NL1025134C2 - Organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix en daarvoor bestemde dunne-filmtransistor. - Google Patents

Description

Korte aanduiding: Organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix en daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.

[0001] Deze aanvrage roept de prioriteit in van de Koreaanse octrooiaanvrage P2002-040409, ingediend op 11 juli 2002, waarvan de inhoud als hier ingelast wordt beschouwd.

5 ACHTERGROND VAN DE UITVINDING

Gebied van de uitvinding

[0002] De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een organische licht emitterende diode (OLED)en meer in het bijzonder op een organische licht emitterende diode met actieve matrix (AMOLED) en op 10 een daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.

Bespreking van de stand van de techniek

[0003] Beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen (LCD's) zijn algemeen gebruikt daar waar beeldweergevende inrich- 15 tingen met een vlak paneel worden toegepast als gevolg van hun laag gewicht en hun lage stroomopname. Echter is een beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD) geen licht emitterend element docht een licht ontvangend element dat voor het weergeven van beelden een hulplichtbron nodig heeft. Er zijn dan ook technische 20 beperkingen aan de verbeteringen van helderheid, contrastverhou-ding, zichthoek, en aan de mogelijkheden van het vergroten van de afmeting van een beeldweergevend paneel met vloeiende kristallen.

Als gevolg hiervan zijn er vele onderzoekingen uitgevoerd op dit gebied met als doel het ontwikkelen van een nieuw beeldweergevend 25 element met vlak paneel waarmee de hierboven beschreven problemen kunnen worden ondervangen. De inrichting met een organische licht emitterende diode (OLED) is een van de nieuwere beeldweergevende elementen met vlak paneel. Omdat een organische licht emitterende diode (OLED) licht emitteert zonder dat daarbij een hulplichtbron 30 nodig is zijn de zichthoek en de contrastverhouding superieur aan die van een beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD). Omdat er geen achtergrondverlichting als lichtbron nodig is zijn er de voordelen van een licht gewicht, kleine afmetingen en 1025134 - 2 - een lage stroomopname. Voorts kan een organische licht emitterende diode (OLED) worden gestuurd met een lage gelijkstroom en heeft een dergelijke inrichting een snelle responsietijd. Omdat de organische licht emitterende diode (OLED) inrichting gebruikmaakt van een vast 5 materiaal in plaats van een vloeiend materiaal zoals een vloeiend kristal is een dergelijke inrichting stabieler tegen externe stoten en heeft een groter bereik van werktemperaturen waarbij de organische licht emitterende diode (OLED) inrichting nog kan worden bedreven, dit vergeleken met de beeldweergevende inrichting met vloeien-10 de kristallen (LCD). Meer in het bijzonder heeft de inrichting met organische licht emitterende diode (OLED) het voordeel dat de kosten van vervaardiging laag zijn. Omdat slechts een toestel voor het neerslaan van materialen en een inkapselapparaat nodig zijn voor het vervaardigen van de inrichting met de organische licht emitte-15 rende diode (OLED), dit in tegenstelling tot beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen (LCD's) of plasmabeeldweerge-vende panelen (PDP's) die vele andere toestellen vergen voor het vervaardigen daarvan, is het vervaardigingsproces voor de inrichting met de organische licht emitterende diode (OLED) bijzonder eenvoudig. 20 Wanneer de inrichting met de organische licht emitterende diode is een inrichting met een organische licht emitterende diode met actieve matrix (AMOLED), welke als schakelend element voor elk pixel gebruikmaakt van een dunne-filmtransistor, kan reeds bij het aanleggen van een kleine stroom een gewenste luminantie worden verkregen. De inrich-25 ting met organische licht emitterende diode (OLED) heeft dan ook de voordelen van een lage stroomopname, een hoge resolutie en grote mogelijke afmetingen. De basisstructuur en de werkkarakteristieken van de organische licht emitterende diode inrichting (AMOLED) met actieve matrix zullen in het hiernavolgende aan de hand van fig. 1 worden toege-30 licht.

[0004] Fig. 1 toont de structuur van een pixel van een typische inrichting met organische licht emitterende diode en actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek.

[0005] Zoals fig. 1 toont is een aftastende lijn gevormd in een eer-35 ste richting, en zijn signaalvoerende lijnen en voedende lijnen 2 respectievelijk 3 gevormd in de tweede richting die dwars staat op de eerste richting. De aftastende lijn 1 en de voedende lijnen 2 en 3 definiëren een pixelgebied op het onderlinge kruispunt. Een schakelende dunne-filmtransistor 4 die werkt als adresserend element is gevormd in I 025 134 - 3 - een gedeelte grenzend aan het kruispunt van de aftastende lijn 1 en de signaallijn 2. Een opslagcondensator 6 is elektrisch verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor 4 en de voedende lijn 3. Een aansturende dunne-filmtransistor die werkzaam is als stroombronelement 5 is 5 elektrisch verbonden met de opslagcondensator 6 en de voedende lijn 3. Een elektroluminescerende diode 7 is elektrisch verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor 5. Meer in het bijzonder heeft de organische licht emitterend inrichting met actieve matrix (AMOLED) de schakelende dunne-filmtransistor 4 en de aansturende dunne-filmtran-10 sistor 5 in een pixel. De schakelende dunne-filmtransistor 4 is bestemd voor het adresseren van een pixelspanning, die is een de poort aansturende spanning, en de aansturende dunne-filmtransistor 5 is bestemd voor het besturen van de aansturende stroom voor de organische licht emitterende diode inrichting met actieve matrix (AMOLED). Boven-15 dien vergt de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) de opslagcondensator 6 voor het handhaven van een stabiele pixelspanning.

[0006] Fig. 2A toont een vlak aanzicht van een dunne-filmtransistor voor een typische geïnverteerd verschoven organische licht emitte- 20 rende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek.

[0007] Zoals fig. 2A toont is een poortelektrode 2 in één richting gevormd, en is een halfgeleidende laag 14 met een eilandvormig patroon zodanig gevormd dat deze de poortelektrode 12 bedekt. De bron- en af- 25 voerelektroden 16 en 18 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 14 en wel zodanig dat zij respectievelijk delen van de poortelektrode 12 overlappen. De bronelektrode 16 is een verlenging van de voedende lijn 20, die is gevormd in dezelfde richting als de poortelektrode 12. Hoewel niet in fig. 2A getoond is de afvoerelektrode 18 elektrisch ver-30 bonden met een (niet getoonde) eerste elektrode voor de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) terwijl de poortelektrode 12 elektrisch is verbonden met een (niet getoonde) afvoerelektrode van de schakelende dunne-filmtransistor. Hoewel niet in fig. 2A getoond heeft de organische licht emitterende diode-inrich-35 ting met actieve matrix (AMOLED) een opslagcondensator (niet getoond) welke elektrisch is verbonden met de voedende lijn en die werkzaam is voor het stabiel handhaven gedurende een bepaalde tijdsperiode van een de pixel aansturende spanning.

J 0251 3 4 - 4 -

[0008] In de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek overlapt de poortelektrode 12 delen van de bronelektrode 16 en de afvoerelektrode 18 waardoor een afstand "dl" in stand wordt gehouden tussen de bron-5 elektrode 16 en de afvoerelektrode 18. Een eerste overlappend gedeelte "a" tussen de poortelektrode 12 en de bronelektrode 16 is symmetrisch ten opzichte van een tweede overlappend gedeelte "b" tussen de poortelektrode 12 en de afvoerelektrode 18 ten opzichte van de hartlijn van de poortelektrode 12.

10 [0009] Fig. 2B toont een dwarsdoorsnede over de lijn IIB-IIB in fig.

2A.

[0010] Zoals fig. 2B toont is de poortelektrode 12 gevormd op een substraat 10 en de de poort isolerende laag 13 is gevormd op het gehele substraat 10, waarop reeds de poortelektrode 12 is gevormd.

15 De halfgeleidende laag 14 is gevormd op de de poort isolerende laag 13 en wel zodanig dat de poortelektrode 12 wordt bedekt. De bronelektrode 16 en de afvoerelektrode 18 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 14 en liggen op afstand van elkaar. Parasitaire condensatoren CGS en CGD worden gevormd in de eerste respectievelijk de 20 tweede overlappende delen "a" respectievelijk "b". De capacitaire capaciteiten CGS respectievelijk CGd hebben dezelfde capaciteits-waarde. In de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek worden de oppervlakken van de eerste en de tweede overlappende delen "a” en ”b” 25 zo klein mogelijk gehouden om de parasitaire capaciteiten Cgs respectievelijk Cgd ook zo klein mogelijk te doen zijn. Omdat anderzijds een dunne-filmtransistor bij een inrichting met vloeiende kristallen (LCD) volgens de stand van de techniek slechts werkzaam is als schakelend element en de dataspanning wordt bestuurd afhankelijk van een gemeen-30 schappelijke spanning vormt de schakelende dunne-filmtransistor een parasitaire capaciteit, en deze parasitaire capaciteit introduceert een verschijnsel van flikkeren en overspraak dat de kwaliteit van de weergegeven beelden verslechtert.

[0011] Echter in de organische licht emitterende diode-inrichting 35 met actieve matrix (AMOLED) is het, omdat van een beeld de grijsschaal moet worden weergegeven door een besturing van de stroom in de aansturende dunne-filmtransistor, zeer belangrijk een constante stroom te handhaven teneinde een goede kwaliteit van de weergegeven beelden te verkrijgen. Meer in het bijzonder zal, wanneer het niveau van de span- 1025134 - 5 - ning niet stabiel kan worden gehandhaafd door middel van de opslagcondensator, het stroomniveau aanzienlijk fluctueren, en dan kunnen geen beelden met goede kwaliteit worden weergegeven. De opslagcondensator speelt dan ook een zeer belangrijke rol in de organische licht 5 emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED). De organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) is een stroom modulerend element, waarin de bron- en afvoerrichtingen van een pixelspanning reeds vastliggen, en waarin, in tegenstelling tot een beeld weergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD) er 10 geen polariteitsomkering van positief naar negatief optreedt.

[0012] Apart van de hierboven beschreven verschillen tussen de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) en de beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen wordt er een overlappend gebied gevormd tussen de poortelektrode en de bron- 15 elektrode dat gelijk is aan het overlappend gebied tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode in de aansturende dunne-filmtransis-tor, zoals de schakelende dunne-filmtransistor. De grootte van de pixelspanning hangt aldus af van de grootte van een aanvullende opslagcondensator. Er kan dan een onderbreking optreden in aangrenzende 20 metalen patronen in de zone van de opslagcondensator, wat erin resulteert dat het product niet meer goed werkt.

SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

[0013] De onderhavige uitvinding is aldus gericht op een organi-25 sche licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) welke in hoofdzaak één of meer van de hierboven beschreven problemen resulterend uit de beperkingen en nadelen van de stand van de techniek ondervangt.

[0014] Een ander doel van de uitvinding is het verschaffen van een 30 aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) met een structuur waarin een overlappende zone wordt gevormd tussen een poortelektrode en een bronelektrode die groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en een afvoerelektrode, zodanig dat de overlappende zone 35 tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel vormt.

[0015] Aanvullende kenmerken en voordelen van de uitvinding zijn gegeven in de nuvolgende beschrijving en zullen daaruit blijken, danwel kunnen worden geleerd door het in de praktijk brengen van de uit- i 0251 34 - 6 - vinding. De doeleinden en andere voordelen van de uitvinding zullen worden gerealiseerd en bereikt met de structuur zoals deze in het bijzonder is weergegeven in de geschreven beschrijving en in de conclusies en is getoond in de tekening.

