KR102230006B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 배선층, 상기 게이트 배선층을 덮고 있는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터 배선층, 상기 데이터 배선층 및 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 보호 개구부를 가지는 보호막, 상기 보호 개구부에 의해 노출된 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막, 상기 화소 전극을 덮고 있는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 및 화소 정의막을 덮고 있는 공통 전극을 포함하고, 상기 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막과 접촉하고 있는 화소 전극은 요철을 가질 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 애노드(anode) 및 캐소드(cathode)의 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 캐소드로부터 주입된 전자(electron)와 애노드로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수개의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수개의 박막 트랜지스터 및 커패시터(Capacitor)가 형성되어 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 시야각을 개선하기 위해 유기막으로 이루어진보호막에 요철 형상을 형성할 수 있다. 그리고, 대형 TV에 적용하기 위한 대형 유기 발광 표시 장치에서는 데이터 배선과 캐소드 사이의 기생 커패시턴스를 최소화하기 위해 보호막의 두께를 증가시켜야 한다.
그러나, 대형 유기 발광 표시 장치의 두꺼운 보호막에 요철을 형성하는 경우에는 패드부에 하프톤 포토(Half Tone photo)를 적용함으로써, 요철을 형성하는 동시에 패드부의 보호막의 두께를 감소시켜야 패드 본딩(Pad bonding)을 할 수 있다. 또는 패드부를 형성하기 위한 마스크와는 별도의 마스크를 추가하여야 화소부의 보호막에 요철을 형성할 수 있다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 별도의 마스크를 추가하지 않고도 시야각을 개선할 수 있는 대형 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 배선층, 상기 게이트 배선층을 덮고 있는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있고, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 및 상기 데이터선과 절연되어 있는 더미 데이터 부재를 포함하는 데이터 배선층, 상기 데이터 배선층 및 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 보호 개구부를 가지는 보호막, 상기 보호 개구부에 의해 노출된 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막, 상기 화소 전극을 덮고 있는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 및 화소 정의막을 덮고 있는 공통 전극을 포함하고, 상기 데이터 배선층의 상기 제1 배선부는 상기 더미 데이터 부재를 포함하고, 상기 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막과 접촉하고 있는 화소 전극은 요철을 가질 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 데이터 배선층의 제1 배선부와 접촉하고 있는 볼록 화소부, 상기 층간 절연막과 접촉하고 있는 오목 화소부를 포함할 수 있다.
상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 이격되어 있는 보조 전극을 더 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 공통 전극과 접촉하고 있을 수 있다.
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상기 화소 정의막은 상기 보조 전극을 노출하는 보조 개구부를 가지며, 상기 공통 전극은 상기 보조 개구부를 통해 상기 보조 전극과 접촉하고 있을 수 있다.
상기 데이터 배선층은 상기 데이터선과 절연되어 있는 제2 배선부를 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 보호막에 형성된 접촉 구멍을 통해 상기 데이터 배선층의 제2 배선부와 연결되어 있을 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 화소 전극과 동일한 물질로 형성되어 있을 수 있다.
상기 게이트 배선층은 상기 데이터 배선층의 제2 배선부와 중첩하고 있는 제1 스토리지 전극을 포함하고, 상기 데이터 배선층의 제2 배선부는 제2 스토리지 전극일 수 있다.
상기 데이터 배선층은 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 스캔선과 교차하며 보상 제어 신호를 전달하는 보상 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 동작 제어 신호를 전달하는 동작 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 리셋 신호를 전달하는 리셋 제어선을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 배선층은 스캔 신호를 전달하는 스캔선을 더 포함하고, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 보상 제어선에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터, 상기 동작 제어선 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터, 상기 구동 전압선과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
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본 발명에 따르면, 데이터 배선층의 제1 배선부에 화소 전극을 접촉시켜 화소 전극에 요철을 형성함으로써, 시야각을 개선할 수 있다.
또한, 별도의 마스크를 추가하지 않고도 시야각을 개선할 수 있으므로 제조 비용을 절감하고, 제조 시간을 단축할 수 있다.
또한, 데이터 배선층의 제1 배선부의 두께를 증가시켜 화소 전극의 요철 각도를 증가시킴으로써, 시야각을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110) 위에 버퍼층(111)이 형성되어 있고, 버퍼층(111) 위에 구동 반도체층(131a), 스토리지 커패시터(Cst)를 이루는 제1 스토리지 전극(132)이 형성되어 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성될 수 있다.
구동 반도체층(131a) 및 제1 스토리지 전극(132) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125a) 및 제2 스토리지 전극(127)를 포함하는 게이트 배선층이 형성되어 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치되는 제1 스토리지 전극(132)과 제2 스토리지 전극(127)을 포함한다. 여기서, 게이트 절연막(140)은 유전체가 되며, 스토리지 커패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 전극(132, 127) 사이의 전압에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage Capacitance)가 결정된다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125a) 및 제2 스토리지 전극(127)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 구동 반도체층(131a)의 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍(63)을 함께 갖는다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어진다.
층간 절연막(160) 위에는 데이터선(171), 구동 소스 전극(176a), 구동 드레인 전극(177a), 더미 데이터 부재(178) 및 데이터 패드부(179)를 포함하는 데이터 배선층이 형성되어 있다. 이 때, 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(67, 63)를 통해 각각 구동 반도체층(131a)의 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Td)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트 전극(125a), 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)을 포함한다.
층간 절연막(160) 상에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180)은 보호 개구부(181)를 가진다. 데이터 배선층(171, 176a, 177a, 178, 179) 중 제1 배선부(178)는 보호 개구부(181)를 통해 노출되어 있다. 보호 개구부(181)를 통해 노출되는 제1 배선부(178)는 데이터선(171)과 절연되어 있는 복수의 더미 데이터 부재(178)을 포함할 수 있다. 복수의 더미 데이터 부재(178)는 서로 소정 간격 이격되어 있어 서로 이격된 간격(d)을 통해 층간 절연막(160)을 노출하고 있다.
보호 개구부(181)에 의해 노출된 제1 배선부(178) 및 층간 절연막(160) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 배선부(178) 및 층간 절연막(160)과 접촉하고 있는 화소 전극(191)은 요철을 가지게 된다. 화소 전극(191)은 제1 배선부(178)와 접촉하고 있는 볼록 화소부(1911), 층간 절연막(160)과 접촉하고 있는 오목 화소부(1912)를 포함한다. 오목 화소부(1912)는 층간 절연막(160)과 접촉하고 있고, 볼록 화소부(1911)는 제1 배선부(178)의 두께(h)만큼 오목 화소부(1912)보다 높은 위치에 형성되므로, 화소 전극(191)은 요철을 가지게 된다.
보호막(180) 위에는 화소 전극(191)을 노출하는 화소 개구부(351)를 가지는 화소 정의막(350)이 형성되어 있다. 화소 개구부(351)를 통해 노출된 화소 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어있고, 유기 발광층(370) 및 화소 정의막 위에는 공통 전극(270)이 형성된다. 따라서, 화소 전극(191), 유기 발광층(370) 및 공통 전극(270)을 포함하는 유기 발광 다이오드(70)가 형성된다.
여기서, 화소 전극(191)은 반사율이 높은 금속으로 만들어질 수 있고, 공통 전극(270)은 전면 발광을 위해 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체로 만들어질 수 있다. 화소 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드가 된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(191)이 캐소드가 되고, 공통 전극(270)이 애노드가 될 수도 있다. 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
이와 같이, 제1 배선부에 화소 전극을 접촉시켜 화소 전극에 요철을 형성함으로써, 발광된 빛이 화소 전극의 요철에서 난반사를 일으키게 하여 시야각을 개선할 수 있다.
또한, 제1 배선부의 두께를 증가시켜 화소 전극의 요철 각도를 증가시킴으로써, 시야각을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 시야각을 개선하기 위해 보호막의 표면에 요철을 형성하지 않아도 되므로, 보호막에 요철을 형성하기 위한 별도의 마스크를 추가하지 않아도 되어 제조 비용을 절감하고, 제조 시간을 단축할 수 있다.
한편, 보호막(180) 위에는 화소 전극(191)과 이격된 위치에 보조 전극(192)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(350)은 보조 전극(192)을 노출하는 보조 개구부(352)를 가지며, 보조 전극(192)은 보조 개구부(352)를 통해 공통 전극(270)과 접촉하고 있다.
유기 발광 표시 장치를 대형 TV 등에 적용되는 경우 공통 전극(270)이 대형화되어야 하나, 대형 공통 전극(270)에는 전압 강하 현상에 의해 얼룩이 발생하기 쉽다. 따라서, 이러한 공통 전극(270)의 전압 강하 현상을 방지하기 위해 공통 전극(270)에 저저항 물질로 이루어진 보조 전극(192)을 접촉시켜 보조 전극(192)으로도 전류가 흐르게 하여 저항을 감소시킨다.
보호막(180)에는 패드 개구부(189)를 형성하여 데이터 패드(179)를 노출하고, 데이터 패드(179) 위에 화소 전극(191)과 동일한 물질로 보조 패드(199)를 형성하여 데이터 패드(179)를 보호한다.
한편, 상기 일 실시예의 요철을 가지는 화소 전극을 보상 회로를 가지는 유기 발광 표시 장치에 적용한 다른 실시예도 가능하다.
그러면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 2를 참고로 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소는 복수의 신호선(121, 122, 123, 124, 171, 172), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 박막 트랜지스터(Td, Ts, Tgc, Tgs, Tgw), 복수개의 커패시터(Cst, Chold) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
복수개의 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Ts), 보상 박막 트랜지스터(Tgc), 리셋 박막 트랜지스터(Tgs), 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)를 포함하며, 복수개의 커패시터(Cst, Chold)는 스토리지 커패시터(storage capacitor)(Cst) 및 홀드 커패시터(hold capacitor)(Chold)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 스캔선(121), 보상 박막 트랜지스터(Tgc)에 보상 제어 신호(Gc)를 전달하는 보상 제어선(122), 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)에 동작 제어 신호(Gw)를 전달하는 동작 제어선(123), 리셋 박막 트랜지스터(Tgs)에 리셋 신호(Gs)를 전달하는 리셋 제어선(124), 스캔선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터선(171), 구동 박막 트랜지스터(Td)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(172)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단과 연결되어 있고, 구동 박막 트랜지스터(Td)의 소스 전극은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 구동 박막 트랜지스터(Td)의 드레인 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 스캔선(121)과 연결되어 있고, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 소스 전극은 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 드레인 전극은 홀딩 커패시터(Chold)의 타단 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 소스 전극과 연결되어 있다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온되고, 데이터선(171)으로부터 전달된 데이터 신호(Dm)는 홀딩 커패시터(Chold)에 기입되는 주사 동작이 수행된다.
동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 게이트 전극은 동작 제어선(123)에 연결되어 있고, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 소스 전극은 홀드 커패시터(Chold)의 타단 및 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 드레인 전극은 리셋 박막 트랜지스터(Tgs)의 드레인 전극, 스토리지 커패시터(Cst)의 타단과 연결되어 있다.
동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 동안 턴 오프 된다. 이 기간 동안, 홀드 커패시터(Chold)에는 데이터 신호가 기입된다. 즉, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 발광 및 데이터 기입 동작이 동시에 이뤄질 수 있도록 홀드 커패시터(Chold)와 스토리지 커패시터(Cst)를 서로 전기적으로 차단시킨다.
리셋 박막 트랜지스터(Tgs)의 게이트 전극은 리셋 제어선(124)에 연결되어 있고, 리셋 박막 트랜지스터(Tgs)의 소스 전극은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 리셋 박막 트랜지스터(Tgs)의 드레인 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 타단 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 드레인 전극과 연결되어 있다. 이러한 리셋 박막 트랜지스터(Tgs)는 리셋 제어선(124)을 통해 전달받은 리셋 제어 신호(Gs)에 따라 턴 온된다. 그러면, 구동 전압선(172)을 통해 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극의 전압이 리셋된다.
보상 박막 트랜지스터(Tgc)의 게이트 전극은 보상 제어선(122)에 연결되어 있고, 보상 박막 트랜지스터(Tgc)의 소스 전극은 구동 박막 트랜지스터(Td)의 드레인 전극 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 연결되어 있으며, 보상 박막 트랜지스터(Tgc)의 드레인 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단과 연결되어 있다. 이러한 보상 박막 트랜지스터(Tgc)는 보상 제어선(122)을 통해 전달받은 보상 제어 신호(Gc)에 따라 턴 온되어 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(Td)를 다이오드 연결시킨다.
i 번째 프레임의 주사 기간에 턴 온 된 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)를 통해 전달된 데이터 전압은 홀드 커패시터(Chold)에 기입된다. i 번째 프레임의 발광 기간이 종료한 시점부터 i+1 번째 발광 기간이 시작하는 시점까지의 기간 중 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)가 턴 온 되고, 이 턴 온 기간 동안, 홀드 커패시터(Chold)에 저장된 데이터 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 전달된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 일단은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트-소스 전압은 스토리지 커패시터(Cst)에 기입된 전압에 따라 결정된다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전압(ELVDD)로부터 구동 박막 트랜지스터(Td)를 통해 전달되는 구동 전류(Id)에 따라 발광하고, 구동 전류(Id)는 공통 전압(ELVSS)로 흐른다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 직전 프레임에 기입된 데이터 전압에 따라 현재 프레임 기간에 복수개의 화소가 동시에 발광하고, 동시에 현재 프레임 데이터가 복수의 화소 각각에 기입되는 구동 방식에 따라 동작한다.
이하에서, 도 6을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 상세히 설명한다.
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도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6에 도시된 또 다른 실시예는 도 1에 도시된 일 실시예와 비교하여 제2 배선부만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 층간 절연막(160) 위에는 데이터선(171), 보조 데이터선(174), 구동 소스 전극(176a), 구동 드레인 전극(177a), 더미 데이터 부재(178) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 데이터 배선층이 형성되어 있다.
층간 절연막(160) 상에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180)은 보호 개구부(181)를 가진다. 데이터 배선층(171, 174, 176a, 177a, 178, 179) 중 제1 배선부(178)는 보호 개구부(181)를 통해 노출되어 있고, 보호막(180)에 의해 덮여 있는 제2 배선부(174)는 보조 데이터선(174)를 포함한다.
보조 전극(192)은 보호막(180)에 형성된 접촉 구멍(83)을 통해 보조 데이터선(174)과 연결되어 있다. 보조 데이터선(174)은 저저항 물질로 이루어지며, 공통 전극에 흐르는 전류는 보조 전극(192) 및 보조 데이터선(174) 모두를 통해 흐르게 되므로 공통 전극의 전압 강하 현상은 방지된다. 또한, 보조 전극(192)의 면적을 줄일 수 있으므로 보조 전극(192)이 차지하는 면적을 줄여 개구율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 또 다른 실시예에서 전압 강하를 더욱 최소화하기 위해 보조 전극과 연결되는 제2 배선부를 형성하였으나, 이러한 제2 배선부를 이용하여 스토리지 커패시터를 형성하는 또 다른 실시예도 가능하다.
이하에서, 도 7을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7에 도시된 또 다른 실시예는 도 6에 도시된 일 실시예와 비교하여 스토리지 커패시터만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110) 위에 버퍼층(111)이 형성되어 있고, 버퍼층(111) 위에 구동 반도체층(131a)이 형성되어 있다.
구동 반도체층(131a) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125a) 및 제1 스토리지 전극(127)를 포함하는 게이트 배선층이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125a) 및 제1 스토리지 전극(127)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160) 위에는 데이터선(171), 보조 데이터선(174), 구동 소스 전극(176a), 구동 드레인 전극(177a), 더미 데이터 부재(178) 및 데이터 패드부(179)를 포함하는 데이터 배선층이 형성되어 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 중첩하여 배치되는 제1 스토리지 전극(127)과, 보조 데이터선(174)으로 이루어지는 제2 스토리지 전극(174)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(160)은 유전체가 되며, 스토리지 커패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 전극(127, 174) 사이의 전압에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage Capacitance)가 결정된다.
이와 같이, 별도의 마스크로 반도체층에 스토리지 도핑을 진행하여 제1 스토리지 전극을 형성하지 않고, 제1 스토리지 전극을 게이트 배선층으로 형성함으로써, 마스크를 줄일 수 있다. 따라서, 제조 비용을 절감하고, 제조 시간을 단축할 수 있다.
층간 절연막(160) 상에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180)은 보호 개구부(181)를 가진다. 데이터 배선층(171, 174, 176a, 177a, 178, 179) 중 제1 배선부(178)는 보호 개구부(181)를 통해 노출되어 있고, 보호막(180)에 의해 덮여 있는 제2 배선부(174)는 보조 데이터선(174)를 포함한다.
보조 전극(192)은 보호막(180)에 형성된 접촉 구멍(83)을 통해 보조 데이터선(174)과 연결되어 있다. 보조 데이터선(174)은 저저항 물질로 이루어지며, 공통 전극에 흐르는 전류는 보조 전극(192) 및 보조 데이터선(174) 모두를 통해 흐르게 되므로 공통 전극의 전압 강하 현상은 방지된다. 또한, 보조 전극의 면적을 줄일 수 있으므로 보조 전극이 차지하는 개구율을 줄일 수 있어 수명도 개선할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
110: 기판 121: 스캔선
122: 보상 제어선 123: 동작 제어선
124: 리셋 제어선 171: 데이터선
172: 구동 전압선 178: 더미 데이터 부재
191: 화소 전극 270: 공통 전극
370: 유기 발광층

Claims (14)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 배선층,
    상기 게이트 배선층을 덮고 있는 층간 절연막,
    상기 층간 절연막 위에 형성되어 있고, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 및 상기 데이터선과 절연되어 있는 더미 데이터 부재를 포함하는 데이터 배선층,
    상기 데이터 배선층 및 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 보호 개구부를 가지는 보호막,
    상기 보호 개구부에 의해 노출된 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막,
    상기 화소 전극을 덮고 있는 유기 발광층,
    상기 유기 발광층 및 화소 정의막을 덮고 있는 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 데이터 배선층의 상기 제1 배선부는 상기 더미 데이터 부재를 포함하고,
    상기 데이터 배선층의 제1 배선부 및 층간 절연막과 접촉하고 있는 화소 전극은 상기 데이터 배선층의 제1 배선부와 접촉하고 있는 볼록 화소부, 상기 층간 절연막과 접촉하고 있는 오목 화소부를 포함하여, 요철을 가지는 유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에서,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 이격되어 있는 보조 전극을 더 포함하고,
    상기 보조 전극은 상기 공통 전극과 접촉하고 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 화소 정의막은 상기 보조 전극을 노출하는 보조 개구부를 가지며,
    상기 공통 전극은 상기 보조 개구부를 통해 상기 보조 전극과 접촉하고 있는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 데이터 배선층은 상기 데이터선과 절연되어 있는 제2 배선부를 포함하고,
    상기 보조 전극은 상기 보호막에 형성된 접촉 구멍을 통해 상기 데이터 배선층의 제2 배선부와 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 보조 전극은 상기 화소 전극과 동일한 물질로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 게이트 배선층은 상기 데이터 배선층의 제2 배선부와 중첩하고 있는 제1 스토리지 전극을 포함하고,
    상기 데이터 배선층의 제2 배선부는 제2 스토리지 전극인 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 게이트 배선층은 스캔 신호를 전달하는 스캔선을 더 포함하고,
    상기 데이터 배선층은 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 스캔선과 교차하며 보상 제어 신호를 전달하는 보상 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 동작 제어 신호를 전달하는 동작 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 리셋 신호를 전달하는 리셋 제어선을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제10항에서,
    상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터,
    상기 보상 제어선에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터,
    상기 동작 제어선 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터,
    상기 구동 전압선과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터,
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
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