JP6179310B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Description
この構成によれば、ダイオード接続の影響が強く表れ、第1画素電極と第2画素電極との間の電流がより充分に抑えられる。
この構成においては、有機層に対する重なり幅が十分確保されるので、ダイオード接続による作用を強くすることができる。よって、第1画素電極と第2画素電極との間に電流が流れることがより充分に抑えられる。
この構成においては、画素間隔が狭いことで隣り合う画素電極間のリーク電流の問題がより顕著になる。よって、本発明の一つの態様の発光装置の効果がより有効である。
この構成によれば、ダイオード接続の影響が強く表れ、第1画素電極と第2画素電極との間の電流がより充分に抑えられる。
この構成においては、有機層に対する重なり幅が十分確保されるので、ダイオード接続による作用を強くすることができる。よって、第1画素電極と第2画素電極との間に電流が流れることがより充分に抑えられる。
この構成においては、画素間隔が狭いことで隣り合う画素電極間のリーク電流の問題がより顕著になる。よって、本発明の一つの態様の発光装置の効果がより有効である。
この構成によれば、トップエミッション型の発光装置において、隣り合う画素電極間のリーク電流を低減することができる。
この構成によれば、ボトムエミッション型の発光装置において、隣り合う画素電極間のリーク電流を低減することができる。
本発明の一つの態様の電子機器によれば、本発明の第1又は第2の態様の発光装置を備えたことにより、表示品質に優れた表示部を備えた電子機器を実現することができる。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図9を用いて説明する。
第1実施形態の発光装置は、封止層(共通電極)側から光を射出するトップエミッション型の有機EL装置の一つの例である。
以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
第1実施形態の発光装置100は、有機EL材料を利用した発光素子を基板10上に形成した有機EL装置である。基板10は、シリコン等の半導体材料で形成された板状部材(半導体基板)であり、複数の発光素子が形成される基材として利用される。
図2に示すように、画素Pは、発光素子45、駆動トランジスターTDR、発光制御トランジスターTEL、選択トランジスターTSL、および容量素子Cを備える。なお、第1実施形態では、画素Pのトランジスター(TDR,TEL,TSL)をPチャネル型のトランジスターで構成するが、Nチャネル型のトランジスターで構成することも可能である。
図3に示すように、シリコン等の半導体材料で形成された基板10の表面のうち、表示領域12内には画素PのトランジスターT(TDR,TEL,TSL)が形成され、周辺領域14内に駆動回路30のトランジスターTが形成される。トランジスターTは、基板10の表面に形成された能動領域10A(ソース/ドレイン領域)と、基板10の表面を被覆する絶縁層L0(ゲート絶縁膜)と、絶縁層L0上に形成されたゲートGと、を含んで構成される。能動領域10Aは、基板10内に不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。画素PのトランジスターT(TDR,TEL,TSL)のチャネル領域はソース領域とドレイン領域との間に存在する。チャネル領域には、能動領域10Aとは別種類のイオンが注入されるが、図示は省略する。各トランジスターTのゲートGは、絶縁層L0を挟んでチャネル領域に対向する位置に配置される。
図4に示すように、接続用導電体52は、導電部521と導電部522とを含む導体パターンである。導電部521は、平面視で表示領域12の全域にわたる略矩形状のベタパターンである。ベタパターンとは、線状または帯状のパターンやその組合せ(例えば格子状)のパターンではなく、導通用の開口部等を少なくとも除き、表示領域12の略全面を塗り潰すように一様に連続する面状の導体パターンを意味する。
図5に示すように、導電部521には、開口部54Aおよび開口部54Bが画素P毎に形成される。中継電極QB1は、開口部54Aの内側に形成される。中継電極QB2は、開口部54Bの内側に形成される。換言すると、導電部521は、開口部54Aおよび開口部54Bを有し、中継電極QB1および中継電極QB2を囲むように平面視で表示領域12の全域にわたって形成される。開口部54Aおよび開口部54Bは、配線層WBの上層の要素と下層の要素とを電気的に導通させるための開口(すなわち上層の要素と下層の要素とを連結する経路が通過する開口)である。中継電極QB1および中継電極QB2は、接続用導電体52から離間した位置および形状に形成されることにより、接続用導電体52から電気的に絶縁される。
図6に示すように、第1電源導電体41は、画素P毎に形成された開口部41Aを少なくとも除き、表示領域12の略全域を塗り潰すように一様に連続する面状の導体パターンである。前述の中継電極QE1は、開口部41Aの内側に形成される。具体的には、中継電極QE1は、開口部41Aの内側で第1電源導電体41から離間した位置および形状に形成され、第1電源導電体41から電気的に絶縁される。
したがって、本実施形態において、正孔注入層47は、第1画素電極の上面、第2画素電極の上面、および画素分離層65を覆うように設けられる。
(1) 第1画素電極E1Lおよび第2画素電極E1Rは、正孔注入層47に接するように互いに間隔をおいて設けられている。
(2) 画素分離層65は、第1画素電極E1Lおよび第2画素電極E1Rの外縁部を覆った状態に形成されており、第1画素電極E1Lおよび第2画素電極E1Rの一部が画素分離層65を介して正孔注入層47と対向している。
(3) 画素分離層65における第1画素電極および第2画素電極との重なり幅が有機層46の膜厚よりも大きくなっている
具体例として、有機層46の膜厚を130nm、正孔注入層47の膜厚を50nm、画素分離層65の膜厚を20nm、重なり幅Hを400nm、第1画素領域65ALおよび第2画素領域65AR間の間隔を1000nm、画素面積を40μm2以下とする。この場合、重なり幅Hが400nm、有機層46の膜厚toledが130nmであるから、t<toledおよびtoled×3≦H≦toled×10を満たす。また、重なり幅Hが400nmであるから、正孔注入層47の膜厚は50nmよりも大きく上記条件を満たす。
以下、本発明の第2実施形態について、図10を用いて説明する。
第2実施形態の発光装置の基本構成は、第1実施形態の発光装置と同様であり、トップエミッション型の有機EL装置である。第2実施形態の発光装置は、画素毎に最適化した共振器構造を備えた点が第1実施形態の発光装置と異なる。
図10において、第1実施形態で用いた図3と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
第2実施形態の発光装置200においては、複数の導電体の各々を、1層の金属層もしくは2〜3層の金属層の積層膜として図示する。第1電源導電体41は、チタン(Ti)/AlCu(アルミニウム・銅合金)の積層膜で構成されている。第1実施形態と同様、第1電源導電体41は、隣り合う画素領域にわたって形成されている。したがって、第1電源導電体41は、画素電極E1の下方に位置するとともに、画素電極E1の外側にまで延びている。
この場合、青色画素領域PXBでは、ゲート絶縁膜が画素分離層65から構成されるため、絶縁膜の膜厚tが20nm、有機層46の膜厚toledが130nmとなる。
以下、本発明の第3実施形態について、図11を用いて説明する。
第3実施形態の発光装置は、第1実施形態、第2実施形態の発光装置と異なり、発光層からの光を基板側から射出させるボトムエミッション型の有機EL装置の一例である。
図11は、第3実施形態の発光装置の断面図である。
図11において、第1実施形態で用いた図8と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
以下、本発明の第4実施形態について、図12を用いて説明する。
第4実施形態の発光装置は、第3実施形態の発光装置と同様、ボトムエミッション型の有機EL装置の一例である。
図12は、第4実施形態の発光装置の断面図である。
図12において、第1実施形態で用いた図8と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
上述の各実施形態に例示した発光装置100は、各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図13には、各実施形態に例示した発光装置100を利用した頭部装着型の表示装置90(HMD:Head Mounted Display)が電子機器として例示されている。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板の第1画素領域を含む領域に設けられた第1画素電極と、
前記基板の第2画素領域を含む領域に設けられた第2画素電極と、
前記第1画素電極および前記第2画素電極と平面視で少なくとも重なり、前記第1画素電極および前記第2画素電極にわたって連続して設けられる、発光層を含む有機層と、
前記第1画素電極の外縁部、および前記第2画素電極の外縁部と、前記有機層との間に介在して設けられ、前記第1画素領域および前記第2画素領域を分離する画素分離層と、
前記有機層の前記第1画素電極および前記第2画素電極が設けられた側と反対側に設けられ、前記第1画素電極および前記第2画素電極と平面視で少なくとも重なる共通電極と、を備え、
前記画素分離層と前記第1画素電極とにおける平面視での重なり幅、および前記画素分離層と前記第2画素電極とにおける平面視での重なり幅が、前記有機層の膜厚よりも大きいことを特徴とする発光装置。 - 前記画素分離層の膜厚は前記有機層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記重なり幅は、前記有機層の膜厚の3倍以上10倍以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記第1画素領域と前記第2画素領域との間隔は前記有機層の膜厚の20倍以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 基板と、
前記基板の第1画素領域を含む領域に設けられた第1画素電極と、
前記基板の第2画素領域を含む領域に設けられた第2画素電極と、
前記第1画素電極および前記第2画素電極と平面視で少なくとも重なる発光層と、
前記発光層と前記第1画素電極および前記第2画素電極との間に、前記第1画素電極および前記第2画素電極にわたって連続して設けられる電荷輸送層と、
前記第1画素電極の外縁部、および前記第2画素電極の外縁部と、前記電荷輸送層との間に介在して設けられ、前記第1画素領域および前記第2画素領域を分離する画素分離層と、
前記発光層の前記第1画素電極および前記第2画素電極が設けられた側と反対側に設けられ、前記第1画素電極および前記第2画素電極と平面視で少なくとも重なる共通電極と、を備え、
前記画素分離層と前記第1画素電極とにおける平面視での重なり幅、および前記画素分離層と前記第2画素電極とにおける平面視での重なり幅が、前記電荷輸送層の膜厚よりも大きいことを特徴とする発光装置。 - 前記画素分離層の膜厚は前記電荷輸送層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 前記重なり幅は、前記発光層および前記電荷輸送層を含む有機層の膜厚の3倍以上10倍以下であることを特徴とする請求項5又は6に記載の発光装置。
- 前記第1画素領域と前記第2画素領域との間隔は前記発光層および前記電荷輸送層を含む有機層の膜厚の20倍以下であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光層から発せられた光が前記共通電極側から射出されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光層から発せられた光が前記基板側から射出されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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