KR100463869B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 게이트 전극이 형성되는 층에 마련되는 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 및 소스/드레인 전극이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극을 구비하는 온컴먼 방식 스토리지 캐패시터; 및 온게이트 방식 스토리지 하부전극의 역할을 수행하는 주사선과, 상기 주사선 상의 일부 영역에 마련되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극 및 상기 주사선 상에 오버랩되어 마련되어 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극의 역할을 수행하는 화소전극을 구비하는 온게이트 방식 스토리지 캐패시터; 를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 복수개의 주사선과; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 주사선과 직교하여 형성되는 복수개의 신호선과; 상기 주사선과 신호선의 교차부에 형성되는 TFT와; 상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 주사선이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 하부전극과; 상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 상에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극과; 상기 주사선의 일단 영역의 상부에 형성되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극; 및 상기 주사선 및 신호선의 교차에 의하여 생성되는 매트릭스 영역에 마련되며, 상기 주사선의 일단 영역의 상부에 오버랩되어 형성되는 화소전극; 을 포함한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{Liquid crystal display and fabrication method for thereof}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 온컴먼(on common) 방식과 온게이트(on gate) 방식이 혼합된 혼합형 스토리지 캐패시터(hybrid storage capacitor)를 형성하고, 각 화소의 위치에 따른 변동량이 발생되지 않도록 온게이트 방식의 스토리지 상부전극을 형성함으로써, 높은 개구율을 확보하고, 화소의 위치에 따른 변동량을 줄여 표시되는 영상의 화질을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 따랐다.
이에 따라, 표시 면적이 크더라도 그 두께가 얇아서 어느 장소에서든지 쉽게사용할 수 있는 박막형 평판 표시 장치가 개발되었고, 점점 브라운관 표시 장치를 대체하고 있다. 특히, 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
알려진 바와 같이, 액정 표시 장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 것이다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자 배열에 방향성과 분극성을 갖고 있는 액정 분자들에 인위적으로 전자기장을 인가하여 분자 배열 방향을 조절할 수 있다. 따라서, 배향 방향을 임의로 조절하면 액정의 광학적 이방성에 의하여 액정 분자의 배열 방향에 따라 빛을 투과 혹은 차단시킬 수 있게 되어, 색상 및 영상을 표시할 수 있게 된다.
그리고, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는, 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 갖춘 액티브 소자를 부가하고, 이 소자의 스위칭 특성을 이용하여 각 화소의 동작을 제어하는 것으로서, 액정의 전기광학효과를 통하여 메모리 기능을 구현한 것이다.
한편, 이와 같은 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는, 표시되는 이미지의 균일성(uniformity)을 확보하기 위하여 데이터선을 통하여 입력된 신호 전압을 다음 입력시까지 일정시간 동안 유지시켜 줄 필요가 있으며, 이를 위하여 액정 셀과 평행하게 스토리지 캐패시터(storage capacitor)를 형성시켜 준다.
그리고, 액정 표시 장치에 형성되는 스토리지 캐패시터는 충전을 위한 전극을 사용하는 방식에 따라 온컴먼(on common) 방식과 온게이트(on gate) 방식으로구분될 수 있다.
이들 방식을 비교하면, 온게이트 방식은 (n-1)번째의 주사선 일부를 (n)번째 화소의 충전 전극으로 사용하는 방식으로 개구율의 감소 정도가 적고, NW 방식( Normally White Mood)에서 점결함 발생시 눈에 쉽게 띄지 않으며, 수율이 좋은 반면에 주사신호 시간이 길어지는 단점이 있다.
그리고, 온컴먼 방식은 충전 전극을 별도로 배선하여 사용하는 방식으로, 주사신호 시간이 짧은 반면에 개구율의 감소 정도가 크고, NW 방식에서 점결함 발생시 눈에 쉽게 띄며, 수율이 떨어진다는 단점이 있다.
