
（６）補助配線の平面形状
実施の形態１、２では、補助配線６は列方向に沿ってストライプ状に配置されているが、本発明は、これに限られない。例えば、補助配線は列方向のストライプと行方向のストライプとからなるメッシュ状であってもよい。
（７）補助配線の数量
実施の形態１、２では、補助配線６は、３画素毎に１本設けられているが、これに限られない。例えば、１画素毎に１本設けられていてもよいし、３画素よりも大きな所定数の画素毎に１本設けられていてもよい。
（８）走査線の数量
実施の形態１、２では、走査線が１行に対し１本設けられているが、これに限られない。画素毎の駆動回路の構成に応じて決定すればよい。
（９）画素の積層構造
実施の形態１、２では、画素電極５と共通電極１２との間に正孔注入層７、正孔輸送層９、有機発光層１０および電子輸送層１１が介挿されているが、有機発光層１０さえ介挿されていれば、これに限られない。
（１０）層間絶縁層の構造
実施の形態１、２では、層間絶縁層４がパッシベーション膜４１と平坦化膜４２とからなるが、画素回路が位置する層と有機ＥＬ素子が位置する層とを絶縁することさえできれば、これに限られない。
（１１）表示装置への適用例
図２２は、図１の有機ＥＬ表示パネルを表示装置に適用した場合の機能ブロックを示す図である。図２３は、図２２の表示装置の外観を例示する図である。表示装置２０は、有機ＥＬ表示パネル２１と、これに電気的に接続された駆動制御部２２とを備える。駆動制御部２２は、駆動回路２３と、駆動回路２３の動作を制御する制御回路２４とからなる。
本発明は、有機ＥＬディスプレイ等に利用可能である。
１ 基板
２ 電源配線
３ ＴＦＴ層
４ 層間絶縁膜
４ａ 凹下部
４ｂ 非凹下部
４ｃ 層間絶縁材料層
５ 画素電極
５ｃ 導電層
６ 凹下部
６ 補助配線
６ａ 凹下部
６ａ１ 第１の溝部
６ａ２ 第２の溝部
６ｂ 非凹下部
７ 正孔注入層
８ 隔壁層
８ａ 画素電極上方の開口部
８ｂ 補助配線上方の開口部
８ｃ 隔壁材料層
８ｄ 隔壁材料層の凹下した部分
８ｅ 現像液
８ｆ 隔壁材料層の補助配線上方の部分
９ 正孔輸送層
１０ 有機発光層
１０ａ インク
１１ 電子輸送層
１２ 共通電極
１３ 封止層
１４ 走査線
１５ 有機発光層と同一の材料からなる層
２０ 表示装置
２１ 有機ＥＬ表示パネル
２２ 駆動制御部
２３ 駆動回路
２４ 制御回路
４１ パッシベーション膜
４２ 平坦化膜
５１ 基板
５２ 電源配線
５３ ＴＦＴ層
５４ 層間絶縁膜
５５ 画素電極
５６ 補助配線
５８ 隔壁層
６０ 有機発光層
６２ 共通電極

Claims (11)

  1. 基板と、
    前記基板の上方に位置する薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタの上方に位置する層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜の上方に位置する画素電極と、
    前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極と離間した補助配線と、
    前記層間絶縁膜の上方に位置し、前記画素電極の上方および前記補助配線の上方のそれぞれに開口部を有する隔壁層と、
    前記画素電極上方の開口部内に位置する有機発光層と、
    前記画素電極上方の開口部内にて前記画素電極と対向し、前記有機発光層を介して前記画素電極と電気的に接続されるとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と対向し、前記補助配線と電気的に接続される共通電極と、を備え、
    前記層間絶縁膜は、前記補助配線が上方に位置する領域内に少なくとも一組の凹下部と非凹下部とを有し、前記凹下部の上面が前記非凹下部の上面に対して凹下しており、前記凹下部の上面の全域に、前記層間絶縁膜を構成する絶縁性材料が露出しており、
    前記補助配線は、前記凹下部上の部分と前記非凹下部上の部分とを有し、前記凹下部上の部分の上面が前記非凹下部上の部分の上面に対して凹下していること
    を特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記層間絶縁膜は、
    前記薄膜トランジスタの上方に位置するパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜の上方に位置する平坦化膜と、を含み、
    前記凹下部の上面が、前記平坦化膜内に位置する、または、前記パッシベーション膜と前記平坦化膜との境界に位置すること
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. さらに、前記基板の上方に位置する、前記薄膜トランジスタの動作を制御する走査信号を伝達するための走査線を備え、
    前記層間絶縁膜の前記補助配線が上方に位置する領域は、平面視で前記走査線と重なる領域と重ならない領域とを有し、
    前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線が上方に位置する領域内の前記走査線と重ならない領域に位置し、前記走査線と重なる領域には位置しないこと
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記層間絶縁膜の前記走査線と重なる領域の上面が平坦であること
    を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 前記走査線は、平面視で前記補助配線と交差していること
    を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. さらに、前記基板の上方に位置する、前記薄膜トランジスタに電源電圧を印加するための電源配線を備え、
    前記層間絶縁膜の前記凹下部は、平面視で前記電源配線と重なる領域に位置し、
    前記補助配線の前記凹下部上の部分は、前記層間絶縁膜を構成する絶縁性材料を挟んで前記電源配線の上方に位置していること
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 前記補助配線の前記凹下部上の部分と前記共通電極との間に、前記有機発光層と同一の材料が介挿されていること
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線に沿う第１の溝部と、前記第１の溝部の少なくとも一部と交差する第２の溝部とからなり、
    前記第２の溝部の幅は、前記第１の溝部の幅よりも広いこと
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 前記層間絶縁膜の凹下部は、前記補助配線に沿う第１の溝部と、前記第１の溝部の少なくとも一部と交差する第２の溝部とからなり、
    前記第２の溝部の深さは、前記第１の溝部の深さよりも深いこと
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  10. さらに、前記画素電極上方の開口部内にて前記有機発光層と接するとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と接する機能層を備え、
    前記共通電極は、前記補助配線上方の開口部内にて前記機能層に接していること
    を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  11. 基板を用意する第１工程と、
    前記基板の上方に薄膜トランジスタを形成する第２工程と、
    前記薄膜トランジスタの上方に層間絶縁膜を形成する第３工程と、
    前記層間絶縁膜の上方に、画素電極と前記画素電極と離間する補助配線とを形成する第４工程と、
    前記層間絶縁膜の上方に、前記画素電極の上方および前記補助配線の上方のそれぞれに開口部を有する隔壁層を形成する第５工程と、
    前記画素電極上方の開口部内に有機発光層を形成する第６工程と、
    前記画素電極上方の開口部内にて前記画素電極と対向し、前記有機発光層を介して前記画素電極と電気的に接続されるとともに、前記補助配線上方の開口部内にて前記補助配線と対向し、前記補助配線と電気的に接続される共通電極を形成する第７工程と、を含み、
    前記第３工程において形成された前記層間絶縁膜は、前記補助配線が上方に形成される領域内に少なくとも一組の凹下部と非凹下部とを有し、前記凹下部の上面が前記非凹下部の上面に対して凹下しており、前記凹下部の上面の全域に、前記層間絶縁膜を構成する絶縁性材料が露出しており、
    前記第４工程において形成された前記補助配線は、前記凹下部上の部分と前記非凹下部上の部分とを有し、前記凹下部上の部分の上面が前記非凹下部上の部分の上面に対して凹下していること
    を特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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