JP2011040328A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な表示性能を有する表示装置をより簡便に製造するための表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１電極層１３を複数形成したのち、第１電極層１３を１つずつ取り囲むように、第１電極層１３と絶縁された補助配線層１４を形成する。次に、第１電極層１３および補助配線層１４を覆うように有機層１６を形成する。次に補助配線層１４に電流を流すことにより有機層１６のうちの補助配線層１４を覆う被覆部分を加熱し、その被覆部分の少なくとも一部を除去することによりコンタクトホール１６Ａを形成する。さらい、コンタクトホール１６Ａを充填すると共に有機層１６を覆うように第２電極層１８を形成する。これにより、補助配線層１４と、第２電極層１８とが確実に接触することとなる。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光層を含む自発光型の発光素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、発光層を含む自発光型の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。

有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れている。このため、アクティブマトリックス方式は、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において特に適した駆動方式と考えられている。このアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置は、発光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ表示素子を駆動させるための駆動素子（上記薄膜トランジスタ）とが配設された駆動パネルを有している。さらに、この駆動パネルと封止パネルとが有機ＥＬ素子を挟むようにして、互いに接着層により貼り合わされた構成となっている。また、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機発光層が形成された構成を有している。

また、有機ＥＬ表示装置は、各有機ＥＬ素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とに分類される。両者を比較した場合、上面発光方式のほうが、より開口率を高めることができるという点において有利である。

ここで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取り出し側、すなわち封止パネル側の電極は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、この光取り出し側の電極へ印加された電圧が面内で不均一となるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまうという問題があった。

この問題を解決するものとして、例えば特許文献１〜４に開示された有機ＥＬ表示装置が知られている。それらの有機ＥＬ表示装置では、駆動パネル側に位置する第１電極（下部電極）と同一階層に、光取り出し側の第２電極（上部電極）と接続される補助配線層を形成し、第１電極の面内方向での電圧降下を抑制するようにしている。

ここで、有機層を基板全面に亘って形成する場合には、上記補助配線層上にも有機層が形成されることになるので、有機層の存在によって補助配線層と第２電極との電気的な接続が不十分となる。そこで、メタルマスクを用いて有機層を画素ごとに塗り分けて形成する必要が生じるが、その場合であっても、メタルマスクの位置決め精度やマスク開口の加工精度が悪いと補助配線層上に有機層が成膜されてしまい、同様の問題が生じることとなる。特に、表示装置の大型化に伴ってメタルマスクが大型化するにつれ、それ自体の撓みが大きくなるうえ搬送もより煩雑になるので、メタルマスクと基板とのアライメント精度が十分に確保できなくなるおそれがある。その場合、上述の問題のほか、開口率の低下や生産効率の低下をも招くことも予想される。また、場合によっては有機層を形成する際に、メタルマスクに堆積したパーティクルが有機層などに付着してしまい、それに起因したショートが発生してしまうこともあった。このような理由から、塗り分け用のメタルマスクを用いずに有機層を形成することが望ましい。

そこで、特許文献３，４などでは、有機層のうち補助配線層上の領域にレーザ光を照射することにより、補助配線層上の有機層を選択的に除去する手法が提案されている。また、特許文献５では、補助配線層の端面と第２電極とを電気的に接続する構造が提案されている。

特開２００１−１９５００８号公報 特開２００４−２０７２１７号公報 特開２００５−１１８１０号公報 特開２００６−２８６４９３号公報 特開２００５−９３３９８号公報

しかしながら、特許文献３，４の手法では、大がかりなレーザ光照射装置が必要となる。そのうえ、レーザ光の照射位置などを厳密に位置合わせする必要性があるので、製造時のタクトタイムが長くなりやすく、製造工程の簡素化にも不利である。

また、特許文献５の場合、その構造上、補助配線層と第２電極との接触面積が限られていることから、電圧降下を十分に抑制するには補助配線層を有機層よりも厚くする必要があった。また、この構造を製造する際には金属層の側面を露出させることとなるので、例えばアルミニウムもしくはその合金などの、大気中において酸化して不導体を形成するものは補助配線層として使用することが困難となる。仮に、この構造においてそのような不導体を形成する材料を用いて補助配線層を形成した場合、製造過程において補助配線層を大気に触れさせないようにしたり、あるいは補助配線層の表面に形成された酸化膜を除去したりするなど、製造工程が複雑化する。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、良好な表示性能を確保しつつ、より簡便に製造可能な構成を有する表示装置、およびそのような表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の各工程を含むものである。
（Ａ）基板上に、第１電極層を複数形成する工程。
（Ｂ）隣り合う第１電極層同士の間に、または、第１電極層を１つずつもしくは複数ずつ取り囲むように、第１電極層と絶縁された補助配線層を形成する工程。
（Ｃ）第１電極層および補助配線層を覆うように発光層を形成する工程。
（Ｄ）補助配線層に電流を流すことにより発光層のうちの補助配線層を覆う被覆部分を加熱し、その被覆部分の少なくとも一部を除去することにより開口を形成する工程。
（Ｅ）開口を充填すると共に発光層を覆うように第２電極層を形成する工程。

本発明の表示装置の製造方法では、補助配線層に電流を流すことにより、補助配線層を覆う発光層の被覆部分を加熱し、その被覆部分の少なくとも一部を除去して開口を形成するようにしたので、補助配線層と、開口を充填すると共に発光層を覆う第２電極層とが確実に接触することとなる。

本発明の表示装置は、基板上に配列され、第１電極層と、発光層と、第２電極層との積層構造をそれぞれ有する複数の発光素子と、隣り合う第１電極層同士の間に延在し、または第１電極層を１つずつもしくは複数ずつ取り囲むように延在し、第１電極層と絶縁され、かつ発光層の一部に設けられた開口において第２電極層と導通した補助配線層とを備える。ここで、補助配線層の経路のうち発光層の開口が占める領域と対応する部分は、他の部分よりも高い抵抗を有するものである。

本発明の表示装置では、補助配線層を覆う発光層の一部に開口が設けられており、補助配線層の経路のうち発光層の開口が占める領域と対応する部分が他の部分よりも高い抵抗を有するので、補助配線層に電流を流した場合に、高い抵抗を有する部分（高抵抗部分）がジュール熱の発生によって他の部分よりも高温となる。

本発明の表示装置の製造方法によれば、補助配線層に電流を流すことにより発光層の少なくとも一部を除去し、開口を形成するようにしたので、補助配線層を全面に亘って覆うように発光層を形成した場合であっても、補助配線層と第２電極層とを確実に接触させることができる。ここでは、補助配線層上に形成された不要な発光層を、レーザ光の照射装置などを用いることなく、また、精密な位置合わせを行うことなく、簡便に除去することができる。したがって、第２電極層の電圧降下の発生を効果的に抑制することができ、良好な表示性能を発揮する表示装置を、より効率的に製造することができる。

本発明の表示装置によれば、補助配線層の経路のうち発光層の開口と対応する部分が他の部分よりも高い抵抗を有するので、補助配線層に電流を流した場合に高抵抗部分が周囲よりも高温となる。したがって、製造する際に補助配線層を全面的に覆うように発光層を形成した場合であっても、補助配線層に電流を流すことにより、補助配線層を覆う発光層のうち高抵抗部分に対応する位置に開口を選択的に形成し、補助配線層と第２電極層とを確実に接触させることができる。したがって、簡便な製造方法により得られる構造でありながら、第２電極層の電圧降下の発生を効果的に抑制し、良好な表示性能を発揮することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３に示した画素領域の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を説明するための一工程を表す断面図である。 図５に続く一工程を表す断面図である。 図６に続く一工程を表す断面図である。 図７に続く一工程を表す断面図である。 図８に続く一工程を表す断面図である。 図３に示した表示領域の他の構成例（変形例１〜３）を表す平面図である。 第２の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す平面図である。 図１１に示した表示領域の要部構成を表す拡大断面図である。 図１１に示した表示領域の他の構成例（変形例４）を表す平面図である。 図１２に示した表示領域の他の構成例（変形例５）を表す拡大断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５外観を表す概略図である。

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。

＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
図１は、本発明における第１の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、駆動側基板１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。駆動側基板１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。

