JP2001005032A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2001005032A JP2001005032A JP11177533A JP17753399A JP2001005032A JP 2001005032 A JP2001005032 A JP 2001005032A JP 11177533 A JP11177533 A JP 11177533A JP 17753399 A JP17753399 A JP 17753399A JP 2001005032 A JP2001005032 A JP 2001005032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- source
- transparent pixel
- source wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Abstract
の向上が図れる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ソース配線2と透明画素電極6との間に
第二絶縁層が介在し、透明画素電極6が、ソース配線2
の両側にて隣接する透明画素電極6のそれぞれとソース
配線2との重なり幅が異なるように形成されるととも
に、透明画素電極6のそれぞれとソース配線2との重な
りにより生じる寄生容量の大きさの差を解消する補助容
量が形成されている。その補助容量は、ソース配線2を
一方の電極とし、ソース配線2の下方に第一絶縁膜を介
して設置された補助電極7を他方の電極とする容量から
構成されている。
Description
用いた液晶表示装置の画素領域の回路構成・配置に関す
る。
に形成された配向膜に液晶が挟持され、うち一方の基板
の対向面に、複数のゲート配線及び複数のソース配線と
ともに、薄膜トランジスタを形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置が知られている。また、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置の高開口率構造として、ゲー
ト配線及びソース配線等、液晶にとって不要な電界を発
する部分を透明画素電極で覆い、液晶のディスクリネー
ションを抑制する構造が知られている。
N液晶に電界をかけた場合、TN液晶が螺旋状の弾性体
であるがゆえ、電界強度、電界方向、螺旋方向、弾性定
数の兼ね合いにより配向にみだれが生じる現象を意味し
ている。ディスクリネーションは光もれ等を引き起こ
し、コントラスト低下・残像等表示品位の低下をもたら
す。
ティブマトリクス型液晶表示装置の画素領域の平面図で
あり、図9は図8のIX-IX断面図である。
は、ガラス基板210上に複数のゲート配線201が互
いに平行に配線され、ゲート配線201と直交するよう
に、複数のソース配線202が第一絶縁層208を介し
配線される。ゲート配線201とソース配線202の交
差部近傍には、アモスファスシリコン等の半導体層20
3からなる、薄膜トランジスタ211が配設され、その
ドレイン電極204は第二絶縁層209を介し、コンタ
クトホール205により透明画素電極206と接続され
る。
206をゲート配線201及びソース配線202にオー
バラップさせ、透明画素電極206の面積を極力大きく
するとともに、ゲート配線201及びソース配線202
の電界のもれを抑制させ、ディスクリネーションの発生
域をゲート配線及びソース配線領域に閉じ込めている。
すなわち、透明画素電極206とゲート配線201及び
ソース配線202の重なり幅はディスクリネーションに
よる光もれを隠す大きさに設計される。
206とゲート配線201及びソース配線202のオー
バラップ部は寄生容量となる。第二絶縁層209は低誘
電率かつ厚膜化が計られているものの、信号が頻繁に変
動するソース配線202は透明画素電極206に容量結
合し、クロストークの原因になることが知られている。
これを解決するために、透明画素電極206の両側のソ
ース配線202の信号を逆極性にし、容量結合による電
位変動を相殺する方法がとられている。この相殺効果を
得るために、隣接する2つの透明画素電極206とソー
ス配線202の重なり幅x1、x2は等しくされてい
る。
ーションは、液晶配向方向すなわちTFT基板ラビング
方向221、対向基板ラビング方向222により発生位
置が変わるが、図示の一般的方向においては、ソース配
線の左右で非対称の位置に発生する。これは、ソース配
線上部では電界が弓状に湾曲するので、所定角度を持っ
てTFT基板表面にアンカリングされた液晶分子のアン
カリング方向および電界方向が比較的一致する側と大き
く異なる側とで液晶分子の配列状態が異なることによっ
てディスクリネーションが偏って生じるためである。す
なわち、ディスクリネーションを隠すだけなら、透明画
素電極とソース配線の重なり幅x1、x2はx1<x2
とし、更に開口率を大きくすることができる。
位変動を相殺するという観点から、x1=x2とし、デ
ィスクリネーションの大きい側に合わせなければいけな
い。このソース配線に沿った光学的に無駄な領域は、画
素サイズとは独立に発生するため、特に画素サイズが小
さい高精細液晶表示装置において、開口率低下の大きな
要因となるという課題があった。
は、ソース配線と透明画素電極との間に第二絶縁層を介
在させ、前記透明画素電極を、前記ソース配線の両側に
て隣接する前記透明画素電極のそれぞれと前記ソース配
線との重なり幅が異なるように形成するとともに、前記
透明画素電極のそれぞれと前記ソース配線との重なりに
より生じる寄生容量の大きさの差を解消する補助容量を
形成してなることを特徴としたものである。本発明の液
晶表示装置は、隣接する2つの画素領域において重なり
幅が異なる透明画素電極とソース配線との重なりによる
寄生容量の差を解消する補助容量を有している。すなわ
ち、隣接する画素領域において透明画素電極とソース配
線の重なり幅が小さい側は寄生容量が小さく、重なり幅
が大きい方は寄生容量も大きいため、寄生容量の小さい
側に補助容量を付加し、全体として寄生容量と補助容量
との和が隣接する画素領域間で等しくなるようにした。
その結果、隣接する画素領域で透明画素電極とソース配
線の重なり幅が異なっても、ソース配線の電位変動が充
分に相殺され、クロストークを防止することができる。
逆に言えば、本発明においては、クロストークを発生さ
せることなく、透明画素電極とソース配線の重なり幅を
異ならせることができるので、ソース配線を中心に非対
称の位置に発生するディスクリネーションを隠す分だけ
透明画素電極とソース配線を重ねればよく、ソース配線
幅を細くできることで結果として開口率を向上すること
ができる。
一方の電極とし、前記ソース配線の下方に前記第一絶縁
膜を介して設置され、前記透明画素電極または前記ドレ
イン電極と電気的に接続または容量結合された補助電極
を他方の電極とする容量から構成してもよい。この構成
の場合、補助容量を構成する容量絶縁膜は第一絶縁層と
なるが、一般に、第一絶縁層はゲート絶縁膜と同一レイ
ヤーとなるために膜厚が充分薄いこと、比誘電率が大き
いこと、等の理由により、小さな重なり面積で大きな補
助容量を得ることができる。したがって、開口率をより
向上することができる。
にて前記ソース配線を延設してなる補助電極を一方の電
極とし、前記第二絶縁層を介し上部に延設された前記透
明画素電極を他方の電極とする容量から構成してもよ
い。この構成の場合、新たに補助電極を形成する必要が
なく、パターンのレイアウトが複雑にならないため、歩
留まりの低下を招く恐れが少ない、という利点がある。
施の形態を図面に基づいて説明する。
領域の平面図であり、図2は図1のII−II断面図、図3
は図1のIII−III断面図であり、図4は実動作時の電
界、液晶配向及び光透過率のII−II断面でのシミュレー
ション結果である。ガラス基板10上に複数のゲート配
線1を金属薄膜で互いに平行に配線し、複数のソース配
線2を金属薄膜で、ゲート配線1と直交するように、第
一絶縁層8を介し、配線する。第一絶縁層は薄膜トラン
ジスタ11のゲート絶縁膜と同一レイヤーの膜であり、
SiNx、SiO2等により膜厚200〜500nmで形
成する。ゲート配線1とソース配線2の交差部近傍にア
モルファスシリコン等からなる半導体層3を有する薄膜
トランジスタ11を配設し、そのドレイン電極4は第二
絶縁層9を介し、コンタクトホール5により透明画素電
極6と接続する。第二絶縁層9はアクリル等の有機材料
を用い膜厚1〜3μm程度で形成する。透明画素電極6
は、ソース配線2の両側にて隣接する透明画素電極6の
それぞれとソース配線2との重なり幅が異なるように形
成する。その重なり幅はソース配線の左右で異なる値と
し、x1=0.5〜2μm、x2=2.5〜4μm程度
である。x1、x2の大小関係は液晶の配向方向、すな
わちラビング方向に依存するものであるが、本実施形態
では、TFT基板ラビング方向21、対向基板ラビング
方向22は図示の通りである。また、図4はこの時のシ
ミュレーション結果である。
り、32は透明画素電極であり、33は対向基板(図示
略)に設けた対向電極を表している。また、符号34は
電界、35は光透過率、36は液晶の配列方向を模式的
に示している。このシミュレーションからわかるよう
に、本実施の形態のラビング方向の場合には隣接する画
素電極32,32間の中央に光透過率のピークが生じる
とともに、このピークの右側にもう一つのピークが生じ
ている。このように、ソース配線31を中心として右側
の画素領域に光透過率のピーク、すなわちディスクリネ
ーションにより光透過率の異常上昇が発生するため、図
1に示したように、1本のソース配線に対して右側の画
素領域の透明画素電極とソース配線との重なり幅を、左
側の画素領域のそれよりも大きく取る必要があるわけで
ある。
し、ゲート配線1と同時に形成した補助電極7を配設
し、第一の補助容量15を形成する。更に補助電極7を
ドレイン電極4下部まで延設し、第二の補助容量14を
形成する。この第一の補助容量15と第二の補助容量1
4は、透明画素電極6とソース配線2との間で、直列接
続された形となり、補助容量として機能する。補助電極
7の大きさは、透明画素電極6とソース配線2の左右で
異なる重なり幅に起因する寄生容量の不均衡を補償する
ように設定する。一般にソース配線との間で形成される
第一の補助容量15はドレイン電極4との間で形成され
る第二の補助容量14に対して大きくできるため、第二
の補助容量を、透明画素電極6とソース配線2の左右で
異なる重なり幅に起因する寄生容量の差分と等しくなる
ように設計すればよい。
レイン電極4のどちらか一方と電気的に接続される構造
をとっても構わない。この場合においても、補助電極7
の大きさは、透明画素電極6とソース配線2の左右で異
なる重なり幅に起因する寄生容量の不均衡を補償するよ
うに設定されるべきである。
5または第二の補助容量14の誘電体となる第一絶縁層
8は第二絶縁層9と比較し膜厚が十分薄くかつ比誘電率
も大きいため、第一の補助容量15または第二の補助容
量14は、透明画素電極6とソース配線2の重なり部に
対し十分小さな面積で形成できるという特徴があり、画
素開口部を損なうこと無く形成できる。これにより、ク
ロストーク品質を損なうこと無く、ソース配線幅をディ
スクリネーションを隠すのに必要なだけの幅にすること
によって、従来例のソース配線幅をより細く設定でき、
開口率を大幅に向上させることができる。
図であり、図6は図5のVI-VI断面図、図7は図5のVII
-VII断面図である。TFT基板を作製する手順、材質は
第1の実施形態と同一である。また、透明画素電極6も
第1の実施形態と同様、ソース配線2の両側にて隣接す
る透明画素電極6のそれぞれとソース配線2との重なり
幅が異なるように形成する。なお、本実施形態におい
て、先の実施形態と同一部材については同一符号を付し
てこれら部材の説明を省略する。
直接透明画素電極6とソース配線2の重なり部を特別に
配設することで形成している。言い換えると、従来一般
の薄膜トランジスタの構造では、半導体層上にかかる部
分のみにソース電極を設けるのが普通であるが、本実施
の形態の構造の場合、ソース電極を半導体層3上からゲ
ート配線1上にまで延設して補助電極とし、この補助電
極と第二絶縁層9を介して対向する透明画素電極6とで
補助容量12を形成している。更に補助容量12を効果
的に配設するため、薄膜トランジスタ11を、ソース配
線2の両側にて隣接する透明画素電極6のそれぞれとソ
ース配線2との重なり幅が小さい側に配設している。こ
れにより薄膜トランジスタ11のソース電極部上部も、
補助容量12から連続的に補助用の容量として利用でき
る。
た補助電極を必要とせず、レイアウトが複雑にならない
ため、歩留まり低下の可能性が少ないという効果もあ
る。本実施形態においても、従来に比べて開口率を大幅
に向上させることができる。
ば、ソース配線の両側にて隣接する透明画素電極のそれ
ぞれと、ソース配線との重なり幅が異なるように形成す
るとともに、第二絶縁層を介して前記画素電極との間、
前記透明画素電極のそれぞれと前記ソース配線との重な
りにより生じる寄生容量の大きさの差を解消する補助容
量を形成したため、液晶表示装置のクロストーク品質を
損なうこと無く、開口率をあげることができるという効
果が得られる。
面図である。
実動作時における電界・液晶配向及び光透過率の、II-I
I断面でのシミュレーション結果を示す図である。
面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 一対の基板の内面のそれぞれに形成され
た配向膜に液晶が挟持され、うち一方の基板の対向面に
複数のゲート配線及び複数のソース配線を、第一絶縁層
を介し交差させてマトリックス状に配置し、前記ゲート
配線及び前記ソース配線の交差部近傍にてゲート配線か
ら延設したゲート電極と前記ソース配線から延設したソ
ース電極とに接続されたスイッチング素子を配設し、該
スイッチング素子のそれぞれにドレイン電極を介して接
続した透明画素電極によって前記液晶を駆動する液晶表
示装置において、前記ソース配線と前記透明画素電極と
の間に第二絶縁層を介在させ、前記透明画素電極を、前
記ソース配線の両側にて隣接する前記透明画素電極のそ
れぞれと前記ソース配線との重なり幅が異なるように形
成するとともに、前記透明画素電極のそれぞれと前記ソ
ース配線との重なりにより生じる寄生容量の大きさの差
を解消する補助容量を形成してなることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項2】 前記補助容量は、前記ソース配線を一方
の電極とし、前記ソース配線の下方に前記第一絶縁膜を
介して設置され、前記透明画素電極または前記ドレイン
電極と電気的に接続または容量結合された補助電極を他
方の電極とする容量からなることを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記補助容量は、前記ゲート配線上にて
前記ソース配線を延設してなる補助電極を一方の電極と
し、前記第二絶縁層を介し上部に延設された前記透明画
素電極を他方の電極とする容量からなることを特徴とす
る請求項1記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17753399A JP3716132B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 液晶表示装置 |
TW089110069A TW580605B (en) | 1999-06-23 | 2000-05-24 | Liquid crystal display apparatus |
KR10-2000-0033159A KR100375187B1 (ko) | 1999-06-23 | 2000-06-16 | 액정표시장치 |
US09/602,111 US6507375B1 (en) | 1999-06-23 | 2000-06-23 | Liquid crystal display device in which neighboring pixel electrodes overlap source line by different widths |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17753399A JP3716132B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001005032A true JP2001005032A (ja) | 2001-01-12 |
JP3716132B2 JP3716132B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=16032607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17753399A Expired - Fee Related JP3716132B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6507375B1 (ja) |
JP (1) | JP3716132B2 (ja) |
KR (1) | KR100375187B1 (ja) |
TW (1) | TW580605B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004102151A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Sharp Corp | 表示装置 |
KR100463869B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-12-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2006516162A (ja) * | 2002-08-21 | 2006-06-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置 |
US9482913B2 (en) | 2011-10-03 | 2016-11-01 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
CN111752056A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 和鑫光电股份有限公司 | 面板及其像素结构 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6897908B2 (en) * | 2001-11-23 | 2005-05-24 | Chi Mei Optoelectronics Corporation | Liquid crystal display panel having reduced flicker |
TWI287132B (en) * | 2001-11-23 | 2007-09-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | A liquid crystal display having reduced flicker |
JP2005524224A (ja) * | 2002-04-26 | 2005-08-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクスディスプレイ装置 |
JP3677011B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2005-07-27 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20030093519A (ko) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
KR100737702B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2007-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR100905015B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 끝선이 밝게 빛나는 현상을 제거한 액정표시장치 |
CN100451784C (zh) * | 2004-01-29 | 2009-01-14 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
JP4276965B2 (ja) | 2004-02-04 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2005275102A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
CN100476554C (zh) * | 2004-08-31 | 2009-04-08 | 卡西欧计算机株式会社 | 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件 |
CN100492141C (zh) * | 2004-09-30 | 2009-05-27 | 卡西欧计算机株式会社 | 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件 |
US20060066791A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Casio Computer Co., Ltd. | Vertical alignment active matrix liquid crystal display device |
TWI290649B (en) * | 2004-11-29 | 2007-12-01 | Casio Computer Co Ltd | Vertical alignment active matrix liquid crystal display device |
KR100752876B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-08-29 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 수직배향형의 액정표시소자 |
US8068200B2 (en) * | 2004-12-24 | 2011-11-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions |
JP4639797B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-02-23 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
KR101197049B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
JP4766673B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-09-07 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
US20070229744A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Casio Computer Co., Ltd. | Vertically aligned liquid crystal display device |
KR100828217B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2008-05-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
JP5247008B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2013-07-24 | キヤノン株式会社 | 透過型の表示装置 |
TWI366703B (en) * | 2006-12-15 | 2012-06-21 | Au Optronics Corp | A liquid crystal display panel and a producing method thereof |
JP5251034B2 (ja) * | 2007-08-15 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
TW201003269A (en) | 2008-07-04 | 2010-01-16 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and pixel structure thereof |
TWI370311B (en) * | 2008-09-05 | 2012-08-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure of a display panel |
KR100929684B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2009-12-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
TWI609214B (zh) * | 2017-01-06 | 2017-12-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0438138B1 (en) | 1990-01-17 | 1995-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid-crystal display device of active matrix type |
JP3072326B2 (ja) * | 1990-09-25 | 2000-07-31 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体単結晶薄膜基板光弁装置とその製造方法 |
JP2772405B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1998-07-02 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
JP2934875B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1999-08-16 | カシオ計算機株式会社 | マトリックス型液晶表示装置 |
TW373114B (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
US5953088A (en) * | 1997-12-25 | 1999-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes |
US6300987B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays |
-
1999
- 1999-06-23 JP JP17753399A patent/JP3716132B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-24 TW TW089110069A patent/TW580605B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-16 KR KR10-2000-0033159A patent/KR100375187B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-23 US US09/602,111 patent/US6507375B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100463869B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-12-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2006516162A (ja) * | 2002-08-21 | 2006-06-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置 |
JP2004102151A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Sharp Corp | 表示装置 |
US9482913B2 (en) | 2011-10-03 | 2016-11-01 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
CN111752056A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 和鑫光电股份有限公司 | 面板及其像素结构 |
CN111752056B (zh) * | 2019-03-26 | 2023-05-30 | 和鑫光电股份有限公司 | 面板及其像素结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3716132B2 (ja) | 2005-11-16 |
KR100375187B1 (ko) | 2003-03-08 |
KR20010007405A (ko) | 2001-01-26 |
US6507375B1 (en) | 2003-01-14 |
TW580605B (en) | 2004-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3716132B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US6262784B1 (en) | Active matrix display devices having improved opening and contrast ratios and methods of forming same and a storage electrode line | |
US7916258B2 (en) | In-plane switching LCD panel | |
US7619694B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
US7626646B2 (en) | Substrate for display device and display device equipped therewith | |
US7362391B2 (en) | In-plane switching LCD device | |
US20010055074A1 (en) | In-plane switching mode lcd with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode | |
US20060012741A1 (en) | Vertical alignment liquid crystal display device | |
US20070182872A1 (en) | Multi-domain liquid crystal display and a thin film transistor substrate of the same | |
US7973899B2 (en) | Thin film transistor array panel with capacitive coupling between adjacent pixel areas | |
US6762815B2 (en) | In-plane switching LCD with a redundancy structure for an opened common electrode and a high storage capacitance | |
US20040227889A1 (en) | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor | |
JPH0815670A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US20060279683A1 (en) | Fringe field switching mode LCD having high transmittance | |
US20080303999A1 (en) | Multi-domain liquid crystal display and array substrate thereof | |
US7932961B2 (en) | Liquid crystal display device having light blocking line disposed on same layer as gate line | |
JPH06332007A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR19990026637A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
JP3199221B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US7432995B2 (en) | Liquid crystal display device comprising one pair of thin film transistors per pixel and method for fabricating the same | |
US20030123011A1 (en) | Array substrate for use in in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR20050031478A (ko) | Ocb 모드 액정 표시 장치 | |
KR19990060948A (ko) | 횡전극구동 모드 박막트랜지스터 액정표시소자 | |
US20040090406A1 (en) | Liquid crystal display | |
KR100482463B1 (ko) | 개구율이 개선된 액정 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |