TWI538189B - 顯示裝置及電子機器 - Google Patents
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Description
本發明係關於顯示裝置及電子機器。
提出有如下之顯示裝置，即於有機電激發光元件(所謂之有機EL(electroluminescence，電激發光)元件)之製造中，以塗佈法形成發出各色光之有機EL元件所具有之紅色發光層與綠色發光層，且以真空蒸鍍法(蒸鍍法)形成藍色發光層(例如，專利文獻1)。
此係關注於如下方面之技術，即利用噴墨法般之塗佈法製作之有機EL元件若為發出紅色及綠色光之有機EL元件，則具有實用位準之發光壽命(亮度壽命)或發光效率(電流效率或外部量子效率)，但若為發出藍色光之有機EL元件，則大部分達不到實用位準之發光壽命或發光效率，又，利用真空蒸鍍法製作之發出藍色光之有機EL元件，與使用塗佈法製作而成者相比，其發光壽命延長數倍以上，大部分可達到實用位準。即存在如下情形：即便於使用噴墨法般之液相製程製作之某發光色之有機EL元件達不到實用位準之發光壽命或發光效率之情形時，使用真空蒸鍍法般之氣相製程製作之相同發光色之有機EL元件可具有實用位準之發光壽命或發光效率。
該顯示裝置中，紅色有機EL元件(紅色像素)及綠色有機EL元件(綠色像素)分別為使用真空蒸鍍法於該些所具有之紅色發光層及綠色發光層上形成有藍色發光層之構成，即為於包含紅色發光層及綠色發光層之整個面上藉由真空蒸鍍法而形成有藍色發光層之構成。因此，該構成之顯示裝置之製造方法無需使用高精細之遮罩而選擇性地僅於藍色有機EL元件(藍色像素)蒸鍍(成膜)藍色發光層，因而最適於具有大型面板之顯示裝置之製造。
然而，該情形時，紅色有機EL元件及綠色有機EL元件中，藍色發光層分別接觸設置於紅色發光層及綠色發光層上，因此大多情形時電子未自藍色發光層充分注入至紅色發光層及綠色發光層。
為此，紅色有機EL元件(紅色像素)及綠色有機EL元件(綠色像素)中，藍色發光層意外發光，由此各自之作為紅色及綠色之色純度降低。
即，於陰極與陽極之間包括複數個具有發光功能之層(發光功能層)之發光元件中存在如下問題，即具有上述發光功能之層中，無法使所期望之層選擇性地或支配性地發光。
[專利文獻1]日本專利特開2007-73532號公報
本發明之目的在於提供一種於陰極與陽極之間包括複數個具有發光功能之層之發光元件中，可使該些複數個具有發光功能之層中之所期望之層選擇性地或支配性地發光之顯示裝置及電子機器。
上述目的可藉由下述之本發明而達成。
本發明之顯示裝置係一種包括第1發光元件與第2發光元件之顯示裝置，上述第1發光元件包括：第1陽極；陰極；第1層，其設置於上述第1陽極與上述陰極之間，且具有發出第1色光之功能；第2層，其設置於上述第1陽極與上述第1層之間，且具有流過載子之功能；及第3層，其設置於上述第1陽極與上述第2層之間，且具有發出第2色光之功能；上述第2發光元件包括：第2陽極；上述陰極，其與上述第1發光元件共用地設置；第4層，其設置於上述第2陽極與上述陰極之間，且具有發出第1色光之功能；第5層，其設置於上述第2陽極與上述第4層之間，且具有抑制載子之流動之功能；及第1電洞注入層，其設置於上述第2陽極與上述第5層之間。
藉此，第1發光元件中，藉由第2層而使載子順利地進行流動，因此可選擇性地使第3層發光，因而第1發光元件為發出第2色光者。第2發光元件中，藉由第5層而抑制載子之流動，因此可使第1層發光，因而第2發光元件為發出第1色光者。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第2層包括：第1電洞輸送層，其配置於上述陰極側；及第1電子注入層，其配置於上述第1陽極側。
藉此，可確實地發揮作為第2層之功能。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第5層包括：第2電洞輸送層，其配置於上述陰極側；及第2電子注入層，其配置於上述第2陽極側。
藉此，可確實地發揮作為第5層之功能。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1電洞輸送層與上述第2電洞輸送層、及上述第1電子注入層與上述第2電子注入層一體地設置。
藉此，容易使顯示裝置大面積化。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1層與上述第4層一體地設置。
藉此，容易地使顯示裝置大面積化。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1電子注入層及上述第2電子注入層包含鹼金屬、鹼土類金屬或者該些之化合物。
藉此，第1發光元件中，可進一步提高經由第1電洞輸送層與第1電子注入層之自第1層向第3層之電子之注入性。第2發光元件中，可確實地抑制構成第2電子注入層之該些材料向第4層側之擴散。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1電洞注入層具有離子傳導性。
又，較為理想的是，第1電洞注入層具有離子傳導性。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1層及上述第4層係使用氣相製程而形成者。
包括經氣相製程而形成之第4層之發光元件充分具有實用位準之發光壽命特性。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第2電洞輸送層係使用氣相製程而形成者。
包括經氣相製程而形成之第2電洞輸送層之發光元件，係具有較包括經液相製程而形成之第2電洞輸送層之發光元件更優異之壽命特性者。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第3層係使用液相製程而形成者。
包括經液相製程而形成之第3層之顯示裝置可容易地大面積化。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1電洞注入層係使用液相製程而形成者。
包括經液相製程而形成之第1電洞注入層之顯示裝置可容易地大面積化。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1色為藍色。
如此，本發明之顯示裝置可較好地應用於第1發光元件包括具有發出藍色光之功能之第1層，且第2發光元件包括具有發出藍色光之功能之第4層之顯示裝置。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第2色為紅色或綠色中之任一者。
如此，本發明之顯示裝置可較好地應用於第1發光元件具有發出紅色或綠色光之功能之第3層之顯示裝置。
本發明之顯示裝置中，較佳為，上述第1發光元件作為發出上述第2色光之發光元件發揮功能，且上述第2發光元件作為發出上述第1色光之發光元件發揮功能。
本發明之電子機器之特徵在於包括本發明之顯示裝置。
藉此，可獲得可靠性高之電子機器。
以下，對將本發明之顯示裝置及電子機器示於隨附圖式之較佳實施方式進行說明。再者，本實施方式、本實施例、本比較例中之發光效率係指電流效率或外部量子效率。
(顯示裝置)
首先，對本發明之顯示裝置進行說明。
再者，以下，將本發明之顯示裝置應用於顯示器裝置之情形作為一例進行說明。
圖1係表示應用本發明之顯示裝置之顯示器裝置之實施方式的縱剖面圖。
圖1所示之顯示器裝置100包括：基板21；對應於子像素100R、100G、100B而設置之複數個發光元件1R、1G、1B；及用以分別驅動各發光元件1R、1G、1B之複數個驅動用電晶體24。
再者，本實施方式中，顯示器裝置100係當各發光元件1R、1G、1B發出光R、G、B時使該光R、G、B自基板21側透過之底部發光構造的顯示器面板。
於基板21上設置有複數個驅動用電晶體24，且以覆蓋該些驅動用電晶體24之方式形成有包含絕緣材料之平坦化層22。
各驅動用電晶體24包括：包含矽等半導體材料之半導體層241；形成於半導體層241上之閘極絕緣層242；形成於閘極絕緣層242上之閘極電極243；源極電極244；及汲極電極245。
又，於平坦化層22上，對應於各驅動用電晶體24而設置有發光元件(有機EL元件)1R、1G、1B。
發光元件1R、1G、1B分別於陽極3R、3G、3B與陰極8之間，自陰極8側起依序包括第1層、第2層及第3層。
第1層係具有發出第1色光之功能之層。以下，將具有發出某色光之功能之層稱作發光功能層。本實施方式中，第1色為藍色，第1層為藍色發光功能層5B。
第2層為載子選擇層46。載子選擇層係指具有藉由第3層之功能而選擇載子之流動之功能的層，以下，將具有藉由第3層之功能而選擇載子之流動之功能的層稱作載子選擇層。本實施方式中，載子選擇層46由第1電子注入層61與電洞輸送層43自陽極(3R、3G、3B)側依序積層而成之積層體構成。
於發光元件1R與1G中，第3層為具有發出第2色光之功能之層，且分別為紅色發光功能層5R與綠色發光功能層5G。即，本實施方式中之第2色於發光元件1R與1G中分別為紅色與綠色。
又，於發光元件1B中，第3層為電洞注入層41B。
發光元件1R於平坦化層22上依序積層有陽極3R、電洞注入層41R、中間層42R、作為第3層之紅色發光功能層5R、作為第2層之載子選擇層46、作為第1層之藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8。
又，發光元件1G於平坦化層22上依序積層有陽極3G、電洞注入層41G、中間層42G、作為第3層之綠色發光功能層5G、作為第2層之載子選擇層46、作為第1層之藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8。
進而，發光元件1B於平坦化層22上依序積層有陽極3B、作為第3層之電洞注入層41B、作為第2層之載子選擇層46、作為第1層之藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8。
相鄰之該構成之發光元件1R、1G、1B彼此之間設置有隔壁31，藉此個別地設置各發光元件1R、1G、1B。
本實施方式中，於各發光元件1R、1G、1B中，各陽極3R、3G、3B、各電洞注入層41R、41G、41B、各中間層42R、42G及各發光功能層5R、5G藉由以隔壁31區隔而個別地設置，而第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8一體地設置。藉由設為該構成，各發光元件1R、1G、1B之各陽極3R、3G、3B構成像素電極(個別電極)，進而，各發光元件1R、1G、1B之陰極8構成共用電極。又，各發光元件1R、1G、1B之各陽極3R、3G、3B藉由導電部(配線)27而電性連接於各驅動用電晶體24之汲極電極245。
如此，於包括發光元件1R、1G、1B之顯示器裝置100中，藉由使用驅動用電晶體24控制各發光元件1R、1G、1B之發光亮度，即藉由控制對各發光元件1R、1G、1B施加之電壓，而可使顯示器裝置100進行全色顯示。
下文對該構成之發光元件1R、1G、1B之詳細情況進行說明。
進而，本實施方式中，於該些發光元件1R、1G、1B上以覆蓋該些構件之方式形成有包含環氧樹脂之環氧層35。
而且，於環氧層35上以覆蓋其之方式設置有密封基板20。藉此，發光元件1R、1G、1B之氣密性得以確保，可防止氧或水分之浸入，從而可實現發光元件1R、1G、1B之可靠性之提高。
以上說明之顯示器裝置100可藉由使各發光元件1R、1G、1B同時發光而進行單色顯示，亦可藉由使各發光元件1R、1G、1B組合發光而進行全色顯示。
以下，依序對各發光元件1R、1G、1B進行說明。
(發光元件1R)
發光元件(紅色發光元件)1R係自陽極3R側依序積層有電洞注入層41R、中間層42R、紅色發光功能層5R、載子選擇層46、藍色發光功能層5B、電子輸送層62及第2電子注入層63而成之積層體插入陽極3R與陰極8之間而成者。
發光元件1R中，載子選擇層46由自陽極3R側依序積層有第1電子注入層61與電洞輸送層43而成之積層體所構成。又，發光元件1R中，陽極3R及陰極8分別構成個別電極及共用電極，陽極3R作為向電洞注入層41R注入電洞之電極發揮功能，陰極8作為經由第2電子注入層63向電子輸送層62注入電子之電極發揮功能。
以下，依序對構成發光元件1R之各部分進行說明。
[陽極3R]
陽極3R係向電洞注入層41R注入電洞之電極。
作為該陽極3R之構成材料並無特別限定，可較好地使用功函數大且導電性優異之材料。
作為陽極3R之構成材料，可列舉例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)，IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、In2O3、SnO2、加氟SnO2、加Sb之SnO2、ZnO、加Al之ZnO、加Ga之ZnO等金屬氧化物；及Au、Pt、Ag、Cu或包含該些物質之合金等，該些中可使用1種或組合2種以上而使用。
該陽極3R之平均厚度並不特別限定，較佳為10 nm以上且200 nm以下之程度，更佳為30 nm以上且150 nm以下之程度。
再者，於將顯示器裝置100設為底部發光構造之顯示器面板之情形時，對陽極3R要求光透過性，因此上述構成材料中，可較好地使用具有光透過性之金屬氧化物。
[電洞注入層41R]
電洞注入層41R係具有使來自陽極3R之電洞注入變得容易之功能者。
作為該電洞注入層41R之構成材料(電洞注入材料)並無特別限定，可較好地使用於導電性高分子材料(或導電性寡聚物材料)中添加有電子接受性摻雜物之離子傳導性電洞注入材料，以便能夠於後述之電洞注入層41R之形成步驟中使用液相製程形成。
作為該離子傳導性電洞注入材料，可列舉例如聚(3,4-二氧乙基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS，polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonic acid)般之聚塞吩系電洞注入材料；聚苯胺-聚(苯乙烯磺酸)(PANI/PSS，polyaniline/polystyrene sulphonic acid)般之聚苯胺系電洞注入材料；及由以下述通式(1)表示之苯胺寡聚體衍生物與以下述通式(4)表示之電子接受性摻雜物形成鹽而成之苯胺寡聚體系電洞注入材料。
[化1]
[式中，R1、R2及R3分別獨立地表示未取代或者取代之一價烴基或有機氧基，A及B分別獨立地表示以下述通式(2)或下述通式(3)表示之二價基，R4～R11分別獨立地表示氫原子、羥基、未取代或者取代之一價烴基或有機氧基、醯基或磺酸基，m及n分別獨立地為1以上之正數，且滿足m+n≦20]
[化2]
[化3]
[式中，D表示苯環、萘環、蒽環、菲環或雜環，R12、R13分別獨立地表示羧基或羥基]該電洞注入層之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm以上且150 nm以下之程度，更佳為10 nm以上且100 nm以下之程度。
再者，該電洞注入層41R亦可根據構成發光元件1R之陽極3R、中間層42R及紅色發光功能層5R之構成材料之種類及其膜厚等之組合而加以省略。
[中間層42R]中間層42R具有將自電洞注入層41R注入之電洞輸送至紅色發光功能層5R之功能。又，中間層42R亦有時具有阻擋欲自紅色發光功能層5R通過中間層42R之電子之功能。作為該中間層42R之構成材料並無特別限定，但可較好地使用例如以下述通式(5)表示之三苯基胺系聚合物等胺系化合物，以便能夠於後述之中間層42R之形成步驟中使用液相製程形成。
[化4]
該中間層42R之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm以上且100 nm以下之程度，更佳為10 nm以上且50 nm以下之程度。
再者，該中間層42R亦可根據構成發光元件1R之陽極3R、電洞注入層41R，紅色發光功能層5R、第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合而加以省略。
[紅色發光功能層5R]
紅色發光功能層5R包含發出紅色光之紅色發光材料而構成。
發光元件1R中，該紅色發光功能層5R構成設置於陽極3R與載子選擇層(第2層)46之間之第3層，該紅色發光功能層5R具有發出發光元件1R之第2色(紅色)光之功能。該紅色發光功能層5R之構成材料並無特別限定，較為理想的是可溶液化或分散液化，以便能夠於後述之紅色發光功能層5R之形成步驟中使用液相製程形成。由此，作為紅色發光功能層5R之構成材料，可較好地使用能夠溶解或分散於溶媒或分散媒中之高分子紅色發光材料及低分子紅色發光材料，可列舉例如以下述通式(6)及下述通式(7)表示之高分子紅色發光材料。
[化5]
再者，包括該經液相製程而形成之紅色發光功能層5R之發光元件1R為充分地具有實用位準之發光壽命特性者。該紅色發光功能層5R之平均厚度並無特別限定，較佳為10 nm以上且150 nm以下之程度，更佳為20 nm以上且100 nm以下之程度。
[載子選擇層46]藉由第1電子注入層61與電洞輸送層43自陽極3R側依序積層而成之積層體而構成載子選擇層(第2層)46。發光元件1R中，載子選擇層46進行將自藍色發光功能層5B流至載子選擇層46之電子順利地注入至紅色發光功能層5R之載子注入動作。因此，發光元件1R中，藍色發光功能層5B之發光大幅地受到抑制，而紅色發光功能層5R選擇性地或者支配性地發光。
[第1電子注入層61]第1電子注入層61為構成載子選擇層46之層中之一層，且係與紅色發光功能層5R接觸之層。作為該第1電子注入層61之構成材料，可列舉例如鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬、鹼金屬鹽(氧化物、氟化物、氯化物等)、鹼土類金屬鹽(氧化物、氟化物、氯化物等)、稀土類金屬鹽(氧化物、氟化物、氯化物等)、金屬錯合物等電子注入材料，可使用該些材料中之1種或組合2種以上而使用。
將第1電子注入層61設為以該電子注入材料為主材料而構成者，藉此可進一步提高電子經由載子選擇層46自藍色發光功能層5B向紅色發光功能層5R之注入效率。作為鹼金屬，可列舉例如Li、Na、K、Rb、Cs。又，作為鹼土類金屬，可列舉例如Mg、Ca、Sr、Ba。此外，作為稀土類金屬，可列舉例如Nd、Sm、Y、Tb、Eu。作為鹼金屬鹽，可列舉例如LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3、CsCl。又，作為鹼土類金屬鹽，可列舉例如CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2、BaCO3。進而，作為稀土類金屬鹽，可列舉例如SmF3、BrF3。
作為金屬錯合物，可列舉例如8-羥基喹啉鋰(Liq)或三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等以8-羥基喹啉及其衍生物為配位體之有機金屬錯合物。又，第1電子注入層61之形成製程既可使用真空蒸鍍法(蒸鍍法)或濺鍍法般之氣相製程，亦可使用噴墨法或狹縫塗佈法般之液相製程。進而，第1電子注入層61亦可以積層有2種以上之電子注入層之形式形成。藉此，載子選擇層46可確實地於發光元件1R中進行載子注入動作。第1電子注入層61之平均厚度並無特別限定，較佳為0.01 nm以上且10 nm以下之程度，更佳為0.1 nm以上且5 nm以下之程度。藉由將第1電子注入層61之平均厚度設定於該範圍內，載子選擇層46可確實地於發光元件1R中進行載子注入動作。
[電洞輸送層43]電洞輸送層43為構成載子選擇層46之層中之一層，且為與藍色發光功能層5B接觸之層。
作為該電洞輸送層43之構成材料並無特別限定，為了能夠於後述之電洞輸送層43之形成步驟中使用真空蒸鍍法般之氣相製程形成，可列舉例如N,N'-二苯基-N,N'-二(間甲苯基)-聯苯胺(TPD，N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine)、以下述式(8)表示之雙[N-(1-萘基)-N-苯基]聯苯胺(α-NPD，bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine)、及以下述式(9)表示之化合物般之聯苯胺衍生物等胺系化合物，可使用該些中之1種或組合2種以上使用。[化6]
該電洞輸送層43之平均厚度並無特別限定，較佳為1 nm以上且50 nm以下之程度，更佳為5 nm以上且30 nm以下之程度。藉由將電洞輸送層43之平均厚度設定於該範圍內，載子選擇層46可確實地於發光元件1R中進行載子注入動作。
[藍色發光功能層5B]藍色發光功能層5B包含發出藍色光之藍色發光材料而構成。
本實施方式中，該藍色發光功能層5B構成設置於陽極(3R、3G、3B)與陰極8之間之第1層，該藍色發光功能層5B具有發出第1色(藍色)光之功能。
作為該藍色發光功能層5B之構成材料並無特別限定，可較好地使用能夠於後述之藍色發光功能層5B之形成步驟中使用氣相製程形成者，可列舉例如以下述式(10)表示之苯乙烯衍生物之藍色發光材料。[化7]
又，此外，作為藍色發光功能層5B之構成材料，可使用將藍色發光材料作為客體材料摻雜於主體材料者。主體材料具有使電洞與電子再結合而生成激發子，並且使該激發子之能量轉移至藍色發光材料(福斯特(Forster)轉移或德克斯特(Dexter)轉移)之功能。藉由該主體材料之功能，作為客體材料之藍色發光材料被效率佳地激發而發光。
於此，作為主體材料，可列舉例如以下述式(11)、下述式(12)及下述式(13)表示之蒽衍生物，亦可使用該些中之1種或組合2種以上使用。又，作為客體材料之藍色發光材料，可列舉例如以下述式(14)、下述式(15)及下述式(16)表示之苯乙烯衍生物，亦可使用該些中之1種或組合2種以上使用。[化8]
再者，包括該經氣相製程形成之藍色發光功能層5B之發光元件1B係充分地具有實用位準之發光壽命特性者。
進而，於使用該客體材料及主體材料之情形時，藍色發光功能層5B中之客體材料之含量(摻雜量)，相對於主體材料而以重量比計較佳為0.1%以上且20%以下之程度，更佳為0.5%以上且10%以下之程度。藉由將客體材料之含量設為該範圍內，可優化發光效率。該藍色發光功能層5B之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm以上且100 nm以下之程度，更佳為10 nm以上且50 nm以下之程度。
[電子輸送層62]電子輸送層62係具有將自陰極8經由第2電子注入層63注入至電子輸送層62之電子輸送至藍色發光功能層5B之功能者。又，電子輸送層62有時具有阻擋欲自藍色發光功能層5B通過電子輸送層62之電洞之功能。作為電子輸送層62之構成材料(電子輸送材料)並無特別限定，為能夠於後述之電子輸送層62之形成步驟中使用氣相製程形成，可列舉例如：三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)或8-羥基喹啉鋰(Liq)等以8-羥基喹啉及其衍生物為配位體之有機金屬錯合物等之喹啉衍生物；2-(4-第三丁基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、2,5-雙(1-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)般之噁二唑衍生物；3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)般之三唑衍生物；以下述式(17)表示之化合物般之矽雜環戊二烯衍生物；吡啶衍生物；嘧啶衍生物；喹噁啉衍生物；及以下述式(18)表示之化合物般之含氮雜環衍生物等，可使用該些中之1種或組合使用2種以上。
[化9]
電子輸送層62之平均厚度並無特別限定，較佳為1 nm以上且100 nm以下之程度，更佳為5 nm以上且50 nm以下之程度。藉此，可將自第2電子注入層63注入之電子較好地輸送至藍色發光功能層5B。再者，該電子輸送層62亦可根據構成發光元件1R之紅色發光功能層5R、第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、第2電子注入層63及陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合而加以省略。[第2電子注入層63]第2電子注入層63係具有提高電子自陰極8向電子輸送層62之注入效率之功能者。
作為該第2電子注入層63之構成材料(電子注入材料)並無特別限定，可使用例如與作為上述第1電子注入層61之構成材料而列舉之材料相同者。再者，第2電子注入層63及第1電子注入層61之構成材料(電子注入材料)係分別根據夾持該些之2個層之構成材料之組合而選擇可獲得最佳注入效率者，因此第2電子注入層63之構成材料與第1電子注入層61之構成材料既可相同亦可不同。
第2電子注入層63之平均厚度並無特別限定，較佳為0.01 nm以上且100 nm以下之程度，更佳為0.1 nm以上且10 nm以下之程度。
再者，該第2電子注入層63亦可根據電子輸送層62與陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合而加以省略。[陰極8]陰極8係經由第2電子注入層63向電子輸送層62注入電子之電極。
作為該陰極8之構成材料，較佳為使用功函數較小之材料。作為陰極8之構成材料，為能夠於後述之陰極8之形成步驟中使用氣相製程形成，可使用例如Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au或包含該些之合金等，且可使用該些中之1種或組合2種以上(例如複數層之積層體等)而使用。尤其，於如本實施方式般設為底部發光構造之顯示器裝置100之情形時，不對陰極8要求光透過性，作為陰極8之構成材料，可較佳地使用例如Al、Ag、AlAg、AlNd等金屬或合金。藉由使用該金屬或合金作為陰極8之構成材料，可實現陰極8之電子注入效率及穩定性之提高。該陰極8之平均厚度並無特別限定，較佳為50 nm以上且1000 nm以下之程度，更佳為100 nm以上且500 nm以下之程度。
再者，於顯示器裝置100為頂部發光構造之顯示裝置之情形時，作為陰極8之構成材料而較佳為使用MgAg、MgAl、MgAu、AlAg等金屬或合金。藉由使用該金屬或合金作為陰極8之構成材料，可維持陰極8之光透過性，並且可實現陰極8之電子注入效率及穩定性之提高。該陰極8之平均厚度並無特別限定，較佳為1 nm以上且50 nm以下之程度，更佳為5 nm以上且20 nm以下之程度。再者，該構成之發光元件1R之陽極3R、電洞注入層41R、中間層42R、紅色發光功能層5R、第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間亦可設置任意層。
(發光元件1G)發光元件(綠色發光元件)1G係自陽極3G側依序積層有電洞注入層41G、中間層42G、綠色發光功能層5G、載子選擇層46、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63而成之積層體插入陽極3G與陰極8之間而成者。發光元件1G中，載子選擇層46由自陽極3G側依序積層有第1電子注入層61與電洞輸送層43而成之積層體所構成。又，發光元件1G中，陽極3G及陰極8分別構成個別電極及共用電極，陽極3G作為向電洞注入層41G注入電洞之電極發揮功能，陰極8作為經由第2電子注入層63向電子輸送層62注入電子之電極發揮功能。以下，對發光元件1G進行說明，但以與上述發光元件1R之不同點為中心進行說明，並省略相同事項之說明。發光元件1G除具有綠色發光功能層5G代替紅色發光功能層5R以外之構成與上述發光元件1R相同。
[綠色發光功能層5G]綠色發光功能層5G包含發出綠色光之綠色發光材料而構成。發光元件1G中，該綠色發光功能層5G構成設置於陽極3G與載子選擇層(第2層)46之間之第3層，該綠色發光功能層5G具有發出發光元件1G之第2色(綠色)光之功能。該綠色發光功能層5G之構成材料並無特別限定，較為理想的是可溶液化或分散液化之材料，以便能夠於後述之綠色發光功能層5G之形成步驟中使用液相製程形成。由此，作為綠色發光功能層5G之構成材料，可較好地使用能夠溶解或分散於溶媒或分散媒中之高分子綠色發光材料及低分子綠色發光材料，可列舉例如以下述通式(19)及下述通式(20)表示之高分子綠色發光材料。[化10]
再者，包括該經液相製程而形成之綠色發光功能層5G之發光元件1G係充分具有實用位準之發光壽命特性者。
該綠色發光功能層5G之平均厚度並無特別限定，較佳為10 nm以上且150 nm以下之程度，更佳為20 nm以上且100 nm以下之程度。再者，該構成之發光元件1G之陽極3G、電洞注入層41G、中間層42G、綠色發光功能層5G、第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間亦可設置任意層。(發光元件1B)發光元件(藍色發光元件)1B係自陽極3B側依序積層有電洞注入層41B、載子選擇層46、藍色發光功能層5B、電子輸送層62及第2電子注入層63而成之積層體插入陽極3B與陰極8之間而成者。
發光元件1B中，載子選擇層46由自陽極3B側依序積層有第1電子注入層61與電洞輸送層43而成之積層體構成。又，發光元件1B中，陽極3B及陰極8分別構成個別電極及共用電極，陽極3B作為向電洞注入層41B注入電洞之電極發揮功能，陰極8作為經由第2電子注入層63向電子輸送層62注入電子之電極發揮功能。以下，對發光元件1B進行說明，但以與上述發光元件1R之不同點為中心進行說明，並省略相同之事項之說明。發光元件1B省略中間層42R及紅色發光功能層5R之形成，且使電洞注入層41B與載子選擇層46相互接觸，除此構成以外之構成與上述發光元件1R相同。但因設為使電洞注入層41B與載子選擇層46相互接觸之構成而導致發光元件1B中之載子選擇層46之功能，與發光元件1R及1G中之載子選擇層46之功能有較大差異。又，有時對電洞注入層41B要求之功能亦不同。
[電洞注入層41B]電洞注入層41B係具有使來自陽極3B之電洞注入變得容易之功能者。作為該電洞注入層41B之構成材料(電洞注入材料)並無特別限定，為能夠於後述之電洞注入層41B之形成步驟中使用液相製程形成，可較好地使用於導電性高分子材料(或導電性寡聚物材料)中添加有電子接受性摻雜物之離子傳導性電洞注入材料。
又，作為電洞注入層41B之構成材料(電洞注入材料)而言，較為理想的是，構成第1電子注入層61之電子注入材料選擇易於擴散或者吸附之材料。藉此，載子選擇層46可確實地於發光元件1B中進行載子阻擋動作。構成第1電子注入層61之電子注入材料，可列舉例如離子傳導性電洞注入材料作為易於擴散或者吸附之電洞注入材料。作為該離子傳導性電洞注入材料，可使用與作為電洞注入層41R之構成材料(電洞注入材料)而列舉之材料相同者。
[載子選擇層46]藉由自陽極3B側依序積層有第1電子注入層61與電洞輸送層43而成之積層體構成載子選擇層(第2層)46。作為構成該些第1電子注入層61及電洞輸送層43之材料，分別可使用與上述發光元件1R之第1電子注入層61及電洞輸送層43相同者。
發光元件1B中，載子選擇層46進行載子阻擋動作，即阻擋自藍色發光功能層5B流向載子選擇層46之電子，而使該些電子滯留於藍色發光功能層5B。因此，發光元件1B中，藍色發光功能層5B效率佳地發光。為確實地進行該載子阻擋動作，較為理想的是發光元件1B之電洞輸送層43使用具有載子阻擋功能者。例如，藉由使用作為上述發光元件1R之電洞輸送層43之構成材料而列舉之胺系化合物而使電洞輸送層43成為具有電子阻擋功能者。再者，該構成之發光元件1B之陽極3B、電洞注入層41B、第1電子注入層61、電洞輸送層43、藍色發光功能層5B、電子輸送層62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間亦可設置任意層。
以下，以載子選擇層46之功能為中心對發光元件1R、1G、1B之作用效果進行說明。本實施方式中，載子選擇層(第2層)46係由自陽極(3R、3G、3B)側依序積層有第1電子注入層61與電洞輸送層43而成之積層體所構成。該構成之載子選擇層46係根據與載子選擇層46之陽極(3R、3G、3B)側接觸之層(第3層)而選擇性地控制自藍色發光功能層5B注入至載子選擇層46之電子之量的層。即，載子選擇層(第2層)46係具有根據第3層之功能而選擇載子之流動之功能之層。
具體而言，於如發光元件1R及1G般與載子選擇層46之陽極(3R、3G)側直接接觸之層分別為紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之情形時，即，於具有發出第2色光之功能之發光功能層接觸於載子選擇層之陽極側界面之情形時，載子選擇層46使自藍色發光功能層5B流向載子選擇層46之電子順利地注入至紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G(載子注入動作)。因此，發光元件1R之藍色發光功能層5B中電洞與電子之再結合確實地得以抑制或防止，因而發光元件1R之藍色發光功能層5B不發出藍色光，或即便發出藍色光，亦會確實地抑制該發光。相對於此，對紅色發光功能層5R自陰極8側經由藍色發光功能層5B供給(注入)電子，並且自陽極3R側供給(注入)電洞。而且，紅色發光功能層5R中電洞與電子再結合，藉由該再結合而生成激發子(激子)，於激發子恢復至基態時作為螢光或磷光而釋放能量，因此紅色發光功能層5R發出紅色光。其結果，發光元件1R發出紅色光。相同地，發光元件1G中，藍色發光功能層5B之發光亦大幅地受到抑制，綠色發光功能層5G選擇性地或者支配性地發光。其結果，發光元件1G發出綠色光。
另一方面，於如發光元件1B般與載子選擇層46之陽極3B側接觸之層為電洞注入層41B之情形時，即於電洞注入層接觸於載子選擇層之陽極側界面之情形時，載子選擇層46阻擋自藍色發光功能層5B流向載子選擇層46之電子，而使該些電子滯留於藍色發光功能層5B(載子阻擋動作)。因此，藍色發光功能層5B中，自陽極3B側供給(注入)之電洞與自陰極8側供給(注入)之電子易於再結合。藉由該再結合而生成激發子(激子)，於激發子恢復至基態時作為螢光或磷光而釋放能量，因而藍色發光功能層5B效率佳地發光。其結果，發光元件1B高效率地發出藍色光。如此，載子選擇層46根據與載子選擇層(第2層)46接觸之第3層之種類而進行載子注入動作或者進行載子阻擋動作。
至於發光元件1R與發光元件1G中之載子選擇層46對電子之行為、與發光元件1B中之載子選擇層46對電子之行為不同之理由，以電洞注入層41B為離子傳導性之電洞注入材料之情形為例進行說明。
首先，於如發光元件1R及1G般與載子選擇層46之陽極(3R、3G)側接觸之層分別為紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之情形時，構成發光元件1R及1G之載子選擇層46內之第1電子注入層61之電子注入材料分別擴散至發光元件1R及1G之電洞輸送層43內，藉此發光元件1R及1G之電洞輸送層43所具有之電子阻擋功能大幅降低。其結果，發光元件1R及1G中，電子自藍色發光功能層5B順利地注入至電洞輸送層43。進而，藉由存在於紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G與電洞輸送層43之間之第1電子注入層61之功能，亦順利地進行電子自電洞輸送層43向紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之注入。根據以上內容，於發光元件1R及1G般與載子選擇層46之陽極(3R、3G)側接觸之層分別為紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之情形時，載子選擇層46使自藍色發光功能層5B流向載子選擇層46之電子分別順利地注入至紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G(載子注入動作)。即，載子選擇層46進行使電子(載子)自藍色發光功能層5B順利地流向紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之動作。
另一方面，於如發光元件1B般，與載子選擇層46之陽極3B側接觸之層為電洞注入層41B，且該電洞注入層41B由離子傳導性之電洞注入材料構成之情形時，構成發光元件1B之載子選擇層46內之第1電子注入層61之電子注入材料遽烈地擴散至電洞注入層41B內，或者吸附於電洞注入層41B之陰極8側界面，因此構成發光元件1B之第1電子注入層61之電子注入材料未擴散至發光元件1B之電洞輸送層43內，從而發光元件1B之電洞輸送層43所具有之電子阻擋功能不會降低。其結果，發光元件1B中，自藍色發光功能層5B流向電洞輸送層43之電子藉由電洞輸送層43阻擋而滯留於藍色發光功能層5B內。根據以上內容，於與載子選擇層46之陽極3B側接觸之層為電洞注入層41B之情形時，載子選擇層46阻擋自藍色發光功能層5B流向載子選擇層46之電子而使該些電子滯留於藍色發光功能層5B(載子阻擋動作)。即，載子選擇層46進行抑制自藍色發光功能層5B流動而來之電子(載子)之流動之動作。
根據本發明者之研究，自發光元件1R除去載子選擇層46，且使藍色發光功能層5B與紅色發光功能層5R接觸而積層之構成之紅色發光元件(除去載子選擇層之紅色發光元件)中，若對該除去載子選擇層之紅色發光元件所具有之陽極3R與陰極8之間施加電壓，則無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入(供給)至紅色發光功能層5R，由此，於藍色發光功能層5B中電洞與電子再結合，因而藍色發光功能層5B發出藍色光，從而判斷出該除去載子選擇層之紅色發光元件之紅色之色純度惡化。又，除去載子選擇層之紅色發光元件中，因無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入(供給)至紅色發光功能層5R而導致紅色發光功能層5R中之電子與電洞之載子平衡被破壞，從而判斷出發光效率降低。進而，除去載子選擇層之紅色發光元件中，因無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入(供給)至紅色發光功能層5R而導致紅色發光功能層5R之陰極側界面上之相對於載子之能量阻障增加，從而判斷出驅動電壓上升。
如此，除去載子選擇層之紅色發光元件中，存在紅色之色純度惡化、發光效率之降低及驅動電壓之上升之問題。然而，設為如發光元件1R般於藍色發光功能層5B與紅色發光功能層5R之間插入有載子選擇層46之構成，藉此不會使自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子滯留於藍色發光功能層5B，而可使該電子順利地注入(供給)至紅色發光功能層5R，因而該些問題得以全部解決。
相同地，自發光元件1G除去載子選擇層46，且使藍色發光功能層5B與綠色發光功能層5G接觸而積層之構成之綠色發光元件(除去載子選擇層之綠色發光元件)中，無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入(供給)至綠色發光功能層5G，由此會產生綠色之色純度惡化、發光效率之降低及驅動電壓之上升之問題。然而，設為如發光元件1G般於藍色發光功能層5B與綠色發光功能層5G之間插入有載子選擇層46之構成，藉此不會使自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子滯留於藍色發光功能層5B，可使該電子順利地注入(供給)至綠色發光功能層5G，因而該些問題得以全部解決。又，本實施方式之電洞輸送層43與藍色發光功能層5B可使用氣相製程形成。根據本發明者之研究而判斷出，於發光元件1B之電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中至少一層之形成使用噴墨法般之液相製程構成之藍色發光元件中，與發光元件1B相比，存在其發光壽命或發光效率降低之問題。
可認為電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中至少一層之污染係導致該問題之原因之一。即，於如發光元件1B般可使用氣相製程形成電洞輸送層43與藍色發光功能層5B之情形時，不將電洞輸送層43之陰極側界面暴露於真空以外之環境中即可連續地進行下一藍色發光功能層5B之成膜，但若電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中至少一層之形成使用液相製程，則由於液相製程之成膜難以於真空環境中進行而使得液相製程之成膜於真空以外之環境(例如大氣或氮)中進行，從而至少電洞輸送層43之陰極8側界面暴露於真空以外之環境中。如此，得知於使用液相製程成膜電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中之至少一層之情形時，電洞輸送層43之陰極8側界面易於受到污染。又，於以液相製程進行電洞輸送層43之成膜之情形時，由於將使電洞輸送材料溶解或分散於溶媒或分散媒中而成之溶液用於成膜，故而有可能於電洞輸送層43內殘留有極微量之溶媒而導致該溶媒污染電洞輸送層43整體。相同地，於以液相製程進行藍色發光功能層5B之成膜之情形時，有可能於藍色發光功能層5B內殘留有極微量之溶媒而導致該溶媒污染藍色發光功能層5B整體。
相對於此，於如發光元件1B般可使用氣相製程形成電洞輸送層43與藍色發光功能層5B之情形時，可避免因使用液相製程形成電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中之至少一層所引起之電洞輸送層43與藍色發光功能層5B之污染，從而因使用液相製程形成電洞輸送層43與藍色發光功能層5B中之至少一層所引起之藍色發光元件之發光壽命或發光效率之降低之問題得以全部解決。
本實施方式中，較佳為，電洞注入層41B以離子傳導性之電洞注入材料為主材料而構成，且較佳為，第1電子注入層61以鹼金屬、鹼土類金屬或者該些之化合物之電子注入材料為主材料而構成，但該情形時，若發光元件1B中第1電子注入層61所包含之該些電子注入材料向電洞輸送層43側擴散，則會產生因電子注入材料擴散至電洞輸送層43所引起之電洞輸送層43之電子阻擋性之降低及伴隨此之藍色發光功能層5B之發光效率之降低，或因電子注入材料向藍色發光功能層5B擴散所引起之藍色發光功能層5B之發光之阻礙及伴隨此之發光效率之降低的問題。然而，本實施方式中，由於發光元件1B之第1電子注入層61與離子傳導性之電洞注入層41B接觸，故而電子注入材料遽烈地擴散至電洞注入層41B內，或者吸附於電洞注入層41B之陰極8側界面，由此，電子注入材料向電洞輸送層43側之擴散確實地得以抑制或防止，從而因上述電子注入材料向電洞輸送層43側擴散所引起之問題得以全部解決。
(顯示器裝置100之製造方法)以上之顯示器裝置100可以例如以下方式製造。[1]首先，準備基板21，以與應形成之子像素100R、100G、100B對應之方式形成複數個驅動用電晶體24之後，以覆蓋該些驅動用電晶體24之方式形成平坦化層22(第1步驟)。[1-A]首先，準備基板21，並於基板21上形成驅動用電晶體24。
[1-Aa]首先，於基板21上，藉由例如電漿CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法等而形成平均厚度30 nm以上且70 nm以下之程度之以非晶矽為主材料而構成之半導體膜。
[1-Ab]然後，藉由雷射退火或固相成長法等對半導體膜進行結晶化處理，而使非晶矽變化為多晶矽。
於此，雷射退火法中，使用例如準分子雷射且光束之長度為400 mm之線光束，其輸出強度設定為例如200 mJ/cm2左右。
[1-Ac]其次，使半導體膜圖案化而形成島狀，藉此獲得半導體層241，以覆蓋該些島狀半導體層241之方式，以例如TEOS(四乙氧基矽烷，tetraethoxysilane)或氧氣等為原料氣體，藉由電漿CVD法等而形成平均厚度60 nm以上且150 nm以下之程度之以氧化矽或氮化矽等為主材料而構成之閘極絕緣層242。
[1-Ad]繼而，於閘極絕緣層242上，藉由例如濺鍍法等而形成以鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬為主材料而構成之導電膜，之後，使該導電膜圖案化而形成閘極電極243。[1-Ae]其次，於該狀態下，注入高濃度之磷離子，對閘極電極243自行對準地形成源極、汲極區域。再者，未導入雜質之部分成為通道區域。[1-B]接下來，形成與驅動用電晶體24電性連接之源極電極244及汲極電極245。[1-Ba]首先，以覆蓋閘極電極243之方式形成第1平坦化層之後，形成接觸孔。[1-Bb]然後，於接觸孔內形成源極電極244及汲極電極245。
[1-C]其次，形成使汲極電極245與各陽極3R、3G、3B電性連接之配線(中轉電極)27。[1-Ca]首先，於第1平坦化層上形成第2平坦化層之後，形成接觸孔。[1-Cb]然後，於接觸孔內形成配線27。再者，藉由[1-B]步驟及[1-C]步驟中形成之第1平坦化層及第2平坦化層構成平坦化層22。[2]其次，於平坦化層22上，以與各配線27對應之方式形成陽極(個別電極)3R、3G、3B(第2步驟)。該陽極3R、3G、3B可藉由於平坦化層22上形成以陽極3R、3G、3B之構成材料為主材料而構成之薄膜之後使該薄膜圖案化而獲得。[3]繼而，於平坦化層22上，以區隔各陽極3R、3G、3B之方式，即以區隔形成各發光元件1R、1G、1B(子像素100R、100G、100B)之區域之方式形成隔壁(觸排)31(第3步驟)。
隔壁31可藉由如下方法等而獲得，即以覆蓋各陽極3R、3G、3B之方式於平坦化層22上形成絕緣膜之後，以使各陽極3R、3G、3B露出之方式使用光微影法等進行圖案化。
於此，至於隔壁31之構成材料，可考慮耐熱性、撥液性、油墨溶劑耐性及與平坦化層22等之密接性等而選擇。具體而言，作為隔壁31之構成材料，可列舉例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂般之有機材料或SiO2般之無機材料。又，隔壁31之開口形狀除為四邊形之外，亦可為例如圓形、橢圓形、六邊形等多邊形等之任意形狀。
再者，於設隔壁31之開口形狀為多邊形之情形時，較佳為角部帶有弧度者。藉此，於使用後述之液狀材料形成電洞注入層41R、41G、41B、中間層42R、42G及發光功能層5R、5G時，可將該些液狀材料確實地供給至隔壁31之內側空間之各個角落。該隔壁31之高度可根據發光元件1R、1G、1B之厚度而適當地設定，並無特別限定，較佳為0.5 μm以上且5 μm以下之程度。藉由設為該高度，可充分發揮作為隔壁(觸排)之功能。
再者，於藉由噴墨法而形成電洞注入層41R、41G、41B、中間層42R、42G及發光功能層5R、5G之情形時，較為理想的是形成有隔壁31之基板21被施以電漿處理。具體而言，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁31之基板21之表面進行電漿處理。藉此使陽極3R、3G、3B之表面與隔壁31之表面(包含壁面在內)活化並親液化。然後，以CF4等氟系氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含作為有機材料之感光性樹脂之隔壁31表面上氟系氣體反應而撥液化。藉此，可更有效地發揮隔壁31之作為隔壁之功能。
[4]其次，於位於應形成發光元件1R之區域之隔壁31內側，形成電洞注入層41R、中間層42R及紅色發光功能層5R，且於位於應形成發光元件1G之區域之隔壁31內側，形成電洞注入層41G、中間層42G及綠色發光功能層5G，進而，於位於應形成發光元件1B之區域之隔壁31內側形成電洞注入層41B(第4步驟)。以下，針對各發光元件1R、1G、1B而逐個地對該第4步驟進行詳述。[發光元件1R]於位於應形成發光元件1R之區域之隔壁31內側，依序形成電洞注入層41R、中間層42R及紅色發光功能層5R。以下，將形成各個層之步驟作為電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟及紅色發光功能層5R形成步驟而進行詳述。
[電洞注入層41R形成步驟]首先，藉由噴墨法而塗佈電洞注入層41R。具體而言，自噴墨印刷裝置之噴頭噴出含有電洞注入材料之電洞注入層41R形成用之油墨(液狀材料)並塗佈於各陽極3R上(塗佈步驟)。
於此，作為製備電洞注入層形成用之油墨所使用之溶媒(油墨溶媒)或分散媒(油墨分散媒)，可列舉例如：硝酸、硫酸、氨、過氧化氫、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸伸乙酯等各種無機溶媒；甲基乙基酮(MEK，methyl ethyl ketone)、丙酮、二乙酮、甲基異丁基酮(MIBK，methyl isobutyl ketone)、甲基異丙基酮(MIPK，methyl isopropyl ketone)、環己酮等酮系溶媒，甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、二乙二醇(DEG，diethylene glycol)、丙三醇等醇系溶媒，二乙醚、二異丙基醚、1,2-二甲氧乙烷(DME，dimethoxyethane)、1,4-二氧雜環己烷、四氫呋喃(THF，tetrahydrofuran)、四氫吡喃(THP，tetrahydropyran)、苯甲醚、二乙二醇二甲醚(diglyme)、二乙二醇乙醚(卡必醇)等醚系溶媒，甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、苯基賽路蘇等賽路蘇系溶媒，己烷、戊烷、庚烷，環己烷等脂肪族烴系溶媒，環己烷、四氫萘等脂環式烴系溶媒，甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香族烴系溶媒，吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族雜環化合物系溶媒，N,N-二甲基甲醯胺(DMF，dimethylformamide)、N,N-二甲基乙醯胺(DMA，dimethyl acetamide)等醯胺系溶媒，二氯甲烷、三氯甲烷，1,2-二氯乙烷等鹵素化合物系溶媒，乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸甲酯等酯系溶媒，二甲基亞碸(DMSO，dimethyl sulfoxide)、環丁碸等硫化合物系溶媒，乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶媒，甲酸、乙酸、三氯乙酸(trifluoroacetic acid)、三氯醋酸(trichloroacetic acid)等有機酸系溶媒般之各種有機溶媒；或包含該些溶媒之混合溶媒等。
再者，塗佈於陽極3R上之液狀材料之流動性高(黏性低)，向水平方向(面方向)擴散，但因陽極3R由隔壁31包圍而使得向特定區域以外之擴散受到阻止，從而可準確地規定電洞注入層41R之輪廓形狀。其次，對塗佈之電洞注入層41R實施後處理施(後處理步驟)。具體而言，使塗佈於各陽極3R上之電洞注入層形成用之油墨(液狀材料)乾燥而形成電洞注入層41R。藉由該乾燥而可除去溶媒或分散媒。作為乾燥方法，可列舉放置於減壓環境之方法、進行熱處理(例如40℃以上且80℃以下之程度)之方法、流通氮氣般之惰性氣體之方法等。進而，可根據需要而以100℃以上且300℃以下之程度對形成有電洞注入層41R之基板21進行加熱(烘烤)。藉由該加熱而可將乾燥後殘留於電洞注入層41R之膜內之溶媒或分散媒去除。又，於使用藉由加熱而交聯且相對於溶媒不溶化之電洞注入材料之情形時，亦可藉由該加熱而使電洞注入層41R不溶化。又，該加熱之後，為除去電洞注入層41R之未不溶化部分，亦有時藉由溶媒而對形成有電洞注入層41R之基板21表面進行沖洗(清洗)。藉由該沖洗，可防止電洞注入層41R之未不溶化部分混入至形成於電洞注入層41R上之中間層42R。
[中間層42R形成步驟]中間層42R形成步驟中，首先藉由與電洞注入層41R形成步驟相同之噴墨法而將中間層42R塗佈於各電洞注入層41R上，然後對塗佈之中間層42R實施與電洞注入層41R形成步驟相同之後處理。但中間層42R形成用之油墨所使用之油墨溶媒或油墨分散媒、後處理之方法及條件等可適當選擇適於形成中間層42R者。
[紅色發光功能層5R形成步驟]紅色發光功能層5R形成步驟中，首先藉由與電洞注入層41R形成步驟相同之噴墨法而將紅色發光功能層5R塗佈於各中間層42R上，然後對塗佈之紅色發光功能層5R實施與電洞注入層41R形成步驟相同之後處理。但紅色發光功能層5R形成用之油墨所使用之油墨溶媒或油墨分散媒、後處理之方法或條件等可適當選擇適於形成紅色發光功能層5R者。
以上之電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟、紅色發光功能層5R形成步驟中較佳為使用噴墨法。噴墨法中，可與基板面積之大小無關而高精度地控制油墨之噴出量及油墨滴之著落位置，因而藉由使用該方法而可實現電洞注入層41R之薄膜化、像素尺寸之微小化、進而顯示器裝置100之大面積化。又，由於將用以形成各層之油墨(液狀材料)選擇性地供給至隔壁31內側，因此可節省油墨而不浪費。但該些電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟、紅色發光功能層5R形成步驟中並不限定於噴墨法，亦可使用例如濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法等氣相製程、或旋塗法(熔溶膠法)、澆鑄法、微壓花輥筒式塗佈法、凹版印刷塗佈法、棒式塗佈法、輥塗法、線棒式塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、軟板印刷法、套版印刷法等液相製程。
[發光元件1G]
於位於應形成發光元件1G之區域之隔壁31內側，使用與發光元件1R相同之方法依序形成電洞注入層41G、中間層42G及綠色發光功能層5G。但於電洞注入層41G、中間層42G、綠色發光功能層5G之各層中，層形成用之油墨所使用之油墨溶媒或油墨分散媒、後處理之方法或條件等可適當選擇適於形成各層者。
[發光元件1B]
於位於應形成發光元件1B之區域之隔壁31內側，使用與發光元件1R之電洞注入層41R形成步驟相同之方法形成電洞注入層41B。但電洞注入層41B形成用之油墨所使用之油墨溶媒或油墨分散媒、後處理之方法或條件等可適當選擇適於形成電洞注入層41B者。於如以上般藉由噴墨法而形成電洞注入層41R、41G、41B、中間層42R、42G及發光功能層5R、5G之各層之情形時，各層經塗佈步驟與後處理步驟後已完全形成，但各層之塗佈步驟亦可與其他層之塗佈步驟同時進行，各層之後處理步驟亦可與其他層之後處理步驟同時進行。[5]其次，以與紅色發光功能層5R、綠色發光功能層5G、電洞注入層41B及隔壁31重疊之方式，即以覆蓋隔壁31之與平坦化層22接觸之面之相反側的整個面之方式形成第1電子注入層61(第5步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括(一體地)形成共用之第1電子注入層61。
該第1電子注入層61亦可藉由上述步驟[發光元件1R]中所說明之氣相製程或液相製程而形成，其中，較佳為使用氣相製程。藉由使用氣相製程，可防止紅色發光功能層5R、綠色發光功能層5G、電洞注入層41B與第1電子注入層61之間之層溶解，並且可確實地形成第1電子注入層61。
[6]其次，以覆蓋第1電子注入層61之整個面之方式形成電洞輸送層43(第6步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之電洞輸送層43。[7]繼而，以覆蓋電洞輸送層43之整個面之方式形成藍色發光功能層5B(第7步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之藍色發光功能層5B。[8]然後，以覆蓋藍色發光功能層5B之整個面之方式形成電子輸送層62(第8步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之電子輸送層62。[9]繼而，以覆蓋電子輸送層62之整個面之方式形成第2電子注入層63(第9步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之第2電子注入層63。[10]然後，以覆蓋第2電子注入層63之整個面之方式形成陰極8(第10步驟)。藉此，於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之陰極8。
再者，上述步驟[6]～[10]中所形成之各層，亦可藉由上述步驟[發光元件1R]中所說明之氣相製程或液相製程而形成，其中，較佳為使用氣相製程。藉由使用氣相製程，可防止鄰接層彼此間之層溶解，並且可確實地形成應形成之層。
又，上述步驟[發光元件1R]及[發光元件1G]中，分別使用噴墨法般之液相製程成膜發光功能層5R及5G，藉此可易於分開塗佈發光色不同之發光功能層5R及5G，且可易於實現顯示器裝置100之大面積化。此外，上述步驟[6]及[7]中，分別使用氣相製程(氣相成膜法)形成電洞輸送層43及藍色發光功能層5B，藉此發光元件1B成為充分具有實用位準之發光壽命者。進而，設為於各發光元件1R、1G、1B總括(一體地)形成共用之藍色發光功能層5B之構成，因此無需使用高精細之遮罩對發光元件1B選擇性地成膜藍色發光功能層5B，從而可簡化步驟，進而可易於實現顯示器裝置100之大面積化。又，上述步驟[5]及[6]中，分別設為於各發光元件1R、1G、1B總括形成共用之第1電子注入層61及電洞輸送層43之構成，即設為一體地形成由第1電子注入層61及電洞輸送層43構成之載子選擇層46之構成，因此無需使用高精細之遮罩對發光元件1B選擇性地成膜第1電子注入層61及電洞輸送層43，從而可簡化步驟，進而可易於實現顯示器裝置100之大面積化。
以上述方式對應於驅動用電晶體24而形成複數個分別發出紅色、綠色及藍色光之發光元件1R、1G、1B。[11]其次，準備密封基板20，於陰極8與密封基板20之間插入環氧系之接著劑之後，使該接著劑乾燥。藉此，可以藉由密封基板20覆蓋陰極8之方式經由環氧層35而使陰極8與密封基板20接合。該密封基板20發揮作為保護各發光元件1R、1G、1B之保護基板之功能。設為將該密封基板20設置於陰極8上之構成，藉此可更好地防止或降低發光元件1R、1G、1B與氧或水分接觸，從而可更確實地獲得發光元件1R、1G、1B之可靠性之提高或防止變質、劣化等之效果。
經過以上步驟而完成各發光元件1R、1G、1B由密封基板20密封之顯示器裝置(本發明之顯示裝置)100。該顯示器裝置100(本發明之顯示裝置)可組入各種電子機器。圖2係表示應用本發明之電子機器之行動型(或筆記型)個人電腦之構成之立體圖。該圖中，個人電腦1100包括具有鍵盤1102之主體部1104、及具有顯示部之顯示單元1106，顯示單元1106經由鉸鏈構造部而可轉動地支撐於主體部1104。該個人電腦1100中，顯示單元1106所具有之顯示部由上述之顯示器裝置100構成。圖3係表示應用本發明之電子機器之行動電話(包含PHS(personal handy-phone system，個人手持式電話系統)在內)之構成之立體圖。該圖中，行動電話1200包括複數個操作按鍵1202、聽筒1204、話筒1206及顯示部。行動電話1200中，該顯示部由上述之顯示器裝置100構成。
圖4係表示應用本發明之電子機器之數位靜態照相機之構成之立體圖。再者，該圖中，簡易地表示與外部機器之連接。
於此，通常之照相機係藉由被攝體之光學象而使鹵化銀照相膠片感光，相對於此，數位靜態照相機1300係藉由CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)等攝像元件將被攝體之光學象進行光電轉換而生成攝像信號(圖像信號)。於數位靜態照相機1300之殼體(主體)1302之背面設置有顯示部，該顯示部成為基於CCD之攝像信號而進行顯示之構成，其作為將被攝體顯示為電子圖像之取景器發揮功能。
數位靜態照相機1300中，該顯示部由上述之顯示器裝置100構成。於殼體內部設置有電路基板1308。該電路基板1308中設置有可存儲(記憶)攝像信號之記憶體。又，於殼體1302之正面側(圖示之構成中為背面側)設置有包含光學透鏡(攝像光學系統)及CCD等之受光單元1304。當撮影者確認顯示於顯示部之被攝體像並按下快門按鍵1306時，該時間點之CCD之攝像信號會被傳輸、存儲於電路基板1308之記憶體。
又，該數位靜態照相機1300中，於殼體1302之側面設置有視訊信號輸出端子1312及資料通信用之輸入輸出端子1314。而且，如圖示般，可根據需要而於視訊信號輸出端子1312連接電視監視器1430，且於資料通信用之輸入輸出端子1314連接個人電腦1440。進而，為如下構成，即藉由特定操作而使存儲於電路基板1308之記憶體中之攝像信號輸出至電視監視器1430或個人電腦1440。再者，本發明之電子機器除可應用於圖2之個人電腦(行動型個人電腦)、圖3之行動電話、圖4之數位靜態照相機之外，還可應用於例如電視或攝像機、取錄器型、監視器直視型錄影機、膝上型個人電腦、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事簿(亦包含帶有通信功能)、電子辭典、計算器、電子遊戲機器、文字處理器、工作站、電視電話、防盜用電視監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(point of sale，銷售點)終端、具有觸控面板之機器(例如金融機構之提款機、自動售票機)、醫療機器(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電顯示裝置、超音波診斷裝置、內窺鏡用顯示裝置)、魚群探測機、各種測定機器、計量儀器類(例如車輛、航空器、船舶之計量儀器類)、飛行模擬器、其他各種監視器類、投影器等投射型顯示裝置等。以上，基於圖示之實施方式對本發明之顯示裝置及電子機器進行了說明，但本發明並不限定於該些。例如，上述實施方式中，設為顯示裝置包括紅色發光元件及綠色發光元件作為發出波長較藍色長之光之發光元件之情形，但並不限定於該情形，亦可為包括黃色發光元件或橙色發光元件般之發出波長較藍色長之光之發光元件。
[實施例]下面，對本發明之具體實施例進行說明。再者，本實施例及比較例係關於大面積之顯示器裝置者，以噴墨法形成紅色發光元件及綠色發光元件，且以無需藉由高精細之遮罩進行分開塗佈之真空蒸鍍法形成藍色發光元件。首先，實施例1係上述本發明之實施方式之具體實施結果。其次，比較例1表示以噴墨法形成紅色發光元件及綠色發光元件，且以無需藉由高精細遮罩進行分開塗佈之真空蒸鍍法形成藍色發光元件之情形時所考慮之最普通的構造。進而，比較例2係試圖改善比較例1中特性惡化之紅色發光元件及綠色發光元件之特性之構造。此外，比較例3係試圖改善比較例1中特性惡化之藍色發光元件之特性之構造。
1.顯示裝置(發光裝置)及發光元件之製造(實施例1)<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板321。繼而，於該基板321上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜，之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極303R、303G、303B/個別電極)。然後，將形成有陽極303R、303G、303B之基板321依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極303R、303G、303B之基板321上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁(觸排)。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板321之表面進行電漿處理。藉此使陽極303R、303G、303B之表面與隔壁之表面(包含壁面在內)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板321之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。
<3A>然後，於位於應形成紅色發光元件301R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt%PEDOT/PSS水分散液。<3B>繼而，於位於應形成綠色發光元件301G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt%PEDOT/PSS水分散液。<3C>接下來，於位於應形成藍色發光元件301B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt%PEDOT/PSS水分散液。
<3D>其次，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板321進行加熱，而於各陽極303R、303G、303B上分別形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層341R、341G、341B。<4A>繼而，於位於應形成紅色發光元件301R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。<4B>然後，於位於應形成綠色發光元件301G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。
<4C>其次，使4A及4B之各步驟中塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板321進行加熱。進而，藉由二甲苯對基板321之應形成紅色發光元件301R及綠色發光元件301G之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層341R及341G上分別形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層342R及342G。
<5A>繼而，於位於應形成紅色發光元件301R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(6)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5B>然後，於位於應形成綠色發光元件301G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(19)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5C>其次，使5A及5B之各步驟中塗佈之、以上述通式(6)表示之化合物之四甲基苯溶液與以上述通式(19)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板321進行加熱。藉此，於各中間層342R及342G上分別形成包含以上述通式(6)表示之化合物之平均厚度60 nm之紅色發光功能層305R，及包含以上述通式(19)表示之化合物之平均厚度60 nm之綠色發光功能層305G。
<6>繼而，於分別位於應形成紅色發光元件301R之區域、應形成綠色發光元件301G之區域及應形成藍色發光元件301B之區域之紅色發光功能層305R、綠色發光功能層305G及電洞注入層341B上，形成以Cs2CO3為蒸鍍源並利用真空蒸鍍法形成之平均厚度0.5 nm之包含Cs之蒸鍍膜而設為第1電子注入層361。
於此，「包含Cs之蒸鍍膜(薄膜)」係指成為至少包含構成Cs鹽之金屬材料即Cs單體之薄膜，含金屬層亦可包含作為蒸鍍材料之金屬鹽。發明者藉由另行進行之預備實驗而觀察到以下所示之現象，並間接地確認出真空蒸鍍之膜不為僅由Cs鹽構成之膜而為包含Cs單體之膜。具體而言，若將於以Cs2CO3作為蒸鍍源形成之蒸鍍膜上積層Al蒸鍍膜而得者暴露於大氣中，則確認出Al表面遽烈地起泡而導致表面產生顯著之凹凸。若成膜Cs2CO3作為蒸鍍膜，則不會於積層之Al膜產生顯著之變化。可認為其原因在於，蒸鍍膜包含Cs單體，故而藉由暴露於大氣中而使Cs單體部急遽地氧化或吸濕。<7>繼而，於第1電子注入層361上，使用真空蒸鍍法形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層343。<8>然後，於電洞輸送層343上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之藍色發光功能層之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層305B。
於此，作為藍色發光功能層305B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。<9>繼而，於藍色發光功能層305B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層362。<10>其次，於電子輸送層362上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層363。
<11>繼而，於第2電子注入層363上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極308。<12>其次，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。藉由以上步驟而製造圖5所示之底部發光構造之顯示裝置。
(實施例2)除將上述實施例1中之上述步驟<5A>、上述步驟<5B>、上述步驟<5C>、上述步驟<7>、上述步驟<8>及上述步驟<9>分別變更為下述步驟<5A'>、下述步驟<5B'>、下述步驟<5C'>、下述步驟<7'>、下述步驟<8'>及下述步驟<9'>之外，與上述實施例1相同地製造圖5所示之底部發光構造之顯示裝置。
<5A'>其次，於位於應形成紅色發光元件301R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(7)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5B'>繼而，於位於應形成綠色發光元件301G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(20)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5C'>然後，使5A'及5B'之各步驟中塗佈之以上述通式(7)表示之化合物之四甲基苯溶液、與以上述通式(20)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板321進行加熱。藉此，於各中間層342R及342G上，分別形成包含以上述通式(7)表示之化合物之平均厚度50 nm之紅色發光功能層305R，及包含以上述通式(20)表示之化合物之平均厚度50 nm之綠色發光功能層305G。<7'>其次，於第1電子注入層361上，使用真空蒸鍍法形成包含以上述式(9)表示之化合物之平均厚度10 nm之電洞輸送層343。
<8'>繼而，於電洞輸送層343上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之藍色發光功能層之構成材料之平均厚度10 nm之藍色發光功能層305B。於此，作為藍色發光功能層305B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(13)表示之化合物，作為客體材料而使用上述式(15)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。<9'>其次，於藍色發光功能層305B上，使用真空蒸鍍法形成包含以上述式(17)表示之化合物之平均厚度30 nm之電子輸送層362。
(比較例1)<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板421。其次，於該基板421上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜，之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極403R、403G、403B/個別電極)。然後，將形成有陽極403R、403G、403B之基板421依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極403R、403G、403B之基板421上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板421之表面進行電漿處理。藉此使陽極403R、403G、403B之表面與隔壁之表面(包含壁面在內)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板421之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。<3A>繼而，於位於應形成紅色發光元件401R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3B>然後，於位於應形成綠色發光元件401G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。<3C>其次，於位於應形成藍色發光元件401B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3D>然後，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板421進行加熱，而於各陽極403R、403G、403B上分別形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層441R、441G、441B。
<4A>繼而，於位於應形成紅色發光元件401R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。<4B>然後，於位於應形成綠色發光元件401G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。<4C>其次，使4A及4B之各步驟中塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板421進行加熱。進而，藉由二甲苯而對基板421之應形成紅色發光元件401R及綠色發光元件401G之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層441R及441G上，分別形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層442R及442G。
<5A>繼而，於位於應形成紅色發光元件401R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(6)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5B>然後，於位於應形成綠色發光元件401G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(19)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。<5C>繼而，於位於應形成藍色發光元件401B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈α-NPD之1.0 wt%四氫萘溶液。<5D>其次，使5A、5B及5C之各步驟中塗佈之以上述通式(6)表示之化合物之四甲基苯溶液、以上述通式(19)表示之化合物之四甲基苯溶液、及α-NPD之四氫萘溶液乾燥之後，於氮環境中對基板421進行加熱。藉此，於各中間層442R及442G上，分別形成包含以上述通式(6)表示之化合物之平均厚度60 nm之紅色發光功能層405R，及包含以上述通式(19)表示之化合物之平均厚度60 nm之綠色發光功能層405G。進而，於電洞注入層441B上形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層443B。<6>繼而，於分別位於應形成紅色發光元件401R之區域、應形成綠色發光元件401G之區域及應形成藍色發光元件401B之區域之紅色發光功能層405R、綠色發光功能層405G及電洞輸送層443B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層405B。
於此，作為藍色發光功能層405B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層405B中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。<7>繼而，於藍色發光功能層405B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層462。
<8>然後，於電子輸送層462上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層463。<9>繼而，於第2電子注入層463上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極408。<10>然後，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。藉由以上步驟製造出相對於實施例1而省略第1電子注入層361之形成、且形成電洞輸送層443B代替電洞輸送層343之圖6所示之底部發光構造之顯示裝置。
(比較例2)<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板521。然後，於該基板521上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極503R、503G、503B/個別電極)。繼而，將形成有陽極503R、503G、503B之基板521依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。<2>其次，於形成有陽極503R、503G、503B之基板521上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板521之表面進行電漿處理。藉此使陽極503R、503G、503B之表面與隔壁之表面(包含壁面在內)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板521之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。<3A>繼而，於位於應形成紅色發光元件501R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3B>然後，於位於應形成綠色發光元件501G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3C>繼而，於位於應形成藍色發光元件501B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3D>其次，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板521進行加熱，而於各陽極503R、503G、503B上分別形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層541R、541G、541B。
<4A>繼而，於位於應形成紅色發光元件501R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。
<4B>然後，於位於應形成綠色發光元件501G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。
<4C>其次，使4A及4B之各步驟中塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板521進行加熱。進而，藉由二甲苯而對基板521之應形成紅色發光元件501R及綠色發光元件501G之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層541R及541G上分別形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層542R及542G。
<5A>繼而，於位於應形成紅色發光元件501R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈上述通式(6)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。
<5B>然後，於位於應形成綠色發光元件501G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈上述通式(19)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。
<5C>其次，於位於應形成藍色發光元件501B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈α-NPD之1.0 wt%四氫萘溶液。
<5D>其次，使5A、5B及5C之各步驟中塗佈之、以上述通式(6)表示之化合物之四甲基苯溶液、以上述通式(19)表示之化合物之四甲基苯溶液及α-NPD之四氫萘溶液乾燥之後，於氮環境中對基板521進行加熱。藉此，於各中間層542R及542G上，分別形成包含以上述通式(6)表示之化合物之平均厚度60 nm之紅色發光功能層505R，及包含以上述通式(19)表示之化合物之平均厚度60 nm之綠色發光功能層505G。進而，於電洞注入層541B上形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層543B。
<6>其次，於分別位於應形成紅色發光元件501R之區域、應形成綠色發光元件501G之區域及應形成藍色發光元件501B之區域之紅色發光功能層505R、綠色發光功能層505G及電洞輸送層543B上，形成以Cs2CO3作為蒸鍍源並利用真空蒸鍍法形成之平均厚度0.5 nm之包含Cs之蒸鍍膜而設為第1電子注入層561。
<7>繼而，於第1電子注入層561上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20nm之藍色發光功能層505B。
於此，作為藍色發光功能層505B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層505B中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<8>然後，於藍色發光功能層505B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層562。
<9>其次，於電子輸送層562上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層563。
<10>繼而，於第2電子注入層563上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極508。
<11>然後，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出相對於實施例1而形成電洞輸送層543B代替電洞輸送層343之圖7所示之底部發光構造之顯示裝置。
(比較例3)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板621。然後，於該基板621上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極603R、603G、603B/個別電極)。
繼而，將形成有陽極603R、603G、603B之基板621依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極603R、603G、603B之基板621上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板621之表面進行電漿處理。藉此使陽極603R、603G、603B之表面與隔壁之表面(包含壁面在內)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板621之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。
<3A>繼而，於位於應形成紅色發光元件601R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3B>然後，於位於應形成綠色發光元件601G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3C>其次，於位於應形成藍色發光元件601B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。
<3D>繼而，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板621進行加熱，而於各陽極603R、603G、603B上分別形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層641R、641G、641B。
<4A>其次，於位於應形成紅色發光元件601R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。
<4B>然後，於位於應形成綠色發光元件601G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。
<4C>其次，使4A及4B之各步驟中塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板621進行加熱。進而，藉由二甲苯對基板621之應形成紅色發光元件601R及綠色發光元件601G之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層641R及641G上分別形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層642R及642G。
<5A>繼而，於位於應形成紅色發光元件601R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(6)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。
<5B>然後，於位於應形成綠色發光元件601G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(19)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。
<5C>其次，使5A及5B之各步驟中塗佈之、以上述通式(6)表示之化合物之四甲基苯溶液及以上述通式(19)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板621進行加熱。藉此，於各中間層642R及642G上分別形成包含以上述通式(6)表示之化合物之平均厚度60 nm之紅色發光功能層605R，及包含以上述通式(19)表示之化合物之平均厚度60 nm之綠色發光功能層605G。
<6>繼而，於分別位於應形成紅色發光元件601R之區域、應形成綠色發光元件601G之區域及應形成藍色發光元件601B之區域之紅色發光功能層605R、綠色發光功能層605G及電洞注入層641B上，使用真空蒸鍍法形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層643。
<7>其次，於電洞輸送層643上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層605B。
於此，作為藍色發光功能層605B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<8>繼而，於藍色發光功能層605B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層662。
<9>然後，於電子輸送層662上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層663。
<10>其次，於第2電子注入層663上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極608。
<11>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出相對於實施例1而省略第1電子注入層361之形成之圖8所示之底部發光構造之顯示裝置。
(比較例4R)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板721。然後，於該基板721上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極703R)。
繼而，將形成有陽極703R之基板721依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極703R之基板721上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁(觸排)。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板721之表面進行電漿處理。藉此使陽極703R之表面與隔壁之表面(壁面含)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板721之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。
<3>繼而，於位於應形成紅色發光元件701R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。進而，使塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板721進行加熱，而於陽極703R上形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層741R。
<4>其次，於位於應形成紅色發光元件701R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。進而，使塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板721進行加熱。繼而，藉由二甲苯而對基板721之應形成紅色發光元件701R之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層741R上形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層742R。
<5>繼而，於位於應形成紅色發光元件701R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(6)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使塗佈之以上述通式(6)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板721進行加熱。藉此，於各中間層742R上形成包含以上述通式(6)表示之化合物之平均厚度80 nm之紅色發光功能層705R。
<6>其次，於紅色發光功能層705R上，形成以Cs2CO3作為蒸鍍源並利用真空蒸鍍法形成之平均厚度1 nm之包含Cs之蒸鍍膜而設為第2電子注入層763。
<7>然後，於第2電子注入層763上使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極708。
<8>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟而製造出圖9所示之底部發光構造之紅色發光元件701R。該紅色發光元件701R係用以使實施例1之紅色發光元件301R、比較例1之紅色發光元件401R、比較例2之紅色發光元件501R及比較例3之紅色發光元件601R之特性標準化。
(比較例4G)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板821。然後，於該基板821上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極803G)。
繼而，將形成有陽極803G之基板821依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極803G之基板821上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁(觸排)。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板821之表面進行電漿處理。藉此使陽極803G之表面與隔壁之表面(壁面含)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板821之表面進行電漿處理。藉此僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。
<3>繼而，於位於應形成綠色發光元件801G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt%PEDOT/PSS水分散液。進而，使塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板821進行加熱，而於陽極803G上形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層841G。
<4>其次，於位於應形成綠色發光元件801G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(5)表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之以上述通式(5)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板821進行加熱。繼而，藉由二甲苯而對基板821之應形成綠色發光元件801G之區域進行沖洗。藉此，於各電洞注入層841G上形成包含以上述通式(5)表示之化合物之平均厚度10 nm之中間層842G。
<5>然後，於位於應形成綠色發光元件801G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(19)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之以上述通式(19)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板821進行加熱。藉此，於各中間層842G上形成包含以上述通式(19)表示之化合物之平均厚度80 nm之綠色發光功能層805G。
<6>繼而，於綠色發光功能層805G上，形成以Cs2CO3作為蒸鍍源並利用真空蒸鍍法形成之平均厚度1 nm之包含Cs之蒸鍍膜而設為第2電子注入層863。
<7>其次，於第2電子注入層863上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極808。
