KR102666703B1

KR102666703B1 - 전계 발광 표시장치

Info

Publication number: KR102666703B1
Application number: KR1020180115753A
Authority: KR
Inventors: 정은숙; 허해리
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Filing date: 2018-09-28
Publication date: 2024-05-16

Abstract

본 출원에 의한 전계 발광 표시장치는 기판, 봉지층 및 댐 구조물을 포함한다. 기판은, 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한다. 봉지층은, 표시 영역을 덮는다. 댐 구조물은, 기판의 비표시 영역에 배치되어 표시 영역을 둘러싼다. 댐 구조물은, 제1 층과 제2 층을 구비한다. 제1 층은, 요철 패턴을 갖는다. 제2 층은, 제1 층의 요철 표면을 덮는다.

Description

전계 발광 표시장치{ELECTROLUMINESENCE DISPLAY}

본 출원은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 출원은 수분 침투에 대해 강건한 구조를 갖는 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.

표시장치들 중에서 전계 발광 표시장치는 자체 발광형으로서, 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백 라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비 전력이 유리한 장점이 있다. 특히, 전계 발광 표시장치 중 유기발광 표시장치는 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답 속도가 빠르며, 제조 비용이 저렴한 장점이 있다.

전계 발광 표시장치는 다수 개의 전계 발광 다이오드를 포함한다. 전계 발광 다이오드는, 애노드 전극, 애노드 전극 상에 형성되는 발광층, 그리고 발광층 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함한다. 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면, 애노드 전극에서는 정공이 캐소드 전극에서는 전자가 각각 발광층으로 이동된다. 발광층에서 정공과 전자가 결합할 때, 여기 과정에서 여기자(exiton)가 형성되고, 여기자로부터의 에너지로 인해 빛이 발생한다. 전계 발광 표시장치는, 뱅크에 의해 개별적으로 구분되는 다수 개의 전계 발광 다이오드의 발광층에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.

전계 발광 표시장치를 구성하는 여러 소자들을 외부의 이물질 및 수분으로부터 보호하기 위한 봉지부를 포함할 수 있다. 봉지부는 무기막과 유기막이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 특히, 봉지부의 유기막을 이루는 물질은 낮은 점도를 갖기 때문에 도포시에 퍼짐성을 제어해야 한다. 봉지부의 유기막의 퍼짐을 제어하기 위해서 전계 발광 표시장치의 외곽 영역에 댐(Dam) 구조물을 배치한다.

댐 구조물의 하단에서 봉지부의 무기막이 꺽이는 부분이 발생할 수 있다. 무기막이 꺾이는 부분에서는 미세한 크랙(Crack)과 같은 결함(Defect)이 발생할 수 있으며, 이 결함부로 외부의 수분이 침투하여 댐을 파손할 수 있다. 댐이 파손되면, 그 내부로 수분 침투가 가속화되고, 이는 전계 발광 표시장치의 수명을 단축하는 원인이 될 수 있다.

본 출원은 외부 수분의 침투를 방지하는 댐 구조를 갖는 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 또한, 본 출원은 외부로부터 수분이 침투하더라도, 내측 유기막의 퍼짐을 제어하는 댐의 손상을 방지할 수 있는 구조물을 더 구비한 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 표시장치는, 기판, 봉지층 및 댐 구조물을 포함한다. 기판은, 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함한다. 봉지층은, 표시 영역을 덮는다. 댐 구조물은, 기판의 비표시 영역에 배치되어 표시 영역을 둘러싼다. 댐 구조물은, 제1 층과 제2 층을 구비한다. 제1 층은, 요철 패턴을 갖는다. 제2 층은, 제1 층의 요철 표면을 덮는다.

일례로, 제1 층은, 다수 개의 사다리꼴 형상들이 일정 간격으로 배치되어 상기 요철 패턴을 이룬다.

일례로, 제1 층과 제2 층 사이에 개재되며, 제1 층의 측벽 표면과 상부 표면을 덮는 무기층을 더 포함한다.

일례로, 무기층은, 상부 표면이 제1 층의 요철 패턴과 동일한 패턴을 갖는다.

일례로, 무기층은, 제1 층의 바닥 폭보다 더 넓은 폭을 갖는다.

일례로, 표시 영역은, 화소 구동 전극, 발광층 및 공통 전극이 순차 적층된 발광 소자를 더 포함한다. 무기층은, 화소 구동 전극과 동일한 물질을 포함한다.

일례로, 제2 층의 상부 표면 위에 적층된 제3 층을 더 포함한다.

일례로, 댐 구조물의 내측에 배치된 내측 댐을 더 포함한다.

일례로, 봉지층은, 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함한다. 제1 무기 봉지층은, 표시 영역 및 비표시 영역을 모두 덮으며, 댐 구조물의 내측벽면, 상부 표면 및 외측 벽면을 모두 덮는다. 유기 봉지층은, 제1 무기 봉지층 위에 도포되며, 댐 구조물의 내측 벽면 일부와 접촉한다. 제2 무기 봉지층은, 유기 봉지층 위에 도포되며, 댐 구조물의 적어도 상부 표면 및 외측 벽면에서 제1 무기 봉지층의 상부 표면과 직접 접촉한다.

일례로, 게이트 구동 회로 및 공통 전원 라인을 더 포함한다. 게이트 구동회로는, 비 표시 영역의 댐 구조물 내측에 배치되어 화소들과 연결된다. 공통 전원 라인은, 비 표시 영역의 댐 구조물 내측에 배치되어 화소들과 연결된다.

본 출원에 따른 전계 발광 표시장치는 외부로부터 수분이 침투하더라도 부피 팽창에 의한 댐 구조물 파손이 발생하지 않는다. 또한, 본 출원에 따른 전계 발광 표시장치는 외부로부터 수분이 침투하더라도, 댐의 유기물에 직접 영향을 주지 않는 구조를 갖는다. 즉, 외부 수분 침투에 의해 댐의 유기물질이 팽창하는 것을 방지하거나, 팽창하더라도 파손되지 않도록 함으로써, 댐이 손상되는 것을 방지할 수 있다.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 출원에 의한 전계 발광 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 댐 구조물의 구조적 특징에 의해 얻을 수 있는 장점을 설명하는 단면도이다.
도 4는 본 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.
도 5는 본 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 출원에 따른 전계 발광 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1은 본 출원의 일 예에 따른 전계 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 출원에 의한 전계 발광 표시장치는 기판(SUB), 화소(P), 공통 전원 라인(CPL), 게이트 구동 회로(200), 댐 구조물(DM) 및 구동 IC(300)를 포함할 수 있다.

기판(SUB)은 베이스 기판(또는 베이스층)으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률반경으로 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비사각 형태를 갖는 기판(SUB)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부(notch portion)를 포함할 수 있다.

일 예에 따른 기판(SUB)은 표시 영역(AA)과 비표시 영역(IA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(AA)은 기판(SUB)의 중간 영역에 마련되는 것으로, 영상을 표시하는 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 표시 영역(AA)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률 반경을 가지도록 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비사각 형태를 갖는 표시 영역(AA)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부를 포함할 수 있다.

비표시 영역(IA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 기판(SUB)의 가장자리 영역에 마련되는 것으로, 영상이 표시되는 않는 영역 또는 주변 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 비표시 영역(IA)은 기판(SUB)의 제1 가장자리에 마련된 제1 비표시 영역(IA1), 제1 비표시 영역(IA1)과 나란한 기판(SUB)의 제2 가장자리에 마련된 제2 비표시 영역(IA2), 기판(SUB)의 제3 가장자리에 마련된 제3 비표시 영역(IA3), 및 제3 비표시 영역과 나란한 기판(SUB)의 제4 가장자리에 마련된 제4 비표시 영역(IA4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 비표시 영역(IA1)은 기판(SUB)의 상측(또는 하측) 가장자리 영역, 제2 비표시 영역(IA2)은 기판(SUB)의 하측(또는 상측) 가장자리 영역, 제3 비표시 영역(IA3)은 기판(SUB)의 좌측(또는 우측) 가장자리 영역, 그리고 제4 비표시 영역(IA4)은 기판(SUB)의 우측(또는 좌측) 가장자리 영역일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.

화소(P)는 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에 마련될 수 있다. 일 예에 따른 화소(P)는 복수 개가 매트릭배열을 이루고 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 내에 배치될 수 있다. 화소(P)는 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL), 화소 구동 전원 라인(PL)에 의해 정의될 수 있다.

스캔 라인(SL)은 제1 방향(X)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 제1 방향(X)과 나란하면서 제2 방향(Y)을 따라 서로 이격된 복수의 스캔 라인(SL)을 포함한다. 여기서, 제1 방향(X)은 기판(SUB)의 가로 방향으로 정의될 수 있고, 제2 방향(Y)은 기판(SUB)의 세로 방향으로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않고 그 반대로 정의될 수도 있다.

데이터 라인(DL)은 제2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 제2 방향(Y)과 나란하면서 제1 방향(X)을 따라 서로 이격된 복수의 데이터 라인(DL)을 포함한다.

화소 구동 전원 라인(PL)은 데이터 라인(DL)과 나란하도록 기판(SUB) 상에 배치된다. 기판(SUB)의 표시 영역(AA)은 데이터 라인(DL)과 나란한 복수의 화소 구동 전원 라인(PL)을 포함한다. 선택적으로, 화소 구동 전원 라인(PL)은 스캔 라인(SL)과 나란하도록 배치될 수도 있다.

일 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 스트라이프(stripe) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 나아가 하나의 단위 화소는 백색 화소를 더 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 펜타일(pentile) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 평면적으로 다각 형태로 배치된 적어도 하나의 적색 화소, 적어도 2개의 녹색 화소, 및 적어도 하나의 청색 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펜타일 구조를 갖는 하나의 단위 화소는 하나의 적색 화소, 2개의 녹색 화소, 및 하나의 청색 화소가 평면적으로 팔각 형태를 가지도록 배치될 수 있고, 이 경우 청색 화소는 상대적으로 가장 큰 크기의 개구 영역(또는 발광 영역)을 가질 수 있으며, 녹색 화소는 상대적으로 가장 작은 크기의 개구 영역을 가질 수 있다.

화소(P)는 인접한 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL) 및 화소 구동 전원 라인(PL)에 전기적으로 연결된 화소 회로(PC), 및 화소 회로(PC)에 전기적으로 연결된 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.

화소 회로(PC)는 인접한 적어도 하나의 스캔 라인(SL)으로부터 공급되는 스캔 신호에 응답하여 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 기반으로 화소 구동 전원 라인(PL)으로부터 발광 소자(ED)에 흐르는 전류(Ied)를 제어한다.

일 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 2개의 박막 트랜지스터 및 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 데이터 전압을 기반으로 하는 데이터 전류(Ied)를 발광 소자(ED)에 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 스위칭 박막 트랜지스터, 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 저장하는 커패시터를 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 3개의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 3개의 박막 트랜지스터 각각의 동작(또는 기능)에 따라 전류 공급 회로와 데이터 공급 회로 및 보상 회로를 포함할 수 있다. 여기서, 전류 공급 회로는 데이터 전압을 기반으로 하는 데이터 전류(Ied)를 발광 소자(ED)에 공급하는 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 데이터 공급 회로는 적어도 하나의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 전류 공급 회로에 공급하는 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 보상 회로는 적어도 하나의 스캔 신호에 응답하여 구동 박막 트랜지스터의 특성 값(임계 전압 및/또는 이동도) 변화를 보상하는 적어도 하나의 보상 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.

발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 전류(Ied)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ied)에 해당하는 휘도의 광을 방출한다. 이 경우, 데이터 전류(Ied)는 화소 구동 전원 라인(PL)으로부터 구동 박막 트랜지스터와 발광 소자(ED)를 통해 공통 전원 라인(CPL)으로 흐를 수 있다.

일 예에 따른 발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소 구동 전극(또는 제 1 전극 혹은 애노드), 화소 구동 전극 상에 형성된 발광층, 및 발광층에 전기적으로 연결된 공통 전극(또는 제 2 전극 혹은 캐소드)(CE)을 포함할 수 있다.

공통 전원 라인(CPL)은 기판(SUB)의 비표시 영역(IA) 상에 배치되고 표시 영역(AA) 상에 배치된 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결된다. 일 예에 따른 공통 전원 라인(CPL)은 일정한 라인 폭을 가지면서 기판(SUB)의 표시 영역(IA)에 인접한 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 따라 배치되고, 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 인접한 표시 영역(AA)의 일부를 제외한 나머지 부분을 둘러싼다. 공통 전원 라인(CPL)의 일단은 제1 비표시 영역(IA1)의 일측 상에 배치되고, 공통 전원 라인(CPL)의 타단은 제1 비표시 영역(IA1)의 타측 상에 배치될 수 있다. 그리고, 공통 전원 라인(CPL)의 일단과 타단 사이는 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 일 예에 따른 공통 전원 라인(CPL)은 평면적으로 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 해당하는 일측이 개구된 '∩'자 형태를 가질 수 있다.

봉지층은 기판(SUB) 상에 형성되어 표시 영역(AA) 및 공통 전원 라인(CPL)의 상부면과 측면을 둘러싸도록 형성할 수 있다. 한편, 봉지층은, 제1 비 표시 영역(IA1)에서는, 공통 전원 라인(CPL)의 일단과 타단을 노출할 수 있다. 봉지층은 산소 또는 수분이 표시 영역(AA) 내에 마련된 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 일 예에 따른 봉지층은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 다른 예에 따른 봉지층은 복수의 무기막 및 복수의 무기막 사이의 유기막을 포함할 수 있다.

본 출원의 일 예에 따른 전계 발광 표시장치는 패드부(PP), 게이트 구동 회로(200) 및 구동 집적 회로(300)를 더 포함할 수 있다.

패드부(PP)는 기판(SUB)의 비표시 영역(IA)에 마련된 복수의 패드를 포함할 수 있다. 일 예에 따른 패드부(PP)는 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 마련된 복수의 공통 전원 공급 패드, 복수의 데이터 입력 패드, 복수의 전원 공급 패드 및 복수의 제어 신호 입력 패드 등을 포함할 수 있다.

게이트 구동 회로(200)는 기판(SUB)의 제3 비표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비표시 영역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA)에 마련된 스캔 라인들(SL)과 일대일로 연결된다. 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)의 제조 공정, 즉 박막 트랜지스터의 제조 공정과 함께 기판(SUB)의 제3 비표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비표시 영역(IA4)에 집적된다. 이러한 게이트 구동 회로(200)는 구동 집적 회로(300)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 스캔 신호를 생성하여 정해진 순서에 따라 출력함으로써 복수의 스캔 라인(SL) 각각을 정해진 순서에 따라 구동한다. 일 예에 따른 게이트 구동 회로(200)는 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.

댐 구조체(DM)는 기판(SUB)의 제1 비 표시 영역(IA1), 제2 비 표시 영역(IA2), 제3 비 표시 영역(IA3) 및 제4 비 표시 여역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA) 주변을 둘러싸는 폐곡선 구조를 가질 수 있다. 일례로, 댐 구조체(DM)는 공통 전원 라인(CPL)의 외측에 배치됨으로서 기판(200) 위에서 최 외각부에 위치할 수 있다. 패드부(PP)와 구동 집적 회로(300)은 댐 구조체(DM)의 외측 영역에 배치되는 것이 바람직하다.

도 1에서는 댐 구조체(DM)가 최외곽에 배치된 경우를 도시하였지만, 이에 국한하는 것은 아니다. 다른 예로, 댐 구조체(DM)는 공통 전원 라인(CPL)과 게이트 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 댐 구조체(DM)는 표시 영역(AA)과 게이트 구동 회로(300) 사이에 배치될 수 있다.

구동 집적 회로(300)는 칩 실장(또는 본딩) 공정을 통해 기판(SUB)의 제1 비표시 영역(IA1)에 정의된 칩 실장 영역에 실장된다. 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 패드부(PP)에 전기적으로 연결되고, 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 표시 영역(AA)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 복수의 화소 구동 전원 라인(PL)에 전기적으로 연결된다. 구동 집적 회로(300)는 패드부(PP)를 통해 디스플레이 구동 회로부(또는 호스트 회로)로부터 입력되는 각종 전원, 타이밍 동기 신호, 및 디지털 영상 데이터 등을 수신하고, 타이밍 동기 신호에 따라 게이트 제어 신호를 생성하여 게이트 구동 회로(200)의 구동을 제어하고, 이와 동시에 디지털 영상 데이터를 아날로그 형태의 화소 데이터 전압으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL)에 공급한다.

이하, 본 출원의 주요 특징을 설명하기 위해 구조적 특징을 잘 나타내고 있는 단면도들을 참조하여 여러 실시 예들을 상세히 설명한다. 특히, 이하의 실시 예들에서는 댐 구조체(DM)의 구체적인 형상 및 배치 구조를 중심으로 상세히 설명한다.

<제1 실시 예>

도 2를 참조하여, 본 출원의 제1 실시 예에 대해 설명한다. 도 2는 본 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

본 출원의 제1 예에 따른 전계 발광 표시장치는 기판(SUB), 화소 어레이층(120), 스페이서(SP) 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다.

기판(SUB)은 베이스층으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 불투명 또는 유색 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드 재질의 기판(SUB)은 상대적으로 두꺼운 캐리어 기판에 마련되어 있는 릴리즈층의 전면(前面)에 일정 두께로 코팅된 폴리이미드 수지가 경화된 것일 수 있다. 이 경우, 캐리어 유리 기판은 레이저 릴리즈 공정을 이용한 릴리즈층의 릴리즈에 의해 기판(SUB)으로부터 분리된다. 이러한 일 예에 따른 기판(SUB)은 두께 방향(Z)을 기준으로, 기판(SUB)의 후면에 결합된 백 플레이트를 더 포함한다. 백 플레이트는 기판(SUB)을 평면 상태로 유지시킨다. 일 예에 따른 백 플레이트는 플라스틱 재질, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 재질을 포함할 수 있다. 이러한 백 플레이트는 캐리어 유리 기판으로부터 분리된 기판(SUB)의 후면에 라미네이팅될 수 있다.

다른 예에 따른 기판(SUB)은 플렉서블 유리 기판일 수 있다. 예를 들어, 유리 재질의 기판(SUB)은 100마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박형 유리 기판이거나, 기판 식각 공정에 의해 100마이크로미터 이하의 두께를 가지도록 식각된 캐리어 유리 기판일 수 있다.

기판(SUB)은 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(IA)을 포함할 수 있다.

기판(SUB)의 상부 표면 상에는 버퍼막(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 버퍼막은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해서 화소 어레이 층(120)으로 침투하는 수분을 차단하기 위하여, 기판(SUB)의 일면 상에 형성된다. 일 예에 따른 버퍼막은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘산질화막(SiON) 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막은 생략될 수 있다.

화소 어레이 층(120)은 박막 트랜지스터 층, 평탄화 층(PLN), 뱅크 패턴(BN), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.

박막 트랜지스터 층은 기판(SUB)의 표시 영역(AA)에 정의된 복수의 화소(P) 및 기판(SUB)의 제4 비표시 영역(IA4)에 정의된 게이트 구동 회로(200)에 각각 마련된다.

일 예에 따른 박막 트랜지스터 층은 박막 트랜지스터(T), 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)을 포함한다. 여기서, 도 2에 도시된 박막 트랜지스터(T)는 발광 소자(ED)에 전기적으로 연결된 구동 박막 트랜지스터일 수 있다.

박막 트랜지스터(T)는 기판(SUB) 또는 버퍼막 상에 형성된 반도체 층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함한다. 도 2에서 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 구조를 도시하였으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 다른 예로, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 구조 또는 게이트 전극(G)이 반도체 층(A)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 구조를 가질 수 있다.

반도체 층(A)은 기판(SUB) 또는 버퍼막 상에 형성될 수 있다. 반도체 층(A)은 실리콘계 반도체 물질, 산화물계 반도체 물질, 또는 유기물계 반도체 물질을 포함할 수 있으며, 단층 구조 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 버퍼막과 반도체 층(A) 사이에는 반도체 층(A)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 추가로 형성될 수 있다.

게이트 절연막(GI)은 반도체 층(A)을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(G)은 반도체 층(A)과 중첩되도록 게이트 절연막(GI) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(G)은 스캔 라인(SL)과 함께 형성될 수 있다. 일 예에 따른 게이트 전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(G)과 게이트 절연막(GI)을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성될 수 있다. 층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(G)과 게이트 절연막(GI) 상에 평탄면을 제공한다.

소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 게이트 전극(G)을 사이에 두고 반도체 층(A)과 중첩되도록 층간 절연막(ILD) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 데이터 라인(DL)과 화소 구동 전원 라인(PL) 및 공통 전원 라인(CPL)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 소스 전극(S), 드레인 전극(D), 데이터 라인(DL), 화소 구동 전원 라인(PL) 및 공통 전원 라인(CPL) 각각은 소스 드레인 전극 물질에 대한 패터닝 공정에 의해 동시에 형성된다.

소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 각각은 층간 절연막(ILD)과 게이트 절연막(GI)을 관통하는 전극 컨택홀을 통해 반도체 층(A)에 접속될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 여기서, 도 2에 도시된 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(S)은 화소 구동 전원 라인(PL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

이와 같이, 기판(SUB)의 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터(T)는 화소 회로(PC)를 구성한다. 또한, 기판(SUB)의 제4 비표시 영역(IA4)에 배치된 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터(T)와 동일하거나 유사한 박막 트랜지스터를 구비할 수 있다.

평탄화 층(PLN)은 박막 트랜지스터 층을 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성된다. 평탄화 층(PLN)은 박막 트랜지스터 층 상에 평탄면을 제공한다. 일 예에 따른 평탄화 층(PLN)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

다른 예에 따른 평탄화 층(PLN)은 화소(P)에 마련된 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(D)을 노출시키기 위한 화소 컨택홀(PH)을 포함할 수 있다.

뱅크 패턴(BN)은 평탄화층(PLN) 상에 배치되어 표시 영역(AA)의 화소(P) 내에 개구 영역(또는 발광 영역)을 정의한다. 이러한 뱅크 패턴(BN)은 화소 정의막으로 표현될 수도 있다.

발광 소자(ED)는 화소 구동 전극(AE), 발광층(EL), 및 공통 전극(CE)을 포함한다. 화소 구동 전극(AE)은 평탄화 층(PLN) 상에 형성되고 평탄화 층(PLN)에 마련된 화소 컨택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(D)에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 화소(P)의 개구 영역과 중첩되는 화소 구동 전극(AE)의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분은 뱅크 패턴(BN)에 의해 덮일 수 있다. 뱅크 패턴(BN)은 화소 구동 전극(AE)의 가장자리 부분을 덮음으로써 화소(P)의 개구 영역을 정의할 수 있다.

일 예에 따른 화소 구동 전극(AE)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 구동 전극(AE)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.

발광층(EL)은 화소 구동 전극(AE)과 뱅크 패턴(BN)을 덮도록 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위해 수직 적층된 2 이상의 발광부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 발광부는 제 1 광을 방출하는 것으로 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제 2 발광부는 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 중 제 1 광의 보색 관계를 갖는 제 2 광을 방출하는 발광부를 포함할 수 있다.

다른 예에 따른 발광층(EL)은 화소(P)에 설정된 색상과 대응되는 컬러 광을 방출하기 위한, 청색 발광부, 녹색 발광부, 및 적색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예에 따른 발광층(EL)은 유기 발광층, 무기 발광층, 및 양자점 발광층 중 어느 하나를 포함하거나, 유기 발광층(또는 무기 발광층)과 양자점 발광층의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.

추가적으로, 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 발광층(EL)의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다.

공통 전극(CE)은 발광층(EL)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(CE)은 각 화소(P)에 마련된 발광층(EL)과 공통적으로 연결되도록 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다.

일 예에 따른 공통 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있는 투명 전도성 물질 또는 반투과 전도성 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(CE)이 반투과 전도성 물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity) 구조를 통해 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 출광 효율을 높일 수 있다. 일 예에 따른 반투과 전도성 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금 등을 포함할 수 있다. 추가적으로, 공통 전극(CE) 상에는 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 굴절율을 조절하여 광의 출광 효율을 향상시키기 위한 캡핑층(capping layer)이 더 형성될 수 있다.

스페이서(SP)는 표시 영역(AA) 내에서 개구 영역 즉, 발광 소자(ED)가 배치되지 않은 영역에 산포하여 배치될 수 있다. 스페이서(SP)는 발광층(EL)을 증착하는 과정에서 스크린 마스크와 기판이 서로 직접 접촉하지 않도록 하기 위한 것일 수 있다. 스페이서(SP)는 뱅크 패턴(BN) 위에 배치되며, 발광층(EL)과 공통 전극(CE)이 표시 영역(AA) 내측에 배치된 스페이서(SP)를 타고 넘어가도록 도포될 수 있다.

경우에 따라서, 발광층(EL) 및/또는 공통 전극(CE)은 스페이서(SP)를 타고 넘어가지 않을 수 있다. 스페이서(SP)는 표시 영역(AA) 내부에서 뱅크 패턴(BN)의 일부에만 배치되어 있으므로, 공통 전극(CE)이 스페이서(SP)를 타고 넘어가지 않더라도, 공통 전극(CE)은 표시 영역(AA) 전체를 덮으며 연결된 구조를 갖는다.

봉지층(130)은 화소 어레이층(120)의 상면과 측면을 모두 둘러싸도록 형성된다. 봉지층(130)은 산소 또는 수분이 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.

일 예에 따른 봉지층(130)은 제1 무기 봉지층(PAS1), 제1 무기 봉지층(PAS1) 상의 유기 봉지층(PCL) 및 유기 봉지층(PCL) 상의 제2 무기 봉지층(PAS2)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 한다. 일 예에 따른 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기물로 이루어질 수 있다. 이러한 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.

유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 둘러싸인다. 유기 봉지층(PCL)은 제조 공정 중 발생할 수 있는 이물들(particles)을 흡착 및/또는 차단할 수 있도록 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2) 대비 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 실리콘옥시카본(SiOCz) 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 코팅 공정, 예를 들어 잉크젯 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다.

본 출원의 제1 실시 예에 따른 전계 발광 표시장치는 댐 구조물(DM)을 더 포함할 수 있다. 댐 구조물(DM)은 유기 봉지층(PCL)의 흘러 넘침을 방지할 수 있도록 기판(SUB)의 비표시 영역(IA)에 배치된다.

일 예에 따른 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA), 표시 영역(AA) 외측에 배치된 게이트 구동 회로(200) 및 게이트 구동 회로(200) 외측에 배치된 공통 전원 라인(CPL)의 외측에 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)의 외측부와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 게이트 구동 회로(200) 및 공통 전원 라인(CPL)이 배치되는 비 표시 영역(IA)의 폭을 줄여 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있다.

본 출원의 제1 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 형성된 3중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 평탄화 막(PLN)으로 형성한 제1 층, 뱅크 패턴(BN)으로 형성한 제2 층, 그리고 스페이서(SP)로 형성한 제3 층을 포함할 수 있다.

특히, 제1 층은 평탄화 막(PLN)을 패턴한 요철 형상을 가질 수 있다. 요철 형상은 작은 사다리 꼴 형상을 갖는 다수의 패턴들이 연속하여 배치된 구조를 가질 수 있다. 작은 사다리 꼴을 갖는 패턴들은 일정 간격을 두고 서로 떨어져 배치될 수 있다.

또한, 제2 층은 제1 층 위에 적층되되, 작은 사다리 꼴을 갖는 패턴들의 상부 표면들을 모두 덮도록 형성할 수 있다. 즉, 제2 층은 제1 층의 요철 표면을 평탄화하면서 제1 층 위에 적층되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.

제3 층은 제2 층 위에 적층된다. 유기 봉지층(PCL)의 두께가 얇아서 유기 봉지층(PCL)의 퍼짐성을 제어하기가 용이한 경우에는 댐 구조물(DM)의 높이가 높지 않아도 충분할 수 있다. 이 경우에는 제3 층은 생략될 수 있다.

댐 구조물(DM)은 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 모두 덮인다. 유기 봉지층(PCL)은 댐 구조물(DM)의 내측 벽면 일부와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제1 층 높이 보다 높고 제2 층 높이 보다 낮을 수 있다. 또는 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제2 층 높이보다 높고 제3 층의 높이보다 낮을 수 있다.

유기 봉지층(PCL)의 가장자리 영역에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 전체 높이보다 낮게 도포되는 것이 바람직하다. 그 결과, 댐 구조물(DM)의 상부 표면과 외측 측벽에서는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 서로 면 접촉을 이루는 구조를 갖는다.

이하, 도 3을 참조하여, 본 발명에 의한 댐 구조물(DM)의 형상적 구조가 가지는 장점에 대해 설명한다. 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 댐 구조물의 구조적 특징에 의해 얻을 수 있는 장점을 설명하는 단면도이다.

기판(SUB)의 표면에 대해 수직 방향으로 적층된 댐 구조물(DM)을 감싸는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 댐 구조물(DM)의 경계부에서 급격하게 꺾이는 구조를 갖는다. 이 꺾이는 부분에서는 크랙(Crack)과 같은 결함이 발생하기 쉽다. 꺾이는 부분에 결함이 발생하면 수분이 침투하여, 댐 구조물(DM)의 하부에 영향을 준다.

예를 들어, 댐 구조물(DM)의 제1 층이 요철 형상을 갖는 다수 개의 패턴들로 이루어지지 않고, 단일 구조체로 형성되어 있다면, 외부로부터 수분이 침투할 경우, 부피가 팽창하고, 댐 구조물(DM)이 붕괴될 수 있다. 이 경우, 댐 구조물(DM)을 덮고 있는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 파손된다. 그러면, 외부로부터의 수분 침투를 방지할 수 있는 구조물이 손상되어, 수분 침투가 가속화된다.

반면에 본 발명에 의한 댐 구조물은, 제1 층이 다수 개의 패턴들이 일정 간격으로 배치되어 요철 형상을 갖는다. 도 3에서와 같이, 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)의 바닥면에서 꺾이는 부분에서 결함이 발생한 경우, 이 부분으로 수분이 침투할 수 있다. 외부로부터 침투한 수분이 댐 구조물(DM)의 제1 층 하단에 다달은 경우, 댐 구조물(DM)의 제1 층이 부풀어 오를(swell) 수 있다.

이 경우, 댐 구조물(DM)의 제1 층이 다수 개의 패턴들을 구비하고, 다수 개의 패턴들이 일정 간격 떨어져 있으므로, 제1 층 패턴 일부 혹은 전부의 부피가 증가하더라도 사이의 빈 공간에 의해 부피 팽창력이 흡수된다. 도 3에서 댐 구조물(DM)의 제1 층의 패턴 중 어느 하나가 수분에 의해 부푼 경우를 점선으로 도시하였다. 즉, 점선과 같이 부피가 증가하더라도 패턴 사이의 공간이 팽창된 부피 공간을 흡수할 수 있다. 따라서, 수분 침투에 의한 댐 구조물(DM) 제1 층의 부피 증가가 발생해도 댐 구조물(DM) 자체가 붕괴되지 않는다.

<제2 실시 예>

이하, 도 4를 참조하여 본 출원의 제2 실시 예에 대해 설명한다. 도 4는 본 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

본 출원의 특징은 댐 구조물(DM)의 형상 및 구조에 있다. 따라서, 제1 실시 예와 비교해서 댐 구조물(DM)을 제외한 다른 유사한 부분들에 대해서는 중복되는 설명은 생략한다.

본 출원의 제2 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA), 표시 영역(AA) 외측에 배치된 게이트 구동 회로(200) 및 게이트 구동 회로(200) 외측에 배치된 공통 전원 라인(CPL)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)의 외측부와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 게이트 구동 회로(200) 및 공통 전원 라인(CPL)이 배치되는 비 표시 영역(IA)의 폭을 줄여 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있다.

본 출원의 제2 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 기판(SUB)에 수직하게 형성된 4중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 평탄화 막(PLN)으로 형성한 제1 층, 더미 전극(DAE)으로 형성한 제2 층, 뱅크 패턴(BN)으로 형성한 제3 층, 그리고 스페이서(SP)로 형성한 제4 층을 포함할 수 있다.

제2 층은 제1 층 위에 적층되되, 작은 사다리 꼴을 갖는 패턴들의 굴곡 형상을 따라 덮는 얇은 박막일 수 있다. 제2 층은 화소 구동 전극(AE)과 동일한 물질로 형성한 것으로 화소 구동 전극(AE)과는 물리적으로 분리되어 비 표시 영역(IA)에 배치된 더미 전극(DAE)으로 형성한다. 더미 전극(DAE)은 금속 혹은 투명 도전 물질로서 무기물질로 이루어진다.

예를 들어, 제1 층은 기판의 표면을 평탄화하는 평탄화 막(PLN)은 유기물질일 수 있다. 더미 전극(DAE)으로 형성한 제2 층은 무기물질로 유기물질인 제1 층의 측부 표면 및 상부 표면 모두를 덮는 구조적 특징이 있다. 따라서, 제2 층도 제1 층과 동일하게 요철 표면을 가질 수 있다.

뱅크 패턴(BN)으로 형성한 제3 층은 더미 전극(DAE)으로 형성한 제2 층의 상부 표면들을 모두 덮도록 형성할 수 있다. 제3 층은 제2 층 위에 적층되되, 요철 형상을 갖는 제2 층의 상부 표면을 덮도록 형성할 수 있다. 즉, 제3 층은 제2 층의 요철 표면을 평탄화하면서 제2 층 위에 적층되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.

스페이서(SP)로 형성한 제4 층은 뱅크 패턴(BN)으로 형성한 제3 층 위에 적층된다. 유기 봉지층(PCL)의 두께가 얇아서 유기 봉지층(PCL)의 퍼짐성을 제어하기가 용이한 경우에는 댐 구조물(DM)의 높이가 높지 않아도 충분할 수 있다. 이 경우에는 제4 층은 생략될 수 있다.

댐 구조물(DM)은 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 모두 덮인다. 유기 봉지층(PCL)은 댐 구조물(DM)의 내측 벽면 일부와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제1 층 높이 보다 높고 제3 층 높이 보다 낮을 수 있다. 또는 유기 봉지층(PCL)의 가장자리에서 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제3 층 높이보다 높고 제4 층의 높이보다 낮을 수 있다.

유기 봉지층(PCL)의 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 전체 높이보다 낮게 도포되는 것이 바람직하다. 그 결과, 댐 구조물(DM)의 상부 표면과 외측 측벽에서는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 서로 면 접촉을 이루는 구조를 갖는다.

본 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치에서도, 기판(SUB)의 표면에 대해 수직 방향으로 적층된 댐 구조물(DM)을 감싸는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 댐 구조물(DM)의 경계부에서 급격하게 꺾이는 구조를 갖는다. 이 꺾이는 부분에서는 크랙(Crack)과 같은 결함이 발생하기 쉽다. 꺾이는 부분에 결함이 발생하면 수분이 침투하여, 댐 구조물(DM)의 하부에 악영향을 줄 ㅅ수 있다.

하지만, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치에서, 댐 구조물(DM)은 제1 층의 측면 표면과 상부 표면 모두를 무기물질인 더미 전극(DME)으로 형성한 제2 층이 덮고 있다. 특히, 제2 층은 제1 층의 바닥면보다 넓은 폭을 갖고 있어서, 외부로부터 침투한 수분이 직접적으로 유기물질인 제1 층과 접촉하는 것을 차단하는 기능을 한다.

즉, 제2 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 외부로부터 수분이 침투하더라도, 댐 구조물(DM)에서 유기물질로 이루어진 제1 층과 직접 접촉하지 않도록 하기 위해 제1 층을 완전히 감싸도록 덮는 무기물질인 더미 전극(DME)로 이루어진 제2 층을 더 구비한다. 또한, 무기물질 층의 틈새로 수분이 댐 구조물(DM)의 제1 층으로 침투하더라도, 제1 층의 요철 패턴 사이에 마련된 공간으로 인해 제1 층이 부풀어 파손되는 것을 방지할 수 있다. 더구나, 더미 전극(DME)은 유기물질 대비 현저히 낮은 팽창율을 가지므로, 유기물질인 제1 층이 팽창하더라도, 과도한 팽창을 억제하여 댐 구조물(DM)이 변형 혹은 파괴되는 것을 방지할 수 있다.

<제3 실시 예>

이하, 도 5를 참조하여 본 출원의 제3 실시 예에 대해 설명한다. 도 5는 본 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'를 따라 도시한 단면도이다.

본 출원의 제3 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 표시 영역(AA), 표시 영역(AA) 외측에 배치된 게이트 구동 회로(200) 및 게이트 구동 회로(200) 외측에 배치된 공통 전원 라인(CPL)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 댐 구조물(DM)은 공통 전원 라인(CPL)의 외측부와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 게이트 구동 회로(200) 및 공통 전원 라인(CPL)이 배치되는 비 표시 영역(IA)의 폭을 줄여 베젤(Bezel) 폭을 줄일 수 있다.

특히, 본 출원의 제3 실시 예는 댐 구조물(DM)의 내측벽과 인접한 내측 댐(DMI)을 더 구비한다. 내측 댐(DMI)은 댐 구조물(DM)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 내측 댐(DMI)은 기판(SUB)의 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 기판(SUB)의 비표시 영역(IA)에 배치되어 유기 봉지층(PCL)의 흘러 넘침을 1차적으로 방지하는 역할을 할 수 있다. 기판(SUB)의 제 2 내지 제 4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)에 배치된 내측 댐(DMI)은 기판(SUB)에 수직하게 형성될 수 있다. 일 예에 따른 내측 댐(DMI)은 뱅크 패턴(BN)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다른 예에 따른 내측 댐(DMI)은 뱅크 패턴(BN) 상에 수직하게 형성되는 스페이서(SP)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 내측 댐(DMI)은 뱅크 패턴(BN)과 스페이서(SP)가 순차 적층된 구조를 가질 수도 있다.

본 출원의 제3 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제1 실시 예의 것과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다. 별도의 도면으로 설명하지 않았지만, 제3 실시 예에 의한 댐 구조물(DM)은 제2 실시 예의 것과 동일할 수도 있다.

본 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치는, 댐 구조물(DM)의 내측 공간에 내측 댐(DMI)를 더 포함한다. 따라서, 봉지층(130)을 구성하는 유기 봉지층(PCL)이 내측 댐(DMI)의 내측 벽면 일부와 접촉할 수 있다.

내측 댐(DMI)과 댐 구조물(DM)은 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)에 의해 모두 덮인다. 유기 봉지층(PCL)은 내측 댐(DMI)의 내측 벽면 일부와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 부분에서 상부 표면까지의 높이는 내측 댐(DMI)의 높이보다 낮을 수 있다.

이 경우, 유기 봉지층(PCL)은 내측 댐(DMI)의 내측 공간까지만 도포되므로, 내측 댐(DMI)의 상부 표면과 외측 측벽, 그리고 댐 구조물(DM)의 모든 측벽과 상부 표면에서는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 서로 면 접촉을 이루는 구조를 갖는다.

경우에 따라서, 도면으로 도시하지 않았으나, 유기 봉지층(PCL)은 내측 댐(DMI)을 타고 넘어 댐 구조물(DM)의 내측 벽면 일부와 접촉할 수 있다. 이 경우, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 부분에서 상부 표면의 높이는 댐 구조물(DM)의 제1 층 높이 보다 높고 제2 층 높이 보다 낮을 수 있다. 또는 유기 봉지층(PCL)의 상부 표면까지의 높이는 댐 구조물(DM)의 제2 층 높이보다 높고 제3 층의 높이보다 낮을 수 있다.

이 경우, 유기 봉지층(PCL)의 가장자리 부분에서 상부 표면까지의 높이는 적어도 댐 구조물(DM)의 전체 높이보다 낮게 도포된다. 그 결과, 댐 구조물(DM)의 상부 표면과 외측 측벽에서는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)이 서로 면 접촉을 이루는 구조를 갖는다.

본 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치에서도, 기판(SUB)의 표면에 대해 수직 방향으로 적층된 댐 구조물(DM)을 감싸는 제1 무기 봉지층(PAS1)과 제2 무기 봉지층(PAS2)은 댐 구조물(DM)의 경계부에서 급격하게 꺾이는 구조를 갖는다. 이 꺾이는 부분에서는 크랙(Crack)과 같은 결함이 발생하기 쉽다. 꺾이는 부분에 결함이 발생하면 수분이 침투하여, 댐 구조물(DM)의 하부에 악영향을 줄 수 있다.

하지만, 제1 및 제2 실시 예에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시장치에서, 댐 구조물(DM)의 제1 층이 다수의 패턴들 사이에 배치된 간격을 가지고 있거나, 제1 층의 측면 표면과 상부 표면 모두를 무기물질인 제2 층이 추가로 덮고 있으므로, 외부로부터 수분이 침투하더라도, 댐 구조물(DM)이 파손되지 않는다.

이와 같은 본 출원의 일 예에 따른 전계 표시 장치는 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC), 스마트 폰(smart phone), 이동 통신 단말기, 모바일 폰, 태블릿 PC(personal computer), 스마트 와치(smart watch), 와치 폰(watch phone), 또는 웨어러블 기기(wearable device) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 냉장고, 전자 레인지, 세탁기, 카메라 등의 다양한 제품에 적용될 수 있다.

상술한 본 출원의 다양한 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

SUB: 기판 T: 박막 트랜지스터
PLN: 평탄화 층 BN: 뱅크 패턴
SP: 스페이서 DM: 댐 구조물
DMI: 내측 댐 DAE: 더미 전극
200: 게이트 구동 회로 300: 구동 집적 회로
120: 화소 어레이층 130: 봉지층
ED: 발광 소자 AE: 화소 구동 전극
EL: 발광층 CE: 공통 전극
CPL: 공통 전원 라인

Claims

복수의 화소가 배치된 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판에 형성된 층간절연층;
상기 표시 영역을 덮는 봉지층; 그리고
상기 기판의 상기 비표시 영역에 배치되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐 구조물을 포함하되,
상기 댐 구조물은, 상호 이격하여 배치되어 상기 층간절연층의 표면을 노출시키는 복수의 요철 패턴 및 상기 복수의 요철 패턴 사이의 이격 공간을 포함하는 제1 층; 및
상기 제1 층의 상기 복수의 요철 패턴 및 상기 이격 공간에서 노출된 층간절연층의 표면을 덮는 제2 층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 층은, 다수 개의 사다리꼴 형상들이 일정 간격으로 배치되어 상기 요철 패턴을 이루는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 개재되며, 상기 제1 층의 측벽 표면과 상부 표면을 덮는 무기층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 무기층은, 상부 표면이 상기 제1 층의 상기 요철 패턴과 동일한 패턴을 갖는 전계 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 무기층은, 상기 제1 층의 바닥 폭보다 더 넓은 폭을 갖는 전계 발광 표시장치.
제 3 항에 있어서,
상기 표시 영역은,
화소 구동 전극, 발광층 및 공통 전극이 순차 적층된 발광 소자를 더 포함하고,
상기 무기층은 상기 화소 구동 전극과 동일한 물질을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 층의 상부 표면 위에 적층된 제3 층을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 댐 구조물의 내측에 배치된 내측 댐을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 봉지층은,
상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역을 모두 덮으며, 상기 댐 구조물의 내측벽면, 상부 표면 및 외측 벽면을 모두 덮는 제1 무기 봉지층;
상기 제1 무기 봉지층 위에 도포되며, 상기 댐 구조물의 내측 벽면 일부와 접촉하는 유기 봉지층;
상기 유기 봉지층 위에 도포되며, 상기 댐 구조물의 적어도 상부 표면 및 외측 벽면에서 상기 제1 무기 봉지층의 상부 표면과 직접 접촉하는 제2 무기 봉지층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
제 1 항에 있어서,
상기 비 표시 영역의 상기 댐 구조물 내측에 배치되어 상기 화소들과 연결된 게이트 구동 회로; 그리고
상기 비 표시 영역의 상기 댐 구조물 내측에 배치되어 상기 화소들과 연결된 공통 전원 라인을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.