CN111244130A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，其能够降低功耗。该显示装置包括：基板，其包括第一子像素和第二子像素；第一电极，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被图案化在基板上；第一发射层，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被设置在第一电极上，并且被配置成发射第一颜色光；第二电极，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被设置在第一发射层上；第二发射层，其被设置在第二电极上，并且被配置成发射第二颜色光；以及第三电极，其被设置在第二发射层上，其中，第一子像素的第一电极相对大于第二子像素的第一电极，并且第一子像素的第一电极与第一子像素的第二电极电连接，并且第二子像素的第一电极与第二子像素的第二电极绝缘。

Description

显示装置
技术领域
本公开内容涉及被配置成显示图像的显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，对显示图像的显示装置在多种多样的类型上的需求不断增加。近来，已经使用了各种显示装置，诸如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)。
近来，已经开发了包括以上显示装置的头戴式显示(HMD)装置。作为眼镜或头盔的一部分佩戴的头戴式显示(HMD)装置是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视器装置，其中，焦点在用户眼睛前方的短距离内形成。
在头戴式显示(HMD)装置的情况下，由于子像素中的每个子像素之间的紧凑间隔以实现高分辨率，难以针对每个单独的子像素精确地图案化不同颜色的发射层。为了克服这个问题，头戴式显示(HMD)装置设置有白色发射层，该白色发射层包括被配置成发射不同颜色的光的多个堆叠，其中，白色发射层用作公共层，并且头戴式显示(HMD)装置还设置有针对每个单独的子像素设置的滤色器，从而实现不同颜色的光。在这种情况下，头戴式显示(HMD)装置的优点在于它不需要制造精确掩模的工艺和掩模对准工艺。然而，在头戴式显示(HMD)装置的情况下，其存在与由于多个堆叠而导致的功耗增加相关的问题。
发明内容
鉴于以上问题做出了本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种能够降低功耗的显示装置。
根据本公开内容的一方面，以上和其他目的可以通过提供下述显示装置来实现，该显示装置包括：基板，其包括第一子像素和第二子像素；第一电极，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被图案化在基板上；第一发射层，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被设置在第一电极上，并且被配置成发射第一颜色光；第二电极，其在第一子像素和第二子像素中的每一个中被设置在第一发射层上；第二发射层，其被设置在第二电极上，并且被配置成发射第二颜色光；以及第三电极，其被设置在第二发射层上，其中，第一子像素的第一电极相对大于第二子像素的第一电极，并且第一子像素的第一电极与第一子像素的第二电极电连接，并且第二子像素的第一电极与第二子像素的第二电极绝缘。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，其包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一电极，其在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个中被图案化在基板上；第一发射层，其被设置在第一电极上并且被配置成发射第一颜色光；第二电极，其被设置在第一发射层上；第二发射层，其被设置在第二电极上并且被配置成发射第二颜色光；以及第三电极，其被设置在第二发射层上，其中，向第一子像素和第三子像素中的每一个中的第一电极和第二电极施加相同的电压，并且向第二子像素中的第二电极和第三电极施加相同的电压。
根据本公开内容，在不使用掩模的情况下在子像素中形成第一发射层和第二发射层，由此可以防止在通过使用掩模针对单独的子像素对不同的发射层进行图案化时引起的问题。也就是说，根据本公开内容，它不需要制造精确掩模的工艺和精确的掩模对准工艺。因此，本公开内容甚至可以应用于具有紧凑像素间隔的高分辨率显示装置。
此外，根据本公开内容，即使在所有子像素中形成第一发射层和第二发射层，也可以在每个子像素中操作第一发射层和第二发射层中的任何一个。因此，根据本公开内容的显示装置能够显著降低功耗。
除了如以上提到的本公开内容的效果之外，本领域技术人员将从本公开内容的描述中清楚地理解本公开内容的其他优点和特征。
附图说明
从以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的以上和其他目的、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的透视图；
图2是示出图1的第一基板、源极驱动IC、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图；
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示面板的第一基板的示意性平面图；
图4是示出第一至第三子像素的一个实施方式的示意性平面图；
图5是沿图3的I-I的截面图；
图6是沿图3的II-II的截面图；
图7是沿图3的III-III的截面图；
图8是示出根据本公开内容的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的流程图；
图9A至图9K是示出根据本公开内容的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的截面图；以及
图10A至图10C示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置，图10A至图10C涉及一种头戴式显示(HMD)装置。
具体实施方式
通过以下参照附图描述的实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将彻底和完整，并且将本公开内容的范围完全传达给本领域技术人员。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开内容的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，并且因此，本公开内容不限于示出的细节。遍及说明书，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊本公开内容的重点时，将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用“仅～”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非有相反说明。
在解释元件时，该元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在～上”、“在～之上”、“在～之下”和“紧靠～”时，可以在两个其他部分之间布置一个或更多个部分，除非使用“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“随后～”、“接下来～”和“在～之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。
将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，以及类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，而是可以表示在本公开内容的部件可以在功能上操作的范围内具有更宽的方向性的方向。
应当理解，术语“至少一个”包括与任何一个项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此不同地互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的优选实施方式。
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的透视图。图2是示出图1的第一基板、源极驱动IC、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图。
参照图1和图2，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路(在下文中，称为“源极驱动IC”)140、柔性膜150、电路板160和定时控制器170。
显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板或通过半导体工艺制造的硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。
在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上，存在栅极线、数据线和子像素。在通过交叉栅极线和数据线限定的各个区域中准备子像素。
子像素中的每个子像素可以包括薄膜晶体管以及包括阳极电极、发射层和阴极电极的发光器件。如果通过使用薄膜晶体管从栅极线向每个子像素提供栅极信号，则根据数据线的数据电压将预定电流提供给发光器件。因此，当将高电位电压施加到阳极电极，并且将低电位电压施加到阴极电极时，用于子像素中的每个子像素的发光器件可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。
显示面板110可以包括设置有用于显示图像的子像素的显示区域(DA)和不显示图像的非显示区域(NDA)。栅极线、数据线和子像素可以设置在显示区域(DA)中，而栅极驱动器和焊盘可以设置在非显示区域(NDA)中。
栅极驱动器根据从定时控制器170提供的栅极控制信号而向栅极线提供栅极信号。栅极驱动器可以通过面板中栅极驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区域(DA)的一侧中或显示面板110的两个外围侧的非显示区域(NDA)中。以另一种方式，栅极驱动器可以在驱动芯片中制造，可以安装在柔性膜上，并且可以通过带式自动接合(TAB)方法附接至显示面板110的显示区域(DA)的一侧或显示面板110的两个外围侧的非显示区域(NDA)。
源极驱动IC 140从定时控制器170接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 140根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并将模拟数据电压提供给数据线。如果源极驱动IC 140在驱动芯片中制造，则源极驱动IC 140可以通过膜上芯片(COF)方法或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜150上。
诸如数据焊盘的焊盘可以设置在显示面板110的非显示区域(NDA)中。在柔性膜150中，存在用于将焊盘与源极驱动IC 140连接的线和用于将焊盘与电路板160的线连接的线。通过使用各向异性导电膜将柔性膜150附接至焊盘，由此焊盘可以与柔性膜150的线连接。
电路板160可以附接至柔性膜150。在多个驱动芯片中实现的多个电路可以安装在电路板160上。例如，定时控制器170可以安装在电路板160上。电路板160可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器170经由电路板160的电缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器170基于定时信号产生用于控制栅极驱动器的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 140的源极控制信号。定时控制器170将栅极控制信号提供给栅极驱动器，并将源极控制信号提供给源极驱动IC 140。
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示面板的第一基板的示意性平面图。图4是示出第一至第三子像素的一个实施方式的示意性平面图。图5是沿图3的I-I的截面图。图6是沿图3的II-II的截面图。图7是沿图3的III-III的截面图。
参照图3至图7，在根据本公开内容的一个实施方式的显示面板110的第一基板111上，存在电路器件层200、第一电极300、第一发射层400、第二电极500、第二发射层600、第三电极700和封装层800。根据本公开内容的一个实施方式，显示装置100还可以包括第一基板111上的辅助电极340、350和360以及滤色器900中的至少一个。
第一基板111被划分为显示区域(DA)和非显示区域(NDA)。在非显示区域(NDA)中，存在设置有焊盘(PAD)的焊盘区域(PA)。在第一基板111的显示区域(DA)中，可以存在第一子像素(P1)、第二子像素(P2)和第三子像素(P3)。第一子像素(P1)被配置成发射红色光，第二子像素(P2)被配置成发射蓝色光，而第三子像素(P3)被配置成发射绿色光，但不限于这个结构。可以在第一基板111的显示区域(DA)中设置被配置成发射白色(W)光的第四子像素。
第一基板111可以由玻璃或塑料材料形成，但不限于这些材料。例如，第一基板111可以由诸如硅晶片的半导体材料形成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料形成。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100可以以发射的光向上前进的顶部发射型形成，但不限于这种类型。如果显示装置100以发射的光向上前进的顶部发射型形成，则第一基板111可以由不透明材料以及透明材料形成。同时，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100以发射的光向下前进的底部发射型形成，第一基板111可以由透明材料形成。
在第一基板111上设置电路器件层200。
在电路器件层200中，针对每个子像素(P1、P2、P3)设置包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件。信号线可以包括栅极线、数据线、电力线和参考线，并且薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管(TFT)和感测薄膜晶体管。
开关薄膜晶体管通过提供给栅极线的栅极信号来切换，并且开关薄膜晶体管将从数据线提供的数据电压提供给驱动薄膜晶体管(TFT)。
驱动薄膜晶体管(TFT)通过从开关薄膜晶体管提供的数据电压来切换，并且驱动薄膜晶体管(TFT)根据从电力线提供的电源产生数据电流，并将数据电流提供给第一电极300。
感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管(TFT)中的阈值电压的偏差，其导致图像质量的劣化。感测薄膜晶体管响应于从栅极线或附加感测线提供的感测控制信号而将驱动薄膜晶体管(TFT)的电流提供给参考线。
电容器将提供给驱动薄膜晶体管(TFT)的数据电压保持一个帧周期，并且电容器与驱动薄膜晶体管(TFT)的栅极端子和源极端子中的每一个连接。
在电路器件层200中，可以存在设置在薄膜晶体管与第一电极300之间的绝缘膜(未示出)。更详细地，电路器件层200可以包括用于保护薄膜晶体管的保护膜(未示出)和用于使由薄膜晶体管引起的台阶差平坦化的平坦化膜(未示出)中的至少一个。
此外，可以针对每个子像素(P1、P2、P3)在电路器件层200中设置穿透保护膜和平坦化膜的接触孔(CH)。通过接触孔(CH)，驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子可以被暴露。
第一电极300针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化在电路器件层200上。第一电极中的一个第一电极310在第一子像素(P1)中被图案化，另一第一电极320在第二子像素(P2)中被图案化，并且另一第一电极330在第三子像素(P3)中被图案化。
第一电极310、320和330与设置在电路器件层200中的驱动薄膜晶体管(TFT)连接。详细地，辅助电极340、350和360可以针对每个子像素(P1、P2、P3)在第一电极310、320和330与电路器件层200之间被图案化，如图5中所示。第一电极310、320和330可以在发射区域(EA)中直接设置在辅助电极340、350和360上，并且可以与辅助电极340、350和360电连接。此外，辅助电极340、350和360可以经由设置在电路器件层200中的接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子连接。因此，高电位电压可以通过辅助电极340、350和360以及接触孔(CH)从驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子施加到第一电极310、320和330。
第一子像素(P1)的第一电极310通过辅助电极340和接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子连接，由此将第一高电位电压施加到第一子像素(P1)的第一电极310。第二子像素(P2)的第一电极320通过辅助电极350和接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子连接，由此将第二高电位电压施加到第二子像素(P2)的第一电极320。第三子像素(P3)的第一电极330通过辅助电极360和接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子连接，由此将第三高电位电压施加到第三子像素(P3)的第一电极330。
在图5中，辅助电极340、350和360设置在第一电极310、320和330与电路器件层200之间，但不是必须的。根据本公开内容的另一实施方式，可以省略辅助电极340、350和360。在这种情况下，第一电极310、320和330可以经由接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源极端子或漏极端子连接。
同时，形成在子像素(P1、P2、P3)中的各个第一电极310、320和330可以具有不同的尺寸。更详细地，第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸可以大于第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸。第一子像素(P1)的第一电极310的宽度(W4)和第三子像素(P3)的第一电极330的宽度(W6)可以大于第二子像素(P2)的第一电极320的宽度(W5)。例如，第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330可以形成在堤部370的侧表面以及电路器件层200的上表面上。同时，第二子像素(P2)的第一电极320可以仅形成在电路器件层200的上表面上，如图5中所示，但不限于这种结构。第二子像素(P2)的第一电极320可以形成在电路器件层200的上表面和堤部370的侧表面上。在这种情况下，第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸必须小于第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸，由此堤部370的侧表面上的第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸小于堤部370的侧表面上的第一子像素(P1)的第一电极310的尺寸或堤部370的侧表面上的第三子像素(P3)的第一电极330的尺寸。
第一电极310、320和330限定第一、第二和第三子像素(P1、P2、P3)中的每一个中的发射区域(EA)。也就是说，每个子像素(P1、P2、P3)的形成第一电极310、320和330的一些区域变为发射区域(EA)。同时，每个子像素(P1、P2、P3)的没有形成第一电极310、320和330的其余区域变为非发射区域。
因此，第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸小于第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸，由此第二子像素(P2)的发射区域(EA)的尺寸小于第一和第三子像素(P1、P3)中的每一个中的发射区域(EA)的尺寸。
第一电极310、320和330可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第一电极310、320和330可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第一电极310、320和330可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。第一电极310、320和330可以是阳极电极。
堤部370可以被设置成覆盖电路器件层200上的每个辅助电极340、350和360的端部。因此，可以防止电流集中在辅助电极340、350和360的端部，从而防止与发射效率的劣化相关的问题。
此外，堤部370从一个辅助电极340的端部连接至另一辅助电极350的端部，并且可以从另一辅助电极350的端部连接至另一辅助电极360的端部。也就是说，堤部370覆盖每个辅助电极340、350和360的端部，并且还覆盖电路器件层200。
堤部370可以由具有相对小的厚度的无机绝缘膜形成，但不限于这种结构。堤部370可以由具有相对大的厚度的有机绝缘膜形成。
第一发射层400针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化在第一电极300上。第一发射层400可以形成在堤部370上。第一发射层中的一个第一发射层410形成在第一子像素(P1)的第一电极310上，另一第一发射层420形成在第二子像素(P2)的第一电极320上，并且另一第一发射层430形成在第三子像素(P3)的第一电极330上。
如图5中所示，第一子像素(P1)的第一发射层410的尺寸可以小于第一电极310的尺寸。因此，在第一子像素(P1)的情况下，第一电极310的外围区域在没有被第一发射层410覆盖的情况下被暴露。
如图5中所示，第三子像素(P3)的第一发射层430的尺寸可以小于第一电极330的尺寸。因此，在第三子像素(P3)的情况下，第一电极330的外围区域可以在没有被第一发射层430覆盖的情况下被暴露。
如图5中所示，第二子像素(P2)的第一发射层420的尺寸大于第一电极320的尺寸。因此，在第二子像素(P2)的情况下，第一电极320被第一发射层420覆盖。
在这种情况下，第二子像素(P2)的第一发射层420的尺寸与第一子像素(P1)的第一发射层410和第三子像素(P3)的第一发射层430中的每一个的尺寸相同。然而，第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸小于第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸。因此，与第一和第三子像素(P1、P3)不同，第二子像素(P2)的第一电极320被第一发射层420覆盖。
第一发射层410、420和430可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在第一发射层410、420和430中，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层传送到发光层，并且然后空穴和电子在发光层中彼此结合，从而发射具有预定颜色的光。
第一发射层410、420和430可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层以及被配置成发射黄色光的黄色发射层中的任何一个，但不限于这些类型。
第二电极500针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化在第一发射层400上。第二电极500可以形成在堤部370上。第二电极中的一个第二电极510形成在第一子像素(P1)的第一发射层410上，另一第二电极520形成在第二子像素(P2)的第一发射层420上，并且另一第二电极530形成在第三子像素(P3)的第一发射层430上。
第一子像素(P1)的第二电极510形成在第一电极310的区域中。如图4和图5中所示，第一子像素(P1)的第二电极510的尺寸可以小于第一电极310的尺寸。也就是说，第一子像素(P1)的第二电极510可以具有小于第一电极310的宽度(W4)的宽度(W1)，但不限于这种结构。第一子像素(P1)的第二电极510在尺寸上可以与第一电极310相同。
此外，第一子像素(P1)的第二电极510的尺寸可以大于第一发射层410的尺寸。因此，在第一子像素(P1)的情况下，第二电极510与在没有被第一发射层410覆盖的情况下被暴露的第一电极310的外围接触。在第一子像素(P1)中，存在第一电极310与第二电极510接触的第一接触区域(CA1)。
在第一子像素(P1)中，第二电极510与第一电极310直接接触，由此第二电极510和第一电极310彼此电连接。也就是说，当将第一高电位电压施加到第一子像素(P1)的第一电极310时，与第一电极310的第一高电位电压相同的第一高电位电压可以相同地施加到第一子像素(P1)的第二电极510。在这种情况下，第一子像素(P1)的第二电极510可以是阳极电极。
第三子像素(P3)的第二电极530形成在第一电极330的区域中。如图4和图5中所示，第三子像素(P3)的第二电极530的尺寸可以小于第一电极330的尺寸。也就是说，第三子像素(P3)的第二电极530可以具有小于第一电极330的宽度(W6)的宽度(W3)，但不限于这种结构。第三子像素(P3)的第二电极530在尺寸上可以与第一电极330相同。
此外，第三子像素(P3)的第二电极530的尺寸可以大于第一发射层430的尺寸。因此，在第三子像素(P3)的情况下，第二电极530与在没有被第一发射层430覆盖的情况下被暴露的第一电极330的外围接触。在第三子像素(P3)中，存在第一电极330与第二电极530接触的第二接触区域(CA2)。
在第三子像素(P3)中，第二电极530与第一电极330直接接触，由此第二电极530和第一电极330彼此电连接。也就是说，当将第三高电位电压施加到第三子像素(P3)的第一电极330时，与第一电极330的第三高电位电压相同的第三高电位电压可以相同地施加到第三子像素(P3)的第二电极530。在这种情况下，第三子像素(P3)的第二电极530可以是阳极电极。
如图4和图5中所示，第二子像素(P2)的第二电极520的尺寸可以大于第一发射层420和第一电极320的尺寸。第二子像素(P2)的第二电极520可以具有大于第一电极320的宽度(W5)的宽度(W2)。与第一和第三子像素(P1、P3)不同，第二子像素(P2)设置有被第一发射层420覆盖的第一电极320，由此形成在第一发射层420上的第二电极520不与第一电极320接触。也就是说，第二子像素(P2)的第二电极520可以通过使用第一发射层420而与第一电极320绝缘。
同时，第二子像素(P2)的第二电极520可以从显示区域(DA)延伸到设置在焊盘区域(PA)中的焊盘(PAD)。
更详细地，第一至第三子像素(P1、P2、P3)沿第一方向(X轴方向)布置，并且包括沿第一方向布置的第一至第三子像素(P1、P2、P3)的布置结构沿第二方向(Y轴方向)重复地设置。
第一基板111可以包括沿第二方向(Y轴方向)设置有多个第一子像素(P1)的第一子像素区域(SPA1)。设置在第一子像素区域(SPA1)中的第二电极510在沿第二方向(Y轴方向)的多个第一子像素(P1)中的每一个中被图案化。设置在第一子像素区域(SPA1)中的第二电极510与第一电极310电连接，并且设置在第一子像素区域(SPA1)中的第二电极510用作阳极电极。
第一基板111可以包括沿第二方向(Y轴方向)设置有多个第三子像素(P3)的第三子像素区域(SPA3)。设置在第三子像素区域(SPA3)中的第二电极530在沿第二方向(Y轴方向)的多个第三子像素(P3)中的每一个中被图案化。设置在第三子像素区域(SPA3)中的第二电极530与第一电极330电连接，并且设置在第三子像素区域(SPA3)中的第二电极530用作阳极电极。
同时，第一基板111可以包括沿第二方向(Y轴方向)设置有多个第二子像素(P2)的第二子像素区域(SPA2)。设置在第二子像素区域(SPA2)中的第二电极520沿在第二方向(Y轴方向)上的多个第二子像素(P2)延伸，如图3中所示。在这种情况下，设置在第二子像素区域(SPA2)中的第二电极520从显示区域(DA)延伸到设置在焊盘区域(PA)中的焊盘(PAD)，并且与焊盘(PAD)接触。也就是说，第二子像素(P2)的第二电极520可以施加有来自焊盘(PAD)的低电位电压。在这种情况下，第二子像素(P2)的第二电极520可以是阴极电极。
第二电极510、520和530可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。
在第二电极510、520和530上形成第二发射层600。与第一发射层410、420和430不同，第二发射层600连接地设置在相邻的子像素(P1、P2、P3)之间。也就是说，第二发射层600没有针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化，而是形成在整个显示区域(DA)上。
第二发射层600可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在第二发射层600中，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层传送到发光层，并且然后空穴和电子在发光层中彼此结合，从而发射具有预定颜色的光。
第二发射层600可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层以及被配置成发射黄色光的黄色发射层中的任何一个，但不限于这些类型。
第二发射层600可以发射具有与第一发射层410、420和430的颜色不同的颜色的光。如果第一发射层410、420和430是被配置成发射第一颜色光的发射层，则第二发射层600可以是被配置成发射与第一颜色光不同的第二颜色光的发射层。例如，第一发射层410、420和430可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，而第二发光层600可以是被配置成发射黄色光的黄色发射层。
在第二发射层600上形成第三电极700。第三电极700没有针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化，而是形成在整个显示区域(DA)上。第三电极700从显示区域(DA)延伸到焊盘区域(PA)。如图6和图7中所示，第三电极700可以与焊盘(PAD)或第二电极520接触。第三电极700可以是阴极电极。
第三电极700可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第三电极700可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第三电极700可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。
封装层800可以覆盖第三电极700。封装层800防止氧气或湿气渗透到第一发射层400、第二电极500、第二发射层600和第三电极700中。为此，封装层800可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
详细地，封装层800可以包括第一无机膜和有机膜。根据本公开内容的一个实施方式，封装层800还可以包括第二无机膜。
第一无机膜可以覆盖第三电极700。在第一无机膜上设置有机膜。优选地，有机膜具有足以防止颗粒通过第一无机膜渗透到第一发射层400、第二电极500、第二发射层600和第三电极700中的长度。第二无机膜被设置成覆盖有机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第一和第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂覆法制造，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨方法制造。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100还可以包括滤色器900，其被配置成在第一子像素(P1)和第三子像素(P3)中的每一个中发射不同颜色的光。
滤色器900可以包括与第一子像素(P1)相对应的第一滤色器(CF1)和与第三子像素(P3)相对应的第二滤色器(CF2)。第一滤色器(CF1)和第二滤色器(CF2)中的每一个可以通过其透射不同颜色的光。
例如，第一滤色器(CF1)可以是用于通过其透射红色光的红色滤色器，而第二滤色器(CF2)可以是用于通过其透射绿色光的绿色滤色器。因此，第一子像素(P1)发射红色光，而第三子像素(P3)发射绿色光。
根据显示装置100的光发射类型，滤色器900可以设置在封装层800上或者可以设置在第一电极310、320和330下方。如果显示装置100是顶部发射型，则滤色器900可以设置在封装层800上，如图5中所示。如果显示装置100是底部发射型，则滤色器900可以设置在第一电极310、320和330与第一基板111之间。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置被实施为：第一发射层410、420和430以及第二发射层600中的任何一个在每个子像素(P1、P2、P3)中发射光。
更详细地，在第一子像素(P1)的情况下，在第二发射层600中产生光发射。在第一子像素(P1)中，第二电极510与第一电极310接触，由此第二电极510与第一电极310电连接。当将第一高电位电压施加到第一子像素(P1)的第一电极310时，与第一电极310的第一高电位电压相同的第一高电位电压可以相同地施加到第一子像素(P1)的第二电极510。因此，在第一子像素(P1)的情况下，在第一电极310与第二电极510之间设置的第一发射层410中不产生光发射。
同时，在第一子像素(P1)的情况下，当将第一高电位电压施加到第二电极510，并且将低电位电压施加到第三电极700时，设置在第二电极510与第三电极700之间的第二发射层600根据预定电流发射具有预定亮度的光。
在第三子像素(P3)中，在第二发射层600中产生光发射。在第三子像素(P3)的情况下，第二电极530与第一电极330接触，由此第二电极530和第一电极330彼此电连接。当将第三高电位电压施加到第三子像素(P3)的第一电极330时，与第一电极330的第三高电位电压相同的第三高电位电压可以相同地施加到第三子像素(P3)的第二电极530。因此，在第三子像素(P3)的情况下，在第一电极330与第二电极530之间设置的第一发射层430中不产生光发射。
同时，在第三子像素(P3)的情况下，当将第三高电位电压施加到第二电极530，并且将低电位电压施加到第三电极700时，设置在第二电极530与第三电极700之间的第二发射层600根据预定电流发射具有预定亮度的光。
也就是说，从第一子像素(P1)的第二发射层600和第三子像素(P3)的第二发射层600两者发射相同颜色的光。在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中，第一子像素(P1)和第三子像素(P3)分别通过使用滤色器900发射不同颜色的光。例如，第一子像素(P1)通过使用红色滤色器发射红色光，而第三子像素(P3)通过使用绿色滤色器发射绿色光。
在第二子像素(P2)的情况下，在第一发射层420中产生光发射。在第二子像素(P2)中，第二电极520与焊盘(PAD)接触，并且第三电极700与第二电极520接触。当从焊盘(PAD)向第二子像素(P2)的第二电极520施加低电位电压时，与第二电极520的低电位电压相同的低电位电压施加到第三电极700。因此，在第二子像素(P2)的情况下，在第二电极520与第三电极700之间设置的第二发射层600中不产生光发射。
同时，在第二子像素(P2)的情况下，当将第二高电位电压施加到第一电极320，并且将低电位电压施加到第二电极520时，设置在第一电极320与第二电极520之间的第一发射层420根据预定电流发射具有预定亮度的光。
例如，第一发射层420可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层。在这种情况下，显示装置100可以在不在与第二子像素(P2)相对应的位置处设置另外的滤色器的情况下实现蓝色子像素。
如上所述，在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100中，仅第二发射层600在第一子像素(P1)和第三子像素(P3)中发射光，并且仅第一发射层420在第二子像素(P2)中发射光。因此，与使得第一发射层410、420和430以及第二发射层600在所有子像素中发射光的情况相比，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100能够显著降低功耗。
图8是示出根据本公开内容的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的流程图。图9A至图9K是示出根据本公开内容的一个实施方式的用于制造显示装置的方法的截面图。
首先，如图9A中所示，在第一基板111上形成电路器件层200(S801)。
更详细地，在第一基板111上形成驱动薄膜晶体管(TFT)。在第一基板111上形成有源层。有源层可以由硅基半导体材料或氧化物基半导体材料形成。
可以在有源层上形成栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以以诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的单层结构或者以上硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层结构形成。
可以在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以以选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种材料的单层结构形成，或者可以以选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的材料的多层结构形成，但不限于这些类型。
可以在栅电极上形成层间绝缘层。层间绝缘层可以以诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的单层结构或者以上硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层结构形成。
可以在层间绝缘层上形成源电极和漏电极。源电极和漏电极中的每一个可以经由穿透栅极绝缘膜和层间绝缘层的接触孔与有源层连接。源电极和漏电极中的每一个可以以选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种材料的单层结构形成，或者可以以选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的材料的多层结构形成，但不限于这些类型。
可以在源电极和漏电极上形成保护膜。保护膜可以以诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的单层结构或者以上硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层结构形成。
可以在保护膜上形成平坦化膜。平坦化膜可以由有机膜形成，例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等。
然后，如图9B中所示，形成辅助电极340、350和360以及堤部370(S802)。
更详细地，辅助电极340、350和360可以针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化在电路器件层200上。辅助电极340、350和360可以经由接触孔(CH)与驱动薄膜晶体管(TFT)的源电极或漏电极连接。如果需要，可以省略辅助电极340、350和360。
此后，堤部370被设置成覆盖每个辅助电极340、350和360的端部。堤部370可以由具有相对小的厚度的无机绝缘膜形成，但不限于这种结构。堤部370可以由具有相对大的厚度的有机绝缘膜形成。
然后，如图9C中所示，可以形成第一电极310、320和330(S803)。
更详细地，第一电极310、320和330可以针对每个子像素(P1、P2、P3)被图案化在辅助电极340、350和360以及堤部370上。在这种情况下，第一电极310、320和330可以针对每个子像素(P1、P2、P3)具有不同的尺寸。
第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸可以大于第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸。例如，第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330可以形成在堤部370的侧表面以及电路器件层200的上表面上。
同时，第二子像素(P2)的第一电极320可以仅形成在电路器件层200的上表面上，但不限于这种结构。第二子像素(P2)的第一电极320可以形成在电路器件层200的上表面和堤部370的侧表面上。在这种情况下，第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸必须小于第一子像素(P1)的第一电极310和第三子像素(P3)的第一电极330中的每一个的尺寸，由此堤部370的侧表面上的第二子像素(P2)的第一电极320的尺寸小于堤部370的侧表面上的第一子像素(P1)的第一电极310的尺寸或堤部370的侧表面上的第三子像素(P3)的第一电极330的尺寸。
第一电极310、320和330可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第一电极310、320和330可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第一电极310、320和330可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。第一电极310、320和330可以是阳极电极。
第一电极310、320和330可以通过诸如溅射的物理气相沉积来形成。
然后，如图9D中所示，可以形成倒锥形结构380(S804)。更详细地，在堤部370上形成具有与上表面相比相对较小的下表面的倒锥形结构380。在这种情况下，下表面指示与堤部370接触的表面。
倒锥形结构380可以设置在第一电极310、320和330中的每一个之间，但不限于这种结构。倒锥形结构380可以与第一电极310、320和330的外围重叠。
然后，如图9E中所示，可以形成第一发射层410、420和430(S805)。
更详细地，在第一电极310、320和330以及倒锥形结构380上形成第一发射层410、420和430。第一发射层410、420和430可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果第一发射层410、420和430通过沉积工艺形成，则可以使用蒸发方法。
通过使用倒锥形结构380，第一发射层410、420和430可以断开地设置在第一子像素(P1)、第二子像素(P2)和第三子像素(P3)中的每一个之间。此外，通过使用倒锥形结构380，第一和第三子像素(P1、P3)中的每一个中的第一发射层410和430可以不设置在第一电极310和330的外围中。因此，第一和第三子像素(P1、P3)中的每一个中的第一电极310和330的外围可以被暴露。
第一发射层410、420和430可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层以及被配置成发射黄色光的黄色发射层中的任何一个，但不限于这些类型。
然后，如图9F中所示，可以形成第二电极510、520和530(S806)。
更详细地，在第一发射层410、420和430以及倒锥形结构380上形成第二电极510、520和530。第二电极510、520和530可以通过诸如溅射的物理气相沉积形成。通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜可以具有良好的台阶覆盖特性。因此，与通过蒸发方法形成的第一发射层410、420和430相比，第二电极510、520和530可以形成有相对大的面积。因此，在第一和第三子像素(P1、P3)的情况下，第二电极510和530可以与在没有被第一发射层410和430覆盖的情况下被暴露的第一电极310和330接触。
第二电极510、520和530可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。
然后，如图9G中所示，可以去除倒锥形结构380(S807)。
然后，如图9H中所示，可以形成第二发射层600(S808)。
更详细地，在第二电极510、520和530上形成第二发射层600。第二发射层600可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果第二发射层600通过沉积工艺形成，则可以使用蒸发方法。
第二发射层600可以连接地设置在第一子像素(P1)、第二子像素(P2)和第三子像素(P3)中的每一个之间。
第二发射层600可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层以及被配置成发射黄色光的黄色发射层中的任何一个，但不限于这些类型。
然而，第二发射层600可以发射其颜色与第一发射层410、420和430的颜色不同的光。如果第一发射层410、420和430是被配置成发射第一颜色光的发射层，则第二发射层600可以是被配置成发射与第一颜色光不同的第二颜色光的发射层。例如，第一发射层410、420和430可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，而第二发射层600可以是被配置成发射黄色光的黄色发射层。
然后，如图9I中所示，可以形成第三电极700(S809)。
更详细地，在第二发射层600上形成第三电极700。第三电极700可以通过诸如溅射的物理气相沉积形成，或者可以通过蒸发方法形成。
第三电极700可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第三电极700可以由能够通过其透射光的透明金属材料(透明导电材料，TCO)形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)形成，例如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第三电极700可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。第三电极700可以是阴极电极。
然后，如图9J中所示，可以形成封装层800(S810)。
更详细地，在第三电极700上形成封装层800。封装层800可以包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜。第一无机膜可以形成在第三电极700上。第一无机膜可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第一无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积，但不限于这些方法。
此后，可以在第一无机膜上形成有机膜。有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。
此后，可以在有机膜上形成第二无机膜。第二无机膜可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积，但不限于这些方法。
然后，如图9K中所示，可以形成滤色器900(S811)。
更详细地，在封装层800上形成第一滤色器(CF1)和第二滤色器(CF2)。第一滤色器(CF1)在对应于第一子像素(P1)的同时被设置，并且第二滤色器(CF2)在对应于第三子像素(P3)的同时被设置。
图10A至图10C示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置，图10A至图10C涉及一种头戴式显示(HMD)装置。图10A是示意性透视图，图10B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面图，以及图10C是增强现实(AR)结构的截面图。
如图10A中所示，根据本公开内容的头戴式显示(HMD)装置包括容纳壳体10和头戴式带30。
可以在容纳壳体10的内部中容纳显示装置、透镜阵列和目镜。
头戴式带30固定到容纳壳体10。在附图中，头戴式带30被配置成围绕用户的头部中的上表面和两个侧表面，但不限于这种结构。例如，头戴式带被设置成将头戴式显示(HMD)装置固定到用户的头部，头戴式带可以由眼镜框形状或头盔形结构代替。
如图10B中所示，根据本公开内容的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示(HMD)装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13和左眼目镜20a以及右眼目镜20b被容纳在前述容纳壳体10中。
可以在左眼显示装置12和右眼显示装置11上显示相同的图像。在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。如果在左眼显示装置12上显示用于左眼的图像，并且在右眼显示装置11上显示用于右眼的图像，则用户可以观看三维(3D)图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以由图1至图7中示出的前述显示装置形成。在这种情况下，与图1至图7中用于显示图像的表面相对应的上部——例如滤色器900——面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与左眼显示装置12之间同时远离左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个。也就是说，透镜阵列13可以定位在左眼目镜20a的前方和左眼显示装置12的后方。此外，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b与右眼显示装置11之间同时远离右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个。也就是说，透镜阵列13可以定位在右眼目镜20b的前方和右眼显示装置11的后方。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。由于透镜阵列13，显示在左眼显示装置12或右眼显示装置11上的图像可以被扩展并被用户感知。
用户的左眼(LE)可以定位在左眼目镜20a处，并且用户的右眼(RE)可以定位在右眼目镜20b处。
如图10C中所示，根据本公开内容的增强现实(AR)结构的头戴式显示(HMD)装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15。为了便于说明，图10C仅示出了左眼结构。右眼结构在结构上与左眼结构相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15被容纳在前述容纳壳体10中。
左眼显示装置12可以在不覆盖透射窗口15的情况下设置在透射反射部分14的一侧——例如透射反射部分14的上侧处。因此，在通过透射窗口15看到的环境背景未被左眼显示装置12覆盖的条件下，可以向透射反射部分14提供图像。
左眼显示装置12可以由图1至图7中示出的显示装置形成。在这种情况下，与图1至图7中用于显示图像的表面相对应的上部——例如滤色器900——面对透射反射部分14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与透射反射部分14之间。
用户的左眼定位在左眼目镜20a处。
透射反射部分14设置在透镜阵列13与透射窗口15之间。透射反射部分14可以包括反射表面14a，其部分地透射光中的一些光，并且还反射其余的光。反射表面14a被配置成将显示在左眼显示装置12上的图像朝向透镜阵列13引导。因此，用户可以观看显示在左眼显示装置12上的图像以及通过透射窗口15的环境背景。也就是说，用户可以观看通过叠加有环境真实背景的虚拟图像而获得的一个图像，从而实现增强现实(AR)。
透射窗口15设置在透射反射部分14的前方。
对于本领域技术人员将明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且可以在不脱离公开内容的精神或范围的情况下在本公开内容中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义、范围和等同概念得出的所有变型或修改都落入本公开内容的范围内。
发明构思
本发明提供了以下发明构思：
1.一种显示装置，包括：
基板，其包括第一子像素和第二子像素；
第一电极，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化在所述基板上；
第一发射层，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被设置在所述第一电极上，并且被配置成发射第一颜色光；
第二电极，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被设置在所述第一发射层上；
第二发射层，其被设置在所述第二电极上，并且被配置成发射第二颜色光；以及
第三电极，其被设置在所述第二发射层上，
其中，所述第一子像素的第一电极相对大于所述第二子像素的第一电极，以及
所述第一子像素的第一电极与所述第一子像素的第二电极电连接，并且所述第二子像素的第一电极与所述第二子像素的第二电极绝缘。
2.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述第二子像素的第二电极与所述第三电极电连接。
3.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述第一子像素的第二发射层发射光，并且所述第二子像素的第一发射层发射光。
4.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述第一发射层发射蓝色光。
5.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述第一发射层在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化。
6.根据发明构思5所述的显示装置，其中，
所述第一子像素设置有尺寸小于所述第一子像素的第一电极的尺寸以暴露所述第一子像素的第一电极的第一发射层，以及
所述第二子像素设置有尺寸大于所述第二子像素的第一电极的尺寸以覆盖所述第二子像素的第一电极的第一发射层。
7.根据发明构思6所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化。
8.根据发明构思7所述的显示装置，其中，在所述第一子像素的情况下，所述第二电极相对大于所述第一发射层以使所暴露的第一电极和所述第二电极彼此接触。
9.根据发明构思1所述的显示装置，还包括：
辅助电极，其被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中并且被设置在所述第一电极下方；以及
薄膜晶体管，其被设置在所述基板与所述辅助电极之间，
其中，所述辅助电极与所述薄膜晶体管连接并且被施加有高电位电压。
10.根据发明构思9所述的显示装置，其中，所述第一电极与所述辅助电极连接并且被施加有所述高电位电压。
11.根据发明构思9所述的显示装置，还包括堤部，所述堤部被设置成覆盖所述辅助电极的端部并且被配置成暴露所述辅助电极的一些区域，
其中，所述第一子像素的第一电极形成在所暴露的辅助电极的上表面和所述堤部的侧表面上。
12.根据发明构思11所述的显示装置，其中，所述第一子像素的第一电极与所述第一子像素的第二电极在所述堤部上接触。
13.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述基板包括第一子像素区域和第二子像素区域，所述第一子像素区域设置有在第一方向上布置的多个所述第一子像素，所述第二子像素区域设置有在所述第一方向上布置的多个所述第二子像素并且被设置成在第二方向上与所述第一子像素区域相邻。
14.根据发明构思13所述的显示装置，其中，设置在所述第一子像素区域中的第二电极与设置在所述第二子像素区域中的第二电极间隔开。
15.根据发明构思14所述的显示装置，其中，设置在所述第一子像素区域中的第二电极在多个所述第一子像素中的每一个中被图案化。
16.根据发明构思14所述的显示装置，其中，设置在所述第二子像素区域中的第二电极沿多个所述第二子像素延伸，并且设置在所述第二子像素区域中的第二电极的一端与所述第三电极接触。
17.一种显示装置，包括：
基板，其包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
第一电极，其在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中被图案化在所述基板上；
第一发射层，其被设置在所述第一电极上并且被配置成发射第一颜色光；
第二电极，其被设置在所述第一发射层上；
第二发射层，其被设置在所述第二电极上并且被配置成发射第二颜色光；以及
第三电极，其被设置在所述第二发射层上，
其中，向所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个中的第一电极和第二电极施加相同的电压，以及
向所述第二子像素中的第二电极和第三电极施加相同的电压。
18.根据发明构思17所述的显示装置，其中，
在所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个中，设置在所述第二电极与所述第三电极之间的所述第二发射层发射光，以及
在所述第二子像素中，设置在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一发射层发射光。
19.根据发明构思18所述的显示装置，其中，所述第一发射层发射蓝色光。
20.根据发明构思17所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个中的第一电极的尺寸与所述第二子像素中的第一电极的尺寸不同。
21.根据发明构思20所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个中的第一电极的尺寸大于所述第二子像素中的第一电极的尺寸。
22.根据发明构思17所述的显示装置，其中，
所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个设置有尺寸小于所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个的第一电极的尺寸以暴露所述第一子像素和所述第三子像素中的每一个的第一电极的第一发射层，以及
所述第二子像素设置有尺寸大于所述第二子像素的第一电极的尺寸以覆盖所述第二子像素的第一电极的第一发射层。
23.根据发明构思22所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中被图案化。
24.根据发明构思23所述的显示装置，其中，在所述第一子像素和所述第三子像素的情况下，所述第二电极相对大于所述第一发射层以使所暴露的第一电极和所述第二电极彼此接触。
25.根据发明构思17所述的显示装置，其中，设置在所述第二子像素中的第二电极在第一方向上延伸，并且设置在所述第二子像素中的第二电极的一端与所述第三电极接触。
