JP2001215529A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JP2001215529A JP2001215529A JP2000026450A JP2000026450A JP2001215529A JP 2001215529 A JP2001215529 A JP 2001215529A JP 2000026450 A JP2000026450 A JP 2000026450A JP 2000026450 A JP2000026450 A JP 2000026450A JP 2001215529 A JP2001215529 A JP 2001215529A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素間のショート発生時にショート箇所をＴ
ＦＴアレイ基板裏面から特定でき、かつ高反射の明るい
反射型液晶表示装置を提供する。また、チャネル部を遮
光でき、かつ黒点化処理が可能である反射型液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 液晶層を挟持する２枚の基板１ａの一方
の一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線
群２と、ソース配線群７ａと、複数の薄膜トランジスタ
のドレイン電極７ｂに各々接続された複数の反射画素電
極２１とを有する。反射画素電極は、隣接する２本のソ
ース線に対して、一方のソース線とは重なりをもち、他
方のソース線とは間隙を有するように配置する。 ま
た、チャネル部およびその近傍を反射画素電極と同材料
の金属膜２１ａによって遮光し、かつゲート配線とドレ
インの交叉部分ではその金属膜を開口させる。
ＦＴアレイ基板裏面から特定でき、かつ高反射の明るい
反射型液晶表示装置を提供する。また、チャネル部を遮
光でき、かつ黒点化処理が可能である反射型液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 液晶層を挟持する２枚の基板１ａの一方
の一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線
群２と、ソース配線群７ａと、複数の薄膜トランジスタ
のドレイン電極７ｂに各々接続された複数の反射画素電
極２１とを有する。反射画素電極は、隣接する２本のソ
ース線に対して、一方のソース線とは重なりをもち、他
方のソース線とは間隙を有するように配置する。 ま
た、チャネル部およびその近傍を反射画素電極と同材料
の金属膜２１ａによって遮光し、かつゲート配線とドレ
インの交叉部分ではその金属膜を開口させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の薄膜トラン
ジスタが形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて液晶を駆
動する反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
ジスタが形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて液晶を駆
動する反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、画像表示装置として、一主面
上に複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称す
る）が形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて、カラーフ
ィルタ基板との間に介在する液晶を駆動し、その液晶に
より画像を表示する透過型の液晶表示装置が広く利用さ
れている。また、屋外や、屋内で使用できる対環境型で
あり、かつ低消費電力で表示動作を行う高画質で薄型・
軽量の反射型液晶表示装置が提案され、開発されてきて
いる。
上に複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称す
る）が形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて、カラーフ
ィルタ基板との間に介在する液晶を駆動し、その液晶に
より画像を表示する透過型の液晶表示装置が広く利用さ
れている。また、屋外や、屋内で使用できる対環境型で
あり、かつ低消費電力で表示動作を行う高画質で薄型・
軽量の反射型液晶表示装置が提案され、開発されてきて
いる。
【０００３】以下、一例として、反射型液晶表示装置に
ついて、図３〜図５を参照して説明する。図３（ａ）
は、従来の反射型液晶表示装置の画素構成を示す平面
図、図３（ｂ）及び図４は、その要部の断面図である。
