WO2011138816A1 - 有機el表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

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WO2011138816A1
WO2011138816A1 PCT/JP2010/003123 JP2010003123W WO2011138816A1 WO 2011138816 A1 WO2011138816 A1 WO 2011138816A1 JP 2010003123 W JP2010003123 W JP 2010003123W WO 2011138816 A1 WO2011138816 A1 WO 2011138816A1
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light emitting
contact hole
emitting layer
organic light
organic
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PCT/JP2010/003123
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English (en)
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Inventor
竹内孝之
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パナソニック株式会社
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display panel, and more particularly to a technique for improving an aperture ratio.
  • organic EL organic electroluminescence
  • Each organic EL cell constituting the organic EL display panel has a structure in which an organic light emitting layer is interposed between an anode and a cathode.
  • the anode is laminated on an interlayer insulating film laminated on a driving TFT (Thin Film Transistor) substrate, and a through-hole (in the thickness direction of the interlayer insulating film is connected to connect the anode and the TFT electrode).
  • TFT Thin Film Transistor
  • Contact hole This contact hole portion has a structure buried under the bank so as not to emit light. This structure hinders improvement in the aperture ratio, and prevents an increase in light emission area and light emission efficiency in the organic EL display panel.
  • the organic light emitting layer is recessed following the depression of the contact hole. It becomes a shape.
  • the light emitting material used for the organic light emitting layer flows down toward the bottom surface of the contact hole due to the influence of gravity although it has viscosity, and as a result, the slope from the outer periphery of the upper surface of the contact hole toward the bottom surface of the contact hole, particularly the contact
  • the film thickness of the organic light emitting layer in the vicinity of the inside of the outer periphery of the hole upper surface is thinner than other portions. In the thinned region, the distance between the anode and the cathode is shorter than the other portions, so that there is a problem that uneven light emission occurs due to electric field concentration and the life of the organic EL display panel is shortened.
  • the present invention provides an organic EL display panel that can prevent a reduction in lifetime without causing electric field concentration while improving the luminous efficiency by arranging a contact hole in a bank opening to improve the aperture ratio.
  • the purpose is to provide.
  • an organic EL display panel includes a TFT layer, an interlayer insulating film formed on the TFT layer, in which a plurality of constant holes are formed in pixel units, A plurality of first electrodes formed on the interlayer insulating film in a pixel unit that are electrically connected to the TFT layer through each of the plurality of contact holes; and at least for each color A plurality of openings formed, each having a plurality of openings each including a plurality of contact holes formed in the pixel unit in an opening region of each of the plurality of openings; and the plurality of openings.
  • An organic light emitting layer formed on the organic light emitting layer, and a second electrode formed above the organic light emitting layer, and the contact hole in the opening and a contact hole region including the upper portion thereof are formed.
  • the thickness of the light-emitting layer is formed thicker than the thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening.
  • the organic EL display panel according to one embodiment of the present invention has the above-described structure, and thus, by forming an opening formed in units of pixels in the bank so as to include a contact hole, the opening is made larger.
  • the aperture ratio can be improved. Therefore, the light emission area is increased and the light emission efficiency can be improved.
  • the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. Has been.
  • the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. For this reason, the electric field is reduced as compared with the region other than the contact hole region. Therefore, the organic light emitting layer emits light in a region other than the contact hole region, and does not emit light in the contact hole region, or emits light with lower luminance than the region other than the contact hole region.
  • the contact hole region is a very small region inside the opening, even if it does not emit light or emits light with low luminance, the influence on the entire opening is small. Therefore, as a whole, it does not cause a decrease in light emission luminance. Therefore, the aperture ratio can be increased by including the contact hole in the opening formed in the bank in the pixel unit, and the emission luminance can be increased.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a part of an organic EL display panel according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows typically the partial cross section of the organic electroluminescent display panel centering on the organic electroluminescent cell which concerns on one embodiment of this invention. It is a figure which shows the contact hole of the organic electroluminescent cell which concerns on one embodiment of this invention. It is a figure which shows the contact hole of the organic electroluminescent cell which concerns on one embodiment of this invention (continuation of FIG. 3). It is a schematic diagram showing distribution of the light-emitting luminance in the opening part which concerns on one embodiment of this invention. It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display panel which concerns on one embodiment of this invention.
  • FIG. 6 It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display panel which concerns on one embodiment of this invention (continuation of FIG. 6). It is sectional drawing which shows typically the partial cross section of the organic electroluminescence display panel at the time of providing the IL layer and electron injection layer which concern on the modification of this invention. It is a top view which shows typically a part of organic electroluminescence display panel which concerns on the line bank which concerns on the modification of this invention. It is sectional drawing which shows typically the partial cross section of the organic electroluminescent display panel centering on the organic electroluminescent cell concerning the line bank which concerns on the modification of this invention. It is a top view which shows typically a part of organic electroluminescent panel which has a contact hole (square hole) which concerns on the modification of this invention. It is an external appearance perspective view of the display apparatus which concerns on the modification of this invention.
  • An organic EL display panel includes a TFT layer, an interlayer insulating film formed on the TFT layer and having a plurality of constant holes formed in pixel units, and the interlayer insulating film in the pixel units.
  • a bank having a plurality of openings each including a plurality of contact holes formed in the pixel unit in an opening region of each of the plurality of openings; an organic light emitting layer formed in the plurality of openings; A second electrode formed above the organic light emitting layer, and the thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole in the opening and the contact hole region including the second electrode is the opening. Wherein it is thicker than the thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole area.
  • the thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is such that a plurality of layers of the same material as the organic light emitting layer of the same color are superimposed on the contact hole region. It is good also as thicker than the film thickness of the organic light emitting layer formed in area
  • the opening formed in units of pixels in the bank so as to include the contact hole, the opening can be made larger and the opening ratio can be improved. Therefore, the light emission area is increased and the light emission efficiency can be improved. More specifically, the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. Has been. For this reason, in the contact hole region in the opening, it is possible to prevent electric field concentration from occurring on the slope from the outer periphery of the upper surface of the contact hole toward the bottom surface of the contact hole.
  • the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. For this reason, the electric field is reduced as compared with the region other than the contact hole region. Therefore, the organic light emitting layer emits light in a region other than the contact hole region, and does not emit light in the contact hole region, or emits light with lower luminance than the region other than the contact hole region.
  • the contact hole region is a very small region inside the opening, even if it does not emit light or emits light with low luminance, the influence on the entire opening is small. Therefore, as a whole, it does not cause a decrease in light emission luminance. Therefore, the aperture ratio can be increased by including the contact hole in the opening formed in the bank in the pixel unit, and the emission luminance can be increased.
  • the same color organic light emitting layer may be once dried, and then the same color organic light emitting layer may be overlaid with the same material layer.
  • the coating film of the ink containing the organic light-emitting material of the same color is dried to be a solid film of the organic light-emitting layer, on the organic light-emitting layer that has become the solid film, Again, the ink containing the organic light emitting material of the same color is applied.
  • the organic light-emitting layer of the same color that has become the solid film and the ink containing the organic light-emitting material of the same color that is applied again are not mixed as inks. Accordingly, a plurality of the organic light emitting layers having the same color can be formed to overlap each other.
  • the bank may have a plurality of line-shaped openings for each color.
  • the opening can be made larger and the aperture ratio can be improved. Therefore, the light emission area is increased and the light emission efficiency can be improved.
  • the bank may have a plurality of openings corresponding to the plurality of first electrodes for each color and for each pixel.
  • the opening can be made larger and the opening ratio can be improved. Therefore, the light emission area is increased and the light emission efficiency can be improved.
  • the same color may be any one of red, green and blue.
  • the same color can be any one of red, green and blue.
  • the interlayer insulating film may be a planarizing film.
  • the step on the surface of the TFT layer can be flattened.
  • the organic EL display device is an organic EL display device including the organic EL display panel.
  • an organic EL display device including the organic EL display panel can be realized.
  • the method for manufacturing an organic EL display panel according to the present invention includes a first step of forming a TFT layer, a second step of forming an interlayer insulating film on the TFT layer, and a plurality of constant holes for each pixel. A third step of forming an insulating film; and a fourth step of forming, on the interlayer insulating film, a plurality of first electrodes that are electrically connected to the TFT layer through each of the plurality of contact holes in the pixel unit.
  • the opening formed in units of pixels in the bank is formed so as to include the contact hole, thereby increasing the opening and increasing the opening ratio. Can be improved. Therefore, the light emission area is increased and the light emission efficiency can be improved. More specifically, the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. Has been. For this reason, in the contact hole region in the opening, it is possible to prevent electric field concentration from occurring on the slope from the outer periphery of the upper surface of the contact hole toward the bottom surface of the contact hole.
  • the film thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is formed thicker than the film thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening. Therefore, the electric field is smaller in the contact hole region than in regions other than the contact hole region. Therefore, the organic light emitting layer emits light in a region other than the contact hole region, and does not emit light in the contact hole region, or emits light with lower luminance than the region other than the contact hole region.
  • the contact hole region is a very small region inside the opening, even if it does not emit light or emits light with low luminance, the influence on the entire opening is small. Therefore, as a whole, it does not cause a decrease in light emission luminance. Therefore, the aperture ratio can be increased by including the contact hole in the opening formed in the bank in the pixel unit, and the emission luminance can be increased.
  • the film thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole region is changed to the film thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region.
  • the thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole region is increased in the same step as the step of forming the organic light emitting layer in the opening, so that no special process is added.
  • the thickness of the organic light emitting layer formed in the contact hole region in the opening is such that a plurality of layers of the same material as the organic light emitting layer of the same color are superimposed on the contact hole region.
  • it may be formed thicker than the film thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region.
  • only the film thickness of the organic light emitting layer in the contact hole region portion in the opening can be formed thicker than the film thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening.
  • the organic light emitting layer having the same color may be superimposed after the organic light emitting layer having the same color is once dried in the contact hole region.
  • the coating film of the ink containing the organic light-emitting material of the same color is dried to be a solid film of the organic light-emitting layer, on the organic light-emitting layer that has become the solid film, Again, in the sixth step, the ink containing the same color organic light emitting material is applied. As a result, the organic light-emitting layer of the same color that has become the solid film and the ink containing the organic light-emitting material of the same color that is applied again are not mixed as inks.
  • a plurality of the organic light emitting layers having the same color can be formed to overlap each other.
  • the formation of the organic light emitting layer in the sixth step may be performed by an ink jet method.
  • the formation of the organic light emitting layer in the sixth step can be performed by an inkjet method.
  • the ink containing the organic EL light emitting material can be dropped with high accuracy on a predetermined position of the pixel such as the contact hole, so that an additional member such as a mask or a manufacturing process is not used.
  • This embodiment is suitable.
  • the formation of the organic light emitting layer in the sixth step is performed by an ink jet method, and in the sixth step, the organic light emitting layer of the same color is formed in a contact hole region included in the opening in which the organic light emitting layer is formed.
  • a plurality of layers of ink containing the material may be applied in an overlapping manner.
  • the formation of the organic light emitting layer in the sixth step is performed by an ink jet method, and in the sixth step, the organic light emitting layer of the same color is formed in a contact hole region included in the opening in which the organic light emitting layer is formed.
  • a plurality of layers of ink containing the material may be applied in an overlapping manner.
  • only the film thickness of the organic light emitting layer in the contact hole region portion in the opening can be formed thicker than the film thickness of the organic light emitting layer formed in a region other than the contact hole region in the opening.
  • the formation of the organic light emitting layer in the sixth step is performed by an ink jet method, and in the sixth step, the organic light emitting layer of the same color is formed in a contact hole region included in the opening in which the organic light emitting layer is formed.
  • the ink containing the material is applied, the ink containing the organic light emitting material of the same color applied to the contact hole region included in the opening in which the organic light emitting layer is formed is dried, and in the sixth step
  • the ink containing the organic light emitting material of the same color may be applied to the contact hole region included in the opening where the organic light emitting layer is formed.
  • the coating film of the ink containing the organic light-emitting material of the same color is dried to be a solid film of the organic light-emitting layer, on the organic light-emitting layer that has become the solid film, Again, in the sixth step, the ink containing the same color organic light emitting material is applied. As a result, the organic light-emitting layer of the same color that has become the solid film and the ink containing the organic light-emitting material of the same color that is applied again are not mixed as inks.
  • a plurality of the organic light emitting layers having the same color can be formed to overlap each other.
  • the bank may have a plurality of line-shaped openings for each color.
  • the bank may have a plurality of line-shaped openings for each color.
  • the bank may have a plurality of openings corresponding to the plurality of first electrodes for each color and for each pixel.
  • the bank may have a plurality of openings corresponding to each of the plurality of first electrodes for each color and for each pixel.
  • the same color may be any one of red, green and blue.
  • each of the first color and the second color can be any one of red, green, and blue.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a part of an organic EL display panel 1 according to an embodiment of the present invention.
  • the organic EL display panel 1 includes a plurality of top emission type organic EL cells 20 formed in a matrix arrangement, and each organic EL cell 20 corresponds to one of R (red), G (green), and B (blue). A light emitting layer is provided. Each organic EL cell 20 corresponds to one pixel (pixel).
  • the opening 30 related to each organic EL cell 20 is defined by a bank 16 having a so-called pixel bank (cross-shaped bank) structure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a partial cross section (cross section between X-X ′ in FIG. 1) of the organic EL display panel 1 centering on one organic EL cell 20.
  • the substrate 10 is, for example, alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, polyester, silicone resin. Or an insulating material such as alumina.
  • a TFT (Thin Film Transistor) layer 11 having a feeding electrode 12 is formed on the substrate 10, and an interlayer insulating film 13 is laminated on the TFT layer 11.
  • the interlayer insulating film 13 is made of an organic material having excellent insulating properties, and its thickness is about 4 ⁇ m (micrometer).
  • a through hole (contact hole 14) is formed in the interlayer insulating film 13 in the thickness direction.
  • the interlayer insulating film 13 it is desirable to form a planarizing film. Thereby, the level
  • Contact hole> Here, the contact hole 14 will be described in detail with reference to FIGS.
  • FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the contact hole 14 in FIG. 2.
  • the TFT layer 11, the feeding electrode 12, the interlayer insulating film 13, and the contact hole 14 are shown.
  • the contact hole 14 is a space surrounded by the contact hole upper surface 14c, the contact hole slope 14d, and the contact hole lower surface 14e shown in FIG. As described above, the contact hole 14 is a through hole, and the contact hole upper surface 14c and the contact hole lower surface 14e are virtual surfaces for explanation.
  • the contact hole upper surface 14c is a portion surrounded by a substantially annular contact hole upper surface outer periphery 14a.
  • the film thickness of the interlayer insulating film 13 is upward from the contact hole bottom surface 14e along the contact hole slope 14d. This is the part where the film thickness increases and reaches its maximum.
  • the inclination angle of the contact hole inclined surface 14d is larger.
  • the tilt angle is too large (approaching 90 degrees)
  • the inclination angle of the contact hole inclined surface 14d is made smaller, it is determined from the surface of the parasitic capacitance generated between the first electrode 15 and the source electrode, drain electrode, gate electrode, signal wiring, power supply wiring, etc. of the TFT. Since the region where the predetermined film thickness cannot be obtained becomes large, a problem in characteristics may occur. In view of these, the film thickness t of the interlayer insulating film 13 on the contact hole upper surface outer periphery 14a and the planar distance L between the contact hole lower surface outer periphery 14b and the contact hole upper surface outer periphery 14a shown in FIG. It is desirable to satisfy the condition. However, it is not limited to this.
  • the film thickness of the interlayer insulating film 13 increases upward from the contact hole bottom 14e along the contact hole slope 14d, and the film thickness decreases after the film thickness reaches its maximum.
  • the outer periphery 14a of the upper surface of the contact hole is the portion where the film thickness of the interlayer insulating film 13 has reached the maximum, as in FIG.
  • a contact hole region 14g the region indicated by the oblique line in FIG. 4, that is, the contact hole 14 and the contact hole 14 are collectively referred to as a contact hole region 14g.
  • a first electrode 15 as an anode is stacked on the interlayer insulating film 13.
  • the first electrode 15 is electrically connected to the power supply electrode 12 related to the TFT layer 11 through the contact hole 14.
  • the first electrode 15 is made of Ag (silver).
  • the first electrode 15 is, for example, APC (alloy of silver, palladium, copper), ARA (alloy of silver, rubidium, gold), MoCr (alloy of molybdenum and chromium), NiCr (alloy of nickel and chromium), It may be formed of Al (aluminum), Al alloy or the like. In the case of a top emission type light emitting element, it is preferably formed of a light reflective material.
  • a bank 16 (bank 16a, bank 16b%) Is formed on the interlayer insulating film 13 and the feeding electrode 12.
  • the bank 16 is made of an organic material such as resin and has an insulating property. Examples of organic materials include acrylic resins, polyimide resins, novolac type phenol resins, and the like.
  • the bank 16 preferably has organic solvent resistance. Furthermore, since the bank 16 may be subjected to an etching process, a baking process, or the like, it is preferable that the bank 16 be formed of a highly resistant material that does not excessively deform or alter the process.
  • an organic light emitting layer (hereinafter simply referred to as a light emitting layer) 17a is laminated.
  • the light emitting layer 17a includes, for example, an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, an azacoumarin compound, an oxazole compound, an oxadiazole compound, a perinone compound, a pyrrolopyrrole compound, a naphthalene compound, an anthracene compound described in JP-A-5-163488.
  • the light-emitting layer 17a has a shape that is recessed into the recess by the contact hole 14 and follows the recess.
  • the thickness of the light emitting layer 17a formed on the contact hole slope 14d, particularly in the vicinity 14f (see FIG. 3) of the inner periphery 14a of the upper surface of the contact hole is different.
  • the light emitting layer 17b is formed as a light emitting layer 17b. Thick layers are stacked as shown. In FIG.
  • the light-emitting layer 17a and the light-emitting layer 17b are distinguished from each other for the sake of expression, but actually, the light-emitting layer 17a and the light-emitting layer 17b are integrated (hereinafter, the light-emitting layer 17a and the light-emitting layer 17b). And the light emitting layer 17).
  • the light emitting layer 17a and the light emitting layer 17b in the light emitting layer 17 may be laminated as the light emitting layer 17 in a single procedure, or after the light emitting layer 17a is laminated and the light emitting layer 17a is dried, the light emitting layer 17b is formed. It may be laminated.
  • the film thickness of the light emitting layer 17 laminated on the contact hole region 14g may be larger than the film thickness of the light emitting layer 17a laminated other than the contact hole region 14g.
  • the thickness of the light emitting layer 17b in the light emitting layer 17 is desirably about 5 to 100 nm.
  • a second electrode 18 as a cathode is laminated.
  • the second electrode 18 is made of, for example, ITO, IZO (indium zinc oxide) or the like.
  • ITO indium zinc oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the organic EL cell is to be a top emission type, it is preferably formed of a light transmissive material.
  • a known sealing layer is provided on the second electrode 18.
  • the sealing layer is formed of a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride), for example, and suppresses deterioration of the light emitting layer 17 due to contact with moisture, air, or the like.
  • the sealing layer is also formed of a light transmissive material.
  • FIG. 5A is a top view schematically showing the opening 30 and its periphery in the present embodiment
  • FIG. 5B is a schematic view of the conventional opening and its periphery.
  • the hatched portion indicates a portion where the light emission luminance is not lowered because the light emitting layer 17 is formed with a normal film thickness.
  • the inner portion of the contact hole upper surface outer periphery 14a which is not shown by hatching, that is, the portion corresponding to the contact hole region 14g, is formed with a thicker light emitting layer 17 than the region other than the contact hole region 14g. Therefore, the electric field is reduced and the light emission luminance is reduced.
  • the area of the opening 30 corresponding to the contact hole region 14g is slightly smaller than the area corresponding to the region other than the contact hole region 14g, and the light emission luminance of the very small region has been reduced. Even the light emission unevenness is inconspicuous.
  • the opening 30 in FIG. 5A is shown as a lattice 16c in FIG. 5B as an area of a region where the emission luminance does not decrease as compared with the conventional opening shown in FIG. 5B. It can be made larger by the amount (corresponding to the portion that has conventionally been occupied as a bank in order to bury the contact hole, which is equivalent to the portion excluding the portion corresponding to the contact hole). Therefore, the aperture ratio in the organic EL display panel 1 can be improved as compared with the conventional one.
  • FIG. 5 (c) is a top view schematically showing the opening 30 and its periphery when the contact hole is simply provided in the opening without using this embodiment.
  • the hatched portion is a portion corresponding to the inner vicinity 14f of the contact hole upper surface outer periphery 14a shown in FIG.
  • the light emitting layer 17 is thinner than the normal film thickness as described above, and the light emission brightness is increased more than usual due to the electric field concentration.
  • the light emission luminance is increased, it is easy to visually recognize even if the area is very small. As a result, this portion is conspicuous as light emission unevenness.
  • ⁇ Manufacturing method> 6 and 7 are process diagrams illustrating a method for manufacturing an organic EL display panel according to an embodiment of the present invention.
  • the process consists of the first to seventh steps.
  • a TFT layer 11 is formed on a substrate 10 as a first step.
  • an interlayer insulating film 13 is formed on the TFT layer 11.
  • a contact hole 14 corresponding to a pixel is formed in the interlayer insulating film 13 by etching.
  • an Ag thin film is formed on the interlayer insulating film 13 by, for example, sputtering, and the Ag thin film is patterned by, for example, photolithography, thereby forming a matrix for each pixel.
  • the first electrode 15 is formed in a shape.
  • the Ag thin film may be formed by vacuum deposition or the like.
  • a bank material layer is formed on the first electrode 15 and the interlayer insulating film 13, and a part of the bank material layer is removed to open the opening 30.
  • a bank 16 is formed (FIG. 6E).
  • the bank material layer can be formed, for example, by coating. The removal of the bank material layer is performed by forming a resist pattern on the bank material layer and then performing etching.
  • a composition ink containing an organic EL material (hereinafter simply referred to as “ink”) is dropped into the region defined by the bank 16 in the organic EL cell 20 by, for example, an inkjet method.
  • the light emitting layer 17a is formed as shown in FIG. 7A, the ink of the light emitting layer 17a is dried, and then the ink of the light emitting layer 17b is dropped as shown in FIG. 7B.
  • ink may be dropped by a dispenser method, a nozzle coating method, a spin coating method, intaglio printing, letterpress printing, or the like.
  • FIGS. 7A and 7B are performed in one procedure, when the light emitting layer 17a in FIG. 7A is formed, the light emitting layer 17b corresponding to the light emitting layer 17b in FIG. It is only necessary to drop an extra amount of ink corresponding to.
  • an ITO thin film that becomes the second electrode 18 is formed, for example, by sputtering (FIG. 7C).
  • a seventh step an ITO thin film that becomes the second electrode 18 is formed, for example, by sputtering (FIG. 7C).
  • IL Layer Intermediate Layer
  • Electron Injection Layer Each organic EL cell has an IL layer 41 between the first electrode 15 and the light emitting layer 17 in addition to the configuration described in the above embodiment.
  • the electron injection layer 42 may be provided between the light emitting layer 17 and the second electrode 18.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example in which an IL layer 41 and an electron injection layer 42 are provided in the organic EL cell 20b shown in FIG.
  • the IL layer 41 includes an ITO (indium tin oxide) layer and a hole injection layer laminated on the ITO layer.
  • ITO indium tin oxide
  • the ITO layer is interposed between the first electrode 15 and the hole injection layer and has a function of improving the bonding property between both layers.
  • the hole injection layer is formed of WOx (tungsten oxide) or MoxWyOz (molybdenum-tungsten oxide). By providing the hole injection layer, holes can be easily injected, and electrons can effectively contribute to light emission in the light emitting layer 17, so that good light emission characteristics can be obtained.
  • the hole injection layer only needs to be formed of a metal compound that performs a hole injection function, and examples of such a metal compound include metal oxide, metal nitride, and metal oxynitride.
  • the electron injection layer 42 has a function of transporting electrons injected from the second electrode 18 to the light emitting layer 17, and is formed of, for example, barium, phthalocyanine, lithium fluoride, or a combination thereof.
  • the formation of the IL layer 41 is performed between the fourth step and the fifth step.
  • the IL layer 41 is formed by forming an ITO thin film by sputtering, for example, and patterning the ITO thin film by, for example, photolithography. Subsequently, a thin film of WOx or MoxWyOz is formed by a technique such as vacuum deposition or sputtering using a composition containing WOx or MoxWyOz.
  • the formation of the electron injection layer 42 is performed between the sixth step and the seventh step.
  • a barium thin film to be the electron injection layer 7 is formed by, for example, vacuum deposition.
  • the line bank is not a shape that surrounds the entire periphery of the light emitting stack as in the pixel bank, but a shape that defines two opposing sides of the light emitting stack, for example.
  • the bank 16 is formed so as to divide a plurality of pixels into columns or rows. That is, the bank 16 exists only on both sides in the row direction or in the column direction of the light emitting layer 17, and the light emitting layer 17 has a configuration in which the same column or the same row is continuous.
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of the organic EL cell 20 according to the line bank.
  • the organic EL cell 20 of FIG. 10 has a configuration in which no bank exists in the portion (16a ′, 16b ′) where the banks 16a, 16b existed in FIG. (3)
  • the top emission type has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this and may be a bottom emission type.
  • a bank is used. However, when a bank is used, an electric field concentrates on the end of the first electrode 15 or the first electrode 15 and the second electrode 18 are short-circuited. there is a possibility. In order to avoid this, instead of the bank, the portion where the bank is formed in the first electrode 15 may be covered with an insulating film.
  • the example in which the shape of the contact hole is a round hole has been described.
  • it may be a square hole like the contact hole 14 'in FIG. (6)
  • the display device 100 may be mounted with either the organic EL display panel 1 according to one embodiment of the present invention or the organic EL display panel according to the modification.
  • FIG. 12 is an external perspective view showing the external appearance of the display device 100.
  • the organic EL display panel of the present invention has a high light extraction efficiency, and is suitable for display elements for mobile phones, display devices such as televisions, various light sources, and the like.

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Abstract

 コンタクトホールをバンク開口部内に配置し開口率を向上させつつ、電界集中を引き起こすことなく短寿命化を防ぐことができる有機EL表示パネルを提供する。 本発明の有機EL表示パネル1は、TFT層11上に、画素単位にコンタントホールが形成された層間絶縁膜13と、前記層間絶縁膜上に形成されコンタクトホール14を介してTFT層11の給電電極12と導通している第1電極15と、コンタクトホール14を開口領域内に含む開口部を有するバンク16(16a、16b)と、開口部に形成された有機発光層17(17a、17b)と、有機発光層17の上方に形成された第2電極18と備えており、コンタクトホール14及びその上方(コンタクトホール領域)に形成された有機発光層17の膜厚は、コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。

Description

有機EL表示パネル及びその製造方法
 本発明は、有機EL表示パネルに関し、特に、開口率を向上させる技術に関するものである。
 近年、研究・開発が進んでいる有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという。)表示パネルは、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルである。有機EL表示パネルを構成する各有機ELセルは、陽極と陰極との間に有機発光層が介挿された構造を有する。陽極は、駆動用のTFT(Thin Film Transistor)基板上に積層された層間絶縁膜の上に積層されており、陽極とTFTの電極とを接続するため、層間絶縁膜の厚み方向に貫通孔(コンタクトホール)が設けられている。このコンタクトホール部分は非発光とするようバンクの下に埋もれさせた構造となっており、この構造が開口率の向上を妨げ、有機EL表示パネルにおける発光面積の増加、発光効率の向上を妨げる一因となっていた(特許文献1参照)。
特開2007-61674号公報
 開口率を向上させるために、従来バンクの下に埋もれさせていたコンタクトホールを、単純に、バンクで囲まれた開口部内に設けた場合、有機発光層がコンタクトホールの窪みに追従して凹んだ形状となる。このとき、有機発光層に用いられる発光材料は、粘度があるものの重力の影響によりコンタクトホール底面に向けて流下し、結果として、コンタクトホールの上面外周からコンタクトホールの底面に向かう斜面、特に、コンタクトホール上面外周の内側近辺における有機発光層の膜厚が他の部分よりも薄くなる。この膜厚の薄くなった領域では、陽極と陰極との距離が他の部分よりも短くなるため、電界集中により発光ムラが生じ、有機EL表示パネルの寿命が短くなるという問題がある。
 上記問題に鑑み、本発明は、コンタクトホールをバンク開口部内に配置し開口率を向上させて発光効率を向上させつつ、電界集中を引き起こすことなく短寿命化を防ぐことができる有機EL表示パネルを提供することを目的とする。
 上記課題を解決するために、本発明の一態様における有機EL表示パネルは、TFT層と、前記TFT層上に形成され、画素単位に複数のコンタントホールが形成された層間絶縁膜と、前記画素単位に、前記層間絶縁膜上に形成された複数の第1電極であって前記複数のコンタクトホールの各々を介して前記TFT層と導通している複数の第1電極と、少なくとも色毎に形成された複数の開口部であって、前記画素単位に形成された複数のコンタクトホールを前記複数の開口部の各々の開口領域内に含む複数の開口部を有するバンクと、前記複数の開口部に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された第2電極と、を具備し、前記開口部内の前記コンタクトホール及びその上方を含むコンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。
 本発明の一態様に係る有機EL表示パネルは、上述の構成を備えることにより、バンクに画素単位で形成された開口部を、コンタクトホールを含めるように形成することにより、前記開口部をより大きくし開口率を向上させることができる。そのため、発光面積が増大し、発光効率を向上させることができる。より具体的には、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。このため、前記開口部内の前記コンタクトホール領域では、コンタクトホール上面外周からコンタクトホールの底面に向かう斜面、特にコンタクトホール上面外周の内側部分における電界集中の発生を防止できる。
 また、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層は、膜厚が、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されていることから、前記コンタクトホール領域以外の領域に比較して電界が小さくなる。よって、前記有機発光層は前記コンタクトホール領域以外の領域では発光し、前記コンタクトホール領域では発光しないか又は前記コンタクトホール領域以外の領域よりも低輝度で発光する。しかしながら、前記コンタクトホール領域は、前記開口部の内部のごく小さい領域であるため、発光しなくても又は低輝度で発光しても前記開口部の全体に与える影響は小さい。そのため、全体としては発光輝度を低下させる要因とはならない。従って、バンクに画素単位で形成された開口部にコンタクトホールを含めて開口率を大きくし、発光輝度を増大させることができる。
本発明の一実施の形態に係る有機EL表示パネルの一部を模式的に示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ELセルを中心とした有機EL表示パネルの一部断面を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ELセルのコンタクトホールを示す図である。 本発明の一実施の形態に係る有機ELセルのコンタクトホールを示す図である(図3の続き)。 本発明の一実施の形態に係る開口部における発光輝度の分布を表す模式図である。 本発明の一実施の形態に係る有機EL表示パネルの製造方法を説明する工程図である。 本発明の一実施の形態に係る有機EL表示パネルの製造方法を説明する工程図である(図6の続き)。 本発明の変形例に係るIL層、電子注入層を設けた場合の有機EL表示パネルの一部断面を模式的に示す断面図である。 本発明の変形例に係るラインバンクに係る有機EL表示パネルの一部を模式的に示す平面図である。 本発明の変形例に係るラインバンクに係る有機ELセルを中心とした有機EL表示パネルの一部断面を模式的に示す断面図である。 本発明の変形例に係るコンタクトホール(角孔)を有する有機ELパネルの一部を模式的に示す平面図である。 本発明の変形例に係る表示装置の外観斜視図である。
<発明の態様>
 本発明の一態様における有機EL表示パネルは、TFT層と、前記TFT層上に形成され、画素単位に複数のコンタントホールが形成された層間絶縁膜と、前記画素単位に、前記層間絶縁膜上に形成された複数の第1電極であって前記複数のコンタクトホールの各々を介して前記TFT層と導通している複数の第1電極と、少なくとも色毎に形成された複数の開口部であって、前記画素単位に形成された複数のコンタクトホールを前記複数の開口部の各々の開口領域内に含む複数の開口部を有するバンクと、前記複数の開口部に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された第2電極と、を具備し、前記開口部内の前記コンタクトホール及びその上方を含むコンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。
 また、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記コンタクトホール領域に同色の有機発光層と同一材料の層が複数層重畳されることにより、前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚いこととしてもよい。
 本態様によると、バンクに画素単位で形成された開口部を、コンタクトホールを含めるように形成することにより、前記開口部をより大きくし開口率を向上させることができる。そのため、発光面積が増大し、発光効率を向上させることができる。より具体的には、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。このため、前記開口部内の前記コンタクトホール領域では、コンタクトホール上面外周からコンタクトホールの底面に向かう斜面における電界集中の発生を防止できる。
 また、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層は、膜厚が、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されていることから、前記コンタクトホール領域以外の領域に比較して電界が小さくなる。よって、前記有機発光層は前記コンタクトホール領域以外の領域では発光し、前記コンタクトホール領域では発光しないか又は前記コンタクトホール領域以外の領域よりも低輝度で発光する。しかしながら、前記コンタクトホール領域は、前記開口部の内部のごく小さい領域であるため、発光しなくても又は低輝度で発光しても前記開口部の全体に与える影響は小さい。そのため、全体としては発光輝度を低下させる要因とはならない。従って、バンクに画素単位で形成された開口部にコンタクトホールを含めて開口率を大きくし、発光輝度を増大させることができる。
 また、前記コンタクトホール領域において、同色の有機発光層が一旦乾燥された後に同色の有機発光層と同一材料の層が重畳されていることとしてもよい。
 本態様によると、前記同色の有機発光材料を含有したインクの塗膜は、乾燥して前記有機発光層の固体膜となっているため、前記固体膜となった前記有機発光層の上に、再度、前記同色の有機発光材料を含有したインクを塗布する。その結果、前記固体膜となった前記同色の有機発光層と、再度塗布される前記同色の有機発光材料を含有したインクとは、インク相互としては混合しなくなる。従って、前記同色の有機発光層を複数層重畳して形成できる。
 また、前記バンクは、前記色毎にライン状の開口部を複数有することとしてもよい。
 本態様によると、ラインバンクに形成された画素単位の開口部を、コンタクトホールを含めるように形成することにより、前記開口部をより大きくし、開口率を向上させることができる。そのため、発光面積が増大し、発光効率を向上させることができる。
 また、前記バンクは、前記色毎に、且つ画素単位に前記複数の第1電極の各々に対応する開口部を複数有することとしてもよい。
 本態様によると、ピクセルバンクに形成された画素単位の開口部を、コンタクトホールを含めるように形成することにより、前記開口部をより大きくし、開口率を向上させることができる。そのため、発光面積が増大し、発光効率を向上させることができる。
 また、前記同色の色は、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色であることとしてもよい。
 本態様によれば、前記同色の色を、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色とすることができる。
 また、前記層間絶縁膜は、平坦化膜であることとしてもよい。
 本態様によれば、TFT層の表面の段差を平坦化できる。
 本発明の一態様における有機EL表示装置は、前記有機EL表示パネルを備えた有機EL表示装置である。
 本態様によると、前記有機EL表示パネルを備えた有機EL表示装置を実現できる。
 本発明の有機EL表示パネルの製造方法は、TFT層を形成する第1工程と、前記TFT層上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、画素単位に、複数のコンタントホールを前記層間絶縁膜に形成する第3工程と、前記画素単位に、前記複数のコンタクトホールの各々を介して前記TFT層と導通する複数の第1電極を前記層間絶縁膜上に形成する第4工程と、前記画素単位に形成された複数のコンタクトホールの各々を含む複数の開口部を有するバンクを形成する第5工程と、前記複数の開口部に有機発光層を形成する第6工程と、前記有機発光層の上方に第2電極を形成する第7工程と、を具備し、前記第6工程において、前記開口部内の前記コンタクトホール及びその上方を含むコンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。
 本発明の一態様に係る有機EL表示パネルの製造方法によれば、バンクに画素単位で形成された開口部を、コンタクトホールを含めるように形成することにより、前記開口部をより大きくし開口率を向上させることができる。そのため、発光面積が増大し、発光効率を向上させることができる。より具体的には、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている。このため、前記開口部内の前記コンタクトホール領域では、コンタクトホール上面外周からコンタクトホールの底面に向かう斜面における電界集中の発生を防止できる。
