JP6519933B2 - 有機発光デバイスとその製造方法 - Google Patents
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Description
図21に示すように、従来技術に係る有機ELパネルでは、基板901のZ軸方向上側主面にTFT(Thin Film Transistor)902が形成され(図21では、TFTのドレインのみ図示。)、その上がパッシベーション膜903および層間絶縁膜904により順に覆われている。なお、パッシベーション膜903および層間絶縁膜904については、TFT902のドレイン上部分が開口されている(コンタクトホールCH)。
封止層912の上には、基板913にカラーフィルタ914およびブラックマトリクス915が形成されてなるCF(Color Filter)基板916が配され、間の接合樹脂層917により互いに接合されている。
また、有機膜が形成されないような箇所が発生した場合には、アノード905とカソード911との間で不所望のリーク経路が形成されるという事態も発生し得る。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、下地膜と隔壁と有機膜とを少なくとも備える。
下地膜は、基板上に設けられている。隔壁は、下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられている。有機膜は、有機材料を含み構成され、隔壁の囲繞により構成される凹部内に形成され、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触している。
本発明に至った経緯について、図22を用い説明する。
先ず、本発明者等は、有機発光デバイスを作製した場合に、サブピクセルの中央部とバンクの内縁に近い端部との間で発光輝度にムラが生じる場合があることを見出した。そして、その原因について、次のような現象が生じていると考えた。
次に、図22(b)に示すように、層間絶縁膜924の表面を覆うようにアノード925を敷設する。層間絶縁膜924の孔924aの内壁面にもアノード925が形成され、これによりコンタクトホールCHを介してアノード924とTFT902のドレインとが接続される。そして、下地膜表面であるアノード925の表面に対して、コンタクトホールCHを覆うように隔壁927を形成した後、例えば、塗布法により有機材料を含むインクを塗布し、乾燥させることによりホール注入層926を形成するが、図22(b)の矢印E2部に示すように、隆起部の斜面部におけるアノード925の一部が、ホール注入層926で覆われず露出してしまうということが生じ得る。このようにアノード925の一部がホール注入層926で覆われない場合には、その上に発光層が積層されても正常に発光しなくなり、発光性能の低下をもたらすこととなる。
このように、本発明者等は、隔壁のサイズおよび内縁の位置が高い膜厚均一性を有する有機膜を形成する上で重要なファクターであることを見出した。なお、図22では、塗布法を用いて有機膜を形成する方法を一例としたが、蒸着法を用いて有機膜を形成する場合においても、隆起部の存在に起因して有機膜の膜厚均一性が損なわれ、輝度集中を生じて寿命低下をもたらすことがある。
本発明の態様は、上記のような経緯を踏まえて創出されたものである。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、少なくとも下地膜と隔壁と有機膜とを備える。
下地膜は、基板上に設けられている。隔壁は、下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられている。有機膜は、有機材料を含み構成され、隔壁の囲繞により構成される凹部内に形成され、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触している。
従って、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する。
一方、蒸着法を用い有機膜を形成する場合には、特に、隔壁の内縁の位置を平坦部分とするとき、膜厚の均一性を高く維持することができ、輝度ムラのない優れた発光性能を得ることができる。
上記[数1]の関係を満たすように隔壁および有機膜を構成することにより、隔壁の囲繞により構成される凹部の開口率を高く維持しながら、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを効果的に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、さらに優れた発光性能を有する。
また、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、上記構成において、下地膜表面における平坦部分を基準とする、隔壁の内縁高さが150[nm]以下であることを特徴とする。このように隔壁の内縁の高さを150[nm]以下とすることにより、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを確実に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、さらに優れた発光性能を有する。
(i)下地膜を形成する工程;基板上に、下地膜を形成する。
(ii)隔壁を形成する工程;下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する。
(iv)有機膜を形成する工程;塗布膜を乾燥させて、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触する有機膜を形成する。
そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、(i)下地膜を形成する工程において、表面に一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、(ii)隔壁を形成する工程において、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、隔壁を形成することを特徴とする。
従って、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することができる。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法は、(i)下地膜を形成する工程、(ii)隔壁を形成する工程、(iii)塗布膜を形成する工程、(iv)有機膜を形成する工程とを有する。
(ii)隔壁を形成する工程;下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する。
(iii)塗布膜を形成する工程;隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する。
そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、(i)下地膜を形成する工程において、表面の一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、(ii)隔壁を形成する工程において、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、隔壁を形成する。また、塗布膜を形成する工程では、塗布膜を、下地膜表面における平坦部分の全体と、隆起部における斜面部のうち隔壁により覆われていない部分と、隔壁の一部とを覆い、且つ、その膜厚a1[nm]が、下地膜表面における平坦部分を基準とする、隔壁の内縁の高さb[nm]よりも厚くなるように前記塗布膜を形成する。
[数2] a1>a2≧(b/15)
上記のように、塗布膜の膜厚a1、有機膜の平均膜厚a2、および隔壁の内縁の高さbについて、[数2]に関係を満たすようにすれば、隔壁の囲繞により構成される凹部の開口率を高く維持しながら、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを効果的に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、さらに優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することが可能となる。
[実施の形態1]
1.有機EL表示装置1の構成
本発明の実施の形態1に係る有機EL表示装置1の構成について、図1を用い説明する。
有機ELパネル10は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機EL素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動・制御部20は、4つの駆動回路21〜24と制御回路25とから構成されている。
2.有機ELパネル10の構成
有機ELパネル10の構成について、図2および図3を用い説明する。図2は、有機ELパネル10におけるピクセル11の配列を示す模式平面図であり、図3は、図2のA−A'断面を示す模式断面図である。
次に、図3に示すように、本実施の形態1に係る有機ELパネル10では、基板101のZ軸方向上側主面にTFT(Thin Film Transistor)102が形成され(図3では、TFTのドレインのみ図示。)、その上がパッシベーション膜103および層間絶縁膜104により順に覆われている。なお、パッシベーション膜103および層間絶縁膜104については、上記のように、TFT102におけるドレインの上の部分が開口されている(コンタクトホールCH)。また、層間絶縁膜104におけるコンタクトホールCHが形成された箇所およびその周辺領域は、その他の領域に比べてZ軸方向上向きに隆起している。層間絶縁膜104の隆起部は、コンタクトホールCHが開設された領域が頂面部となっており、その周囲が斜面部となっている。
ここで、アノード105およびホール注入層106は、ともに層間絶縁膜104の表面に沿って形成されており、層間絶縁膜104の隆起部においては、当該形状に沿ってホール注入層106の表面も隆起した状態となっている。換言すると、基板101上におけるTFT102、パッシベーション膜103、層間絶縁膜104、アノード105、ホール注入層106を纏めて下地層100と呼ぶとき、下地層100における表面は、層間絶縁膜104のコンタクトホールCHに相当する部分が他の部分に比べて隆起した状態となっている。
なお、隔壁107は、コンタクトホールCH内部にも侵入した状態で形成されており、少なくとも表面には撥液性が付与されている。
各構成要素の形成に用いる材料は、例えば、次のようなものとすることができる。
(i) 基板101
基板101は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
層間絶縁膜104は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
(iii) アノード105
アノード105は、アルミニウム(Al)若しくは銀(Ag)、またはそれらを含む合金から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル10の場合には、その表面部が高い光反射性を有することが好ましい。本実施の形態では、一例として、アルミニウム(Al)の合金を用いアノード105が構成されている。
ホール注入層106は、タングステン(W)またはモリブデン(Mo)またはニッケル(Ni)の酸化物からなる層である。上記のように、金属の酸化物からなるホール注入層106を採用する本実施の形態に係る有機ELパネル10では、ホールを安定的に生成し、またはホールの生成を補助して、発光層109に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
隔壁107は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。隔壁107の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。隔壁107は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
さらに、隔壁107は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥液性をもたせるために、形成材料に撥液性の成分を含ませたり、あるいは、表面をフッ素処理したりすることもできる。
さらに、隔壁107の構造については、図3に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
ホール輸送層108は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
(vii) 発光層109
発光層109は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層109の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
電子注入層110は、カソード111から注入された電子を発光層109へ注入・輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などを用い形成されている。
なお、電子注入層110として、バリウム(Ba)などのアルカリ金属を用い、蒸着法等のドライプロセスを用いて成膜した層を採用することも可能である。
カソード111は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)若しくはIZO(Indium Zinc Oxide)などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の有機ELパネル10の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が80[%]以上とすることが好ましい。
封止層112は、発光層109などの有機膜が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)などの材料を用い形成される。また、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
3.隔壁107とホール輸送層108
隔壁107の内縁位置とホール輸送層108の形成形態との関係について、図4を用い説明する。
4.有機ELパネル10の製造方法
有機ELパネル10の製造方法について、図5から図8を用い説明する。
次に、図5(c)に示すように、パッシベーション膜1030を覆うように、層間絶縁膜1040を積層形成する。そして、図5(d)に示すように、層間絶縁膜1040におけるTFT102のドレイン上の各箇所に孔をあけ、さらに、その底におけるパッシベーション膜1030も開口する。これにより、層間絶縁膜104およびパッシベーション膜103の孔104a,103aを通してTFT102のドレインが底部に露出する。
また、ホール注入層106の形成には、例えば、スパッタリング法を用いる。具体的には、不活性ガスとしてのアルゴン(Ar)と酸素(O)との混合ガスをスパッタリング装置のチャンバー内に4[Pa]〜7[Pa]のガス圧を以って導入し、0.7[kW]〜1.5[kW]のパワーで成膜する。なお、チャンバー内に導入する混合ガスについては、全圧に対する酸素の分圧比を50[%]とする。
先ず、金属(例えば、Al合金)からなる膜を成膜し、次に酸化金属(例えば、WOX)からなる膜を成膜する。
次に、金属膜および酸化金属膜を熱処理(例えば、230[℃]以上の温度で焼成処理)し、その後にエッチングにより各サブピクセル11a,11b,11c単位に区画することで、アノード105およびホール注入層106を形成することができる。
次に、図6(b)に示すように、ホール注入層106の上に隔壁樹脂層1070を積層形成する。隔壁樹脂層1070の形成には、感光性樹脂成分とフッ素成分とを含む材料を、例えば、スピンコート法などにより堆積させることで行うことができる。
次に、図6(c)に示すように、隔壁樹脂層1070の上に、隔壁107を形成しようとする領域に開口500aが開けられたマスク500を排し、マスク露光を行う。そして、図7(a)に示すように、隔壁樹脂層1070に対して現像処理を施すことによりパターニングを行い、その後に焼成などの熱処理を行うことで隔壁107を形成する。隔壁107については、全高さの20[%]〜40[%]の領域でのテーパー角が20[°]〜70[°]となるようにする。また、アニソールに対する接触角が30[°]〜70[°]となるように撥液性を付与する。
ここで、図7(a)に示すように、隔壁107の内縁P1は、下地膜100の隆起部における斜面部100a(層間絶縁膜104の隆起部104bの斜面部104b1に相当)の途中箇所に設定される。これについては、上述の通りである。
次に、図8(a)に示すように、隔壁107の囲繞により構成された凹部内のホール輸送層108上に対して、発光層109を形成するためのインク1090を塗布する。インク1090の粘度および濃度などに関しては、インク1080についての上記数値範囲と同様の範囲内に規定されている。そして、インク1090を乾燥させることにより、図8(b)に示すように、発光層109が形成できる。
なお、図1に示すように、有機ELパネル10に対して駆動・制御部20を接続し、必要に応じてエージング処理を施すことにより、有機EL表示装置1が完成する。
隔壁107の内縁について、有機膜の膜厚均一性を向上させるという観点から、より好ましい位置について、図9および図10を用い説明する。
図9に示すように、有機ELパネル10では、ホール注入層106の表面である下地膜100表面に対して、その隆起部の斜面部100aの途中の箇所に隔壁107の内縁P1が接している。そして、有機膜であるホール輸送層108は、ホール注入層106表面の内の隔壁107で覆われていない部分全体と、隔壁107の斜面部の一部とを覆うように形成されており、表面と隔壁107の斜面部とが接点P2で接している。
[数3] (b/a2)≦15
本実施の形態に係る有機ELパネル10では、高さbと平均膜厚a2との関係を上記[数3]の関係を満足するように規定することで、塗布により形成する有機膜(ホール輸送層108)の未濡れの発生を防止することができ、輝度ムラの発生を抑制することができる。よって、本実施の形態に係る有機ELパネル10では、優れた発光性能を有する。
ホール輸送層(IL)108の表面プロファイルについて、図11および図12を用い説明する。
先ず、図11に示すように、比較例として層間絶縁膜を形成せず、平坦な下地の上に隔壁およびホール輸送層を形成した。この場合には、比較例の欄に示す通り、下地表面のコーナー部分の形状に近い表面プロファイルでホール輸送層が形成されることになる(丸印B3,B4を参照)。
図12に示すように、図11の丸印B2で示す部分のテーパーは、Y軸方向の長さをy1とし、Z軸方向の高さをz1とするとき、次のような関係を満足する。
7.インク塗布量と未濡れ発生の有無との関係
有機膜を形成する際のインクの塗布量と、未濡れ発生の有無との関係について、図13から図15を用い説明する。
図13に示すように、隔壁107の内縁の高さ(図13では、「下地隆起高さ」と表示)bを150[nm]で一定とした場合において、インク滴下量を2ドロップ(2d)から12ドロップ(12d)まで変化させたときの塗布状態を示す。なお、塗布状態については、PL発光状態を観察したものである。ここで、1ドロップは、概ね10[pl]のインク量である。
次に、インク滴下量が7dから10dの範囲では、未濡れの発生はなく、塗布状態は良好であった。この場合における比率(b/a)は、それぞれ15,11.5,10.7となっている。
以上より、本確認実験の範囲においては、インク滴下量が7dから10dの範囲で塗布状態が良好となり、換言すると、比率(b/a)が15以下のときに塗布状態が良好となった。なお、隔壁の全高との関係にもよるが、インクが溢れ出さないことが前提となる。
次に、図14(b)に示すように、上記同様に、濃度1[%]のインクを用い、膜厚h2(例えば、500[nm]以下)で塗布膜9880を形成した場合には、隔壁107の撥液性との関係により隔壁107の斜面部107aの一部を覆う場合(実線で示すプロファイル)と覆わない場合(破線で示すプロファイル)とが生じ得る。この塗布膜9880を乾燥させると、図15(b)に示すような有機膜(ホール輸送層)988が形成されることになる。
また、塗布膜1081の膜厚(図15(c)の厚みh3)も加味するときには、次の関係を満たすことが好ましい。
なお、上記実施の形態1では、有機膜(ホール輸送層108)の未濡れ部の発生を防止し、且つ、隔壁107の囲繞により構成された凹部から溢れ出さないインクドロップ数のマージンを確保できるので、同一インク濃度にてサブピクセル11a,11b,11cの発光色毎でドロップ数を変えて印刷膜厚を設計することができる。よって、発光色毎に最適な光学キャビティ設計が可能であり、輝度向上を実現することができる。
次に、本発明の実施の形態2に係る有機ELパネル30の構成について、図16および図17を用い説明する。図16は、上記実施の形態1における図3に相当する模式断面図であり、図17は、上記実施の形態1における図9に相当する模式断面図である。
図16に示すように、基板101からアノード105までの構成、およびホール輸送層108からCF基板116までの構成については、上記実施の形態1と同様である。本実施の形態では、ホール注入層306および隔壁307の形成形態が相違する。
[数6] (b2/a7)≦15
本実施の形態に係る有機ELパネル30でも、高さb2と平均膜厚a7との関係を上記[数6]の関係を満足するように規定することで、塗布により形成する有機膜(ホール注入層307)の未濡れの発生を防止することができ、輝度ムラの発生を抑制することができる。よって、本実施の形態に係る有機ELパネル30においても、優れた発光性能を有する。
次に、本発明の実施の形態3に係る有機ELパネル40の構成について、図18および図19を用い説明する。図18は、上記実施の形態1における図3に相当する模式断面図であり、図19は、上記実施の形態1における図4に相当する模式断面図である。
本発明の実施の形態に係る有機ELパネル40では、隔壁407の形成形態を除き、基本的な構成は上記実施の形態1に係る有機ELパネル10と同様である。
このような構成を採用する場合にも、ホール輸送層408に形成に際して未濡れ部の発生を確実に防止することができ、優れた発光性能を有する。
また、本実施の形態に係る有機ELパネル40の構成を採用する場合には、下地膜400上に形成する有機膜について、蒸着法を用いて形成する場合においても、有機膜の膜厚均一性を確保することができ、輝度集中を抑制することができる。よって、蒸着法を用い有機膜を形成する場合においても、長寿命な有機ELパネル40とすることができる。
次に、本発明の実施の形態4に係る有機ELパネルの構成について、図20を用い説明する。図20は、上記実施の形態1における図4に相当する模式断面図である。
本実施の形態に係る有機ELパネルは、上記実施の形態2と上記実施の形態3とを組み合わせた関係にある。具体的には、図20に示すように、アノード105の表面が下地膜500の表面を構成しており、層間絶縁膜104のコンタクトホールCHに起因して隆起部が一部に構成されている。そして、アノード105は層間絶縁膜104の表面に沿って形成され、その表面(下地膜500の表面)も隆起している。
本実施の形態に係る有機ELパネルでも、アノード105上に形成する有機膜であるホール注入層506の表面の端位置P21が隔壁507の斜面部に接している。なお、本実施の形態に係る有機ELパネルにおいては、ホール注入層506の形成材料は、上記実施の形態2に係るホール注入層306と同様に、例えば、PEDOT/PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマーなどを採用することができる。
また、本実施の形態に係る有機ELパネルの構成を採用する場合には、上記実施の形態3と同様に、下地膜500上に形成する有機膜について、蒸着法を用いて形成する場合においても、有機膜の膜厚均一性を確保することができ、輝度集中を抑制することができる。よって、蒸着法を用い有機膜を形成する場合においても、長寿命な有機ELパネルとすることができる。
上記実施の形態1〜4では、隔壁107,307,407,507について、所謂、ピクセルバンク構成を一例として採用したが、これに限らず、所謂、ラインバンク構成とすることもできる。
また、アノード105については、上記のように、アルミニウム(Al)またはアルミニウム合金(Al合金)や、銀(Ag)または銀合金(Ag合金)を用い形成することもできるし、これ以外にも光反射性を有する金属電極を採用することができる。
また、上記実施の形態1〜4では、所謂、トップエミッション型のデバイスとしたが、ボトムエミッション型のデバイスとすることもできる。
10,30,40.有機ELパネル
11.ピクセル
11a〜11c.サブピクセル
12.バスバー
20.駆動・制御部
21〜24.駆動回路
25.制御回路
100,300,400,500.下地層
100a,300a,400a,500a.斜面部
400b,500b.平坦部
101.基板
102.TFT(ドレイン)
103,1030.パッシベーション膜
104,1040.層間絶縁膜
104b.隆起部
104b1.斜面部
104c.平坦部
105.アノード
106,306,506.ホール注入層
107,307,407,507.隔壁
108,408.ホール輸送層
109,409.発光層
110,410.電子注入層
111,411.カソード
112,412.封止層
113.基板
114.カラーフィルタ
115.ブラックマトリクス
116.CF基板
117.接合樹脂層
500.マスク
1070.隔壁樹脂層
1080,1081,1090.インク
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられたアノードを含む下地膜と、
前記下地膜表面の一部を覆い、前記下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられた隔壁と、
高分子材料を含み構成され、前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に連続する状態で形成され、前記下地膜表面および前記隔壁表面の各一部に接触したホール輸送層と、
前記ホール輸送層上方に設けられたカソードと、
を有し、
前記下地膜表面の一部は、前記下地膜のそれ以外の表面よりも上方に隆起して形成され、当該隆起部は、斜面部を有しており、
前記隔壁は、前記下地膜表面における前記隆起部の前記斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、前記下地膜表面に対し、前記隆起部の斜面部の箇所で接触しており、
前記ホール輸送層は、塗布膜による有機膜であり、
前記下地膜表面における前記隆起部以外の平坦部分の上における前記ホール輸送層の平均膜厚をa2[nm]とし、
前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記下地膜表面と前記隔壁の内縁とが接触する箇所の高さをb[nm]とするとき、
(b/a2)≦15
の関係を満たす
ことを特徴とする有機EL発光デバイス。 - 前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記隔壁の内縁高さが150[nm]以下である
請求項1記載の有機EL発光デバイス。 - 前記下地膜は、コンタクトホール部が開設された層間絶縁膜と、前記コンタクトホール部の内壁面を含む前記層間絶縁膜の表面に設けられた前記アノードとを含み、
前記ホール輸送層は、前記アノード表面に形成されており、
前記層間絶縁膜は、前記コンタクトホール部が開設された部分およびその周囲表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、
前記アノードは、前記層間絶縁膜の表面に沿って形成されており、前記層間絶縁膜における隆起部上の部分での表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、
前記アノード表面が、前記下地膜表面である
請求項1記載の有機EL発光デバイス。 - 前記ホール輸送層上方であって、前記カソードの下方に、有機発光材料を含む有機発光層をさらに備えた
請求項1から3の何れか1項に記載の有機EL発光デバイス。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に、アノードを含む下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、前記下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、高分子材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥させて、前記下地膜表面および前記隔壁表面の各一部に接触するホール輸送層を前記凹部内に連続する状態で形成する工程と、
前記ホール輸送層上方に、カソードを形成する工程と、
を有し、
前記下地膜を形成する工程では、表面の一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、斜面部を有する下地膜を形成し、
前記隔壁を形成する工程では、前記下地膜表面における前記隆起部の前記斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、前記下地膜表面に対し、前記隆起部の斜面部の箇所で接触するように、前記隔壁を形成するものであって、
前記塗布膜を形成する工程では、前記塗布膜を、前記下地膜表面における前記隆起部以外の平坦部分の全体と、前記隆起部における前記斜面部のうち前記隔壁により覆われていない部分と、前記隔壁の一部とを覆い、且つ、前記塗布膜の前記凹部内における最大膜厚a1[nm]が、前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記隔壁の内縁の高さb[nm]よりも厚くなるように前記塗布膜を形成し、
前記ホール輸送層を形成する工程では、前記下地膜表面における前記平坦部分の上における前記ホール輸送層の平均膜厚をa2[nm]とするとき、
前記ホール輸送層の平均膜厚a2が、
a1>a2≧(b/15)
の関係を満たすように前記ホール輸送層を形成する ことを特徴とする有機EL発光デバイスの製造方法。 - さらに、ホール輸送層を形成する工程の後であって、前記カソードを形成する工程の前に、前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機発光材料を含むインクを塗布し、塗布されたインクを乾燥させて、前記ホール輸送層表面および前記隔壁表面の各一部に接触する有機発光層を形成する工程を備えた
請求項5に記載の有機EL発光デバイスの製造方法。
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