表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。

走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。

電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。

画素駆動回路１５０は、駆動側基板１１と有機発光素子１０との間の階層に設けられている。図２に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。図２に示したように、画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。

駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０と接続されている。

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。

［表示領域の構成］
図３に、ＸＹ平面に広がる表示領域１１０の一構成例を表す。ここでは、第２電極層１８、保護膜３０、接着層３１および封止側基板（いずれも後出）を取り去った状態の表示領域１１０を、上方から眺めた平面構成を表す。表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０が、全体としてマトリックス状をなすように順に配列されている。詳細には、補助配線層１４が格子状に設けられており、それによって区画された画素領域１４Ｒの各々に、有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が１つずつ配置されている。各有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、それぞれ、素子分離層１５によって輪郭が規定された発光領域２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）を含んでいる。有機発光素子１０Ｒは赤色光を発し、有機発光素子１０Ｇは緑色光を発し、有機発光素子１０Ｂは青色光を発するものである。各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、Ｙ方向を長手方向とする矩形の平面形状を有している。ここでは、同色光を発する有機発光素子１０をＹ方向に一列に並べ、それをＸ方向に順に繰り返し配置するようにしている。したがって、Ｘ方向において隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが１つの画素（ピクセル）を構成している。

図３において、各画素領域１４Ｒにおいて実線で示した矩形の発光領域２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを各々構成する第１電極層１３（後出）の形状に対応している。なお、図３では、３行×５列の計１５個の有機発光素子１０を示したが、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶ有機発光素子１０の数はこれに限定されるものではない。

図４は、表示領域１１０における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。図４に示したように、表示領域１１０では、駆動側基板１１の上に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをそれぞれ駆動するための駆動トランジスタＴｒ１と、平坦化層１２とが順に設けられている。平坦化層１２の上には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護膜３０および接着層３１を介して封止側基板１９によって封止されている。

駆動トランジスタＴｒ１のゲート（図示せず）は走査線駆動回路１３０に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、層間絶縁膜１１Ａを介して設けられた配線層１１Ｂと接続されている。層間絶縁膜１１Ａは、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などにより構成される。配線層１１Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）単体もしくはアルミニウム合金による単層膜、チタン（Ｔｉ）層とアルミニウム層との多層膜、もしくはチタン層とアルミニウム層とチタン層との３層膜により構成される。このような駆動トランジスタＴｒ１、層間絶縁膜１１Ａおよび配線層１１Ｂは、平坦化層１２によって覆われている。

平坦化層１２は、駆動トランジスタＴｒ１が形成された駆動側基板１１の表面を平坦化する共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。この平坦化層１２は電気絶縁性を有しており、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの無機材料からなる。このような平坦化層１２には、画素ごとに開口部１２ａが設けられており、この開口部１２ａに後述の第１電極層１３が埋設されることによって、配線層１１Ｂとの電気的接続が確保されている。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、駆動側基板１１の側から、例えばアノード電極としての第１電極層１３と、発光層（図示せず）などを含む有機層１６と、カソード電極としての第２電極層１８とが各々順に積層されたものである。有機層１６および第１電極層１３は、素子分離層１５によって有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離されている。一方、第２電極層１８は、全ての有機発光素子１０に共通して設けられている。補助配線層１４は、第１電極層１３と共に平坦化層１２の上に形成されており、有機層１６に設けられたコンタクトホール１６Ａを介して第２電極層１８と接続されている。

平坦化層１２の上に形成された第１電極層１３は、有機層１６に正孔を注入する電極として機能するものである。第１電極層１３は、上述したように上面発光型の場合には反射層として用いられるので、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。第１電極層１３は、例えば厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。第１電極層１３は、上述したように平坦化層１２の表面を覆うと共に開口部１２ａを充填するように形成されている。これにより、第１電極層１３は、開口部１２ａおよび配線層１１Ｂを介して駆動トランジスタＴｒ１のソースと導通された状態となる。第１電極層１３は単層構造でもよいし多層構造でもよい。

有機層１６は、素子分離層１５の側面および上面と、開口部１５Ａによって露出した第１電極層１３の上面とを覆うように形成されている。但し、有機層１６は、素子分離層１５の開口部１５Ｂにおいて断絶されており、コンタクトホール１６Ａの一部を構成している。以下、有機層１６の具体的な構成について説明する。

