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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 283
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Definitions
- One embodiment of the present invention relates to an organic EL (Electroluminescence) display device.
- an organic EL display device using an organic EL material as a light emitting element of a display unit has been put into practical use as a display device.
- a transistor is formed on a substrate and a light emitting element is formed on the transistor.
- a pixel electrode electrically connected to a transistor, an organic layer having a light-emitting layer, and a common electrode are formed in this order.
- the light emitting element emits light by passing a current between the anode and the cathode, with one of the pixel electrode and the common electrode being an anode (anode) and the other being a cathode (cathode).
- the common electrode is formed of a single transparent conductive layer over the entire display region, and light emitted from the light emitting layer is transmitted through the common electrode and emitted to the outside.
- Organic EL display devices are increasingly required to have high brightness for the purpose of improving visibility and contrast. For this reason, it is required to supply a larger current to the organic EL element. Accordingly, it is desirable to reduce the resistance of the current supply path to the organic EL element as much as possible.
- the cathode wiring In order to reduce the resistance of the cathode wiring, it is effective to increase the thickness or width. However, if a cathode wiring having a large thickness or width is provided in the peripheral area of the display area, it becomes an obstacle to narrowing the frame of the display device. Further, since the cathode wiring length becomes longer as the display area is enlarged, the proportion of the cathode wiring in the peripheral area is further increased.
- an object of the present invention is to provide a display device with a narrow frame.
- a display device includes a substrate, a first wiring on the substrate, a first insulating layer having a first contact hole on the first wiring, and a display region on the first insulating layer.
- a plurality of pixels each having a light-emitting element and a common light-emitting element are provided in common to the plurality of light-emitting elements and are electrically connected to each other through the first wiring and the first contact hole in a peripheral region surrounding the display region.
- An electrode is provided in common to the plurality of light-emitting elements and are electrically connected to each other through the first wiring and the first contact hole in a peripheral region surrounding the display region.
- the plurality of films when a single film is processed to form a plurality of films, the plurality of films may have different functions and roles.
- the plurality of films are derived from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these plural films are defined as existing in the same layer.
- FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a display device 100 according to an embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 1, the display device 100 includes a display area 103 and a peripheral area 110 surrounding the display area 103.
- the display area 103 has a plurality of pixels 109 arranged in a matrix. Each of the plurality of pixels has a light emitting element.
- a terminal portion 108 having a plurality of terminals 107, a driver IC 105, and drive circuits 104a and 104b are provided in the peripheral region 110.
- the substrate 101 includes a first side 101a along the first direction (x direction in FIG. 1), a second side 101b along the second direction (y direction in FIG. 1) intersecting the first direction, It has a third side 101 c that faces the first side 101 a across the display area 103, and a fourth side 101 d that faces the second side across the display area 103.
- the terminal portion 108 is provided between the first side 101 a along the first direction of the substrate 101 and the display region 103, and the driver IC 105 is provided between the terminal portion 108 and the display region 103.
- the drive circuit 104 a is provided between the second side 101 b along the second direction intersecting the first direction of the substrate 101 and the display region 103.
- the driving circuit 104 b is provided between the display region 103 and the fourth side 101 d that faces the second side 101 b of the substrate 101 with the display region 103 interposed therebetween.
- the driving circuits 104a and 104b are connected to a scanning line connected to the pixel 109 and function as a scanning line driving circuit.
- the driver IC 105 is connected to a signal line connected to the pixel 109 and incorporates a signal line driver circuit. 1 illustrates an example in which a signal line driver circuit is incorporated in the driver IC 105, the signal line driver circuit may be provided over the substrate 101 separately from the driver IC 105.
- the driver IC 105 may be arranged on the substrate 101 in the form of an IC chip. Further, although not shown, the driver IC 105 may be provided on a flexible printed circuit board. The flexible printed circuit board is connected to a terminal portion 108 provided on the board 101.
- Each pixel 109 is supplied with a video signal corresponding to the image data from the driver IC 105 via a signal line.
- Each pixel 109 is supplied with a signal for selecting each pixel 109 from the driver IC 105 via the drive circuits 104a and 104b and the scanning lines. With these signals, the transistor included in the pixel 109 can be driven to perform screen display corresponding to the image data.
