CN114255647A - 电子装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一种电子装置的制造方法包括以下步骤。提供柔性基板，其中柔性基板具有彼此相对的两表面。在柔性基板的一个表面上形成电路。在柔性基板内形成穿孔。在穿孔内形成导电桥。将支撑基板贴附到柔性基板的另一个表面上。形成贯穿支撑基板的开口，且开口对应于柔性基板中的穿孔。将电子组件安装到支撑基板上且让电子组件通过导电桥电连接电路。
Description
技术领域
本揭露涉及一种电子装置的制造方法。
背景技术
电子装置的功能及应用范围都越来越广泛，各种电子装置的制作技术也因应而生。使用柔性基板制作电子装置的技术即是其中一环。今年来，业界更是不断的改进使用柔性基板制作电子装置所面临的问题，以生产更佳的电子装置。
发明内容
本揭露是提供一种电子装置的制造方法，有助于缩减电子装置的厚度及体积。
根据本揭露的实施例，一种电子装置的制造方法包括以下步骤。提供柔性基板，其中柔性基板具有彼此相对的两表面。在柔性基板的一个表面上形成电路。在柔性基板内形成穿孔。在穿孔内形成导电桥。将支撑基板贴附到柔性基板的另一个表面上。形成贯穿支撑基板的开口，且开口对应于柔性基板中的穿孔。将电子组件安装到支撑基板上且让电子组件通过导电桥电连接电路。
综上所述，本揭露实施例的电子装置的制造方法可允许电子装置的电信号在柔性基板的两表面之间传输，从而实现薄型化的电子装置。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
包括附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1为本揭露一实施例的电子装置的制造方法的部分流程的剖面示意图；
图2为本揭露一实施例的电子装置的制造方法的部分流程的剖面示意图；
图3为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图；
图4为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图；
图5为本揭露再一实施例的电子装置的剖面示意图；
图6为本揭露一实施例在支撑基板中形成开口的步骤的示意图；
图7表示为已经形成有开口的支撑基板的平面图；
图8为本揭露一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图；
图9为本揭露另一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图；
图10为本揭露又一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图；
图11为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图；
图12为图11的电子装置的仰视图；
图13为本揭露又另一实施例的电子装置的剖面示意图。
附图标号说明
100、100A、100B、100C、100D、200、300：电子装置；
102：载板；
110、110’：柔性基板；
110P：部分；
110B：底表面；
110T：顶表面；
120、120’：导电桥；
130、130’：电路；
140、140’：元件层；
150、150’：支撑基板；
150S:支撑基板150的侧表面
150B:支撑基板150的底表面
160、160A、160B：电子组件；
170：接合件；
AC：主动层；
BF：缓冲层；
BK：挡墙结构；
C1、C2：接触孔；
C3：预穿孔；
CWA：印刷电路板
CWB：传输线路；
d：最小横向距离；
E1：第一电极；
E2：第二电极；
EL、EL’：发光元件；
FX：接附工具；
h1、h2、T120：厚度；
M1、M2：金属层；
MK：罩幕层；
PB：封装层；
PDL：像素定义层；
PFA：平坦层；
IN1、IN2：绝缘层；
OP、OP1、OP2、OP3：开口；
OP2A：第一部分；
OP2B：第二部分；
OT：开放端；
S01、S02、S03、S04、S05、S06、S07、S08、S08A、S08B、S09：步骤；
SE：半导体层；
TH、TH’：穿孔；
WOP、WTH：宽度。
具体实施方式
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)的上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极体、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。
在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本揭露中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的15％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
图1与图2为本揭露一实施例的的电子装置的制造方法的流程的剖面示意图。请参照图1，如步骤S01所示，将柔性基板110形成于载板102上。载板102可以是具有支撑性可降低柔性基板110发生弯曲、皱褶和/或变形的板状物。举例而言，载板102的材质可包括玻璃(glass)、石英(quartz)或其他合适的材料、或上述材料的组合，但本揭露不限于此。柔性基板110可以由液态和/或胶状的初始材料固化而成。在一些实施例中，柔性基板110的形成方法包括将液态和/或胶状的初始材料涂布于载板102上，再利用固化工艺将液态和/或胶状的初始材料固化以形成柔性基板110，其中可采用的固化工艺包括热固化、光固化或是上述固化工艺的组合，但本揭露不限于此。柔性基板110的材质可包括聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸(polyethylene terephthalate,PET)、或是其它可适用的材料其中之一的单层结构，或上述至少二种材料的堆叠或混合，但不限于此。换言之，柔性基板110可以是单层基板也可以是由多个层堆叠而成的多层基板。在一些实施例中，柔性基板110与载板102间可设置离型层便于顺利地将柔性基板110与载板102分离。
接下来，如步骤S02所示，在柔性基板110上依序形成缓冲层BF、半导体层SE、绝缘层IN1、金属层M1以及绝缘层IN2。缓冲层BF直接接触柔性基板110，半导体层SE形成于缓冲层BF上，绝缘层IN1覆盖半导体层SE，金属层M1形成于绝缘层IN1上以让绝缘层IN1将半导体层SE与金属层M1隔开，而绝缘层IN2覆盖金属层M1。缓冲层BF、绝缘层IN1与绝缘层IN2的材质都是绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，但本揭露不限于此。缓冲层BF可用于增加半导体层SE与柔性基板110间的固着性，或是降低离子扩散入半导体层SE的机率，但在一些实施例中，缓冲层BF可以省略。
半导体层SE可经图案化而分布于指定的区域。半导体层SE的材质包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料等，但本揭露不限于此。金属层M1则经图案化而至少部分对应于半导体层SE而设置。举例而言，金属层M1的图案在柔性基板110上的正投影可以重叠半导体层SE的图案在柔性基板110上的正投影。不过，金属层M1与半导体SE之间夹有绝缘层IN1，以避免这两者彼此直接电性接触。
在本实施例中，在绝缘层IN2制作完成之后，可形成接触孔C1与C2。接触孔C1与接触孔C2的设置位置大致上对应于半导体层SE且位于金属层M1的两侧。接触孔C1与接触孔C2可以延伸到达半导体层SE以将部分半导体层SE露出。另外，制作接触孔C1与C2的同时也可以形成预穿孔C3。预穿孔C3的设置位置大致上在没有半导体层SE也没有金属层M1的区域，且预穿孔C3可以贯穿绝缘层IN2、绝缘层IN2与缓冲层BF。如此一来，预穿孔C3可将柔性基板110露出来。
之后，如步骤S03所示，在载板102上形成罩幕层MK，并利用罩幕层MK图案化柔性基板110，以在柔性基板110中形成贯穿柔性基板110的穿孔TH。在本实施例中，预穿孔C3露出的柔性基板110可以被罩幕层MK局部遮蔽且局部露出，例如柔性基板110的一部分110P未被罩幕层MK遮蔽。因此，形成罩幕层MK之后，可采用蚀刻工艺将柔性基板110的部分110P移除，以形成穿孔TH。穿孔TH可以贯穿柔性基板110而使得载板102的部分区域在穿孔TH中露出。形成穿孔TH之后即可移除罩幕层MK。
接着，如步骤S04所示，在穿孔TH内形成导电桥120。穿孔TH以及预穿孔C3彼此连通，且导电桥120可以连续的覆盖穿孔TH的侧壁以及预穿孔C3的侧壁并接触被穿孔TH露出的载板102部分区域。具体而言，导电桥120可以由绝缘层IN2的顶面，顺应着预穿孔C3的侧壁并与绝缘层IN2、绝缘层IN1及缓冲层BF接触，顺应着穿孔TH的侧壁接触柔性基板110，并且接触被穿孔TH露出的载板102部分区域。如此一来，柔性基板110包含彼此相对的顶表面110T与底表面110B，可通过导电桥120形成导电路径。导电桥120可采用薄膜沉积工艺搭配黄光工艺加以制作，或是采用印刷工艺加以制作。另外，导电桥120的厚度T120例如可依照设计需求而调整。在一些实施例中，导电桥120的厚度T120可以大于1微米，但不以此为限。
接下来，如步骤S05所示，于绝缘层IN2上形成金属层M2，且金属层M2可以经图案化以实现需要的电连接关系。举例而言，金属层M2的一部分可以形成于接触孔C1中以接触部分的半导体层SE，且一部分形成于接触孔C2中以接触另一部分的半导体层SE。另外，金属层M2有一部分可以延伸到导电桥120并与导电桥120接触，从而形成需要的电路130。在未示出的实施例中，金属层M2还可以有一部分连接至金属层M1。如此一来，导电桥120可以电连接对应的金属层M2，和/或通过金属层M2电连接对应的金属层M1。不过，电路130在步骤S05示出的结构仅是举例说明之用，并非用以限定本揭露。另外，步骤S02、步骤S03与步骤S05可视为在柔性基板110的顶表面110T上形成电路130的具体步骤，不过本揭露不以此为限。在其他实施例中，在柔性基板110上形成电路130的步骤可包括其他步骤，或是省略上述步骤的一部分。在本实施例中，电路130是在穿孔TH形成之后才形成的，但不以此为限。在其他的实施例中，电路130可以在穿孔TH形成之前形成。举例而言，步骤S03可以在步骤S05之后才执行。
请参照图2，步骤S06表示了在电路130上形成元件层140的方法。元件层140可包括平坦层PFA、像素定义层PDL、发光元件EL、挡墙结构BK以及封装层PB。平坦层PFA覆盖电路130，降低电路130所构成的凹凸起伏结构的变化。像素定义层PDL设置于平坦层PFA上且定义出像素区。发光元件EL设置于像素定义层PDL所定义的像素区中，并包括发光功能层AC、第一电极E1与第二电极E2，其中第一电极E1配置于平坦层PFA上并电连接电路130中的金属层M2，发光功能层AC配置于第一电极E1上，而第二电极E2配置于发光功能层AC上。发光功能层AC可以是单层结构或多层结构，例如是发光层(emission layer)、空穴传输层(holetransporting layer)、电子传输层(electron transport layer)，本揭露不限于此。发光功能层AC的材质例如是有机发光材料，本揭露不限于此。在此，发光元件EL是以有机发光元件为例来说明，在一些实施例中，发光元件EL可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot,QD，可例如为QLED、QDLED)，荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材且其材料可任意排列组合，但不以此为限。挡墙结构BK设置于柔性基板110周边，且挡墙结构BK可包括多层结构，例如为两层结构，其中一层可与平坦层PFA为同一层，而另一层可与像素定义层PDL为同一层，但本揭露不限于此，亦可为单层结构。另外，封装层PB可以盖满整个柔性基板110的表面，以增加阻隔水氧的作用。
接着，如步骤S07所示，将载板102移除，使柔性基板110的底表面110B露出。此时，位于柔性基板110的穿孔TH中的导电桥120也会在底表面110B被露出。在一些实施例中，移除载板102的方式可包括雷射剥除、机械剥除或是其他可使载板102与柔性基板110分离的工艺。另外，在剥除载板102之前可将柔性基板110先以上下颠倒的方式暂时放置于中间载板(图未示)上，使得载板102露出后再进行剥除工艺。如此一来，载板102剥除之后，柔性基板110以及柔性基板110上的电路130与元件层140可暂时的被中间载板承载，而可避免损坏或变形。
随后，如步骤S08所示，将支撑基板150贴附到柔性基板110上。支撑基板150的机械强度可高于柔性基板110的机械强度，因此支撑基板150可以避免柔性基板110产生变形而让电路130以及元件层140变形或损坏。一般来说，柔性基板110的厚度h1可小于支撑基板150的厚度h2，但本揭露不限于此。在一些实施例中，支撑基板150也可具备柔性，举例而言，支撑基板150可以是可弯折且弯折之后可恢复原状态的基板。支撑基板150的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、压克力(Acrylic)等，但不以此为限。在其他实施例中，支撑基板150可不具备柔性，其材质包括玻璃、石英等，但不以此为限。在另外一些实施例中，可省略步骤S07的步骤而直接使用载板102当作支撑基板150。
另外，步骤S08还包括在支撑基板150中形成开口OP。在一些实施例中，开口OP可以使用雷射切割工艺形成。不过，开口OP也可采用使用刀模切割工艺形成。开口OP贯穿支撑基板150，且开口OP对应于柔性基板110中的穿孔TH。如此，穿孔TH中的导电桥120可在开口OP露出。在此，开口OP的宽度WOP，例如在一方向的剖面图中，开口OP的宽度可以大于穿孔TH在柔性基板110的底表面110B的端口的宽度WTH，因此开口OP可在支撑基板150中裸露出导电桥120，以便进行后续制程。
接着，如步骤S09为电子组件160安装在支撑基板150上且电连接导电桥120的制程，包括将电子组件160安装到支撑基板150任一表面上，例如将电子组件160安装在开口OP中或支撑基板150一侧面或支撑基板150一底面，让电子组件160通过导电桥120电连接柔性基板110上的电路130，以形成电子装置100。如图2所示，电子组件160可以设置于支撑基板150的开口OP中，且电子组件160例如可通过接合件170接合至开口OP所露出的导电桥120。接合件170可包括导电胶、焊锡、金属凸块等，以让电子组件160电连接穿孔TH中的导电桥120。另外，在步骤S09中可使用接附工具FX将电子组件160安装至柔性基板110上，但不以此为限。
如图2的步骤S09所示，电子装置100包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、与电路130连接的元件层140、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及至少部分设置于开口OP中且电连接至导电桥120的电子组件160。穿孔TH贯穿柔性基板110，使得导电桥120可以将位于柔性基板110的顶表面110T的电路130电连接位于柔性基板110的底表面110B下方的电子组件160。如此的设计可以在不增加厚度的前提之下，实现柔性基板110相对两表面上的构件的电连接，使得电子装置100的厚度缩减且体积较为精简。在图2中，电子组件160安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120，其中电子组件160可以是封装集成电路且电子组件160直接设置于支撑基板150的开口OP中，但本揭露不以此为限。
图3为本揭露另一实施例的电子装置的剖面示意图。如图3所示，电子装置100A，相似于电子装置100，可采用前述步骤S01至步骤S09的制造方法制作，且包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、与电路130连接的元件层140、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120的电子组件160A，其中电子组件160A可以是印刷电路板且电子组件160A可通过接合件170接合至开口OP所露出的导电桥120。电子组件160A可以局部的设置在支撑基板150的开口OP中，且局部的延伸到支撑基板150的底表面150B。图4为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图。如图4所示，电子装置100B，相似于电子装置100，可采用前述步骤S01至步骤S09的制造方法制作，且包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、与电路130连接的元件层140、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120的电子组件160B，其中电子组件160B可以是具有封装集成电路的印刷电路板CWA，且电子组件160可以通过印刷电路板CWA电连接至开口OP中露出的导电桥120。印刷电路板CWA由开口OP露出的导电桥120连续的顺应着开口OP及支撑基板150的轮廓延伸到支撑基板150的底表面150B，以提供导电桥120与电子组件160之间的电信号传递。在一些实施例中，印刷电路板CWA由开口OP露出的导电桥120连续的顺应着开口OP的轮廓将印刷电路板CWA上的封装集成电路固定于支撑基板150的侧表面150S，减少电子装置100的厚度。
图5为本揭露再一实施例的电子装置的剖面示意图。如图5所示，电子装置100C，相似于电子装置100，可采用前述步骤S01至步骤S09的制造方法制作，且包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、与电路130连接的元件层140、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120的电子组件160B，其中电子组件160B可以是包括封装集成电路及传输线路CWB，电子组件160B可以通过传输线路CWB电连接至开口OP中露出的导电桥120。电子组件160B安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120的制程，可以先将封装集成电路设置在支撑基板150上的任一表面，例如可设置在支撑基板150的底表面150B或支撑基板150的任一侧面150S后再将传输线路CWB电连接至导电桥120，传输线路CWB可以是立体的金属线、印刷电路板或任何导线，且传输线路CWB的两端分别连接至导电桥120与封装集成电路，以提供导电桥120与封装集成电路之间的电信号传递。在一些实施例中，电子组件160B安装在支撑基板150上且电连接至导电桥120的制程，可以先将封装集成电路与传输线路CWB先结合后，再设置在支撑基板150上，后传输线路CWB电连接至导电桥120；其中封装集成电路可设置在支撑基板150的底表面150B或支撑基板150的任一侧表面150S，其中传输线路CWB可以是立体的金属线、印刷电路板或任何导线，传输线路CWB的两端分别连接至导电桥120与封装集成电路以提供导电桥120与封装集成电路之间的电信号传递。在一些实施例中，传输线路CWB可由开口OP露出的导电桥120连续的顺应着开口OP的轮廓设置于支撑基板150的侧表面150S或支撑基板150的底表面150B(未图示)，减少传输线路CWB受外力作用而损伤。
图6为本揭露一实施例在支撑基板中形成开口的步骤的示意图。图6例如示出图2中步骤S08的一种实施方式，但不以此为限。由图6可知，在一实施例中，柔性基板110上制作完导电桥120、电路130与元件层140后，可进行步骤S08A，将完整的、未图案化的支撑基板150’贴附于柔性基板110上。此时，导电桥120被支撑基板150’覆盖。接着，如步骤S08B，移除支撑基板150’的一部分以完成具有开口OP的支撑基板150。开口OP的设置位置可对应于穿孔TH，以将穿孔TH中的导电桥120露出。也就是说，开口OP可以是在贴附支撑基板150’之后才形成的。不过，在另一实施例中，开口OP可以在贴附支撑基板150之前就先形成。也就是说，可以将已经具有开口OP的支撑基板150贴附于柔性基板110上。图7表示为已经具有开口的支撑基板的平面图。如图7所示，在一些实施例中，可在支撑基板150预先形成开口OP，再进行图2的步骤S08，以让开口OP的位置对应于穿孔TH所露出的导电桥120的方式将支撑基板150贴附至柔性基板110，即完成步骤S08。
图8为本揭露一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图。图8主要示出支撑基板150的底面。在本实施例中，支撑基板150具有开口OP1，且开口OP1露出柔性基板110的一部分也露出柔性基板110的穿孔TH中的导电桥120。由图8可知，开口OP1的尺寸可大于穿孔TH的末端(即穿孔TH在柔性基板110底表面被露出的末端)的尺寸，且开口OP1中可设置有多个穿孔TH。换言之，开口OP1可露出多个导电桥120，其中不同的导电桥120可传递不同的信号，因此开口OP1中的这些导电桥120可以分别连接到电子组件(如图2所示的电子组件160)的接垫，以传递不同信号，但本揭露不限于此。为了可以露出所有的导电桥120，开口OP1的面积大小可大于所有穿孔TH的末端的面积的总和。图8中以一个开口OP1露出三个穿孔TH为例，但不以此为限。在一些实施例中，穿孔TH的边缘至开口OP1的边缘的最小横向距离d可以大于0.1毫米(mm)，以便在后续接合电子组件的步骤中提供合适的安置空间。不过，在另外一些实施例中，穿孔TH的边缘与开口OP1的边缘可部分切齐。另外，在一些实施例中，请参照图2与图8，支撑基板150的厚度h2可符合以下公式：:h2≥((A2/(A2-A1))2×((E1+E2)/E2)2×h1，其中A1为开口OP1的面积，A2为支撑基板150的外轮廓所围面积，E1为柔性基板110的杨氏模数(Young's modulus)，E2为支撑基板150的杨氏模数，而h1为柔性基板110在任一剖面的最左边厚度与最右边厚度的平均值。支撑基板150的厚度h2符合上述公式时，可提供合适的支撑作用，而确保电子装置的机械强度。并且，此公式可运用于任何开口形状设计的实施方式中，此公式h1、h2单位可为毫米(mm)。
图9为本揭露另一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图。图9主要示出支撑基板150的底面。在本实施例中，支撑基板150具有开口OP2，且开口OP2露出柔性基板110的一部分与柔性基板110的穿孔TH中的导电桥120。在本实施例中，开口OP2包括对应于穿孔TH的第一部分OP2A以及由第一部分OP2A向外延伸的第二部分OP2B，其中第二部分OP2A可具有开放端OT，使得开口OP2为开放式的开口而构成类似T字型的图案，也就是说，开口OP2不被支撑基板150所封闭。
图10为本揭露又一实施例的电子装置完成步骤S08后的仰视示意图。图10主要示出支撑基板150的底面。在本实施例中，支撑基板150具有开口OP3，且开口OP3露出柔性基板110的一部分与柔性基板110的穿孔TH中的导电桥120。在本实施例中，开口OP3为开放式的开口，其一侧为开放端，也就是说，开口OP3不被支撑基板150所封闭。
图11为本揭露又一实施例的电子装置的剖面示意图。如图11所示，电子装置200，相似于电子装置100，可采用前述步骤S01至步骤S09的制造方法制作，且包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、与电路130连接的元件层140、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及安装在支撑基板150上且电连接导电桥120的电子组件160A，其中电子组件160A可以是柔性电路板且电子组件160A可通过接合件170接合至开口OP所露出的导电桥120。此外，电子装置200还可包括具有另一穿孔TH’的另一柔性基板110’、设置于另一穿孔TH’中的另一导电桥120’以及与另一导电桥120’电连接的另一电路130’。柔性基板110’、导电桥120’以及电路130’的制作方式如同图1与图2的步骤S01至S06所示。因此，柔性基板110’、导电桥120’以及电路130’的具体结构大致相似于柔性基板110、导电桥120以及电路130。举例而言，电子装置200的制作方法可以是在形成柔性基板110、导电桥120以及电路130，再次进行步骤S01至步骤S06以形成柔性基板110’、导电桥120’以及电路130’，之后，再进行步骤S07至步骤S09以完成电子装置200。
图12为图11的电子装置的仰视图。由图12可知，支撑基板150的开口OP可露出柔性基板110的一部分，而电子组件160A的一部分延伸至开口OP中且一部分延伸于支撑基板150上。具体而言，柔性基板110的穿孔TH以及穿孔TH中的导电桥120在仰视图中会被电子组件覆盖，但图12为了方便表示穿孔TH以及导电桥120的配置关系，以虚线表示出这些构件。由图12可知，开口OP可露出多个穿孔TH。在本实施例中，不同穿孔TH中的导电桥120可用于提供不同信号的传递，因此不同导电桥120可连接至电子组件160A的不同接垫。
图13为本揭露又另一实施例的电子装置的剖面示意图。如图13所示，电子装置300，相似于电子装置200，可采用前述步骤S01至步骤S09的制造方法制作，且包括具有穿孔TH的柔性基板110、设置于穿孔TH中的导电桥120、与导电桥120电连接的电路130、具有另一穿孔TH’的另一柔性基板110’、设置于另一穿孔TH’中的另一导电桥120’以及与另一导电桥120’电连接的另一电路130’、通过电路130’而电连接至电路130的元件层140’、支撑柔性基板110且具有开口OP的支撑基板150以及安装在支撑基板150上且电连接导电桥120的电子组件160A，其中电子组件160A可以是印刷电路板且电子组件160A可通过接合件170接合至开口OP所露出的导电桥120。此外，电子装置300的元件层140’可包括平坦层PFA、像素定义层PDL、发光元件EL’、挡墙结构BK以及封装层PB，其中平坦层PFA、像素定义层PDL、挡墙结构BK以及封装层PB可参照前述实施例，例如图2，的相关描述，而发光元件EL’例如是预先制作好的发光二极体单元。在一些实施例中，发光元件EL’可以是次毫米发光二极管或是微发光二极管，但不以此为限。具体而言，平坦层PFA覆盖电路130’，并降低电路130’所构成的凹凸起伏结构的变化。像素定义层PDL设置于平坦层PFA上且具有容置开口以露出电路130’中的部分导电线路。发光元件EL’设置于像素定义层PDL的容置开口中并且电连接电路130’中被露出的导电线路。发光元件EL’可以采用覆晶接合方式与电路130’电连接，但不以此为限。在一些实施例中，发光元件EL’可以采用表面接合、打线接合等方式与电路130’电连接。如同前述实施例，本实施例的电子装置300可通过穿孔TH、TH’与导电桥120、120’的设置而让柔性基板110相对两侧的元件彼此电连接而有助于缩减线路布局所需要的空间，例如厚度。因此，电子装置300可具有较精简、较薄化的体积。综上所述，本揭露实施例的电子装置的制造方法包括在柔性基板上形成穿孔、在穿孔中形成导电桥且在支撑基板上形成对应穿孔的开口。穿孔中的导电桥在电子装置中提供了电传输路径，允许电信号由柔性基板的顶表面传递至底表面或由底表面传递至顶表面。因此，电子装置可在无需增加装置厚度的前提下实现双面电信号互相传递的效果，从而实现薄型化的效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供柔性基板，所述柔性基板具有彼此相对的两表面；
在所述柔性基板的一个表面上形成电路；
在所述柔性基板内形成穿孔；
在所述穿孔内形成导电桥；
将支撑基板贴附到所述柔性基板的另一个表面上；
形成贯穿所述支撑基板的开口，且所述开口对应于所述柔性基板中的所述穿孔；以及
将电子组件安装到所述支撑基板且让所述电子组件通过所述导电桥电连接所述电路。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述电子组件为封装集成电路。
3.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述电子组件为印刷电路板。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述电子组件安装在所述开口中。
5.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述电路是在所述穿孔形成之前形成的。
6.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述电路是在所述穿孔形成之后形成的。
7.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述开口是在贴附所述支撑基板之前形成的。
8.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述开口是在贴附所述支撑基板之后形成的。
9.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述开口使用雷射切割工艺形成。
10.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述开口使用刀模切割工艺形成。
11.一种电子装置，使用如权利要求1的制造方法制作而成。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1828924A (zh) * | 2004-11-18 | 2006-09-06 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示器及其制造方法 |
| CN103824807A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 三星显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
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| CN107170774A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN108511487A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1828924A (zh) * | 2004-11-18 | 2006-09-06 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示器及其制造方法 |
| CN103824807A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 三星显示有限公司 | 制造柔性显示装置的方法 |
| CN107154418A (zh) * | 2016-03-04 | 2017-09-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN107170774A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN108511487A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
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