5 [0016] Teneinde deze en andere voordelen te bereiken en in overeen stemming met de doeleinden van de uitvinding zoals belichaamd en ruim beschreven omvat een aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) met eerste en tweede elektroden, gelegen op afstand van 10 elkaar, en een organische licht-emitterende laag aangebracht tussen de eerste en de tweede elektroden, een poortelektrode op een substraat, een halfgeleidende laag over de poortelektrode, en bron- en afvoer-elektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelek-troden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de 15 poortelektrode overlappen, terwijl een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

[0017] Een isolerende laag is aangebracht tussen de poortelektrode en de halfgeleidende laag. Het overlappend gedeelte tussen de poort- 20 elektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel. De halfgeleidende laag heeft een actieve laag en een ohmse contactlaag, waarbij de actieve laag is gevormd uit amorf silicium en de ohmse contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium. De ohmse contactlaag heeft een gedeelte dat toegang geeft tot 25 een deel van de actieve laag.

[0018] Volgens een ander aspect van de uitvinding omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) met eerste en tweede elektroden, op afstand van 30 elkaar gelegen, en met een organische licht-emitterende laag aangebracht tussen de eerste en de tweede elektroden, de stappen van het vormen van een poortelektrode op een substraat, het vormen van een halfgeleidende laag over de poortelektrode, en het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en af-35 voerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen, waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

i u 2513 4 i - 7 -

[0019] Volgens een ander aspect van de onderhavige uitvinding omvat een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een poortelektrode op een substraat, een de poort isolerende laag op het substraat inclusief de poortelektrode, 5 een halfgeleidende laag op de de poort isolerende laag, bron- en af-voerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoer-elektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen, met een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de bron- en afvoerelektroden, welke pas-10 siverende laag een broncontactgat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode, een eerste elektrode op de passiverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat, een organische licht-emitte-rende laag op de eerste elektrode en een tweede elektrode op de orga-15 nische licht-emitterende laag, en met een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode die groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

[0020] Het overlappend gedeelte tussen de poortelektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een 20 pixel. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) omvat voorts een schakelende dunne-film-transistor die elektrisch is verbonden met de poortelektrode. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) kan zijn een organische licht emitterende 25 diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar boven wordt uitgestraald danwel een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar beneden wordt uitgestraald.

[0021] In een verder aspect van de onderhavige uitvinding omvat 30 een werkwijze voor het vervaardigen van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) stappen van het vormen van een poortelektrode op een substraat; het vormen van een de poort isolerende laag op het substraat inclusief de poortelektrode; het vormen van een halfgeleidende laag op de de poort 35 isolerende laag; het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen; het vormen van een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de bron- en afvoerelektroden, waarbij de passiverende 1025134 - 8 - laag een afvoercontactgat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode; het vormen van een eerste elektrode op de pas-siverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat; het vormen van een 5 organische licht-emitterende laag op de eerste elektrode; en het vormen van een tweede elektrode op de organische licht-emitterende laag, waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelek-trode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

10 [0022] Het overlappend gedeelte tussen de poortelektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel. De werkwijze voor het vervaardigen van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) omvat voorts het vormen van een schakelende dunne-filmtran-15 sistor die elektrisch is verbonden met de poortelektrode. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) kan zijn ofwel een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar boven wordt uitgestraald danwel een organische licht emitteren-20 de diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar beneden wordt uitgestraald.

[0023] Het zal duidelijk zijn dat zowel de in het voorgaande gegeven algemene beschrijving als de nuvolgende gedetailleerde beschrijving slechts als voorbeeld en ter toelichting zijn gegeven en 25 bedoeld zijn een verdere toelichting te geven van de uitvinding zoals in de conclusies gedefinieerd.