- FIG. 2 shows a pixel circuit of the pixel 109.
- the pixel 109 includes at least a transistor 210, a transistor 220, a light emitting element 230, and a storage capacitor 240.
- the transistor 210 functions as a drive transistor. That is, the transistor 210 is a transistor that is connected to the light emitting element 230 and controls the light emission luminance of the light emitting element 230. Transistor 210 has a gate, a source, and a drain. Further, the gate of the transistor 210 is connected to the transistor 220, one of the source and the drain is connected to the drive power supply line 143, and the other of the source and the drain is connected to the pixel electrode of the light emitting element 230. The drain current of the transistor 210 is controlled by the gate-source voltage.
- the transistor 220 functions as a selection transistor. That is, the transistor 220 controls a conduction state between the signal line 142 and the gate of the transistor 210.
- Transistor 220 has a gate, a source, and a drain. The gate of the transistor 220 is connected to the scanning line 141, one of the source and the drain is connected to the signal line 142, and the other of the source and the drain is connected to the gate of the transistor 210.
- One electrode of the storage capacitor 240 is connected to the gate of the transistor 210, and the other is connected to the drive power supply line 143. Since the driving power supply line 143 is given a constant potential, the gate potential of the transistor 210 is held for a certain period by the storage capacitor 240. In the case where the storage capacitor 240 is provided between the gate and the source of the driving transistor 210, the storage capacitor 240 holds the gate-source voltage of the driving transistor 210 for a certain period.
- the light emitting element 230 has a pixel electrode electrically connected to the transistor 210, an organic layer on the pixel electrode, and a common electrode on the organic layer. Specifically, the pixel electrode of the light emitting element 230 is connected to the other of the source and the drain of the transistor 210, and the common electrode is connected to the cathode wiring 201.
- the pixel electrode of the light emitting element 230 is provided in each of the pixels 109.
- the common electrode has a transparent conductive layer continuously provided over the entire display region 103.
- a material such as indium tin oxide is used as the transparent conductive layer, but the transparent conductive layer has a higher resistance than a metal such as aluminum. For this reason, in order to allow a current to flow uniformly through one transparent conductive layer over the entire display area, it is desirable to prevent a voltage drop from occurring in the plane. A large current also flows through the cathode wiring for supplying current to the common electrode. Therefore, it is necessary to form the cathode wiring so that the resistance value is sufficiently low.
- the cathode wiring In order to reduce the resistance of the cathode wiring, it is effective to increase the thickness or width. However, if a cathode wiring having a large thickness or width is provided in the peripheral area of the display area, it becomes an obstacle to narrowing the frame of the display device. In addition, since the cathode wiring length becomes longer as the display area is enlarged, when the display device is enlarged, the ratio of the area occupied by the cathode wiring in the peripheral area is further increased.
- the cathode wiring is usually provided with a width of several ⁇ m to several tens of ⁇ m. If the width of the cathode wiring is small, the wiring resistance increases. Therefore, when a large current flows through the cathode wiring, the amount of heat generation increases.
- the cathode wiring is usually provided on the same layer as the wiring connecting the driver IC and the display area or the wiring connecting the driver IC and the drive circuit. This complicates the wiring structure and increases the area in the region between the driver IC and the display region. In particular, it becomes more conspicuous when the number of wires increases for higher definition.
- the cathode wiring electrically connected to the common electrode is provided below the layer where the transistor is formed. Then, the common electrode is electrically connected to the cathode wiring 201 through the contact hole of the undercoat layer 202.
- FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of the display device 100 shown in FIG. 1 cut along the line A1-A2.
- the cathode wiring 201 is provided on the substrate 101.
- a glass substrate, a quartz substrate, or a flexible substrate polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, triacetyl cellulose, cyclic olefin copolymer, cycloolefin polymer, or other flexible resin substrate
- the substrate 102 can be formed using the same material as the substrate 101.
- the display device 100 is configured using flexible substrates as the substrate 101 and the substrate 102 will be described. By using flexible substrates as the substrate 101 and the substrate 102, the display device 100 can be bent.
- the cathode wiring 201 can be formed as a single layer or a stacked layer using a metal material such as copper, molybdenum, tantalum, tungsten, aluminum, or titanium.
- the cathode wiring 201 can be formed by stacking titanium, aluminum, and titanium, so that the resistance can be reduced and the connectivity with wirings in other layers can be improved. Further, the cathode wiring 201 is provided so as to overlap the display region 103 as shown in FIG.
- the undercoat layer 202 is provided on the cathode wiring 201.
- the undercoat layer 202 is an insulating layer formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or aluminum oxide.
- the undercoat layer is not limited to a single layer, and may have, for example, a laminated structure in which a silicon oxide layer and a silicon nitride layer are combined.
- the undercoat layer 202 is provided to prevent impurities from entering the element formation layer 120 from the substrate 101.
- an element forming layer 120 is provided on the undercoat layer 202.
- a plurality of transistors constituting the pixel 109 and the drive circuits 104a and 104b are formed.
- the transistor typically, a thin film transistor can be used.
- an Nch transistor or a Pch transistor can be used.
- a light emitting element layer 130 is provided on the element forming layer 120.
- a plurality of light emitting elements constituting the pixel 109 are formed.
- a region where the light-emitting element layer 130 is provided in the substrate 101 corresponds to the display region 103.
- a common electrode 225 is provided on the top layer of the light-emitting element layer 130.
- the common electrode 225 is provided in common for a plurality of pixels. In other words, the common electrode 225 is formed of a continuous transparent conductive layer over the entire display area 103.
- the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 provided below the element formation layer 120 in the peripheral region 110. As shown in FIG. 1, the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 through a contact hole provided in the undercoat layer 202 between the driver IC 105 and the display region 103. In addition, the common electrode 225 is interposed between the first side of the substrate 101 and the third side facing the display region 103 and the display region 103 through a contact hole provided in the undercoat layer 202. It is electrically connected to the cathode wiring 201. In this specification and the like, a region where the common electrode 225 and the cathode wiring 201 are electrically connected is referred to as a cathode contact.
- a region where the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 between the driver IC 105 and the display region 103 is shown as a cathode contact 150.
- a region where the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 between the third side and the display region 103 is shown as a cathode contact 140.
- the cathode wiring 201 is electrically connected to at least one of the plurality of terminals 107 included in the terminal portion 108. A region where the cathode wiring 201 is electrically connected to the terminal 107 is shown as a contact 170.
- the width of the cathode wiring 201 can be increased without being restricted by the area of the peripheral region 110. Thereby, the resistance of the cathode wiring 201 can be reduced. In addition, since it is not necessary to provide a cathode wiring having a large width and thickness in the peripheral region 110, the area of the peripheral region 110 can be reduced. That is, the frame of the display device 100 can be reduced.
- the width and thickness of the cathode wiring 201 can be increased. Thereby, the resistance value of the cathode wiring 201 can be reduced. Therefore, the amount of heat generated by a large current flowing through the cathode wiring 201 can be reduced.
- the cathode wiring 201 is connected to the wiring connecting the driver IC 105 and the display region 103 and the wiring connecting the driver IC 105 and the driving circuits 104a and 104b. Can also be provided in a lower layer. That is, the cathode wiring 201 can be overlapped with a wiring connecting the driver IC 105 and the display region 103 and a wiring connecting the driver IC 105 and the drive circuits 104a and 104b. Thus, the cathode wiring 201 having a large width and thickness can be provided also in the region between the driver IC 105 and the display region 103.
- the wiring structure in the region between the driver IC 105 and the display region 103 can be simplified and the frame can be reduced. This is particularly effective when the number of wirings increases as the definition becomes higher.
- the drive circuit 104 b is provided between the display region 103 and the fourth side that faces the second side of the substrate 101 with the display region 103 interposed therebetween.
- the sealing layer 160 is provided on the common electrode 225.
- the sealing layer 160 is provided to prevent moisture from entering the light emitting element layer 130.
- the sealing layer 160 can be formed using an inorganic insulating layer and an organic insulating layer.
- the substrate 102 is provided on the sealing layer 160 with an adhesive 235 interposed therebetween.
- FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 shown in FIG.
- the structures of the element formation layer 120 provided with a plurality of transistors and the light-emitting element layer 130 provided with a plurality of light-emitting elements 230 will be described.
- a cathode wiring 201 is provided on the substrate 101.
- An undercoat layer 202 is provided on the cathode wiring 201.
- a transistor 210 is provided on the undercoat layer 202.
- the structure of the transistor 210 may be a top gate type or a bottom gate type.
- the transistor 210 is a top gate type.
- the transistor 210 includes a semiconductor layer 211 provided over the undercoat layer 202, a gate insulating layer 212 covering the semiconductor layer 211, and a gate electrode 213 provided over the gate insulating layer 212. Further, over the transistor 210, a source or drain electrode 215 and a source or drain electrode 216 provided over the interlayer insulating layer 214 and the interlayer insulating layer 214 covering the gate electrode 213 and connected to the semiconductor layer 211 are provided. It has been. In this embodiment, an example in which the interlayer insulating layer 214 has a single layer structure is described, but the interlayer insulating layer 214 may have a stacked structure.
- each layer included in the transistor 210 may be a known material and is not particularly limited.
- the semiconductor layer 211 in general, polysilicon, amorphous silicon, or an oxide semiconductor can be used.
- the gate insulating layer 212 silicon oxide or silicon nitride can be used.
- the gate electrode 213 is made of a metal material such as copper, molybdenum, tantalum, tungsten, or aluminum.
- the interlayer insulating layer 214 silicon oxide or silicon nitride can be used.
- the source or drain electrode 215 and the source or drain electrode 216 are each made of a metal material such as copper, titanium, molybdenum, or aluminum.
- a scanning line 141 formed of the same film as the gate electrode 213 can be provided in the same layer as the gate electrode 213.
- a signal line 142 extending in a direction intersecting with the scanning line 141 can be provided in the same layer as the source or drain electrode 215 and the source or drain electrode 216.
- a planarization layer 217 is provided over the transistor 210.
- the planarization layer 217 includes an organic resin material.
- the organic resin material for example, a known organic resin material such as polyimide, polyamide, acrylic, or epoxy can be used. These materials have a feature that a film can be formed by a solution coating method and a flattening effect is high.
- the planarization layer 217 is not limited to a single layer structure, and may have a stacked structure of a layer containing an organic resin material and an inorganic insulating layer.
- the planarization layer 217 has a contact hole that exposes part of the source or drain electrode 215.
- the contact hole is an opening for electrically connecting a pixel electrode 222, which will be described later, and a source or drain electrode 215. Therefore, the contact hole is provided so as to overlap with part of the source or drain electrode 215. At the bottom surface of the contact hole, the source or drain electrode 215 is exposed.
- a transparent conductive layer 218 is provided in the contact hole provided in the planarization layer 217.
- the transparent conductive layer 218 overlaps with the contact hole included in the planarization layer 217 and is electrically connected to the source or drain electrode 215 exposed at the bottom surface of the contact hole.
- an indium oxide-based transparent conductive layer for example, ITO
- a zinc oxide-based transparent conductive layer for example, IZO, ZnO
- a conductive layer 219 is provided over the planarization layer 217.
- the conductive layer 219 can be formed using a material similar to that of the source or drain electrode 215 and the source or drain electrode 216.
- the conductive layer 219 is used for forming a lead wiring in the peripheral region 110 and a capacitor element additionally provided in the pixel 109. Note that by providing the transparent conductive layer 218 over the source or drain electrode 215, it is possible to protect against patterning when the conductive layer 219 is formed.
- the conductive layer 219 may be formed at the same time using the same conductive material as the transparent conductive layer 218.
- an inorganic insulating layer 221 is provided on the transparent conductive layer 218.
- a silicon nitride film or the like is preferably used as the inorganic insulating layer 221.
- a contact hole is formed in the inorganic insulating layer 221 in a region where the source or drain electrode 215 and the transparent conductive layer 218 overlap.
- an element formation layer 120 a layer in which the semiconductor layer 211 to the inorganic insulating layer 221 are formed is referred to as an element formation layer 120. Note that the element formation layer 120 only needs to have at least a transistor, and thus other layers may be omitted as appropriate.
