NL1025134C2 - Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode - Google Patents
Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode Download PDFInfo
- Publication number
- NL1025134C2 NL1025134C2 NL1025134A NL1025134A NL1025134C2 NL 1025134 C2 NL1025134 C2 NL 1025134C2 NL 1025134 A NL1025134 A NL 1025134A NL 1025134 A NL1025134 A NL 1025134A NL 1025134 C2 NL1025134 C2 NL 1025134C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- electrode
- gate electrode
- layer
- organic light
- source
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 55
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 claims description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L29/78624—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile the source and the drain regions being asymmetrical
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
Korte aanduiding: Organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix en daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.Brief indication: Organic light-emitting diode device of the active matrix type and thin-film transistor intended for this purpose.
[0001] Deze aanvrage roept de prioriteit in van de Koreaanse octrooiaanvrage P2002-040409, ingediend op 11 juli 2002, waarvan de inhoud als hier ingelast wordt beschouwd.This application claims the priority of Korean Patent Application P2002-040409, filed July 11, 2002, the contents of which are incorporated herein by reference.
5 ACHTERGROND VAN DE UITVINDINGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebied van de uitvindingFIELD OF THE INVENTION
[0002] De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een organische licht emitterende diode (OLED)en meer in het bijzonder op een organische licht emitterende diode met actieve matrix (AMOLED) en op 10 een daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.The present invention relates to an organic light-emitting diode (OLED) and more particularly to an organic light-emitting diode with active matrix (AMOLED) and a thin-film transistor intended for that purpose.
Bespreking van de stand van de techniekDiscussion of the prior art
[0003] Beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen (LCD's) zijn algemeen gebruikt daar waar beeldweergevende inrich- 15 tingen met een vlak paneel worden toegepast als gevolg van hun laag gewicht en hun lage stroomopname. Echter is een beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD) geen licht emitterend element docht een licht ontvangend element dat voor het weergeven van beelden een hulplichtbron nodig heeft. Er zijn dan ook technische 20 beperkingen aan de verbeteringen van helderheid, contrastverhou-ding, zichthoek, en aan de mogelijkheden van het vergroten van de afmeting van een beeldweergevend paneel met vloeiende kristallen.[0003] Flow crystal display devices (LCDs) are commonly used where flat panel display devices are used due to their low weight and low power consumption. However, a liquid crystal display device (LCD) is not a light emitting element but a light receiving element that requires an auxiliary light source for displaying images. There are therefore technical limitations to the improvements in brightness, contrast ratio, viewing angle, and to the possibilities of increasing the size of an image display panel with flowing crystals.
Als gevolg hiervan zijn er vele onderzoekingen uitgevoerd op dit gebied met als doel het ontwikkelen van een nieuw beeldweergevend 25 element met vlak paneel waarmee de hierboven beschreven problemen kunnen worden ondervangen. De inrichting met een organische licht emitterende diode (OLED) is een van de nieuwere beeldweergevende elementen met vlak paneel. Omdat een organische licht emitterende diode (OLED) licht emitteert zonder dat daarbij een hulplichtbron 30 nodig is zijn de zichthoek en de contrastverhouding superieur aan die van een beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD). Omdat er geen achtergrondverlichting als lichtbron nodig is zijn er de voordelen van een licht gewicht, kleine afmetingen en 1025134 - 2 - een lage stroomopname. Voorts kan een organische licht emitterende diode (OLED) worden gestuurd met een lage gelijkstroom en heeft een dergelijke inrichting een snelle responsietijd. Omdat de organische licht emitterende diode (OLED) inrichting gebruikmaakt van een vast 5 materiaal in plaats van een vloeiend materiaal zoals een vloeiend kristal is een dergelijke inrichting stabieler tegen externe stoten en heeft een groter bereik van werktemperaturen waarbij de organische licht emitterende diode (OLED) inrichting nog kan worden bedreven, dit vergeleken met de beeldweergevende inrichting met vloeien-10 de kristallen (LCD). Meer in het bijzonder heeft de inrichting met organische licht emitterende diode (OLED) het voordeel dat de kosten van vervaardiging laag zijn. Omdat slechts een toestel voor het neerslaan van materialen en een inkapselapparaat nodig zijn voor het vervaardigen van de inrichting met de organische licht emitte-15 rende diode (OLED), dit in tegenstelling tot beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen (LCD's) of plasmabeeldweerge-vende panelen (PDP's) die vele andere toestellen vergen voor het vervaardigen daarvan, is het vervaardigingsproces voor de inrichting met de organische licht emitterende diode (OLED) bijzonder eenvoudig. 20 Wanneer de inrichting met de organische licht emitterende diode is een inrichting met een organische licht emitterende diode met actieve matrix (AMOLED), welke als schakelend element voor elk pixel gebruikmaakt van een dunne-filmtransistor, kan reeds bij het aanleggen van een kleine stroom een gewenste luminantie worden verkregen. De inrich-25 ting met organische licht emitterende diode (OLED) heeft dan ook de voordelen van een lage stroomopname, een hoge resolutie en grote mogelijke afmetingen. De basisstructuur en de werkkarakteristieken van de organische licht emitterende diode inrichting (AMOLED) met actieve matrix zullen in het hiernavolgende aan de hand van fig. 1 worden toege-30 licht.As a result, many investigations have been carried out in this field with the aim of developing a new flat panel image display element with which the problems described above can be overcome. The device with an organic light-emitting diode (OLED) is one of the newer image-displaying elements with a flat panel. Because an organic light-emitting diode (OLED) emits light without the need for an auxiliary light source 30, the viewing angle and contrast ratio are superior to those of a liquid crystal display device (LCD). Because no background lighting is required as a light source, there are the advantages of a light weight, small dimensions and 1025134 - 2 - low power consumption. Furthermore, an organic light-emitting diode (OLED) can be driven with a low direct current and such a device has a fast response time. Because the organic light-emitting diode (OLED) device uses a solid material instead of a flowing material such as a flowing crystal, such a device is more stable to external impacts and has a greater range of operating temperatures at which the organic light-emitting diode (OLED) device can still be operated, this compared to the image display device with flowing crystals (LCD). More in particular, the device with organic light-emitting diode (OLED) has the advantage that the manufacturing costs are low. Because only a device for depositing materials and an encapsulating device are required to manufacture the device with the organic light-emitting diode (OLED), this in contrast to image-display devices with flowing crystals (LCDs) or plasma image display panels (PDPs) that many other devices require for their manufacture, the manufacturing process for the device with the organic light-emitting diode (OLED) is particularly simple. When the device with the organic light-emitting diode is a device with an organic light-emitting diode with active matrix (AMOLED), which uses a thin-film transistor as the switching element for each pixel, a small current can already be applied when a small current is applied. desired luminance. The device with organic light-emitting diode (OLED) therefore has the advantages of a low current consumption, a high resolution and large possible dimensions. The basic structure and operating characteristics of the organic light-emitting diode device (AMOLED) with active matrix will be explained below with reference to FIG.
[0004] Fig. 1 toont de structuur van een pixel van een typische inrichting met organische licht emitterende diode en actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek.FIG. 1 shows the structure of a pixel of a typical device with organic light-emitting diode and active matrix (AMOLED) according to the prior art.
[0005] Zoals fig. 1 toont is een aftastende lijn gevormd in een eer-35 ste richting, en zijn signaalvoerende lijnen en voedende lijnen 2 respectievelijk 3 gevormd in de tweede richting die dwars staat op de eerste richting. De aftastende lijn 1 en de voedende lijnen 2 en 3 definiëren een pixelgebied op het onderlinge kruispunt. Een schakelende dunne-filmtransistor 4 die werkt als adresserend element is gevormd in I 025 134 - 3 - een gedeelte grenzend aan het kruispunt van de aftastende lijn 1 en de signaallijn 2. Een opslagcondensator 6 is elektrisch verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor 4 en de voedende lijn 3. Een aansturende dunne-filmtransistor die werkzaam is als stroombronelement 5 is 5 elektrisch verbonden met de opslagcondensator 6 en de voedende lijn 3. Een elektroluminescerende diode 7 is elektrisch verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor 5. Meer in het bijzonder heeft de organische licht emitterend inrichting met actieve matrix (AMOLED) de schakelende dunne-filmtransistor 4 en de aansturende dunne-filmtran-10 sistor 5 in een pixel. De schakelende dunne-filmtransistor 4 is bestemd voor het adresseren van een pixelspanning, die is een de poort aansturende spanning, en de aansturende dunne-filmtransistor 5 is bestemd voor het besturen van de aansturende stroom voor de organische licht emitterende diode inrichting met actieve matrix (AMOLED). Boven-15 dien vergt de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) de opslagcondensator 6 voor het handhaven van een stabiele pixelspanning.As Fig. 1 shows, a scanning line is formed in a first direction, and signal carrying lines and feeding lines 2 and 3, respectively, are formed in the second direction that is transverse to the first direction. The scanning line 1 and the feeding lines 2 and 3 define a pixel area at the mutual intersection. A switching thin-film transistor 4 acting as an addressing element is formed in a portion adjacent to the intersection of the scanning line 1 and the signal line 2. A storage capacitor 6 is electrically connected to the switching thin-film transistor 4 and the feeding line 3. A driving thin-film transistor operating as a current source element 5 is electrically connected to the storage capacitor 6 and the feeding line 3. An electroluminescent diode 7 is electrically connected to the driving thin-film transistor 5. More specifically, the organic light-emitting device with active matrix (AMOLED), the switching thin-film transistor 4 and the driving thin-film transistor 10 in a pixel. The switching thin film transistor 4 is intended for addressing a pixel voltage, which is a gate driving voltage, and the driving thin film transistor 5 is intended for controlling the driving current for the active matrix organic light-emitting diode device ( AMOLED). In addition, the organic light-emitting active matrix (AMOLED) diode device requires storage capacitor 6 to maintain a stable pixel voltage.
[0006] Fig. 2A toont een vlak aanzicht van een dunne-filmtransistor voor een typische geïnverteerd verschoven organische licht emitte- 20 rende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek.FIG. 2A shows a planar view of a thin film transistor for a typical inverted shifted organic light-emitting diode device with active matrix (AMOLED) according to the prior art.
[0007] Zoals fig. 2A toont is een poortelektrode 2 in één richting gevormd, en is een halfgeleidende laag 14 met een eilandvormig patroon zodanig gevormd dat deze de poortelektrode 12 bedekt. De bron- en af- 25 voerelektroden 16 en 18 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 14 en wel zodanig dat zij respectievelijk delen van de poortelektrode 12 overlappen. De bronelektrode 16 is een verlenging van de voedende lijn 20, die is gevormd in dezelfde richting als de poortelektrode 12. Hoewel niet in fig. 2A getoond is de afvoerelektrode 18 elektrisch ver-30 bonden met een (niet getoonde) eerste elektrode voor de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) terwijl de poortelektrode 12 elektrisch is verbonden met een (niet getoonde) afvoerelektrode van de schakelende dunne-filmtransistor. Hoewel niet in fig. 2A getoond heeft de organische licht emitterende diode-inrich-35 ting met actieve matrix (AMOLED) een opslagcondensator (niet getoond) welke elektrisch is verbonden met de voedende lijn en die werkzaam is voor het stabiel handhaven gedurende een bepaalde tijdsperiode van een de pixel aansturende spanning.As Fig. 2A shows, a gate electrode 2 is formed in one direction, and a semiconductor layer 14 with an island-shaped pattern is formed such that it covers the gate electrode 12. The source and drain electrodes 16 and 18 are formed on the semiconductor layer 14 in such a way that they overlap parts of the gate electrode 12, respectively. The source electrode 16 is an extension of the supply line 20 formed in the same direction as the gate electrode 12. Although not shown in Fig. 2A, the drain electrode 18 is electrically connected to a first electrode (not shown) for the organic active matrix light-emitting diode device (AMOLED) while the gate electrode 12 is electrically connected to a drain electrode (not shown) of the switching thin-film transistor. Although not shown in Fig. 2A, the organic light-emitting active matrix (AMOLED) diode device has a storage capacitor (not shown) which is electrically connected to the power supply line and which is operable to maintain stably over a certain period of time of a pixel driving voltage.
J 0251 3 4 - 4 -J 0251 3 4 - 4 -
[0008] In de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek overlapt de poortelektrode 12 delen van de bronelektrode 16 en de afvoerelektrode 18 waardoor een afstand "dl" in stand wordt gehouden tussen de bron-5 elektrode 16 en de afvoerelektrode 18. Een eerste overlappend gedeelte "a" tussen de poortelektrode 12 en de bronelektrode 16 is symmetrisch ten opzichte van een tweede overlappend gedeelte "b" tussen de poortelektrode 12 en de afvoerelektrode 18 ten opzichte van de hartlijn van de poortelektrode 12.In the active light matrix (AMOLED) organic light emitting diode device of the prior art, the gate electrode 12 overlaps portions of the source electrode 16 and the drain electrode 18 thereby maintaining a distance "d1" between the source electrodes. Electrode 16 and the drain electrode 18. A first overlapping portion "a" between the gate electrode 12 and the source electrode 16 is symmetrical with respect to a second overlapping portion "b" between the gate electrode 12 and the drain electrode 18 with respect to the center line of the gate electrode 12.
10 [0009] Fig. 2B toont een dwarsdoorsnede over de lijn IIB-IIB in fig.FIG. 2B shows a cross-section along the line IIB-IIB in FIG.
2A.2A.
[0010] Zoals fig. 2B toont is de poortelektrode 12 gevormd op een substraat 10 en de de poort isolerende laag 13 is gevormd op het gehele substraat 10, waarop reeds de poortelektrode 12 is gevormd.As Fig. 2B shows, the gate electrode 12 is formed on a substrate 10 and the gate insulating layer 13 is formed on the entire substrate 10, on which the gate electrode 12 has already been formed.
15 De halfgeleidende laag 14 is gevormd op de de poort isolerende laag 13 en wel zodanig dat de poortelektrode 12 wordt bedekt. De bronelektrode 16 en de afvoerelektrode 18 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 14 en liggen op afstand van elkaar. Parasitaire condensatoren CGS en CGD worden gevormd in de eerste respectievelijk de 20 tweede overlappende delen "a" respectievelijk "b". De capacitaire capaciteiten CGS respectievelijk CGd hebben dezelfde capaciteits-waarde. In de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek worden de oppervlakken van de eerste en de tweede overlappende delen "a” en ”b” 25 zo klein mogelijk gehouden om de parasitaire capaciteiten Cgs respectievelijk Cgd ook zo klein mogelijk te doen zijn. Omdat anderzijds een dunne-filmtransistor bij een inrichting met vloeiende kristallen (LCD) volgens de stand van de techniek slechts werkzaam is als schakelend element en de dataspanning wordt bestuurd afhankelijk van een gemeen-30 schappelijke spanning vormt de schakelende dunne-filmtransistor een parasitaire capaciteit, en deze parasitaire capaciteit introduceert een verschijnsel van flikkeren en overspraak dat de kwaliteit van de weergegeven beelden verslechtert.The semiconductor layer 14 is formed on the layer insulating layer 13 so that the gate electrode 12 is covered. The source electrode 16 and the drain electrode 18 are formed on the semiconductor layer 14 and are spaced apart. Parasitic capacitors CGS and CGD are formed in the first and second overlapping parts "a" and "b", respectively. The capacitive capacities CGS and CGd respectively have the same capacity value. In the prior art organic light-emitting diode device (AMOLED) according to the prior art, the surfaces of the first and second overlapping parts "a" and "b" are kept as small as possible in order to reduce the parasitic capacitances Cgs and Cgd Because on the other hand a thin-film transistor in a liquid crystal device (LCD) according to the state of the art only acts as a switching element and the data voltage is controlled depending on a common voltage, the switching thin-film transistor has a parasitic capacitance, and this parasitic capacitance introduces a flicker and crosstalk phenomenon that degrades the quality of the displayed images.
[0011] Echter in de organische licht emitterende diode-inrichting 35 met actieve matrix (AMOLED) is het, omdat van een beeld de grijsschaal moet worden weergegeven door een besturing van de stroom in de aansturende dunne-filmtransistor, zeer belangrijk een constante stroom te handhaven teneinde een goede kwaliteit van de weergegeven beelden te verkrijgen. Meer in het bijzonder zal, wanneer het niveau van de span- 1025134 - 5 - ning niet stabiel kan worden gehandhaafd door middel van de opslagcondensator, het stroomniveau aanzienlijk fluctueren, en dan kunnen geen beelden met goede kwaliteit worden weergegeven. De opslagcondensator speelt dan ook een zeer belangrijke rol in de organische licht 5 emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED). De organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) is een stroom modulerend element, waarin de bron- en afvoerrichtingen van een pixelspanning reeds vastliggen, en waarin, in tegenstelling tot een beeld weergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD) er 10 geen polariteitsomkering van positief naar negatief optreedt.However, in the organic light-emitting diode device 35 with active matrix (AMOLED), since the gray scale of an image must be represented by controlling the current in the driving thin-film transistor, it is very important to have a constant current. to obtain a good quality of the displayed images. More specifically, if the voltage level cannot be stably maintained by means of the storage capacitor, the current level will fluctuate considerably, and then good quality images cannot be displayed. The storage capacitor therefore plays a very important role in the organic light-emitting diode device with active matrix (AMOLED). The organic light-emitting diode device with active matrix (AMOLED) is a current modulating element, in which the source and drain directions of a pixel voltage are already fixed, and in which, unlike a liquid crystal display device (LCD), there are no polarity reversal from positive to negative occurs.
[0012] Apart van de hierboven beschreven verschillen tussen de organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) en de beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen wordt er een overlappend gebied gevormd tussen de poortelektrode en de bron- 15 elektrode dat gelijk is aan het overlappend gebied tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode in de aansturende dunne-filmtransis-tor, zoals de schakelende dunne-filmtransistor. De grootte van de pixelspanning hangt aldus af van de grootte van een aanvullende opslagcondensator. Er kan dan een onderbreking optreden in aangrenzende 20 metalen patronen in de zone van de opslagcondensator, wat erin resulteert dat het product niet meer goed werkt.Apart from the above-described differences between the organic light emitting diode device with active matrix (AMOLED) and the image display device with flowing crystal, an overlapping area is formed between the gate electrode and the source electrode which is equal to the overlapping area between the gate electrode and the drain electrode in the driving thin film transistor, such as the switching thin film transistor. The magnitude of the pixel voltage thus depends on the magnitude of an additional storage capacitor. An interruption may then occur in adjacent metal cartridges in the storage capacitor zone, resulting in the product no longer functioning properly.
SAMENVATTING VAN DE UITVINDINGSUMMARY OF THE INVENTION
[0013] De onderhavige uitvinding is aldus gericht op een organi-25 sche licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) welke in hoofdzaak één of meer van de hierboven beschreven problemen resulterend uit de beperkingen en nadelen van de stand van de techniek ondervangt.The present invention is thus directed to an organic light-emitting diode device with active matrix (AMOLED) which substantially overcomes one or more of the problems described above resulting from the limitations and disadvantages of the prior art. .
[0014] Een ander doel van de uitvinding is het verschaffen van een 30 aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting met actieve matrix (AMOLED) met een structuur waarin een overlappende zone wordt gevormd tussen een poortelektrode en een bronelektrode die groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en een afvoerelektrode, zodanig dat de overlappende zone 35 tussen de poortelektrode en de bronelektrode een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel vormt.Another object of the invention is to provide a driving thin-film transistor for an organic light-emitting diode device with active matrix (AMOLED) with a structure in which an overlapping zone is formed between a gate electrode and a source electrode that is larger is then an overlapping zone between the gate electrode and a drain electrode, such that the overlapping zone between the gate electrode and the source electrode forms a storage capacitor for driving a pixel.
[0015] Aanvullende kenmerken en voordelen van de uitvinding zijn gegeven in de nuvolgende beschrijving en zullen daaruit blijken, danwel kunnen worden geleerd door het in de praktijk brengen van de uit- i 0251 34 - 6 - vinding. De doeleinden en andere voordelen van de uitvinding zullen worden gerealiseerd en bereikt met de structuur zoals deze in het bijzonder is weergegeven in de geschreven beschrijving en in de conclusies en is getoond in de tekening.Additional features and advantages of the invention are given in the following description and will be apparent from, or may be learned by, practicing the invention. The objects and other advantages of the invention will be realized and achieved with the structure as it is particularly shown in the written description and in the claims and shown in the drawing.
5 [0016] Teneinde deze en andere voordelen te bereiken en in overeen stemming met de doeleinden van de uitvinding zoals belichaamd en ruim beschreven omvat een aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) met eerste en tweede elektroden, gelegen op afstand van 10 elkaar, en een organische licht-emitterende laag aangebracht tussen de eerste en de tweede elektroden, een poortelektrode op een substraat, een halfgeleidende laag over de poortelektrode, en bron- en afvoer-elektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelek-troden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de 15 poortelektrode overlappen, terwijl een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.In order to achieve these and other advantages and in accordance with the purposes of the invention as embodied and broadly described, a driving thin-film transistor for an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) with first and second electrodes, spaced apart, and an organic light-emitting layer disposed between the first and second electrodes, a gate electrode on a substrate, a semiconductor layer over the gate electrode, and source and drain electrodes on the semiconductor layer, the source and drain electrodes being spaced apart and parts of the gate electrode, respectively, overlapping, while an overlapping zone between the gate electrode and the source electrode is larger than an overlapping zone between the gate electrode and the drain electrode.
[0017] Een isolerende laag is aangebracht tussen de poortelektrode en de halfgeleidende laag. Het overlappend gedeelte tussen de poort- 20 elektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel. De halfgeleidende laag heeft een actieve laag en een ohmse contactlaag, waarbij de actieve laag is gevormd uit amorf silicium en de ohmse contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium. De ohmse contactlaag heeft een gedeelte dat toegang geeft tot 25 een deel van de actieve laag.An insulating layer is provided between the gate electrode and the semiconductor layer. The overlapping portion between the gate electrode and the source electrode forms a storage capacitor for driving a pixel. The semiconductor layer has an active layer and an ohmic contact layer, the active layer being formed of amorphous silicon and the ohmic contact layer being formed of doped amorphous silicon. The ohmic contact layer has a portion that gives access to a portion of the active layer.
[0018] Volgens een ander aspect van de uitvinding omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een aansturende dunne-filmtransistor voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) met eerste en tweede elektroden, op afstand van 30 elkaar gelegen, en met een organische licht-emitterende laag aangebracht tussen de eerste en de tweede elektroden, de stappen van het vormen van een poortelektrode op een substraat, het vormen van een halfgeleidende laag over de poortelektrode, en het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en af-35 voerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen, waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.According to another aspect of the invention, a method for manufacturing a driving thin-film transistor for an organic light-emitting diode device of the active matrix (AMOLED) type with first and second electrodes, spaced apart and with an organic light-emitting layer disposed between the first and second electrodes, the steps of forming a gate electrode on a substrate, forming a semiconductor layer over the gate electrode, and forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, wherein the source and drain electrodes are spaced apart and, respectively, portions of the gate electrode overlap, wherein an overlapping zone between the gate electrode and the source electrode is larger than an overlapping zone between the gate electrode and the drain electrode.
i u 2513 4 i - 7 -i u 2513 4 i - 7 -
[0019] Volgens een ander aspect van de onderhavige uitvinding omvat een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een poortelektrode op een substraat, een de poort isolerende laag op het substraat inclusief de poortelektrode, 5 een halfgeleidende laag op de de poort isolerende laag, bron- en af-voerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoer-elektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen, met een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de bron- en afvoerelektroden, welke pas-10 siverende laag een broncontactgat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode, een eerste elektrode op de passiverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat, een organische licht-emitte-rende laag op de eerste elektrode en een tweede elektrode op de orga-15 nische licht-emitterende laag, en met een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelektrode die groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.According to another aspect of the present invention, an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) comprises a gate electrode on a substrate, a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode, a semiconductor layer on the layer insulating layer, source and drain electrodes on the semiconductor layer, the source and drain electrodes being spaced apart and overlapping portions of the gate electrode, respectively, with a passivating layer on the substrate for covering the source and drain electrodes, which passivating layer has a source contact hole for releasing a portion of the drain electrode, a first electrode on the passivating layer, the first electrode being electrically connected to the drain electrode via the drain contact hole, an organic light emitting layer on the first electrode and a second electrode on the organic light-emitting layer, and with t an overlapping zone between the gate electrode and the source electrode that is larger than an overlapping zone between the gate electrode and the drain electrode.
[0020] Het overlappend gedeelte tussen de poortelektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een 20 pixel. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) omvat voorts een schakelende dunne-film-transistor die elektrisch is verbonden met de poortelektrode. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) kan zijn een organische licht emitterende 25 diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar boven wordt uitgestraald danwel een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar beneden wordt uitgestraald.The overlapping portion between the gate electrode and the source electrode forms a storage capacitor for driving a 20 pixel. The organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) further comprises a switching thin-film transistor electrically connected to the gate electrode. The organic light-emitting diode device of the active-matrix type (AMOLED) can be an organic light-emitting diode device of the active-matrix type (AMOLED) in which the light is emitted upwards, or an organic light-emitting diode device. of the kind with active matrix (AMOLED) in which the light is emitted downwards.
[0021] In een verder aspect van de onderhavige uitvinding omvat 30 een werkwijze voor het vervaardigen van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) stappen van het vormen van een poortelektrode op een substraat; het vormen van een de poort isolerende laag op het substraat inclusief de poortelektrode; het vormen van een halfgeleidende laag op de de poort 35 isolerende laag; het vormen van bron- en afvoerelektroden op de halfgeleidende laag, waarbij de bron- en afvoerelektroden liggen op afstand van elkaar en respectievelijk delen van de poortelektrode overlappen; het vormen van een passiverende laag op het substraat voor het bedekken van de bron- en afvoerelektroden, waarbij de passiverende 1025134 - 8 - laag een afvoercontactgat heeft voor het vrijgeven van een gedeelte van de afvoerelektrode; het vormen van een eerste elektrode op de pas-siverende laag, waarbij de eerste elektrode elektrisch is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat; het vormen van een 5 organische licht-emitterende laag op de eerste elektrode; en het vormen van een tweede elektrode op de organische licht-emitterende laag, waarbij een overlappende zone tussen de poortelektrode en de bronelek-trode groter is dan een overlappende zone tussen de poortelektrode en de afvoerelektrode.In a further aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic light-emitting diode device of the active matrix (AMOLED) type comprises steps of forming a gate electrode on a substrate; forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode; forming a semiconductor layer on the layer insulating gate 35; forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, the source and drain electrodes being spaced apart and overlapping portions of the gate electrode, respectively; forming a passivating layer on the substrate to cover the source and drain electrodes, the passivating layer having a drain contact hole for releasing a portion of the drain electrode; forming a first electrode on the passivating layer, the first electrode being electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole; forming an organic light-emitting layer on the first electrode; and forming a second electrode on the organic light-emitting layer, wherein an overlapping zone between the gate electrode and the source electrode is larger than an overlapping zone between the gate electrode and the drain electrode.
10 [0022] Het overlappend gedeelte tussen de poortelektrode en de bronelektrode vormt een opslagcondensator voor het aansturen van een pixel. De werkwijze voor het vervaardigen van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) omvat voorts het vormen van een schakelende dunne-filmtran-15 sistor die elektrisch is verbonden met de poortelektrode. De organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) kan zijn ofwel een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar boven wordt uitgestraald danwel een organische licht emitteren-20 de diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) waarin het licht naar beneden wordt uitgestraald.The overlapping portion between the gate electrode and the source electrode forms a storage capacitor for driving a pixel. The method for manufacturing an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) further comprises forming a switching thin-film transistor electrically connected to the gate electrode. The organic light-emitting diode device of the active-matrix type (AMOLED) can be either an organic light-emitting diode device of the active-matrix type (AMOLED) in which the light is emitted upwards or an organic light-emitting one. diode device of the active matrix type (AMOLED) in which the light is emitted downwards.
[0023] Het zal duidelijk zijn dat zowel de in het voorgaande gegeven algemene beschrijving als de nuvolgende gedetailleerde beschrijving slechts als voorbeeld en ter toelichting zijn gegeven en 25 bedoeld zijn een verdere toelichting te geven van de uitvinding zoals in de conclusies gedefinieerd.It will be clear that both the general description given above and the following detailed description are given only by way of example and for purposes of explanation and are intended to provide a further explanation of the invention as defined in the claims.
KORTE BESCHRIJVING. VAN DE TEKENINGSHORT DESCRIPTION. OF THE DRAWING
[0024] De bijgaande tekening, die is opgenomen ter verschaffing 30 van een verder begrip van de uitvinding en die is opgenomen in en een deel vormt van deze aanvrage illustreert uitvoeringsvormen van de uitvinding en dient, in combinatie met de beschrijving, ter toelichting van het principe van de uitvinding.The accompanying drawing, which is incorporated to provide a further understanding of the invention and which is incorporated in and forms a part of this application, illustrates embodiments of the invention and, in combination with the description, serves to illustrate the invention. principle of the invention.
[0025] In de tekening: 35 [0026] toont fig. 1 de structuur van een pixel van een typische organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek;In the drawing: [0026] FIG. 1 shows the structure of a pixel of a typical organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) according to the prior art;
[0027] toont fig. 2A een vlak aanzicht van een dunne-filmtransistor voor een typische geïnverteerd verschoven organische licht emitte 1025134 - 9 - rende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek;FIG. 2A shows a plan view of a thin film transistor for a typical inverted shifted organic light emitting active matrix (AMOLED) type diode device of the prior art;
[0028] toont fig. 2B een dwarsdoorsnede over de lijn IIB-IIB in fig. 2A; 5 [0029] toont fig. 3A een vlak aanzicht van een aansturende dunne- filmtransistor voor een geïnverteerd verschoven organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de onderhavige uitvinding;Fig. 2B shows a cross-section over the line IIB-IIB in Fig. 2A; FIG. 3A shows a plan view of a driving thin-film transistor for an inverted shifted organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) according to the present invention;
[0030] toont fig. 3B een dwarsdoorsnede over de lijn IIIB-IIIB in 10 fig. 3A; enFig. 3B shows a cross-section over the line IIIB-IIIB in Fig. 3A; and
[0031] toont fig. 4 een dwarsdoorsnede van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) en een aansturende dunne-filmtransistor volgens de onderhavige uitvinding.Fig. 4 shows a cross section of an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) and a driving thin-film transistor according to the present invention.
1515
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE GETOONDE UITVOERINGSVORMENDETAILED DESCRIPTION OF THE SHOWED EMBODIMENTS
[0032] Nu zal in detail worden verwezen naar de getoonde uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding, waarvan voorbeelden in de bijgaande tekening zijn getoond. Voorzover mogelijk zullen in 20 alle figuren gelijke verwijzingscijfers worden gebruikt voor dezelfde of soortgelijke delen.Reference will now be made in detail to the embodiments of the present invention shown, examples of which are shown in the accompanying drawings. To the extent possible, the same reference numerals will be used in all figures for the same or similar parts.
[0033] Fig. 3A toont een vlak aanzicht van een aansturende dunne-filmtransistor voor een geïnverteerd verschoven organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) vol- 25 gens de onderhavige uitvinding. Eenvoudigheidshalve toont fig. 3A slechts een poortelektrode, een halfgeleidende laag, en een afvoer-elektrode.FIG. 3A shows a plan view of a driving thin-film transistor for an inverted shifted organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) according to the present invention. For the sake of simplicity, Fig. 3A shows only a gate electrode, a semiconductor layer, and a drain electrode.
[0034] Verwijzend naar fig. 3A is een poortelektrode 112 gevormd in de ene richting en is een halfgeleidende laag 114 met een eilandvormig 30 patroon gevormd over de poortelektrode 112 zodanig dat de poortelektrode 112 wordt bedekt. Bron- en afvoerelektroden 116 respectievelijk 118 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 114 en liggen op afstand van elkaar. Een voedende lijn 120 is gevormd in dezelfde richting als de poortelektrode 112. De bronelektrode 116 strekt zich uit vanuit de 35 voedende lijn 120. De poortelektrode 112, de halfgeleidende laag 114, de bronelektrode 116 en de afvoerelektrode 118 vormen een aansturende dunne-filmtransistor T voor een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED). Een isolerende laag (die in fig. 3A niet is getekend) is aangebracht tussen de poortelek- 1025134 - 10 - trode 112 en de halfgeleidende laag 114, en de poortelektrode 112 is elektrisch verbonden met een afvoerelektrode van een (niet getoonde) schakelende dunne-filmtransistor. De afvoerelektrode 118 voor de aansturende dunne-filmtransistor T is elektrisch verbonden met een eerste 5 elektrode van de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED). De poortelektrode 112 en de bron-elektrode 116 hebben een eerste overlappend gedeelte "a" en de poortelektrode 112 en de afvoerelektrode 118 hebben een tweede overlappend gedeelte "b". Een afstand "d2" aanwezig tussen de bronelektrode 116 en 10 de afvoerelektrode 118 komt overeen met de afstand "dl" in fig. 2A.Referring to Fig. 3A, a gate electrode 112 is formed in one direction and a semiconductor layer 114 with an island-shaped pattern is formed over the gate electrode 112 such that the gate electrode 112 is covered. Source and drain electrodes 116 and 118, respectively, are formed on the semiconductor layer 114 and are spaced apart. A power supply line 120 is formed in the same direction as the gate electrode 112. The source electrode 116 extends from the power supply line 120. The gate electrode 112, the semiconductor layer 114, the source electrode 116 and the drain electrode 118 form a driving thin-film transistor T for an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED). An insulating layer (not shown in Fig. 3A) is provided between the gate electrode 11225 and the semiconductor layer 114, and the gate electrode 112 is electrically connected to a drain electrode of a switching thin (not shown). film transistor. The drain electrode 118 for the driving thin film transistor T is electrically connected to a first electrode of the organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED). The gate electrode 112 and the source electrode 116 have a first overlapping portion "a" and the gate electrode 112 and the drain electrode 118 have a second overlapping portion "b". A distance "d2" present between the source electrode 116 and the drain electrode 118 corresponds to the distance "d1" in Fig. 2A.
Een zone van het eerste overlappend gedeelte ”a" is groter dan die van het tweede overlappend gedeelte ”b" Volgens de onderhavige uitvinding kan de zone van het eerste overlappend gedeelte "a" groter zijn dan die van het tweede overlappend gedeelte "b" door het vergroten van de 15 breedte van de poortelektrode 112.A zone of the first overlapping portion "a" is larger than that of the second overlapping portion "b" According to the present invention, the zone of the first overlapping portion "a" may be larger than that of the second overlapping portion "b" by increasing the width of the gate electrode 112.
[0035] Fig. 3B toont een dwarsdoorsnede over de lijn IIIB-IIIB in fig. 3A.FIG. 3B shows a cross-section along the line IIIB-IIIB in FIG. 3A.
[0036] Zoals fig. 3B toont is een poortelektrode 112 gevormd op een substraat 110, en is een de poort isolerende laag 113 gevormd op het 20 gehele substraat 110 waarop reeds de poortelektrode 112 is gevormd. De halfgeleidende laag 114 is gevormd op de de poort isolerende laag 113 corresponderend met de poortelektrode 112. De bron- en afvoerelektro-den 116 respectievelijk 118 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 114 en liggen op afstand van elkaar. De halfgeleidende laag 114 heeft een 25 actieve laag 114a die is gevormd uit amorf silicium, en een ohmse con-tactlaag 114b die is gevormd uit gedoteerd amorf silicium. De ohmse contactlaag 114b geeft toegang tot een gedeelte van de actieve laag 114a door het verwijderen van een gedeelte tussen de bron- en afvoer-elektroden 116 en 118. Het vrijgemaakte gedeelte van de actieve laag 30 114a tussen de bron- en afvoerelektroden 116 en 118 vormt een kanaal- gebied "ch". Zoals in het voorgaande gezegd komt de afstand "d2" tussen de bron- en afvoerelektroden 116 en 118 overeen met de afstand "dl" in fig. 2A, en is het oppervlak van het eerste overlappend gedeelte "a" groter dan dat van het tweede overlappend gedeelte "b". Zo-35 als getoond in fig. 3B strekt één einde van de poortelektrode 112 verlengd naar de bronelektrode 116 ter vorming van een eerste overlappend gedeelte "a" dat groter is dan het tweede overlappend gedeelte "b". Volgens de onderhavige uitvinding wordt de parasitaire capaciteit die optreedt tussen de poortelektrode 112 en de bronelektrode 116 gebruikt 1025134 - 11 - i als een opslagcondensator "Cst" door het eerste overlappend gedeelte ”a” groter te maken dan het tweede overlappend gedeelte "b". Een parasitaire capaciteit "Cgd" die aanwezig is tussen de poortelektrode 112 en de afvoerelektrode 118 is zo klein mogelijk, evenals dit het geval 5 is in de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) volgens de stand van de techniek. Wanneer de eerste en de tweede overlappende delen ”a" respectievelijk "b" aldus asymmetrisch zijn gevormd kan de zone die wordt ingenomen door de opslagcondensator worden gereduceerd of kan de aanvullende opslagcon-10 densator worden weggelaten. Aldus kan de apertuurverhouding worden verhoogd. Voorts kan het onderbreken van de metalen lijnen in het gebied van de opslagcondensator worden voorkomen.As Fig. 3B shows, a gate electrode 112 is formed on a substrate 110, and a gate insulating layer 113 is formed on the entire substrate 110 on which the gate electrode 112 has already been formed. The semiconductor layer 114 is formed on the gate insulating layer 113 corresponding to the gate electrode 112. The source and drain electrodes 116 and 118, respectively, are formed on the semiconductor layer 114 and are spaced apart. The semiconductor layer 114 has an active layer 114a formed from amorphous silicon, and an ohmic contact layer 114b formed from doped amorphous silicon. The ohmic contact layer 114b provides access to a portion of the active layer 114a by removing a portion between the source and drain electrodes 116 and 118. The released portion of the active layer 114a between the source and drain electrodes 116 and 118 forms a channel region "ch". As stated above, the distance "d2" between the source and drain electrodes 116 and 118 corresponds to the distance "d1" in Fig. 2A, and the area of the first overlapping portion "a" is greater than that of the second overlapping part "b". As shown in Fig. 3B, one end of the gate electrode 112 extends extended to the source electrode 116 to form a first overlapping portion "a" that is larger than the second overlapping portion "b". According to the present invention, the parasitic capacitance occurring between the gate electrode 112 and the source electrode 116 is used as a storage capacitor "Cst" by making the first overlapping portion "a" larger than the second overlapping portion "b". A parasitic capacitance "Cgd" present between the gate electrode 112 and the drain electrode 118 is as small as possible, as is the case in the organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) according to the position of the Technic. When the first and second overlapping portions "a" and "b" are thus asymmetrically shaped, the area occupied by the storage capacitor can be reduced or the additional storage capacitor can be omitted. Thus, the aperture ratio can be increased. interrupting the metal lines in the storage capacitor area are prevented.
[0037] Fig. 4 toont een dwarsdoorsnede van een organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix 15 (AMOLED) en een aansturende dunne-filmtransistor volgens de onderhavige uitvinding.FIG. 4 shows a cross-section of an organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) and a driving thin-film transistor according to the present invention.
[0038] Verwijzend naar fig. 4 is op een substraat 210 een poortelektrode 212 gevormd, en een de poort isolerende laag 113 die de poortelektrode 112 bedekt is gevormd op het gehele substraat 210 20 waarop reeds de poortelektrode 212 is gevormd. Een halfgeleidende laag 214 is gevormd op de de poort isolerende laag 213 overeenkomend met de poortelektrode 212. Bron- en afvoerelektroden 216 en 218 zijn gevormd op de halfgeleidende laag 214 en liggen op afstand van elkaar. De poortelektrode 212, de halfgeleidende laag 214, de bronelek-25 trode 216 en de afvoerelektrode 218 vormen een aansturende dunne- filmtransistor T. Een eerste passiverende laag 222 is gevormd op het gehele substraat 210 waarop reeds de aansturende dunne-filmtransistor T is gevormd, en een afvoercontactgat 220 dat een gedeelte van de afvoerelektrode 218 toegankelijk maakt is gevormd via de eerste pas-30 siverende laag 222. Een eerste elektrode 224 is gevormd op de eerste passiverende laag 222 en is via het afvoercontactgat 220 elektrisch verbonden met de afvoerelektrode 218. Een tweede passiverende laag 228 is gevormd op het gehele substraat 210 waarop reeds de eerste elektrode 224 is gevormd. Een open gedeelte 226 dat een gedeelte 35 vrijgeeft van de eerste elektrode 224 is door de tweede passiverende laag 228 gevormd. Een organische licht-emitterende laag 230 is gevormd op de tweede passiverende laag 228 en is verbonden met de eerste elektrode 224 via het open gedeelte 226 van de tweede passiverende laag 228. Een tweede elektrode 232 is op de organische licht- 1025134 - 12 - emitterende laag 230 gevormd. De eerste en de tweede elektroden 224 en 232 van de organische licht-emitterende laag 230 vormen een organische licht emitterende diode (OLED). in de organische licht emitterende diode (OLED) wordt het licht, dat is geëmitteerd vanuit de or-5 ganische licht-emitterende laag 230, selectief doorgelaten door de eerste elektrode 224 danwel de tweede elektrode 232.Referring to Fig. 4, a gate electrode 212 is formed on a substrate 210, and a gate insulating layer 113 covering the gate electrode 112 is formed on the entire substrate 210 on which the gate electrode 212 has already been formed. A semiconductor layer 214 is formed on the gate insulating layer 213 corresponding to the gate electrode 212. Source and drain electrodes 216 and 218 are formed on the semiconductor layer 214 and are spaced apart. The gate electrode 212, the semiconductor layer 214, the source electrode 216 and the drain electrode 218 form a driving thin-film transistor T. A first passivating layer 222 is formed on the entire substrate 210 on which the driving thin-film transistor T has already been formed, and a drain contact hole 220 that makes a portion of the drain electrode 218 accessible is formed via the first passivating layer 222. A first electrode 224 is formed on the first passivating layer 222 and is electrically connected to the drain electrode 218 via the drain contact hole 220. A second passivating layer 228 is formed on the entire substrate 210 on which the first electrode 224 has already been formed. An open portion 226 that releases a portion 35 from the first electrode 224 is formed by the second passivating layer 228. An organic light-emitting layer 230 is formed on the second passivating layer 228 and is connected to the first electrode 224 via the open portion 226 of the second passivating layer 228. A second electrode 232 is on the organic light-emitting 1025134-12 layer 230 formed. The first and second electrodes 224 and 232 of the organic light-emitting layer 230 form an organic light-emitting diode (OLED). in the organic light-emitting diode (OLED), the light emitted from the organic light-emitting layer 230 is selectively transmitted through the first electrode 224 or the second electrode 232.
[0039] Volgens de onderhavige uitvinding is de eerste elektrode 224 een onderste elektrode en is de tweede elektrode 232 een bovenste elektrode. De eerste elektrode 224 is gevormd uit een lichtdoor-10 latend materiaal, zodat het licht wordt uitgestraald door de eerste elektrode. Aldus is de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een omlaag uitstralende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) De tweede elektrode 232 is gevormd uit een licht-15 doorlatend materiaal zodat het licht door de tweede elektrode 232 wordt uitgestraald. Aldus wordt de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) een naar boven licht uitstralende organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED).According to the present invention, the first electrode 224 is a lower electrode and the second electrode 232 is an upper electrode. The first electrode 224 is formed from a light-transmitting material, so that the light is emitted from the first electrode. Thus, the organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) is a down-radiating organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED). The second electrode 232 is formed of a light-transmitting material such that the light is emitted by the second electrode 232. Thus, the organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) becomes an upwardly light-emitting organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED).
20 [0040] Zoals hier beschreven wordt het eerste overlappend gedeelte "a" tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 216 breder uitgevoerd dan het tweede overlappend gedeelte "b" tussen de poortelektrode 212 en de afvoerelektrode 218. Van de parasitaire capaciteiten die worden gevormd tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 25 216 en tussen de poortelektrode 212 en de afvoerelektrode wordt de parasitaire capaciteit die wordt gevormd tussen de poortelektrode 212 en de bronelektrode 216 gebruikt als de opslagcondensator voor het aansturen van de pixel. Het aantal dunne-filmtransistoren in een pixel is volgens de onderhavige uitvinding twee, doch het aantal 30 dunne-filmtransistoren in een pixel kan wel variëren, en kan bijvoorbeeld drie of meer dan drie zijn.As described herein, the first overlapping portion "a" between the gate electrode 212 and the source electrode 216 is made wider than the second overlapping portion "b" between the gate electrode 212 and the drain electrode 218. Of the parasitic capacitances formed between the gate electrode 212 and the source electrode 216 and between the gate electrode 212 and the drain electrode, the parasitic capacitance formed between the gate electrode 212 and the source electrode 216 is used as the storage capacitor for driving the pixel. According to the present invention, the number of thin film transistors in a pixel is two, but the number of thin film transistors in a pixel can vary, and can for example be three or more than three.
[0041] De onderhavige uitvinding heeft de volgende voordelen. De kwaliteit van het weergegeven beeld kan worden verbeterd door het vergroten van de opslagcapaciteit van de pixel, en de apertuurverhou-35 ding kan worden vergroot door het reduceren van de afmeting van de aanvullende opslagcondensator of door het weglaten van deze aanvullende opslagcondensator. Een onderbreken van de metalen lijnen, en ook een kortsluiting in de zone van de opslagcondensator kan minimaal zijn.The present invention has the following advantages. The quality of the displayed image can be improved by increasing the storage capacity of the pixel, and the aperture ratio can be increased by reducing the size of the additional storage capacitor or by omitting this additional storage capacitor. An interruption of the metal lines and also a short circuit in the storage capacitor zone can be minimal.
1025134 - 13 -1025134 - 13 -
[0042] Het zal de vakman duidelijk zijn dat verschillende modificaties en variaties mogelijk zijn in de organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix (AMOLED) en de dunne-filmtransistor daarvan volgens de onderhavige uitvinding zonder het 5 kader en de geest van de uitvinding te verlaten. Het is dan ook de bedoeling dat de onderhavige uitvinding alle modificaties en variaties volgens de uitvinding bestrijkt, onder voorwaarde dat zij vallen binnen het kader van de bijgaande conclusies en de equivalenten daarvan.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible in the organic light-emitting diode device of the active matrix type (AMOLED) and the thin film transistor thereof according to the present invention without the scope and spirit. of the invention. The present invention is therefore intended to cover all modifications and variations of the invention, provided that they are within the scope of the appended claims and their equivalents.
10251341025134
Claims (22)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1025134A NL1025134C2 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1025134A NL1025134C2 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode |
| NL1025134 | 2003-12-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1025134A1 NL1025134A1 (en) | 2005-06-27 |
| NL1025134C2 true NL1025134C2 (en) | 2005-08-26 |
Family
ID=34880391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1025134A NL1025134C2 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1025134C2 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0597641A2 (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin-film transistor and method of fabricating the same |
| JPH0766419A (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
| US5694185A (en) * | 1995-11-25 | 1997-12-02 | Lg Electronics Inc. | Matrix array of active matrix LCD and manufacturing method thereof |
| US6111270A (en) * | 1998-04-27 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Light-emitting apparatus and method of fabrication |
| EP1124261A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Motorola, Inc. | Light emitting apparatus and method of fabrication |
| JP2003323133A (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Electroluminescence display device |
| US20040142502A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-07-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof |
-
2003
- 2003-12-24 NL NL1025134A patent/NL1025134C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0597641A2 (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin-film transistor and method of fabricating the same |
| JPH0766419A (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
| US5694185A (en) * | 1995-11-25 | 1997-12-02 | Lg Electronics Inc. | Matrix array of active matrix LCD and manufacturing method thereof |
| US6111270A (en) * | 1998-04-27 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Light-emitting apparatus and method of fabrication |
| EP1124261A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Motorola, Inc. | Light emitting apparatus and method of fabrication |
| JP2003323133A (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Electroluminescence display device |
| US20040142502A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-07-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 06 31 July 1995 (1995-07-31) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2003, no. 12 5 December 2003 (2003-12-05) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL1025134A1 (en) | 2005-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6933529B2 (en) | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof | |
| CN107564919B (en) | Backplane substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device using the same | |
| US7112820B2 (en) | Stacked capacitor having parallel interdigitized structure for use in thin film transistor liquid crystal display | |
| KR101435527B1 (en) | Display device | |
| US8063853B2 (en) | Organic light-emitting diode display | |
| US20090009674A1 (en) | Liquid crystal display panel and the manufacturing method of the same | |
| US7746416B2 (en) | Pixel array substrate having storage capacitances that vary along a scan line | |
| KR101142785B1 (en) | Liquid crystal display device including thin film transistor | |
| US6982775B2 (en) | Liquid crystal display having reduced flicker | |
| WO2018126676A1 (en) | Pixel structure and method for manufacturing same, array substrate, and display device | |
| KR100474003B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| WO2023015622A1 (en) | Display panel and mobile terminal | |
| US20070171184A1 (en) | Thin film transistor array panel and liquid crystal display | |
| US8258556B2 (en) | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and display device | |
| US6661490B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| NL1025134C2 (en) | Thin-film transistor for active matrix-type organic light emitting device, has gate electrode having larger superimposition area with source electrode than drain electrode | |
| JP3518851B2 (en) | Driving method of active matrix substrate | |
| US6750925B2 (en) | Active matrix display device | |
| JPH03294824A (en) | Active matrix type liquid crystal display element array | |
| US8373169B2 (en) | Thin film transistor of liquid crystal display device with specified channel W/L ratio | |
| KR100426185B1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof and method of compensating picture quality the same | |
| KR100473226B1 (en) | Active Matrix type Organic Light Emitting Diode Device | |
| KR100885838B1 (en) | Liquid crystal display | |
| KR100463869B1 (en) | Liquid crystal display and fabrication method for thereof | |
| JP3797108B2 (en) | Reflective liquid crystal display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1B | A search report has been drawn up | ||
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| TD | Modifications of names of proprietors of patents |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20080604 |
|
| MK | Patent expired because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20231223 |