CN114613806A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置。根据本公开内容的实施方式的显示装置包括在基板上方设置的有机膜中形成的至少一个凹槽，因此，可以排出在显示装置的制造过程中生成的水分或残留在有机膜中的气体或者延迟所述水分或气体的移动。结果，可以提高显示装置的显示质量和寿命。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月8日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0170760号韩国专利申请的优先权权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及显示装置，更具体地，涉及通过排出制造过程中生成的水分或残留在有机膜中的气体和/或延迟所述水分或气体的移动来提高显示装置的显示质量和寿命的显示装置。

背景技术

在电视、监视器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑等上显示图像的各种方案和类型的显示装置已被广泛使用。

在显示装置中，继迄今为止已经广泛使用的液晶显示(LCD)装置之后，有机发光二极管(OLED)装置(或有机发光显示装置)已经越来越多地被使用，并且其应用范围已经被广泛扩展。

显示装置包括多个显示图像的发光元件或液晶以及显示面板，在显示面板中，用于单独控制每个发光元件或液晶的操作的薄膜晶体管被设置在基板上。因此，这样的显示装置允许根据期望显示的信息或数据来操作多个发光元件或液晶。

在显示装置中，作为基于有机材料的电激发而发光的自发光显示装置的有机发光显示装置可以在低电压下被驱动并被制造成具有相对薄的结构。有机发光显示装置作为能够解决液晶显示装置的缺点(例如，宽视角、短响应时间等)的显示装置已经引起了关注。

在有机发光显示装置中，由有机材料形成的发光层被设置在阳极电极与阴极电极之间。当正电压和负电压分别施加到有机发光显示装置的阳极电极和阴极电极时，从阳极电极注入的空穴可以借助于空穴传输层移动到发光层，并且电子可以借助于电子传输层从阴极电极移动到发光层。因此，电子和空穴可以在对应的发光元件中重新结合；结果，可以生成激子。

当这样的激子从激发态移动到基态时，发光层中的荧光分子发射光以形成图像。在全色型有机电致发光装置的情况下，包括发射各种颜色诸如红色、绿色和蓝色的像素。

为了使有机发光显示装置形成发光部，在阳极电极上形成像素限定层。此后，阳极电极的一部分所位于的区域中的像素限定层的一部分被去除。接下来，在去除了像素限定层的区域中设置发光层，并且在发光层上设置阴极电极。

发明内容

为了在有机发光显示装置中设置发光部和薄膜晶体管，使用了多个有机膜；结果，在制造过程中，在设置了有机膜的区域中生成气体和水分，并且即使当有机发光显示装置的制造完成时，一些气体和水分仍可能残留在有机发光显示装置中。残留在有机发光显示装置中的气体和水分可以移动到由有机材料形成的发光层。结果，发光层被损坏，并且有机发光显示装置的亮度降低。这导致有机发光显示装置随着时间的推移而不完全发射光。

本公开内容的实施方式涉及如下有机发光显示装置，该有机发光显示装置能够通过排出气体和水分或者延迟气体和水分向发光层的移动来防止残留在显示装置中的气体和水分损坏发光层。

在本公开内容中解决的议题或问题不限于此，并且根据以下描述，其他议题或问题对于本领域技术人员将变得明显。

根据本公开内容的一个方面，提供了如下显示装置，该显示装置包括：基板，其包括设置有多个像素的有源区域和围绕有源区域的非有源区域；薄膜晶体管，其设置在基板上方；第一平坦化膜，其设置在薄膜晶体管上；第一电极，其设置在第一平坦化膜上并电连接到薄膜晶体管；以及像素限定层，其设置在第一电极上。此外，非有源区域可以包括：第一凹槽，其与像素限定层和第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应；以及第二凹槽，其与像素限定层的一部分被去除并且与第一区域不同的第二区域对应。

根据本公开内容的另一方面，提供了如下显示装置，该显示装置包括：基板，其包括设置有多个像素的有源区域和围绕有源区域的非有源区域；薄膜晶体管，其设置在基板上方；第一平坦化膜，其设置在薄膜晶体管上；第一电极，其设置在第一平坦化膜上并电连接到薄膜晶体管；像素限定层，其设置在第一电极上；发光层，其被设置成接触第一电极和像素限定层中的每一个的一部分；第二电极，其设置在发光层上；公共电极线，其用于向第二电极传输公共电压；以及公共电极连接线，其电连接在第二电极与公共电极线之间。此外，非有源区域可以包括与像素限定层和第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应的第一凹槽，并且公共电极连接线可以包括用于排出气体的至少一个出口。

根据本公开内容的各方面，通过形成用于排出在有机发光显示装置的制造过程中生成的水分或残留在有机膜中的气体或者延迟所述水分或气体的移动的多个凹槽，可以防止气体和水分损坏显示装置的发光层。

因此，可以提高显示装置的显示质量和寿命。

根据本公开内容的各方面的效果不限于此，并且根据以下描述，其他效果对于本领域技术人员将变得明显。

附图说明

图1A是示出显示装置的透视图。

图1B是沿着图1A的线A-A’截取的截面视图。

图2是示出根据本公开内容的各方面的基板的平面视图。

图3是沿着图2的线B-B’截取的截面视图。

图4示出了气体或水分行进的行进路径。

图5是示出图2的“C”区域的放大平面视图。

具体实施方式

通过参考下面参照附图详细描述的本公开内容的实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现其的方法将是明显的。然而，本公开内容不限于下面阐述的实施方式，而是可以以各种不同的形式被实现。提供以下实施方式仅是为了完全公开本公开内容并将本公开内容的范围告知本领域技术人员，并且本公开内容仅由所附权利要求的范围限定。

此外，附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。贯穿本说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，当确定并入本文的公知的功能和配置的详细描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略所述详细描述。除非本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“组成”和“由……组成”的术语与术语“仅”一起使用，否则这些术语通常旨在允许添加其他部件。除非上下文另有明确指示，否则本文中使用的单数形式旨在包括复数形式。

在解释本公开内容的实施方式的任何元件或特征时，即使没有进行具体描述，也应当认为层、区域和区的任何尺寸和相对大小都包括容差或误差范围。

本文中可以使用空间上相对的术语诸如“上”、“上面”、“之上”、“下”、“下面”、“之下”、“下方”、“上方”、“附近”、“接近”、“邻近”等来描述图中所示的一个元件或特征与另外的(一个或更多个)元件或特征的关系，并且除非使用诸如“直接”、“仅”的术语，否则应当解释为一个或更多个元件可以进一步“插入”在这些元件之间。

第一元件或层在第二元件或层“上”的位置、布置或设置不仅可以包括第一元件或层直接位于、布置或设置在第二元件或层上，而且可以包括第三元件或层被插入在第一元件或层与第二元件或层之间。

当在本文中使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件或部件时，应当认为这些元件或部件不限于此。这些术语在本文中仅用于将一个元件与其他元件进行区分。因此，下面提到的第一元件可以是本公开内容的技术构思中的第二元件。

贯穿本说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。

附图中所示的每个部件的大小和厚度是为了便于描述而示出的，因此，本公开内容的实施方式不必限于此。

本公开内容的各种示例性实施方式的元件或特征可以部分地或全部地彼此接合或结合，并且可以以如本领域普通技术人员能够完全理解的技术上的各种方式进行互锁和操作，并且各种示例性实施方式可以彼此独立或关联地执行。

应当理解，本文中的实施方式不仅可以应用于有机发光显示装置，还可以应用于其他各种显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置、量子点显示装置等。

在下文中，将参照附图详细讨论显示装置的实施方式，该显示装置能够通过排出在显示装置的制造过程中生成的水分或残留在有机膜中的气体或者延迟所述水分或气体的移动来提高显示装置的显示质量和寿命。

图1A是示出显示装置10的透视图。参照图1A，显示装置10包括基板100和设置在基板100上的前构件200。基板100可以包括前部FP和从前部FP的下部延伸的焊盘部PAD。

为了显示图像并控制图像的显示，一些元件诸如发光元件层、用于驱动发光元件层的薄膜晶体管层等可以设置在基板100与前构件200之间。稍后将描述设置在基板100与用于显示图像的前构件200之间的元件，诸如发光元件层、用于驱动发光元件层的薄膜晶体管层等。

发光元件层位于基板100的前部FP中，并且前部FP可以被划分成显示图像的有源区域AA和作为除有源区域AA之外的区域的非有源区域NA。非有源区域NA是发光元件层不位于的区域并且与围绕有源区域AA的区域对应。

用于将信号从外部施加到显示装置10的一个或更多个驱动构件——例如，驱动芯片、柔性印刷电路板(FPCB)等——可以安装在焊盘部PAD上。

基板100可以由具有柔性的塑料材料形成，并且可以具有柔性特性。基板100可以包括聚酰亚胺，并且可以由具有柔性的薄玻璃材料形成。

由于基板100具有柔性特性，因此前部FP的左侧边缘和右侧边缘可以向下弯曲。当前部FP的左侧边缘和右侧边缘向下弯曲时，由于非有源区域的与前部FP的左侧边缘和右侧边缘对应的部分被定位成面向基板100的相应侧表面，因此可以使位于显示装置的前方(Z轴)的用户感知的非有源区域NA的面积减小。此外，当位于基板100的下部的焊盘部PAD被弯曲时，焊盘部PAD可以被定位成面向基板100的后表面；因此，非有源区域NA的与基板100的下部对应的部分可以减小。

同时，由于前构件200与显示图像的有源区域AA交叠，为了使图像可见，前构件200可以由诸如封装玻璃等的透明材料形成。例如，前构件200可以由透明塑料材料、玻璃材料或增强的玻璃材料形成。

图1B是沿着图1A的线A-A＇截取的截面视图。

图1B是用于近似地示出面板的一部分的截面视图，并且表示位于基板100与前构件200之间的一些元件，诸如薄膜晶体管层、发光元件层等。

参照图1A和图1B，薄膜晶体管层110设置在基板100上。薄膜晶体管层110可以包括栅极线、数据线和至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅电极、半导体层以及源电极和漏电极。当以面板中栅极驱动器(GIP)方案形成生成栅极信号并将栅极信号施加到栅电极的栅极驱动器20时，栅极驱动器20可以与薄膜晶体管层110一起形成。

发光元件层120可以设置在薄膜晶体管层110上。发光元件层120可以包括作为第一电极的阳极电极、发光有机材料层、作为第二电极的阴极电极和像素限定层。发光有机材料层可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，当向第一电极和第二电极施加电压时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并在发光层中结合以发射光。由于像素被设置在其中设置了发光元件层120的区域中，因此，设置了发光元件层120的区域可以是有源区域AA。有源区域AA附近的区域或围绕有源区域AA的区域可以是非有源区域NA。

封装层130设置在发光元件层120上。封装层130用于防止氧气或水分渗透到发光元件层120。封装层130可以包括至少一个有机膜和至少一个无机膜。

薄膜晶体管用于驱动和控制设置在发光元件层120中的像素中的每个像素。通过栅极线的栅极信号被施加到薄膜晶体管的栅电极，并且当通过数据线的数据电压被施加到源电极和漏电极时，相应的电流可以被施加到作为发光元件层120的第一电极的阳极电极。因此，每个像素的发光层可以根据预定电流以预定亮度发射光。

设置在基板100的有源区域AA中的至少一个像素的驱动可以由从栅极驱动器20提供的至少一个信号和从数据驱动器30提供的至少一个信号来控制。像素可以是其中发光层发射光的区域，或者是其中设置了薄膜晶体管和发光层的区域。

栅极驱动器20可以根据从时序控制器60输入的栅极控制信号向栅极线提供栅极信号。栅极驱动器20可以在非有源区域NA的与基板100的有源区域AA的一个或两个边缘或两个横向边缘对应的一部分或多个部分中以面板中栅极驱动器(GIP)方案实现。在另一实施方式中，栅极驱动器20可以被实现为栅极驱动芯片，并且被附接到基板100的焊盘部PAD。

数据驱动器30从时序控制器60接收数字视频/图像数据和源极控制信号。数据驱动器30根据源极控制信号将数字视频/图像数据转换成模拟数据电压，然后将转换后的数据电压输出到数据线。当数据驱动器30被实现为数据驱动芯片时，这种类型的数据驱动器可以以膜上芯片(COF)方案或面板上芯片(COP)方案安装在柔性印刷电路板40上。

可以使用各向异性导电膜将柔性印刷电路板40安装在基板100的焊盘部PAD上并电连接至焊盘部PAD。

此外，电路板50可以附接到柔性印刷电路板40。被实现为相应驱动芯片的多个电路可以安装在电路板50上。例如，时序控制器60可以安装在电路板50上。电路板50可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。

时序控制器60通过电路板50的电缆从外部系统板接收数字视频/图像数据和时序信号。时序控制器60基于时序信号生成用于控制栅极驱动器20的操作时间的栅极控制信号，以及用于控制数据驱动器30的数据控制信号。时序控制器60分别向栅极驱动器20和数据驱动器30提供栅极控制信号和数据控制信号。

图2是示出根据本公开内容的方面的基板的平面视图。

根据本公开内容的方面，通过部分地去除平坦化层和像素限定层中的至少一个而形成的第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以设置在基板100的非有源区域NA中。

第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以沿着基板100的外边缘形成在非有源区域NA中，并且形成在基板100的顶部边缘、左侧边缘和右侧边缘中。因此，可以排出在相应的制造过程完成后仍然残留的气体和水分或者延迟所述气体和水分的移动。在另一实施方式中，第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以形成在诸如基板100的底部边缘的下部中，并且在这种情况下，当焊盘部PAD位于基板的下部时，用于传送各种驱动信号的多条布线可能密集地位于焊盘部PAD中。为此，当平坦化层的用于形成凹槽的部分被去除时，存在布线可能被暴露的可能性。因此，第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以考虑诸如密集地位于焊盘部PAD中的布线的部件或元件的配置而形成，或者可以不形成在基板100的下部中。

第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以形成为用于将在显示装置10的制造过程中当热量被施加到诸如平坦化层的有机膜时生成的气体GAS和/或由于制造过程期间突然的温差而生成的水分排出到外部，或者用于延迟气体GAS和/或水分向发光层的移动。

当显示装置10内部的这样的气体或水分没有被排出或者气体或水分的移动没有被延迟时，相应的发光有机材料层可能被退化或损坏，从而可能出现像素收缩的现象。当出现像素收缩的现象时，由于显示装置10的亮度可能变差，并且随着时间的推移像素不能完全发光，因此有必要提供用于去除或减少显示装置10内部的气体或水分的配置。

图3是沿着图2的线B-B’截取的截面视图。

图3是包括第一凹槽GR1和第二凹槽GR2的显示装置的截面视图。薄膜晶体管层110、发光元件层120和封装层130被设置在基板100的有源区域AA中。

薄膜晶体管层110包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜112、层间绝缘膜113、保护膜114和第一平坦化膜116。

在下文中，将讨论薄膜晶体管层110的详细配置。

缓冲膜111设置在基板100上。缓冲膜111被设置在基板100上以保护薄膜晶体管TFT和发光器件免受通过易受水分渗透的基板100渗透的水分的影响。缓冲膜111可以由交替堆叠的多个无机膜组成。例如，缓冲膜111可以由其中硅氧化物层(SiOx)、硅氮化物层(SiNx)和SiON中的一个或更多个无机膜被交替堆叠的多个膜组成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

薄膜晶体管TFT被设置在缓冲膜111上。薄膜晶体管TFT包括有源层ACT、栅电极G、源电极S和漏电极D。图3示出了其中栅电极G位于有源层ACT上方的顶栅型薄膜晶体管；然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以形成为其中栅电极G位于有源层ACT下方的底栅型以及其中各个栅电极G位于有源层ACT上方和下方的双栅型。

有源层ACT被设置在缓冲膜111上。有源层ACT可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。用于阻挡入射到有源层ACT上的外部光的光阻挡层可以设置在缓冲膜111与有源层ACT之间。

栅极绝缘膜112可以设置在有源层ACT上。栅极绝缘膜112可以由无机膜诸如硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)或其多个层组成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

栅电极G和栅极线可以设置在栅绝缘膜112上。栅电极(G)和栅极线可以设置为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(nd)和铜(Cu)中的任何一种或者两种或更多种的合金组成的单层或多层；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

层间绝缘膜113可以设置在栅电极(G)和栅极线上。层间绝缘膜113可以由无机膜诸如硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)或其多个层组成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

源电极S、漏电极D和数据线可以设置在层间绝缘膜113上。源电极S和漏电极D中的每一个可以通过进入孔接触有源层ACT，该进入孔通过部分地去除栅极绝缘膜112和层间绝缘膜113中的一个或更多个而形成。源电极S、漏电极D和数据线可以设置为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(nd)和铜(Cu)中的任何一种或者两种或更多种的合金形成的单层或多层；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

为了与薄膜晶体管TFT绝缘，可以将保护膜114设置在源电极S、漏电极D和数据线上。保护膜114可以由无机膜诸如硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)或其多个层组成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

第一平坦化膜116可以设置在保护膜114上，以使由薄膜晶体管TFT导致的台阶平坦化。第一平坦化膜116可以由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、酚醛树脂和聚酰胺树脂的有机膜组成。

当需要时，可以将第二平坦化膜115设置在第一平坦化膜116下方。第二平坦化膜115可以由有机膜组成，该有机膜由与第一平坦化膜116相同或不同的材料形成，并且设置在第二平坦化膜115上或上方的发光元件层120与薄膜晶体管TFT之间的间隔距离可以增加。随着发光元件层120与薄膜晶体管TFT之间的间隔距离增加，可以防止在发光元件层120中包括的电极的信号与薄膜晶体管TFT的信号之间可能发生的信号干扰。

当需要时，可以可选地设置第二平坦化膜115。在下文中，给出了关于设置有第二平坦化膜115的结构的讨论，然而，本公开内容的实施方式也适用于没有设置第二平坦化膜115的结构。因此，本文中描述的第二平坦化膜115可以表示其中不包括第二平坦化膜115的结构中的第一平坦化膜116。

发光元件层120可以设置在第一平坦化膜116上。发光元件层120包括作为阳极电极的第一电极121、发光有机材料层122、以及作为阴极电极的第二电极123和像素限定层124。在另一示例中，第一电极121可以成为阴极电极，而第二电极123可以成为阳极电极。

第一电极121可以设置在有源区域AA中的像素中。在非有源区域NA中，公共电极连接线125可以被设置为具有与第一电极121相同的材料。公共电极连接线125被设置成与第一电极121间隔开，并且设置在与第一电极121相同的层上。公共电极连接线125用于连接在公共电极线Vss与第二电极123之间。公共电极连接线125可以延伸到第一平坦化膜116和坝DAM；然而，本公开内容的实施方式不限于此。公共电极连接线125可以通过公共电极连接电极126连接到在基板100的侧表面上设置的公共电极线Vss。公共电极连接电极126可以设置在与源电极S相同的层上，并且由与源电极S相同的材料形成。

第一电极121可以通过保护膜114、第一平坦化膜116和形成在进入孔中的阳极连接电极117接触薄膜晶体管TFT的源电极S，该进入孔通过去除第二平坦化膜115的一部分而形成。第一电极121可以由具有高反射率的金属材料诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。

像素限定层124可以设置在有源区域AA中的第一平坦化膜116和第一电极121上，并且设置在非有源区域NA中的第一平坦化膜116和公共电极连接线125上。

为了限定像素，设置在有源区域AA中的像素限定层124可以设置为覆盖第一平坦化膜116上的第一电极121的边缘。

设置在非有源区域NA中的像素限定层124可以被设置为用于保护公共电极连接线125并使非有源区域NA平坦化。

像素限定层124可以由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、酚醛树脂和聚酰胺树脂的有机膜组成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以形成在非有源区域NA中。第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以形成为用于排出由在有机膜诸如第一平坦化膜116、第二平坦化膜115、像素限定层124等被沉积之后施加的热量导致的气体或者用于延迟该气体的移动。

此外，第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以被形成为用于排出在公共电极连接线125被设置在第一平坦化膜116上并且执行用于去除杂质的清洁过程和固化过程之后生成的水分或者用于延迟该水分的移动。

在这种情况下，在执行固化过程之后的用于沉积像素限定层124的室温等待时间期间，随着基板的温度降低，水分可能被吸附在公共电极连接线125的表面上。固化过程是将高温热量施加到其上设置有公共电极连接线125的基板以用于去除残留在基板上的水分和残留在有机膜中的气体的过程。

如上所述，在制造显示装置10的过程中生成的气体或水分可能沿着像素限定层124、第一平坦化膜116和第二平坦化膜115中的一个或更多个的界面或表面移动到有源区域AA。到达有源区域AA的这样的气体或水分可能损坏发光有机材料层122，并且这可能导致其中发光层收缩的像素收缩。当发光层收缩时，其亮度可能降低，并且因此，随着时间的推移，发光层不能完全发射期望的光。

为了排出制造过程期间生成的气体或水分，可以通过部分地去除第一平坦化膜116、第二平坦化膜115和像素限定层124中的一个或更多个来形成一个或更多个凹槽。

此外，可以通过去除公共电极连接线125的一部分来形成用于排出气体或水分的开口图案。

图4示出了在设置像素限定层之后生成的气体或水分的行进路径。

图5是示出了图2的“C”区域的放大平面视图，并且示出了第一凹槽、第二凹槽和至少一个出口。

参照图4，从作为有机膜的第一平坦化膜116或第二平坦化膜115生成的气体可以向上移动或向侧面移动。在这种情况下，由于公共电极连接线125或公共电极连接电极126覆盖了作为气体的行进路径的第一平坦化膜116或第二平坦化膜115，因此，这样的气体不能被排出到外部。因此，为了排出在有机膜中生成的这样的气体，可以在设置在第一平坦化膜116或第二平坦化膜115上的公共电极连接线125或公共电极连接电极126中形成作为允许这样的气体排出的开口OP的一个或更多个出口。

形成在公共电极连接线125或公共电极连接电极126中的出口可以设置成具有相等的开口形状，同时彼此以预定距离间隔开。

例如，这样的出口可以是彼此相距预定距离地布置在图5的公共电极连接线125中的多个出口OP。出口可以具有各种形状，诸如正方形、圆形、三角形等；然而，本公开内容的实施方式不限于此。由于公共电极连接线125设置在整个非有源区域NA中，因此，可以设置在整个非有源区域NA中的出口OP导致从第一平坦化膜116或第二平坦化膜115生成的气体被排出。

参照图3和图5，第一凹槽GR1可以形成在多个出口OP之间。第一凹槽GR1可以是通过部分地去除每一个均是有机膜的第一平坦化膜116、第二平坦化膜115和像素限定层124中的全部或一个或更多个而形成在薄膜晶体管TFT上或上方的部分区域中的凹槽。结果，第一凹槽GR1可以通过被形成为断开沿着其中间部(或线)或预定部(或线)在非有源区域NA中连续形成的有机膜来防止从有机膜生成的气体移动到发光有机材料层122。例如，可以防止从相对于基板100的左侧边缘或左侧部(或线)的第一凹槽GR1的左侧有机膜生成的气体朝向第一凹槽GR1的右侧有机膜移动。

当第一平坦化膜116的一部分或者第一平坦化膜116和第二平坦化膜115的一部分被去除时，所得到的第一凹槽GR1被形成为使得其与被去除部分对应的侧表面暴露于外部。因此，可以防止有机膜中的气体或水分在水平方向上移动。

此外，由于公共电极连接线125被设置在其中去除了第一平坦化膜116和第二平坦化膜115的这样的部分上，因此可以进一步防止有机膜中生成的气体或水分向右移动。

由于第一凹槽GR1可以是通过部分地去除每一个均是有机膜的第一平坦化膜116、第二平坦化膜115和像素限定层124中的一个或更多个而形成的凹槽，因此第一凹槽GR1可以通过去除设置在薄膜晶体管TFT上或上方的一个或更多个有机膜的期望部分或至少一部分而形成。

第二凹槽GR2可以形成在公共电极连接线125的右侧边缘或者非有源区域NA的外边缘中。以类似于第一凹槽GR1的方式，第二凹槽GR2可以被形成为用于排出在有机膜中生成的气体，或者防止或延迟在位于第一凹槽GR1中的公共电极连接线125上吸收的水分沿着公共电极连接线125移动到发光有机材料层122。

由于第二凹槽GR2被形成为防止或延迟在第一凹槽GR1中生成的水分向发光有机材料层122的移动，所以第二凹槽GR2被设置为比第一凹槽GR1更靠近发光有机材料层122所在的有源区域AA。第二凹槽GR2可以设置在作为水分的行进路径的发光有机材料层122与公共电极连接线125之间。

如上所述，由于到达发光有机材料层122的水分可以通过损坏发光有机材料层122而导致像素收缩，因此，有必要防止水分接触发光有机材料层122。

以与第一凹槽GR1类似的方式，第二凹槽GR2可以通过部分地去除每一个均是有机膜的第一平坦化膜116、第二平坦化膜115和像素限定层124中的一个或更多个而形成。例如，如图4中所示，可以通过去除像素限定层124的一部分来形成第二凹槽GR2。当通过去除像素限定层124的一部分形成第二凹槽GR2时，由于第一平坦化膜116的上表面的一部分被暴露，所以在像素限定层124与第二平坦化膜115之间移动的水分可以被排出到外部，或者在第一平坦化膜116与第二平坦化膜115之间生成的气体可以被排出到外部。

在设置了第二电极123之后，通过延迟位于像素限定层124与第一平坦化膜116之间的水分的移动可以使水分向发光有机材料层122的移动最小化。

在第二凹槽GR2的另一实施方式中，第二凹槽GR2可以通过部分地去除像素限定层124和第一平坦化膜116中的一个或更多个或者部分地去除像素限定层124、第一平坦化膜116和第二平坦化膜115中的一个或更多个而形成。当通过部分地去除像素限定层124、第一平坦化膜116和第二平坦化膜115来形成第二凹槽GR2时，在第一平坦化膜116和第二平坦化膜115中生成的气体可以从第二凹槽GR2的侧表面排出。因此，与仅去除像素限定层124的一部分的情况相比，这使得水分和气体被更有效地排出到外部，并且使得水分向发光有机材料层122的移动被更有效地延迟。

然而，在部分地去除多个有机膜(或层)以形成第一凹槽GR1或第二凹槽GR2的情况下，由于显示装置10的刚性可能被削弱，因此当显示装置10被弯曲时，显示装置10可能被损坏。因此，有必要考虑每个显示装置或显示面板的特性来确定是否部分地去除一个或更多个有机膜(或层)的全部或一个或更多个，并且第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以形成为具有彼此不同的各自的深度。

例如，为了去除一个或更多个有机膜(或层)的最优水平，通过部分地去除像素限定层124、第一平坦化膜116和第二平坦化膜115来形成第一凹槽GR1，主要是为了排出在一个或更多个有机膜中生成的气体，以及通过部分地去除像素限定层124来形成第二凹槽GR2，主要是为了排出向发光有机材料层122移动的水分或延迟所述水分的移动。

发光有机材料层122可以设置在像素限定层124上。发光有机材料层122可以设置在通过部分地去除有源区域AA中的像素限定层而暴露的第一电极121上，并且可以设置在部分去除区域和与部分去除区域相邻的区域的至少一部分上。

发光有机材料层122可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，当电压被施加到第一电极121和第二电极123时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并在发光层中结合以发射光。

发光有机材料层122可以是发射红光的红色发光有机材料层、发射绿光的绿色发光有机材料层和发射蓝光的蓝色发光有机材料层中的一种。发光有机材料层122可以设置在与第一电极121对应的区域中。此外，发光有机材料层122可以是发射白光的白色发光有机材料层。在这种情况下，发光有机材料层122可以被设置成覆盖第一电极121和像素限定层124，并且滤色器可以被设置在基板100上方的预定区域中。

第二电极123可以设置在发光有机材料层122和像素限定层124上。当显示装置10具有顶部发光结构时，第二电极123可以由通过其能够透射光的诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成，或者由诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料形成。

同时，在非有源区域NA的边缘中，设置在与源电极S相同的层中并且由与源电极S相同的材料形成的公共电极线Vss可以设置在基板100的边缘中。公共电极线Vss是用于将公共电压诸如低电压或接地电压施加到阳极或第二电极123的布线，并且用于在公共电极线Vss与第二电极123之间连接的公共电极连接电极126和公共电极连接线125可以设置在公共电极线Vss与第二电极123之间。

公共电极连接电极126可以设置在与阳极连接电极117相同的层中，并且由与阳极连接电极117相同的材料形成。例如，公共电极连接电极126可以直接接触公共电极线Vss、沿着第一平坦化膜116的横向边缘和上部外边缘延伸，并且延伸到第一平坦化膜116的上部外边缘的预定长度。如上所述，公共电极连接电极126可以包括作为用于排出在一个或更多个有机膜中生成的气体的开口的多个出口。

设置在与第一电极121相同的层中并且由与第一电极121相同的材料形成的公共电极连接线125可以直接接触公共电极连接电极126，例如，公共电极连接电极126的上部。公共电极连接线125可以位于第一凹槽GR1中、沿着第一平坦化膜116和第二平坦化膜115的相应外边缘延伸，并且延伸到第一平坦化膜116的上部外边缘的预定长度。公共电极连接线125可以接触第一凹槽GR1中的第二电极123。公共电极连接线125也可以包括作为用于排出在一个或更多个有机膜中生成的气体的开口的多个出口。

此外，第二电极123可以接触有源区域AA中的发光有机材料层122、沿着像素限定层124的外边缘延伸、接触第一凹槽GR1中的公共电极连接线125，并且延伸到第一凹槽GR1的一侧例如左侧和像素限定层124的与第一凹槽GR1的所述一侧相邻的区域。

盖层可以设置在第二电极123上。

封装层130可以设置在发光元件层120上，并且设置成延伸到基板100的非有源区域NA以及有源区域AA。

封装层130被设置成覆盖像素限定层124上方的有源区域AA，并且用于防止氧气或水分渗透到发光有机材料层122和第二电极123。为此，封装层130可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。例如，封装层130可以包括第一无机膜131、有机膜132和第二无机膜133。

封装层130的第一无机膜131可以设置在第二电极123上。第一无机膜131可以被设置成覆盖第二电极123。例如，第一无机膜131可以被设置成覆盖有源区域AA中的第二电极123和有源区域AA中的像素限定层124，并且延伸到非有源区域NA以覆盖非有源区域NA中的公共电极连接线125、像素限定层124和坝DAM等。第一无机膜131可以被设置成覆盖第一凹槽GR1和第二凹槽GR2。

根据设置在第一无机膜131下方的堆叠结构或形状，第一无机膜131可以具有至少一个台阶，并且可能出现第一无机膜131没有设置在台阶区域中的缺陷。为了补偿第一无机膜131中可能出现的缺陷和台阶，封装层130的有机膜132可以设置在第一无机膜131上。有机膜132可以防止异物进入发光有机材料层122和第二电极123，并且可以被设置成具有足够的厚度以补偿台阶差。

封装层130的第二无机膜133可以设置在有机膜132上。第二无机膜133可以被设置成覆盖有机膜132。例如，第二无机膜133可以被设置成覆盖有源区域AA中的有机膜132，并且延伸到非有源区域NA以覆盖坝DAM和第一无机膜131。由于第二无机膜133因为设置在第二无机膜133下方的有机膜132而不具有缺陷或台阶，因此不会形成来自外部的水分被吸收到显示装置中的路径。结果，可以防止显示装置10的可靠性和质量劣化。

封装层130的第一无机膜131和第二无机膜133中的每一个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。有机膜132可以由丙烯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成；然而，本公开内容的实施方式不限于此。

坝DAM可以设置在非有源区域NA中，并且可以阻挡封装层130中包括的有机膜132的流动。例如，坝DAM可以被设置成围绕有源区域AA的边缘，并且可以阻挡封装层130中包括的有机膜132的流动。此外，坝DAM可以设置在非有源区域NA中，并且可以阻挡有机膜132的流动，使得封装层130中包括的有机膜132不能到达基板100的焊盘部PAD中的被暴露的焊盘。以这种方式，坝DAM可以防止封装层130的有机膜132暴露于显示装置10的外部或者到达焊盘部PAD中的焊盘。

可以通过沉积第一平坦化膜116的材料或第二平坦化膜115的材料、像素限定层124的材料和间隔物141，然后对这些沉积的元件中的一个或更多个的全部或一部分进行图案化来形成坝DAM。例如，坝DAM可以包括多个坝，诸如内坝DAM 1、外坝DAM 2、中间坝DAM 3等。内坝DAM 1可以被布置成邻近有源区域AA，并且被设置成围绕有源区域AA的边缘。因此，内坝DAM 1可以首先阻挡封装层130中包括的有机膜132的流动。外坝DAM 2可以设置成围绕内坝DAM 1的边缘，并且设置成与内坝DAM 1间隔开，使得外坝DAM 2和内坝DAM 1可以彼此平行。中间坝DAM 3可以另外位于内坝DAM 1与外坝DAM 2之间，并且因此可以有效地阻挡有机膜132的流动。坝DAM可以是分隔物、阻挡物或突出物等；然而，本公开内容的实施方式不限于特定术语。

触摸电极、偏振板、前构件200等可以设置在封装层130上或上方。

因此，由于在每一个均为有机膜的第一平坦化膜116、第二平坦化膜115和像素限定层124中的一个或更多个中形成的第一凹槽GR1和第二凹槽GR2可以导致残留在显示装置10中的气体或水分被排出或者气体或水分向发光有机材料层122的移动被延迟，因此有效地防止了相应发光层的大小收缩的现象。结果，可以防止显示装置10的可靠性和质量劣化。

根据本公开内容的实施方式的显示装置可以描述如下。

根据本文所述的实施方式，显示装置包括：基板，其包括其中设置有多个像素的有源区域和围绕所述有源区域的非有源区域；薄膜晶体管，其设置在所述基板上方；第一平坦化膜，其设置在所述薄膜晶体管上；第一电极，其设置在所述第一平坦化膜上并电连接到所述薄膜晶体管；以及像素限定层，其设置在所述第一电极上。此外，所述非有源区域可以包括：第一凹槽，所述第一凹槽与其中所述像素限定层和所述第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应；以及第二凹槽，所述第二凹槽与其中所述像素限定层被部分地去除并且与所述第一区域不同的第二区域对应。

根据本文所述的一些实施方式，显示装置还可以包括：第二平坦化膜，其设置在所述第一平坦化膜下方；以及阳极连接电极，其设置在所述薄膜晶体管与所述第一电极之间并电连接在所述薄膜晶体管与所述第一电极之间。

根据本文所述的一些实施方式，可以通过部分地去除所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个来形成所述第一凹槽。

根据本文所述的一些实施方式，可以通过部分地去除所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个来形成所述第二凹槽。

根据本文所述的一些实施方式，所述第二凹槽可以被设置成比所述第一凹槽更靠近所述有源区域。

根据本文所述的一些实施方式，所述第一凹槽和所述第二凹槽可以设置在所述基板的左侧区域、右侧区域和上部区域中。

根据本文所述的一些实施方式，所述第一凹槽可以使所述第一平坦化膜的侧表面暴露，以及所述第二凹槽可以使所述第一平坦化膜的上表面的一部分暴露。

根据本文所述的一些实施方式，显示装置还可以包括：发光层，其设置在所述第一电极和所述像素限定层的部分区域中；第二电极，其设置在所述发光层上；公共电极线，其用于向所述第二电极施加公共电压；以及公共电极连接线，其用于在所述第二电极与所述公共电极线之间电连接。在这种情况下，所述第二凹槽可以设置在所述发光层与所述公共电极连接线之间。

根据本文所述的一些实施方式，所述公共电极连接线可以包括至少一个出口。

根据本文所述的一些实施方式，显示装置还可以包括设置在所述公共电极线与所述公共电极连接线之间的公共电极连接电极，并且所述公共电极连接电极可以包括至少一个出口。

根据本文所述的实施方式，显示装置包括：基板，其包括其中设置有多个像素的有源区域和围绕所述有源区域的非有源区域；薄膜晶体管，其设置在所述基板上方；第一平坦化膜，其设置在所述薄膜晶体管上；第一电极，其设置在所述第一平坦化膜上并电连接到所述薄膜晶体管；像素限定层，其设置在所述第一电极上；发光层，其设置成接触所述第一电极和所述像素限定层中的每一个的一部分；第二电极，其设置在所述发光层上；公共电极线，其用于向所述第二电极施加公共电压；以及公共电极连接线，其在所述第二电极与所述公共电极线之间电连接。在这种情况下，所述非有源区域可以包括第一凹槽，所述第一凹槽与其中所述像素限定层和所述第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应，并且所述公共电极连接线可以包括至少一个出口。

根据本文所述的一些实施方式，显示装置包括设置在所述第一平坦化膜下方的第二平坦化膜，并且可以通过部分地去除所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个来形成所述第一凹槽。

根据本文所述的一些实施方式，所述非有源区域还可以包括通过部分地去除所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个而形成的第二凹槽。

根据本文所述的一些实施方式，所述第一凹槽的深度和所述第二凹槽的深度可以彼此不同。

以上描述已经被呈现以使本领域技术人员能够制造和使用本发明，并且在特定应用及其要求的背景下被提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是明显的，并且在不偏离本发明的精神和范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。尽管为了说明的目的已经描述了示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不偏离本公开内容的基本特征的情况下，可以进行各种修改和应用。例如，可以对示例性实施方式的特定部件进行各种修改。以上描述和附图仅出于说明的目的提供了本发明的技术思想的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本公开内容的技术思想的范围。因此，本公开内容的范围不限于所示的实施方式，而是符合与权利要求一致的最宽范围。本公开内容的保护范围将根据权利要求来解释，并且权利要求范围内的所有技术思想应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：

基板，其包括设置有多个像素的有源区域和围绕所述有源区域的非有源区域；

薄膜晶体管，其设置在所述基板上方；

第一平坦化膜，其设置在所述薄膜晶体管上；

第一电极，其设置在所述第一平坦化膜上并电连接到所述薄膜晶体管；以及

像素限定层，其设置在所述第一电极上，

其中，所述非有源区域包括：第一凹槽，所述第一凹槽与所述像素限定层和所述第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应，以及

第二凹槽，所述第二凹槽与所述像素限定层的一部分被去除并且与所述第一区域不同的第二区域对应。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

第二平坦化膜，其设置在所述第一平坦化膜下方；以及

阳极连接电极，其设置在所述薄膜晶体管与所述第一电极之间并电连接在所述薄膜晶体管与所述第一电极之间。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的区域对应。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的区域对应。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二凹槽被设置成比所述第一凹槽更靠近所述有源区域。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽被设置在所述基板的左侧区域、右侧区域和上部区域中。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凹槽使所述第一平坦化膜的侧表面暴露，以及所述第二凹槽使所述第一平坦化膜的上表面的一部分暴露。

8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

发光层，其设置在所述第一电极和所述像素限定层的部分区域中；

第二电极，其设置在所述发光层上；

公共电极线，其用于向所述第二电极施加公共电压；以及

公共电极连接线，其用于在所述第二电极与所述公共电极线之间电连接，

其中，所述第二凹槽被设置在所述发光层与所述公共电极连接线之间。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述公共电极连接线包括至少一个出口。

10.根据权利要求8所述的显示装置，还包括设置在所述公共电极线与所述公共电极连接线之间的公共电极连接电极，

其中，所述公共电极连接电极包括至少一个出口。

11.一种显示装置，包括：

基板，其包括设置有多个像素的有源区域和围绕所述有源区域的非有源区域；

薄膜晶体管，其设置在所述基板上方；

第一平坦化膜，其设置在所述薄膜晶体管上；

第一电极，其设置在所述第一平坦化膜上并电连接到所述薄膜晶体管；

像素限定层，其设置在所述第一电极上；

发光层，其设置在所述第一电极和所述像素限定层的部分区域中；

第二电极，其设置在所述发光层上；

公共电极线，其用于向所述第二电极施加公共电压；以及

公共电极连接线，其用于在所述第二电极与所述公共电极线之间电连接，

其中，所述非有源区域包括第一凹槽，所述第一凹槽与所述像素限定层和所述第一平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应，以及

其中，所述公共电极连接线包括至少一个出口。

12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括设置在所述第一平坦化膜下方的第二平坦化膜，

其中，所述第一凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的区域对应。

13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括第二凹槽，所述第二凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的区域对应。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一凹槽的深度与所述第二凹槽的深度彼此不同。

15.一种显示装置，包括：

基板，其包括设置有多个像素的有源区域和围绕所述有源区域的非有源区域；

薄膜晶体管，其设置在所述基板上方；

第一平坦化膜，其设置在所述薄膜晶体管上；

第二平坦化膜，其设置在所述第一平坦化膜下方；

第一电极，其设置在所述第一平坦化膜上并电连接到所述薄膜晶体管；以及

像素限定层，其设置在所述第一电极上；

其中，所述非有源区域包括：第一凹槽，所述第一凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除的第一区域对应，以及

第二凹槽，所述第二凹槽与所述像素限定层、所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中的一个或更多个被部分地去除并且与所述第一区域不同的第二区域对应。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二凹槽被设置成比所述第一凹槽更靠近所述有源区域。

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