 また、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚が、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されていることから、前記コンタクトホール領域では、前記コンタクトホール領域以外の領域に比較して電界が小さくなる。よって、前記有機発光層は前記コンタクトホール領域以外の領域では発光し、前記コンタクトホール領域では発光しないか又は前記コンタクトホール領域以外の領域よりも低輝度で発光する。しかしながら、前記コンタクトホール領域は、前記開口部の内部のごく小さい領域であるため、発光しなくても又は低輝度で発光しても前記開口部の全体に与える影響は小さい。そのため、全体としては発光輝度を低下させる要因とはならない。従って、バンクに画素単位で形成された開口部にコンタクトホールを含めて開口率を大きくし、発光輝度を増大させることができる。
 さらに、前記開口部に有機発光層を形成する工程を用いて、前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚を、前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成することにより、前記開口部に有機発光層を形成する工程と同一工程において、前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚を厚くするので、特別なプロセスを追加することなく、簡易に、コンタクトホールにおける電界集中の発生を防止して、発光輝度を増大させることができる。
 また、前記第6工程において、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記コンタクトホール領域に同色の有機発光層と同一材料の層が複数層重畳されることにより、前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されることとしてもよい。
 本態様によると、前記開口部内の前記コンタクトホール領域部分の有機発光層の膜厚のみ、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成できる。
 また、前記第6工程において、前記コンタクトホール領域において同色の有機発光層が一旦乾燥した後に同色の有機発光層が重畳されることとしてもよい。
 本態様によると、前記同色の有機発光材料を含有したインクの塗膜は、乾燥して前記有機発光層の固体膜となっているため、前記固体膜となった前記有機発光層の上に、再度、前記第6工程で前記同色の有機発光材料を含有したインクを塗布する。その結果、前記固体膜となった前記同色の有機発光層と、再度塗布される前記同色の有機発光材料を含有したインクとは、インク相互としては混合しなくなる。
 従って、前記同色の有機発光層を複数層重畳して形成できる。
 また、前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われることとしてもよい。
 本態様によれば、前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行うことができる。前記インクジェット法は、前記有機EL発光材料を含むインクを、前記コンタクトホールなどの前記画素の所定の位置に高精度で滴下することができるため、マスクなどの付加部材や製造プロセスを用いなくても本態様として好適なものである。
 また、前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われ、前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが複数層重畳して塗布されることとしてもよい。
 また、前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われ、前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが複数層重畳して塗布されることとしてもよい。
 本態様によると、前記開口部内の前記コンタクトホール領域部分の有機発光層の膜厚のみ、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成できる。
 また、前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われ、前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが塗布された後、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に塗布された前記同色の有機発光材料を含有したインクを乾燥し、前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが塗布されることとしてもよい。
 本態様によると、前記同色の有機発光材料を含有したインクの塗膜は、乾燥して前記有機発光層の固体膜となっているため、前記固体膜となった前記有機発光層の上に、再度、前記第6工程で前記同色の有機発光材料を含有したインクを塗布する。その結果、前記固体膜となった前記同色の有機発光層と、再度塗布される前記同色の有機発光材料を含有したインクとは、インク相互としては混合しなくなる。
 従って、前記同色の有機発光層を複数層重畳して形成できる。
 また、前記バンクは、前記色毎にライン状の開口部を複数有することとしてもよい。
 本態様によれば、前記バンクは、前記色毎にライン状の開口部を複数有するものとすることができる。
 また、前記バンクは、前記色毎に、且つ画素単位に前記複数の第1電極の各々に対応する開口部を複数有することとしてもよい。
 本態様によれば、前記バンクは、前記色毎に、且つ画素単位に前記複数の第1電極の各々に対応する開口部を複数有するものとすることができる。
 また、前記同色の色は、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色であることとしてもよい。
 本態様によれば、前記第1色及び前記第2色の各々は、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色とすることができる。
<実施の形態>
<全体概略構成>
 図1は、本発明の一実施の形態に係る有機EL表示パネル1の一部を模式的に示す平面図である。
 有機EL表示パネル1は、トップエミッション型の複数の有機ELセル20がマトリックス状配列で形成されてなり、各有機ELセル20は、R(赤色)G(緑色)B(青色)いずれかに対応する発光層を具備する。各有機ELセル20が、1画素(ピクセル)に相当する。各有機ELセル20に係る開口部30は、いわゆるピクセルバンク(井桁状バンク)構造のバンク16で規定されている。
 図2は、1つの有機ELセル20を中心とする有機EL表示パネル1の一部断面(図1のX-X’間の断面)を模式的に示す断面図である。
 基板10は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。
 基板10上には、給電電極12を有するTFT(Thin Film Transistor)層11が形成され、TFT層11上に層間絶縁膜13が積層されている。
 層間絶縁膜13は、絶縁性に優れる有機材料で形成されており、その厚みは、4μm(マイクロメートル)程度である。層間絶縁膜13には、厚み方向に貫通孔(コンタクトホール14)が形成されている。層間絶縁膜13としては、平坦化膜を形成するのが望ましい。これにより、TFT層11の表面の段差を平坦化することができる。
<コンタクトホール>
 ここで、コンタクトホール14について、図3、図4を用いて詳細に説明する。
 図3は、図2におけるコンタクトホール14付近を拡大した図であり、説明の都合上、TFT層11、給電電極12、層間絶縁膜13、コンタクトホール14のみ図示したものである。
 コンタクトホール14は、図3(a)に示す、コンタクトホール上面14c、コンタクトホール斜面14d、コンタクトホール下面14eで囲まれた空間をいう。なお、上述のようにコンタクトホール14は貫通孔であり、コンタクトホール上面14c、コンタクトホール下面14eは、説明上の仮想的な面である。
 コンタクトホール上面14cは、略環状のコンタクトホール上面外周14aで囲まれた部分であり、コンタクトホール上面外周14aは、層間絶縁膜13の膜厚がコンタクトホール底面14eからコンタクトホール斜面14d沿いに上方へ向けて増し、その膜厚が極大に達する部分である。ここで、層間絶縁膜13上面におけるコンタクトホール上面14cの占有面積は極力小さい方が望ましいので、コンタクトホール斜面14dの傾斜角度は大きい方が望ましい。しかしながら、傾斜角度が大き過ぎる(90度に近づく)と、TFT層11と導通すべき第1電極15が段切れするという不具合が発生しうる。逆にコンタクトホール斜面14dの傾斜角度をどんどん小さくすれば、第1電極15とTFTのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、信号配線、電源配線などとの間に発生する寄生容量の面より決定している所定膜厚が得られない領域が大きくなるので特性上の不具合が発生しうる。これらに鑑み、図3(a)に示す、コンタクトホール上面外周14aにおける層間絶縁膜13の膜厚tと、コンタクトホール下面外周14bとコンタクトホール上面外周14aとの平面距離Lとは、 L<3t を満たす程度であることが望ましい。しかし、これに限るものではない。
 なお、図3(b)に示すように、層間絶縁膜13の膜厚がコンタクトホール底面14eからコンタクトホール斜面14d沿いに上方へ向けて増し、その膜厚が極大に達した後膜厚が減少に転じるような場合であっても、コンタクトホール上面外周14aは、図3(a)と同様層間絶縁膜13の膜厚が極大に達した部分であることに変わりない。
 また、以下の説明において、「コンタクトホール上面外周14aの内側付近」との記載があるが、これは図3中14fとして示した部分を指している。
 また、図4において破斜線で示す領域、すなわちコンタクトホール14及びコンタクトホール14の上方を合わせてコンタクトホール領域14gという。
 以上、コンタクトホール14についての補足説明を終え、図2の説明に戻る。
<有機ELセルの構成>
 層間絶縁膜13上には、陽極である第1電極15が積層される。第1電極15は、コンタクトホール14を介して、TFT層11に係る給電電極12と電気的に接続される。
 第1電極15は、Ag(銀)で形成されている。なお、第1電極15は、例えば、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)、Al(アルミニウム)、Al合金等で形成されていても良い。トップエミッション型の発光素子の場合は、光反射性の材料で形成されていることが好ましい。
 層間絶縁膜13及び給電電極12の上には、バンク16(バンク16a、バンク16b・・・)が形成されている。バンク16は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。有機材料の例には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。バンク16は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク16は、エッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
 バンク16で区画された領域内には、有機発光層(以下、単に発光層という。)17aが積層されている。
 発光層17aは、例えば、特開平5-163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、2-ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とIII族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質で形成されることが好ましい。
