TW201225367A

TW201225367A - Light emitting device, display apparatus, and electronic apparatus

Info

Publication number: TW201225367A
Application number: TW100144940A
Authority: TW
Inventors: Toshihiro Oda
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2010-12-09
Filing date: 2011-12-06
Publication date: 2012-06-16
Also published as: JP2012124352A; KR20120064622A; CN102569666A; US8816380B2; JP5447356B2; US8598610B2; US20120146062A1; US20140021455A1

Description

201225367 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種發光元件、顯示裝置及電子機器。【先前技術】對於作為上述發光元件之有機電致發光元件（所謂有機 EL(Electr〇luminescence)元件）而言，重要的是提高發光效率（電流效率或外部量子效率），而且對設於陽極與陰極之間之發光層平衡良好地自陽極側注入電洞且自陰極側注入電子。因此，提出有以下之有機EL元件，其包含形成於基板上之陽極（anode)、形成於陽極上之第！有機薄膜層、形成於第1有機薄膜層上之有機發光層、形成於有機發光層上之第2有機薄膜層、及形成於第2有機薄膜層上之陰極，第^ 有機薄膜層及第2有機薄膜層係分別以單層或多層所構成，第1有機薄膜層或第2有機薄膜層之至少一部分係以絕緣體摻雜或積層（例如參照專利文獻1 )。又，提出有於發光層與陽極之間設有電洞注入層之有機發光元件’該電洞注入層含有包含選自由鉬（Mo)、鋰 (Li)、鈉（Na)、鉀（κ)、铷（Rb)、鉋（Cs)、鈹（Be)、鎂 (Mg)、約（Ca) '锶（Sr)、鋇（Ba)及硼（B)所組成之群中之元素及選自由氧（〇)、氟（F)、硫（s)、氣（α)、砸（Se)、溴（Br) 及碘（I)所組成之群中之元素的第i化合物，以及作為電洞注入層形成用有機化合物之電洞注入物質（例如參照專利文獻2)。 158697.doc 201225367 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2008-147630號公報 [專利文獻2]日本專利特開2009-152178號公報【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’例如上述所列舉之元素中，Li或Cs等容易於有機層中擴散（例如參照非專利文獻1 : PIONEER股份有限公司技術資訊雜誌「PIONEER R&D」，Vol.17，N。.2，2007 年’第8頁至第12頁）’因此視發光層與陽極之間之有機層中摻雜、插入或積層之材料不同，有時存在該材料於有機層中擴散、最終到達發光層而阻礙發光層之發光的問題。換言之，先前之發光元件存在難以獲得所期望之發光效率之問題》又，此種載子平衡之擾亂會導致包含發光層之有機功能層之劣化，故亦存在發光壽命變短之問題。即，先前之發光元件存在難以確保所期望之壽命之問題。 [解決問題之技術手段] 、本發明係為解決上㈣題之至少—部分而成者，可作為以下之形態或應用例而實現。

上述陽極與上述發光層之間之電子注入層極與上述電子注入層之間之電洞注。之特徵在於具備：陽 (赞元層、設於、及設於上述陽注入層。 158697.doc 201225367 根據本應用例，電子注入層中所用之電子注入材料擴散至電洞注入層内’該所擴散之電子注入材料阻礙或促進電洞注入層内之電洞（hole)之傳輸，藉此調整向發光層傳輸之電洞（hole)之量，其結果載子平衡得到改善。因此，與由於發光層與陽極之間之有機層中添加的材料之影響而載子平衡被破壞從而阻礙發光的先前之發光元件相比較’可提高發光效率。因此，可提供一種可獲得所期望之發光效率之發光元件。進而，由於載子平衡優異，故可抑制包含發光層之有機功能層之劣化。因此，可提供一種可獲得所期望之壽命之發光元件。 [應用例2]於上述應用例所記載之發光元件中，較理想為上述電子注人層係以驗金屬、驗土金屬或該等之化合物所構成。根據本應用例，以鹼金屬、鹼土金屬或該等之化合物所構成之電子注入材料容易擴散至電洞注入層内，可有效果地阻礙電洞注入内之電洞（h〇le)之傳輸。 [應用例3]於上述應用例所記載之發光元件中，於上述電子注入層與上述發光層之間具備電洞傳輸層。據本應用例’於電子注入層與發光層之間配置有電洞傳輸層，藉此可避免電子注入層與發光層直接接觸，故由電子/主人層中所用之電子注人材料擴散至發光層中而引起的發光效率之下降得到抑制。上述電 [應用例4]於上述應用例所s己載之發光元件中 158697.doc 201225367 子注入層與上述電洞注入層直接接觸。根據本應用例，電子注入層與電洞注入層直接接觸，藉此電子注入層中所用之電子注入材料更容易擴散至電洞注入層中。其結果為，電子注入層中所用之電子注入材料不易擴散至發光層中，可防止由電子注人層中所用之電子注入材料擴散至發光層t而引起的發光效率之下降。 [應用例5]於上述應用例所記載之發光元#中，較理想為上述電洞注入層具有離子傳導性。、根據本應㈣，電敎人層具有離子傳導性，藉此電子注入層中所用之電子注人材料更容易擴散至電洞注入層中。其結果為，電子注入層中所用之電子注入材料不易擴散至發光層中’可防止由電子注入層中所用之電子注入材料擴散至發光層中而引起的發光效率之下降。 [應用例6]於上述應用例所記載之發光元件中，較理推為上述電洞注入層係使用液相製程而形成者。 “ 根據本應用例，具備具有經過液相製程而形成之電洞、、主入層的發光元件之顯示裝置可容易地實現大面積化。， [應用例7]本應用例之顯示裝置之用例之發光元件。；/、備上述應藉此，可獲得一種可靠性較高权间之顯示裝置於具備上述應 [應用例8]本應用例之電早換取用例之顯示裝置十機盗之特徵在藉此，可獲得一種可靠性較【實施方式】高之電子機器〇 158697.doc 201225367 以下，對將本發明之發光元件、顯示裝置及電子機器示於隨附圖式中之較佳實施形態加以說明。再者，以下各圖中’设定為可辨識各層或各構件之程度之大小，故使各層或各構件之尺度與實際情況不同。又’所謂本實施形態、本實施例、本比較例中之發光效率’係指電流效率或外部量子效率。 <第1實施形態> (顯示裝置之概要）圖1係表示本實施形態之顯示器裝置之一態樣的立體圖〇首先，對作為本發明之實施形態丨之顯示裝置的顯示器裝置之概要加以說明。包含顯示面板19及顯示器裝置100為有機EL顯示裝置，可撓性基板12等。顯示面板19係於基板21與密封基板2〇之間央持有包含發光層之功能層的底部發射型有機el顯示面板’自基板21側出射顯示光。顯示面板19具備包含以矩陣狀而配置之複數個像素之顯示區域V。如圖!之右上方放大表示般，於顯示區域”排列有藍色⑻之像素，#由各像素所出射之顯示光而顯示 ^色之皁色圖像^再者’各像素雖為發光像素，但稱素0 顯不區域V呈縱長之長方形谷圖中，將Ί 縱方向；t義為Υ轴方向，將較縱方向短之橫方轴方向…將顯示面板19之厚度方向定義物方向為 158697.doc 201225367 於顯示面板19中，於基板21自密封基板2〇伸出之伸出區域中，連接有可撓性基板12。所謂可撓性基板，例如係於聚醯亞胺膜之基材上形成有鐵箔之配線等的具有柔軟性之可撓性印刷電路基板之簡稱。、又’於可撓性基板12上安裝有驅動用圯㈦㈣加一 ' Clrcuit ’積體電路）13，於其端部形成有用以與專用之控制器或外部機器（均未圖示）連接之複數個端子。顯示面板19經由可撓性基板12而自外部機器接受包含電力或圖像信號之控制信號之供給，藉此於顯示區域v中顯示圖像或文字等。或亦作為藍色之面照明裝置而發揮功能。 (像素電路）圖2係表示像素電路之一態樣之圖。此處’使用圖2 ’對顯示面板19之像素之像素電路及複數個像素之掃描驅動之概要加以說明。對於圖1中以矩陣狀而配置於顯示區域乂中之各像素形成有圖2所示般之像素電路14。像素電路14包含用以選擇像素之選擇用電晶體(Thin • FUm T⑽ist〇r ’薄膜電晶體）i 5、用以於包含包括發光層之積層構造的功能層38中流通電流之驅動用電晶體Μ、及保持電容C等。於選擇用電晶體15之問極端子上連接有來自掃描線驅動電路17之掃描㈣，於源極端子上連接有來自資料線驅動電路18之資料線DL » 158697.doc 201225367 再者’掃描線驅動電路17及資料線驅動電路18係形成於圖1中之顯示區域v之周邊部分（邊緣區域或亦可形成於驅動用1C 13内。回到圖2。於選擇用電晶體15之汲極端子上連接有驅動用電晶體24 之閘極端子、及保持電容C之一端。驅動用電晶體24之源極端子及保持電容c之另一端連接於自驅動電流輸出電路（未圖示）供給驅動電流之配線化。而且，驅動用電晶體24之汲極端子連接於陽極3。於陽極3與陰極8之間配置有功能層38。又，陰極8連接於地線。掃描線驅動電路17係包含移位暫存器或輸出緩衝器（均未圖示）而構成，根據來自驅動用IC 13之時序信號對複數條掃描線SL依序供給掃描信號。資料線驅動電路18係包含移位暫存器或問鎖電路（均未圖示）而構成’根據來自驅動用IC 13之時序信號及資料信號對複數條資料線DL供給資料信號。藉由掃描信號而選擇之選擇用電晶體15接通，將資料产號供給於驅動用電晶體24。藉此，驅動用電晶體Μ接通：於功能層38中流通驅動電流而發光。χ，於驅動用電晶體 24接通之同時’於保持電容〇中保持資料信號，故以與電容相對應之時間（相當於〗幀之期間長）維持發光。再者’不限定於圖2所示之像素電路，只要為藉由驅動電流同樣地可將功能層38點亮驅動之像素電路，則亦可為 158697.doc

S -10· 201225367 不同之電路構成。 (剖面構造之概要）圖3係圖1之i_i剖面之側剖面圖，表示顯示面板（像素）之剖面構成之概要。如圖3所示，顯示面板19成為於基板21上依序積層有平坦化層22、複數個發光元件1、環氧化物層35及密封基板 2 〇之構成。於基板21上設有複數個驅動用電晶體24，以覆蓋該等驅動用電晶體24之方式形成有以絕緣材料構成之平坦化層 22 ° 各驅動用電晶體24具有包含矽等半導體材料之半導體層 241、形成於半導體層241上之閘極絕緣層242、形成於閘極絕緣層242上之閘極電極243、源極電極244及汲極電極 245。又’於平坦化層22上，對應於各驅動用電晶體24而設有發光元件1。發光元件1成為形成於平坦化層22上之包含陽極3、功能層38及陰極8之積層構造。又，功能層38亦係藉由包含電洞注入層41、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、作為發光層之發光功能層5、電子傳輸層62及第2電子注入層63之積層構造而構成。即’發光元件1成為包含陽極3、電洞注入層41、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、發光功能層5、電子傳輸層 62及第2電子注入層63之積層構造。 I58697.doc 201225367 又，將第1電子注入層61與電洞傳輸層43之積層構造亦稱為載子選擇層46。於該構成之發光元件1之鄰接者彼此之間設有隔離壁 3 1，藉此個別地設有各發光元件1。於本實施形態中，於各發光元件1中，陽極3、電洞注入層41係藉由以隔離壁3 1隔開而個別地設置，第1電子注入層61、電洞傳輸層43、藍色發光功能層5B、電子傳輸層 62、第2電子注入層63及陰極8係一體地設置。藉由設定為該構成，各發光元件1之陽極3構成像素電極（個別電極），進而’各發光元件1之陰極8構成共通電極。又，各發光元件1之陽極3藉由導電部（配線）27而電性連接於各驅動用電晶體24之汲極電極245。如此，於具備發光元件1之顯示面板19中，藉由使用驅動用電晶體24控制各發光元件丨之發光亮度，即藉由控制對各發光元件1施加之電壓，可實現顯示面板19之單色顯示° 對該構成之發光元件1應用於本發明之發光元件，關於該發光元件1之詳細内容，將於下文中加以說明。進而，於該等發光元件1±，於本實施形態巾，以覆蓋該等之方式形成有以環氧樹脂構成之環氧化物層h。而且’於環氧化物層35上以覆蓋其之方式設有密封基板 20。藉此確保發光元件】之氣密性，可防止氧或水分之涞入，故可實現發光元件丨之可靠性之提高。夕以上所說明般之顯示器裝置1〇〇藉由使各發光元件！同時 158697.doc •12· 201225367 發光而可實現藍色之單色顯示。 (發光元件之詳細内容）如上文所述，發光元件1係於陽極3與陰極8之間插入有自陽極3側起依序積層有電洞注入層41、第1電子注入層 61、電洞傳輸層43、發光功能層5、電子傳輸層62及第2電子注入層63之積層體而成者。於此種發光元件1中，對發光功能層5自陰極8側供給（注入）電子’並且自陽極3側供給（注入）電洞。繼而，於發光功能層5中’電洞與電子再結合’藉由該再結合而生成激子（exciton) ’激子回到基態時以螢光或磷光之形式放出能量，因此發光功能層5發出光。再者’本實施形態中，使所有發光功能層5為藍色發光功能層’故各像素之發光元件1進行藍色發光。以下，對構成發光元件1之各部依序加以說明。 [陽極3] 陽極3係對電洞注入層41注入電洞之電極。作為該陽極3之構成材料，並無特別限定，可較佳地使用功函數較大、導電性優異之材料。作為陽極3之構成材料，例如可列舉：iT〇(indium Tin Oxide ’ 氧化姻錫）、iz〇(Indium Zinc Oxide，氧化姻辞）、 In203、Sn02、添加氟之Sn02、添加銻（Sb)之Sn02、ZnO、添加鋁（Al)之ZnO、添加鎵（Ga)之ZnO等金屬氧化物，金 (Au)、鉑（pt)、銀（Ag)、銅（Cu)或含有該等之合金等，可使用該等中之一種或組合使用兩種以上。 158697.doc -13· 201225367 此種陽極3之平均厚度並無特別限定，較佳為1〇以上、200 nm以下左右，更佳為3〇 nm以上、15〇以下左右。再者，於將顯示面板19設定為底部發射構造之顯示器面板之情形時，對陽極3R要求透光性，故上述構成材料中可較佳地使用具有透光性之金屬氧化物。 [電洞注入層41] 電洞注入層41係具有使自陽極3之電洞注入變容易之功能者。作為該電洞注入層41之構成材料（電洞注入材料），並無特別限定，為於下文將述之電洞注入層41之形成步驟中可使用液相製程來形成，可較佳地使用在導電性高分子材料 (或導電性低聚物材料）中添加有受電子性摻雜物之離子傳導性電洞注入材料。作為此種離子傳導性電洞注入材料，例如可列舉：聚 (3,4-伸乙二氧噻吩）_聚（苯乙烯磺酸）(pED〇T/pss)之類的聚售吩系電洞注入材料、或聚苯胺_聚（苯乙烯磺酸）(PANI/PSS)之類的聚苯胺系電洞注入材料、或利用下述通式（1)所表示之低聚苯胺衍生物與下述通式（4)所表示之受電子性摻雜物形成鹽而成之低聚笨胺系電洞注入材料。 [化1] 158697.doc •14- 201225367 R2i

J〇 Jm

[式中’ R1、R2及R3分別獨立矣_ 表不未經取代或經取代之一價烴基或有機氧基，A及B分別無及刀別獨立為下述通式（2)或下述通式⑺所表示之二價基’ r、r11分別獨立為氫原子、經基、未經取代或經取代之—價.烴基或有機氧基、醯基或續酸基，m及η分別獨立為丄以上之正數，且滿sm+n$2〇] [化2] [化3]

[式中，D表示苯環、萘環、蒽環、菲環或雜環，rU、r1s 分別獨立表示羧基或羥基] 158697.doc -15- 201225367 此種電洞注入層之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm 以上、150 nm以下左右’更佳為1〇 nm以上、1〇〇 nm以下左右。 [第1電子注入層61] 於第1電子注入層61中，電子注入層中所用之電子注入材料擴散至電洞注入層内，該所擴散之電子注入材料阻礙或促進電洞注入層内之電洞之傳輸。藉此調整對發光功能層5傳輸之電洞之量，其結果載子平衡得到改善，發光效率提高。即，第1電子注入層61具有調整電洞注入層41之電洞傳輸量之功能。乍為該第1電子注人層61之構成材料’例如可列舉：驗金屬驗土金屬、稀土金屬、驗金屬鹽（氧化物、氟化物、氯化物等)、鹼土金屬鹽(氧化物、氟化⑯、氣化物等）稀土金屬鹽(氧化物、氟化物、氣化物等)、金屬錯合 :等之類的電子注入材料，可使用該等中之一種或組合使用兩種以上。藉由將第1带J7、+ 電子注入層61設定為以此種電子注入材料作吾主材料而構成者，可調整對發光功能層5傳輸之電洞之重0 炎作為鹼金屬’例如可列舉Li、Na、K、Rb、Cs。又，作输+ a H 例如可列舉Mg、Ca、Sr、Ba。進而’作為柿土金屬，例如銪（Eu)。 j如可列舉敍（Nd)、釤（Sm)、釔（Y)、铽（Tb)、作為驗金屬鹽匆取例如可列舉LiF、Li2C03、LiCl、NaF、 158697.doc s -16- 201225367 =2co3、Naa、CsF、Cs2C〇3、Csa。又作為鹼土金屬鹽’例如可列舉 CaF2、CaC〇3、SrF2、SrC〇3、BaF2、

BaC〇3。進而，作為稀土金屬鹽，例如可列 m ErF3。作為金屬錯合物，例如可列舉：8_羥基喹啉鋰（Liq)或三 (8羥基喹啉）鋁（Alqj等以8羥基喹啉或其衍生物作為配位基之有機金屬錯合物。又，第1電子注入層61之形成製程可使用真空蒸鍍法（蒸鍍法）或濺鍍法之類的氣相製程，亦可使用噴墨法或狹縫塗佈法之類的液相製程。進而，第1電子注入層61亦可以將兩種以上之電子注入層積層之形態而形成。藉此，可確切地進行對發光功能層 5傳輸之電洞量之調整。第1電子注入層61之平均厚度並無特別限定，較佳為〇·〇1 nm以上、10 nm#下左右，更佳為〇」nm以上、$ 乂下左右。藉由將第丨電子注入層61的平均厚度設定於該範圍内，可確切地進行對發光功能層5傳輸之電洞量之調整。 [電洞傳輸層43] 電洞傳輸層43發揮將自電洞傳輸層43之陽極3側界面注入之電洞傳輸至發光功能層5的功能。再者，電洞傳輸層 43具有阻擋自發光功能層5向電洞傳輸層43流動而來之電子的功能，藉此可將該等電子留在發光功能層5中，故可進一步提尚發光效率。此外，電洞傳輸層43可發揮以下功 158697.doc •17· 201225367 能：防止第1電子注入層61與發光功能層5直接接觸，或減少第1電子注入層61中所用之電子注入材料擴散至發光功能層5中。作為該電洞傳輸層43之構成材料，並無特別限定，為於下文將述之電洞傳輸層43之形成步驟中可使用真空蒸鍍法之類的氣相製程而形成，例如可列舉：二笨美·ΝΝ,_ 二（間甲苯基）-聯苯胺（TPD)、下述式（5)所表示之雙[ν1(ι· 萘基）-Ν-笨基]聯苯胺（a-NPD)、了述式（6)所表示之化合物之類的聯苯胺衍生物等胺系化合物，可使用該等中之一種或組合使用兩種以上。 [化4]

此種電洞傳輸層43之平均厚度並無特別限定’較佳為1 nm以上、5〇抓以下左右，更佳為5nm以上、Μ·以下 158697.doc -18- 201225367 左右。藉由將電洞傳輸層43之平均厚度設定於該範圍内，可將自電洞注入層41經由第i電子注入層61而注入之電洞確切地傳輸至發光功能層5。 [發光功能層5] 發光功能層5係含有發出預定之顏色之光的發光材料而 ' 構成。於本實施形態中，將發光功能層5設定為藍色發光功能層’故發光功能層5發出藍色之光。發光功能層5係自陽極3側供給（注入）電洞，並且自陰極 8側供給（注入）電子，藉此於發光功能層5中電洞與電子再結合，藉由該再結合而生成激子（exch〇n),激子於發光功能層5所含之藍色發光材料中回到基態時以藍色之光之形式放出能量。作為此種藍色發光材料，並無特別限定，可較佳地使用於發光功能層5之形成步驟中可使用氣相製程而形成者，具體可列舉下述式⑺所表示之化合物之類的苯乙稀基衍生物。 [化5]

(7) 又除此之外，作為藍色發光材料，亦可為以蒽衍生物作為主體材料、並於該主體材料巾含有笨乙烯基衍生物作 158697.doc •19- 201225367 為客體材料者^ 主體材料具有以下功能：將電洞與電子再結合而生成激子’並且使該激子之能量向藍色發光材料移動^的以打移動或Dexter移動），激發藍色發光材料。於使用此種主體材料之情形時，例如可將客體材料作為摻雜物摻雜至主體材料中而使用》該情形時，作為蒽衍生物，可列舉下述式（8)、下述式 (9)及下述式⑽所表示之化合物，作為苯乙稀基衍生物，可列舉下述式⑴）、了述式（12)及下述式⑼所表示之化人

物，可分別使用該等中之一種或組合使用兩種以上。 [化6]

158697.doc 201225367 再者，具備此種經過氣相製程而形成之發光功能層5之發光元件1充分具備實用水準之發光壽命特性。進而’於使用此種客體材料及主體材料之情形時，發光功能層5中之客體材料之含量（摻雜量）較佳為相對於主體材料以重量比計為0.1%以上、20%以下左右，更佳為〇 5%以上、10%以下左右β藉由將客體材料之含量設定為此種範圍内，可使發光效率最適化。此種發光功能層5之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm以上' 1〇〇 nmw下左右，更佳為1〇 nm以上、％ ^^以下左右。 [電子傳輸層62] 電子傳輸層62係具有將自陰極8經由第2電子注入層63注入至電子傳輸層62中之電子傳輸至發光功能層5的功能者。又，電子傳輸層62亦存在具有以下功能之情形·阻擋欲自發光功能層5向電子傳輸層62通過之電洞。作為電子傳輸層62之構成材料（電子傳輸材料），並無特別限定，為於電子傳輸層62之形成步驟中可使用氣相製程而形成，例如可較佳地使用：三（8_羥基喹啉）鋁（Alq3)或8_ 羥基喹啉鋰（Liq)等以8_羥基喹啉或其衍生物作為配位基之有機金屬錯合物等喹啉衍生物，2_(4_第三丁基苯基）5_(4_ 聯笨基）-1，3,4-崎二唑（tBu_PBD)、25_雙（1_ 萘基）_134•噚二唑（BND)之類的哼二唑衍生物，3_(4聯苯基）_4•苯基_5_ (4-第二丁基苯基）_ι，2,4-三唑（TAZ)之類的三唑衍生物，下述式（14)所表示之化合物之類的矽羅衍生物、吡啶衍生 158697.doc -21· 201225367 物、嘧啶衍生物、喹呤啉衍生物、下述式（15)所表示之化合物之類的含氮雜環衍生物等；可使用該等中之一種或組合使用兩種以上。 [化7]

5) 電子傳輸層62之平均厚度並無特職定，較佳為i⑽以〇〇 nm以下左右，更佳為5 nm以上、5〇 nm以下左右藉此，可將自第2電子注入層63注入之電子適當地傳輸至發光功能層5。再者，視構成發光元件1之電洞注入層41、第丨電子注入層61、電洞傳輸層43、發光功能層5、第2電子注入層。及陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合不同，該電子傳輸層62有時亦可省略。 [第2電子注入層63] 第2電子注入層63係具有使自陰極8向電子傳輸層62之電子之注入效率提高之功能者。作為該第2電子注入層63之構成材料（電子注入材料），並無特別限定，例如可使用與作為上述第1電子注入層61 之構成材料而列舉者相同者。再者，第2電子注入層63及第1電子注入層61之構成材料 I58697.doc

S -22· 201225367 (電子注入材料）係分別根據夾持該等之兩個層之構成材料之組合而選擇可獲得最適之注入效率者，故第2電子注入層63之構成材料與第1電子注入層61之構成材料可相同亦可不同。第2電子注入層63之平均厚度並無特別限定，較佳為〇.〇1 nm以上、100 nm&下左右，更佳為〇 i nm以上、1〇 nm以下左右。再者’視電子傳輸層62與陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合不同，該第2電子注入層63有時亦可省略。 [陰極8] 陰極8係經由第2電子注入層63對電子傳輸層62注入電子之電極。作為該陰極8之構成材料’較佳為使用功函數較小之材料。作為陰極8之構成材料，為於下文將述之陰極8 之形成步驟中可使用氣相製程而形成，例如可使用u、

Mg Ca、Sr、_(La)、錦（Ce)、斜（Er)、Eu、|/t(Sc)、Y、

Yb Ag、Cu、A1、Cs、Rb、Au或含有該等之合金等，可使用該等中之一種或組合使用兩種以上（例如複數層之積層體等）。尤其於如本實施形態般設定為底部發射構造之顯示面板 19之情形時，對陰極8要求透光性作為陰極8之構成材料例如可較佳地使用Al、Ag、AlAg、AINd等金屬或合金。藉由使用該金屬或合金作為陰極8之構成材料，可實現陰極8之電子注入效率及穩定性之提高。此種陰極8之平均厚度並無特別限定，較佳為5〇以 158697.doc •23- 201225367 1000 nm以下左右’更佳為100 nm以上、500 nm以下左右。再者’於顯示面板19為頂部發射構造之顯示裝置之情形時’作為陰極8之構成材料，較佳為使用MgAg、MgAl、 MgAu、AlAg等金屬或合金《藉由使用該金屬或合金作為陰極8之構成材料，可維持陰極8之透光性並且實現陰極8 之電子注入效率及穩定性之提高。此種陰極8之平均厚度並無特別限定，較佳為丨nm以上、5 0 nm以下左右，更佳為5 nm以上、2〇 nm以下左右。再者，亦可於該構成之發光元件丨之陽極3、電洞注入層 41、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、發光功能層5、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間設置任意之層。再者’關於含有發光元件1之顯示面板19之製造方法，將於實施形態2中加以說明。如以上所述，根據本實施形態之顯示器裝置1〇〇(顯示面板1 9) ’可獲得以下效果。於顯示面板19中，於陽極3與發光功能層5之間形成有第 1電子注入層61，並且於陽極3與第丨電子注入層61之間形成有電洞注入層41。換言之，成為於陽極3上依序積層有電洞注入層41、第1電子注入層61及發光功能層5之構成。根據該構成，第1電子注入層61中所用之電子注入材料擴散至電洞注入層41内，該所擴散之電子注入材料阻礙或促進電洞注入層41内之電洞（hole)之傳輸，藉此調整對發 158697.doc -24- 201225367 光功能層5傳輸之電洞（h〇le)之量，其結果載子平衡得到改善。因此，與由於發光功能層與陽極之間之有機層中添加之材料的影響而載子平衡被破壞從而阻礙發光的先前之發光元件相比較，可使發光效率提高。因此，可提供可獲得所期望之發光效率之發光元件】、及具備發光元件1之顯示器裝置1〇〇(顯示面板19)。進而，由於載子平衡優異，故可抑制包含發光功能層5 之功能層38之劣化。因此，可提供可獲得所期望之壽命之發光元件1。又，第1電子注入層61係以鹼金屬、鹼土金屬或該等之化合物所構成，故容易擴散至電洞注入層41内，可有效果地的阻礙電洞注入内之電洞（h〇le)之傳輸。進而，於第1電子注入層61與發光功能層之間形成有電洞傳輸層43，故可避免第！電子注入層61與發光功能層5直接接觸，因此可抑制由第丨電子注入層61中所用之電子注入材料擴散至發光功能層5中而引起的發光效率之下降。又’第1電子注入層61與電洞注入層41直接接觸，故第1 電子注入層61令所用之電子注入材料更容易擴散至電洞注入層41中。其結果為，電子注入材料不易擴散至發光功能層5中，可抑制由電子注入材料擴散至發光功能層中而引起的發光效率之下降。又’電洞注入層41具有離子傳導性，故第1電子注入層 61中所用之電子注入材料更容易擴散至電洞注入層41中。 158697.doc •25- 201225367 藉此，電子注入材料不易擴散至發光功能層5中，故可抑制發光效率之下降。又’可使用液相製程形成電洞注入層4丨，故可容易地應對顯示面板之大型化。 <第2實施形態> (顯示裝置之概要）圖2係表不本實施形態之顯示器裝置之一態樣的立體圖，對應於圖1。首先’對作為本發明之實施形態2之顯示裝置的顯示器裝置之概要加以說明。再者，對與實施形態丨相同之構成部位使用相同編號，省略重複說明。本實施形態之顯示器裝置11〇具備可進行彩色之圖像顯不之顯示面板29。詳細而言，如圖4之右上方之顯示區域v 之放大圖所不，具備週期性地形成有紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)之像素之顯示面板29。其他構成與實施形態丨之顯示器裝置100相同。 (發光元件之詳細内容）圖5係圖4之j-j剖面之側剖面圖，對應於圖3。以下，以與實施形態1之顯示面板19之不同點為中心進行說明。於顯示面板29之顯示區域v中，於χ轴方向上週期性地形成有紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)之像素。再者，將各色像素亦稱為子像素，將包含連續之RGB之三個子像素之像素組亦稱為彩色像素。 158697.doc -26 - 201225367 於圖5中，最右側（X軸㈠側）所示之像素為發出b光之藍色像素’具備發光7G件1B。此處，發光元件⑺與實施形態1之發光凡件1為相同構成，但為與其他色光之像素相區分’稱為發光元件1B。藍色像素旁之發出G光之綠色像素、及綠色像素旁之發出R光之紅色像素分別具備與發光元件1B為不同積層構造之發光7L件1G、發光元件以。該等構成以外與實施形態i 之顯示面板19相同。以下，對各發光元件加以詳細說明。發光兀件1R、1G、1B分別於陽極3R、3G、3B與陰極8 之間自陰極8側起依序具備第丨層、第2層及第3層。第1層係具有發出第1色之光之功能的層。以下，將具有發出某色之光之功能的層稱為發光功能層。於本實施形態中，第1色為藍色，第1層為藍色發光功能層5B。再者，藍色發光功能層5B與實施形態！之發光功能層5相同。第2層為載子選擇層46。所謂載子選擇層，係指具有根據第3層之功能而選擇載子之流動之功能的層，與實施形態1相同，係藉由自陽極（3R、3G、3B)側依序積層有第1電子注入層61及電洞傳輸層43之積層體而構成。於發光元件1R與1G中’第3層為具有發出第2色之光之功能的層’分別為紅色發光功能層5r與綠色發光功能層 5G。即’本實施形態中之第2色於發光元件以與ig中分別為紅色與綠色。又’於發光元件1B中，第3層成為電洞注入層41B。再 158697.doc •27· 201225367 者，電洞注入層41B與實施形態1之電洞注入層41相同。發光元件1R係於平坦化層22上依序積層有陽極3R、電洞注入層41R、中間層42R、作為第3層之紅色發光功能層 5R、作為第2層之載子選擇層46、作為第1層之藍色發光功能層5Β、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8。又，發光元件1G係於平坦化層22上依序積層有陽極 3G、電洞注入層41G、中間層42G、作為第3層之綠色發光功能層5G、作為第2層之載子選擇層46、作為第1層之藍色發光功能層5Β、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極 8 ° 於本實施形態中’於各發光元件1R、1G、1Β中，各陽極3R、3G、3B、各電洞注入層41R、41G、41B、各中間層42R、42G及各發光功能層5R、5G係藉由以隔離壁31隔開而個別地設置’第1電子注入層61、電洞傳輸層43、藍色發光功能層5B、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8係一體地設置。藉由设定為該構成’各發光元件1R、1G、1B之各陽極 3R、3G ' 3B構成像素電極（個別電極），進而，各發光元件 1R、1G、1B之陰極8構成共通電極。又，各發光元件1R、 1G、1B之各陽極3R、3G、3B藉由導電部（配線）27而電性連接於各驅動用電晶體24之沒極電極245。如此’於具備發光元件1R、1G、1Β之顯示面板29中，藉由使用驅動用電晶體24控制各發光元件1R、ig、⑺之發光亮度，即藉由控制對各發光元件丨R、i G、丨B施加之 158697.doc -28- 201225367 電壓，可實現顯示器裝置110之彩色顯示。於該構成之顯示面板29中應用本發明的發光元件。以下，對發光元件1R、1G依序進行說明。 (發光元件1R) 發光元件（紅色發光元件）1R係於陽極3R與陰極8之間插入有自陽極3R側起依序積層有電洞注入層41R、中間層 42R、紅色發光功能層5R、載子選擇層46、藍色發光功能層5Β、電子傳輸層62及第2電子注入層63之積層體者。於發光元件1R中，載子選擇層46係藉由自陽極3R側起依序積層有第1電子注入層61及電洞傳輸層43之積層體而構成。又’於發光元件1R中’陽極3R及陰極8分別構成個別電極及共通電極，陽極3R作為對電洞注入層41R注入電洞之電極而發揮功能，陰極8作為經由第2電子注入層63對電子傳輸層62注入電子之電極而發揮功能。

於此種構成之發光元件1R中，中間層42R、紅色發光功能層5R成為固有之構成部位。換言之，陽極3r、電洞注入層41R、載子選擇層46、藍色發光功能層5Β、電子傳輸層62、第2電子注入層63、及陰極8與實施形態1中之對應部位相同D 以下，對發光元件1R固有之構成部位加以說明。 [中間層42R]

中間層42R具有將自電洞注入層41R注入之電洞傳輸至紅色發光功能層5R之功能。又，中間層42R亦存在具有以下功能之情形：阻擋欲自紅色發光功能層5R向中間層42R 158697.doc •29- 201225367 通過之電子。該中間層42R之構成材料並無特別限定，為於下文將述之中間層42R之形成步驟中可使用液相製程而形成，例如可使用下述通式（16)所表示之三苯基胺系聚合物等胺系化合物。 [化5]

此種中間層42R之平均厚度並無特別限定，較佳為5 nm 以上、100 nm以下左右’更佳為10 nm以上、50 nm以下左右。再者’視構成發光元件1R之陽極3R、電洞注入層41R、紅色發光功能層5R、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、藍色發光功能層5B、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8之構成材料之種類及其膜厚等之組合不同，該中間層42R有時亦可省略。 [紅色發光功能層5R] 紅色發光功能層5R係含有發出紅色光之紅色發光材料而構成。於發光元件丨R中，該紅色發光功能層5R構成設於陽極 3R與載子選擇層（第2層)46之間之第3層，該紅色發光功能 158697.doc •30· 201225367 層5R具有發出發光元件1R中之第2色（紅色）之光的功能。此種紅色發光功能層5R之構成材料並無特別限定，為於下文將述之紅色發光功能層5R之形成步驟中可使用液相製程而形成，較理想為可溶液化或分散液化。因此，作為紅色發光功能層5R之構成材料，可較佳地使用可溶解或分散於溶劑或分散介質中之高分子紅色發光材料及低分子紅色發光材料’例如可列舉下述通式（17)及下述通式（18)所表示之局分子紅色發光材料。 [化6]

Q 再者’具備此種經過液相製程而形成之紅色發光功能層 5R之發光元件1R充分具備實用水準之發光壽命特性。此種紅色發光功能層5 R之平均厚度並無特別限定，較佳為10 nm以上、150 nm以下左右，更佳為2〇 nm以上、1〇〇 nm以下左右。 [載子選擇層46] 藉由自陽極3R側起依序積層有第丨電子注入層61及電洞傳輸層43之積層體而構成載子選擇層（第2層）46。於發光元件1R中，載子選擇層46進行載子注入動作，即’將自藍色發光功能層5B向載子選擇層46流動而來之電 158697.doc -31- 201225367 子順利地注入至紅色發光功能層5R。因此，於發光元件 1R中，大幅度地抑制藍色發光功能層5B之發光，紅色發光功能層5R選擇性或支配性地發光。 (發光元件1G) 發光元件（綠色發光元件）1G係於陽極3G與陰極8之間插入有自陽極3G侧起依序積層有電洞注入層41G、中間層 42G、綠色發光功能層5G、載子選擇層46、藍色發光功能層5B、電子傳輸層62及第2電子注入層63之積層體而成者。於發光元件1G中，載子選擇層46係藉由自陽極3G側起依序積層有第1電子注入層61及電洞傳輸層43之積層體而構成。又，於發光元件1G中，陽極3G及陰極8分別構成個別電極及共通電極，陽極3 G作為對電洞注入層41G注入電洞之電極而發揮功能’陰極8作為經由第2電子注入層63對電子傳輸層62注入電子之電極而發揮功能。發光元件1G除了具備綠色發光功能層5G代替紅色發光功能層5R以外’與上述發光元件ir為相同構成。換言之，陽極3R、電洞注入層41R、載子選擇層46、藍色發光功能層5B、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8與實施形態1中之對應部位相同。以下，對發光元件1R固有之構成部位加以說明。 [綠色發光功能層5G] 綠色發光功能層5G係含有發出綠色光之綠色發光材料而構成。 I58697.doc -32- 201225367 於發光元件1G中，該綠色發光功能層5G構成設於陽極 3G與載子選擇層（第2層）46之間之第3層，該綠色發光功能層5G具有發出發光元件1G中之第2色（綠色）之光的功能。此種綠色發光功能層5G之構成材料並無特別限定，為於下文將述之綠色發光功能層5G之形成步驟中可使用液相製 *r 程而形成，較理想為可溶液化或分散液化。因此，作為綠色發光功能層5G之構成材料，可較佳地使用可溶解或分散於溶劑或分散介質中之高分子綠色發光材料及低分子綠色發光材料，例如可列舉下述通式（19)及下述通式（20)所表示之高分子綠色發光材料。 [化 10]

再者，具備此種經過液相製程而形成之綠色發光功能層 5G之發光元件1(}充分具備實用水準之發光壽命特性。此種綠色發光功能層5G之平均厚度並無特別限定，較佳為10 nm以上、150 nm以下左右，更佳為20 nm以上、100 158697.doc •33· 201225367 nm以下左右。再者’亦可於該構成之發光元件1G之陽極3G、電洞注入層41G、中間層42G、綠色發光功能層5G、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、藍色發光功能層5B、電子傳輸層 62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間設置任意之層。 (發光元件1B之補充說明）於發光元件1B中，載子選擇層46進行載子阻擋動作，即’阻擋自藍色發光功能層5B向載子選擇層46流動而來之電子’使該等電子留在藍色發光功能層5B中。因此，於發光元件1B中，藍色發光功能層5B效率佳地發光。為確切地進行該載子阻擋動作’較理想為於發光元件1]5之電詞傳輸層43中使用具有載子阻擋功能者。例如藉由使用作為上述發光元件1R之電洞傳輸層4 3之構成材料而列舉之胺系化合物’電洞傳輸層43成為具有電子阻擋功能者。再者’亦可於該構成之發光元件1B之陽極3B、電洞注入層41B、第1電子注入層61、電洞傳輸層43、藍色發光功能層5B、電子傳輸層62、第2電子注入層63及陰極8之各層之間設置任意之層。 (顯示面板之製造方法）圖6(a)〜(c)及圖7(a)〜(c)係表示顯示面板之製造步驟之一態樣的圖’係對應於圖5之側剖面圖。此處’對上述顯示面板29之製造方法加以說明。再者，第1貫施形態之顯示面板丨9之製造方法係於本實施形態之顯示面板29之製造方法中將僅藍色像素形成為所有像素 158697.doc

S •34- 201225367 者。換言之’省略了中間層42R、紅色發光功能層5R及中間層42G、綠色發光功能層5G之製造方法成為第1實施形態之顯示面板19之製造方法。 U]首先，準備基板21，以與各子像素對應之方式形成複數個驅動用電晶體24後，以覆蓋該等驅動用電晶體24之方式形成平坦化層22(第1步驟）。 [1-A]首先’準備基板21 ’於基板21上形成含有驅動用電晶體24之像素電路元件。再者，為便於說明，以驅動用電晶體24為中心進行說明。 [Ι-Aa]首先’於基板21上藉由例如電漿CVD(Chemical VaP〇r Deposition，化學氣相沈積）法等形成平均厚度為3〇 nm以上、70 nm以下左右的以非晶矽作為主材料而構成之半導體膜》 [Ι-Ab]繼而，對半導體膜藉由雷射退火或固相成長法等進行結晶處理，使非晶矽變化為多晶碎。此處，於雷射退火法中，例如使用準分子雷射且射束之長尺寸為400 mm的線束，其輸出強度例如係設定為2〇〇 mJ/cm2左右。 [Ι-Ac]繼而，藉由將半導體膜圖案化並形成為島狀而麥得半導體層24丨，以覆蓋該等島狀之半導體層241的方式，例如以TEOS(Tetraeth〇xy Silane，四乙氧基矽燒）或氧作為原料氣體，藉由電漿CVD法等形成平均厚度為⑴ 以上、15G nm以下左右的以氧切或氮切等^為主^ 而構成之閘極絕緣層242。 158697.doc •35- 201225367 [1-Ad]然後’於閘極絕緣層242上藉由例如濺鍵法等形成以紹、组、銦、鈦、鎢等金屬作為主材料而構成之導電膜後’進行圖案化，形成閘極電極243。 [Ι-Ae]繼而，於該狀態下擊入高濃度之磷離子，相對於閘極電極243以自對準之方式形成源極•汲極區域。再者，未導入雜質之部分成為通道區域。 [1 _B]然後’形成電性連接於驅動用電晶體24之源極電極244及沒極電極245。 [Ι-Ba]首先’以覆蓋閘極電極243之方式形成第1平坦化層後，形成接觸孔。 [Ι-Bb]繼而’於接觸孔内形成源極電極244及汲極電極 245 ° [1-0]然後’形成將沒極電極245與各陽極311、30、36電性連接之配線（令繼電極）27。 [1-Ca]首先，於第1平坦化層上形成第2平坦化層後，形成接觸孔。 [Ι-Cb]繼而，於接觸孔内形成配線27。再者’藉由[1-B]步驟及[1-C]步驟中形成之第1平坦化層及第2平坦化層而構成平坦化層22。 [2]然後’於平坦化層22上以對應於各配線27之方式形成陽極（個別電極）3R、3G、3B(第2步驟）。該陽極3R' 3G、3B可藉由在平坦化層22上形成以陽極 3R、3G、3B之構成材料作為主材料而構成之薄膜後，進行圖案化而獲得。 158697.doc -36· 201225367 [3]繼而，於平坦化層22上以隔開各陽極3尺、之方式，即以隔開形成各發光元件1R、1G、1B之區域之方式形成隔離壁（岸堤）31(第3步驟）。隔離壁31可藉由以覆蓋各陽極3R、3G、3B之方式於平坦化層22上形成絕緣膜後，以各陽極3R、3g、3β露出之方式使用光微影法等進行圖案化等而形成。此處，隔離壁31之構成材料係考慮耐熱性、斥液性、油墨溶劑耐性、與平坦化層22等之密接性等而選擇。具體而s，作為隔離壁3丨之構成材料，例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂之類的有機材料或Si〇2之類的無機材料。圖6(a)表示藉由迄今為止之步驟形成至隔離壁31為止之狀態。又’隔離壁31之開口之形狀除了如圖4所示般為四角形以外，例如亦可為圓形、橢圓形、六角形等多角形等任意者。再者，於將隔離壁31之開口之形狀設定為多角形之情形時’較佳為角部帶有狐度。藉此’於使用下文將述般之液狀材料形成電洞注入層41R、41G、41B、中間層42r、伽及發光功能層5R、祀時，可將該等液狀材料^實地供給至隔離壁3 1之内侧空間之角落。此種隔離壁31之高度係根據發光元件 1R、1G、1B之厚度而適當設定’並無特別限定，較佳為設定為〇 5叫以 5 μιη以下左右。藉由設定為該高度，充分發揮作為隔 158697.doc -37- 201225367 離壁（岸堤）之功能。再者，於藉由喷墨法形成電洞注入層41R、41G' 41B、中間層42R、42G及發光功能層5R、5G之情形時，較理想為形成有隔離壁31之基板21經電漿處理。具體而言，首先以〇2氣體作為處理氣體對形成有隔離壁31之基板21之表面進行電漿處理。藉此，陽極3R、3G、3B之表面與隔離壁 31之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，以CF4等氟系氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含作為有機材料之感光性樹脂之隔離壁31的表面氟系氣體反應而斥液化。藉此，更有效果地發揮隔離壁31之作為隔離壁之功能。 [4]繼而’在位於應形成發光元件ir之區域的隔離壁31 之内側，形成電洞注入層41R、中間層42R及紅色發光功能層5R，在位於應形成發光元件1G之區域的隔離壁31之内側，形成電洞注入層41G、中間層42G及綠色發光功能層5G’進而’在位於應形成發光元件iB之區域的隔離壁 31之内側，形成電洞注入層41B(第4步驟）。關於該第4步驟’以下對發光元件1R、1G、1B分別加以詳述。 [發光元件1R]在位於應形成發光元件1R之區域的隔離壁 3 1之内侧’依序形成電洞注入層41R、中間層42R及紅色發光功能層5R。將形成各層之步驟稱為電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟、紅色發光功能層5R形成步驟，以下加以詳述。 [電洞注入層41R形成步驟]首先，如圖6(b)所示，藉由喷 •38· 158697.doc

S 201225367 墨法塗佈電洞注入層4 1R。具體而言，自噴墨印刷裝置之喷頭喷出含有電洞注入材料之電洞注入層41r形成用之油墨（液狀材料）’塗佈於各陽極3R上（塗佈步驟）。此處’作為製備電洞注入層形成用之油墨所用之溶劑 (油墨溶劑）或分散介質（油墨分散介質），例如可列舉：硝酸、硫酸、氨、過氧化氫、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸乙稀醋等各種無機溶劑，或甲基乙基酮（MEK)、丙酮、二乙嗣、甲基異丁基酮（MIBK)、曱基異丙基酮（Μιρκ)、環己酮等酮系溶劑，甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、二乙二醇（DEG)、甘油等醇系溶劑，二乙醚、二異丙醚、n 一甲氧基乙烷（DME)、1，4·二呤烷、四氫呋喃（THF)、四氫吡喃(THP)、苯甲醚、二乙二醇二曱醚(diglyme)、二乙二醇乙醚（卡必醇）等醚系溶劑，曱基溶纖劑、乙基溶纖劑、苯基溶纖劑等溶纖劑系溶劑，己烷、戊烷、庚烷、環己烷等脂肪族烴系溶劑’環己烷、四氫萘等脂環式烴系溶劑，苯甲笨、苯、二甲基苯、四曱基苯等芳香族烴系溶劑比啶、吡畊、呋喃、吡咯、噻吩 '曱基吡咯啶酮等芳香族雜環化合物系溶劑，Ν，Ν·二曱基曱醯胺（DMF)、N，N-一甲基乙醯胺（DMA)等醯胺系溶劑，二氣甲烷、氣仿、 ^2-二氯乙烷等函素化合物系溶劑，乙酸乙酯、乙酸甲酗、▼酸乙酯等酯系溶劑’ r甲基亞砜(職〇)、環丁砜等硫化合物系溶劑’乙腈、丙腈、丙婦腈等腈系溶劑，甲酸、乙*酸、—和亂乙S文、二氟乙酸等有機酸系溶劑之類的各種有機溶劑’或含有該等之混合溶劑等。 158697.doc -39 201225367 再者，塗佈於陽極3R上之液狀材料之流動性較高（黏性較低）’欲向水平方向（面方向）擴展，但如圖6(b)所示，陽極3R係由隔離壁31所包圍，故可阻止擴展至預定區域以外，準確地規定電洞注入層41R之輪廓形狀。繼而，對所塗佈之電洞注入層41R實施後處理（後處理步驟）。具體而言，使塗佈於各陽極3R上之電洞注入層形成用之油墨（液狀材料）乾燥，形成電洞注入層41R。藉由該乾燥’可去除溶劑或分散介質。圖6(c)中示出乾燥後之電洞注入層41R之態樣。作為乾燥之方法，可列舉放置於減壓環境中之方法、利用熱處理（例如40°C以上、80。(：以下左右）之方法、鼓吹氮氣之類的惰性氣體之方法等。進而，視需要對形成有電洞注入層41R的基板21以1〇〇。(：以上、300°C以下左右進行加熱（烘烤）。藉由該加熱’可去除乾燥後殘留於電洞注入層 41R之膜内之溶劑或分散介質。又，於使用藉由加熱而交聯從而不溶於溶劑中之電洞注入材料之情形時，亦可藉由該加熱而使電洞注入層41R不溶化。又，為於該加熱後去除電洞注入層41R之未不溶化部分，有時亦藉由溶劑沖洗 (洗淨）形成有電洞注入層41R之基板21之表面。藉由該沖洗’可防止電洞注入層41R之未不溶化部分混入至形成於電洞注入層41R上之中間層42R中。

[中間層42R形成步驟]於中間層42R形成步驟中，首先藉由與電洞注入層41R形成步驟相同之喷墨法將中間層42R 塗佈於各電洞注入層41R上，繼而對所塗佈之中間層42R 158697.doc •40· 201225367 實施與電洞注入層41R形成步驟相同之後處理。其令，令間層42R形成用之油墨中所用的油墨溶劑或油墨分散介質、或後處理的方法或條件等係適當選擇適於中間層42R 之形成者。圖7(a)申示出乾燥後之電洞注入層41R之態樣。 [紅色發光功能層5R形成步驟]於紅色發光功能層5R形成步驟中’首先藉由與電洞注入層41R形成步驟相同之喷墨法將紅色發光功能層5R塗佈於各中間層42R上，繼而對所塗佈之紅色發光功能層5R實施與電洞注入層41R形成步驟相同之後處理。其中，紅色發光功能層5尺形成用之油墨中所用之油墨溶劑或油墨分散介質、或後處理之方法或條件等係適當選擇適於紅色發光功能層5r之形成者。圖7(b)中示出乾燥後之紅色發光功能層5R之態樣。於上述電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟、紅色發光功能層5R形成步驟中，較佳為使用嗔墨法。於噴墨法中’無論基板之面積大小如何，均可高精度地控制油墨之喷出量及油墨滴之喷附位置，因此藉由使用該方法，可實現電洞注入層41R之薄膜化、像素尺寸之微小化，進而可實現顯示器裝置1〇〇之大面積化。又，可對隔離壁3 1之内側選擇性地供給用以形成各層之油墨（液狀材料），故可節省浪費之油墨。再者，該些電洞注入層41R形成步驟、中間層42R形成步驟、紅色發光功能層5R形成步驟並不限於使用噴墨法，例如亦可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法等氣相製程， 158697.doc •41- 201225367 或旋塗法（高溫溶膠法）、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、輥塗法、線棒塗佈法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔版印刷法、套版印刷法等液相製程。 [發光7G件1G]在位於應形成發光元件1(}之區域的隔離壁 31之内側，依序使用與發光元件汛相同之方法形成電洞注入層41G、t間層42G及綠色發光功能層5σ。其中，於電洞注入層41G、中間層42G'綠色發光功能層5(5各層_，層之形成用之油墨中所用之油墨溶劑或油墨分散介質、或後處理之方法或條件等係適當選擇適於各層之形成者。 [發光元件1B]在位於應形成發光元件⑺之區域的隔離壁 31之内側，使用與發光元件1R之電洞注入層4lR形成步驟

相同之方法形成電洞注入層4丨B。其中，電洞注入層4B 形成用之油墨中所用之油墨溶劑或油墨分散介質、或後處理之方法或條件等係適當選擇適於電洞注入層4lB之形成者。如上所述’於藉由喷墨法形成電洞注入層41尺、41G、 41B、中間層42R、42G及發光功能層5R、5G各層之情形時，各層係經過塗佈步驟及後處理步驟而完全形成，各層之塗佈步驟如圖6(b)、（c)及圖7(a)、（b)所示，可與其他子像素之塗佈步驟一起進行，各層之後處理步驟亦可與其他子像素一起進行。 [5]繼而，如圖7(c)所示，以與紅色發光功能層511、綠色發光功能層5G、電洞注人層41B及隔離壁31重疊之方式，即以覆蓋隔離壁3 1之與平坦化層22接觸之面為相反側的整 158697.doc •42· 201225367 個面之方式，形成第1電子注入層61(第5步驟）。藉此’對各發光元件1R、1G、1Β總括（一體）地形成共通之第1電子注入層61。該第1電子注入層61亦可藉由上述步驟[發光元件1R]中說明之氣相製程或液相製程而形成，其中較佳為使用氣相 ' 製程。藉由使用氣相製程，可防止紅色發光功能層5R、綠色發光功能層5G、電洞注入層41B與第1電子注入層61之間之層溶解’並且確實地形成第1電子注入層61。 [6] 繼而，以覆蓋第i電子注入層61之整個面之方式形成電洞傳輸層43(第6步驟p藉此，對各發光元件汛、lQ、 1B總括地形成共通之電洞傳輸層a。 [7] 然後，以覆蓋電洞傳輸層43之整個面之方式形成藍色發光功能層5B(第7步驟）^藉此，對各發光元件1R、 1G、1B總括地形成共通之藍色發光功能層5b。 [8] 繼而，以覆蓋藍色發光功能層5B之整個面之方式形成電子傳輸層62(第8步驟）。藉此，對各發光元件1R、 1G、1B總括地形成共通之電子傳輸層62。 [9] 然後，以覆蓋電子傳輸層62之整個面之方式形成第2 電子注入層63(第9步驟卜藉此，對各發光元件1R、、 1B總括地形成共通之第2電子注入層63。 [10] 繼而，以覆蓋第2電子注入層63之整個面之方式形成陰極8(第10步驟）。藉此，對各發光元件1R、1G、1B總括地形成共通之陰極8。再者，上述步驟[6]〜[10]中形成之各層亦可藉由上述步 158697.doc -43- 201225367 驟[發光元件1R]中說明之氣相製程或液相製程而形成，其中較佳為使用氣相製程。藉由使用氣相製程，可防止鄰接之層彼此間之層溶解’並且確實地形成應形成之層。又’藉由在上述步驟[發光元件1R]及[發光元件1G]中分別使用喷墨法之類的液層製程將發光功能層化及5(}成膜’可容易地分開塗佈發光色不同之發光功能層5尺及 5G ’且可容易地實現顯示器裝置1〇〇之大面積化。此外，藉由在上述步驟[6]及[7]中分別使用氣相製程（氣相成膜法）形成電洞傳輸層43及藍色發光功能層5B，發光元件1B充分具備實用水準之發光壽命。進而，由於設定為對各發光元件1R、1G、1B總括（一體）地形成共通之藍色發光功能層 5B之構成，故無需使用高精細遮罩對發光元件1B選擇性地將藍色發光功能層5G成膜’故可容易地實現步驟之簡化，進而可容易地實現顯示面板29之大面積化。又，由於在上述步驟[5]及[6]中分別設定為對各發光元件1R、1G、1B總括地形成共通之第丨電子注入層6丨及電洞傳輸層43之構成，即設定為一體地形成以第丨電子注入層 61及電洞傳輸層43構成之載子選擇層46之構成，故無需使用高精細遮罩對發光元件1B選擇性地將第！電子注入層61 及電洞傳輸層43成膜，故可容易地實現步驟之簡化，進而可容易地實現顯示面板29之大面積化。如上所述，對應於各驅動用電晶體24而形成複數個分別發出紅色、綠色及藍色之光之發光元件1R、1G、1B。 [11]繼而，如圖5所示，準備密封基板2〇，使環氧系之接 158697.doc 201225367 著劑介於陰極8與密封基板20之間後，使該接著劑乾燥。藉此’以經由環氧化物層35利用密封基板20覆蓋陰極8之方式將陰極8與密封基板2〇接合。該密封基板2〇發揮作為保護各發光元件1R' 1G、1B之保護基板之功能。藉由設定為將此種密封基板2〇設於陰極 8上之構成’可更佳地防止或減少發光元件1R、ig、⑺與氧或水分接觸，故可更確實地獲得提高發光元件1R、 1G、1B之可靠性或防止變質•劣化等效果。經過如上所述之步驟，而完成圖5所示之藉由密封基板 20將各發光元件1R' iG、13密封之顯示面板29。如以上所述，根據本實施形態之顯示器裝置11〇(顯示面板29) ’除了實施形態1中之效果以外，可獲得以下效果。首先，對於發光元件1B，由於為與實施形態1相同之構成，故可獲得與實施形態1 _之作用效果相同之作用效果。以下，對於本實施形態之發光元件以、1(}、ib所具有之作用效果，以載子選擇層46之功能為中心進行說明。' 於本實施形態中，載子選擇層（第2層）46係藉由自陽極 (3R、3G、3B)侧起依序積層有第i電子注入層“及電洞傳輸層43之積層體而構成。該構成之載子選擇層46係根據載子選擇層钧之與陽極 (3R、3G、3B)侧接觸之層（第3層）而選擇性地控制自藍色發光功能層5B注入至載子選擇層牦之電子的量之層。即，載子選擇層（第2層）46係具有根據第3層之功能而選擇載子 158697.doc •45· 201225367 之流動的功能之層。具體而言，於如發光元件1R及1G般，載子選擇層46之與陽極（3R、3G)側直接接觸之層分別為紅色發光功能層5r 及綠色發光功能層5G之情形，即具有發出第2色之光之功能的發光功能層與載子選擇層之陽極側界面接觸之情形時’載子選擇層46將自藍色發光功能層5B向載子選擇層46 流動而來之電子順利地注入至紅色發光功能層5r及綠色發光功能層5G(載子注入動作）。因此，於發光元件1R之藍色發光功能層5B中，確切地抑制或防止電洞與電子之再結合，故發光元件1R之藍色發光功能層5B不進行藍色發光’或即便進行藍色發光亦確切地抑制其發光。相對於此’於紅色發光功能層5R中，自陰極8侧經由藍色發光功能層5B供給（注入）電子’並且自陽極3r側供給（注入）電洞。而且，於紅色發光功能層5R中，電洞與電子再結合，藉由該再結合而生成激子（exciton)，激子回到基態時以螢光或磷光之形式放出能量，故紅色發光功能層5尺發出紅色之光。其結果為’發光元件1 R發出紅色之光。同樣地於發光元件1G中，亦大幅抑制藍色發光功能層化之發光，綠色發光功能層5G選擇性或支配性地發光。其結果為，發光元件1G發出綠色之光。另一方面，於如發光元件1B般載子選擇層46之與陽極 3B側接觸之層為電洞注入層41β之情形，即電洞注入層與載子選擇層之陽極側界面接觸之情形時，載子選擇層邾阻擋自藍色發光功能層5B向載子選擇層46流動而來之電子， 158697.doc -46· 201225367 使該等電子留在藍色發光功能層沾中(載子阻擋動作卜因此’於藍色發光功能層5B中，自陽_側供給（注入）之電洞與自陰極8側供給(注入)之電子容易再結合。藉由該再結合而生成激子（exciton)，激子回到基態時以螢光或磷光之形式放出能量，因此藍色發光功能層⑺效率佳地發光。其 ’ 結果為’發光元件1B高效率地發出藍色之光。如此，載子選擇層46根據與載子選擇層（第2層）46接觸之第3層之種類而進行載子注入動作，或進行載子阻撞動作。關於發光元件1R與發光元件1G中之載子選擇層“對電子之行為、與發光元件1B中之載子選擇層46對電子之行為不同的原因，以電洞注入層41B為離子傳導性之電洞注入材料之情形為例進行說明。首先，於如發光元件1R及1G般，載子選擇層46之與陽極（3R、3G)侧接觸之層分別為紅色發光功能層511及綠色發光功能層5G之情形時，構成發光元件汛及1(}之載子選擇層46内之第1電子注入層61之電子注入材料分別擴散至發先元件1R及1G之電洞傳輸層43内，藉此發光元件以及… 之電洞傳輸層43所具備之電子阻擋功能大幅度地降低。其：結果為，於發光元件1R及1G中，自藍色發光功能層5B向電洞傳輸層43順利地注入電子。進而，藉由存在於紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G與電洞傳輸層43之間的第1電子注入層61之功能，自電洞傳輸層43向紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G之電子之注入亦順利地進 158697.doc •47· 201225367 行。根據以上内容’於如發光元件1R及1(}般，載子選擇層46之與陽極（3R、3G)側接觸之層分別為紅色發光功能層 5R及綠色發光功能層5G之情形時，载子選擇層46將自藍色發光功能層5B向載子選擇層46流動而來之電子分別順利地注入至紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G(載子注入動作）。即，載子選擇層46進行使電子（載子）自藍色發光功能層5B順利地流動至紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5 G之動作。另一方面’於如發光元件1B般載子選擇層46之與陽極 3 B側接觸之層為電洞注入層41B，且該電洞注入層4B係藉由離子傳導性之電洞注入材料而構成之情形時，構成發光元件1B之載子選擇層46内之第1電子注入層61之電子注入材料劇烈地擴散至電洞注入層41B内，或吸附於電洞注入層41B之陰極8側界面，因此構成發光元件1B之第i電子注入層61之電子注入材料不擴散至發光元件1B之電洞傳輸層43内’發光元件1B之電洞傳輸層43所具備之電子阻擋功能並未降低《其結果為’於發光元件，自藍色發光功能層5B向電洞傳輸層43流動而來之電子被電洞傳輸層杓所阻擋，留在藍色發光功能層53内。根據以上内容，於載子選擇層46之與陽極3B側接觸之層為電洞注入層41B之情形時’載子選擇層46阻擋自藍色發光功能層沾向載子選擇層 46流動而來之電子’使該等電子留在藍色發光功能層化中 (載子阻擋動作）^即’載子選擇層46進行抑制自藍色發光功能層5B流動而來之電子（載子）之流動的動作。 158697.doc

