JP2004096100A - アクティブマトリクス型有機電界発光素子用薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明ではAMOLEDで逆スタッガード型駆動薄膜トランジスタを構成するにおいて、ゲート電極212とソース電極216間の重畳面積をゲート電極212とドレイン電極218間重畳面積より広くして、ゲート電極とソース電極間重畳領域で形成される容量を画素駆動用ストレージキャパシタンスとして利用する。
【選択図】図4
Description
図示したように、第1方向に走査線1が形成されていて、走査線1と交差する第2方向に相互に一定間隔離隔されるように信号線2及び電力供給線(power supply line)3が形成されており、信号線2及び電力供給線3と走査線1が交差する領域は画素領域(pixel region)を定義する。
図3A、図3Bは、本発明による逆スタッガード型AMOLED用駆動薄膜トランジスタ構造についての図面であって、図3Aは平面図であって、図3Bは前記図3Aの切断線IV−IVに沿って切断された断面を示した断面図であり、説明の便宜上ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を中心に図示した。
114:半導体層
116:ソース電極
118:ドレイン電極
120:電力供給線
IIIa:第1重畳領域
IIIb:第2重畳領域
T:薄膜トランジスタ
Claims (22)
- 相互に対向するように配置された第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極間に介在された有機電界発光層とを含む有機電界発光素子における前記第1電極及び2電極のうちのいずれか一つの電極に電流を供給する駆動薄膜トランジスタにおいて、
基板上部に形成されたゲート電極と;
前記ゲート電極を覆う半導体層と;
前記半導体層上部において、相互に一定間隔離隔されて前記ゲート電極と重なるように形成されたソース電極及びドレイン電極とを含み、前記ゲート電極とソース電極間の重畳領域が、前記ゲート電極とドレイン電極間重畳領域より大きい値を有することを特徴とするアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート電極と半導体層間に絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極とソース電極が重なる領域は、画素駆動用ストレージキャパシタンスを構成することを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、アクティブ層とオーミックコンタクト層で構成されることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。
- 前記アクティブ層は、非晶質シリコンで構成され、前記オーミックコンタクト層は不純物非晶質シリコンで構成されることを特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。
- 前記オーミックコンタクト層は、その下部のアクティブ層の一部を露出させることを特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタ。
- 相互に対向するように配置された第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極間に介在された有機電界発光層とを含む有機電界発光素子における、前記第1電極及び第2電極のうちのいずれか一つの電極に電流を供給する駆動薄膜トランジスタの製造方法において、
基板上部にゲート電極を形成する段階と;
前記ゲート電極上部に半導体層を形成する段階と;
前記半導体層上部において、相互に一定間隔離隔されて前記ゲート電極と重なるように形成されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを含み、前記ゲート電極とソース電極間の重畳領域が前記ゲート電極とドレイン電極間重畳領域より大きい値を有するように形成することを特徴とするアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート電極と半導体層間に絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極とソース電極が重なる領域は、画素駆動用ストレージキャパシタンスを構成することを特徴とする請求項7に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層は、アクティブ層とオーミックコンタクト層で構成されることを特徴とする請求項7に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記アクティブ層は、非晶質シリコンで構成され、前記オーミックコンタクト層は不純物非晶質シリコンで構成されることを特徴とする請求項10に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記オーミックコンタクト層は、その下部のアクティブ層の一部を露出させることを特徴とする請求項10に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子用駆動薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に形成されたゲート電極と;
前記ゲート電極を含む基板上に形成されたゲート絶縁膜と;
前記ゲート絶縁膜上部に形成された半導体層と;
前記半導体層上部において、相互に一定間隔離隔されて前記ゲート電極と重なるように形成されたソース電極及びドレイン電極と;
前記ソース電極及びドレイン電極を覆う基板全面に形成され、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層と;
前記保護層上部に形成されて前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結する第1電極と;
前記第1電極上部に形成された有機電界発光層と;
前記有機電界発光層上部に形成された第2電極とを含み、前記ゲート電極とソース電極間の重畳領域が前記ゲート電極とドレイン電極間の重畳領域より大きい値を有することを特徴とするアクティブマトリクス型有機電界発光素子。 - 前記ゲート電極とソース電極が重なる領域は、画素駆動用ストレージキャパシタンスを構成することを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子。
- 前記ゲート電極と電気的に連結するスイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子。
- 前記アクティブマトリクス型有機電界発光素子は、上部発光方式であることを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子。
- 前記アクティブマトリクス型有機電界発光素子は、下部発光方式であることを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子。
- 基板上にゲート電極を形成する段階と;
前記ゲート電極を含む基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート絶縁膜上部に半導体層を形成する段階と;
前記半導体層上部に、相互に一定間隔離隔されて前記ゲート電極と重なるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と; 前記ソース電極及びドレイン電極を覆う基板全面に、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階と;
前記保護層上部に、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結する第1電極を形成する段階と;
前記第1電極上部に有機電界発光層を形成する段階と;
前記有機電界発光層上部に第2電極を形成する段階とを含み、前記ゲート電極とソース電極間の重畳領域が前記ゲート電極とドレイン電極間の重畳領域より大きい値を有するように形成することを特徴とするアクティブマトリクス型有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲート電極とソース電極が重なる領域は、画素駆動用ストレージキャパシタンスを構成することを特徴とする請求項18に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート電極と電気的に連結するスイッチング薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子の製造方法。
- 前記アクティブマトリクス型有機電界発光素子は、上部発光方式であることを特徴とする請求項18に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子の製造方法。
- 前記アクティブマトリクス型有機電界発光素子は、下部発光方式であることを特徴とする請求項18に記載のアクティブマトリクス型有機電界発光素子の製造方法。
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