JP2003084301A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JP2003084301A JP2003084301A JP2001278766A JP2001278766A JP2003084301A JP 2003084301 A JP2003084301 A JP 2003084301A JP 2001278766 A JP2001278766 A JP 2001278766A JP 2001278766 A JP2001278766 A JP 2001278766A JP 2003084301 A JP2003084301 A JP 2003084301A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】画素間のショート発生時にショート箇所をＴＦ
Ｔアレイ基板裏面から特定でき、かつ輝度差によるムラ
の少ない高品質で高反射の明るい反射型液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】液晶層を狭持する２枚の基板1aの一方の一
主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群2
と、ソース配線群7aと、前記複数の薄膜トランジスタの
ドレイン電極7bに各々接続された複数の反射画素電極21
とを有する。反射画素電極は21、隣接する２本のソース
線7a,7a'に対して、一方のソース線7a'とは重なり部22
をもち、他方のソース線7aとは間隙部23を有するように
形成し、反射画素電極21の上半分と下半分とで重なりを
もつソース線が左右逆である構成とする。
Ｔアレイ基板裏面から特定でき、かつ輝度差によるムラ
の少ない高品質で高反射の明るい反射型液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】液晶層を狭持する２枚の基板1aの一方の一
主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線群2
と、ソース配線群7aと、前記複数の薄膜トランジスタの
ドレイン電極7bに各々接続された複数の反射画素電極21
とを有する。反射画素電極は21、隣接する２本のソース
線7a,7a'に対して、一方のソース線7a'とは重なり部22
をもち、他方のソース線7aとは間隙部23を有するように
形成し、反射画素電極21の上半分と下半分とで重なりを
もつソース線が左右逆である構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の薄膜トラン
ジスタが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ
基板を用いて液晶を駆動する反射型液晶表示装置に関す
る。
ジスタが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ
基板を用いて液晶を駆動する反射型液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、画像表示装置として、一主面
上に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板を用いて、カラーフィルタ基板との間に
介在する液晶を駆動し、その液晶により画像を表示する
透過型の液晶表示装置が広く利用されている。また、屋
外、屋内で使用できる対環境型であり、かつ低消費電力
で表示動作を行う高画質で薄型・軽量の反射型液晶表示
装置が提案され、開発されてきている。
上に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板を用いて、カラーフィルタ基板との間に
介在する液晶を駆動し、その液晶により画像を表示する
透過型の液晶表示装置が広く利用されている。また、屋
外、屋内で使用できる対環境型であり、かつ低消費電力
で表示動作を行う高画質で薄型・軽量の反射型液晶表示
装置が提案され、開発されてきている。
【０００３】以下、一例として従来の反射型液晶表示装
置について、図４〜図６を参照して説明する。図４は、
従来の反射型液晶表示装置の画素構成を示す平面図、図
５は図４のIII−III線断面図、図６は図４のIV−IV線断
面図である。この反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基
板Ｔ１の製造工程について図５を用いて説明する。ま
ず、１枚の透明ガラス基板1a上に、タンタルやクロム等
からなるゲート電極／ゲート配線2を形成する。次に、
通常二層からなるゲート絶縁膜3と4をスパッタリングお
よび気相成長法を用いて堆積させる。次に、印加される
電圧によってその抵抗値が変化しＴＦＴをスイッチとし
て機能させる半導体膜（アモルファスシリコン膜）5を
形成する。次に、後述するソース、および、ドレイン電
極と半導体膜5をオーミックコンタクトさせるための、
ｎ+ａ-Ｓｉ層6を形成する。そして、チタンや、タンタ
ルや、モリブデン等の金属からなるソース電極／ソース
配線7aとドレイン電極7bを同時に形成する。次に保護膜
8となるSiNxを堆積させた後、感光性樹脂9を塗布する。
続けて感光性樹脂9を円状開口パターンが不規則に配列
されたマスクを用いて露光および現像した後に熱処理を
おこない、複数の凹凸を形成する。そして、複数の凹凸
に沿うように感光性樹脂10を塗布し、所望の拡散反射特
性が得られるように凹凸を滑らかにする。その上に金属
膜から成る反射電極11を形成する。以上の製造工程によ
り、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１が完成する。
置について、図４〜図６を参照して説明する。図４は、
従来の反射型液晶表示装置の画素構成を示す平面図、図
５は図４のIII−III線断面図、図６は図４のIV−IV線断
面図である。この反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基
板Ｔ１の製造工程について図５を用いて説明する。ま
ず、１枚の透明ガラス基板1a上に、タンタルやクロム等
からなるゲート電極／ゲート配線2を形成する。次に、
通常二層からなるゲート絶縁膜3と4をスパッタリングお
よび気相成長法を用いて堆積させる。次に、印加される
電圧によってその抵抗値が変化しＴＦＴをスイッチとし
て機能させる半導体膜（アモルファスシリコン膜）5を
形成する。次に、後述するソース、および、ドレイン電
極と半導体膜5をオーミックコンタクトさせるための、
ｎ+ａ-Ｓｉ層6を形成する。そして、チタンや、タンタ
ルや、モリブデン等の金属からなるソース電極／ソース
配線7aとドレイン電極7bを同時に形成する。次に保護膜
8となるSiNxを堆積させた後、感光性樹脂9を塗布する。
続けて感光性樹脂9を円状開口パターンが不規則に配列
されたマスクを用いて露光および現像した後に熱処理を
おこない、複数の凹凸を形成する。そして、複数の凹凸
に沿うように感光性樹脂10を塗布し、所望の拡散反射特
性が得られるように凹凸を滑らかにする。その上に金属
膜から成る反射電極11を形成する。以上の製造工程によ
り、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１が完成する。
【０００４】次にカラーフィルタ基板Ｆ１の製造につい
て図５を用いて説明する。まず、もう一枚の透明ガラス
基板1bに、クロム等からなるブラックマトリクス12を形
成した後、赤、緑または青のカラーフィルタ13を形成す
る。さらに、その上に対向画素電極14を形成することに
よって、カラーフィルタ基板（Ｆ１）が完成する。
て図５を用いて説明する。まず、もう一枚の透明ガラス
基板1bに、クロム等からなるブラックマトリクス12を形
成した後、赤、緑または青のカラーフィルタ13を形成す
る。さらに、その上に対向画素電極14を形成することに
よって、カラーフィルタ基板（Ｆ１）が完成する。
【０００５】続いて、ＴＦＴアレイ基板（Ｔ１）および
カラーフィルタ基板Ｆ１から、反射型液晶表示装置を製
造する工程について説明する。まず、十分に洗浄した前
記のＴＦＴアレイ基板Ｔ１にポリイミド配向膜（図示せ
ず）を印刷法によって塗布し、焼成させる。そして、ロ
ーラーに巻き付いた布によってラビングし、一方向にポ
リイミド分子を配向させる。次にカラーフィルタ基板Ｆ
１も同様に配向膜（図示せず）を形成し、ラビングを行
う。配向処理の後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１にシール剤
（図示せず）を塗布し、一定の直径を有するスペーサー
（図示せず）を散布する。これはＴＦＴアレイ基板Ｔ１
とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせる際に一定のギ
ャップを保たせるためである。シール剤を予備硬化し、
スペーサーを散布した後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１とカラ
ーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせ、シール剤を完全に硬
化させる。そして、真空状態で基板間に液晶15を注入
し、封止剤で基板間を封じ、透明ガラス基板1a、1bの前
後に偏光板（図示せず）を配置することによって反射型
液晶表示装置が完成する（図５）。
カラーフィルタ基板Ｆ１から、反射型液晶表示装置を製
造する工程について説明する。まず、十分に洗浄した前
記のＴＦＴアレイ基板Ｔ１にポリイミド配向膜（図示せ
ず）を印刷法によって塗布し、焼成させる。そして、ロ
ーラーに巻き付いた布によってラビングし、一方向にポ
リイミド分子を配向させる。次にカラーフィルタ基板Ｆ
１も同様に配向膜（図示せず）を形成し、ラビングを行
う。配向処理の後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１にシール剤
（図示せず）を塗布し、一定の直径を有するスペーサー
（図示せず）を散布する。これはＴＦＴアレイ基板Ｔ１
とカラーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせる際に一定のギ
ャップを保たせるためである。シール剤を予備硬化し、
スペーサーを散布した後、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１とカラ
ーフィルタ基板Ｆ１を貼り合わせ、シール剤を完全に硬
化させる。そして、真空状態で基板間に液晶15を注入
し、封止剤で基板間を封じ、透明ガラス基板1a、1bの前
後に偏光板（図示せず）を配置することによって反射型
液晶表示装置が完成する（図５）。
【０００６】なお、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の製造過程に
おいてフォトリソグラフィやドライエッチング前のゴミ
によって隣接する画素間でショートする場合がある。こ
のとき画素に正常の電位がかからなくなり、点欠陥とな
る。また、この点欠陥は、液晶表示装置を完成させた後
の検査工程でその位置が明らかになる。対策として画素
間のショート箇所を液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板側
からレーザーによってカットするという方法がとられて
いる。
おいてフォトリソグラフィやドライエッチング前のゴミ
によって隣接する画素間でショートする場合がある。こ
のとき画素に正常の電位がかからなくなり、点欠陥とな
る。また、この点欠陥は、液晶表示装置を完成させた後
の検査工程でその位置が明らかになる。対策として画素
間のショート箇所を液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板側
からレーザーによってカットするという方法がとられて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】反射型液晶表示装置の
表示の明るさを向上させるためには、反射電極11はその
表面積が大きいほど好ましい。図６に示すように、ソー
ス配線7aはゲート絶縁膜4上に、反射電極11は非常に厚
い感光性樹脂膜9上にそれぞれ形成されており、ソース
配線と画素間のショートが発生しないため、ソース配線
と反射電極間に間隔をもたす必要がなく重ねることがで
きる。
表示の明るさを向上させるためには、反射電極11はその
表面積が大きいほど好ましい。図６に示すように、ソー
ス配線7aはゲート絶縁膜4上に、反射電極11は非常に厚
い感光性樹脂膜9上にそれぞれ形成されており、ソース
配線と画素間のショートが発生しないため、ソース配線
と反射電極間に間隔をもたす必要がなく重ねることがで
きる。
【０００８】この場合、隣接する反射画素電極間でショ
ートが発生したときにＴＦＴアレイ基板Ｔ１裏面からみ
てショート箇所を特定できないという課題が生じる。そ
こで、反射型画素電極を、隣接する２本のソース線に対
して、一方のソース線とは重なりをもち、他方のソース
線とは間隙を有するように配置することによって、ＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１の裏面側からショート箇所を特定で
き、レーザー処理することができる。
ートが発生したときにＴＦＴアレイ基板Ｔ１裏面からみ
てショート箇所を特定できないという課題が生じる。そ
こで、反射型画素電極を、隣接する２本のソース線に対
して、一方のソース線とは重なりをもち、他方のソース
線とは間隙を有するように配置することによって、ＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１の裏面側からショート箇所を特定で
き、レーザー処理することができる。
【０００９】しかしこの場合、反射画素電極がソース線
と重なりをもつ場合は、ソース線との間で形成する寄生
容量が大きくなり、逆にソース線と間隙を有する場合は
寄生容量が小さくなる。このように、反射画素電極が隣
接する２本のソース線と形成する寄生容量が左右で非対
称となると、駆動方式によっては隣接する画素間で輝度
差が生じ、表示品位を落とすことになる。
と重なりをもつ場合は、ソース線との間で形成する寄生
容量が大きくなり、逆にソース線と間隙を有する場合は
寄生容量が小さくなる。このように、反射画素電極が隣
接する２本のソース線と形成する寄生容量が左右で非対
称となると、駆動方式によっては隣接する画素間で輝度
差が生じ、表示品位を落とすことになる。
【００１０】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、画素間のショートが発生した場合に、ＴＦＴアレイ
基板の裏面側からショート箇所を特定でき、レーザー処
理することができるとともにソース線の片側を画素と交
叉させることによって反射画素電極の表面積を大きくで
き、高反射の明るい反射型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
め、画素間のショートが発生した場合に、ＴＦＴアレイ
基板の裏面側からショート箇所を特定でき、レーザー処
理することができるとともにソース線の片側を画素と交
叉させることによって反射画素電極の表面積を大きくで
き、高反射の明るい反射型液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の反射型液晶表示装置は、液晶層を狭持する
２枚の基板のうち一方の一主面上に、複数の薄膜トラン
ジスタと、ゲート配線群と、ソース配線群と、前記複数
の薄膜トランジスタのドレイン電極に各々接続された複
数の反射画素電極とを有する反射型液晶表示装置におい
て、前記反射画素電極を、隣接する２本のソース線に対
して、一方のソース線とは重なりを持ち、他方のソース
線とは間隙を有するように形成し、前記反射画素電極の
上半分と下半分とで重なりをもつソース線が左右逆であ
ることを特徴とする。
め、本発明の反射型液晶表示装置は、液晶層を狭持する
２枚の基板のうち一方の一主面上に、複数の薄膜トラン
ジスタと、ゲート配線群と、ソース配線群と、前記複数
の薄膜トランジスタのドレイン電極に各々接続された複
数の反射画素電極とを有する反射型液晶表示装置におい
て、前記反射画素電極を、隣接する２本のソース線に対
して、一方のソース線とは重なりを持ち、他方のソース
線とは間隙を有するように形成し、前記反射画素電極の
上半分と下半分とで重なりをもつソース線が左右逆であ
ることを特徴とする。
【００１２】この構成によれば、画素間のショートが発
生した場合に、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の裏面側からショ
ート箇所を特定でき、レーザー処理することができると
ともにソース線の片側を画素と交叉させることによって
反射画素電極の表面積を大きくでき、高反射の明るい反
射型液晶表示装置を実現できる。さらに、反射画素電極
の上半分と下半分とで重なりをもつソース線を左右逆に
することによって反射画素電極が隣接する２本のソース
線と形成する寄生容量が左右で等しくなり、画素間の輝
度ムラが生じにくい構成となる。
生した場合に、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の裏面側からショ
ート箇所を特定でき、レーザー処理することができると
ともにソース線の片側を画素と交叉させることによって
反射画素電極の表面積を大きくでき、高反射の明るい反
射型液晶表示装置を実現できる。さらに、反射画素電極
の上半分と下半分とで重なりをもつソース線を左右逆に
することによって反射画素電極が隣接する２本のソース
線と形成する寄生容量が左右で等しくなり、画素間の輝
度ムラが生じにくい構成となる。
【００１３】前記において、反射画素電極と一方のソー
ス線との重なり部、及び反射画素電極と他方のソース線
との間隙部の幅は、それぞれ０．５μｍ〜３．０μｍの
範囲が好ましい。
ス線との重なり部、及び反射画素電極と他方のソース線
との間隙部の幅は、それぞれ０．５μｍ〜３．０μｍの
範囲が好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】図1〜図３は、本発明の実施の形
態である反射型液晶表示装置の画素構成を示す。図1は
その平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線断面図、図３は図１
のII−II線断面図である。図４〜６に示した従来例と同
様の構成要素については、同一の参照符号を付した。図
1〜３に示された構成について、製造工程に従って説明
する。
態である反射型液晶表示装置の画素構成を示す。図1は
その平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線断面図、図３は図１
のII−II線断面図である。図４〜６に示した従来例と同
様の構成要素については、同一の参照符号を付した。図
1〜３に示された構成について、製造工程に従って説明
する。
【００１５】従来の技術と同様に、まず透明のガラス基
板1a上にタンタルやクロム等からなるゲート電極／ゲー
ト配線2を形成した。次に、二層からなるゲート絶縁膜3
及び4、半導体膜5、オーミック層(ｎ+ａ−Ｓｉ)6を順次
形成した。そして、その上にソース電極／ソース配線7
a、ドレイン電極7bを形成した。次に保護膜8となるSiNx
を堆積させた後、感光性樹脂 9を塗布した。続けて感光
性樹脂を円状開口パターンが不規則に配列されたマスク
を用いて露光および現像した後に熱処理をおこない、複
数の凹凸を形成した。そして、複数の凹凸に沿うように
感光性樹脂10を塗布し、その上に金属膜から成る反射電
極21を形成した。
板1a上にタンタルやクロム等からなるゲート電極／ゲー
ト配線2を形成した。次に、二層からなるゲート絶縁膜3
及び4、半導体膜5、オーミック層(ｎ+ａ−Ｓｉ)6を順次
形成した。そして、その上にソース電極／ソース配線7
a、ドレイン電極7bを形成した。次に保護膜8となるSiNx
を堆積させた後、感光性樹脂 9を塗布した。続けて感光
性樹脂を円状開口パターンが不規則に配列されたマスク
を用いて露光および現像した後に熱処理をおこない、複
数の凹凸を形成した。そして、複数の凹凸に沿うように
感光性樹脂10を塗布し、その上に金属膜から成る反射電
極21を形成した。
【００１６】ここで図１に示すように、反射画素電極21
を形成する際に、隣接する２本のソース配線7a,7a'に対
して、一方のソース配線7a'とは重なり部22をもたせ、
他方のソース配線7aとは間隔部23をもたせるようにして
形成した。前記において、反射画素電極と一方のソース
線との重なり部22、及び反射画素電極と他方のソース線
との間隙部23の幅は、それぞれ２．０μｍとした。
を形成する際に、隣接する２本のソース配線7a,7a'に対
して、一方のソース配線7a'とは重なり部22をもたせ、
他方のソース配線7aとは間隔部23をもたせるようにして
形成した。前記において、反射画素電極と一方のソース
線との重なり部22、及び反射画素電極と他方のソース線
との間隙部23の幅は、それぞれ２．０μｍとした。
【００１７】また図１に示すように、反射画素電極21を
上半分と下半分とで重なり部22をもつソース線が左右逆
になるような構成にした。
上半分と下半分とで重なり部22をもつソース線が左右逆
になるような構成にした。
【００１８】以上により、反射画素電極の表面積を大き
くしつつ、隣接する反射画素電極間でショートが発生し
た場合に、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の裏面側から、ショー
ト箇所を特定することができ、ショート箇所をレーザー
カットすることができた。また、反射画素電極の上半分
と下半分とで重なりをもつソース線を左右逆にすること
によって反射画素電極が隣接する２本のソース線と形成
する寄生容量が左右で等しくなり、画素間の輝度差によ
るムラが生じにくい構成となった。
くしつつ、隣接する反射画素電極間でショートが発生し
た場合に、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の裏面側から、ショー
ト箇所を特定することができ、ショート箇所をレーザー
カットすることができた。また、反射画素電極の上半分
と下半分とで重なりをもつソース線を左右逆にすること
によって反射画素電極が隣接する２本のソース線と形成
する寄生容量が左右で等しくなり、画素間の輝度差によ