S •48- 201225367 根據本發明者之研究得知，於自發光元件汛令去掉載子選擇層46，藍色發光功能層沾與紅色發光功能層5r接觸而積層之構成之紅色發光元件（載子選擇層除外紅色發光疋件）中，若於該載子選擇層除外紅色發光元件所具備之陽極3R與陰極8之間施加電壓，則無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5Β之電子順利地注入（供給）至紅色發光功月b層5R，因此於藍色發光功能層5β中，電洞與電子再結合，故藍色發光功能層5B發出藍色之光，該載子選擇層除外紅色發光元件之紅色之色純度惡化。又得知，於載子選擇層除外紅色發光元件中，由於無法將自陰極8侧注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入（供給）至紅色發光功能層5R，故紅色發光功能層5R中之電子與電洞之載子平衡被破壞，發光效率下降。進而可知，於載子選擇層除外紅色發光元件中，由於無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入（供給）至紅色發光功能層5r，故紅色發光功能層5R之陰極側界面處的對載子之能量障壁增加，驅動電壓上升。如此，載子選擇層除外紅色發光元件存在紅色之色純度惡化、發光效率下降及驅動電壓上升之問題。然而，藉由設定為如發光元件1R般於藍色發光功能層5B與紅色發光功能層5R之間插入載子選擇層46之構成，可使自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子不留在藍色發光功能.層 5B中而將其順利地注入（供給）至紅色發光功能層5R，故該等問題全部解決。 158697.doc • 49- 201225367 同樣地，於自發光元件1(3中去掉載子選擇層46，藍色發光功能層5B與綠色發光功能層5(}接觸而積層之構成之綠色發光元件（載子選擇層除外綠色發光元件）中，無法將自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子順利地注入（供給）至綠色發光功能層5G，因此產生綠色之色純度惡化、發光效率下降及驅動電壓上升之問題。然而，藉由設定為如發光元件1G般於藍色發光功能層5B與綠色發光功能層 5G之間插入載子選擇層46之構成，可使自陰極8側注入至藍色發光功能層5B之電子不留在藍色發光功能層冗中而將其順利地注入（供給）至綠色發光功能層5G，故該等問題全部解決。又’本實施形態之電洞傳輸層43及藍色發光功能層5B可使用氣相製程而形成。根據本發明者之研究得知，於發光元件1B中於電洞傳輸層43與藍色發光功能層5B中之至少一層的形成中使用噴墨法之類的液相製程之構成之藍色發光疋件與發光元件1B相比較’存在其發光壽命或發光效率下降之問題。可認為’電洞傳輸層43與藍色發光功能層5B中之至少一層之污染成為該問題之一個要因。即，於如發光元件丨B般可使用氣相製程形成電洞傳輸層43及藍色發光功能層5]3之情形時’可不將電洞傳輸層43之陰極侧界面曝露於真空以外之環境下而連續地進行其次之藍色發光功能層5B之成膜’而若於電洞傳輸層43與藍色發光功能層5B中之至少一層之形成中使用液相製程，則由於利用液相製程之成膜難 158697.doc -50· 201225367 以於真空環境下進行’故利用液相製程之成膜要於真空以外之環i兄（例如大氣或氮）下進行，至少電洞傳輸層Μ之陰極8侧界面會曝露於真空以外之環境下。如此，於使用液相製程將電洞傳輸層43與藍色發光功能層5B中之至少一層成膜之情形時，明顯電洞傳輸層43之陰極8側界面容易被 >万染。又，於利用液相製程進行電洞傳輸層43之成膜之情形時，由於將使電洞傳輸材料溶解或分散於溶劑或分散介質中而成之溶液用於成膜，故有可能於電洞傳輸層43内殘留極微量之溶劑，污染電洞傳輸層43整體。同樣地，於利用液相製程進行藍色發光功能層58之成膜之情形時，有可能於藍色發光功能層5B内殘留極微量之溶劑，污染藍色發光功能層5B整體。相對於此，於如發光元件⑺般可使用氣相製程形成電洞傳輸層43及藍色發光功能層化之情形時，可避免因使用液相製程形成電洞傳輸層43與藍色發光功能層5B中之至少一層所導致的電洞傳輸層43及藍色發光功能層5B之污染，因使用液相製程形成電洞傳輸層43與藍色發光功能層5b中之至少-層戶/f導致的藍色發《元件之發光壽彳或發光效率下降之問題全部解決。於本實施形態中，較佳為電洞注入層41係以離子傳導性之電洞注入材料作為主材料而構成，且較佳為第丨電子注入層61係以鹼金屬、鹼土金屬或該等之化合物之電子注入材料作為主材料而構成，但於該情形時，若於發光元件⑺ 令第1電子注入層6!所含之該等電子注入材料擴散至電洞 158697.doc 201225367 傳輸層43側，則會引起因電子注入材料擴散至電洞傳輸層 43所導致的電洞傳輸層43之電子阻擋性下降及隨此而產生的藍色發光功能層5B之發光效率下降、或因電子注入材料向藍色發光功能層5B擴散所導致的藍色發光功能層5B* 之發光觉阻及隨此而產生的發光效率下降之問題。然而，於本實施形態中，於發光元件1B中第i電子注入層61與離子傳導性之電洞注入層41B接觸，故劇烈地擴散至電洞注入層41B内或吸附於電洞注入層41B之陰極8側界面，因此確切地抑制或防止電子注入材料向電洞傳輸層43側之擴散，上述因電子注入材料向電洞傳輸層43側擴散所引起之問題全部解決》 <第3實施形態> (電子機器）圖8係表示作為本發明之電子機器之行動式（或筆記型）之個人電腦之構成的立體圖。上述各實施形態之顯示器裝置1〇〇(11〇)可組入至各種電子機器中。於圖8中，個人電腦〗〗〇〇係藉由具有鍵盤丨丨〇2之本體部 ιι〇4、及具備顯示部之顯示單元11〇6而構成，顯示單元 1106係經由欽鏈構造部相對於本體部〗丨〇4可轉動地受到支持。於該個人電腦11〇〇中，顯示單元11〇6所具備之顯示部係以上述顯示器裝置丨〇〇(110)所構成。圖9係表不作為本發明之電子機器之行動電話機（亦包括 158697.doc

S -52- 201225367 PHS(Personal Handyphone System，個人手機系統））之構成的立體圖。於圖9中，行動電話機1200具備複數個操作按鈕12〇2、受話口 1204及送話口 1206，並且具備顯示部。於行動電話機1200中，該顯示部係以上述顯示器裝置 1〇〇(11〇)所構成。圖10係表示作為本發明之電子機器之數位靜態相機之構成的立體圖。再者，該圖中亦簡單地示出與外部機器之接。此處，通常之相機係藉由被攝體之光像使銀鹽照相軟片感光’相對於此，數位靜態相機1300係藉由ccD(Charge

Coupled Device,電荷耦合元件）等攝像元件對被攝體之光像進行光電轉換而生成攝像信號（圖像信號）。於數位靜態相機13〇〇之外殼（機體）13〇2之背面設有顯示部，成為根據CCD之攝像信號進行顯示之構成，作為將被攝體以電子圖像之形式顯示之取景器而發揮功能。於數位靜態相機1300中’該顯示部係以上述顯示器裝置 100(110)所構成。於外殼之内部設有電路基板1308。該電路基板13〇8中設有可儲存（記憶）攝像信號之記憶體。又，於外殼1302之正面側（於圖示之構成中為背面側），設有包含光學鏡頭（攝像光學系統）或CCD等之受光單元 1304 〇若撮影者確認顯示部中顯示之被攝體像而按下快門按鈕 158697.doc •53- 201225367 1306，則該時間點之CCD之攝像信號被傳送•儲存至電路基板1308之記憶體中。又，於該數位靜態相機1300中，於外殼13〇2之側面設有視訊信號輸出端子1312、及資料通信用之輸入輸出端子 1314。而且，如圖所示，於視訊信號輸出端子〗^]上視需要連接有電視監視器1430，於資料通信用之輸入輸出端子 1314上視需要連接有個人電腦144〇。進而，成為藉由預定之操作將電路基板1308之記憶體中儲存之攝像信號輸出至電視監視器1430或個人電腦1440中之構成。再者，本發明之電子機器除了可應用於圖8之個人電腦 (行動式個人電腦）、圖9之行動電話機、圖丨〇之數位靜態相機以外，例如可應用於電視或攝像機、取景窗型或螢幕監控型之視訊錄影機、膝上型個人電腦、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事薄（亦包括帶通信功能）、電子辭典、計算器、電子遊戲機、文字處理器、工作站、電視電話、防盜用電視監視器、電子雙筒望遠鏡、p〇s(p〇int 〇f sales，銷售點）終端、具備觸控面板之機器（例如金融機構之現金自動支配器、自動售票機）、醫療機器（例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電顯示裝置、超音波診斷裝置、内視鏡用顯示裝置）、魚群探測器、各種測定機器、儀錶類（例如汽車、飛機、船舶之儀錶類）、飛行模擬器、其他各種監視器類、投影儀等投射型顯示裝置等。又，顯示器裝置 100(顯示面板19)亦可用作薄型之平面照明裝置。以上，根據圖示之實施形態對本發明之發光元件、顯示 •54· 158697.doc

S 201225367 裝置及電子機器進行了說明，但本發明不限定於該等。例如’於上述實施形態中，顯示裝置係設定為具備紅色發光元件及綠色發光元件作為發出較藍色長之波長之光的發光元件之情形，但不限定於該情形，亦可為具備黃色發光元件或橙色發光元件之類的發出較藍色長之波長之光的發光元件者。該情形時，對該等黃色發光元件及橙色發光元件應用本發明之發光元件。 [實施例] 繼而’對本發明之具體實施例加以說明。 1.顯示裝置（發光裝置）及發光元件之製造事例。 (實施例1) 圖11係實施例1之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖3。實施例1為上述本發明之第1實施形態之具體實施結果。 <1>首先，準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板321。繼而，於該基板321上藉由濺鐘法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該ITO膜進行圖案化，藉此形成ITO電極（陽極303/個別電極）。繼而’將形成有陽極303之基板321依序浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後，於形成有陽極303之基板321上藉由旋塗法形成以丙婦酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出 ITO電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁 (岸堤）。進而，對形成有隔離壁之基板321之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此陽極303之表面 158697.doc •55- 201225367 及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板321之表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面 CF4氣體反應而斥液化。 <3>繼而，在位於應形成發光元件3〇1之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈1 .〇 wt% PEDOT/PSS水分散液。進而，使所塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板321，於各陽極303上分別形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層341。 <4>然後，在分別位於應形成發光元件3〇1之區域中的電洞注入層341上，形成以CS2C〇3作為蒸鍍源利用真空蒸鍍法而形成之平均厚度為0.2 nm之含〇之蒸鍍膜，作為第1 電子注入層361。此處，所谓「含Cs之薄膜」，係指成為至少含有作為構成Cs鹽之金屬材料的^單體之薄膜，含金屬之層亦可含有作為蒸鐘材料之金屬鹽。發明者藉由另進行之預備實驗而觀察到以下示出般之現象’間接確認到真空蒸鍵而成之膜並非僅包含Cs鹽之膜，而成為含有Cs單體之膜。具體而言，若將於以CS2C〇3作為蒸鍍源而形成之蒸鑛膜 · 上積層有歡蒸㈣者曝露於域中，則確認到〜之表面、^ 劇烈地發泡，於表面產生明顯之凹凸。若將Cs·成膜作為蒸鑛膜，則所積層之A1膜中理應不發生明顯變化。可認為其原因在於，由於蒸鐘膜含有Cs單體故由於大氣曝露而Cs單體部急遽地氧化或吸濕。 158697.doc

S -56- 201225367 <7>繼而，於第1電子注入層361上使用真空蒸鍍法形成以α-NPD構成之平均厚度為1〇 nm之電洞傳輸層343。 <8>然後，於電洞傳輸層343上使用真空蒸鍍法形成以下示藍色發光功能層之構成材料構成的平均厚度為20 nm之藍色發光功能層305B。 " 此處’作為藍色發光功能層305B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（u)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）係設定為相對於主體材料以重量比計為5.0%。 <9>繼而’於藍色發光功能層3〇5B上使用真空蒸鍍法形成以三（8-經基喹啉）鋁（Aiq3)構成之平均厚度為2〇 nm之電子傳輸層362。 <1〇>然後’於電子傳輸層362上使用真空蒸鍵法形成以氟化鋰（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層363。 <11>繼而，於第2電子注入層363上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1〇〇 ηιη之陰極3〇8。 <12>以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋 (密封構件）’藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造圖丨丨所示般之底部發射構造之顯示裝置。 (比較例1) 將於實施例1中省略了第i電子注入層361者作為比較例 158697.doc C， -57- 201225367 2.評價。對於實施例1及比較例1之顯示裝置及發光元件，分別以亮度成為1，000 cd/m2之方式於發光元件中流通怪定電流，測定自發光元件放出之光之電流效率。進而’對於各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件’分別以初期亮度成為1,000 cd/m2之方式於發光元件十流通恆定電流’測定達到初期亮度之8〇%為止之時間 (LT80)。其結果為’實施例1之電流效率成為比較例1之電流效率之1 .〇3倍。又，實施例1之壽命（LT80)成為比較例1之壽命 (LT80)之 1.06 倍。可確認’藉由如此般於電洞注入層341與電洞傳輸層3 43 之間插入第1電子注入層361 ’而調整電洞注入層中所傳輸之電洞量，其結果為載子平衡得到改善，電流效率變高並且壽命變長。 (實施例2) 圖12係實施例2之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖5。實施例2為上述本發明之第2實施形態之具體實施結果。 <1>首先，準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板321。繼而，於該基板321上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後’使用光微影法對該IT〇膜進行圖案化，藉此形成ΙΤΟ電極（陽極303R、303G、303Β/個別電極）。然後，將形成有陽極303R、303G、303Β之基板321依序 • 58 · 158697.doc

S 201225367 浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>繼而，於形成有陽極303R、303G、303之基板321上藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ITO電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁（岸堤）。進而，對形成有隔離壁之基板321之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此陽極 3 03R、303G、303B之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板321之表面以 CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3A>然後，在位於應形成紅色發光元件301R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3B>繼而，在位於應形成綠色發光元件301G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <30然後，在位於應形成藍色發光元件301B之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3D>繼而，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之 PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板321，於各陽極303R、303G、303B上分別形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層341R、 158697.doc •59· 201225367 341G、341B。 <4A>然後，在位於應形成紅色發光元件3〇1R之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1 · 5 wt%四曱基苯溶液。 <4B>繼而，在位於應形成綠色發光元件3〇1G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1 · 5 wt%四甲基苯溶液。 <40然後，使4A及4B之各步驟中塗佈的上述通式（16) 所表示之化合物之四曱基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板321。進而，利用二曱苯沖洗基板321之應形成紅色發光元件301R及綠色發光元件3〇 1G之區域。藉此，於各電洞✓主入層341R及341G上分別形成以上述通式（16)所表示之化合物構成的平均厚度為1〇 nm之中間層342R及342G。 <5A>繼而’在位於應形成紅色發光元件3〇1R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（17)所表示之化合物之1.2 wt°/〇四曱基苯溶液。 <5B>然後，在位於應形成綠色發光元件3〇1(}之區域的隔(離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（19)所表示之化合物之1.2 wt%四曱基苯溶液。 <50繼而’使5A及5B之各步驟中塗佈的上述通式（17) 所表示之化合物之四甲基苯溶液、及上述通式（19)所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板 321。藉此’於各中間層342R及342〇上分別形成以上述通式（17)所表示之化合物構成的平均厚度為6〇 nm之紅色發 158697.doc •60· 201225367 光功能層305R、及以上述通式（19)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nm之綠色發光功能層305G。 <6>然後’在分別位於應形成紅色發光元件3〇ir之區域、應形成綠色發光元件301G之區域及應形成藍色發光元件301B之區域的紅色發光功能層305R、綠色發光功能層 305G及電洞注入層341B上，形成以Cs2C03作為蒸鍍源利用真空蒸鑛法形成之平均厚度為〇·5 nm的含Cs之蒸鐘膜，作為第1電子注入層361。此處，所謂「含Cs之薄膜」，係指成為至少含有作為構成Cs鹽之金屬材料之Cs單體的薄膜，含金屬之層亦可含有作為蒸鍍材料之金屬鹽。發明者藉由另進行之預備實驗觀察到以下示出般之現象’間接確認到真空蒸鍍而成之膜並非僅包含Cs鹽之膜’而成為含有Cs單體之膜。具體而言確認到，若將於以Cs2C〇3作為蒸鍍源而形成之蒸鍍膜上積層有A1之蒸鍍膜者曝露於大氣中，則A1之表面劇烈發泡，於表面產生明顯之凹凸β若將膜作為蒸鍍膜，則所積層之Α1膜中理應不發生明顯變化。其原因在於’由於蒸鍍膜含有Cs單體，故由於大氣曝露而Cs單體部急遽地氧化或吸濕。 <7>繼而’於第1電子注入層361上使用真空蒸鍍法形成以α-NPD構成之平均厚度為1〇 nm之電洞傳輸層343。 <8>然後’於電洞傳輸層343上使用真空蒸鍍法形成以下示藍色發光功能層之構成材料構成的平均厚度為 20 nm之藍色發光功能層305B。 158697.doc 201225367 此處’作為藍色發光功能層305B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（ιι)所表不之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（掺雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.〇〇/0。 <9>繼而，於藍色發光功能層3〇5B上使用真空蒸鍍法形成以三（8·羥基喹啉）鋁（Alq〇構成之平均厚度為2〇 nm之電子傳輸層362。 <1〇>然後，於電子傳輸層362上使用真空蒸鍍法形成以氟化鋰（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層363。 <11>繼而，於第2電子注入層3 63上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1〇〇 ηπι之陰極3〇8。 <12>然後，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出圖12所示般之底部發射構造之顯示裝置。 (實施例3) 實施例3係上述本發明之第2實施形態之具體實施結果。將上述貫施例2中之上述步驟<5A>、上述步驟<5B>、上述步驟<5C>、上述步驟<7>、上述步驟<8>及上述步驟<9> 刀別變更為下述步驟<5A’>、下述步驟<5Β·>、下述步驟 <5C’>、上述步驟<7·>、上述步驟<8·>及上述步驟<91>，除此以外’與上述實施例2同樣地製造出圖12所示般之底部發射構造之顯示裝置。 •62· 158697.doc