<8>然後，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出圖10所示之底部發光構造之綠色發光元件801G。該綠色發光元件801G用以使實施例1之綠色發光元件301G、比較例1之綠色發光元件401G、比較例2之綠色發光元件501G及比較例3之綠色發光元件601G之特性標準化。
(比較例4B)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板921。然後，於該基板921上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO膜之後，使用光微影法使該ITO膜圖案化而形成ITO電極(陽極903B)。
繼而，將形成有陽極903B之基板921依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>其次，於形成有陽極903B之基板921上，藉由旋塗法而形成包含丙烯酸系樹脂之絕緣層之後，使用光微影法以使ITO電極露出之方式使該絕緣層圖案化而形成隔壁(觸排)。進而，首先以O2氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板921之表面進行電漿處理。藉此使陽極903B之表面與隔壁之表面(包含壁面在內)活化並親液化。繼而，以CF4氣體作為處理氣體對形成有隔壁之基板921之表面進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔壁表面上CF4氣體發生反應而撥液化。
<3>然後，於位於應形成藍色發光元件901B之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。進而，使所塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥之後，於大氣中對基板921進行加熱，而於陽極903B上形成包含PEDOT/PSS之平均厚度50 nm之離子傳導性之電洞注入層941B。
<4>繼而，於電洞注入層941B上，使用真空蒸鍍法形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層943B。
<5>其次，於電洞輸送層943B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層905B。
於此，作為藍色發光功能層905B之構成材料而言，作為主體材料而使用上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<6>繼而，於藍色發光功能層905B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層962。
<7>然後，於電子輸送層962上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層963。
<8>其次，於第2電子注入層963上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極908。
<9>然後，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出圖11所示之底部發光構造之藍色發光元件901B。該藍色發光元件901B用以使實施例1之藍色發光元件301B、比較例1之藍色發光元件401B、比較例2之藍色發光元件501B及比較例3之藍色發光元件601B之特性標準化。
(比較例5B)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板2121。然後，於該基板2121上，藉由濺鍍法形成平均厚度50 nm之ITO電極(陽極2103B)。
繼而，將形成有陽極2103B之基板2121依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>然後，於陽極2103B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下述式(21)表示之化合物之平均厚度50 nm之電洞注入層2141B。
[化11]
<3>其次，於電洞注入層2141B上，使用真空蒸鍍法形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層2143B。
<4>繼而，於電洞輸送層2143B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層2105B。
於此，作為藍色發光功能層2105B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<5>其次，於藍色發光功能層2105B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層2162。
<6>然後，於電子輸送層2162上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層2163。
<7>其次，於電子注入層上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極2108。
<8>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出圖12所示之陽極2103B上之各層包含蒸鍍層，電洞注入層2141B未使用離子傳導性之材料，且不具有第1電子注入層之底部發光構造之藍色發光元件2101B。
(比較例6B)
<1>首先，準備平均厚度1.0 mm之透明玻璃基板作為基板2221。然後，於該基板2221上，藉由濺鍍法而形成平均厚度50 nm之ITO電極(陽極2203B)。
繼而，將形成有陽極2203B之基板2221依序浸漬於丙酮、2-丙醇中進行超音波清洗之後，實施氧電漿處理。
<2>繼而，於陽極2203B上，使用真空蒸鍍法形成包含以上述式(21)表示之化合物之平均厚度50 nm之電洞注入層2241B。
<3>然後，於電洞注入層2241B上，形成以Cs2CO3作為蒸鍍源並利用真空蒸鍍法形成之平均厚度0.5 nm之包含Cs之蒸鍍膜而設為第1電子注入層2261B。
<4>其次，於第1電子注入層2261B上，使用真空蒸鍍法形成包含α-NPD之平均厚度10 nm之電洞輸送層2243B。
<5>繼而，於電洞輸送層2243B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度20 nm之藍色發光功能層2205B。
於此，作為藍色發光功能層2205B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(11)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(14)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<6>其次，於藍色發光功能層2205B上，使用真空蒸鍍法形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)之平均厚度20 nm之電子輸送層2262。
<7>繼而，於電子輸送層2262上，使用真空蒸鍍法形成包含氟化鋰(LiF)之平均厚度1 nm之第2電子注入層2263。
<8>然後，於電子注入層上，使用真空蒸鍍法形成包含Al之平均厚度100 nm之陰極2208。
<9>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式覆上玻璃製之保護罩(密封部材)，並藉由環氧樹脂而固定、密封。
藉由以上步驟製造出圖13所示之各層包含蒸鍍層之藍色發光元件。
藉由以上步驟製造出圖13所示之陽極2203B上之各層包含蒸鍍層，電洞注入層2241B未使用離子傳導性之材料，且不具有第1電子注入層2261B之底部發光構造之藍色發光元件2201B。
(比較例7R)
除將上述比較例4R中之上述步驟<5>變更為下述步驟<5'>之外，與上述比較例4R相同地製造圖9所示之底部發光構造之紅色發光元件701R。該比較例7R之紅色發光元件701R用以使實施例2之紅色發光元件301R之特性標準化。
<5'>其次，於位於應形成紅色發光元件701R之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(7)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之以上述通式(7)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板721進行加熱。藉此，於各中間層742R上形成包含以上述通式(7)表示之化合物之平均厚度80 nm之紅色發光功能層705R。
(比較例7G)
除將上述比較例4G中之上述步驟<5>變更為下述步驟<5'>之外，與上述比較例4G相同地製造圖10所示之底部發光構造之綠色發光元件801G。該比較例7G之綠色發光元件801G用以使實施例2之綠色發光元件301G之特性標準化。
<5'>其次，於位於應形成綠色發光元件801G之區域之隔壁內側，使用噴墨法塗佈以上述通式(20)表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之以上述通式(20)表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥之後，於氮環境中對基板821進行加熱。藉此，於各中間層842G上形成包含以上述通式(20)表示之化合物之平均厚度80 nm之綠色發光功能層805G。
(比較例7B)
除將上述比較例4B中之上述步驟<4>、上述步驟<5>及上述步驟<6>分別變更為下述步驟<4'>、下述步驟<5'>及下述步驟<6'>之外，與上述比較例4B相同地製造圖11所示之底部發光構造之藍色發光元件901B。該比較例7B之藍色發光元件901B用以使實施例2之藍色發光元件301B之特性標準化。
<4'>其次，於電洞注入層941B上，使用真空蒸鍍法形成包含以上述式(9)表示之化合物之平均厚度10 nm之電洞輸送層943B。
<5'>繼而，於電洞輸送層943B上，使用真空蒸鍍法形成包含以下所示之構成材料之平均厚度10 nm之藍色發光功能層905B。
於此，作為藍色發光功能層905B之構成材料而言，作為主體材料而使用以上述式(13)表示之化合物，作為客體材料而使用以上述式(15)表示之化合物。又，藍色發光功能層中之客體材料(摻雜物)之含量(摻雜濃度)相對於主體材料而以重量比計為5.0%。
<6'>然後，於藍色發光功能層905B上，使用真空蒸鍍法形成包含以上述式(17)表示之化合物之平均厚度30 nm之電子輸送層962。
2.評估
針對各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件，分別以使亮度成為10 cd/m2之方式於發光元件流過恆定電流，目視觀察此時發光之發光元件之光色。
於此，選擇10 cd/m2之低亮度值之理由在於，各實施例之各發光元件及各比較例之各發光元件中，即便於高亮度側(高電流密度側)可獲得所期望之發光色，但發光色會隨著向低亮度側(低電流密度側)移動而發生變化，有時於低亮度側(低電流密度側)無法獲得所期望之發光色。反之，若於低亮度側(低電流密度側)可獲得所期望之發光色，則即便於高亮度側(高電流密度側)亦會毫無問題地獲得所期望之發光色。再者，於此獲得所期望之發光色係指紅色發光元件獲得紅色發光，綠色發光元件獲得綠色發光，藍色發光元件獲得藍色發光。
又，針對各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件，分別以使亮度成為1,000 cd/m2之方式於發光元件流過恆定電流，測定施加於發光元件之電壓及自發光元件射出之光之電流效率。
進而，針對各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件，分別以使初始亮度成為1,000 cd/m2之方式於發光元件流過恆定電流，並測定至成為初始亮度之80%為止之時間(LT80)。
然後，針對實施例1、比較例1、2、3，以比較例4R、4G、4B中測定之測定值為基準求出標準值。又，針對實施例2，以比較例7R、7G、7B中測定之測定值為基準求出標準值。
將該些結果示於表1、表2。
[表1]
[表2]
如自表1、表2所明白，各實施例之顯示裝置中，該些所具有之發光元件成為如下構成，即紅色發光元件301R於紅色發光功能層305R與藍色發光功能層305B之間，綠色發光元件301G於綠色發光功能層305G與藍色發光功能層305B之間，且藍色發光元件301B於電洞注入層341B與藍色發光功能層305B之間，分別插入有第1電子注入層361與電洞輸送層343作為載子選擇層，藉此紅色發光元件301R之紅色發光功能層305R、綠色發光元件301G之綠色發光功能層305G、且藍色發光元件301B之藍色發光功能層305B分別選擇性地發光。其結果，紅色、綠色及藍色之各發光元件301R、301G、301B中分別獲得高色純度之紅色發光、綠色發光及藍色發光。又，所有紅色、綠色及藍色之發光元件301R、301G、301B，於實施例1中獲得0.89以上、於實施例2獲得0.93以上之高標準化電流效率而成為發光效率優異之元件。進而，所有紅色、綠色及藍色之發光元件301R、301G、301B，於實施例1中獲得0.72以上、於實施例2中獲得0.65以上之優異之標準化壽命，從而可實現長壽命化。此外，紅色及綠色發光元件301R、301G之標準化電壓於實施例1中被抑制於1.15以下，於實施例2中被抑制於1.07以下，自驅動電壓之觀點考慮亦獲得優異之特性。
相對於實施例1及實施例2，比較例1之顯示裝置中省略插入第1電子注入層361與電洞輸送層343。因此，紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，均無法順利地自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R及綠色發光功能層405G注入電子，其結果為除紅色及綠色之外亦會發出藍色光。藉此，紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，紅色及綠色之色純度均大幅降低。其原因在於，比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R或者綠色發光功能層405G之電子注入性不充分，不僅紅色發光功能層405R或者綠色發光功能層405G，藍色發光功能層405B亦同時發光。
進而，比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G之標準化壽命(LT80)，分別顯示出0.13及0.38之較低值。可認為其原因在於，比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R或者綠色發光功能層405G之電子注入性不充分，從而導致紅色發光功能層405R或者綠色發光功能層405G之陰極408側界面之電子所引起之劣化加重。
又，比較例1之藍色發光元件401B之標準化壽命為0.51之較低值。其原因在於，以噴墨法成膜比較例1之藍色發光元件401B之電洞輸送層443B。即，若使用真空蒸鍍法般之氣相製程，則不使電洞輸送層443B之陰極408側界面暴露於真空以外之環境即可連續進行下一藍色發光功能層405B之成膜，但若使用噴墨法般之液相製程，則難以於真空環境中進行電洞輸送層443B之成膜，因而電洞輸送層443B之成膜於真空以外之環境(例如大氣或氮)中進行，從而至少電洞輸送層443B之陰極408側界面暴露於真空以外之環境中。於如此使用液相製程成膜電洞輸送層443B之情形時，電洞輸送層443B之陰極408側界面容易受到污染，此導致藍色發光元件401B之壽命縮短。又，於以液相製程進行電洞輸送層443B之成膜之情形時，將使電洞輸送材料溶解於溶媒而成之溶液用於成膜，因此會於電洞輸送層443B內殘留有極微量之溶媒，此會污染電洞輸送層443B整體，從而導致藍色發光元件401B之壽命縮短。
此外，比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G之標準化電壓顯示出1.25及1.27之較高值。其原因在於，比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R或者綠色發光功能層405G之電子注入性不充分，因此產生相對於紅色發光功能層405R及綠色發光功能層405G之陰極408側界面之電子之能量阻障較高之狀態，其結果為導致驅動電壓上升2成以上。
又，比較例2之顯示裝置中，相對於實施例1及實施例2而省略插入電洞輸送層343。然而，紅色發光元件501R及綠色發光元件501G中，因於藍色發光功能層505B與紅色發光功能層505R及綠色發光功能層505G之間存在第1電子注入層561，故而順利地進行自藍色發光功能層505B向紅色發光功能層505R及綠色發光功能層505G之電子注入，其結果，紅色發光元件501R中僅紅色發光功能層505R選擇性地發光，綠色發光元件501G中僅綠色發光功能層505G選擇性地發光，且可抑制藍色發光功能層505B之發光。但藍色發光元件501B中成為第1電子注入層561與藍色發光功能層505B接觸之構造，故而該第1電子注入層561阻礙藍色發光功能層505B之發光，因此，標準化電流效率與標準化壽命成為極端低的值，其結果與實用位準之特性相去甚遠。又，因電流效率變得極端低而導致出現驅動電壓大幅上升至1.36之結果。
又，比較例3之顯示裝置中，相對於實施例1及實施例2而省略插入第1電子注入層361。
因此，紅色發光元件601R中，無法順利地進行自藍色發光功能層605B向電洞輸送層643之電子注入、及自電洞輸送層643向紅色發光功能層605R之電子注入。因此，其結果為紅色發光功能層605R幾乎不發光，而藍色發光功能層605B發出強光。
相同地，比較例3之顯示裝置之綠色發光元件601G中，無法順利地進行自藍色發光功能層605B向電洞輸送層643之電子注入、及自電洞輸送層643向綠色發光功能層605G之電子注入。因此，其結果為綠色發光功能層605G幾乎不發光，而藍色發光功能層605B發出強光。
即，比較例3之顯示裝置中，紅色發光元件601R、綠色發光元件601G及藍色發光元件601B均發出藍色光。
對以上各實施例與各比較例之結果加以總結則為如下所述。首先，紅色發光元件與綠色發光元件可獲得所期望之發光色及0.60以上之實用位準之標準化壽命者為實施例1及實施例2及比較例2。然而，因比較例2之藍色發光元件501B之電流效率極端低，且壽命變得極端短，故而比較例2作為顯示裝置未達到實用位準。
其次，藍色發光元件可獲得所期望之發光色及0.60以上之實用位準之標準化壽命者為實施例1及實施例2及比較例3。然而，因比較例3之紅色發光元件601R與綠色發光元件601G發出藍色光，故而作為顯示裝置未達到實用位準。
以上，作為顯示裝置達到實用位準者為實施例1與實施例2。
再者，本發明之實施例1及實施例2之紅色發光元件301R、綠色發光元件301G及藍色發光元件301B均可獲得所期望色之原因在於，第1電子注入層361與電洞輸送層343之積層體作為載子選擇層發揮功能。又，本發明之實施例1及實施例2之紅色發光元件301R及綠色發光元件301G中可獲得0.60以上之實用位準之標準化壽命之原因亦在於，第1電子注入層361與電洞輸送層343之積層體作為載子選擇層發揮功能。進而，本發明之實施例之藍色發光元件301B可獲得0.60以上之實用位準之標準化壽命之原因在於，第1電子注入層361與電洞輸送層343之積層體作為載子選擇層發揮功能，且藉由真空蒸鍍法而成膜電洞輸送層343與藍色發光功能層305B。
根據比較例1與比較例3之藍色發光元件之比較，比較例3之包括藉由真空蒸鍍法而成膜之電洞輸送層643之藍色發光元件601B，與比較例1之包括藉由噴墨法而成膜之電洞輸送層443B之藍色發光元件401B相比可獲得接近其2倍之壽命，比較例3之藍色發光元件601B之發光壽命達到實用位準。進而根據實施例1與比較例3之藍色發光元件之比較而得知，實施例1之藍色發光元件301B之發光壽命與比較例3之藍色發光元件601B之發光壽命相同而達到實用位準。其原因在於，與比較例3之電洞輸送層643及藍色發光功能層605B相同地，藉由真空蒸鍍法成膜實施例1之電洞輸送層343及藍色發光功能層305B。
相同地，根據實施例2與比較例7B之藍色發光元件之比較而得知，實施例2之藍色發光元件301B之發光壽命與比較例7B之藍色發光元件901B之發光壽命相同而達到實用位準。其原因在於，與比較例7B之電洞輸送層943B及藍色發光功能層905B相同地，藉由真空蒸鍍法而成膜實施例2之電洞輸送層343及藍色發光功能層305B。
又，自依照上述電流效率之測定方法而測定之測定值，求出以比較例3之藍色發光元件601B之電流效率分別使比較例3之藍色發光元件601B之電流效率與實施例1之藍色發光元件301B之電流效率標準化而得之值。進而，求出以比較例5B之藍色發光元件2101B之電流效率分別使比較例5B之藍色發光元件2101B之電流效率與比較例6B之藍色發光元件2201B之電流效率標準化而得之值。
將該些結果示於表3、表4中。
[表3]
[表4]
於此，表3表示於藍色發光元件601B及301B分別具有之電洞注入層641B及341B包含離子傳導性之電洞注入材料之情形時，第1電子注入層361之有無如何影響藍色發光元件601B及301B之電流效率。相對於此，表4表示於藍色發光元件2101B及2201B分別具有之電洞注入層2141B及2241B包含離子傳導性之電洞注入材料之情形時，第1電子注入層2261B之有無對藍色發光元件2101B及2201B之電流效率有何種影響。
如自表3所明白，於電洞注入層641B及341B包含離子傳導性之電洞注入材料之情形時，包括第1電子注入層361之藍色發光元件301B之電流效率，與不包括第1電子注入層361之藍色發光元件601B之電流效率相比變化不大。相對於此，如自表4所明白，於電洞注入層2141B及2241B未包含離子傳導性之電洞注入材料之情形時為如下結果，即包括第1電子注入層2261B之藍色發光元件2201B之電流效率，與不包括第1電子注入層2261B之藍色發光元件2101B之電流效率相比大幅降低。
即，即便為電洞注入層/電子注入層/電洞輸送層/藍色發光功能層/電子輸送層之相同積層構造(積層體)，若電洞注入層未包含離子傳導性之電洞注入材料，則其結果亦會為因第1電子注入層2261B之存在而導致藍色發光元件2201B之藍色發光顯著受阻。
此情況表示於電洞注入層2241B未包含離子傳導性之電洞輸送材料之情形時，第1電子注入層2261B中所含之電子注入材料擴散至電洞輸送層2243B或藍色發光功能層2205B，由此導致藍色發光功能層2205B之藍色發光受阻。
相對於此，於電洞注入層341B包含離子傳導性之電洞輸送材料之情形時，第1電子注入層361中所含之電子注入材料主要擴散至電洞注入層341B，或者吸附於電洞注入層341B之陰極308側界面，因而大幅抑制向電洞輸送層343或藍色發光功能層305B之擴散。
即，實施例1及實施例2中，為使具有包含第1電子注入層361與電洞輸送層343之積層體之載子選擇層之藍色發光元件301B以較高之電流效率(發光效率)發光，必需於電洞注入層341B使用離子傳導性之電洞注入材料。
除上述實施方式之外亦可實施各種變形。以下，列舉變形例進行說明。
(變形例1)
本實施方式中，相對於發光元件1R、1G及1B，對發光元件1R及1G之第3層分別為紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G，且發光元件1R及1G之第1層為藍色發光功能層5B之情形進行了說明。然而，本發明之應用範圍並不限定於該情形，發光元件1R及1G之第3層與第1層分別為不同之發光色之發光功能層即可，例如，發光元件1R及1G之第3層分別發出黃色及橙色光，且第1層發出綠色光者亦可。該情形時，發光元件1R為包括黃色發光功能層代替紅色發光功能層5R者，發光元件1G為包括橙色發光功能層代替綠色發光功能層5G者。進而，發光元件1R及1G為包括綠色發光功能層代替藍色發光功能層5B者。
但較佳為如本實施方式般，對發光元件1R及1G各自之第3層應用紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G，對第1層應用藍色發光功能層5B。
(變形例2)
本實施方式中，對將顯示器裝置100應用於自基板21側射出光之底部發光構造之顯示器面板之情形進行了說明，但並不限定於此，亦可應用於自密封基板20側射出光之頂部發光構造之顯示器面板。藉此，可提高顯示器裝置100之色再現範圍。
(變形例3)
本實施方式中，於使顯示器裝置100之光R、G、B自基板21側透過時，未設置有與各光對應之彩色濾光片(色轉換層)，但亦可設為於與基板21接觸之面或者基板21內具有對應於各子像素100R、100G、100B而設置之彩色濾光片之構造。藉此，可提高顯示器裝置100之色再現範圍。
1B、301B、401B、501B、601B、901B、2101B、2201B．．．藍色發光元件
1G、301G、401G、501G、601G、801G．．．綠色發光元件
1R、301R、401R、501R、601R、701R．．．紅色發光元件
3R、3G、3B、303R、 陽極
303G、303B、403R、403G、403B、503R、503G、503B、603R、603G、603B、703R、803G、903B、2103B、2203B．．．
5B、305B、405B、505B、605B、905B、2105B、2205B．．．藍色發光功能層
5G、305G、405G、505G、605G、805G．．．綠色發光功能層
5R、305R、405R、505R、605R、705R．．．紅色發光功能層
8、308、408、508、608、708、808、908、2108、2208．．．陰極
20．．．密封基板
21、321、421、521、621、721、821、921、2121、2221．．．基板
22．．．平坦化層
24．．．驅動用電晶體
27．．．配線
31．．．隔壁
35．．．環氧層
41R、41G、41B、341R、341G、341B、441R、441G、441B、541R、541G、541B、641R、641G、641B、741R、841G、941B、2141B、2241B．．．電洞注入層
42R、42G、342R、342G、442R、442G、542R、542G、642R、642G、742R、842G．．．中間層
43、343、443B、543B、643、943B、2143B、2243B．．．電洞輸送層
46．．．載子選擇層
61、361、561、2261B．．．第1電子注入層
62、362、462、562、662、962、2162、2262．．．電子輸送層
63、363、463、563、663、763、863、963、2163、2263．．．第2電子注入層
100．．．顯示器裝置
100R、100G、100B．．．子像素
241．．．半導體層
242．．．閘極絕緣層
243．．．閘極電極
244．．．源極電極
245．．．汲極電極
1100．．．個人電腦
1102．．．鍵盤
1104．．．主體部
1106．．．顯示單元
1200．．．行動電話
1202．．．操作按鍵
1204．．．聽筒
1206．．．話筒
1300．．．數位靜態照相機
1302．．．殼體(主體)
1304．．．受光單元
1306．．．快門按鍵
1308．．．電路基板
1312．．．視訊信號輸出端子
1314．．．資料通信用之輸入輸出端子
1430．．．電視監視器
1440．．．個人電腦
R、G、B．．．像素
圖1係表示應用本發明之顯示裝置之顯示器裝置之實施方式之縱剖面圖。
圖2係表示應用本發明之電子機器之行動型(或筆記型)個人電腦之構成之立體圖。
圖3係表示應用本發明之電子機器之行動電話(亦包含PHS在內)之構成之立體圖。
圖4係表示應用本發明之電子機器之數位靜態照相機之構成之立體圖。
圖5係模式性地表示實施例1、2之顯示裝置之縱剖面圖。
圖6係模式性地表示比較例1之顯示裝置之縱剖面圖。
圖7係模式性地表示比較例2之顯示裝置之縱剖面圖。
圖8係模式性地表示比較例3之顯示裝置之縱剖面圖。
圖9係模式性地表示比較例4R、7R之顯示裝置之縱剖面圖。
圖10係模式性地表示比較例4G、7G之顯示裝置之縱剖面圖。
圖11係模式性地表示比較例4B、7B之顯示裝置之縱剖面圖。
圖12係模式性地表示比較例5B之顯示裝置之縱剖面圖。
圖13係模式性地表示比較例6B之顯示裝置之縱剖面圖。
1B．．．藍色發光元件
1G．．．綠色發光元件
1R．．．紅色發光元件
3R、3G、3B．．．陽極
5B．．．藍色發光功能層
5G．．．綠色發光功能層
5R．．．紅色發光功能層
8．．．陰極
20．．．密封基板
21．．．基板
22．．．平坦化層
24．．．驅動用電晶體
27．．．配線
31．．．隔壁
35．．．環氧層
41R、41G、41B．．．電洞注入層
42R、42G．．．中間層
43．．．電洞輸送層
46．．．載子選擇層
61．．．第1電子注入層
62．．．電子輸送層
63．．．第2電子注入層
100．．．顯示器裝置
100R、100G、100B．．．子像素
241．．．半導體層
242．．．閘極絕緣層
243．．．閘極電極
244．．．源極電極
245．．．汲極電極
R、G、B．．．像素
Claims (13)
- 一種顯示裝置，其特徵在於，其係包括第1發光元件與第2發光元件者，且上述第1發光元件包括：第1陽極；第1陰極；第1層，其設置於上述第1陽極與上述第1陰極之間，且具有發出第1色光之功能；第2層，其設置於上述第1陽極與上述第1層之間；及第3層，其設置於上述第1陽極與上述第2層之間，且具有發出第2色光之功能；上述第2發光元件包括：第2陽極；第2陰極；第4層，其設置於上述第2陽極與上述第2陰極之間，且具有發出第1色光之功能；第5層，其設置於上述第2陽極與上述第4層之間；及第1電洞注入層，其設置於上述第2陽極與上述第5層之間；上述第2層包括：第1電洞輸送層，其配置於上述第1陰極側；及第1電子注入層，其配置於上述第1陽極側；上述第5層包括：第2電洞輸送層，其配置於上述第2陰極側；及第2電子注入層，其配置於上述第2陽極側。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電洞輸送層與上述 第2電洞輸送層、及上述第1電子注入層與上述第2電子注入層一體地設置。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1層與上述第4層一體地設置。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電子注入層及上述第2電子注入層包含鹼金屬、鹼土類金屬或者該些之化合物。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電洞注入層及上述第2電洞注入層具有離子傳導性。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1層及上述第4層係使用氣相製程而形成者。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電洞輸送層及上述第2電洞輸送層係使用氣相製程而形成者。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第3層係使用液相製程而形成者。
- 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電洞注入層及上述第2電洞注入層係使用液相製程而形成者。
- 如請求項1至9中任一項之顯示裝置，其中上述第1色為藍色。
- 如請求項1至9中任一項之顯示裝置，其中上述第2色為紅色或綠色中之任一者。
- 如請求項1至9中任一項之顯示裝置，其中上述第1發光元件作為發出上述第2色光之發光元件發揮功能，且上述第2發光元件作為發出上述第1色光之發光元件發揮功 能。
- 一種電子機器，其特徵在於包括如請求項1至9中任一項之顯示裝置。
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