CN114664886A - 电致发光显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 272
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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Abstract
本公开涉及一种具有窄边框结构的电致发光显示装置。该电致发光显示装置包括：基板；多个像素；薄膜晶体管；平坦化层；发光二极管；多个沟槽；虚设发光层；封装层以及盖板。基板包括显示区域和非显示区域；发光二极管包括阳极、发光层和阴极，并设置在平坦化层上；多个沟槽在非显示区域中形成在平坦化层处，并围绕显示区域；并且虚设发光层在非显示区域中设置为从发光层延伸。
Description
技术领域
本公开涉及一种具有窄边框结构的电致发光显示装置。特别地，本公开涉及一种非显示区域形成为具有最小尺寸从而实现超窄边框结构的电致发光显示装置。
背景技术
显示装置中的电致发光显示装置采用自发光系统，具有优异的视角、对比度等，并且可以减小重量和厚度，并且由于不需要单独的背光，从而在功耗方面具有优势。特别地，电致发光显示装置中的有机发光显示(OLED)装置可以由低DC电压驱动，具有高响应速度，并具有低制造成本。另外，电致发光显示装置的优点为具有超薄结构，并利用有机材料的柔性。
电致发光显示装置包括多个电致发光二极管。电致发光二极管包括阳极、形成在阳极上的发光层以及形成在发光层上的阴极。当高电位电压被施加到阳极并且低电位电压被施加到阴极时，阳极中的空穴和阴极中的电子移动到发光层。当空穴和电子在发光层中结合时，在激发过程中形成激子，并且由于来自激子的能量而产生光。通过以电性方式控制被堤部单独地分隔的多个电致发光二极管的发光层中产生的光量，电致发光显示装置显示图像。
在电致发光显示装置的制造工艺的现有技术中，可以使用掩模来在确定区域上方沉积发光材料。为了确保用于调节掩模的区域，应需要边缘区域。因此，利用根据现有技术的制造方法，在实现窄边框结构上具有限制。因此，需要一种用于实现超窄边框结构的新的方法和结构。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种围绕显示区域的边框区域被最小化的大面积电致发光显示装置。本公开的另一目的是提供一种通过不使用用于沉积发光层的掩模从而消除用于对准掩模所需的边缘区域而具有超窄边框结构的大面积电致发光显示装置。
根据本公开的实施例，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，包括显示区域和非显示区域；多个像素，设置在显示区域中；薄膜晶体管，设置在像素中；平坦化层，覆盖薄膜晶体管；发光二极管，包括阳极、发光层和阴极，并设置在平坦化层上；多个沟槽，在非显示区域中形成在平坦化层处，并围绕显示区域；虚设发光层，在非显示区域中设置为从发光层延伸；封装层，覆盖显示区域并覆盖非显示区域中的虚设发光层；以及盖板，设置在封装层上。
例如，虚设发光层的端部边缘与封装层的端部边缘一致。
例如，沟槽的端部边缘朝向显示区域与封装层的端部边缘间隔开预定距离。
例如，沟槽的端部边缘朝向基板的端部边缘与封装层的端部边缘间隔开预定距离。
例如，沟槽包括：顶面；底面；以及将顶面连接到底面的壁面。虚设发光层设置在除壁面之外的顶面和底面上。
例如，多个沟槽在基板的端部边缘与显示区域的端部边缘之间以预定距离排列。
例如，多个沟槽在基板的端部边缘与显示区域的端部边缘之间被排列成划分为多个沟槽组。
例如，任意一个沟槽组包括多个沟槽。
此外，根据本公开的实施例，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，设置在显示区域中；平坦化层，在显示区域和非显示区域中并且在基板上；阳极，设置在像素中并且在平坦化层上；堤部，在平坦化层上限定阳极的发光区域；多个沟槽，形成在平坦化层和堤部处，并在非显示区域中设置为围绕显示区域；发光层，设置在堤部和阳极上并且在显示区域和非显示区域中；阴极，设置在发光层上；封装层，设置在阴极上并且在显示区域和非显示区域中；以及盖板，设置在封装层上。
例如，发光层在封装层的范围内在显示区域和非显示区域中。发光层沉积在除沟槽的连接顶面和底面的壁面之外的沟槽的顶面和底面上。
例如，发光层的端部边缘与封装层的端部边缘一致。
例如，沟槽的端部边缘与封装层的端部边缘重叠。
例如，沟槽的端部边缘从封装层的端部边缘向基板的端部边缘延伸。
例如，沟槽的端部边缘朝向显示区域与封装层的端部边缘间隔开预定距离。
例如，多个沟槽被排列成划分为多个沟槽组。
当沉积发光层时可以不使用掩模来制造根据本公开的电致发光显示装置。因此，根据本公开的电致发光显示装置的发光层可以具有与封装层的端部边缘一致的端部边缘(或部分)。由于发光层暴露，使得诸如水分或气体的异物可能会通过暴露的端部边缘侵入然后通过发光层传播，从而导致发光元件劣化。为了防止发光元件的劣化，本公开提出了用于将发光层的端部边缘与显示区域之间的发光层断开连接或分开的多个沟槽。因此，边框区域可以形成为具有最小尺寸，并且其防止侵入发光层的端部边缘的异物通过发光层传播到显示区域。根据本公开的电致发光显示装置具有显示区域被最大化的结构，并且能够通过确保显示元件的使用寿命来提供高质量。
附图说明
本公开包括附图以提供对本公开的进一步理解，附图被并入并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的电致发光显示装置的平面图；
图2是示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线I-I’的剖视图；
图3是示出根据本公开的电致发光显示装置中包括的沟槽的结构的放大剖视图；
图4是示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线II-II’的剖视图；
图5是示出根据本公开的第二实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线III-III’的剖视图；
图6是示出根据本公开的第三实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线III-III’的剖视图。
具体实施方式
本公开的优点和特征及其实现方法将通过以下参考附图描述的实施例来阐明。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开详尽和完整并且将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当相关已知技术的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的当要点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部分。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，尽管没有明确描述，但该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在～上”、“在～上方”、“在～下”、“靠近～”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则一个或多个其它部分可以设置在这两个部分之间。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“随后”、“接下来”、“在～之前”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
术语“至少一个”应被理解为包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个以上的项以及第一项、第二项和第三项中提出的所有项的组合。
如本领域技术人员能够充分理解的，本公开的各实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以各种形式彼此互操作并在技术上驱动。本公开的实施例可以彼此独立地实施，也可以以相互依赖的关系一起实施。
下面将描述根据本公开的电致发光显示装置。在以下描述中，将参考附图详细描述电致发光显示装置的示例。在附图中，将尽可能地由相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出根据本公开的电致发光显示装置的平面图。参考图1，根据本公开的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素P、公共电源线CPL、栅极驱动电路200、沟槽TR和驱动IC 300。
基板SUB是基础板(或基础层)，并由塑料材料或玻璃材料形成。对于可折叠显示装置的情况，优选地，基板SUB可以由具有优异的柔性的塑料材料制成。然而，即使可折叠显示装置由玻璃材料制成，也可以通过使玻璃基板为超薄厚度来实现该可折叠显示装置。
例如，基板SUB二维地具有四边形形状、角部以预定曲率半径倒圆的四边形形状或者具有至少六个边的非四边形形状。在此，具有非四边形形状的基板SUB包括至少一个突出部或至少一个凹口部。
例如，基板SUB可以被划分为显示区域AA和非显示区域IA。显示区域AA设置在基板SUB的大致中间部分，并且被限定为用于显示图像的区域。例如，显示区域AA具有四边形形状、角部以预定曲率半径倒圆的四边形形状或者具有至少六个边的非四边形形状。在此，具有非四边形形状的显示区域AA包括至少一个突出部或至少一个凹口部。
非显示区域IA设置在基板SUB的边缘以围绕显示区域AA，并且被限定为不显示图像的区域或周边区域。例如，非显示区域IA包括设置在基板的第一边缘处的第一非显示区域IA1、设置在基板SUB的第二边缘处的平行于第一非显示区域IA1的第二非显示区域IA2、设置在基板SUB的第三边缘处的第三非显示区域IA3以及设置在基板SUB的第四边缘处的平行于第三非显示区域IA3的第四非显示区域IA4。例如，第一非显示区域IA1可以是基板SUB的上(或下)边缘区域，第二非显示区域IA2可以是基板SUB的下(或上)边缘区域，第三非显示区域IA3可以是基板SUB的左(或右)边缘区域，第四非显示区域IA4可以是基板SUB的右(或左)边缘区域，但本公开不限于此。
像素P设置在基板SUB的显示区域AA中。例如，多个像素可以以矩阵形式设置在基板SUB的显示区域AA中。像素P分别设置在由扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL限定的区域中。
扫描线SL在第一方向X上延伸并且在与第一方向X相交的第二方向Y上以预定间隔设置。基板SUB的显示区域AA包括在第一方向X上彼此平行并且在第二方向Y上彼此分开的多条扫描线SL。在此，第一方向X被定义为基板SUB的水平方向，第二方向Y被定义为基板SUB的垂直方向，但本公开不限于此，并且可以相反地定义。
数据线DL在第二方向Y上延伸并且在第一方向X上以预定间隔设置。基板SUB的显示区域AA包括在第二方向Y上彼此平行并且在第一方向X上彼此分开的多条数据线DL。
像素驱动电源线PL在基板SUB上设置为平行于数据线DL。基板SUB的显示区域AA包括平行于数据线DL的多条像素驱动电源线PL。选择性地，像素驱动电源线PL可以被设置成平行于扫描线SL。
例如，像素P可以以条纹图案设置在显示区域AA中。一个单位像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且单位像素还可以包括白色子像素。条纹图案是指相同颜色的子像素以一行或一列连续设置并且不同颜色的子像素交替设置的图案。例如，红色子像素形成第一列，绿色子像素形成第二列，蓝色子像素形成第三列，并且红色列、绿色列和蓝色列重复交替设置。
例如，像素P可以以Pentile结构设置在显示区域AA中。在这种情况下，单位像素包括以二维多边形形状设置的至少一个红色子像素、至少两个绿色子像素和至少一个蓝色子像素。例如，在具有Pentile结构的一个单位像素中，一个红色子像素、两个绿色子像素和一个蓝色子像素以二维设置成八边形形状。在这种情况下，蓝色子像素具有最大的开口区域(或发光区域)，绿色子像素具有最小的开口区域。
每个像素P包括与相邻的扫描线SL、对应的数据线DL和对应的像素驱动电源线PL电连接的像素电路PC以及与像素电路PC电连接的发光元件ED。
像素电路PC基于响应于从至少一条扫描线SL供应的扫描信号而从数据线DL供应的数据电压，来控制从像素驱动电源线PL流向发光元件ED的数据电流Ied。
例如，每个像素电路PC包括至少两个薄膜晶体管以及一个电容器。例如，每个像素电路PC可以包括基于数据电压向发光元件ED供应数据电流Ied的驱动薄膜晶体管、将从数据线DL供应的数据电压供应到驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管以及存储驱动薄膜晶体管的栅极-源极电压的电容器。
例如，每个像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和至少一个电容器。例如，像素电路PC包括电流供应电路、数据供应电路和根据至少三个薄膜晶体管的操作(或功能)的补偿电路。在此，电流供应电路包括基于数据电压向发光元件ED供应数据电流Ied的驱动薄膜晶体管。数据供应电路包括响应于至少一个扫描信号将从数据线DL供应的数据电压供应到电流供应电路的至少一个开关薄膜晶体管。补偿电路包括响应于至少一个扫描信号补偿驱动薄膜晶体管的特征值(阈值电压和/或迁移率)的变化的至少一个补偿薄膜晶体管。
响应于从像素电路PC供应的数据电流Ied，每个发光元件ED发射具有与数据电流Ied对应的亮度的光。在这种情况下，数据电流Ied从像素驱动电源线PL经由发光元件ED流向公共电源线CPL。
例如，每个发光元件ED可以包括无机发光二极管或有机发光二极管。例如，每个发光元件ED包括与像素电路PC电连接的像素驱动电极AE(或第一电极或阳极)、形成在像素驱动电极AE上的发光层EL以及与发光层EL电连接的公共电极CE(或第二电极或阴极)。
公共电源线CPL设置在基板SUB的非显示区域IA中，并且电连接到设置在显示区域AA中的公共电极CE。例如，公共电源线CPL以恒定线宽沿着与基板SUB的显示区域AA相邻的第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4设置并且围绕显示区域AA的除了与基板SUB的第一非显示区域IA1相邻的部分之外的部分。公共电源线CPL的一端设置在第一非显示区域IA1的一侧上，公共电源线CPL的另一端设置在第一非显示区域IA1的另一侧上。公共电源线CPL的一端和另一端设置成围绕第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4。因此，公共电源线CPL具有二维的“∩形”，其中与基板SUB的第一非显示区域IA1相对应的一侧敞开。
封装层形成在基板SUB上以围绕显示区域AA和非显示区域IA。封装层用于防止氧气或水分渗入设置在显示区域AA中的发光元件ED。例如，封装层可以包括至少一个无机膜或有机膜。例如，封装层可以包括多个无机膜和插设在多个无机膜之间的有机膜。例如，封装层可以以包含吸气剂(或吸湿剂)的有机材料沉积在基板SUB的表面上。
根据本公开的实施例的驱动单元包括焊盘部PP、栅极驱动电路200和驱动集成电路300。焊盘部PP包括设置在基板SUB的非显示区域IA中的多个焊盘。例如，焊盘部PP可以包括设置在基板SUB的第一非显示区域IA1中的多个公共电源焊盘、多个数据输入焊盘、多个电源焊盘以及多个控制信号输入焊盘。
栅极驱动电路200设置在基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中，并与设置在显示区域AA中的扫描线SL以一一对应的方式连接。栅极驱动电路200以与像素P的制造工艺(即薄膜晶体管的制造工艺)相同的工艺在基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中形成为集成电路。栅极驱动电路200通过基于从驱动集成电路300供应的栅极控制信号产生扫描信号并以预定顺序输出产生的扫描信号，来以预定顺序驱动多条扫描线SL。例如，栅极驱动电路200可以包括移位寄存器。
驱动集成电路300通过芯片安装(或接合)工艺安装于在基板SUB的第一非显示区域IA1中限定的芯片安装区域中。驱动集成电路300的输入端子直接连接到焊盘部PP，因此设置在显示区域AA中的多条数据线DL电连接到多条像素驱动电源线PL。驱动集成电路300经由焊盘部PP从显示驱动电路单元(或主电路)接收各种电源、时序同步信号和数字图像数据，基于时序同步信号产生栅极控制信号，控制栅极驱动电路200的驱动，将数字图像数据转换为模拟像素数据电压，并将模拟像素数据电压供应到对应的数据线DL。
在下文中，将参考示出本公开的结构特征的剖视图来描述各个实施例。
<第一实施例>
在下文中，将参考图2来描述第一实施例。图2是示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线I-I’的剖视图。
根据本公开的第一实施例的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素阵列层120、封装层FS和盖板CP。
作为基础层的基板SUB可以由塑料材料或玻璃材料制成。基板SUB可以包括不透明的或有色的聚酰亚胺材料。例如，聚酰亚胺的基板SUB可以是以预定厚度涂覆在设置在比聚酰亚胺基板SUB相对更厚的载体玻璃基板的前表面上的释放层上的硬化的聚酰亚胺树脂层。在这种情况下，载体玻璃基板和聚酰亚胺的基板SUB可以通过使用激光的释放工艺彼此分离。在此情况下，基板SUB还可以包括在厚度方向(Z轴)上附接到基板SUB的后表面上的背板。背板用于将基板SUB保持在平面状态。例如，背板可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯材料的塑料材料。背板可以层压在从载体玻璃基板释放的基板SUB的后表面处。
在基板SUB为玻璃基板的实施例中，玻璃基板SUB可以是厚度小于约100微米的薄玻璃基板。在玻璃基板SUB为载体玻璃基板的另一实施例中，载体玻璃基板可以具有被蚀刻为小于约100微米的厚度。这些减薄的玻璃基板可以具有柔性。
基板SUB可以包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA。在基板SUB的上表面上，可以设置缓冲层(未示出)。为了防止水分或其他外部异物通过基板SUB渗透到像素阵列层120中，缓冲层可以沉积在基板SUB的上表面上。缓冲层可以包括多个无机层。例如，缓冲层可以包括氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层和氮氧化硅(SiON)层交替层叠的多个层。在某些情况下，可以省略缓冲层。
像素阵列层120可以包括薄膜晶体管层、平坦化层PNL、堤部BA和发光元件ED。
薄膜晶体管层可以形成在设置有像素P的显示区域AA处和位于基板SUB的第四非显示区域IA4处的栅极驱动器200处。
例如，薄膜晶体管层可以包括薄膜晶体管T、栅极绝缘层GI和中间绝缘层ILD。在此，图2中所示的薄膜晶体管T可以是电连接到发光元件ED的驱动薄膜晶体管。
薄膜晶体管T可以包括设置在基板SUB或缓冲层上的半导体层A、栅极G、源极S和漏极D。在图2中，薄膜晶体管T具有栅极G设置在半导体层A上方的顶栅结构，但不限于此。再例如，薄膜晶体管T可以具有栅极G设置在半导体层A下方的底栅结构。另外，薄膜晶体管T可以具有顶栅极和底栅极G分别设置在半导体层A的上侧和下侧的双栅结构。
半导体层A可以形成在基板SUB上。半导体层A可以包括硅类半导体材料、氧化半导体材料或有机半导体材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在缓冲层与半导体层A之间还可以包括遮光层以阻挡外部光进入半导体A。
栅极绝缘层GI可以在基板SUB上沉积为覆盖半导体A。栅极绝缘层GI可以包括诸如氧化硅(SiOx)层、氮化硅层(SiNx)和其的多层的无机层。
栅极G可以在栅极绝缘层GI上形成为与半导体层A重叠。栅极G可以与扫描线SL一起形成。尽管图中未示出，但公共电源线CPL可以与栅极G和扫描线SL一起形成。例如，栅极G可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或其合金的单层或多层。
中间绝缘层ILD可以在基板SUB上沉积为覆盖栅极G和栅极绝缘层GI。中间绝缘层ILD可以在具有栅极G和栅极绝缘层GI的基板上提供平坦表面。
源极S和漏极D在中间绝缘层ILD上形成为分别连接到半导体层的一侧和另一侧。源极S和漏极D可以与数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL一起形成。例如，在涂覆源极漏极材料薄层后，通过图案化工艺同时形成源极S、漏极D、数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL。
源极S和漏极D通过穿过中间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层A。源极S和漏极D可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或其合金的单层或多层。在此，图2中所示的薄膜晶体管T的源极S可以电连接到像素驱动电源线PL。
设置在基板SUB的像素P处的薄膜晶体管T可以被包括在像素电路PC中。设置在基板SUB的第四非显示区域IA4处的栅极驱动器200可以包括与设置在像素P中的薄膜晶体管T基本相同或相似的薄膜晶体管。
平坦化层PNL可以在包括显示区域AA和非显示区域IA的基板SUB的整个表面上沉积为覆盖薄膜晶体管层。平坦化层PNL在薄膜晶体管层上方提供平坦表面条件。例如，平坦化层PNL可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
再例如，平坦化层PNL可以包括用于暴露设置在像素P中的薄膜晶体管T的漏极D的一部分的像素接触孔。
设置在平坦化层PNL上的堤部BA可以限定显示区域AA的像素P中的开口区域(或发光区域)。堤部BA可以被称为像素限定层。
发光元件ED可以包括像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。像素驱动电极AE可以形成在平坦化层PNL上，并通过形成在平坦化层PNL处的像素接触孔电连接到驱动薄膜晶体管的漏极D。在这种情况下，堤部BA可以覆盖除了像素驱动电极AE的与像素P的开口区域重叠的中间部分之外的像素驱动电极AE的周边部分。堤部BA可以通过覆盖像素驱动电极AE的周边部分来限定开口区域。
像素驱动电极AE可以包括具有相对高的反射率的金属材料。例如，像素驱动电极AE可以具有诸如铝(Al)和钛(Ti)的层叠结构(Ti/Al/Ti)、铝(Al)和ITO(铟锡氧化物)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC(Ag/Pd/Cu)合金以及ACP合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)的多层结构，或包括选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的至少一种的单层结构。可以使用其他结构，并且本公开不限于上述结构。
发光层EL可以在基板SUB的显示区域AA上沉积为覆盖像素驱动电极AE和堤部BA。发光层EL可以包括垂直堆叠的至少两个发光部分以发射白色光。例如，发光层EL可以包括第一发光部分和第二发光部分以通过组合来自第一发光部分的第一光和来自第二发光部分的第二光来发射白色光。在此，用于发射第一光的第一发光部分可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分。第二发光部分可以包括用于发射能够对第一光进行光学补偿的第二光的选自蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层、黄色发光层和黄绿色发光层中的任一者。
对于另一实施例，发光层EL可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层、有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的叠层或它们的任意组合结构中的任一者。另外，发光元件ED还可以包括用于提高发光效率、发光层EL的寿命的功能层。
公共电极CE可以电连接到发光层EL。公共电极CE可以在基板SUB的显示区域AA上形成为共同连接到设置在像素P处的发光层EL。
例如，公共电极CE可以具有透明导电材料或半透明导电材料。在公共电极CE具有半透明导电材料的情况下，可以应用微腔结构以提高发光元件ED的发光效率。在一个示例中，半透明导电材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)以及镁(Mg)和银(Ag)的合金中的一种。在公共电极CE上可以进一步形成覆盖层，以通过控制从发光元件ED发出的光的折射率来提高发光效率。
封装层FS可以在像素阵列层120的上表面上形成为覆盖显示区域AA和非显示区域IA。封装层FS具有防止氧气或水分渗透到发光元件ED中的功能。
例如，封装层FS可以包括包含诸如硅氧碳(SiOCz)丙烯或环氧族树脂的有机材料的基材、以及分散在基材中用于吸收水分或气体的吸气材料。封装层FS可以通过诸如喷墨涂布工艺或狭缝涂布工艺的涂布工艺形成。
盖板CP可以设置在封装层FS上方。例如，封装层FS可以包括粘合材料和分散在粘合材料中的吸湿剂。盖板CP可以附接在封装层FS的上表面上。盖板CP的尺寸可以对应于或小于基板SUB的尺寸。例如，盖板CP可以具有比基板SUB小的尺寸以暴露设置在第一非显示区域IA1上的驱动IC 300。
参考图2，根据第一实施例的电致发光显示装置可以包括其上限定有第三非显示区域IA3、显示区域AA和第四非显示区域IA4的基板SUB。多个像素可以排列在显示区域AA中。每个像素可以包括薄膜晶体管T和发光元件ED。薄膜晶体管T可以是用于驱动发光元件ED的驱动薄膜晶体管。
发光元件ED可以包括在由堤部BA限定的发光区域内依次层叠的像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。发光层EL可以沉积在显示区域AA的所有区域上方。发光层EL可以沉积在非显示区域IA(尤其包括第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4)上方。详细地，发光层EL可以被设置为使得发光层EL的端部边缘与非显示区域IA中的封装层FS的端部边缘一致或对应。在此，发光层EL的从显示区域AA延伸到非显示区域IA的部分可以被定义为虚设发光层DEL。虚设发光层DEL实际上不能发光，这是因为虚设发光层DEL的上部和下部没有电极，所以使用了术语“虚设”。
在诸如第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4的非显示区域IA中，可以形成多个沟槽TR。沟槽TR可以被设置为形成围绕显示区域AA的闭合曲线形状。可以通过同时图案化平坦化层PNL和堤部BA来形成沟槽TR。
设置在非显示区域IA中的虚设发光层DEL可以通过沟槽TR具有断开连接的结构。在下文中，将参考图3详细解释沟槽的结构。图3是示出根据本公开的电致发光显示装置中包括的沟槽的结构的放大剖视图。
参考图3，沟槽可以具有包括顶面TS、底面BS和壁面WS的井形。顶面可以是堤部BA的上表面。底面BS可以是被沟槽TR暴露的中间绝缘层ILD的上表面。壁面WS可以是堤部BA和平坦化层PNL的蚀刻侧壁面。沟槽TR的端部边缘可以朝向显示区域AA与封装层FS的端部边缘间隔开预定距离。例如，沟槽TR的最外壁面WS可以被设置为朝向显示区域AA与封装层FS的端部边缘间隔开预定距离。
虚设发光层DEL可以不按照沟槽TR的高度阶梯形轮廓沉积，而是仅沉积在顶面TS和底面BS上。即，虚设发光层DEL可以不被沉积在壁面WS上。因此，虚设发光层DEL可以被沟槽TR断开连接并且具有多个分开的部分。因此，当诸如水分或气体的任何异物侵入封装层FS的端部边缘处的虚设发光层DEL的暴露的端部时，异物不会沿着虚设发光层DEL传播到显示区域AA中。特别地，由于多个沟槽TR相继布置并且各个沟槽TR之间具有间隙，所以侵入的异物会被阻挡并且不会通过虚设发光层DEL传播。即使异物可能被传播，传播速度也会大大降低。
将简要描述根据第一实施例的电致发光显示装置的制造方法。在形成堤部BA然后图案化沟槽TR之后，可以通过沉积有机发光材料在基板SUB上设置发光层EL和虚设发光层DEL。此时，无需任何掩膜，有机发光材料可以在基板SUB上沉积为覆盖显示区域AA和非显示区域IA的整个表面。
在基板SUB的整个表面上沉积发光层EL和虚设发光层DEL之后，可以形成公共电极CE然后可以沉积封装层FS。之后，盖板CP可以附接在封装层FS的上表面上。
然后，可以从封装层FS外侧去除虚设发光层DEL的暴露部分。因此，虚设发光层DEL可以具有端部边缘刚好与封装层FS的端部边缘一致的结构。
这样，由于发光层EL和虚设发光层DEL是在没有任何掩模的情况下沉积的，所以不必考虑非显示区域IA处将掩模与基板SUB对准的边缘区域。因此，可以通过掩模的边缘区域进一步减小非显示区域IA的面积。因此，本公开可以提供具有超窄边框结构的电致发光显示装置。
在下文中，将参考图4描述在根据第一实施例的电致发光显示装置中设置驱动集成电路300的部分的截面结构。图4是示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线II-II’的剖视图。
图4所示的截面结构可以与图2所示的结构非常相似。不同点在于，图4中还包括了驱动集成电路300和焊盘部PP。可以不解释相同的配置。
参考图4，第二非显示区域IA2可以具有与图2所示的第三非显示区域IA3或第四非显示区域IA4相同的结构。然而，第一非显示区域IA1还包括设置在封装层FS和盖板CP外侧的驱动集成电路300和焊盘部PP。
封装层FS和盖板CP可以不延伸到驱动集成电路300和焊盘部PP。即，驱动集成电路300和焊盘部PP可以设置在基板上，特别地，在第一非显示区域IA1的不与封装层FS和盖板CP重叠的外部处。
驱动集成电路300可以连接到设置在数据线的端部的数据焊盘DP。例如，数据焊盘DP可以设置在与薄膜晶体管T的源极S和漏极D相同的层。特别地，数据焊盘DP可以设置在数据线DL的连接源极S的端部。数据焊盘DP可以被平坦化层PNL覆盖。数据焊盘DP可以从形成在平坦化层PNL处的接触孔暴露，并且连接到由与像素驱动电极AE相同的材料制成的焊盘端子PD。连接到数据焊盘DP的焊盘端子PD可以连接到驱动集成电路300。例如，驱动集成电路300可以包括连接焊盘300P。各向异性导电膜ACF可以被放置在焊盘端子PD与连接焊盘300P之间，并且驱动集成电路300可以被外力向下压以附接到其上。因此，焊盘端子PD和连接焊盘300P可以通过分散在各向异性导电膜ACF中的导电球CB电连接。
焊盘部PP可以设置在驱动集成电路300的外部。焊盘部PP可以被暴露以连接到外部装置。例如，焊盘部PP可以连接到诸如FPCB(或柔性印刷电路板)的电路装置。
在第一实施例中，由于可以在不使用掩模的情况下沉积发光层EL，所以驱动集成电路300与盖板CP之间的间隙可以形成为非常近。在使用掩模来沉积发光层EL的相关方法中，发光层EL应该仅沉积在显示区域AA内。在这种情况下，应考虑用于对准和放置掩模的加工边缘区域，所以非显示区域IA应具有足够的尺寸以保留边缘区域。然而，在本公开中，因为不需要掩模，所以非显示区域IA可以具有最小尺寸。
<第二实施例>
在下文中，将参考图5来描述第二实施例。在第二实施例中，将重点说明沟槽的布置结构。图5是示出根据本公开的第二实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线III-III’的剖视图。
如图5所示的根据第二实施例的电致发光显示装置可以具有与第一实施例非常相似的结构。不同点会在沟槽TR的布置上。参考图5，根据第二实施例的电致发光显示装置可以包括在基板SUB上的显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA。显示区域AA可以包括薄膜晶体管T和发光元件ED。
发光元件ED可以包括像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。特别地，像素驱动电极AE可以由堤部BA限定。发光层EL和公共电极CE可以共同沉积在显示区域AA的整个表面上方。发光元件ED可以形成在由堤部BA限定的发光区域中的像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE的堆叠部分处。
发光层EL可以覆盖显示区域AA以及非显示区域IA。特别地，发光层EL可以延伸到封装层FS的端部边缘。换言之，发光层EL可以从显示区域AA延伸到非显示区域IA，其中端部边缘可以与封装层FS的端部边缘一致或重合。
在非显示区域IA中，相继设置有多个沟槽TR。沟槽TR可以具有通过蚀刻堤部BA和平坦化层PNL形成的井形。特别地，调整堤部BA和平坦化层PNL与蚀刻剂的蚀刻比，通过相比于堤部BA对平坦化层PNL过蚀刻，平坦化层PNL可以具有底切形状。然而，不限于此。再例如，可以仅通过蚀刻平坦化层PNL来形成沟槽TR。由于形成沟槽TR用以使发光层EL具有断开连接的结构，所以第二实施例可以提供更有效的断开连接的结构。
可以在形成沟槽TR之后在堤部BA上沉积发光层EL。因此，发光层EL可以形成为在显示区域AA上方连续沉积的一层。然而，在非显示区域IA中，发光层EL可以沉积在沟槽TR的除了壁面之外的顶面和底面上。因此，发光层EL可以形成为不连续沉积在非显示区域IA上方的分离的层。
由于沉积在非显示区域IA中的发光层EL具有分离结构，所以其可以被称为“虚设发光层DEL”。即使虚设发光层DEL具有与在显示区域AA中形成发光元件ED的发光层EL相同的材料，虚设发光层DEL在非显示区域IA中也不会具有发光功能，因为其是分离的并且上侧和下侧没有电极。
封装层FS可以覆盖沟槽TR。图4示出了封装层FS的端部边缘设置为覆盖最外侧的沟槽TR，从而封装层FS可以覆盖全部沟槽。然而，不限于此，封装层FS的端部边缘可以设置为从最外侧覆盖第二沟槽TR，从而封装层FS可以覆盖一部分沟槽。另外，如图5所示，封装层FS的端部边缘可以设置在任意沟槽TR的底面上。在这种情况下，沟槽TR的端部边缘朝向基板SUB的端部边缘与封装层FS的端部边缘间隔开预定距离。例如，沟槽TR的最外壁面WS可以被设置成朝向基板SUB的端部边缘与封装层FS的端部边缘间隔开预定距离。封装层FS的端部边缘可以位于沟槽TR内(如图5所示)或者可以覆盖沟槽TR(如图4所示)。
盖板CP可以附接在封装层FS上。优选地，盖板CP可以具有比封装层FS的面积稍宽的尺寸。例如，盖板CP具有端部边缘与基板SUB的除了设置有驱动集成电路300的第四非显示区域IA4之外的端部边缘一致或重合的形状。
从制造工艺的角度来看，在将盖板CP附接在封装层FS上之后，去除从封装层FS出来的发光层EL的暴露部分。因此，封装层FS的端部边缘可以与发光层的端部边缘(特别是虚设发光层DEL的端部边缘)一致或重合。
在第二实施例中，当发光层EL可以在不使用掩模的情况下沉积时，发光层EL可以变成被分成多个部分的虚设发光层DEL。因此，当诸如水分或气体的任何异物侵入封装层FS的端部边缘处的虚设发光层DEL的暴露的端部时，异物不会沿着虚设发光层DEL传播到显示区域AA中。由于多个沟槽TR相继布置并且各个沟槽TR之间具有间隙，所以即使异物可能被传播，传播速度也会大大降低。另外，在通过虚设发光层DEL传播期间，异物可能被包含在封装层FS中的吸附剂吸附，所以异物不能到达显示区域AA。
根据第二实施例的电致发光显示装置可以具有可以使非显示区域IA在基板中占据最小区域的结构。另外，根据第二实施例的电致发光显示装置可以具有几乎完全抑制来自外部的水分和气体的渗透和传播的结构。
<第三实施例>
在下文中，将参考图6来描述第三实施例。在第三实施例中，将重点说明沟槽的布置结构。图6是示出根据本公开的第三实施例的电致发光显示装置的结构的沿着图1中的切割线III-III’的剖视图。图6是示出图2的左侧部分的放大剖视图。
如图6所示的根据第三实施例的电致发光显示装置可以具有与第二实施例非常相似的结构。不同点会在沟槽TR的布置上。参考图6，根据第三实施例的电致发光显示装置可以包括在基板SUB上的显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA。显示区域AA可以包括薄膜晶体管T和发光元件ED。
在非显示区域IA中，相继设置有多个沟槽TR。沟槽TR可以具有通过蚀刻堤部BA和平坦化层PNL形成的井形。特别地，调整堤部BA和平坦化层PNL与蚀刻剂的蚀刻比，通过相比于堤部BA对平坦化层PNL过蚀刻，平坦化层PNL可以具有底切形状。
特别地，沟槽TR可以具有彼此分开的多个组。例如，沟槽TR可以包括第一沟槽组TR1、第二沟槽组TR2和第三沟槽组TR3。沟槽组TR1、TR2和TR3中的每一个可以具有至少一个沟槽TR。图6示出了在每个沟槽组TR1、TR2和TR3中具有三个沟槽TR。然而，不限于此。每个沟槽组TR1、TR2和TR3可以包括一个沟槽或两个沟槽，或者更多个沟槽。
可以在形成沟槽TR之后在堤部BA上沉积发光层EL。因此，发光层EL可以形成为在显示区域AA上方连续沉积的一层。然而，在非显示区域IA中，发光层EL可以沉积在沟槽TR的除了壁面之外的顶面和底面上。因此，发光层EL可以形成为不连续沉积在非显示区域IA上方的分离的层。
由于沉积在非显示区域IA中的发光层EL具有分离结构，所以其可以被称为“虚设发光层DEL”。即使虚设发光层DEL具有与在显示区域AA中形成发光元件ED的发光层EL相同的材料，虚设发光层DEL在非显示区域IA中也不会具有发光功能，因为其是分离的并且上侧和下侧没有电极。
封装层FS可以被沉积为覆盖沟槽组TR1、TR2和TR3的全部。图6示出了封装层FS的端部边缘设定成延伸到基板SUB的边缘以覆盖设置在最外侧位置的第一沟槽组TR1。然而，不限于此。封装层FS的端部边缘可以与第一沟槽组TR1重叠。例如，封装层FS的端部边缘可以与第一沟槽组TR1重叠，或者可以覆盖所有沟槽组TR1、TR2和TR3。
盖板CP可以附接在封装层FS上。从制造工艺的角度来看，在将盖板CP附接在封装层FS上之后，去除从封装层FS出来的发光层EL的暴露部分。因此，封装层FS的端部边缘可以与发光层的端部边缘(特别是虚设发光层DEL的端部边缘)一致或重合。
在第三实施例中，当发光层EL可以在不使用掩模的情况下沉积时，发光层EL可以变成被分成多个部分的虚设发光层DEL。因此，当诸如水分或气体的任何异物侵入封装层FS的端部边缘处的虚设发光层DEL的暴露的端部时，异物不会沿着虚设发光层DEL传播到显示区域AA中。
根据第三实施例的电致发光显示装置可以具有可以使非显示区域IA在基板中占据最小区域的结构。另外，根据第三实施例的电致发光显示装置可以具有几乎完全抑制来自外部的水分和气体的渗透和传播的结构。
除了本公开的上述有益效果之外，本领域技术人员根据以上描述或解释将清楚地理解本公开的其他特征和优点。此外，本公开的至少一个示例中例示的特征、结构、效果等可以由本领域普通技术人员通过组合或修改其他示例实现。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为包括在本申请的范围内。
尽管已在上文结合附图详细描述了本公开的实施例，但本公开不限于这些实施例，并且在不偏离本公开的技术精神的情况下，本公开可以以各种形式修改和实施。因此，本公开所公开的实施例并非用于限制本公开的技术精神而是用于解释本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施例的限制。因此，上述实施例应被理解为在所有方面都是示例性的而非限制性的。本公开的保护范围应由所附权利要求书限定，并且在其等同范围内的所有技术精神应被理解为属于本公开的保护范围。
Claims (15)
1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和非显示区域；
多个像素，所述多个像素设置在所述显示区域中；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素中；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管；
发光二极管，所述发光二极管包括阳极、发光层和阴极，并设置在所述平坦化层上；
多个沟槽，所述多个沟槽在所述非显示区域中形成在所述平坦化层处，并围绕所述显示区域；
虚设发光层，所述虚设发光层在所述非显示区域中设置为从所述发光层延伸；
封装层，所述封装层覆盖所述显示区域并覆盖所述非显示区域中的所述虚设发光层；以及
盖板，所述盖板设置在所述封装层上。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述虚设发光层的端部边缘与所述封装层的端部边缘一致。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽的端部边缘朝向所述显示区域与所述封装层的端部边缘间隔开预定距离。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽的端部边缘朝向所述基板的端部边缘与所述封装层的端部边缘间隔开预定距离。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽包括：
顶面；
底面；以及
壁面，将所述顶面连接到所述底面，并且
其中，所述虚设发光层设置在除所述壁面之外的所述顶面和所述底面上。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述多个沟槽在所述基板的端部边缘与所述显示区域的端部边缘之间以预定距离排列。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述多个沟槽在所述基板的端部边缘与所述显示区域的端部边缘之间被排列成划分为多个沟槽组。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，任意一个沟槽组包括多个沟槽。
9.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
多个像素，所述多个像素设置在所述显示区域中；
平坦化层，所述平坦化层在所述显示区域和所述非显示区域中并且在所述基板上；
阳极，所述阳极设置在所述像素中并且在所述平坦化层上；
堤部，所述堤部在所述平坦化层上限定所述阳极的发光区域；
多个沟槽，所述多个沟槽形成在所述平坦化层和所述堤部处，并在所述非显示区域中设置为包围所述显示区域；
发光层，所述发光层设置在所述堤部和所述阳极上并且在所述显示区域和所述非显示区域中；
阴极，所述阴极设置在所述发光层上；
封装层，所述封装层设置在所述阴极上并且在所述显示区域和所述非显示区域中；以及
盖板，所述盖板设置在所述封装层上。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述发光层在所述封装层的范围内在所述显示区域和所述非显示区域中，并且
所述发光层沉积在除所述沟槽的连接顶面和底面的壁面之外的所述沟槽的所述顶面和所述底面上。
11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述发光层的端部边缘与所述封装层的端部边缘一致。
12.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽的端部边缘与所述封装层的端部边缘重叠。
13.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽的端部边缘从所述封装层的端部边缘向所述基板的端部边缘延伸。
14.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述沟槽的端部边缘朝向所述显示区域与所述封装层的端部边缘间隔开预定距离。
15.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述多个沟槽被排列成划分为多个沟槽组。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200180811A KR20220090032A (ko) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 전계 발광 표시장치 |
| KR10-2020-0180811 | 2020-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114664886A true CN114664886A (zh) | 2022-06-24 |
Family
ID=82021643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111325823.8A Pending CN114664886A (zh) | 2020-12-22 | 2021-11-10 | 电致发光显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12063815B2 (zh) |
| KR (1) | KR20220090032A (zh) |
| CN (1) | CN114664886A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109830616B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102517448B1 (ko) | 2015-12-31 | 2023-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102423799B1 (ko) | 2017-11-07 | 2022-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| WO2019187076A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
| KR102642791B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치 |
| KR20200082492A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀이 구비된 표시장치 |
| KR20200082582A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치 |
| JP2020134715A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-12-22 KR KR1020200180811A patent/KR20220090032A/ko unknown
-
2021
- 2021-11-10 CN CN202111325823.8A patent/CN114664886A/zh active Pending
- 2021-12-02 US US17/540,691 patent/US12063815B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220090032A (ko) | 2022-06-29 |
| US12063815B2 (en) | 2024-08-13 |
| US20220199727A1 (en) | 2022-06-23 |
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