 発光層17aは、コンタクトホール14による窪みに入り込み、窪みに追従して凹んだ形状となっている。ここで、発光層17aを従来のように単純に形成すると、コンタクトホール斜面14d、特にコンタクトホール上面外周14aの内側付近14f(図3参照)に形成される発光層17aの膜厚が他の部分よりも薄くなり、この膜厚の薄くなった領域で電界集中が発生してしまうのであるが、本実施の形態では、発光層17aを積層する際に、図2に示すように発光層17bとして示した分だけ厚く積層している。なお、図2においては、表現上、発光層17aと発光層17bとを区別しているが、実際は、発光層17aと発光層17bとは一体となっている(以下、発光層17aと発光層17bとを合わせて、発光層17という。)。発光層17における発光層17aと発光層17bとは、一度の手順で発光層17として積層してもよいし、発光層17aを積層し、発光層17aを乾燥させた後で、発光層17bを積層するとしてもよい。
 また、コンタクトホール領域14gに積層される発光層17の膜厚については、コンタクトホール領域14g以外に積層される発光層17aの膜厚より厚くなっていればよい。通常、発光層17における発光層17bの膜厚は、5~100nm程度が望ましい。
 発光層17の上には、陰極である第2電極18が積層される。
 第2電極18は、例えば、ITO、IZO(酸化インジウム亜鉛)等で形成される。有機ELセルをトップエミッション型にする場合は、光透過性材料で形成されていることが望ましい。
 なお、図示してはいないが、第2電極18の上には公知の封止層が設けられる。封止層は、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料で形成され、発光層17が水分や空気等に触れて劣化するのを抑制する。有機ELセルをトップエミッション型にする場合は、封止層も光透過性材料で形成されることが望ましい。
<実施の形態の構成による効果>
 ここで、本実施の形態の上記構成による効果について図5を用いて補足説明する。
 図5(a)は、本実施の形態における開口部30とその周辺部、図5(b)は、従来の開口部とその周辺部を模式的に表した上面図である。
 図5(a)の開口部30において、斜線で示した部分は、発光層17が通常の膜厚で形成されていることから発光輝度の低下がない部分を表している。これに対し、斜線で示さない、コンタクトホール上面外周14aの内側部分、すなわちコンタクトホール領域14gに相当する部分は、コンタクトホール領域14g以外の領域に比べて発光層17の膜厚が厚く形成されているため、電界が小さくなり発光輝度が低下する。しかしながら、この開口部30におけるコンタクトホール領域14gに相当する部分の面積は、コンタクトホール領域14g以外の領域に相当する部分の面積に比べ微少であり、微少な領域の発光輝度が低下していたとしても発光ムラは目立たない。
 また、図5(a)の開口部30は、図5(b)に示す従来の開口部に比して、発光輝度が低下しない領域の面積として、図5(b)中に格子16cとして示す分(従来、コンタクトホールを埋もれさせるため、バンクとして占有の必要があった部分から、コンタクトホール相当部分を除いたものに当たる)だけ大きく取ることができる。よって、有機EL表示パネル1における開口率を従来に比べ向上させることができる。
 図5(c)は、本実施の形態を用いず、単にコンタクトホールを開口部内に設けることとした場合の開口部30とその周辺部を模式的に表した上面図である。
 図5(c)において斜線で示した部分は、図3に示したコンタクトホール上面外周14aの内側付近14fに相当する部分である。この部分では、上述したように発光層17が通常の膜厚より薄くなっており、電界集中により、通常より発光輝度が上がってしまう。発光輝度が上がっている場合、例え面積が微少であっても視認され易いので、結果的にこの部分は、発光ムラとして目立つことになる。
<製造方法>
 図6及び図7は、本発明の実施形態に係る有機EL表示パネルの製造方法を説明する工程図である。
 工程は、第1工程~第7工程から成る。
 まず、図6(a)に示すように、第1工程として、基板10上にTFT層11を形成する。
 次に、図6(b)に示すように、第2工程として、TFT層11上に層間絶縁膜13を形成する。
 次に、図6(c)に示すように、第3工程として、層間絶縁膜13にエッチングによって画素に対応するコンタクトホール14を形成する。
 次に、図6(d)に示すように、第4工程として、層間絶縁膜13上に、例えばスパッタリングによりAg薄膜を形成し、Ag薄膜を例えばフォトリソグラフィでパターニングすることにより、画素単位にマトリックス状に第1電極15を形成する。なお、Ag薄膜は真空蒸着等で形成しても良い。
 次に、図6(e)に示すように、第5工程として、第1電極15、層間絶縁膜13の上にバンク材料層を形成し、バンク材料層の一部を除去して開口部30を有するバンク16を形成する(図6(e))。バンク材料層の形成は、例えば塗布等により行うことができる。バンク材料層の除去は、バンク材料層上にレジストパターンを形成し、その後、エッチングをすることにより行う。
 次に、第6工程として、有機ELセル20について、バンク16で規定された領域内に、例えばインクジェット法により有機EL材料を含む組成物インク(以下、単に「インク」と称する)を滴下して図7(a)に示すように発光層17aを形成し、発光層17aのインクを乾燥させ、その後、図7(b)に示すように発光層17bのインクを滴下する。発光層17の形成には、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等によりインクを滴下しても良い。
 図7(a)、図7(b)を一手順で行う場合、図7(a)における発光層17aを形成する際に、図7(b)の発光層17bに相当する箇所について発光層17bに相当するインクを余分に滴下すればよい。
 次に、第7工程として、例えばスパッタリングにより第2電極18となるITO薄膜を形成する(図7(c))。
<変形例その他>
 なお、本発明の有機EL表示パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
(1)中間層(IL層)、電子注入層の追加について
 各有機ELセルは、上述の実施の形態で説明した構成に加え、第1電極15と発光層17との間にIL層41を設け、発光層17と第2電極18との間に電子注入層42を設けた構成としてもよい。
 図8は、図2に示した有機ELセル20bに、IL層41と、電子注入層42とを設けた場合の例を示す図である。
 IL層41は、ITO(酸化インジウムスズ)層と、ITO層の上に積層されるホール注入層とから成る。
 ITO層は、第1電極15及びホール注入層の間に介在し、両層間の接合性を良好にする機能を有する。
 ホール注入層は、WOx(酸化タングステン)又はMoxWyOz(モリブデン-タングステン酸化物)で形成されている。ホール注入層を設けることでホールを容易に注入することができ、発光層17内で電子が有効に発光に寄与するため、良好な発光特性を得ることができる。ホール注入層は、ホール注入機能を果たす金属化合物で形成されていれば良く、そのような金属化合物としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸窒化物が挙げられる。
 電子注入層42は、第2電極18から注入された電子を発光層17へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成される。
 製造方法としては、IL層41の形成は、第4工程と、第5工程の間に行われる。
 IL層41は、例えばスパッタリングによりITO薄膜を形成し、ITO薄膜を例えばフォトリソグラフィによりパターニングすることによりITO層を形成する。続いて、WOx又はMoxWyOzを含む組成物を用いて真空蒸着、スパッタリングなどの技術によりWOx又はMoxWyOzの薄膜を形成する。
 また、電子注入層42の形成は、第6工程と、第7工程の間に行われる。
 電子注入層は、第6工程の後、例えば真空蒸着により電子注入層7となるバリウム薄膜を形成する。
(2)ラインバンクの採用について
 上述の実施形態では、バンク16がピクセルバンクである例で説明したが、図9に示すようなラインバンクにも本発明は適用できる。
 ラインバンクとは、上記ピクセルバンクのように、発光積層体の周囲を全て囲む形状ではなく、例えば、発光積層体の対向する二辺を規定する形状のものである。ラインバンクの場合、バンク16は、複数のピクセルを列ごと又は行ごとに区切るように形成される。すなわち、バンク16は発光層17の行方向両側又は列方向両側だけに存在し、発光層17は同列又は同行のものが連続した構成となる。
 図10は、ラインバンクに係る有機ELセル20の断面図を示す。
 図10の有機ELセル20では、図2においてバンク16a、16bが存在していた部分(16a’、16b’)に、バンクが存在しない構成となっている。
(3)上記実施の形態では、トップエミッション型で説明しているが、これに限定されず、ボトムエミッション型であっても良い。
(4)上記実施の形態では、バンクを用いていたが、バンクを用いる場合、第1電極15の端部に電界が集中し、又は第1電極15と第2電極18とがショートするなどの可能性がある。これを避けるため、バンクに代えて、第1電極15においてバンクが形成されていた部分を絶縁膜で覆う構成としてもよい。
(5)上記実施の形態では、コンタクトホールの形状が丸孔である例で説明したが、これに限らず、貫通孔であればよい。例えば、図11のコンタクトホール14’のように角孔であってもよい。
(6)表示装置100は本発明の一態様に係る有機EL表示パネル1及び変形例に係る有機EL表示パネルのいずれかを表示装置100に搭載することとしてもよい。
 図12は、表示装置100の外観を示す外観斜視図である。
 これにより、上記と同様の効果が得られる有機EL表示装置を構成することができる。
(7)上記実施の形態及び上記変形例をそれぞれ組み合わせるとしてもよい。
 本発明の有機EL表示パネルは、高い光取出し効率を有しており、携帯電話用のディスプレイやテレビなどの表示素子、各種光源などに好適である。
  1   有機EL表示パネル
 10   基板
 11   TFT層
 12   給電電極
 13   層間絶縁膜
 14   コンタクトホール
 15   第1電極
 16   バンク
 17   発光層
 18   第2電極
 20   有機ELセル
 30   開口部
 41   IL層
 42   電子注入層

Claims (17)

  1.  TFT層と、
     前記TFT層上に形成され、画素単位に複数のコンタントホールが形成された層間絶縁膜と、
     前記画素単位に、前記層間絶縁膜上に形成された複数の第1電極であって前記複数のコンタクトホールの各々を介して前記TFT層と導通している複数の第1電極と、
     少なくとも色毎に形成された複数の開口部であって、前記画素単位に形成された複数のコンタクトホールを前記複数の開口部の各々の開口領域内に含む複数の開口部を有するバンクと、
     前記複数の開口部に形成された有機発光層と、
     前記有機発光層の上方に形成された第2電極と、を具備し、
     前記開口部内の前記コンタクトホール及びその上方を含むコンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている、
     有機EL表示パネル。
  2.  前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記コンタクトホール領域に同色の有機発光層と同一材料の層が複数層重畳されることにより、前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚い、
     請求項1記載の有機EL表示パネル。
  3.  前記コンタクトホール領域において、同色の有機発光層が一旦乾燥された後に同色の有機発光層と同一材料の層が重畳されている、
     請求項2記載の有機EL表示パネル。
  4.  前記バンクは、前記色毎にライン状の開口部を複数有する、
     請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。
  5.  前記バンクは、前記色毎に、且つ画素単位に前記複数の第1電極の各々に対応する開口部を複数有する、
     請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。
  6.  前記同色の色は、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色である、
     請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。
  7.  前記層間絶縁膜は、平坦化膜である、
     請求項1記載の有機EL表示パネル。
  8.  請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルを備えた、
    有機EL表示装置。
  9.  TFT層を形成する第1工程と、
     前記TFT層上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、
     画素単位に、複数のコンタントホールを前記層間絶縁膜に形成する第3工程と、
     前記画素単位に、前記複数のコンタクトホールの各々を介して前記TFT層と導通する複数の第1電極を前記層間絶縁膜上に形成する第4工程と、
     前記画素単位に形成された複数のコンタクトホールの各々を含む複数の開口部を有するバンクを形成する第5工程と、
     前記複数の開口部に有機発光層を形成する第6工程と、
     前記有機発光層の上方に第2電極を形成する第7工程と、を具備し、
     前記第6工程において、前記開口部内の前記コンタクトホール及びその上方を含むコンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記開口部内の前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成されている、
     有機EL表示パネルの製造方法。
  10.  前記第6工程において、前記開口部内の前記コンタクトホール領域に形成された有機発光層の膜厚は、前記コンタクトホール領域に同色の有機発光層と同一材料の層が複数層重畳されることにより、前記コンタクトホール領域以外の領域に形成された有機発光層の膜厚より厚く形成される、
     請求項9記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  11.  前記第6工程において、前記コンタクトホール領域において同色の有機発光層が一旦乾燥した後に同色の有機発光層が重畳される、
     請求項10記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  12.  前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われる、
     請求項9ないし請求項11のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  13.  前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われ、
     前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが複数層重畳して塗布される、
     請求項11記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  14.  前記第6工程における前記有機発光層の形成は、インクジェット法により行われ、
     前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが塗布された後、
     前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に塗布された前記同色の有機発光材料を含有したインクを乾燥し、
     前記第6工程において、前記有機発光層が形成された開口部に含まれるコンタクトホール領域に、前記同色の有機発光材料を含有したインクが塗布される、
     請求項11に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  15.  前記バンクは、前記色毎にライン状の開口部を複数有する、
     請求項9ないし請求項14のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  16.  前記バンクは、前記色毎に、且つ画素単位に前記複数の第1電極の各々に対応する開口部を複数有する、
     請求項9ないし請求項14のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
  17.  前記同色の色は、赤色、緑色及び青色のいずれか一の色である、
     請求項9ないし請求項16のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003208A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Panasonic Corp 発光素子及び発光パネル
JPWO2014136150A1 (ja) * 2013-03-04 2017-02-09 株式会社Joled El表示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013018137A1 (ja) 2011-08-03 2013-02-07 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
JP6151136B2 (ja) * 2013-09-05 2017-06-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP6087251B2 (ja) * 2013-09-25 2017-03-01 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP6640034B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
JP6698486B2 (ja) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096100A (ja) * 2002-07-11 2004-03-25 Lg Phillips Lcd Co Ltd アクティブマトリクス型有機電界発光素子用薄膜トランジスタ
JP2004152595A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Canon Inc 表示装置
JP2005158672A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置
JP2006114480A (ja) * 2004-06-22 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2008112875A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2009247918A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Seiko Epson Corp 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JP4161374B2 (ja) * 2005-02-25 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4631609B2 (ja) 2005-08-29 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 機能膜の形成方法、有機el表示パネルの製造方法、液晶表示パネルの製造方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法、カラーフィルタの製造方法
CN102514336B (zh) 2006-09-08 2014-09-03 凸版印刷株式会社 层叠体的制造方法
JP2009093904A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Canon Inc 表示装置
JP5126545B2 (ja) * 2009-02-09 2013-01-23 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
WO2011058601A1 (ja) 2009-11-11 2011-05-19 パナソニック株式会社 有機el素子、およびその製造方法
EP2579351A4 (en) 2010-05-07 2014-03-12 Panasonic Corp ORGANIC EL DISPLAY BOARD AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CN102405527A (zh) 2010-05-11 2012-04-04 松下电器产业株式会社 显示装置用薄膜半导体器件及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096100A (ja) * 2002-07-11 2004-03-25 Lg Phillips Lcd Co Ltd アクティブマトリクス型有機電界発光素子用薄膜トランジスタ
JP2004152595A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Canon Inc 表示装置
JP2005158672A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置
JP2006114480A (ja) * 2004-06-22 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2008112875A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2009247918A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Seiko Epson Corp 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003208A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Panasonic Corp 発光素子及び発光パネル
JPWO2014136150A1 (ja) * 2013-03-04 2017-02-09 株式会社Joled El表示装置
US9704925B2 (en) 2013-03-04 2017-07-11 Joled Inc. EL display device

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JP5607728B2 (ja) 2014-10-15

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