JP6111442B2 - 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 - Google Patents
有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6111442B2 JP6111442B2 JP2013557984A JP2013557984A JP6111442B2 JP 6111442 B2 JP6111442 B2 JP 6111442B2 JP 2013557984 A JP2013557984 A JP 2013557984A JP 2013557984 A JP2013557984 A JP 2013557984A JP 6111442 B2 JP6111442 B2 JP 6111442B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- functional layer
- layer
- light emitting
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 174
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 88
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 88
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 10
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
以下、本発明の態様を具体的に説明するに先立ち、本発明の態様を得るに至った経緯について説明する。
結果と考察を述べる。なお、各図面における部材縮尺は、実際のものとは異なる。
本発明の一態様である有機EL素子は、本発明の一態様に係る有機EL素子は、基板をベースとしてその上に画素領域と補助領域とが隣接して設けられた有機EL素子であって、前記基板上の画素領域相当部位に設けられた画素電極と、前記基板上の補助領域相当部位に設けられた補助配線と、前記画素電極上と前記補助配線上とに設けられた第1機能層と、前記第1機能層上の画素領域相当部位に設けられ、有機発光材料を含む発光層と、前記発光層上および前記第1機能層上の補助領域相当部位に設けられた第2機能層と、前記第2機能層上の画素領域相当部位から補助領域相当部位までに連続して設けられた共通電極と、を備え、前記第1機能層は、遷移金属の酸化物を含み、前記第2機能層は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうち少なくとも1つのフッ化物を含み、前記共通電極は、前記第2機能層に含まれるフッ化物に対し還元性を有する金属を含む。
<実施の形態1>
1.全体構成
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る有機EL表示パネル1を備えた発光装置の概略構成を示す模式ブロック図である。なお、有機EL表示パネル1は、発光層からの光をガラス基板の反対側からから取り出すトップエミッション型である。具体的には、有機EL表示パネル1に設けられたAl(アルミニウム)からなる共通電極の厚みが極小さく、共通電極が光透過性を有する構成となっている。また、有機EL表示パネル1は、例えば、有機機能層をウェットプロセスにより塗布して製造する塗布型である。
2.各層の材料
ガラス基板100は、無アルカリガラスからなる。ガラス基板100の材料はこれに限らず、例えば、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかを用いることができる。
3.有機EL表示パネル1の製造方法
次に、有機EL表示パネル1の製造方法を例示する。
4.補助配線110と共通電極109との間の導電性について
以下、補助配線110および画素電極104上に設けられた各層の構成について述べた後、補助配線110と共通電極109との間の導電性の向上のメカニズムについて述べる。
4−1.補助配線110および画素電極104上に設けられた各層の構成
図6(a)は、図1に示した有機EL表示パネル1の模式断面図である。図6(b)は、図6(a)に示した断面図の補助配線110上の領域、すなわち点線で囲んだ領域βの拡大図である。
4−2.補助配線110と共通電極109との間の導電性
図7(a)は、図1に示した有機EL表示パネル1の補助配線110上に設けられた各層の構成を説明する図であり、左側は共通電極109を形成した直後、右側は共通電極109を形成してから一定時間経過後に対応する。図7(b)は、図1に示した有機EL表示パネル1の画素電極104上に設けられた各層の構成を説明する図である。
4−3.画素電極104と共通電極109との間の導電性
補助配線110上においては、共通電極109とホール注入層105との間の導電性はより向上することが求められるが、一方、画素電極104上のホール注入層105に求められる機能としては、共通電極109から注入される電子とバランスの取れたホールを画素電極104から注入するとともに、共通電極109から注入された電子の中で発光層からホール注入層105側へ流出する電子をブロックし、発光層内にとどめることが挙げられる。図7(b)に示すように、画素電極104上において、共通電極109とホール注入層105との間には、ホール輸送層106、発光層107、電子注入層108が設けられている。そのため、共通電極109を構成するアルミニウムの還元性は、ホール注入層105のWには及ばない。このことにより、発光特性に求められる適度なホールの注入性と電子ブロック性とを両立でき、発光層107の発光特性を向上できる。
5.効果
5−1.補助配線110と共通電極109との間の抵抗の測定
本実施の形態の効果について確認するため、補助配線110と共通電極109との間の抵抗の測定実験を行い、補助配線110と共通電極109との間の導電性を検討した。図8は、各補助配線上の構造による抵抗の測定結果を示し、図1に示した有機EL表示パネル1における効果を説明する図である。サンプルAは、補助配線上に第1機能層であるWOx、アルカリ土類金属をドープした有機電子注入層材料、およびITOからなる共通電極を積層した構造である。サンプルBは、補助配線上に第1機能層であるWOx、NaFを含む機能層、アルカリ土類金属をドープした有機電子注入層材料、およびITOからなる共通電極を積層した構造である。サンプルCは、補助配線上に第1機能層であるWOxからなる電極にアルミニウムからなる共通電極を積層した構造である。サンプルDは、補助配線上に第1機能層であるWOxからなる電極にNaFを含む機能層およびアルミニウムからなる共通電極を積層した構造であり、本実施の形態に該当する。
5−2.XPS測定
さらに、補助配線110上および画素電極104上における、ホール注入層105に含まれるWOxの価数について確認するため、X線光電子分光(XPS)測定実験を行った。
使用機器 :X線光電子分光装置 PHI5000 VersaProbe(アルバック・ファイ社製)
光源 :Al Kα線
光電子出射角 :基板法線方向に対し45度
測定点間隔:0.1eV
なお、ピークの解析は、光電子分光解析用ソフト「PHI Multipak」を用いて行った。
5−3.効果
このように、ホール注入層105の補助配線110上に設けられた部分の方が、ホール注入層105の画素電極104上に設けられた部分よりも、導電性が高いといえる。具体的には、ホール注入層105を構成するWOxは、上記の最大価数(+6)および最大価数よりも低い価数(+5、+4)等、様々な価数を取るWが集まって構成されているが、ホール注入層105全体で見ると、それらの様々な価数の平均の価数となっている。そして、ホール注入層105の補助領域121相当部位に含まれるWの価数の平均値は、ホール注入層105の画素領域120相当部位に含まれるWの価数の平均値よりも小さい。そのため、この構成の有機EL素子では、パネル面内の各発光層107に印加される電圧のばらつきを、さらに抑制できる。その結果、パネル面内での輝度ムラをさらに抑制できる。
