KR20140133121A - 자기저항소자, 이를 포함하는 디지타이저 센싱 패널, 디스플레이 장치 및 자기저항소자의 제조 방법. - Google Patents
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Abstract
자기저항소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 디지타이저 센싱 패널에 적용할 수 있는 자기저항소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 자기저항소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 제1 정공전달층, 상기 제1 정공전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 상기 제1 자기저항층 상에 형성된 제1 전달층, 상기 제1 전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 상기 제2 자기저항층 상에 형성된 제1 전자전달층 및 상기 제1 전자전달층 상에 형성된 제2 전극을 포함할 수 있다.
Description
자기저항소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 디지타이저 센싱 패널에 적용할 수 있는 자기저항소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
자기저항소자는 자계의 강약에 따라 전기저항이 변화하는 현상인 자기저항 효과를 이용한 회로소자이다. 이 효과를 이용하면 자기저항소자에 근접하는 자계를 인식할 수 있다.
자기저항소자는 자계를 변화시키는 자기 펜의 위치를 감지할 수 있는 디지타이저 센싱 패널에 적용될 수 있다. 디지타이저는 X축과 Y축의 위치좌표를 입력할 수 있는 장치이며, 센싱 패널 및 센싱 패널 상에 위치를 입력할 수 있는 자기 펜을 포함한다. 자기 펜은 센싱 패널에 근접하면서 주위의 자계를 변화시키고, 센싱 패널은 자계의 변화에 따라 저항이 변화하는 자기저항소자의 위치를 인식함으로써, 자기 펜의 위치를 센싱한다.
이와 같이 자기저항소자는 저항의 변화율을 이용하여 자계의 변화를 인식하므로, 고해상도 및 고감도의 자기 펜 디지타이저 센싱 패널을 제작하기 위하여, 패널에 적용되는 자기저항소자는 충분한 저항변화율을 확보할 필요가 있다.
본 발명은 위와 같은 필요성을 해결하기 위한 것으로서, 자기저항소자 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다. 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 이하의 실시예들로부터 또 다른 기술적 과제들이 유추될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 제1 정공전달층, 상기 제1 정공전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 상기 제1 자기저항층 상에 형성된 제1 전달층, 상기 제1 전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 상기 제2 자기저항층 상에 형성된 제1 전자전달층 및 상기 제1 전자전달층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.
또한, 상기 제1전달층은 제2 정공전달층 또는 제2 전자전달층일 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층과 상기 제2 자기저항층은 서로 다른 성분으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 상기 유기물질이 금속을 둘러싸는 금속착화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속은 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 제2 자기저항층 상에 차례로 형성된 제2 전달층 및 제3 자기저항층을 더 포함하고, 상기 제2 전달층은 제3 정공전달층 또는 제3 전자전달층일 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층 각각은 서로 다른 성분을 포함하는 다중층 구조로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 디지타이저 센싱 패널은 기판; 및 상기 기판 상에 형성되며, 제1 전극, 제1 정공전달층, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 제1 전달층, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 제1 전자전달층; 및 제2 전극을 순차적으로 포함하는 자기저항소자; 를 포함하며, 상기 자기저항소자를 이용하여, 자계를 형성하는 자기 펜에 의한 입력 신호를 인식할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 화소 전극, 중간층 및 대향 전극을 순차적으로 포함하는 유기 발광 소자; 및 상기 기판 상에 형성되며, 제1 전극, 제1 정공전달층, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 제1 전달층, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 제1 전자전달층; 및 제2 전극을 순차적으로 포함하는 자기저항소자; 를 포함하며, 상기 자기저항소자를 이용하여, 자계를 형성하는 자기 펜에 의한 입력 신호를 인식할 수 있다.
또한, 상기 자기저항소자는 RGB픽셀과 함께 1군의 서브픽셀을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자기저항소자 제조 방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 제1공정단계, 상기 제1 전극 상에 제1 정공전달층, 제1 자기저항층, 제1전달층, 제2 자기저항층 및 제1 전자전달층을 형성하는 제2 공정 단계 및 상기 제1 전자전달층 상에 제2 전극을 형성하는 제3 공정단계를 포함하고, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 유기물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 전달층은 제2 정공전달층 또는 제2 전자전달층일 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층과 상기 제2 자기저항층은 서로 다른 성분으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제2 공정단계는 상기 제1 전극 상에 상기 제1 정공전달층, 상기 제1 자기저항층, 상기 제1 전달층, 상기 제2 자기저항층 및 상기 제1 전자전달층을 차례로 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나의 금속을 상기 유기물질이 둘러싸는 금속착화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 공정단계는 상기 제2 자기저항층 상에 제2 전달층 및 제3 자기저항층을 더 형성하고, 상기 제3 자기저항층 상에 상기 제1 전자전달층을 형성할 수 있고, 상기 제2 전달층은 제3 정공전달층 또는 제3 전자전달층일 수 있다.
또한, 상기 제2 공정단계는 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층 각각을 서로 다른 성분을 포함하는 다중층 구조로 형성할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자는, 유기물질을 포함하는 적어도 두 개의 자기저항층을 포함하여 충분히 높은 저항변화율을 확보할 수 있다.
도 1내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기저항소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자를 포함하는 디지타이저 센싱 패널을 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 자기저항 소자를 포함하는 디스플레이 장치의 서브픽셀의 예를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기저항소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자를 포함하는 디지타이저 센싱 패널을 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 자기저항 소자를 포함하는 디스플레이 장치의 서브픽셀의 예를 도시한 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이하에서는 자기저항소자의 제조 공정을 개략적으로 설명한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(10)이 구비된다. 기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있으나, 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 불투명 재질도 가능하고 플라스틱 재 또는 금속 재 등, 다양한 재질의 기판을 이용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자가 디스플레이 패널과 동일 기판에 제조될 때, 디스플레이 패널이 기판(10)의 역방향으로 화상이 구현되는 전면발광(top-emission)인 경우 기판(10)은 반드시 투명 재질의 글라스재일 필요는 없다. 다만, 디스플레이 패널이 기판(10)의 방향으로 화상이 구현되는 배면발광(bottom-emission) 또는 기판(10)의 방향과 기판(10)의 역방향으로 모두 화상이 구현되는 양면발광(dual-emission)일 경우 기판(10)은 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다.
한편, 기판(1) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 블록킹층, 및/또는 버퍼층과 같은 보조층(미도시)이 구비될 수 있다. 보조층(미도시)은 SiO2 및/또는 SiNx 등을 사용하여, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 제1 전극(20)을 형성한다. 제1 전극(20)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, 또는 이들의 화합물을 얇게 증착하여 형성할 수 있다. 또는, 제1 전극(20)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 물질 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 투명한 금속산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자가 디스플레이 패널과 동일 기판에 제조될 때, 제1 전극(20)은 디스플레이 픽셀부의 화소전극과 동시 형성될 수 있고, 제1 전극(20)을 구성하는 물질은 디스플레이 패널의 발광 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
예를 들어, 디스플레이 패널이 기판(10)의 역방향으로 화상이 구현되는 전면발광(top-emission)인 경우 제1 전극(20)은 투명한 금속 산화물로 이루어질 필요가 없다. 다만, 디스플레이 패널이 기판(10)의 방향으로 화상이 구현되는 배면발광(bottom-emission) 또는 기판(10)의 방향과 기판(10)의 역방향으로 모두 화상이 구현되는 양면발광(dual-emission)일 경우 제1 전극(20)은 투명한 금속산화물로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 도 2의 구조물 상부에 제1 정공전달층(hole transport layer: HTL)(30), 제1 자기저항층(31), 제1전달층(32), 제2 자기저항층(33) 및 제1 전자전달층(electron injection layer: EIL)(34)을 형성한다.
제1 정공전달층(30), 제1 자기저항층(31), 제1전달층(32), 제2 자기저항층(33) 및 제1 전자전달층(34)은 소정의 패턴을 가진 마스크를 이용한 증착 공정, 증발 공정에 의해 형성하거나, 레이저를 이용한 열전사 또는 잉크젯 프린팅 방법에 의해 형성될 수 있다. 도 3에서는 각 층의 측면부가 동일한 형상으로 도시되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 제1 정공전달층(30), 및 제1 전자전달층(34)은 공통 층으로 패터닝 되지 않고 형성될 수도 있다. 한편, 도 3에서는 제1 전극(20)의 측면부도 동일한 형상으로 도시되었으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐 이에 한정하지 않는다.
제1 정공전달층(30)은 제1 전극(20)으로부터 제1 자기저항층(31)으로 정공을 수송할 수 있다. 제1 정공전달층(30)에는 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 저분자 및 고분자 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 제1 정공전달층(30)은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 상술한 바와 같이 증착 방법, 증발 방법, 잉크젯 프린팅, 또는 레이저를 이용한 열전사의 방법에 의해 제1 전극(20)의 상부에 형성할 수 있다.
뿐만 아니라 제1 정공전달층(30)의 재료로, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다. 제1 정공전달층(30)의 두께는 다양하게 조절될 수 있다.
제1 전자전달층(34)은 제2 전극(40)으로부터 제2 자기저항층(33)으로 전자를 수송할 수 있다. 제1 전자전달층(34)에는 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 저분자 및 고분자 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸계 화합물, 옥시디아졸계 화합물, 티아디아졸계 화합물, 페릴렌(perylene)계 화합물, 트리스(8-히드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3), 비스(2-메틸-8-퀴놀라토)(p-페닐-페놀라토) 알루미늄(Balq), 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토)(트리페닐실록시) 알루미늄(III)(Salq)등의 알루미늄 착물을 사용할 수 있다. 제1 정공전달층(30)의 두께는 다양하게 조절될 수 있다.
제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)은 외부 자계가 인가되었을 때 저항이 변하는 특성인 자기저항 특성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 그 중에서도 자기저항을 유발하는 유기물질을 포함할 수 있다. 전류의 진행방향의 수직 방향으로 자성의 세기가 변화하면, 자기저항 물질이 가지고 있는 물질 특유의 저항 성분이 자성의 세기에 따라 변화하여 자기저항 물질 내에 흐르는 전류의 값을 변화시키게 된다. 변화하는 전류의 값을 비교하면 자성체의 위치를 인식할 수 있다.
예를 들어, 제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함할 수 있다.
제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)은 금속 코어를 중심으로 유기물이 둘러싸고 있는 코어형 금속착화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)은 Al, Fe, Co 및 Mn 중 적어도 하나의 금속을 예컨대 tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)과 같은 유기물질이 둘러싸는 금속 착화합물(metallic complex compound)을 포함할 수 있다.
도 3의 구조와 같이 적어도 두 개의 자기저항층을 포함하는 자기저항소자는 높은 저항변화율을 확보할 수 있다. 자기저항물질의 특성이 벌크 특성에서 나타나기 때문에, 자기저항층을 반복적으로 적층할수록 자기저항 변화율을 증가시킬 수 있다. 각 자기저항층의 두께는 재료에 따라, 혹은 본 발명의 실시예가 실시되는 상황에 따라 가변적으로 설정할 수 있다. 여기서, 벌크 특성이란 소자의 크기와 상관없이 재료의 양에 의해 결정되는 특성을 말한다.
제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)은 서로 같은 성분으로 구성될 수 있을 뿐 아니라, 서로 다른 성분으로 구성될 수 있다. 자기저항층의 성분에 따라 자기저항 특성이 조절될 수 있다. 다양한 종류의 자기저항층이 적층되면 자기저항층의 벌크 특성이 개선되고, 높은 저항변화율을 확보할 수 있다.
제1 전달층(32)은 정공전달층일 수도 있고 전자전달층일 수도 있다. 즉, 제1 자기저항층(31)과 제2 자기저항층(33)의 사이에는 정공전달층이 개재될 수도 있고, 전자전달층이 개재될 수도 있다. 이는 본 발명의 실시예가 실시되어지는 상황의 필요에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
예를 들어, 유기화합물의 경우 전자의 이동도보다 정공의 이동도가 현저히 빠른 점을 고려하여 자기저항소자 내에서 전하의 비율을 최적으로 조절하기 위하여 제1 전달층(32)을 전자전달층으로 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다.
제1 전달층(32)이 정공전달층인 경우, 도 3은 도 2의 구조물 상부에 제1 정공전달층(30), 제1 자기저항층(31), 제2 정공전달층(32), 제2 자기저항층(33), 제1 전자전달층(34)이 차례로 형성된 구조일 수 있다. 제1 전달층(32)에 전자전달층인 경우, 도 3은 도 2의 구조물 상부에 제1 정공전달층(30), 제1 자기저항층(31), 제2 전자전달층(32), 제2 자기저항층(33), 제1 전자전달층(34)이 차례로 형성된 구조일 수 있다.
뿐만 아니라, 제1 전달층(32)은 자기저항층일 수도 있다. 이에 따라 도 3의 구조는 세 개의 자기저항층이 차례로 적층된 구조일 수 있다. 자기저항 특성을 증가시켜 저항변화율의 크기를 높이기 위하여 다양한 물질을 포함하는 자기저항층을 반복적으로 적층하여 벌크특성을 개선하고 저항증가율을 높게 할 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이 도 3의 구조물 상부에 제2 전극(40)을 형성한다. 제2 전극(40)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, 또는 이들의 화합물을 얇게 증착하여 형성할 수 있다. 또는, 제2 전극(40)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3와 같은 물질 가운데 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 투명한 금속산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자가 디스플레이 패널과 동일 기판에 제조될 때, 제2 전극(40)은 디스플레이 픽셀부의 대향전극과 동시 형성될 수 있고, 제2 전극(40)을 구성하는 물질은 디스플레이 패널의 발광 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다.
예를 들어, 디스플레이 패널이 기판(10)의 역방향으로 화상이 구현되는 전면발광(top-emission)인 경우 제2 전극(40)은 투명한 금속 산화물로 이루어질 필요가 없다. 다만, 디스플레이 패널이 기판(10)의 방향으로 화상이 구현되는 배면발광(bottom-emission) 또는 기판(10)의 방향과 기판(10)의 역방향으로 모두 화상이 구현되는 양면발광(dual-emission)일 경우 제2 전극(40)은 투명한 금속산화물로 이루어질 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기저항소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 자기저항소자는 기판(10), 제1 전극(20), 제1 정공전달층(30), 제1 자기저항층(31), 제1 전달층(32), 제2 자기저항층(32), 제2 전달층(35), 제3 자기저항층(36), 제1 전자전달층(34) 및 제2 전극(40)을 차례로 형성한 구조일 수 있다.
도 5의 자기저항소자는 제1 자기저항층(31), 제2 자기저항층(32), 제3 자기저항층(36)의 적어도 세 개의 자기저항층을 포함할 수 있다. 또한, 제3 자기저항층(36)과 제1 전자전달층(34)의 사이의 공간(37)에는 자기저항층과 전달층을 반복적으로 형성할 수 있다. 많은 층의 자기저항층을 형성할수록 자기저항소자의 저항변화율이 증가되지만, 자기저항소자를 디스플레이 패널에 적용하기 위하여 픽셀소자와 함께 형성하는 경우 두께에 제한이 있으므로 적절한 두께로 형성할 수 있다.
제2 전달층(35)은 전술한 제1 전달층(32)과 같이, 정공전달층으로 형성되거나 전자전달층으로 형성될 수 있다. 즉, 제2 자기저항층(33)과 제3 자기저항층(36)의 사이에는 정공전달층이 개재될 수도 있고, 전자전달층이 개재될 수도 있다. 이는 본 발명의 실시예가 실시되어지는 상황의 필요에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
전자의 이동도보다 정공의 이동도가 현저히 빠른 유기화합물의 특성을 고려하여 자기저항소자 내에서 전하의 비율을 최적으로 조절하기 위하여 제2 전달층(35)을 전자전달층으로 형성할 수 있다. 제2 전달층(35)은 제1 전달층(32)의 종류에 따라 결정될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다.
뿐만 아니라, 제2 전달층(35)은 자기저항층일 수도 있다. 제1 전달층(33)과 제2 전달층(35)이 모두 자기저항층인 경우 도 5의 구조는 5층의 자기저항층이 차례로 적층된 구조일 수 있다. 자기저항 특성을 증가시켜 저항변화율의 크기를 높이기 위하여 다양한 물질을 포함하는 자기저항층을 반복적으로 적층하여 벌크특성을 개선하고 저항증가율을 높게 할 수 있다.
전술된 제1 자기저항층(33), 제2 자기저항층(33), 제3 자기저항층(36)과 같은 자기저항층은 서로 다른 성분을 포함하는 이중층 구조로 형성될 수 있다. 자기저항층의 성분은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함할 수 있으며, Al, Fe, Co 및 Mn 중 적어도 하나의 금속을 상기 유기물질이 둘러싸는 금속 착화합물을 포함할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자를 포함하는 디지타이저 센싱 패널을 개략적으로 도시한 것이다. 도 6을 참조하면, 디지타이저 센싱 패널은 y축 방향의 제1 전극(61)과 x축 방향의 제2 전극(63)과, 사이에 개재된 자기저항소자(62)를 포함할 수 있다. 도 6의 제1 전극(61)과 제2 전극(63)은 전술된 실시예에서의 자기저항소자의 제1 전극과 제2 전극일 수 있다. 이에 따라 도 6의 자기저항소자(62)는 제1 전극과 제2 전극이 생략된 구조일 수 있다.
도 6을 참조하면, 전원부(64)는 제1 전극(61)에 전원을 인가하고, 측정부(65)가 제2 전극(63)에 연결되면 제1 전극(61)으로부터 자기저항소자(62)를 거쳐 제2 전극(63)으로 흐르는 전류가 측정부(65)에 의해 측정된다. 측정부(65)는 전원부(64)의 전원과 측정부(65)에 의해 측정된 전류에 기초하여 자기저항소자(62)의 저항을 산출할 수 있다.
산출된 자기저항소자(62)의 저항, 또는 저항의 변화를 이용하여 자기저항소자(62)에 자기 펜이 근접하였는지 여부를 결정할 수 있다. 자기 펜은 자계를 형성하는 입력장치이다. 자기 펜이 디지타이저 센싱 패널에 근접하면 디지타이저 센싱 패널에 내장된 자기저항소자의 저항이 변화하고, 디지타이저 센싱 패널은 내장된 자기저항소자의 저항 값을 획득하여 자기 펜의 위치를 인식할 수 있다.
하나의 자기저항소자(62)의 예를 들어 설명하였으나, 도 6에 도시된 바와 같이 디지타이저 센싱 패널은 복수 개의 자기저항소자를 포함할 수 있다. 디지타이저 센싱 패널은 x축과 y축 방향으로 놓인 제1 전극들과 제2 전극들이 교차하는 위치마다 자기저항소자를 포함할 수 있다. 포함된 자기저항소자를 이용하여 디지타이저 센싱 패널은 x축과 y축의 2차원 입력을 인식할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 본 발명의 일 실시예에 따른 자기저항소자를 포함할 수 있고, 자기저항소자를 이용하여, 자계를 형성하는 자기 펜에 의한 입력 신호를 인식할 수 있다.
도 7은 자기저항 소자를 포함하는 디스플레이 장치의 서브픽셀의 예를 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 자기저항소자(74)는 RGB픽셀(71, 72, 73)과 함께 1군의 서브픽셀(70)을 형성할 수 있다. 다만, 자기저항소자를 포함하는 디스플레이 장치에서 자기저항소자의 배치 방법은 이에 한정하지 않으며, 도 6의 디지타이저 센싱 패널을 디스플레이 패널과 중첩하여 형성할 수도 있고, 다양한 위치에 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 자기저항소자는 자기저항을 유발하는 유기물질을 포함하는 자기저항층을 적어도 두 개 포함할 수 있다. 이에 따라 자기저항소자는 유기 자기저항 물질의 반복적인 구조를 적용함에 따라 높은 저항변화율을 확보할 수 있다. 높은 저항변화율을 갖는 자기저항소자를 적용한 디지타이저 센싱 패널은, 자기 펜의 입력을 고감도 및 고해상도로 인식할 수 있다.
전술된 자기저항소자를 형성하기 위한 각 마스크 공정 시 적층막의 제거는 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 도면들에는 하나의 자기저항소자만 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명에 따른 마스크 공정을 늘리지 않는 한, 복수 개의 자기저항소자를 동시 형성할 수 있음은 물론이다.
본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판
20: 제1 전극
30: 제1 정공전달층
31: 제1 자기저항층
32: 제1 전달층
33: 제2 자기저항층
34: 제1 전자전달층
40: 제2 전극
20: 제1 전극
30: 제1 정공전달층
31: 제1 자기저항층
32: 제1 전달층
33: 제2 자기저항층
34: 제1 전자전달층
40: 제2 전극
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성된 제1 정공전달층;
상기 제1 정공전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층;
상기 제1 자기저항층 상에 형성된 제1 전달층;
상기 제1 전달층 상에 형성되고, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층;
상기 제2 자기저항층 상에 형성된 제1 전자전달층; 및
상기 제1 전자전달층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 자기저항소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1전달층은 제2 정공전달층 또는 제2 전자전달층인 자기저항소자 - 제1 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층과 상기 제2 자기저항층은 서로 다른 성분으로 구성되는 자기저항소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 자기저항소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 상기 유기물질이 금속을 둘러싸는 금속착화합물을 포함하는 자기저항소자. - 제5 항에 있어서,
상기 금속은 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나인 자기저항소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 자기저항층 상에 차례로 형성된 제2 전달층 및 제3 자기저항층을 더 포함하고, 상기 제2 전달층은 제3 정공전달층 또는 제3 전자전달층인 자기저항소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층 각각은 서로 다른 성분을 포함하는 다중층 구조로 형성되는 자기저항소자. - 기판; 및
상기 기판 상에 형성되며, 제1 전극, 제1 정공전달층, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 제1 전달층, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 제1 전자전달층; 및 제2 전극을 순차적으로 포함하는 자기저항소자;
를 포함하며,
상기 자기저항소자를 이용하여, 자계를 형성하는 자기 펜에 의한 입력 신호를 인식하는 디지타이저 센싱 패널. - 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 화소 전극, 중간층 및 대향 전극을 순차적으로 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 기판 상에 형성되며, 제1 전극, 제1 정공전달층, 유기물질을 포함하는 제1 자기저항층, 제1 전달층, 유기물질을 포함하는 제2 자기저항층, 제1 전자전달층; 및 제2 전극을 순차적으로 포함하는 자기저항소자;
를 포함하며,
상기 자기저항소자를 이용하여, 자계를 형성하는 자기 펜에 의한 입력 신호를 인식하는 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 자기저항소자는 RGB픽셀과 함께 1군의 서브픽셀을 형성하는 디스플레이 장치. - 기판 상에 제1 전극을 형성하는 제1공정단계;
상기 제1 전극 상에 제1 정공전달층, 제1 자기저항층, 제1전달층, 제2 자기저항층 및 제1 전자전달층을 형성하는 제2 공정 단계 및
상기 제1 전자전달층 상에 제2 전극을 형성하는 제3 공정단계를 포함하고,
상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 유기물질을 포함하는 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 전달층은 제2 정공전달층 또는 제2 전자전달층인 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층과 상기 제2 자기저항층은 서로 다른 성분으로 구성되는 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제2 공정단계는 상기 제1 전극 상에 상기 제1 정공전달층, 상기 제1 자기저항층, 상기 제1 전달층, 상기 제2 자기저항층 및 상기 제1 전자전달층을 차례로 형성하는 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 트리스 (8-하이드록시퀴놀라인)알루미늄(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum; Alq3), poly(9,9-dioctylfluorene)(PFO), 폴리(페닐렌에틸렌) (poly(phenylene ethynylene); PPE), 펜타센(Pentacene), 리지오-랜덤 폴리(3-옥틸티오펜-2,5-다이일)(regio-random Poly_3-octylthiophene-2,5-diyl; RRa-P3HT) 및 리지오-레귤러 폴리(3-핵실티오펜-2,5-다이일)(regio-regular Poly_3-hexylthiophene-2,5-diyl; RR-P3HT) 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제2 공정단계는 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층은 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나의 금속을 상기 유기물질이 둘러싸는 금속착화합물을 포함하는 자기저항소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제2 공정단계는 상기 제2 자기저항층 상에 제2 전달층 및 제3 자기저항층을 더 형성하고, 상기 제3 자기저항층 상에 상기 제1 전자전달층을 형성하고,
상기 제2 전달층은 제3 정공전달층 또는 제3 전자전달층인 자기저항소자 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제2 공정단계는 상기 제1 자기저항층 및 상기 제2 자기저항층 각각을 서로 다른 성분을 포함하는 다중층 구조로 형성하는 자기저항소자 제조 방법.
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Cited By (1)
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