CN108231833B - 发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种发光显示装置及其制造方法，其防止发光层的寿命缩短并且防止导通缺陷的发生。该发光显示装置包括多个像素，所述多个像素各自包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极、以及连接到所述有源层的另一侧的漏极。所述多个像素还包括发光器件，所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极。所述发光显示装置包括接触孔，所述多个像素中的至少两个的第一电极设置在所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极上并且电连接到所述相应的源极或所述相应的漏极。
Description
技术领域
本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。因此，近来正在使用诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、发光显示装置等的各种显示装置。
包括有机发光显示装置的发光显示装置是自发光显示装置，并且在视角和对比度方面比LCD装置好。另外，由于有机发光显示装置不需要单独的背光，因此可以使有机发光显示装置变轻并变薄，并且有机发光显示装置的功耗优异。此外，有机发光显示装置以低的直流(DC)电压驱动，响应时间快，并且制造成本低。
有机发光显示装置各自包括阳极，划分阳极的堤，形成在阳极上的空穴传输层、有机发光层和电子传输层，以及形成在电子传输层上的阴极。在这种情况下，当向阳极施加高电平电压并且向阴极施加低电平电压时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层并且在有机发光层中彼此复合以发光。
在有机发光显示装置中，在依次层叠有阳极、有机发光层和阴极的相应区域中形成发光的像素。在不发光的相应非发光区域中设置堤。也就是说，该堤用作限定像素的像素限定层。
阳极通过接触孔与薄膜晶体管(TFT)的源极或漏极连接，并通过TFT被提供以高电平电压。由于接触孔的台阶高度，有机发光层难以均匀地沉积在接触孔中，因此，有机发光层被堤覆盖而没有形成在接触孔中。
近来，正在开发包括有机发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器是用于虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的监视器装置，它们被佩戴为眼镜式或头盔式，并在靠近用户眼睛的距离处形成焦点。应用于头戴式显示器、移动装置等的小型有机发光显示装置具有高分辨率，因此每个像素的尺寸逐渐减小。
然而，接触孔通过光刻工艺形成，并且由于光刻工艺的限制，接触孔不能被形成为具有一定尺寸或更小尺寸。也就是说，虽然像素的尺寸减小，但是在减小接触孔的尺寸方面存在限制。具体地，接触孔设置在非发光区域中，因此，当像素的尺寸减小时，像素中的非发光区域的面积比增加，而像素中的发光区域的面积比减小。如果像素中的发光区域的面积比减小，那么应该增加发光区域的亮度，以便补偿发光区域的减小的比例，为此，缩短了有机发光层的寿命。
此外，如果像素的尺寸减小，则TFT的源极或漏极的尺寸会变得小于接触孔的尺寸。在这种情况下，阳极不仅仅形成在通过接触孔暴露的源极或漏极的上表面上，并且可形成在接触孔的底部和源极或漏极的侧表面上。因此，如图1A和图1B所示。由于接触孔的底部与源极或漏极之间的台阶高度，阳极会在源极或漏极的侧表面中断开。因此，会发生像素不发光的导通缺陷。
发明内容
因此，本公开旨在提供一种发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本公开的一个方面旨在提供一种防止发光层的寿命缩短的发光显示装置及其制造方法。
本公开的另一方面旨在提供一种防止发生导通缺陷的发光显示装置及其制造方法。
本公开的另外的优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在查阅下文之后部分地将变得明显或者可从本公开的实践而得知。通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构可实现并获得本公开的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点，并且根据本公开的目的，如在本文中所体现并广泛描述的那样，提供一种发光显示装置，该发光显示装置包括多个像素，所述多个像素各自包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极、以及连接到所述有源层的另一侧的漏极；以及发光器件，所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层、以及设置在所述发光层上的第二电极。该发光显示装置包括接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极设置在所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极上并且电连接到所述相应的源极或所述相应的漏极。
在本公开的另一方面，提供一种发光显示装置，该发光显示装置包括多个像素，所述多个像素中的每一个包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、源极区域和漏极区域；源极，所述源极联接到所述源极区域；漏极，所述漏极联接到所述漏极区域；辅助电极；以及发光器件的第一电极，所述发光器件的第一电极位于所述辅助电极上。该发光显示装置还包括接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的所述辅助电极电连接到所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极。
要理解的是，本公开的以上总体描述和下面的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。在附图中：
图1A和图1B是示出当有机发光层形成在接触孔中时，由于接触孔的台阶高度导致阳极与阴极短路的示例的示例性示图；
图2是例示根据本公开的一个或更多个实施方式的有机发光显示装置的立体图；
图3是例示图2的有机发光显示装置的其它细节的平面图；
图4是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的示例的平面图；
图5是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；
图6是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；
图7是沿图4的I-I'线截取的截面图；
图8是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；
图9是沿图8的IV-IV'线截取的截面图；
图10是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；
图11是例示沿图10的V-V'线截取的示例的截面图；
图12是例示制造根据本公开的一个或更多个实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图；
图13A至图13G是用于描述制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法的沿图4的线I-I'截取的截面图；
图14是例示制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图；
图15A至图15D是用于描述制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的沿图8的线IV-IV'截取的截面图；
图16是例示制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图；以及
图17A至图17D是用于描述制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的沿图10的V-V'线截取的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方式，在附图中例示了本公开的示例性实施方式的示例。在任何可能或方便描述本文所提供的各种实施方式的情况下，相同的附图标记将在整个附图中被用于指代相同或相似的部件。
在下面的描述中，在对于众所周知的功能、特征或配置的详细描述的包括否则可能使本公开的各种实施方式的描述模糊的情况下，可省略其详细描述。说明书中描述的术语应理解如下。
将通过参照附图描述的以下示例性实施方式来提供本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可按照不同的形式来实施，并且不应该被解释为受本文所阐述的特定实施方式的限制。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员传达本公开的范围。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和数量仅是示例性的，因此，本公开不限于所示的细节。
在本说明书中使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”这样的术语具有包容性的含义，并且除非由诸如“仅”这样的术语明确地限制，否则所述术语可包括附加的部件、组件、特征等。除非明确地限于单数形式，否则单数形式的术语可包括复数形式。
在解释元件时，尽管不存在对误差范围的任何明确描述，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下面”和“挨着…”时，除非使用诸如“仅”或“直接”这样的明确限制术语，否则可在这两个部件之间设置一个或更多个其它部件。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“后续”、“下一个”和“在…之前”时，除非使用诸如“仅”或“直接”这样的明确限制术语，否则可包括顺序不连续的情况。
应当理解，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。
如本文所使用的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向不应被解释为表示任何特定几何关系或方向(例如，垂直方向或水平方向)，而是替代地意图具有在本公开的元件功能正常地操作的范围内的更广泛的方向性。
术语“至少一个”应被理解为包括相关列举项目中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义包括第一项目、第二项目和第三项目中的任意项目的两个或更多个的全部组合，以及第一项目、第二项目或第三项目中的任意项目。
如本领域技术人员可充分理解的，本公开的各种实施方式的特征可部分或全部地彼此联接或组合，并且可彼此进行各种不同的相互操作并在技术上进行驱动。本公开的实施方式可彼此独立地执行，或者可按照相互依赖关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。
图2是例示根据本公开的实施方式的有机发光显示装置100的立体图。图3是例示图2的有机发光显示装置100的其它细节(诸如第一基板、选通驱动器、源驱动集成电路(IC)、柔性膜、电路板和定时控制器)的平面图。
参照图2和图3，根据本公开的实施方式的有机发光显示装置100可包括显示面板110、选通驱动器120、源驱动IC 130、柔性膜140、电路板150和定时控制器160。
显示面板110可包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板等。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板、封装膜(保护膜)等。
可在第一基板111的面向第二基板112的表面上设置多条选通线、多条数据线和多个像素P。像素可分别设置在由选通线和数据线的交叉结构限定的多个区域中。
像素中的每一个可包括薄膜晶体管(TFT)和包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光器件。当通过选通线输入选通信号时，根据通过数据线提供的数据电压，像素中的每一个可通过使用TFT向有机发光器件提供一定电流。因此，像素中的每一个的有机发光器件可根据一定电流发出具有一定亮度的光。本文将进一步详细描述像素的各种实施方式。
如图3所示，显示面板110可被分为设置有像素以显示图像的显示区域DA以及不显示图像的非显示区域NDA。选通线、数据线和像素可设置在显示区域DA中。选通驱动器120和多个焊盘可设置在非显示区域NDA中。
选通驱动器120可根据从定时控制器160输入的选通控制信号，依次将选通信号提供给选通线。选通驱动器120可按照面板中选通驱动器(GIP)类型设置在显示面板110的显示区域DA的一侧或两侧之外的非显示区域NDA中。另选地，选通驱动器120可被制造为驱动芯片，并且可安装在柔性膜上，此外可按照带式自动键合(TAB)类型附接在显示面板110的显示区域DA的一侧或两侧之外的非显示区域NDA上。
源驱动IC 130可从定时控制器160接收数字视频数据和源控制信号。源驱动IC130可根据源控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且可将模拟数据电压分别提供给数据线。如果源驱动IC 130被制造为驱动芯片，则源驱动IC 130可按照膜上芯片(COF)类型或塑料上芯片(COP)类型安装在柔性膜140上。
诸如数据焊盘这样的多个焊盘可设置在显示面板110的非显示区域NDA中。将焊盘连接到源驱动IC 130的线路以及将焊盘与电路板150的线路连接的线路可设置在柔性膜140上。柔性膜140可通过各向异性导电膜附接在焊盘上，因此，焊盘可连接到柔性膜140的线路。
如图所示，电路板150可附接在柔性膜140上，柔性膜140可被设置为多个柔性膜140。实现为驱动芯片的多个电路可安装在电路板150上。例如，定时控制器160可安装在电路板150上。电路板150可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
定时控制器160可通过电路板150的线缆从外部系统板(未示出)接收数字视频数据和定时信号。定时控制器160可基于定时信号产生用于控制选通驱动器120的操作定时的选通控制信号和用于控制源驱动IC 130的源控制信号，该源驱动IC 130可被设置为多个源驱动IC 130。定时控制器160可将选通控制信号提供给选通驱动器120，并且可将源控制信号提供给多个源驱动IC 130。
图4是详细例示显示区域中的像素的示例的平面图。
在图4中，为了便于说明，仅示出像素P、发光区域EA、有机发光器件的第一电极AND、晶体管的漏极SD和共用接触孔CTS。
参照图4，可设置多个像素P，并且像素P中的每一个可包括至少一个TFT和有机发光器件。
TFT可包括有源层、与有源层交叠的栅极、连接到有源层的一侧的源极、以及连接到有源层的另一侧的漏极。有源层可包括源极区域、漏极区域以及源极区域与漏极区域之间的沟道区域。源极可因此连接到有源层的源极区域，而漏极可连接到有源层的漏极区域。TFT可用另一种合适的晶体管代替。
有机发光器件可包括与阳极对应的第一电极AND、有机发光层、以及与阴极对应的第二电极。发光区域EA可标示其中第一电极AND、有机发光层和第二电极依次层叠并且来自第一电极AND的空穴和来自第二电极的电子在有机发光层中复合以发光的区域。相邻像素P的发光区域EA可由堤分隔开，因此，堤可与不发光的非发光区域对应。
如图4所示，N(其中，N是等于或大于2的整数)个像素P可共用该共用接触孔CTS。共用接触孔CTS可以是用于将N个像素P中的每一个的TFT的漏极SD连接到有机发光器件的第一电极AND而形成的孔。N个像素P的TFT中的每一个的漏极SD可通过共用接触孔CTS暴露。因此，N个像素P中的每一个的有机发光器件的第一电极AND可通过共用接触孔CTS连接到TFT的漏极SD。
此外，有机发光器件的第一电极AND和TFT的漏极SD可通过同时蚀刻形成。在这种情况下，有机发光器件的第一电极AND的端部可与TFT的漏极SD在共用接触孔CTS中的对应端部匹配。
此外，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P的TFT的漏极SD可被设置成彼此面对。因此，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P的TFT的漏极SD可被一个共用接触孔CTS暴露。因此，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。
此外，共用接触孔CTS可形成有沿与第一方向(例如，Y轴方向)交叉的第二方向(例如，X轴方向)延伸的长轴。第一方向(例如，Y轴方向)可以是与有机发光显示装置中的数据线平行的方向，而第二方向(例如，X轴方向)可以是与有机发光显示装置中的选通线平行的方向。也就是说，共用接触孔CTS可被形成为沿与选通线平行的方向延伸。因此，沿第一方向(例如，Y轴方向)和第二方向(例如，X轴方向)彼此相邻的像素P的TFT的漏极SD可被一个共用接触孔CTS暴露。因此，N个像素P可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。
在图4中，例示了N为8(N＝8)，但是本实施方式不限于此。例如，如图5所示，N可以是2(N＝2)，并且如图6所示，N可以是4(N＝4)。如图5所示，当N＝2时，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的两个像素P可共用该共用接触孔CTS。另外，如图6所示，当N＝4时，沿第一方向彼此相邻(例如，沿Y轴方向相邻的相应对)和沿第二方向彼此相邻(例如，沿X轴方向相邻的相应对)的四个像素P可共用该共用接触孔CTS。在本公开的实施方式中，共用该共用接触孔CTS的像素P的数量不限于例如在图4至图6中所示的示例。
如上所述，在本公开的实施方式中，N个像素P可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔CTS来防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
在图4中，例示了像素P中的每一个的第一电极AND连接到TFT的漏极SD，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，像素P中的每一个的第一电极AND可连接到TFT的源极。在这种情况下，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P的TFT的源极可被设置为在共用接触孔CTS中彼此面对。
图7是例示沿图4的线I-I'截取的示例的截面图。
参照图7，可在第一基板111的面向第二基板112的一个表面上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可形成在第一基板111的表面上，以用于保护多个TFT 210和多个有机发光器件260不受通过易于被水渗透的第一基板111渗入的水的影响。缓冲层可包括交替层叠的多个无机层。例如，缓冲层可由具有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或SiON的一个或更多个无机层交替层叠的多层形成。在各种实施方式中可省略缓冲层。
TFT 210可形成在缓冲层上。在图7中，例示了像素P中的每一个的第一电极261连接到至少一个TFT的漏极214，但是不限于此，第一电极261可连接到源极213。
TFT 210中的每一个可包括有源层211、栅极212、源极213和漏极214。在图7中，示例性地例示了TFT 210被形成为栅极212设置在有源层211上的顶栅型，但是本文提供的实施方式不限于此。在其它实施方式中，TFT 210可被形成为栅极212设置在有源层211下面的底栅型或者栅极212设置在有源层211上面和有源层211下面的双栅型。
有源层211可形成在缓冲层上。有源层211可由包括硅基半导体材料或氧化物基半导体材料的任何半导体材料形成。可在缓冲层与有源层211之间形成用于阻挡外部光入射在有源层211上的光阻挡层(未示出)。
栅极绝缘层220可形成在有源层211上。栅极绝缘层220可由例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)的无机层或其多层形成。
栅极212和选通线可形成在栅极绝缘层220上。栅极212和选通线可各自由可包括钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。栅极212可连接到选通线，以使得栅极212接收在选通线上提供的信号。
层间电介质230可形成在栅极212和选通线上。层间电介质230可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
源极213、漏极214和数据线可形成在层间电介质230上。源极213可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的源极接触孔与有源层211接触。漏极214可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的漏极接触孔与有源层211接触。源极213、漏极214和数据线可各自由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。数据线可连接到源极213，以使得当TFT通过提供在栅极212处的选通信号导通时，可将提供在数据线上的驱动信号提供给漏极214。
用于将TFT 210绝缘的钝化层240可形成在源极213、漏极214和数据线上。钝化层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250可形成在钝化层240上。第一平整层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
有机发光器件260和堤270的部分可形成在第一平整层250上。有机发光器件260可包括第一电极261、有机发光层262和第二电极263。第一电极261可以是阳极，第二电极263可以是阴极。
第一电极261可形成在第一平整层250上。第一电极261可通过穿过第一平整层250以使TFT 210的漏极214的边缘暴露的共用接触孔CTS连接到TFT 210的漏极214。
第一电极261和漏极214可通过同时蚀刻形成。在这种情况下，如图7所示，第一电极261的一个端部可与漏极214在共用接触孔CTS中的对应端部匹配。也就是说，如图7所示，漏极214的端部延伸到共用接触孔CTS中，并且被第一电极261在共用接触孔CTS中的对应端部覆盖。另外，相邻像素P的TFT 210的漏极214可被形成为在共用接触孔CTS中彼此面对。例如，如图7所示，共用接触孔CTS的左侧的图7所示的TFT 210的漏极214与共用接触孔CTS的右侧的TFT的漏极对齐并面对。因此，第一电极261可与跨过共用接触孔CTS与其相邻的另一第一电极261断开。
第一电极261可由铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、Mo和钛(Ti)的层叠结构(Mo/Ti)、铜(Cu)、Al和Ti的层叠结构、Al和铟锡氧化物(ITO)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。
堤270可被形成为填充共用接触孔CTS。另外，多个发光区域EA可由堤270划分。也就是说，堤270可限定发光区域EA。
发光区域EA中的每一个可标示其中与阳极对应的第一电极261、有机发光层262、以及与阴极对应的第二电极263依次层叠并且来自第一电极261的空穴和来自第二电极263的电子在有机发光层中复合以发光的区域。在这种情况下，设置有堤270的区域不发光，因此可被定义为非发光区域。
堤270可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
有机发光层262可形成在第一电极261和堤270上。有机发光层262可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层，并且可以是发射白光的白色发光层。在这种情况下，有机发光层262可被形成为两个或更多个层叠件的串联结构。每个层叠件可包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。
空穴传输层可将从第一电极261或电荷产生层注入的空穴平稳地传递到有机发光层262。有机发光层262可由包括磷光材料或荧光材料的有机材料形成，因此可发出特定光。电子传输层可将从第二电极263或电荷产生层注入的电子传递到有机发光层262。
电荷产生层可包括与下部层叠件相邻设置的n型电荷产生层以及形成在n型电荷产生层上并与上部层叠件相邻设置的p型电荷产生层。n型电荷产生层可将电子注入到下部层叠件中，并且p型电荷产生层可将空穴注入到上部层叠件中。n型电荷产生层可由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)这样的碱金属，或者掺杂有诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)这样的碱土金属的有机层形成。p型电荷产生层可以是通过用具有传输空穴能力的掺杂剂掺杂有机基质材料形成的有机层。
在图7中，例示了有机发光层262是共同形成在像素P中的每一个中的公共层并且是发射白光的白色发光层，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，有机发光层262可单独设置在像素P中的每一个中，并且在这种情况下，像素P可被划分为包括发射红光的红色发光层的红色像素、包括发射绿光的绿色发光层的绿色像素和包括发射蓝光的蓝色发光层的蓝色像素。
第二电极263可形成在有机发光层262上。第二电极263可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。第二电极263可由能够透射光的诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或TCO)，或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。在第二电极263由半透射导电材料形成的情况下，可通过微腔来提高发光效率。封盖层可形成在第二电极263上。
封装层280可形成在第二电极263上。封装层280防止氧或水渗透到有机发光层262和第二电极263中。封装层280可包括至少一个无机层。该无机层可由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。另外，封装层280还可包括至少一个有机层，以用于防止微粒经由封装层280渗入有机发光层262和第二电极263中。
多个滤色器301和302以及黑底310可设置在第二基板112上并位于第二基板112与封装层280之间。滤色器301和302可分别与像素P对应地设置。黑底310可设置在相邻的滤色器301和302之间并与其部分交叠，并且可与堤270对应地设置。
第二基板112上的滤色器301和302可通过粘合层290粘附到第一基板111上的封装层280。因此，第一基板111及其上形成的结构可接合到第二基板112及其上形成的结构。粘合层290可以是透明粘合膜、透明粘合树脂等。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板、封装膜(保护膜)等。
如上所述，在本公开的实施方式中，由于第一电极261和漏极214通过同时蚀刻形成，因此第一电极261的端部可与漏极214在共用接触孔CTS中的对应端部匹配，并且相邻像素P的TFT 210的漏极214可被形成为在共用接触孔CTS中彼此面对。因此，在本公开的实施方式中，第一电极261可不与共同接触孔CTS中的和其相邻的另一第一电极261连接。因此，在本公开的实施方式中，由于相邻像素P共用所述共用接触孔CTS，因此通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
沿图5中的线II-II'截取的截面图和沿图6中的III-III'线截取的截面图与沿图4中的线I-I'截取的截面图基本相同，因此，省略其详细描述。
图8是详细例示显示区域中的像素的另一示例的平面图。
在图8中，为了便于说明，仅示出像素P、发光区域EA、有机发光器件的第一电极AND、晶体管的漏极SD和共用接触孔CTS。
除有机发光器件的第一电极AND之外，图8所示的平面图与以上参照图4所述的基本相同。因此，省略图8的像素P、发光区域EA、晶体管的漏极SD和共用接触孔CTS的详细描述。
参照图8，N个像素P中的每一个的有机发光器件的第一电极AND可通过共用接触孔CTS连接到TFT的漏极SD。
此外，如图8所示，在共用接触孔CTS中，有机发光器件的第一电极AND的一端可延伸地比TFT的漏极SD的一端更长。也就是说，有机发光器件的第一电极AND可被形成为完全覆盖TFT的漏极SD。
在图8中，例示了N为8(N＝8)，但是本实施方式不限于此。例如，如图5所示，N可以是2(N＝2)，并且如图6所示，N可以是4(N＝4)。如图5所示，当N＝2时，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的两个像素P可共用该共用接触孔CTS。另外，如图6所示，当N＝4时，沿第一方向彼此相邻(例如，沿Y轴方向相邻的相应对)和第二方向彼此相邻(例如，沿X轴方向相邻的相应对)的四个像素P可共用该共用接触孔CTS。在本公开的实施方式中，共用该共用接触孔CTS的像素P的数量不限于在图4至图6中所示的示例。
图9是例示沿图8的线IV-IV'截取的示例的截面图。
除有机发光器件260的第一电极261和TFT 210的漏极214的连接结构之外，图9所示的截面图与以上参照图7所述的基本相同。因此，省略图9所示的第一基板111和第二基板112，TFT 210的有源层211、栅极212、源极213和漏极214，栅极绝缘层220，层间电介质230，钝化层240，第一平整层250，有机发光层262，第二电极263，封装层280，粘合层290，滤色器301和302，以及黑底310的详细描述
参照图9，第一电极261可形成在第一平整层250上。第一电极261可通过穿过第一平整层250以使TFT 210的漏极214的边缘暴露的共用接触孔CTS连接到TFT210的漏极214。
与图7所示的漏极214和第一电极261被同时蚀刻的实施方式相比，图9所示实施方式的漏极214和第一电极261不同时蚀刻。因此，有机发生器件260的第一电极261的端部可被形成为比TFT 210的漏极214的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。也就是说，如图9所示，第一电极261的端部可以比漏极214更加朝向共用接触孔CTS的中心延伸，使得第一电极261覆盖共用接触孔CTS中的漏极214的上表面和侧表面。在这种情况下，有机发光器件260的第一电极261可被形成为完全覆盖TFT 210的漏极214。如图9所示，第一电极261的端部中的至少一部分可与共用接触孔CTS的底部接触，使得它在共同接触孔CTS中被设置于层间电介质230的表面上。另选地，如果不同时蚀刻漏极214和第一电极261，则TFT 210的漏极214的端部可在共用接触孔CTS中比有机发光器件260的第一电极261的端部延伸地更长。在这种情况下，有机发光器件260的第一电极261可被形成为覆盖TFT 210的漏极214的一部分。另外，相邻像素P的TFT 210的漏极214可被形成为在共用接触孔CTS中彼此面对。因此，第一电极261可与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一第一电极261断开。
第一电极261可由铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、Mo和钛(Ti)的层叠结构(Mo/Ti)、铜(Cu)、Al和Ti的层叠结构、Al和铟锡氧化物(ITO)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。
如上所述，在本公开的实施方式中，第一电极261可不与共用接触孔CTS中的与其相邻的另一第一电极261连接。因此，在本公开的实施方式中，由于相邻像素P共用所述共用接触孔CTS，因此通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
图10是例示显示区域中的像素的另一示例的平面图。
在图10中，为了便于说明，仅示出像素P、辅助电极AE、有机发光器件的第一电极AND、晶体管的漏极SD和共用接触孔CTS。
参照图10，可设置多个像素P，并且像素P中的每一个可包括至少一个TFT和有机发光器件。
TFT可包括有源层、与有源层交叠的栅极、连接到有源层的一侧的源极以及连接到有源层的另一侧的漏极。在各种实施方式中，TFT可被另一种合适的晶体管替代。
有机发光器件可包括与阳极对应的第一电极AND、有机发光层和与阴极对应的第二电极。发光区域EA可标示其中第一电极AND、有机发光层和第二电极依次层叠，并且来自第一电极AND的空穴和来自第二电极的电子在有机发光层中复合以发光的区域。相邻像素P的发光区域EA可由堤分隔开，因此，堤可与不发光的非发光区域对应。
如图10所示，N(其中，N是等于或大于2的整数)个像素P可共用该共用接触孔CTS。共用接触孔CTS可以是用于将N个像素P中的每一个的TFT的漏极SD经由辅助电极AE连接到有机发光器件的第一电极AND而形成的孔。N个像素P的TFT中的每一个的漏极SD可连接到共用接触孔CTS中的辅助电极AE，并且辅助电极AE可连接到第一电极AND。
辅助电极AE可连接到有机发光器件的第一电极AND。N个像素中的每一个的辅助电极AE可通过共用接触孔CTS连接到TFT的漏极SD。
辅助电极AE和TFT的漏极SD可通过同时蚀刻来形成。在这种情况下，辅助电极AE的端部可与TFT的漏极SD在共用接触孔CTS中的对应端部匹配。另选地，辅助电极AE的端部可以比TFT的漏极SD的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。也就是说，辅助电极AE可被形成为完全覆盖TFT的漏极SD在共用接触孔CTS中的端部。另选地，TFT的漏极SD的端部可以比辅助电极AE的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。也就是说，辅助电极AE可被形成为仅覆盖TFT的漏极SD在共用接触孔CTS中的一部分。
此外，N个像素P的沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P可共用该共用接触孔CTS。为此，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P的TFT的漏极SD可被设置成在共用接触孔CTS中彼此面对。
此外，共用接触孔CTS可形成有沿与第一方向(例如，Y轴方向)交叉的第二方向(例如，X轴方向)延伸的长轴。第一方向(例如，Y轴方向)可以是与有机发光显示装置中的数据线平行的方向，而第二方向(例如，X轴方向)可以是与有机发光显示装置中的选通线平行的方向。在这种情况下，共用接触孔CTS可被形成为沿与选通线平行的方向延伸。
在图10中，例示了N为8(N＝8)，但是本实施方式不限于此。例如，如图5所示，N可以是2(N＝2)，并且如图6所示，N可以是4(N＝4)。如图5所示，当N＝2时，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的两个像素P可共用该共用接触孔CTS。另外，如图6所示，当N＝4时，沿第一方向彼此相邻(例如，沿Y轴方向相邻的相应对)和第二方向彼此相邻(例如，沿X轴方向相邻的相应对)的四个像素P可共用该共用接触孔CTS。在本公开的实施方式中，共用该共用接触孔CTS的像素P的数量不限于图4至图6中所示的示例。
如上所述，在本公开的实施方式中，N个像素P可共用用于将辅助电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
图11是例示沿图10的V-V'线截取的示例的截面图。
除进一步设置辅助电极264和第二平整层271以及第一电极261和堤272的位置改变之外，图11所示的截面图与以上参照图7所述的基本相同。因此，省略了图11所示的第一基板111和第二基板112，TFT 210的有源层211、栅极212、源极213和漏极214，栅极绝缘层220，层间电介质230，钝化层240，第一平整层250，有机发光层262，第二电极263，封装层280，粘合层290，滤色器301和302，以及黑底310的详细描述。此外，应当注意，图11所示的第二平整层271与图7所示的堤270基本对应。然而，如图11所示，堤272形成在第二平整层271上方，并且是对相邻像素P的发光区域EA进行划分的堤272，因此与不发光的非发光区域对应。因此，堤272在图11的描述中被称为“堤”，而不限定非发光区域的层271被称为第二平整层271。
参照图11，辅助电极264可通过穿过第一平整层250以使TFT 210的漏极214的边缘暴露的共用接触孔CTS连接到TFT 210的漏极214。
辅助电极264和漏极214可通过同时蚀刻来形成。在这种情况下，如图11所示，辅助电极264的端部可与TFT 210的漏极214在共用接触孔CTS中的对应端部匹配。另选地，辅助电极264的端部可以比TFT 210的漏极214的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。在这种情况下，辅助电极264可被形成为完全覆盖TFT 210的漏极214，并且可延伸超过漏极214的边缘，使得辅助电极264的端部的一部分可在共用接触孔CTS中与层间电介质230的暴露表面接触。另选地，TFT 210的漏极214的端部可以比辅助电极264的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。在这种情况下，辅助电极264可被形成为仅覆盖TFT 210的漏极214的一部分。
另外，相邻像素P的TFT 210的漏极214可被形成为在共同接触孔CTS中彼此面对。此外，相邻像素P的辅助电极264可被形成为在共用接触孔CTS中彼此面对。因此，辅助电极264可与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一辅助电极264断开，并且漏极214可与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一漏极214断开。
辅助电极264可由透明金属材料或不透明金属材料形成。透明金属材料可以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物(TCO))或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料。不透明金属材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。
第二平整层271可形成在第一平整层250上以及共同接触孔CTS中。第二平整层271可被形成为填充共用接触孔CTS。第二平整层271可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
第一电极261可形成在辅助电极264和第二平整层271上。第一电极261可由铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、Mo和钛(Ti)的层叠结构(Mo/Ti)、铜(Cu)、Al和Ti的层叠结构、Al和铟锡氧化物(ITO)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)形成。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。
堤272可形成在第二平整层271上。此外，堤272可被形成为覆盖在共同接触孔CTS上方延伸的第一电极261的边缘部分。堤272可限定多个发光区域EA。
发光区域EA中的每一个可标示其中与阳极对应的第一电极261、有机发光层262以及与阴极对应的第二电极263依次层叠，并且来自第一电极261的空穴和来自第二电极263的电子在有机发光层中复合以发光的区域。在这种情况下，设置有堤272的区域不发光，因此可被定义为非发光区域。
如上所述，在本公开的实施方式中，辅助电极264代替第一电极261可连接到共用接触孔CTS中的TFT 210的源极或漏极214。在这种情况下，在本公开的实施方式中，辅助电极264可不与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一辅助电极264连接。因此，在本公开的实施方式中，由于相邻像素P共用该共用接触孔CTS，因此通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
此外，根据本公开的实施方式，第一电极261可形成在第二平整层271上，并且堤272可形成在第二平整层271上并且覆盖第一电极261的边缘。因此，根据本公开的实施方式，第一电极261可广泛形成直到第二平整层271，并且甚至在第二平整层271上部分延伸，从而扩大发光区域EA。因此，根据本公开的实施方式，提高了有机发光层的寿命。
图12是例示制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图。图13A至图13G是沿图4的线I-I'截取的在制造的各个阶段的截面图，用于描述制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法。
图13A至图13G所示的截面图涉及制造图7所示的有机发光显示装置的方法，因此，相同的附图标记指代相同的元件。在下文中，将参照图12和图13A至图13G详细描述制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法。
在S101中，参照图13A，可形成包括在多个TFT 210中的每一个中的有源层211、栅极212、源极213和漏极金属层214'，并且可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214'上形成钝化层240。
详细地，在形成TFT 210之前，可在第一基板111上形成缓冲层，以用于保护TFT210不受通过基板100渗透的水的影响。缓冲层可包括交替层叠的多个无机层，以用于保护TFT 210和有机发光器件260不受通过易于被水渗透的第一基板111渗入的水的影响。例如，缓冲层可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和SiON中的一个或更多个无机层交替层叠的多层形成。缓冲层可通过使用化学气相沉积(CVD)工艺形成。
随后，可在缓冲层上形成TFT 210中的每一个的有源层211。详细地，可通过使用溅射工艺、金属有机化学气相(MOCVD)工艺等在整个缓冲层上形成有源金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对有源金属层进行构图来形成有源层211。有源层211可由硅基半导体材料、氧化物基半导体材料等形成。
随后，可在有源层211上形成栅极绝缘层220。栅极绝缘层220可由例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)的无机层或其多层形成。
随后，可在栅极绝缘层220上形成TFT 210中的每一个的栅极212。详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等在整个栅极绝缘层220上形成第一金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第一金属层进行构图来形成栅极212。栅极212可由包括钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
随后，可在栅极212上形成层间电介质230。层间电介质230可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
随后，可形成穿过栅极绝缘层220和层间电介质230以使有源层211的源极和漏极区域暴露的多个源极接触孔和多个漏极接触孔。
随后，可在层间电介质230上形成TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214'。详细地，第二金属层可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等形成在整个层间电介质230上以及源极接触孔和漏极接触孔中。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来形成源极213和漏极金属层214'。源极213可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的源极接触孔与有源层211的一侧的源极区域接触。漏极金属层214'可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的漏极接触孔与有源层211的另一侧的漏极区域接触。源极213和漏极金属层214'可各自由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。另外，如图13A所示，相邻像素P的漏极金属层214'可在该阶段彼此连接。
随后，可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214'上以及层间电介质230上形成钝化层240。钝化层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层240可通过使用CVD工艺形成。
在S102中，参照图13B，可在钝化层240和漏极金属层214'上形成第一平整层250，并且可形成使漏极金属层214'暴露的共用接触孔CTS。
详细地，可在钝化层240和漏极金属层214'上形成用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250。第一平整层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
随后，可在第一平整层250上形成光刻胶图案。在这种情况下，光刻胶图案可形成在除了要形成共用接触孔CTS的区域之外的区域中。
随后，可通过蚀刻未被光刻胶图案覆盖的第一平整层250以使漏极金属层214'暴露来形成共用接触孔CTS，然后可去除光刻胶图案。
在S103中，参照图13C，可在第一平整层250上以及共用接触孔CTS中的漏极金属层214'上形成第一电极层261'。
在S104中，参照图13D，可在第一电极层261'上形成光刻胶图案PR，并且可通过同时蚀刻未被光刻胶图案PR覆盖的第一电极层261'和漏极金属层214'来形成第一电极261和漏极214。也就是说，光刻胶图案PR被形成为使共用接触孔CTS中的第一电极层261'暴露。然后对共用接触孔CTS中的第一电极层261'的暴露部分进行蚀刻，并且在同一工序中也对共用接触孔CTS中的第一电极层261'的暴露部分下面的漏极金属层214'的部分进行蚀刻。该蚀刻因此形成第一电极261和漏极214。在这种情况下，如图13D所示，第一电极261的端部可与漏极214的对应端部匹配。
在S105中，可去除光刻胶图案PR，并且可形成填充共用接触孔CTS的堤270。
详细地，如图13E所示，堤层270'可形成在第一电极261上并填充共用接触孔CTS。堤层270'可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。堤层270'可通过使用狭缝涂覆工艺、旋涂工艺、蒸发工艺等形成在第一平整层250和第一电极261上。堤层270'可填充到接触孔CTS中。
随后，如图13F所示，可通过对堤层270'进行干法蚀刻而无需掩膜来形成堤270。可选择能够蚀刻堤层270'但不能蚀刻第一电极261的材料作为干法蚀刻材料。堤270可被形成为与第一电极261基本共面，如图所示。
在S106中，参照图13G，可在第一电极261和堤270上形成有机发光层262和第二电极263。
详细地，有机发光层262可通过沉积工艺或显影工艺形成在第一电极261和堤270上。有机发光层262可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。在这种情况下，有机发光层262可以是发射白光的白色发光层。
如果有机发光层262是白色发光层，则有机发光层262可被形成为两个或更多个层叠件的串联结构。层叠件中的每一个可包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。另外，可在层叠件之间形成电荷产生层。
空穴传输层可将从第一电极261或电荷产生层注入的空穴平稳地传递到有机发光层262。有机发光层262可由包括磷光材料或荧光材料的有机材料形成，因此可发出特定光。电子传输层可将从第二电极263或电荷产生层注入的电子传递到有机发光层262。
电荷产生层可包括与下部层叠件相邻设置的n型电荷产生层以及形成在n型电荷产生层上并与上部层叠件相邻设置的p型电荷产生层。n型电荷产生层可将电子注入到下部层叠件中，并且p型电荷产生层可将空穴注入到上部层叠件中。n型电荷产生层可由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)这样的碱金属，或者掺杂有诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)这样的碱土金属的有机层形成。p型电荷产生层可以是通过用具有传输空穴能力的掺杂剂掺杂有机基质材料形成的有机层。
随后，可在有机发光层262上形成第二电极263。第二电极263可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。第二电极263可由能够透射光的诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或TCO)，或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。在第二电极263由半透射导电材料形成的情况下，可通过微腔来提高发光效率。第二电极263可通过诸如溅射工艺的物理气相沉积(PVD)工艺来形成。可在第二电极263上形成封盖层。
随后，可在第二电极263上形成封装层280。封装层280防止氧或水渗透到有机发光层262和第二电极263中。封装层280可包括至少一个无机层。该无机层可由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。
另外，封装层280还可包括至少一个有机层。有机层可被形成为具有足够的厚度，以用于防止微粒经由封装层280渗入有机发光层262和第二电极263中。
随后，可将其中设置有多个滤色器301和302以及黑底310的第二基板112接合到第一基板111。第二基板112上的滤色器301和302可通过粘合层290粘附到第一基板111上的封装层280。粘合层290可以是透明粘合膜、透明粘合树脂等。
如上所述，在本公开的实施方式中，可通过在共用接触孔CTS中同时蚀刻漏极金属层214'和第一电极层261'来形成漏极214和第一电极261。结果，在本公开的实施方式中，第一电极261可不与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一第一电极261连接。因此，在本公开的实施方式中，由于相邻像素P共用该共用接触孔CTS，因此通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
此外，根据本公开的实施方式，可通过在共用接触孔CTS中同时蚀刻漏极金属层214'和第一电极层261'来形成漏极214和第一电极261，从而防止因接触孔的底部与漏极之间的台阶高度导致第一电极261在源极或漏极的侧表面上断开。因此，在本公开的实施方式中，防止像素不发光的导通缺陷发生。
图14是例示制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图。图15A至图15D是沿图8的IV-IV'线截取的在制造的各个阶段的截面图，以用于描述制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法。
图15A至图15D所示的截面图涉及制造图9所示的有机发光显示装置的方法，因此，相同的附图标记指代相同的元件。在下文中，将参照图14和图15A至图15D详细描述制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法。
在S201中，参照图15A，可形成包括在多个TFT 210中的每一个中的有源层211、栅极212、源极213和漏极214，并且可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极214上形成钝化层240。
用于形成TFT 210中的每一个的有源层211和栅极212、栅极绝缘层220以及层间电介质230的方法与以上参照图13A描述的图12的操作(S101)基本相同，因此省略其详细描述。
可在层间电介质230上形成TFT 210中的每一个的源极213和漏极214。详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等在整个层间电介质230上形成第二金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来形成源极213和漏极214。源极213可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的源极接触孔与有源层211的一侧接触。漏极214可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的漏极接触孔与有源层211的另一侧接触。源极213和漏极214可各自由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。
随后，可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极214上以及层间电介质230上形成钝化层240。钝化层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层240可通过使用CVD工艺形成。
在S202中，参照图15B，可在钝化层240和漏极214上形成第一平整层250，并且可形成使漏极214暴露的共用接触孔CTS。
可在钝化层240上形成用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250。第一平整层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
随后，可在第一平整层250上形成光刻胶图案。在这种情况下，光刻胶图案可形成在除了要形成共用接触孔CTS的区域之外的区域中。
随后，可通过蚀刻未被光刻胶图案覆盖的第一平整层250以使漏极214的端部暴露来形成共用接触孔CTS，然后可去除光刻胶图案。
在S203中，参照图15C，可在第一平整层250上以及共用接触孔CTS中的漏极214上形成第一电极层261'。
在S204中，参照图15D，可在第一电极层261'上形成光刻胶图案PR，并且可通过蚀刻未被光刻胶图案PR覆盖的第一电极层261'来形成第一电极261。
例如，如图15D所示，有机发光器件260的第一电极261的端部可以比TFT 210的漏极214的端部更长地延伸到共用接触孔CTS中。在这种情况下，有机发光器件260的第一电极261可被形成为完全覆盖TFT 210的漏极214。另选地，TFT 210的漏极214的端部可在共用接触孔CTS中延伸地比有机发光器件260的第一电极261的端部更长。在这种情况下，有机发光器件260的第一电极261可被形成为覆盖TFT210的漏极214的一部分。
在S205中，可去除光刻胶图案PR，并且可形成填充共用接触孔CTS的堤270。
图14的操作(S205)与以上参照图13E和图13F描述的图12的操作(S105)基本相同。因此，省略图14的操作(S205)的详细描述。
在S206中，可在第一电极261和堤270上形成有机发光层262和第二电极263。
图14的操作(S206)与以上参照图13G描述的图12的操作(S106)基本相同。因此，省略图14的操作(S206)的详细描述。
如上所述，在本公开的实施方式中，可通过在共用接触孔CTS中蚀刻第一电极261'来形成第一电极261。结果，在本公开的实施方式中，第一电极261可不与共用接触孔CTS中的和其相邻的另一第一电极261连接。因此，在本公开的实施方式中，由于相邻像素P共用该共用接触孔CTS，因此通过共用接触孔CTS防止发光区域EA减少，从而防止因发光区域EA减少而导致有机发光层的寿命缩短。
此外，根据本公开的实施方式，可将第一电极层261'形成为覆盖漏极214，并且可通过对共用接触孔CTS中的第一电极层261'的一部分进行蚀刻来形成第一电极261，从而防止因接触孔的底部与漏极之间的台阶高度导致第一电极在源极或漏极的侧表面中断开。因此，在本公开的实施方式中，防止了像素不发光的导通缺陷发生。
图16是例示制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法的流程图。图17A至图17D是沿图10的V-V'线截取的在制造的各个阶段的截面图，以用于描述制造根据本公开的另一实施方式的有机发光显示装置的方法。
图17A至图17D所示的截面图涉及制造图11所示的有机发光显示装置的方法，因此，相同的附图标记指代相同的元件。在下文中，将参照图16和图17A至图17D详细描述制造根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的方法。
在S301中，可形成包括在多个TFT 210中的每一个中的有源层211、栅极212、源极213和漏极金属层214'，并且可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214'上形成钝化层240。
图16的操作(S301)与以上参照图13A描述的图12的操作(S101)基本相同。因此，省略图16的操作(S301)的详细描述。
在S302中，可在钝化层240上形成第一平整层250，并且可形成使漏极金属层214'暴露的共用接触孔CTS。
图16的操作(S302)与以上参照图13B描述的图12的操作(S102)基本相同。因此，省略图16的操作(S302)的详细描述。
在S303中，可在第一平整层250和共同接触孔CTS中的漏极金属层214'上形成辅助电极层264'。
除用辅助电极层264'替换图13C中的第一电极层261'之外，图16的操作(S303)与以上参照图13C所述的图12的操作(S103)基本相同。
在S304中，可在辅助电极层264'上形成光刻胶图案PR，并且可通过同时蚀刻未被光刻胶图案PR覆盖的辅助电极层264'和漏极金属层214'来形成辅助电极264和漏极214。
除用辅助电极264替换图13D中的第一电极261之外，图16的操作(S304)与以上参照图13D所述的图12的操作(S104)基本相同。
在S305中，参照图17A和图17B，可去除光刻胶图案PR，并且可形成填充共用接触孔CTS的第二平整层271。
详细地，如图17A所示，可在辅助电极264上和共同接触孔CTS中形成第二平整材料271'。第二平整材料271'可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。第二平整材料271'可通过使用狭缝涂覆工艺、旋涂工艺、蒸发工艺等形成在第一平整层250和辅助电极264上。第二平整材料271'可填充到共用接触孔CTS中。
随后，如图17B所示，可通对第二平整材料271'进行干法蚀刻而无需掩模来形成第二平整层271。可选择能够蚀刻第二平整材料271'但不能蚀刻辅助电极264的材料作为干法蚀刻材料。
在S306中，参照图17C，可在辅助电极264和第二平整层271上形成第一电极261。
在S307中，参照图17D，可在第二平整层271上形成覆盖第一电极261的边缘部分的堤272。堤272可限定多个发光区域EA。在这种情况下，设置堤272的区域不发光，因此可被定义为非发光区域。
在S308中，可在第一电极261和堤272上形成有机发光层262和第二电极263。
图16的操作(S308)与以上参照图13G描述的图12的操作(S106)基本相同。因此，省略图16的操作(S308)的详细描述。
如上所述，根据本公开的实施方式，第一电极261可形成在第二平整层271上，并且覆盖第二电极261的边缘的堤272可形成在第二平整层上271上。因此，根据本公开的实施方式，第一电极261可被广泛地形成直到第二平整层271，并且可在第二平整层271上部分地延伸，从而扩大发光区域EA。因此，根据本公开的实施方式，提高了有机发光层的寿命。
应当注意的是，尽管本公开的上述实施方式以具有有机发光器件的有机发光显示装置进行例示，这些实施方式仅用于例示性目的，并且本公开不限于此。例如，也可利用具有无机发光器件的无机发光显示装置来实现本公开。
通过总结和回顾，根据本公开的实施方式，相邻像素可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔防止发光区域的减少，从而防止因发光面积的减小而导致有机发光层的寿命缩短。
此外，根据本公开的实施方式，可通过对共用接触孔中的第一电极层进行蚀刻来形成第一电极，从而防止因接触孔的底部与漏极之间的台阶高度导致第一电极在源极或漏极的侧表面中断开。因此，在本公开的实施方式中，防止像素不发光的导通缺陷发生。
此外，根据本公开的实施方式，可在第二平整层上形成第一电极，并且可在第二平整层上形成覆盖第一电极的边缘的堤。因此，根据本公开的实施方式，第一电极可被广泛地形成直到第二平整层，从而扩大了发光区域。因此，根据本公开的实施方式，提高了有机发光层的寿命。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可对本公开进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变型，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内即可。
可组合上述各种实施方式以提供其它实施方式。可根据上述详细描述对这些实施方式进行这些改变和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制到说明书和权利要求书中所公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及授予该权利要求的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月14日提交的韩国专利申请No.10-2016-0170355的权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，如同其全部在本文中陈述一样。
Claims (17)
1.一种发光显示装置，该发光显示装置包括：
多个像素，所述多个像素各自包括：
晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极、以及连接到所述有源层的另一侧的漏极；以及
发光器件，所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层、以及设置在所述发光层上的第二电极；以及
接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极设置在所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极上并且电连接到所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极，
其中，相邻像素共用所述接触孔，并且所述相邻像素的晶体管的源极或漏极被设置为彼此面对，并且
其中，所述多个像素中的所述至少两个像素的第一电极的端部与所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极的对应端部匹配，使得所述第一电极的端部与所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极的对应端部对应地终止从而暴露出所述端部和所述对应端部中的每一者的侧表面。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述至少两个像素的晶体管的源极或漏极被设置为在所述接触孔中沿第一方向彼此面对，并且
所述接触孔具有沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的长轴。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述多个像素中的所述至少两个像素的第一电极的端部覆盖所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极的对应端部。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：
层间电介质；以及
堤，所述堤至少部分地填充所述接触孔并在所述接触孔中与所述层间电介质接触。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：堤，所述堤至少部分地填充所述接触孔。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述堤的上表面与所述第一电极的上表面共面。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述晶体管还包括设置在所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层、设置在所述栅极与所述源极之间以及所述栅极与所述漏极之间的层间电介质、以及设置在所述源极和所述漏极上的第一平整层，并且
所述接触孔延伸穿过所述第一平整层以使所述晶体管的所述源极或所述漏极暴露。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述至少两个像素包括被布置为两对像素的四个像素，相应对中的每个像素具有沿第一方向彼此面对的第一电极。
9.一种发光显示装置，该发光显示装置包括：
多个像素，所述多个像素中的每一个包括：
晶体管，所述晶体管具有栅极、源极区域和漏极区域；
源极，所述源极联接到所述源极区域；
漏极，所述漏极联接到所述漏极区域；
辅助电极；以及
发光器件的第一电极，所述发光器件的第一电极位于所述辅助电极上；
接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的辅助电极电连接到所述接触孔中的相应的源极或相应的漏极；
第一平整层，所述第一平整层在所述源极和所述漏极上；以及
第二平整层，所述第二平整层具有在所述第一平整层的表面上的第一部分和至少部分地填充所述接触孔的第二部分，
其中，所述发光器件的所述第一电极延伸成设置在所述第二平整层的所述第一部分和所述第二部分二者上，并且
其中，相邻像素共用所述接触孔，并且所述相邻像素的晶体管的源极或漏极被设置为彼此面对。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，所述辅助电极的端部与所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极的对应端部匹配。
11.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，所述辅助电极的端部覆盖所述接触孔中的所述相应的源极或所述相应的漏极的对应端部。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：
层间电介质，
其中，所述第二平整层的所述第二部分在所述接触孔中与所述层间电介质接触，并且
其中，所述多个像素中的所述至少两个像素的第一电极在所述接触孔中与所述第二平整层的所述第二部分接触。
13.根据权利要求9所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：堤，所述堤覆盖所述发光器件的在所述第二平整层上的所述第一电极的边缘。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第一电极的第一端部与所述第二平整层的所述第二部分接触。
15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，所述第一电极的第二端部与所述第二平整层的所述第一部分接触，所述第二端部与所述第一端部相对。
16.根据权利要求9所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：层间电介质，所述第二平整层的所述第二部分在所述接触孔中与所述层间电介质接触。
17.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，所述第一平整层被设置在所述辅助电极与所述源极和所述漏极中的至少一个之间。
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