JP2008191247A - 画像表示装置、および画像表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、発光素子に対して電気的に接続される第１の電極と、第２の電極との間における電流量を、第３の電極に印加される電位によって調整することで、発光素子における電流量を制御する第１のトランジスタと、第１の電極に対して電気的に接続される第４の電極と、第３の電極に対して電気的に接続される第５の電極との間における電流量を、第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、第７の電極と、第３の電極に対して電気的に接続される第８の電極とを有するコンデンサとを備え、第５の電極と第６の電極との間の寄生容量が、第４の電極と第６の電極との間の寄生容量よりも大きな値に設定されている。
【選択図】図１７

Description

本発明は、画像を表示する装置に関する。

従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescent)素子を備える画像表示装置が知られている。

有機ＥＬ素子としては、例えば、発光層を含む有機層を挟んで透明電極と金属電極とを対向配置させたものがある。このような構成の有機ＥＬ素子では、透明電極と金属電極との間に電圧または電流を印加して発光層に電流を流すと発光層が発光し、この発光層から出射される光が透明電極を透過して外部に放出される。また、一般的な有機ＥＬ素子では、発光層の電流密度と輝度がほぼ比例することが知られており、従来例としては、例えば特許文献１等に開示されているものがある。

特開２００６−３０９２５８号公報

しかしながら、有機ＥＬ素子の電流密度が高ければ高いほど有機ＥＬ素子の劣化が促進され、有機ＥＬ素子の短寿命化、ひいては画像表示装置の短寿命化を招く。

そこで、１フレーム分の発光に要する期間のうちで実際に有機ＥＬ素子が発光する期間が占める割合、すなわちデューティーを向上させ、発光時の有機ＥＬ素子における電流密度を下げることで、画像表示装置の長寿命化を図ることが考えられる。

ところが、単にデューティーを向上させる工夫を実行すると、画像表示装置の画面上に輝度ムラやクロストークが発生する不具合が生じることが分かった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、前記第５の電極と前記第６の電極との間の寄生容量が、前記第４の電極と前記第６の電極との間の寄生容量よりも大きな値に設定されていることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、前記第６の電極が、前記第５の電極と対向する部分の面積の方が、前記第４の電極と対向する部分の面積よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、前記第５の電極と前記第６の電極との間の寄生容量が、前記第４の電極と前記第６の電極との間の寄生容量の２倍以上の値に設定されていることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第８の電極に付与される電位が、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも高い電位に設定されることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第８の電極に付与される電位が、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも低い電位に設定されることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第２の電極に対して第１の電位が付与され、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも高い第２の電位となるように制御する制御部を設けたことを特徴とする。

また、請求項７の発明は、画像表示装置であって、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備え、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第２の電極に対して第１の電位が付与され、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも低い第２の電位となるように制御する制御部を設けたことを特徴とする。

また、請求項８の発明は、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備える画像表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第８の電極に対し、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも高い第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、前記第８の電極に対し、前記第１の電位よりも低い第２の電位が付与されるとともに、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込ステップとを備えることを特徴とする。

また、請求項９の発明は、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備える画像表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第８の電極に対し、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも低い第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、前記第８の電極に対し、前記第１の電位よりも高い第２の電位が付与されるとともに、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込ステップとを備えることを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備える画像表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第２の電極に対して第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも高い第２の電位とされるステップとを備えることを特徴とする。

また、請求項１１の発明は、電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサとを備える画像表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、前記第２の電極に対して第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも低い第２の電位とされるステップとを備えることを特徴とする。

＜用語に関する記載＞
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線などを介して常に導電可能に接続されている態様、および一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線などだけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、他の部材の状態（例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導電状態）に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線およびその他の部材によって導電可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。

また、本明細書における「ゲート電圧」とは、ソースに対するゲート電位のことを言い、適宜「Ｖｇｓ」で表現する。

また、本明細書における「閾値電圧」とは、トランジスタがオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言い、適宜「閾値電圧」を「閾値」と略称する。

本発明によれば、発光素子の電流量を制御する第１のトランジスタが、発光素子に対して電気的に接続される第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間における電流量を調整する電位が印加される第３の電極とを有し、第２のトランジスタが、第１のトランジスタの第１の電極に対して電気的に接続される第４の電極と、第１のトランジスタの第３の電極に対して電気的に接続される第５の電極と、第４の電極と第５の電極との間における電流量を調整する電位が印加される第６の電極とを有し、第２のトランジスタにおいて、第５の電極と第６の電極との間の寄生容量が、第４の電極と第６の電極との間の寄生容量よりも大きな値に設定されると、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に第１のトランジスタにおいて発生するゲート電位の変化量が増大するため、第１のトランジスタの閾値電圧を補償する期間を短くしても、第１のトランジスタが実質的に非導通状態に至り易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、本発明によれば、第２のトランジスタにおいて、第６の電極が、第５の電極と対向する部分の面積の方が、第４の電極と対向する部分の面積よりも大きくなるように構成されると、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に第１のトランジスタにおいて発生するゲート電位の変化量が増大するため、第１のトランジスタの閾値電圧を補償する期間を短くしても、第１のトランジスタが実質的に非導通状態に至り易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、本発明によれば、第５の電極と第６の電極との間の寄生容量が、第４の電極と第６の電極との間の寄生容量の２倍以上の値に設定されていると、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に第１のトランジスタにおいて発生するゲート電位の変化量が大きく増加されるため、結果として、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を更に図ることができる。

また、本発明によれば、第１および第２のトランジスタの双方がｎ型のトランジスタで構成され、コンデンサが、第１のトランジスタの第３の電極に対して電気的に接続される第７の電極と、第８の電極とを有し、第２のトランジスタが導通状態に設定されつつコンデンサに第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで閾値電圧が補償される期間において第８の電極に付与される電位が、コンデンサに発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される期間において第８の電極に付与される電位の最大値よりも高い電位に設定されることで、閾値電圧を補償する期間を短くしても、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に、第１のトランジスタが実質的に非導通状態となり易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、本発明によれば、第１および第２のトランジスタの双方がｐ型のトランジスタで構成され、コンデンサが、第１のトランジスタの第３の電極に対して電気的に接続される第７の電極と、第８の電極とを有し、第２のトランジスタが導通状態に設定されつつコンデンサに第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで閾値電圧が補償される期間において第８の電極に付与される電位が、コンデンサに発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される期間において第８の電極に付与される電位の最大値よりも低い電位に設定されることで、閾値電圧を補償する期間を短くしても、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に、第１のトランジスタが実質的に非導通状態となり易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、本発明によれば、第１および第２のトランジスタの双方がｎ型のトランジスタで構成され、コンデンサが、第１のトランジスタの第３の電極に対して電気的に接続される第７の電極と、第８の電極とを有し、第２のトランジスタが導通状態に設定されつつコンデンサに第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで閾値電圧が補償される期間において、第１のトランジスタの第２の電極に対して第１の電位が付与され、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行するタイミングと略同時に、第２の電極に対して付与される電位が、第１の電位から第１の電位よりも高い第２の電位となるように制御されることで、閾値電圧を補償する期間を短くしても、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に、第１のトランジスタが実質的に非導通状態となり易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、本発明によれば、第１および第２のトランジスタの双方がｐ型のトランジスタで構成され、コンデンサが、第１のトランジスタの第３の電極に対して電気的に接続される第７の電極と、第８の電極とを有し、第２のトランジスタが導通状態に設定されつつコンデンサに第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで閾値電圧が補償される期間において、第１のトランジスタの第２の電極に対して第１の電位が付与され、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行するタイミングと略同時に、第２の電極に対して付与される電位が、第１の電位から第１の電位よりも低い第２の電位となるように制御されることで、閾値電圧を補償する期間を短くしても、第２のトランジスタが導通状態から非導通状態へと移行する際に、第１のトランジスタが実質的に非導通状態となり易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

＜基礎技術＞
実施形態について説明する前に、後述する本発明の実施形態に係る画像表示装置の基礎となる画像表示装置（基礎技術に係る画像表示装置）について、図１から図１３に基づいて説明する。ここでは、画像表示装置は、いわゆる電流値によって発光輝度を調節する有機ＥＬディスプレイを備えて構成される。この画像表示装置では、多数の画素が配置され、各画素に有機ＥＬ素子が配置されている。

＜画素回路の構成＞
図１は、基礎技術に係る画像表示装置を構成する１画素分の画素回路（駆動回路）７の構成例を示す図である。

画素回路７は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１、駆動トランジスタ２、閾値（Ｖｔｈ）補償用トランジスタ３、およびコンデンサ４を備える。

有機ＥＬ素子１は、有機物などで構成され、発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子１は、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとを有しており、アノード電極１ａは、給電線のうちで有機ＥＬ素子１の発光時に高電位側となる電源線としてのＶＤＤ線Ｌｖｄに対して電気的に接続される。一方、カソード電極１ｂは、給電線のうちで有機ＥＬ素子１の発光時に低電位側となる電源線としてのＶＳＳ線Ｌｖｓに対して駆動トランジスタ２を介して電気的に接続される。

駆動トランジスタ２は、有機ＥＬ素子１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ２は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。

この駆動トランジスタ２は、第１から第３電極２ｄｓ，２ｓｄ，２ｇを有している。第１電極２ｄｓは、有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にドレイン電極（以下「ドレイン」と略称する）として機能する。一方、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電流が流れる際には、逆にソース電極（以下「ソース」と略称する）として機能する。また、第２電極２ｓｄは、ＶＳＳ線Ｌｖｓに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にソース電極（ソース）として機能する。一方、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電流が流れる際には、逆にドレイン電極（ドレイン）として機能する。更に、第３電極２ｇは、いわゆるゲート電極（以下「ゲート」と略称する）であり、コンデンサ４の一方の電極（第７電極４ａ）に対して電気的に接続される。

また、駆動トランジスタ２では、第３電極２ｇに印加される電位、より詳細には第１電極２ｄｓまたは第２電極２ｓｄと第３電極２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極２ｄｓと第２電極２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）２ｇに印加される電位により、駆動トランジスタ２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、駆動トランジスタ２が通電状態となる場合の、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに対する第３電極２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖｔｈ）を検出するとともに、駆動トランジスタ２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖｔｈ（以下「閾値Ｖｔｈ」と略称する）に調整するトランジスタである。なお、ここでは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３も、駆動トランジスタ２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。

このＶｔｈ補償用トランジスタ３は、第４から第６電極３ｄｓ，３ｓｄ，３ｇを有している。第４電極３ｄｓは、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓと有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。すなわち、第４電極３ｄｓは、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓに対して電気的に接続される。また、第５電極３ｓｄは、接続点Ｔ１において駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇとコンデンサ４とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。すなわち、駆動トランジスタ２のゲート２ｇに対して電気的に接続される。更に、第６電極３ｇは、いわゆるゲート電極であり、走査信号線Ｌｓｓに対して電気的に接続される。

また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３では、第６電極３ｇに印加される電位、より具体的には第４電極３ｄｓまたは第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極３ｄｓと第５電極３ｓｄとの間（以下「第４−５電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）３ｇに印加される電位により、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、第４−５電極間（ドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

ここで、有機ＥＬ素子１は、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ２のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ２がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ２ごとに閾値Ｖｔｈが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖｔｈを補償する機能（Ｖｔｈ補償機能）を持たせないと、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。

そこで、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、発光前において各画素ごとに駆動トランジスタ２のゲート電圧を閾値Ｖｔｈに合わせることで、駆動トランジスタ２における閾値Ｖｔｈのばらつきを補償するＶｔｈ補償機能を実現するために設けられている。

コンデンサ４は、駆動トランジスタ２の第３電極２ｇに対して電気的に接続される第７電極４ａと、画像信号線Ｌｉｓに対して電気的に接続される第８電極４ｂとを備えて構成されている。なお、コンデンサ４の保持容量を所定値Ｃｓとする。

ところで、有機ＥＬ素子１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量（ＥＬ素子容量）を所定値Ｃｏとする。また、駆動トランジスタ２は、第２電極２ｓｄと第３電極２ｇとの間（以下「第２−３電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｓＴｄと、第１電極２ｄｓと第３電極２ｇとの間（以下「第１−３電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｄＴｄとを有する。更に、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとの間（以下「第５−６電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｓＴｔｈと、第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとの間（以下「第４−６電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｄＴｔｈとを有する。なお、寄生容量ＣｇｓＴｄ，ＣｇｄＴｄ，ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈは、それぞれ駆動トランジスタ２、およびＶｔｈ補償用トランジスタ３の構成によって決定される所定値の容量である。

図２は、図１で示した画素回路７の回路構成（図中太線で記載）に対して、寄生容量ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈ，ＣｇｓＴｄ，ＣｇｄＴｄとＥＬ素子容量Ｃｏとに係る回路構成（図中細線で記載）を加えた模式図である。

図２で示すように、画素回路７では、有機ＥＬ素子１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃｏを有するコンデンサ（素子コンデンサ）１ｃが存在し、駆動トランジスタ２の第２−３電極間には寄生容量ＣｇｓＴｄを有するコンデンサ２ｇｓが存在する一方で、駆動トランジスタ２の第１−３電極間には寄生容量ＣｇｄＴｄを有するコンデンサ２ｇｄが存在し、更に、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３の第５−６電極間には寄生容量ＣｇｓＴｔｈを有するコンデンサ３ｇｓが存在する一方で、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３の第４−６電極間には寄生容量ＣｇｄＴｔｈを有するコンデンサ３ｇｄが存在している状態と等価な状態が発生する。

なお、ここでは、１つの画素回路７に着目して説明したが、有機ＥＬディスプレイ全体では、画素回路７が多数存在する。このため、走査信号線Ｌｓｓも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌｓｓを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌｓｓ」と称する。

＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図３は、有機ＥＬ素子１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図３では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）、(ｃ)第１走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ２）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。

また、図３では、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１１〜ｔ１２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ１２〜ｔ１３）、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ１３〜ｔ１４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ１４〜ｔ１５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ１５〜ｔ１６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ１６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図３では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図４から図８は、基礎技術に係る画像表示装置を駆動させる際に、画素回路７に着目して、各期間において発生する画素回路７の電流の流れを例示する図である。図４から図８では、画素回路７のうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。

以下、図３および図４から図８を適宜参照しつつ、基礎技術に係る画像表示装置の駆動方法について説明する。

○Ｃｓ初期化期間Ｐ１：
図４では、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（以下適宜「期間Ｐ１」と略する）での画素回路７における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ１では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の正の高電位ＶＤＤ（例えば１５Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに所定の正の高電位ＶｇＨ（例えば１５Ｖ）が印加され、画像信号線Ｌｉｓに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加される。

このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３については、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、第６電極（ゲート）３ｇに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、導通状態となる。一方、駆動トランジスタ２については、ＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとが略同電位であるため、駆動トランジスタ２が実質的にオフとなり、非導通状態となる。

したがって、期間Ｐ１では、図４において白抜きの矢印で示すように、ＶＤＤ線ＬｖｄからＶｔｈ補償用トランジスタ３の第４および第５電極３ｄｓ，３ｓｄを介してコンデンサ４に向けて電流が流れ、コンデンサ４に所定量の電荷（例えば、１５Ｖに応じた電荷量）が蓄積される。

なお、期間Ｐ１における時間経過とともにコンデンサ４に蓄積される電荷量が高まると、駆動トランジスタ２において、第３電極（ゲート）２ｇに所定値を超える正電位が印加され、導通状態となることもあり得る。しかし、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓがともに同電位ＶＤＤに設定されているため、駆動トランジスタ２の第１−２電極間で電流は流れない。

○準備期間Ｐ２：
図５では、準備期間Ｐ２（以下適宜「期間Ｐ２」と略する）での画素回路７における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ２では、ＶＤＤ線Ｌｖｄに負の所定電位−Ｖｐ（例えば−７Ｖ）が印加され、ＶＳＳ線Ｌｖｓに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに所定の低電位ＶｇＬ（例えば−１０Ｖ）が印加され、画像信号線Ｌｉｓに所定の高電位ＶｄＨ（例えば１０Ｖ）が印加される。

このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３については、走査信号線Ｌｓｓにおける低電位ＶｇＬの印加により、第６電極（ゲート）３ｇにはほとんど正の電位が印加されないため、非導通状態となる。一方、駆動トランジスタ２については、画像信号線Ｌｉｓにおける高電位ＶｄＨの印加により、第３電極（ゲート）２ｇに高電位ＶｄＨに応じた正電位（例えば１５＋１０＝２５Ｖ）が印加され、導通状態となる。

そして、ＶＤＤ線ＬｖｄよりもＶＳＳ線Ｌｖｓの方がＶｐだけ電位が高いため、図５において白抜きの矢印で示すように、ＶＳＳ線Ｌｖｓから駆動トランジスタ２の第２および第１電極２ｓｄ，２ｄｓを介して、有機ＥＬ素子１に向けて電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１すなわち素子コンデンサ１ｃにＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとの間の電位差に応じた所定量の電荷（例えば７Ｖに応じた電荷）が蓄積される。

○Ｖｔｈ補償期間Ｐ３：
図６では、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（以下適宜「期間Ｐ３」と略する）での画素回路７における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ３では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに高電位ＶｇＨが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨ（例えば１０Ｖ）が印加される。

このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３については、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、第６電極（ゲート）３ｇに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、導通状態となる。また、駆動トランジスタ２については、期間Ｐ３の初期では、コンデンサ４に蓄積された電荷と画像信号線Ｌｉｓに印加された電位ＶｄＨにより、導通状態となる。

したがって、期間Ｐ３の初期では、図６において白抜きの矢印で示すように、コンデンサ４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ４からＶｔｈ補償用トランジスタ３の第５および第４電極３ｓｄ，３ｄｓ、更には駆動トランジスタ２の第１および第２電極２ｄｓ，２ｓｄを介してＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて流れる。また、素子コンデンサ１ｃに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ２の第１および第２電極２ｄｓ，２ｓｄを介してＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて流れる。

ところが、コンデンサ４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ４からＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて流れるにつれて、コンデンサ４に蓄積された電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに対する第３電極２ｇの電位Ｖｇｓ（以下「第３−２電極間」とも称する）が実質的に閾値Ｖｔｈまで減少すると、駆動トランジスタ２は、非導通状態となる。このとき、コンデンサ４には、閾値Ｖｔｈに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間Ｐ３では、閾値Ｖｔｈに応じた電荷がコンデンサ４に蓄積されて、画素ごとに異なる閾値Ｖｔｈのばらつきが補償される。

○書込期間Ｐ４：
図７では、書込期間Ｐ４（以下適宜「期間Ｐ４」と略する）での画素回路７における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ４では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ基準電位０Ｖが印加されるとともに、画素データ信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の実施対象画素において、走査信号線Ｌｓｓに高電位ＶｇＨが印加され、画像信号線Ｌｉｓに電位（ＶｄＨ−Ｖdata）が印加される。なお、電位Ｖdataは、画素データ信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。

このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３については、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、ゲートに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、導通状態となる。一方、駆動トランジスタ２については、画像信号線Ｌｉｓに対して、期間Ｐ３における電位ＶｄＨ以下の電位（ＶｄＨ−Ｖdata）が印加され、ゲート電圧が閾値Ｖｔｈ以下となるため、非導通状態となる。

したがって、期間Ｐ４では、図７において白抜きの矢印で示すように、有機ＥＬ素子１（すなわち素子コンデンサ１ｃ）からＶｔｈ補償用トランジスタ３の第４および第５電極３ｄｓ，３ｓｄを介してコンデンサ４に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ４に既に蓄積された閾値Ｖｔｈに応じた電荷の上に電位Ｖdataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間Ｐ４においては、コンデンサ４に有機ＥＬ素子１の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。換言すれば、期間Ｐ４では、画素回路７において画素データ信号に応じた電荷がコンデンサ４に蓄積される。

なお、コンデンサ４の第７電極４ａの電位（駆動トランジスタ２のゲート電位）の変化量は、画像信号線Ｌｉｓの電位の変化量と、コンデンサ４の保持容量Ｃｓと素子コンデンサ１ｃのＥＬ素子容量Ｃｏとの比（容量比）との積である。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Ｌｉｓの電位がＶｄＨからＶｄａｔａに変化する場合、駆動トランジスタ２のゲート電位が、（Ｖｄａｔａ−ＶｄＨ）・Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｏ）だけ変化する。例えば、ＶｄＨ＝１０Ｖ，Ｖdata＝５Ｖ、Ｃｓ：Ｃｏ＝１：２である場合には、画像信号線Ｌｉｓの電位が−５Ｖ変化し、駆動トランジスタ２のゲート電位は、有機ＥＬ素子１からコンデンサ４に対する電荷の移動により、（５−１０）・１／（１＋２）＝−５／３Ｖ変化する。このようにコンデンサ４に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Ｌｉｓの電位の変化が駆動トランジスタ２のゲート電位に反映される。

○素子初期化期間Ｐ５：
素子初期化期間Ｐ５（以下適宜「期間Ｐ５」と略する）については、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の負電位−Ｖｐが印加され、全走査信号線Ｌｓｓに低電位ＶｇＬが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨが印加される。このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３が非導通状態となり、駆動トランジスタ２が導通状態となる。そして、ＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとの間に電位差がなく、ＶＳＳ線Ｌｖｓが負電位−Ｖｐに設定されているため、有機ＥＬ素子１（すなわち素子コンデンサ１ｃ）に蓄積された電荷が、ＶＳＳ線Ｌｖｓに抜けて、有機ＥＬ素子１に蓄積された電荷が一掃される。

○発光期間Ｐ６：
図８では、発光期間Ｐ６（以下適宜「期間Ｐ６」と略する）での画素回路７における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ６では、ＶＤＤ線Ｌｖｄに正の高電位ＶＤＤが印加される一方で、ＶＳＳ線Ｌｖｓに基準電位０Ｖが印加され、走査信号線Ｌｓｓに低電位ＶｇＬが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨが印加される。

このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３については、走査信号線Ｌｓｓにおける低電位ＶｇＬの印加により、非導通状態となる。一方、駆動トランジスタ２については、画像信号線Ｌｉｓに対して高電位ＶｄＨが印加されるため、期間Ｐ４においてコンデンサ４に蓄積された電荷量（電位Ｖdataに応じた電荷量）に応じた電位分だけＶｇｓが、閾値Ｖｔｈよりも高くなり、導通状態となる。

例えば、Ｖdata＝５Ｖ、Ｃｓ：Ｃｏ＝１：２である場合には、期間Ｐ４においてコンデンサ４に蓄積される電荷が、閾値Ｖｔｈよりも５／３Ｖだけ低い電位（［Ｖｔｈ−５／３］Ｖ）に対応する。そして、期間Ｐ６では、画像信号線Ｌｉｓに対して期間Ｐ４よりもＶdata（＝５Ｖ）分だけ高い電位が印加され、第３電極（ゲート）２ｇに対して、閾値Ｖｔｈよりも１０／３Ｖだけ高い電位（［Ｖｔｈ＋１０／３］Ｖ＝［Ｖｔｈ−（５／３）＋５］Ｖ）が印加される。

そして、ＶＤＤ線ＬｖｄがＶＳＳ線Ｌｖｓよりも電位ＶＤＤ分だけ高電位であり、駆動トランジスタ２が電位Ｖdataに応じて第１−第２電極間で電流が流れる導通状態となる。このため、図８において白抜きの矢印で示すように、有機ＥＬ素子１に対して電位Ｖdataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１が電位Ｖdataに応じた輝度で発光する。つまり、期間Ｐ６では、各画素から画素データ信号に応じた輝度の光が出射される。

ここで、有機ＥＬ素子１が発光する際の駆動トランジスタ２に関して、Ｖｇｓ，Ｖｄａｔａ，Ｖｔｈの間には、下式（１）が成立する。

上式（１）のａ，ｄは定数である。

また、駆動トランジスタ２の第１−２電極間（ドレイン−ソース間）で流れる電流をＩｄｓとすると、下式（２）が成立する。

有機ＥＬ素子１の発光輝度は、有機ＥＬ素子１を流れる電流の密度（電流密度）に略比例するため、図３で示した駆動波形を用いた制御により、各画素において所望の発光輝度が得られる。

＜基礎技術における問題点＞
画像表示装置で表示される画面の実際の輝度（すなわち視認される輝度）は、時間順次に発光させている期間中の輝度にデューティー（有機ＥＬ素子１を１回発光させる１フレーム分の期間（以下「１フレーム期間」と称する）を占める発光期間Ｐ６の比率、すなわち［発光期間／１フレーム期間］）を乗じたものである。例えば、期間Ｐ６中の輝度が５００ｃｄ／ｍ²、デューティーが０．４（すなわち発光期間の占有率が４０％）の場合、実際の輝度は５００ｃｄ／ｍ²に０．４を乗じた２００ｃｄ／ｍ²になる。

ところで、上述したように、有機ＥＬ素子１の発光輝度は、有機ＥＬ素子１における電流密度に略比例するが、有機ＥＬ素子１を流れる電流密度が高ければ高いほど有機ＥＬ素子１の劣化が促進され、有機ＥＬ素子１の短寿命化、ひいては画像表示装置の寿命の短期化を招く。

ここで、画像表示装置の長寿命化を図るための１手法として、電流密度の低下を意図したデューティーの向上が考えられる。そして、デューティーを向上させるためには、１フレーム期間のうちの期間Ｐ６以外の期間Ｐ１〜Ｐ５を短くしなければならないが、期間Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５は既に十分短いため、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を短くする工夫が考えられる。

しかしながら、本願発明者らは、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を単に短くしたのでは、種々の問題が発生することを見出した。この問題について以下説明する。

図９は、駆動トランジスタ２における第３−２電極間（すなわちゲート−ソース間）の電位差（電圧値）Ｖｇｓと第１−２電極間（すなわちドレイン−ソース間）を流れる電流の電流値Ｉｄｓとの関係を例示する図である。図９では、上式（２）を用いて算出される電圧値Ｖｇｓと電流値Ｉｄｓとの関係が破線で示され、実験的に求められた電圧値Ｖｇｓと電流値Ｉｄｓとの関係が実線で示されている。

図９から明らかなように、電圧値Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈ（ここでは約２．１Ｖ）近傍に設定された場合、電流値Ｉｄｓについては、実測値の方が算出値よりも大きな値となる。つまり、駆動トランジスタ２では、電圧値Ｖｇｓ＝閾値Ｖｔｈに設定されても、ドレイン−ソース間を流れる電流（以下「漏れ電流」と称する）が発生する。

図１０は、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を２ミリ秒（ｍｓ）に設定した際における駆動トランジスタ２のゲート−ソース間の電位差（電圧値）Ｖｇｓの経時的な変化（実測値）を例示する図であり、図１１は、期間Ｐ３を２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタ２におけるドレイン−ソース間の電位差（電圧値）Ｖｄｓの経時的な変化（実測値）を例示する図である。ここでは、期間Ｐ３の開始時点では、電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓがともに８Ｖに設定されるように調整した。

なお、図１０および図１１の横軸が期間Ｐ３の開始時からの時間経過を示し、図１０の縦軸が電圧値Ｖｇｓを示し、図１１の縦軸が電圧値Ｖｄｓを示している。また、図１０および図１１では、閾値Ｖｔｈが異なる５種類の駆動トランジスタ２に係る電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓの経時変化、すなわち、上から順に、閾値Ｖｔｈ＝６．２Ｖの場合の経時変化（細線）、閾値Ｖｔｈ＝５．２Ｖの場合の経時変化（細破線）、閾値Ｖｔｈ＝４．２Ｖの場合の経時変化（細一点鎖線）、閾値Ｖｔｈ＝３．２Ｖの場合の経時変化（太線）、閾値Ｖｔｈ＝２．２Ｖの場合の経時変化（太破線）がそれぞれ示されている。

電圧値Ｖｇｓについては、図１０で示すように、期間Ｐ３の開始から１００μｓ程度で閾値Ｖｔｈに到達した後、ドレイン−ソース間における漏れ電流により徐々に低下した。そして、期間Ｐ３の開始から２ｍｓで期間Ｐ４に移行する際に、駆動トランジスタ２のゲート電位において、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３によるいわゆる突き抜け（Ｖｔｈ補償用トランジスタ３のゲート電位の変化に伴って寄生容量で電位が変動する現象）が生じて、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが、０．３〜０．４Ｖ程度急落した。その後は、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓは略一定で推移した。

なお、本明細書では、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３のゲート電位の変化により非導通状態に移行する際における駆動トランジスタ２のゲートの電位変化量を「突き抜け」と称する。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが略一定で保持されるのは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３がソース−ドレイン間で電流が流れ得ない非導通状態となり、コンデンサ４から電荷が抜けないからである。

また、期間Ｐ２において有機ＥＬ素子１（すなわち素子コンデンサ１ｃ）に蓄積された電荷に起因した電圧値Ｖｄｓについては、図１１で示すように、期間Ｐ３の初期（開始から７００μｓ迄）では急激に減少し、期間Ｐ３の中期から終期（７００μｓ〜２ｍｓ）にかけて徐々に減少した。そして、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際に、いわゆる突き抜けが生じて、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが、０．５Ｖ程度急落した。その後は、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓは略一定で推移した。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが略一定で保持される現象は下記メカニズムによるものである。図９で示したように、電圧値Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈを下回った後も、期間Ｐ３が十分な時間だけ継続されるため、駆動トランジスタ２のドレイン−ソース間における漏れ電流の発生により、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが十分低下される。その結果、駆動トランジスタ２のドレイン−ソース間で漏れ電流がほとんど発生しない状態に至るため、素子コンデンサ１ｃからＶＳＳ線Ｌｖｓに電荷がほとんど抜けないのである。なお、ＶｇｓがＶｔｈを下回る量はＶｔｈに依らないため、全画素で同じオフセット電圧が生じるだけであり、各画素のＶｔｈの違いを検出するのに支障は無い。

図１２は、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を０．２ミリ秒（ｍｓ）に設定した際の駆動トランジスタ２におけるゲート−ソース間の電位差（電圧値）Ｖｇｓの経時的な変化（実測値）を例示する図であり、図１３は、期間Ｐ３を０．２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタ２におけるドレイン−ソース間の電位差（電圧値）Ｖｄｓの経時的な変化（実測値）を例示する図である。ここでも、期間Ｐ３の開始時点では、電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓがともに８Ｖに設定されるように調整した。

なお、図１０および図１１と同様に、図１２および図１３の横軸が期間Ｐ３の開始時からの時間経過を示し、図１２の縦軸が電圧値Ｖｇｓを示し、図１３の縦軸が電圧値Ｖｄｓを示している。また、図１０および図１１と同様に、図１２および図１３では、閾値Ｖｔｈが異なる５種類の駆動トランジスタ２に係る電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓの経時変化、すなわち、上から順に、閾値Ｖｔｈ＝６．２Ｖの場合の経時変化（細線）、閾値Ｖｔｈ＝５．２Ｖの場合の経時変化（細破線）、閾値Ｖｔｈ＝４．２Ｖの場合の経時変化（細一点鎖線）、閾値Ｖｔｈ＝３．２Ｖの場合の経時変化（太線）、閾値Ｖｔｈ＝２．２Ｖの場合の経時変化（太破線）がそれぞれ示されている。

電圧値Ｖｇｓについては、図１２で示すように、期間Ｐ３（経過時間＝０〜０．２ｍｓ）の間に閾値Ｖｔｈを下回る値まで急速に減少する。そして、期間Ｐ３の開始から０．２ｍｓで期間Ｐ４に移行する際（経過時間＝０．２ｍｓ）に、駆動トランジスタ２のゲート電位において、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３のゲート電位変化による突き抜けが生じ、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが、０．３〜０．４Ｖ程度急落した。その後は、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓは略一定で推移した。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが略一定で保持されるのは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３がソース−ドレイン間で電流が流れ得ない非導通状態となり、コンデンサ４から電荷が抜けないからである。

一方、電圧値Ｖｄｓについては、図１３で示すように、期間Ｐ３の初期（経過時間＝０〜０．２ｍｓ）の間に急激に減少するとともに、急激な減少の途中で、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する。そして、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際（経過時間＝０．２ｍｓ）に、いわゆる突き抜けが生じて、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが０．５Ｖ程度急落した。更に、その後、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓは、時間経過とともに徐々に減少していく傾向を示した。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが時間経過とともに徐々に減少していくのは下記メカニズムによるものである。図９で示したように、電圧値Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈを下回った後に期間Ｐ３が少しの間だけしか継続されず、駆動トランジスタ２のドレイン−ソース間における漏れ電流が発生することにより駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが低下される量が十分でなく、駆動トランジスタ２のドレイン−ソース間で漏れ電流が発生する状態が維持される。このため、素子コンデンサ１ｃからＶＳＳ線Ｌｖｓに電荷が徐々に抜けていくこととなる。

そして、期間Ｐ４への移行からデータ書込処理が行われるまでの時間は、画像表示装置を構成する画素の位置や画像表示装置の駆動方法によっても異なり、素子コンデンサ１ｃからの電荷の抜け量は、期間Ｐ４への移行から３００μｓの間でも０．１Ｖ以上に達し、無視できない。

したがって、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を単に短くしたのでは、書込期間Ｐ４に移行した直後にデータ書込処理が行われる画素と、期間Ｐ４に移行してから相当な期間が経過された後にデータ書込処理が行われる画素との間で、素子コンデンサ１ｃから抜ける電荷量に差が出る。このため、データ書込処理時にコンデンサ４に蓄積される電荷量が素子間でばらつき、発光期間Ｐ６における駆動トランジスタ２のゲート電圧が所望の値からずれるため、画像表示装置の画面において所望の輝度が得られず、輝度のムラが発生してしまう。

また、書込期間Ｐ４では、１本の画像信号線Ｌｉｓに共通に接続されている複数の画素間において、１つの画素に対するデータ書込処理時に画像信号線Ｌｉｓに印加される電位がデータ書込処理前の他の画素に対して影響を及ぼす。

より詳細には、例えば、１つの画素において、高輝度に対応する電荷をコンデンサ４に蓄積する場合には、画像信号線Ｌｉｓに印加される電位が相対的に低くなり、低輝度に対応する電荷をコンデンサ４に蓄積する場合には、画像信号線Ｌｉｓに印加される電位が相対的に高くなる。したがって、１つの画素に係る画像信号線Ｌｉｓに高電位が印加される場合には、データ書込処理前の他の画素においても画像信号線Ｌｉｓに高電位が印加されるため、駆動トランジスタ２のゲート電圧が上昇し、駆動トランジスタ２のドレイン−ソース間で漏れ電流が発生し易くなる。

その結果、１本の画像信号線Ｌｉｓに共通に接続されている画素群のうち、低輝度の発光を行う画素が所定数以上存在している場合には、所望の輝度が得られない。つまり、１本の画像信号線Ｌｉｓに共通に接続されている複数画素のうちの低輝度の発光を行う画素が占める割合の違いにより、画像表示装置の画面において筋状のムラ（いわゆるクロストーク）の発生を招いてしまう。

そこで、本願発明者らは、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を短くしても、画面上に輝度ムラやクロストークが発生し難い画像表示装置およびその駆動方法を創出した。これについて以下に説明する。

＜第１実施形態＞
＜画像表示装置の概略構成＞
図１４は、本発明の第１実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。

携帯電話機１Ａは、表示制御部１００と表示部２００とを備えた携帯可能な電子機器であり、動画をはじめとした各種画像を表示部２００で表示する画像表示装置として機能する。なお、以下では、携帯電話機１Ａを適宜「画像表示装置１Ａ」とも称する。

表示制御部１００は、画像信号に基づいて、表示部２００における画像表示を制御する部位である。

表示部２００は、例えば、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ（organic electroluminescence display）と、表示制御部１００より供給される各種信号が入力されるドライバ手段とを備えて構成された部位である。有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する自発光型画像表示装置である。

また、有機ＥＬディスプレイは、発光輝度に対応するデータ信号（画素データ信号）を各画素に供給するための画像信号線と、当該画像信号線に対して略直交するように設けられ、各画素に走査信号を供給するための走査信号線とを有している。なお、走査信号は、各画素に画像信号線を介して画素信号を供給するタイミングを制御するための信号である。

一方、ドライバ手段は、画像信号線に対して電気的に接続され、画素信号を画像信号線に供給するタイミングを制御するＸドライバ（画像信号線駆動回路）と、走査信号線に対して電気的に接続され、走査信号を走査信号線に供給するタイミングを制御するＹドライバ（走査信号線駆動回路）とを備えている。例えば、携帯電話機１Ａでは、Ｘドライバは有機ＥＬディスプレイの短辺に沿って配置され、Ｙドライバは有機ＥＬディスプレイの長辺に沿って配置されている。

＜表示部の概略構成＞
図１５は、表示部２００の概略構成を示すブロック図である。なお、図１５では、方位関係を明確化するために直交するＸＹの２軸が示されている。

表示部２００は、有機ＥＬディスプレイＡＡ、タイミング発生回路ＴＣ、給電制御部ＥＣ、画像信号線駆動回路（Ｘドライバ）Ｘｄ、および走査信号線駆動回路（Ｙドライバ）Ｙｄを備えている。

有機ＥＬディスプレイＡＡには、多数の画素回路７Ａが縦方向（Ｙ方向）ならびに横方向（Ｘ方向）に沿ってマトリックス状（すなわち格子状）に配列されている。そして、Ｙ方向に平行な画素回路７Ａの列ごとに画像信号線Ｌｉｓがそれぞれ設けられ、各画像信号線Ｌｉｓが複数の画素回路７Ａに対して電気的に共通に接続されている。また、Ｘ方向に平行な画素回路７Ａの行ごとに、走査信号線Ｌｓｓがそれぞれ設けられ、各走査信号線Ｌｓｓが複数の画素回路７Ａに対して電気的に共通に接続されている。

タイミング発生回路ＴＣは、表示制御部１００から送られてくる画像データ（例えば、ＲＧＢの画素信号）Ｄに同期させて、画像信号線駆動回路Ｘｄから各画像信号線Ｌｉｓに対する画素信号の供給タイミングを制御する信号を画像信号線駆動回路Ｘｄに対して送出する一方、走査信号線駆動回路Ｙｄから各走査信号線Ｌｓｓに対する走査信号の供給タイミングを制御する信号を走査信号線駆動回路Ｙｄに対して送出する。

画像信号線駆動回路Ｘｄは、タイミング発生回路ＴＣからの信号に応答して、画像信号線Ｌｉｓに対して画素信号を供給する。一方、走査信号線駆動回路Ｙｄは、タイミング発生回路ＴＣからの信号に応答して、走査信号線Ｌｓｓに対して走査信号を供給する。このようなタイミング発生回路ＴＣの制御により、画像信号線Ｌｉｓを介して各画素回路７Ａに画素信号が適宜供給される。

給電制御部ＥＣは、各画素回路７Ａに対する電力（具体的には発光などに要する電力）の供給を制御する部分であり、ハードウェアすなわち回路構成によって実現されても良いし、ソフトウェアがＣＰＵで実行されることで実現されても良い。

＜画素回路の構成＞
図１６は、画像表示装置１Ａを構成する１画素の駆動回路（画素回路）７Ａの構成を例示する図である。

画素回路７Ａは、図１で示した基礎技術に係る画素回路７とほぼ同様な回路構成を有しているが、画素回路７Ａでは、基礎技術に係る画素回路７のＶｔｈ補償用トランジスタ３が、本発明の特徴的な機能・構成を有するＶｔｈ補償用トランジスタ３Ａに置換されている。

以下、第１実施形態に係る画素回路７Ａについて説明するが、ここでは、画素回路７Ａのうち、画素回路７と同様な部分には同じ符号を付して説明を省略し、異なる部分について主に説明する。

Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａは、基礎技術に係るＶｔｈ補償用トランジスタ３と同様に、駆動トランジスタ２の第１−２電極間（すなわちドレイン−ソース間）で電流が流れ得る駆動トランジスタ２の第３−２電極間（すなわちゲート−ソース間）の電位差（すなわちゲート電圧）の下限値（閾値Ｖｔｈ）を検出するとともに、駆動トランジスタ２のゲート電圧を閾値Ｖｔｈに調整するものである。なお、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａは、基礎技術に係るＶｔｈ補償用トランジスタ３と同様に、いわゆるｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。

また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａは、基礎技術に係るＶｔｈ補償用トランジスタ３と同様に他の部分と電気的に接続される。具体的には、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第４電極３ｄｓが、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓと有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されることで、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓに対して電気的に接続される。

また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第５電極３ｓｄが、接続点Ｔ１において駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇとコンデンサ４の第７電極４ａとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されることで、駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇに対して電気的に接続される。更に、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第６電極（ゲート）３ｇが、走査信号線Ｌｓｓに対して電気的に接続される。

そして、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａには第６−５電極間の寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡと第６−４電極間の寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡとが生じる。

図１７は、図２と同様に、図１６で示した画素回路７Ａの回路構成（図中太線で記載）に対して、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡ，ＣｇｄＴｔｈＡ，ＣｇｓＴｄ，ＣｇｄＴｄとＥＬ素子容量Ｃｏとに係る回路構成（図中細線で記載）を加えた模式図である。

図１７で示すように、画素回路７Ａでは、有機ＥＬ素子１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃｏを有するコンデンサ（素子コンデンサ）１ｃが存在し、駆動トランジスタ２の第２−３電極間には寄生容量ＣｇｓＴｄを有するコンデンサ２ｇｓが存在する一方で、駆動トランジスタ２の第１−３電極間には寄生容量ＣｇｄＴｄを有するコンデンサ２ｇｄが存在し、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第５−６電極間には寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを有するコンデンサ３Ａｇｓが存在する一方で、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第４−６電極間には寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡを有するコンデンサ３Ａｇｄが存在している状態と等価な状態が発生する。

画素回路７Ａでは、基礎技術とは異なり、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡ，ＣｇｄＴｔｈＡについて、下式（３）の関係を成立させることで、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡが増加するように調整されている。

上式（３）の関係を成立させる調整手法としては、例えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの素子構造において、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとの所謂オーバーラップ部分を、第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとのオーバーラップ部分よりも大きくする手法がある。より詳細には、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとが対向する面積の方が、第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとが対向する面積よりも大きくなれば、上式（３）の関係が成立する。

そして、例えば、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとが対向する面積を第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとが対向する面積よりも２倍以上大きくすることで、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとのオーバーラップ部分を、第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとのオーバーラップ部分よりも２倍以上とすることができる。その結果として、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを、寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡよりも２倍以上と十分大きな値に設定することができる。

以下、基礎技術に係る寄生容量ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈを共に３．６フェムトファラド（ｆＦ）とし、本実施形態では、寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡが３．６ｆＦ、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡが寄生容量ＣｇｓＴｔｈの５倍の１８ｆＦに設定されている例について説明する。

＜駆動方法＞
図１８は、画像表示装置１Ａを駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図１８では、図３と同様に、横軸が時刻を表し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）、(ｃ)第１走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ２）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。

また、図１８では、図３と同様に、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図１８では、図３と同様に、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

なお、画像表示装置１Ａの駆動時（具体的には期間Ｐ１〜Ｐ６）における画素回路７Ａの電流の流れについては、基礎技術に係る画素回路７におけるもの（すなわち、図４から図８で示したもの）と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、ＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとの間に対する電圧の印加、すなわち画素回路７Ａに対する電力の供給（給電）は、給電制御部ＥＣによって制御される。

また、図１８で示す期間Ｐ１〜Ｐ６において各部に印加される電位については、図３で示したものと同様なものとなっているため、ここでは説明を省略する。

ただ、図１８で示す期間Ｐ１〜Ｐ６の長さについては、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（図１８で砂地ハッチングが付された時刻ｔ３〜ｔ４の期間）のみが、図３で示した期間Ｐ３よりも短くなっている。

具体的には、図１８で示す期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）と図３で示した期間Ｐ１（時刻ｔ１１〜ｔ１２）とが同じ長さであり、図１８で示す期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）と図３で示した期間Ｐ２（時刻ｔ１２〜ｔ１３）とが同じ長さであり、図１８で示す期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）と図３で示した期間Ｐ４（時刻ｔ１４〜ｔ１５）とが同じ長さであり、図１８で示す期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）と図３で示した期間Ｐ５（時刻ｔ１５〜ｔ１６）とが同じ長さである一方、図１８で示すＶｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）の方が、図３で示した期間Ｐ３（時刻ｔ１３〜ｔ１４）よりも短くなっている。例えば、図３で示した期間Ｐ３が２ｍｓ、図１８で示す期間Ｐ３が０．２ｍｓであるような場合が挙げられる。

＜Ｖｔｈ補償期間の短縮化とその影響について＞
図１９は、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を０．２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタ２における第３−２電極間（すなわちゲート−ソース間）の電位差（電圧値）Ｖｇｓの経時的な変化（実測値）を例示する図であり、図２０は、期間Ｐ３を０．２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタ２における第１−２電極間（すなわちドレイン−ソース間）の電位差（電圧値）Ｖｄｓの経時的な変化（実測値）を例示する図である。ここでは、期間Ｐ３の開始時点では、電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓがともに８Ｖに設定されるように調整した。

図１０および図１１と同様に、図１９および図２０の横軸が期間Ｐ３の開始時からの時間経過を示し、図１９の縦軸が電圧値Ｖｇｓを示し、図２０の縦軸が電圧値Ｖｄｓを示している。

また、図１９および図２０では、図１０および図１１と同様に、閾値Ｖｔｈが異なる５種類の駆動トランジスタ２に係る電圧値Ｖｇｓ，Ｖｄｓの経時変化、すなわち、上から順に、閾値Ｖｔｈ＝６．２Ｖの場合の経時変化（細線）、閾値Ｖｔｈ＝５．２Ｖの場合の経時変化（細破線）、閾値Ｖｔｈ＝４．２Ｖの場合の経時変化（細一点鎖線）、閾値Ｖｔｈ＝３．２Ｖの場合の経時変化（太線）、閾値Ｖｔｈ＝２．２Ｖの場合の経時変化（太破線）がそれぞれ示されている。

電圧値Ｖｇｓについては、図１９で示すように、期間Ｐ３（経過時間＝０〜０．２ｍｓ）の間に閾値Ｖｔｈを下回る値まで急速に減少する。そして、期間Ｐ４に移行する際（経過時間＝０．２ｍｓ）に、駆動トランジスタ２のゲート電位において、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａのゲート電位の変化による突き抜けが生じ、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが、１Ｖ以上急落した。その後は、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓは略一定で推移した。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが略一定で保持されるのは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａが第４−５電極間（すなわちドレイン−ソース間）で電流が流れ得ない非導通状態となり、コンデンサ４から電荷が抜けないからである。

次に、電圧値Ｖｄｓについては、図２０で示すように、期間Ｐ３（経過時間＝０〜０．２ｍｓ）の間に急激に減少するとともに、急激な減少の途中で、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する。そして、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際（経過時間＝０．２ｍｓ）に、いわゆる突き抜けが生じて、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが０．５Ｖ程度急落した。その後は、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓは略一定で推移した。

このように、期間Ｐ４へ移行した後に、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｄｓが略一定で保持される現象は下記メカニズムによるものである。ここでは、図１９で示すように、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際において突き抜けによって駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが急落する量（例えば１Ｖ以上）が、図１０および図１２で示した基礎技術に係る突き抜けによって駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが急落する量（例えば約０．３〜０．４Ｖ）よりも２倍以上大きくなっているため、駆動トランジスタ２の電圧値Ｖｇｓが十分低下される。その結果、駆動トランジスタ２が、ソース−ドレイン間で漏れ電流がほとんど発生しない状態（実質的に非導通状態）となるため、素子コンデンサ１ｃからＶＳＳ線Ｌｖｓに電荷がほとんど抜けないこととなる。

ここで、突き抜けによって駆動トランジスタ２における電圧値Ｖｇｓの急落量が増加する理由について説明する。

駆動トランジスタ２のゲート電圧（電圧値Ｖｇｓ）のＶｔｈ補償用トランジスタ３Ａによる突き抜けの電圧（突き抜け電圧、すなわちゲート電位が変わったときに寄生容量で電位が変動する量）ＭＶは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａのゲート電位の高電位ＶｇＨ、低電位ＶｇＬを用いて、下式（４）で表される。

また、上述したように、本実施形態に係るＶｔｈ補償用トランジスタ３の寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡ，ＣｇｄＴｔｈＡについては、上式（３）の関係を成立させて、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを増加させている。そして、上式（４）で示すように、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡの増加により、突き抜け電圧の絶対値が増大すると、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際に駆動トランジスタ２のゲート電圧（電圧Ｖｇｓ）が急落する量が大きくなる。

このように、駆動トランジスタ２における電圧値Ｖｇｓの急落量が増大すると、駆動トランジスタ２がソース−ドレイン間で十分電流が流れ得ない非導通状態となる。このため、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４に移行した直後にデータ書込処理が行われる画素と、期間Ｐ４に移行してから相当な期間が経過された後にデータ書込処理が行われる画素とで、素子コンデンサ１ｃから抜ける電荷量にほとんど差が出ない。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を短くすることができる。

例えば、期間Ｐ３を２ｍｓから０．２ｍｓへと１．８ｍｓも短縮可能であり、この短縮分（１．８ｍｓ）を期間Ｐ６の延長に利用することで、基礎技術のデューティーが３０％の場合には、デューティーを４０．８％へと大幅に増大させることが可能である。このデューティーの増大により、視認される発光輝度が向上するため、同じ発光輝度を実現させるために要する電流密度を低減させることができる。

以上のように、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａにおいて、第５−６電極間の寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡが、第４−６電極間の寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡよりも大きな値となるように設定されている。このような構成により、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａが導通状態から非導通状態へと移行する際に発生する駆動トランジスタ２のゲート電位の変化量が増大するため、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を短くしても、駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態に至る。その結果、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３を短くしても、書込期間Ｐ４において画素ごとに画像データ信号に応じた電荷が蓄積されるまでに有機ＥＬ素子１に蓄積される電荷の低下量にほとんど差が出ない。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置１Ａの長寿命化を図ることができる。

また、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを、寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡよりも２倍以上と十分大きな値に設定すると、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａが導通状態から非導通状態へと移行する際に駆動トランジスタ２において発生するゲート電位の変化量が大きく増加する。このため、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３をより短くしても、書込期間Ｐ４に移行した際に駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態に至り易い。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置１Ａの長寿命化を更に図ることができる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａにおいて、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを寄生容量ＣｇｄＴｔｈＡよりも大きな値に設定することで、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａが導通状態から非導通状態に移行する際に発生する駆動トランジスタ２のゲート電位の低下量を増大させ、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４に移行した際に駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態に至り易くした。これに対し、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、画像信号線Ｌｉｓに印加される信号の電位を適宜調整することで、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４に移行した際に駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態に至るようにしている。

以下、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂについて説明する。

なお、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、物理的構成については、第１実施形態に係る画素回路７ＡのＶｔｈ補償用トランジスタ３Ａが、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂとされており、画素回路７Ａも形式的に符号を画素回路７Ｂとされている部分が異なるが、その他の部分は同様な構成となっている。このＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂは、基礎技術に係るＶｔｈ補償用トランジスタ３と同様に第５−６電極間および第４−６電極間の寄生容量ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈが略同一のものである。また、駆動波形については、画像信号線Ｌｉｓに印加される電位が異なるのみでその他の電位はほぼ同様である。したがって、以下では、第１実施形態と同様な部分や期間や電位については、同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる点について説明する。

図２１は、画像表示装置１Ｂを駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２１では、図３および図１８と同様に、横軸が時刻を表し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）、(ｃ)第１走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ２）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。

また、図２１では、図３および図１８と同様に、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されているが、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ６〜）を備えて構成されている。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図２１では、図３および図１８と同様に、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図２１で示す駆動波形では、４つの電位Ｖｄｄ，Ｖｓｓ，Ｖｌｓ１，Ｖｌｓ２については、図１８で示したものと同一の電位の波形を示す。

これに対し、画像信号線Ｌｉｓに印加される電位（電位Ｖｌｉｓ）については、図１８で示したものと比較して、時刻ｔ２〜ｔ４すなわち期間Ｐ２，Ｐ３における電位が、所定値αだけ高く設定されてＶｄＨ＋αとされている点が異なり、その他は同様な電位の波形を示す。

このように、期間Ｐ２，Ｐ３において電位Ｖｌｉｓを所定の高電位ＶｄＨよりも所定値αだけ高めに設定しておくと、コンデンサ４の第８の電極４ｂも電位ＶｄＨ＋αに設定され、期間Ｐ３において、コンデンサ４に蓄積されている電荷がＶＳＳ線Ｌｖｓに対してより速く且つ多めに抜ける。したがって、期間Ｐ３を短くしても、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓが十分低下するため、期間Ｐ４において駆動トランジスタ２が第１−２電極間で漏れ電流がほとんど発生しない状態（実質的に非導通状態）に至る。その結果、期間Ｐ４では、データ書込処理前の画素において、素子コンデンサ１ｃからＶＳＳ線Ｌｖｓに電荷が抜け難くなる。

また、別の観点から見れば、期間Ｐ３における電位Ｖｌｉｓが、期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓの最大値よりも高い電位に設定されている。このような電位の設定により、期間Ｐ４において、同一の画像信号線Ｌｉｓに対して共通に接続されている複数の画素のうち、１つの画素に対してデータ書込処理が行われる際にも、他の画素の駆動トランジスタ２において漏れ電流が発生し難くなる。

ところで、図２１で示す駆動波形では、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際にＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態となるのと略同時（時刻ｔ４）に、電位Ｖｌｉｓを０Ｖまで下げている。このＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態にされるタイミングと、電位Ｖｌｉｓ（すなわち第８電極４ｂに印加される電位）を下げるタイミングとの関係については、以下の点に留意することが好ましい。

例えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態とした後に、電位Ｖｌｉｓを下げることが好ましい。これは、電位Ｖｌｉｓが下げられてから、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態とされるまでに若干の期間が発生すると、この期間中にコンデンサ４に電荷が蓄積されて、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓの低下を阻害するからである。但し、期間Ｐ３の短縮化を図る観点から言えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態としてから、電位Ｖｌｉｓを下げるまでの期間は、短ければ短いほど好ましい。すなわち、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態にするタイミングと、電位Ｖｌｉｓを下げるタイミングとは、ほとんど同一であることが最も好ましい。

なお、期間Ｐ２，Ｐ３において電位Ｖｌｉｓが、ＶｄＨよりもαだけ高く設定されるが、この電位の増加分αについては、例えば、下記のように設定すれば良い。

例えば、閾値電圧Ｖｔｈ＝２．２Ｖの場合には、図１０で示したように、期間Ｐ３を２ｍｓとして、期間Ｐ３において駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓを約０．９Ｖまで下げると、図１１で示したように、期間Ｐ４において駆動トランジスタ２が非導通状態となる。これに対して、図１２で示したように、期間Ｐ３を０．２ｍｓまで短縮して、期間Ｐ２において駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓを約１．７Ｖまでしか下げなければ、図１３で示したように、期間Ｐ４において駆動トランジスタ２で漏れ電流が発生する状態となってしまう。この点から、期間Ｐ３を０．２ｍｓまで短縮するには、期間Ｐ３の終了時にコンデンサ４に蓄積される電荷量を約０．８（＝１．７−０．９）Ｖ分だけ下げれば良い。より詳細には、電位の増加分αを、コンデンサ４ならびに他のコンデンサの容量のうち、コンデンサ４の容量が占める比率（容量比）に基づいて設定すれば良い。

以上のように、第２の実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、期間Ｐ３における電位Ｖｌｉｓ（ここでは電位ＶｄＨ＋α）が、期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓの最大値（ここでは電位ＶｄＨ）よりも高い電位に設定される。このような構成によっても、期間Ｐ３を短くしても、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａが導通状態から非導通状態へと移行する際に、駆動トランジスタ２が漏れ電流がほとんど発生しない実質的に非導通状態となる。その結果、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４において、画素ごとに画素データ信号に応じた電荷が蓄積されるまでに有機ＥＬ素子１に蓄積される電荷の低下量にほとんど差が出ない。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、以下の点でより好ましいと言える。

例えば、寄生容量ＶｇｓＴｔｈを大きくするために、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂがオーバーラップ部分の増加によって大型化するようなこともない。つまり、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂについては、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、電位Ｖｌｉｓを調整する回路を変更する必要性はあるが、より簡素な画素回路７Ｂの構成を採用することができる。このため、有機ＥＬ素子１の発光輝度を調節する上で重要な駆動トランジスタ２やコンデンサ４などを形成するための領域が狭くなったりするような設計の自由度の低下を回避することができる点でより好ましい。

また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａのオーバーラップ部分を精度良く調整するのと比較して、電位Ｖｌｉｓの方が容易に精度良く調整することができる。更に、画素回路７Ｂが形成された後において、電位Ｖｌｉｓを調節することができる点でも好ましい。

＜第３実施形態＞
第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、電位Ｖｌｉｓ（すなわちコンデンサ４の第８電極４ｂの電位）を適宜調整することで、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４に移行する際に駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態となるようにした。これに対し、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃでは、ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（すなわち駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに印加される電位）を適宜調整することで、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４に移行する際に駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態となるようにしている。

以下、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃについて説明する。

なお、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃでは、画素回路の構成は、第２実施形態に係る画素回路７Ｂの構成と同様である。また、駆動波形については、第１実施形態に係る駆動波形と比較して、ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位が異なるがその他の電位はほぼ同様となっている。したがって、以下では、第１および第２実施形態と同様な部分や期間や電位については、同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる点について説明する。

図２２は、画像表示装置１Ｃを駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２２では、図３、図１８および図２１と同様に、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）、(ｃ)第１走査信号線Ｌｓｓに印加される電位（電位Ｖｌｓ１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌｓｓに印加される電位（電位Ｖｌｓ２）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。

また、図２２では、図３、図１８および図２１と同様に、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されているが、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ６〜）を備えて構成されている。なお、期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図２２では、図３、図１８および図２１と同様に、電位Ｖｌｉｓが存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図２２で示す駆動波形では、４つの電位Ｖｄｄ，Ｖｌｓ１，Ｖｌｓ２，Ｖｌｉｓについては、図１８で示したものと同一の電位の波形を示す。一方、ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）については、図１８で示したものと比較して、時刻ｔ２〜ｔ４すなわち期間Ｐ２，Ｐ３における電位が、所定値βだけ低く設定されて−βとされている点が異なるが、その他は同様な電位の波形を示す。

このように、期間Ｐ２，Ｐ３における電位Ｖｓｓを０Ｖよりもβだけ低めに設定しておくと、期間Ｐ３において、コンデンサ４に蓄積されている電荷がＶＳＳ線Ｌｖｓに対してより速く且つ多めに抜ける。したがって、期間Ｐ３を短くしても、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓが十分低下する。このため、期間Ｐ４において駆動トランジスタ２が第１−２電極間（すなわちドレイン−ソース間）で漏れ電流がほとんど発生しない状態（実質的に非導通状態）となる。その結果、期間Ｐ４において、データ書込処理前の画素では、素子コンデンサ１ｃからＶＳＳ線Ｌｖｓに電荷が抜け難くなる。

また、期間Ｐ３から期間Ｐ４にかけた電位Ｖｓｓの制御の観点から言えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態とされた期間においてＶＳＳ線Ｌｖｓに対して第１電位（ここでは、−β）が付与される。そして、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態から非導通状態に遷移するタイミングと略同時に電位Ｖｓｓが、第１電位から第１電位よりも相対的に高い第２電位（ここでは、０Ｖ）とされる。

ところで、図２２で示す駆動波形では、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際にＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態となるのと略同時（時刻ｔ４）に、電位Ｖｓｓを−βから０Ｖへと上げている。このＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態にされるタイミングと、電位Ｖｓｓ（すなわち駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄの電位）を上げるタイミングとの関係については、以下の点に留意することが好ましい。

例えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態とした後に、電位Ｖｓｓを上げることが好ましい。これは、電位Ｖｓｓが上げられてからＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが非導通状態とされるまでに若干の期間が発生すると、この期間中にコンデンサ４に電荷が蓄積され、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓの低下を阻害するからである。但し、期間Ｐ３の短縮化を図る観点から言えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態としてから、電位Ｖｓｓを上げるまでの期間は、短ければ短いほど好ましい。すなわち、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂを非導通状態にするタイミングと、電位Ｖｓｓを上げるタイミングとは、ほとんど同一であることが最も好ましい。

なお、電位Ｖｓｓの減少分βについては、第２実施形態においても説明したように、例えば、閾値電圧Ｖｔｈ＝２．２Ｖの場合には、期間Ｐ３を０．２ｍｓまで短縮するには、期間Ｐ３の終了時にコンデンサ４に蓄積される電荷量を約０．８（＝１．７−０．９）Ｖ分だけ下げれば良い。より詳細には、電位の減少分βを、コンデンサ４ならびに他のコンデンサの容量のうち、コンデンサ４の容量が占める比率（容量比）に基づいて設定すれば良い。

以上のように、第３の実施形態に係る画像表示装置１Ｃでは、期間Ｐ３において、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに電気的に接続されているＶＳＳ線Ｌｖｓに対して第１電位（ここでは、−β）が付与される。そして、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態から非導通状態に遷移するタイミングと略同時に電位Ｖｓｓが、第１電位から第１電位よりも相対的に高い第２電位（ここでは、０Ｖ）となるように制御される。このような構成により、期間Ｐ３を短くしても、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態から非導通状態へと移行する際に、駆動トランジスタ２が実質的に非導通状態に至る。その結果、期間Ｐ３を短くしても、期間Ｐ４において画素ごとに画素データ信号に応じた電荷が蓄積されるまでに有機ＥＬ素子１に蓄積される電荷の低下量にほとんど差が出ない。したがって、画面上における輝度ムラやクロストークの発生を抑制しつつ、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。

また、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃは、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂと同様に、有機ＥＬ素子１の発光輝度を調節する上で重要な駆動トランジスタ２やコンデンサ４などを形成するための領域が狭くなったりするような設計の自由度の低下を回避することができる点でより好ましい。

また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａのオーバーラップ部分を精度良く調整するのと比較して、電位Ｖｓｓの方が容易に精度良く調整することができる。更に、画素回路７Ｂが形成された後において、電位Ｖｓｓを調節することができる点でも好ましい。

＜変形例＞
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。

◎例えば、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、駆動トランジスタ２、およびＶｔｈ補償用トランジスタ３Ａが、ともにｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されたが、これに限られず、ともにキャリアが正孔であるタイプ（ｐ型）のＭＩＳ構造を採用した電界効果トランジスタの一種である薄膜トランジスタ、すなわちｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されても、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様な効果を得ることができる。

なお、ｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴでは、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴとは導通状態と非導通状態とを切り替える際のゲート電圧の正負が逆転するため、駆動トランジスタ２のゲート電位の変化量（すなわち、突き抜け電圧）が正の値である必要性がある。しかしながら、上記第１実施形態では、上式（４）の右辺の（ＶｇＬ−ＶｇＨ）が負であったが、ｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴでは、上式（４）の右辺の（ＶｇＬ−ＶｇＨ）が正の値に置換されるため、駆動トランジスタ２の突き抜け電圧は正の値となる。

◎また、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、上式（３）の関係が成立するようにＶｔｈ補償用トランジスタ３Ａの構造を調整したが、駆動トランジスタ２の突き抜け電圧は、画素回路７Ａに含まれる複数のコンデンサの容量比などといった回路設計上の要因によって種々変化させる必要性がある。

◎また、上記第１実施形態では、寄生容量ＣｇｓＴｔｈＡを増加させることで、突き抜け電圧の絶対値を増大させ、結果として、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際に駆動トランジスタ２のゲート電圧（電圧Ｖｇｓ）を増大させたが、これに限られない。

例えば、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第６電極３ｇに一方電極が電気的に接続され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ａの第５電極３ｓｄ、すなわち駆動トランジスタ２の第３電極２ｇに他方電極が電気的に接続されるようにコンデンサが設けられても、突き抜け電圧の絶対値の増大が可能であり、第１実施形態と同様な作用効果が得られる。

◎また、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、図２１で示したように、期間Ｐ２，Ｐ３における電位ＶｌｉｓをＶｄＨよりもαだけ高めに設定しておき、期間Ｐ４に移行する際に電位Ｖｌｉｓを０Ｖに低下させたが、これに限られない。

例えば、期間Ｐ２，Ｐ３における電位ＶｌｉｓをＶｄＨとし、期間Ｐ４に移行する際に電位Ｖｌｉｓを０Ｖよりもαだけ低い−αに低下させて、期間Ｐ３における電位Ｖｌｉｓが、期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓの最大値よりも高い電位に設定されても、上記第２実施形態と同様な作用効果を得ることができる。このような具体的な態様について、図２３を参照しつつ以下説明する。

図２３は、変形例に係る画像表示装置を駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２３では、図２１と同様な項目の電位の増減を示す波形が示されている。

図２３で示す駆動波形では、４つの電位Ｖｄｄ，Ｖｓｓ，Ｖｌｓ１，Ｖｌｓ２については、図２１で示したものと同一の電位の波形を示す。

一方、画像信号線Ｌｉｓに印加される電位（電位Ｖｌｉｓ）については、図２１で示したものと比較して、期間Ｐ２，Ｐ３（時刻ｔ２〜ｔ４）における電位Ｖｌｉｓが、所定値αだけ低い値（すなわち、ＶｄＨ）に設定され、期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）における電位Ｖｌｉｓの最小値および最大値が所定値αだけ低く設定され、最小値が−α、最大値がＶｄＨ−αとされている。このように、第２実施形態と比較して、期間Ｐ２〜Ｐ４における電位Ｖｌｉｓの絶対値は異なるものの、期間Ｐ３における電位Ｖｌｉｓが、期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓの最大値よりも高い電位に設定される点では変わりない。

そして、このような電位設定によっても、期間Ｐ３を短縮化しても、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際に、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓが十分低下するため、第２実施形態と同様な作用効果が得られる。

◎また、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、駆動トランジスタ２、およびＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが、ともにｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されたが、これに限られず、ともにキャリアが正孔であるタイプ（ｐ型）のＭＩＳ構造を採用した電界効果トランジスタの一種である薄膜トランジスタ、すなわちｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されても良い。

但し、駆動トランジスタ、およびＶｔｈ補償用トランジスタにｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴを適用した場合には、画素回路ならびにその駆動方法が若干異なる。

そこで、まず、駆動トランジスタ、およびＶｔｈ補償用トランジスタにｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴを適用した画素回路ならびにその基本的な駆動方法について説明し、次に、上記第２実施形態と同様に、画像信号線に印加される電位を適宜調整しつつ、Ｖｔｈ補償期間を短くしても、書込期間に移行した際に駆動トランジスタが実質的に非導通状態に至るようにする方法について説明する。

○ｐ型のトランジスタを適用した画素回路の構成：
図２４は、ｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成された駆動トランジスタとＶｔｈ補償用トランジスタとを用いた画素回路７Ｐの回路構成を示す図である。

画素回路７Ｐは、有機ＥＬ素子１と、４つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４と、２つのコンデンサ４Ｃｃ，４Ｃｓとを備えている。

有機ＥＬ素子１は、上記第１〜第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１と同様なものであり、アノード電極１ａが、トランジスタＴｒ２の一方電極Ｒ２ｄに対して電気的に接続され、カソード電極１ｂが接地される。

トランジスタＴｒ１は、有機ＥＬ素子１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１の発光輝度を調整するための駆動トランジスタであり、一方電極Ｒ１ｄ、他方電極Ｒ１ｓ、および制御電極（ゲート電極）Ｒ１ｇを備える。一方電極Ｒ１ｄは、トランジスタＴｒ２を介して有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａに対して電気的に接続され、他方電極Ｒ１ｓは、有機ＥＬ素子１が発光する際に高電位ＶＤＤが印加される電源線（ＶＤＤ線）Ｌｖｄに対して電気的に接続され、ゲート電極Ｒ１ｇは、コンデンサ４Ｃｃの一方電極Ｃｃａに対して電気的に接続される。そして、制御電極Ｒ１ｇに印加される電位により、一方電極Ｒ１ｄと他方電極Ｒ１ｓとの間で電流が流れる量が調整され、更に、一方電極Ｒ１ｄと他方電極Ｒ１ｓとの間で電流が流れ得る状態（導電状態）と流れ得ない状態（非導電状態）とが実現される。

トランジスタＴｒ２は、有機ＥＬ素子１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１の発光タイミングを調整するための発光制御用のトランジスタであり、一方電極Ｒ２ｄ、他方電極Ｒ２ｓ、および制御電極（ゲート電極）Ｒ２ｇを備える。一方電極Ｒ２ｄは、有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａに対して電気的に接続され、他方電極Ｒ２ｓは、トランジスタＴｒ１の一方電極Ｒ１ｄに対して電気的に接続され、制御電極Ｒ２ｇは、所定の電力供給線（発光制御線）Ｌｅｃに対して電気的に接続される。そして、発光制御線Ｌｅｃによって制御電極Ｒ２ｇに印加される電位により、一方電極Ｒ２ｄと他方電極Ｒ２ｓとの間で電流が流れ得る状態（導電状態）と流れ得ない状態（非導電状態）とが実現される。

トランジスタＴｒ３は、駆動トランジスタＴｒ１の閾値電圧（閾値Ｖｔｈ）を補償するためのＶｔｈ補償用トランジスタであり、一方電極Ｒ３ｄ、他方電極Ｒ３ｓ、および制御電極（ゲート電極）Ｒ３ｇを備える。一方電極Ｒ３ｄは、駆動トランジスタＴｒ１の制御電極Ｒ１ｇとコンデンサ４Ｃｃとを電気的に接続する配線に対して電気的に接続され、他方電極Ｒ３ｓは、駆動トランジスタＴｒ１の一方電極Ｒ１ｄとトランジスタＴｒ２の他方電極Ｒ２ｓとを電気的に接続する配線に対して電気的に接続され、制御電極Ｒ３ｇは、所定の電力供給線（オートゼロ線）Ｌａｔに対して電気的に接続される。そして、オートゼロ線Ｌａｔによって制御電極Ｒ３ｇに印加される電位により、一方電極Ｒ３ｄと他方電極Ｒ３ｓとの間で電流が流れ得る状態（導電状態）と流れ得ない状態（非導電状態）とが実現される。

トランジスタＴｒ４は、画素データ信号の電位を駆動トランジスタＴｒ１の制御電極Ｒ１ｇに対して作用させるか否かを調整するものであり、一方電極Ｒ４ｄ、他方電極Ｒ４ｓ、および制御電極（ゲート電極）Ｒ４ｇを備える。一方電極Ｒ４ｄは、画像信号線Ｌｉｓに対して電気的に接続され、他方電極Ｒ４ｓは、コンデンサ４Ｃｃの他方電極Ｃｃｂに対して電気的に接続され、制御電極Ｒ４ｇは、走査信号線Ｌｓｓに対して電気的に接続される。そして、走査信号線Ｌｓｓによって制御電極Ｒ４ｇに印加される電位により、一方電極Ｒ４ｄと他方電極Ｒ４ｓとの間で電流が流れ得る状態（導電状態）と流れ得ない状態（非導電状態）とが実現される。

コンデンサ４Ｃｓは、所定の容量Ｃｓを有し、一方電極Ｃｓａと他方電極Ｃｓｂとを備える。一方電極Ｃｓａは、駆動トランジスタＴｒ１とＶＤＤ線Ｌｖｄとを電気的に接続する配線に対して電気的に接続され、他方電極Ｃｓｂは、駆動トランジスタＴｒ１の制御電極Ｒ１ｇとコンデンサ４Ｃｃの一方電極Ｃｃａとを電気的に接続する配線に対して電気的に接続されることで、制御電極Ｒ１ｇ、一方電極Ｃｃａ、およびＶｔｈ補償用トランジスタＴｒ３の一方電極Ｒ３ｄに対して電気的に接続される。

コンデンサ４Ｃｃは、所定の容量Ｃｃを有し、一方電極Ｃｃａと他方電極Ｃｃｂとを備える。一方電極Ｃｃａは、駆動トランジスタＴｒ１の制御電極Ｒ１ｇ、コンデンサ４Ｃｓの他方電極Ｃｓｂ、およびＶｔｈ補償用トランジスタＴｒ３の一方電極Ｒ３ｄに対して電気的に接続され、他方電極Ｃｃｂは、トランジスタＴｒ４の他方電極Ｒ４ｓに対して電気的に接続される。

○ｐ型のトランジスタを適用した画素回路の駆動方法：
図２５は、画素回路７Ｐを１回発光させる駆動時の信号波形（駆動波形）を例示するタイミングチャートである。図２５では、横軸が時刻を表し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)オートゼロ線Ｌａｔに印加される電位（電位Ｖａｔ）、(ｃ)発光制御線Ｌｅｃに印加される電位（電位Ｖｅｃ）、(ｄ)走査信号線Ｌｓｓに印加される電位（電位Ｖｌｓ）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。

また、図２５では、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されているが、１回の発光に係る期間は、時間順次に、準備期間Ｐａ（時刻Ｔ１〜Ｔ２）、Ｖｔｈ補償期間Ｐｂ（時刻Ｔ２〜Ｔ３）、書込期間Ｐｃ（時刻Ｔ３〜Ｔ４）、および発光期間Ｐｄ（時刻Ｔ４〜Ｔ５）を備えて構成される。なお、図２５では、図３、図１８および図２１〜図２３と同様に、書込期間Ｐｃにおける電位Ｖｌｉｓが存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

以下、準備期間Ｐａ（以下「期間Ｐａ」と適宜略称する）、Ｖｔｈ補償期間Ｐｂ（以下「期間Ｐｂ」と適宜略称する）、書込期間Ｐｃ（以下「期間Ｐｃ」と適宜略称する）、および発光期間Ｐｄ（以下「期間Ｐｄ」と適宜略称する）における動作について説明する。

期間Ｐａ（時刻Ｔ１〜Ｔ２）では、電位Ｖｄｄが正の所定電位ＶＤＤ、電位Ｖｅｃ，Ｖｌｓがそれぞれ所定の低電位ＶｇＬ、電位Ｖｌｉｓが所定の基準電位ＶｄＨに設定される。また、期間Ｐａに入った直後に電位Ｖａｔが所定の高電位ＶｇＨから所定の低電位ＶｇＬに変更される。このとき、４つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４が全て導通状態となり、コンデンサ４Ｃｃ，４Ｃｓに所定の電荷が蓄積される。

次に、期間Ｐｂ（時刻Ｔ２〜Ｔ３）では、電位Ｖｄｄが正の所定電位ＶＤＤ、電位Ｖａｔ，Ｖｌｓがそれぞれ所定の低電位ＶｇＬ、電位Ｖｌｉｓが所定の基準電位ＶｄＨにそれぞれ設定されたままで維持される一方、電位Ｖｅｃが所定の低電位ＶｇＬから所定の高電位ＶｇＨに変更される。

この期間Ｐｂでは、まず、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４のうち、トランジスタＴｒ２が非導電状態に設定されることで、駆動トランジスタＴｒ１の他方電極Ｒ１ｓから一方電極Ｒ１ｄに向けて正の電荷が移動するとともに、Ｖｔｈ補償用トランジスタＴｒ３の他方電極Ｒ３ｓおよび一方電極Ｒ３ｄを介して駆動トランジスタＴｒ１の制御電極Ｒ１ｇに向けて正の電荷が移動する。このため、制御電極Ｒ１ｇの電位が上昇していく。そして、コンデンサ４Ｃｃに基準電位ＶｄＨと閾値Ｖｔｈとの差分（ＶｄＨ−Ｖｔｈ）に相当する電荷が蓄積された時点で、駆動トランジスタＴｒ１が非導通状態となる。

次に、期間Ｐｃ（時刻Ｔ３〜Ｔ４）では、電位Ｖｄｄが正の所定電位ＶＤＤ、電位Ｖｅｃが所定の高電位ＶｇＨ、電位Ｖｌｓが所定の低電位ＶｇＬにそれぞれ設定されたままで維持される一方、電位Ｖａｔが所定の高電位ＶｇＨに設定される。また、電位Ｖｌｉｓは適宜画素データ信号に応じた電位に設定され、最終的に電位Ｖｌｓが所定の高電位ＶｇＨに切り替えられる。

この期間Ｐｃでは、Ｖｔｈ補償用トランジスタＴｒ３が非導通状態となり、電位Ｖｌｉｓに応じた電荷、すなわち画素データ信号に応じた電荷がコンデンサ４Ｃｃに蓄積され、トランジスタＴｒ４が非導通状態に移行されることで、コンデンサ４Ｃｃに蓄積された電荷が画素回路７Ｐの外部に逃げられない状態となる。

期間Ｐｄ（時刻Ｔ４〜Ｔ５）では、電位Ｖｄｄが正の所定電位ＶＤＤ、電位Ｖａｔ，Ｖｌｓが所定の高電位ＶｇＨ、電位Ｖｌｉｓが所定の高電位ＶｄＨにそれぞれ設定され、電位Ｖｅｃが所定の低電位ＶｇＬに移行する。このとき、トランジスタＴｒ２が導通状態となるとともに、駆動トランジスタＴｒ１が、画素データ信号に応じた電流が流れ得る導通状態にある。このため、有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａからカソード電極１ｂに向けて、画素データ信号に応じた電流が流れ、有機ＥＬ素子１が所望の輝度で発光する。

○ｐ型のトランジスタが適用された画素回路に係るＶｔｈ補償期間の短縮化方法：
図２６は、画素回路にｐ型のトランジスタが適用された画像表示装置を駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２６では、図２５と同様な項目の電位の増減を示す波形が示されている。

図２６で示す駆動波形は、期間Ｐｂ（時刻Ｔ２〜Ｔ３）において、画像信号線Ｌｉｓに付与される電位Ｖｌｉｓが、書込期間Ｐｃ（時刻Ｔ３〜Ｔ４）における電位Ｖｌｉｓの最大値より低くなるように、基準電位ＶｄＨよりも所定電位αだけ低い電位（ＶｄＨ−α）に設定される点以外は、図２５で示す駆動波形と同様なものとなっている。

このように、期間Ｐｂにおける電位Ｖｌｉｓが、期間Ｐｃにおける電位Ｖｌｉｓの最大値より低くなるように調整されることで、期間Ｐｂにおいて、駆動トランジスタＴｒ１が非導通状態に至るのに要する時間が短縮化される。したがって、Ｖｔｈ補償期間Ｐｂを短くしても、Ｖｔｈ補償用トランジスタＴｒ３が導通状態から非導通状態へと移行する際に、駆動トランジスタＴｒ１が漏れ電流がほとんど発生しない実質的に非導通状態となる。その結果、第２実施形態と同様な作用効果を得ることができる。

