TWI670844B - 發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種發光顯示裝置及其製造方法，可防止發光層的壽命縮短並防止導通缺陷的發生。該發光顯示裝置包括複數個像素，該等像素的每一個包括：一電晶體，具有：一閘極電極；一主動層，與該閘極電極重疊；一源極電極，連接到該主動層的一側；以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側。該等像素進一步包括一發光裝置，具有：一第一電極；一發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在該發光層上。該發光顯示裝置包括一接觸孔，該等像素中的至少兩個的該等第一電極位於在該接觸孔中之各自源極電極或者各自汲極電極上且電性連接至在該接觸孔中之該各自源極電極或者該各自汲極電極。

Description

發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種發光顯示裝置以及其製造方法。
隨著資訊導向的社會進展，對於顯示影像的顯示裝置的各式各樣的需求係與日俱增。因此，如液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)裝置、電漿顯示面板(Plasma Display Panel，PDP)裝置以及有機發光顯示(Organic Light Emitting Display，OLED)裝置等各種形式的顯示裝置皆被使用。
發光顯示裝置包括作為自發光顯示裝置的有機發光顯示裝置，並且其視角和對比度比LCD裝置更佳。而且，由於有機發光顯示裝置不需要單獨的背光，所以可以使有機發光顯示裝置更亮更薄，並且有機發光顯示裝置的功耗優異。此外，有機發光顯示裝置以低直流(Direct Current,DC)電壓驅動，具有快速的響應時間，並且製造成本低。
有機發光顯示裝置包括：陽極電極；堤部，劃分陽極電極；電洞傳輸層；有機發光層；電子傳輸層，其形成在陽極電極上；以及陰極電極，其形成在電子傳輸層上。在此情況中，當高位準電壓施加至陽極電極，且低位準電壓施加至陰極電極時，電洞與電子會分別經由電洞傳輸層以及電子傳輸層移動到有機發光層，並且會在有機發光層中彼此結合以發出光。
在有機發光顯示裝置中，發光的像素形成在對應於順序地堆疊陽極電極、有機發光層和陰極電極的區域中。在對應於不發光的非發光區域中設有堤部。亦即，該堤部用作定義像素的像素定義層。
陽極電極通過接觸孔連接到薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)的源極電極或汲極電極，並通過TFT施加有高位準電壓。由於接觸孔的 階差高度，有機發光層難以均勻地沉積在接觸孔中，因此，有機發光層被堤部覆蓋而沒有形成在接觸孔中。
最近，正在開發各自包括有機發光顯示裝置的頭戴式顯示器。頭戴式顯示器是用於虛擬實境(Virtual Reality,VR)或擴增實境(Augmented Reality,AR)的螢幕裝置，其以眼鏡型或頭盔型佩戴，並且在使用者的眼睛近距離處形成焦點。應用於頭戴式顯示器、行動裝置等之小型有機發光顯示裝置具有高解析度，因此每個像素的尺寸逐漸減小。
然而，接觸孔通過光刻製程來形成，並且由於光刻製程的限制，接觸孔不能形成為具有一定尺寸或更小。也就是說，縱使像素的尺寸減小，但是在減小接觸孔的尺寸方面存在限制。更詳細地說，接觸孔被設置在非發光區域中，因此，當像素的尺寸減小時，像素中的非發光區域的面積比例增加，並且像素中的發光面積的面積比例減少。如果像素中的發光面積的面積比例減少，則應當增加發光區域面積的亮度以補償發光區域面積的比例減少，因此，有機發光層的壽命縮短。
此外，如果像素的尺寸減小，則TFT的源極或汲極的尺寸會變得小於接觸孔的尺寸。在此情況下，陽極電極不僅形成在通過接觸孔暴露的源極或汲極的上表面上，而且可以形成在接觸孔的底面以及源極或汲極的側表面上。因此，如圖1A和圖1B所示，由於接觸孔的底面與源極或汲極之間的階差高度，陽極電極可以在源極或汲極的側表面中斷開。出於這個原因，可能發生像素不發光的導通缺陷。
因此，本發明係關於一種發光顯示裝置以及一種製造該發光顯示裝置的方法，基本上消除了由於習知技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個方面旨在提供一種發光顯示裝置及其製造方法，其防止發光層的壽命縮短。
本發明的另一方面旨在提供一種防止發生導通缺陷的發光顯示裝置及其製造方法。
對於本發明額外的優點、目的和特點將在隨後的描述中闡明，部分內容將對於此領域具有技術者將在審視隨後的描述，或者可以藉由實施本發明瞭解到而顯而易見。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了實現這些和其他優點，並且根據本發明的目的，如在此具體化和廣泛描述的，提供了一種發光顯示裝置，包括複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一主動層，與該閘極電極重疊、一源極電極，連接到該主動層的一側、以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側；以及一發光裝置，具有一第一電極、一發光層，設置在該第一電極上、以及一第二電極，設置在該發光層上。該發光顯示裝置包括一接觸孔，以及該等像素中的至少兩個的該等第一電極位於在該接觸孔中之各自源極電極或者各自汲極電極上且電性連接至在該接觸孔中之該各自源極電極或者該各自汲極電極。
在本發明的另一實施態樣中，提供了一種發光顯示裝置，包括：複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一源極區域和一汲極區域；一源極電極，耦合到該源極區域；一汲極電極，耦合到該汲極區域；一輔助電極；以及一發光裝置的一第一電極，位於該輔助電極上。該發光顯示裝置進一步包括一接觸孔，以及該等像素中的至少兩個的該等輔助電極電性連接到在該接觸孔中之各自源極電極以及各自汲極電極。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述之本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
120‧‧‧閘極驅動器
130‧‧‧源極驅動集成電路
140‧‧‧可撓性薄膜
150‧‧‧電路板
160‧‧‧時序控制器
210‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
211‧‧‧主動層
212‧‧‧閘極電極
213‧‧‧源極電極
214‧‧‧汲極電極
214’‧‧‧汲極金屬層
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧層間介電質
240‧‧‧鈍化層
250‧‧‧第一平坦化層
260‧‧‧有機發光裝置
261‧‧‧第一電極
261’‧‧‧第一電極層
262‧‧‧有機發光層
263‧‧‧第二電極
264‧‧‧輔助電極
270‧‧‧堤部
270’‧‧‧堤部層
271‧‧‧第二平坦化層
272‧‧‧堤部
280‧‧‧封裝層
290‧‧‧黏合層
301、302‧‧‧彩色濾光片
310‧‧‧黑色矩陣
AE‧‧‧輔助電極
AND‧‧‧第一電極
CTS‧‧‧共用接觸孔
DA‧‧‧顯示區域
EA‧‧‧發光區域
NDA‧‧‧非顯示區域
P‧‧‧像素
PR‧‧‧光刻圖案
SD‧‧‧汲極電極
S101~S106‧‧‧步驟
S201~S206‧‧‧步驟
S301~S308‧‧‧步驟
本說明書包括附圖以提供對本發明的進一步理解，且將附圖併入本說明書中構成本說明書的一部分。附圖說明本發明的實施例，且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在該些圖式中：圖1A和圖1B是顯示當在接觸孔中形成有機發光層時由於接觸孔的階差高度而使陽極電極與陰極電極短路的示例的示意圖；圖2是說明本發明一個或多個實施例之有機發光顯示裝置的示意圖；圖3是說明圖2之有機發光顯示裝置的進一步細節的平面圖； 圖4是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中之像素的示例的平面圖；圖5是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中之像素的另一示例的平面圖；圖6是詳細在根據說明本發明一個或多個實施例之顯示區域中之像素的另一示例的平面圖；圖7為沿著圖4之I-I’線所截取的剖視圖；圖8是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中之像素的另一示例的平面圖；圖9為沿著圖8之IV-IV’線所截取的剖視圖；圖10是詳細說明在根據本發明一個或多個實施例之顯示區域中之像素的另一示例的平面圖；圖11為沿著圖10之V-V’線所截取之示例的剖視圖；圖12是說明根據本發明一個或多個實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖；圖13A至圖13G為沿著圖4之I-I’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法；圖14是說明根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖；圖15A到圖15D為沿圖8之IV-IV’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法；圖16是說明根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖；以及圖17A至圖17D為沿著圖10之V-V’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
現將對本發明之例示性實施例進行更詳細地參閱，其範例係繪示於附圖中。只要能便於描述本文提供的各種實施例，本發明中所有的圖式會使用相同的元件符號來標示相同或相似的元件。
在以下描述中，可能省略對公知功能、特徵或配置的詳細描述，否則在此描述的包含可能使本發明的各種實施例的描述變得模糊。說明書中描述的術語應該以下述方式被理解。
本發明的優點、特點及其實施方法將通過後面參考所附圖式描述的示例性實施例予以闡明。然而，本發明可以不同的形式體現且不應該被解釋為限制本文闡述的實施例。相反地，這些實施例被提供以使得本發明通暢完整，且會完全傳達本發明的範圍給熟悉本領域的技術人員。
在附圖中所揭露用於說明本發明實施例的形狀、尺寸、比例、角度以及數量僅為示例，從而，本發明不侷限於敘述的細節。
在本說明書中使用諸如「包括」，「具有」和「包含」等術語以具有包含性的含義，並且可以包括額外的部分，組件，特徵等，除非明確地受被術語限制為「唯一」。單數形式的用於可能包含複數形式，除非提到相反的情況。
在解釋一元件時，此元件解釋為包含的一誤差範圍，雖然沒有明確描述。
在描述位置關係時，例如，當兩個零件之間的位置關係被描述為「在...上」、「在...上方」、「在...之下」和「相鄰於...」，除非使用「緊接」或「直接」，否則一或多個其他零件可以設置在兩個零件之間。
在說明時間關係時，舉例來說，當以「之後~」、「接著~」、「下一步~」以及「之前」等用語說明暫時次序時，除非有使用「緊接」或「直接」等用語說明以外，也可以包括非連續的情況。
將被理解的是，雖然第一、第二等用詞在本文中可以被用來描述不同元件，這些元件不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用來區分一個元件與另一個元件。例如，在不背離本發明之範疇下，第一元件可以被稱為第二元件，且同樣地，第二元件可以被稱為第一元件。
這裡使用的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向不應被解釋為繪示任何特定的幾何關係或配向(例如，垂直或水平取向)，而是旨在於在本發明的要素在功能上操作的範圍內具有更廣泛的方向性。
用語「至少一個」應理解為包含一個或多個相關所列項目的任何以及所有組合。例如，「第一項目、第二項目和第三項目中的至少一個」的含 義是第一項目、第二項目和第三項目中的兩個或更多個的任意組合、以及任意之第一項目、第二項目、或第三項的其中之一。
如本領域技術人員可以充分理解的，本發明的各種實施例的特徵可以部分或者全部耦合至彼此或彼此結合，並且可以彼此間各樣的交互操作和技術性驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地進行，或者可以根據共同依附關係一起進行。
以下，將參照附圖來詳細闡述本發明之各示例性實施例。
圖2是說明根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置100的示意圖。圖3是說明圖2之有機發光顯示裝置100的進一步細節的平面圖，例如，第一基板、閘極驅動器、源極驅動積體電路(Integrated Circuit,IC)、可撓性薄膜、電路板、以及時序控制器。
參考圖2、圖3，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置100可以包括：顯示面板110；閘極驅動器120；源極驅動IC 130；可撓性薄膜140；電路板150；以及時序控制器160。
顯示面板110可以包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可為封裝基板。第一基板111可以是塑膠膜、玻璃基板等。第二基板112可以是塑膠膜、玻璃基板或封裝膜(保護膜)等。
複數條閘極線、複數條資料線和複數個像素P可以設置在第一基板111面向第二基板112的表面上。像素P可以分別設置在由這些閘極線和資料線的交叉點所定義的複數個區域中。
每個像素可以包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)和包含第一電極、有機發光層和第二電極的有機發光裝置。當閘極訊號通過閘極線輸入時，每個像素可以根據通過資料線所施加的資料電壓，藉由使用TFT向有機發光裝置供應特定的電流。因此，每一個像素的有機發光裝置可以根據該特定電流發出具有特定亮度的光。這裡將更詳細地描述像素的各種實施例。
如圖3所示，顯示面板110可以劃分為顯示區域DA和不顯示影像的非顯示區域NDA，在顯示區域DA中設置像素以顯示影像。閘極線、資料線和像素可以設置在顯示區域DA中。閘極驅動器120以及複數個墊部可以設置在非顯示區域NDA中。
閘極驅動器120可以依據從時脈控制器160輸入的閘極控制訊號將閘極訊號提供到閘極線。閘極驅動器120可以以板中閘極驅動器(Gate Driver-In Panel,GIP)類型設置在顯示面板110的顯示區域DA的一側或兩側外部的非顯示區域NDA中。或者，閘極驅動器120可以製成為驅動晶片以及被安置在可撓性薄膜中，此外，可以以捲帶式自動接合(Tape Automated Bonding,TAB)模式接合在顯示面板的一側或兩側外部的非顯示區域NDA中。
源極驅動IC 130可以從時脈控制器160接收數位視訊資料和源極控制訊號。源極驅動IC 130可以依據源極控制訊號將數位視訊資料轉換為類比視訊資料，並且可以分別將類比視訊資料提供至資料線。如果源極驅動IC 130被製成為驅動晶片，則源極驅動IC 130可以以覆晶薄膜(Chip-On Film,COF)類型或者覆晶塑膠(Chip-On Plastic,COP)類型安裝在可撓性薄膜140上。
複數個例如資料墊部的墊部可以設置在顯示面板110的非顯示區域NDA中。將該等墊部連接到源極驅動IC 130的複數條線路以及將該等墊部連接到電路板150的線路的複數條線路可以設置在可撓性薄膜140上。可撓性薄膜140可以利用各向異性導電薄膜貼附於該等墊部，因此，該等墊部可以連接至可撓性薄膜140的該等線路。
如圖所示，電路板150可以附著在可撓性薄膜140上，可撓性薄膜140可以被設置為複數個可撓性薄膜140。實現為驅動晶片的複數個電路可以安置在電路板150上。例如，時脈控制器160可以安裝在電路板150上。電路板150可為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)或者可撓性PCB(Flexible PCB,FPCB)。
時脈控制器160可通過電路板150的纜線從外部系統板(圖未顯示)接收數位視訊資料和時脈訊號。時脈控制器160可基於時脈訊號產生用於控制閘極驅動器120之操作時脈的閘極控制訊號以及用於控制源極驅動IC 130的源極控制訊號，源極驅動IC 130可以設置為複數個源極驅動IC 130。時脈控制器160可以將閘極控制訊號提供到閘極驅動器120，並且可以將源極控制訊號提供到源極驅動IC 130。
圖4是詳細說明在顯示區域中之像素的示例的平面圖。
在圖4中，為了便於描述，僅繪示了像素P、發光區域EA、有機發光裝置的第一電極AND、電晶體的汲極電極SD、以及共用接觸孔CTS。
參考圖4，可以設置複數個像素P，並且每個像素P可以包含至少一個TFT和一有機發光裝置。
TFT可以包括：主動層；閘極電極，與主動層重疊；源極電極，連接到主動層的一側；以及汲極電極，連接到主動層的另一側。主動層可以包括源極區、汲極區、以及源極區與汲極區之間的通道區。因此，源極電極可以連接到主動層的源極區域，並且汲極電極可以連接到主動層的汲極區域。TFT可以以其他類型之適用的電晶體取代。
有機發光裝置可以包括：第一電極AND，對應於陽極電極；有機發光層；以及第二電極，對應於陰極電極。發光區域EA可以代表順序地堆疊第一電極AND、有機發光層和第二電極的區域，並且來自第一電極AND的電洞和來自第二電極的電子在有機發光層中結合以發出光。相鄰的像素P的發光區域EA可以被堤部分開，因此，堤部可以對應於不發光的非發光區域。
如圖4所示，N(其中N是等於或大於2的整數)個像素P可以共享共用接觸孔CTS。共用接觸孔CTS可以是為了將N個像素P中的每個像素的TFT的汲極電極SD連接到有機發光裝置的第一電極而形成的孔。N個像素P中的每個TFT的汲極電極SD可以通過共用接觸孔CTS暴露。因此，N個像素P中的每一個的有機發光裝置的第一電極AND可以通過共用接觸孔CTS連接到TFT的汲極電極SD。
此外，有機發光裝置的第一電極AND和TFT的汲極電極SD可以通過同時蝕刻來形成。在此情況下，有機發光裝置的第一電極AND的一端部可以與共用接觸孔CTS中的TFT的汲極電極SD的一對應端部對應。
此外，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P的TFT的汲極電極SD可以被設置為彼此面對。因此，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P的TFT的汲極電極SD可以通過一個共用接觸孔CTS暴露。因此，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接到TFT的汲極電極的共用接觸孔CTS。
此外，共用接觸孔CTS可以形成有在與第一方向(例如，Y軸方向)相交的第二方向(例如，X軸方向)上延伸的長軸。第一方向(例如，Y軸方向)可以是與有機發光顯示裝置中的資料線平行的方向，而第二方向(例如，X軸方向)可以是與有機發光顯示裝置中的閘極線平行的方向。也就是說， 共用接觸孔CTS可以形成為在與閘極線平行的方向上延伸。因此，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P的TFT的汲極電極SD可以通過一個共用接觸孔CTS暴露。因此，N個像素P可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接到TFT的汲極電極的共用接觸孔CTS。
在圖4中，N被繪示為八個(N=8)，但是本實施例不限於此。例如，如圖5所示，N可以是兩個(N=2)，而如圖6所示，N可以是四個(N=4)。如圖5所示，當N=2時，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的兩個像素P可以共享共用接觸孔CTS。而且，如圖6所示，當N=4時，在第一方向(例如，在Y軸方向上相鄰的各對)上和第二方向(例如，X軸方向上相鄰的各對)上彼此相鄰的四個像素P可以共享共用接觸孔CTS。在本發明的實施例中，共享共用接觸孔CTS的像素P的數量不限於本說明書在圖4至圖6中之示例。
如上所述，在本發明的一實施例中，N個像素P可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接至TFT的汲極電極的共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，由此防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
在圖4中，每個像素P的第一電極AND被圖示為連接到TFT的汲極電極SD，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，每個像素P的第一電極AND可以連接到源極電極。在此情況下，在共用接觸孔CTS中，可以將在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P的TFT的源極電極設置為彼此面對。
圖7為說明沿著圖4之I-I’線所截取的示例的剖視圖。
參照圖7，可以在第一基板111面對第二基板112的一個表面上形成緩衝層(圖未顯示)。該緩衝層可以形成在第一基板111的表面上，用於保護複數個TFT 210和複數個有機發光裝置260免受滲透第一基板111的水的影響，而該第一基板111可能易受水滲入的破壞。該緩衝層可以包括複數個交替堆疊的無機層。例如，該緩衝層可以由矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)和氮氧化矽(SiON)的一個或多個無機層交替堆疊的多層形成。在各種實施例中可以省略該緩衝層。
TFT 210可以形成在緩衝層上。在圖7中，每個像素P的第一電極261被圖示為連接到至少一個TFT的汲極電極214，但第一電極261也可以連接到源極電極213，惟不限於此。
每個TFT 210可以包括主動層211、閘極電極212、源極電極213、以及汲極電極214。在圖7中，TFT 210示例性地繪示為形成為閘極電極212設置在主動層211上的頂部閘極型，但是本文提供的實施例不限於此。在其他實施例中，TFT 210可以形成為閘極電極212設置在主動層211下的底部閘極型，或者形成為閘極電極212設置在主動層211上和下的雙閘極型。
主動層211可以形成在緩衝層上。主動層211可以由包含矽基半導體材料或氧基半導體材料的任何半導體材料形成。用於阻擋入射到主動層211上的外部光的光阻擋層(圖未顯示)可以形成在緩衝層與主動層211之間。
閘極絕緣膜220可以設置於主動層211上。閘極絕緣層220可以由例如矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、或其多層結構的無機層形成。
閘極電極212和閘極線可以形成在閘極絕緣層220上。閘極電極212和閘極線可以分別由包含鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。閘極電極212可以連接到閘極線，使得閘極電極212接收提供在閘極線上的訊號。
層間介電質230可以形成在閘極電極212和閘極線上。層間介電質230可以由例如，SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
源極電極213、汲極電極214以及資料線可以形成在層間介電質230上。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的源極接觸孔接觸主動層211。汲極電極214可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的汲極接觸孔接觸主動層211。源極電極213、汲極電極214和資料線均可以由包含Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。資料線可以連接到源極電極213，使得當透過提供在閘極電極212處的閘極訊號導通TFT時，在資料線上提供的驅動訊號可以提供給汲極電極214。
用於絕緣TFT 210的鈍化層240可以形成在源極電極213、汲極電極214和資料線上。鈍化層240可以由例如SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
用於平坦化由TFT 210引起的階差高度的第一平坦化層250可以形成在鈍化層240上。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
有機發光裝置260和部分的堤部270可以形成在第一平坦化層250上。有機發光裝置260包括第一電極261；有機發光層262；以及第二電極263。第一電極261可作為陽極電極，而第二電極263可作為陰極電極。
第一電極261可以形成在第一平坦化層250上。第一電極261可以通過穿過第一平坦化層250的共用接觸孔CTS連接到TFT 210的汲極電極214，以暴露TFT 210的汲極電極214的邊緣。
第一電極261和汲極電極214可以通過同時蝕刻來形成。在此情況下，如圖7所示，第一電極261的一個端部可以與共用接觸孔CTS中的汲極電極214的一對應端部對應。也就是說，如圖7所示，汲極電極214的一端部延伸到共用接觸孔CTS中，並由共用接觸孔CTS中之第一電極261的一相應端部覆蓋。而且，相鄰像素P的TFT 210的汲極電極214可以形成為在共用接觸孔CTS中彼此面對。例如，如圖7所示，在共用接觸孔CTS左側上之圖7所示的TFT 210的汲極電極214對準於且面向於在共用接觸孔CTS右側上的TFT的汲極電極。因此，第一電極261可以與跨越共用接觸孔CTS之相鄰的另一第一電極261斷開。
第一電極261可以由鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉬和鈦(Ti)的疊層結構(Mo/Ti)、銅(Cu)、鋁和氧化銦錫(ITO)的疊層結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和氧化銦錫的疊層結構(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是由銀、鈀(Pd)以及銅所形成的合金。
堤部270可以形成為填充共用接觸孔CTS。而且，複數個發光區域EA可以由堤部270劃分。也就是說，堤部270可以定義發光區域EA。
發光區域EA中的每一個可以代表對應於順序地堆疊有陽極電極的第一電極261、有機發光層262和對應於陰極電極的第二電極263的區域，並且來自第一電極261的電洞和來自第二電極263的電子在有機發光層中結合以發光。在此情況下，設置堤部270的區域不發光，因此可以定義為非發光區域。
堤部270可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
有機發光層262可以形成在第一電極261和堤部270上。有機發光層262可以是共同形成在每個像素P中的公共層，並且可以是發出白光的白色發光層。在此情況下，有機發光層262可以形成為兩個或更多個疊層的串疊結構。每個疊層可以包括一電洞傳輸層、至少一有機發光層以及一電子傳輸層。
電洞傳輸層可以平順地將從第一電極261或電荷產生層注入的電洞傳遞到有機發光層262。有機發光層262可以由包括磷光材料或螢光材料的有機材料形成，因此可以發出特定的光。電子傳輸層可以平順地將從第二電極263或電荷產生層注入的電子傳遞到有機發光層262。
電荷產生層可以包括：n型電荷產生層，與下部疊層相鄰設置；以及p型電荷產生層，形成在n型電荷產生層上並且與上部疊層相鄰設置。n型電荷產生層可以將電子注入到下部疊層中，而p型電荷產生層可以將電洞注入到上部疊層中。n型電荷產生層可以形成為摻雜有諸如鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、或銫(Cs)等鹼金屬或者摻雜有諸如鎂(Mg)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、或鐳(Ra)等土鹼金屬的有機層。p型電荷產生層可以是藉由摻雜具有傳輸電洞能力的摻雜物的有機本體材料而形成的有機層。
在圖7中，說明了有機發光層262是共同形成在每個像素P中的公共層，並且是發出白光的白色發光層，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，有機發光層262可以分別設置在每個像素P中，並且在此情況下，像素P可以被分成：紅色像素，包括發出紅光之紅色發光層；綠色像素，包括發出綠光之綠色發光層；以及藍光像素，包括發出藍光之藍色發光層。
第二電極263可以形成於有機發光層262上。第二電極263可以是共同形成在每個像素P中的公共層。第二電極263可以由能夠透射光之諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料(或透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO))形成或者由諸如鎂、銀、或者鎂和銀的合金等的半透射導電材料形成。在第二電極263由半透射導電材料形成的情況下，發光效率可以通過微腔(Micro-Cavity)來增強。覆蓋層可以形成在第二電極263上。
封裝層280可以形成在二電極263上。封裝層280可以防止氧氣或濕氣滲入到有機發光層262和第二電極263中。封裝層280可以包括至少一個無機層。該無機層可以由矽氮化物、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、矽氧化物、氧化鋁、氧化鈦等形成。而且，封裝層280還可以包括至少一個有機層，用於防止顆粒經由封裝層280滲入到有機發光層262和第二電極263中。
複數個彩色濾光片301、302以及黑色矩陣310可以設置在第二基板112上並且位於第二基板112與封裝層280之間。彩色濾光片301、302可以分別與像素P對應地設置。黑色矩陣310可以設置在相鄰的彩色濾光片301、302之間且可以部分地重疊於相鄰的彩色濾光片301、302，並且可以與堤部270對應地設置。
在第二基板112上的彩色濾光片301、302可以通過黏合層290黏附到第一基板111上的封裝層280。因此，第一基板111和在其上形成的結構可以被黏合到第二基板112和在其上形成的結構。黏合層290可以是透明黏合薄膜、透明黏合樹脂等。第二基板112可以是塑膠薄膜、玻璃基板或封裝薄膜(保護膜)等等。
如上所述，在本發明的一實施例中，由於第一電極261和汲極電極214通過同時蝕刻來形成，所以在共用接觸孔CTS中之第一電極261的一端部可以對應汲極電極214的一對應端部，並且相鄰像素P的TFT 210的汲極電極214可以形成為在共用接觸孔CTS中彼此面對。因此，在本發明的一實施例中，第一電極261可以不連接到在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個第一電極261。因此，在本發明的一實施例中，由於相鄰像素P共享共用接觸孔CTS，因此防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減少之有機發光層的壽命縮短。
沿著圖5中之II-II’線所截取的剖視圖和沿著圖6中的III-III’線所截取的剖視圖與沿圖4中之I-I’線所截取的剖視圖大致相同，因此省略其詳細描述。
圖8是詳細說明在顯示區域中之像素的另一示例的平面圖。
在圖8中，為了便於描述，僅繪示了像素P、發光區域EA、有機發光裝置的第一電極AND、電晶體的汲極電極SD以及共用接觸孔CTS。
除了有機發光裝置的第一電極AND之外，圖8中所示之平面圖基本如參照圖4之上述描述。因此，省略了對圖8之像素P、發光區域EA、電晶體的汲極電極SD以及共用接觸孔CTS的詳細描述。
參考圖8，N個像素P中的每一個的有機發光裝置的第一電極AND可以通過共用接觸孔CTS連接到TFT的汲極電極SD。
此外，如圖8所示，在共用接觸孔CTS中，有機發光裝置的第一電極AND的一端可以延伸到比TFT的汲極電極SD的一端更長。也就是說，有機發光裝置的第一電極AND可以形成為完全覆蓋TFT的汲極電極SD。
在圖8中，N被繪示為八個(N=8)，但是本實施例不限於此。例如，如圖5所示，N可以是兩個(N=2)，並且如圖6所示，N可以是四個(N=4)。如圖5所示，當N=2時，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的兩個像素P可以共享共用接觸孔CTS。而且，如圖6所示，當N=4時，在第一方向(例如，在Y軸方向上相鄰的各對)上和第二方向(例如，X軸方向上相鄰的各對)上彼此相鄰的四個像素P可以共享共用接觸孔CTS。在本發明的實施例中，共享共用接觸孔CTS的像素P的數量不限於本說明書在圖4至圖6中之示例。
圖9為說明沿著圖8之IV-IV’線所截取之示例的剖視圖。
除了有機發光裝置260的第一電極261和TFT 210的汲極電極214的連接結構之外，圖9所示的剖視圖基本如參照圖7之上述描述。因此，省略了圖9中所示之第一基板111和第二基板112；TFT 210的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極電極214；閘極絕緣層220；層間介電質230；鈍化層240；第一平坦化層250；有機發光層262；第二電極263；封裝層280、黏合層290；彩色濾光片301和302；以及黑色矩陣310的詳細描述。
參照圖9，第一電極261可以形成於第一平坦化層250上。第一電極261可以通過穿過第一平坦化層250的共用接觸孔CTS連接到TFT 210的汲極電極214，以暴露TFT 210的汲極電極214的邊緣。
與圖7所示之同時蝕刻汲極電極214和第一電極261的實施例相反，圖9所示之實施例的汲極電極214和第一電極261不是同時蝕刻。因此，有機發光裝置260的第一電極261的一端部可以在共用接觸孔CTS中形成為延伸到比TFT 210的汲極電極214的一端部更長。也就是說，如圖9所示，第一 電極261的該端部可以比汲極電極214更向共用接觸孔CTS的中心延伸，使得第一電極261覆蓋汲極電極214在共用接觸孔CTS中之上表面和側表面。在此情況下，有機發光裝置260的第一電極261可以形成為完全覆蓋TFT 210的汲極電極214。如圖9所示，第一電極261的該端部的至少一部分可以接觸共用接觸孔CTS的底面，使得其被設置在共用接觸孔CTS中的層間介電質230的表面上。或者，如果汲極電極214和第一電極261未被同時蝕刻，則TFT 210的汲極電極214的該端部可以在共用接觸孔CTS中延伸到比有機發光裝置260的第一電極261的該端部更長。在此情況下，有機發光裝置260的第一電極261可以形成為覆蓋TFT 210的汲極電極214的一部分。而且，相鄰像素P的TFT 210的汲極電極214可以形成為在共用接觸孔CTS中彼此面對。因此，第一電極261可以與在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個第一電極261斷開。
第一電極261可以由鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉬和鈦(Ti)的疊層結構(Mo/Ti)、銅(Cu)、鋁和氧化銦錫(ITO)的疊層結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和氧化銦錫的疊層結構(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是由銀、鈀(Pd)以及銅所形成的合金。
如上所述，在本發明的一實施例中，第一電極261可以不連接到在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個第一電極261。因此，在本發明的一實施例中，由於相鄰像素P共享共用接觸孔CTS，因此防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減少所造成之有機發光層的壽命縮短。
圖10是詳細說明在顯示區域中之像素的另一示例的平面圖。
在圖10中，為了便於描述，僅繪示了像素P、輔助電極AE、有機發光裝置的第一電極AND、電晶體的汲極電極SD以及共用接觸孔CTS。
參照圖10，可以設置複數個像素P，並且每個像素P可以包括至少一個TFT和一有機發光裝置。
TFT可以包括主動層、與主動層重疊的閘極電極、連接到主動層的一側的源極電極、以及連接到主動層另一側的汲極電極。在各種實施例中，TFT可以用另一種合適的電晶體來代替。
有機發光裝置可以包括對應於陽極電極的第一電極AND、有機發光層、以及對應於陰極電極的第二電極。發光區域EA可以代表第一電極 AND、有機發光層、和第二電極順序地堆疊的區域，並且來自第一電極的電洞和來自第二電極的電子在有機發光層中結合以發出光。相鄰像素P的發光區域EA可以被堤部分開，並且因此堤部可以對應於不發光的非發光區域。
如圖10所示，N(其中N是等於或大於2的整數)個像素P可以共享共用接觸孔CTS。共用接觸孔CTS可以是為了將N個像素P的每一個的TFT的汲極電極SD經由輔助電極AE連接到有機發光裝置的第一電極AND而形成的孔。N個像素P的每個TFT的汲極電極SD可以連接到共用接觸孔CTS中的輔助電極AE，並且輔助電極AE可以連接到第一電極AND。
輔助電極AE可以連接到有機發光裝置的第一電極AND。N個像素中的每一個的輔助電極AE可以通過共用接觸孔CTS連接到TFT的汲極電極SD。
TFT的輔助電極AE和汲極電極SD可以通過同時蝕刻來形成。在此情況下，輔助電極AE的一端部可以與共用接觸孔CTS中的TFT的汲極電極SD的一對應端部對應。替換地，輔助電極AE的一端部可以在共用接觸孔CTS中比TFT的汲極電極SD的一端部更長地延伸。也就是說，輔助電極AE可以形成為完全覆蓋共用接觸孔CTS中的TFT的汲極電極SD的該端部。替換地，TFT的汲極電極SD的該端部可以在共用接觸孔CTS中比輔助電極AE的該端部更長地延伸。也就是說，輔助電極AE可以形成為僅覆蓋在共用接觸孔CTS中TFT的汲極電極SD的一部分。
此外，在N個像素P的第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的像素P可以共享共用接觸孔CTS。為此，像素P的在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的TFT的汲極電極SD可以被設置為在共用接觸孔CTS中彼此面對。
此外，共用接觸孔CTS可以形成有在與第一方向(例如，Y軸方向)相交的第二方向(例如，X軸方向)上延伸的長軸。第一方向(例如，Y軸方向)可以是與有機發光顯示裝置中的資料線平行的方向，並且第二方向(例如，X軸方向)可以是與有機發光顯示裝置中的閘極線平行的方向。在此情況下，共用接觸孔CTS可以形成為在與閘極線平行的方向上延伸。
在圖10中，N被繪示為八個(N=8)，但是本實施例不限於此。例如，如圖5所示，N可以是兩個(N=2)，並且如圖6所示，N可以是四個 (N=4)。如圖5所示，當N=2時，在第一方向(例如，Y軸方向)上彼此相鄰的兩個像素P可以共享共用接觸孔CTS。而且，如圖6所示，當N=4時，在第一方向(例如，在Y軸方向上相鄰的各對)上和第二方向(例如，X軸方向上相鄰的各對)上彼此相鄰的四個像素P可以共享共用接觸孔CTS。在本發明的實施例中，共享共用接觸孔CTS的像素P的數量不限於圖4至圖6所示的示例。
如上所述，在本發明的一實施例中，N個像素P可以共享用於將輔助電極連接到TFT的汲極電極的共用接觸孔CTS。因此，在本發明的一實施例中，防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，由此防止了由於發光區域EA的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
圖11是說明沿著圖10之V-V’線所截取之示例的剖視圖。
除了進一步設置輔助電極264和第二平坦化層271並且改變第一電極261和堤部272的位置之外，圖11所示的剖視圖基本上如參考圖7之上述描述。因此，將省略圖11所示之第一基板111和第二基板112；TFT 210的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極電極214；閘極絕緣層220；層間介電質230、鈍化層240、第一平坦化層250、有機發光層262、第二電極263、封裝層280；黏合層290；彩色濾光片301和302；以及黑色矩陣310的詳細描述。而且，應注意的是圖11中所示的第二平坦化層271基本上對應於圖7中所示的堤部270。然而，如圖11所示，堤部272形成在第二平坦化層271上方，並且堤部272劃分相鄰像素P的發光區域EA，從而對應於不發光的非發光區域。因此，堤部272被稱為在圖11描述中的「堤部」，而不定義非發光區域的層271被稱為第二平坦化層271。
參照圖11，輔助電極264可以通過穿過第一平坦化層250的共用接觸孔CTS連接到TFT 210的汲極電極214，以暴露TFT 210的汲極電極214的邊緣。
輔助電極264和汲極電極214可以通過同時蝕刻來形成。在此情況下，如圖11所示，輔助電極264的一端部可以與共用接觸孔CTS中的TFT 210的汲極電極214的一對應端部對應。可替代地，輔助電極264的該端部可以比TFT 210的汲極電極214的該端部更長地延伸到共用接觸孔CTS中。在此情況下，輔助電極264可以被形成為完全覆蓋TFT 210的汲極電極214，並且可以 延伸超過汲極電極214的邊緣，使得輔助電極264的該端部的一部分可以接觸共用接觸孔CTS中的層間介電質230的暴露表面。或者，TFT 210的汲極電極214的該端部可以比輔助電極264的該端部更長地延伸到共用接觸孔CTS中。在此情況下，輔助電極264可以被形成為僅覆蓋TFT 210的汲極電極214的一部分。
而且，相鄰像素P的TFT 210的汲極電極214可以形成為在共用接觸孔CTS中彼此面對。另外，相鄰像素P的輔助電極264可以形成為在共用接觸孔CTS中彼此面對。因此，輔助電極264可以與在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個輔助電極264斷開，並且汲極電極214可以與在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個汲極電極214斷開。
輔助電極264可以由透明金屬材料或不透明金屬材料所形成。該透明金屬材料可以是諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導電材料(或TCO)或是諸如鎂(Mg)、銀(Ag)或鎂和銀的合金之類的半透射導電材料。該不透明金屬材料可以是鋁、銀、鉬、鉬和鈦的疊層結構(Mo/Ti)、銅、鋁和鈦的疊層結構、鋁和氧化銦錫的疊層結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和氧化銦錫的疊層結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是由銀、鈀(Pd)以及銅所形成的合金。
第二平坦化層271可以形成在輔助電極264上和共用接觸孔CTS中。第二平坦化層271可以形成為填充共用接觸孔CTS。第二平坦化層271可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
第一電極261可以形成在輔助電極264和第二平坦化層271上。第一電極261可以由鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉬和鈦(Ti)的疊層結構(Mo/Ti)、銅(Cu)、鋁和氧化銦錫(ITO)的疊層結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和氧化銦錫的疊層結構(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是由銀、鈀(Pd)以及銅所形成的合金。
堤部272可以形成在第二平坦化層271上。此外，堤部272可以被形成為覆蓋延伸在共用接觸孔CTS之上的第一電極261的邊緣部分。堤部272可以定義複數個發光區域EA。
每個發光區域EA可以代表順序地堆疊有對應於陽極電極的第一電極261、有機發光層262和對應於陰極電極的第二電極263的區域，並且來自第一電極261的電洞和來自第二電極263的電子在有機發光層中結合以發光。在此情況下，設置堤部272的區域不發光，因此可以被定義為非發光區域。
如上所述，在本發明的一實施例中，輔助電極264替代第一電極261可以連接到在共用接觸孔CTS中的TFT 210的源極電極或汲極電極214。在此情況下，在本發明的一實施例中，輔助電極264可以不連接到在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個輔助電極264。因此，在本發明的一實施例中，由於相鄰像素P共享共用接觸孔CTS，因此防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減少所導致之有機發光層的壽命縮短。
此外，根據本發明的一實施例，第一電極261可以形成在第二平坦化層271上，堤部272可以形成在第二平坦化層271上並覆蓋第一電極261的邊緣。因此，根據本發明的一實施例，第一電極261可以形成為大至第二平坦化層271甚至部分地延伸超過第二平坦化層271，由此擴大發光區域EA。因此，根據本發明的一實施例，有機發光層的壽命得到了改善。
圖12是說明根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的流程圖。圖13A到圖13G為在製造的各個階段沿著圖4之I-I’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
圖13A至圖13G所示之剖視圖係關於圖7所示之製造有機發光顯示裝置的方法，因此相同的元件符號繪示相同的元件。下文中，將參考圖12和圖13A至圖13G，將詳細描述依據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在S101中，參照圖13A，可以形成包括在複數個TFT 210的每一個中的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極金屬層214’，並且可以將鈍化層240形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214’上。
詳細地說，在形成TFT 210之前，可以在第一基板111上形成緩衝層，用於保護TFT 210免受滲透第一基板111的水的影響。該緩衝層可以包括複數個交替堆疊的無機層，用於保護TFT 210和有機發光裝置260免受滲透第一基板111的水的影響，而該第一基板111可能易受水滲入的破壞。例如，該緩衝層可以由矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)和氮氧化矽的一個或多 個交替堆疊的無機層之多層結構形成。該緩衝層可以藉由使用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)製程來形成。
隨後，每個TFT 210的主動層211可以形成在緩衝層上。詳細地，可以藉由使用濺射製程、金屬有機CVD(Metal Organic CVD,MOCVD)製程等在整個緩衝層上形成主動金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案(Photoresist Pattern)通過光罩製程圖案化主動金屬層來形成主動層211。主動層211可以由矽基半導體材料、氧基半導體材料等形成。
接著，可以在主動層211上形成閘極絕緣層220。閘極絕緣層220可以由例如矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)或其多層結構的無機層形成。
然後，每個TFT 210的閘極電極212可以形成在閘極絕緣層220上。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個閘極絕緣層220上形成第一金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第一金屬層來形成閘極電極212。閘極電極212可以由包括鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或者其合金的單層結構或多層結構形成。
接著，可以在閘極電極212上形成層間介電質230。層間介電質230可以由例如，SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。
隨後，可以形成穿過閘極絕緣層220和層間介電質230以暴露主動層211的源極區域和汲極區域的複數個源極和汲極接觸孔。
接著，可以在層間介電質230上形成每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214’。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個層間介電質230上以及在源極和汲極接觸孔中形成第二金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第二金屬層來形成源極電極213和汲極金屬層214’。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的源極接觸孔接觸主動層211的一側中的源極區域。汲極金屬層214’可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的汲極接觸孔接觸主動層211的另一側的汲極區域。源極電極213和汲極金屬層214’可以分別由包括鉬、鉻、鈦、鎳、釹和銅中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。而且，如圖13A所示，在這個階段，相鄰像素P的汲極金屬層214’可以彼此連接。
隨後，鈍化層240可以形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214’上以及層間介電質230上。鈍化層240可以由例如，SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。鈍化層240可以藉由使用CVD製程形成。
在S102，參照圖13B，可以在鈍化層240和汲極金屬層214’上形成第一平坦化層250，並且可以形成暴露汲極金屬層214’的共用接觸孔CTS。
詳細地說，可以在鈍化層240和汲極金屬層214’上形成用於平坦化由TFT 210所引起的階差高度的第一平坦化層250。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
隨後，可以在第一平坦化層250上形成光刻圖案。在此情況下，該光刻圖案可以形成在除了要形成共用接觸孔CTS的區域之外的區域中。
接著，可以藉由蝕刻沒有被光刻圖案覆蓋的第一平坦化層250來形成共用接觸孔CTS以暴露汲極金屬層214’，然後可以移除光刻圖案。
在S103，參考圖13C，可以在共用接觸孔CTS中的第一平坦化層250上和汲極金屬層214’上形成第一電極層261’。
在S104，參考圖13D，可以在第一電極層261’上形成光刻圖案PR，並且可以藉由同時蝕刻未被光刻圖案PR覆蓋之第一電極層261’和汲極金屬層214’來形成第一電極261和汲極電極214。即，光刻圖案PR被形成以暴露共用接觸孔CTS中的第一電極261’。然後，蝕刻共用接觸孔CTS中的第一電極261’的暴露部分，並且也在此過程中蝕刻共用接觸孔CTS中的第一電極261’的暴露部分之下的汲極金屬層214’的部分。該蝕刻因此形成第一電極261和汲極電極214。在此情況下，如圖13C所示，第一電極261的一端部可以對應汲極電極214的一相應端部。
在S105，可以移除光刻圖案PR，並且可以形成填充共用接觸孔CTS的堤部270。
詳細地說，如圖13E所示，可以在第一電極261上形成堤部層270’並填充共用接觸孔CTS。堤部層270’可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成。堤部層270’可以藉由使用狹縫塗佈製程、旋塗製程、蒸發製程等形成在第一平坦化層250和第一電極261上。堤部層270’可以被填充到共用接觸孔CTS中。
隨後，如圖13F所示，可以藉由在沒有遮罩的情況下乾刻堤部層270’來形成堤部270。乾刻材料可以選擇為能夠蝕刻堤部層270’但不蝕刻第一電極261的材料。如圖所示，堤部270可以形成為基本上與第一電極261共面(coplanar)。
在S106，參照圖13G，可以在第一電極261和堤部270上形成有機發光層262和第二電極263。
詳細地，可以通過沉積製程或溶液製程在第一電極261和堤部270上形成有機發光層262。有機發光層262可以是共同形成在每個像素P中的公共層。在此示例性實施例中，有機發光層262可為發出白光的發光層。
如果有機發光層262是白色發光層，則有機發光層262可以以兩個或更多個疊層的串疊結構形成。每個疊層可包括一電洞傳輸層、至少一有機發光層以及一電子傳輸層。而且，一電荷產生層可以形成在疊層之間。
電洞傳輸層可以平順地將從第一電極261或電荷產生層注入的電洞傳輸到有機發光層262。有機發光層262可以由包括磷光材料或螢光材料的有機材料形成，因此可以發出特定的光。電子傳輸層可以平順地將從第二電極263或電荷產生層注入的電子傳輸到有機發光層262。
電荷產生層可以包括：n型電荷產生層，與下部疊層相鄰設置；以及p型電荷產生層，形成在n型電荷產生層上並且與上部疊層相鄰設置。n型電荷產生層可以將電子注入到下部疊層中，而p型電荷產生層可以將電洞注入到上部疊層中。n型電荷產生層可以由摻雜有諸如鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、或銫(Cs)等鹼金屬或者摻雜有諸如鎂(Mg)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、或鐳(Ra)等土鹼金屬的有機層形成。p型電荷產生層可以是藉由摻雜具有傳輸電洞能力的摻雜物的有機本體材料而形成的有機層。
接著，第二電極263形成在有機發光層262上。第二電極263可以是共同形成在每個像素P中的公共層。第二電極263可以由能夠透射光之諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料(或TCO)或諸如Mg、Ag、或者Mg和Ag的合金等的半透射導電材料形成。在第二電極263由半透射導電材料形成的情況下，發光效率可以通過微腔來增強。第二電極263可以通過諸如濺射製程的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)製程來形成。覆蓋層可以形成在第二電極263上。
然後，封裝層280可以形成在第二電極263上。封裝層280防止氧氣或濕氣滲入到有機發光層262和第二電極263中。封裝層280可以包含至少一個無機層。該無機層可以由矽氮化物、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、矽氮化物、氧化鋁、氧化鈦等形成。
且，封裝層280可以進一步包含至少一個有機層。該有機層可以被形成為具有足夠的厚度，用於防止顆粒經由封裝層280滲入到有機發光層262和第二電極263中。
隨後，可以將設置有複數個彩色濾光片301、302以及黑色矩陣310的第二基板112黏合到第一基板111。第二基板112上的彩色濾光片301、302可以通過黏合層290黏附到第一基板111上的封裝層280。黏合層290可以是透明黏合薄膜、透明黏合樹脂等。
如上所述，在本發明的一實施例中，汲極電極214和第一電極261可以藉由在共用接觸孔CTS中同時蝕刻汲極金屬層214’和第一電極層261’來形成。結果，在本發明的一實施例中，第一電極261可以不連接到在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個第一電極261。因此，在本發明的一實施例中，由於相鄰像素P共享共用接觸孔CTS，因此防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減少所導致之有機發光層的壽命縮短。
此外，根據本發明的一實施例，汲極電極214和第一電極261可以藉由同時蝕刻共用接觸孔CTS中的汲極金屬層214’和第一電極層261’來形成，由此防止由於接觸孔的底面與汲極電極之間的階差高度所導致之第一電極261在源極電極或汲極電極的側表面中斷開。因此，在本發明的一實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
圖14是說明根據本發明另一實施例之製造發光顯示裝置的方法的流程圖。圖15A到圖15D為在製程的各個階段沿著圖8之IV-IV’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
圖15A至圖15D所示之剖視圖與圖9所示之製造有機發光顯示裝置的方法相關，因此相同的元件符號繪示相同的元件。下文中，將參考圖14和圖15A至圖15D，詳細描述依據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在S201，參考圖15A，可以形成包括在複數個TFT 210的每一個中的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極電極214，並且鈍化層240可以形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極電極214上。
形成每個TFT 210的主動層211及閘極電極212、閘極絕緣層220和層間介電質230的方法與參考圖13A之上述圖12的操作(S101)大致相同，因此，將省略詳細描述。
每個TFT 210的源極電極213及汲極電極214以及資料線可以形成在層間介電質230上。詳細地，可以藉由使用濺射製程、MOCVD製程等在整個層間介電質230上形成第二金屬層。隨後，可以藉由使用光刻圖案通過光罩製程圖案化第二金屬層來形成源極電極213和汲極電極214。源極電極213可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的源極接觸孔接觸主動層211的一側。汲極電極214可以通過穿過閘極絕緣層220和層間介電質230的汲極接觸孔接觸主動層211的另一側。源極電極213和汲極電極214均可以由包括鉬、鉻、鈦、鎳、釹和銅中的一種或其合金的單層結構或多層結構形成。
隨後，鈍化層240可以形成在每個TFT 210的源極電極213和汲極電極214上以及層間介電質230上。鈍化層240可以由例如，SiOx、SiNx或其多層結構的無機層形成。鈍化層240可以藉由使用CVD製程形成。
在S202，參考圖15B，可以在鈍化層240和汲極電極214上形成第一平坦化層250，並且可以形成暴露汲極電極214的共用接觸孔CTS。
用於平坦化由TFT 210所引起的階差高度的第一平坦化層250可以形成在鈍化層240上。第一平坦化層250可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機層形成。
隨後，可以在第一平坦化層250上形成光刻圖案。在此情況下，光刻圖案可以形成在除了要形成共用接觸孔CTS的區域之外的區域中。
接著，可以藉由蝕刻沒有被光刻圖案覆蓋的第一平坦化層250來形成共用接觸孔CTS，以暴露汲極電極214的端部，然後可以移除光刻圖案。
在S203，參考圖15C，可以在共用接觸孔CTS中的第一平坦化層250上和汲極電極214上形成第一電極層261’。
在S204，參照圖15D，可以在第一電極層261’上形成光刻圖案PR，並且可以藉由蝕刻沒有被光刻圖案PR覆蓋的第一電極層261’來形成第一電極261。
例如，如圖15D所示，有機發光裝置260的第一電極261的一端部可以比TFT 210的汲極電極214的一端部更長地延伸到共用接觸孔CTS中。在此情況下，有機發光裝置260的第一電極261可以形成為完全覆蓋TFT 210的汲極電極214。或者，TFT 210的汲極電極214的該端部可以在共用接觸孔CTS中比有機發光裝置260的第一電極261的該端部延伸更長。在此情況下，有機發光裝置260的第一電極261可以形成為覆蓋TFT 210的汲極電極214的一部分。
在S205，可以移除光刻圖案PR，並且可以形成填充共用接觸孔CTS的堤部270。
圖14的操作(S205)與以上參照圖13E和圖13F所描述之圖12的操作(S105)大致相同。因此，省略了對圖14的操作(S205)的詳細描述。
在S206，可以在第一電極261和堤部270上形成有機發光層262和第二電極263。
圖14的操作(S206)與以上參照圖13G所描述之圖12的操作(S106)大致相同。因此，省略了對圖14的操作(S206)的詳細描述。
如上所述，在本發明的一實施例中，第一電極261可以藉由在共用接觸孔CTS中蝕刻第一電極261’來形成。結果，在本發明的一實施例中，第一電極261可以不連接到在共用接觸孔CTS中與其相鄰的另一個第一電極261。因此，在本發明的一實施例中，由於相鄰像素P共享共用接觸孔CTS，因此防止發光區域EA被共用接觸孔CTS減小，從而防止了由於發光區域EA的減少所導致之有機發光層的壽命縮短。
此外，根據本發明的一實施例，第一電極層261’可以被形成以覆蓋汲極電極214，並且第一電極261可以藉由蝕刻共用接觸孔CTS中的第一電極層261’的一部分來形成，從而防止由於接觸孔的底面與汲極之間的階差高度而導致第一電極在源極電極或汲極電極的側表面中斷開。因此，在本發明的一實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
圖16是說明根據本發明另一實施例之製造發光顯示裝置的方法的流程圖。圖17A到圖17D為在製程的各個階段沿著圖10之V-V’線所截取的剖視圖，用於描述根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
圖17A至圖17D所示之剖視圖係與圖11所示之製造有機發光顯示裝置的方法相關，因此相同的元件符號繪示相同的元件。下文中，將參考圖16和第17A圖至第17D圖詳細描述依據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。
在S301，可以形成包括在每個TFT 210中的主動層211、閘極電極212、源極電極213和汲極金屬層214’，並且可以在每個TFT 210的源極電極213和汲極金屬層214’上形成鈍化層240。
圖16的操作(S301)與以上參照圖13A所描述之圖12的操作(S101)大致相同。因此，省略圖16的操作(S301)的詳細描述。
在S302，可以在鈍化層240上形成第一平坦化層250，並且可以形成暴露汲極金屬層214’的共用接觸孔CTS。
圖16的操作(S302)與以上參考圖13B所描述之圖12的操作(S102)大致相同。因此，省略了對圖16的操作(S302)的詳細描述。
在S303，可以在共用接觸孔CTS中的第一平坦化層250和汲極金屬層214’上形成輔助電極層264’。
除了在圖13C中將第一電極層261’替換為輔助電極層264’之外，圖16的操作(S303)與以上參照圖13C所描述之圖12的操作(S103)大致相同。
在S304，可以在輔助電極層264’上形成光刻圖案PR，並且可以藉由同時蝕刻不被光刻圖案PR覆蓋之輔助電極層264’和汲極金屬層214’來形成輔助電極264和汲極電極214。
除了圖13D中的第一電極261被替換為輔助電極264之外，圖16的操作(S304)與以上參考圖13D所描述之圖12的操作(S104)大致相同。
在S305，參考圖17A和圖17B，可以移除光刻圖案PR，並且可以形成填充共用接觸孔CTS的第二平坦化層271。
詳細地說，如圖17A所示，可以在輔助電極264上和共用接觸孔CTS中形成第二平坦化材料271’。第二平坦化材料271’可以由丙烯酸樹脂、 環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成。可以藉由使用狹縫塗佈製程、旋塗製程、蒸發製程等在第一平坦化層250和輔助電極264上形成第二平坦化材料271’。第二平坦化材料271’可以被填充到共用接觸孔CTS中。
隨後，如圖17B所示，可以藉由在沒有遮罩的情況下乾刻第二平坦化材料271’來形成第二平坦化層271。乾刻材料可以選擇為能夠蝕刻第二平坦化材料271’但不蝕刻輔助電極264的材料。
在S306，參照圖17C，可以在輔助電極264和第二平坦化層271上形成第一電極261。
在S307，參考圖17D，覆蓋第一電極261的邊緣部分的堤部272可以形成在第二平坦化層271上。堤部272可以定義複數個發光區域EA。在此情況下，設置堤部272的區域不發光，因此可以被定義為非發光區域。
在S308，可以在第一電極261和堤部272上形成有機發光層262和第二電極263。
圖16的操作(S308)與以上參考圖13G所描述之圖12的操作(S106)大致相同。因此，省略圖16的操作(S308)的詳細描述。
如上所述，根據本發明的一實施例，第一電極261可以形成在第二平坦化層271上，並且覆蓋第一電極261的邊緣的堤部272可以形成在第二平坦化層271上。因此，根據本發明的一實施例，第一電極261可以更大地形成到第二平坦化層271上並且可以部分地延伸超過第二平坦化層271，由此放大發光區域EA。因此，根據本發明的一實施例，有機發光層的壽命得到了改善。
通過總結和綜述，根據本發明的實施例，相鄰像素可以共享用於將有機發光裝置的第一電極連接到TFT的汲極電極的共用接觸孔。因此，在本發明的實施例中，防止發光區域被共用接觸孔減小，從而防止了由於發光面積的減小而導致有機發光層的壽命縮短。
此外，根據本發明的實施例，第一電極可以藉由蝕刻共用接觸孔中的第一電極層來形成，從而防止由於接觸孔的底面與汲極電極之間的階差高度所導致之第一電極在源極電極或汲極電極的側表面中斷開。因此，在本發明的實施例中，防止了像素不發光之導通缺陷的發生。
此外，根據本發明的實施例，第一電極可以形成在第二平坦化層上，並且覆蓋第一電極的邊緣的堤部可以形成在第二平坦化層上。因此，根據本發明的實施例，可以將第一電極更大地形成到第二平坦化層，由此擴大發光面積。因此，根據本發明的實施例，有機發光層的壽命得到了改善。
在不脫離本發明的精神或範圍下，本發明做出的各種修改和變化對本領域技術人員顯而易見。因此，本發明旨在涵蓋本發明的修改和變化，只要它們落入所附的申請專利範圍及其等同物的範圍內。
上面描述的各種實施例可以被組合以提供另外的實施例。根據以上詳細描述，可以對這些實施例做出這些和其他改變。通常，在下面的申請專利範圍中，所使用的術語不應該被解釋為將申請專利範圍限制在說明書和申請專利範圍中所公開的具體實施例，而應該被解釋為包括所有可能的實施例以及這些申請專利範圍所涵蓋的所有範圍。因此，申請專利範圍不受本發明的限制。
本申請案主張於2016年12月14日提交的韓國專利申請第10-2016-0170355號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。

Claims (13)

  1. 一種發光顯示裝置，包括：複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有：一閘極電極；一主動層，與該閘極電極重疊；一源極電極，連接到該主動層的一側；以及一汲極電極，連接到該主動層的另一側；以及一發光裝置，具有：一第一電極；一發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在該發光層上；一接觸孔，該等像素中的至少兩個的該等第一電極位於在該接觸孔中之各自源極電極或者各自汲極電極上且電性連接至在該接觸孔中之該各自源極電極或者該各自汲極電極，以及一堤部，至少部分地填充該接觸孔以及在該接觸孔處接觸該發光層，其中，該堤部的一表面基本上與該等第一電極之表面共面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，相鄰的該等像素共用該接觸孔，並且該等相鄰像素的該等電晶體的該等源極電極或該等汲極電極被設置為彼此面對。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素的該等電晶體的該等源極電極或該等汲極電極在該接觸孔中的一第一方向上被設置以彼此面對，以及該接觸孔具有在與該第一方向交叉的一第二方向上延伸的一長軸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素中的該等第一電極的端部對齊於在該接觸孔中之該各自源極電極或該各自汲極電極的對應端部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素中的該等第一電極的端部覆蓋在該接觸孔中之該各自源極電極或該各自汲極電極的對應端部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該電晶體進一步包含：一閘極絕緣層，設置在該主動層與該閘極電極之間；一層間介電質，設置在該閘極電極與該源極電極之間及在該閘極電極與該汲極電極之間；以及一第一平坦化層，設置在該源極電極及該汲極電極上，以及該接觸孔延伸穿過該第一平坦化層以暴露該電晶體的該源極電極或該汲極電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置，其中，該至少兩個像素包含：四個像素，設置為兩對像素，各對像素中的每一個像素具有在一第一方向上彼此面對的第一電極。
  8. 一種發光顯示裝置，包括：複數個像素，該等像素的每一個包含：一電晶體，具有一閘極電極、一源極區域和一汲極區域；一源極電極，耦合到該源極區域；一汲極電極，耦合到該汲極區域；一輔助電極；以及一發光裝置的一第一電極，位於該輔助電極上；一接觸孔，該等像素中的至少兩個的該等輔助電極電性連接到在該接觸孔中之各自源極電極或者各自汲極電極；一第一平坦化層，至少部分地填充該接觸孔；一第一堤部，覆蓋在該第一平坦化層上之該發光裝置的該第一電極的一邊緣以及接觸該發光裝置的一發光層；一第二平坦化層，該第二平坦化層的一表面基本上與該輔助電極的一表面共面；以及一第二堤部，覆蓋在該第二平坦化層上的該發光裝置的該第一電極的另一邊緣以及接觸該發光裝置的該發光層，其中，該等輔助電極的端部對齊於在該接觸孔中之該各自源極電極或該各自汲極電極的對應端部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光顯示裝置，其中，該發光裝置的該第一電極設置在該輔助電極上以及在該第一平坦化層上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光顯示裝置，其中，該第一電極的一第一端部接觸該第一平坦化層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之發光顯示裝置，其中，該第一電極的一第二端部接觸該輔助電極，該第二端部相對於該第一端部。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一層間介電質，該第一平坦化層接觸在該接觸孔中的該層間介電質。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之發光顯示裝置，進一步包括：一第三平坦化層，在該輔助電極與該源極電極和該汲極電極中之至少一個之間。
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