JP6995581B2 - 発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加している。よって、近年には、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、発光表示装置（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）のような多様な表示装置が活用されている。発光表示装置は、有機発光素子を用いる有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）と、マイクロ発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含むマイクロ発光表示装置とを含む。
有機発光表示装置を含む発光表示装置は、自己発光型のもので、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べ、視野角、対照比などに優れ、別途のバックライトが不要であって軽薄短小型が可能であり、消費電力が少なくて有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧による駆動が可能であり、応答速度が早く、特に製造コストが低い利点がある。
有機発光表示装置は、アノード電極、アノード電極を区画するバンク、アノード電極上に形成される正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、及び電子輸送層上に形成されるカソード電極を含む。この場合、アノード電極に高電位電圧が印加されるとともにカソード電極に低電位電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して有機発光層に移動し、有機発光層で互いに結合して発光することになる。
有機発光表示装置において、光を発光する画素は、アノード電極、有機発光層、及びカソード電極が順次積層された領域に形成される。バンクは光を発光しない非発光部に形成される。すなわち、バンクは、画素を画定する画素画定膜としての役目を果たす。
アノード電極はコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続され、薄膜トランジスタを介して高電位電圧を受ける。有機発光層はコンタクトホールの段差によってコンタクトホール内で均一に蒸着されにくいから、コンタクトホールに形成されずにバンクで覆われることになる。
一方、近年には、有機発光表示装置を含むヘッド装着型ディスプレイ（ＨＭＤ：Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）が開発されている。ヘッド装着型ディスプレイは、眼鏡又はヘルメットの方式で着用して使用者の目前の近くの距離に焦点が形成されるバーチャルリアリティー（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）又は拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）のモニター装置である。ヘッド装着型ディスプレイ、モバイルなどに使われる小型有機発光表示装置は高解像度を有するので、画素のサイズが次第に小さくなっている。
しかし、コンタクトホールはフォトリソグラフィ工程で形成され、フォトリソグラフィ工程の限界によって所定のサイズ以下に形成できない。すなわち、画素のサイズが小さくなってもコンタクトホールが小さくなるのには限界がある。特に、コンタクトホールは非発光部に配置されるので、画素のサイズが小さくなる場合、画素内での非発光部の面積の比率が高くなり、発光部の面積の比率が低くなる。画素内で発光部の面積の比率が低くなる場合、発光部の減少した比率を補償するために発光部の輝度が高くならなければならない。よって、有機発光層の寿命が縮むことになる。
また、画素のサイズが小さくなる場合、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極のサイズがコンタクトホールのサイズより小さくなることがある。この場合、アノード電極がコンタクトホールを通じて露出されたソース電極又はドレイン電極の上面にだけ形成されるものではなく、コンタクトホールの底面とソース電極又はドレイン電極の側面にも形成できる。これにより、アノード電極がコンタクトホールの底面とソース又はドレイン電極間の段差によってソース電極又はドレイン電極の側面で図１Ａ及び図１Ｂのように断線され得る。よって、画素が発光しない点灯不良が発生し得る。
本発明は、有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、点灯不良を防止することができる発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施例による発光表示装置は、複数の画素とコンタクトホールとを含み、前記複数の画素のそれぞれは、ゲート電極、前記ゲート電極と重畳するアクティブ層、前記アクティブ層の一側に接続されたソース電極、及び前記アクティブ層の他側に接続されたドレイン電極を有するトランジスタ；及び第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、及び前記発光層上に配置された第２電極を有する発光素子を含み、少なくとも二つの画素の前記第１電極は、前記コンタクトホールで各ソース電極又は各ドレイン電極に電気的に接続される。
本発明の他の実施例による発光表示装置は、複数の画素とコンタクトホールとを含み、前記複数の画素のそれぞれは、ゲート電極、ソース領域、及びドレイン領域を有するトランジスタ；前記ソース領域に接続されたソース電極；前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極；補助電極；及び前記補助電極上に配置された発光素子の第１電極を含み、少なくとも二つの画素の前記補助電極は、前記コンタクトホールで各ソース電極又は各ドレイン電極に電気的に接続される。
本発明の実施例は、隣接した画素が有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールを共有することができる。その結果、本発明の実施例は、共有コンタクトホールによって発光部の面積が減少することを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部の面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
また、本発明の実施例は、共有コンタクトホールで第１電極層を食刻（エッチング）して第１電極を形成することにより、第１電極がコンタクトホールの底面とドレイン電極間の段差によってソース又はドレイン電極の側面で断線されることを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
また、本発明の実施例は、第２平坦化膜上に第１電極を形成し、第２平坦化膜上に第１電極の縁部を覆うバンクを形成する。したがって、本発明の実施例は、第１電極を第２平坦化膜まで広く形成することができるので、発光部の面積を増やすことができる。その結果、本発明の実施例は、有機発光層の寿命を伸ばすことができる。
明細書全般にわたって同じ参照符号は実質的に同一の構成要素を意味する。以下の説明で、本発明の核心構成と関連がない場合及び本発明の技術分野に公知となった構成及び機能についての詳細な説明は省略することができる。本明細書で記述する用語の意味は次のように理解されなければならないであろう。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施例を参照すると明らかになるであろう。しかし、本発明は、以下に開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態に具現可能であり、単に本発明の実施例は、本発明の開示を完全になるようにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
本発明の実施例を説明するための図面に開示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは例示的なものであるため、本発明が図示の事項に限定されるものではない。明細書全般にわたって同じ参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨をあいまいにする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
本明細書で言及する「含む」、「有する」、「なる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数で表現した場合には、特に明示的な記載事項がない限り、複数の場合を含む。
構成要素の解釈において、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係についての説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」などのように二つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」又は「直接」が使用されない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間関係についての説明の場合、例えば、「～後に」、「～に次いで」、「～次に」、「～前に」などのように時間的前後関係が説明される場合、「すぐ」又は「直接」が使用されない限り、連続的ではない場合も含むことができる。
第１、第２などが様々な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、例えば、本発明の技術的思想内で、第１構成要素は第２構成要素と称することができるし、同様に第２の構成要素は第１の構成要素と称することもできる。
「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」及び「Ｚ軸方向」は、相互間の関係が垂直をなす幾何学的な関係のみを有するものと解釈されてはならず、本発明の構成が機能的に作用することができる範囲内でもっと広い方向性を有することを意味し得る。
「少なくとも１つ」という用語は、１つ以上の関連項目から提示可能な全ての組合せを含むものと理解しなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、及び第３項目のうち少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目、又は第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目、及び第３項目のうち２つ以上から提示可能な全ての項目の組合せを意味し得る。
本発明の様々な例のそれぞれの特徴が、部分的又は全体的に互いに結合又は組合せ可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施されてもよく、関連関係をもって共に実施されてもよい。
以下、添付図面に基づいて本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図２は本発明の一実施例による有機発光表示装置を示す斜視図である。図３は図２の有機発光表示装置を詳細に示す平面図である。
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施例による表示装置１００は、表示パネル１１０、ゲート駆動部１２０、ソースドライブ集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下「ＩＣ」という）１３０、軟性（フレキシブル）フィルム１４０、回路基板１５０、及びタイミング制御部１６０を含む。
表示パネル１１０は、第１基板１１１及び第２基板１１２を含む。第２基板１１２は封止基板であってもよい。第１基板１１１はプラスチックフィルム又はガラス基板であってもよい。第２基板１１２はプラスチックフィルム、ガラス基板、又は封止フィルム（保護フィルム）であってもよい。
第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上には、複数のゲートライン、複数のデータライン、及び複数の画素Ｐが形成される。画素はゲートラインとデータラインの交差構造によって画定される領域に設けられる。
画素のそれぞれは、薄膜トランジスタと第１電極、有機発光層、及び第２電極を備える有機発光素子を含むことができる。画素のそれぞれは、薄膜トランジスタによってゲートラインからゲート信号が入力される場合、データラインのデータ電圧によって有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素のそれぞれの有機発光素子は所定の電流によって所定の明るさで発光することができる。画素についての詳細な説明は図４及び図８を参照して後述する。
表示パネル１１０は、図３のように、画素が形成されて画像を表示する表示領域ＤＡと画像を表示しない非表示領域ＮＤＡに区分することができる。表示領域ＤＡにはゲートライン、データライン、及び画素が形成できる。非表示領域ＮＤＡにはゲート駆動部１２０と複数のパッドが形成できる。
ゲート駆動部１２０は、タイミング制御部１６０から入力されるゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域ＤＡの一側又は両側の外側部の非表示領域ＮＤＡにＧＩＰ（Ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）方式で形成できる。または、ゲート駆動部１２０は、駆動チップで製作されて軟性フィルムに実装され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネル１１０の表示領域ＤＡの一側又は両側の外側部の非表示領域ＮＤＡに付着されることもできる。
ソースドライブＩＣ１３０は、タイミング制御部１６０からデジタルビデオデータとソース制御信号を受ける。ソースドライブＩＣ１３０は、ソース制御信号に応じてデジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブＩＣ１３０が駆動チップで製作される場合、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）又はＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム１４０に実装できる。
表示パネル１１０の非表示領域ＮＤＡには、データパッドのような複数のパッドが形成できる。軟性フィルム１４０には、パッドとソースドライブＩＣ１３０を連結する配線、及びパッドと回路基板１５０の配線を連結する配線が形成できる。軟性フィルム１４０は異方性導電フィルム（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）を用いてパッド上に付着され、これによってパッドと軟性フィルム１４０の配線が連結できる。
回路基板１５０は軟性フィルム１４０に付着できる。回路基板１５０には駆動チップで具現された多数の回路が実装できる。例えば、回路基板１５０にはタイミング制御部１６０が実装できる。回路基板１５０は、プリント基板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）又はフレキシブルプリント基板（ＦＰＣＢ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であってもよい。
タイミング制御部１６０は、回路基板１５０のケーブルを介して、外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号を受ける。タイミング制御部１６０は、タイミング信号に応じてゲート駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブＩＣ１３０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部１６０はゲート制御信号をゲート駆動部１２０に供給し、ソース制御信号をソースドライブＩＣ１３０に供給する。
図４は表示領域の画素の一例を示す平面図である。
図４では、説明の便宜のために、画素Ｐ、発光部ＥＡ、有機発光素子の第１電極ＡＮＤ、トランジスタのドレイン電極ＳＤ、及び共有コンタクトホールＣＴＳのみを示した。
図４を参照すると、複数の画素Ｐが形成され、それぞれの画素Ｐは少なくとも一つの薄膜トランジスタと有機発光素子を含む。
薄膜トランジスタは、アクティブ層、アクティブ層と重畳するゲート電極、アクティブ層の一側に接続されるソース電極、及びアクティブ層の他側に接続されるドレイン電極ＳＤを含むことができる。アクティブ層は、ソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域の間に配置されたチャネル領域を含む。したがって、ソース電極はアクティブ層のソース領域に接続され、ドレイン電極はアクティブ層のドレイン領域に接続できる。一方、薄膜トランジスタは他の適切な種類のトランジスタに取り替えられることができる。
有機発光素子は、アノード電極に相当する第１電極ＡＮＤ、有機発光層、及びカソード電極に相当する第２電極を含むことができる。発光部ＥＡは、第１電極ＡＮＤ、有機発光層、及び第２電極が順次積層されて、第１電極ＡＮＤからの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して光を発光する領域を提供する。隣接した画素Ｐの発光部ＥＡはバンクによって区画することができ、これによりバンクは光を発光しない非発光部に相当する。
Ｎ（Ｎは２以上の整数）個の画素Ｐは図４のように共有コンタクトホールＣＴＳを共有する。共有コンタクトホールＣＴＳは、Ｎ個の画素Ｐのそれぞれの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤを有機発光素子の第１電極ＡＮＤに電気的に接続するために形成されたホールである。Ｎ個の画素Ｐのそれぞれの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは共有コンタクトホールＣＴＳを通じて露出することができる。
Ｎ個の画素Ｐのそれぞれの有機発光素子の第１電極ＡＮＤは共有コンタクトホールＣＴＳによって薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤに接続できる。
また、有機発光素子の第１電極ＡＮＤと薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは同時に食刻して形成することができる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳで有機発光素子の第１電極ＡＮＤの一側端と薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一側端が一致するように形成できる。
また、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合うそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは、互いに向き合うように配置できる。これにより、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合うそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤが一つの共有コンタクトホールＣＴＳを通じて露出することができる。したがって、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う画素Ｐが有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。
また、共有コンタクトホールＣＴＳは第１方向（例えば、Ｙ軸方向）と交差する第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に長く形成できる。第１方向（例えば、Ｙ軸方向）は有機発光表示装置においてデータラインと整列される方向であり、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）は有機発光表示装置においてゲートラインと整列される方向であり得る。すなわち、共有コンタクトホールＣＴＳはゲートラインと整列されるように形成できる。これにより、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う複数のそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤが一つの共有コンタクトホールＣＴＳを通じて露出することができる。したがって、Ｎ個の画素Ｐが有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。
図４では、“Ｎ＝８”のものを例示したが、これに限定されない。すなわち、図５のように“Ｎ＝２”であるか、あるいは、図６のように“Ｎ＝４”であってもよい。図５のように“Ｎ＝２”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う２個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。また、図６のように“Ｎ＝４”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）及び第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に隣り合う４個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することもできる。本発明の実施例において、共有コンタクトホールＣＴＳを共有する画素Ｐの個数は図４～図６に示した例に限定されない。
以上で説明したように、本発明の実施例は、Ｎ個の画素Ｐが有機発光素子の第１電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。その結果、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
一方、図４では、それぞれの画素Ｐの第１電極ＡＮＤが少なくとも一つの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤに接続されたものを例示したが、これに限定されなく、ソース電極に接続されてもよい。この場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合うそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのソース電極は、共有コンタクトホールＣＴＳで互いに向き合うように配置できる。
図７は図４の線Ｉ－Ｉ’に沿った断面の一例を示す断面図である。
図７を参照すると、第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上にはバッファー膜が形成される。バッファー膜は、透湿に弱い第１基板１１１を通じて浸透する水分から複数の薄膜トランジスタ２１０と複数の有機発光素子２６０とを保護するために第１基板１１１の一面上に形成される。バッファー膜は交互に積層された複数の無機膜を含んでいてもよい。例えば、バッファー膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、及びＳｉＯＮのいずれか一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成できる。バッファー膜は省略してもよい。
バッファー膜上には薄膜トランジスタ２１０が形成される。図５ではそれぞれの画素Ｐの第１電極２６１が少なくとも一つの薄膜トランジスタのドレイン電極２１４に接続されたものを例示したが、第１電極２６１はソース電極２１３に接続されてもよい。
薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３及びドレイン電極２１４を含む。図５ではゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート）方式で形成された薄膜トランジスタ２１０を例示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。すなわち、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート）方式又はゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部と下部に共に位置するダブルゲート方式で形成できる。
バッファー膜上にはアクティブ層２１１が形成される。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質で形成できる。バッファー膜とアクティブ層２１１との間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層が形成できる。
アクティブ層２１１上にはゲート絶縁膜２２０が形成できる。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。
ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２１２とゲートラインが形成できる。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層で形成できる。ゲート電極２１２はゲートラインに接続され、ゲートラインに提供される信号を受信することができる。
ゲート電極２１２とゲートライン上には層間絶縁膜２３０が形成できる。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。
層間絶縁膜２３０上にはソース電極２１３、ドレイン電極２１４、及びデータラインが形成できる。ソース電極２１３とドレイン電極２１４はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫くソースコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続できる。ドレイン電極２１４はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するドレインコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続できる。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、及びデータラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層で形成できる。データラインはソース電極２１３に接続され、薄膜トランジスタがゲート電極２１２に提供されるゲート信号に応じてターンオンされる場合、データラインに提供される駆動信号はドレイン電極２１４に提供できる。
ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、及びデータライン上には、薄膜トランジスタ２１０を絶縁するための保護膜２４０が形成できる。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。
保護膜２４０上には、薄膜トランジスタ２１０による段差を無くして平坦にするための第１平坦化膜２５０が形成できる。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成できる。
第１平坦化膜２５０上には有機発光素子２６０とバンク２７０が形成される。有機発光素子２６０は、第１電極２６１、有機発光層２６２、及び第２電極２６３を含む。第１電極２６１はアノード電極、第２電極２６３はカソード電極であり得る。
第１電極２６１は第１平坦化膜２５０上に形成できる。第１電極２６１は第１平坦化膜２５０を貫いて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側の縁部を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを介して、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４に接続できる。
第１電極２６１とドレイン電極２１４は同時に食刻して形成することができる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳ内で第１電極２６１の一側端とドレイン電極２１４の一側端は図７のように一致するように形成できる。すなわち、図７に示したように、ドレイン電極２１４の一側端は共有コンタクトホールＣＴＳに伸びることができ、共有コンタクトホールＣＴＳ内で第１電極の一側端で覆われることができる。また、隣接した画素Ｐの薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４は共有コンタクトホールＣＴＳで向き合うように形成できる。例えば、図７のように、共有コンタクトホールＣＴＳの左側に配置された薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４は共有コンタクトホールＣＴＳの右側に配置された薄膜トランジスタのドレイン電極と向き合うように整列できる。これにより、第１電極２６１は、共有コンタクトホールＣＴＳを横切るように隣り合う他の第１電極２６１と連結されないこともある。
第１電極２６１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンとチタンの積層構造（Ｍｏ／Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、又はＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成できる。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
バンク２７０は共有コンタクトホールＣＴＳを満たすように形成できる。よって、複数の発光部ＥＡはバンク２７０によって区画できる。すなわち、バンク２７０は発光部ＥＡを画定する役目を果たす。
発光部ＥＡのそれぞれは、アノード電極に相当する第１電極２６１、有機発光層２６２、及びカソード電極に相当する第２電極２６３が順次積層されて、第１電極２６１からの正孔と第２電極２６３からの電子が有機発光層２６２で互いに結合して発光する領域を提供する。この場合、バンク２７０が形成された領域は、光を発光しないので非発光部と定義することができる。
バンク２７０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成できる。
第１電極２６１とバンク２７０上には有機発光層２６２が形成される。有機発光層２６２は画素Ｐに共通して形成される共通層であり、白色光を発光する白色発光層であってもよい。この場合、有機発光層２６２は２スタック以上のタンデム構造に形成できる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層、少なくとも一つの発光層、及び電子輸送層を含むことができる。また、スタックの間には電荷生成層が形成できる。
正孔輸送層は、第１電極２６１又は電荷生成層から注入された正孔を発光層に円滑に伝達する役目を果たす。発光層は、リン光又は蛍光物質を含む有機物質で形成できるので、所定の光を発光することができる。電子輸送層は、第２電極２６３又は電荷生成層から注入された電子を有機発光層に円滑に伝達する役目を果たす。
電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷生成層と、ｎ型電荷生成層上に形成され、上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷生成層を含むことができる。ｎ型電荷生成層は下部スタックに電子を注入し、ｐ型電荷生成層は上部スタックに正孔を注入する。ｎ型電荷生成層は、電子輸送能力がある有機ホスト物質にＬｉ、Ｎａ、Ｋ、又はＣｓのようなアルカリ金属、又はＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、又はＲａのようなアルカリ土金属がドープされた有機層であってもよい。ｐ型電荷生成層は、正孔輸送能力を有する有機ホスト物質にドーパントがドープされた有機層であってもよい。
図７では、有機発光層２６２が画素Ｐに共通して形成される共通層であって、白色光を発光する白色発光層であるものを例示したが、本発明の実施例はこれに限定されない。すなわち、有機発光層２６２は画素Ｐ別に形成できる。この場合、画素Ｐは、赤色光を発光する赤色発光層を含む赤色画素、緑色光を発光する緑色発光層を含む緑色画素、及び青色光を発光する青色発光層を含む青色画素に区分することができる。
第２電極２６３は有機発光層２６２上に形成される。第２電極２６３は画素Ｐに共通して形成される共通層である。第２電極２６３は光透過性のＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成できる。第２電極２６３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティによって出光効率を高めることができる。第２電極２６３上にはキャッピング層が形成できる。
第２電極２６３上には封止膜２８０が配置される。封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素又は水分が浸透することを防止する役目を果たす。封止膜２８０は少なくとも一つの無機膜を含むことができる。無機膜は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物又はチタン酸化物で形成できる。また、封止膜２８０は、異物（パーティクル）が封止膜２８０を通じて有機発光層２６２と第２電極２６３に侵入することを防止するために、少なくとも一つの有機膜をさらに含むことができる。
第２基板１１２上には、複数のカラーフィルター３０１、３０２とブラックマトリックス３１０が配置され、これらは第２基板１１２と封止膜２８０との間に配置できる。カラーフィルター３０１、３０２のそれぞれは画素Ｐのそれぞれに対応するように配置できる。ブラックマトリックス３１０は部分的に重畳する隣接したカラーフィルター３０１、３０２の間に配置でき、バンク２７０に対応するように配置できる。
第２基板１１２のカラーフィルター３０１、３０２と第１基板１１１の封止膜２８０は接着層２９０を介して接着できる。これにより、第１基板１１１及び第１基板１１１上に形成された構造物は、第２基板１１２及び第２基板１１２上に形成された構造物と合着できる。接着層２９０は、透明な接着フィルム又は透明な接着樹脂であり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、又は封止フィルム（保護フィルム）であり得る。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第１電極２６１とドレイン電極２１４を同時に食刻して形成することで、共有コンタクトホールＣＴＳ内で第１電極２６１の一側端とドレイン電極２１４の一側端が一致するように形成し、隣接した画素Ｐの薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４が共有コンタクトホールＣＴＳで向き合うように形成することができる。これにより、本発明の実施例は、第１電極２６１が共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の第１電極２６１と連結されないように形成できる。したがって、本発明の実施例は、隣接した画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができるので、コンタクトホールによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができ、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
一方、図５の線ＩＩ－ＩＩ’に沿った断面図と図６の線ＩＩＩ－ＩＩＩ’に沿った断面図は図４の線Ｉ－Ｉ’に沿った断面図と実質的に同一であるので、これらについての詳細な説明は省略する。
図８は表示領域の画素のさらに他の例を示す平面図である。
図８では、説明の便宜のために、画素Ｐ、発光部ＥＡ、有機発光素子の第１電極ＡＮＤ、トランジスタのドレイン電極ＳＤ、及び共有コンタクトホールＣＴＳのみを示した。
図８に示した平面図は、有機発光素子の第１電極ＡＮＤを除き、図４に基づいて説明したものと実質的に同一である。したがって、図８の画素Ｐ、発光部ＥＡ、トランジスタのドレイン電極ＳＤ、及び共有コンタクトホールＣＴＳについての詳細な説明は省略する。
図８を参照すると、Ｎ個のそれぞれの画素Ｐの有機発光素子の第１電極ＡＮＤは、共有コンタクトホールＣＴＳを介して薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤに接続できる。
また、図８のように、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて有機発光素子の第１電極ＡＮＤの一側端は、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一側端より長く伸びるように形成できる。すなわち、有機発光素子の第１電極ＡＮＤは、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤを完全に覆うように形成できる。
一方、図８では“Ｎ＝８”のものを例示したが、これに限定されない。すなわち、図５のように“Ｎ＝２”、又は、図６のように“Ｎ＝４”であってもよい。図５のように“Ｎ＝２”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う２個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。また、図６のように“Ｎ＝４”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）と第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に隣り合う４個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することもできる。本発明の実施例において、共有コンタクトホールＣＴＳを共有する画素Ｐの個数は図４～図６に示した例に限定されない。
図９は図８の線ＩＶ－ＩＶ’に沿った断面の一例を示す断面図である。
図９に示した断面図は、有機発光素子２６０の第１電極２６１と薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の接続構造を除き、図７に基づいて説明したものと実質的に同一である。したがって、図９に示した第１及び第２基板１１１、１１２、薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０、第１平坦化膜２５０、有機発光層２６２、第２電極２６３、封止膜２８０、接着層２９０、カラーフィルター３０１、３０２及びブラックマトリックス３１０についての詳細な説明は省略する。
図９を参照すると、第１電極２６１は第１平坦化膜２５０上に形成できる。第１電極２６１は、第１平坦化膜２５０を貫いて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを介して、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４に接続できる。
ドレイン電極２１４と第１電極２６１を同時に食刻する図７に示した実施例とは違い、図９に示した実施例ではドレイン電極２１４と第１電極２６１を同時に食刻しない。よって、共有コンタクトホールＣＴＳで有機発光素子２６０の第１電極２６１の一側端は図９のように薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端より長く伸びるように形成できる。すなわち、図９のように、第１電極２６１が共有コンタクトホールＣＴＳでドレイン電極２１４の上面と側面を覆うように、第１電極２６１の一側端はドレイン電極２１４より共有コンタクトホールＣＴＳの中央に向かってもっと伸びることができる。この場合、有機発光素子２６０の第１電極２６１は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４を完全に覆うように形成できる。図９のように、第１電極２６１の一側端の少なくとも一部は、共有コンタクトホールＣＴＳの底面に接することができる。
または、ドレイン電極２１４と第１電極２６１を同時に食刻しない場合、共有コンタクトホールＣＴＳで、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端が、有機発光素子２６０の第１電極２６１の一側端より長く延在してもよい。この場合、有機発光素子２６０の第１電極２６１は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一部を覆うように形成できる。また、隣接した画素Ｐの薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４は、共有コンタクトホールＣＴＳで向き合うように形成できる。したがって、第１電極２６１は、共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の第１電極２６１と連結されないこともある。
第１電極２６１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンとチタンの積層構造（Ｍｏ／Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、又はＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成できる。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第１電極２６１が共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の第１電極２６１と連結されないように形成することができる。したがって、本発明の実施例は、隣接した画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができるので、コンタクトホールによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができ、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
図１０は表示領域の画素のさらに他の例を示す平面図である。
図１０では、説明の便宜のために、画素Ｐ、補助電極ＡＥ、有機発光素子の第１電極ＡＮＤ、トランジスタのドレイン電極ＳＤ、及び共有コンタクトホールＣＴＳのみを示した。
図１０を参照すると、複数の画素Ｐのそれぞれは少なくとも一つの薄膜トランジスタと有機発光素子を含む。
薄膜トランジスタは、アクティブ層、アクティブ層と重畳するゲート電極、アクティブ層の一側に接続されるソース電極、及びアクティブ層の他側に接続されるドレイン電極ＳＤを含むことができる。一方、薄膜トランジスタは他の適切な種類のトランジスタに取り替えられることができる。
有機発光素子は、アノード電極に相当する第１電極ＡＮＤ、有機発光層、及びカソード電極に相当する第２電極を含むことができる。発光部ＥＡは、第１電極ＡＮＤ、有機発光層、及び第２電極が順次積層されて、第１電極ＡＮＤからの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して光を発光する領域を提供する。隣接した画素Ｐの発光部ＥＡはバンクによって区画でき、これにより、バンクは光を発光しない非発光部に相当する。
Ｎ（Ｎは２以上の整数）個の画素Ｐは、図１０のように、共有コンタクトホールＣＴＳを共有する。共有コンタクトホールＣＴＳは、補助電極ＡＥを介してＮ個のそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤを有機発光素子の第１電極ＡＮＤに電気的に接続するために形成されたホールである。Ｎ個の画素Ｐのそれぞれの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは共有コンタクトホールＣＴＳで補助電極ＡＥに接続でき、補助電極ＡＥは第１電極ＡＮＤに接続できる。
補助電極ＡＥは有機発光素子の第１電極ＡＮＤに接続される。Ｎ個のそれぞれの画素Ｐの補助電極ＡＥは共有コンタクトホールＣＴＳを介して薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤに接続できる。
補助電極ＡＥと薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは同時に食刻して形成できる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳで補助電極ＡＥの一側端と薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一側端は一致するように形成できる。または、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極ＡＥの一側端は、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一側端より長く延在できる。すなわち、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極ＡＥは、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤを完全に覆うように形成できる。または、共有コンタクトホールＣＴＳで、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一側端は、補助電極ＡＥの一側端より長く延在できる。すなわち、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極ＡＥは、薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤの一部を覆うように形成できる。
また、Ｎ個の画素Ｐのうち、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有する。このために、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合うそれぞれの画素Ｐの薄膜トランジスタのドレイン電極ＳＤは、共有コンタクトホールＣＴＳで互いに向き合うように配置できる。
また、共有コンタクトホールＣＴＳは、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）と交差する第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に長く形成できる。第１方向（例えば、Ｙ軸方向）は有機発光表示装置においてデータラインと整列される方向であり、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）は有機発光表示装置においてゲートラインと整列される方向であり得る。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳはゲートラインと整列されるように形成できる。
図１０では“Ｎ＝８”のものを例示したが、これに限定されない。すなわち、図５のように“Ｎ＝２”、又は、図６のように“Ｎ＝４”であってもよい。図５のように“Ｎ＝２”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）に隣り合う２個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。また、図６のように“Ｎ＝４”の場合、第１方向（例えば、Ｙ軸方向）と第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に隣り合う４個の画素Ｐごとに共有コンタクトホールＣＴＳを共有することもできる。本発明の実施例において、共有コンタクトホールＣＴＳを共有する画素Ｐの個数は図４～図６に示した例に限定されない。
以上で説明したように、本発明の実施例は、Ｎ個の画素Ｐが有機発光素子の補助電極と薄膜トランジスタのドレイン電極を接続するための共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができる。その結果、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
図１１は図７の線Ｖ－Ｖ’に沿った断面の一例を示す断面図である。
図１１に示した断面図は、補助電極２６４と第２平坦化膜２７１が付け加わり、第１電極２６１とバンク２７２の位置が変更されたことを除き、図７に基づいて説明したものと実質的に同一である。したがって、図１１に示した第１及び第２基板１１１、１１２、薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０、第１平坦化膜２５０、有機発光層２６２、第２電極２６３、封止膜２８０、接着層２９０、カラーフィルター３０１、３０２及びブラックマトリックス３１０についての詳細な説明は省略する。また、図１１に示した第２平坦化膜２７１は図７に示したバンク２７０に対応する。しかし、図１１のように、バンク２７２は第２平坦化膜２７１上に形成され、隣接した画素Ｐの発光部ＥＡを区画するので、光を発光しない非発光領域に相当する。よって、バンク２７２は図１１の発明の詳細な説明で“バンク”といい、非発光領域を画定しない第２平坦化膜２７１は“第２平坦化膜”という。
図１１を参照すると、補助電極２６４は、第１平坦化膜２５０を貫いて薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを介して、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４に接続できる。
補助電極２６４とドレイン電極２１４は同時に食刻して形成できる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳで補助電極２６４の一側端とドレイン電極２１４の一側端は図１１のように一致するように形成できる。または、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極２６４の一側端は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端より長く延在できる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極２６４は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４を完全に覆うように形成でき、補助電極２６４の一側端の一部が共有コンタクトホールＣＴＳで層間絶縁膜２３０の露出した面に接触するようにドレイン電極２１４の一側端の縁部を過ぎるように延在できる。または、共有コンタクトホールＣＴＳで、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端は、補助電極２６４の一側端より長く延在できる。この場合、共有コンタクトホールＣＴＳで、補助電極２６４は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一部を覆うように形成できる。
また、隣接した画素Ｐの薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４は、共有コンタクトホールＣＴＳで互いに向き合うように形成できる。また、隣接した画素Ｐの補助電極２６４は、共有コンタクトホールＣＴＳで互いに向き合うように形成できる。これにより、補助電極２６４は、共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の補助電極２６４と連結されないこともある。ドレイン電極２１４は共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の補助電極２６４と連結されないこともある。
補助電極２６４は透明な金属物質又は不透明な金属物質で形成できる。透明な金属物質はＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過性金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）であってもよい。不透明な金属物質は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンとチタンの積層構造（Ｍｏ／Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、又はＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）であってもよい。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金であってもよい。
補助電極２６４と共有コンタクトホールＣＴＳ上には第２平坦化膜２７１が形成される。第２平坦化膜２７１は共有コンタクトホールＣＴＳを満たすように形成できる。第２平坦化膜２７１は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成できる。
補助電極２６４と第２平坦化膜２７１上には第１電極２６１が形成される。第１電極２６１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンとチタンの積層構造（Ｍｏ／Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、又はＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成できる。ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金であってもよい。
バンク２７２は第２平坦化膜２７１上に形成される。また、バンク２７２は共有コンタクトホールＣＴＳ上に伸びた第１電極２６１の縁部を覆うように形成できる。バンク２７２は発光部ＥＡを画定する役目を果たす。
発光部ＥＡのそれぞれは、アノード電極に相当する第１電極２６１、有機発光層２６２、及びカソード電極に相当する第２電極２６３が順次積層されて、第１電極２６１からの正孔と第２電極２６３からの電子が有機発光層２６２で互いに結合して発光する領域を提供する。この場合、バンク２７２が形成された領域は、光を発光しないので非発光部と定義することができる。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第１電極２６１の代わりに補助電極２６４を介して共有コンタクトホールＣＴＳで薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極２１４と接続する。この場合、本発明の実施例は、補助電極２６４が共有コンタクトホールＣＴＳで隣接した他の補助電極２６４と連結されないように形成される。したがって、本発明の実施例は、隣接した画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができるので、コンタクトホールによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができ、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
また、本発明の実施例は、第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１を形成し、第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１の縁部を覆うバンク２７０を形成する。したがって、本発明の実施例は、第１電極２６１を、第２平坦化膜２７１まで形成し、さらには第２平坦化膜２７１上に部分的に延在するように形成することができるので、発光部ＥＡの面積を増やすことができる。その結果、本発明の実施例は、有機発光層の寿命を伸ばすことができる。
図１２は本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１３Ａ～図１３Ｇは本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための図４の線Ｉ－Ｉ’に沿った断面図である。
図１３Ａ～図１３Ｇに示した断面図は前述した図７に示した有機発光表示装置の製造方法に関するものなので、同じ構成に対して同一の図面符号を付与した。以下では、図１２及び図１３Ａ～図１３Ｇに基づいて本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
ステップＳ１０１で、図１３Ａのように、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、及びドレイン金属層２１４’を形成し、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３及びドレイン金属層２１４’上に保護膜２４０を形成する。
具体的に、薄膜トランジスタを形成する前、第１基板１１１を通じて浸透する水分から保護するために、第１基板１１１上にバッファー膜を形成することができる。バッファー膜は透湿に弱い第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２１０と有機発光素子２６０を保護するためのもので、交互に積層された複数の無機膜で形成することができる。例えば、バッファー膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、ＳｉＯＮのいずれか１種以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成できる。バッファー膜はＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成できる。
その後、バッファー膜上に薄膜トランジスタのアクティブ層２１１を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などでバッファー膜上の全面にアクティブ金属層を形成することができる。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングしてアクティブ層２１１を形成することができる。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質で形成できる。
その後、アクティブ層２１１上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。
その後、ゲート絶縁膜２２０上に薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などでゲート絶縁膜２２０上の全面に第１金属層を形成することができる。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第１金属層をパターニングしてゲート電極２１２を形成することができる。ゲート電極２１２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層で形成できる。
その後、ゲート電極２１２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。
その後、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫いてアクティブ層２１１のソース及びドレイン領域を露出するソース及びドレインコンタクトホールを形成する。
その後、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン金属層２１４’を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などで層間絶縁膜２３０上の全面とソース及びドレインコンタクトホール内に第２金属層を形成することができる。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングしてソース電極２１３とドレイン金属層２１４’を形成することができる。ソース電極２１３はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫くソースコンタクトホールを介してアクティブ層２１１の一側のソース領域に接続できる。ドレイン金属層２１４’はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫くドレインコンタクトホールを介してアクティブ層２１１の他側のドレイン領域に接続できる。ソース電極２１３とドレイン金属層２１４’は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層で形成できる。一方、図１３Ａのように隣接した画素Ｐにおいてドレイン金属層２１４’は互いに連結されるように形成できる。
その後、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン金属層２１４’、及び層間絶縁膜２３０上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。保護膜２４０はＣＶＤ法で形成できる。
ステップＳ１０２で、図１３Ｂのように、保護膜２４０とドレイン金属層２１４’上に第１平坦化膜２５０を形成し、ドレイン金属層２１４’を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを形成する。
具体的に、保護膜２４０とドレイン金属層２１４’上に薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための第１平坦化膜２５０を形成する。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成できる。
その後、第１平坦化膜２５０上にフォトレジストパターンを形成する。この時、フォトレジストパターンは、共有コンタクトホールＣＴＳを形成する領域を除いた領域に形成できる。
その後、フォトレジストパターンで覆われなかった第１平坦化膜２５０を食刻して、ドレイン金属層２１４’が露出するように、共有コンタクトホールＣＴＳを形成する。その後、フォトレジストパターンを除去する。
ステップＳ１０３で、図１３Ｃのように、第１平坦化膜２５０と共有コンタクトホールＣＴＳのドレイン金属層２１４’上に第１電極層２６１’を形成する。
ステップＳ１０４で、図１３Ｄのように、第１電極層２６１’上にフォトレジストパターンＰＲを形成し、フォトレジストパターンＰＲで覆われなかった第１電極層２６１’とドレイン金属層２１４’を同時に食刻して第１電極２６１とドレイン電極２１４を形成する。すなわち、フォトレジストパターンＰＲは共有コンタクトホールＣＴＳを通じて第１電極層２６１’を露出するように形成される。その後、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて第１電極層２６１’の露出した部分は食刻され、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて第１電極層２６１’の露出部分の下側に配置されたドレイン金属層２１４’の一部は同じ工程で食刻される。食刻によって第１電極２６１とドレイン電極２１４が形成される。この場合、第１電極２６１の一側端とドレイン電極２１４の一側端は図１３Ｃのように一致するように形成できる。
ステップＳ１０５で、フォトレジストパターンＰＲを除去し、共有コンタクトホールＣＴＳを満たすバンク２７０を形成する。
具体的に、図１３Ｅのように、第１電極２６１と共有コンタクトホールＣＴＳ上にバンク層２７０’を形成する。バンク層２７０’は共有コンタクトホールＣＴＳを満たすように形成される。バンク層２７０’は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂で形成することができる。バンク層２７０’は、スリットコーティング、スピンコーティング、又は蒸発法によって第１平坦化膜２５０と第１電極２６１上に形成できる。バンク層２７０’はコンタクトホール（ＣＴＳ）に満たされるように形成される。
その後、図１３Ｆのように、マスクなしにバンク層２７０’を乾式食刻（ドライエッチング）してバンク２７０を形成する。乾式食刻物質はバンク層２７０’を食刻することができるが、第１電極２６１は食刻することができない物質から選択することが好ましい。バンク２７０は第１電極２６１と実質的に同一面上に形成できる。
ステップＳ１０６で、図１３Ｇのように、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する。
具体的に、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２を蒸着工程又は溶液工程で形成する。有機発光層２６２は画素Ｐに共通して形成される共通層であり得る。この場合、有機発光層２６２は白色光を発光する白色発光層で形成できる。
有機発光層２６２が白色発光層の場合、２スタック以上のタンデム構造に形成できる。スタックのそれぞれは正孔輸送層、少なくとも一つの発光層、及び電子輸送層を含むことができる。また、スタックの間には電荷生成層が形成できる。
正孔輸送層は、第１電極２６１又は電荷生成層から注入された正孔を発光層に円滑に伝達する役目を果たす。発光層は、リン光又は蛍光物質を含む有機物質で形成できるので、所定の光を発光することができる。電子輸送層は、第２電極２６３又は電荷生成層から注入された電子を有機発光層に円滑に伝達する役目を果たす。
電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷生成層と、ｎ型電荷生成層上に形成され、上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷生成層を含むことができる。ｎ型電荷生成層は下部スタックに電子を注入し、ｐ型電荷生成層は上部スタックに正孔を注入する。ｎ型電荷生成層は、電子輸送能力がある有機ホスト物質にＬｉ、Ｎａ、Ｋ、又はＣｓのようなアルカリ金属、又はＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、又はＲａのようなアルカリ土金属がドープされた有機層であってもよい。ｐ型電荷生成層は正孔輸送能力を有する有機ホスト物質にドーパントがドープされた有機層であってもよい。
その後、有機発光層２６２上に第２電極２６３を形成する。第２電極２６３は画素Ｐに共通して形成される共通層であり得る。第２電極２６３は光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成できる。第２電極２６３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティによって出光効率が高くなることができる。第２電極２６３はスパッタリング法のような物理的気相蒸着法で形成できる。第２電極２６３上にはキャッピング層が形成できる。
その後、第２電極２６３上に封止膜２８０を形成する。封止膜２８０は有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素又は水分が浸透することを防止する役目をする。このために、封止膜２８０は少なくとも一つの無機膜を含むことができる。無機膜は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、又はチタン酸化物で形成できる。
また、封止膜２８０は少なくとも一つの有機膜をさらに含むことができる。有機膜は、異物（パーティクル）が封止膜２８０を通じて有機発光層２６２と第２電極２６３に浸入することを防止するために、十分な厚さで形成できる。
その後、カラーフィルター３０１、３０２とブラックマトリックス３１０が形成された第２基板１１２を第１基板１１１に合着する。第２基板１１２上のカラーフィルター３０１、３０２と第１基板１１１上の封止膜２８０は接着層２９０を介して接着できる。接着層２９０は透明な接着フィルム又は透明な接着樹脂でなることができる。
以上で説明したように、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳにおいてドレイン金属層２１４’と第１電極層２６１’を同時に食刻してドレイン電極２１４と第１電極２６１を形成する。その結果、本発明の実施例は、第１電極２６１が共有コンタクトホールＣＴＳにおいて隣接した他の第１電極２６１と連結されないように形成できる。したがって、本発明の実施例は、隣接した画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができるので、コンタクトホールによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができ、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
また、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳにおいてドレイン金属層２１４’と第１電極層２６１’を同時に食刻してドレイン電極２１４と第１電極２６１を形成することにより、第１電極２６１がコンタクトホールの底面とドレイン電極２１４間の段差によってソース又はドレイン電極の側面で断線されることを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
図１４は本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１５Ａ～図１５Ｄは本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための図８の線ＩＶ－ＩＶ’についての断面図である。
図１５Ａ～図１５Ｄに示した断面図は前述した図９に示した有機発光表示装置の製造方法に関するものなので、同じ構成に対して同一の図面符号を付与した。以下では、図１４及び図１５Ａ～図１５Ｄに基づいて本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
ステップＳ２０１で、図１５Ａのように、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、及びドレイン電極２１４を形成し、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３及びドレイン電極２１４上に保護膜２４０を形成する。
それぞれの薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１とゲート電極２１２、ゲート絶縁膜２２０、及び層間絶縁膜２３０を形成する方法は図１３Ａに基づいて説明した図１２のステップＳ１０１と実質的に同一であるので省略する。
層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン電極２１４を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などで層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成することができる。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングしてソース電極２１３とドレイン電極２１４を形成することができる。ソース電極２１３はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫くソースコンタクトホールを介してアクティブ層２１１の一側のソース領域に接続できる。ドレイン電極２１４はゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫くドレインコンタクトホールを介してアクティブ層２１１の他側のドレイン領域に接続できる。ソース電極２１３とドレイン電極２１４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層で形成できる。
その後、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３とドレイン電極２１４、及び層間絶縁膜２３０上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜で形成できる。保護膜２４０はＣＶＤ法で形成できる（図１４のステップＳ２０１）。
ステップＳ２０２で、図１５Ｂのように、保護膜２４０上に第１平坦化膜２５０とドレイン電極２１４を形成し、ドレイン電極２１４を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを形成する。
具体的に、保護膜２４０上に薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための第１平坦化膜２５０を形成する。第１平坦化膜２５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成できる。
その後、第１平坦化膜２５０上にフォトレジストパターンを形成する。この時、フォトレジストパターンは、共有コンタクトホールＣＴＳを形成する領域を除いた領域に形成できる。
その後、フォトレジストパターンで覆われなかった第１平坦化膜２５０を食刻してドレイン電極２１４が露出するように共有コンタクトホールＣＴＳを形成した後、フォトレジストパターンを除去する。
ステップＳ２０３で、図１５Ｃのように、第１平坦化膜２５０と共有コンタクトホールＣＴＳのドレイン電極２１４上に第１電極層２６１’を形成する（図１４のステップＳ２０３）。
ステップＳ２０４で、図１５Ｄのように、第１電極層２６１’上にフォトレジストパターンＰＲを形成し、フォトレジストパターンＰＲで覆われなかった第１電極層２６１’を食刻して第１電極２６１を形成する。
一例として、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて、有機発光素子２６０の第１電極２６１の一側端は、図１５Ｄのように、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端より長く延在できる。この場合、有機発光素子２６０の第１電極２６１は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４を完全に覆うように形成できる。または、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一側端は、有機発光素子２６０の第１電極２６１の一側端より長く延在できる。この場合、有機発光素子２６０の第１電極２６１は、薄膜トランジスタ２１０のドレイン電極２１４の一部を覆うように形成できる。
ステップＳ２０５で、フォトレジストパターンＰＲを除去し、共有コンタクトホールＣＴＳを満たすバンク２７０を形成する。
図１４のステップＳ２０５は図１３Ｅ及び図１３Ｆに基づいて説明した図１２のステップＳ１０５と実質的に同一である。したがって、図１４のステップＳ２０５についての詳細な説明は省略する。
ステップＳ２０６で、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する。
図１４のステップＳ２０６は図１３Ｇに基づいて説明した図１２のステップＳ１０６と実質的に同一である。したがって、図１４のステップＳ２０６についての詳細な説明は省略する（図１４のステップＳ２０６）。
以上で説明したように、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳにおいて第１電極層２６１’を食刻して第１電極２６１を形成する。その結果、本発明の実施例は、第１電極２６１が共有コンタクトホールＣＴＳにおいて隣接した他の第１電極２６１と連結されないように形成できる。したがって、本発明の実施例は、隣接した画素Ｐが共有コンタクトホールＣＴＳを共有することができるので、コンタクトホールによって発光部ＥＡの面積が減少することを防止することができ、発光部ＥＡの面積減少によって有機発光層の寿命が縮むことを防止することができる。
また、本発明の実施例は、共有コンタクトホールＣＴＳにおいてドレイン金属層２１４’上に第１電極層２６１’を形成し、ドレイン金属層２１４’と第１電極層２６１’を同時に食刻してドレイン電極２１４と第１電極２６１を形成することにより、第１電極２６１がコンタクトホールの底面とドレイン電極２１４間の段差によってソース又はドレイン電極の側面で断線されることを防止することができる。したがって、本発明の実施例は、画素が発光しない点灯不良が発生することを防止することができる。
図１６は本発明のさらに他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１７Ａ及び図１７Ｄは本発明のさらに他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための図１０の線Ｖ－Ｖ’についての断面図である。
図１７Ａ～図１７Ｄに示した断面図は前述した図１１に示した有機発光表示装置の製造方法に関するものなので、同じ構成に対して同一の図面符号を付与した。以下では、図１６及び図１７Ａ～図１７Ｄに基づいて本発明のさらに他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。
ステップＳ３０１で、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３、及びドレイン金属層２１４’を形成し、それぞれの薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３及びドレイン金属層２１４’上に保護膜２４０を形成する。
図１６のステップＳ３０１は図１３Ａに基づいて説明した図１２のステップＳ１０１と実質的に同一である。したがって、図１６のステップＳ３０１についての詳細な説明は省略する。
ステップＳ３０２で、保護膜２４０上に第１平坦化膜２５０を形成し、ドレイン金属層２１４’を露出する共有コンタクトホールＣＴＳを形成する。
図１６のステップＳ３０２は図１３Ｂに基づいて説明した図１２のステップＳ１０２と実質的に同一である。したがって、図１６のステップＳ３０２についての詳細な説明は省略する。
ステップＳ３０３で、第１平坦化膜２５０と共有コンタクトホールＣＴＳのドレイン金属層２１４’上に補助電極層２６４’を形成する。
図１６のステップＳ３０３は、図１３Ｃで第１電極層２６１’が補助電極層２６４’に変更されたことを除き、図１３Ｃに基づいて説明した図１２のステップＳ１０３と実質的に同一である。
ステップＳ３０４で、補助電極層２６４’上にフォトレジストパターンＰＲを形成し、フォトレジストパターンＰＲで覆われなかった補助電極層２６４’とドレイン金属層２１４’を同時に食刻して補助電極２６４とドレイン電極２１４を形成する。
図１６のステップＳ３０４は、図１３Ｄで第１電極層２６１’が補助電極層２６４’に変更され、第１電極２６１が補助電極２６４に変更されたことを除き、図１３Ｄに基づいて説明した図１２のステップＳ１０４と実質的に同一である。
ステップＳ３０５で、図１７Ａ及び図１７Ｂのように、フォトレジストパターンＰＲを除去し、共有コンタクトホールＣＴＳを満たす第２平坦化膜２７１を形成する。
具体的に、図１７Ａのように、補助電極２６４と共有コンタクトホールＣＴＳ上に第２平坦化層２７１’を形成する。第２平坦化層２７１’は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂で形成することができる。第２平坦化層２７１’は、スリットコーティング、スピンコーティング、又は蒸発法で第１平坦化膜２５０と補助電極２６４上に形成できる。第２平坦化層２７１’は共有コンタクトホールＣＴＳを満たすように形成される。
その後、図１７Ｂのように、マスクなしに第２平坦化層２７１’を乾式食刻（ドライエッチング）して第２平坦化膜２７１を形成する。乾式食刻物質は第２平坦化層２７１’を食刻することができるが、補助電極２６４は食刻することができない物質から選択することが好ましい。
ステップＳ３０６で、図１７Ｃのように、補助電極２６４と第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１を形成する。
ステップＳ３０７で、図１７Ｄのように、第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１の縁部を覆うバンク２７２を形成する。バンク２７２は発光部ＥＡを画定する役目を果たす。この場合、バンク２７２が形成された領域は、光を発光しないので非発光部と定義することができる。
ステップＳ３０８で、第１電極２６１とバンク２７２上に有機発光層２６２と第２電極２６３を形成する。
図１６のステップＳ３０８は図１３Ｇに基づいて説明した図１２のステップＳ１０６と実質的に同一である。したがって、図１６のステップＳ３０８についての詳細な説明は省略する。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１を形成し、第２平坦化膜２７１上に第１電極２６１の縁部を覆うバンク２７２を形成する。これにより、本発明の実施例は、第１電極２６１を、第２平坦化膜２７１まで形成し、さらには第２平坦化膜２７１上に部分的に延在するように形成することができるので、発光部ＥＡの面積を増やすことができる。その結果、本発明の実施例は有機発光層の寿命を伸ばすことができる。
以上、添付図面に基づいて本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範疇内で様々に変形して実施可能である。したがって、本発明で開示した実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
１００ 有機発光表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 下部基板
１１２ 上部基板
１２０ ゲート駆動部
１３０ ソースドライブＩＣ
１４０ 軟性フィルム
１５０ 回路基板
１６０ タイミング制御部
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ アクティブ層
２１２ ゲート電極
２１３ ソース電極
２１４ ドレイン電極
２２０ ゲート絶縁膜
２３０ 層間絶縁膜
２４０ 保護膜
２５０ 第１平坦化膜
２６１ 第１電極
２６２ 有機発光層
２６３ 第２電極
２６４ 補助電極
２７０、２７２ バンク
２７１ 第２平坦化膜
２８０ 封止膜
２９０ 接着層
３０１、３０２ カラーフィルター
３１０ ブラックマトリックス
１１０ 表示パネル
１１１ 下部基板
１１２ 上部基板
１２０ ゲート駆動部
１３０ ソースドライブＩＣ
１４０ 軟性フィルム
１５０ 回路基板
１６０ タイミング制御部
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ アクティブ層
２１２ ゲート電極
２１３ ソース電極
２１４ ドレイン電極
２２０ ゲート絶縁膜
２３０ 層間絶縁膜
２４０ 保護膜
２５０ 第１平坦化膜
２６１ 第１電極
２６２ 有機発光層
２６３ 第２電極
２６４ 補助電極
２７０、２７２ バンク
２７１ 第２平坦化膜
２８０ 封止膜
２９０ 接着層
３０１、３０２ カラーフィルター
３１０ ブラックマトリックス
Claims (3)
- 複数の画素と、前記複数の画素の内の隣接する２つの画素の間に設けられたコンタクトホールとを含み、
前記複数の画素のそれぞれは、
ゲート電極、前記ゲート電極と重畳するアクティブ層、前記アクティブ層の一側に接続されたソース電極、及び前記アクティブ層の他側に接続されたドレイン電極を有するトランジスタ；及び
第１電極、前記第１電極上に配置された発光層、及び前記発光層上に配置された第２電極を有する発光素子を含み、
少なくとも二つの画素の前記第１電極は、前記コンタクトホールによって第１平坦化膜から露出された各ソース電極又は各ドレイン電極に電気的に接続され、さらに
前記コンタクトホールを少なくとも部分的に満たし、かつ前記コンタクトホールで前記発光層と接する第１の部分と、前記コンタクトホールと反対側の前記第１電極の一側端で、隣接する２つの画素の間に配置される第２の部分とを備え、前記画素における発光領域画定するバンクをさらに備え、前記バンクの前記第１及び第２の部分の全表面は前記第１電極と実質的に同一面上に配置され、
隣接した画素は前記コンタクトホールを共有し、前記隣接したそれぞれの画素の前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極は前記コンタクトホールで互いに向き合い、
前記少なくとも二つの画素の前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、前記コンタクトホールで第１方向に互いに向き合うように配置され、
前記コンタクトホールは、前記第１方向と交差する第２方向に長く延在し、
前記少なくとも二つの画素の前記第１電極の一側端は、前記コンタクトホールで前記各ソース電極又は前記各ドレイン電極の一側端と一致することを特徴とする、発光表示装置。 - 前記トランジスタは、前記アクティブ層と前記ゲート電極の間に配置されたゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に配置された層間絶縁膜、及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置された前記第１平坦化膜を含み、
前記コンタクトホールは、前記第１平坦化膜を貫いて前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極を露出することを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。 - 前記少なくとも二つの画素は２対で配列された４個の画素を含み、前記第１電極を有する各対の画素のそれぞれは第１方向に向き合うことを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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| C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
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| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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| C13 | Notice of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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| C13 | Notice of reasons for refusal |
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| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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| C23 | Notice of termination of proceedings |
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| C03 | Trial/appeal decision taken |
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| C30A | Notification sent |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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