◎また、上記第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃでは、図２２で示したように、期間Ｐ２，Ｐ３においてＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位Ｖｓｓを０Ｖよりも所定値βだけ低めに設定しておき、期間Ｐ４に移行する際に電位Ｖｓｓを０Ｖに上昇させたが、これに限られない。

例えば、期間Ｐ２，Ｐ３における電位Ｖｓｓを０Ｖとし、期間Ｐ４に移行する際に電位Ｖｓｓを０Ｖよりも所定値βだけ高い電位に上昇させても良い。つまり、期間Ｐ３においてＶＳＳ線Ｌｖｓに対して第１電位（ここでは、０Ｖ）が付与され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態から非導通状態に遷移するタイミングと略同時に電位Ｖｓｓが、第１電位から第１電位よりも相対的に高い第２電位（ここでは、＋β）とされても良い。このような具体的な態様について、図２７を参照しつつ以下説明する。

図２７は、変形例に係る画像表示装置を駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２７では、図２２と同様な項目の電位の増減を示す波形が示されている。

図２７で示す駆動波形では、４つの電位Ｖｄｄ，Ｖｌｓ１，Ｖｌｓ２，Ｖｌｉｓについては、図２２で示したものと同一の電位の波形を示す。

一方、ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位Ｖｓｓについては、図２２で示したものと比較して、期間Ｐ２，Ｐ３（時刻ｔ２〜ｔ４）および期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）における電位が、所定値βだけ高くなるように制御される。つまり、電位Ｖｓｓが、期間Ｐ２，Ｐ３で所定の基準電位（ここでは０Ｖ）に設定され、期間Ｐ４で所定値βに設定される。このように、第３実施形態と比較して、期間Ｐ２〜Ｐ４における電位Ｖｓｓの絶対値は異なるものの、期間Ｐ３においてＶＳＳ線Ｌｖｓに対して第１電位（ここでは、０Ｖ）が付与され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが導通状態から非導通状態に遷移するタイミングと略同時に電位Ｖｓｓが、第１電位から第１電位よりも相対的に高い第２電位（ここでは、＋β）とされる点では変わりない。

このような電位の設定により、期間Ｐ３から期間Ｐ４に移行する際に、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖｇｓが十分低下することとなり、結果的に、第３実施形態と同様な作用効果が得られる。

◎また、上記第３実施形態に係る画像表示装置１Ｃでは、駆動トランジスタ２、およびＶｔｈ補償用トランジスタ３Ｂが、ともにｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されたが、これに限られず、ともにキャリアが正孔であるタイプ（ｐ型）のＭＩＳ構造を採用した電界効果トランジスタの一種である薄膜トランジスタ、すなわちｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されても良い。

但し、駆動トランジスタ、およびＶｔｈ補償用トランジスタにｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴを適用した場合には、画素回路ならびにその駆動方法が若干異なる。このｐ型のトランジスタを適用した画素回路の構成については、上記の如く図２４を示して説明した画素回路７Ｐが挙げられる。

ここで、画素回路７Ｐにおいて、上記第３実施形態と同様に、有機ＥＬ素子が発光する際に駆動トランジスタにおいてソースとなる電極に印加される電位を適宜調整しつつ、Ｖｔｈ補償期間を短くしても、書込期間に移行した際に駆動トランジスタが実質的に非導通状態に至るようにする方法について説明する。

図２８は、画素回路にｐ型のトランジスタが適用された画像表示装置を駆動させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２８では、図２５と同様な項目の電位の増減を示す波形が示されている。

図２８で示す駆動波形は、期間Ｐｂ（時刻Ｔ２〜Ｔ３）においてＶＤＤ線Ｌｖｄに付与される電位Ｖｄｄが、所定の高電位ＶＤＤよりも所定値だけ高い電位に設定される以外は、図２５で示す駆動波形と同様なものとなっている。つまり、図２８で示す駆動波形では、期間ＰｂにおいてＶＤＤ線Ｌｄｄ（すなわち、駆動トランジスタＴｒ１の他方電極Ｒ１ｓ）に対して第１電位（ここでは、ＶＤＤ＋β）が付与され、Ｖｔｈ補償用トランジスタＴｒ３が導通状態から非導通状態に遷移するタイミングと略同時に電位Ｖｄｄが、第１電位から第１電位よりも相対的に低い第２電位（ここでは、所定の高電位ＶＤＤ）となるように制御される。

このように、期間Ｐｂにおける電位Ｖｄｄが、期間Ｐｃにおける電位Ｖｄｄよりも高めに調整されることで、期間Ｐｂを短くしても、Ｖｔｈ補償用トランジスタＴｒ３が導通状態から非導通状態へと移行する際に、駆動トランジスタＴｒ１が漏れ電流がほとんど発生しない実質的に非導通状態となる。その結果、第３実施形態と同様な作用効果を得ることができる。

◎また、上記実施形態では、画像表示装置の一例として、携帯電話機を例示して説明したが、これに限られず、例えば、ノート型パソコンや家庭用の薄型テレビ装置などといったその他の画像表示装置を含む画像表示装置一般に本発明を適用しても、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。

◎また、上記実施形態では、有機ＥＬディスプレイを用いた画像表示装置を挙げて説明したが、本発明の適用対象はこれに限られず、例えば、電流量によって発光輝度が調整されるタイプ（電流制御型）の素子が配列された画像表示装置一般に本発明を適用することができる。

基礎技術に係る画像表示装置の画素回路７を例示する図である。 画素回路７において発生する寄生容量を模式的に示す図である。 基礎技術に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。 Ｃｓ初期化期間での画素回路７における電流の流れを例示する図である。 準備期間での画素回路７における電流の流れを例示する図である。 Ｖｔｈ補償期間での画素回路７における電流の流れを例示する図である。 書込期間での画素回路７における電流の流れを例示する図である。 発光期間での画素回路７における電流の流れが例示する図である。 駆動トランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧とドレイン−ソース間の電流との関係を例示する図である。 Ｖｔｈ補償期間を２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧値の経時変化を例示する図である。 Ｖｔｈ補償期間を２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタにおけるドレイン−ソース間の電圧値の経時変化を例示する図である。 Ｖｔｈ補償期間を０．２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧値の経時変化を例示する図である。 Ｖｔｈ補償期間を０．２ｍｓに設定した際の駆動トランジスタにおけるドレイン−ソース間の電圧値の経時変化を例示する図である。 第１実施形態に係る画像表示装置１Ａの概略構成を例示する図である。 第１実施形態に係る表示部２００の構成を例示するブロック図である。 画像表示装置１Ａの画素回路７Ａを例示する図である。 画素回路７Ａにおいて発生する寄生容量を模式的に示す図である。 画素回路７Ａの駆動波形を示すタイミングチャートである。 駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧の経時変化を示す図である。 駆動トランジスタのドレイン−ソース間電圧の経時変化を示す図である。 第２実施形態に係る駆動波形を示すタイミングチャートである。 第３実施形態に係る駆動波形を示すタイミングチャートである。 変形例に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。 変形例に係る画像表示装置の画素回路７Ｐを例示する図である。 変形例に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。 変形例に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。 変形例に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。 変形例に係る画像表示装置の駆動波形を示すタイミングチャートである。

符号の説明

１ 有機ＥＬ素子
１Ａ〜１Ｃ 画像表示装置
２，Ｔｒ１ 駆動トランジスタ
２ｓｄ 第２電極
３，３Ａ，３Ｂ，Ｔｒ３ Ｖｔｈ補償用トランジスタ
４，４Ｃｃ，４Ｃｓ コンデンサ
４ｂ 第８電極
７，７Ａ〜７Ｃ 画素回路
Ｃｃｂ，Ｒ１ｓ 他方電極
ＥＣ 給電制御部
Ｐ３ Ｖｔｈ補償期間
Ｐ４ 書込期間
ＴＣ タイミング発生回路

Claims (11)

1. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、
   前記第５の電極と前記第６の電極との間の寄生容量が、前記第４の電極と前記第６の電極との間の寄生容量よりも大きな値に設定されていることを特徴とする画像表示装置。
2. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整する第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整する第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、
   前記第６の電極が、
   前記第５の電極と対向する部分の面積の方が、前記第４の電極と対向する部分の面積よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする画像表示装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、
   前記第５の電極と前記第６の電極との間の寄生容量が、前記第４の電極と前記第６の電極との間の寄生容量の２倍以上の値に設定されていることを特徴とする画像表示装置。
4. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第８の電極に付与される電位が、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも高い電位に設定されることを特徴とする画像表示装置。
5. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第８の電極に付与される電位が、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも低い電位に設定されることを特徴とする画像表示装置。
6. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
   前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第２の電極に対して第１の電位が付与され、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも高い第２の電位となるように制御する制御部を設けたことを特徴とする画像表示装置。
7. 画像表示装置であって、
   電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、を備え、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
   前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される補償期間において、前記第２の電極に対して第１の電位が付与され、前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも低い第２の電位となるように制御する制御部を設けたことを特徴とする画像表示装置。
8. 電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、
   を備える画像表示装置の駆動方法であって、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
   前記第８の電極に対し、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも高い第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、
   前記第８の電極に対し、前記第１の電位よりも低い第２の電位が付与されるとともに、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込ステップと、
   を備えることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
9. 電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
   第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、
   第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、
   第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、
   を備える画像表示装置の駆動方法であって、
   前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
   前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
   前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
   前記第８の電極に対し、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込期間において前記第８の電極に付与される電位の最大値よりも低い第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで、前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、
   前記第８の電極に対し、前記第１の電位よりも高い第２の電位が付与されるとともに、前記コンデンサに前記発光素子の発光輝度に応じた電荷が蓄積される書込ステップと、
   を備えることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
10. 電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
    第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第１のトランジスタと、
    第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｎ型の第２のトランジスタと、
    第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、
    を備える画像表示装置の駆動方法であって、
    前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
    前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
    前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
    前記第２の電極に対して第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、
    前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも高い第２の電位とされるステップと、
    を備えることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
11. 電流量によって発光輝度が変化する発光素子と、
    第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第１のトランジスタと、
    第４、第５、第６の電極を有し、前記第４の電極と前記第５の電極との間における電流量を、前記第６の電極に印加される電位によって調整するｐ型の第２のトランジスタと、
    第７、第８の電極を有し、前記第７の電極と前記第８の電極との間で容量を形成するコンデンサと、
    を備える画像表示装置の駆動方法であって、
    前記第１の電極は、前記発光素子に対して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を調整することで、前記発光素子における電流量が制御され、
    前記第４の電極は前記第１の電極に、前記第５の電極は前記第３の電極に、それぞれ電気的に接続され、
    前記第７の電極が前記第３の電極に電気的に接続されており、
    前記第２の電極に対して第１の電位が付与されるとともに、前記第２のトランジスタが前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得る導通状態に設定されつつ、前記コンデンサに前記第１のトランジスタの閾値電圧に応じた電荷が蓄積されることで前記閾値電圧が補償される閾値補償ステップと、
    前記第２のトランジスタが前記導通状態から前記第４の電極と前記第５の電極との間で電流が流れ得ない非導通状態に移行するタイミングと略同時に、前記第２の電極に対して付与される電位が、前記第１の電位から前記第１の電位よりも低い第２の電位とされるステップと、
    を備えることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。

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