그러면, 도 1 및 도 2를 참조하여 온컴먼 방식과 온게이트 방식의 스토리지 캐패시터에 대하여 간략하게 설명해 보기로 한다. 도 1은 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 온컴먼 방식의 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 온게이트 방식의 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 1을 참조하여 설명하면, 온컴먼 방식의 스토리지 캐패시터가 채용된 액정 표시 장치는, 하판인 절연기판 상에 복수개의 주사선(9)(19)과 복수개의 신호선(10)(20)이 교차하여 교차부를 형성하고 있다. 임의의 신호선(10)과 임의의 주사선(19)이 교차하는 교차부에는 신호선(10)과 동일 배선인 소오스 전극(11) 및 드레인 전극(12)과, 주사선(19)과 동일 배선인 게이트 전극(4)과, 반도체 층(13)을 구비하여 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 또한, 화소전극(15)이 주사선(19) 및 신호선(10)과 일정 간격을 두고 드레인 전극(12)에 연결되어 형성되어 있다. 그리고, 스토리지 하부전극(16)이 주사선(19)과 평행하게 위치하되, 화소전극(15)을 횡단하여 형성되어 있다.
언급한 바와 같이, 온컴먼 방식의 스토리지 하부전극이 형성되는 액정 표시 장치는 화소전극이 전단주사선과 일정 간격을 두고 형성된다. 보통 그 간격은 3㎛ 정도이지만, 이 부분에 빛이 새기 때문에 액정 표시 장치의 성능을 위해 상판에 이 빛을 차단하기 위한 차광막이 형성된다. 이때, 상판과 하판의 합착공정시, 합착 마진을 고려하여 차광막이 화소전극의 가장자리까지 내려와 가리기 때문에 개구율이 감소된다는 문제점이 발생된다.
그리고, 도 2를 참조하여 설명하면, 온게이트 방식의 스토리지 캐패시터가 채용된 액정 표시 장치는, 하판인 절연기판 상에 복수개의 주사선(9)(19)과 복수개의 신호선(10)(20)이 교차하여 교차부를 형성하고 있다. 임의의 신호선(10)과 임의의 주사선(19)이 교차하는 교차부에는 신호선(10)과 동일 배선인 소오스 전극(11) 및 드레인 전극(12)과, 주사선(19)과 동일 배선인 게이트 전극(14)과, 반도체 층 (13)을 구비하여 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 그리고, 화소전극(15)이 드레인 전극(12)에 연결되어 형성되되, 전단의 주사선(9)에 적정 면적으로 오버랩되어 있다. 따라서, 화소전극(15)과 오버랩되는 전단의 주사선(9) 일부가 화소전극(15)과 스토리지 캐패시터를 이루는 공통전극으로 사용되는 것이다.
이와 같은 온게이트 방식의 충전 전극이 형성된 액정 표시 장치는, 상기 온컴먼 방식과 비교하여 개구율이 크지만, 주사선에 형성된 캐패시터의 존재로 인하여 주사선에 걸리는 주사신호가 지연된다. 그 결과, 화소에 충분한 신호전압이 인가되지 못함으로써, 화질이 저하되는 문제점이 발생된다.
그리고, 도 1 및 도 2에서는, 화소전극을 스토리지 상부전극으로 이용하여 스토리지 캐패시터를 형성하는 경우에 대하여 설명하였지만, 스토리지 상부전극으로 화소전극 아래에 금속층을 형성함으로서 스토리지 캐패시터를 구현할 수도 있다.
한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 혼합형 스토리지 캐패시터(hybrid storage capacitor)를 채용하여, 종래의 온게이트 방식과 온컴먼 방식에서 발생되는 단점은 극복하고, 장점을 살리기 위한 액정 표시 장치도 제안되고 있다. 도 3은 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 혼합형 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 혼합형 스토리지 캐패시터는 온컴먼 방식으로 형성되는 캐패시터(Cst on Common)와 온게이트 방식으로 형성되는 캐패시터(Cst on Gate)로 구성된다. 여기서, 온컴먼 방식으로 형성되는 캐패시터는 TFT의 게이트를 형성하는 물질과 동일 금속으로 형성되는 온컴먼 방식 스토리지 하부전극(31) 및 TFT의 소스/드레인을 형성하는 물질과 동일 금속으로 형성되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(32)에 의하여 형성된다.
그리고, 온게이트 방식으로 형성되는 캐패시터는 TFT의 게이트를 온게이트 방식 스토리지 하부전극(33)으로 이용하며, TFT의 화소전극을 온게이트 방식 스토리지 상부전극(34)으로 이용하여 형성된다.
그런데, 이와 같은 혼합형 스토리지 캐패시터(hybrid storage capacitor)는포토 리소그라피(photo-lithography) 공정에서의 오정렬(misalign) 및 식각 공정에서의 식각 바이어스(etch bias)에 의해, 온게이트 방식으로 형성되는 캐패시터(Cst on Gate)를 형성하기 위한 상기 온게이트 방식 스토리지 상부전극(34)의 면적이 변동될 수 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치의 영상 표시 패널을 구성하는 각 화소의 위치에 따라 스토리지 캐패시터(Cst on Common + Cst on Gate)의 용량에 편차가 발생될 수 있으며, 이는 표시되는 화질에 좋지 않은 영향을 미치게 되는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 여건을 감안하여 창출된 것으로서, 온컴먼(on common) 방식과 온게이트(on gate) 방식이 혼합된 혼합형 스토리지 캐패시터 (hybrid storage capacitor)를 형성하고, 각 화소의 위치에 따른 변동량이 발생되지 않도록 온게이트 방식의 스토리지 상부전극을 형성함으로써, 높은 개구율을 확보하고, 화소의 위치에 따른 변동량을 줄여 표시되는 영상의 화질을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 온컴먼 방식의 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 온게이트 방식의 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 종래의 액정 표시 장치에 형성되는 혼합형 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 채용되는 혼합형 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 A-A' 선에 따른 단면도를 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
9, 19... 주사선 10, 20... 신호선
11... 소오스 전극 12... 드레인 전극
13... 반도체 층 14... 게이트 전극
15... 화소전극 16... 스토리지 하부전극
31, 41... 온컴먼 방식 스토리지 하부전극
32, 42... 온컴먼 방식 스토리지 상부전극
33, 43... 온게이트 방식 스토리지 하부전극(주사선)
34... 온게이트 방식 스토리지 상부전극
44... 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극
45... 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극(화소전극)
46... 컨택 홀
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치는,
게이트 전극이 형성되는 층에 마련되는 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 및 소스/드레인 전극이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극을 구비하는 온컴먼 방식 스토리지 캐패시터; 및
온게이트 방식 스토리지 하부전극의 역할을 수행하는 주사선과, 상기 주사선상의 일부 영역에 마련되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극 및 상기 주사선 상에 오버랩되어 마련되어 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극의 역할을 수행하는 화소전극을 구비하는 온게이트 방식 스토리지 캐패시터; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은, 상기 주사선 및 화소전극 사이에 평행하게 마련되며, 상기 주사선을 따라 H 형상으로 마련되는 점에 그 특징이 있다.
또한, 상기 온컴먼 방식 스토리지 상부 전극 및 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은, 상기 소스/드레인 전극과 동일 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치는,
기판과;
상기 기판 상에 형성되는 복수개의 주사선과;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 주사선과 직교하여 형성되는 복수개의 신호선과;
상기 주사선과 신호선의 교차부에 형성되는 TFT와;
상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 주사선이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 하부전극과;
상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 상에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극과;
상기 주사선의 일단 영역의 상부에 형성되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극; 및
상기 주사선 및 신호선의 교차에 의하여 생성되는 매트릭스 영역에 마련되며, 상기 주사선의 일단 영역의 상부에 오버랩되어 형성되는 화소전극; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은 상기 주사선의 일단 영역에 평행하게 형성되며, H 형상으로 마련되는 점에 그 특징이 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은,
기판 위에 복수의 주사선 및 상기 주사선에 평행하게 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극이 마련되는 제 1 층을 형성하는 단계와;
상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 상에 온컴먼 방식 스토리지 상부전극이 마련되고, 상기 주사선의 일단의 영역 위에 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극이 마련되는 제 2 층을 형성하는 단계; 및
상기 주사선의 일단 영역의 상부에 오버랩되는 화소전극이 마련되는 제 3 층을 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은 상기 주사선의 일단 영역에 평행하게 형성되며, H 형상으로 마련되는 점에 그 특징이 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 온컴먼(on common) 방식과 온게이트(on gate) 방식이 혼합된 혼합형 스토리지 캐패시터(hybrid storage capacitor)를 형성하고,각 화소의 위치에 따른 변동량이 발생되지 않도록 온게이트 방식의 스토리지 상부전극을 형성함으로써, 높은 개구율을 확보하고, 화소의 위치에 따른 변동량을 줄여 표시되는 영상의 화질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 채용되는 혼합형 스토리지 캐패시터를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 A-A' 선에 따른 단면도를 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 게이트 전극이 형성되는 층에 마련되는 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 (41) 및 소스/드레인 전극이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42)을 구비하는 온컴먼 방식 스토리지 캐패시터; 및 온게이트 방식 스토리지 하부전극의 역할을 수행하는 주사선(43)과, 상기 주사선(43) 상의 일부 영역에 마련되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44) 및 상기 주사선(43) 상에 오버랩되어 마련되어 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극의 역할을 수행하는 화소전극 (45)을 구비하는 온게이트 방식 스토리지 캐패시터; 를 포함한다. 여기서, 도면부호 46은 컨택 홀(contact hole)을 나타낸다.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같은 액정 표시 장치에 채용되는 스토리지 캐패시터는 일종의 혼합 스토리지 캐패시터 구조(Cst on Common + Cst on Gate)를 형성하는 것으로서, 개구율을 향상시킬 수 있으며, 온컴먼 방식과 온게이트 방식의 캐패시턴스는 다음과 같이 형성된다.
1) 온컴먼 방식에 의한 스토리지 캐패시턴스(Cst on Common)
온컴먼 방식 스토리지 하부전극(41)과 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42) 사이에 전하가 충전된다. 여기서, 상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극(41)은 게이트 전극(또는 주사선)과 동일 물질로 형성되며, 상기 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42)은 소스/드레인 전극과 동일 물질로 형성된다.
2) 온게이트 방식에 의한 스토리지 캐패시턴스(Cst on Gate)
온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)과 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44) 및 온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)과 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극(45) 사이에 전하가 충전된다. 여기서, 상기 온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)은 주사선(게이트 전극과 동일 물질)이 이용되며, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)은 소스/드레인과 동일 물질로 형성되며, 상기 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극(45)은 화소전극이 이용된다.
이때, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)이 형성된 영역에서는, 상기 온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)과 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44) 사이에 전하가 축적된다. 그리고, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)이 형성되지 않은 영역에서는, 상기 온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)과 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극(45) 사이에 전하가 축적된다.
한편, 이와 같은 구조를 갖는 액정 표시 장치는 일반적인 반도체 제조 공정을 통하여 형성될 수 있으며, 여기서는 그 제조 방법에 대하여 간략하게 살펴 보기로 한다.
먼저, 기판 위에 복수개의 주사선(43) 및 상기 복수개의 주사선(43)에 평행하게 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극(41)이 마련되는 제 1 층을 형성시킨다. 이때, 상기 주사선(43) 및 온컴먼 방식 스토리지 하부전극(41)은 게이트 전극 형성시에, 상기 게이트 전극과 동일 물질로 함께 형성됨으로써, 별도의 마스크 공정을 필요로 하지 않고 형성시킬 수 있다.
그리고, 상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극(41) 상에 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42)이 마련되고, 상기 주사선(43)의 일단의 영역 위에 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)이 마련되는 제 2 층을 형성시킨다. 이때, 상기 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42) 및 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)은 소스 /드레인 전극 형성시에, 상기 소스/드레인 전극과 동일 물질로 함께 형성됨으로써, 별도의 마스크 공정을 필요로 하지 않게 된다.
여기서, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)은 상기 주사선(43)의 일단 영역에 평행하게 형성되며, H 형상으로 마련된다. 또한, 상기 복수의 주사선(43)과 직교로 교차되는 복수의 신호선을 형성시킴으로써, 복수의 주사선(43)과 복수의 신호선에 의하여 매트릭스 형상의 영역이 생성된다. 이와 같이, 상기 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42)은 상기 신호선에 교차하여 형성된다.
그리고, 복수의 주사선(43)과 복수의 신호선에 의하여 생성되는 매트릭스 형상의 영역에는 화소전극(45)이 형성되는데, 상기 화소전극(45)은 상기 주사선(43)의 일단 영역의 상부에 오버랩되어 제 3 층을 형성시킨다.
이와 같은 과정을 통하여, 온컴먼 방식의 스토리지 캐패시터와 온게이트 방식의 스토리지 캐패시터가 혼합된 스토리지 캐패시터를 포함하는 액정 표시 장치를 형성할 수 있게 된다.
그리고, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 소스/드레인 전극 형성 층에 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44)을 형성시킴으로써, 종래 기술에서 문제되던 포토-리소그라피 공정에서의 오정렬(misalign) 및 식각 공정에서의 식각 바이어스(etch bias)에 의한 온게이트 스토리지 캐패시턴스(Cst on Gate)의 변동량을 줄일 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 실시 예에서는 상기 온게이트 제 1 스토리지 상부전극(44)을 H 형상으로 하여 상기 주사선(43)의 일단 영역에 평행하게 형성시킴으로써, 상하좌우의 변동을 최소화할 수 있도록 하였다. 이에 따라, 상기 온게이트 방식 스토리지 하부전극(43)과 상기 온게이트 제 1 스토리지 상부전극(44)에 의해 전하가 축적되는 캐패시턴스의 값이 일정하게 형성됨으로써, 각 화소의 위치에 따른 스토리지 캐패시턴스의 변동량을 최소화할 수 있게 되며, 표시되는 영상의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.
그리고, 본 발명의 실시 예에서와 같은 구조에 의한 온게이트 스토리지 캐패시턴스를 형성함으로써, 상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극(44) 및 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극(45)의 CD(critical dimension) 변동에 의한 온게이트 스토리지 캐패시턴스(Cst on Gate)의 화소 영역의 위치에 따른 편차를 최소화할 수 있게 된다.
한편, 혼합 스토리지 캐패시터를 형성하는 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 (41) 및 온컴먼 방식 스토리지 상부전극(42)의 위치는, 도 4에 나타낸 바와 같이 화소 영역 내에서 상기 주사선(43)에 반드시 인접할 필요는 없으며, 화소 영역의 중앙부 또는 임의의 위치에 형성될 수도 있다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 온컴먼(on common) 방식과 온게이트(on gate) 방식이 혼합된 혼합형 스토리지 캐패시터(storage capacitor)를 형성하고, 각 화소의 위치에 따른 변동량이 발생되지 않도록 온게이트 방식의 스토리지 상부전극을 형성함으로써, 높은 개구율을 확보하고, 화소의 위치에 따른 변동량을 줄여 표시되는 영상의 화질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 게이트 전극이 형성되는 층에 마련되는 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 및 소스/드레인 전극이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극을 구비하는 온컴먼 방식 스토리지 캐패시터; 및
    온게이트 방식 스토리지 하부전극의 역할을 수행하는 주사선과, 상기 주사선 상의 일부 영역에 마련되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극 및 상기 주사선 상에 오버랩되어 마련되어 온게이트 방식 제 2 스토리지 상부전극의 역할을 수행하는 화소전극을 구비하는 온게이트 방식 스토리지 캐패시터; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은, 상기 주사선 및 화소전극 사이에 평행하게 마련되며, 상기 주사선을 따라 H 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 온컴먼 방식 스토리지 상부 전극 및 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은, 상기 소스/드레인 전극과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 기판과;
    상기 기판 상에 형성되는 복수개의 주사선과;
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 주사선과 직교하여 형성되는 복수개의 신호선과;
    상기 주사선과 신호선의 교차부에 형성되는 TFT와;
    상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 주사선이 형성되는 층에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 하부전극과;
    상기 신호선에 교차하여 형성되며, 상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 상에 마련되는 온컴먼 방식 스토리지 상부전극과;
    상기 주사선의 일단 영역의 상부에 형성되는 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극; 및
    상기 주사선 및 신호선의 교차에 의하여 생성되는 매트릭스 영역에 마련되며, 상기 주사선의 일단 영역의 상부에 오버랩되어 형성되는 화소전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은 상기 주사선의 일단 영역에 평행하게 형성되며, H 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 기판 위에 복수의 주사선 및 상기 주사선에 평행하게 소정 크기의 온컴먼 방식 스토리지 하부전극이 마련되는 제 1 층을 형성하는 단계와;
    상기 온컴먼 방식 스토리지 하부전극 상에 온컴먼 방식 스토리지 상부전극이 마련되고, 상기 주사선의 일단의 영역 위에 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극이 마련되는 제 2 층을 형성하는 단계; 및
    상기 주사선의 일단 영역의 상부에 오버랩되는 화소전극이 마련되는 제 3 층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 온게이트 방식 제 1 스토리지 상부전극은 상기 주사선의 일단 영역에 평행하게 형성되며, H 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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