JP5126545B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 162
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 49
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 161
- 230000008569 process Effects 0.000 description 65
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 31
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ZNPWYAMBOPRTHW-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=CC2=C(C#N)C(C#N)=CC=C21 ZNPWYAMBOPRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
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- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
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Description
1.第1の実施の形態(下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜、および画素分離絶縁膜を形成するための感光性膜を、蒸着マスクを用いて露光する例)
2.第2の実施の形態(接続孔の側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔を含む領域に下部電極を形成した例)
3.変形例
4.第3の実施の形態(下部電極を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する例)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの基板11の上に、後述する複数の有機発光素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が形成されたものである。表示領域110の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が形成されている。
図19は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。この表示装置は、画素分離絶縁膜14が設けられておらず、有機層15が、下部電極13の上面13Cおよび側面13Dの全部を覆って形成されていること、および、駆動トランジスタTr1と下部電極13とが中間電極を介して接続されていることにおいて上記第1の実施の形態と異なるものである。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図29ないし図31は、変形例1に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本変形例は、下部電極材料膜13Aをエッチングするためのフォトレジスト膜41を、蒸着マスク51を用いて露光するようにしたことを除いては、上記第2の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第2の実施の形態と重複する工程については図20ないし図27を参照して説明する。
図32は、変形例2に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。この表示装置は、中間電極18を設けず、駆動トランジスタTr1と下部電極13とを平坦化膜12の接続孔12Aを介して接続したことを除いては第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図33は、変形例3に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層15ABを有機発光素子10R,10G,10Bごとに形成したことを除いては第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層15ABと、赤色発光層15CR,緑色発光層15CGまたは青色発光層15CBとを、蒸着マスク51を用いて形成することを除いては、第2の実施の形態と同様にして製造することができる。
図34は、変形例4に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。この表示装置は、有機層15のすべての層、すなわち、正孔注入層および正孔輸送層15ABと、赤色発光層15CR,緑色発光層15CGまたは青色発光層15CBと、電子輸送層および電子注入層15DEとを、有機発光素子10R,10G,10Bごとに形成したことを除いては第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、有機層15のすべてを蒸着マスク51を用いて形成することを除いては、第2の実施の形態と同様にして製造することができる。なお、本変形例では、有機層15が下部電極13の上面13Cおよび側面13Dを覆うことが必要である。
図35は、変形例5に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。この表示装置は、赤色発光層15CR,緑色発光層15CGまたは青色発光層15CBに代えて白色発光層15CWを形成すると共に、封止用基板20にカラーフィルタ21R,21G,21Bおよびブラックマトリクスとしての遮光膜22を設けたことを除いては第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。なお、カラーフィルタ21R,21G,21Bに代えてCCM(Color Changing Medium)を設けてもよい。
図36は、変形例6に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。本変形例は、中間電極18を下部電極13と同じ領域に設けることによって、中間電極18に反射電極としての機能を付与したものである。これにより、下部電極13を透明電極により構成した場合に、赤色発光層15CR,緑色発光層15CGまたは青色発光層15CBで発生した光を上部電極16側から取り出す(トップエミッション)ことが可能となる。このことを除いては、この表示装置は第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図37は、変形例7に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。本変形例は、駆動トランジスタTr1の配線電極19を下部電極13と同じ領域に設けることによって、この配線電極19に反射電極としての機能を付与し、簡素な構成で変形例6と同様の効果を得られるようにしたものである。このことを除いては、この表示装置は第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図38は、変形例8に係る表示装置の表示領域110の断面構成を表したものである。本変形例は、第2平坦化膜12Cを設けず、中間電極18の上に下部電極13を設けることによって、簡素な構成で短絡を抑えることを可能にするものである。このことを除いては、この表示装置は第2の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図39ないし図44は、本発明の第3の実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本実施の形態は、下部電極13を蒸着マスク51を用いて形成するようにしたものである。このことを除いては、上記第2の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第2の実施の形態と重複する工程については図21ないし図28を参照して説明する。
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図45に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板20および接着層30から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図46は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図47は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図48は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図49は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図50は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
Claims (7)
- 複数の有機発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、
基板に、前記複数の有機発光素子の各々に対応した駆動素子を形成する工程と、
前記駆動素子に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔を有する1層以上の平坦化膜を形成する工程と、
前記複数の有機発光素子の各々に対応した下部電極を、前記接続孔を含む領域に形成する工程と、
前記下部電極の上に、発光層を含む有機層を、蒸着マスクを用いた蒸着法により形成する工程と、
前記有機層の上に上部電極を形成する工程と
を含み、
前記下部電極を形成する工程は、
下部電極材料膜を形成する工程と、
前記下部電極材料膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を前記蒸着マスクを用いて露光したのち現像する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとしたエッチングにより前記下部電極材料膜を選択的に除去する工程と
を含む表示装置の製造方法。 - 前記下部電極の間の領域に画素分離絶縁膜を形成する工程を含む
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記画素分離絶縁膜を形成する工程は、
感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜を前記蒸着マスクを用いて露光したのち現像する工程と
を含む請求項2記載の表示装置の製造方法。 - 複数の有機発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、
基板に、前記複数の有機発光素子の各々に対応した駆動素子を形成する工程と、
1層以上の平坦化膜を形成すると共に、前記1層以上の平坦化膜のうち少なくとも最上層の平坦化膜の接続孔の側面を順テーパー形状とする工程と、
前記複数の有機発光素子の各々に対応した下部電極を、前記接続孔を含む領域に形成する工程と、
発光層を含む有機層を、蒸着マスクを用いた蒸着法により、前記下部電極の上面および側面の全部を覆って形成する工程と、
前記有機層の上に上部電極を形成する工程と
を含み、
前記下部電極を前記蒸着マスクを用いて形成する
表示装置の製造方法。 - 前記下部電極の側面を順テーパー形状とする
請求項4記載の表示装置の製造方法。 - 前記下部電極の厚みを前記有機層の厚みよりも薄くする
請求項4記載の表示装置の製造方法。 - 前記1層以上の平坦化膜を形成する工程は、
前記駆動素子に対応する位置に接続孔を有する第1平坦化膜を形成する工程と、
前記第1平坦化膜の接続孔を含む領域に中間電極を形成する工程と、
前記中間電極に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔を有する第2平坦化膜を形成する工程と
を含む請求項4記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009027645A JP5126545B2 (ja) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | 表示装置の製造方法 |
TW98145312A TWI420962B (zh) | 2009-02-09 | 2009-12-28 | 顯示裝置及其製造方法 |
KR1020100003360A KR101638194B1 (ko) | 2009-02-09 | 2010-01-14 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
CN201010104328XA CN101800194B (zh) | 2009-02-09 | 2010-02-02 | 显示器件的制造方法和显示器件 |
US12/698,306 US8106410B2 (en) | 2009-02-09 | 2010-02-02 | Method of manufacturing display device and display device |
KR1020160053894A KR20160053896A (ko) | 2009-02-09 | 2016-05-02 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009027645A JP5126545B2 (ja) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | 表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012198203A Division JP5418862B2 (ja) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010182638A JP2010182638A (ja) | 2010-08-19 |
JP5126545B2 true JP5126545B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=42539687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009027645A Expired - Fee Related JP5126545B2 (ja) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8106410B2 (ja) |
JP (1) | JP5126545B2 (ja) |
KR (2) | KR101638194B1 (ja) |
CN (1) | CN101800194B (ja) |
TW (1) | TWI420962B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011138816A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
KR101875132B1 (ko) * | 2011-10-28 | 2018-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN103258838B (zh) * | 2012-02-17 | 2017-04-12 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示设备及用于制造显示设备的方法 |
JP6214077B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2017-10-18 | 株式会社Joled | 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法 |
JP5894943B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 分散組成物、これを用いた硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、マイクロレンズの製造方法、及び固体撮像素子 |
JP5909468B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-04-26 | 富士フイルム株式会社 | 分散組成物、これを用いた硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、及び固体撮像素子 |
JP5934682B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-06-15 | 富士フイルム株式会社 | マイクロレンズ形成用又はカラーフィルターの下塗り膜形成用硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、固体撮像素子、及び、硬化性組成物の製造方法 |
KR20140081314A (ko) | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9911799B2 (en) | 2013-05-22 | 2018-03-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same |
KR101581368B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2015-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 리페어 방법 |
CN103525406B (zh) | 2013-10-21 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备 |
CN103500803B (zh) * | 2013-10-21 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件 |
CN103700687A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置 |
JP2016072283A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN104867963A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置 |
US10340101B2 (en) * | 2015-07-31 | 2019-07-02 | Intel Corporation | Keycap with active elements |
CN105895023B (zh) * | 2016-06-03 | 2019-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微机电光阀、显示屏和显示装置 |
US10244230B2 (en) * | 2017-03-01 | 2019-03-26 | Avalon Holographics Inc. | Directional pixel for multiple view display |
CN109328398B (zh) * | 2017-06-01 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和阵列基板的制造方法 |
KR102577043B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN208157411U (zh) * | 2018-03-27 | 2018-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件和显示装置 |
CN109273512A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-01-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面显示装置及其制作方法 |
US10845934B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel |
KR20210035959A (ko) * | 2019-09-24 | 2021-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3691313B2 (ja) | 1998-12-01 | 2005-09-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP2001110575A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP5159010B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2013-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4876341B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP4089544B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR100567305B1 (ko) * | 2003-02-20 | 2006-04-04 | 산요덴키가부시키가이샤 | 컬러 발광 표시 장치 |
US6919681B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-07-19 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved power efficiency |
KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
KR100611152B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
JP4655942B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
JP4645587B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 表示素子および表示装置 |
US20080238297A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Masuyuki Oota | Organic el display and method of manufacturing the same |
US7820531B2 (en) * | 2007-10-15 | 2010-10-26 | Sony Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus |
JP5157825B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
KR101074799B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
-
2009
- 2009-02-09 JP JP2009027645A patent/JP5126545B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-28 TW TW98145312A patent/TWI420962B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-14 KR KR1020100003360A patent/KR101638194B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-02 US US12/698,306 patent/US8106410B2/en active Active
- 2010-02-02 CN CN201010104328XA patent/CN101800194B/zh active Active
-
2016
- 2016-05-02 KR KR1020160053894A patent/KR20160053896A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101800194B (zh) | 2013-02-13 |
TW201034505A (en) | 2010-09-16 |
KR20160053896A (ko) | 2016-05-13 |
KR20100091104A (ko) | 2010-08-18 |
US8106410B2 (en) | 2012-01-31 |
CN101800194A (zh) | 2010-08-11 |
US20100200869A1 (en) | 2010-08-12 |
JP2010182638A (ja) | 2010-08-19 |
TWI420962B (zh) | 2013-12-21 |
KR101638194B1 (ko) | 2016-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121016 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5126545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |