JPH06332007A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06332007A JPH06332007A JP12223893A JP12223893A JPH06332007A JP H06332007 A JPH06332007 A JP H06332007A JP 12223893 A JP12223893 A JP 12223893A JP 12223893 A JP12223893 A JP 12223893A JP H06332007 A JPH06332007 A JP H06332007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- electrodes
- bus lines
- bus line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
ソグラフィ工程の目合わせずに起因するゲート・ソース
間容量の変動を補償する補正容量電極を設ける。 【構成】ゲートバスライン2とドレインバスライン7の
交差部近傍に設けた薄膜トランジスタの隣りのドレイン
バスライン7aの近傍にゲートバスライン2から分岐し
た補正容量下部電極4を設け、ソース電極9と一体化し
て設けた補正容量上部電極10を絶縁膜5を介して補正
容量下部電極4の上に重ねて設けることにより、目合せ
ずれによるゲート・ソース間容量の変動を補償する。
Description
に補正容量電極に関する。
をスイッチング素子として用いた液晶表示装置は、薄
型,低消費電力の点ですぐれ、広く使用されているが、
薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極間のアライ
メントむらによって浮遊容量にばらつきがあると、ソー
ス電極に接続された画素電極の電圧が変化してコントラ
ストのむらが生じ画質が低下するという問題点がある。
すように、ガラス基板1上に設けたゲート電極3の上に
絶縁膜5を介して設けた半導体薄膜6の中央にドレイン
電極8を設け両端にソース電極9を形成して対称形に2
ケの薄膜トランジスタを形成して並列接続し、一方のト
ランジスタのゲート・ソース間容量が増加すると他方の
トランジスタのゲート・ソース間容量が減少することで
容量変動を補償するもの(特開平2−79476号公報
参照)がある。
ゲートバスライン2とドレインバスライン7の交差部近
傍にゲートバスライン2から分岐したゲート電極3,ゲ
ート電極3上に設けた半導体薄膜6,ドレインバスライ
ン7から分岐して半導体薄膜6の一方の側に設けたドレ
イン電極8,半導体薄膜6上の他方の側に設けたソース
電極9からなる薄膜トランジスタのソース電極9から延
長してゲート電極3の延長上のドレイン電極8側の一部
に重ねて設けた補正容量電極10とソース電極9に接続
した画素電極11を設け、ゲート電極3とソース電極9
とのアライメントむらによる容量変動を補償するもの
(特開平4−68319号公報参照)がある。
置では、ゲート・ソース間容量を均一化するために設け
た補正容量電極により素子全体の面積が増大したり、各
画素における開口率が低下するという問題点があった。
つ液晶表示装置の場合、従来の例では、開口率が10〜
20%低下するという問題があった。
は、絶縁基板上に設けたゲートバスラインおよび前記ゲ
ートバスラインから分岐したゲート電極と、前記ゲート
電極を含む表面に設けた絶縁膜を介して前記ゲート電極
上に設けた半導体薄膜と、前記絶縁膜上に設けて前記ゲ
ートバスラインと交差するドレインバスラインから分岐
し前記半導体薄膜上の一方の側に設けたドレイン電極
と、前記半導体薄膜上の他方の側に設けて画素電極に接
続したソース電極とを有する液晶表示装置において、隣
りの画素のドレインバスラインの近傍の前記ゲートバス
ラインより分岐して設けた補正容量下部電極と、前記ソ
ース電極に接続して前記補正容量下部電極上に前記絶縁
膜を介して設けた補正容量上部電極とを備えている。
る。
示す平面図およびA−A′線断面図である。
ガラス基板1の上に設けたゲートバスライン2およびゲ
ートバスライン2から各画素毎に分岐させて設けたゲー
ト電極3並びに補正容量下部電極4と、これらを含む表
面に設けてゲート絶縁膜および容量絶縁膜を兼ねる絶縁
膜5と、ゲート電極3上の絶縁膜5の上に選択的に形成
した半導体薄膜6と、ゲート電極3近傍の絶縁膜5の上
に設けてゲートバスラインと交差するドレインバスライ
ン7と、ドレインバスライン7から分岐して半導体薄膜
6上の一方の側に設けたドレイン電極8と、半導体薄膜
6上の他方の側に設けたソース電極9およびソース電極
9に接続して絶縁膜5上に延在し補正容量下部電極4の
上に一部重なって設けた補正容量上部電極10と、ソー
ス電極9に接続して設けた透明な画素電極11とを有し
て構成され、ゲートバスライン2とドレインバスライン
7との交差部近傍に設けた薄膜トランジスタと画素電極
11を介して対向する辺の隣の画素のドレインバスライ
ン7aの近傍に補正容量電極4,10が形成されてい
る。
4,ソース電極9と補正容量上部電極10はそれぞれ一
つのパターンとして形成されているため、ゲート電極3
とソース電極9の相対位置がフォトリソグラフィ工程の
位置ずれによってゲート・ソース間容量が増加する方向
にずれると補正容量電極間の容量は減少し、ゲート・ソ
ース間容量が減少すると補正容量は増加する。
と、補正容量電極のそれとは前者がMIS(メタル−絶
縁体−半導体)容量であり、後者がMIM(メタル−絶
縁体−メタル)容量であるため異なっている。典型的に
はトランジスタのチャネル幅:WTrに対して補正容量部
の幅:WC をWC ≒0.5×WTrとすることにより、上
述したゲートとソースのアライメントずれによるトラン
ジスタのゲート・ソース間寄生容量変化と補正容量の変
化は打ちけし合い、たし算としてのゲートと表示電極と
の寄生容量を一定にできる。
ックマトリックスで区画された画素開口部の外に形成す
ることにより、画素の開口率を低下させずに容量補正が
できる。
スラインとドレインバスラインの交差部近傍に設けた薄
膜トランジスタと画素電極を介して対向する辺の隣のド
レインバスラインの近傍に薄膜トランジスタのゲート電
極と一体化した補正容量下部電極と、ソース電極と一体
化して設けた補正容量上部電極とを設けることにより、
補正容量電極を画素開口部の外に置くことができ、フォ
トリソグラフィ工程のアライメントずれで生ずるゲート
・ソース間容量の変動を画素開口部の開口率を低下させ
ずに補償できるという効果を有する。
線断面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 絶縁基板上に設けたゲートバスラインお
よび前記ゲートバスラインから分岐したゲート電極と、
前記ゲート電極を含む表面に設けた絶縁膜を介して前記
ゲート電極上に設けた半導体薄膜と、前記絶縁膜上に設
けて前記ゲートバスラインと交差するドレインバスライ
ンから分岐し前記半導体薄膜上の一方の側に設けたドレ
イン電極と、前記半導体薄膜上の他方の側に設けて画素
電極に接続したソース電極とを有する液晶表示装置にお
いて、隣りの画素のドレインバスラインの近傍の前記ゲ
ートバスラインより分岐して設けた補正容量下部電極
と、前記ソース電極に接続して前記補正容量下部電極上
に前記絶縁膜を介して設けた補正容量上部電極とを備え
たことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 ゲート電極と補正容量下部電極が一体化
された単一パターンからなり、且つソース電極と補正容
量上部電極が一体化された単一パターンからなる請求項
1記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12223893A JP2556253B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 液晶表示装置 |
KR1019940011612A KR0162109B1 (ko) | 1993-05-25 | 1994-05-25 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 디바이스 |
US08/249,624 US5546205A (en) | 1993-05-25 | 1994-05-25 | Active matrix liquid crystal display panel having compensating capacitor provided without lowering pixel aperture ratio |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12223893A JP2556253B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06332007A true JPH06332007A (ja) | 1994-12-02 |
JP2556253B2 JP2556253B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=14831009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12223893A Expired - Lifetime JP2556253B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5546205A (ja) |
JP (1) | JP2556253B2 (ja) |
KR (1) | KR0162109B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100419086B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2004-05-20 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터액정표시장치 |
KR100444792B1 (ko) * | 1996-07-25 | 2004-12-30 | 삼성전자주식회사 | 유지용량을줄이기위한액정표시장치의구조 |
JP2007183643A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 画素ユニットとそれを用いたディスプレイ装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
JPH09281508A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
KR100247493B1 (ko) | 1996-10-18 | 2000-03-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액티브매트릭스기판의 구조 |
US6407440B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-06-18 | Micron Technology Inc. | Pixel cell with high storage capacitance for a CMOS imager |
US6767609B2 (en) * | 2000-09-15 | 2004-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Perforated film constructions for backlit signs |
WO2002084756A1 (en) | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for providing a high-performance active matrix pixel using organic thin-film transistors |
TWI287132B (en) * | 2001-11-23 | 2007-09-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | A liquid crystal display having reduced flicker |
US6897908B2 (en) * | 2001-11-23 | 2005-05-24 | Chi Mei Optoelectronics Corporation | Liquid crystal display panel having reduced flicker |
KR100508000B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2005-08-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
TWI226962B (en) | 2004-01-05 | 2005-01-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device with a capacitance-compensated structure |
TWI489191B (zh) * | 2012-09-20 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構及薄膜電晶體 |
KR102097024B1 (ko) | 2013-01-04 | 2020-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0281028A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH02178632A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2850332B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1999-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JPH02234128A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
EP0438138B1 (en) * | 1990-01-17 | 1995-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid-crystal display device of active matrix type |
JP2573730B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
US5245450A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
US5302987A (en) * | 1991-05-15 | 1994-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate including connecting electrode with extended portion |
US5285302A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-08 | Industrial Technology Research Institute | TFT matrix liquid crystal display with compensation capacitance plus TFT stray capacitance constant irrespective of mask misalignment during patterning |
FR2689287B1 (fr) * | 1992-03-30 | 1997-01-03 | France Telecom | Ecran d'affichage a masque optique et procede de realisation de cet ecran. |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP12223893A patent/JP2556253B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-25 US US08/249,624 patent/US5546205A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-25 KR KR1019940011612A patent/KR0162109B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0281028A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH02178632A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100419086B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2004-05-20 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터액정표시장치 |
KR100444792B1 (ko) * | 1996-07-25 | 2004-12-30 | 삼성전자주식회사 | 유지용량을줄이기위한액정표시장치의구조 |
JP2007183643A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 画素ユニットとそれを用いたディスプレイ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5546205A (en) | 1996-08-13 |
KR0162109B1 (ko) | 1998-12-15 |
JP2556253B2 (ja) | 1996-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5659375A (en) | Active matrix LCD device having two equal coupling capacitances | |
US6956633B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus | |
US7511777B2 (en) | Liquid crystal display device with compensating patterns on capacitor electrodes | |
US7626646B2 (en) | Substrate for display device and display device equipped therewith | |
JP2556253B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US7268839B2 (en) | Array substrate comprising an island shaped drain electrode enclosed by the source electrode and liquid crystal display device including the same | |
JP2003091017A (ja) | カラー液晶表示装置 | |
US7687835B2 (en) | Liquid crystal display panel | |
US5886757A (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
JP4065645B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JPH0772509A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示素子 | |
US7173681B2 (en) | Two pixel electrodes interposing the signal line extending into without extending beyond the recess on the protection film caused by the contact hole | |
JP3082277B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100205378B1 (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시소자 | |
KR100511172B1 (ko) | 박막트랜지스터의 구조 | |
JPH08211406A (ja) | アクティブマトリクス表示素子 | |
JPH05251700A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
US20070296882A1 (en) | Thin film transistor array | |
JP3113480B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2573730B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
JPH11271788A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH04358128A (ja) | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 | |
JPH11183932A (ja) | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 | |
KR20060029101A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 | |
KR100543028B1 (ko) | 박막 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960716 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905 Year of fee payment: 14 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905 Year of fee payment: 14 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 17 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 17 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 17 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |