CN102347347B - 显示装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供显示装置和电子设备。该显示装置的特征在于，具有第1发光元件和第2发光元件，所述第1发光元件具备设于第1阳极和具有发出第1色光的功能的第1层之间的具有使载流子流动的功能的第2层、以及设于第1阳极和第2层之间的具有发出第2色光的功能的第3层，所述第2发光元件具备设于第2阳极和具有发出第1色光的功能的第4层之间的具有抑制载流子流动的功能的第5层、以及设于第2阳极和第5层之间的第1空穴注入层。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置和电子设备。
背景技术
在有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)的制造中，提出了用涂布法形成发出各色光的有机EL元件具有的红色发光层和绿色发光层、并用真空蒸镀法(蒸镀法)形成了蓝色发光层的显示装置(例如，参照专利文献1)。
其是着眼于如下方面的技术，即，就使用喷墨法之类的涂布法制作的有机EL元件而言，虽然对于发出红色和绿色光的有机EL元件而言，具有实用水平的发光寿命(亮度寿命)、发光效率(电流效率或外部量子效率)，但是对于发出蓝色光的有机EL元件而言，往往未达到实用水平的发光寿命、发光效率，而使用真空蒸镀法制作的发出蓝色光的有机EL元件与使用涂布法制作的有机EL元件相比，其发光寿命延长数倍以上，多达到实用水平。即，即使在使用喷墨法之类的液相工艺制作的某发光色的有机EL元件未达到实用水平的发光寿命、发光效率的情况下，使用真空蒸镀法之类的气相工艺制作的同样的发光色的有机EL元件有时也具有实用水平的发光寿命、发光效率。
在这样的显示装置中，红色有机EL元件(红色像素)和绿色有机EL元件(绿色像素)采用分别在它们所具有的红色发光层和绿色发光层上使用真空蒸镀法形成蓝色发光层的构成，即，在包含红色发光层和绿色发光层的整个面上通过真空蒸镀法形成蓝色发光层的构成。因此，该构成的显示装置的制造方法无需使用高精细掩模选择性地仅在蓝色有机EL元件(蓝色像素)上蒸镀(成膜)蓝色发光层，因此最适于制造具有大型面板的显示装置。
然而，这时，在红色有机EL元件和绿色有机EL元件中，蓝色发光层设置为分别与红色发光层和绿色发光层上接触，因此，无法从蓝色发光层向红色发光层和绿色发光层充分注入电子的情况很多。
因此，红色有机EL元件(红色像素)和绿色有机EL元件(绿色像素)中，有时由于非目标的蓝色发光层发光，各自作为红色和绿色的色纯度降低。
即，在阴极和阳极之间具备多个具有发光功能的层(发光功能层)的发光元件中，存在无法选择性或支配性地使上述具有发光功能的层中的所需层发光的课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-73532号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供在阴极和阳极之间具备多个具有发光功能的层的发光元件中，能够选择性或支配性地使这些多个具有发光功能的层中的所需层发光的显示装置和电子设备。
这样的目的通过下述的本发明达成。
本发明的显示装置，其特征在于，具有第1发光元件和第2发光元件，
所述第1发光元件具备：
第1阳极、
阴极、
设于上述第1阳极和上述阴极之间的具有发出第1色光的功能的第1层、
设于上述第1阳极和上述第1层之间的具有使载流子流动的功能的第2层、以及
设于上述第1阳极和上述第2层之间的具有发出第2色光的功能的第3层，
所述第2发光元件具备：
第2阳极、
与上述第1发光元件共用地设置的所述阴极、
设于上述第2阳极和上述阴极之间的具有发出第1色光的功能的第4层、
设于上述第2阳极和上述第4层之间的具有抑制载流子流动的功能的第5层、以及
设于上述第2阳极和上述第5层之间的第1空穴注入层。
由此，在第1发光元件中，通过第2层使载流子的流动流畅地进行，可以使第3层选择性地发光，因此第1发光元件发出第2色光。在第2发光元件中，通过第5层抑制载流子的流动，可以使第1层发光，因此第2发光元件发出第1色光。
本发明的显示装置中，优选上述第2层具有配置于上述阴极侧的第1空穴输送层和配置于上述第1阳极侧的第1电子注入层。
由此，能够可靠地发挥作为第2层的功能。
本发明的显示装置中，优选上述第5层具有配置于上述阴极侧的第2空穴输送层和配置于上述第2阳极侧的第2电子注入层。
由此，能够可靠地发挥作为第5层的功能。
本发明的显示装置中，优选上述第1空穴输送层和上述第2空穴输送层、以及上述第1电子注入层和上述第2电子注入层一体化地设置。
由此，易于进行显示装置的大面积化。
本发明的显示装置中，优选上述第1层和上述第4层一体化地设置。
由此，易于进行显示装置的大面积化。
本发明的显示装置中，优选上述第1电子注入层和上述第2电子注入层由碱金属、碱土金属或它们的化合物构成。
由此，在第1发光元件中，能够进一步提高介由第1空穴输送层和第1电子注入层从第1层向第3层注入电子的注入性。进而，在第2发光元件中，可靠地抑制构成第2电子注入层的这些材料向第4层侧扩散。
本发明的显示装置中，优选上述第1空穴注入层具有离子传导性。
另外，较理想的是，第1空穴注入层是具有离子传导性的层。
本发明的显示装置中，优选上述第1层和上述第4层使用气相工艺形成。
具备经气相工艺形成的第4层的发光元件，充分具备实用水平的发光寿命特性。
本发明的显示装置中，优选上述第2空穴输送层使用气相工艺形成。
具备经气相工艺形成的第2空穴输送层的发光元件，与具备经液相工艺形成的第2空穴输送层的发光元件相比，具备更优良的发光寿命特性。
本发明的显示装置中，优选上述第3层使用液相工艺形成。
具备经液相工艺形成的第3层的显示装置，能够容易地大面积化。
本发明的显示装置中，优选上述第1空穴注入层使用液相工艺形成。
具备经液相工艺形成的第1空穴注入层的显示装置，能够容易地大面积化。
本发明的显示装置中，优选上述第1色为蓝色。
对于像这样第1发光元件具备具有发出蓝色光的功能的第1层且第2发光元件具备具有发出蓝色光的功能的第4层的显示装置，优选应用本发明的显示装置。
本发明的显示装置中，优选上述第2色为红色或绿色中的任一者。
对于像这样第1发光元件具备具有发出红色或绿色光的功能的第3层的显示装置，优选应用本发明的显示装置。
本发明的显示装置中，优选上述第1发光元件作为发出上述第2色光的发光元件发挥功能，上述第2发光元件作为发出上述第1色光的发光元件发挥功能。
本发明的电子设备，其特征在于，具备本发明的发光元件。
由此，能够得到可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是表示应用了本发明的显示装置的显示器装置的实施方式的纵剖面图。
图2是表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
图3表示应用了本发明的电子设备的移动电话(也包含PHS)的构成的立体图。
图4是表示应用了本发明的电子设备的数码照相机的构成的立体图。
图5是示意地表示实施例1、2的显示装置的纵剖面图。
图6是示意地表示比较例1的显示装置的纵剖面图。
图7是示意地表示比较例2的显示装置的纵剖面图。
图8是示意地表示比较例3的显示装置的纵剖面图。
图9是示意地表示比较例4R、7R的显示装置的纵剖面图。
图10是示意地表示比较例4G、7G的显示装置的纵剖面图。
图11是示意地表示比较例4B、7B的显示装置的纵剖面图。
图12是示意地表示比较例5B的显示装置的纵剖面图。
图13是示意地表示比较例6B的显示装置的纵剖面图。
符号说明
1R、301R、401R、501R、601R、701R......红色发光元件
1G、301G、401G、501G、601G、801G......绿色发光元件
1B、301B、401B、501B、601B、901B、2101B、2201B......蓝色发光元件
3R、3G、3B、303R、303G、303B、403R、403G、403B、503R、503G、503B、603R、603G、603B、703R、803G、903B、2103B、2203B......阳极
41R、41G、41B、341R、341G、341B、441R、441G、441B、541R、541G、541B、641R、641G、641B、741R、841G、941B、2141B、2241B......空穴注入层
42R、42G、342R、342G、442R、442G、542R、542G、642R、642G、742R、842G......中间层
43、343、443B、543B、643、943B、2143B、2243B......空穴输送层
46......载流子选择层
5R、305R、405R、505R、605R、705R......红色发光功能层
5G、305G、405G、505G、605G、805G......绿色发光功能层
5B、305B、405B、505B、605B、905B、2105B、2205B......蓝色发光功能层
61、361、561、2261B......第1电子注入层
63、363、463、563、663、763、863、963、2163、2263......第2电子注入层
62、362、462、562、662、962、2162、2262......电子输送层
8、308、408、508、608、708、808、908、2108、2208......阴极
100......显示器装置
100R、100G、100B......亚像素
20......密封基板
21、321、421、521、621、721、821、921、2121、2221......基板
22......平坦化层
24......驱动用晶体管
241......半导体层
242......栅绝缘层
243......栅电极
244......源电极
245......漏电极
27......配线
31......间隔壁
35......环氧层
1100......个人电脑
1102......键盘
1104......主体部
1106......显示单元
1200......移动电话机
1202......操作按键
1204......受话口
1206......送话口
1300......数码照相机
1302......壳体(机身)
1304......受光单元
1306......快门按键
1308......电路基板
1312......视频信号输出端子
1314......数据通信用的输入输出端子
1430......电视监视器
1440......个人电脑
具体实施方式
以下，就附图所示的优选的实施方式对本发明的显示装置和电子设备进行说明。此外，本实施方式、本实施例、本比较例中的发光效率是指电流效率或外部量子效率。
(显示装置)
首先，对本发明的显示装置进行说明。
此外，下面以在显示器装置中应用了本发明的显示装置的情况为一例进行说明。
图1表示应用了本发明的显示装置的显示器装置的实施方式的纵剖面图。
图1所示的显示器装置100具有：基板21，与亚像素100R、100G、100B对应设置的多个发光元件1R、1G、1B和用于分别驱动各发光元件1R、1G、1B的多个驱动用晶体管24。
此外，本实施方式中，显示器装置100是如果各发光元件1R、1G、1B发出光R、G、B，则该光R、G、B从基板21侧透射的底部发光结构的显示器面板。
在基板21上设有多个驱动用晶体管24，为了覆盖这些驱动用晶体管24，形成了由绝缘材料构成的平坦化层22。
各驱动用晶体管24具有：由硅等半导体材料构成的半导体层241、在半导体层241上形成的栅绝缘层242、在栅绝缘层242上形成的栅电极243、源电极244和漏电极245。
另外，在平坦化层22上，与各驱动用晶体管24对应地设有发光元件(有机EL元件)1R、1G、1B。
发光元件1R、1G、1B分别在阳极3R、3G、3B与阴极8之间从阴极8侧依次具备第1层、第2层和第3层。
第1层是具有发出第1色的光的功能的层。以下，将具有发出某色光的功能的层称为发光功能层。本实施方式中，第1色为蓝色，第1层为蓝色发光功能层5B。
第2层为载流子选择层46。所谓载流子选择层，是具有根据第3层的功能而选择载流子流动的功能的层，以下，将具有根据第3层的功能而选择载流子流动的功能的层称为载流子选择层。本实施方式中，载流子选择层46由从阳极(3R、3G、3B)侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成。
在发光元件1R和1G中，第3层是具有发出第2色的光的功能的层，分别为红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G。即，本实施方式中的第2色在发光元件1R和1G中分别为红色和绿色。
另外，在发光元件1B中，第3层为空穴注入层41B。
发光元件1R在平坦化层22上依次层叠有阳极3R、空穴注入层41R、中间层42R、作为第3层的红色发光功能层5R、作为第2层的载流子选择层46、作为第1层的蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8。
另外，发光元件1G在平坦化层22上依次层叠有阳极3G、空穴注入层41G、中间层42G、作为第3层的绿色发光功能层5G、作为第2层的载流子选择层46、作为第1层的蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8。
进而，发光元件1B在平坦化层22上依次层叠有阳极3B、作为第3层的空穴注入层41B、作为第2层的载流子选择层46、作为第1层的蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8。
上述构成的发光元件1R、1G、1B的相邻发光元件彼此之间设有间隔壁31，由此，各发光元件1R、1G、1B被单个设置。
本实施方式中，在各发光元件1R、1G、1B中，各阳极3R、3G、3B，各空穴注入层41R、41G、41B，各中间层42R、42G和各发光功能层5R、5G通过用间隔壁31划分而被单个设置，第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8被一体化地设置。通过采用该构成，各发光元件1R、1G、1B的各阳极3R、3G、3B构成像素电极(单个电极)，进而，各发光元件1R、1G、1B的阴极8构成共用电极。另外，各发光元件1R、1G、1B的各阳极3R、3G、3B通过导电部(配线)27与各驱动用晶体管24的漏电极245电连接。
这样，在具备发光元件1R、1G、1B的显示器装置100中，通过使用驱动用晶体管24控制各发光元件1R、1G、1B的发光亮度、即通过控制对各发光元件1R、1G、1B施加的电压，能够实现显示器装置100的全彩显示。
对于上述构成的发光元件1R、1G、1B的详细内容，在后进行说明。
进而，本实施方式中，在这些发光元件1R、1G、1B上，以覆盖它们的方式形成有由环氧树脂构成的环氧层35。
此外，在环氧层35上，以覆盖它的方式设有密封基板20。由此，可确保发光元件1R、1G、1B的气密性，防止氧、水分的浸入，因此可以实现发光元件1R、1G、1B的可靠性的提高。
以上说明的显示器装置100通过使各发光元件1R、1G、1B同时发光而能够进行单色显示，通过将各发光元件1R、1G、1B组合而使其发光，也能够进行全彩显示。
以下，对于各发光元件1R、1G、1B，依次进行说明。
发光元件1R
发光元件(红色发光元件)1R是在阳极3R和阴极8之间插入从阳极3R侧依次层叠有空穴注入层41R、中间层42R、红色发光功能层5R、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62和第2电子注入层63的层叠体而成的发光元件。
发光元件1R中，载流子选择层46由从阳极3R侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成。另外，发光元件1R中，阳极3R和阴极8分别构成单个电极和共用电极，阳极3R作为向空穴注入层41R中注入空穴的电极发挥功能，阴极8作为介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极发挥功能。
以下，对构成发光元件1R的各部分依次进行说明。
阳极3R
阳极3R是向空穴注入层41R注入空穴的电极。
作为该阳极3R的构成材料，并无特别限定，优选使用功函数大、导电性优异的材料。
作为阳极3R的构成材料，例如可举出ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、In3O3、SnO2、添加有氟的SnO2、添加有Sb的SnO2、ZnO、添加有Al的ZnO、添加有Ga的ZnO等金属氧化物，Au、Pt、Ag、Cu或包含它们的合金等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
这样的阳极3R的平均厚度，并无特别限定，优选为10nm～200nm左右，更优选为30nm～150nm左右。
此外，在使显示器装置100制成底部发光结构的显示器面板时，对阳极3R要求透光性，因此，优选使用上述的构成材料中具有透光性的金属氧化物。
空穴注入层41R
空穴注入层41R具有使从阳极3R的空穴注入容易的功能。
作为该空穴注入层41R的构成材料(空穴注入材料)，并无特别限定，但为了在后述的空穴注入层41R的形成工序中能够使用液相工艺形成，优选使用在导电性高分子材料(或导电性低聚物材料)中添加了受电子性掺杂剂的离子传导性空穴注入材料。
作为这样的离子传导性空穴注入材料，例如可举出聚(3，4-乙撑二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)之类的聚噻吩系空穴注入材料、聚苯胺-聚(苯乙烯磺酸)(PANI/PSS)之类的聚苯胺系空穴注入材料、下述通式(1)所示的低聚苯胺衍生物和下述通式(4)所示的受电子性掺杂剂形成盐而成的低聚苯胺系空穴注入材料。
[式中，R1、R2和R3各自独立地表示未取代或者取代的一价烃基或有机羟基，A和B各自独立地为下述通式(2)或下述通式(3)所示的二价基团，R4～R11各自独立地为氢原子、羟基、未取代或者取代的一价烃基或有机羟基、酰基或磺酸基，m和n各自独立地为1以上的正数，满足m+n≤20。]
[式中，D表示苯环、萘环、蒽环、菲环或杂环，R12、R13各自独立地表示羧基或羟基。]
这样的空穴注入层的平均厚度没有特别限制，优选为5nm～150nm左右，更优选10nm～100nm左右。
此外，该空穴注入层41R也可以根据构成发光元件1R的阳极3R、中间层42R和红色发光功能层5R的构成材料的种类及其膜厚等的组合而省略。
中间层42R
中间层42R具有将从空穴注入层41R注入的空穴输送至红色发光功能层5R的功能。另外，中间层42R有时还具有阻挡想要从红色发光功能层5R向中间层42R通过的电子的功能。
作为该中间层42R的构成材料，没有特别限制，为了在后述的中间层42R的形成工序中使用液相工艺形成，例如优选使用下述通式(5)所示的三苯基胺系聚合物等胺系化合物。
这样的中间层42R的平均厚度没有特别限制，优选5nm～100nm左右，更优选10nm～50nm左右。
此外，该中间层42R也可以根据构成发光元件1R的阳极3R、空穴注入层41R、红色发光功能层5R、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等的组合而省略。
红色发光功能层5R
红色发光功能层5R含有发出红色光的红色发光材料而构成。
发光元件1R中，该红色发光功能层5R构成设于阳极3R和载流子选择层(第2层)46之间的第3层，该红色发光功能层5R具有发出发光元件1R中的第2色(红色)的光的功能。
这样的红色发光功能层5R的构成材料没有特别限制，为了在后述的红色发光功能层5R的形成工序中能够使用液相工艺形成，较理想的是能够溶液化或分散液化。因此，作为红色发光功能层5R的构成材料，优选使用能够在溶剂或分散介质中溶解或分散的高分子红色发光材料和低分子红色发光材料，例如，可举出下述通式(6)和下述通式(7)所示的高分子红色发光材料。
此外，具备这样的经液相工艺形成的红色发光功能层5R的发光元件1R充分具备实用水平的发光寿命特性。
这样的红色发光功能层5R的平均厚度，没有特别限制，优选10nm～150nm左右，更优选20nm～100nm左右。
载流子选择层46
通过从阳极3R侧依次有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体，构成载流子选择层(第2层)46。
发光元件1R中，载流子选择层46进行将从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子流畅地注入红色发光功能层5R这样的载流子注入动作。因此，发光元件1R中，蓝色发光功能层5B的发光得到大幅抑制，红色发光功能层5R选择性或者支配性地发光。
第1电子注入层61
第1电子注入层61是构成载流子选择层46的层之一，是与红色发光功能层5R相接的层。
作为该第1电子注入层61的构成材料，例如可举出碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、碱土金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、稀土金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、金属配位化合物等之类的电子注入材料，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
通过以这样的电子注入材料为主体材料构成第1电子注入层61，能够进一步提高介由载流子选择层46从蓝色发光功能层5B向红色发光功能层5R注入电子的效率。
作为碱金属，例如可举出Li、Na、K、Rb、Cs。另外，作为碱土金属，例如可举出Mg、Ca、Sr、Ba。进而，作为稀土金属，例如可举出Nd、Sm、Y、Tb、Eu。
作为碱金属盐，例如可举出LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3、CsCl。另外，作为碱土金属盐，例如可举出CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2、BaCO3。进而，作为稀土金属盐，例如可举出SmF3、ErF3。
作为金属配位化合物，例如可举出8-羟基喹啉锂(Liq)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等以8-羟基喹啉及其衍生物作为配体的有机金属配位化合物。
另外，第1电子注入层61的形成工艺可以使用真空蒸镀法(蒸镀法)、溅射法之类的气相工艺，也可以使用喷墨法、狭缝涂布法之类的液相工艺。
进而，第1电子注入层61可以以层叠有2种以上的电子注入层的形式形成。由此，可以可靠地进行载流子选择层46在发光元件1R中的载流子注入动作。
第1电子注入层61的平均厚度没有特别限制，优选0.01nm～10nm左右，更优选0.1nm～5nm左右。通过将第1电子注入层61的平均厚度设定在该范围内，可以可靠地进行载流子选择层46在发光元件1R中的载流子注入动作。
空穴输送层43
空穴输送层43是构成载流子选择层46的层之一，是与蓝色发光功能层5B相接的层。
作为该空穴输送层43的构成材料，没有特别限制，为了在后述的空穴输送层43的形成工序中能够使用真空蒸镀法之类的气相工艺形成，例如可举出N，N’-二苯基-N，N’-二(间甲苯基)-联苯胺(TPD)、下述式(8)所示的双[N-(1-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)、下述式(9)所示的化合物之类的联苯胺衍生物等胺系化合物，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
这样的空穴输送层43的平均厚度没有特别限制，优选1nm～50nm左右，更优选5nm～30nm左右。通过将空穴输送层43的平均厚度设定在该范围内，可以可靠地进行载流子选择层46在发光元件1R中的载流子注入动作。
蓝色发光功能层5B
蓝色发光功能层5B含有发出蓝色光的蓝色发光材料而构成。
在本实施方式中，该蓝色发光功能层5B构成设于阳极(3R、3G、3B)和阴极8之间的第1层，该蓝色发光功能层5B具有发出的第1色(蓝色)的光的功能。
作为该蓝色发光功能层5B的构成材料，没有特别限制，优选使用在后述的蓝色发光功能层5B的形成工序中能够使用气相工艺形成的材料，例如可举出下述式(10)所示的苯乙烯基衍生物的蓝色发光材料。
另外，作为其他的蓝色发光功能层5B的构成材料，使用将蓝色发光材料作为客体材料掺杂在主体材料中而成的材料。主体材料具有使空穴和电子再结合而生成激子，并且使该激子的能量移动(福斯特移动或德克斯特移动)至蓝色发光材料的功能。通过该主体材料的功能，作为客体材料的蓝色发光材料高效地受到激发而发光。
这里，作为主体材料，例如可举出下述式(11)、下述式(12)和下述式(13)所示的蒽衍生物，还可以使用它们中的1种或将2种以上组合使用。另外，作为用作客体材料的蓝色发光材料，例如可举出下述式(14)、下述式(15)和下述式(16)所示的苯乙烯基衍生物，还可以使用它们中的1种或将2种以上组合使用。
此外，具备这样的经气相工艺形成的蓝色发光功能层5B的发光元件1B充分具备实用水平的发光寿命特性。
进而，使用这样的客体材料和主体材料时，蓝色发光功能层5B中的客体材料的含量(掺杂量)相对于主体材料以重量比计优选0.1％～20％左右，更优选0.5％～10％左右。通过使客体材料的含量在这样的范围内，可以使发光效率最适化。
这样的蓝色发光功能层5B的平均厚度没有特别限制，优选5nm～100nm左右，更优选10nm～50nm左右。
电子输送层62
电子输送层62具有将从阴极8介由第2电子注入层63注入电子输送层62的电子输送至蓝色发光功能层5B的功能。另外，电子输送层62有时还具有阻挡想要从蓝色发光功能层5B向电子输送层62通过的空穴的功能。
作为电子输送层62的构成材料(电子输送材料)，没有特别限制，为了在后述的电子输送层62的形成工序中能够使用气相工艺形成，例如优选使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)等以8-羟基喹啉或其衍生物为配体的有机金属配位化合物等喹啉衍生物；2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯)-1，3，4-二唑(tBu-PBD)、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)之类的二唑衍生物；3-(4-联苯)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)之类的三唑衍生物；下述式(17)所示的化合物之类的噻咯衍生物；吡啶衍生物；嘧啶衍生物；喹喔啉衍生物；下述式(18)所示的化合物之类的含氮杂环衍生物等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
电子输送层62的平均厚度没有特别限制，优选1nm～100nm左右，更优选5nm～50nm左右。由此，能够将从第2电子注入层63注入的电子很好地输送至蓝色发光功能层5B。
此外，该电子输送层62可以根据构成发光元件1R的红色发光功能层5R、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、第2电子注入层63和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等的组合而省略。
第2电子注入层63
第2电子注入层63具有使从阴极8向电子输送层62注入电子的效率提高的功能。
作为该第2电子注入层63的构成材料(电子注入材料)，没有特别限制，例如可以使用与上述的作为第1电子注入层61的构成材料而列举的材料相同的材料。
此外，第2电子注入层63和第1电子注入层61的构成材料(电子注入材料)分别根据夹持它们的2个层的构成材料的组合而选择可以得到最合适的注入效率的材料，因此第2电子注入层63的构成材料和第1电子注入层61的构成材料可以相同也可以不同。
第2电子注入层63的平均厚度没有特别限制，优选0.01nm～100nm左右，更优选0.1nm～10nm左右。
此外，该第2电子注入层63也可以根据电子输送层62和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等的组合而省略。
阴极8
阴极8是介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极。
作为该阴极8的构成材料，优选功函数小的材料。作为阴极8的构成材料，为了在后述的阴极8的形成工序中能够使用气相工艺形成，例如可以使用Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au或包含它们的合金等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合(例如，多层的层叠体等)而使用。
像本实施方式这样为底部发光结构的显示器装置100时，对阴极8尤其要求透光性，作为阴极8的构成材料，例如优选使用Al、Ag、AlAg、AlNd等金属或合金。通过使用该金属或合金作为阴极8的构成材料，可以实现阴极8的电子注入效率和稳定性的提高。
这样的阴极8的平均厚度没有特别限制，优选50nm～1000nm左右，更优选100nm～500nm左右。
此外，显示器装置100为顶部发光结构的显示装置时，作为阴极8的构成材料，优选使用MgAg、MgAl、MgAu、AlAg等金属或合金。通过使用该金属或合金作为阴极8的构成材料，可以维持阴极8的透光性，并实现阴极8的电子注入效率和稳定性的提高。
这样的阴极8的平均厚度没有特别限制，优选1nm～50nm左右，更优选5nm～20nm左右。
此外，在上述构成的发光元件1R的阳极3R、空穴注入层41R、中间层42R、红色发光功能层5R、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间，可以设置任意的层。
发光元件1G
发光元件(绿色发光元件)1G是在阳极3G和阴极8之间插入从阳极3G侧依次层叠有空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62和第2电子注入层63的层叠体而成的发光元件。
发光元件1G中，载流子选择层46由从阳极3G侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成。另外，发光元件1G中，阳极3G和阴极8分别构成单个电极和共用电极，阳极3G作为向空穴注入层41G中注入空穴的电极发挥功能，阴极8作为介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极发挥功能。
以下，对发光元件1G进行说明，但以与上述的发光元件1R的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
发光元件1G除了代替红色发光功能层5R而具备绿色发光功能层5G以外，与上述的发光元件1R的构成相同。
绿色发光功能层5G
绿色发光功能层5G含有发出绿色光的绿色发光材料而构成。
发光元件1G中，该绿色发光功能层5G构成设于阳极3G和载流子选择层(第2层)46之间的第3层，该绿色发光功能层5G具有发出发光元件1G中的第2色(绿色)的功能。
这样的绿色发光功能层5G的构成材料没有特别限制，为了在后述的绿色发光功能层5G的形成工序中能够使用液相工艺形成，较理想的是能够溶液化或分散液化。因此，作为绿色发光功能层5G的构成材料，优选使用能够在溶剂或分散介质中溶解或分散的高分子绿色发光材料和低分子绿色发光材料，例如，可举出下述通式(19)和下述通式(20)所示的高分子绿色发光材料。
此外，具备这样的经液相工艺形成的绿色发光功能层5G的发光元件1G充分具备实用水平的发光寿命特性。
这样的绿色发光功能层5G的平均厚度没有特别限制，优选10nm～150nm左右，更优选20nm～100nm左右。
此外，在上述构成的发光元件1G的阳极3G、空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间，可以设置任意的层。
发光元件1B
发光元件(蓝色发光元件)1B是在阳极3B和阴极8之间插入从阳极3B侧依次层叠有空穴注入层41B、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63的层叠体而成的发光元件。
发光元件1B中，载流子选择层46由从阳极3B侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成。另外，发光元件1B中，阳极3B和阴极8分别构成单个电极和共用电极，阳极3B作为向空穴注入层41B注入空穴的电极发挥功能，阴极8作为介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极发挥功能。
以下，对发光元件1B进行说明，但以与上述的发光元件1R的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
发光元件1B省略中间层42R和红色发光功能层5R的形成，采用空穴注入层41B和载流子选择层46彼此相接的构成，除此以外，与上述发光元件1R的构成相同。但是，由于采用空穴注入层41B和载流子选择层46彼此相接的构成，因此发光元件1B中的载流子选择层46的功能与发光元件1R和1G中的载流子选择层46的功能大不相同。另外，有时对空穴注入层41B所要求的功能也不同。
空穴注入层41B
空穴注入层41B具有使从阳极3B的空穴注入容易的功能。
作为该空穴注入层41B的构成材料(空穴注入材料)，没有特别限制，为了在后述的空穴注入层41B的形成工序中能够使用液相工艺形成，优选使用在导电性高分子材料(或导电性低聚物材料)中添加了受电子性掺杂剂的离子传导性空穴注入材料。
另外，作为空穴注入层41B的构成材料(空穴注入材料)，较理想的是构成第1电子注入层61的电子注入材料选择易于扩散或者吸附的材料。由此，可以可靠进行载流子选择层46在发光元件1B中的载流子阻挡动作。作为构成第1电子注入层61的电子注入材料易于扩散或者吸附的空穴注入材料，例如可举出离子传导性空穴注入材料。
作为这样的离子传导性空穴注入材料，可以使用与作为空穴注入层41R的构成材料(空穴注入材料)而列举的材料相同的材料。
载流子选择层46
利用从阳极3B侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成载流子选择层(第2层)46。作为构成这些第1电子注入层61和空穴输送层43的材料，可以分别使用与上述的发光元件1R的第1电子注入层61和空穴输送层43相同的材料。
发光元件1B中，载流子选择层46进行阻挡从蓝色发光功能层5B向载流子选择层46流动的电子，并将这些电子留在蓝色发光功能层5B的载流子阻挡动作。因此，发光元件1B中，蓝色发光功能层5B高效发光。为了使该载流子阻挡动作可靠地进行，发光元件1B的空穴输送层43中，较理想的是使用具有载流子阻挡功能的材料。例如，通过使用上述作为发光元件1R的空穴输送层43的构成材料而列举的胺系化合物，可以使空穴输送层43具有电子阻挡功能。
此外，在上述构成的发光元件1B的阳极3B、空穴注入层41B、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间，可以设置任意的层。
以下，以载流子选择层46的功能为中心，对发光元件1R、1G、1B的作用效果进行说明。
本实施方式中，载流子选择层(第2层)46通过从阳极(3R、3G、3B)侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体构成。
该构成的载流子选择层46是根据与载流子选择层46的阳极(3R、3G、3B)侧相接的层(第3层)而选择性地控制从蓝色发光功能层5B向载流子选择层46注入的电子的量的层。即，载流子选择层(第2层)46是具有根据第3层的功能来选择载流子流动的功能的层。
具体而言，像发光元件1R和1G那样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧直接相接的层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的情况下、即具有发出第2色光的功能的发光功能层与载流子选择层的阳极侧界面接触的情况下，载流子选择层46将从蓝色发光功能层5B向载流子选择层46流动的电子流畅地注入红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G(载流子注入动作)。因此，发光元件1R的蓝色发光功能层5B中，空穴和电子的再结合可靠地得到抑制或防止，因而发光元件1R的蓝色发光功能层5B不发出蓝色光、或者即使发出蓝色光其发光也可靠地得到抑制。与此相对，在红色发光功能层5R中，从阴极8侧介由蓝色发光功能层5B而供给(注入)电子，并从阳极3R侧供给(注入)空穴。然后，在红色发光功能层5R中，空穴和电子再结合，通过该再结合而生成激子(exciton)，激子返回基态时能量以荧光或磷光的形式放出，因此，红色发光功能层5R发出红色光。其结果，发光元件1R发出红色光。同样地，在发光元件1G中，蓝色发光功能层5B的发光也受到大幅抑制，绿色发光功能层5G选择性或者支配性地发光。其结果，发光元件1G发出绿色光。
另一方面，像发光元件1B那样，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层为空穴注入层41B的情况下、即空穴注入层与载流子选择层的阳极侧界面接触的情况下，载流子选择层46阻挡从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子，并将这些电子留在蓝色发光功能层5B中(载流子阻挡动作)。因此，在蓝色发光功能层5B中，从阳极3B侧供给(注入)的空穴和从阴极8侧供给(注入)的电子易于再结合。通过该再结合而生成激子(exciton)，激子返回基态时能量以荧光或磷光的形式放出，因此，蓝色发光功能层5B高效发光。其结果，发光元件1B以高效率发出蓝色光。
这样，载流子选择层46根据与载流子选择层(第2层)46相接的第3层的种类，进行载流子注入动作或进行载流子阻挡动作。
关于发光元件1R和发光元件1G的载流子选择层46对电子的动作与发光元件1B的载流子选择层46对电子的动作不同的理由，以空穴注入层41B为离子传导性空穴注入材料的情况为例进行说明。
首先，像发光元件1R和1G这样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧相接的层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的情况下，构成发光元件1R和1G的载流子选择层46内的第1电子注入层61的电子注入材料分别向发光元件1R和1G的空穴输送层43内扩散，由此，发光元件1R和1G的空穴输送层43所具备的电子阻挡功能大大降低。其结果，发光元件1R和1G中，从蓝色发光功能层5B向空穴输送层43流畅地注入电子。进而，通过存在于红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G与空穴输送层43之间的第1电子注入层61的功能，从空穴输送层43向红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的电子注入也流畅地进行。如上所述，像发光元件1R和1G这样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧相接的层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的情况下，载流子选择层46将从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子分别流畅地注入红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G(载流子注入动作)。即，载流子选择层46进行使电子(载流子)流畅地从蓝色发光功能层5B流动至红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的动作。
另一方面，像发光元件1B这样，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层是空穴注入层41B、且该空穴注入层41B由离子传导性空穴注入材料构成的情况下，构成发光元件1B的载流子选择层46内的第1电子注入层61的电子注入材料向空穴注入层41B内剧烈扩散、或者吸附于空穴注入层41B的阴极8侧界面，因此，构成发光元件1B的第1电子注入层61的电子注入材料不向发光元件1B的空穴输送层43内扩散，发光元件1B的空穴输送层43所具备的电子阻挡功能不会降低。其结果，发光元件1B中，从蓝色发光功能层5B向空穴输送层43流动的电子被空穴输送层43阻挡，留在蓝色发光功能层5B内。如上所述，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层是空穴注入层41B的情况下，载流子选择层46阻挡从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子，将这些电子留在蓝色发光功能层5B中(载流子阻挡动作)。即，载流子选择层46进行抑制从蓝色发光功能层5B流出的电子(载流子)流动的动作。
根据本发明人的研究，在从发光元件1R中去除载流子选择层46并使蓝色发光功能层5B和红色发光功能层5R接触而层叠的构成的红色发光元件(去除载流子选择层的红色发光元件)中，如果对该去除载流子选择层的红色发光元件所具备的阳极3R和阴极8之间施加电压，则无法将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子流畅地注入(供给)红色发光功能层5R，判断由此导致在蓝色发光功能层5B中，空穴和电子再结合，因而蓝色发光功能层5B发出蓝色光，该去除载流子选择层的红色发光元件的红色的色纯度变差。另外，在去除载流子选择层的红色发光元件中，由于无法将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子流畅地注入(供给)红色发光功能层5R，判断由此导致红色发光功能层5R的电子和空穴的载流子平衡被破坏，发光效率降低。进而，判断在去除载流子选择层的红色发光元件中，由于无法将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子流畅地注入(供给)红色发光功能层5R，判断由此导致对红色发光功能层5R的阴极侧界面上的载流子的能量障碍增加，驱动电压升高。
像这样，对于去除载流子选择层的红色发光元件而言，存在红色的色纯度变差、发光效率降低和驱动电压升高这样的问题。然而，通过像发光元件1R那样采用在蓝色发光功能层5B和红色发光功能层5R之间插入载流子选择层46的构成，能够使从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子不留在蓝色发光功能层5B中而流畅地注入(供给)红色发光功能层5R，这些问题全部得到解决。
同样，在从发光元件1G中去除载流子选择层46并使蓝色发光功能层5B和绿色发光功能层5G接触而层叠的构成的绿色发光元件(去除载流子选择层的绿色发光元件)中，无法将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子流畅地注入(供给)绿色发光功能层5G，由此，导致产生绿色的色纯度变差、发光效率降低和驱动电压升高这样的问题。然而，通过像发光元件1G那样采用在蓝色发光功能层5B和绿色发光功能层5G之间插入载流子选择层46的构成，能够使从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子不留在蓝色发光功能层5B中而流畅地注入(供给)绿色发光功能层5G，因此这些问题全部得到解决。
另外，本实施方式的空穴输送层43和蓝色发光功能层5B可以使用气相工艺形成。根据本发明人的研究，对于在发光元件1B中，在空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层的形成中使用了喷墨法之类的液相工艺的构成的蓝色发光元件而言，与发光元件1B相比，判断存在其发光寿命、发光效率降低的问题。
可以认为空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层的污染是产生该问题的原因之一。即，像发光元件1B那样能够使用气相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B的情况下，可以在不将空穴输送层43的阴极侧界面暴露在真空以外的气氛中的情况下连续地进行随后的蓝色发光功能层5B的成膜，但是，如果在空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层的形成中使用液相工艺，由于采用液相工艺的成膜难以在真空气氛下进行，因此采用液相工艺的成膜在真空以外的气氛(例如大气、氮)下进行，至少空穴输送层43的阴极8侧界面暴露在真空以外的气氛中。这样，使用液相工艺将空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层成膜的情况下，显然空穴输送层43的阴极8侧界面易被污染。另外，通过液相工艺进行空穴输送层43的成膜的情况下，由于在成膜时使用将空穴输送材料溶解或分散于溶剂或分散介质而成的溶液，因而在空穴输送层43B内残留极微量的溶剂，这可能污染空穴输送层43B整体。同样，通过液相工艺进行蓝色发光功能层5B的成膜的情况下，在蓝色发光功能层5B内残留极微量的溶剂，这可能污染蓝色发光功能层5B整体。
与此相对，像发光元件1B那样能够使用气相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B的情况下，可以避免由使用液相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层而导致的空穴输送层43和蓝色发光功能层5B的污染，由使用液相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1层而导致的蓝色发光元件的发光寿命、发光效率降低的问题全部得到解决。
本实施方式中，优选空穴注入层41B以离子传导性空穴注入材料作为主体材料而构成，优选第1电子注入层61以碱金属、碱土金属、或者它们的化合物的电子注入材料作为主体材料而构成，这时，在发光元件1B中，第1电子注入层61中所含的这些电子注入材料如果扩散至空穴输送层43侧，则产生由电子注入材料扩散至空穴输送层43而导致的空穴输送层43的电子阻挡性降低和与此相伴的蓝色发光功能层5B的发光效率降低，由电子注入材料向蓝色发光功能层5B扩散而导致的对蓝色发光功能层5B的发光的阻碍和与此相伴的发光效率降低的问题。然而，本实施方式中，在发光元件1B中，第1电子注入层61和离子传导性空穴注入层41B接触，因此向空穴注入层41B内剧烈扩散、或者吸附于空穴注入层41B的阴极8侧界面，由此使得电子注入材料向空穴输送层43侧的扩散可靠地得到抑制或防止，上述的由于电子注入材料向空穴输送层43侧扩散而产生的问题全部得到解决。
(显示器装置100的制造方法)
如上所述的显示器装置100例如可以如下进行制造。
[1]首先，准备基板21，与待形成的亚像素100R、100G、100B对应地形成多个驱动用晶体管24，然后以覆盖这些驱动用晶体管24的方式形成平坦化层22(第1工序)。
[1-A]首先，准备基板21，在基板21上形成驱动用晶体管24。
[1-Aa]首先，通过例如等离子体CVD法等，在基板21上形成平均厚度为30nm～70nm左右的以无定形硅作为主体材料而构成的半导体膜。
[1-Ab]然后，通过激光退火或固相成长法等对半导体膜进行结晶化处理，使无定形硅转化为多晶硅。
这里，激光退火法中，例如，使用准分子激光且光束长度尺寸为400mm的线光束，其输出强度例如设定为200mJ/cm2左右。
[1-Ac]然后，通过将半导体膜图案化而形成岛状，从而得到半导体层241，通过等离子体CVD法等，例如以TEOS(四乙氧基硅烷)、氧气等作为原料气体，以覆盖这些岛状半导体层241的方式形成平均厚度为60nm～150nm左右的以氧化硅或窒化硅等作为主体材料而构成的栅绝缘层242。
[1-Ad]然后，例如通过溅射法等，在栅绝缘层242上形成以铝、钽、钼、钛、钨等金属作为主体材料而构成的导电膜，然后图案化，形成栅电极243。
[1-Ae]然后，在该状态下，通过射入高浓度的磷离子，在栅电极243上自整合性地形成源·漏区域。此外，未导入杂质的部分为通道区域。
[1-B]接着，形成与驱动用晶体管24电连接的源电极244和漏电极245。
[1-Ba]首先，以覆盖栅电极243的方式形成第1平坦化层后，形成接触孔。
[1-Bb]然后，在接触孔内形成源电极244和漏电极245。
[1-C]接着，形成电连接漏电极245与各阳极3R、3G、3B的配线(中转电极)27。
[1-Ca]首先，在第1平坦化层上形成第2平坦化层后，形成接触孔。
[1-Cb]然后，在接触孔内形成配线27。
此外，由[1-B]工序和[1-C]工序中形成的第1平坦化层和第2平坦化层构成平坦化层22。
[2]接着，在平坦化层22上与各配线27对应地形成阳极(单个电极)3R、3G、3B(第2工序)。
该阳极3R、3G、3B可以通过在平坦化层22上形成以阳极3R、3G、3B的构成材料作为主体材料而构成的薄膜，然后进行图案化而得到。
[3]接着，在平坦化层22上以划分各阳极3R、3G、3B的方式、即以划分形成各发光元件1R、1G、1B(亚像素100R，100G，100B)的区域的方式，形成间隔壁(bank)31(第3工序)。
间隔壁31可以如下形成：以覆盖各阳极3R、3G、3B的方式在平坦化层22上形成绝缘膜后，使用光刻法等进行图案化等以使各阳极3R、3G、3B露出，从而形成。
这里，间隔壁31的构成材料可以考虑耐热性、疏液性、油墨溶剂耐性、与平坦化层22等的密合性等而选择。
具体而言，作为间隔壁31的构成材料，例如可举出丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂之类的有机材料，SiO2之类的无机材料。
另外，间隔壁31的开口形状可以是四角形、其他的例如圆形、椭圆形、六角形等多角形等所有形状。
此外，使间隔壁31的开口形状为多角形时，优选角部带圆。由此，使用如后所述的液状材料形成空穴注入层41R、41G、41B，中间层42R、42G和发光功能层5R、5G时，可以可靠地将这些液状材料供给至间隔壁31内侧空间的各处。
这样的间隔壁31的高度可以根据发光元件1R、1G、1B的厚度适当设定，没有特别限制，优选为0.5μm～5μm左右。通过采用该高度，充分发挥作为间隔壁(bank)的功能。
此外，通过喷墨法形成空穴注入层41R、41G、41B，中间层42R、42G和发光功能层5R、5G时，形成有间隔壁31的基板21较理想的是经等离子体处理。具体而言，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁31的基板21的表面进行等离子体处理。由此，阳极3R、3G、3B的表面和间隔壁31的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着以CF4等氟系气体作为处理气体进行等离子体处理。由此，仅使由作为有机材料的感光性树脂构成的间隔壁31的表面与氟系气体反应而疏液化。由此，可以更有效发挥间隔壁31的作为间隔壁的功能。
[4]接着，在位于应形成发光元件1R的区域的间隔壁31的内侧，形成空穴注入层41R、中间层42R和红色发光功能层5R，在位于应形成发光元件1G的区域的间隔壁31的内侧，形成空穴注入层41G、中间层42G和绿色发光功能层5G，进而，在位于应形成发光元件1B的区域的间隔壁31的内侧，形成空穴注入层41B(第4的工序)。在该第4工序中，以下按发光元件1R、1G、1B进行详述。
发光元件1R
在位于应形成发光元件1R的区域的间隔壁31的内侧，依次形成空穴注入层41R、中间层42R和红色发光功能层5R。将形成各层的工序作为空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序，在以下进行详述。
空穴注入层41R形成工序
首先，通过喷墨法涂布空穴注入层41R。具体而言，将含有空穴注入材料的空穴注入层41R形成用油墨(液状材料)从喷墨打印装置的喷头喷出，涂布在各阳极3R上(涂布工序)。
这里，作为用于制备空穴注入层形成用油墨的溶剂(油墨溶剂)或分散介质(油墨分散介质)，例如可举出硝酸、硫酸、氨、过氧化氢、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸亚乙酯等各种无机溶剂；甲基乙基酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPK)、环己酮等酮系溶剂；甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二甘醇(DEG)、甘油等醇系溶剂；二乙基醚、二异丙基醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、苯甲醚、二甘醇二甲基醚(diglym)、二甘醇乙基醚(卡必醇)等醚系溶剂；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂等溶纤剂系溶剂；己烷、戊烷、庚烷、环己烷等脂肪烃系溶剂；环己烷、四氢萘等脂环式烃系溶剂；甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香烃系溶剂；吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族杂环化合物系溶剂；N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶剂；二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷等卤素化合物系溶剂；乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶剂；二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等硫化合物系溶剂；乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶剂；甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸等有机酸系溶剂之类的各种有机溶剂、或者包含它们的混合溶剂等。
此外，在阳极3R上涂布的液状材料虽然流动性高(粘性低)而有向水平方向(面方向)扩展的倾向，但由于阳极3R被间隔壁31包围，因此可以阻止其扩展至规定的区域以外，可以准确地限制空穴注入层41R的轮廓形状。
接着，对经涂布的空穴注入层41R实施后处理(后处理工序)。具体而言，将在各阳极3R上涂布的空穴注入层形成用油墨(液状材料)干燥，形成空穴注入层41R。通过该干燥，可以除去溶剂或分散介质。作为干燥方法，可举出置于减压气氛下的方法、采用热处理(例如40℃～80℃左右)的方法、吹送氮气之类的惰性气体的方法等。进而，根据需要，将形成有空穴注入层41R的基板21在100℃～300℃左右进行加热(烘焙)。通过该加热，可以将干燥后残留于空穴注入层41R的膜内的溶剂或分散介质除去。另外，使用通过加热而交联从而不溶于溶剂的空穴注入材料时，还可以通过该加热使空穴注入层41R不溶化。另外，该加热后，为了除去空穴注入层41R的未不溶化部分，还可以用溶剂淋洗(洗涤)形成有空穴注入层41R的基板21的表面。通过该淋洗，可以防止空穴注入层41R的未不溶化部分混入形成于空穴注入层41R上的中间层42R。
中间层42R形成工序
中间层42R形成工序中，首先，使用与空穴注入层41R形成工序同样的喷墨法在各空穴注入层41R上涂布中间层42R，接着，对涂布的中间层42R实施与空穴注入层41R形成工序同样的后处理。其中，中间层42R形成用油墨中使用的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法或条件等适当选择适于形成中间层42R的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法或条件。
红色发光功能层5R形成工序
红色发光功能层5R形成工序中，首先，使用与空穴注入层41R形成工序同样的喷墨法在各中间层42R上涂布红色发光功能层5R，接着，对涂布的红色发光功能层5R实施与空穴注入层41R形成工序同样的后处理。其中，红色发光功能层5R形成用油墨中使用的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法或条件等适当选择适于形成红色发光功能层5R的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法或条件。
以上的空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序中，优选使用喷墨法。对于喷墨法，可以与基板面积的大小无关地高精度地控制油墨的喷出量和油墨滴的着墨位置，因而通过使用该方法，能够实现空穴注入层41R的薄膜化、像素尺寸的微小化、以及显示器装置100的大面积化。另外，由于能够将用于形成各层的油墨(液状材料)选择性地供给至间隔壁31内侧，因此能够节省油墨的无谓浪费。但是，这些空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序并不限于喷墨法，例如还可以使用溅射法、真空蒸镀法、CVD法等气相工艺；旋涂法(高温溶胶法)、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法等液相工艺。
发光元件1G
在位于应形成发光元件1G的区域的间隔壁31的内侧，采用与发光元件1R同样的方法依次形成空穴注入层41G、中间层42G和绿色发光功能层5G。其中，在空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G各层中，层形成用油墨中使用的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理方法、条件等适当选择适于形成各层的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理方法、条件。
发光元件1B
在位于应形成发光元件1B的区域的间隔壁31的内侧，采用与发光元件1R的空穴注入层41R形成工序同样的方法形成空穴注入层41B。其中，空穴注入层41B形成用油墨中使用的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理方法、条件等适当选择适于形成空穴注入层41B的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理方法、条件。
如上所述，通过喷墨法形成空穴注入层41R、41G、41B，中间层42R、42G和发光功能层5R、5G各层的情况下，各层经涂布工序和后处理工序后完全形成，各层的涂布工序可以与其他层的涂布工序同时进行，各层的后处理工序可以与其他层的后处理工序同时进行。
[5]接着，以与红色发光功能层5R、绿色发光功能层5G、空穴注入层41B和间隔壁31重叠的方式，即，以覆盖间隔壁31与平坦化层22相接的面的相反侧的整个面的方式，形成第1电子注入层61(第5工序)。
由此，可以总体(一体化)地形成各发光元件1R、1G、1B共用的第1电子注入层61。
该第1电子注入层61也可以通过上述工序[发光元件1R]中说明的气相工艺、液相工艺而形成，其中，优选使用气相工艺。通过使用气相工艺，可以防止红色发光功能层5R、绿色发光功能层5G、空穴注入层41B和第1电子注入层61之间的层溶解，可靠地形成第1电子注入层61。
[6]接着，以覆盖第1电子注入层61的整个面的方式形成空穴输送层43(第6工序)。由此，可以一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的空穴输送层43。
[7]接着，以覆盖空穴输送层43的整个面的方式形成蓝色发光功能层5B(第7工序)。由此，可以一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的蓝色发光功能层5B。
[8]接着，以覆盖蓝色发光功能层5B的整个面的方式形成电子输送层62(第8工序)。由此，可以一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的电子输送层62。
[9]接着，以覆盖电子输送层62的整个面的方式形成第2电子注入层63(第9工序)。由此，可以一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的第2电子注入层63。
[10]接着，以覆盖第2电子注入层63的整个面的方式形成阴极8(第10工序)。由此，可以一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的阴极8。
此外，上述工序[6]～[10]中形成的各层也可以通过上述工序[发光元件1R]中说明的气相工艺、液相工艺形成，其中，优选使用气相工艺。通过使用气相工艺，可以防止相邻的层彼此之间的层溶解，可靠地形成应形成的层。
另外，上述工序[发光元件1R]和[发光元件1G]中，通过使用喷墨法之类的液相工艺分别形成膜发光功能层5R和5G，可以容易地分别涂布发光颜色不同的发光功能层5R和5G，且容易地实现显示器装置100的大面积化。此外，上述工序[6]和[7]中，通过使用气相工艺(气相成膜法)分别形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B，可以使发光元件1B充分具备实用水平的发光寿命。进而，由于采用总体(一体化地)形成各发光元件1R、1G、1B共用的蓝色发光功能层5B的构成，因此无需使用高精细掩模对发光元件1B选择性地形成蓝色发光功能层5B，因而可以容易地实现工序的简略化、以及显示器装置100的大面积化。
另外，上述工序[5]和[6]中，由于采用分别一体化地形成各发光元件1R、1G、1B共用的第1电子注入层61和空穴输送层43的构成，即一体化地形成由第1电子注入层61和空穴输送层43构成的载流子选择层46的构成，因此无需使用高精细掩模对发光元件1B选择性地形成第1电子注入层61和空穴输送层43，因而可以容易地实现工序的简略化、以及显示器装置100的大面积化。
如上所述，与驱动用晶体管24对应地形成多个分别发出红色、绿色和蓝色光的发光元件1R、1G、1B。
[11]接着，准备密封基板20，使环氧系的粘接剂存在于阴极8和密封基板20之间后，使该粘接剂干燥。
由此，可以介由环氧层35，以用密封基板20覆盖阴极8的方式将阴极8和密封基板20接合。
该密封基板20发挥作为保护各发光元件1R、1G、1B的保护基板的功能。通过采用将这样的密封基板20设于阴极8上的构成，可以更好地防止或减少发光元件1R、1G、1B与氧、水分接触，因此可以更可靠地获得发光元件1R、1G、1B的可靠性提高、防止变质和劣化等的效果。
经过如上所述的工序，完成各发光元件1R、1G、1B被密封基板20密封的显示器装置(本发明的显示装置)100。
这样的显示器装置100(本发明的显示装置)可以组装于各种电子设备中。
图2是表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
该图中，个人电脑1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部的显示单元1106构成，显示单元1106介由铰链构造部相对于主体部1104可转动地被支撑。
该个人电脑1100中，显示单元1106具备的显示部由上述的显示器装置100构成。
图3是表示应用了本发明的电子设备的移动电话(也包含PHS)的构成的立体图。
该图中，移动电话1200具有多个操作按键1202、受话口1204和送话口1206以及显示部。
移动电话1200中，该显示部由上述的显示器装置100构成。
图4是表示应用了本发明的电子设备的数码照相机的构成的立体图。再有，该图中，对于与外部设备的连接也简单地进行了表示。
其中，通常的相机利用被摄体的光像来使银盐照片胶卷感光，数码照相机1300利用CCD(ChargeCoupledDevice)等摄像元件将被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号(图像信号)。
在数码照相机1300中的壳体(机身)1302的背面设置显示部，成为了基于由CCD得到的摄像信号进行显示的构成，作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥功能。
数码照相机1300中，该显示部由上述的显示器装置100构成。
在壳体的内部设置有电路基板1308。该电路基板1308设置有能够存储(记忆)摄像信号的存储器。
此外，在壳体1302的正面侧(图示的构成中背面侧)，设置有包含光学透镜(摄像光学系)、CCD等的受光单元1304。
摄影者确认显示部中显示的被摄体像，按下快门按钮1306，则该时刻的CCD的摄像信号被输送、存储到电路基板1308的存储器中。
此外，该数码照相机1300中，在壳体1302的侧面设置有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。此外，如图所示，分别根据需要将电视监视器1430与视频信号输出端子1312连接，将个人电脑1440与数据通信用的输入输出端子1314连接。此外，通过规定的操作，成为了将电路基板1308的存储器中存储的摄像信号输出到电视监视器1430、个人电脑1440的构成。
再有，本发明的电子设备除了图2的个人电脑(移动型个人电脑)、图3的移动电话、图4的数码照相机以外，还可应用于例如电视机、摄像机、取景器型、监视器直视型的录像机、膝上型个人电脑、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本(也包含带有通信功能)、电子词典、台式电脑、电子游戏机、文字处理器、工作台、电视电话、防犯用电视监控器、电子双眼镜、POS终端、具备触摸屏的设备(例如金融机构的自动提款机、自动售票机)、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内窥镜用显示装置)、鱼群探知机、各种测定设备、仪表类(例如车辆、航空器、船舶的仪表类)、飞行模拟机、其他各种监视器类、投影仪等投射型显示装置等。
以上基于图示的实施方式对本发明的显示装置和电子设备进行了说明，但本发明并不限于这些。
例如，在上述实施方式中，采用显示装置具备红色发光元件和绿色发光元件作为发出波长比蓝色光长的光的发光元件的情况，但并不限于该情况，可以具备黄色发光元件、橙色发光元件之类的发出波长比蓝色光长的光的发光元件。
实施例
接着，对本发明的具体实施例进行说明。
此外，本实施例和比较例涉及大面积的显示器装置，是通过喷墨法形成红色发光元件和绿色发光元件、并通过无需采用高精细掩模进行分别涂布的真空蒸镀法来形成蓝色发光元件的显示器装置。首先，实施例1是上述的本发明的实施方式的具体实施结果。其次，比较例1表示通过喷墨法形成红色发光元件和绿色发光元件、并通过无需采用高精细掩模进行分别涂布的真空蒸镀法来形成蓝色发光元件的情况下认为的最一般结构。进而，比较例2是力图改善比较例1中特性差的红色发光元件和绿色发光元件的特性的结构。此外，比较例3是力图改善比较例1中特性差的蓝色发光元件的特性的结构。
1.显示装置(发光装置)和发光元件的制造
(实施例1)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板321。接着，通过溅射法在该基板321上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极303R、303G、303B/单个电极)。
然后，将形成有阳极303R、303G、303B的基板321依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极303R、303G、303B的基板321上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁(bank)。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，阳极303R、303G、303B的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件301R的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件301G的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件301B的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，将3A、3B、3C各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板321，在各阳极303R、303G、303B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层341R、341G、341B。
<4A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件301R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件301G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4C>接着，将4A和4B各工序中涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板321。进而，用二甲苯淋洗基板321的应形成红色发光元件301R和绿色发光元件301G的区域。由此，在各空穴注入层341R和341G上分别形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层342R和342G。
<5A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件301R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(6)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件301G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(19)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C>接着，将5A和5B各工序中涂布的上述通式(6)所示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(19)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板321。由此，在各中间层342R和342G上分别形成由上述通式(6)所示的化合物构成的平均厚度60nm的红色发光功能层305R和由上述通式(19)所示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层305G。
<6>接着，在分别位于应形成红色发光元件301R的区域、应形成绿色发光元件301G的区域和应形成蓝色发光元件301B的区域的红色发光功能层305R、绿色发光功能层305G和空穴注入层341B上，形成以Cs2CO3作为蒸镀源通过真空蒸镀法形成的平均厚度0.5nm的包含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层361。
这里，所谓“包含Cs的蒸镀膜(薄膜)”，是指包含作为至少构成Cs盐的金属材料的Cs单质的薄膜，金属含有层可以包含作为蒸镀材料的金属盐。发明人通过另行进行的预备实验观察到以下所示的现象，间接地确认真空蒸镀的膜并非仅由Cs盐形成的膜，而是包含Cs单质的膜。
具体而言，在以Cs2CO3为蒸镀源而形成的蒸镀膜上层叠Al蒸镀膜而成的膜暴露在大气中时，可以确认Al表面剧烈发泡，在表面产生显著的凹凸。如果没有作为蒸镀膜成膜Cs2CO3，则层叠的Al膜应该不会产生显著的变化。这可以认为是由于蒸镀膜包含Cs单质，因而由于暴露在大气中Cs单质部剧烈氧化、吸湿而造成的。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在第1电子注入层361上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层343。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层343上形成由以下所示的蓝色发光功能层的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层305B。
这里，作为蓝色发光功能层305B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<9>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层305B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层362。
<10>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层362上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层363。
<11>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层363上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极308。
<12>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造如图5所示的底部发光结构的显示装置。
(实施例2)
使上述实施例1中的上述工序<5A>、上述工序<5B>、上述工序<5C>、上述工序<7>、上述工序<8>和上述工序<9>分别变更为如下述工序<5A’>、下述工序<5B’>、下述工序<5C’>、下述工序<7’>、下述工序<8’>和下述工序<9’>所述，除此以外与上述实施例1同样地进行，制造如图5所示的底部发光结构的显示装置。
<5A’>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件301R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(7)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B’>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件301G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(20)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C’>接着，将5A’和5B’各工序中涂布的上述通式(7)所示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(20)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板321。由此，在各中间层342R和342G上分别形成由上述通式(7)所示的化合物构成的平均厚度50nm的红色发光功能层305R和由上述通式(20)所示的化合物构成的平均厚度50nm的绿色发光功能层305G。
<7’>接着，使用真空蒸镀法，在第1电子注入层361上形成由上述式(9)所示的化合物构成的平均厚度10nm的空穴输送层343。
<8’>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层343上形成由以下所示的蓝色发光功能层的构成材料构成的平均厚度10nm的蓝色发光功能层305B。
这里，作为蓝色发光功能层305B的构成材料，使用上述式(13)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(15)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<9’>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层305B上形成由上述式(17)所示的化合物构成的平均厚度30nm的电子输送层362。
(比较例1)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板421。接着，通过溅射法在该基板421上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极403R、403G、403B/单个电极)。
然后，将形成有阳极403R、403G、403B的基板421依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极403R、403G、403B的基板421上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板421的表面进行等离子体处理。由此，阳极403R、403G、403B的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板421的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件401R的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件401G的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件401B的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，将3A、3B、3C各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板421，在各阳极403R、403G、403B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层441R、441G、441B。
<4A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件401R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件401G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4C>接着，将4A和4B各工序中涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板421。进而，用二甲苯淋洗基板421的应形成红色发光元件401R和绿色发光元件401G的区域。由此，在各空穴注入层441R和441G上分别形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层442R和442G。
<5A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件401R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(6)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件401G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(19)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件401B的区域的间隔壁内侧，涂布α-NPD的1.0wt％四氢萘溶液。
<5D>接着，将5A、5B和5C各工序中涂布的上述通式(6)所示的化合物的四甲基苯溶液、上述通式(19)所示的化合物的四甲基苯溶液和α-NPD的四氢萘溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板421。由此，在各中间层442R和442G上分别形成由上述通式(6)所示的化合物构成的平均厚度60nm的红色发光功能层405R和由上述通式(19)所示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层405G。进而，在空穴注入层441B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层443B。
<6>接着，在分别位于应形成红色发光元件401R的区域、应形成绿色发光元件401G的区域和应形成蓝色发光元件401B的区域的红色发光功能层405R、绿色发光功能层405G和空穴注入层443B上，使用真空蒸镀法，形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层405B。
这里，作为蓝色发光功能层405B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层405B中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层405B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层462。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层462上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层463。
<9>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层463上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极408。
<10>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，对实施例1省略第1电子注入层361的形成，并代替形成空穴输送层343而形成空穴输送层443B，制造如图6所示的底部发光结构的显示装置。
(比较例2)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板521。接着，通过溅射法在该基板521上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极503R、503G、503B/单个电极)。
然后，将形成有阳极503R、503G、503B的基板521依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极503R、503G、503B的基板521上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板521的表面进行等离子体处理。由此，阳极503R、503G、503B的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板521的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件501R的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件501G的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件501B的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，将3A、3B、3C各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板521，在各阳极503R、503G、503B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层541R、541G、541B。
<4A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件501R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件501G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4C>接着，将4A和4B各工序中涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板521。进而，用二甲苯淋洗基板521的应形成红色发光元件501R和绿色发光元件501G的区域。由此，在各空穴注入层541R和541G上分别形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层542R和542G。
<5A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件501R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(6)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件501G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(19)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件501B的区域的间隔壁内侧，涂布α-NPD的1.0wt％四氢萘溶液。
<5D>接着，将5A、5B和5C各工序中涂布的上述通式(6)所示的化合物的四甲基苯溶液、上述通式(19)所示的化合物的四甲基苯溶液和α-NPD的四氢萘溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板521。由此，在各中间层542R和542G上分别形成由上述通式(6)所示的化合物构成的平均厚度60nm的红色发光功能层505R和由上述通式(19)所示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层505G。进而，在空穴注入层541B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层543B。
<6>接着，在分别位于应形成红色发光元件501R的区域、应形成绿色发光元件501G的区域和应形成蓝色发光元件501B的区域的红色发光功能层505R、绿色发光功能层505G和空穴注入层543B上，形成以Cs2CO3作为蒸镀源通过真空蒸镀法形成的平均厚度0.5nm的包含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层561。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在第1电子注入层561上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层505B。
这里，作为蓝色发光功能层505B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层505B中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层505B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层562。
<9>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层562上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层563。
<10>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层563上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极508。
<11>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，对于实施例1，代替形成空穴输送层343而形成空穴输送层543B，制造如图7所示的底部发光结构的显示装置。
(比较例3)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板621。接着，通过溅射法在该基板621上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极603R、603G、603B/单个电极)。
然后，将形成有阳极603R、603G、603B的基板621依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极603R、603G、603B的基板621上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板621的表面进行等离子体处理。由此，阳极603R、603G、603B的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板621的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件601R的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件601G的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件601B的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，将3A、3B、3C各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板621，在各阳极603R、603G、603B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层641R、641G、641B。
<4A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件601R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件601G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。
<4C>接着，将4A和4B各工序中涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板621。进而，用二甲苯淋洗基板621的应形成红色发光元件601R和绿色发光元件601G的区域。由此，在各空穴注入层641R和641G上分别形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层642R和642G。
<5A>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件601R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(6)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件601G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(19)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C>接着，将5A和5B各工序中涂布的上述通式(6)所示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(19)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板621。由此，在各中间层642R和642G上分别形成由上述通式(6)所示的化合物构成的平均厚度60nm的红色发光功能层605R和由上述通式(19)所示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层605G。
<6>接着，在分别位于应形成红色发光元件601R的区域、应形成绿色发光元件601G的区域和应形成蓝色发光元件601B的区域的红色发光功能层605R、绿色发光功能层605G和空穴注入层641B上，使用真空蒸镀法，形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层643。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层643上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层605B。
这里，作为蓝色发光功能层605B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层605B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层662。
<9>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层662上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层663。
<10>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层663上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极608。
<11>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，对于实施例1，省略第1电子注入层361的形成，制造如图8所示的底部发光结构的显示装置。
(比较例4R)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板721。接着，通过溅射法在该基板721上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极703R)。
然后，将形成有阳极703R的基板721依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极703R的基板721上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁(bank)。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板721的表面进行等离子体处理。由此，阳极703R的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板721的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件701R的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。进而，将涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板721，在阳极703R上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层741R。
<4>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件701R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板721。接着，用二甲苯淋洗基板721的应形成红色发光元件701R的区域。由此，在各空穴注入层741R上形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层742R。
<5>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件701R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(6)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(6)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板721。由此，在各中间层742R上形成上述通式(6)所示的化合物构成的平均厚度80nm的红色发光功能层705R。
<6>接着，在红色发光功能层705R上，形成以Cs2CO3作为蒸镀源通过真空蒸镀法形成的平均厚度1nm的包含Cs的蒸镀膜，作为第2电子注入层763。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层763上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极708。
<8>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造如图9所示的底部发光结构的红色发光元件701R。该红色发光元件701R用于使实施例1的红色发光元件301R、比较例1的红色发光元件401R、比较例2的红色发光元件501R和比较例3的红色发光元件601R的特性标准化。
(比较例4G)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板821。接着，通过溅射法在该基板821上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极803G)。
然后，将形成有阳极803G的基板821依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极803G的基板821上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁(bank)。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板821的表面进行等离子体处理。由此，阳极803G的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板821的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件801G的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。进而，将涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板821，在阳极803G上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层841G。
<4>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件801G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(5)所示的化合物的1.5wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(5)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板821。接着，用二甲苯淋洗基板821的应形成绿色发光元件801G的区域。由此，在各空穴注入层841G上形成由上述通式(5)所示的化合物构成的平均厚度10nm的中间层842G。
<5>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件801G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(19)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(19)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板821。由此，在各中间层842G上形成上述通式(19)所示的化合物构成的平均厚度80nm的绿色发光元件805G。
<6>接着，在绿色发光功能层805G上，形成以Cs2CO3作为蒸镀源通过真空蒸镀法形成的平均厚度1nm的包含Cs的蒸镀膜，作为第2电子注入层863。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层863上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极808。
<8>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造如图10所示的底部发光结构的绿色发光元件801G。该绿色发光元件801G用于使实施例1的绿色发光元件301G、比较例1的绿色发光元件401G、比较例2的绿色发光元件501G和比较例3的绿色发光元件601G的特性标准化。
(比较例4B)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板921。接着，通过溅射法在该基板921上形成平均厚度50nm的ITO膜后，使用光刻法将该ITO膜图案化，从而形成ITO电极(阳极903B)。
然后，将形成有阳极903B的基板921依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，通过旋涂法在形成有阳极903B的基板921上形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，使用光刻法将该绝缘层图案化以使ITO电极露出，从而形成间隔壁(bank)。进而，首先以O2气作为处理气体对形成有间隔壁的基板921的表面进行等离子体处理。由此，阳极903B的表面和间隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。接着，以CF4气体作为处理气体对形成有间隔壁的基板921的表面进行等离子体处理。由此，仅使由丙烯酸系树脂构成的间隔壁的表面与CF4气体反应而疏液化。
<3>接着，使用喷墨法，在位于应形成蓝色发光元件901B的区域的间隔壁内侧，涂布1.0wt％PEDOT/PSS水分散液。进而，将涂布的PEDOT/PSS水分散液进行干燥后，在大气中加热基板921，在阳极903B上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度50nm的离子传导性空穴注入层941B。
<4>接着，使用真空蒸镀法，在空穴注入层941B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层943B。
<5>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层943B上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层905B。
这里，作为蓝色发光功能层905B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层905B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层962。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层962上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层963。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在第2电子注入层963上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极908。
<9>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造如图11所示的底部发光结构的蓝色发光元件901B。该蓝色发光元件901B用于使实施例1的蓝色发光元件301B、比较例1的蓝色发光元件401B、比较例2的蓝色发光元件501B和比较例3的蓝色发光元件601B的特性标准化。
(比较例5B)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板2121。接着，通过溅射法在该基板2121上形成平均厚度50nm的ITO膜电极(阳极2103B)。
然后，将形成有阳极2103B的基板2121依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，使用真空蒸镀法，在阳极2103B上形成由下述式(21)所示的化合物构成的平均厚度50nm的空穴注入层2141B。
<3>接着，使用真空蒸镀法，在空穴注入层2141B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层2143B。
<4>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层2143B上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层2105B。
这里，作为蓝色发光功能层2105B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<5>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层2105B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层2162。
<6>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层2162上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层2163。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在电子注入层上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极2108。
<8>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造如图12所示的阳极2103B上的各层由蒸镀层构成，空穴注入层2141B不使用离子传导性材料，且不具有第1电子注入层的底部发光结构的蓝色发光元件2101B。
(比较例6B)
<1>首先，准备平均厚度1.0mm的透明玻璃基板作为基板2221。接着，通过溅射法在该基板2221上形成平均厚度50nm的ITO膜电极(阳极2203B)。
然后，将形成有阳极2203B的基板2221依次浸渍在丙酮、2-丙醇中，进行超声波洗涤后，施加氧等离子体处理。
<2>接着，使用真空蒸镀法，在阳极2203B上形成由上述式(21)所示的化合物构成的平均厚度50nm的空穴注入层2241B。
<3>接着，在空穴注入层2241B上形成以Cs2CO3作为蒸镀源通过真空蒸镀法形成的平均厚度0.5nm的包含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层2261B。
<4>接着，使用真空蒸镀法，在第1电子注入层2261B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层2243B。
<5>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层2243B上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层2205B。
这里，作为蓝色发光功能层2205B的构成材料，使用上述式(11)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(14)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层2205B上形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层2262。
<7>接着，使用真空蒸镀法，在电子输送层2262上形成由氟化锂(LiF)构成的平均厚度1nm的第2电子注入层2263。
<8>接着，使用真空蒸镀法，在电子注入层上形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极2208。
<9>接着，被覆玻璃制的保护罩(密封部件)来覆盖形成的各层，通过环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造图13所示的各层由蒸镀层构成的蓝色发光元件。
通过以上的工序，制造图13所示的阳极2203B上的各层由蒸镀层构成，空穴注入层2241B不使用离子传导性材料，且具有第1电子注入层2261B的底部发光结构的蓝色发光元件2201B。
(比较例7R)
使上述比较例4R中的上述工序<5>变更为如下述工序<5’>所示，除此以外与上述比较例4R同样地进行，制造如图9所示的底部发光结构的红色发光元件701R。该比较例7R的红色发光元件701R用于使实施例2的红色发光元件301R的特性标准化。
<5’>接着，使用喷墨法，在位于应形成红色发光元件701R的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(7)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(7)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板721。由此，在各中间层742R上形成由上述通式(7)所示的化合物构成的平均厚度80nm的红色发光功能层705R。
(比较例7G)
使上述比较例4G中的上述工序<5>变更为如下述工序<5’>所示，除此以外与上述比较例4G同样地进行，制造如图10所示的底部发光结构的绿色发光元件801G。该比较例7G的绿色发光元件801G用于使实施例2的绿色发光元件301G的特性标准化。
<5’>接着，使用喷墨法，在位于应形成绿色发光元件801G的区域的间隔壁内侧，涂布上述通式(20)所示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(20)所示的化合物的四甲基苯溶液进行干燥后，在氮气氛中加热基板821。由此，在各中间层842G上形成上述通式(20)所示的化合物构成的平均厚度80nm的绿色发光功能层805G。
(比较例7B)
使上述比较例4B中的上述工序<4>、上述工序<5>和上述工序<6>分别变更为如下述工序<4’>、下述工序<5’>和下述工序<6’>所示，除此以外与上述比较例4B同样地进行，制造如图11所示的底部发光结构的蓝色发光元件901B。该比较例7B的蓝色发光元件901B用于使实施例2的蓝色发光元件301B的特性标准化。
<4’>接着，使用真空蒸镀法，在空穴注入层941B上形成由上述式(9)所示的化合物构成的平均厚度10nm的空穴输送层943B。
<5’>接着，使用真空蒸镀法，在空穴输送层943B上形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度10nm的蓝色发光功能层905B。
这里，作为蓝色发光功能层905B的构成材料，使用上述式(13)所示的化合物作为主体材料，使用上述式(15)所示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6’>接着，使用真空蒸镀法，在蓝色发光功能层905B上形成由上述式(17)所示的化合物构成的平均厚度30nm的电子输送层962。
2.评价
对于各实施例和各比较例的显示装置和发光元件，分别对发光元件通入恒定电流以使亮度达到10cd/m2，目视观察此时发光的发光元件的光的颜色。
这里，选择10cd/m2这样的低亮度值的理由是因为，在本发明的各实施例的各发光元件和各比较例的各发光元件中，即使在高亮度侧(高电流密度侧)得到所需的发光色，发光色也会随着向低亮度侧(低电流密度侧)行进而发生变化，有时无法在低亮度侧(低电流密度侧)得到所需的发光色。相反，如果在低亮度侧(低电流密度侧)得到所需的发光色，则在高亮度侧(高电流密度侧)也能够没有问题地得到所需的发光色。此外，这里所谓得到所需的发光色，是指在红色发光元件中得到红色发光，在绿色发光元件中得到绿色发光，在蓝色发光元件中得到蓝色发光。
另外，对于各实施例和各比较例的显示装置和发光元件，分别对发光元件通入恒定电流以使亮度达到1000cd/m2，测定对发光元件施加的电压、从发光元件放出的光的电流效率。
进而，对于各实施例和各比较例的显示装置和发光元件，分别对发光元件通入恒定电流以使初期亮度达到1000cd/m2，测定变为初期亮度的80％的时间(LT80)。
此外，对于实施例1、比较例1、2、3，求出以比较例4R、4G、4B中测定的测定值为基准的标准化值。另外，对于实施例2，求出以比较例7R、7G、7B中测定的测定值为基准的标准化值。
将这些结果示于表1、表2。
表1
表1
※1红的数值数据以比较例4R的情况下的值进行了标准化。
※2绿的数值数据以比较例4G的情况下的值进行了标准化。
※3蓝的数值数据以比较例4B的情况下的值进行了标准化。
※4粗体字表示特性不充分的项目
不充分的判断基准如下所述
·关于颜色，R像素不为红色、G像素不为绿色、B像素不为蓝色的情况
·标准化电流效率小于0.70的情况
·标准化电压为1.2以上的情况
·标准化寿命小于0.60的情况
※5原本应发出红色光的元件发出了蓝色光，没有示出数值的意义
※6原本应发出绿色光的元件发出了蓝色光，没有示出数值的意义
表2
表2
由表1、2可知，在各实施例的显示装置中，就它们所具备的发光元件而言，在红色发光元件301R中，在红色发光功能层305R和蓝色发光功能层305B之间插入有第1电子注入层361和空穴输送层343作为载流子选择层，在绿色发光元件301G中，在绿色发光功能层305G和蓝色发光功能层305B之间插入有第1电子注入层361和空穴输送层343作为载流子选择层，在蓝色发光元件301B中，在空穴注入层341B和蓝色发光功能层305B之间插入有第1电子注入层361和空穴输送层343作为载流子选择层，通过采用这样的构成，使得在红色发光元件301R中红色发光功能层305R选择性地发光，在绿色发光元件301G中绿色发光功能层305G选择性地发光，在蓝色发光元件301B中蓝色发光功能层305B选择性地发光。其结果，在红色、绿色和蓝色的各发光元件301R、301G、301B中，分别得到高色纯度的红色发光、绿色发光和蓝色发光。另外，在红色、绿色和蓝色的发光元件301R、301G、301B中，在实施例1中得到0.89以上、在实施例2中得到0.93以上这样的高标准化电流效率，均为发光效率优良的元件。进而，红色、绿色和蓝色的发光元件301R、301G、301B在实施例1中得到0.72以上、在实施例2中得到0.65以上这样优良的标准化寿命，均实现了长寿命化。此外，红色和绿色的发光元件301R、301G的标准化电压在实施例1中抑制为1.15以下，在实施例2中抑制为1.07以下，从驱动电压的方面来看也得到了优良的特性。
相对于实施例1和实施例2，比较例1的显示装置中，省略了插入第1电子注入层361和空穴输送层343。因此，在红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，分别无法从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R和绿色发光功能层405G流畅地进行电子注入，其结果，得到了除红色和绿色之外也发蓝色光的结果。由此，在红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，红色和绿色的色纯度分别大幅降低。这是因为，在比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或者绿色发光功能层405G的电子注入性不充分，因而不仅红色发光功能层405R或者绿色发光功能层405G发光，蓝色发光功能层405B也同时发光。
进而，比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G的标准化寿命(LT80)分别显示出0.13和0.38的低值。这可以认为是因为，在比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或者绿色发光功能层405G注入电子的电子注入性不充分，因而红色发光功能层405R或者绿色发光功能层405G的阴极408侧界面的电子导致的劣化增大。
另外，比较例1的蓝色发光元件401B的标准化寿命也为0.51的低值。这是因为，比较例1的蓝色发光元件401B的空穴输送层443B是通过喷墨法成膜的。即，虽然使用真空蒸镀法之类的气相工艺能够在不将空穴输送层443B的阴极408侧界面暴露在真空以外的气氛中的情况下连续地进行随后的蓝色发光功能层405B的成膜，但是如果使用喷墨法之类的液相工艺，则难以在真空气氛中进行空穴输送层443B的成膜，因而空穴输送层443B的成膜在真空以外的气氛(例如大气、氮)中进行，至少空穴输送层443B的阴极408侧界面暴露在真空以外的气氛中。像这样使用液相工艺形成空穴输送层443B的情况下，空穴输送层443B的阴极408侧界面易被污染，这将缩短蓝色发光元件401B的寿命。另外，通过液相工艺进行空穴输送层443B的成膜的情况下，在成膜时使用将空穴输送材料溶解于溶剂而成的溶液，因而在空穴输送层443B内残留极微量的溶剂，这将污染空穴输送层443B整体，因而将缩短蓝色发光元件401B的寿命。
此外，比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G的标准化电压显示出1.25和1.27的高值。这可以认为是如下原因带来的结果，即，在比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或者绿色发光功能层405G注入电子的电子注入性不充分，因而产生对红色发光功能层405R和绿色发光功能层405G的阴极408侧界面上的电子的能量阻碍高的状态，其结果，驱动电压提高2成以上。
另外，比较例2的显示装置中，相对于实施例1和实施例2，省略了插入空穴输送层343。然而，在红色发光元件501R和绿色发光元件501G中，由于在蓝色发光功能层505B与红色发光功能层505R和绿色发光功能层505G之间存在第1电子注入层561，因此从蓝色发光功能层505B向红色发光功能层505R和绿色发光功能层505G的电子注入流畅地进行，其结果，在红色发光元件501R中仅红色发光功能层505R选择性地发光，在绿色发光元件501G中仅绿色发光功能层505G选择性地发光，能够抑制蓝色发光功能层505B的发光。但是，在蓝色发光元件501B中，形成第1电子注入层561与蓝色发光功能层505B相接的结构，因此该第1电子注入层561阻碍蓝色发光功能层505B的发光，因此，标准化电流效率和标准化寿命成为极低的值，结果与实用水平的特性相差很远。另外，由于电流效率极端降低，因此导致驱动电压也大幅升高至1.36的结果。
另外，比较例3的显示装置中，对于实施例1和实施例2，省略插入第1电子注入层361。
因此，在红色发光元件601R中，从蓝色发光功能层605B向空穴输送层643的电子注入和从空穴输送层643向红色发光功能层605R的电子注入不能流畅地进行。因此，出现红色发光功能层605R几乎不发光，蓝色发光功能层605B强烈发光的结果。
同样，在比较例3的显示装置的绿色发光元件601G中，从蓝色发光功能层605B向空穴输送层643的电子注入和从空穴输送层643向绿色发光功能层605G的电子注入不能流畅进行。因此，出现绿色发光功能层605G几乎不发光，蓝色发光功能层605B强烈发光的结果。
即，比较例3的显示装置中，红色发光元件601R、绿色发光元件601G和蓝色发光元件601B全部发出蓝色光。
对以上的各实施例和各比较例的结果总结如下。首先，在红色发光元件和绿色发光元件中，得到所需的发光色和0.60以上的实用水平的标准化寿命的是实施例1、实施例2和比较例2。然而，比较例2的蓝色发光元件501B的电流效率极低，寿命也极短，因此比较例2作为显示装置未达到实用水平。
接着，在蓝色发光元件中，得到所需的发光色和0.60以上的实用水平的标准化寿命的是实施例1、实施例2和比较例3。然而，比较例3的红色发光元件601R和绿色发光元件601G发出蓝色光，因此作为显示装置未达到实用水平。
由此可知，作为显示装置达到实用水平的仅为实施例1和实施例2。
此外，在本发明的实施例1和实施例2的红色发光元件301R、绿色发光元件301G和蓝色发光元件301B的全部中均得到所需颜色是因为，第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体作为载流子选择层而发挥功能。另外，在本发明的实施例1和实施例2的红色发光元件301R和绿色发光元件301G中，达到0.60以上的实用水平的标准化寿命也是因为第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体作为载流子选择层而发挥功能。进而，本发明的实施例的蓝色发光元件301B中，达到0.60以上的实用水平的标准化寿命是因为，第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体作为载流子选择层而发挥功能，且空穴输送层343和蓝色发光功能层305B是通过真空蒸镀法成膜的。
由比较例1和比较例3的蓝色发光元件的比较可知，对于比较例3的具有通过真空蒸镀法成膜的空穴输送层643的蓝色发光元件601B而言，与比较例1的具有通过喷墨法成膜的空穴输送层443B的蓝色发光元件401B相比，得到近2倍的寿命，比较例3的蓝色发光元件601B的发光寿命达到了实用水平。进而，由实施例1和比较例3的蓝色发光元件的比较可知，实施例1的蓝色发光元件301B的发光寿命与比较例3的蓝色发光元件601B的发光寿命是同等的，达到了实用水平。这是由于，与比较例3的空穴输送层643和蓝色发光功能层605B同样，采用真空蒸镀法成膜了实施例1的空穴输送层343和蓝色发光功能层305B。
同样，由实施例2和比较例7B的蓝色发光元件的比较可知，实施例2的蓝色发光元件301B的发光寿命与比较例7B的蓝色发光元件901B的发光寿命是同等的，达到了实用水平。这是由于，与比较例7B的空穴输送层943B和蓝色发光功能层905B同样，采用真空蒸镀法成膜了实施例2的空穴输送层343和蓝色发光功能层305B。
另外，由根据上述的电流效率的测定方法测定的测定值，分别求出用比较例3的蓝色发光元件601B的电流效率将比较例3的蓝色发光元件601B的电流效率和实施例1的蓝色发光元件301B的电流效率标准化而得的值。进而，求出用比较例5B的蓝色发光元件2101B的电流效率将比较例5B的蓝色发光元件2101B的电流效率和比较例6B的蓝色发光元件2201B的电流效率标准化而得的值。
将这些结果示于表3、表4。
表3
表3
※以没有第1电子注入层的情况(比较例3)下的值进行了标准化。
表4
表4
※以没有第1电子注入层的情况(比较例5B)下的值进行了标准化。
这里，表3表示在蓝色发光元件601B和301B分别具有的空穴注入层641B和341B由离子传导性空穴注入材料构成的情况下，第1电子注入层361的有无对蓝色发光元件601B和301B的电流效率产生何种影响。与此相对，表4表示在蓝色发光元件2101B和2201B分别具有的空穴注入层2141B和2241B不由离子传导性空穴注入材料构成的情况下，第1电子注入层2261B的有无对蓝色发光元件2101B和2201B的电流效率产生何种影响。
由表3可知，在空穴注入层641B和341B由离子传导性空穴注入材料构成的情况下，具有第1电子注入层361的蓝色发光元件301B的电流效率与不具有第1电子注入层361的蓝色发光元件601B的电流效率相比变化不大。与此相对，由表4可知，在空穴注入层2141B和2241B不由离子传导性空穴注入材料构成的情况下，具有第1电子注入层2261B的蓝色发光元件2201B的电流效率与不具有第1电子注入层2261B的蓝色发光元件2101B的电流效率相比，结果大幅降低。
即，即使是空穴注入层/电子注入层/空穴输送层/蓝色发光功能层/电子输送层这样的相同层叠结构(层叠体)，如果不由离子传导性空穴注入材料构成空穴注入层，由于第1电子注入层2261B的存在，结果显著阻碍蓝色发光元件2201B的蓝色发光。
这一情况显示，在空穴注入层2241B不由离子传导性空穴输送材料构成的情况下，第1电子注入层2261B中所含的电子注入材料扩散至空穴输送层2243B、蓝色发光功能层2205B，由此，蓝色发光功能层2205B的蓝色发光受到阻碍。
与此相对，在空穴注入层341B由离子传导性空穴输送材料构成的情况下，第1电子注入层361中所含的电子注入材料主要扩散至空穴注入层341B，或者吸附于空穴注入层341B的阴极308侧界面，因此向空穴输送层343、蓝色发光功能层305B的扩散得到大幅抑制。
即，实施例1和实施例2中，为了使具备由第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体构成的载流子选择层的蓝色发光元件301B以高电流效率(发光效率)发光，空穴注入层341B中有必要使用离子传导性空穴注入材料。
除了上述实施方式以外，还可以施加各种变形。以下，列举变形例进行说明。
(变形例1)
本实施方式中，对于就发光元件1R、1G和1B而言，发光元件1R和1G的第3层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G，且发光元件1R和1G的第1层是蓝色发光功能层5B的情况进行了说明。然而，本发明的适用范围并不限于上述情况，发光元件1R和1G的第3层和第1层可以分别是发出不同颜色的光的发光功能层，例如，发光元件1R和1G的第3层可以发出黄色和橙色的光，第1层可以发出绿色的光。这时，发光元件1R中，代替红色发光功能层5R而具备黄色发光功能层，发光元件1G中，代替绿色发光功能层5G而具备橙色发光功能层。进而，发光元件1R和1G中，代替蓝色发光功能层5B而具备绿色发光功能层。
但是，优选像本实施方式这样，分别在发光元件1R和1G的各自的第3层中应用红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G，在第1层中应用蓝色发光功能层5B。
(变形例2)
本实施方式中，对于将显示器装置100应用于从基板21侧输出光的底部发光结构的显示器面板的情况进行了说明，但并不限于此，也可以应用于从密封基板20侧输出光的顶部发光结构的显示器面板。由此，可以提高显示器装置100的色再现范围。
(变形例3)
本实施方式中，使显示器装置100的光R、G、B从基板21侧透射时，未设置与各个光相对应的滤色器(色转换层)，但可以采用在与基板21相接的面或者基板21内具有与各亚像素100R、100G、100B对应而设置的滤色器的结构。由此，可以提高显示器装置100的色再现范围。
Claims (14)
1.一种显示装置，其特征在于，具有第1发光元件和第2发光元件，
所述第1发光元件具备：
第1阳极，
阴极，
在所述第1阳极和所述阴极之间设置的具有发出第1色光的功能的第1层，
在所述第1阳极和所述第1层之间设置的具有使载流子流动的功能的第2层，以及
在所述第1阳极和所述第2层之间设置的具有发出第2色光的功能的第3层，
所述第2发光元件具备：
第2阳极，
与所述第1发光元件共用地设置的所述阴极、
在所述第2阳极和所述阴极之间设置的具有发出第1色光的功能的第4层、
在所述第2阳极和所述第4层之间设置的具有抑制载流子流动的功能的第5层、以及
在所述第2阳极和所述第5层之间设置的第1空穴注入层，
所述第2层具有配置于所述阴极侧的第1空穴输送层和配置于所述第1阳极侧的第1电子注入层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第5层具有配置于所述阴极侧的第2空穴输送层和配置于所述第2阳极侧的第2电子注入层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第1空穴输送层和所述第2空穴输送层一体化地设置，并且所述第1电子注入层和所述第2电子注入层一体化地设置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1层和所述第4层一体化地设置。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第1电子注入层和所述第2电子注入层由碱金属、碱土金属或它们的化合物构成。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1空穴注入层具有离子传导性。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1层和所述第4层使用气相工艺形成。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第2空穴输送层使用气相工艺形成。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第3层使用液相工艺形成。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1空穴注入层使用液相工艺形成。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第1色为蓝色。
12.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第2色为红色或绿色中的任一者。
13.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第1发光元件作为发出所述第2色光的发光元件发挥功能，所述第2发光元件作为发出所述第1色光的发光元件发挥功能。
14.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1～10中任一项所述的显示装置。
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Families Citing this family (23)
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|---|---|---|---|---|
| JP5471937B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
| JP5778950B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-09-16 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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| JP6031649B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2016-11-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光装置、有機電界発光装置の製造方法および電子機器 |
| JP2013182851A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置および電子機器 |
| JP2013225436A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Sony Corp | 有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器 |
| KR101975020B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2019-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6195617B2 (ja) | 2012-07-05 | 2017-09-13 | ピー．シー．オー．エー． デバイシズ エルティーディー．Ｐ．Ｃ．Ｏ．Ａ． Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｌｔｄ． | 薬剤ディスペンサ |
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| KR20140086315A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시패널의 제조방법 |
| CN104218168A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104752460B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-05-01 | 清华大学 | 有机发光二极管阵列的制备方法 |
| JP2015191978A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| IL233295B (en) | 2014-06-22 | 2019-11-28 | Ilan Paz | A control pill dispensing system |
| IL238387B (en) | 2015-04-20 | 2019-01-31 | Paz Ilan | Drug dispenser release mechanism |
| CN108289793A (zh) | 2015-10-15 | 2018-07-17 | 东森塔克斯公司 | 基于图像识别的剂型分配器 |
| US11458072B2 (en) | 2015-11-02 | 2022-10-04 | Dosentrx Ltd. | Lockable advanceable oral dosage form dispenser containers |
| CN106684113A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、装置及其制作方法 |
| CN106531775A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其显示装置与制备方法 |
| TWI791481B (zh) * | 2017-01-30 | 2023-02-11 | 德商麥克專利有限公司 | 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法 |
| CN108091676B (zh) * | 2017-12-14 | 2022-02-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种触控显示基板、其制作方法及触控显示装置 |
| CN110858629B (zh) * | 2018-08-23 | 2023-06-16 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种有机发光二极管结构及其制造方法 |
| CN112289963A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1921140A (zh) * | 2005-08-26 | 2007-02-28 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US7221332B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Eastman Kodak Company | 3D stereo OLED display |
| JP4806677B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-11-02 | トムソン ライセンシング | 有機発光ダイオードを有するカラーディスプレイ装置及びそれを実施する方法 |
| US7528810B2 (en) * | 2004-05-25 | 2009-05-05 | Victor Company Of Japan, Limited | Display with multiple emission layers |
| KR101030008B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP4062352B2 (ja) | 2006-10-26 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| US20080286566A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Shiva Prakash | Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process |
| KR101407580B1 (ko) * | 2007-09-17 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치 |
| JP4915356B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2012-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
| JP5678487B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2015-03-04 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| US9105847B2 (en) * | 2010-06-24 | 2015-08-11 | Joled Inc. | Organic EL display and method of manufacturing the same |
-
2010
- 2010-07-27 JP JP2010168668A patent/JP5418435B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-11 US US13/180,139 patent/US8390761B2/en active Active
- 2011-07-21 KR KR1020110072384A patent/KR20120031868A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-07-22 TW TW100126074A patent/TWI538189B/zh active
- 2011-07-26 CN CN201110212672.5A patent/CN102347347B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1921140A (zh) * | 2005-08-26 | 2007-02-28 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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