26.根据发明构思17所述的显示装置，还包括滤色器，所述滤色器被设置成对应于所述第一子像素和所述第三子像素。
27.根据发明构思26所述的显示装置，其中，所述滤色器包括红色滤色器和绿色滤色器，所述红色滤色器被设置成对应于所述第一子像素并且被配置成通过其透射红色光，所述绿色滤色器被设置成对应于所述第三子像素并且被配置成通过其透射绿色光。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，其包括第一子像素和第二子像素；
第一电极，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化在所述基板上；
第一发射层，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被设置在所述第一电极上，并且被配置成发射第一颜色光；
第二电极，其在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被设置在所述第一发射层上；
第二发射层，其被设置在所述第二电极上，并且被配置成发射第二颜色光；以及
第三电极，其被设置在所述第二发射层上，
其中，所述第一子像素的第一电极相对大于所述第二子像素的第一电极，以及
所述第一子像素的第一电极与所述第一子像素的第二电极电连接，并且所述第二子像素的第一电极与所述第二子像素的第二电极绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子像素的第二电极与所述第三电极电连接。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素的第二发射层发射光，并且所述第二子像素的第一发射层发射光。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射层发射蓝色光。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射层在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一子像素设置有尺寸小于所述第一子像素的第一电极的尺寸以暴露所述第一子像素的第一电极的第一发射层，以及
所述第二子像素设置有尺寸大于所述第二子像素的第一电极的尺寸以覆盖所述第二子像素的第一电极的第一发射层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中被图案化。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述第一子像素的情况下，所述第二电极相对大于所述第一发射层以使所暴露的第一电极和所述第二电极彼此接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
辅助电极，其被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中并且被设置在所述第一电极下方；以及
薄膜晶体管，其被设置在所述基板与所述辅助电极之间，
其中，所述辅助电极与所述薄膜晶体管连接并且被施加有高电位电压。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一电极与所述辅助电极连接并且被施加有所述高电位电压。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210065239A (ko) * 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1499904A (zh) * 2002-11-04 2004-05-26 ���ǵ�ͨ�Ƽ���ʽ���� 用于降低噪声的具有电极层的el组件及其制造方法
JP2010010041A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2010013644A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Organic el display device and method for manufacturing same
CN204257650U (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和掩膜板
CN107079559A (zh) * 2014-10-03 2017-08-18 株式会社日本显示器 图像显示装置
US20170352707A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222928A (ja) 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JP2010003629A (ja) 2008-06-23 2010-01-07 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101023133B1 (ko) 2009-03-19 2011-03-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6550967B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
JP6588299B2 (ja) 2015-10-21 2019-10-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102470377B1 (ko) 2015-12-31 2022-11-23 엘지디스플레이 주식회사 개인 몰입형 기기의 표시장치
JP6686497B2 (ja) * 2016-02-12 2020-04-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101796501B1 (ko) * 2016-04-29 2017-12-04 엘지디스플레이 주식회사 개인 몰입형 장치의 표시장치
US20170352709A1 (en) 2016-06-03 2017-12-07 Universal Display Corporation Architecture for very high resolution amoled display
US10818652B2 (en) * 2016-07-15 2020-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR102626690B1 (ko) * 2016-09-30 2024-01-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
KR20180055024A (ko) * 2016-11-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108376528B (zh) * 2017-02-01 2022-12-27 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备及头戴显示器
JP7059574B2 (ja) * 2017-02-01 2022-04-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1499904A (zh) * 2002-11-04 2004-05-26 ���ǵ�ͨ�Ƽ���ʽ���� 用于降低噪声的具有电极层的el组件及其制造方法
JP2010010041A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2010013644A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Organic el display device and method for manufacturing same
CN107079559A (zh) * 2014-10-03 2017-08-18 株式会社日本显示器 图像显示装置
CN204257650U (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和掩膜板
US20170352707A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same

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