KORTE BESCHRIJVING. VAN DE TEKENING

[0024] De bijgaande tekening, die is opgenomen ter verschaffing 30 van een verder begrip van de uitvinding en die is opgenomen in en een deel vormt van deze aanvrage illustreert uitvoeringsvormen van de uitvinding en dient, in combinatie met de beschrijving, ter toelichting van het principe van de uitvinding.

[0025] In de tekening: 35 [0026] toont fig. 1 de structuur van een pixel van een typische organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek;

[0027] toont fig. 2A een vlak aanzicht van een dunne-filmtransistor voor een typische geïnverteerd verschoven organische licht emitte 1025134 - 9 - rende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek;

[0028] toont fig. 2B een dwarsdoorsnede over de lijn IIB-IIB in fig. 2A; 5 [0029] toont fig. 3A een vlak aanzicht van een aansturende dunne- filmtransistor voor een geïnverteerd verschoven organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de onderhavige uitvinding;

[0030] toont fig. 3B een dwarsdoorsnede over de lijn IIIB-IIIB in 10 fig. 3A; en

[0031] toont fig. 4 een dwarsdoorsnede van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) en een aansturende dunne-filmtransistor volgens de onderhavige uitvinding.

15

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE GETOONDE UITVOERINGSVORMEN

[0032] Nu zal in detail worden verwezen naar de getoonde uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding, waarvan voorbeelden in de bijgaande tekening zijn getoond. Voorzover mogelijk zullen in 20 alle figuren gelijke verwijzingscijfers worden gebruikt voor dezelfde of soortgelijke delen.

[0033] Fig. 3A toont een vlak aanzicht van een aansturende dunne-filmtransistor voor een geïnverteerd verschoven organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) vol- 25 gens de onderhavige uitvinding. Eenvoudigheidshalve toont fig. 3A slechts een poortelektrode, een halfgeleidende laag, en een afvoer-elektrode.

[0034] Verwijzend naar fig. 3A is een poortelektrode 112 gevormd in de ene richting en is een halfgeleidende laag 114 met een eilandvormig 30 patroon gevormd over de poortelektrode 112 zodanig dat de poortelektrode 112 wordt bedekt. Bron- en afvoerelektroden 116 respectievelijk 118 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 114 en liggen op afstand van elkaar. Een voedende lijn 120 is gevormd in dezelfde richting als de poortelektrode 112. De bronelektrode 116 strekt zich uit vanuit de 35 voedende lijn 120. De poortelektrode 112, de halfgeleidende laag 114, de bronelektrode 116 en de afvoerelektrode 118 vormen een aansturende dunne-filmtransistor T voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED). Een isolerende laag (die in fig. 3A niet is getekend) is aangebracht tussen de poortelek- 1025134 - 10 - trode 112 en de halfgeleidende laag 114, en de poortelektrode 112 is elektrisch verbonden met een afvoerelektrode van een (niet getoonde) schakelende dunne-filmtransistor. De afvoerelektrode 118 voor de aansturende dunne-filmtransistor T is elektrisch verbonden met een eerste 5 elektrode van de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED). De poortelektrode 112 en de bron-elektrode 116 hebben een eerste overlappend gedeelte "a" en de poortelektrode 112 en de afvoerelektrode 118 hebben een tweede overlappend gedeelte "b". Een afstand "d2" aanwezig tussen de bronelektrode 116 en 10 de afvoerelektrode 118 komt overeen met de afstand "dl" in fig. 2A.

Een zone van het eerste overlappend gedeelte ”a" is groter dan die van het tweede overlappend gedeelte ”b" Volgens de onderhavige uitvinding kan de zone van het eerste overlappend gedeelte "a" groter zijn dan die van het tweede overlappend gedeelte "b" door het vergroten van de 15 breedte van de poortelektrode 112.

[0035] Fig. 3B toont een dwarsdoorsnede over de lijn IIIB-IIIB in fig. 3A.

[0036] Zoals fig. 3B toont is een poortelektrode 112 gevormd op een substraat 110, en is een de poort isolerende laag 113 gevormd op het 20 gehele substraat 110 waarop reeds de poortelektrode 112 is gevormd. De halfgeleidende laag 114 is gevormd op de de poort isolerende laag 113 corresponderend met de poortelektrode 112. De bron- en afvoerelektro-den 116 respectievelijk 118 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 114 en liggen op afstand van elkaar. De halfgeleidende laag 114 heeft een 25 actieve laag 114a die is gevormd uit amorf silicium, en een ohmse con-tactlaag 114b die is gevormd uit gedoteerd amorf silicium. De ohmse contactlaag 114b geeft toegang tot een gedeelte van de actieve laag 114a door het verwijderen van een gedeelte tussen de bron- en afvoer-elektroden 116 en 118. Het vrijgemaakte gedeelte van de actieve laag 30 114a tussen de bron- en afvoerelektroden 116 en 118 vormt een kanaal- gebied "ch". Zoals in het voorgaande gezegd komt de afstand "d2" tussen de bron- en afvoerelektroden 116 en 118 overeen met de afstand "dl" in fig. 2A, en is het oppervlak van het eerste overlappend gedeelte "a" groter dan dat van het tweede overlappend gedeelte "b". Zo-35 als getoond in fig. 3B strekt één einde van de poortelektrode 112 verlengd naar de bronelektrode 116 ter vorming van een eerste overlappend gedeelte "a" dat groter is dan het tweede overlappend gedeelte "b". Volgens de onderhavige uitvinding wordt de parasitaire capaciteit die optreedt tussen de poortelektrode 112 en de bronelektrode 116 gebruikt 1025134 - 11 - i als een opslagcondensator "Cst" door het eerste overlappend gedeelte ”a” groter te maken dan het tweede overlappend gedeelte "b". Een parasitaire capaciteit "Cgd" die aanwezig is tussen de poortelektrode 112 en de afvoerelektrode 118 is zo klein mogelijk, evenals dit het geval 5 is in de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek. Wanneer de eerste en de tweede overlappende delen ”a" respectievelijk "b" aldus asymmetrisch zijn gevormd kan de zone die wordt ingenomen door de opslagcondensator worden gereduceerd of kan de aanvullende opslagcon-10 densator worden weggelaten. Aldus kan de apertuurverhouding worden verhoogd. Voorts kan het onderbreken van de metalen lijnen in het gebied van de opslagcondensator worden voorkomen.

[0037] Fig. 4 toont een dwarsdoorsnede van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix 15 (AMOLED) en een aansturende dunne-filmtransistor volgens de onderhavige uitvinding.

[0038] Verwijzend naar fig. 4 is op een substraat 210 een poortelektrode 212 gevormd, en een de poort isolerende laag 113 die de poortelektrode 112 bedekt is gevormd op het gehele substraat 210 20 waarop reeds de poortelektrode 212 is gevormd. Een halfgeleidende laag 214 is gevormd op de de poort isolerende laag 213 overeenkomend met de poortelektrode 212. Bron- en afvoerelektroden 216 en 218 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 214 en liggen op afstand van elkaar. De poortelektrode 212, de halfgeleidende laag 214, de bronelek-25 trode 216 en de afvoerelektrode 218 vormen een aansturende dunne- filmtransistor T. Een eerste passiverende laag 222 is gevormd op het gehele substraat 210 waarop reeds de aansturende dunne-filmtransistor T is gevormd, en een afvoercontactgat 220 dat een gedeelte van de afvoerelektrode 218 toegankelijk maakt is gevormd via de eerste pas-30 siverende laag 222. Een eerste elektrode 224 is gevormd op de eerste passiverende laag 222 en is via het afvoercontactgat 220 elektrisch verbonden met de afvoerelektrode 218. Een tweede passiverende laag 228 is gevormd op het gehele substraat 210 waarop reeds de eerste elektrode 224 is gevormd. Een open gedeelte 226 dat een gedeelte 35 vrijgeeft van de eerste elektrode 224 is door de tweede passiverende laag 228 gevormd. Een organische licht-emitterende laag 230 is gevormd op de tweede passiverende laag 228 en is verbonden met de eerste elektrode 224 via het open gedeelte 226 van de tweede passiverende laag 228. Een tweede elektrode 232 is op de organische licht- 1025134 - 12 - emitterende laag 230 gevormd. De eerste en de tweede elektroden 224 en 232 van de organische licht-emitterende laag 230 vormen een organische licht emitterende diode (OLED). in de organische licht emitterende diode (OLED) wordt het licht, dat is geëmitteerd vanuit de or-5 ganische licht-emitterende laag 230, selectief doorgelaten door de eerste elektrode 224 danwel de tweede elektrode 232.

[0039] Volgens de onderhavige uitvinding is de eerste elektrode 224 een onderste elektrode en is de tweede elektrode 232 een bovenste elektrode. De eerste elektrode 224 is gevormd uit een lichtdoor-10 latend materiaal, zodat het licht wordt uitgestraald door de eerste elektrode. Aldus is de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een omlaag uitstralende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) De tweede elektrode 232 is gevormd uit een licht-15 doorlatend materiaal zodat het licht door de tweede elektrode 232 wordt uitgestraald. Aldus wordt de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een naar boven licht uitstralende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED).

20 [0040] Zoals hier beschreven wordt het eerste overlappend gedeelte "a" tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 216 breder uitgevoerd dan het tweede overlappend gedeelte "b" tussen de poortelektrode 212 en de afvoerelektrode 218. Van de parasitaire capaciteiten die worden gevormd tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 25 216 en tussen de poortelektrode 212 en de afvoerelektrode wordt de parasitaire capaciteit die wordt gevormd tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 216 gebruikt als de opslagcondensator voor het aansturen van de pixel. Het aantal dunne-filmtransistoren in een pixel is volgens de onderhavige uitvinding twee, doch het aantal 30 dunne-filmtransistoren in een pixel kan wel variëren, en kan bijvoorbeeld drie of meer dan drie zijn.

[0041] De onderhavige uitvinding heeft de volgende voordelen. De kwaliteit van het weergegeven beeld kan worden verbeterd door het vergroten van de opslagcapaciteit van de pixel, en de apertuurverhou-35 ding kan worden vergroot door het reduceren van de afmeting van de aanvullende opslagcondensator of door het weglaten van deze aanvullende opslagcondensator. Een onderbreken van de metalen lijnen, en ook een kortsluiting in de zone van de opslagcondensator kan minimaal zijn.

1025134 - 13 -

[0042] Het zal de vakman duidelijk zijn dat verschillende modificaties en variaties mogelijk zijn in de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) en de dunne-filmtransistor daarvan volgens de onderhavige uitvinding zonder het 5 kader en de geest van de uitvinding te verlaten. Het is dan ook de bedoeling dat de onderhavige uitvinding alle modificaties en variaties volgens de uitvinding bestrijkt, onder voorwaarde dat zij vallen binnen het kader van de bijgaande conclusies en de equivalenten daarvan.

1025134

Claims (22)

1. Een aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED), en met eerste en tweede elektroden, op afstand van elkaar, en met een organische licht-emitterende laag, aangebracht tussen de 5 eerste en de tweede elektrode, omvattende: een poortelektrode op een substraat; een halfgeleidende laag over de poortelektrode; en bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respec- 10 tievelijk delen overlappen van de poortelektrode, en waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelek-trode.

2. De aansturende dunne-filmtransistor volgens conclusie 1, 15 voorts omvattende een isolerende laag tussen de poortelektrode en de halfgeleidende laag.

3. De aansturende dunne-filmtransistor volgens conclusie 1, waarin de overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel vormt.

4. De aansturende dunne-filmtransistor volgens conclusie 1, waarin de halfgeleidende laag een actieve laag en een ohmse contact-laag heeft.

