KR100696479B1 - 평판표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

평판표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100696479B1
KR100696479B1 KR1020040094512A KR20040094512A KR100696479B1 KR 100696479 B1 KR100696479 B1 KR 100696479B1 KR 1020040094512 A KR1020040094512 A KR 1020040094512A KR 20040094512 A KR20040094512 A KR 20040094512A KR 100696479 B1 KR100696479 B1 KR 100696479B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
source
layer
electrode
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020040094512A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060055620A (ko
Inventor
신현수
구재본
모연곤
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040094512A priority Critical patent/KR100696479B1/ko
Priority to JP2005325025A priority patent/JP2006146205A/ja
Priority to US11/274,190 priority patent/US20060102900A1/en
Priority to EP05110854A priority patent/EP1659633A3/en
Priority to CNA2005101373429A priority patent/CN1828924A/zh
Publication of KR20060055620A publication Critical patent/KR20060055620A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100696479B1 publication Critical patent/KR100696479B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Abstract

본 발명은 금속박으로 된 기판을 전원공급층으로 이용하여 전압강하를 방지하고 라인결함을 방지할 수 있는 플렉서블 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법을 개시한다.
본 발명의 유기전계 발광표시장치는 도전성 기판과; 상기 기판의 일면상에 형성되어 상기 기판의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성된 반도체층, 게이트 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결된 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 기판과 전기적으로 연결된다.

Description

평판표시장치 및 그의 제조방법{Organic light emitting device and method for fabricating the same}
도 1은 종래의 유기전계 발광표시장치의 평면도,
도 2는 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 전원전압 공급층과 소오스/드레인 전극과의 관계를 보여주는 도면,
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
300, 400 : 금속기판 305, 405 : 버퍼층
310, 410 : 반도체층 320, 420 : 게이트 절연막
330, 430 : 층간 절연막 350, 450 : 보호막
341, 345, 441, 445 : 소오스/드레인 전극
360, 460 : 애노드전극 370, 470 : 화소분리막
380, 480 : 유기막층 390, 490 : 캐소드전극
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 금속박막(metal foil)의 기판을 전원공급층으로 이용한 플렉서블 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계 발광소자는 발광층이 개재되는 두 전극에 인가되는 전압에 따라 발광층으로부터 광이 발광되는 자발광형 표시소자로서, 액정표시소자에 비하여 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수하며, 응답속도가 빠르다는 이점으로 차세대 평판표시소자로 주목받고 있다.
도 1은 종래의 유기전계 발광표시장치의 평면구조를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기전계 발광표시장치는 게이트 라인(10), 데이터 라인(20) 및 전원라인(30)과 화소영역(40)에 배열되는 화소(50)를 구비한다. 상기 화소(50)는 스위칭 박막 트랜지스터(60), 캐패시터(70), 구동 박막 트랜지스터(80) 및 화소전극(160)을 구비한 유기전계 발광소자를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(60)는 반도체층(61), 게이트 전극(63) 및 콘택홀(64), (66)을 통해 상기 반도체층(61)에 연결되는 소오스/드레인 전극(65), (67)을 구비한다. 상기 캐패시터(70)는 콘택홀(68)을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(60)의 드레인 전극(67)에 연결되는 하부전극(127)과 상부전극(147)을 구비한다.
상기 구동 박막 트랜지스터(80)는 반도체층(110), 게이트전극(125) 및 콘택홀(131), (135)를 통해 상기 반도체층(110)에 연결되는 소오스전극(141)과 드레인 전극(145)을 구비한다. 상기 EL소자는 상기 구동 박막 트랜지스터(80)에 연결되어 개구부(175)를 통해 노출되는 화소전극인 애노드전극(160)을 구비한다.
도 2는 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 것으로서, 도 1의 I-I 선에 따른 단면구조를 도시한 것이다. 도 2에는 유기전계 발광표시장치중 EL소자와 상기 EL소자를 구동하기 위한 구동박막 트랜지스터 및 캐패시터의 단면구조에 한정하여 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 유리기판(100)상에 소오스/드레인 영역(111), (115) 및 채널영역(113)을 구비하는 반도체층(110)이 형성되고, 게이트 절연막(120)상에 캐패시터(70)의 하부전극(127)과 게이트(125)가 형성된다. 층간 절연막(130)상에 상기 소오스/드레인 영역(111), (115)과 콘택되는 소오스/드레인 전극(141), (145) 그리고 캐패시터(70)의 상부전극(145)이 형성된다.
