CN114613811A - 电致发光显示装置 - Google Patents

Abstract

一种电致发光显示装置，其包括：包含发射区和围绕发射区的非发射区的基板；在基板上方形成的平坦化层；设置在平坦化层上方的发光器件，其与发射区重叠并包含阳极电极；以及分离层，其设置为在平坦化层上方与阳极电极间隔开并设置为在一个发射区和与该发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向或第二方向，其中，平坦化层形成为与非发射区的至少一部分重叠，并包含通过去除平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分，沟槽部分在非发射区中至少部分地与阳极电极和分离层中的每一个的端部重叠，发光器件进一步包含在阳极电极上方依次形成的发光层和阴极电极，并且发光层和阴极电极不连续地形成于沟槽部分中。

Description

电致发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月9日提交的韩国专利申请No.10-2020-0171531的权益，该韩国专利申请通过引用被并入，如同其完整地在本文中被阐述一样。

技术领域

本公开涉及一种电致发光显示装置，尤其是，涉及一种具有减小的横向(侧向)泄露电流和改善的开口率的电致发光显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加，并且近年来，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器以及有机发光显示器(OLED)的各种显示装置已经被使用。

电致发光显示装置包含阵列器件和发光器件。阵列器件包含连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管(TFT)以及连接到发光器件的至少一个驱动薄膜晶体管(TFT)，并且发光器件包含连接到驱动薄膜晶体管(TFT)的像素电极、发光层和阴极电极。

然而，在具有上述配置的电致发光显示装置中，根据技术的发展，像素结构被集成化，这可能导致在相邻发射区之间发生(或出现)横向泄漏电流的问题，并且为了减小这种横向泄漏电流，可以应用在发射区之间以所需距离间隔开的结构，这可能导致开口率降低的问题。

发明内容

因此，本公开旨在提供一种电致发光显示装置，其基本上避免或消除由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。

本公开的一方面旨在提供一种电致发光显示装置，其采用能够通过减小相邻发射区之间可能发生的横向泄漏电流来改善可靠性的结构。

本公开的另一方面旨在提供一种电致发光显示装置，其能够通过应用用于减小横向泄漏电流的结构来改善开口率。

本公开的附加优点和特征将部分地在以下描述中进行阐述，并且部分地在阅读了以下描述后对本领域普通技术人员而言将变得显而易见，或者可以从本公开的实践中获悉。本公开的目标和其他优点可以通过关于其的书面描述和权利要求以及附图中特别给出的结构来实现和获得。

为了获得这些和其他优点并根据本公开的目的，如本文中所体现和宽泛地描述，提供了一种电致发光显示装置，其包含(包括)：包含发射区和围绕发射区的非发射区的基板；在基板上方形成的平坦化层；设置在平坦化层上方的发光器件，其与发射区重叠并且包含阳极电极；以及分离层，其设置为在平坦化层上方与阳极电极间隔开，并且设置为在一个发射区和与该发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向或第二方向，其中，平坦化层被形成为与非发射区的至少一部分重叠，并且包含通过去除平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分，该沟槽部分在非发射区中至少部分地与阳极电极和分离层中的每一个的端部重叠，该发光器件进一步包含在阳极电极上方依次形成的发光层和阴极电极，并且发光层和阴极电极不连续地形成于沟槽部分中。

在另一实施例中，一种显示装置包含：包含多个子像素的多个发射区的基板，所述多个发射区包含第一子像素的第一发射区和第二子像素的第二发射区，所述第一子像素的第一发射区和所述第二子像素的第二发射区之间设置有非发射区；所述基板上的平坦化层，所述平坦化层具有邻近所述第一发射区的第一沟槽、邻近所述第二发射区的第二沟槽以及至少所述平坦化层的设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的部分；在至少所述第一发射区中设置在所述平坦化层的第一上表面上的第一发光器件和在至少所述第二发射区中设置在所述平坦化层的第二上表面上的第二发光器件；以及设置在所述平坦化层的所述部分上的至少一个分离层，其中所述至少一个分离层的至少一个端部超出所述平坦化层的所述部分的侧表面地突出。

应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述均为示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。

附图说明

被包含以提供对本公开的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分的附图图示出了本公开的实施例并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据本公开的实施例的电致发光显示装置的平面图；

图2是图示出根据本公开的实施例的图1的区域A的平面图；

图3是根据本公开的实施例的沿图2的线I-I'截取的横截面图；

图4是示出根据本公开的另一实施例的图1的区域A的平面图；

图5是根据本公开的实施例的沿图4的线II-II'截取的横截面图；

图6是根据本公开的另一实施例的电致发光显示装置的平面图；

图7是图示出根据本公开的实施例的图6的区域B的平面图；

图8是根据本公开的实施例的沿图7的线III-III'截取的横截面图；

图9是图示出根据本公开的另一实施例的图6的区域B的平面图；

图10是根据本公开的实施例的沿图9的线II-II'截取的横截面图；

图11是根据本公开的另一实施例的电致发光显示装置的平面图；

图12是图示出根据本公开的实施例的图11的区域C的平面图；

图13是根据本公开的实施例的沿图12的线I-I'截取的横截面图；

图14A至14F是图示出根据本公开的实施例的电致发光显示装置的制造方法的视图；以及

图15是利用扫描电子显微镜拍摄的包含沟槽部分的平坦化层和分离层的结构的照片。

具体实施方式

现在将对本公开的实施例进行详细参考，所述实施例的示例在附图中被图示。在整个附图中，将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或类似的部分。

本公开的优点和特征及其实现方法将通过参考附图描述的以下实施例来阐明。然而，本公开可以以不同形式体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，这些实施例被提供，以便本公开将是彻底和完整的，并且向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。

在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸(大小)、比率、角度、数字仅仅为示例，并且因此，本公开不限于图示的细节。在整个说明书中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的要点时，将省略此详细描述。在使用本公开中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部分。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，该元件被解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在～上”、“在～上方”、“在～下方”和“在～附近”时，除非使用“正好”或“直接”，否则所述两个部分之间可以设置一个或多个其他部分。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“继～之后”、“～接下来”和“在～之前”时，除非使用“正好”或“直接”，否则可以包含不连续的情况。

将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的术语。这样的术语仅仅用于将对应的元件与其他元件区分开来，并且对应的元件在其实质、顺序或优先级方面不受这些术语的限制。将理解，当元件或层被称为“在另一元件或层上”或“连接到另一元件或层”时，其可以直接位于另一元件或层上，或者直接连接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。此外，应当理解，当一个元件设置在另一元件上方或下方时，这可以表示其中元件设置为彼此直接接触的情况，但也可以表示元件彼此不直接接触地设置。

术语“至少一个”应当被理解为包含相关联的所列元件中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义表示从第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个以及第一元件、第二元件或第三元件中选出的所有元件的组合。

本公开的各种实施例的特征可以部分或整体地彼此接合或组合，并且可以如本领域技术人员可以充分理解的那样以各种方式彼此互操作以及在技术上驱动。本公开的实施例可以彼此独立地实施，或者可以以彼此依存的关系一起实施。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。

图1是根据本公开的实施例的电致发光显示装置的平面图，图2是图1的“A”的平面图，以及图3是沿图2的线I-I'截取的横截面图。

参考图1，根据本公开的实施例的电致发光显示装置可以包含(包括)显示面板1和面板驱动电路单元3。

显示面板1可以包含基板(或基底)10、有效显示区AA、无效显示区IA和栅极驱动电路50。

基板10可以为诸如可弯曲薄玻璃基板的玻璃基板、塑料基板或硅晶片基板。

有效显示区AA是其中显示图像的区域(分区)，并且也可以被表述为第一区、显示部分、显示区或有效显示部分。例如，有效显示区AA可以设置在基板10的边缘部分以外的部分中。

无效显示区IA是其中不显示图像的区域(分区)，并且也可以被表述为第二区、非显示部分、非显示区或无效显示部分。例如，非显示部分可以设置在基板10的边缘部分处以围绕有效显示区AA。

有效显示区AA可以包含多个子像素的多个发射区EA和围绕所述多个发射区EA的非发射区NEA。

包含阳极电极210的发光器件200可以设置在发射区EA中。这里，发射区EA可以被定义为其中形成由稍后描述的堤部170暴露的阳极电极210的区域。另外，在图2中，被归类为区域A的包含发射区EA的像素结构可以被配置为其中一个边的长度相对较长的矩形条带状结构，并且如同区域A的包含四个发射区EA的区域可以定义为一个单位像素。当矩形单位像素被划分为象限时，可以在每个象限中形成一个子像素或发射区。然而，根据本公开的电致发光显示装置的像素结构不限于此，并且可以应用诸如四元型、菱形型和五元(pentile)型的各种众所周知的结构。

在图2中，包含位于左上方的发射区EA的子像素可以为白色子像素，包含位于右上方的发射区EA的子像素可以为红色子像素，包含位于左下方的发射区EA的子像素可以为绿色子像素，并且包含位于右下方的发射区EA的子像素可以为蓝色子像素。然而，根据本公开的发射区EA或子像素的布置结构不限于此。

因此，阳极电极210可以形成为与发射区EA重叠并且延伸至围绕发射区EA的非发射区NEA的至少一部分。可以在阳极电极210的至少一侧处设置用于接触驱动薄膜晶体管(TFT)的接触孔CNT。此外，堤部170可以被形成为与延伸至非发射区NEA的至少一部分且与非发射区NEA的至少一部分重叠的阳极电极210的至少一部分重叠。

这里，非发射区NEA可以被定义为发射区EA以外的区域。另外，非发射区NEA可以包含用于接触驱动薄膜晶体管(TFT)的接触孔CNT和发光器件200的阳极电极210。用于驱动发射区EA的发光器件200的互连件和电路可以设置在非发射区NEA中。

如图3所示，除了与设置在有效显示区AA的非发射区NEA中的平坦化层160的沟槽部分161和163重叠的部分区域以外，阴极电极250可以被形成为与整个有效显示区AA重叠。

参考图1，栅极驱动电路50根据驱动电路单元3提供的栅极控制信号通过焊盘部分PP的多个栅极焊盘和链路线向栅极线提供栅极信号。例如，栅极驱动电路50可以设置在基板10的彼此相对的两侧的无效显示区IA中的至少一个中。栅极驱动电路50可以通过面板内栅极驱动器(GIP)方法在显示面板1的显示区的一侧或两侧的非显示区中形成。可替换地，栅极驱动器可以被制造成驱动芯片、安装在柔性层上方以及通过卷带自动结合(TAB)方法附接到显示面板1的有效显示区的一侧或两侧之外的非显示区。

根据示例的驱动电路单元3可以包含多个柔性电路膜31、多个数据驱动集成电路(IC)33、印刷电路板(PCB)35、时序控制器37和功率电路单元39。

可以将所述多个柔性电路膜31中的每一个附接到设置在基板10上方的焊盘部分PP和印刷电路板(PCB)35。例如，所述多个柔性电路膜31中的每一个的一侧(或输出结合部分)可以通过使用各向异性导电层的膜附接工艺被附接到设置在基板10上方的焊盘部分PP。所述多个柔性电路膜31中的每一个的另一侧(或输入结合部分)可以通过使用各向异性导电层的膜附接工艺被附接到印刷电路板(PCB)35。

所述多个数据驱动集成电路(IC)33分别独立地安装在所述多个柔性电路膜31上方。所述多个数据驱动集成电路(IC)33中的每一个可以接收时序控制器37提供的像素数据和数据控制信号，根据数据控制信号将像素数据转换为每个像素的模拟数据电压，并将数据电压供给至对应的数据线。

印刷电路板(PCB)35可以被连接到所述多个柔性电路膜31中的每一个的另一侧。印刷电路板(PCB)35可用于在驱动电路单元3的组件之间传送信号和电压。

时序控制器37可以安装在印刷电路板(PCB)35上方，并且通过设置在印刷电路板(PCB)35上方的用户连接器接收显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。

时序控制器37可以通过基于时序同步信号对齐图像数据以适配在有效显示区AA中设置的像素排布结构来生成像素数据，并且将生成的像素数据提供给多个数据驱动集成电路(IC)33中的每一个。

时序控制器37可以基于时序同步信号生成数据控制信号和栅极控制信号。此外，时序控制器37可以通过数据控制信号控制所述多个数据驱动集成电路(IC)33中的每一个的驱动时序，并且可以通过栅极控制信号控制栅极驱动电路50的驱动时序。例如，时序同步信号可以包含垂直(竖直)同步信号、水平同步信号、数据使能信号和主时钟(或点时钟)。

功率电路单元39可以安装在印刷电路板(PCB)35上方。另外，功率电路单元39可以使用从外部提供的输入功率来生成以像素显示图像所需的各种功率电压，并且可以将生成的电压提供给对应的电路。

参考图3，根据本公开的示例的电致发光显示装置可以包含在基板110上方形成的滤色器150、平坦化层160、发光器件200、堤部170和分离层270(或分离层SL)。

这里，基板110可以具有与以上参考图1描述的基板10相同的配置。因此，基板110可以为诸如可弯曲柔性薄玻璃基板的玻璃基板、塑料基板或硅基板。

缓冲层120可以设置在基板110和光阻挡层(图中未示出)上方。根据示例，缓冲层120可以通过堆叠(层叠)多个无机层来形成。例如，缓冲层120可以形成为多层，其中氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氮氧化硅(SiON)的一个或多个无机层被堆叠。

可以在缓冲层120上方设置包含薄膜晶体管(TFT)等的电路器件。这里，电路器件可以包含开关薄膜晶体管(TFT)、感测薄膜晶体管(TFT)和驱动薄膜晶体管(TFT)。在这种情况下，驱动薄膜晶体管(TFT)可以通过图2的接触孔CNT与发光器件200的阳极电极210接触。这里，取决于本公开的电致发光显示装置的配置，可以省略缓冲层120。

层间绝缘层130可以配置为使前述薄膜晶体管(TFT)、互连件或电路电绝缘。层间绝缘层130可以形成在缓冲层120上方。层间绝缘层130可以包含氧化硅(SiO₂)层或氮化硅(SiN)层，或者可以包含多个层，所述多个层包含氧化硅(SiO₂)层和氮化硅(SiN)层。

保护层140可以设置在层间绝缘层130上方。保护层140可以起到保护薄膜晶体管(TFT)的电极的作用。保护层140可以包含与薄膜晶体管(TFT)接触的前述接触孔CNT。根据示例，保护层140可以包括氧化硅层(SiO₂)或氮化硅(SiN)。

滤色器150和150′可以设置在保护层140上方。根据本公开的示例的电致发光显示装置可以具有底部发射结构，其中滤色器150和150′定位于发光器件200和基板110之间。然而，本公开的范围不限于具有底部发射结构的电致发光显示装置，并且可以包括(或包含)具有顶部发射结构的电致发光显示装置或具有双向发射结构的电致发光显示装置。在下文中，为便于描述，将描述具有底部发射结构的电致发光显示装置作为参考。

在这种情况下，与一个发射区EA重叠的滤色器150和与另一发射区EA重叠的滤色器150′可以为分别透射不同颜色的光的滤色器，并且可以为例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一个。然而，本公开的实施例不限于此。

此外，当包含发光器件200的发射区EA是白色发射区EA时，可以省略滤色器150。

因此，滤色器150可以设置在保护层140上方，可以设置在保护层140和平坦化层160之间，并且可以将从发光器件200输出的光向下改变至具有预定波长范围的颜色。

平坦化层160可以设置在滤色器150上方。另外，平坦化层160可以设置在有效显示区AA的发射区EA中，使得由发光器件200和堤部170限定的发射区EA基本上是平坦的。此外，平坦化层160可以设置在有效显示区AA的非发射区NEA中。然而，在非发射区NEA中，可以去除平坦化层160的至少一部分。例如，在非发射区NEA中，平坦化层160的上表面可以被部分去除，以形成第一沟槽部分161和第二沟槽部分163。第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以设置为彼此间隔开，其中所述平坦化层160的一部分位于所述第一沟槽部分161和所述第二沟槽部分163之间。

参考图3，平坦化层160可以包含通过去除平坦化层160的至少一部分而形成、同时与非发射区NEA重叠的第一沟槽部分161和第二沟槽部分163。另外，第一沟槽部分161可以邻近一个发射区EA设置，第二沟槽部分163可以邻近另一发射区EA设置，并且在形成沟槽部分之后，平坦化层160的一部分可以残留于所述第一沟槽部分161和所述第二沟槽部分163之间。

具体地，第一沟槽部分161可以与分离层270的一个端部重叠，并且可以与一个发射区EA的阳极电极210的一个端部重叠。第二沟槽部分163可以与分离层270的另一端部重叠，并且可以与另一发射区EA的阳极电极210的一个端部重叠。

这里，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163与阳极电极210和分离层270的至少一部分重叠的含义可以定义如下。第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以通过去除平坦化层160的上表面的一部分而以凹槽状形状形成。因此，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163中的每一个可以被形成为具有两侧(例如，第一侧表面和第二侧表面)和底侧。因此，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以被定义为其中形成有两侧和底侧的区域。当第一沟槽部分161和第二沟槽部分163的两侧的至少一部分与阳极电极210和分离层270重叠时，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以被定义为与阳极电极210和分离层270重叠。

分离层270可以以突出超过沟槽部分161和163的侧壁的结构形成。分离层270可以设置在平坦化层160的所述部分的上表面上方，并且可以设置在第一沟槽部分161和第二沟槽部分163之间。设置在第一沟槽部分161和第二沟槽部分163之间的分离层270的一个侧表面可以突出超过可对应于平坦化层160的所述部分的一个侧表面的第一沟槽部分161的一个侧壁，并且分离层270的另一侧表面可以形成为突出超过可对应于平坦化层160的所述部分的一个侧表面的第二沟槽部分163的一个侧壁。因此，分离层270的一个侧表面可以超出第一沟槽部分161的一个侧壁地突出，以暴露分离层270的底表面的一部分，并且分离层270的另一侧表面可以超出第二沟槽部分163的一个侧壁地突出，以暴露分离层270的底表面的另一部分。这里，第一沟槽部分161的一个侧壁和第二沟槽部分163的一个侧壁可以被设置为彼此相对。通过这种结构，上述发光器件200的发光层230和阴极电极250可以以其中分离层270作为边界的不连续结构提供。

形成于平坦化层160中的第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以形成为分别从分离层270和阳极电极210的端部进一步向内。这可以通过在去除平坦化层160的蚀刻工艺中将位于分离层270和阳极电极210下方的平坦化层160的蚀刻速率设定为更高来形成。作为蚀刻工艺，可以使用干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺，并且可以不受限制地使用任何已知的蚀刻工艺。

平坦化层160可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂的有机层形成。

发光器件200可以设置在平坦化层160上方，并且可以与驱动薄膜晶体管(TFT)电连接。发光器件200的阳极电极210可以通过在平坦化层160和保护层140的至少一部分中形成的接触孔接触驱动薄膜晶体管(TFT)的源电极。

根据本公开的示例，发光器件200可以在平坦化层160上方形成。发光器件200可以包含形成为与基板110上方的发射区EA重叠的阳极电极210、形成为面向阳极电极210并且除了与设置在有效显示区AA的非发射区NEA中的平坦化层160的沟槽部分161和163重叠的部分区域以外与整个有效显示区AA重叠的阴极电极250、形成于阳极电极210和阴极电极250之间并形成为与像素对应的发光层230。例如，在图3中，显示装置可以包含第一发光器件200和第二发光器件200，所述第一发光器件200包含第一阳极电极、发光层230的一部分以及阴极电极250的一部分，所述第二发光器件200包含第二阳极电极、发光层230的另一部分以及阴极电极250的另一部分。第一发光器件200可以设置在平坦化层160的第一上表面上，第二发光器件200可以设置在平坦化层160的第二上表面上。

阳极电极210可以设置在平坦化层160上方。具体地，在图3中，第一阳极电极可以超出第一沟槽部分161的另一侧壁地突出，以暴露第一阳极电极的底表面。第二阳极电极可以超出第二沟槽部分163的另一侧壁地突出，以暴露第二阳极电极的底表面。阳极电极210可以通过设置在平坦化层160中的接触孔CNT接触驱动薄膜晶体管(TFT)的源电极。例如，阳极电极210可以包含设置在平坦化层160上方的多个阳极电极层。

当根据本公开的示例的电致发光显示装置具有如上所述的底部发射结构时，阳极电极210可以为透射电极。例如，阳极电极210可以包含诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物。

发光层230可以设置为与所述多个发射区EA重叠，并且可以设置为覆盖非发射区NEA的堤部170。具体地，发光层230可以设置为至少部分地与形成于非发射区NEA中的沟槽部分161和163重叠。

根据本公开的另一实施例，发光层230可以通过沉积固定形成，以使用预定掩模图案对应于每个子像素区，并且当以这种方式形成时，发光层230可以形成为不与非发射区NEA重叠。在本公开中，发光层230将基于其在有效显示区AA中无单独掩模图案地形成来描述。

根据示例，发光层230可以包含空穴传输层、彩色发光层和电子传输层。在这种情况下，当向阳极电极210和阴极电极250施加电压时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到彩色发光层，并在彩色发光层中彼此结合以发光。根据示例，发光层230可以进一步包含用于改善发光层230的发光效率和寿命的至少一个功能层。

阴极电极250可以设置在发光层230上方，并且阴极电极250可以以共用于有效显示区AA的电极的形式来实施。在图3中，阴极电极250被示出为与其中形成分离层270的预定非发射区NEA物理(在物理学上)断开，但是其可以以连接的公共(共用)电极的结构提供。

因此，阴极电极250可以为在子像素区域中共同形成以施加相同电压的公共层。当根据本公开的示例的电致发光显示装置为底部发射型时，阴极电极250可以包含诸如钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、银(Ag)或镁银合金(MgAg)的半透射导电材料。当阴极电极250被配置为半透反射电极时，阴极电极250可以形成为具有几十纳米的厚度以用于半透反射特性。另外，阴极电极250可以被配置为反射电极，并且可以被配置为诸如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝(Al)和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)或Ag/Pd/Cu(APC)合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的多层结构，或者可形成为包含从银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)或者两种或更多种合金材料中选出的任何一种材料的单层或多层结构，但不限于此。

另外，根据诸如发光器件200的发光效率或亮度的电致发光显示装置的要求，可以在阴极电极250的上部增加诸如反射板的结构。

分离层270可以设置为至少部分地与非显示区NEA重叠，并且在平坦化层160上方与阳极电极210间隔开。此外，分离层270可以设置在两个相邻发射区EA之间。由于发光层230通过分离层270以不连续结构形成，可以减小在两个相邻发射区EA之间可能发生的横向泄漏电流。如图1所示，分离层270设置为与有效显示区AA的至少一部分重叠，但是可能不会延伸至有效显示区AA的外边缘。例如，在图3中，发光层230的另一部分可以设置在平坦化层160的所述部分上，并且发光层230的所述另一部分与第一发光器件或第二发光器件的发光层230的所述部分物理断开。另外，阴极电极250的另一部分可以设置在平坦化层160的所述部分上，并且阴极电极250的所述另一部分与第一发光器件或第二发光器件的阴极电极250的所述部分物理断开。

可以提供多个分离层270以具有与发射区EA相对应的尺寸，并且分离层270基于第一方向X上有效显示区AA的第一行的发射区EA仅定位于发射区EA之间。因此，当提供第一方向X上第一行的N个发射区EA时，可以形成N-1个分离层270，因为分离层270仅定位于第一行的N个发射区EA之间。

相邻发射区EA之间可能发生的横向泄漏电流可能与两个发射区EA之间的距离成反比地增加。因此，在图2所示的包含发射区EA的像素结构中，第一方向X上的横向泄漏电流分量可能是最主要的，而第二方向Y上的横向泄漏电流分量可能次主要的。此时，由于在一个发射区EA和与其对角(线)定位的另一发射区EA之间发生的横向泄漏电流位于相对长的距离处，其对总横向泄漏电流的贡献非常小，因此其可以被忽略不计。

在图1和2中，设置在相邻发射区EA之间的分离层270被配置为在第二方向Y上延伸并平行于第二方向Y布置，但不限于此。如稍后将描述的图11和12所示，在本公开的范围内，分离层270可以在第一方向X上延伸，可以布置为平行于第一方向X，并且可以配置为设置在相邻发射区EA之间。

分离层SL(或分离层270)可以设置为在稍后将描述的平坦化层160上方与阳极电极210间隔开。另外，分离层SL可以设置在非发射区NEA的至少一部分中，设置在发射区EA和与发射区EA相邻的另一发射区EA之间，以及可平行于第一方向X或第二方向Y设置。

分离层SL可以包含不同于阳极电极210的材料。

具体地，当阳极电极210由包含透明导电氧化物的透明电极形成时，可以使用包含不同于阳极电极210的材料的无机层作为分离层SL。例如，分离层SL可以为基于氧化物或氮化物的无机层。例如，分离层SL可以包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。然而，本发明不限于此，并且分离层SL可以由包含氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiN)层和氧氮化硅(SiON)层中的至少两种的多层形成。

当分离层SL由与阳极电极210相同的材料形成时，由于同质材料之间的高图案化裕度，有效显示区的开口率可能降低。

当分离层SL由不同于阳极电极210的材料形成时，彼此相邻的分离层SL和阳极电极210之间的最小距离(或最小间隔宽度)可以被设定为第一距离。当分离层SL由与阳极电极210相同的材料形成时，彼此相邻的分离层SL和阳极电极210之间的最小距离可以被设定为第二距离。当分离层SL由与阳极电极210相同的材料形成时，由于工艺的图案化裕度，难以将最小间隔宽度设定为例如约8μm或更小。然而，当分离层SL由不同于阳极电极210的材料形成时，分离层SL与阳极电极210之间的最小间隔宽度可以被设定为例如约3.5μm。因此，当分离层SL由与阳极电极210相同的材料形成并且应用了用于减小在相邻发射区EA中发生的泄漏电流的结构时，开口率的数值可能减小。

因此，第一距离可以具有为第二距离的30％至50％小的尺寸。因此，根据本公开的示例的电致发光显示装置可以具有其中第一距离被最小化的结构。参考图3，第一距离，即分离层SL与阳极电极210之间的最小距离，可以为第二宽度W2和第三宽度W3之和。这样，当分离层SL由不同于阳极电极210的材料形成时，非发射区NEA的宽度可以减小，并且因此开口率的数值可以相对改善。

因此，在根据本公开的示例的电致发光显示装置中，可以减小分离层SL与相邻阳极电极210之间的距离，换句话说，可以减小位于相邻发射区EA之间的非发射区NEA的宽度。因此，与相关技术的结构相比，根据本公开的示例的电致发光显示装置可以具有改善的开口率数值。

这里，开口率可以被定义为发射区EA相对于有效显示区AA的比率。可替换地，开口率可以被定义为由堤部170限定的开口在构成有效显示区AA的像素中所占的比率。

堤部170可以限定每个子像素区域的发射区EA，并且可以设置在与发射区EA相邻的非发射区NEA的至少一部分中。此时，发射区EA指示如下区域，在所述区域中，阳极电极210、发光层230和阴极电极250依次堆叠，使得来自阳极电极210的空穴和来自阴极电极250的电子在发光层230中彼此结合以发光。在这种情况下，其中形成堤部170的区域不发光并成为非发射区NEA，并且其中阳极电极210未被堤部170覆盖的区域可以成为发射区EA。堤部170可以形成为覆盖阳极电极210的边缘并暴露阳极电极210的一部分。因此，堤部170可以防止由于电流集中于阳极电极210的端部而导致发光效率降低的问题。

堤部170可以形成为诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层。

堤部170可以设置为覆盖上述第一沟槽部分161和第二沟槽部分163的至少一部分。优选地，堤部170可以形成为不与第一沟槽部分161和第二沟槽部分163的底表面的一部分重叠。例如，在图3中，堤部170可以覆盖第一沟槽部分161的底表面和第一阳极电极的至少一部分，或者堤部170可以覆盖第二沟槽部分163的底表面和第二阳极电极的至少一部分。

另外，可以进一步包含覆盖发光器件200、堤部170、分离层270和平坦化层160的封装部分(未示出)。

封装部分可以设置为与有效显示区AA重叠。根据本公开的示例，封装部分可以包含至少一个无机层和至少一个有机层。另外，封装部分可以具有其中无机层和有机层交替地布置的薄膜封装结构，并且可以防止湿气或氧气渗透到发光器件200中。例如，封装部分可以包含依次堆叠的第一封装部分、第二封装部分和第三封装部分。另外，封装部分的第一封装部分和第三封装部分可以为无机层，第二封装部分可以为有机层，但不限于此。

例如，第一封装部分和第三封装部分可以包含氮化硅(SiNx)，但不限于此。第二封装部分可以为包含树脂的有机材料，但不限于此。

参考图3，根据本公开的电致发光显示装置可以具有其中包含第一沟槽部分161和第二沟槽部分163的平坦化层160、分离层270、阳极电极210和能够最小化相邻发射区EA中发生的横向泄漏电流的堤部170被组合的结构。另外，可以减小非发射区NEA的宽度，从而可以改善开口率。因此，在根据本公开的电致发光显示装置中，横向泄漏电流被最小化并且非发射区NEA的宽度减小，从而可以改善开口率。

具体而言，非发射区NEA的宽度W可以具有关于分离层270的对称结构。因此，非发射区NEA的宽度W可以被定义为第一宽度W1(分离层270的宽度)、从堤部170的一个端部到与堤部170的所述一个端部相邻的分离层270的第二宽度W2的双倍(两倍)、作为从堤部170的端部到相邻阳极电极210的端部的宽度的第三宽度W3的双倍(两倍)和作为从阳极电极210的端部到与发射区EA相邻的堤部170的另一端部的宽度的第四宽度W4的双倍(两倍)之和。

例如，第一宽度W1可以通过图案化工艺被设定为约3.5μm的最小宽度，并且第二宽度W2可以被设定为约1μm的宽度。在这种情况下，通过分离层270、第一沟槽部分161和第二沟槽部分163的结构，第二宽度W2可以被定义为分离层270的一个端部与相邻堤部170的一个端部之间的距离。接下来，第三宽度W3和第四宽度W4可以各自被设定为约4.5μm的宽度，其将根据堤部170的形成进行调整。这里，上述宽度W、第一宽度W1、第二宽度W2、第三宽度W3和第四宽度W4均被定义为仅考虑第一方向X时的长度。

此时，关于第二宽度W2和第三宽度W3之和，如果分离层SL由与阳极电极210相同的材料形成，则由于工艺的图案化裕度，可能难以将分离层SL与阳极电极210之间的最小宽度设定为约8μm或更小。然而，在根据本公开的电致发光显示装置中，当分离层SL由不同于阳极电极210的材料形成时，分离层SL与阳极电极210之间的间隔宽度可以最小化。例如，分离层SL与阳极电极210之间的距离可以被设定为约3.5μm。因此，在图3的结构中，第二宽度W2和第三宽度W3之和可以最小化。例如，第二宽度W2和第三宽度W3之和可以减小至约3.5μm。

因此，在根据本公开的示例的电致发光显示装置中，可以减小分离层SL与相邻阳极电极210之间的距离。因此，可以减小位于相邻发射区EA之间的非发射区NEA的宽度。因此，在根据本公开的示例的电致发光显示器中，与相关技术的结构相比，可以改善开口率的数值，并且可以最小化横向泄漏电流。

图4是示出根据本公开的另一示例的图1的区域A的平面图，以及图5是沿图4的线II-II'截取的横截面图。除了分离层270的布置结构以外，图4和5的结构与图1至3的结构相同，因此，省略其冗余描述。

参考图4，分离层270可以被布置为平行于第二方向Y并且设置在相邻发射区EA之间。另外，在第二方向Y上延伸的分离层270的至少一部分可以按照不连续结构形成。例如，一个分离层270可以形成为在第二方向Y上在第一发射区EA和第二发射区EA之间延伸。与分离层270断开的另一分离层270可以形成于第三发射区EA和第四发射区EA之间。如上所述，分离层270被引入，以减小在相邻发射区EA中可能发生的横向泄漏电流。因此，分离层270被定位于第一方向X上相邻的发射区EA(例如，第一发射区和第二发射区)之间，其中此处横向泄漏电流可能呈现为最大。然而，由于在一个发射区EA和与其对角定位的另一发射区EA之间发生的横向泄漏电流可以忽略不计，这里可以不形成分离层270。因此，发射区EA未设置在其中未形成分离层270的区域的左右两侧。

参考图5，发光器件200的发光层230和阴极电极250可以形成为在其中未形成分离层270的非发射区NEA中连接。具体地，其具有在平坦化层160的第一沟槽部分161和第二沟槽部分163中连接的结构。在这种情况下，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以具有没有分离层270的单一沟槽结构。如上所述，在根据本公开的示例的电致发光显示器中，由于阴极电极250在有效显示区AA中未形成分离层270的区域中具有连接结构，可以改善有效显示区AA中的阴极电极250的电阻均匀性。因此，可以改善电致发光显示装置的图像质量和亮度均匀性。

如图4和5所示，根据本公开的示例的电致发光显示装置可以具有其中发光层230和阴极电极250在非发射区NEA的部分区域中连接的结构。然而，其在一个发射区EA和在其对角线方向上与该发射区EA相邻的另一发射区EA之间的最远距离处连接。因此，对横向泄漏电流的发生的贡献可能非常低，并且实质上发生的横向泄漏电流可以忽略不计。因此，如图4和5所示，在根据本公开的示例的电致发光显示装置中，尽管发光层230和阴极电极250部分地连接，与相关技术的结构相比，横向泄漏电流减小。另外，在根据本公开的示例的电致发光显示装置中，可以改善有效显示区AA中阴极电极250的电阻均匀性，从而可以改善电致发光显示装置的图像质量和亮度均匀性。

图6是根据本公开的另一示例的电致发光显示装置的平面图，图7是图示出图6的区域B的平面图，以及图8是沿图7的线Ⅲ-Ⅲ'截取的横截面图。在图6至8中，除了在两个相邻发射区EA之间的非发射区NEA中设置有两个分离层271和273以及在所述两个分离层271和273之间形成有平坦化层160的第三沟槽部分165以外，根据本公开的另一示例的电致发光显示装置与图1至3的电致发光显示装置具有相同的结构，因此将省略相同部分的描述。

参考图6至8，分离层270(或分离层SL)可以包含形成为彼此间隔开的第一分离层271和第二分离层273。另外，平坦化层160可以在第一分离层271和第二分离层273之间形成，并且可以进一步包含通过去除平坦化层160的至少一部分而形成的第三沟槽部分165。例如，在图8中，平坦化层160可以形成有第一沟槽部分161和第三沟槽部分165，并且平坦化层160的一部分可以残留于第一沟槽部分161和第三沟槽部分165之间。平坦化层160还可以形成有第二沟槽部分163，并且平坦化层160的另一部分可以残留于第二沟槽部分163和第三沟槽部分165之间。

因此，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，可以在彼此相邻的两个发射区EA之间形成第一分离层271、第二分离层273以及设置在第一分离层271和第二分离层273之间的第三沟槽部分165。发光层230和阴极电极250可以不连续地形成于设置在第一分离层271和第二分离层273之间的第三沟槽部分165中。例如，发光层230和阴极电极250的一部分可以形成为在非发射区NEA中与第一分离层271和第二分离层273重叠，并且可以不连续地形成于第三沟槽部分165中。具体地，两个相邻发光器件的发光层230和阴极电极250可以设置在平坦化层160、第一分离层271和第二分离层273上方，并且可以与第三沟槽部分165的两个侧壁的至少一部分重叠。例如，第一分离层271可以超出对应于所述平坦化层160的所述部分的侧表面的所述第一沟槽部分161的侧壁地突出，并且还可以超出对应于所述平坦化层160的所述部分的另一侧表面的所述第三沟槽部分165的侧壁地突出。第二分离层273可以超出对应于所述平坦化层160的另一部分的侧表面的所述第二沟槽部分163的侧壁地突出，并且还可以超出所述第三沟槽部分165的另一侧壁地突出。发光层230和阴极电极250可以与第一分离层271和第二分离层273断开，并且与第三沟槽部分165的底侧的至少一部分重叠。

第一分离层271和第二分离层273的至少一部分与第三沟槽部分165的侧壁重叠并突出以便不与平坦化层160的上表面重叠。当第一分离层271和第二分离层273设置在平坦化层160的上表面上方时，它们可以设置在第三沟槽部分165的两侧上方。第一分离层271的一个侧表面突出超过第三沟槽部分165的一个侧壁，并且第二分离层273的一个侧表面可以形成为突出超过面向第三沟槽部分165的所述一个侧壁的另一侧壁。通过这种结构，上述发光器件200的发光层230和阴极250可以以基于第一分离层271和第二分离层273作为边界的不连续结构提供。

可以提供多个第一分离层271和多个第二分离层273，以具有与发射区EA相对应的尺寸，并且第一分离层271和第二分离层273可以基于第一方向X上有效显示区AA的第一行的发射区EA仅位于发射区EA之间。因此，当制备第一方向X上的第一行的N个发射区EA时，可以形成N-1个第一分离层271和第二分离层273中的每一个，因为它们仅位于第一行的N个发射区EA之间。

如图8所示，阳极电极210具有与第一分离层271和第二分离层273断开的结构，可以提供其中阴极电极250设置在第一分离层271和第二分离层273上方而不会发生短路的结构。

根据本公开的另一示例的电致发光显示装置可以具有以下结构，其中包含第一沟槽部分161、第二沟槽部分163和第三沟槽部分165的平坦化层160；包含第一分离层271和第二分离层273的分离层270；阳极电极210；以及堤部170被组合，以最小化相邻发射区EA中发生的横向泄漏电流。另外，可以减小非发射区NEA的宽度，从而可以改善开口率。因此，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，横向泄漏电流被最小化并且非发射区NEA的宽度减小，从而可以改善开口率。

具体地，非发射区NEA的宽度W′具有基于第一分离层271和第二分离层273之间的第五宽度W5的水平对称结构。因此，非发射区NEA的宽度W′可以被定义为第一分离层271和第二分离层273之间的第五宽度W5、作为第一分离层271的宽度的第六宽度W6的双倍(两倍)、作为彼此相邻的第一分离层271和阳极电极210的端部之间的宽度的第七宽度W7的双倍(两倍)和作为从定位于与堤部170重叠的区域处的阳极电极210的端部到与发射区EA相邻的堤部170的端部的宽度的第八宽度W8的双倍(两倍)之和。

例如，可通过图案化工艺将第五宽度W5、第六宽度W6和第七宽度W7设定为约3.5μm的最小宽度。接下来，可将第八宽度W8设定为约4.5μm的最小宽度，并且可以根据堤部170的形成调整第八宽度W8。这里，上述宽度W′、第五宽度W5、第六宽度W6、第七宽度W7和第八宽度W8均被定义为仅考虑第一方向X时的长度。

如上所述，可通过图案化工艺将第五宽度W5设定为约3.5μm的最小宽度。为此，第一分离层271和第二分离层273可由不同于阳极电极210的材料形成。

关于第五宽度W5和第七宽度W7，如果阳极电极210、第一分离层271和第二分离层273均由相同的材料形成，则由于工艺的图案化裕度，可能难以将最小间隔宽度设定为小于约8μm。然而，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，第一分离层271和第二分离层273由不同于阳极电极210的材料形成，使得阳极电极210、第一分离层和第二分离层273中的每一个可以被设定为彼此具有最小间隔宽度，例如，最小约3.5μm。

因此，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，可以减小分离层SL与相邻阳极电极210之间的距离，换句话说，可以减小位于相邻发射区EA之间的非发射区NEA的宽度。因此，在根据本公开的示例的电致发光显示器中，与相关技术的结构相比，可以改善开口率的数值，并且可以最小化横向泄漏电流。

图9是图示出根据本公开的另一示例的图6的区域B的平面图，以及图10是沿图9的线II-II'截取的横截面图。这里，图10的横截面结构可以与上述图5的横截面结构相同。因此，将省略重复的描述。

