JP2013191531A - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い発光品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有する画素３８と、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに設けられた陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられた陰極２５と、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇの陽極２４Ｒ，２４Ｇと陰極２５との間に塗布方式で形成された赤色、緑色を発光する機能を有する発光層６３Ｒ，６３Ｇと、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｒ，６３Ｇと陰極２５との間と、陽極２４Ｂと陰極２５との間とに蒸着方式で形成された青色を発光する機能を有する発光層６３Ｂと、少なくともサブ画素３４Ｒ，３４Ｇの発光層６３Ｒ，６３Ｇと発光層６３Ｂとの間に設けられた、正孔ブロッキング層６４とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む機能層を配置した構造を有している。機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成を挙げることができる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合することで発光が行われる。

有機ＥＬ装置の発光層は、例えば、インクジェット法等の塗布方式や蒸着方式を用いて形成される。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブ画素）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することにより発光層が形成される。塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点がある。

このような塗布方式を用いて形成された有機ＥＬ装置では、赤色（Ｒ）発光層、緑色（Ｇ）発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルにあるものの、青色（Ｂ）発光層は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着方式を用いて形成された青色発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルに到達している。

そこで、塗布方式で形成された赤色発光層及び緑色発光層と、赤色発光層及び緑色発光層上を含む全面に蒸着方式で形成された青色発光層とを備えた有機ＥＬ装置の構成及びその製造方法が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開２００７−７３５３２号公報 特開２０１１−１０８４６２号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成によれば、青色発光層が赤色発光層及び緑色発光層上に形成されているため、赤色発光層からの赤色発光及び緑色発光層からの緑色発光に青色発光層からの青色発光の混色が生じて色純度が低下して、有機ＥＬ装置の発色品質が低下するおそれがあるという課題があった。また、初期的には青色発光の混色が見られない場合でも、経時的な発光素子の駆動によって、赤色発光及び緑色発光に青色発光の混色が生じてくることが懸念されるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層と前記第２発光層との間に設けられた、正孔ブロッキング機能を有する層と、を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、第１発光層の陰極側に形成された第２の色を発光する機能を有する第２発光層との間に、正孔ブロッキング機能を有する層が設けられている。そのため、第１発光層から第２発光層への正孔の移動が抑制されるので、第１サブ画素において第２発光層での第２の色の発光が抑えられる。これにより、第１の色の発光の色純度が向上するので、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記正孔ブロッキング機能を有する層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成されていることが好ましい。

本適用例によれば、正孔ブロッキング機能を有する層が蒸着方式で形成されているので、塗布方式で形成される場合に比べて、正孔ブロッキング機能を有する層をより緻密で薄い膜とすることができる。また、正孔ブロッキング機能を有する層を蒸着する工程において精密アライメントマスク等を用いたパターニングを必要としないので、有機ＥＬ装置の生産性向上及びコスト低減を図ることができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記正孔ブロッキング機能を有する層と前記第２発光層との間に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成された正孔輸送機能を有する層をさらに備えていることが好ましい。

本適用例によれば、正孔ブロッキング機能を有する層と第２発光層との間に正孔輸送機能を有する層が設けられているので、正孔ブロッキング機能を有する層による第２発光層への正孔の移動の抑制が緩和される。これにより、第２サブ画素における第２発光層への正孔注入が促進され、第２発光層での第２の色の発光効率が向上するので、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記正孔輸送機能を有する層の構成材料は、前記第２の色を発光するゲスト材料を含むことが好ましい。

本適用例によれば、正孔輸送機能を有する層の構成材料に第２の色を発光するゲスト材料が含まれているため、第２サブ画素において、第２発光層だけでなく正孔輸送機能を有する層も第２の色を発光する。これにより、第２サブ画素における第２の色の発光が強められるので、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層の構成材料は、前記ゲスト材料を含み、前記正孔輸送機能を有する層の前記構成材料における前記ゲスト材料の濃度は、前記第２発光層の前記構成材料における前記ゲスト材料の濃度と同じであることが好ましい。

本適用例によれば、正孔輸送機能を有する層の構成材料及び第２発光層の構成材料に含まれるゲスト材料とその濃度が同じであるので、正孔輸送機能を有する層と第２発光層とにおいて同様に良好な第２の色の発光が得られる。これにより、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記第１発光層との間に設けられた第１正孔輸送層と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第２発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層と、を備えることが好ましい。

本適用例によれば、第１サブ画素において、第１陽極と第１発光層との間に第１正孔輸送層が設けられているので、第１発光層への正孔注入を促進することができる。一方、第２サブ画素においては、正孔ブロッキング機能を有する層と第２発光層との間に正孔輸送機能を有する層が設けられているので、第２陽極と第２発光層との間に正孔輸送層が設けられていない場合でも、第２発光層への正孔注入性を保持することができる。これにより、有機ＥＬ装置の製造工程において、正孔輸送層を形成する工程を省くことができるので、有機ＥＬ装置の生産性向上及びコスト低減を実現することができる。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記正孔ブロッキング機能を有する層との間に設けられた第２正孔輸送層を備え、前記第２正孔輸送層の材料は、前記第１正孔輸送層の材料と異なることが好ましい。

本適用例によれば、第２サブ画素の第２陽極と正孔ブロッキング機能を有する層との間に第２正孔輸送層が設けられているので、第２発光層への正孔注入をより促進することができる。また、塗布方式で形成された第１発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層とで発光層の材料が異なる場合に、第１正孔輸送層と第２正孔輸送層とでそれぞれの発光層の材料に適した正孔輸送材料を用いることができるので、各サブ画素において、発光効率及び発光寿命の向上を図ることができる。

［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１正孔輸送層から前記第１発光層までの膜厚の総和は、前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きいことが好ましい。

本適用例によれば、第１サブ画素における電子と正孔との再結合を、第１発光層で安定的に生じさせ、第２発光層では抑制することができる。これにより、第１サブ画素において、第１発光層の発光効率が向上し、第２発光層の発光が抑えられるので、より一層高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記画素は第３サブ画素をさらに有し、前記第３サブ画素には、第３陽極と、第３正孔輸送層と、塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第３発光層と、が設けられ、前記陰極は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って設けられ、前記第２発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３発光層と前記陰極との間にも設けられ、前記正孔ブロッキング機能を有する層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３陽極と前記第２発光層との間にも設けられていることが好ましい。

本適用例によれば、パターニング性に優れる塗布方式で形成された第１の発光層及び第３の発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層とにより、３色での表示が可能となるため、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることが好ましい。

本適用例によれば、塗布方式で実用的な発光特性が得られている赤色発光材料及び緑色発光材料を用いるとともに、塗布方式では実用的な性能が得られていないものの、蒸着方式では実用的な性能に達している青色発光材料を用いることができるため、フルカラー表示が可能で発色品質、発光効率、及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、高い表示品質の画像や映像の表示が可能な表示装置を備えた電子機器を提供することができる。

［適用例１２］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素を備え、前記第１サブ画素に、第１の色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する第１発光層形成工程と、前記第１発光層形成工程の後に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、第２の色を発光する機能を有する第２発光層を蒸着方式で形成する第２発光層形成工程と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１発光層形成工程と前記第２発光層形成工程との間に、少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層上に正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程を有することを特徴とする。

本適用例によれば、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、第１発光層の上層に形成する第２の色を発光する機能を有する第２発光層との間に、正孔ブロッキング機能を有する層を形成する。そのため、第１発光層から第２発光層への正孔の移動が抑制されるので、第１サブ画素において第２発光層での第２の色の発光が抑えられる。これにより、第１の色の発光の色純度が向上するので、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記画素は第３サブ画素をさらに有し、前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程の前に、前記第３サブ画素に第３の色を発光する機能を有する第３発光層を塗布方式で形成する第３発光層形成工程を有し、前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程では、前記第３発光層上を含めて、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って前記正孔ブロッキング機能を有する層を蒸着方式で形成し、前記第２発光層形成工程では、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、第２発光層を形成することが好ましい。

本適用例によれば、第１の発光層及び第３の発光層をパターニング性に優れる塗布方式で形成し、第２発光層を蒸着方式で形成することで、３色での表示が可能となるため、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることが好ましい。

本適用例によれば、塗布方式で実用的な発光特性が得られている赤色発光材料及び緑色発光材料を用いるとともに、塗布方式では実用的な性能が得られていないものの、蒸着方式では実用的な性能に達している青色発光材料を用いることができるため、フルカラー表示が可能で発色品質、発光効率、及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程と前記第２発光層形成工程との間に、前記正孔ブロッキング機能を有する層上に正孔輸送機能を有する層を蒸着法で形成する工程を有することが好ましい。

本適用例によれば、正孔ブロッキング機能を有する層と第２発光層との間に正孔輸送機能を有する層を形成するので、正孔ブロッキング機能を有する層による第２発光層への正孔の移動の抑制が緩和される。これにより、第２サブ画素における第２発光層への正孔注入が促進され、第２発光層での第２の色の発光効率が向上するので、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１発光層形成工程の前に、前記第１サブ画素に第１正孔輸送層を形成する工程と、前記第３発光層形成工程の前に、前記第３サブ画素に第３正孔輸送層を形成する工程と、前記第２発光層形成工程の後に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に電子輸送層を形成する工程と、を有し、前記第１正孔輸送層から前記第１発光層までの膜厚の総和が前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きく、かつ、前記第３正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなるように各層を形成することが好ましい。

本適用例によれば、第１サブ画素における電子と正孔との再結合を、第１発光層で安定的に生じさせ、第２発光層では抑制することができる。また、第３サブ画素における電子と正孔との再結合を、第３発光層で安定的に生じさせ、第２発光層では抑制することができる。これにより、第１サブ画素と第３サブ画素とにおいて、第１発光層と第３発光層との発光効率が向上し、第２発光層の発光が抑えられるので、より一層高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記塗布方式はインクジェット方式であることが好ましい。

本適用例によれば、パターニング性に優れ、大面積への塗布が容易であるインクジェット法を選択することで、表示性能に優れた、大面積基板を用いた大型の有機ＥＬ装置を提供することができる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 第５の実施形態に係る電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。 変形例に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、スイッチング素子としてトランジスターを用いたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ装置である。トランジスターとしては、薄膜半導体層を用いた薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）であってもよいし、半導体基板自体にチャネルが形成されるトランジスターであってもよい。

有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に設けられた走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる信号線１３と、信号線１３に並列に延びる電源線１４とを備えている。信号線１３には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えた信号線駆動回路１５が接続されている。また、走査線１２には、シフトレジスター及びレベルシフターを備えた走査線駆動回路１６が接続されている。

走査線１２と信号線１３とによりサブ画素３４の領域が区画されている。サブ画素３４は、有機ＥＬ装置１１の表示の最小単位であり、例えば、走査線１２の延在方向と信号線１３の延在方向とに沿ってマトリックス状に配列されている。各サブ画素３４には、スイッチング用トランジスター２１と、駆動用トランジスター２３と、保持容量２２と、陽極２４と、陰極２５と、発光機能層２６とが設けられている。

陽極２４と、陰極２５と、発光層を含む発光機能層２６とによって発光素子２７が構成される。発光素子２７では、陽極２４側から注入される正孔と、陰極２５側から注入される電子とが発光機能層２６の発光層で再結合することにより発光が得られる。

有機ＥＬ装置１１では、走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、信号線１３を介して供給される画像信号が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３を介して電源線１４に電気的に接続したとき、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、さらに発光機能層２６を通じて陰極２５に電流が流れる。

この電流は、駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態に応じたレベルとなる。このとき、駆動用トランジスター２３のソースとドレインとの間の導通状態、すなわち、駆動用トランジスター２３のチャネルの導通状態は、駆動用トランジスター２３のゲートの電位により制御される。そして、発光機能層２６の発光層は、陽極２４と陰極２５との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

換言すれば、発光素子２７の発光状態を駆動用トランジスター２３により制御するとき、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか一方が電源線１４に電気的に接続され、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか他方が発光素子２７に電気的に接続される。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１上に、略矩形の平面形状を有する発光領域３２を備えている。発光領域３２は、有機ＥＬ装置１１において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１１は、発光領域３２の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。

発光領域３２には、サブ画素３４がマトリックス状に配列されている。サブ画素３４は、例えば略矩形の平面形状を有している。サブ画素３４の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。この場合、サブ画素３４の平面形状は、４つの辺と４隅に対応する湾曲部から構成されてもよい。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１は、第１の色としての赤色（Ｒ）を発光する第１サブ画素としてのサブ画素３４Ｒと、第２の色としての青色（Ｂ）を発光する第２サブ画素としてのサブ画素３４Ｂと、第３の色としての緑色（Ｇ）を発光する第３サブ画素としてのサブ画素３４Ｇと、を有している。サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに対応して、赤色発光素子２７Ｒ、緑色発光素子２７Ｇ、青色発光素子２７Ｂが設けられている。以下では、対応する色を区別しない場合には、それぞれ単にサブ画素３４、発光素子２７と記す。

発光領域３２の周囲には、２つの走査線駆動回路１６と検査回路３５とが配置されている。検査回路３５は、有機ＥＬ装置１１の作動状況を検査するための回路である。基板３１の外周部には、陰極用配線３３が配置されている。また、基板３１の一辺側には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６は、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７を備えている。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１では、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにより、画像を形成する際の一つの単位である画素３８が構成される。有機ＥＬ装置１１は、それぞれの画素３８においてサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の光を射出することができる。これにより、有機ＥＬ装置１１は、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能である。

続いて、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。なお、本明細書では、図３における有機ＥＬ装置１１の陰極２５側を上方と呼ぶ。また、本明細書では、有機ＥＬ装置１１の陰極２５側表面の法線方向から見ることを「平面視」と呼ぶ。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９と発光機能層２６と陰極（共通電極）２５と、を備えている。陽極２４は、サブ画素３４Ｒに設けられた第１陽極としての陽極２４Ｒと、サブ画素３４Ｂに設けられた第２陽極としての陽極２４Ｂと、サブ画素３４Ｇに設けられた第３陽極としての陽極２４Ｇと、を有する。以下では、対応する色を区別しない場合には、単に陽極２４と記す。

有機ＥＬ装置１１は、発光機能層２６から発した光が発光領域３２（図２参照）において基板３１側に射出されるボトムエミッション型である。基板３１は、有機ＥＬ装置１１がボトムエミッション型であることから、基材に透光性材料が用いられる。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。

回路素子層４３は、下地保護膜４５と、駆動用トランジスター２３と、第１層間絶縁膜５４と、第２層間絶縁膜５５とを備えている。下地保護膜４５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）からなり、基板３１を覆って形成されている。

駆動用トランジスター２３は、下地保護膜４５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。駆動用トランジスター２３は、半導体膜４６とゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとドレイン電極２３ｄとソース電極２３ｓとを有している。半導体膜４６は、ポリシリコン膜からなり、下地保護膜４５上に島状に形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。

ゲート絶縁膜５２は、シリコン酸化膜等の透明な絶縁膜からなり、下地保護膜４５と半導体膜４６とを覆って形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、ゲート電極２３ｇが形成されている。ゲート電極２３ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等からなり、平面視で半導体膜４６のチャネル領域５１に重なる位置に設けられている。

第１層間絶縁膜５４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、チタン酸化膜（ＴｉＯ₂）等からなり、ゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとを覆って形成されている。第１層間絶縁膜５４上には、ソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとが形成されている。

ソース電極２３ｓは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のソース領域４７に電気的に接続されている。ドレイン電極２３ｄは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のドレイン領域４８に導電接続されている。

第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、チタン酸化膜（ＴｉＯ₂）等からなり、第１層間絶縁膜５４とソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとを覆って形成されている。第２層間絶縁膜５５は、アクリル樹脂等で構成されていてもよい。

陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）は、第２層間絶縁膜５５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。陽極２４は、透光性導電材料からなり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。陽極２４は、例えば、平面視で略矩形状の形状となっている。陽極２４は、第２層間絶縁膜５５に設けられたコンタクトホールを介して、駆動用トランジスター２３のドレイン電極２３ｄに電気的に接続されている。

第２層間絶縁膜５５上には、絶縁層５８と隔壁５９とが、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）等の無機材料からなる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保するとともに、サブ画素３４の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面視で一部が重なるように配置されている。

隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、サブ画素３４の領域を囲むように形成されている。換言すれば、隔壁５９の開口部が、サブ画素３４の領域となる。隔壁５９は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料からなる。なお、後述するように、発光機能層２６のうちの一部の層をインクジェット法等の塗布方式を用いて形成する場合は、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。

発光機能層２６は、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎、すなわち、発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）毎に異なる構成を有している。サブ画素３４Ｒ（赤色発光素子２７Ｒ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒと、第１正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｒと、第１発光層（赤色発光層）としての発光層６３Ｒとが、塗布方式によって順に形成されている。

サブ画素３４Ｇ（緑色発光素子２７Ｇ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇと、第３正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｇと、第３発光層（緑色発光層）としての発光層６３Ｇとが、塗布方式によって順に形成されている。

サブ画素３４Ｂ（青色発光素子２７Ｂ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂと、第２正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｂとが、塗布方式によって順に形成されている。

発光層６３Ｒ，６３Ｇ、正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、正孔ブロッキング機能を有する層としての正孔ブロッキング層６４が蒸着方式により形成されている。蒸着方式で形成されているので、塗布方式で形成される場合に比べて、正孔ブロッキング層６４をより緻密で薄い膜とすることができる。

正孔ブロッキング層６４上には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、青色を発光する機能を有する第２発光層（青色発光層）としての発光層６３Ｂが蒸着方式により形成されている。

発光層６３Ｂ上には、電子輸送層６５が蒸着方式により形成されている。これらの正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇと、正孔ブロッキング層６４と、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とにより、発光機能層２６が構成される。

ここで、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて赤色、緑色のそれぞれの良好な発光を得るには、発光層６３Ｒ，６３Ｇが電界強度の中心に位置するように、発光機能層２６の各層の膜厚が設定されていることが望ましい。換言すれば、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和が上層の正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きく、かつ、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和が正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きくなるように設定されていることが望ましい。

発光機能層２６において、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの膜厚は、例えば５０ｎｍ程度である。正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの膜厚は、例えば１５ｎｍ程度である。発光層６３Ｒの膜厚は、例えば７０ｎｍ程度であり、発光層６３Ｇの膜厚は、例えば６０ｎｍ程度である。正孔ブロッキング層６４の膜厚は、例えば、１ｎｍ程度である。発光層６３Ｂの膜厚は、例えば２０ｎｍ程度である。そして、電子輸送層６５の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度である。

これら各層の膜厚より、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒと（正孔輸送層６２Ｒから発光層６３Ｒまで）の膜厚の総和は８５ｎｍとなり、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和は７５ｎｍとなる。また、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５と（正孔ブロッキング層６４から電子輸送層６５まで）の膜厚の総和は４１ｎｍとなる。

したがって、有機ＥＬ装置１１の発光機能層２６では、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和と、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和とは、上層の正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きい。

なお、発光機能層２６の各層の膜厚は、上述した値に限定されるものではなく、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇと発光層６３Ｒ，６３Ｇとの膜厚の総和が、上層の正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きくなる範囲で適宜設定することができる。

発光機能層２６（電子輸送層６５）上には、陰極２５が、基板３１上の全面に形成されている。そして、陰極２５上には、例えば、缶封止方式等により封止が施されている（図示せず）。缶封止方式では、例えば、陰極２５側に凹型のガラスや金属製の対向基板がエポキシ等の接着剤を介して貼り付けられ、その間に乾燥剤が入れられる。

上述のように、有機ＥＬ装置１１は、塗布方式（インクジェット法）によって形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇと、蒸着方式よって形成された発光層６３Ｂとを有しており、３原色でのフルカラー表示が可能である。

塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点があり、生産性に優れる。しかしながら、塗布方式を用いて形成された発光層では、赤色発光層及び緑色発光層は発光効率や発光寿命（連続駆動の耐久性）等の特性において実用レベルにあるものの、青色発光層は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着方式を用いて形成された青色発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルに到達しており、塗布方式を用いて形成された赤色発光層及び緑色発光層よりも優れる場合がある。

ところで、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成によれば、塗布方式によって形成された赤色発光層及び緑色発光層上に、青色発光層が蒸着方式により形成されている。そのため、赤色発光層からの赤色発光及び緑色発光層からの緑色発光に青色発光層からの青色発光の混色が生じて色純度が低下し、有機ＥＬ装置の発色品質が低下するおそれがあるという課題があった。また、初期的には青色発光の混色が見られない場合でも、経時的な発光素子２７の駆動によって、赤色発光及び緑色発光に青色発光の混色が生じてくることが懸念されるという課題があった。

これに対して、有機ＥＬ装置１１では、蒸着方式により形成された発光層６３Ｂが、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられており、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて発光層６３Ｒ，６３Ｇの上層に位置している点では、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置と同様である。

しかしながら、有機ＥＬ装置１１では、発光層６３Ｒ，６３Ｇと発光層６３Ｂとの間に正孔ブロッキング機能を有する正孔ブロッキング層６４が設けられている。そのため、発光層６３Ｒ，６３Ｇから発光層６３Ｂ側に移動する正孔が、間に介在する正孔ブロッキング層６４により抑制されるので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｂの青色発光を弱め、混色を抑えることができる。

また、正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和が正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和よりも大きいので、サブ画素３４Ｒにおける電子と正孔との再結合を、発光層６３Ｒで安定的に生じさせることができる。同様に、正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和が正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和よりも大きいので、サブ画素３４Ｇにおける電子と正孔との再結合を、発光層６３Ｇで安定的に生じさせることができる。

これらにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、発光効率の高い赤色発光及び緑色発光を得ることができる。その結果、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置に比べて、赤色発光及び緑色発光の色純度が向上するので、高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置１１を提供することができる。

続いて、発光機能層２６の各層の構成材料を説明する。正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、ドーパントを含有する導電性高分子材料からなる。正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等で構成される。

塗布方式により形成される正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、例えば、下記化１に示すＴＦＢ（poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-alt-(1,4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino-1,4-phenylene)))）等のトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料で構成される。

発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂは、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。塗布方式により形成される赤色の発光層６３Ｒの構成材料として、例えば、下記化２に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１１１ＲＥ（Poly[{9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylene)fluorenylene}-alt-co-{2,5-bis(N,N−diphenylamino)-1,4-phenylene}]）を用いることができる。

同じく塗布方式により形成される緑色の発光層６３Ｇの構成材料として、例えば、下記化３に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１０９ＧＥ（Poly[(9,9-dioctyl-2,7-bis{2-cyanovinylenefluorenylene})-alt-co-(2-methoxy-5-{2-ethylhexyloxy}-1,4-phenylene)]）を用いることができる。

また、蒸着方式により形成される青色の発光層６３Ｂの構成材料として、例えば、下記化４に示すホスト材料のＢＤＡＦ（2-[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yi]-9,9-di(4-methylphenyl)fluoren）、及び、下記化５に示すゲスト材料のＢＣｚＶＢ（1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene）を用いることができる。

正孔ブロッキング層６４は発光層６３Ｒ及び６３Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化６に示すＢＡｌｑ（Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum）や、下記化７に示すＢｐｈｅｎ（4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline）を用いることができる。

電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３Ｂへの電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化８に示すＡｌｑ３を用いることができる。

陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とすることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図４〜図６は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、公知の方法を採用することができる工程については、詳細な説明を省略する。

まず、図４（ａ）に示すように、基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソ技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成する。そして、回路素子層４３上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に、ＩＴＯ等からなる陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。

次に、図４（ｂ）に示すように、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、例えば、絶縁層５８の材料であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）からなる絶縁膜を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように成膜形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁膜のうちサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、絶縁層５８が完成する。

続いて、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料であるアクリル樹脂を含む溶液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。そして、塗布した溶液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層におけるサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、隔壁５９が完成する。

ここで、発光機能層２６のうちの一部の層はインクジェット法等の塗布方式を用いて形成されるので、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。隔壁５９に撥液性を持たせる方式としては、例えば、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）を用い、隔壁形成工程におけるキュア時において撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法がある。

次に、図４（ｃ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）を、塗布方式により、例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。

詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ大気下で焼成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。

続いて、図５（ａ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）をそれぞれ、塗布方式により、例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。

詳しくは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ低酸素環境下で焼成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、ＴＦＢをシクロヘキシルベンゼンに溶解させたインク組成物を用いることができる。

次に、図５（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒ上に、発光層６３Ｒを、塗布方式により、例えば７０ｎｍの膜厚で形成する。また、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇ上に、発光層６３Ｇを、塗布方式により、例えば６０ｎｍの膜厚で形成する。

詳しくは、赤色または緑色の発光材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ、不活性雰囲気下で焼成する。発光材料の機能液としては、例えば、上記化２または上記化３で示された発光材料が溶媒に溶解されたものを用いることができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンなどが挙げられる。

次に、図５（ｃ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、サブ画素３４Ｒにおける発光層６３Ｒ上と、サブ画素３４Ｇにおける発光層６３Ｇ上と、サブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６２Ｂ上と、隔壁５９上とに、正孔ブロッキング機能を有する正孔ブロッキング層６４を、蒸着方式により形成する。正孔ブロッキング層６４は、例えば、ＢＡｌｑを用いて１ｎｍの膜厚で形成する。

次に、図６（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、正孔ブロッキング層６４上に発光層６３Ｂを、蒸着方式により形成する。発光層６３Ｂは、ホスト材料（ＢＤＡＦ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを、例えば、体積比１０：１で共蒸着して２０ｎｍの膜厚で形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｂ上に電子輸送層６５を、蒸着方式により、例えば２０ｎｍの膜厚で形成する。電子輸送層６５の材料としては、例えば、Ａｌｑ３を用いることができる。これにより、発光機能層２６が完成する。

次に、図３に示すように、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着方式により形成する。陰極２５としては、例えば、フッ化リチウム膜を１ｎｍ及びアルミニウム膜を１５０ｎｍこの順に積層させて形成する。

その後、図示しないが、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置１１が完成する。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）青色の発光層６３Ｂが蒸着方式で形成されているので、塗布方式で形成されている場合に比べて、青色の発光において高い発色品質、発光効率、及び発光寿命が得られる。また、発光層６３Ｂが３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられているので、蒸着工程において精密アライメントマスク等を用いたパターニングを必要としない。そして、赤色の発光層６３Ｒと緑色の発光層６３Ｇとが、生産性に優れる塗布方式で形成されているので、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１１を高い生産性と低コストで提供することができる。

（２）サブ画素３４Ｒにおける発光層６３Ｒと発光層６３Ｂとの間と、サブ画素３４Ｇにおける発光層６３Ｇと発光層６３Ｂとの間とに、正孔ブロッキング層６４が設けられているので、発光層６３Ｒ，６３Ｇから発光層６３Ｂへの正孔の移動が抑制される。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｂでの青色の発光が抑えられるので、赤色及び緑色の発光の色純度が向上する。その結果、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。

（３）サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和が上層の正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きく、かつ、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和が正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂと電子輸送層６５との総和よりも大きい。そのため、サブ画素３４Ｒにおける電子と正孔との再結合を、発光層６３Ｒで安定的に生じさせ、発光層６３Ｂでは抑制することができる。また、サブ画素３４Ｇにおける電子と正孔との再結合を、発光層６３Ｇで安定的に生じさせ、発光層６３Ｂでは抑制することができる。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、発光層６３Ｒと発光層６３Ｇとの発光効率が向上し、発光層６３Ｂの発光が抑えられるので、高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置１１を提供することができる。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図７は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図７に示すように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇと、正孔ブロッキング層６４と、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とを備えている。そして、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に、正孔輸送機能を有する層としての正孔輸送層６６が設けられている。

正孔輸送層６６は、正孔ブロッキング層６４上にサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って蒸着方式により形成されている。正孔輸送層６６は、サブ画素３４Ｂにおいて、正孔ブロッキング層６４により阻害され得る発光層６３Ｂに対する正孔注入性を補完し、発光層６３Ｂに対する正孔注入を促進する役割がある。これにより、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６３Ｂの青色発光を強めることができる。

正孔輸送層６６の膜厚は、例えば、１ｎｍ程度である。発光機能層２６における正孔輸送層６６以外の各層の膜厚は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１の発光機能層２６と同じに設定されている。これら各層の膜厚より、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和８５ｎｍ、及び、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和７５ｎｍに対して、正孔ブロッキング層６４から電子輸送層６５まで（正孔ブロッキング層６４と正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｂと電子輸送層６５と）の膜厚の総和は４２ｎｍとなる。

したがって、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１においても、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和と、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和とは、上層の正孔ブロッキング層６４から電子輸送層６５までの膜厚の総和よりも大きい。これにより、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられていても、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける電子と正孔との再結合を、発光層６３Ｒ，６３Ｇで安定的に生じさせることができる。これにより、有機ＥＬ装置７１においても、赤色及び緑色の発光において高い発色品質を維持できる。

正孔輸送層６６の構成材料としては、蒸着方式により形成される発光層６３Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料が用いられ、例えば、化９に示すα−ＮＰＤを用いることができる。なお、正孔輸送層６６以外の構成要素については、第１実施形態と同様の構成材料を用いることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図８は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、第１の実施形態と共通する工程については説明を省略する。第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、正孔ブロッキング層６４を形成する工程（図５（ｃ）参照）までは、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同じである。

正孔ブロッキング層６４を形成する工程に続いて、図８（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、正孔ブロッキング層６４上に正孔輸送層６６を、蒸着方式により、例えば、α−ＮＰＤを用いて１ｎｍの膜厚で形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、正孔輸送層６６上に発光層６３Ｂを蒸着法により形成する。続いて、図７に示すように、発光層６３Ｂ上に電子輸送層６５と陰極２５とを順に蒸着法により形成する。そして、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置７１が完成する。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（１）正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられているので、正孔ブロッキング層６４による発光層６３Ｂへの正孔の移動の抑制が緩和される。これにより、サブ画素３４Ｂにおける発光層６３Ｂへの正孔注入が促進され、発光層６３Ｂでの青色発光の発光効率が向上するので、より高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置７１を提供することができる。

（第３の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。

第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１に対して、サブ画素３４Ｂに形成された第２正孔輸送層としての正孔輸送層６７Ｂの構成材料が、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇに形成された正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの構成材料と異なる点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第２の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図９に示すように、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。

第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２の発光機能層２６では、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ上に正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇと発光層６３Ｒ，６３Ｇが積層形成され、サブ画素３４Ｂにおける正孔注入層６１Ｂ上に第２正孔輸送層としての正孔輸送層６７Ｂが設けられている。そして、発光層６３Ｒ，６３Ｇ及び正孔輸送層６７Ｂの上層には、正孔ブロッキング層６４と、正孔輸送層６６と、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とが積層して形成されている。

正孔輸送層６７Ｂは、サブ画素３４Ｂにおける絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の正孔注入層６１Ｂ上に、塗布方式（インクジェット法）によって形成されている。正孔輸送層６７Ｂの構成材料は、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの構成材料とは異なっている。正孔輸送層６７Ｂの構成材料としては、蒸着方式で形成される発光層６３Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料が用いられる。

有機ＥＬ装置７２では、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの構成材料として、高分子材料を用いて塗布方式で形成される発光層６３Ｒ，６３Ｇに対応して、高分子材料（例えば、ＴＦＢ）が用いられている。一方、正孔輸送層６７Ｂの構成材料としては、低分子材料を用いて蒸着方式で形成される発光層６３Ｂに対応して、例えば、低分子材料であるα−ＮＰＤ（化８参照）を用いることができる。

正孔輸送層６７Ｂの構成材料に発光層６３Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料を用いることにより、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇと同じ正孔輸送材料を用いる場合に比べて、発光層６３Ｂへの正孔注入性を向上させることができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける発光層６３Ｂの青色発光の発色品質、発光効率、及び発光寿命の向上を図ることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図１０は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、第２の実施形態と共通する工程については説明を省略する。第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）を形成する工程（図４（ｃ）参照）までは、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同じである。

正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）を形成する工程に続いて、図１０（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおける正孔注入層６１Ｒ上に正孔輸送層６２Ｒを、サブ画素３４Ｇにおける正孔注入層６１Ｇ上に正孔輸送層６２Ｇをそれぞれ、塗布方式により、例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。

続いて、図１０（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｂにおける正孔注入層６１Ｂ上に正孔輸送層６７Ｂを、塗布方式により、例えば３０ｎｍの膜厚で形成する。詳しくは、正孔輸送層材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、その後機能液を乾燥させ、低酸素環境下で焼成させる。正孔輸送層材料を含んだ機能液としては、例えば、α−ＮＰＤがオルトジクロロベンゼン等の溶媒に溶解されているものを用いることができる。

次に、図１０（ｃ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒ上に、発光層６３Ｒを、塗布方式により、例えば７０ｎｍの膜厚で形成する。また、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇ上に、発光層６３Ｇを、塗布方式により、例えば６０ｎｍの膜厚で形成する。そして、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｒ上と、発光層６３Ｇ上と、正孔輸送層６７Ｂ上と、隔壁５９上とに、正孔ブロッキング層６４を、蒸着方式により形成する。以降の工程は、第２の実施形態と同じである。

なお、正孔輸送層６７Ｂを形成する工程は、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇを形成する工程と同一の工程としてもよいし、発光層６３Ｒ，６３Ｇを形成する工程と同一の工程としてもよい。

以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（１）塗布方式で形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇと蒸着方式で形成された発光層６３Ｂとで発光層の材料が異なる構成において、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇとサブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６７Ｂとでそれぞれの発光層の材料に適した正孔輸送材料を用いることができるので、各サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，６３Ｂにおいて、発色品質、発光効率、及び発光寿命の向上を図ることができる。

（第４の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１１は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。

第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１及び第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２に対して、サブ画素３４Ｂに正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂが設けられていない点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第２の実施形態及び第３の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１１に示すように、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。

第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇと、発光層６３Ｒ，６３Ｇと、正孔ブロッキング層６４と、正孔輸送層６６と、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とを備えている。すなわち、有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６では、サブ画素３４Ｂにおける正孔注入層６１Ｂ上に正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂが設けられていない。正孔ブロッキング層６４は、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、正孔注入層６１Ｂ、及び隔壁５９上に形成されている。

有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６では、正孔注入層６１Ｂから注入される正孔は、正孔輸送層６６により発光層６３Ｂへ輸送される。例えば、塗布方式で形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇの発光に比べて、蒸着方式で形成された発光層６３Ｂの発光が良好であるような場合は、正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂの役割を正孔輸送層６６で兼ねさせることにより発光層６３Ｂへの正孔注入性を維持して、正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂをなくすことができる。

第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、図示を省略するが、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇを形成する工程と正孔ブロッキング層６４を形成する工程との間の、正孔輸送層６７Ｂを形成する工程が省かれる点が異なるが、他の工程は同じである。

以上説明したように、第４の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂの役割を正孔輸送層６６で兼ねさせることで、正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂをなくすことができる。これにより、有機ＥＬ装置７３の製造工程において、正孔輸送層６２Ｂまたは正孔輸送層６７Ｂを形成する工程を省くことができるので、有機ＥＬ装置の生産性の向上及びコスト低減を図ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る電子機器の構成を説明する。図１２は、第５の実施形態に係る電子機器の一例として、テレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、第５の実施形態に係るテレビの構成を、図１２を参照して説明する。

図１２に示すように、第５の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン（リモートコントローラー）１０５とを有する。表示部１０２には、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかが実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。

第５の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２に、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかを備えているので、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有している。

なお、電子機器は、テレビの他に、例えば、ディスプレイ、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等であってもよい。これらの電子機器であっても、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかを備えることで、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する電子機器を提供することができる。

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。図１３は、変形例に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。詳しくは、図１３（ａ）は変形例１に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図１３（ｂ）は変形例２に係る有機ＥＬ装置の模式断面図である。

（変形例１）
第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１では、正孔ブロッキング層６４を備え、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂが同じ材料で形成された構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１の構成に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２のように正孔輸送層６７Ｂの材料が正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの材料と異なる構成を適用してもよい。換言すれば、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２から正孔輸送層６６を省いた構成としてもよい。

図１３（ａ）に示す変形例１に係る有機ＥＬ装置７４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの材料と異なる材料で形成された正孔輸送層６７Ｂがサブ画素３４Ｂに設けられている点が異なっている。また、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２に対しては、正孔輸送層６６を備えていない点が異なっている。

変形例１に係る有機ＥＬ装置７４のように、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられていない構成であっても、正孔輸送層６７Ｂの構成材料に発光層６３Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料を用いることにより、発光層６３Ｂへの正孔注入性を向上させることができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光の発色品質、発光効率、及び発光寿命の向上を図ることができる。

（変形例２）
また、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１の構成に、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３の正孔輸送層６２Ｂが設けられていない構成を適用してもよい。換言すれば、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３から正孔輸送層６６を省いた構成としてもよい。

図１３（ｂ）に示す変形例２に係る有機ＥＬ装置７５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、サブ画素３４Ｂに正孔輸送層６２Ｂを備えていない点が異なっている。また、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２に対しては、正孔輸送層６６を備えていない点が異なっている。

発光層６３Ｒ，６３Ｇの発光に比べて発光層６３Ｂの発光が格段に良好であるような場合は、変形例２に係る有機ＥＬ装置７５のように、正孔輸送層６２Ｂを省くことにより、有機ＥＬ装置の生産性の向上及びコスト低減を図ることができる。

（変形例３）
また、図示を省略するが、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の構成において、正孔ブロッキング層６４と発光層６３Ｂとの間に設けられた正孔輸送層６６の構成材料が、青色を発光するゲスト材料を含む構成としてもよい。このような構成とすれば、発光層６３Ｂだけでなく正孔輸送層６６も青色を発光するため、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光を強めることができる。

正孔輸送層６６の構成材料が含む青色を発光するゲスト材料は、発光層６３Ｂの構成材料が含むゲスト材料と同じ材料（例えば、ＢＣｚＶＢ）であることが好ましい。そして、正孔輸送層６６の構成材料におけるゲスト材料の濃度は、発光層６３Ｂの構成材料におけるゲスト材料の濃度と同じであることが好ましい。例えば、発光層６３Ｂをホスト材料（ＢＤＡＦ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを体積比１０：１で共蒸着して形成する場合、正孔輸送層６６をホスト材料（α−ＮＰＤ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを体積比１０：１で共蒸着して形成することが好ましい。このような構成とすれば、発光層６３Ｂと正孔輸送層６６とで青色の発光効率が向上するので、より高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を提供することができる。

（変形例４）
また、図示を省略するが、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２の構成において、正孔輸送層６６の構成材料が、青色を発光するゲスト材料を含む構成としてもよい。このような構成とすれば、正孔輸送層６７Ｂによる正孔注入性の向上とあわせて、より高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を提供することができる。

変形例４においても、変形例３と同様に、正孔輸送層６６の構成材料が含むゲスト材料が発光層６３Ｂの構成材料が含むゲスト材料と同じ材料であり、正孔輸送層６６の構成材料におけるゲスト材料の濃度が発光層６３Ｂの構成材料におけるゲスト材料の濃度と同じであることが好ましい。

（変形例５）
また、図示を省略するが、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３の構成において、正孔輸送層６６の構成材料が、青色を発光するゲスト材料を含む構成としてもよい。このような構成とすれば、サブ画素３４Ｂに正孔輸送層６２Ｂが設けられていない構成であっても、高い発色品質を有し発光効率及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を提供することができる。

変形例５においても、変形例３と同様に、正孔輸送層６６の構成材料が含むゲスト材料が発光層６３Ｂの構成材料が含むゲスト材料と同じ材料であり、正孔輸送層６６の構成材料におけるゲスト材料の濃度が発光層６３Ｂの構成材料におけるゲスト材料の濃度と同じであることが好ましい。

（変形例６）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有し、赤色、緑色、青色の３色を発光する構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇのいずれかとサブ画素３４Ｂとの２つのサブ画素を有し２色を発光する構成であってもよいし、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの他に他の色を発光する１つ以上のサブ画素を有する構成であってもよい。

（変形例７）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置において、正孔ブロッキング層６４及び正孔輸送層６６はサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って形成された構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。正孔ブロッキング層６４及び正孔輸送層６６は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇに選択的に形成されていてもよい。

（変形例８）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置において、塗布方式で形成する発光層６３Ｒ，６３Ｇの材料、及び塗布方式で形成する正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの材料として、高分子材料を例示したが、本発明はこのような形態に限定されない。発光層６３Ｒ，６３Ｇの材料、及び正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの材料は、低分子材料であってもよい。

（変形例９）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、回路素子層４３及び陽極２４上に絶縁層５８及び隔壁５９を備える構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、回路素子層４３及び陽極２４上に隔壁５９のみを備える構成としてもよい。

（変形例１０）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、発光機能層２６から発した光が基板３１側に射出されるボトムエミッション型であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、発光機能層２６から発した光が陰極２５側に射出されるトップエミッション型であってもよい。

１１，７１，７２，７３，７４，７５…有機ＥＬ装置、２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）…陽極（第１陽極、第３陽極、第２陽極）、２５…陰極、２６…発光機能層、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素（第１サブ画素、第３サブ画素、第２サブ画素）、６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）…正孔注入層、６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）…正孔輸送層（第１正孔輸送層、第３正孔輸送層、第２正孔輸送層）、６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ…発光層（第１発光層、第３発光層、第２発光層）、６４…正孔ブロッキング層（正孔ブロッキング機能を有する層）、６５…電子輸送層、６６…正孔輸送層（正孔輸送機能を有する層）、６７Ｂ…正孔輸送層（第２正孔輸送層）、１０１…電子機器としてのテレビ。

Claims (17)

1. 第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、
   前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、
   前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、
   前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、
   前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、
   前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、
   少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層と前記第２発光層との間に設けられた、正孔ブロッキング機能を有する層と、
   を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記正孔ブロッキング機能を有する層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記正孔ブロッキング機能を有する層と前記第２発光層との間に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成された正孔輸送機能を有する層をさらに備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項３に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記正孔輸送機能を有する層の構成材料は、前記第２の色を発光するゲスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 請求項４に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第２発光層の構成材料は、前記ゲスト材料を含み、
   前記正孔輸送機能を有する層の前記構成材料における前記ゲスト材料の濃度は、前記第２発光層の前記構成材料における前記ゲスト材料の濃度と同じであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
6. 請求項３から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記第１発光層との間に設けられた第１正孔輸送層と、
   前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第２発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
7. 請求項６に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記正孔ブロッキング機能を有する層との間に設けられた第２正孔輸送層を備え、
   前記第２正孔輸送層の材料は、前記第１正孔輸送層の材料と異なることを特徴とする有機ＥＬ装置。
8. 請求項６または７に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１正孔輸送層から前記第１発光層までの膜厚の総和は、前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
9. 請求項２から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記画素は第３サブ画素をさらに有し、
   前記第３サブ画素には、第３陽極と、第３正孔輸送層と、塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第３発光層と、が設けられ、
   前記陰極は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って設けられ、
   前記第２発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３発光層と前記陰極との間にも設けられ、
   前記正孔ブロッキング機能を有する層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３陽極と前記第２発光層との間にも設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
10. 請求項９に記載の有機ＥＬ装置であって、
    前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
12. 第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素を備え、
    前記第１サブ画素に、第１の色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する第１発光層形成工程と、
    前記第１発光層形成工程の後に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、第２の色を発光する機能を有する第２発光層を蒸着方式で形成する第２発光層形成工程と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第１発光層形成工程と前記第２発光層形成工程との間に、少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層上に正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記画素は第３サブ画素をさらに有し、
    前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程の前に、前記第３サブ画素に第３の色を発光する機能を有する第３発光層を塗布方式で形成する第３発光層形成工程を有し、
    前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程では、前記第３発光層上を含めて、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って前記正孔ブロッキング機能を有する層を蒸着方式で形成し、
    前記第２発光層形成工程では、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、第２発光層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
15. 請求項１２から１４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記正孔ブロッキング機能を有する層を形成する工程と前記第２発光層形成工程との間に、前記正孔ブロッキング機能を有する層上に正孔輸送機能を有する層を蒸着法で形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
16. 請求項１３から１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第１発光層形成工程の前に、前記第１サブ画素に第１正孔輸送層を形成する工程と、
    前記第３発光層形成工程の前に、前記第３サブ画素に第３正孔輸送層を形成する工程と、
    前記第２発光層形成工程の後に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に電子輸送層を形成する工程と、を有し、
    前記第１正孔輸送層から前記第１発光層までの膜厚の総和が前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きく、かつ、前記第３正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が前記正孔ブロッキング機能を有する層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなるように各層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
17. 請求項１２から１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記塗布方式はインクジェット方式であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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