図５はチャネルおよびその近傍の拡大図である。
ついて、図３〜図５を参照して説明する。図３（ａ）
は、従来の反射型液晶表示装置の画素構成を示す平面
図、図３（ｂ）及び図４は、その要部の断面図である。
図５はチャネルおよびその近傍の拡大図である。
【０００４】この反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基
板Ｔ１の製造工程について説明する。まず、１枚の透明
ガラス基板１ａ上に、タンタルやクロム等からなるゲー
ト電極／ゲート配線２を形成する。次に、通常二層から
なるゲート絶縁膜３と４をスパッタリングおよび、気相
成長法を用いて堆積させる。次に、印加される電圧によ
ってその抵抗値が変化しＴＦＴをスイッチとして機能さ
せる半導体膜（アモルファスシリコン膜）５を形成す
る。次に、後述するソース、および、ドレイン電極と半
導体膜５をオーミックコンタクトさせるための、ｎ＋ａ
−Ｓｉ層6を形成する。そして、チタンや、タンタル
や、モリブデン等の金属からなるソース電極／ソース配
線７ａとドレイン電極７ｂを同時に形成する。次に保護
膜８となるＳｉＮｘを堆積させた後、感光性樹脂９を塗
布する。続けて感光性樹脂９を円状開口パターンが不規
則に配列されたマスクを用いて露光および現像した後に
熱処理をおこない、複数の凹凸を形成する。そして、複
数の凹凸に沿うように感光性樹脂１０を塗布し、所望の
拡散反射特性が得られるように凹凸を滑らかにする。そ
の上に金属膜から成る反射画素電極１１を形成する。こ
のとき反射画素電極１１と同材料の金属膜１１ａによっ
てチャネル部およびその近傍を覆うとにより、チャネル
部を遮光する構成とする。以上の製造工程により、ＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１が完成する。
板Ｔ１の製造工程について説明する。まず、１枚の透明
ガラス基板１ａ上に、タンタルやクロム等からなるゲー
ト電極／ゲート配線２を形成する。次に、通常二層から
なるゲート絶縁膜３と４をスパッタリングおよび、気相
成長法を用いて堆積させる。次に、印加される電圧によ
ってその抵抗値が変化しＴＦＴをスイッチとして機能さ
せる半導体膜（アモルファスシリコン膜）５を形成す
る。次に、後述するソース、および、ドレイン電極と半
導体膜５をオーミックコンタクトさせるための、ｎ＋ａ
−Ｓｉ層6を形成する。そして、チタンや、タンタル
や、モリブデン等の金属からなるソース電極／ソース配
線７ａとドレイン電極７ｂを同時に形成する。次に保護
膜８となるＳｉＮｘを堆積させた後、感光性樹脂９を塗
布する。続けて感光性樹脂９を円状開口パターンが不規
則に配列されたマスクを用いて露光および現像した後に
熱処理をおこない、複数の凹凸を形成する。そして、複
数の凹凸に沿うように感光性樹脂１０を塗布し、所望の
拡散反射特性が得られるように凹凸を滑らかにする。そ
の上に金属膜から成る反射画素電極１１を形成する。こ
のとき反射画素電極１１と同材料の金属膜１１ａによっ
てチャネル部およびその近傍を覆うとにより、チャネル
部を遮光する構成とする。以上の製造工程により、ＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１が完成する。
【０００５】次に、カラーフィルタ基板Ｆ１の製造につ
いて説明する。まず、もう一枚の透明ガラス基板１ｂ
に、クロム等からなるブラックマトリクス１２を形成し
た後、赤、緑または青のカラーフィルタ１３を形成す
る。さらに、その上に対向画素電極１４を形成すること
によって、カラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
いて説明する。まず、もう一枚の透明ガラス基板１ｂ
に、クロム等からなるブラックマトリクス１２を形成し
た後、赤、緑または青のカラーフィルタ１３を形成す
る。さらに、その上に対向画素電極１４を形成すること
によって、カラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
【０００６】続いて、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１およびカラ
ーフィルタ基板Ｆ１から、反射型液晶表示装置を製造す
る工程について説明する。まず、十分に洗浄した前述の
ＴＦＴアレイ基板Ｔ１にポリイミド配向膜（図示せず）
を印刷法によって塗布し、焼成させる。そして、ローラ
ーに巻き付いた布によってラビングし、一方向にポリイ
ミド分子を配向させる。次にカラーフィルタ基板Ｆ１に
も同様に配向膜（図示せず）を形成し、ラビングを行
う。
ーフィルタ基板Ｆ１から、反射型液晶表示装置を製造す
る工程について説明する。まず、十分に洗浄した前述の
ＴＦＴアレイ基板Ｔ１にポリイミド配向膜（図示せず）
を印刷法によって塗布し、焼成させる。そして、ローラ
ーに巻き付いた布によってラビングし、一方向にポリイ
ミド分子を配向させる。次にカラーフィルタ基板Ｆ１に
も同様に配向膜（図示せず）を形成し、ラビングを行
う。
【０００７】配向処理の後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１にシ
ール剤（図示せず）を塗布し、一定の直径を有するスペ
ーサー（図示せず）を散布する。これはＴＦＴアレイ基
板Ｔ１とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせる際に一
定のギャップを保たせるためである。シール剤を予備硬
化し、スペーサーを散布した後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１
とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせ、シール剤を完
全に硬化させる。そして、真空状態で基板間に液晶１５
を注入し、封止剤で基板間を封じ、透明ガラス基板１
ａ、１ｂの前後に偏光板（図示せず）を配置することに
よって反射型液晶表示装置が完成する。
ール剤（図示せず）を塗布し、一定の直径を有するスペ
ーサー（図示せず）を散布する。これはＴＦＴアレイ基
板Ｔ１とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせる際に一
定のギャップを保たせるためである。シール剤を予備硬
化し、スペーサーを散布した後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１
とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせ、シール剤を完
全に硬化させる。そして、真空状態で基板間に液晶１５
を注入し、封止剤で基板間を封じ、透明ガラス基板１
ａ、１ｂの前後に偏光板（図示せず）を配置することに
よって反射型液晶表示装置が完成する。
【０００８】なお、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の製造過程に
おいて、フォトリソグラフィやドライエッチング前のゴ
ミによって隣接する画素間やソースとドレイン間でショ
ートする場合がある。このとき画素に正常の電位がかか
らなくなり、点欠陥となる。また、この点欠陥は、液晶
表示装置を完成させた後の検査工程でその位置が明らか
になる。前者の対策としては、画素間のショート箇所を
液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板側からレーザーによっ
てカットする。後者の対策としては、同様な条件でショ
ートが発生したトランジスタのゲートとドレインの交叉
部を、液晶表示装置の裏面からレーザー照射することに
よって、画素部の電位をゲートと同電位として画素に常
に電圧がかかる状態とし、黒点化するという方法がとら
れている。
おいて、フォトリソグラフィやドライエッチング前のゴ
ミによって隣接する画素間やソースとドレイン間でショ
ートする場合がある。このとき画素に正常の電位がかか
らなくなり、点欠陥となる。また、この点欠陥は、液晶
表示装置を完成させた後の検査工程でその位置が明らか
になる。前者の対策としては、画素間のショート箇所を
液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板側からレーザーによっ
てカットする。後者の対策としては、同様な条件でショ
ートが発生したトランジスタのゲートとドレインの交叉
部を、液晶表示装置の裏面からレーザー照射することに
よって、画素部の電位をゲートと同電位として画素に常
に電圧がかかる状態とし、黒点化するという方法がとら
れている。
【０００９】以降の説明において、トランジスタのゲー
トとドレインの交叉部をレーザー照射することによって
画素部の電位をゲートと同電位とし、黒点化することを
黒点化処理と称する。
トとドレインの交叉部をレーザー照射することによって
画素部の電位をゲートと同電位とし、黒点化することを
黒点化処理と称する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】反射型液晶表示装置の
表示の明るさを向上させるためには、反射画素電極１１
はその表面積が大きいほど好ましい。図４に示すよう
に、ソース配線７ａはゲート絶縁膜４上に、反射画素電
極１１は非常に厚い感光性樹脂膜９上にそれぞれ形成さ
れており、ソース配線７ａと画素間にはショートが発生
しないため、ソース配線７ａと反射画素電極１１間に、
面方向に間隔をもたせる必要がなく重ねることができ
る。
表示の明るさを向上させるためには、反射画素電極１１
はその表面積が大きいほど好ましい。図４に示すよう
に、ソース配線７ａはゲート絶縁膜４上に、反射画素電
極１１は非常に厚い感光性樹脂膜９上にそれぞれ形成さ
れており、ソース配線７ａと画素間にはショートが発生
しないため、ソース配線７ａと反射画素電極１１間に、
面方向に間隔をもたせる必要がなく重ねることができ
る。
【００１１】しかしこの場合、隣接する反射画素電極間
でショートが発生したときに、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の
裏面からみてショート箇所を特定できないという課題が
生じる。
でショートが発生したときに、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の
裏面からみてショート箇所を特定できないという課題が
生じる。
【００１２】また、図５に示すように、チャネル部およ
びその近傍を反射画素電極と同材料の金属膜１１ａによ
って遮光すると、トランジスタのゲート電極２とドレイ
ン電極７ｂの交叉部も金属膜１１ａで覆われるため、ゲ
ート電極２とドレイン電極７ｂの交叉部にレーザー照射
したときに、その上のドレイン電極７ｂと金属膜１１
ａ、更にその上のカラーフィルタ基板Ｆ１側のＩＴＯパ
ターンがショートしてしまう。その結果、当該画素がカ
ラーフィルタ基板Ｆ１側のＩＴＯと同電位となり、液晶
に電圧がかからなくなり輝点となってしまう。よって、
黒点化処理できないという不具合が生じる。
びその近傍を反射画素電極と同材料の金属膜１１ａによ
って遮光すると、トランジスタのゲート電極２とドレイ
ン電極７ｂの交叉部も金属膜１１ａで覆われるため、ゲ
ート電極２とドレイン電極７ｂの交叉部にレーザー照射
したときに、その上のドレイン電極７ｂと金属膜１１
ａ、更にその上のカラーフィルタ基板Ｆ１側のＩＴＯパ
ターンがショートしてしまう。その結果、当該画素がカ
ラーフィルタ基板Ｆ１側のＩＴＯと同電位となり、液晶
に電圧がかからなくなり輝点となってしまう。よって、
黒点化処理できないという不具合が生じる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、液晶層を挟持する２枚の基板の一方の
一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群
と、ソース配線群と、複数の薄膜トランジスタのドレイ
ン電極に各々接続された複数の反射画素電極とを有する
反射型液晶表示装置を改良するものである。すなわち、
本発明の反射型液晶表示装置は、反射画素電極を、隣接
する２本のソース線に対して、一方のソース線とは重な
りをもち、他方のソース線とは間隙を有するように配置
したこと特徴とする。
めに、本発明は、液晶層を挟持する２枚の基板の一方の
一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群
と、ソース配線群と、複数の薄膜トランジスタのドレイ
ン電極に各々接続された複数の反射画素電極とを有する
反射型液晶表示装置を改良するものである。すなわち、
本発明の反射型液晶表示装置は、反射画素電極を、隣接
する２本のソース線に対して、一方のソース線とは重な
りをもち、他方のソース線とは間隙を有するように配置
したこと特徴とする。
【００１４】この構成によれば、画素間のショートが発
生した場合に、ＴＦＴアレイ基板の裏面側からショート
箇所を特定でき、レーザー処理することができるととも
にソース線の片側を画素と交叉させることによって反射
画素電極の表面積を大きくでき、高反射の明るい反射型
液晶表示装置を実現できる。
生した場合に、ＴＦＴアレイ基板の裏面側からショート
箇所を特定でき、レーザー処理することができるととも
にソース線の片側を画素と交叉させることによって反射
画素電極の表面積を大きくでき、高反射の明るい反射型
液晶表示装置を実現できる。
【００１５】また、本発明の反射型液晶表示装置は、上
記と同様の基本構成を有し、薄膜トランジスタのチャネ
ル部およびその近傍が反射画素電極と同材料の金属膜に
よって遮光され、ゲート配線とドレイン電極の交叉部分
では金属膜を開口させた構成である。ゲートとドレイン
の交叉部を開口させておくことにより、黒点化処理が可
能となる。
記と同様の基本構成を有し、薄膜トランジスタのチャネ
ル部およびその近傍が反射画素電極と同材料の金属膜に
よって遮光され、ゲート配線とドレイン電極の交叉部分
では金属膜を開口させた構成である。ゲートとドレイン
の交叉部を開口させておくことにより、黒点化処理が可
能となる。
【００１６】上記構成において、チャネル部近傍のゲー
ト配線とドレイン電極の交叉部分の金属膜開口の幅を、
１μｍ以上とすることが望ましい。１μｍ以上開口させ
ることによって、ゲートとドレインをレーザー照射によ
ってショートさせても、ドレインと遮光パターン、さら
には遮光パターンとＩＴＯパターンとをショートさせず
に、正常に黒点化処理ができる。
ト配線とドレイン電極の交叉部分の金属膜開口の幅を、
１μｍ以上とすることが望ましい。１μｍ以上開口させ
ることによって、ゲートとドレインをレーザー照射によ
ってショートさせても、ドレインと遮光パターン、さら
には遮光パターンとＩＴＯパターンとをショートさせず
に、正常に黒点化処理ができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明の実施
の形態である反射型液晶表示装置の画素構成を示す。図
１はその平面図、図２（ａ）および（ｂ）は要部の拡大
断面図である。図２（ｃ）は、チャネルおよびその近傍
の拡大図である。図３から図５に示した従来例と同様の
構成要素については、同一の参照符号を付した。図１お
よび図２に示された構成について、製造工程に従って説
明する。
の形態である反射型液晶表示装置の画素構成を示す。図
１はその平面図、図２（ａ）および（ｂ）は要部の拡大
断面図である。図２（ｃ）は、チャネルおよびその近傍
の拡大図である。図３から図５に示した従来例と同様の
構成要素については、同一の参照符号を付した。図１お
よび図２に示された構成について、製造工程に従って説
明する。
【００１８】従来例と同様に、まず透明のガラス基板１
ａ上に、タンタルやクロム等からなるゲート電極／ゲー
ト配線２を形成する。次に、二層からなるゲート絶縁膜
３及び４、半導体膜５、オーミック層（ｎ＋ａ−Ｓｉ）
６を順次形成する。その上にソース電極／ソース配線７
ａと、ドレイン電極７ｂを形成する。次に保護膜８とな
るＳｉＮｘを堆積させた後、感光性樹脂９を塗布する。
続けて感光性樹脂９を円状開口パターンが不規則に配列
されたマスクを用いて露光および現像した後に熱処理を
おこない、複数の凹凸（図示せず）を形成する。そし
て、複数の凹凸に沿うように感光性樹脂１０を塗布し、
その上に金属膜から成る反射画素電極２１を形成する。
ａ上に、タンタルやクロム等からなるゲート電極／ゲー
ト配線２を形成する。次に、二層からなるゲート絶縁膜
３及び４、半導体膜５、オーミック層（ｎ＋ａ−Ｓｉ）
６を順次形成する。その上にソース電極／ソース配線７
ａと、ドレイン電極７ｂを形成する。次に保護膜８とな
るＳｉＮｘを堆積させた後、感光性樹脂９を塗布する。
続けて感光性樹脂９を円状開口パターンが不規則に配列
されたマスクを用いて露光および現像した後に熱処理を
おこない、複数の凹凸（図示せず）を形成する。そし
て、複数の凹凸に沿うように感光性樹脂１０を塗布し、
その上に金属膜から成る反射画素電極２１を形成する。
【００１９】ここで、反射画素電極２１を形成する際
に、隣接する２本のソース配線７ａに対して、一方のソ
ース配線７ａとは重なりをもたせ、他方のソース配線７
ａとは間隔をもたせるようにして配置する。また反射画
素電極２１を形成すると同時に、同じ材料からなる金属
膜２１ａで、チャネル部およびその近傍を覆うようにパ
タニングする。このとき、ゲート電極２とドレイン電極
７ｂの交叉部上は、金属膜２１ａを開口させておく。そ
の開口部分の拡大図が図２（ｃ）に示される。図２
（ｃ）における開口部分の幅Ｌは、Ｌ≧１μｍとするこ
とが望ましい。
に、隣接する２本のソース配線７ａに対して、一方のソ
ース配線７ａとは重なりをもたせ、他方のソース配線７
ａとは間隔をもたせるようにして配置する。また反射画
素電極２１を形成すると同時に、同じ材料からなる金属
膜２１ａで、チャネル部およびその近傍を覆うようにパ
タニングする。このとき、ゲート電極２とドレイン電極
７ｂの交叉部上は、金属膜２１ａを開口させておく。そ
の開口部分の拡大図が図２（ｃ）に示される。図２
（ｃ）における開口部分の幅Ｌは、Ｌ≧１μｍとするこ
とが望ましい。
【００２０】以上の構成とすることにより、反射画素電
極２１の表面積を大きくしつつ、隣接する反射画素電極
２１間でショートが発生した場合に、ＴＦＴアレイ基板
Ｔ１の裏面側から、ショート箇所を特定することがで
き、ショート箇所をレーザーカットすることができる。
また、チャネル部近傍のゲートとドレインの交叉部で金
属膜２１ａを開口させることによってＴＦＴアレイ基板
の裏面からの黒点化処理が可能となる。
極２１の表面積を大きくしつつ、隣接する反射画素電極
２１間でショートが発生した場合に、ＴＦＴアレイ基板
Ｔ１の裏面側から、ショート箇所を特定することがで
き、ショート箇所をレーザーカットすることができる。
また、チャネル部近傍のゲートとドレインの交叉部で金
属膜２１ａを開口させることによってＴＦＴアレイ基板
の裏面からの黒点化処理が可能となる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によると、隣接する反射画素電極
間でショートが発生した場合に、ショート箇所を特定す
ることができるため、レスキューの簡略化、効率化をは
かることができる。また、ソースとドレイン間でのショ
ート発生などによって画素に正常な電位がかからない場
合でもチャネル部近傍のゲートとドレインの交叉部上の
金属膜を開口させた部分から黒点化処理をおこなうこと
ができるため、歩留まりの向上につながる。
間でショートが発生した場合に、ショート箇所を特定す
ることができるため、レスキューの簡略化、効率化をは
かることができる。また、ソースとドレイン間でのショ
ート発生などによって画素に正常な電位がかからない場
合でもチャネル部近傍のゲートとドレインの交叉部上の
金属膜を開口させた部分から黒点化処理をおこなうこと
ができるため、歩留まりの向上につながる。
【図１】本発明の実施の形態における反射型液晶表示装
置の画素構成を示す平面図
置の画素構成を示す平面図
【図２】図１の要部を拡大して示す図であり、（ａ）お
よび（ｂ）は断面図、（ｃ）はチャネルおよびその近傍
の部分拡大平面図
よび（ｂ）は断面図、（ｃ）はチャネルおよびその近傍
の部分拡大平面図
【図３】従来の反射型液晶表示装置における画素構成の
一例を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は要部の拡大
断面図
一例を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は要部の拡大
断面図
【図４】図３の反射型液晶表示装置における要部の拡大
断面図
断面図
【図５】図3の反射型液晶表示装置におけるチャネルお
よびその近傍を示す部分拡大平面図
よびその近傍を示す部分拡大平面図
１ａ、１ｂ 透明ガラス基板 ２ ゲート配線／ゲート電極 ３ 第１のゲート絶縁膜 ４ 第２のゲート絶縁膜 ５ 半導体膜 ６ ｎ＋ａ−Ｓｉ膜 ７ａ ソース配線／ソース電極 ７ｂ ドレイン電極 ８ 保護膜 ９ 感光性樹脂膜 １０ 感光性樹脂膜 １１ 反射画素電極 １１ａ 金属膜 １２ ブラックマトリックス １３ カラーフィルタ １４ 対向画素電極 １５ 液晶 ２１ 反射画素電極 ２１ａ 金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 貴司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩井 義夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA16Y FA35Y FB08 FD04 FD23 GA13 LA11 LA13 LA18 2H092 HA05 JA26 JA29 JA36 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB63 JB68 KA05 KA07 KA16 KA18 MA05 MA12 MA27 MA35 MA37 NA01 NA15 NA25 PA09 PA12
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶層を挟持する２枚の基板の一方の一
主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群
と、ソース配線群と、前記複数の薄膜トランジスタのド
レイン電極に各々接続された複数の反射画素電極とを有
する反射型液晶表示装置において、前記反射画素電極
を、隣接する２本のソース線に対して、一方のソース線
とは重なりをもち、他方のソース線とは間隙を有するよ
うに配置したことを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶層を挟持する２枚の基板の一方の一
主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群
と、ソース配線群と、前記複数の薄膜トランジスタのド
レイン電極に各々接続された複数の反射画素電極とを有
する反射型液晶表示装置において、前記薄膜トランジス
タのチャネル部およびその近傍が反射画素電極と同材料
の金属膜によって遮光され、前記ゲート配線と前記ドレ
イン電極の交叉部分では前記金属膜を開口させたことを
特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 チャネル部近傍のゲート配線とドレイン
電極の交叉部分の金属膜開口の幅を１μｍ以上としたこ
とを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000026450A patent/JP2001215529A/ja active Pending
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