参考图9，第一分离层271和第二分离层273可以被布置为平行于第二方向Y并且设置在相邻发射区EA之间。然而，第一分离层271和第二分离层273的至少一部分可以按照不连续结构形成。如上所述，第一分离层271和第二分离层273被引入，以减小在相邻发射区EA中可能发生的横向泄漏电流。因此，第一分离层271和第二分离层273定位于第一方向X上的相邻发射区EA之间，其中此处横向泄漏电流可能呈现为最大。然而，由于在一个发射区EA和与其对角定位的另一发射区EA之间发生的横向泄漏电流可以忽略不计，这里可以不形成第一分离层271和第二分离层273。

参考图10，发光器件200的发光层230和阴极电极250可以形成为在其中未形成第一分离层271和第二分离层273的非发射区NEA中连接。具体地，其具有在平坦化层160的第一沟槽部分161和第二沟槽部分163中连接的结构。在这种情况下，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以具有没有分离层270的单一沟槽结构。如上所述，在根据本公开的示例的电致发光显示器中，由于阴极电极250在有效显示区AA中未形成第一分离层271和第二分离层273的区域中具有连接结构，可以改善有效显示区中阴极电极250的电阻均匀性。因此，可以改善电致发光显示装置的图像质量和亮度均匀性。

如图9和10所示，根据本公开的另一示例的电致发光显示装置可以具有其中发光层230和阴极电极250在非发射区NEA的部分区域中连接的结构。然而，其在一个发射区EA和在其对角线方向上与该发射区EA相邻的另一发射区EA之间的最远距离处连接。因此，对横向泄漏电流发生的贡献可能非常低，并且实质上发生的横向泄漏电流可以忽略不计。因此，如图9和10所示，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，尽管发光层230和阴极电极250部分地连接，与相关技术的结构相比，横向泄漏电流减小。另外，在根据本公开的另一示例的电致发光显示装置中，可以改善有效显示区AA中阴极电极250的电阻均匀性，从而可以改善电致发光显示装置的图像质量和亮度均匀性。

图11是根据本公开的另一示例的电致发光显示装置的平面图，图12是图示出图11的区域C的平面图，以及图13是沿图12的线I-I'截取的横截面图。除了发射区EA和分离层SL的布置结构有所改变以外，图10至13具有与图1或图6的电致发光显示装置相同的结构，因此将省略冗余描述。

在图11中，被归类为C区域的包含发射区EA的像素结构可以被配置为一种四元结构，并且如C区域一样包含四个发射区EA的区域可以被定义为一个单位像素。在一个单位像素中，当四方形(或方块)被划分为象限时，可以在每个象限中形成一个子像素或发射区。然而，根据本公开的电致发光显示装置的像素结构不限于此，并且可以应用诸如条状型、菱形型和五元型的各种已知结构。

因此，当发射区EA的结构以类似于上述四元结构的四方形形状实施时，在第一方向X和第二方向Y上两个相邻发射区EA之间的最短距离可以在同一水平上形成。因此，为了减小在相邻发射区EA之间可能发生的横向泄漏电流，可以平行于第一方向X和第二方向Y形成分离层270。此外，在对角线方向上与一个发射区EA相邻的区域上可以不形成分离层270。

因此，可以提供多个分离层270，以具有对应于发射区EA的尺寸，并且分离层270可以仅形成于基于有效显示区AA的第一方向上的第一行的发射区EA的发射区EA之间。因此，当制备第一方向X上的第一行的m个发射区EA时，可以形成m-1个分离层270，因为分离层270仅定位于第一行的m个发射区EA之间。另外，由于分离层270仅位于基于有效显示区AA的第二方向Y上的第一列的发射区EA的发射区EA之间，当制备第二方向上的第一列的M个发射区EA时，可以形成M-1个分离层270，因为分离层270仅位于第一列的M个发射区EA之间。

此外，当以圆形或椭圆形结构或不确定结构形成发射区时，如图11所示，可在一个发射区EA和与所述一个发射区EA相邻的另一发射区EA之间形成分离层270。

在图12中，包含位于左上方的发射区EA的子像素可以为白色子像素，包含位于右上方的发射区EA的子像素可以为红色子像素，包含位于左下方的发射区EA的子像素可以为绿色子像素，并且包含位于右下方的发射区EA的子像素可以为蓝色子像素。然而，根据本公开的发射区EA或子像素的布置结构不限于此。

图14A至14F是图示出根据本公开的电致发光显示装置的制造方法的视图。

首先，参考图14A，在基板110上方形成缓冲层120、层间绝缘层130、保护层140、滤色器150和150′以及平坦化层160，并且形成分离层270。

在这种情况下，分离层270可以被图案化以具有预设宽度。

接下来，参考图14B，阳极电极210被形成，以对应于每个发射区，并且可以形成掩模图案MP，以与阳极电极210和分离层270重叠。在这种情况下，掩模图案MP可以为用于光刻工艺的光致抗蚀剂(光刻胶)图案。

接下来，参考图14C和14D，可以使用掩模图案MP执行蚀刻工艺。

在这种情况下，阳极电极210和分离层270可以各自用作蚀刻工艺的预定掩模。此时，可以通过对构成平坦化层160的材料适当地设定蚀刻速率来执行蚀刻工艺，并且如图14D所示，第一沟槽部分161和第二沟槽部分163可以被形成为与阳极电极210和分离层270的至少一部分重叠，并且阳极电极210和分离层270可以形成为其一部分朝向第一沟槽部分161或第二沟槽部分163突出的结构，使得阳极电极210和分离层270不与平坦化层160的上表面重叠。

接下来，参考图14E和14F，堤部170可以被形成，以与阳极电极210以及第一和第二沟槽部分161和163的至少一部分重叠，并且发光器件200的发光层230和阴极电极250可以被形成。此时，可以在没有如上所述的掩模图案的情况下形成发光层230和阴极电极250，并且由于其中第一和第二沟槽部分161和163与分离层270被组合的结构，发光层230和阴极电极250可以在第一和第二沟槽部分161和163以及分离层270中以不连续结构形成。

图15是包含沟槽部分的平坦化层和分离层的结构的扫描电子显微镜(SEM)照片。

参考图15，在平坦化层160上方形成分离层270，并且通过执行蚀刻工艺形成沟槽部分165。此时，当形成沟槽部分165时，通过适当地调整平坦化层160的蚀刻速率，确认沟槽部分165的两个侧表面或两侧被形成为与分离层270的至少一部分重叠。在这种情况下，沟槽部分165可以具有与以上参考图8描述的第三沟槽部分165相同的结构。因此，如图15所示，可以看出，沟槽部分165的两个侧壁与分离层270的至少一部分重叠。换句话说，分离层270的至少一部分可以被形成为突出以便与沟槽部分165的侧壁重叠，并且通过这种结构，上述发光器件200的发光层230和阴极电极250可以以基于分离层270作为边界的不连续结构提供。

根据本公开的示例，电致发光显示装置的横向泄漏电流被减小，从而可靠性被改善。

另外，根据本公开的示例，电致发光显示装置的横向泄漏电流被减小，并且同时改善了开口率。

本公开的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他效果。

本公开的上述特征、结构和效果包含在本公开的至少一个实施例中，但并不仅限于一个实施例。此外，本领域技术人员可以通过组合或修改其他实施例来实现本公开的至少一个实施例中描述的特征、结构和效果。因此，与组合和修改相关联的内容应被解释为落在本公开的范围内。

对本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变化。因此，本公开应覆盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (23)

1.一种电致发光显示装置，其包括：

包含发射区和围绕所述发射区的非发射区的基板；

在所述基板上方形成的平坦化层；

设置在所述平坦化层上方的发光器件，其与所述发射区重叠，并且包含阳极电极；以及

分离层，其设置为在所述平坦化层上方与所述阳极电极间隔开，并且设置为在一个发射区和与所述一个发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向或第二方向，

其中，所述平坦化层被形成为与所述非发射区的至少一部分重叠，并且包含通过去除所述平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分，

所述沟槽部分在所述非发射区中至少部分地与所述阳极电极和所述分离层中的每一个的端部重叠，

所述发光器件进一步包含在所述阳极电极上方依次形成的发光层的一部分和阴极电极的一部分，并且

所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分不连续地形成于所述沟槽部分中，并且与所述平坦化层上的所述发光层的另一部分和所述阴极电极的另一部分断开。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述分离层包含不同于所述阳极电极的材料。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中：

所述阳极电极包含透明导电氧化物，以及

所述分离层包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述沟槽部分包含：

第一沟槽部分，其设置为邻近所述一个发射区；以及

第二沟槽部分，其设置为邻近与所述一个发射区相邻的所述另一发射区。

5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中：

所述第一沟槽部分与所述分离层的一个端部重叠并且与所述一个发射区的阳极电极的一个端部重叠，以及

所述第二沟槽部分与所述分离层的另一端部重叠并且与所述另一发射区的阳极电极的一个端部重叠。

6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，进一步包括：

堤部，其设置在所述平坦化层上方并且设置为围绕所述发射区的外侧，其中所述堤部与所述沟槽部分的至少一部分重叠。

7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中：

邻近所述一个发射区设置的堤部与所述第一沟槽部分的一个侧表面重叠并且至少部分地与所述第一沟槽部分的底表面重叠，以及

邻近所述另一发射区设置的堤部与所述第二沟槽部分的一个侧表面重叠并且至少部分地与所述第二沟槽部分的底表面重叠。

8.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中：

所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分被设置为与所述堤部重叠，以及

所述发光层的所述另一部分和所述阴极电极的所述另一部分被设置为与所述分离层重叠。

9.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中：

所述分离层包含形成为彼此间隔开的第一分离层和第二分离层，以及

所述平坦化层进一步包含在所述第一分离层和所述第二分离层之间形成并通过去除所述平坦化层的至少一部分而形成的第三沟槽部分。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中所述第三沟槽部分与所述第一分离层和所述第二分离层的至少一部分重叠。

11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中所述阳极电极包含透明导电氧化物，并且所述第一分离层和所述第二分离层包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氧氮化硅(SiN)中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述分离层包含分离层未形成区，在所述分离层未形成区中，所述分离层的至少一部分被形成为在所述第一方向或所述第二方向上具有不连续结构。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置，其中所述阴极电极公共地形成于所述分离层未形成区中。

14.一种显示装置，其包括：

包含多个子像素的多个发射区的基板，所述多个发射区包含第一子像素的第一发射区和第二子像素的第二发射区，其中在所述第一发射区和所述第二发射区之间设有非发射区；

所述基板上的平坦化层，所述平坦化层具有邻近所述第一发射区的第一沟槽、邻近所述第二发射区的第二沟槽以及至少所述平坦化层的设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的部分；

在至少所述第一发射区中设置在所述平坦化层的第一上表面上的第一发光器件以及在至少所述第二发射区中设置在所述平坦化层的第二上表面上的第二发光器件；以及

设置在所述平坦化层的所述部分上的至少一个分离层，其中所述分离层的至少一个端部超出所述平坦化层的所述部分的侧表面地突出。

15.根据权利要求14所述的显示装置，

其中所述第一发光器件包含设置在所述平坦化层的第一上表面上的第一阳极电极，并且所述第二发光器件包含设置在所述平坦化层的第二上表面上的第二阳极电极，以及

其中所述分离层的材料不同于所述第一阳极电极和所述第二阳极电极的材料。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一阳极电极和所述第二阳极电极包含透明导电氧化物，并且所述分离层包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氧氮化硅(SiN)中的至少一种。

17.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一阳极电极超出所述第一沟槽的侧壁地突出或者所述第二阳极电极超出所述第二沟槽的侧壁地突出。

18.根据权利要求14所述的显示装置，

其中所述第一发光器件或所述第二发光器件中的至少一个包含发光层的至少一部分和阴极电极的至少一部分，以及

其中所述发光层的另一部分和所述阴极电极的另一部分设置在所述分离层上，并且所述发光层的所述另一部分和所述阴极电极的所述另一部分与所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分物理断开。

19.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括设置在所述第一阳极电极和所述第一沟槽的底表面的至少一部分上的堤部，其中所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分延伸至在所述堤部上设置。

20.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述多个子像素布置成一行或更多行以及一列或更多列，并且其中所述分离层在第一方向上在成行的子像素之间延伸或者所述分离层在第二方向上在成列的子像素之间延伸。

21.根据权利要求20所述的显示装置，

其中所述至少一个分离层进一步包含设置在第三子像素的第三发射区和第四子像素的第四发射区之间的第二分离层，

其中所述第二分离层与所述分离层断开，并且其中在所述分离层与所述第二分离层断开的区域中，所述平坦化层形成有单一沟槽。

22.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述平坦化层具有第三沟槽，所述平坦化层的所述部分位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间，并且其中所述平坦化层的另一部分位于所述第三沟槽和所述第二沟槽之间，所述显示装置进一步包括：

设置在所述平坦化层的所述另一部分上的第二分离层，其中所述第二分离层的至少一个端部超出所述平坦化层的所述另一部分的侧表面地突出。

23.根据权利要求22所述的显示装置，

其中所述第一发光器件或所述第二发光器件中的至少一个包含发光层的至少一部分和阴极电极的至少一部分，以及

其中所述发光层的另一部分和所述阴极电极的另一部分设置在所述第三沟槽中，并且所述发光层的所述另一部分和所述阴极电极的所述另一部分与所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分物理断开。

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