有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色にかかわらず同一の積層構造を有している。例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層および電子輸送層が積層されている。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであり、例えば４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。正孔輸送層は、正孔注入効率を高めるためのものであり、例えば４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。

赤色発光層、緑色発光層および青色発光層は、電界の印加により、第１電極層１３側から注入された正孔の一部と、第２電極層１８側から注入された電子の一部とを再結合させ、赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ発生するものである。これらの各色発光層はそれぞれ、スチリルアミン誘導体、芳香族アミン誘導体、ぺリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素、トリフェニルアミン誘導体等の有機材料を含んで構成されている。これら３色の発光層が厚み方向に積層されていることにより、全体として白色光が第２電極層１８の上方へ射出するようになっている。

電子輸送層は、各色発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ₃ ）により構成されている。この電子輸送層上に逆バイアス用電極１７が配設されている。なお、このような有機層１６における電子輸送層と逆バイアス用電極１７との間に、電子注入効率を高めるための電子注入層が更に設けられていてもよい。電子注入層の構成材料としては、例えばＬｉ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、ＬｉＦやＣａＦ₂等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属酸化物、ア
ルカリ土類フッ化物が挙げられる。

第２電極層１８は、有機層１６に電子を注入する電極として機能するものである。第２電極層１８は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第２電極層１８は、有機層１６のみならず、素子分離層１５および補助配線層１４をも覆うように形成されている。第２電極層１６は、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有しており導電性および光透過性を有する材料によって構成されている。具体的には、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。

補助配線層１４は、主たる電極としての第２電極層１８における電圧降下を補うものとして機能する。補助配線層１４上に設けられた素子分離層１５および有機層１６には、補助配線層１４まで貫通するコンタクトホール１６Ａが設けられ、このコンタクトホール１６Ａにおいて補助配線層１４と第２電極１８とが導通している。補助配線層１４を構成する材料としては、例えば第１電極層１３と同種の高導電性の金属材料が好ましい。

この補助配線層１４が存在しない場合、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離に応じた電圧降下により、共通電源供給線ＧＮＤ（図２参照）と接続された第２電極層１８の電位が各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間で一定とならず、顕著なばらつきを生じ易い。このような第２電極層１８の電位のばらつきは、表示領域１１０における輝度むらの原因となるので好ましくない。補助配線層１４は、表示装置が大画面化した場合であっても電源から第２電極層１８に至るまでの電圧降下を最小限度に抑え、このような輝度むらの発生を抑制するように機能する。

素子分離層１５は、第１電極層１３と第２電極層１８との間、第１電極１３と補助配線層１４との間をそれぞれ埋めるように設けられている。素子分離層１５は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性を有する有機材料からなり、第１電極層１３と、第２電極層１８および補助配線層１４との電気絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０の発光領域２０を所望の形状に正確に規定するものでもある。さらに、この素子分離層１５には、発光領域２０に対応した開口部１５Ａと、補助配線層１４に対応した開口部１５Ｂとがそれぞれ設けられている。開口部１５Ａには、有機層１６と第２電極層１８とが第１電極層１３の側から順に積層され、開口部１５Ｂには、第２電極１８が埋設されている。

保護膜３０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx ）や窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの透明な誘電体材料からなる。接着層３１は、例えば熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂などにより構成されている。

封止側基板１９は、接着層３１と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止側基板１９は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止側基板１９には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に対応して、赤色、緑色および青色の各色カラーフィルタ（図示せず）が設けられている。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれで発生した白色光が３原色の光として取り出されると共に、各層において反射された外光が吸収され、コントラストが改善される。なお、カラーフィルタは、駆動側基板１１に設けられていてもよい。また、各色カラーフィルタ同士の間に、ブラックマトリクスが設けられていてもよい。

［表示装置の製造方法］
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図１〜図４に加え、図５〜図９を参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。図５〜図９は有機発光素子１０を備えた表示装置の製造方法を工程順に表すものである。

まず、図５（Ａ）に示したように、駆動側基板１１上に、公知の薄膜プロセスにより、駆動トランジスタＴｒ１および層間絶縁膜１１Ａを形成したのち、層間絶縁膜１１Ａ上に、上述した材料よりなる配線層１１Ｂを形成する。このとき、例えばスパッタリング法などにより上述した材料による単層膜もしくは積層膜を成膜したのち、例えばリソグラフィ法を用いて配線層１１Ｂをパターニング形成する。

そののち、図５（Ｂ）に示したように、上述した材料からなる平坦化層１２を、例えばスピンコート法によって駆動側基板１１の全面に塗布形成したのち、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、配線層１１Ｂに対応する領域に開口部１２ａを形成する。

続いて、第１電極層１３および補助配線層１４を一括して形成する。具体的には、まず、例えばスパッタリング法により、上述した第１電極層１３および補助配線層１４の構成材料を用いて金属層１３−１を平坦化層１２の上に全面成膜する（図６（Ａ））。そののち、金属層１３−１上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、そのレジストパターンをマスクとして用いて金属層１３−１の選択的なエッチングを行うことにより、第１電極層１３および補助配線層１４を得る。その際、金属層１３−１のうち、開口部１２ａを充填する部分を含む画素領域１４Ｒに対応する部分を残すことにより第１電極層１３とする。また、金属層１３−１のうち、各々の第１電極層１３の周囲を取り囲む部分を格子状に残すことにより補助配線層１４とする。なお、補助配線層１４を、第１電極層１３と異なる材料により形成してもよいが、生産効率の観点から、補助配線層１４は、第１電極層１３と同種の材料によって一括形成することが望ましい。

次いで、図７（Ａ）に示したように、補助配線層１４と第１電極層１３との隙間を充填するように素子分離層１５を形成する。ここでは、まず、第１電極層１３および補助配線層１４の上に、上述した素子分離層１５の構成材料からなる層を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により成膜する。そののち、例えばリソグラフィ法を用いて第１電極層１３および補助配線層１４に対応する部分をそれぞれ選択的に除去し、開口部１５Ａ，１５Ｂを形成する。

続いて、図７（Ｂ）に示したように、表示領域１１０全体を覆うように例えば真空蒸着法により発光層を含む有機層１６を成膜する。これにより、有機層１６は、素子分離層１５の開口部１５Ａにおける第１電極層１３を覆うように形成されると共に、開口部１５Ｂにも充填される。有機層１６のうちの開口部１５Ｂを充填する部分は、補助配線層１４を覆う被覆部分１６１である。

次いで、補助配線層１４に電流を流すことにより有機層１６のうちの被覆部分１６１を加熱し、その被覆部分１６１の全てもしくは一部を除去することによりコンタクトホール１６Ａを形成する（図８）。例えば、補助配線層１４の材質、幅、長さ、厚さをそれぞれをアルミニウム、０．１２３ｍｍ，４１３ｍｍ，３００ｎｍとし、有機層１６の厚さを１０５ｎｍとした場合に、１Ａの電流を１２．５msec.に亘って印加することにより被覆部分１６１の全てが除去されることを確認した。

続いて、図９に示したように、表示領域１１０の全域にわたって、上述した材料からなる第２電極層１８を、例えばスパッタ法などにより形成し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを完成させる。このとき、第２電極層１８を、有機層１６に設けられたコンタクトホール１６Ａに埋め込むように形成する。これにより、コンタクトホール１６Ａにおいて、補助配線層１４と第２電極層１８とが電気的に接続される。こののち、第２電極層１８の上に、上述した材料よりなる保護膜３０を形成する。

最後に、保護膜３０上に例えば熱硬化型樹脂よりなる接着層３１を塗布形成したのち、この接着層３１の上から封止側基板１９を貼り合わせる。そののち、封止側基板１９のカラーフィルタと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定の加熱処理を行い、接着層３１の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、表示装置が完成する。

［表示装置の動作］
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１８との間で多重反射し、第２電極層１８、保護膜３０、接着層３１および封止側基板１９を透過して上面から取り出される。

以上説明したように、本実施の形態の表示装置では、駆動側基板１１を覆う平坦化層１２の上に補助配線層１４を第１電極１３と共に形成したのち、表示領域１１０の全域にわたって有機層１６を形成するようにしている。ここで、補助配線層１４は、第２電極層１８の電圧降下を抑制するために配設されるものであるから、後段の工程において形成される第２電極層１８との電気的接続を確保しなければならない。ところが、上記のように、有機層１６を表示領域の全域にわたって形成した場合、補助配線層１４の表面も有機層１６によって覆われることとなり、その状態のままでは補助配線層１４と第２電極層１８との十分な電気的接続が確保できない。そこで従来は、有機層形成後に、補助配線層に対応する領域にレーザ光を照射することにより、補助配線上の有機層を除去する手法が用いられていた。しかしながら、このような従来の手法では、レーザ光照射装置などの大掛かりな設備が必要となると共に、補助配線層に対応する領域のみに的確にレーザ光を照射しなければならないため、精密な位置合わせを要していた。

これに対し、本実施の形態では、補助配線層１４に所定の大きさの電流を所定時間に亘って流すことにより、補助配線層１４を覆う被覆部分１６１を加熱し、その全てもしくは一部を除去して有機層１６にコンタクトホール１６Ａを選択的に形成するようにしている。これにより、補助配線層１４の一部表面を露出させることができる。そののち、第２電極層１６を、コンタクトホール１６Ａを充填すると共に有機層１６全体を被うように形成するようにしたので、補助配線層１４と、第２電極層１８とを確実に接触することとなる。このように、本実施の形態では、大掛かりな設備を用いることなく、簡易な工程で、補助配線層１４と第２電極層１８との良好な電気的接続を確保することが可能となる。したがって、本実施の形態では、第２電極層１８の電圧降下の発生を効果的に抑制することができ、良好な表示性能を発揮する表示装置を、より効率的に製造することができる。

［変形例］
次に、図１０（Ａ）〜１０（Ｃ）を参照して、本実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。図１０（Ａ）〜１０（Ｃ）は、いずれも上記実施の形態におけるＸＹ平面に広がる表示領域１１０の他の構成例をそれぞれ表すものであり、図３に対応する平面図である。図１０（Ａ）は変形例１を表し、図１０（Ｂ）は変形例２を表し、図１０（Ｃ）は変形例３を表す。なお、図３に示した構成要素と実質的に同一のものについては同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

（変形例１，２）
上記実施の形態では、補助配線層１４を、各有機発光素子１０の発光領域２０を取り囲むように格子状の平面形状とした。これに対し、変形例１，２では、隣り合う発光領域２０（もしくは第１電極層１３）同士の間に位置し、互いに平行に延在するように形成された複数の補助配線層１４を設けるようにしている。特に、変形例１では、複数の補助配線層１４が、Ｘ方向へ延在し、Ｙ方向において互いに平行に並ぶように配置されている。一方、変形例２では、複数の補助配線層１４が、Ｙ方向へ延在し、Ｘ方向において互いに平行に並ぶように配置されている。このような構成とすることにより、上記実施の形態と比較した場合に、より高い開口率を確保するのに有利となる。

（変形例３）
上記実施の形態では、発光領域２０ごとに取り囲むように補助配線層１４を設けるようにしたが、本変形例では、３つの発光領域２０を１つの単位として、すなわち、画素１ごとに取り囲むように補助配線層１４を設けるようにした。この構成においても、上記実施の形態と比較して、より高い開口率を確保するのに有利である。

このように、補助配線層１４については、表示装置における表示領域１１０の面積や要求される表示性能、あるいはその他の条件に応じて適切な形状を適宜選択することができる。

＜第２の実施の形態＞
次に、図１１および図１２を参照して、本発明における第２の実施の形態としての表示装置について説明する。本実施の形態の表示装置は、補助配線層１４の代わりに補助配線層２４を備えるようにしたことを除き、上記実施の形態と同様である。したがって、上記実施の形態の表示装置における構成要素と実質的に同一のものについては同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１１は、本実施の形態の表示装置における表示領域１１０の構成を表す平面図であり、図３に対応している。また、図１２は、表示領域１１０における、図１１に示したXII−XII線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものであり、図４に対応している。

この表示装置では、例えば図１１に示したように、Ｙ方向に並ぶ有機発光素子１０の発光領域２０を１つの列と見立てた場合に、一列おきに各発光領域２０を取り囲むように補助配線層２４が設けられている。但し、この補助配線層２４は、その経路のうち、有機層１６のコンタクトホール１６Ａが占める領域と対応する部分は、他の部分よりも高い抵抗を有する。具体的には、比較的低い抵抗を有する一対の低抵抗部分２４Ａ（２４Ａ１，２４Ａ２）と、比較的高い抵抗を有する高抵抗部分２４Ｂ（２４Ｂ１〜２４Ｂ４）とを含んでいる。このうち、低抵抗部分２４Ａは、上記第１の実施の形態における補助配線層１４と同種の材料によって構成し、高抵抗部分２４Ｂは、例えばモリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），ＩＴＯおよびＩＺＯなどによって構成するとよい。

この表示装置を製造する際には、例えば、平坦化層１２を形成したのち、先に高抵抗部分２４Ｂを形成し、次いで低抵抗部分２４Ａを形成するようにすればよい。その際、低抵抗部分２４Ａと、第１電極層１３とを共通の材料により一括形成することが望ましい。製造工程が簡略化されるからである。

本実施の形態では、このような構成とすることにより、高抵抗部分２４Ｂに対応する位置のみにコンタクトホール１６Ａを選択的に形成することができる。すなわち、例えば一対の低抵抗部分２４Ａの端部Ｔ１，Ｔ２の間に電流を流した場合に、各高抵抗部分２４Ｂにおいて低抵抗部分２４Ａよりも大きなジュール熱が生じるので、高抵抗部分２４Ｂの近傍の有機層１６を選択的に除去することができる。この場合、上記第１の実施の形態のように高抵抗部分を設けなかった場合と比べ、必要な電流値を低減することができ、あるいは電流を流す時間を低減することができるので、より効率的である。なお、この表示装置を使用する際には、例えば低抵抗部分２４Ａ１におけるＹ方向の両端部Ｔ１，Ｔ３の間に電圧が印加されることとなるので、第２電極層１８における電圧降下を低減する機能は確保されている。

なお、本実施の形態においても補助配線層２４の平面形状については、表示装置における表示領域１１０の面積や要求される表示性能、あるいはその他の条件に応じて適切な形状を適宜選択することができる。例えば図１３に示した構成（変形例４）としてもよい。

［変形例］
次に、図１４を参照して、本実施の形態の変形例（変形例５）について説明する。図１４は、上記実施の形態におけるＸＺ断面における他の構成例を表すものであり、図１２に対応する断面図である。なお、図１２に示した構成要素と実質的に同一のものについては同一の符号を付し、適宜説明を省略する。上記実施の形態では、補助配線層２４の高抵抗部分２４Ｂを、第１電極層１３と同じ階層（すなわち平坦化層１２上）に設けるようにした。これに対し、本変形例では、高抵抗部分２４Ｂが、駆動トランジスタＴｒ１の一部を構成する導電層、例えば配線層１１Ｂを兼ねるようにしている。このような構成であっても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。さらに、上記実施の形態の場合よりも、成膜工程やパターニング工程を削減することができる。

本変形例における高抵抗部分２４Ｂは、例えばチタン（Ｔｉ）層と、このチタン層の上に選択的に積層形成されたアルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層との３層構造であるとよい。ここでは、最下層のチタン層の一部が第２電極層１８と接している。

本変形例の表示装置を製造する際には、まず、例えば、駆動側基板１１上に駆動トランジスタＴｒ１および層間絶縁膜１１Ａを形成したのち、層間絶縁膜１１Ａ上に、チタン層とアルミニウム層とモリブデン層とを順次積層して多層膜を形成する。続いて、例えばリソグラフィ法を用いてその多層膜をパターニングすることにより配線層１１Ｂを形成する。さらに、配線層１１Ｂのうち、高抵抗部分２４Ｂとなる部分のアルミニウム層およびモリブデン層を選択的に除去してチタン層の一部を露出させる。これにより高抵抗部分２４Ｂが得られる。そののち、平坦化層１２を全面に塗布形成したのち、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、高抵抗部分２４Ｂに対応する領域に開口部１２ｂを形成する。続いて、平坦化層１２の上に、第１電極層１３と、低抵抗部分２４Ａ１，２４Ａ２とを一括して形成する。その際、低抵抗部分２４Ａ１，２４Ａ２が高抵抗部分２４Ｂとそれぞれ接続されるようにする。それ以降の工程については、上記実施の形態と同様である。

なお、高抵抗部分２４Ｂは、多層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１１の一辺に、封止用基板１９から露出した領域２１０を設け、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法や成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、第１電極層１３は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極層１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。

加えて、例えば、上記実施の形態においては、駆動側基板１１の上に、第１電極層１３，有機層１６および第２電極層１８を順に積層し、封止用基板１９の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、駆動側基板１１の上に、第２電極層１８，有機層１６および第１電極層１３を順に積層し、駆動側基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１６との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

１…画素、１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１１…駆動側基板、１１Ａ…層間絶縁膜、１１Ｂ…配線層、１２…平坦化層、１２ａ，１２ｂ…開口部、１３…第１電極層、１４…補助配線層、１４Ｒ…画素領域、１５…素子分離層、１６…有機層、１６Ａ…コンタクトホール、１８…第２電極層、１９…封止側基板、２０…発光領域、３０…保護膜、３１…接着層、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。

Claims (10)

1. 基板上に、第１電極層を複数形成する工程と、
   隣り合う前記第１電極層同士の間に、または、前記第１電極層を１つずつもしくは複数ずつ取り囲むように、前記第１電極層と絶縁された補助配線層を形成する工程と、
   前記第１電極層および補助配線層を覆うように発光層を形成する工程と、
   前記補助配線層に電流を流すことにより前記発光層のうちの前記補助配線層を覆う被覆部分を加熱し、その被覆部分の少なくとも一部を除去することにより開口を形成する工程と、
   前記開口を充填すると共に前記発光層を覆うように第２電極層を形成する工程と
   を含む表示装置の製造方法。
2. 前記補助配線層および前記第１電極層を、共通の材料を用いて一括形成する請求項１記載の表示装置の製造方法。
3. 前記補助配線層の経路の一部を、他の部分よりも高い抵抗を有する材料により形成する請求項１記載の表示装置の製造方法。
4. 前記補助配線層の他の部分と前記第１電極層とを、共通の材料を用いて一括形成する請求項３記載の表示装置の製造方法。
5. 前記補助配線層の経路の一部を、前記基板の側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層との３層構造とし、
   前記アルミニウム層およびモリブデン層を選択的に除去して前記チタン層の一部を露出させたのち、そのチタン層の一部と接するように前記第２電極層を形成する
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
6. 前記基板上に、外部から入力される映像信号に基づいて前記発光素子の表示駆動を行う駆動トランジスタを形成する工程をさらに含み、
   前記補助配線層の一部を、前記駆動トランジスタの一部と接続された導電層の一部として形成する
   請求項１記載の表示装置の製造方法。
7. 基板上に配列され、第１電極層と、発光層と、第２電極層との積層構造をそれぞれ有する複数の発光素子と、
   隣り合う前記第１電極層同士の間に延在し、または前記第１電極層を１つずつもしくは複数ずつ取り囲むように延在し、前記第１電極層と絶縁され、かつ前記発光層の一部に設けられた開口において前記第２電極層と導通した補助配線層と
   を備え、
   前記補助配線層の経路のうち前記発光層の開口が占める領域と対応する部分は、他の部分よりも高い抵抗を有する
   表示装置。
8. 前記補助配線層の経路のうち前記発光層の開口が占める領域と対応する部分は、チタン（Ｔｉ）層と、このチタン層の上に選択的に積層形成されたアルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層との３層構造を有し、
   前記第２電極層は、前記チタン層の一部と接している
   請求項７記載の表示装置。
9. 前記補助配線層の他の部分と前記第１電極層とは、共通の材料からなる請求項７記載の表示装置。
10. 前記基板上に、外部から入力される映像信号に基づいて前記発光素子の表示駆動を行う駆動トランジスタをさらに備え、
    前記補助配線層の一部が、前記駆動トランジスタの一部と接続された導電層を兼ねている
    請求項７記載の表示装置。

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