CN102569666A - 发光元件、显示装置以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及发光元件、显示装置以及电子设备。本发明提供能够得到所期待的发光效率的显示装置。在显示面板(19)中，阳极(3)与发光功能层(5)之间形成有第1电子注入层(61)，并且阳极(3)与第1电子注入层(61)之间形成有空穴注入层(41)。换言之，具有阳极(3)上依次层叠有空穴注入层(41)、第1电子注入层(61)、发光功能层(5)的结构。根据该结构，用于第1电子注入层(61)的电子注入材料扩散至空穴注入层(41)内，该扩散的电子注入材料阻碍或促进空穴注入层(41)内的电洞(空穴)的输送，从而调整向发光功能层(5)输送的电洞(空穴)的量，其结果改善载流子平衡。
Description
技术领域
本发明涉及发光元件、显示装置以及电子设备。
背景技术
就作为上述发光元件的有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)而言，重要的是提高发光效率(电流效率或外部量子效率)，并且对设于阳极与阴极之间的发光层，从阳极侧将空穴、从阴极侧将电子以良好的平衡注入。
因此，提出了一种有机EL元件，其包括：在基板上形成的阳极(anode)、在阳极上形成的第1有机薄膜层、在第1有机薄膜层上形成的有机发光层、在有机发光层上形成的第2有机薄膜层、在第2有机薄膜层上形成的阴极，并且，第1有机薄膜层和第2有机薄膜层各自由单层或多层构成，第1有机薄膜层或第2有机薄膜层的至少一部分掺杂或层叠了绝缘体(例如参照专利文献1)。
另外，提出了一种有机发光元件，其在发光层和阳极之间设有空穴注入层，所述空穴注入层含有第1化合物和空穴注入物质，所述第1化合物由选自Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B中的元素与选自O、F、S、Cl、Se、Br和I中的元素构成，所述空穴注入物质是用于形成空穴注入层的有机化合物(例如，参照专利文献2)。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2008-147630号公报
专利文献2：日本特开2009-152178号公报
发明内容
但是，例如，在上述举出的元素中，Li、Cs等容易在有机层中扩散(例如，参照非专利文献1：Pioneer株式会社技术情报志“PIONEERR&D”，Vol.17，No.2，2007年，第8页～第12页)，因此由于向发光层与阳极之间的有机层掺杂、插入、层叠的材料，存在该材料扩散到有机层中，最终到达发光层，阻碍发光层的发光的课题。换言之，以往的发光元件中存在难以得到所期待的发光效率的课题。
另外，这样的载流子平衡的紊乱导致包括发光层的有机功能层的劣化，所以还存在发光寿命变短的课题。即，在以往的发光元件中存在难以确保所期待的寿命的课题。
本发明是为了解决上述问题中的至少一部分而进行的，可以作为以下的方式或应用例来实现。
应用例1：本应用例涉及的发光元件的特征在于，具备：阳极、阴极、设在所述阳极与所述阴极之间的发光层、设于所述阳极与所述发光层之间的电子注入层、和设于所述阳极与所述电子注入层之间的空穴注入层。
根据本应用例，用于电子注入层的电子注入材料扩散到空穴注入层内，该扩散的电子注入材料阻碍或促进空穴注入层内的电洞(空穴)的输送，从而调整向发光层输送的电洞(空穴)的量，其结果改善载流子平衡。
因此，相比于由于添加于发光层与阳极之间的有机层的材料的影响而打破载流子平衡从而阻碍发光的以往的发光元件，可以提高发光效率。因此，可以提供能够得到所期待的发光效率的发光元件。
进而，由于载流子平衡优异，可以抑制包括发光层的有机功能层的劣化。因此，可以提供能够得到所期待的寿命的发光元件。
应用例2：在上述应用例所述的发光元件中，优选所述电子注入层由碱金属、碱土类金属、或它们的化合物构成。
根据本应用例，由碱金属、碱土类金属、或它们的化合物构成的电子注入材料容易扩散到空穴注入层内，可以有效地阻碍空穴注入层内的电洞(空穴)的输送。
应用例3：在上述应用例所述的发光元件中，以在所述电子注入层与所述发光层之间具备空穴输送层为特征。
根据本应用例，通过在电子注入层与发光层之间配置空穴输送层，可以避免电子注入层与发光层直接接触，因此，可以抑制因用于电子注入层的电子注入材料扩散到发光层而引起的发光效率的降低。
应用例4：在上述应用例所述的发光元件中，以所述电子注入层与所述空穴注入层直接接触为特征。
根据本应用例，通过电子注入层与空穴注入层直接接触，使用于电子注入层的电子注入材料更容易扩散到空穴注入层。其结果，用于电子注入层的电子注入材料难以扩散到发光层，可以防止因用于电子注入层的电子注入材料扩散到发光层而引起的发光效率的降低。
应用例5：在上述应用例所述的发光元件中，所述空穴注入层优选具有离子导电性。
根据本应用例，通过空穴注入层具有离子导电性，使用于电子注入层的电子注入材料更容易地扩散到空穴注入层。其结果，用于电子注入层的电子注入材料难以扩散到发光层，可以防止因用于电子注入层的电子注入材料扩散到发光层而引起的发光效率的降低。
应用例6：在上述应用例所述的发光元件中，所述空穴注入层优选利用液相工艺而形成。
根据本应用例，具备具有经过液相工艺而形成的空穴注入层的发光元件的显示装置可以容易地大面积化。
应用例7：本应用例涉及的显示装置的特征是具备上述应用例的发光元件。
由此，可以得到可靠性高的显示装置。
应用例8：本应用例涉及的电子设备的特征是具备上述应用例的显示装置。
由此可以得到可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的显像装置的立体图。
图2是像素电路的一个方式的图。
图3是显示面板的侧剖面图。
图4是第2实施方式涉及的显像装置的立体图。
图5是显示面板的侧剖面图。
图6是表示(a)～(c)制造工序的一个方式的图。
图7是表示(a)～(c)制造工序的一个方式的图。
图8是表示作为第3实施方式电子设备的、移动型个人计算机的立体图。
图9是表示作为电子设备的移动电话的立体图。
图10是表示作为电子设备的数码相机的立体图。
图11是示意性地表示实施例1涉及的发光元件的剖面图。
图12是示意性地表示实施例2涉及的发光元件的剖面图。
图13是示意性地表示比较例21涉及的发光元件的剖面图。
图14是示意性地表示比较例22涉及的发光元件的剖面图。
图15是示意性地表示比较例23涉及的发光元件的剖面图。
图16是示意性地表示比较例24R涉及的红色发光元件的剖面图。
图17是示意性地表示比较例24G涉及的绿色发光元件的剖面图。
图18是示意性地表示比较例24B涉及的蓝色发光元件的剖面图。
图19是示意性地表示比较例25B涉及的蓝色发光元件的剖面图。
图20是示意性地表示比较例26B涉及的蓝色发光元件的剖面图。
符号说明
1......发光元件，1R、301R、401R、501R、601R、701R......红色发光元件，1G、301G、401G、501G、601G、801G......绿色发光元件，1B、301B、401B、501B、601B、901B、2101B、2201B......蓝色发光元件，3、3R、3G、3B、303R、303G、303B、403R、403G、403B、503R、503G、503B、603R、603G、603B、703R、803G、903B、2103B、2203B......阳极，41、41R、41G、41B、341R、341G、341B、441R、441G、441B、541R、541G、541B、641R、641G、641B、741R、841G、941B、2141B、2241B......空穴注入层，42R、42G、342R、342G、442R、442G、542R、542G、642R、642G、742R、842G......中间层，43、343、443B、543B、643、943B、2143B、2243B......空穴输送层，46......载流子选择层，5R、305R、405R、505R、605R、705R......红色发光功能层，5......作为发光层的发光功能层，5G、305G、405G、505G、605G、805G...绿色发光功能层，5B、305B、405B、505B、605B、905B、2105B、2205B......蓝色发光功能层，61、361、561、2261B......第1电子注入层，38......功能层，63、363、463、563、663、763、863、963、2163、2263......第2电子注入层，62、362、462、562、662、962、2162、2262......电子输送层，8、308、408、508、608、708、808、908、2108、2208......阴极，19、29......显示面板，20......密封基板，21、321、421、521、621、721、821、921、2121、2221......基板，100、110......作为显示装置的显像装置，1100......作为电子设备的个人计算机，1200......作为电子设备的移动电话，1300......作为电子设备的数码相机。
具体实施方式
以下，对本发明的发光元件、显示装置和电子设备的附图所示的优选的实施方式进行说明。应予说明，以下的各图中，为了使各层、各部件达到可识别的程度的大小，各层、各部件的尺度与实际不同。
另外，本实施方式、本实施例、本比较例中的发光效率是指电流效率或外部量子效率。
第1实施方式
显示装置的概要
图1是表示本实施方式涉及的显像装置的一个方式的立体图。
首先，对作为本发明的实施方式1涉及的显示装置的显像装置的概要进行说明。
显像装置100是有机EL显示装置，由显示面板19、挠性基板12等构成。显示面板19是在基板21与密封基板20之间夹持包括发光层的功能层的底部发射型有机EL显示面板，从基板21侧射出显示光。
显示面板19具备由配置成矩阵状的多个像素构成的显示区域V。如在图1的右上放大表示的那样，显示区域V中排列有蓝色(B)的像素，通过各像素所射出的显示光而显示蓝色的单色图像。此外，各像素是发光像素，称为像素。
显示区域V呈纵长的长方形，在包括图1的各图中，将该纵向定义为Y轴方向、将比纵向短的横向定义为X轴方向。另外，将显示面板19的厚度方向作为Z轴方向。
在显示面板19中，在基板21从密封基板20伸出的伸出区域连接有挠性基板12。挠性基板是例如在聚酰亚胺膜的基材上形成有铁箔的配线等的具有柔软性的挠性印刷电路基板的简称。
另外，挠性基板12上安装有驱动用IC(Integrated Circuit)13，在其端部形成有用于与专用的控制器、外部设备(均未图示)连接的多个端子。
显示面板19介由挠性基板12从外部设备接收包括电力、图像信号的控制信号的供给，从而在显示区域V显示图像、文字等。另外，还作为蓝色的面照明装置起作用。
像素电路
图2是表示像素电路的一个方式的图。
在这里，利用图2，对显示面板19的像素的像素电路、以及多个像素的扫描驱动的概要进行说明。
在图1中，在显示区域V配置成矩阵状的各个像素上形成有图2所示的像素电路14。
像素电路14由用于选择像素的选择用晶体管(Thin FilmTransistor)15、驱动用晶体管24、保持电容C等构成，所述驱动用晶体管24用于向包括发光层的由层叠构造构成的功能层38流通电流。
选择用晶体管15的栅极端子上连接有来自扫描线驱动电路17的扫描线SL，源极端子上连接有来自数据线驱动电路18的数据线DL。
此外，扫描线驱动电路17和数据线驱动电路18形成在图1中的显示区域V的周边部分(边缘区域)。或者，还可以形成在驱动用IC13内。
回到图2。
选择用晶体管15的漏极端子上连接有驱动用晶体管24的栅极端子和保持电容C的一端。
驱动用晶体管24的源极端子及保持电容C的另一端与从驱动电流输出电路(未图示)供给驱动电流的配线IL连接。并且，驱动用晶体管24的漏极端子与阳极3连接。
阳极3与阴极8之间配置有功能层38。另外，阴极8与接地线连接。
扫描线驱动电路17包括移位寄存器、输出缓冲器(均未图示)而构成，基于来自驱动用IC13的定时信号，向多个扫描线SL依次供给扫描信号。
数据线驱动电路18包括移位寄存器、闩锁电路(均未图示)而构成，基于来自驱动用IC13的定时信号和数据信号，向多个数据线DL供给数据信号。
因扫描信号被选择的选择用晶体管15接通，向驱动用晶体管24供给数据信号。由此，驱动用晶体管24接通，功能层38流通驱动电流而发光。另外，与接通驱动用晶体管24并行地使数据信号保持于保持电容C，因此，与电容对应的时间(相当于1帧的期间长度)维持发光。
此外，并不限于图2所示的像素电路，只要是能利用驱动电流同样将功能层38进行点灯驱动的像素电路，则可以是不同的电路结构。
剖面构造的概要
图3是图1的i-i剖面的侧剖面图，表示显示面板(像素)的剖面结构的概要。
如图3所示，显示面板19具有在基板21上依次层叠平坦化层22、多个发光元件1、环氧树脂层35、密封基板20的结构。
基板21上设有多个驱动用晶体管24，以覆盖这些驱动用晶体管24的方式形成有由绝缘材料构成的平坦化层22。
各驱动用晶体管24具有由硅等半导体材料构成的半导体层241、在半导体层241上形成的栅极绝缘层242、在栅极绝缘层242上形成的栅极电极243、源电极244、和漏电极245。
另外，平坦化层22上与各驱动用晶体管24对应地设有发光元件1。
发光元件1具有形成在平坦化层22上的、由阳极3、功能层38、阴极8构成的层叠构造。另外，功能层38由包括空穴注入层41、第1电子注入层61、空穴输送层43、作为发光层的发光功能层5、电子输送层62、第2电子注入层63的层叠构造而构成。
即，发光元件1具有由阳极3、空穴注入层41、第1电子注入层61、空穴输送层43、发光功能层5、电子输送层62、和第2电子注入层63构成的层叠构造。
另外，第1电子注入层61与空穴输送层43的层叠构造也称为载流子选择层46。
该结构的发光元件1的邻接的元件彼此之间设有隔壁31，由此，各发光元件1被分别设置。
本实施方式中，在各发光元件1中，通过用隔壁31划分而分别设置阳极3、空穴注入层41，并且将第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8设成一体。通过设成该结构，各发光元件1的阳极3构成像素电极(独立电极)，而且各发光元件1的阴极8构成共用电极。另外，各发光元件1的阳极3通过导电部(配线)27与各驱动用晶体管24的漏电极245电连接。
如此地，在具备发光元件1的显示面板19中，利用驱动用晶体管24控制各发光元件1的发光亮度，即通过控制向各发光元件1施加的电压而可以进行显示面板19的单色显示。
在该结构的发光元件1中可以适用本发明的发光元件，对发光元件1的详细情况在后面进行说明。
进而，在本实施方式中，这些发光元件1上以覆盖它们的方式形成有由环氧树脂构成的环氧树脂层35。
并且，环氧树脂层35上以覆盖其的方式设有密封基板20。由此，可以确保发光元件1的气密性，可以防止氧、水分的浸入，因此可以实现提高发光元件1的可靠性。
以上说明的显像装置100通过使各发光元件1同时发光，从而可以进行蓝色的单色显示。
发光元件的详细情况
如上所述，发光元件1是层叠体介插到阳极3与阴极8之间而成，所述层叠体是从阳极3侧依次层叠有空穴注入层41、第1电子注入层61、空穴输送层43、发光功能层5、电子输送层62、第2电子注入层63而成。
就这样的发光元件1而言，对发光功能层5，从阴极8侧供给(注入)电子的同时，从阳极3侧供给(注入)空穴。并且，发光功能层5中，空穴与电子再结合，通过该再结合，产生激子(exciton)，激子回到基态时，将能量以荧光、磷光的形式放出，从而发光功能层5发出光。
此外，本实施方式中，由于所有的发光功能层5为蓝色发光功能层，因此各像素的发光元件1进行蓝色发光。
以下，对构成发光元件1的各部分依次进行说明。
阳极3
阳极3是向空穴注入层41注入空穴的电极。
作为该阳极3的构成材料，没有特别的限定，但可以良好地使用功函数大、导电性优异的材料。
作为阳极3的构成材料，例如可以举出ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、In2O3、SnO2、掺氟SnO2、掺Sb的SnO2、ZnO、掺Al的ZnO、掺Ga的ZnO等金属氧化物，Au、Pt、Ag、Cu或含有这些的合金等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
这样的阳极3的平均厚度没有特别的限定，但优选为10nm～200nm左右，更优选为30nm～150nm左右。
此外，显示面板19为底部发射构造的显像面板时，阳极3R要求透光性，因此在上述的构成材料中，优选具有透光性的金属氧化物。
空穴注入层41
空穴注入层41是具有使来自阳极3的空穴注入变容易的功能的层。
作为该空穴注入层41的构成材料(空穴注入材料)没有特别的限制，但是可以很好地使用在导电性高分子材料(或导电性低聚物材料)中添加了电子接受性掺杂物的离子导电性空穴注入材料，使得在后述的空穴注入层41的形成工序中可以利用液相工艺来形成。
作为这样的离子导电性空穴注入材料，例如可以举出聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)之类的聚噻吩系空穴注入材料、聚苯胺-聚(苯乙烯磺酸)(PANI/PSS)之类的聚苯胺系空穴注入材料、以及由下述通式(1)表示的低聚苯胺衍生物与下述通式(4)表示的电子接受性掺杂物形成盐的低聚苯胺系空穴注入材料。
[式中，R1、R2和R3各自独立地表示未取代或取代的一元烃基或有机氧基，A和B各自独立地表示下述通式(2)或下述通式(3)表示的二元的基团，R4～R11各自独立地表示氢原子、羟基、未取代或取代的一元烃基或有机氧基、酰基或磺酸基，m和n各自独立地为1以上的正数且满足m+n≤20。]
[式中，D表示苯环、萘环、蒽环、菲环或杂环，R12、R13各自独立地表示羧基或羟基。]
这样的空穴注入层的平均厚度没有特别的限制，但优选为5nm～150nm左右、更优选为10nm～100nm左右。
第1电子注入层61
在第1电子注入层61中，用于电子注入层的电子注入材料扩散至空穴注入层内，该扩散的电子注入材料阻碍或促进空穴注入层内的电洞的输送。由此，调整向发光功能层5输送的电洞的量，其结果，改善载流子平衡，提高发光效率。即，第1电子注入层61具有调整空穴注入层41的电洞输送量的功能。
作为该第1电子注入层61的构成材料，例如可以举出碱金属、碱土类金属、稀土类金属、碱金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、碱土类金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、稀土类金属盐(氧化物、氟化物、氯化物等)、金属配合物等电子注入材料，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
使第1电子注入层61以这样的电子注入材料作为主材料而构成，从而可以调整向发光功能层5输送的电洞的量。
作为碱金属，例如可以举出Li、Na、K、Rb、Cs。另外，作为碱土类金属，例如可以举出Mg、Ca、Sr、Ba。进而，作为稀土类金属，例如可以举出Nd、Sm、Y、Tb、Eu。
作为碱金属盐，例如可以举出LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3、CsCl。另外，作为碱土类金属盐，例如可以举出CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2、BaCO3。进而，作为稀土类金属盐，例如可以举出SmF3、ErF3。
作为金属配合物，例如可以举出8-羟基喹啉锂(Liq)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等将8-羟基喹啉及其衍生物作为配位基的有机金属配合物。
另外，第1电子注入层61的形成工艺可以利用真空蒸镀法(蒸镀法)、溅射法之类的气相工艺，也可以利用喷墨法、狭缝涂布法之类的液相工艺。
进而，第1电子注入层61可以以2种以上的电子注入层层叠的形式而形成。由此，可以可靠地进行向发光功能层5输送的电洞量的调整。
第1电子注入层61的平均厚度没有特别的限定，优选为0.01nm～10nm左右、更优选为0.1nm～5nm左右。通过将第1电子注入层61的平均厚度设定在该范围内，可以可靠地进行向发光功能层5输送的电洞量的调整。
空穴输送层43
空穴输送层43是发挥将从空穴输送层43的阳极3侧界面注入的空穴输送至发光功能层5的功能的层。并且，空穴输送层43具有阻滞从发光功能层5流向空穴输送层43的电子的功能，从而可以将这些电子留在发光功能层5，因此可以更加提高发光效率。加之，空穴输送层43还可以发挥防止第1电子注入层61与发光功能层5直接接触、或者减少用于第1电子注入层61的电子注入材料向发光功能层5扩散的作用。
作为该空穴输送层43的构成材料，没有特别的限定，但为了在后述的空穴输送层43的形成工序中可以利用真空蒸镀法之类的气相工艺而形成，例如可以举出N，N’-二苯基-N，N’-二(间甲苯基)-联苯胺(TPD)、下述式(5)表示的双[N-(1-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)、下述式(6)表示的化合物之类的联苯胺衍生物等胺系化合物，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
这样的空穴输送层43的平均厚度没有特别的限定，但优选为1nm～50nm左右、更优选为5nm～30nm左右。通过使空穴输送层43的平均厚度设定在该范围内，可以将从空穴注入层41介由第1电子注入层61注入的空穴可靠地输送至发光功能层5。
发光功能层5
发光功能层5含有发出规定颜色的光的发光材料而构成。在本实施方式中，发光功能层5为蓝色发光功能层，因此，发光功能层5发出蓝色的光。
发光功能层5通过从阳极3侧供给(注入)空穴的同时，从阴极8侧供给(注入)电子，从而在发光功能层5中空穴与电子再结合，通过该再结合产生激子(exciton)，激子在发光功能层5所含的蓝色发光材料中回到基态时，将能量以蓝色的光的形式放出。
作为这样的蓝色发光材料，没有特别的限定，但可以良好地使用在发光功能层5的形成工序中可利用气相工艺形成的材料，具体而言，可以举出下述式(7)表示的化合物之类的苯乙烯基衍生物。
另外，作为其它的蓝色发光材料，也可以是将蒽衍生物作为主体材料，作为客体材料在该主体材料中含有苯乙烯基衍生物的蓝色发光材料。
主体材料具有使空穴与电子再结合而生成激子、且将该激子的能量转移(福斯特(Forster)转移或德克斯特(Dexter)转移)到蓝色发光材料，从而激发蓝色发光材料的功能。使用这样的主体材料时，例如，可以将客体材料作为掺杂物而掺杂到主体材料中而使用。
此时，作为蒽衍生物，可以举出下述式(8)、下述式(9)和下述式(10)表示的化合物，作为苯乙烯基衍生物，可以举出下述式(11)、下述式(12)和下述式(13)表示的化合物，可以分别使用它们中的1种或将2种以上组合使用。
此外，具备这样的经过气相工艺而形成的发光功能层5的发光元件1将充分具备实用水平的发光寿命特性。
进而，使用这样的客体材料和主体材料时，发光功能层5中的客体材料的含量(掺杂量)优选相对于主体材料以重量比计为0.1％～20％左右、更优选为0.5％～10％左右。通过使客体材料的含量在这样的范围内，可以使发光效率最优化。
这样的发光功能层5的平均厚度没有特别的限定，优选为5nm～100nm左右、更优选为10nm～50nm左右。
电子输送层62
电子输送层62是具有将从阴极8介由第2电子注入层63向电子输送层62注入的电子输送到发光功能层5的功能的层。另外，电子输送层62有时还具有阻滞从发光功能层5欲通向电子输送层62的空穴的功能。
作为电子输送层62的构成材料(电子输送材料)，没有特别的限定，但为了在电子输送层62的形成工序中能够利用气相工艺而形成，例如可以很好地使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)等将8-羟基喹啉及其衍生物作为配位基的有机金属配合物等的喹啉衍生物，2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-
二唑(tBu-PBD)、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-
二唑(BND)之类的
二唑衍生物、3-(4-联苯)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)之类的三唑衍生物，下述式(14)表示的化合物之类的噻咯衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、下述式(15)表示的化合物之类的含氮杂环衍生物等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合使用。
电子输送层62的平均厚度没有特别的限定，但优选为1nm～100nm左右、更优选为5nm～50nm左右。由此，可以将从第2电子注入层63注入的电子很好地输送到发光功能层5。
此外，根据构成发光元件1的空穴注入层41、第1电子注入层61、空穴输送层43、发光功能层5、第2电子注入层63和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等的组合，可以省去该电子输送层62。
第2电子注入层63
第2电子注入层63具有提供高从阴极8向电子输送层62注入电子的效率的功能。
作为该第2电子注入层63的构成材料(电子注入材料)，没有特别的限定，例如可以使用与作为上述的第1电子注入层61的构成材料举出的物质相同的物质。
此外，第2电子注入层63和第1电子注入层61的构成材料(电子注入材料)分别根据夹持这些的2个层的构成材料的组合而选择能够得到最佳注入效率的构成材料，因此，第2电子注入层63的构成材料与第1电子注入层61的构成材料可以相同，也可以不同。
第2电子注入层63的平均厚度没有特别的限定，但优选为0.01nm～100nm左右、更优选为0.1nm～10nm左右。
此外，根据电子输送层62和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等的组合，可以省去该第2电子注入层63。
阴极8
阴极8是介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极。作为该阴极8的构成材料，优选使用功函数小的材料。作为阴极8的构成材料，为了在后述的阴极8的形成工序中能够利用气相工艺而形成，例如可以使用Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au或含有这些的合金等，可以使用这些中的1种或将2种以上组合(例如多层层叠体等)使用。
特别是，如本实施方式这样为底部发射构造的显示面板19时，阴极8不要求透光性，作为阴极8的构成材料，可以优选使用例如Al、Ag、AlAg、AlNd等金属或合金。通过将该金属或合金作为阴极8的构成材料使用，可以实现阴极8的电子注入效率和稳定性的提高。
这样的阴极8的平均厚度没有特别的限定，但优选为50nm～1000nm左右、更优选为100nm～500nm左右。
此外，显示面板19为顶发射构造的显示装置时，作为阴极8的构成材料，优选使用MgAg、MgAl、MgAu、AlAg等金属或合金。通过将该金属或合金作为阴极8的构成材料使用，可以维持阴极8的透光性的同时，可以实现阴极8的电子注入效率和稳定性的提高。
这样的阴极8的平均厚度没有特别的限定，但优选为1nm～50nm左右、更优选为5nm～20nm左右。
此外，该结构的发光元件1的阳极3、空穴注入层41、第1电子注入层61、空穴输送层43、发光功能层5、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间可以设有任意的层。
此外，对于含有发光元件1的显示面板19的制造方法，在实施方式2中进行说明。
如以上叙述的那样，根据本实施方式涉及的显像装置100(显示面板19)可以得到以下的效果。
在显示面板19中，在阳极3与发光功能层5之间形成有第1电子注入层61，并且在阳极3与第1电子注入层61之间形成有空穴注入层41。换言之，阳极3上依次层叠有空穴注入层41、第1电子注入层61、发光功能层5而构成。
根据该结构，用于第1电子注入层61的电子注入材料扩散到空穴注入层41内，该扩散的电子注入材料阻碍或促进空穴注入层41内的电洞(空穴)的输送，从而可以调整向发光功能层5输送的电洞(空穴)的量，其结果可以改善载流子平衡。
因此，与由于发光功能层与阳极之间的有机层所添加的材料的影响而破坏载流子平衡而阻碍发光的以往的发光元件相比，可提高发光效率。
因此，可以提供能得到所期待的发光效率的发光元件1和具备发光元件1的显像装置100(显示面板19)。
进而，由于载流子平衡优异，从而可以抑制包括发光功能层5的功能层38的劣化。
因此，可以提供能得到所期待的寿命的发光元件1。
另外，由于第1电子注入层61由碱金属、碱土类金属、或它们的化合物构成，所以容易扩散到空穴注入层41内，可以有效地阻碍空穴注入层内的电洞(空穴)的输送。
进而，由于在第1电子注入层61与发光功能层之间形成有空穴输送层43，从而可以避免第1电子注入层61与发光功能层5直接接触，因此，可以抑制因用于第1电子注入层61的电子注入材料扩散到发光功能层5而引起的发光效率的降低。
另外，由于第1电子注入层61与空穴注入层41直接接触，所以用于第1电子注入层61的电子注入材料更容易扩散到空穴注入层41。其结果，能使电子注入材料难以扩散到发光功能层5，抑制因电子注入材料扩散到发光功能层而引起的发光效率的降低。
另外，空穴注入层41具有离子导电性，因此，用于第1电子注入层61的电子注入材料可以更容易地扩散到空穴注入层41。
由此，电子注入材料难以向发光功能层5扩散，从而可以抑制发光效率的降低。
另外，由于可以利用液相工艺形成空穴注入层41，因此，可以容易应对显示面板的大型化。
第2实施方式
显示装置的概要
图2是表示本实施方式涉及的显像装置的一个方式的立体图，与图1相对应。
首先，对作为本发明的实施方式2的显示装置的概要进行说明。此外，对于与实施方式1相同的结构部位，使用相同的编号并省略重复说明。
本实施方式涉及的显像装置110具备能够进行全色彩图像显示的显示面板29。详细而言，如图4的右上的显示区域V的放大图所示，具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的像素周期性地形成的显示面板29。除此以外的结构与实施方式1的显像装置100相同。
发光元件的详细情况
图5是图4的j-j剖面的侧剖面图，与图3对应。
以下，以与实施方式1的显示面板19的不同点为中心进行说明。
显示面板29的显示区域V在X轴方向周期性地形成红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的像素。此外，将各色像素也称为子像素，将由连续的RGB的3个子像素构成的像素组也称为彩色像素。
在图5中，最右侧(X轴(-)侧)所示的像素是发出B光的蓝色像素，具备发光元件1B。在这里，发光元件1B是与实施方式1的发光元件1相同的结构，但为了与其它颜色光的像素区别而称为发光元件1B。
蓝色像素旁边的发出G光的绿色像素和绿色像素旁边的发出R光的红色像素分别具备与发光元件1B不同的层叠构造发光元件1G、发光元件1R。除了这些结构以外，与实施方式1的显示面板19相同。
以下，对各发光元件详细地进行说明。
发光元件1R、1G、1B分别在阳极3R、3G、3B与阴极8之间，从阴极8侧依次具备第1层、第2层、第3层。
第1层是具有发出第1色的光的功能的层。以下，将具有发出某一颜色的光的功能的层称为发光功能层。在本实施方式中，第1色是蓝色，第1层是蓝色发光功能层5B。此外，蓝色发光功能层5B与实施方式1的发光功能层5相同。
第2层是载流子选择层46。载流子选择层是指具有根据第3层的功能而选择载流子流的功能的层，与实施方式1同样地，由从阳极(3R、3G、3B)侧依次层叠第1电子注入层61与空穴输送层43的层叠体而构成。
就发光元件1R和1G而言，第3层是具有发出第2色的光的功能的层，分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G。即，本实施方式中的第2色，在发光元件1R与1G中分别为红色和绿色。
另外，在发光元件1B中，第3层为空穴注入层41B。此外，空穴注入层41B与实施方式1的空穴注入层41相同。
发光元件1R是在平坦化层22上依次层叠有阳极3R、空穴注入层41R、中间层42R、作为第3层的红色发光功能层5R、作为第2层的载流子选择层46、作为第1层的蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63、和阴极8。
另外，发光元件1G在平坦化层22上依次层叠有阳极3G、空穴注入层41G、中间层42G、作为第3层的绿色发光功能层5G、作为第2层的载流子选择层46、作为第1层的蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63、和阴极8。
在本实施方式中，在各发光元件1R、1G、1B中各阳极3R、3G、3B、各空穴注入层41R、41G、41B、各中间层42R、42G和各发光功能层5R、5G，被隔壁31划分而分别设置，而第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8被设置成一体。
通过该结构，各发光元件1R、1G、1B的各阳极3R、3G、3B将构成像素电极(独立电极)，而各发光元件1R、1G、1B的阴极8将构成共用电极。另外，各发光元件1R、1G、1B的各阳极3R、3G、3B与各驱动用晶体管24的漏电极245通过导电部(配线)27而电连接。
如此地，在具备发光元件1R、1G、1B的显示面板29中，通过利用驱动用晶体管24控制各发光元件1R、1G、1B的发光亮度，即通过控制向各发光元件1R、1G、1B施加的电压，从而使显像装置110的全色彩显示成为可能。
在该结构的显示面板29中，应用本发明的发光元件。以下，对发光元件1R、1G依次进行说明。
(发光元件1R)
发光元件(红色发光元件)1R是将从阳极3R侧依次层叠有空穴注入层41R、中间层42R、红色发光功能层5R、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63的层叠体，介插在阳极3R与阴极8之间而成。
在发光元件1R中，载流子选择层46是由从阳极3R侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体而构成。另外，发光元件1R中，阳极3R和阴极8分别构成独立电极和共用电极，阳极3R起到向空穴注入层41R注入空穴的电极的功能，阴极8起到介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极的功能。
在这样的结构的发光元件1R中，中间层42R与红色发光功能层5R成为固有的结构部位。换言之，阳极3R、空穴注入层41R、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8与实施方式1中的相应部位相同。
以下，对发光元件1R固有的结构部位进行说明。
中间层42R
中间层42R具有将从空穴注入层41R注入的空穴输送至红色发光功能层5R的功能。另外，中间层42R有时还具有阻滞从红色发光功能层5R欲通向中间层42R的电子的功能。
作为该中间层42R的构成材料，没有特别的限定，但为了在后述的中间层42R的形成工序中能够用液相工艺形成，例如可以很好地使用下述通式(16)表示的三苯胺系聚合物等胺系化合物。
这样的中间层42R的平均厚度没有特别的限定，但优选为5nm～100nm左右、更优选为10nm～50nm左右。
此外，根据构成发光元件1R的阳极3R、空穴注入层41R、红色发光功能层5R、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的构成材料的种类及其膜厚等组合，可以省去该中间层42R。
红色发光功能层5R
红色发光功能层5R含有发出红色的光的红色发光材料而构成。
在发光元件1R中，该红色发光功能层5R构成设在阳极3R与载流子选择层(第2层)46之间的第3层，该红色发光功能层5R具有在发光元件1R中发出第2色(红色)的光的功能。
这样的红色发光功能层5R的构成材料没有特别的限制，但为了在后述的红色发光功能层5R的形成工序中能够利用液相工艺来形成，优选可以溶液化或分散液化的构成材料。因此，作为红色发光功能层5R的构成材料，可以很好地使用可以溶解或分散于溶剂或分散介质中的、高分子红色发光材料以及低分子红色发光材料，例如可以举出下述通式(17)和下述通式(18)表示的高分子红色发光材料。
此外，具备这样的经过液相工艺而形成的红色发光功能层5R的发光元件1R将充分具备实用水平的发光寿命特性。
这样的红色发光功能层5R的平均厚度没有特别的限定，但优选为10nm～150nm左右、更优选为20nm～100nm左右。
载流子选择层46
载流子选择层(第2层)46由从阳极3R侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体而构成。
在发光元件1R中，载流子选择层46进行将从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子顺利地注入红色发光功能层5R的所谓的载流子注入动作。因此，在发光元件1R中，将大幅抑制蓝色发光功能层5B的发光，红色发光功能层5R将选择性或支配性地发光。
发光元件1G
发光元件(绿色发光元件)1G是将从阳极3G侧依次层叠有空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63的层叠体，介插于阳极3G与阴极8之间而成。
在发光元件1G中，载流子选择层46是由从阳极3G侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体而构成。另外，在发光元件1G中，阳极3G和阴极8分别构成独立电极和共用电极，阳极3G起到向空穴注入层41G注入空穴的电极的功能，阴极8起到介由第2电子注入层63向电子输送层62注入电子的电极的功能。
发光元件1G代替红色发光功能层5R具备绿色发光功能层5G，除此以外，具有与上述发光元件1R相同的结构。换言之，阳极3R、空穴注入层41R、载流子选择层46、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8与实施方式1中的对应部位相同。
以下，对发光元件1R固有的结构部位进行说明。
绿色发光功能层5G
绿色发光功能层5G含有发出绿色的光的绿色发光材料而构成。
发光元件1G中，该绿色发光功能层5G构成设在阳极3G与载流子选择层(第2层)46之间的第3层，该绿色发光功能层5G具有在发光元件1G中发出第2色(绿色)的光的功能。
这样的绿色发光功能层5G的构成材料没有特别的限定，为了在后述的绿色发光功能层5G的形成工序中能利用液相工艺来形成，优选能够溶液化或分散液化的构成材料。因此，作为绿色发光功能层5G的构成材料，可以很好地使用能够在溶剂或分散介质中溶解或分散的、高分子绿色发光材料和低分子绿色发光材料，例如可以举出下述通式(19)和下述通式(20)表示的高分子绿色发光材料。
此外，具备这样的经过液相工艺而形成的绿色发光功能层5G的发光元件1G将充分地具备实用水平的发光寿命特性。
这样的绿色发光功能层5G的平均厚度，没有特别的限定，但优选为10nm～150nm左右、更优选为20nm～100nm左右。
此外，该结构的发光元件1G的阳极3G、空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间可以设有任意的层。
(发光元件1B的补充说明)
在发光元件1B中，载流子选择层46进行阻滞从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子，将这些电子留在蓝色发光功能层5B的所谓的载流子阻滞动作。因此，在发光元件1B中，蓝色发光功能层5B有效地发光。为了可靠地进行该载流子阻滞动作，发光元件1B的空穴输送层43优选使用具有载流子阻滞功能构成材料。例如，通过使用作为上述发光元件1R的空穴输送层43的构成材料举出的胺系化合物，从而使空穴输送层43具有电子阻滞功能。
此外，该结构的发光元件1B的阳极3B、空穴注入层41B、第1电子注入层61、空穴输送层43、蓝色发光功能层5B、电子输送层62、第2电子注入层63和阴极8的各层之间可以设有任意的层。
(显示面板的制造方法)
图6(a)～(c)和图7(a)～(c)是表示显示面板的制造工序中的一个方式的图，是与图5对应的侧剖面图。
在这里，对上述的显示面板29的制造方法进行说明。此外，第1实施方式的显示面板19的制造方法是在本实施方式的显示面板29的制造方法中，以蓝色像素形成全部的像素的方法。换言之，省略了中间层42R、红色发光功能层5R和中间层42G、绿色发光功能层5G的、制造方法即为第1实施方式的显示面板19的制造方法。
[1]首先，准备基板21，以与各子像素对应的方式形成多个驱动用晶体管24后，以覆盖这些驱动用晶体管24的方式形成平坦化层22(第1工序)。
[1-A]首先，准备基板21，在基板21上形成包括驱动用晶体管24的像素电路元件。此外，为了方便说明，以驱动用晶体管24为中心来说明。
[1-Aa]首先，在基板21上例如通过等离子体CVD法等形成平均厚度为30nm～70nm左右的以非晶硅为主材料而构成的半导体膜。
[1-Ab]接着，对半导体膜，利用激光退火或固相生长法等进行结晶化处理，将非晶硅变成多晶硅。
在这里，激光退火法中，例如利用准分子激光，使用光束长度为400mm的线光束，将其输出强度设定为例如200mJ/cm2左右。
[1-Ac]接着，对半导体膜进行图案形成而形成岛状，得到半导体层241，将例如TEOS(四乙氧基硅烷)、氧气等作为原料气体，利用等离子体CVD法等，形成平均厚度为60nm～150nm左右的氧化硅或氮化硅等作为主材料而构成的栅极绝缘层242，使得覆盖这些岛状的半导体层241。
[1-Ad]接着，在栅极绝缘层242上，例如通过溅射法等形成将铝、钽、钼、钛、钨等金属作为主材料而构成的导电膜后，进行图案形成，形成栅极电极243。
[1-Ae]接着，在该状态下，打入高浓度的磷离子，对于栅极电极243，自对准性地形成源·漏区域。其中，没有导入杂质的部分成为槽区域。
[1-B]接着，形成与驱动用晶体管24电连接的源电极244和漏电极245。
[1-Ba]首先，以覆盖栅极电极243的方式形成第1平坦化层后，形成接触孔。
[1-Bb]接着，在接触孔内形成源电极244和漏电极245。
[1-C]接着，形成将漏电极245和各阳极3R、3G、3B电连接的配线(中继电极)27。
[1-Ca]首先，在第1平坦化层上形成第2平坦化层后，形成接触孔。
[1-Cb]接着，在接触孔内形成配线27。
此外，由[1-B]工序和[1-C]工序中形成的第1平坦化层和第2平坦化层构成平坦化层22。
[2]接着，在平坦化层22上以对应各配线27的方式形成阳极(独立电极)3R、3G、3B(第2工序)。
该阳极3R、3G、3B可以通过在平坦化层22上形成将阳极3R、3G、3B的构成材料作为主材料而构成的薄膜后，进行图案形成而得到。
[3]接着，在平坦化层22上形成隔壁(Bank)31，从而划分各阳极3R、3G、3B，即，划分成形成各发光元件1R、1G、1B的区域(第3工序)。
隔壁31可以通过在平坦化层22上形成绝缘膜而覆盖各阳极3R、3G、3B后，利用光刻法等以露出各阳极3R、3G、3B的方式进行图案形成等来形成。
在这里，隔壁31的构成材料考虑耐热性、防液性、油墨溶剂耐性、与平坦化层22等的密合性等来进行选择。
具体而言，作为隔壁31的构成材料，例如可以举出丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂之类的有机材料、SiO2之类的无机材料。
图6(a)表示利用目前为止的工序形成到隔壁31的状态。
另外，隔壁31的开口的形状除了如图4所示的四边形以外，例如还可以是圆形、椭圆形、六边形等多边形等任意形状。
此外，隔壁31的开口的形状为多边形的情况下，角部优选带有圆角。由此，将空穴注入层41R、41G、41B、中间层42R、42G和发光功能层5R、5G如后述那样利用液态材料而形成时，可以将这些液态材料可靠地供给到隔壁31的内侧的空间的每个角落。
这样的隔壁31的高度根据发光元件1R、1G、1B的厚度适当设定，没有特别的限定，但优选为0.5μm～5μm左右。通过该高度，可以充分地发挥作为隔壁(bank)的功能。
此外，通过喷墨法形成空穴注入层41R、41G、41B、中间层42R、42G和发光功能层5R、5G时，形成有隔壁31的基板21优选进行等离子体处理。具体而言，首先将O2气体作为处理气体，将形成有隔壁31的基板21的表面进行等离子体处理。由此，阳极3R、3G、3B的表面和隔壁31的表面(包括壁面)被活化而变亲液化。接着，将CF4等氟系气体作为处理气体来进行等离子体处理。由此，仅在由有机材料的感光性树脂构成的隔壁31的表面发生氟系气体的反应而被防液化。由此，隔壁31可以更有效地发挥作为隔壁的功能。
[4]接着，在位于用来形成发光元件1R的区域的隔壁31的内侧形成空穴注入层41R、中间层42R和红色发光功能层5R，在位于用来形成发光元件1G的区域的隔壁31的内侧形成空穴注入层41G、中间层42G和绿色发光功能层5G，进而，在位于用来形成发光元件1B的隔壁31的内侧，形成空穴注入层41B(第4工序)。以每个发光元件1R、1G、1B，在以下进行详述该第4工序。
[发光元件1R]在位于用来形成发光元件1R的区域的隔壁31的内侧，依次形成空穴注入层41R、中间层42R和红色发光功能层5R。将形成各个层的工序称为空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序，以下进行详述。
[空穴注入层41R形成工序]首先，如图6(b)所示，利用喷墨法涂布空穴注入层41R。具体而言，从喷墨打印装置的喷头喷出含有空穴注入材料的空穴注入层41R形成用的油墨(液态材料)而涂布于各阳极3R上(涂布工序)。
在这里，作为用于空穴注入层形成用的油墨的制备的溶剂(油墨溶剂)或分散介质(油墨分散介质)，例如可以举出硝酸、硫酸、铵、过氧化氢、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸乙烯酯等各种无机溶剂；甲乙酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基异丁酮(MIBK)、甲基异丙酮(MIPK)、环己酮等酮系溶剂；甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二甘醇(DEG)、甘油等醇系溶剂；二乙醚、二异丙醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、茴香醚、二甘醇二甲醚(diglyme)、二甘醇乙醚(卡必醇)等醚系溶剂；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂等溶纤剂系溶剂；己烷、戊烷、庚烷、环己烷等脂肪族烃系溶剂；环己烷、四氢化萘等脂环式烃系溶剂；甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香族烃系溶剂；吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族杂环化合物系溶剂；N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶剂；二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷等卤素化合物系溶剂；乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶剂；二甲亚砜(DMSO)、环丁砜等硫化合物系溶剂；乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶剂；甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸等有机酸系溶剂之类的各种有机溶剂、或含有它们的混合溶剂等。
此外，涂布于阳极3R上的液态材料的流动性高(粘性低)，欲向水平方向(面方向)蔓延，但如图6(b)所示，阳极3R由隔壁31围着，因此，阻止了蔓延到规定区域以外，从而正确地规定了空穴注入层41R的轮廓形状。
接着，对涂布的空穴注入层41R实施后处理(后处理工序)。具体而言，使涂布于各阳极3R上的空穴注入层形成用的油墨(液态材料)干燥，形成空穴注入层41R。通过该干燥，可以除去溶剂或分散介质。
图6(c)表示了干燥后的空穴注入层41R的状态。
作为干燥的方法，可以举出放置于减压气氛中的方法、利用热处理(例如，40℃～80℃左右)的方法、利用氮气之类的惰性气体的流动的方法等。进而，根据需要，将形成有空穴注入层41R的基板21在100℃～300℃左右加热(烘烤)。通过该加热，可以除去干燥后残留在空穴注入层41R的膜内的溶剂或分散介质。另外，使用了因加热而进行交联从而对溶剂不溶化的空穴注入材料时，还可以利用该加热，使空穴注入层41R不溶化。另外，该加热后，为了除去空穴注入层41R的未不溶化部分，将形成有空穴注入层41R的基板21的表面利用溶剂进行漂洗(清洗)。通过该漂洗，可以防止空穴注入层41R的未不溶化部分混入形成于空穴注入层41R上的中间层42R。
[中间层42R形成工序]在中间层42R形成工序中，首先将中间层42R在各空穴注入层41R上利用与空穴注入层41R形成工序相同的喷墨法进行涂布，接着对涂布的中间层42R实施与空穴注入层41R形成工序相同的后处理。其中，适当地选择适合中间层42R的形成的、用于中间层42R形成用的油墨的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法、条件等。
图7(a)表示了干燥后的空穴注入层41R的状态。
[红色发光功能层5R形成工序]在红色发光功能层5R形成工序中，首先将红色发光功能层5R在各中间层42R上利用与空穴注入层41R形成工序相同的喷墨法进行涂布，接着对涂布的红色发光功能层5R实施与空穴注入层41R形成工序相同的后处理。但是，适当地选择适合红色发光功能层5R的形成的、用于红色发光功能层5R形成用的油墨的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法、条件等。图7(b)表示了干燥后的红色发光功能层5R的状态。
上述的空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序优选利用喷墨法。喷墨法中，可以与基板的面积的大小无关地高精度控制油墨的喷出量和墨滴的滴落位置，因此通过利用该方法，可以实现空穴注入层41R的薄膜化、像素大小的微小化、进而显像装置100的大面积化。另外，由于可以向隔壁31的内侧选择性地供给用于形成各层的油墨(液态材料)，因此可以减少油墨的浪费。
此外，这些空穴注入层41R形成工序、中间层42R形成工序、红色发光功能层5R形成工序不限于喷墨法，例如还可以利用溅射法、真空蒸镀法、CVD法等气相工艺，旋涂法(高温溶胶法)、浇注法、微凹版涂布法、凹版涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、网版印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法等液相工艺。
[发光元件1G]在位于用来形成发光元件1G的区域的隔壁31的内侧，利用与发光元件1R相同的方法按照空穴注入层41G、中间层42G和绿色发光功能层5G的顺序来形成。但是，在空穴注入层41G、中间层42G、绿色发光功能层5G的各个层中，适当地选择适合各个层的形成的、用于层的形成用的油墨的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法、条件等。
[发光元件1B]在位于用来形成发光元件1B的区域的隔壁31的内侧，利用与发光元件1R的空穴注入层41R形成工序相同的方法形成空穴注入层41B。但是，适当地选择适合空穴注入层41B的形成的、用于空穴注入层41B形成用的油墨的油墨溶剂或油墨分散介质、后处理的方法、条件等。
如上所述，利用喷墨法形成空穴注入层41R、41G、41B、中间层42R、42G和发光功能层5R、5G的各层时，各层经过涂布工序和后处理工序而完全形成，但如图6(b)(c)和图7(a)(b)所示，各层的涂布工序可以与其它的子像素的涂布工序一起进行，各层的后处理工序也可以与其它子像素一起进行。
[5]接着，如图7(c)所示，以与红色发光功能层5R、绿色发光功能层5G、空穴注入层41B和隔壁31重叠的方式，即，以覆盖与隔壁31的平坦化层22相接的面的相反侧的整面的方式形成第1电子注入层61(第5工序)。
由此，一并(一体地)形成了各发光元件1R、1G、1B共用的第1电子注入层61。
该第1电子注入层61也可以利用上述工序[发光元件1R]中说明的气相工艺、液相工艺来形成，其中，优选利用气相工艺。通过使用气相工艺，可以防止红色发光功能层5R、绿色发光功能层5G、空穴注入层41B与第1电子注入层61之间的层溶解，并且可以可靠地形成第1电子注入层61。
[6]接着，以覆盖第1电子注入层61的整面的方式形成空穴输送层43(第6工序)。由此，一并形成了各发光元件1R、1G、1B共用的空穴输送层43。
[7]接着，以覆盖空穴输送层43的整面的方式形成蓝色发光功能层5B(第7工序)。由此，一并形成了各发光元件1R、1G、1B共用的蓝色发光功能层5B。
[8]接着，以覆盖蓝色发光功能层5B的整面的方式形成电子输送层62(第8工序)。由此，一并形成了各发光元件1R、1G、1B共用的电子输送层62。
[9]接着，以覆盖电子输送层62的整面的方式形成第2电子注入层63(第9工序)。由此，一并形成了各发光元件1R、1G、1B共用的第2电子注入层63。
[10]接着，以覆盖第2电子注入层63的整面的方式形成阴极8(第10工序)。由此，一并形成了各发光元件1R、1G、1B共用的阴极8。
此外，所述工序[6]～[10]中形成的各层也可以利用上述工序[发光元件1R]中说明的气相工艺、液相工艺而形成，其中，优选利用气相工艺。通过利用气相工艺，可以防止邻接的层彼此之间的层溶解、并且可以使用来形成的层可靠地形成。
另外，在所述工序“发光元件1R”和“发光元件1G”中，利用喷墨法之类的液层工艺各自形成发光功能层5R和5G，从而可以容易地分别涂布发光色不同的发光功能层5R和5G，并且可以容易地实现显像装置100的大面积化。此外，在所述工序[6]和[7]中，利用气相工艺(气相成膜法)各自形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B，从而使发光元件1B充分具备实用水平的发光寿命。进而，由于具有一并(一体地)形成各发光元件1R、1G、1B共用的蓝色发光功能层5B的结构，因此不需要利用高精细掩模对发光元件1B选择性地形成蓝色发光功能层5G，所以可以容易地实现工序的简化，进而容易地实现显示面板29的大面积化。
另外，在所述工序[5]和[6]中，由于具有分别一并形成各发光元件1R、1G、1B共用的第1电子注入层61和空穴输送层43的结构，即，具有一体地形成由第1电子注入层61和空穴输送层43构成的载流子选择层46的结构，因此不需要利用高精细掩模对发光元件1B选择性地形成第1电子注入层61和空穴输送层43，所以可以容易地实现工序的简略化，进而容易地实现显示面板29的大面积化。
如上地，对应于各驱动用晶体管24，形成了多个分别发出红色、绿色和蓝色的光的发光元件1R、1G、1B。
[11]接着，如图5所示，准备密封基板20，使环氧系的粘接剂存在于阴极8与密封基板20之间后，使该粘接剂干燥。由此，可以介由环氧树脂层35使阴极8和密封基板20接合，从而用密封基板20覆盖阴极8。
该密封基板20发挥保护各发光元件1R、1G、1B的保护基板的功能。通过这样的将密封基板20设在阴极8上的结构，可以更好地防止或减少发光元件1R、1G、1B与氧、水分接触，因此，可以更可靠地得到提高发光元件1R、1G、1B的可靠性、防止变质·劣化等的效果。
经过以上的工序，完成了图5所示的各发光元件1R、1G、1B被密封基板20密封的显示面板29。
如以上所述，根据本实施方式涉及的显像装置110(显示面板29)，除了得到实施方式1的效果以外，还可以得到以下的效果。
首先，对于发光元件1B而言，由于是与实施方式1相同的结构，所以可以得到与实施方式1的作用效果相同的作用效果。
以下，对本实施方式的发光元件1R、1G、1B具有的作用效果，以载流子选择层46的功能为中心进行说明。
本实施方式中，载流子选择层(第2层)46是由从阳极(3R、3G、3B)侧依次层叠有第1电子注入层61和空穴输送层43的层叠体而构成。
该结构的载流子选择层46是将从蓝色发光功能层5B注入载流子选择层46的电子的量根据与载流子选择层46的阳极(3R、3G、3B)侧相接的层(第3层)而选择性地进行控制的层。即，载流子选择层(第2层)46是具有利用第3层的功能而选择载流子流的功能的层。
具体而言，如发光元件1R和1G那样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧直接接触的层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G时，即，载流子选择层的阳极侧界面与具有发出第2色的光的功能的发光功能层接触时，载流子选择层46将从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子顺利地注入红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G(载流子注入动作)。因此，在发光元件1R的蓝色发光功能层5B中可靠地抑制或防止了空穴与电子的再结合，因此，发光元件1R的蓝色发光功能层5B不发出蓝色的光、或即使发出蓝色的光，其发光也可靠地被抑制。与此相对，红色发光功能层5R中从阴极8侧介由蓝色发光功能层5B供给(注入)电子的同时，从阳极3R侧供给(注入)空穴。然后，红色发光功能层5R中，空穴和电子再结合，通过该再结合而生成激子(exciton)，激子回到基态时，将能量作为荧光、磷光而放出，因此，红色发光功能层5R发出红色的光。其结果，发光元件1R发出红色的光。同样地，在发光元件1G中，蓝色发光功能层5B的发光大幅被抑制，绿色发光功能层5G选择性或支配性地发光。其结果，发光元件1G发出绿色的光。
另一方面，如发光元件1B那样，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层为空穴注入层41B时，即，载流子选择层的阳极侧界面与空穴注入层接触时，载流子选择层46阻滞从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子，将这些电子留在蓝色发光功能层5B(载流子阻滞动作)。因此，在蓝色发光功能层5B中，从阳极3B侧供给(注入)的空穴与从阴极8侧供给(注入)的电子容易地再结合。通过该再结合而生成激子(exciton)，激子回到基态时，将能量作为荧光、磷光而放出，因此蓝色发光功能层5B效率良好地进行发光。其结果，发光元件1B以高效率发出蓝色的光。
如此地，载流子选择层46根据与载流子选择层(第2层)46相接的第3层的种类而进行载流子注入动作或进行载流子阻滞动作。
对于发光元件1R与发光元件1G中的载流子选择层46对电子的举动和发光元件1B的载流子选择层46对电子的举动不同的理由，将以空穴注入层41B为离子导电性的空穴注入材料的情况作为例子进行说明。
首先，如发光元件1R和1G那样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧相接的层分别是红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G时，发光元件1R和1G的载流子选择层46内的构成第1电子注入层61的电子注入材料分别扩散到发光元件1R和1G的空穴输送层43内，由此发光元件1R和1G的空穴输送层43所具备的电子阻滞功能大幅降低。其结果，发光元件1R和1G中，电子从蓝色发光功能层5B向空穴输送层43顺利地注入。进而，通过红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G与空穴输送层43之间存在的第1电子注入层61的功能，从空穴输送层43向红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的电子的注入也可以顺利地进行。根据以上，如发光元件1R和1G那样，与载流子选择层46的阳极(3R、3G)侧相接的层分别为红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G时，载流子选择层46将从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子分别顺利地注入红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G(载流子注入动作)。即，载流子选择层46进行使电子(载流子)从蓝色发光功能层5B顺利地流向红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G的动作。
另一方面，如发光元件1B那样，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层是空穴注入层41B、且该空穴注入层41B由离子导电性的空穴注入材料构成时，发光元件1B的载流子选择层46内的构成第1电子注入层61的电子注入材料剧烈地扩散到空穴注入层41B内、或吸附于空穴注入层41B的阴极8侧界面，因此，构成发光元件1B的第1电子注入层61的电子注入材料不扩散到发光元件1B的空穴输送层43内，发光元件1B的空穴输送层43所具备的电子阻滞功能不降低。其结果，发光元件1B中，从蓝色发光功能层5B流向空穴输送层43的电子由空穴输送层43所阻滞，从而留在蓝色发光功能层5B内。根据以上，与载流子选择层46的阳极3B侧相接的层为空穴注入层41B时，载流子选择层46阻滞从蓝色发光功能层5B流向载流子选择层46的电子，将这些电子留在蓝色发光功能层5B(载流子阻滞动作)。即，载流子选择层46进行抑制从蓝色发光功能层5B流走的电子(载流子)的流动的动作。
根据本发明的发明人的研究，从发光元件1R中除去载流子选择层46，蓝色发光功能层5B和红色发光功能层5R接触而层叠的结构的红色发光元件(不包括载流子选择层的红色发光元件)中，对该不包括载流子选择层的红色发光元件所具备的阳极3R和阴极8之间施加电压时，不能将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子顺利地注入(供给)到红色发光功能层5R，因此，在蓝色发光功能层5B中空穴和电子再结合，所以蓝色发光功能层5B发出蓝色的光，使该不包括载流子选择层的红色发光元件的红色的色纯度变差。另外，不包括载流子选择层的红色发光元件不能将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子顺利地注入(供给)到红色发光功能层5R，因此，红色发光功能层5R中电子与空穴的载流子平衡被打破，发光效率降低。进而，不包括载流子选择层的红色发光元件不能将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子顺利地注入(供给)到红色发光功能层5R，因此，对于红色发光功能层5R的阴极侧界面的载流子的能量势垒增加，驱动电压上升。
如此地，不包括载流子选择层的红色发光元件中存在红色的色纯度变差、发光效率的降低以及驱动电压的上升的问题。但是，如发光元件1R那样，通过形成为在蓝色发光功能层5B和红色发光功能层5R之间介插载流子选择层46的结构，可将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子不留在蓝色发光功能层5B，而是顺利地注入(供给)到红色发光功能层5R，从而可以将这些问题全部解决。
同样地，从发光元件1G除去载流子选择层46，使蓝色发光功能层5B和绿色发光功能层5G接触而层叠的结构的绿色发光元件(不包括载流子选择层的绿色发光元件)，不能将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子顺利地注入(供给)到绿色发光功能层5G，因此，产生绿色的色纯度的变差、发光效率的降低以及驱动电压的上升的问题。但是，如发光元件1G那样，通过形成为在蓝色发光功能层5B和绿色发光功能层5G之间介插载流子选择层46的结构，可将从阴极8侧注入蓝色发光功能层5B的电子不留在蓝色发光功能层5B，而是顺利地注入(供给)到绿色发光功能层5G，从而可以将这些问题全部解决。
另外，本实施方式的空穴输送层43与蓝色发光功能层5B可以利用气相工艺而形成。通过本发明的发明人的研究，在发光元件1B中，空穴输送层43与蓝色发光功能层5B中的至少一层的形成中利用了喷墨法之类的液相工艺的结构的蓝色发光元件，与发光元件1B相比，其存在发光寿命、发光效率降低的问题。
认为空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少一层的污染是该问题的主要原因之一。即，如发光元件1B那样能利用气相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B的情况下，可以使空穴输送层43的阴极侧界面不暴露于真空以外的气氛而连续地进行接下来的蓝色发光功能层5B的成膜，但空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少一层的形成中利用液相工艺，则利用液相工艺的成膜难以在真空气氛中进行，因此，利用液相工艺的成膜是在真空以外的气氛(例如，大气、氮)中进行，至少空穴输送层43的阴极8侧界面暴露于真空以外的气氛。如此地，利用液相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少一层时，空穴输送层43的阴极8侧界面明显容易被污染。另外，在液相工艺中进行空穴输送层43的成膜时，将空穴输送材料溶解或分散于溶剂或分散介质的溶液用于成膜，因此，在空穴输送层43内残留极微量的溶剂，这有可能污染空穴输送层43整体。同样地，在液相工艺中进行蓝色发光功能层5B的成膜时，蓝色发光功能层5B内残留极微量的溶剂，这可能污染蓝色发光功能层5B整体。
与此相对，如发光元件1B那样，能够利用气相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B时，可以避免因利用液相工艺形成空穴输送层43和蓝色发光功能层5B中的至少1个层而导致的空穴输送层43和蓝色发光功能层5B的污染，可以将因利用液相工艺形成空穴输送层43与蓝色发光功能层5B中的至少1个层而导致的蓝色发光元件的发光寿命、发光效率的降低这样的问题全部解决。
在本实施方式中，优选空穴注入层41将离子导电性的空穴注入材料作为主材料而构成，优选第1电子注入层61将碱金属、碱土类金属、或它们的化合物的电子注入材料作为主材料而构成，此时，在发光元件1B中，第1电子注入层61所含的这些电子注入材料扩散到空穴输送层43侧，引起电子注入材料扩散到空穴输送层43而导致的空穴输送层43的电子阻滞性的降低以及伴随其的蓝色发光功能层5B的发光效率的降低、电子注入材料扩散到蓝色发光功能层5B而导致的阻碍蓝色发光功能层5B的发光以及伴随其的发光效率的降低这样的问题。但是，本实施方式中，在发光元件1B中，第1电子注入层61与离子导电性的空穴注入层41B接触，因此，强烈地扩散到空穴注入层41B内、或吸附于空穴注入层41B的阴极8侧界面，因此，可以可靠地抑制或防止电子注入材料向空穴输送层43侧的扩散，从而可以将因上述电子注入材料向空穴输送层43侧扩散而引起的问题全部解决。
第3实施方式
电子设备
图8是表示作为本发明电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的结构的立体图。
上述各实施方式的显像装置100(110)可以组装在各种电子设备。
在图8中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104与具备显示部的显示单元1106构成，显示单元1106相对于主体部1104，介由铰链构造部可转动地被支撑。
在该个人计算机1100中，具备显示单元1106的显示部由上述的显像装置100(110)构成。
图9是表示作为本发明电子设备的移动电话(也包括PHS)的结构的立体图。
在图9中，移动电话1200具备多个操作按钮1202、听筒1204和话筒1206、以及显示部。
在移动电话1200中，该显示部由上述的显像装置100(110)构成。
图10是表示作为本发明电子设备的数码相机的结构的立体图。此外，该图对与外部设备的连接也进行了简单地表示。
在这里，通常的相机是利用拍摄物的光像使银盐相纸膜感光，与此相对，数码相机1300是将拍摄物的光像利用CCD(电荷耦合器件(ChargeCoupled Device))等摄像元件进行光电转换而生成摄像信号(图像信号)。
数码相机1300的机身(主体)1302的背面设有显示部，成为了基于利用CCD的摄像信号来进行显示的结构，发挥将拍摄物作为电子图像来显示的取景器的功能。
在数码相机1300中，该显示部由上述的显像装置100(110)构成。
机身的内部设置有电路基板1308。该电路基板1308设置有能够容纳(存储)摄像信号的存储器。
另外，机身1302的正面侧(图示的结构中是背面侧)设有包括光学透镜(摄像光学系)、CCD等的受光单元1304。
摄影者确认显示于显示部的拍摄物像，按下快门按钮1306，则此时的CCD的摄像信号被传送、容纳至电路基板1308的存储器中。
另外，在该数码相机1300中，机身1302的侧面设有录像信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。并且，如图示所示，可以根据需要分别在录像信号输出端子1312上连接电视监控器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接个人计算机1440。进而，根据规定的操作，容纳在电路基板1308的存储器的摄像信号输出到电视监控器1430、个人计算机1440。
此外，本发明涉及的电子设备除了图8的个人计算机(移动型个人计算机)、图9的移动电话、图10的数码相机以外，例如还可以适用于电视机、摄像机、寻像器型、监控器注视型的录像录音机、笔记本型个人计算机、车辆行驶用信息装置、寻呼机、电子记事本(包括带有通信功能的)、电子词典、台式电子计算机、电子游戏设备、文字处理器、工作站、可视电话、防犯用电视监控器、电子望远镜、POS终端、具备触摸面板的设备(例如，金融机关的自动提款机、自动售票机)、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测机、各种测定设备、计量仪器类(例如，车辆、航空器、船舶的计量仪器类)、飞行模拟装置、其它各种监控器类、投影仪等投射型显示装置等。另外，显像装置100(显示面板19)还可以作为薄型的平面照明装置来使用。
以上，基于图示的实施方式说明了本发明的发光元件、显示装置和电子设备，但本发明不限于这些。
例如，上述实施方式中，显示装置是具备红色发光元件和绿色发光元件作为发出比蓝色的波长长的光的发光元件的情况，但不限于该情况，也可以具备发出黄色发光元件、橙色发光元件之类的比蓝色的波长长的光的发光元件。此时，可以在这些黄色发光元件和橙色发光元件中适用本发明的发光元件。
实施例
接着，对本发明的具体实施例进行说明。
1.显示装置(发光装置)和发光元件的制造例。
实施例1
图11是实施例1涉及的发光装置的模式剖面图，与图3对应。
实施例1是上述的本发明的第1实施方式的具体实施结果。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板321。接着，在该基板321上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法对该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极303/独立电极)。
然后，将形成有阳极303的基板321，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极303的基板321上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁(bank)。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，阳极303的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3>接着，在位于用来形成发光元件301的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。进而，使涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板321，在各阳极303上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层341。
<4>接着，在分别位于用来形成发光元件301的区域的空穴注入层341上形成将Cs2CO3作为蒸镀源用真空蒸镀法形成的平均厚度为0.2nm的含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层361。
在这里，“含Cs的薄膜”是指至少含有属于构成Cs盐的金属材料的Cs单体的薄膜，含金属层可以含有作为蒸镀材料的金属盐。本发明的发明人通过另外进行的预实验，观察到了以下所示的现象，间接地确认了真空蒸镀的膜不是仅由Cs盐构成的膜，而是含有Cs单体的膜。
具体而言，确认了将Cs2CO3作为蒸镀源而形成的蒸镀膜上层叠Al的蒸镀膜，然后将其暴露于大气中，则Al的表面剧烈发泡，在表面产生显著的凹凸。作为蒸镀膜形成Cs2CO3的膜时，层叠的Al膜应该不发生显著的变化。认为这是因为蒸镀膜含有Cs单体，由于暴露于大气中而Cs单体部分急剧地氧化、吸湿所致。
<7>接着，在第1电子注入层361上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的、平均厚度为10nm的空穴输送层343。
<8>接着，在空穴输送层343上利用真空蒸镀法形成由以下所示的蓝色发光功能层构成材料构成的、平均厚度为20nm的蓝色发光功能层305B。
在这里，作为蓝色发光功能层305B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<9>接着，在蓝色发光功能层305B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的、平均厚度为20nm的电子输送层362。
<10>接着，在电子输送层362上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层363。
<11>接着，在第2电子注入层363上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极308。
<12>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图11所示的底部发射构造的显示装置。
比较例1
将实施例1中省略了第1电子注入层361的情形作为比较例1。
2.评价
对实施例1和比较例1的显示装置和发光元件，使发光元件分别流经恒定电流，使得亮度为1000cd/m2，测定从发光元件放出的光的电流效率。
进而，对各实施例和各比较例的显示装置以及发光元件，使恒定电流分别流经发光元件，使得初期亮度为1000cd/m2，测定达到初期亮度的80％时的时间(LT80)。
其结果，实施例1的电流效率为比较例1的电流效率的1.03倍。另外，实施例1的寿命(LT80)为比较例1的寿命(LT80)的1.06倍。
如此地，通过在空穴注入层341与空穴输送层343之间插入第1电子注入层361，从而调整在空穴注入层输送的电洞量，其结果确认了改善载流子平衡、电流效率升高的同时，寿命延长。
实施例2
图12是实施例2涉及的发光装置的模式剖面图，与图5对应。
实施例2是上述的本发明的第2实施方式的具体实施结果。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板321。接着，在该基板321上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极303R、303G、303B/独立电极)。
然后，将形成有阳极303R、303G、303B的基板321、按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极303R、303G、303B的基板321上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁(bank)。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，阳极303R、303G、303B的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板321的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3A>接着，在位于用来形成红色发光元件301R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，在位于用来形成绿色发光元件301G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件301B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，使3A、3B、3C的各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板321，在各阳极303R、303G、303B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层341R、341G、341B。
<4A>接着，在位于用来形成红色发光元件301R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4B>接着，在位于用来形成绿色发光元件301G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4C>接着，使4A和4B的各工序中涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板321。进而，将基板321的用来形成红色发光元件301R和绿色发光元件301G的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层341R和341G上分别形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层342R和342G。
<5A>接着，在位于用来形成红色发光元件301R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(17)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5B>接着，在位于用来形成绿色发光元件301G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(19)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5C>接着，将5A和5B的各工序中涂布的上述通式(17)中表示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(19)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板321。由此，各中间层342R和342G上分别形成由上述通式(17)表示的化合物构成的平均厚度为60nm的红色发光功能层305R和由上述通式(19)表示的化合物构成的平均厚度为60nm的绿色发光功能层305G。
<6>接着，在分别位于用来形成红色发光元件301R的区域、用来形成绿色发光元件301G的区域以及用来形成蓝色发光元件301B的区域的红色发光功能层305R、绿色发光功能层305G和空穴注入层341B上，形成将Cs2CO3作为蒸镀源且利用真空蒸镀法形成的平均厚度0.5nm的含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层361。
在这里，“含Cs的薄膜”是指至少含有作为构成Cs盐的金属材料的Cs单体的薄膜，含金属层可以含有作为蒸镀材料的金属盐。本发明的发明人通过另外进行的预实验，观察到了以下所示的现象，间接地确认了真空蒸镀的膜不是仅由Cs盐构成的膜，而是含有Cs单体的膜。
具体而言，确认了将Cs2CO3作为蒸镀源而形成的蒸镀膜上层叠Al的蒸镀膜，然后将其暴露于大气中，则Al的表面剧烈发泡，在表面产生显著的凹凸。作为蒸镀膜形成Cs2CO3的膜时，层叠的Al膜应该不发生显著的变化。认为这是因为蒸镀膜含有Cs单体，由于暴露于大气中而Cs单体部分急剧地氧化、吸湿所致。
<7>接着，在第1电子注入层361上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的、平均厚度为10nm的空穴输送层343。
<8>接着，在空穴输送层343上利用真空蒸镀法形成由以下所示的蓝色发光功能层的构成材料构成的、平均厚度为20nm的蓝色发光功能层305B。
在这里，作为蓝色发光功能层305B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<9>接着，在蓝色发光功能层305B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的、平均厚度为20nm的电子输送层362。
<10>接着，在电子输送层362上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层363。
<11>接着，在第2电子注入层363上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极308。
<12>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图12所示的底部发射构造的显示装置。
实施例3
实施例3是上述的本发明的第2实施方式的具体实施结果。
将所述实施例2中的所述工序<5A>、所述工序<5B>、所述工序<5C>、所述工序<7>、所述工序<8>和所述工序<9>分别变更为下述工序<5A’>、下述工序<5B’>、下述工序<5C’>、所述工序<7’>、所述工序<8’>和所述工序<9’>，除此以外，与所述实施例2同样地制造了图12所示的底部发射构造的显示装置。
<5A’>接着，在位于用来形成红色发光元件301R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(18)表示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5B’>接着，在位于用来形成绿色发光元件301G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(20)表示的化合物的1.2wt％四甲基苯溶液。
<5C’>接着，使5A和5B的各工序中涂布的上述通式(18)表示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(20)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板321。由此，在各中间层342R和342G上分别形成由上述通式(18)表示的化合物构成的平均厚度为50nm的红色发光功能层305R和由上述通式(20)表示的化合物构成的平均厚度为50nm的绿色发光功能层305G。
<7’>接着，在第1电子注入层上361利用真空蒸镀法形成由上述式(6)表示的化合物构成的平均厚度10nm的空穴输送层343。
<8’>接着，在空穴输送层343上利用真空蒸镀法形成由以下所示的蓝色发光功能层的构成材料构成的平均厚度10nm的蓝色发光功能层305B。
在这里，作为蓝色发光功能层305B的构成材料，使用上述式(10)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(12)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<9’>接着，在蓝色发光功能层305B上利用真空蒸镀法形成由上述式(14)表示的化合物构成的平均厚度为30nm的电子输送层362。
比较例21
图13是比较例21涉及的发光装置的模式剖面图，与图12对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板421。接着，在该基板421上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极403R、403G、403B/独立电极)。
然后，将形成有阳极403R、403G、403B的基板421按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极403R、403G、403B的基板421上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板421的表面进行等离子体处理。由此，阳极403R、403G、403B的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板421的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体反应而防液化。
<3A>接着，在位于用来形成红色发光元件401R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，在位于用来形成绿色发光元件401G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件401B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，使3A、3B、3C的各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板421，在各阳极403R、403G、403B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层441R、441G、441B。
<4A>接着，在位于用来形成红色发光元件401R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4B>接着，在位于用来形成绿色发光元件401G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4C>接着，使4A和4B的各工序中涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板421。进而，将基板421的用来形成红色发光元件401R和绿色发光元件401G的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层441R和441G上分别形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层442R和442G。
<5A>接着，在位于用来形成红色发光元件401R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(17)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5B>接着，在位于用来形成绿色发光元件401G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(19)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件401B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布α-NPD的1.0wt％四氢化萘溶液。
<5D>接着，将5A、5B和5C的各工序中涂布的上述通式(17)中表示的化合物的四甲基苯溶液、上述通式(19)表示的化合物的四甲基苯溶液和α-NPD的四氢化萘溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板421。由此，各中间层442R和442G上分别形成由上述通式(17)表示的化合物构成的平均厚度为60nm的红色发光功能层405R、由上述通式(19)表示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层405G。进而，在空穴注入层441B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层443B。
<6>接着，在分别位于用来形成红色发光元件401R的区域、用来形成绿色发光元件401G的区域以及用来形成蓝色发光元件401B的区域的红色发光功能层405R、绿色发光功能层405G和空穴输送层443B上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度为20nm的蓝色发光功能层405B。
在这里，作为蓝色发光功能层405B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层405B中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<7>接着，在蓝色发光功能层405B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的、平均厚度为20nm的电子输送层462。
<8>接着，在电子输送层462上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层463。
<9>接着，在第2电子注入层463上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极408。
<10>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了相对于实施例2省略了形成第1电子注入层361、代替空穴输送层343而形成空穴输送层443B的、图13所示的底部发射构造的显示装置。
比较例22
图14是比较例22涉及的发光装置的模式剖面图，与图12对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板521。接着，在该基板521上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极503R、503G、503B/独立电极)。
然后，将形成有阳极503R、503G、503B的基板521，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极503R、503G、503B的基板521上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板521的表面进行等离子体处理。由此，阳极503R、503G、503B的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板521的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3A>接着，在位于用来形成红色发光元件501R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，在位于用来形成绿色发光元件501G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件501B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，使3A、3B、3C的各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板521，在各阳极503R、503G、503B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层541R、541G、541B。
<4A>接着，在位于用来形成红色发光元件501R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4B>接着，在位于用来形成绿色发光元件501G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4C>接着，使4A和4B的各工序中涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板521。进而，将基板521的用来形成红色发光元件501R和绿色发光元件501G的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层541R和541G上分别形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层542R和542G。
<5A>接着，在位于用来形成红色发光元件501R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(17)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5B>接着，在位于用来形成绿色发光元件501G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(19)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件501B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布α-NPD的1.0wt％四氢化萘溶液。
<5D>接着，将5A、5B和5C的各工序中涂布的上述通式(17)中表示的化合物的四甲基苯溶液、上述通式(19)表示的化合物的四甲基苯溶液和α-NPD的四氢化萘溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板521。由此，各中间层542R和542G上分别形成由上述通式(17)表示的化合物构成的平均厚度为60nm的红色发光功能层505R、由上述通式(19)表示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层505G。进而，在空穴注入层541B上形成由α-NPD构成的平均厚度10nm的空穴输送层543B。
<6>接着，在分别位于用来形成红色发光元件501R的区域、用来形成绿色发光元件501G的区域以及用来形成蓝色发光元件501B的区域的红色发光功能层505R、绿色发光功能层505G和空穴输送层543B上，形成将Cs2CO3作为蒸镀源且利用真空蒸镀法形成的平均厚度0.5nm的含Cs的蒸镀膜，作为第1电子注入层561。
<7>接着，在第1电子注入层561上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的、平均厚度为20nm的蓝色发光功能层505B。
在这里，作为蓝色发光功能层505B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层505B中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<8>接着，在蓝色发光功能层505B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的、平均厚度为20nm的电子输送层562。
<9>接着，在电子输送层562上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层563。
<10>接着，在第2电子注入层563上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极508。
<11>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了相对于实施例1，代替空穴输送层343而形成空穴输送层543B的、图14所示的底部发射构造的显示装置。
比较例23
图15是比较例23涉及的发光装置的模式剖面图，与图12对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板621。接着，在该基板621上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极603R、603G、603B/独立电极)。
然后，将形成有阳极603R、603G、603B的基板621，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极603R、603G、603B的基板621上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板621的表面进行等离子体处理。由此，阳极603R、603G、603B的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板621的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3A>接着，在位于用来形成红色发光元件601R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3B>接着，在位于用来形成绿色发光元件601G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3C>接着，在位于用来形成蓝色发光元件601B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。
<3D>接着，使3A、3B、3C的各工序中涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板621，在各阳极603R、603G、603B上分别形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层641R、641G、641B。
<4A>接着，在位于用来形成红色发光元件601R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4B>接着，在位于用来形成绿色发光元件601G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。
<4C>接着，使4A和4B的各工序中涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板621。进而，将基板621的用来形成红色发光元件601R和绿色发光元件601G的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层641R和641G上分别形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层642R和642G。
<5A>接着，在位于用来形成红色发光元件601R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(17)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5B>接着，在位于用来形成绿色发光元件601G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(19)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。
<5C>接着，将5A和5B的各工序中涂布的上述通式(17)中表示的化合物的四甲基苯溶液和上述通式(19)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板621。由此，各中间层642R和642G上分别形成由上述通式(17)表示的化合物构成的平均厚度为60nm的红色发光功能层605R、由上述通式(19)表示的化合物构成的平均厚度60nm的绿色发光功能层605G。
<6>接着，在分别位于用来形成红色发光元件601R的区域、用来形成绿色发光元件601G的区域以及用来形成蓝色发光元件601B的区域的红色发光功能层605R、绿色发光功能层605G和空穴注入层641B上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的平均厚度为10nm的空穴输送层643。
<7>接着，在空穴输送层643上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的、平均厚度为20nm的蓝色发光功能层605B。
在这里，作为蓝色发光功能层605B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<8>接着，在蓝色发光功能层605B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的、平均厚度为20nm的电子输送层662。
<9>接着，在电子输送层662上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层663。
<10>接着，在第2电子注入层663上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极608。
<11>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了相对于实施例2省略了形成第1电子注入层361的、图15所示的底部发射构造的显示装置。
比较例24R
图16是比较例24R涉及的发光装置的模式剖面图，与图12的红色发光元件301R对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板721。接着，在该基板721上利用溅射法形成平均厚度50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极703R)。
然后，将形成有阳极703R的基板721，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极703R的基板721上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁(bank)。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板721的表面进行等离子体处理。由此，阳极703R的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板721的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3>接着，在位于用来形成红色发光元件701R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。进而，使涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板721，在阳极703R上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层741R。
<4>接着，在位于用来形成红色发光元件701R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。进而，使涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板721。继而，将基板721的、用来形成红色发光元件701R的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层741R上形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层742R。
<5>接着，在位于用来形成红色发光元件701R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(17)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。进而，使涂布的上述通式(17)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板721。由此，在各中间层742R上形成由上述通式(17)表示的化合物构成的平均厚度为80nm的红色发光功能层705R。
<6>接着，在红色发光功能层705R上形成将Cs2CO3作为蒸镀源并用真空蒸镀法形成的平均厚度为1nm的含Cs蒸镀膜，作为第2电子注入层763。
<7>接着，在第2电子注入层763上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极708。
<8>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图16所示的底部发射构造的红色发光元件701R。该红色发光元件701R用于将实施例2的红色发光元件301R、比较例1的红色发光元件401R、比较例2的红色发光元件501R和比较例3的红色发光元件601R的特性进行标准化。
比较例24G
图17是比较例24G涉及的发光装置的模式剖面图，与图12的绿色发光元件301G对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板821。接着，在该基板821上利用溅射法形成平均厚度为50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极803G)。
然后，将形成有阳极803G的基板821，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极803G的基板821上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁(bank)。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板821的表面进行等离子体处理。由此，阳极803G的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板821的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3>接着，在位于用来形成绿色发光元件801G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。进而，使涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板821，在阳极803G上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层841G。
<4>接着，在位于用来形成绿色发光元件801G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(16)表示的化合物的1.5wt％的四甲基苯溶液。进而，使涂布的上述通式(16)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板821。继而，将基板821的用来形成绿色发光元件801G的区域利用二甲苯进行漂洗。由此，在各空穴注入层841G上形成由上述通式(16)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的中间层842G。
<5>接着，在位于用来形成绿色发光元件801G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(19)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。进而，使涂布的上述通式(19)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板821。由此，各中间层842G上形成由上述通式(19)表示的化合物构成的平均厚度为80nm的绿色发光功能层805G。
<6>接着，在绿色发光功能层805G上形成将Cs2CO3作为蒸镀源并用真空蒸镀法形成的平均厚度为1nm的含Cs蒸镀膜，作为第2电子注入层863。
<7>接着，在第2电子注入层863上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极808。
<8>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图17所示的底部发射构造的绿色发光元件801G。该绿色发光元件801G用于将实施例2的绿色发光元件301G、比较例21的绿色发光元件401G、比较例22的绿色发光元件501G和比较例23的绿色发光元件601G的特性进行标准化。
比较例24B
图18是比较例24B涉及的发光装置的模式剖面图，与图12的蓝色发光元件301B对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板921。接着，在该基板921上利用溅射法形成平均厚度为50nm的ITO膜后，利用光刻法将该ITO膜进行图案形成而形成ITO电极(阳极903B)。
然后，将形成有阳极903B的基板921，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在形成有阳极903B的基板921上利用旋涂法形成由丙烯酸系树脂构成的绝缘层后，利用光刻法将该绝缘层以露出ITO电极的方式进行图案形成而形成隔壁(bank)。进而，首先将O2气体作为处理气体，将形成隔壁的基板921的表面进行等离子体处理。由此，阳极903B的表面和隔壁的表面(包括壁面)被活化而亲液化。继而，将CF4气体作为处理气体，将形成有隔壁的基板921的表面进行等离子体处理。由此，仅在由丙烯酸系树脂构成的隔壁的表面发生与CF4气体的反应而防液化。
<3>接着，在位于用来形成蓝色发光元件901B的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布1.0wt％的PEDOT/PSS水分散液。进而，使涂布的PEDOT/PSS水分散液干燥后，在大气中加热基板921，在阳极903B上形成由PEDOT/PSS构成的平均厚度为50nm的离子导电性的空穴注入层941B。
<4>接着，在空穴注入层941B上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的、平均厚度为10nm的空穴输送层943B。
<5>接着，在空穴输送层943B上利用真空蒸镀法形成由以下所示构成材料构成的平均厚度20nm的蓝色发光功能层905B。
在这里，作为蓝色发光功能层905B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料，使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6>接着，在蓝色发光功能层905B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度20nm的电子输送层962。
<7>接着，在电子输送层962上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度1nm的第2电子注入层963。
<8>接着，在第2电子注入层963上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度100nm的阴极908。
<9>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图18所示的底部发射构造的蓝色发光元件901B。该蓝色发光元件901B用于将实施例2的蓝色发光元件301B、比较例21的蓝色发光元件401B、比较例22的蓝色发光元件501B和比较例23的蓝色发光元件601B的特性进行标准化。
比较例25B
图19是比较例25B涉及的发光装置的模式剖面图，与图12的蓝色发光元件301B对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板2121。接着，在该基板2121上利用溅射法形成平均厚度为50nm的ITO电极(阳极2103B)。
然后，将形成有阳极2103B的基板2121，按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在阳极2103B上利用真空蒸镀法形成由下述式(21)表示的化合物构成的、平均厚度为50nm的空穴注入层2141B。
<3>接着，在空穴注入层2141B上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的、平均厚度为10nm的空穴输送层2143B。
<4>接着，在空穴输送层2143B上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的、平均厚度20nm的蓝色发光功能层2105B。
在这里，作为蓝色发光功能层2105B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料、使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<5>接着，在蓝色发光功能层2105B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度为20nm的电子输送层2162。
<6>接着，在电子输送层2162上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层2163。
<7>接着，在电子注入层上利用真空蒸镀法形成由Al构成的、平均厚度为100nm的阴极2108。
<8>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图19所示的、阳极2103B上的各层由蒸镀层构成、空穴注入层2141B不使用离子导电性的材料、且不具有第1电子注入层的、底部发射构造的蓝色发光元件2101B。
比较例26B
图20是比较例26B涉及的发光装置的模式剖面图，与图12的蓝色发光元件301B对应。
<1>首先，准备平均厚度为1.0mm的透明的玻璃基板作为基板2221。接着，在该基板2221上利用溅射法形成平均厚度为50nm的ITO电极(阳极2203B)。
然后，将形成有阳极2203B的基板2221按照丙酮、2-丙醇的顺序进行浸渍，超声波清洗后，实施氧等离子体处理。
<2>接着，在阳极2203B上利用真空蒸镀法形成由上述式(21)表示的化合物构成的、平均厚度为50nm的空穴注入层2241B。
<3>接着，在阳极2241B上形成将Cs2CO3作为蒸镀源并利用真空蒸镀法形成的平均厚度为0.5nm的含Cs蒸镀膜，作为第1电子注入层2261B。
<4>接着，在第1电子注入层2261B上利用真空蒸镀法形成由α-NPD构成的平均厚度为10nm的空穴输送层2243B。
<5>接着，在空穴输送层2243B上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度为20nm的蓝色发光功能层2205B。
在这里，作为蓝色发光功能层2205B的构成材料，使用上述式(8)表示的化合物作为主体材料、使用上述式(11)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6>接着，在蓝色发光功能层2205B上利用真空蒸镀法形成由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)构成的平均厚度为20nm的电子输送层2262。
<7>接着，在电子输送层2262上利用真空蒸镀法形成由氟化锂(LiF)构成的、平均厚度为1nm的第2电子注入层2263。
<8>接着，在电子注入层上利用真空蒸镀法形成由Al构成的平均厚度为100nm的阴极2208。
<9>接着，以覆盖所形成的各层的方式覆盖玻璃制的保护罩(密封部件)，利用环氧树脂固定、密封。
通过以上的工序，制造了图20所示的各层由蒸镀层构成的蓝色发光元件。详细而言，制造了阳极2203B上的各层由蒸镀层构成的、空穴注入层2241B不使用离子导电性的材料、且具有第1电子注入层2261B的、底部发射构造的蓝色发光元件2201B。
比较例27R
利用图16进行说明。
将上述比较例24R中的上述工序<5>变更为下述工序<5’>，除此以外，与上述比较例24R同样地制造了图16所示的底部发射构造的红色发光元件701R。该比较例27R的红色发光元件701R是用于将实施例2的红色发光元件301R的特性进行标准化。
<5’>接着，在用来形成红色发光元件701R的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(18)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(18)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板721。由此，在各中间层742R上形成了由上述通式(18)表示的化合物构成的平均厚度为80nm的红色发光功能层705R。
比较例27G
利用图17进行说明。
将上述比较例24G中的上述工序<5>变更为下述工序<5’>，除此以外，与上述比较例24G同样地制造了图17所示的底部发射构造的红色发光元件801G。该比较例27G的绿色发光元件801G是用于将实施例2的绿色发光元件301G的特性进行标准化。
<5’>接着，在用来形成绿色发光元件801G的区域的隔壁的内侧，利用喷墨法涂布上述通式(20)表示的化合物的1.2wt％的四甲基苯溶液。进而，将涂布的上述通式(20)表示的化合物的四甲基苯溶液干燥后，在氮气气氛中加热基板821。由此，在各中间层842G上形成了由上述通式(20)表示的化合物构成的平均厚度为80nm的绿色发光功能层805G。
比较例27B
利用图18进行说明。
将上述比较例24B中的上述工序<4>、上述工序<5>和上述工序<6>分别变更为下述工序<4’>、下述工序<5’>和下述工序<6’>，除此以外，与上述比较例24B同样地制造了图18所示的底部发射构造的蓝色发光元件901B。该比较例27B的蓝色发光元件901B是用于将实施例2的蓝色发光元件301B的特性进行标准化。
<4’>接着，在空穴注入层941B上利用真空蒸镀法形成由上述式(6)表示的化合物构成的平均厚度为10nm的空穴输送层943B。
<5’>接着，在空穴输送层943B上利用真空蒸镀法形成由以下所示的构成材料构成的平均厚度为10nm的蓝色发光功能层905B。
在这里，作为蓝色发光功能层905B的构成材料，使用上述式(10)表示的化合物作为主体材料、使用上述式(12)表示的化合物作为客体材料。另外，蓝色发光功能层中的客体材料(掺杂物)的含量(掺杂浓度)相对于主体材料以重量比计为5.0％。
<6’>接着，在蓝色发光功能层905B上利用真空蒸镀法形成由上述式(14)表示的化合物构成的平均厚度为30nm的电子输送层962。
4.评价
对各实施例和各比较例的显示装置和发光元件，使恒定电流分别流经发光元件，使得亮度为10cd/m2，目视观察此时发光的发光元件的光的颜色。
在这里，选择10cd/m2这样的低亮度的值的理由是本发明的各实施例的各发光元件和各比较例的各发光元件中，发生过以下情形：例如即使在高亮度侧(高电流密度侧)得到了所需的发光色，但随着向低亮度侧(低电流密度侧)过渡而发光色发生变化，有时在低亮度侧(低电流密度侧)得不到所需要的发光色。相反，在低亮度侧(低电流密度侧)得到所需的发光色时，在高亮度侧(高电流密度侧)也能没有问题地得到所需的发光色。其中，在这里得到所需的发光色是指在红色发光元件中得到红色发光、在绿色发光元件中得到绿色发光、在蓝色发光元件中得到蓝色发光。
另外，对各实施例和各比较例的显示装置以及发光元件，使恒定电流分别流经发光元件，使得亮度为1000cd/m2，测定施加于发光元件的电压、和从发光元件放出的光的电流效率。
进而，对各实施例和各比较例的显示装置以及发光元件，使恒定电流分别流经发光元件，使得初期亮度为1000cd/m2，测定达到初期亮度的80％时的时间(LT80)。
并且，对实施例2、比较例21、22、23，求出将比较例24R、24G、24B中测定的测定值作为基准而标准化的值。另外，对实施例3，求出将比较例27R、27G、27B中测定的测定值作为基准而标准化的值。
将这些结果示于表1、表2。
表1
※1红的数值数据用比较例24R时的值进行了标准化
※2绿的数值数据用比较例24G时的值进行了标准化
※3蓝的数值数据用比较例24B时的值进行了标准化
※4粗字表示特性不足的项目
不足的判断基准如下：
·关于颜色，R像素不是红色、G像素不是绿色、
B像素不是蓝色的情况
·标准化电流效率小于0.70的情况
·标准化电压为1.20以上的情况
·标准化寿命小于0.60的情况
※5本来应该发出红色光的变成蓝色，所以没有表示数值
※6本来应该发出绿色光的变成蓝色，所以没有表示数值
表2
※1红的数值数据用比较例27R时的值进行了标准化
※2绿的数值数据用比较例27G时的值进行了标准化
※3蓝的数值数据用比较例27B时的值进行了标准化
从表1、2可知，在各实施例的显示装置中，通过使这些所具备的发光元件，在红色发光元件301R中是在红色发光功能层305R与蓝色发光功能层305B之间、在绿色发光元件301G中是在绿色发光功能层305G与蓝色发光功能层305B之间、在蓝色发光元件301B中是在空穴注入层341B与蓝色发光功能层305B之间分别介插有第1电子注入层361和空穴输送层343作为载流子选择层的结构，从而分别在红色发光元件301R中红色发光功能层305R选择性地发光、在绿色发光元件301G中绿色发光功能层305G选择性地发光、蓝色发光元件301B中蓝色发光功能层305B选择性地发光。其结果，红色、绿色和蓝色的各发光元件301R、301G、301B中，可以分别得到高色纯度的红色发光、绿色发光和蓝色发光。另外，红色、绿色和蓝色的发光元件301R、301G、301B的全部中，在实施例2中可以得到0.89以上、在实施例3中可以得到0.93以上这样的高标准化电流效率，是发光效率优异的元件。进而，红色、绿色和蓝色的发光元件301R、301G、301B的全部中，在实施例2中可以得到0.72以上、在实施例3中可以得到0.65以上这样优异的标准化寿命，是能够实现长寿命化的元件。加之，红色和绿色的发光元件301R、301G的标准化电压在实施例2中被抑制在1.15以下，在实施例3中被抑制在1.07以下，所以从驱动电压的观点考虑，也得到了优异的特性。
相对于实施例2和实施例3，在比较例21的显示装置中，省略了介插第1电子注入层361和空穴输送层343。因此，在红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R和绿色发光功能层405G的电子的注入各自不能顺利地进行，其结果，得到了除了红色和绿色以外发出了蓝色的光的结果。由此，在红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，红色和绿色的色纯度分别大幅降低。这是因为在比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或绿色发光功能层405G的电子注入性不充分，不仅是红色发光功能层405R或绿色发光功能层405G，蓝色发光功能层405B也同时发光而引起的。
进而，比较例21的红色发光元件401R和绿色发光元件401G的标准化寿命(LT80)分别显示0.13和0.38的低值。认为这是因为在比较例1的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或绿色发光功能层405G的电子注入性不足，所以红色发光功能层405R或绿色发光功能层405G的阴极408侧界面的因电子导致的劣化大而引起的。
另外，比较例21的蓝色发光元件401B的标准化寿命也为0.51的低值。这是因为用喷墨法形成了比较例21的蓝色发光元件401B的空穴输送层443B。即，利用真空蒸镀法之类的气相工艺，可以使空穴输送层443B的阴极408侧界面不暴露于真空以外的气氛而可以连续地进行接下来的蓝色发光功能层405B的成膜，但是利用喷墨法之类的液相工艺，则空穴输送层443B的成膜难以在真空气氛中进行，所以空穴输送层443B的成膜在真空以外的气氛(例如，大气、氮)中进行，因此至少空穴输送层443B的阴极408侧界面暴露于真空以外的气氛。如此地利用液相工艺形成空穴输送层443B时，空穴输送层443B的阴极408侧界面容易被污染，这使得蓝色发光元件401B的寿命变短。另外，认为液相工艺中进行空穴输送层443B的成膜时，由于将溶剂中溶解有空穴输送材料的溶液用于成膜，因此空穴输送层443B内残留有极微量的溶剂，这污染空穴输送层443B整体，从而缩短蓝色发光元件401B的寿命。
此外，比较例21的红色发光元件401R和绿色发光元件401G的标准化电压呈1.25和1.27的高值。认为这是因为比较例21的红色发光元件401R和绿色发光元件401G中，从蓝色发光功能层405B向红色发光功能层405R或绿色发光功能层405G的电子注入性不足，产生红色发光功能层405R和绿色发光元件405G的阴极408侧界面上的对于电子的能量势垒高的状态，其结果，得到了驱动电压上升2成以上的结果。
另外，比较例22的显示装置中，相对于实施例2和实施例3省略了介插空穴输送层343。但是，在红色发光元件501R和绿色发光元件501G中，蓝色发光功能层505B与红色发光功能层505R和绿色发光功能层505G之间存在第1电子注入层561，因此从蓝色发光功能层505B向红色发光功能层505R和绿色发光功能层505G的电子的注入顺利进行，其结果，在红色发光元件501R中仅有红色发光功能层505R选择性地发光，在绿色发光元件501G中仅有绿色发光功能层505G选择性地发光，可以抑制蓝色发光功能层505B的发光。但是，在蓝色发光元件501B中，电子注入层561具有与蓝色发光功能层505B相接的构造，因此，该电子注入层561阻碍蓝色发光功能层505B的发光，因此，标准化电流效率和标准化寿命为极端低的值，结果是与实用水平的特性相差很远。另外，由于电流效率极端降低而引起驱动电压也大幅上升为1.36的结果。
另外，在比较例23的显示装置中，相对于实施例2和实施例3省略了介插第1电子注入层361。
因此，在红色发光元件601R中，不能顺利地进行从蓝色发光功能层605B向空穴输送层643的电子注入、以及从空穴输送层643向红色发光功能层605R的电子的注入。因此，红色发光功能层605R几乎不发光，结果是蓝色发光功能层605B强烈发光。
同样地，在比较例23的显示装置的绿色发光元件601G中，不能顺利地进行从蓝色发光功能层605B向空穴输送层643的电子注入、以及从空穴输送层643向绿色发光功能层605G的电子的注入。因此，绿色发光功能层605G几乎不发光，结果是蓝色发光功能层605B强烈发光。
即，比较例23的显示装置中，红色发光元件601R、绿色发光元件601G和蓝色发光元件601B的全部发出蓝色的光。
将以上各实施例和各比较例的结果整理如下。首先，在红色发光元件和绿色发光元件中，能够得到所需的发光色和0.60以上的实用水平的标准化寿命的是实施例2、实施例3和比较例22。
但是，比较例22的蓝色发光元件501B的电流效率极端地低，寿命也极端地短，因此，比较例22作为显示装置，没有达到实用水平。
其次，在蓝色发光元件中，得到所需的发光色和0.60以上的实用水平的标准化寿命的是实施例2、实施例3和比较例23。但是，比较例23的红色发光元件601R和绿色发光元件601G发出蓝色的光，因此作为显示装置没有达到实用水平。
根据以上，作为显示装置达到实用水平的只有实施例2和实施例3。
此外，本发明的实施例2和实施例3的红色发光元件301R、绿色发光元件301G和蓝色发光元件301B的全部都得到所需的颜色是因为第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体起到了载流子选择层的功能。另外，本发明的实施例2和实施例3的红色发光元件301R和绿色发光元件301G得到了0.60以上的实用水平的标准化寿命也是因为第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体起到了载流子选择层的功能。进而，本发明的各实施例的蓝色发光元件301B中得到了0.60以上的实用水平的标准化寿命是因为第1电子注入层361和空穴输送层343的层叠体起到载流子选择层的功能、且利用真空蒸镀法形成了空穴输送层343和蓝色发光功能层305B的原因。
通过比较例21与比较例23的蓝色发光元件，比较例23的具有利用真空蒸镀法而成膜的空穴输送层643的蓝色发光元件601B相比于比较例21的具有利用喷墨法而成膜的空穴输送层443B的蓝色发光元件401B，得到了近2倍的寿命，比较例23的蓝色发光元件601B的发光寿命达到了实用水平。进而通过实施例2与比较例23的蓝色发光元件的比较，可知实施例2的蓝色发光元件301B的发光寿命与比较例23的蓝色发光元件601B的发光寿命相同程度，达到了实用水平。这是因为将实施例2的空穴输送层343和蓝色发光功能层305B，与比较例23的空穴输送层643和蓝色发光功能层605B同样地用真空蒸镀法成膜所致。
同样地，通过实施例3与比较例27B的蓝色发光元件的比较，可知实施例3的蓝色发光元件301B的发光寿命与比较例27B的蓝色发光元件901B的发光寿命相同程度，达到了实用水平。这是因为将实施例3的空穴输送层343和蓝色发光功能层305B，与比较例27B的空穴输送层943与蓝色发光功能层905B同样地用真空蒸镀法成膜所致。
另外，用根据电流效率的测定方法测定的测定值求出将比较例23的蓝色发光元件601B的电流效率和实施例2的蓝色发光元件301B的电流效率分别用比较例23的蓝色发光元件601B的电流效率进行标准化的值。而且，求出将比较例25B的蓝色发光元件2101B的电流效率和比较例26B的蓝色发光元件2201B的电流效率分别用比较例25B的蓝色发光元件2101B的电流效率进行标准化的值。
将这些结果示于表3、表4。
表3
| 第1电子注入层的有无 | 无(比较例23) | 有(实施例2) |
| 标准化电流效率(1000cd/m2) | 1.00 | 1.01 |
※用没有第1电子注入层时(比较例23)的值进行了标准化
表4
※用没有第1电子注入层时(比较例25B)的值进行了标准化
在这里，表3表示蓝色发光元件601B和301B各自具有的空穴注入层641B和341B由离子导电性的空穴注入材料构成时，第1电子注入层361的有无对蓝色发光元件601B和301B的电流效率产生怎样的影响。与此相对，表4表示蓝色发光元件2101B和2201B各自具有的空穴注入层2141B和2241B不是由离子导电性的空穴注入材料构成时，第1电子注入层2261B的有无对蓝色发光元件2101B和2201B的电流效率产生怎样的影响。
由表3可知，空穴注入层641B和341B由离子导电性的空穴注入材料构成时，具有第1电子注入层361的蓝色发光元件301B的电流效率与不具有第1电子注入层361的蓝色发光元件601B的电流效率相比没有大的变化。与此相对，由表4可知，空穴注入层2141B和2241B不是由离子导电性的空穴注入材料时，具有第1电子注入层2261B的蓝色发光元件2201B的电流效率与不具有第1电子注入层2261B的蓝色发光元件2101B的电流效率相比，成为大幅降低结果。
即，即使是空穴注入层/电子注入层/空穴输送层/蓝色发光功能层/电子输送层这样的相同的层叠构造(层叠体)，如果不用离子导电性的空穴注入材料构成空穴注入层，则因第1电子注入层2261B的存在，成为蓝色发光元件2201B的蓝色发光显著被阻碍的结果。
这表示空穴注入层2241B不是由离子导电性的空穴输送材料构成时，第1电子注入层2261B所含的电子注入材料扩散至空穴输送层2243B、蓝色发光功能层2205B，由此，蓝色发光功能层2205B的蓝色发光受到阻碍。
与此相对，空穴注入层341B由离子导电性的空穴输送材料构成时，第1电子注入层361所含的电子注入材料主要向空穴注入层341B扩散、或吸附于空穴注入层341B的阴极308侧界面，因此，大幅度地抑制向空穴输送层343、蓝色发光功能层305B的扩散。
即，在实施例2和实施例3中，为了使蓝色发光元件301B以高电流效率(发光效率)发光，需要在空穴注入层341B中使用离子导电性的空穴注入材料，所述蓝色发光元件301B具备由第1电子注入层361与空穴输送层343的层叠体构成的载流子选择层。
此外，本发明不限于上述的实施方式，还可以在上述的实施方式中加上各种变更、改良等。以下说明变形例。
变形例1
利用图5进行说明。
在上述第2实施方式中，对发光元件1R、1G和1B适用本发明的发光元件，发光元件1R和1G的第3层分别为红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G，并且，发光元件1R和1G的第1层为蓝色发光功能层5B的情况进行了说明。但是，本发明的适用范围不限于该情况，只要发光元件1R和1G的第3层与第1层各自为不同的发光色的发光功能层即可，例如，可以是发光元件1R和1G的第3层各自发出黄色的光和橙色的光、第1层发出绿色的光。此时，发光元件1R代替红色发光功能层5R具备黄色发光功能层，发光元件1G代替绿色发光功能层5G具备橙色发光功能层。进而，发光元件1R和1G代替蓝色发光功能层5B具备绿色发光功能层。
其中，如第2实施方式那样，优选在发光元件1R和1G的各自的第3层适用红色发光功能层5R和绿色发光功能层5G、在第1层适用蓝色发光功能层5B。
变形例2
上述各实施方式中，对将显像装置100适用于从基板21侧发射光的底部发射构造的显像面板的情况进行了说明，但不限于此，还可以适用于从密封基板20侧发射光的顶发射构造的显像面板。由此，可以提高显像装置100(110)的色再现范围。
变形例3
在上述各实施方式中，将显像装置100的光R、G、B从基板21侧透射时，没有设置对应各个光的滤色器(色转换层)，但也可以是在与基板21接触的面或基板21内具有对应RGB的各子像素而设置的滤色器的构造。由此，可以提高显像装置100(110)的色再现范围。
Claims (8)
1.一种发光元件，其特征在于，具备：
阳极，
阴极，
发光功能层，其设于所述阳极与所述阴极之间，
电子注入层，其设于所述阳极与所述发光层之间，和
空穴注入层，其设于所述阳极与所述电子注入层之间。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述电子注入层由碱金属、碱土类金属、或它们的化合物构成。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，在所述电子注入层与所述发光层之间具备空穴输送层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述电子注入层与所述空穴注入层直接接触。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴注入层具有离子导电性。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴注入层是利用液相工艺而形成的。
7.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1～6中任一项所述的发光元件。
8.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求7所述的显示装置。
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