보호막(150)상에 비어홀(155)을 통해 상기 소오스/드레인 전극(141), (145)중 드레인전극(145)에 연결되는 화소전극인 애노드전극(160)이 형성된다. 화소분리막(170)은 상기 애노드전극(160)을 노출시키는 개구부(175)를 구비하며, 상기 개구부(175)내의 애노드전극(160)상에 유기막층(170)이 형성되고, 기판상에 캐소드전극(190)이 형성된다.
상기한 바와같은 종래의 유기전계 발광표시장치는 게이트전극(125)을 형성할 때 게이트라인(10) 및 캐패시터 하부전극(127)을 형성하고, 소오스/드레인 전극(141), (145)을 형성할 때 데이터라인(20) 및 전원공급층(30) 그리고 캐패시터 상부전극(147)을 형성한다.
그러므로, 하나의 층상에 2개의 신호라인이 존재하기 때문에, 상기 전원라인 은 라인형태를 갖도록 패터닝된다. 따라서, 전원라인을 통해 전원전압을 화소에 공급할 때, 라인형태의 전원공급라인을 통해 발생되는 전압강하에 의해 화소의 위치에 따라 화소에 인가되는 전원전압이 불균일하게 된다. 이로 인하여 휘도불균일이 발생하여 표시품질이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 하나의 층상에 2개의 신호라인이 인접하여 배열되는 경우, 공정중에 발생하는 파티클에 의해 도 1에 도시된 바와같이 데이터라인(20)과 전원라인(30)간에 쇼트(90)가 발생하는 문제점이 있었다.
종래에는 라인결함을 방지하고 전압강하를 방지하기 위하여 별도의 전원공급층을 형성하는 기술이 제안되었다. 국내 공개특허 제2003-0049385호에는 기판상에 전원전압을 공급하기 위한 전원공급층을 별도로 형성한 전면발광구조를 갖는 유기전계 발광표시장치가 개시되었다. 상기 특허는 유리기판상에 전면전극을 형성하고, 유리기판상에 전면전극을 형성하고, 이 전면전극을 통해 각 화소로 전원공급층을 공급한다. 그러나, 상기 특허는 별도의 전원공급층을 형성하기 위한 공정이 추가되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 금속박으로 된 기판을 전원공급층으로 이용하여 라인결함 및 전압강하를 방지할 수 있는 평편표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 도전성 기판과; 상기 기판의 일면 상에 형성되어 상기 기판의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성된 반도체층, 게이트 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결된 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 금속박으로 된 플렉서블 기판을 포함하고, 상기 제1절연막은 버퍼층을 포함한다.
상기 표시소자는 상기 화소전극과; 상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2절연막과; 상기 개구부내의 화소전극상에 형성된 유기막층과; 기판상에 형성된 상부전극을 포함한다. 상기 제2절연막은 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는다.
본 발명의 평판표시장치는 상기 기판의 다른 면상에 형성되어, 상기 기판의 다른 면을 절연시켜 주기 위한 제3절연막을 더 포함한다.
또한, 본 발명은 다수의 화소영역을 구비하는 도전성 기판과; 상기 기판의 일면상에 형성되고, 상기 다수의 화소영역의 일부분을 각각 노출시키는 다수의 콘택홀을 구비하는 제1절연막과; 각 화소영역마다 상기 제1절연막상에 형성되고, 섬형태의 소오스/드레인 전극을 구비하는 다수의 박막 트랜지스터와; 각 화소영역마다 상기 제1절연막상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하며, 상기 기판은 상기 콘택홀을 통해 각 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극에 연결되어, 상기 다수의 박막 트랜지스터로 전원전압을 공급하는 전원전압층으로 작용하는 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 도전성 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계와; 상기 제1절연막상에 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체층과 게이트를 형성하는 단계와; 기판상에 제2절연막을 형성하는 단계와; 상기 제1절연막과 제2절연막을 식각하여 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역의 일부분을 노출시키는 제1콘택홀과 상기 기판의 일부분을 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제1콘택홀을 통해 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 각각 콘택되는 소오스전극/드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 구비하는 표시소자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 상기 제2콘택홀을 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 평판표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 표시소자를 제조하는 방법은 상기 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제3절연막을 형성하는 단계와; 상기 개구부내의 화소전극상에 유기막층을 형성하는 단계와; 기판상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제3절연막은 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 유기전계 발광표시장치의 평면도 를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 유기전계 발광표시장치는 금속박으로 된 플렉서블 기판(300)을 구비한다. 상기 기판(300)상에 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220)이 배열되고, 상기 게이트라인(210) 및 데이터라인(220)에 의해 한정되는 화소영역(240)에 화소(250)를 배열된다. 상기 화소(250)는 스위칭 박막 트랜지스터(260), 캐패시터(270), 구동 박막 트랜지스터(280) 및 화소전극(260)을 구비한 유기전계 발광소자를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(260)는 소오스/드레인 영역(도면상에는 도시되지 않음)을 구비한 반도체층(261), 게이트라인(210)에 연결되는 게이트 전극(263) 및 콘택홀(264), (266)을 통해 상기 반도체층(261)의 소오스/드레인 영역에 연결되는 소오스/드레인 전극(265), (267)을 구비한다. 상기 소오스전극(265)은 데이터라인(220)에 연결된다.
상기 캐패시터(270)는 콘택홀(268)을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(260)의 드레인 전극(267)에 연결되는 하부전극(327)과, 상기 하부전극(327) 상부에 형성된 상부전극(347)을 구비한다.
상기 구동 박막 트랜지스터(280)는 소오스/드레인 영역(311), (315)이 형성된 반도체층(310), 상기 캐패시터(270)의 하부전극(327)에 연결되는 게이트전극(325) 및 상기 반도체층(310)에 형성된 소오스/드레인 영역(311), (315)과 콘택(331), (335)을 통해 전기적으로 콘택되는 소오스/드레인 전극(341), (345)을 구비한다. 상기 소오스전극(341)은 상기 캐패시터(270)의 상부전극(347)에 연결된다.
상기 EL소자는 상기 구동 박막 트랜지스터(280)의 드레인전극(345)에 비어홀(355)을 통해 연결되는 화소전극인 애노드전극(360)과, 개구부(375)에 의해 노출되는 상기 애노드전극(360)상에 형성된 유기막층(380) 및 기판상에 형성된 캐소드전극(390)을 구비한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것이다. 도 4는 도 3의 II-II 선에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것으로서, 구동 박막 트랜지스터(280), 캐패시터(270) 및 EL소자에 한정하여 도시한 것이다.
도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 금속박으로 된 기판(300)의 일면상에 제1절연막(305)을 형성한다. 상기 제1절연막(305)은 버퍼층을 포함한다. 상기 버퍼층(305)상에 폴리실리콘막을 형성한 다음 패터닝하여 구동 박막 트랜지스터(280)의 반도체층을 형성한다. 상기 반도체층(310)으로 폴리실리콘막 대신에 비정질 실리콘막을 사용할 수도 있다.
기판상에 제2절연막으로서 게이트 절연막(320)을 형성하고, 게이트 절연막(320)상에 게이트 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 상기 반도체층(310)상부에 게이트(325)를 형성하고, 상기 게이트(325)와 떨어져 캐패시터(270)의 하부전극(327)을 형성한다. 상기 반도체층(310)으로 소정 도전형의 불순물, 예를 들어 p형 도전형의 불순물을 주입하여 상기 반도체층(310)에 소오스/드레인 영역(311), (315)을 형성한다.
기판상에 제3절연막으로서 층간 절연막(330)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(320)과 층간 절연막(330)을 식각하여 상기 소오스/드레인 영역(311), (315)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(331), (335)을 형성한다. 상기 콘택홀(331), (335) 형성시, 상기 층간 절연막(330), 게이트 절연막(320) 및 버퍼층(310)을 식각하여 상기 기판(300)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(337)을 형성한다.
기판상에 소오스/드레인 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 상기 콘택홀(331), (335)을 통해 상기 반도체층(310)의 소오스/드레인 영역(311), (315)과 연결되는 소오스/드레인 전극(342), (345)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(342), (345)을 형성할 때, 상기 소오스전극(342)으로부터 연장 형성되는 상기 캐패시터(270)의 상부전극(347)을 상기 하부전극(327)상에 형성한다.
이때, 도전패턴(341)은 도 3에 도시된 바와 같이 섬형태의 패턴구조를 갖으며, 상기 구동 박막 트랜지스터(280)의 소오스 전극(342)과 캐패시터(270)의 상부전극(347)으로 작용한다. 따라서, 상기 도전패턴(341)은 상기 콘택홀(337)을 통해 상기 기판(300)과 전기적으로 콘택되므로, 기판(300)으로부터 전원전압이 상기 구동 박막 트랜지스터(280)와 캐패시터(270)에 제공된다.
기판상에 제4절연막으로서 보호막(350)을 증착한 다음 상기 소오스/드레인 전극(342), (345)중 하나, 예를 들어 드레인 전극(345)의 일부분을 노출시키는 비어홀(355)을 형성한다. 기판상에 화소전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 상기 비어홀(355)을 통해 상기 드레인 전극(345)에 연결되는 화소전극인 애노드전극(360)을 형성한다.
기판상에 제5절연막으로서 화소분리막(370)을 형성한 다음 상기 화소전극(360)의 일부분을 노출시키는 개구부(375)를 형성한다. 상기 개구부(375)내의 애노드전극(360)상에 유기막층(380)을 형성하고, 기판전면에 캐소드전극(390)을 형성한다. 상기 유기막층(380)은 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 유기막층 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 전면발광구조를 가지므로, 상기 애노드전극은 반사막을 포함하는 투명전극을 구비하고, 상기 캐소드전극은 투과전극을 포함한다.
상기한 바와같은 유기전계 발광표시장치는 도 3에 도시된 바와같이, 금속박으로 된 기판이 전원공급층으로 작용하므로, 전면전극형태의 전원공급층을 통해 각 화소로 전원전압을 공급하게 된다. 그러므로, 종래의 라인형태를 갖는 전원공급라인을 통해 각 화소로 전원전압을 공급하는 구조에 비하여 전면전극형태의 기판을 통해 각 화소로 전원전압을 공급하는 본 발명에서는 도 3의 화살표로 표시된 바와같이 모든 방향에서 전원전압이 인가되어 전압강하를 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 화소의 배열위치에 따라 전원공급라인에서의 전압강하에 의한 전압불균일을 개선할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 유기전계 발광표시장치에 있어서, 기판과 소오스/드레인전극의 연결관계를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 금속박으로 된 기판(300)은 다수의 화소영역(240)을 구비하며, 다수의 화소영역(240)의 일부분을 각각 노출시켜 주는 다수의 콘택홀(337)을 구비한다. 상기 다수의 화소영역(240)에는 섬형태를 갖는 다수의 도전패턴(341)이 각각 배열되며, 상기 다수의 도전패턴(341)은 콘택홀(337)을 통해 각각 상기 기판(300)과 전기적으로 연결된다.
상기 도전패턴(341)은 도 4에 도시된 바와 같이, 캐패시터(270)의 상부전극(347)과 상기 캐패시터(270)의 상부전극(347)에 연결되는 박막 트랜지스터(280)의 소오스/드레인 전극중 하나, 예를 들어 소오스 전극으로 작용한다. 그러므로, 기판(300)으로부터 섬형태의 도전패턴(341)으로 공급되어 캐패시터(170)와 박막 트랜지스터(280)로 전원전압이 공급되어진다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 것이다. 도 3의 II-II선에 따른 단면구조를 도시한 것으로서, 유기전계 발광소자, 캐패시터 및 구동 박막 트랜지스터에 한정하여 도시한 것이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치와 동일한 구조를 갖는다. 다만, 기판의 타면에 전원공급층으로 사용되는 기판을 절연시켜 주기 위한 절연막이 형성되는 것만이 다르다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 금속박으로 된 플렉서블 기판(400)을 구비한다. 상기 기판(400)의 일면상에 제1절연막으로서 버퍼층(405)이 형성되고, 상기 버퍼층(405)상에 구동 박막 트랜지스터(380)의 반도체층(410)이 형성된다. 상기 반도체층(410)은 소정 도전형, 예를 들어 p형 불순물이 도핑된 소오스/드레인 영역(411), (415)을 구비한다.
기판상에 제2절연막으로서 게이트 절연막(420)이 형성되고, 상기 게이트 절 연막(420)중 상기 반도체층(410)에 대응하는 부분에 게이트(425)가 형성되고, 상기 게이트(425)과 떨어져 캐패시터(370)의 하부전극(427)이 형성된다.
기판상에 제3절연막으로서 층간 절연막(430)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(420)과 층간 절연막(430)에는 상기 반도체층(410)의 소오스/드레인 영역(411), (415)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(431), (435)가 형성된다. 또한, 상기 층간 절연막(430)과 게이트 절연막(420) 및 버퍼층(405)에는 상기 기판(400)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(437)이 형성된다.
상기 층간 절연막(430)상에 상기 콘택홀(431), (435)을 통해 상기 반도체층(410)의 소오스/드레인 영역(411), (415)과 전기적으로 콘택되는 소오스/드레인 전극(442), (445)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(442), (445)중 하나의 전극, 예를 들어 소오스전극(442)으로부터 연장되는 상기 캐패시터(370)의 상부전극(447)을 형성한다.
이때, 상기 구동 박막 트랜지스터(380)의 소오스/드레인 전극(442), (445)중 하나의 전극 즉 소오스 전극(442)과 상기 캐패시터(370)의 상부전극(447)을 구성하는 도전패턴(441)은 상기 콘택홀(437)을 통해 상기 금속박으로 된 기판(400)과 전기적으로 콘택되어진다. 따라서, 상기 기판(400)으로부터 상기 도전패턴(441)으로 전원전압이 공급되므로, 상기 구동 박막 트랜지스터(380)의 소오스전극(442)과 캐패시터(370)의 상부전극(447)에 전원전압이 인가되어진다.
기판상에 제4절연막으로서 보호막(450)이 형성된다. 상기 보호막(450)은 상기 구동 박막 트랜지스터(380)의 소오스/드레인 전극(442), (445)중 다른 하나의 전극, 즉 드레인 전극(445)의 일부분을 노출시키는 비어홀(455)을 구비한다.
상기 보호막(450)상에 상기 비어홀(455)을 통해 상기 구동 박막 트랜지스터(380)의 드레인 전극(445)에 연결되는 화소전극인 애노드전극(460)을 형성한다. 기판상에 상기 애노드전극(480)의 일부분을 노출시키는 개구부(475)를 구비하는 화소분리막(470)이 형성된다.
이때, 상기 화소분리막(480)과 버퍼층(405)과 같은 절연막은 버퍼층에 형성되는 박막 트랜지스터의 오동작을 방지하고, 기생 캐패시턴스를 방지하기 위하여 두께와 물질이 적절하게 선택되어야 한다. 특히, 상기 화소분리막(470)은 전원공급층으로 사용되는 기판(400)과의 기생 캐패시턴스를 고려하여 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 개구부(475)내의 애노드전극(460)상에 유기막층(480)이 형성되고, 기판전면에 캐소드전극(490)이 형성된다. 상기 유기막층(480)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층 및 정공억제층으로부터 선택되는 유기막을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 기판(400)의 다른 면상에 형성되어, 전원공급층으로 사용하는 기판을 절연시켜 주기 위한 절연막(401)이 더 구비한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 전면발광구조를 가지므로, 상기 애노드전극은 반사막을 포함하는 투명전극을 구비하고, 상기 캐소드전극은 투과전극을 포함한다.
본 발명은 표시소자의 화소전극을 구동하는 스위칭소자로서 박막 트랜지스터를 사용하고 기판으로 금속박과 같은 플렉서블 기판을 사용하는 평판표시장치에 있어서, 상기 기판을 전원공급층으로 사용하는 구조에는 모두 적용가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 화소가 하나의 스위칭 박막 트랜지스터, 하나의 구동 박막 트랜지스터 및 캐패시터와 유기전계 발광소자를 구비하는 것으로 예시하였으나, 이에 반드시 한정되는 것이 아니라 다양한 구조를 갖는 화소에 적용가능하다.
본 발명의 실시예는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같은 단면구조를 갖는 유기발광표시장치에 한정되는 것이 아니라 다양한 구조를 갖는 유기전계 발광표시장치에 적용가능하다.
상기한 바와같은 본 발명의 실시예에 따르면, 금속박으로 된 기판을 전원공급층으로 사용하므로써 종래의 전원전압을 라인형태의 전원공급라인을 통해 화소에 제공하는 경우보다 전압강하를 방지할 수 있어 박막 트랜지스터의 특성 균일도를 개선시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 추가공정없이 기판을 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극에 연결하여 전원공급층으로 사용하므로써 공정을 단순화할 수 있다.
또한, 금속박으로 된 기판을 전원공급층으로 사용하므로써 인접하는 라인에 공정중의 파티클에 의해 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있으므로, 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다,
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. 도전성 기판과;
    상기 기판의 일면상에 형성되어 상기 기판의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 제1절연막과;
    상기 제1절연막상에 형성된 반도체층, 게이트 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결된 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 금속박으로 된 플렉서블 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표시소자는
    상기 화소전극과;
    상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2절연막과;
    상기 개구부내의 화소전극상에 형성된 유기막층과;
    기판상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서, 상기 기판의 다른 면상에 형성되어, 상기 기판의 다른 면을 절연시켜 주기 위한 제3절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  7. 다수의 화소영역을 구비하는 도전성 기판과;
    상기 기판상에 형성되고, 상기 다수의 화소영역의 일부분을 각각 노출시키는 다수의 콘택홀을 구비하는 제1절연막과;
    각 화소영역마다 상기 제1절연막상에 형성되고, 섬형태의 소오스/드레인 전극을 구비하는 다수의 박막 트랜지스터와;
    각 화소영역마다 상기 제1절연막상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 소 오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하며,
    상기 기판은 상기 콘택홀을 통해 각 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극에 연결되어, 상기 다수의 박막 트랜지스터로 전원전압을 공급하는 전원전압층으로 작용하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판은 금속박으로 된 플렉서블 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1절연막은 버퍼층인 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 각 표시소자는
    상기 화소전극과;
    상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2절연막과;
    상기 개구부내의 화소전극상에 형성된 유기막층과;
    기판상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  11. 삭제
  12. 제11항에 있어서, 상기 기판의 다른 면상에 형성되어, 상기 기판의 다른 면을 절연시켜 주기 위한 제3절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  13. 도전성 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제1절연막상에 소오스/드레인 영역을 구비하는 반도체층과 게이트를 형성하는 단계와;
    기판상에 제2절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제1절연막과 제2절연막을 식각하여 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역의 일부분을 노출시키는 제1콘택홀과 상기 기판의 일부분을 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 제1콘택홀을 통해 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 각각 콘택되는 소오스전극/드레인 전극을 형성하는 단계와;
    상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 구비하는 표시소자를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 소오스/드레인 전극중 다른 하나의 전극은 상기 제2콘택홀을 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판은 금속박으로 된 플렉서블 기판을 포함하는 것 을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1절연막은 버퍼층을 포함하고, 상기 제2절연막은 층간 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 표시소자를 제조하는 방법은
    상기 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제3절연막을 형성하는 단계와;
    상기 개구부내의 화소전극상에 유기막층을 형성하는 단계와;
    기판상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  17. 삭제
  18. 제16항에 있어서, 상기 기판의 다른 면상에 형성되어, 상기 기판의 다른 면을 절연시켜 주기 위한 제4절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
KR1020040094512A 2004-11-18 2004-11-18 평판표시장치 및 그의 제조방법 KR100696479B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040094512A KR100696479B1 (ko) 2004-11-18 2004-11-18 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP2005325025A JP2006146205A (ja) 2004-11-18 2005-11-09 平板表示装置及びその製造方法
US11/274,190 US20060102900A1 (en) 2004-11-18 2005-11-16 Flat panel display and its method of fabrication
EP05110854A EP1659633A3 (en) 2004-11-18 2005-11-17 Flat panel display and its method of fabrication
CNA2005101373429A CN1828924A (zh) 2004-11-18 2005-11-18 平板显示器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040094512A KR100696479B1 (ko) 2004-11-18 2004-11-18 평판표시장치 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060055620A KR20060055620A (ko) 2006-05-24
KR100696479B1 true KR100696479B1 (ko) 2007-03-19

Family

ID=35825395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040094512A KR100696479B1 (ko) 2004-11-18 2004-11-18 평판표시장치 및 그의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060102900A1 (ko)
EP (1) EP1659633A3 (ko)
JP (1) JP2006146205A (ko)
KR (1) KR100696479B1 (ko)
CN (1) CN1828924A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886305B2 (en) 2018-09-14 2021-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669778B1 (ko) * 2004-11-20 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 기판 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판
US7435633B2 (en) * 2006-03-14 2008-10-14 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP4930704B2 (ja) * 2006-03-14 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7667386B2 (en) 2006-06-21 2010-02-23 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fabricating method of display panel
KR100767680B1 (ko) * 2006-10-24 2007-10-17 엘지전자 주식회사 전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법
KR101340996B1 (ko) * 2007-03-13 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
JP2010032838A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
JP5691167B2 (ja) * 2009-12-24 2015-04-01 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
US8618731B2 (en) * 2010-05-18 2013-12-31 General Electric Company Large-area flexible OLED light source
TWI423310B (zh) * 2011-06-10 2014-01-11 Au Optronics Corp 畫素結構
KR20140029992A (ko) * 2012-08-31 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치
KR101936619B1 (ko) * 2012-10-31 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20150001154A (ko) * 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN103531593B (zh) * 2013-10-29 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法
CN104795429B (zh) * 2015-04-13 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
KR102642198B1 (ko) * 2016-04-04 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
EP3467812A4 (en) * 2016-06-02 2019-12-18 Changchun Flexible Display Technology Co., Ltd. OLED CONTROL CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND DISPLAY DEVICE
KR102580063B1 (ko) * 2016-07-21 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI691104B (zh) * 2018-07-18 2020-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
KR102030323B1 (ko) * 2018-11-23 2019-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN109742121B (zh) * 2019-01-10 2023-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制备方法、显示装置
CN114255647A (zh) * 2020-09-24 2022-03-29 群创光电股份有限公司 电子装置的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030049385A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR20030094962A (ko) * 2002-06-11 2003-12-18 정은주 금속판을 기판과 전극으로 하는 발광소자

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69535970D1 (de) * 1994-12-14 2009-08-06 Eastman Kodak Co Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
CN1267871C (zh) * 1997-08-21 2006-08-02 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3690406B2 (ja) * 1997-08-21 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100481593B1 (ko) * 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
JP4583568B2 (ja) * 2000-09-19 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100491143B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
US6835954B2 (en) * 2001-12-29 2004-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
TW548853B (en) * 2002-09-13 2003-08-21 Ind Tech Res Inst Method of manufacturing flexible TFT display
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
KR100521272B1 (ko) * 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
US6777309B1 (en) * 2003-01-28 2004-08-17 Gem Line Technology Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030049385A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR20030094962A (ko) * 2002-06-11 2003-12-18 정은주 금속판을 기판과 전극으로 하는 발광소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886305B2 (en) 2018-09-14 2021-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1659633A3 (en) 2006-06-07
KR20060055620A (ko) 2006-05-24
EP1659633A2 (en) 2006-05-24
JP2006146205A (ja) 2006-06-08
US20060102900A1 (en) 2006-05-18
CN1828924A (zh) 2006-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100696479B1 (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100635042B1 (ko) 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
TWI425634B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US7696518B2 (en) Flat panel display with anode electrode layer as power supply layer and fabrication method thereof
US8400589B2 (en) Flat panel display device and method of manufacturing the same
US7211826B2 (en) Organic electroluminescent display
KR100611153B1 (ko) 평판 표시 소자
US8652885B2 (en) Method of fabricating thin film transistor
KR20010012361A (ko) 액티브 매트릭스형 발광장치 및 그 제조방법
US20070012926A1 (en) Display device with reduced number of wires and manufacturing method thereof
TWI392096B (zh) 薄膜電晶體陣列面板
US7402950B2 (en) Active matrix organic light emitting display device and method of fabricating the same
US8258024B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US8704305B2 (en) Thin film transistor
KR20150087617A (ko) 표시 기판용 박막 트랜지스터, 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법
KR100852252B1 (ko) 표시장치 및 그 제조 방법
KR102449066B1 (ko) 표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100669715B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20160053383A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치
KR20100070729A (ko) 유기전계 발광소자용 어레이 기판
KR20080000015A (ko) 액티브 매트릭스 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100611158B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
US20230232675A1 (en) Mother substrate for display device and manufacturing method of display device
KR100946371B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011100951A (ja) 薄膜トランジスタ、発光装置、電子機器、及び、薄膜トランジスタの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200227

Year of fee payment: 14