[変形例]
本発明の一態様に係る有機EL素子は、上記実施の形態で示した構成に限定されない。以下、変形例について具体的に述べる。
1.有機EL素子の層構成
本発明の一態様に係る有機EL素子は、トップエミッション型に限らず、いわゆるボトムエミッション型の構成でもよい。
2.補助配線、電子注入層、および共通電極の材料
上記実施の形態等では、補助配線がWOx、電子注入層がNaF、共通電極がアルミニウムを含むように構成したが、これに限らない。以下、当該材料についての変形例を説明する。
2−1.補助配線
上記実施の形態等では、補助配線がWOxを含むよう構成したが、これに限らない。補助配線としては、WOxに限らず、遷移金属の酸化物をいずれかを含む構成であればよい。なお、遷移金属とは、Mo(モリブデン)、V(バナジウム)などをいう。
2−2.電子注入層
上記実施の形態等では、電子注入層がNaFを含むよう構成したが、これに限らない。電子注入層としては、NaFに限らず、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む構成であればよい。また、アルカリ金属のフッ化物およびアルカリ土類金属を複数の種類含む構成であってもよい。なお、アルカリ金属とは、Na、Li(リチウム)、Cs(セシウム)をいい、アルカリ土類金属とは、Ca(カルシウム)、Ba(バリウム)、Mg(マグネシウム)をいう。また、電子注入層としては、フッ化物に限らず、アルカリ金属単体またはアルカリ土類金属単体を含む構成であってもよい。
2−3.共通電極
上記実施の形態等では、共通電極がAlを含むよう構成したが、これに限らない。共通電極としては、Cu、Ag,Mgなどの還元性を有する金属のいずれかが考えられる。
3.有機EL素子の適用例
本発明の一態様に係る有機EL素子は、有機ELパネル、有機EL発光装置、および有機EL表示装置に適用することができる。有機ELパネル、有機EL発光装置、および有機EL表示装置に適用するに適用することで、これら装置の輝度むらを抑制し、発光特性に優れた装置を実現できる。
3 駆動回路
5 制御回路
100 基板
101 TFT層
102 層間絶縁層
103 平坦化層
104 画素電極
105 ホール注入層
106 ホール輸送層
107 発光層
108 電子注入層
109 共通電極
110 補助配線
111 隔壁層
112 TFT基板
Claims (11)
- 基板をベースとしてその上に画素領域と補助領域とが隣接して設けられた有機EL素子であって、
前記基板上の画素領域相当部位に設けられた画素電極と、
前記基板上の補助領域相当部位に設けられた補助配線と、
前記画素電極上と前記補助配線上とに設けられた第1機能層と、
前記第1機能層上の画素領域相当部位に設けられ、有機発光材料を含む発光層と、
前記発光層上および前記第1機能層上の補助領域相当部位に設けられた第2機能層と、
前記第2機能層上の画素領域相当部位から補助領域相当部位までに連続して設けられた共通電極と、
を備え、
前記第1機能層は、遷移金属の酸化物からなり、
前記第2機能層は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうち少なくとも1つのフッ化物を含み、
前記共通電極は、前記第2機能層に含まれるフッ化物に対し還元性を有する金属を含む、
有機EL素子。 - 前記第2機能層の補助領域相当部位の厚みの最大値が、前記第1機能層の補助領域相当部位の表面粗さの最大高さRmax以下である、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第1機能層の補助領域相当部位の少なくとも頂部が、前記共通電極と接している、
請求項2に記載の有機EL素子。 - 前記第1機能層の補助領域相当部位において最も低い結合エネルギーのピーク位置から3.6eV低いエネルギーまでのXPSスペクトルの形状が、前記第1機能層の画素領域相当部位において最も低い結合エネルギーのピーク位置から3.6eV低いエネルギーまでのXPSスペクトルの形状よりも隆起した形状となっている、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第1機能層の補助領域相当部位に含まれる遷移金属の価数の平均値は、前記第1機能層の画素領域相当部位に含まれる遷移金属の価数の平均値よりも小さい、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記遷移金属は、W、Mo、Vのいずれかである、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第2機能層は、前記フッ化物としてNaF、BaF2、CaF2、CsF、MgF2のいずれかを含む、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記還元性を有する金属は、Al、Cu、Ag、Mgのいずれかである、
請求項1に記載の有機EL素子。 - 請求項1に記載の有機EL素子を複数備える有機ELパネル。
- 請求項1に記載の有機EL素子および当該有機EL素子を駆動させる回路を備える有機EL発光装置。
- 請求項1に記載の有機EL素子および当該有機EL素子を駆動させる回路を備える有機EL表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013557984A JP6111442B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-09-07 | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012124271 | 2012-05-31 | ||
JP2012124271 | 2012-05-31 | ||
PCT/JP2012/005693 WO2013179361A1 (ja) | 2012-05-31 | 2012-09-07 | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 |
JP2013557984A JP6111442B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-09-07 | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013179361A1 JPWO2013179361A1 (ja) | 2016-01-14 |
JP6111442B2 true JP6111442B2 (ja) | 2017-04-12 |
Family
ID=49672617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557984A Active JP6111442B2 (ja) | 2012-05-31 | 2012-09-07 | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9171894B2 (ja) |
JP (1) | JP6111442B2 (ja) |
WO (1) | WO2013179361A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9786726B2 (en) * | 2014-02-21 | 2017-10-10 | Joled Inc. | Organic light-emitting device and organic display device |
JP6358946B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN104659063A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板 |
KR102458597B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102453921B1 (ko) * | 2015-09-03 | 2022-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2018025576A1 (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2018181898A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20190038704A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JPWO2023281345A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JP2000243567A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
US7221095B2 (en) | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
JP4519532B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び発光装置を用いた電子機器 |
US7245297B2 (en) * | 2004-05-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US7994711B2 (en) * | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2007073499A (ja) | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
TWI430234B (zh) * | 2006-04-05 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,顯示裝置,和電子裝置 |
WO2009110186A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及びディスプレイデバイス |
JP5138542B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2010070798A1 (ja) | 2008-12-18 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-09-07 US US14/131,439 patent/US9171894B2/en active Active
- 2012-09-07 JP JP2013557984A patent/JP6111442B2/ja active Active
- 2012-09-07 WO PCT/JP2012/005693 patent/WO2013179361A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140131692A1 (en) | 2014-05-15 |
WO2013179361A1 (ja) | 2013-12-05 |
US9171894B2 (en) | 2015-10-27 |
JPWO2013179361A1 (ja) | 2016-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6111442B2 (ja) | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 | |
WO2012114648A1 (ja) | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 | |
JP5574456B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
JP6233888B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
US10181582B2 (en) | Organic EL element comprising first and second interlayers of specified materials and thicknesses, and method for manufacturing thereof | |
WO2013118462A1 (ja) | El表示装置およびその製造方法 | |
US10840468B2 (en) | Organic EL element and method for manufacturing organic EL element | |
US9287520B2 (en) | Organic EL element, organic EL panel having organic EL element, organic EL light-emitting apparatus, and organic EL display apparatus | |
US9786726B2 (en) | Organic light-emitting device and organic display device | |
WO2011138816A1 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
WO2013069274A1 (ja) | 有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、それらの製造方法、および薄膜形成方法 | |
KR101552985B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 | |
JP7182908B2 (ja) | 有機elパネル、および有機elパネルの製造方法 | |
US9059419B2 (en) | Organic EL element, organic EL panel having organic EL element, organic EL light-emitting apparatus, and organic EL display apparatus | |
JP5861961B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP6111483B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 | |
US10581019B2 (en) | Organic EL element having reduced electric power consumption by optimizing film thicknesses thereof and method of manufacturing same | |
JP6538339B2 (ja) | 有機el素子および有機el素子の製造方法 | |
JP2019012642A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
KR101606871B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6111442 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |