JP6332769B2 - 有機発光デバイスと有機表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機発光デバイスと有機表示装置に関し、特に、各発光部にアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む電荷輸送層を備えるデバイスにおけるバンク構造に関する。
近年、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）パネルや有機ＥＬ照明等の有機発光デバイスの開発が盛んに行われている。
有機ＥＬパネルでは、基板の主面に沿って複数のサブピクセルが二次元配置された構成を有する。各サブピクセルにおいては、基板の上方に、アノード、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、カソードの順に積層された構成を有する。
また、有機ＥＬパネルでは、有機発光層などの有機層を形成するために、隣接するサブピクセル間を区画するバンクが設けられている。バンクは、絶縁材料から構成され、その表面部分に撥液性が付与されている。
ここで、電子輸送層として、例えば、バリウムをドープしてなる有機材料からなる層を採用することが研究・開発されている。このような電子輸送層を採用すれば、高い電子注入特性を得ることができる。
また、上記のような電子輸送層が不純物（水分や酸素）の影響で劣化し易いという問題に鑑み、有機発光層と電子輸送層との間に無機材料からなるバリア層を介挿させるという技術も開発されている（特許文献１）。特許文献１で紹介されている無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯX）などが挙げられている。
特許第４８８２５０８号公報
しかしながら、上記特許文献１で紹介されている無機材料からなるバリア層を有機発光層と電子輸送層との間に介挿させると、発光効率の低下という問題を生じるものと考えられる。これは、上記特許文献１で紹介されている無機材料は、電子注入性が低く、バリア層が障壁となるために有機発光層への電子の注入が阻害されるためであると考えら得る。
このような電子注入性の低下を抑制すべく、電子輸送層としてアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層を採用するとともに、有機発光層と電子輸送層との間にアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む中間層を介挿させるという構成の開発が進められている。
このような中間層は、不純物のブロック機能を有しながら、高い電子注入性を得ることができるものと考えられる。
ところで、有機ＥＬパネルをはじめとする有機発光デバイスでは、更なる発光効率の向上が求められている。
本発明は、不純物による電荷輸送層の劣化を抑制しながら、高い電荷注入性を得ることで、更なる発光効率の向上を図ることができる有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなるデバイスである。そして、複数の発光部の各々は、基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、第１電極と、有機発光層と、中間層と、電荷輸送層と、第２電極と、を有する。
（第１電極）基板の上方に配置されている。
（有機発光層）第１電極の上方に配置されている。なお、第１電極と有機発光層とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
（中間層）有機発光層の上方に配置されている。なお、有機発光層と中間層とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
（電荷輸送層）中間層上に配置されている。
（第２電極）電荷輸送層の上方に配置されている。なお、電荷輸送層と第２電極とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
中間層としては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層が採用されている。また、電荷輸送層としては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層が採用されている。
本態様に係る有機発光デバイスでは、複数の発光部の各々は、基板の主面に沿った方向の一の方向である第２方向において、第２方向に対して交差する第３方向に延伸形成された第１バンクにより規定され、第３方向において、第２方向に延伸形成された第２バンクにより規定されている。そして、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、第１バンクにおける発光部に面する面部の撥液性が、第２バンクにおける発光部に面する面部の撥液性に比べて高い。
上記態様に係る有機発光デバイスでは、不純物による電荷輸送層の劣化を抑制しながら、高い電荷注入性を得ることで、更なる発光効率の向上を図ることができる。
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。 表示パネル１０におけるサブピクセル１０ａ〜１０ｃの配置形態を示す模式平面図である。 図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。 （ａ）は、表示パネル１０におけるバンク１０４，１１５の配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＢ−Ｂ断面での一部構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｃ−Ｃ断面での一部構成を示す模式断面図である。 （ａ）は、比較例に係る表示パネル８０でのバンク８０４の構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＤ−Ｄ断面での一部構成を示す模式断面図である。 実施例に係るバンク構造での有機発光層およびホール輸送層の表面形状を示す模式図である。 実施例と比較例との発光効率を比較した図である。 （ａ）は、実施例に係るバンク１０４，１１５の配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、第２バンク１１５の幅と発光効率との関係を示す図である。 第１バンク１０４と第２バンク１１５との構成を示す模式断面図である。 本発明の実施の形態２に係る表示パネル３０におけるバンク３０４の構成を示す模式断面図である。 （ａ）は、変形例１に係る表示パネル４０での各サブピクセルの積層構造を示す模式ブロック図であり、（ｂ）は、変形例２に係る表示パネル５０での各サブピクセルの積層構造を示す模式ブロック図である。
［本発明の態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなるデバイスである。そして、複数の発光部の各々は、基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、第１電極と、有機発光層と、中間層と、電荷輸送層と、第２電極と、を有する。
（第１電極）基板の上方に配置されている。
（有機発光層）第１電極の上方に配置されている。なお、第１電極と有機発光層とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
（中間層）有機発光層の上方に配置されている。なお、有機発光層と中間層とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
（電荷輸送層）中間層上に配置されている。
（第２電極）電荷輸送層の上方に配置されている。なお、電荷輸送層と第２電極とは、互いに接していてもよいし、間に他の機能層が介挿されていてもよい。
中間層としては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層が採用されている。また、電荷輸送層としては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層が採用されている。
本態様に係る有機発光デバイスでは、複数の発光部の各々は、基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向において、第２方向に対して交差する第３方向に延伸形成された第１バンクにより規定され、第３方向において、第２方向に延伸形成された第２バンクにより規定されている。そして、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、第１バンクにおける発光部に面する面部の撥液性が、第２バンクにおける発光部に面する面部の撥液性に比べて高い。
本態様に係る有機発光デバイスでは、電荷輸送層としてアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層が採用されているので、高い発光効率を得ることができる。
また、有機発光層と電荷輸送層との間に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層である中間層が配置されているので、高い不純物ブロック性を有する。これより、有機発光層からの不純物が電荷輸送層に対して侵入しようとするのを効果的にブロックすることができる。よって、電荷輸送層の劣化を抑制し、高い電荷注入性を持続させることができる。
また、本態様に係る有機発光デバイスでは、第１バンクにおける発光部に面する面部の撥液性が、第２バンクにおける発光部に面する面部の撥液性に比べて高く設定されている。このような第１バンクの面部と第２バンクの面部との撥液性の違いにより、有機発光層をはじめとする有機層について、少なくとも第３方向における層表面の形状がより平坦化され、層厚の均一化が図られる。よって、本態様に係る有機発光デバイスでは、高い発光効率を実現することができる。
以上より、本態様に係る有機発光デバイスでは、不純物による電荷輸送層の劣化を抑制しながら、高い電荷注入性を得ることで、更なる発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１バンクにおける第１方向での高さが、第２バンクにおける第１方向での高さに比べて高い。これにより、有機発光層をはじめとする第１バンクおよび第２バンクで規定される領域内での層厚の均一化がより図られる。よって、本態様に係る発光デバイスでは、更に高い発光効率を実現することができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、基板と第１電極との間に絶縁層が介挿されており、第１バンクおよび第２バンクの各高さが、絶縁層の上面を基準に規定されている。このように、絶縁層の上面（基板とは反対側の主面）を基準とした高さについて、第１バンクが第２バンクよりも高いとすることで、層厚の均一化がより確実に図られる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１バンクと第２バンクとの交差部分においては、第２バンク上に第１バンクが積層されている。換言すると、第１バンクと第２バンクとは、一体に形成されたものではなく、互いに異なる部位として形成されている。ただし、面部の撥液性を除き、第１バンクと第２バンクとが互いに異なる材料から形成されていてもよいし、同じ材料を用い形成されていてもよい。面部の撥液性に関し、上記のような関係を充足していればよい。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第２バンクにおける第１方向での高さが、第１バンクにおける第１方向での高さに比べて４０％〜７０％の範囲内にある。本発明者等の確認によれば、第１方向における第１バンクと第２バンクとの高さ比率を上記のように規定すれば、有機層の層厚の均一化という観点から望ましい。よって、本態様に係る有機発光デバイスでは、さらに発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１方向から発光部および第２バンクを平面視する場合に、発光部における第３方向の長さをＬPとするとき、第２バンクの第３方向の幅Ｗ2Bが、０．２０ＬP〜０．３０ＬPの範囲内にある。このように、第２バンクの幅Ｗ2Bを０．２０ＬP〜０．３０ＬPの範囲内とすることにより、発光部の面積および有機層（有機発光層を含む。）の層厚の均一化を高い精度で図ることができる。よって、本態様に係る有機発光デバイスでは、さらに発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１方向から発光部および第２バンクを平面視する場合に、発光部における第３方向の長さをＬPとするとき、第２バンクの第３方向の幅Ｗ2Bが、０．２０ＬP〜０．２５ＬPの範囲内にある。このように、第２バンクの第３方向の幅Ｗ2Bが、０．２０ＬP〜０．２５ＬPの範囲内とすることにより、更なる発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１バンクと第２バンクとが一体形成されている。このように、本態様では、所謂、ピクセルバンク構造を採用した場合にあっても、上記のような面部同士の撥液性の規定により、発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１バンクにおける第１方向での高さと、第２バンクにおける前記第１方向での高さとが等しい。第１バンクと第２バンクの各高さについては、互いに異なっていてもよいし、本態様のように同一であってもよい。なお、「同一」とは必ずしも完全同一を意味するものではなく、製造時におけるバラツキなどの差異を許容するものである。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１バンクにおける面部の撥液性、および第２バンクにおける面部の撥液性が、有機発光層の形成に際して用いられるインクに対する撥液性である。特に、第１バンクおよび第２バンクの各面部における撥液性を、有機発光層尾の形成に際して用いられるインクに対する撥液性により規定することで、確実な発光効率の向上を図ることができる。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、中間層がナトリウムのフッ化物を含む層であり、電荷輸送層がバリウムがドープされてなる有機材料を含む層である。このような具体的材料を採用することにより、電荷輸送層の劣化を抑制しながら、発光効率の向上を図ることができる。
本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、表示パネルに接続された制御駆動回路と、を備える。そして、表示パネルとして、上記の何れかの態様のデバイス構造が採用されている。本態様に係る有機表示装置では、表示パネルとして、上記の何れかの態様のデバイス構造を採用しているので、上記同様の効果を得ることができる。
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の概略構成
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルであり、複数のピクセル（画素）を有する。
図２に示すように、各ピクセルは、赤色（Ｒ）の発光部であるサブピクセル１０ａと、緑色（Ｇ）の発光部であるサブピクセル１０ｂと、青色（Ｂ）の発光部であるサブピクセル１０ｃとから構成されている。本実施の形態では、複数のサブピクセル１０ａ〜１０ｃは、Ｘ−Ｙ軸方向にマトリクス状に配置（二次元配置）されている。
図１に戻って、駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１の形態には限定されない。
また、表示パネル１０におけるピクセルの構成については、図２に示すようなＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブピクセル（発光部）からなる形態に限定されず、４色以上の発光部から１ピクセルが構成されることとしてもよい。
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図３を用い説明する。本実施の形態に係る表示パネル１０は、一例としてトップエミッション型の有機ＥＬパネルを採用する。
図３に示すように、表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１００をベースとして、その上面に絶縁層１０１が積層されている。絶縁層１０１は、そのＺ軸方向上面が略平坦となるように形成されている。なお、図３などでは、ＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層の図示を省略し、簡略化した図としている。
絶縁層１０１のＺ軸方向上面には、アノード１０２およびホール注入層１０３が順に積層形成されている。アノード１０２およびホール注入層１０３については、サブピクセル１０ａ〜１０ｃごとに設けられている。ただし、ホール注入層１０３については、サブピクセル１０ａ〜１０ｃ間で連続した状態で形成することも可能である。
次に、絶縁層１０１上およびホール注入層１０３のＸ軸方向両端上を覆うように、第１バンク１０４が形成されている。第１バンク１０４は、Ｘ軸方向において、隣接するサブピクセル１０ａ〜１０ｃ間に挿設され、Ｘ軸方向における発光領域に相当する開口を規定する。
隣接するバンク１０４間に規定された開口内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０５、有機発光層１０６が積層形成されている。
電子輸送層１０８上およびバンク１０４の頂面上には、これらを覆うように、中間層１０７、電子輸送層１０８、カソード１０９および封止層１１０が順に積層形成されている。
封止層１１０のＺ軸方向上側には、樹脂層１１４が積層されている。そして、樹脂層１１４の上には、基板１１１のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１１２およびブラックマトリクス層１１３が形成されてなるＣＦパネルが貼り合わせられている。樹脂層１１４は、封止層１１０およびカラーフィルタ層１１２およびブラックマトリクス層１１３に対して密に接している。
ここで、図３に示すように、有機発光層１０６の層厚は、発光色によって異なる場合がある。本実施の形態では、一例として、サブピクセル１０ａにおける有機発光層１０６の層厚をＴ106aとし、サブピクセル１０ｂにおける有機発光層１０６の層厚をＴ106bとし、サブピクセル１０ｃにおける有機発光層１０６の層厚をＴ106cとしている。ただし、これに限定を受けるものではない。
３．バンク１０４，１１５の配置形態
次に、表示パネル１０におけるバンク１０４，１１５の配置形態について、図４を用い説明する。
図４（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各々がＹ軸方向に延伸形成され、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第１バンク１０４と、各々がＸ軸方向に延伸形成され、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第２バンク１１５とを備える。即ち、本実施の形態では、所謂、ラインバンク構造を採用している。
隣接する一対の第１バンク１０４と、隣接する一対の第２バンク１１５とで規定される各領域が、サブピクセル形成領域１１６ａ〜１１６ｃとなる。
図４（ｂ）に示すように、第１バンク１０４は、Ｘ軸方向に隣接するサブピクセル１０ａ〜１０ｃ間に介挿されており、絶縁層１０１の上面を基準とする高さがＨ104である。
一方、図４（ｃ）に示すように、第２バンク１１５は、Ｙ軸方向に隣接するアノード１０２およびホール注入層１０３間に介挿されている。絶縁層１０１の上面を基準とする第２バンク１１５の高さはＨ115である。ここで、第２バンク１１５の高さＨ115は、第１バンク１０４の高さＨ104に比べて、４０％〜７０％の範囲内、より詳細には５０％〜５５％の範囲内にある。
また、第２バンク１１５における表面部１１５ａの撥液性は、第１バンク１０４における側面部１０４ａの撥液性に比べて低くなっている。ここで、第１バンク１０４の側面部１０４ａにおける撥液性、および第２バンク１１５における表面部１１５ａの撥液性は、ホール輸送層１０５および有機発光層１０６を形成する際に用いられるインクに対する撥液性を以って規定される。
４．表示パネル１０の各構成材料
（１）ＴＦＴ基板１００
ＴＦＴ基板１００は、基板と、当該基板のＺ軸方向上面に形成されたＴＦＴ層とから構成されている。ＴＦＴ層については、図示を省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
ＴＦＴ基板１００のベースとなる基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）絶縁層１０１
絶縁層１０１は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
また、絶縁層１０１は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
（３）アノード１０２
アノード１０２は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
なお、アノード１０２については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（４）ホール注入層１０３
ホール注入層１０３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
なお、ホール注入層１０３の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
ここで、ホール注入層１０３を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
（５）第１バンク１０４
第１バンク１０４は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０４の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０４は、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
さらに、第１バンク１０４の構造については、図３および図４（ｂ）に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（６）第２バンク１１５
第２バンク１１５は、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの無機絶縁材料や、有機絶縁材料などを用い形成することができる。
なお、有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
（７）ホール輸送層１０５
ホール輸送層１０５は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（８）有機発光層１０６
有機発光層１０６は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０６の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（９）中間層１０７
中間層１０７は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含み構成されている。本実施の形態では、例えば、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）を用い形成されている。
（１０）電子輸送層１０８
電子輸送層１０８は、カソード１１８から注入された電子を有機発光層１０６へ輸送する機能を有し、例えば、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属をドープしてなる有機材料から構成されている。本実施の形態では、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料に対して、Ｂａ（バリウム）がドープされてなる。
なお、電子輸送層１０８の構成におけるドープ金属としては、Ｂａ以外にも、Ｌｉ（リチウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｃｅ（セシウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物、リチウムキノリノール等の低仕事関数金属有機錯体等が挙げられる。
なお、ドープ金属の濃度については、例えば、５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲内とすることが望ましい。
（１１）カソード１０９
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
（１０）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
封止層１１０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１２）基板１１１
基板１１１は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。基板１１１についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。
（１３）カラーフィルタ層１１２
カラーフィルタ層１１２としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
（１４）ブラックマトリクス層１１３
ブラックマトリクス層１１３は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
（１５）樹脂層１１４
樹脂層１１４は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成されている。ただし、樹脂部１３０の構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
５．有機発光層１０６およびホール輸送層１０５の表面形状
有機発光層１０６およびホール輸送層１０５の各表面形状の測定結果について、図５および図６を用い説明する。
（実施例）
実施例は、図３などで示した上記実施の形態１に係る表示パネル１０である。なお、サブピクセル１０ａ〜１０ｃのうち、有機発光層１０６の層厚がＴ106aと最も厚いサブピクセル１０ａについて測定を実施した。
また、サブピクセル１０ａにおけるＸ軸方向のサイズは６５μｍであり、Ｙ軸方向のサイズは２５０μｍである。
また、図４（ｂ）、（ｃ）における高さＨ104，Ｈ115について、Ｈ115／Ｈ104＝５４％となるように設定した。
さらに、第１バンク１０４の側面部１０４ａにおける接触角（対アニソール）が４５°〜６０°であるのに対して、第２バンク１１５の表面部１１５ａにおける接触角（対アニソール）は５°以下に設定した。
（比較例）
図５（ａ）に示すように、比較例に係る表示パネル８０では、所謂、ピクセルバンク構造を採用し、バンク８０４がＹ軸方向に延伸する第１バンク要素８０４ａとＸ軸方向に延伸する第２バンク要素８０４ｂとが一体に形成されてなる。そして、バンク８０４の囲繞により規定された各凹部がサブピクセル形成領域８１６ａ〜８１６ｃである。
図５（ｂ）に示すように、比較例に係る表示パネル８０では、バンク８０４の頂面の高さは表示領域全域で同一であり、また、開口を臨む各側面部８０４ａａ，８０４ｂａの撥液性も同一である。
なお、図５（ｂ）では、絶縁層８０１、アノード８０２、ホール注入層８０３、バンク８０４だけを抜き出して図示しているが、バンク８０４を除く各構成部位については上記実施例と同様である。
また、サブピクセルの平面視におけるサイズも上記実施例と同様である。
（表面形状）
図６は、実施例および比較例の各々について、塗布・乾燥したホール注入層（ＨＴＬ）および有機発光層（ＥＭＬ）のＹ軸方向における表面形状を示す図である。図中における破線で示すのが比較例であり、実践で示すのが実施例である。
《ＨＴＬ》
図６に示すように、実施例に係るホール輸送層（ＨＴＬ）１０５では、Ｙ軸方向におけるサブピクセルの端から端まで略平坦な表面形状となっている。
一方、比較例に係るホール輸送層（ＨＴＬ）では、矢印Ｅ1，Ｅ2で指し示すように、Ｙ軸方向における両端部で平坦性が低下している。具体的には、バンク８０４の第２バンク要素８０４ｂの側面部に近づくに従って層表面がＺ軸方向上方に上がっている。
なお、本実施例における台１バンク１０４の側面部１０４ａの接触角が４５°〜６０°であるのに対して、第２バンク１１５の表面部１１５ａの接触角を５°以下とすることが、有機層における表面の平坦性を確保するという観点から望ましい。
《ＥＭＬ》
図６に示すように、実施例に係る有機発光層（ＥＭＬ）１０６でも、Ｙ軸方向におけるサブピクセルの端から端まで略平坦な表面形状となっている。
一方、比較例に係る有機発光層（ＥＭＬ）では、矢印Ｆ1，Ｆ2で指し示すように、Ｙ軸方向における両端部で平坦性が低下している。具体的には、バンク８０４の第２バンク要素８０４ｂの側面部に近づくに従って層表面がＺ軸方向上方に上がっている。なお、有機発光層の場合には、ホール輸送層の場合に比べて、サブピクセルの端部における表面の盛り上がりの度合いが大きい。
以上より、第２バンク１１５における表面部１１５ａの撥液性を、第１バンク１０４における側面部１０４ａの撥液性よりも低くし、第２バンク１１５の高さＨ115を、第１バンク１０４の高さＨ104よりも低くした実施例では、比較例に比べて、有機発光層１０６およびホール輸送層１０５の表面形状を平坦にすることができた。よって、実施例に係る表示パネル１０では、表示領域における有機発光層１０６およびホール輸送層１０５の各層厚を均一化することができるものと考えられる。
なお、上記では、有機発光層１０６とホール輸送層１０５の層表面形状を測定したが、第１バンク１０４および第２バンク１１５で規定された領域に形成される有機層であれば同様の結果となるものと推測される。
６．発光効率
次に、上記実施例および比較例の各表示パネル１０，８０での発光効率の測定結果について、図７を用い説明する。図７では、比較例に係る表示パネル８０における発光効率を１００とし、それとの対比において実施例に係る表示パネル１０における発光効率を示している。
図７に示すように、実施例に係る表示パネル１０では、比較例に係る表示パネル８０に比べて、発光効率が２９％向上している。これは、上述のように、第１バンク１０４の側面部１０４ａと第２バンク１１５の表面部１１５ａとの関係、および第１バンク１０４の高さＨ104と第２バンク１１５の高さＨ115との関係に起因するものと考えられる。
７．第２バンク１１５の幅
第２バンク１１５の幅と発光効率との関係について、図８を用い説明する。
図８（ａ）に示すように、第２バンク１１５の幅Ｗ2Bについて、次の２水準で作成した表示パネルを作製し、各発光効率を測定した。測定結果については、上記比較例に対する比率で図８（ｂ）に示す。
（実施例１）
第２バンク１１５の幅Ｗ2B＝７０μｍとし、他の構成は上記表示パネル１と同様である。なお、サブピクセル１０ａ〜１０ｃのサイズについては、上記同様に６５μｍ×２５０μｍである。よって、サブピクセル１０ａ〜１０ｃの長手方向サイズに対する第２バンク１１５の幅Ｗ2Bの比率は、約２８％である。
（実施例２）
第２バンク１１５の幅Ｗ2B＝５５μｍとし、他の構成は上記表示パネル１と同様である。なお、サブピクセル１０ａ〜１０ｃのサイズについては、上記同様に６５μｍ×２５０μｍであり、サブピクセル１０ａ〜１０ｃの長手方向サイズに対する第２バンク１１５の幅Ｗ2Bの比率は、約２２％である。
（比較例）
比較例については、上記同様に、所謂、ピクセルバンク構造を採用し、他の構成については、実施例１，２と同様である。なお、比較例におけるバンク側面部の撥液性については、上記同様に、全ての領域で同一としている。
（発光効率）
図８（ｂ）に示すように、実施例１に係る表示パネルでは、比較例に係る表示パネルに比べて、２９％高い発光効率を実現することができた。
また、第２バンク１１５の幅Ｗ2Bをより狭くした実施例２に係る表示パネルでは、比較例に係る表示パネルに比べて、３３％高い発光効率を実現することができた。
以上より、第２バンク１１５の幅Ｗ2Bについては、サブピクセル１０ａ〜１０ｃの長手方向サイズに対する比率において、２０％〜３０％の範囲内、より望ましくは、２０％〜２５％の範囲内とすることが高い発光効率を実現するという観点から望ましい。
なお、第２バンク１１５については、アノード１０２およびホール注入層１０３のエッジ部分を被覆するという役割を担うものであるので、製造時におけるマージンを考慮したとき、余り幅Ｗ2Bを狭くすることは望ましくない。
８．第２バンク１１５の高さ
第２バンク１１５の高さについて、図９を用い説明する。
図９に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、絶縁層１０１上にＸ軸方向に延伸する第２バンク１１５が形成され、その上の一部を被覆するようにＹ軸方向に延伸する第１バンク１０４が形成されている。絶縁層１０１のＺ軸方向上面を基準とするとき、第１バンク１０４の頂面までの高さをＨ1Bとし、第２バンク１１５の頂面（Ｚ軸方向上面）までの高さをＨ2Bとするとき、本実施の形態では、Ｈ2B／Ｈ1B≒５４％の関係を充足する。
しかしながら、高さＨ1Bと高さＨ2Bとの比率は、これに限定されない。例えば、Ｈ1B＝Ｈ2Bの関係となってもよい。換言すると、第２バンク１１５の高さＨ2Bが、第１バンク１０４と第２バンク１１５の交差部分を除き、第１バンク１０４の高さＨ1Bに対して、略１００％としてもよい。
ただし、本実施の形態に係る表示パネル１０のように、所謂、ラインバンク構造を採用する場合には、有機層における表面の平坦化を考慮すると、高さ比Ｈ2B／Ｈ1Bを４０％〜７０％の範囲内とすることが望ましい。
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１０を用い説明する。なお、図１０では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１との構成上の差異部分である表示パネル３０におけるバンク３０４を主に図示する。その他の構成については、上記実施の形態１と同様である。
図１０に示すように、本実施の形態に係る表示パネル３０においても、絶縁層３０１のＺ軸方向上面にアノード３０２、ホール注入層３０３が順に積層形成されている。アノード３０２およびホール注入層３０３が、サブピクセル毎に分けて形成されている。
絶縁層３０１のＺ軸方向上面の一部（露出部分）とホール注入層３０３のＺ軸方向上面における端縁部分を被覆するように、バンク３０４が積層形成されている。バンク３０４は、Ｙ軸方向に延伸する第１バンク要素３０４ａと、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク要素３０４ｂとが一体形成され構成されている。
バンク３０４における第１バンク要素３０４ａと第２バンク要素３０４ｂとは、同じバンク材料を用い形成されており、Ｚ軸方向上面が面一に形成されている。
ただし、第２バンク要素３０４ｂの側面部３０４ｂａの撥液性は、第１バンク要素３０４ａの側面部３０４ａａの撥液性に対して低く設定されている。具体的には、第１バンク要素３０４ａの側面部３０４ａａの接触角が４５°〜６０°であるのに対して、第２バンク要素３０４ｂの側面部３０４ｂａの接触角は５°以下としている。
なお、本実施の形態においても、第２バンク要素３０４ｂの側面部３０４ｂａおよび第１バンク要素３０４ａの側面部３０４ａａの両撥液性は、当該バンク３０４で囲繞された開口内に塗布形成される各有機層（特に、有機発光層）に対する撥液性である。
また、第２バンク要素３０４ｂの側面部３０４ｂａおよび第１バンク要素３０４ａの側面部３０４ａａは、表面が親液性であるホール注入層３０３の露出表面３０３ａに対して、ともに上記インクに対して高い撥液性を有する。
本実施の形態に係る表示パネル３０においては、所謂、ピクセルバンク構造を採用するものの、第１バンク要素３０４ａの側面部３０４ａａの撥液性と、第２バンク要素３０４ｂの側面部３０４ｂａの撥液性との関係を上記のように規定することにより、上記実施の形態１と同様に、有機発光層をはじめとする有機層の表面における高い平坦性を確保することができる。これより、高い発光効率を実現することができる。
さらに、有機発光層と電子輸送層との間に中間層を介挿する構成については、上記実施の形態１と同様であるので、電子輸送層に対する不純物の侵入を効果的にブロックすることができる。これより、本実施の形態に係る表示パネル３０においても、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同様に、高い保管安定性を実現することができ、電子輸送層の劣化を抑制し、高い電子注入性を持続させることができる。
［変形例１］
変形例１に係る表示パネル４０の構成について、図１１（ａ）を用い説明する。なお、図１１（ａ）では、表示パネル４０における発光部の積層構造だけを模式的に表している。
図１１（ａ）に示すように、本変形例１では、アノード４０２とカソード４０９との間に有機発光層４０６を配置している。そして、アノード４０２と有機発光層４０６との間には、アノード４０２の側から順に積層されたホール注入層４０３およびホール輸送層４０５が介挿されている。
また、有機発光層４０６とカソード４０９との間には、有機発光層４０６の側から順に積層された中間層４０７および電子輸送層４０８が介挿されている。
ここで、上記実施の形態１においては、中間層１０７について一例としてＮａＦからなる層を採用したが、本変形例では、Ｎａを除くアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物からなる層としている。具体的には、Ｌｉなどのフッ化物からなる層を中間層４０７として採用している。
本変形例に係る表示パネル４０においても、有機発光層尾４０６と電子輸送層４０８との間に中間層４０７を介挿させ、中間層４０７を仕事関数が低く、電子注入性が高いＬｉのフッ化物からなる層を以って形成しているので、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同様に、高い保管安定性を実現することができ、電子輸送層の劣化を抑制し、高い電子注入性を持続させることができる。
［変形例２］
変形例２に係る表示パネル５０の構成について、図１１（ｂ）を用い説明する。なお、図１１（ｂ）では、表示パネル５０における発光部の積層構造だけを模式的に表している。
図１１（ｂ）に示すように、本変形例２では、アノード５０２とカソード５０９との間に有機発光層５０６を配置し、アノード５０２と有機発光層５０６との間には、アノード５０２の側から順に積層されたホール注入層５０３およびホール輸送層５０５が介挿されている。ここまでの構成は、上記実施の形態１および変形例１と同様である。
本変形例２では、有機発光層５０６とカソード５０９との間には、有機発光層５０６の側から順に積層された中間層５０７および第２中間層５１７および電子輸送層５０８の３層が介挿されている。
中間層５０７については、上記実施の形態１および変形例１と同様に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属（例えば、ナトリウム）のフッ化物からなる層である。
一方、第２中間層５１７については、中間層５０７に含まれるアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物に対して、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属とフッ素との結合を分解する機能を有する金属を含む層である。具体的には、第２中間層５１７は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属からなる。より具体的には、例えば、バリウム（Ｂａ）からなる層である。
以上のような構成を有する変形例２に係る表示パネル５０では、上記実施の形態１，２および変形例１の各表示パネル１０，３０，４０が奏する効果に加えて、次のような効果も奏することができる。
中間層５０７におけるアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物（例えば、ＮａＦ）は電気絶縁性が高い。このため、電子輸送層５０８から有機発光層５０６への電子注入性が阻害されることが考えられる。このため、これに対して、本変形例２のように、中間層５０７と電子輸送層５０８との間に、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属からなる第２中間層５１７を介挿させることにより、中間層５０７中におけるアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属とフッ素との結合を分解することができる。これより、中間層５０７におけるアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属（例えば、Ｎａ）が遊離し、電子輸送層５０８から有機発光層５０６への電子注入性を高く維持することができる。
なお、本変形例では、第２中間層５１７の層厚を、中間層５０７の層厚に対して３％〜２５％の範囲内とすることが望ましい。また、中間層５０７の層厚については１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とし、第２中間層５１７の層厚については０．１ｎｍ〜１ｎｍ程度とすることが望ましい。
また、電子輸送層５０８におけるドープ金属と、第２中間層５１７を構成する金属とを同種の金属とすることが望ましい。これは、製造の容易性を考慮してのものである。特に、金属としてバリウムを用いることが望ましい。これは、バリウムという汎用性の高い金属を用いることでコストの低減を図ることができるためである。
［その他の事項］
上記実施の形態１，２および変形例１，２では、有機発光デバイスの一例として、有機ＥＬパネルである表示パネル１０，３０，４０，５０を採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明等に本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態１，２および変形例１，２では、アクティブマトリクス型の表示パネル１０，３０，４０，５０を採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、パッシブマトリクス型の表示パネルに適用することも可能である。
また、図２などに示すように、上記実施の形態１などでは、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできる。また、全体としてハニカム形状とすることもできる。この場合には、第１バンクが平面視においてクランク状に蛇行した形態とすることができる。また、１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つ以上とすることもできる。この場合には、１ピクセルを構成する複数のサブピクセルが相互に異なる色の光を出射するものであってもよいし、一部が同色の光を出射するものであってもよい。
また、図２などのＸ軸方向において、隣接するピクセル同士の間に、カソードに対して接続される配線層（バスバー配線）を設けることとしてもよい。
また、上記実施の形態１，２および変形例１，２では、有機発光層１０６，４０６，５０６と電子輸送層１０８，４０８，５０８との間に中間層１０７，４０７，５０７あるいは第２中間層５１７を介挿させる構成としたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機発光層と電子輸送層との間にバリア性を有する中間層を介挿させることとしてもよい。この場合においても、有機発光層から電子輸送層に対する不純物の侵入を抑え、ホール注入性の低下を抑制することができるものと考えられる。
また、中間層１０７，４０７，５０７の構成材料はＮａＦに限定されるものではなく、第２中間層５１７の構成材料もＢａに限定されるものではない。中間層に関しては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物から構成されていればよく、不純物が混在していてもよい。
同様に、第２中間層に関しては、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属から構成されていればよく、隣接する電荷輸送層（実施の形態１，２および変形例１，２では、電子輸送層１０８，４０８，５０８）におけるドープ金属と同種であればより望ましい。
また、上記実施の形態１，２などでは、所謂、トップエミッション型構造を採用したが、ボトムエミッション型構造を採用することもできる。また、Ｚ軸方向におけるアノード１０２，３０２，４０２，５０２とカソード１０９，４０９，５０９との配置関係については、逆転した構造とすることもできる。その場合においても、トップエミッション型構造およびボトムエミッション型構造を適宜選択的に採用することができる。
本発明は、高い発光効率を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を実現するのに有用である。
１．有機ＥＬ表示装置
１０，３０，４０，５０．表示パネル
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ．サブピクセル
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．ＴＦＴ基板
１０１，３０１．絶縁層
１０２，３０２，４０２，５０２．アノード
１０３，３０３，４０３，５０３．ホール注入層
１０４．第１バンク
１０５，４０５，５０５．ホール輸送層
１０６，４０６，５０６．有機発光層
１０７，４０７，５０７．中間層
１０８，４０８，５０８．電子輸送層
１０９，４０９，５０９．カソード
１１０．封止層
１１１．基板
１１２．カラーフィルタ層
１１３．ブラックマトリクス層
１１４．樹脂層
１１５．第２バンク
１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ．サブピクセル形成領域
３０４．バンク
３０４ａ．第１バンク要素
３０４ｂ．第２バンク要素
５１７．第２中間層

Claims (15)

  1. 複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
    前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、
    前記基板の上方に配置された第１電極と、
    前記第１電極の上方に配置された有機発光層と、
    前記有機発光層の上方に配置された中間層と、
    前記中間層上に配置された電荷輸送層と、
    前記電荷輸送層の上方に配置された第２電極と、
    を有し構成されており、
    前記中間層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む第１中間層と、前記第１中間層上に配置された第１中間層に含まれるアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属とフッ素との結合を分解する機能を有する金属を含む第２中間層とを含み、
    前記電荷輸送層は、バリウムがドープされてなる有機材料を含む層であり、
    前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向において、前記第２方向に対して交差する第３方向に延伸形成された第１バンクにより規定され、前記第３方向において、前記第２方向に延伸形成された第２バンクにより規定されており、
    前記第１バンクおよび前記第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、前記第１バンクにおける前記発光部に面する面部の撥液性が、前記第２バンクにおける前記発光部に面する面部の撥液性に比べて高く、
    前記中間層は、ナトリウムのフッ化物を含む層である、
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  2. 前記第１バンクにおける前記第１方向での高さは、前記第２バンクにおける前記第１方向での高さに比べて高い
    請求項１記載の有機発光デバイス。
  3. 前記基板と前記第１電極との間には、絶縁層が介挿されており、
    前記第１バンクおよび前記第２バンクの各高さは、前記絶縁層の上面を基準に規定されている
    請求項２記載の有機発光デバイス。
  4. 前記第１バンクと前記第２バンクとの交差部分においては、前記第２バンク上に前記第１バンクが積層されている
    請求項２または請求項３記載の有機発光デバイス。
  5. 前記第２バンクにおける前記第１方向での高さは、前記第１バンクにおける前記第１方向での高さに比べて４０％〜７０％の範囲内にある
    請求項２から請求項４の何れか記載の有機発光デバイス。
  6. 前記第１方向から前記発光部および前記第２バンクを平面視する場合に、
    前記発光部における前記第３方向の長さをＬPとするとき、
    前記第２バンクの前記第３方向の幅Ｗ2Bは、０．２０ＬP〜０．３０ＬPの範囲内にある
    請求項２から請求項５の何れか記載の有機発光デバイス。
  7. 前記第１方向から前記発光部および前記第２バンクを平面視する場合に、
    前記発光部における前記第３方向の長さをＬPとするとき、
    前記第２バンクの前記第３方向の幅Ｗ2Bは、０．２０ＬP〜０．２５ＬPの範囲内にある
    請求項２から請求項５の何れか記載の有機発光デバイス。
  8. 前記第１バンクと前記第２バンクとは、一体形成されている
    請求項１記載の有機発光デバイス。
  9. 前記第１バンクにおける前記第１方向での高さと、前記第２バンクにおける前記第１方向での高さとは等しい
    請求項８記載の有機発光デバイス。
  10. 前記第１バンクにおける前記面部の撥液性、および前記第２バンクにおける前記面部の撥液性は、前記有機発光層の形成に際して用いられるインクに対する撥液性である
    請求項１から請求項９の何れか記載の有機発光デバイス。
  11. 表示パネルと、
    前記表示パネルに接続された制御駆動回路と、
    を備え、
    前記表示パネルとして、請求項１から請求項１０の何れかのデバイス構造が採用されている
    ことを特徴とする有機表示装置。
  12. 複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
    前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、
    前記基板の上方に配置された第１電極と、
    前記第１電極の上方に配置された有機発光層と、
    前記有機発光層の上方に配置された中間層と、
    前記中間層上に配置された電荷輸送層と、
    前記電荷輸送層の上方に配置された第２電極と、
    を有し構成されており、
    前記中間層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のフッ化物を含む第１中間層と、前記第１中間層上に配置されたバリウム（Ｂａ）からなる第２中間層とを含み、
    前記電荷輸送層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層であり、
    前記複数の発光部の各々は、前記基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向において、前記第２方向に対して交差する第３方向に延伸形成された第１バンクにより規定され、前記第３方向において、前記第２方向に延伸形成された第２バンクにより規定されており、
    前記第１バンクおよび前記第２バンクは、それぞれ絶縁性材料からなるとともに、前記第１バンクにおける前記発光部に面する面部の撥液性が、前記第２バンクにおける前記発光部に面する面部の撥液性に比べて高い
    有機発光デバイス。
  13. 前記第２中間層の層厚は、前記第１中間層の層厚に対して３％以上２５％以下である
    請求項１から請求項１２の何れかに記載の有機発光デバイス。
  14. 前記第１中間層の層厚は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記第２中間層の層厚は０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下である
    請求項１から請求項１２の何れかに記載の有機発光デバイス。
  15. 前記電荷輸送層におけるドープ金属と、前記第２中間層を構成する金属とは同種の金属である
    請求項１から請求項１２の何れかに記載の有機発光デバイス。
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