るムラが生じにくい構成となった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によると、隣接する反射画素電極
間でショートが発生した場合に、ショート箇所を特定す
ることができるため、レスキューの簡略化、効率化をは
かることができる。また、反射画素電極が隣接する２本
のソース線と形成する寄生容量が左右で等しくなり、画
素間の輝度差によるムラが生じにくい構成となるため、
表示品位を保つことができる。
間でショートが発生した場合に、ショート箇所を特定す
ることができるため、レスキューの簡略化、効率化をは
かることができる。また、反射画素電極が隣接する２本
のソース線と形成する寄生容量が左右で等しくなり、画
素間の輝度差によるムラが生じにくい構成となるため、
表示品位を保つことができる。
【図1】本発明の一実施の形態における反射型液晶表示
装置の画素構成の平面図
装置の画素構成の平面図
【図２】同、図１のＩ−Ｉ線断面図
【図３】同、図１のII−II線断面図
【図４】従来の反射型液晶表示装置における画素構成の
一例の平面図
一例の平面図
【図５】同、図４のIII−III線断面図
【図６】同、図４のIV−IV線断面図
1a,1b 透明ガラス基板
2 ゲート配線／ゲート電極
3 第１のゲート絶縁膜
4 第２のゲート絶縁膜
5 半導体膜（アモルファスシリコン）
6 ｎ+ａ−Ｓｉ膜
7a,7a',7a" ソース配線／ソース電極
7b ドレイン電極
8 保護膜
9,10 感光性樹脂膜
11,21 反射画素電極
12 ブラックマトリックス
13 カラーフィルタ
14 対向画素電極
15 液晶
22 反射画素電極と一方のソース線との重なり部
23 反射画素電極と他方のソース線との間隙部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35
Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ａ
(72)発明者 廣瀬 貴司
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FD04 GA02 GA07
GA13 LA18
2H092 GA13 GA17 JA26 JA46 JA47
JB05 JB08 JB56 JB77 KB25
MA13 MA48 NA01 NA25 PA12
5C094 AA03 AA41 BA03 BA43 CA19
CA24 DA14 DA15 DB04 EA04
EA06 EA07 EB02 ED03 ED11
ED15 FB12 FB14 FB15
5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 EE04
FF09 FF28 FF29 GG02 GG15
HK04 HK09 HK16 HK21 HM20
NN03 NN24 NN27 NN33 NN72
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶層を狭持する２枚の基板のうち一方
の一主面上に、複数の薄膜トランジスタと、ゲート配線
群と、ソース配線群と、前記複数の薄膜トランジスタの
ドレイン電極に各々接続された複数の反射画素電極とを
有する反射型液晶表示装置において、 前記反射画素電極を、隣接する２本のソース線に対し
て、一方のソース線とは重なり部を持ち、他方のソース
線とは間隙部を有するように形成し、前記反射画素電極
の上半分と下半分とで重なりをもつソース線が左右逆で
あることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記重なり部及び間隙部の幅がそれぞれ
０．５μｍ〜３．０μｍの範囲である請求項１に記載の
反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278766A JP2003084301A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278766A JP2003084301A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084301A true JP2003084301A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19103081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278766A Withdrawn JP2003084301A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003084301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100406971C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-07-30 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其具有此种基板的液晶显示面板 |
| CN107976831A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-05-01 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278766A patent/JP2003084301A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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