5. De aansturende dunne-filmtransistor volgens conclusie 4, waarin de actieve laag is gevormd uit amorf silicium en de ohmse con- 25 tactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

6. De aansturende dunne-filmtransistor volgens conclusie 4, waarin de ohmse contactlaag een gedeelte heeft dat een gedeelte van de actieve laag vrijgeeft.

7. Een werkwijze voor het vervaardigen van een aansturende 30 dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) met eerste en tweede elektroden, op afstand van elkaar, en met een organische licht-emitterende laag aangebracht tussen de eerste en de tweede elektroden, omvattende de stappen van: 35 het vormen van een poortelektrode op een substraat; het vormen van een halfgeleidende laag over de poortelektrode; en 1025134 - 15 - het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen, en waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelek-5 trode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

8. De werkwijze volgens conclusie 7, voorts omvattende de stap van het vormen van een isolerende laag tussen de poortelektrode en de halfgeleidende laag.

9. De werkwijze volgens conclusie 7, waarin de overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensa-tor vormt voor het aansturen van een pixel.

10. De werkwijze volgens conclusie 7, waarin de halfgeleidende laag een actieve laag en een ohmse contactlaag heeft.

11. De werkwijze volgens conclusie 10, waarin de actieve laag is gevormd uit amorf silicium en de ohmse contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

12. De werkwijze volgens conclusie 10, waarin de ohmse contactlaag een gedeelte heeft dat een deel van de actieve laag vrijgeeft.

13. Een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED), omvattende: een poortelektrode op een substraat; een de poort isolerende laag op het substraat, inclusief de poortelektrode; 25 een halfgeleidende laag op de de poort isolerende laag; bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarin de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen; een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de 30 bron- en afvoerelektroden, welke passiverende laag een afvoercontact-gat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode; een eerste elektrode op de passiverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het af-voercontactgat; 35 een organische licht-emitterende laag op de eerste elektrode; en een tweede elektrode op de organische licht-emitterende laag, waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelek- iÜ25 5 34 - 16 - trode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

14. De inrichting volgens conclusie 13, waarin de overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensa- 5 tor vormt voor het aansturen van een pixel.

15. De inrichting volgens conclusie 13, voorts omvattende een schakelende dunne-filmtransistor die elektrisch met de poortelektrode is verbonden.

16. De inrichting volgens conclusie 13, waarin de actieve orga- 10 nische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) is een naar boven emitterende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED).

17. De inrichting volgens conclusie 13, waarin de actieve organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve ma- 15 trix (AMOLED) is naar beneden emitterende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) .

18. Een werkwijze voor het vervaardigen van een actieve organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED), omvattende de stappen van: 20 het vormen van een poortelektrode op een substraat; het vormen van een de poort isolerende laag op het substraat inclusief de poortelektrode; het vormen van een halfgeleidende laag op de de poort isolerende laag; 25 het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen; het vormen van een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de bron- en afvoerelektroden, waarbij de passiverende 30 laag een afvoercontactgat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode; het vormen van een eerste elektrode op de passiverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat; 35 het vormen van een organische licht-emitterende laag op de eer ste elektrode; en het vormen van een tweede elektrode op de organische licht-emitterende laag, waarbij een overlappende zone tussen de poortelek- 1025134 - 17 - trode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.

19. De werkwijze volgens conclusie 18, waarin de overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensa- 5 tor voor het aansturen van een pixel vormt.

20. De werkwijze volgens conclusie 18, voorts omvattende het vormen van een schakelende dunne-filmtransistor die elektrisch is verbonden met de poortelektrode.

21. De werkwijze volgens conclusie 18, waarin de actieve orga-10 nische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) is een naar boven emitterende actieve organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED).

22. De werkwijze volgens conclusie 18, waarin de actieve organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve ma- 15 trix (AMOLED) is een omlaag emitterende actieve organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED). 1025134