S 201225367 <5A’>繼而，在位於應形成紅色發光元件3〇1R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（18)所表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液〇 <5Β·>然後’在位於應形成綠色發光元件3〇1G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（2〇)所表示之化合物之1 ·2 wt%四曱基苯溶液。 <5(：|>繼而’使5A及5B之各步驟中塗佈的上述通式（18) 所表示之化合物之四曱基苯溶液、及上述通式（2〇)所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板 321。藉此，於各中間層342R及342G上分別形成以上述通式（18)所表示之化合物構成的平均厚度為5〇 ηπΐ2紅色發光功能層305R、及以上述通式（2〇)所表示之化合物構成的平均厚度為50 nm之綠色發光功能層305G。 <7·>然後’於第1電子注入層上361使用真空蒸鍍法形成以上述式（6)所表示之化合物構成的平均厚度為1〇 nm之電洞傳輸層343。 <8'>繼而’於電洞傳輸層343上使用真空蒸鍍法形成以下示藍色發光功能層之構成材料構成的平均厚度為1〇 nm 之藍色發光功能層3〇5B。此處’作為藍色發光功能層305B之構成材料，使用上述式（1〇)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（12)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.〇〇/〇。 158697.doc -63 - 201225367 <9 >然後，於藍色發光功能層3〇5B上使用真空蒸鍍法形成以上述式（14)所表示之化合物構成的平均厚度為3〇之電子傳輸層362。 (比較例21) 圖13係比較例21之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12 ° <1>首先，準備平均厚度為丨〇 mm之透明玻璃基板作為基板421。繼而，於該基板421上藉由激鐘法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該IT〇膜進行圖案化’藉此形成ΙΤΟ電極（陽極403R、403G、403Β/個別電極）。然後’將形成有陽極403R、403G、403Β之基板421依序浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>繼而，於形成有陽極403r、4〇3G、403Β之基板421 上藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ΙΤΟ電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁。進而，對形成有隔離壁之基板421之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此陽極 403R、403G、403Β之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板421之表面以 CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3A>然後，在位於應形成紅色發光元件401R之區域的 158697.doc 』64· 201225367 隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3B>繼而，在位於應形成綠色發光元件401G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt°/〇 PEDOT/PSS水分散液。 <30然後，在位於應形成藍色發光元件401B之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3D>繼而，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之 PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板421，於各陽極403R、403G、403B上分別形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層441R、 441G、441B。 <4A>然後，在位於應形成紅色發光元件401R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1.5 wt%四曱基苯溶液。 <4B>繼而，在位於應形成綠色發光元件401G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1 · 5 wt%四甲基苯溶液。 <4C>然後，使4A及4B之各步驟中塗佈的上述通式（16) 所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板421。進而，利用二曱苯沖洗基板421之應形成紅色發光元件401R及綠色發光元件401G之區域。藉此，於各電洞注入層44 1R及441G上分別形成以上述通式（16)所表示 158697.doc -65- 201225367 之化合物構成的平均厚度為10 nm之中間層442R及442G。 <5A>繼而，在位於應形成紅色發光元件401R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（17)所表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。 <5B>然後，在位於應形成綠色發光元件401G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（19)所表示之化合物之1.2 wt%四曱基苯溶液。 <50繼而，在位於應形成藍色發光元件401B之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈α-NPD之1.0 wt%四氫萘溶液。 <5D>然後，使5A、5B及5C之各步驟中塗佈的上述通式 (17)所表示之化合物之四甲基苯溶液、上述通式（19)所表示之化合物之四甲基苯溶液、及a-NPD之四氫蔡溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板42 1。藉此，於各中間層442R 及442G上分別形成以上述通式（1 7)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nm之紅色發光功能層405R、以上述通式 (19)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nm之綠色發光功能層405G。進而，於電洞注入層441B上形成以a-NPD構成之平均厚度為10 nm之電洞傳輸層443B。 <6>繼而，在分別位於應形成紅色發光元件401R之區域、應形成綠色發光元件401 G之區域及應形成藍色發光元件401B之區域的紅色發光功能層405R、綠色發光功能層 405G及電洞傳輸層443B上，使用真空蒸鍍法形成以下示構成材料構成之平均厚度為20 nm之藍色發光功能層 158697.doc -66- 201225367 405B。此處，作為藍色發光功能層4〇5]8之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層405B中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.〇〇/0。 <7>然後，於藍色發光功能層4〇5B上使用真空蒸鍍法形成以二（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)構成之平均厚度為 20 nm之電子傳輸層462。 <8>繼而，於電子傳輸層462上使用真空蒸鍍法形成以氟化鋰（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層463。 <9>然後，於第2電子注入層463上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1〇〇 nm之陰極408。 <10>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟’製造出相對於實施例2而省略第1電子注入層361之形成、且形成有電洞傳輸層443B代替形成電洞傳輸層343的圖13所示般之底部發射構造之顯示裝置。 (比較例22) 圖14係比較例22之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12 〇 <1>首先’準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板521。繼而’於該基板521上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該IT〇膜進行圖案 158697.doc •67- 201225367 化’藉此形成ITO電極（陽極503R、503G、503B/個別電極）。繼而，將形成有陽極503R、503G、503Β之基板521依序浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後，於形成有陽極503R、503G、503Β之基板521 上’藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ΙΤΟ電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁。進而，對形成有隔離壁之基板521 之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，陽極503R、503G、503Β之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板521之表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3A>然後，在位於應形成紅色發光元件501R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。、 <3B>繼而，在位於應形成綠色發光元件501G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <30然後，在位於應形成藍色發光元件501B之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3D>繼而，使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之 -68 - 158697.doc

S 201225367 PEDOT/PSS水分散液乾燥後’於大氣中加熱基板521，於各陽極503R、503G、503B上分別形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層541R、 541G、541B。 <4A>然後’在位於應形成紅色發光元件5〇1尺之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1.5 wt0/〇四曱基苯溶液。 <4B>繼而’在位於應形成綠色發光元件5〇1〇之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1 · 5 wt%四甲基苯溶液。 <40然後，使4A及4B之各步驟中塗佈的上述通式（16) 所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板521。進而，利用二曱苯沖洗基板521之應形成紅色發光元件501R及綠色發光元件5〇1 G之區域。藉此，於各電洞注入層541R及541 G上分別形成以上述通式（16)所表示之化合物構成的平均厚度為10 nm之中間層542R及542G。 <5A>繼而，在位於應形成紅色發光元件“汛之區域的隔離壁之内侧，使用喷墨法塗佈上述通式（17)所表示之化合物之1.2 wt%四曱基苯溶液。 <5B>然後’在位於應形成綠色發光元件〇之區域的隔離壁之内侧，使用喷墨法塗佈上述通式（19)所表示之化合物之1.2 wt°/〇四甲基苯溶液。 <50繼而’在位於應形成藍色發光元件5〇^之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈α-NPD之ι·〇 wt%四氯蔡溶 158697.doc -69· 201225367 液。 <5D>然後，使5A、5B及5C之各步驟中塗佈的上述通式 (17)所表示之化合物之四甲基苯溶液、上述通式（19)所表示之化合物之四甲基苯溶液、及α-NPD之四氫萘溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板521。藉此，於各中間層542r 及542G上分別形成以上述通式（17)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nm之紅色發光功能層505R、及以上述通式 (19)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nrn之綠色發光功能層505G»進而，於電洞注入層541B上形成以a_NPD構成之平均厚度為10 nm之電洞傳輸層543B » <6>繼而，在分別位於應形成紅色發光元件5〇1R之區域、應形成綠色發光元件501G之區域及應形成藍色發光元件501B之區域的紅色發光功能層5〇5R、綠色發光功能層 505G及電洞傳輸層543B上，形成以Cs2C03作為蒸鍍源利用真空蒸鐘法形成之平均厚度為〇5 nm的含Cs之蒸鑛膜，作為第1電子注入層561。 <7>然後，於第1電子注入層561上使用真空蒸鍍法形成以下示構成材料構成之平均厚度為20 nm之藍色發光功能層 505B。此處’作為藍色發光功能層505B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（11)所表不之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層505B中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5 〇%。 158697.doc 201225367 <8>繼而，藍色發光功能層505B上使用真空蒸鍍法形成以三（8-羥基喹啉）鋁（A1q3)構成之平均厚度為2〇 nm之電子傳輸層562。 <9>然後，於電子傳輸層562上使用真空蒸鍍法形成以氟化鋰（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層563。 <10>繼而，於第2電子注入層563上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1〇〇 nm之陰極508。 <11>然後，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出相對於實施例丨形成有電洞傳輸層543B代替形成電洞傳輸層343的圖14所示般之底部發射構造之顯示裝置。 (比較例23) 圖15係比較例23之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12。 <1>首先，準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板621。繼而，於該基板621上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該IT〇膜進行圖案化，藉此形成ΙΤΟ電極（陽極6〇3R、603G、603Β/個別電極）。繼而，將形成有陽極603R、603G、603Β之基板621依序浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後’於形成有陽極6〇3R、6〇3G、6〇3Β之基板621 158697.doc •71- 201225367 上，藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ιτο電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁。進而，對形成有隔離壁之基板621 之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，陽極603R、603G、603B之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板621的表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3A>繼而，在位於紅色發光元件601R之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3B>然後，在位於綠色發光元件601G之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3C>繼而，在位於藍色發光元件601B之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液。 <3D>然後，於使3A、3B、3C之各步驟中塗佈之 PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板621，於各陽極603R、603G、603B上分別形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層641R、 641G、641B。 <4A>繼而，在位於紅色發光元件601R之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物 158697.doc -72- 201225367 之1 · 5 wt%四曱基苯溶液。 <4B>然後，在位於綠色發光元件601G之區域中的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。 <40繼而’使4A及4B之各步驟中塗佈的上述通式（16) 所表示之化合物之四曱基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板621。進而’利用二甲苯沖洗基板621之應形成紅色發光元件601R及綠色發光元件601G之區域。藉由，於各電洞注入層641R及641G上分別形成以上述通式（16)所表示之化合物構成的平均厚度為1〇 nm之中間層642R及642G。 <5A>然後，在位於紅色發光元件6〇111之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（17)所表示之化合物之1.2 wt0/〇四曱基苯溶液。 <5B>繼而，在位於綠色發光元件6〇1〇之區域中的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（丨9)所表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。 <50然後，使5A及5B之各步驟中塗佈的上述通式（17) 所表示之化合物之四曱基苯溶液、及上述通式（19)所表示之化合物之四子基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板 621。藉此，於各中間層64211及642(}上分別形成以上述通式（17)所表示之化合物構成的平均厚度為6 〇 n m之紅色發光功能層605R、及以上述通式（19)所表示之化合物構成的平均厚度為60 nm之綠色發光功能層6〇5G。 <6>繼而，在分別位於應形成紅色發光元件6〇ir之區 158697.doc •73· 201225367 域、應形成綠色發光元件601G之區域及應形成藍色發光元件601B之區域的紅色發光功能層605R、綠色發光功能層 605G及電洞注入層641B上，使用真空蒸鍍法形成以a-NPD 構成之平均厚度為10 nm之電洞傳輸層643。 <7>然後，於電洞傳輸層643上使用真空蒸鍍法形成以下示構成材料構成之平均厚度為20 nm之藍色發光功能層 605B。此處’作為藍色發光功能層605B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（u)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.0%。 <8>繼而’於藍色發光功能層6〇5B上使用真空蒸鍍法形成以三（8-經基喹啉）鋁（A1q3)構成之平均厚度為2〇 nm之電子傳輸層662。 <9>然後，於電子傳輸層662上使用真空蒸鍍法形成以氟化鋰（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層663。 <1〇>繼而，於第2電子注入層663上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為100 nm之陰極608。 <11>然後，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出相對於實施例2省略了第丨電子注入層36丨之形成的圖15所示般之底部發射構造之顯示步置。 158697.doc -74- 201225367 (比較例24R) 圖16係比較例24R之發光裝置之示意刻面圖，對應於圖 12之紅色發光元件301R。 <1>首先，使用平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板721。繼而，於該基板721上藉由濺锻法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該ITO膜進行圖案化，藉此形成ITO電極（陽極703R)。繼而，將形成有陽極703R之基板721依序浸潰於丙酮、 2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後’於形成有陽極703R之基板721上，藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ITO電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁（岸堤）。進而’對形成有隔離壁之基板721之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，陽極703R之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化》繼而，對形成有隔離壁之基板721之表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3>繼而’在位於應形成紅色發光元件7〇1R之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈丨〇 wt% PEDOT/PSS水分散液。進而’使所塗佈之pED〇T/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板721 ’於陽極703R上形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層741R。然後’在位於應形成紅色發光元件7〇1R之區域的隔 158697.doc •75· 201225367 離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式⑽所表示之化合物之L5 四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之上述通式 (16) 所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板721。繼而，利用二甲苯沖洗基板721之應形成紅色發光元件7〇1R之區域。藉此，於各電洞注入層74ir 上形成以上述通式（16)所表示之化合物構成的平均厚度為 10 nm之中間層742R。 <5>繼而，在位於應形成紅色發光元件7〇iR之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（17)所表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之上述通式 (17) 所表不之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板721。藉此，於各中間層742尺上形成以上述通式（17)所表示之化合物構成的平均厚度為8〇 nm2紅色發光功能層705R。 <6>然後’於紅色發光功能層7〇511上形成以Cs2C〇3作為蒸鍍源利用真空蒸鍍法形成之平均厚度為！ nm的含Cs之蒸鍍膜’作為第2電子注入層763。 <7>繼而，於第2電子注入層763上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1〇〇 nm之陰極708。 <8>然後，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出圖16所示般之底部發射構造之紅色發光元件701R。該紅色發光元件701R係用於將實施例2 之紅色發光元件301R、比較例1之紅色發光元件401R、比 158697.doc

S -76- 201225367 較例2之紅色發光元件501R及比較例3之紅色發光元件 601R之特性標準化。 (比較例24G) 圖17係比較例24G之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12之綠色發光元件3〇1 G。 <1>首先，準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板821。繼而，於該基板821上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該ITO膜進行圖案化’藉此形成ITO電極（陽極803G)。繼而’將形成有陽極803G之基板821依序浸潰於丙酮、 2-丙醇中’進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後，於形成有陽極803G之基板821上，藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ITO電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁（岸堤）。進而，對形成有隔離壁之基板821之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，陽極803G之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化》繼而，對形成有隔離壁之基板821之表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3>繼而，在位於應形成綠色發光元件801G之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.0 wt% PEDOT/PSS水分散液°進而’使所塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板821，於陽極803G上形成以PEDOT/PSS構成 158697.doc •77· 201225367 之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層841〇。 <4>然後，在位於應形成綠色發光元件8〇1〇之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（16)所表示之化合物之1.5 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之上述通式 (16)所表示之化合物之四曱基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板821。繼而，利用二曱苯沖洗基板821之應形成綠色發光元件801G之區域。藉此，於各電洞注入層84i(j 上形成以上述通式（16)所表示之化合物構成的平均厚度為 10 nm之中間層842G。 <5>然後，在位於應形成綠色發光元件肋⑴之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈上述通式（19)所表示之化合物之1.2 Wt%四甲基笨溶液。進而，使所塗佈之上述通式 (19)所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後’於氮氣環境中加熱基板821。藉此，於各中間層842G上形成以上述通式（19)所表示之化合物構成的平均厚度為8〇綠色發光功能層805G。 <6>繼而，於綠色發光功能層8〇5(}上形成以αχό;作為蒸鍍源利用真空蒸鍍法形成之平均厚度為i nm的含Ο之蒸鍍膜’作為第2電子注入層863。 <7>然後，於第2電子注入層863上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為1 〇〇 ηιη之陰極8〇8。 <8>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出圖17所示般之底部發射構造之綠 I58697.doc

S -78 - 201225367 色發光元件801G。該綠色發光元件801G係用於將實施例2 之綠色發光元件301G、比較例21之綠色發光元件401G、比較例22之綠色發光元件501G及比較例23之綠色發光元件 601G之特性標準化。 (比較例24B) 圖1 8係比較例24B之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12之藍色發光元件301B。 <1>首先’準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板921。繼而，於該基板921上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO膜後，使用光微影法對該ITO膜進行圖案化’藉此形成ITO電極（陽極903B)。繼而，將形成有陽極903B之基板921依序浸潰於丙酮、 2-丙醇中’進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後，於形成有陽極903B之基板921上，藉由旋塗法形成以丙烯酸系樹脂構成之絕緣層後，使用光微影法以露出ITO電極之方式對該絕緣層進行圖案化，藉此形成隔離壁（岸堤）。進而，對形成有隔離壁之基板921之表面首先以〇2氣體作為處理氣體進行電漿處理》藉此，陽極903B之表面及隔離壁之表面（包括壁面）經活化而親液化。繼而，對形成有隔離壁之基板921之表面以CF4氣體作為處理氣體進行電漿處理。藉此，僅於包含丙烯酸系樹脂之隔離壁之表面CF4氣體反應而斥液化。 <3>繼而，在位於應形成藍色發光元件9〇1B之區域的隔離壁之内側，使用喷墨法塗佈1.〇 wt〇/0 pED〇T/PSS水分散 158697.doc •79- 201225367 液。進而’使所塗佈之PEDOT/PSS水分散液乾燥後，於大氣中加熱基板921，於陽極903B上形成以PEDOT/PSS構成之平均厚度為50 nm的離子傳導性之電洞注入層941B。 <4>然後’於電洞注入層941B上使用真空蒸鍵法形成以 ct-NPD構成之平均厚度為10 nm之電洞傳輸層943b。 <5>繼而’於電洞傳輸層943B上使用真空蒸鍍法形成以下示構成材料構成之平均厚度為20 nm之藍色發光功能層 905B。此處’作為藍色發光功能層905B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（u)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（糝雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.0%。 <6>然後，於藍色發光功能層9〇5B上使用真空蒸鍍法形成以三（8-經基喹啉）鋁（Alq〇構成之平均厚度為20 nm之電子傳輸層962。 <7>繼而，於電子傳輸層962上使用真空蒸鍍法形成以氟化經（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層963。 <8>然後，於第2電子注入層963上使用真空蒸鍍法形成以A1構成之平均厚度為100 nm之陰極908。 <9>繼而，以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件）’藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出圖18所示般之底部發射構造之藍色發光το件901B。該藍色發光元件9018係用於將實施例2 158697.doc 201225367 之藍色發光元件301B、比較例21之藍色發光元件401B、比較例22之藍色發光元件501B及比較例23之藍色發光元件 601B之特性標準化。 (比較例25B) 圖19係比較例25B之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12之藍色發光元件301B。 <1>首先，準備平均厚度為1.0 mm之透明玻璃基板作為基板2121 ^繼而，於該基板2121上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO電極（陽極2103B)。繼而，將形成有陽極2103B之基板2121依序浸潰於丙酮、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後，於陽極2103B上使用真空蒸鍍法形成以下述式（21)所表示之化合物構成的平均厚度為50 nm之電洞注入層2141B。 [化 11]

<3>繼而，於電洞注入層2141B上使用真空蒸鍍法形成以α-NPD構成之平均厚度為10 nm之電洞傳輸層2143B。 <4>然後，於電洞傳輸層2143B上使用真空蒸鍍法形成 158697.doc -81 - 201225367 以下示構成材料構成的平均厚度為2〇 nm之藍色發光功能層 2105B 〇此處’作為藍色發光功能層21〇5B之構成材料，使用上述式（8)所表示之化合物作為主體材料，使用上述式（11)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.0%。 <5>繼而’於藍色發光功能層2105B上使用真空蒸鍍法形成以三（8_羥基喹啉）鋁（Alq3)構成之平均厚度為20 nm之電子傳輸層2162。 <6>然後’於電子傳輸層2162上使用真空蒸鍍法形成以 I化链（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層 2163。 <7>繼而’於電子注入層上使用真空蒸鍍法形成以八丨構成之平均厚度為1〇〇 nm之陰極2108。 <8>然後’以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保護蓋（密封構件）’藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟’製造出圖19所示般之以蒸鍍層構成陽極 2103B上之各層、電洞注入層2141B中不使用離子傳導性之材料、且不具有第1電子注入層的底部發射構造之藍色發光元件2101B。 (比較例26B) 圖20係比較例26B之發光裝置之示意剖面圖，對應於圖 12之藍色發光元件301B。 158697.doc -82-

S 201225367 <1>首先’準備平均厚度為丨〇 mm之透明玻璃基板作為基板2221 °繼而，於該基板2221上藉由濺鍍法形成平均厚度為50 nm之ITO電極（陽極2203B)。繼而’將形成有陽極2203B之基板2221依序浸潰於丙嗣、2-丙醇中，進行超音波洗淨後，實施氧電漿處理。 <2>然後’於陽極2203B上使用真空蒸鍍法形成以上述式（21)所表示之化合物構成的平均厚度為 50 nm之電洞注入層2241B。 <3>繼而’於陽極2241B上形成以Cs2C〇3作為蒸鍍源利用真空蒸鍍法形成之平均厚度為0.5 nm的含cs之蒸鍍膜，作為第1電子注入層2261B。 <4>然後’於第1電子注入層2261B上使用真空蒸鍍法形成以α-NPD構成之平均厚度為1〇 nnl之電洞傳輸層2243B。 <5>繼而’於電洞傳輸層2243B上使用真空蒸鍍法形成以下示構成材料構成的平均厚度為20 nm之藍色發光功能層 2205B 。此處，作為藍色發光功能層22〇5B之構成材料，使用上述式（8)所表不之化合物作為主體材料，使用上述式（u)所表示之化合物作為客體材料。又，藍色發光功能層中之客體材料（摻雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.0%。 <6>然後，於藍色發光功能層22〇5B上使用真空蒸鍍法形成以三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)構成之平均厚度為2〇 nm之電子傳輸層2262。 158697.doc •83· 201225367 <7>繼而’於電子傳輸層2262上使用真空蒸鍍法形成以氣化链（LiF)構成之平均厚度為1 nm之第2電子注入層 2263 〇 <8>然後’於電子注入層上使用真空蒸鍍法形成以八丨構成之平均厚度為100 nm之陰極2208。 <9>繼而’以覆蓋所形成之各層之方式蓋上玻璃製之保濩蓋（密封構件），藉由環氧樹脂進行固定、密封。藉由以上步驟，製造出圖2〇所示般之以蒸鍍層構成各層之藍色發光元件。詳細而言，製造出以蒸鍍層構成陽極 2203B上之各層、電洞注入層2241B中不使用離子傳導性之材料、且不具有第1電子注入層2261]B的底部發射構造之藍色發光元件2201B。 (比較例27R) 使用圖16進行說明。除了將上述比較例24R中之上述步驟<5>變更為下述步驟<5’>以外’與上述比較例24R同樣地製造出圖16所示般之底部發射構造之紅色發光元件701r。該比較例27R之紅色發光元件701R係用於將實施例2之紅色發光元件3〇1尺之特性標準化。 <5'>繼而’在位於應形成紅色發光元件7〇1r之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（18)所表示之化合物之1.2 wt%四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之上述通式 U8)所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境中加熱基板721。藉此’於各中間層742R上形成以上述通 158697.doc -84· 201225367 式（18)所表示之化合物構成的平均厚度為8〇 nm之紅色發光功能層705R » (比較例27G) 使用圖17進行說明》除了將上述比較例24G中之上述步驟<5>變更為下述步驟<5'>以外’與上述比較例24G同樣地製造出圖17所示般之底部發射構造之綠色發光元件801G ^該比較例27G之綠色發光元件801G係用於將實施例2之綠色發光元件301G之特性標準化。 <5、繼而，在位於應形成綠色發光元件8〇1G之區域的隔離壁之内側’使用喷墨法塗佈上述通式（2〇)所表示之化合物之1.2 wt0/。四甲基苯溶液。進而，使所塗佈之上述通式 (20)所表示之化合物之四甲基苯溶液乾燥後，於氮氣環境 t加熱基板821。藉此’於各中間層842G上形成以上述通式（20)所表示之化合物構成的平均厚度為8〇 nm之綠色發光功能層805G。 (比較例27B) 使用圖18進行說明。除了將上述比較例24B中之上述步驟<4>、上述步驟<5> 及上述步驟<6>分別變更為下述步驟<4，>、下述步驟<5，> 及下述步驟<6’>以外’與上述比較例24B同樣地製造出圖 18所示般之底部發射構造之藍色發光元件9〇1B ^該比較例 27B之藍色發光兀件9〇⑶係用於將實施例2之藍色發光元件3 01B之特性標準化。 158697.doc -85- 201225367 <4 >繼而’於電洞注入層941B上使用真空蒸鍍法形成以式（6)所表示之化合物構成的平均厚度為1〇 nnl之電洞傳輸層943B * <5 >然後’於電洞傳輸層943B上使用真空蒸鍍法形成以下不構成材料構成的平均厚度為1 〇 nm之藍色發光功能層 905B。此處，作為藍色發光功能層9〇5B之構成材料，使用述式 GO)所表不之化合物作為主體材料，使用上述式（12)所表 ;"、之化σ物作為客體材料。又’藍色發光功能層中之客體材料（播雜物）之含量（摻雜濃度）是設定為相對於主體材料以重量比計為5.0。/〇。 <6>繼而，於藍色發光功能層905Β上使用真空蒸鍍法形成以上述式（14)所表示之化合物構成的平均厚度為30 nm 之電子傳輸層962。 4.評價。對於各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件，分別以亮度成為10 cd/m2之方式於發光元件中流通恆定電流，目測觀察此時發光之發光元件之光之顏色。此處，選擇10 cd/m2之低亮度之值的原因在於：於本發月之各實施例之各發光元件及各比較例之各發光元件中，即便於南亮度侧（高電流密度側）可獲得所欲之發光色，亦存在隨著移向低亮度側（低電流密度側）而發光色變化，於低亮度側（低電流密度側）無法獲得所欲之發光色之情形。反之，若於低亮度側（低電流密度側）可獲得所欲之發光 158697.doc 5 -86 - 201225367 色，則於高亮度側（高電流密度側）亦可無問題地獲得所欲之發光色。再者’此處所謂可獲得所欲之發光色，係指紅色發光元件可獲得紅色發光，綠色發光元件可獲得綠色發光，藍色發光元件可獲得藍色發光。又’對於各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件，分別以亮度成為1，000 cd/m之方式於發光元件中流通丨亙定電流，測定對發光元件施加之電壓、自發光元件發出之光之電流效率。進而’對於各實施例及各比較例之顯示裝置及發光元件’分別以初期亮度成為1，〇〇〇 cd/m2之方式於發光元件中流通恆定電流，測定達到初期亮度之8〇%為止之時間 (LT80)。而且’對於實施例2及比較例21、22、23，求出以比較例24R、24G、24B中測定之測定值為基準而標準化之值。又，對於實施例3，求出以比較例27R、27(J、27b中測定之測定值為基準而標準化之值。將該等結果示於表1、表2中。 158697.doc 87- 201225367 [表1] 元件構造實施例2 比較例21 比較例22 比較例23 顏色 (10 cd/m2) R 紅粉紅紅藍 G 綠藍綠綠藍 B 藍藍淡藍藍標準化電流效率 (1000 cd/m2) R 0.89 0.80 0.85 -※5 — G 0.89 0.91 0.78 -※6 B 1.00 0.82 0.05 1.00 ~ 標準化電壓 (1000 cd/m2) R 1.08 1.25 卜 1.06 -※5 — G 1.15 1.27 1.12 -※6 — B 1.00 1.01 1.36 1.00 標準化壽命 (LT80) R 0.72 0.13 0.91 -※5 G 0.74 0.38 0.66 -※6 一 B 1.00 0.51 0.01 1.00 ※3藍色之數值資料係以比較例24B之情形之值進行標準化 ※彳粗體字表示特性不充分之項目不充分之判斷基準如下 .關於顏色，R像素並非紅色、G像素並非綠色、B像素並非藍多 .標準化電流效率未滿〇.7〇之情形月形 •標準化電壓為1.20以上之情形 •標準化壽命未滿〇·6〇之情形甲5原本應發出紅色之光者變為藍色，並非表示數值之意 ※6原本應發出綠色之光者變為藍色，並非表示數值之意 [表2] 元件構造實施例3 顏色 (10 cd/m2) R~ 紅 G 綠 B 藍標準化 R— 0.93 電流效率 G 0.94 (1000 cd/m2) B 1.00 標準化電壓 R 1.02 (1000 cd/m2) G 1.07 B 1.00 標準化壽命 (LT80) R 0.65 G 0.69 B 1.00 ※之綠色之數值資料係以比較例27(}之情形之值進行標準化 ※3藍色之數值資料係以比較例27]3之情形之值進行標準化 158697.doc • 88 - 201225367 由表1、2表明，於各實施例之顯示裝置中，該等所具備之發光元件成為於紅色發光元件3 〇 1R中於紅色發光功能層 305R與藍色發光功能層305B之間、於綠色發光元件3〇1G 中於綠色發光功能層305G與藍色發光功能層305B之間、於藍色發光元件301B中於電洞注入層341B與藍色發光功能層305B之間分別插入有第1電子注入層36丨及電洞傳輸層 343作為載子選擇層之構成’藉此於紅色發光元件3〇111中紅色發光功能層3 0 5 R、於綠色發光元件3 〇 1G中綠色發光功能層305G、於藍色發光元件301B中藍色發光功能層 3 05B分別選擇性地發光。其結果.為，於紅色、綠色及藍色之各發光元件301R、301G、301B中，分別可獲得較高之色純度之紅色發光、綠色發光及藍色發光。又，紅色、綠色及藍色之發光元件301R、301G、301B全部可獲得於實施例2中為0.89以上、於實施例3中為0.93以上的較高之標準化電流效率’成為發光效率優異之元件。進而，紅色、綠色及藍色之發光元件301R、301G、301B全部可獲得於實施例2中為0.72以上、於實施例3中為0.65以上的優異之標準化哥命’可實現長壽命化。此外，紅色及綠色之發光元件301R、301G之標準化電壓於實施例2中抑制於1.15以下，於實施例3中抑制於1.07以下，就驅動電壓之觀點而言亦可獲得優異之特性。相對於實施例2及實施例3，於比較例21之顯示裝置中省略了第1電子注入層361及電洞傳輸層343之插入。因此，紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，分別無法順 158697.doc -89· 201225367 利地進行自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R 及綠色發光功能層405G之電子之注入，其結果為，成為除了發出紅色及綠色之光以外發出藍色之光的結果。由此，紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，紅色及綠色之色純度分別大幅度地下降。其原因在於，於比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中，自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R或綠色發光功能層 405G之電子注入性不充分，故不僅紅色發光功能層405R 或綠色發光功能層405G發光，藍色發光功能層405B亦同時發光。進而’比較例21之紅色發光元件401R及綠色發光元件 401G之標準化壽命（LT80)分別顯示低至0.13及0.38之值。可認為其原因在於，於比較例1之紅色發光元件401R及綠色發光元件401G中’自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R或綠色發光功能層405G之電子注入性不充分，故紅色發光功能層405R或綠色發光功能層405G之陰極408侧界面之電子所致的劣化較大。又’比較例21之藍色發光元件401B之標準化壽命亦成為低至0.5 1之值。可認為其原因在於，利用喷墨法將比較例 21之藍色發光元件401B之電洞傳輸層443B成膜。即，若使用真空蒸鍍法之類的氣相製程，則可不使電洞傳輸層 443B之陰極4〇8側界面曝露於真空以外之環境下而連續地進行其次之藍色發光功能層405B之成膜，但若使用喷墨法之類的液相製程’則電洞傳輸層443B之成膜難以在真空環 158697.doc •90- 201225367 境下進行’故電洞傳輸層443B之成膜要在真空以外之環境 (例如大氣或氮）下進行’至少電洞傳輸層443B之陰極408 側界面會曝露在真空以外之環境中。於如此般使用液相製程將電洞傳輸層443B成膜之情形時，電洞傳輸層443B之陰極408側界面容易被污染，縮短藍色發光元件4〇ib之壽命。又，於使用液相製程進行電洞傳輸層443B之成膜之情形時’將使電洞傳輸材料溶解於溶劑中而成之溶液用於成膜’故於電洞傳輸層443B内殘留極微量之溶劑，其污染電洞傳輸層443B整體’故縮短藍色發光元件401B之壽命。此外’比較例21之紅色發光元件401R及綠色發光元件 401G之標準化電壓顯示高至1.25及1_27之值。可認為其原因在於，於比較例21之紅色發光元件401R及綠色發光元件 401G中，自藍色發光功能層405B向紅色發光功能層405R 或綠色發光功能層405G之電子注入性不充分，故產生紅色發光功能層405R及綠色發光元件405G之陰極408側界面處之對電子之能量障壁較高的狀態，其結果為，成為驅動電壓上升20%以上之結果。又’於比較例22之顯示裝置中，相對於實施例2及實施例3省略了電洞傳輸層3 4 3之插入。然而，於紅色發光元件 501R及綠色發光元件501G中，於藍色發光功能層5〇53與紅色發光功能層505R及綠色發光功能層505G之間存在第1 電子注入層561，故自藍色發光功能層505B向紅色發光功能層505R及綠色發光功能層505G之電子之注入可順利地進行，其結果為，於紅色發光元件5 01R中僅紅色發光功能 158697.doc -91- 201225367 層5 0 5 R、於綠色發光元件5 01G中僅綠色發光功能層5 〇 5 G 選擇性地發光，可抑制藍色發光功能層505B之發光。然而’於藍色發光元件501B中，成為電子注入層561與藍色發光功能層505B接觸之構造，故該電子注入層561阻礙藍色發光功能層505B之發光，因此標準化電流效率及標準化壽命成為極低之值，成為與實用水準之特性相差甚遠之結果。又，由於電流效率極低’故驅動電壓亦成為大幅度地上升至1.36之結果。又’於比較例23之顯示裝置中’相對於實施例2及實施例3省略了第1電子注入層361之插入。因此，於紅色發光元件601R中，自藍色發光功能層 605B向電洞傳輸層643之電子注入、及自電洞傳輸層643向紅色發光功能層605R之電子之注入無法順利地進行。因此’成為紅色發光功能層605R幾乎不發光、而藍色發光功能層605B強烈地發光之結果。同樣地’於比較例23之顯示裝置之綠色發光元件601G 中，自藍色發光功能層605B向電洞傳輸層643之電子注入、及自電洞傳輸層643向綠色發光功能層605G之電子之注入無法順利地進行。因此，成為綠色發光功能層605G幾乎不發光、而藍色發光功能層605B強烈地發光之結果。即’於比較例23之顯示裝置中，紅色發光元件601R、綠色發光元件601G及藍色發光元件601B全部發出藍色之光。若將以上之各實施例及各比較例之結果匯總，則如下。 158697.doc •92· 201225367 首先’於紅色發光元件及綠色發光元件中可獲得所欲之發光色及0.60以上之實用水準之標準化壽命者為實施例2、實施例3及比較例22。然而，比較例22之藍色發光元件5〇1B之電流效率極低，壽命亦極短，因此比較例22並未達到作為顯示裝置之實用水準。繼而，於藍色發光元件中可獲得所欲之發光色及〇6〇以上之實用水準之標準化壽命者為實施例2、實施例3及比較例23。然而，比較例23之紅色發光元件6〇1尺及綠色發光元件601G發出藍色之光，因此未達到作為顯示裝置之實用水準。根據以上内容，達到作為顯示裝置之實用水準者僅為實施例2及貫施例3。再者，本發明之實施例2及實施例3之紅色發光元件 301R、、綠色發光元件301C^藍色發光元件3_全部可獲得所欲之顏色之原因在於’第m人層361與電洞傳輸層343之積層體作為載子選擇層而發揮功能^又，本發明之實施例2及實施例3之紅色發光元件3仙及綠色發光元件 3CUG可獲得0.6()以上之實用水準之標準化壽命之原因亦在於，第i電子注入層361與電洞傳輸層⑷之積層體作為載子選擇層而發揮功能。進而’本發明之各實施例之藍色發光元件刪可獲得請以上之實用水準之標準化壽命之原因在於’第1電子注人層361與電洞傳輸層⑷之積層體作為載子選騎發揮魏，且藉由真空•法將電洞傳輸層 158697.doc 93· 201225367 343及藍色發光功能層305B成膜。根據比較例21與比較例23之藍色發光元件之比較可知，比較例23之具有藉由真空蒸鍍法成膜之電洞傳輸層643的藍色發光元件601B與比較例21之具有藉由喷墨法成膜之電洞傳輸層443B的藍色發光元件401B相比較，可獲得近2倍之壽命’比較例23之藍色發光元件601B之發光壽命達到了實用水準。進而’根據實施例2與比較例23之藍色發光元件之比較可知’實施例2之藍色發光元件301B之發光壽命與比較例23之藍色發光元件601B之發光壽命相同，達到了實用水準。其原因在於，與比較例Μ之電洞傳輸層643及藍色發光功能層605B同樣地，利用真空蒸鍍法將實施例2 之電洞傳輸層343及藍色發光功能層305B成膜。同樣地’根據實施例3與比較例27B之藍色發光元件之比較可知’實施例3之藍色發光元件301B之發光壽命與比較例27B之藍色發光元件901B之發光壽命相同，達到了實用水準。其原因在於，與比較例27B之電洞傳輸層943及藍色發光功能層905B同樣地，利用真空蒸鍍法將實施例3之電洞傳輸層343及藍色發光功能層305B成膜。又’根據依照上述電流效率之測定方法所測定之測定值，對比較例23之藍色發光元件601B之電流效率、及實施例2之藍色發光元件301B之電流效率分別求出以比較例23 之藍色發光元件601B之電流效率加以標準化的值。進而，對比較例25B之藍色發光元件2101B之電流效率、及比較例26B之藍色發光元件2201B之電流效率分別求出以比較 158697.doc • 94· 201225367 例25B之藍色發光元件2101B之電流效率加以標準化值。 ’、、將該等結果示於表3、表4中。 [表3] 第1電子注·入層之有無無 (比較例23) 有 (實施例2) 標準化電流效率 (1000 cd/m2') 1.00 1.01 [表4] 第1電子注入層之有無無 (比較例25B) 有 (比較例26B) 1.00 0.09 ※以不存在第1電子注入層之情形(比較例25B)之值進行標準化標準化電流效率 (1000 Cd/m2) ^第1電子此處，表3表示於藍色發光元件601B及301B分別具有之電洞注入層641B及341B係以離子傳導性之電洞注入材料構成之情形時，第1電子注入層361之有無是否影響藍色發光元件601B及301B之電流效率。相對於此，表4表示於藍色發光元件2101B及2201B分別具有之電洞注入層2141B及 2241B並非以離子傳導性之電洞注入材料構成的情形時，第1電子注入層2261B之有無是否影響藍色發光元件21〇ib 及2201B之電流效率。

由表3表明，於電洞注入層641B及341B係以離子傳導性之電洞注入材料構成之情形時，具有第1電子注入層361之藍色發光元件301B之電流效率與不具有第1電子注入層361 之藍色發光元件601B之電流效率相比較並未大幅度地變化。相對於此，由表4表明，於電洞注入層2141B及2241B 158697.doc -95- 201225367 並非以離子傳導性之電洞注入材料構成之情形時，具有第 1電子注入層2261B之藍色發光元件2201B之電流效率與不具有第1電子注入層2261B之藍色發光元件2101B之電流效率相比較，成為大幅度地下降之結果。即，即便為電洞注入層/電子注入層/電洞傳輸層/藍色發光功能層/電子傳輸層之相同積層構造（積層體），若並非以離子傳導性之電洞注入材料構成電洞注入層，則由於存在第1電子注入層2261B而成為藍色發光元件2201B之藍色發光明顯受阻之結果。其表示，於電洞注入層2241B並非以離子傳導性之電洞傳輸材料構成之情形時，第i電子注入層2261B所含之電子注入材料擴散至電洞傳輸層2243B或藍色發光功能層 2205B中’由此藍色發光功能層22〇5B之藍色發光受阻。相對於此，於電洞注入層341B係以離子傳導性之電洞傳輸材料構成之情形時，第1電子注入層361所含之電子注入材料主要擴散至電洞注入層341B中，或吸附於電洞注入層 341B之陰極308側界面’故大幅度地抑制向電洞傳輸層343 或藍色發光功能層305B之擴散。即，於實施例2及實施例3中，為使具有包含第丨電子注入層361與電洞傳輸層343之積層體的載子選擇層之藍色發光疋件301B以較高之電流效率（發光效率）發光，必須於電 /同主入層3 41B中使用離子傳導性之電洞注入材料。再者，本發明不限定於上述實施形態，可對上述實施形態加以各種變更或改良等。以下描述變形例。 158697.doc -96· 201225367 (變形例1) 使用圖5進行說明。於上述第2實施形態中’就對發光元件ir、1〇及⑺應用本發明之發光元件，發光元件1R&1G之第3層分別為紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5〇，且發光元件丨尺及… 之第1層為藍色發光功能層5B之情形進行了說明。然而，本發明之應用範圍不限定於該情形，只要發光元件1 r及 1G之第3層與第1層分別為不同發光色之發光功能層即可，例如，亦可為發光元件1R及1G之第3層分別發出黃色及撥色之光，第1層發出綠色之光者。該情形時，發光元件1R 具備黃色發光功能層代替紅色發光功能層5R，發光元件 1G具備橙色發光功能層代替綠色發光功能層5 g ^進而，發光元件1R及1G具備綠色發光功能層代替藍色發光功能層5B。然而’較佳為如第2實施形態般，對發光元件丨尺及1(}各自之第3層應用紅色發光功能層5R及綠色發光功能層5G，對第1層應用藍色發光功能層5B。 (變形例2) 於上述各實施形態中，就將顯示器裝置100應用於自基板21側取出光之底部發射構造之顯示器面板之情形進行了說明，但不限定於此，亦可應用於自密封基板20側取出光之頂部發射構造之顯示器面板。藉此，可使顯示器裝置 100(110)之色彩再現範圍擴大。 (變形例3) 158697.doc •97· 201225367 於上述各實施形態中，於使顯示器裝置1〇〇之光R、G、 B自基板21側透射時，設有對應於各光之彩色濾光片（色轉換層）’亦可設定為於與基板21接觸之面或基板21内具有對應於RGB之各子像素而設置之彩色滤光片的構造。藉此’可使顯示器裝置100(110)之色彩再現範圍擴大。【圖式簡單說明】圖1係第1實施形態之顯示器裝置之立體圖。圖2係像素電路之一態樣圖。圖3係顯示面板之側剖面圖。圖4係第2實施形態之顯示器裝置之立體圖。圖5係顯示面板之側剖面圖。圖6係表示（a)〜(c)製造步驟之一態樣的圖。圖7係表示（a)〜(c)製造步驟之一態樣的圖。圖8係表示作為第3實施形態之電子機器之行動式個人電腦的立體圖。圖9係表示作為電子機器之行動電話機之立體圖。圖1 〇係表示作為電子機器之數位靜態相機之立體圖。圖11係示意性地表示實施例1之發光元件之剖面圖。圖12係示意性地表示實施例2之發光元件之剖面圖。圖13係示意性地表示比較例21之發光元件之剖面圖。圖14係示意性地表示比較例22之發光元件之剖面圖。圖15係示意性地表示比較例23之發光元件之剖面圖。圖16係示意性地表示比較例24R之紅色發光元件之剖面圖0 158697.doc -98· 201225367 圖17係示意性地表示比較例24G之綠色發光元件之剖面圖。圖1 8係示意性地表示比較例24B之藍色發光元件之剖面圖。圖19係示意性地表示比較例25B之藍色發光元件之剖面圖。圖20係示意性地表示比較例26B之藍色發光元件之剖面圖。【主要元件符號說明】 1 發光元件 1B、301B、401B、501B、藍色發光元件 601B 、 901B 、 2101B 、 2201B 1G、301G、401G、501G、綠色發光元件

601G、801G 1R、301R、401R、501R、紅色發光元件

601R、701R 3、3R、3G、3B、303R、陽極 303G、303B、403R、403G、 403B、503R、503G、503B、 603R、603G ' 603B、703R、

803G、903B、2103B、2203B 5 作為發光層之發光功能層 5B、305B、405B、505B、藍色發光功能層 158697.doc -99- 201225367 605B 、 905B 、 2105B 、 2205B 5G、305G、405G、505G、 605G ' 805G 綠色發光功能層 5R、305R、405R、505R、 605R、705R 紅色發光功能層 8 、 308 、 408 、 508 、 608 、 708 、 808 、 908 、 2108 ' 2208 陰極 12 可撓性基板 13 驅動用1C 14 像素電路 15 選擇用電晶體 17 掃描線驅動電路 18 資料線驅動電路 19、29 顯示面板 20 密封基板 21 、 321 、 421 、 521 、 621 、 721 、 821 、 921 、 2121 、 2221 基板 22 平坦化層 24 驅動用電晶體 27 配線 31 隔離壁 35 環氧化物層 38 功能層 41、41R、41G、41B、341R 電洞注入層 158697.doc -100· 201225367

、341G、341B、441R、441G、 441B、541R、541G、541B、 641R、641G、641B、741R、 841G、941B、2141B、2241B 42R、42G、342R、342G、中間層 442R、442G、542R、542G、

642R、642G、742R、842G 43、343、443B、543B、643、電洞傳輸層

943B、2143B、2243B 46

61 、 361 、 561 、 2261B 62 、 362 、 462 、 562 、 662 、載子選擇層第1電子注入層電子傳輸層 962 、 2162 、 2262 63 ' 363 、 463 、 563 、 663 、 763 、 863 、 963 、 2163 、 2263 100 、 110 241 242 243 244 245 1100 第2電子注入層作為顯示裝置之顯示器裝置半導體層閘極絕緣層閘極電極源極電極汲極電極作為電子機器之個人電腦 158697.doc • 101 - 201225367 1102 鍵盤 1104 本體部 1106 顯示單元 1200 作為電子機器之行動電話機 1202 操作按鈕 1204 受話口 1206 送話口 1300 作為電子機器之數位靜態相機 1302 外殼（機體） 1304 受光單元 1306 快門按鈕 1308 電路基板 1312 視訊信號輸出端子 1314 資料通信用之輸入輸出端子 1430 電視監視器 1440 個人電腦 B、G、R 光 C 保持電容 DL 資料線 SL 掃描線 V 顯示區域 158697.doc -102·

Claims

201225367 七、申請專利範圍： 1. 一種發光元件，其特徵在於具備：陽極、陰極、設於上述陽極與上述陰極之間之發光功能層、设於上述陽極與上述發光層之間之電子注入層、及設於上述陽極與上述電子注入層之間之電洞注入層。 2.如請求項1之發光元件，其中上述電子注入層係以鹼金屬、驗土金屬或該等之化合物所構成。 3·如請求項^之發光元件，其中於上述電子注入層與上述發光層之間具備電洞傳輸層。其中上述電子注入 4.如凊求項1至3中任一項之發光元件層與上述電洞注入層係直接接觸。洞注入 5.如請求項！至4中任一項之發光元件，其中上述電層具有離子傳導性。 6.如請求項⑴中任一項.之發光元件，其中上述電洞注入層係使用液相製程而形成者。 7_=:置’其特徵在於具備如—任-項 ’其特徵在於具備如 8· —種電子機器置。請求項7之顯示裝 158697.doc