- a pixel electrode 222 is provided on the inorganic insulating layer 221.
- the pixel electrode 222 is connected to the transparent conductive layer 218 through a contact hole provided in the inorganic insulating layer 221. Accordingly, the pixel electrode 222 is electrically connected to the source or drain electrode 215.
- the pixel electrode 222 functions as a pixel electrode (anode) that constitutes the light emitting element 230.
- the pixel electrode 222 has a different structure depending on whether it is a top emission type or a bottom emission type.
- a metal film having a high reflectance is used as the pixel electrode 222, or a work function such as an indium oxide-based transparent conductive layer (for example, ITO) or a zinc oxide-based transparent conductive layer (for example, IZO, ZnO) is used.
- a laminated structure of a high transparent conductive layer and a metal film is used.
- the above-described transparent conductive layer is used as the pixel electrode 222.
- a top emission type organic EL display device will be described as an example.
- an additional capacitor can be formed using the conductive layer 219, the inorganic insulating layer 221, and the pixel electrode 222.
- this embodiment demonstrated the structure which provides the transparent conductive layer 218, this invention is not limited to this.
- the transparent conductive layer 218 is not provided, and the source or drain electrode 215 and the pixel electrode 222 can be directly connected to each other through a contact hole provided in the planarization layer 217. Further, the conductive layer 219 and the inorganic insulating layer 221 may be omitted.
- An insulating layer 223 made of an organic resin material is provided on the pixel electrode 222.
- the organic resin material a known resin material such as polyimide, polyamide, acrylic, epoxy, or siloxane can be used.
- the insulating layer 223 has an opening in part over the pixel electrode 222.
- the insulating layer 223 is provided between the pixel electrodes 222 adjacent to each other so as to cover an end portion (edge portion) of the pixel electrode 222 and functions as a member separating the adjacent pixel electrodes 222. For this reason, the insulating layer 223 is also generally called “partition wall” or “bank”. A part of the pixel electrode 222 exposed from the insulating layer 223 becomes a light emitting region of the light emitting element 230.
- the opening of the insulating layer 223 is preferably configured so that the inner wall has a tapered shape. Thereby, when forming the organic layer 224, which will be described later, it is possible to reduce the coverage defect at the end of the pixel electrode 222.
- the insulating layer 223 may function not only to cover the end portion of the pixel electrode 222 but also to function as a filler that fills the recess caused by the contact hole included in the planarization layer 217.
- the organic layer 224 is provided on the pixel electrode 222.
- the organic layer 224 includes a light emitting layer made of at least an organic material and functions as a light emitting portion of the light emitting element 230.
- the organic layer 224 may also include various charge transport layers such as a hole injection layer and / or a hole transport layer, an electron injection layer and / or an electron transport layer.
- the organic layer 224 is provided so as to cover the light emitting region, that is, cover the opening of the insulating layer 223 in the light emitting region.
- each color of RGB is displayed by providing the organic layer 224 including a light-emitting layer that emits light of a desired color and forming the organic layer 224 including different light-emitting layers on each pixel electrode 222.
- the configuration that is, in this embodiment, the light emitting layer of the organic layer 224 is discontinuous between the adjacent pixel electrodes 222.
- the hole injection layer and / or the hole transport layer, the electron injection layer, and / or the electron transport layer can be continuously provided between the adjacent pixel electrodes 222.
- the organic layer 224 a known structure or a known material can be used, and the organic layer 224 is not particularly limited to the configuration of the present embodiment.
- the organic layer 224 may include a light emitting layer that emits white light, and may display each color of RGB through a color filter. In this case, the organic layer 224 may also be provided over the insulating layer 223.
- a common electrode 225 is provided on the organic layer 224 and the insulating layer 223.
- the common electrode 225 functions as a common electrode (cathode) constituting the light emitting element 230. Since the display device 100 of this embodiment is a top emission type, a transparent electrode is used as the common electrode 225.
- a transparent electrode is used as the common electrode 225.
- an MgAg thin film or a transparent conductive layer (ITO or IZO) is used as the thin film constituting the transparent electrode.
- the light emitting element 230 is configured by a part (anode) of the pixel electrode 222 exposed from the insulating layer 223, the organic layer 224 (light emitting portion), and the common electrode 225 (cathode).
- a layer from the pixel electrode 222 to the common electrode 225 is referred to as a light emitting element layer 130.
- the common electrode 225 is provided in common for the plurality of light emitting elements 230. That is, the common electrode 225 is formed of a transparent conductive layer that is continuous over the entire display region 103. The common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 provided below the element formation layer 120 in the peripheral region 110.
- the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 through a contact hole included in the undercoat layer 202.
- the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 via a plurality of conductive layers.
- the common electrode 225 is connected to the cathode wiring 201 through a conductive layer 241, a conductive layer 242, and a transparent conductive layer 243.
- the conductive layer 241 is formed from the same film as the gate electrode 213, and the conductive layer 242 is formed from the same film as the source or drain electrodes 215 and 215.
- the transparent conductive layer 243 is formed from the same film as the pixel electrode 222.
- the common electrode 225 is connected to the cathode wiring 201 through the conductive layer 241, the conductive layer 242, and the transparent conductive layer 243, but the present invention is not limited to this.
- a conductive layer may be further provided between the common electrode 225 and the cathode wiring 201, or any one of the conductive layers 241, 242, and 243 may be omitted. Good.
- the cathode contact 140 illustrated in FIG. 1 has the same structure as the cathode contact 150.
- a sealing layer 160 is provided so as to cover the light emitting element 230 and the cathode contact 150.
- the sealing layer 160 is formed by combining an inorganic insulating layer and an organic insulating layer.
- FIG. 4 illustrates a structure in which an inorganic insulating layer 231, an organic insulating layer 232, and an inorganic insulating layer 233 are sequentially stacked as a sealing layer.
- a resin layer 234 is provided on the sealing layer 160. Resins such as epoxy resin and acrylic resin are included.
- the resin layer 234 is formed by applying an oligomer as a raw material by a wet film forming method, a vapor deposition method, a spray method, or the like, and then polymerizing.
- the resin layer 234 functions as a mask for patterning the inorganic insulating layer 221, the inorganic insulating layer 231, and the inorganic insulating layer 233. By using the resin layer 234 as a mask, the inorganic insulating layer 221, the inorganic insulating layer 231, and the inorganic insulating layer 233 are removed, so that the interlayer insulating layer 214 and the wiring 245 are exposed.
- the adhesive material 235 is provided on the resin layer 234.
- the adhesive 235 for example, an acrylic, rubber, silicone, or urethane adhesive can be used.
- the adhesive material 235 may contain a water-absorbing substance such as calcium or zeolite. By including a water-absorbing substance in the adhesive material 235, it is possible to delay the moisture from reaching the light emitting element 230 even when moisture enters the display device 100.
- the adhesive material 235 may be provided with a spacer in order to secure a gap between the substrate 101 and the substrate 102. Such a spacer may be mixed with the adhesive material 235 or may be formed on the substrate 101 with a resin or the like.
- the substrate 102 may be provided with, for example, an overcoat layer also for planarization.
- the substrate 102 has a color filter corresponding to each color of RGB on the main surface (a surface facing the substrate 101) and a black matrix provided between adjacent color filters. May be provided.
- the color filter may be formed directly on the sealing layer 160 and the adhesive material 235 may be formed thereon.
- a polarizing plate 236 is provided on the back surface (display surface side) of the substrate 102.
- the polarizing plate 236 is, for example, a circular polarizing plate.
- the substrate 102 may be omitted, and a circularly polarizing plate may be attached to the array substrate via an adhesive. In other words, the substrate 102 may be a circularly polarizing plate.
- a wiring 244 is provided on the gate insulating layer 212, and a wiring 245 is provided on the interlayer insulating layer 214.
- the wiring 244 and the wiring 245 are electrically connected to the driver IC 105 illustrated in FIG. Since the peripheral area 110 shown in FIG. 4 is in the vicinity of the display area 103 and the driver IC 105, a large number of wirings are mixed. In this embodiment, since the cathode wiring 201 is provided below the element formation layer 120, the wiring structure in the vicinity of the display region 103 and the driver IC 105 can be simplified and the frame can be reduced.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the terminal 107 shown in FIG. 1 cut along the line C1-C2.
- the cathode wiring 201 is provided on the substrate 101.
- An undercoat layer 202 and a gate insulating layer 212 are provided on the cathode wiring 201.
- the undercoat layer 202 and the gate insulating layer 212 are provided with openings.
- a conductive layer 251 is provided over the gate insulating layer 212.
- the conductive layer 251 is formed of the same film as the gate electrode 213 illustrated in FIG.
- the conductive layer 251 is connected to the cathode wiring 201 through an opening provided in the undercoat layer 202 and the gate insulating layer 212.
- An interlayer insulating layer 214 is provided over the conductive layer 251, and an opening is provided in the interlayer insulating layer 214.
- a conductive layer 252 is provided over the interlayer insulating layer 214.
- the conductive layer 252 is formed of the same film as the source electrode or the drain electrode.
- the conductive layer 252 is connected to the conductive layer 252 through an opening provided in the interlayer insulating layer 214.
- An inorganic insulating layer 221 is provided over the conductive layer 252.
- An opening is provided in the inorganic insulating layer 221.
- a transparent conductive layer 253 is provided over the inorganic insulating layer 221.
- the transparent conductive layer 253 is formed from the same film as the common electrode 225.
- the transparent conductive layer 253 is connected to the conductive layer 252 through an opening provided in the inorganic insulating layer 221.
- the transparent conductive layer 253 is electrically connected to the flexible printed circuit board through an anisotropic conductive film. That is, the flexible printed circuit board is electrically connected to the cathode wiring 201.
- the cathode wiring is usually provided on the same layer as the scanning line or signal line. Accordingly, a scanning line or a signal line and a cathode wiring are provided in a region between the driver IC and the terminal portion. Therefore, the wiring structure becomes complicated and the area increases in the region between the driver IC and the terminal portion. In particular, it becomes more conspicuous when the number of wires increases for higher definition.
- the cathode wiring 201 is connected to the transparent conductive layer 253 in a region overlapping with the transparent conductive layer 253. In the region where the transparent conductive layer 253 is provided, the region electrically connected to the flexible printed circuit board and the region electrically connected to the cathode wiring 201 overlap.
- the cathode wiring 201 By providing the cathode wiring 201 under the element formation layer 120, it can be provided in a layer further below the scanning line and the signal line. Therefore, the cathode wiring 201 having a large width can be provided also in the region between the driver IC 105 and the terminal portion 108. Thereby, the wiring structure in the region between the driver IC 105 and the terminal portion 108 can be simplified and the frame can be narrowed. This is particularly effective when the number of wirings increases as the definition becomes higher.
- the region where the transparent conductive layer 253 is electrically connected to the flexible printed circuit board does not necessarily overlap with the region where the conductive layer 251 and the cathode wiring 201 are connected. It is only necessary that the conductive layer 251 and the cathode wiring 201 are connected in the vicinity of the transparent conductive layer 253.
- a terminal 107A having a structure partially different from the terminal 107 shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. A difference from the terminal 107 illustrated in FIG. 5 is that the conductive layer 251 is not provided.
- the cathode wiring 201 shown in FIG. 6 is connected to the conductive layer 252 through openings provided in the undercoat layer 202, the gate insulating layer 212, and the interlayer insulating layer 214.
- an inorganic insulating layer 221 is provided over the conductive layer 252 and connected to the conductive layer 252 through an opening provided in the inorganic insulating layer 221.
- the flexible printed circuit board and the cathode wiring 201 can be electrically connected also by the structure of the terminal 107A shown in FIG. In this manner, by providing the cathode wiring 201 under the element formation layer 120, the cathode wiring 201 can be provided in a layer lower than the scanning line and the signal line. Therefore, the cathode wiring 201 having a large width can be provided also in the region between the driver IC 105 and the terminal portion 108. Thereby, the wiring structure in the region between the driver IC 105 and the terminal portion 108 can be simplified and the frame can be narrowed. This is particularly effective when the number of wirings increases as the definition becomes higher.
- an undercoat layer 203 is further provided between the substrate 101 and the cathode wiring 201.
- the undercoat layer 203 silicon oxide and silicon nitride can be used.
- another resin layer may be further provided between the cathode wiring 201 and the undercoat layer 202.
- substrate 101 can be used, for example.
- FIG. 8 is a schematic plan view of the display device 100B.
- the cathode wiring 201 is provided in a flat plate shape overlapping the display region 103, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 8, the cathode wiring 201 ⁇ / b> B only needs to overlap with at least a part of the display region 103.
- the cathode wiring 201B has a shape in which a plurality of wirings 201a are provided along the second direction. That is, the cathode wiring 201 ⁇ / b> B is provided in a stripe shape so as to overlap the display region 103.
- the width L1 of the wiring 201a may be larger than the width L2 of the driving circuit 104a or may be larger than the width L3 of the peripheral region 110. Since the cathode wiring 201 is provided below the element formation layer 120, the width L1 of the wiring 201a can be increased. Note that the width L1 of the wiring 201a only needs to be larger than at least the width of the signal line 142 connected to the transistor 220.
- the number of wirings 201a is not particularly limited, and may be two or four or more. Further, the width L1 of each of the plurality of wirings 201a may be smaller than the width L2 of the drive circuit 104a. In this case, the total width L1 of the plurality of wirings 201a is preferably larger than the width L2 of the driver circuit 104a and larger than the width L3 of the peripheral region 110.
- the present invention is not limited to this. Further, the widths of the plurality of wirings 201a may not all be the same. However, the plurality of wirings 201a are preferably provided so as to be symmetrical in order to avoid variation in the amount of current applied to the common electrode 225.
- FIG. 9 is a schematic plan view of the display device 100C.
- the cathode wiring 201C has a shape in which a plurality of wirings 202b are provided along the first direction (the x direction in FIG. 9). That is, the cathode wiring 201 ⁇ / b> C is provided in a stripe shape so as to overlap the display region 103.
- the width L4 of the wiring 201b may be larger than the width L2 of the driving circuit 104a or may be larger than the width L3 of the peripheral region 110. Since the cathode wiring 201C is provided below the element formation layer 120, the width L1 of the wiring 201a and the width L4 of the wiring 201b can be increased.
- the width L4 of the wiring 201b only needs to be larger than at least the width of the scanning line 141 connected to the transistor 220.
- the number of wirings 201a is not particularly limited, and may be two or four or more.
- the width L4 of each of the plurality of wirings 201b may be smaller than the width L2 of the drive circuit 104a.
- the total width of the widths L1 of the plurality of wirings 201b is preferably larger than the width L2 of the driver circuit 104a and larger than that of the peripheral region 103L3. Further, when the display device 100C is bent along the first direction, it is preferable that the display device 100C be bent along the line D1-D2 where the wiring 201b is not provided.
- the present invention is not limited to this.
- the plurality of wirings 201b are preferably provided so as to be vertically symmetrical so that variations in the amount of current applied to the common electrode 225 do not occur.
- the width of the cathode wiring 201C can be increased without being restricted by the area of the peripheral region 110. Thereby, the resistance of the cathode wiring 201C can be reduced. In addition, since it is not necessary to provide a cathode wiring having a large width and thickness in the peripheral region 110, the area of the peripheral region 110 can be reduced. That is, the frame of the display device 100C can be reduced.
- FIG. 10 is a schematic plan view of the display device 100D.
- the cathode wiring 201 includes a plurality of wirings 201a provided in the second direction (y direction in FIG. 10) and a plurality of wirings 202b in the first direction (in FIG. 10). It has a lattice-like shape provided along (x direction). That is, the cathode wiring 201 ⁇ / b> D is provided in a lattice shape so as to overlap the display region 103.
- the width L1 of the wiring 201a and the width L4 of the wiring 201b are as described in FIGS.
- the cathode wiring 201D is prevented from cracking. be able to.
- the width of the cathode wiring 201D can be increased without being restricted by the area of the peripheral region 110. Thereby, the resistance of the cathode wiring 201D can be reduced.
- the area of the peripheral region 110 can be reduced. That is, the frame of the display device 100D can be reduced.
- FIG. 11 is a schematic plan view of the display device 100E.
- the cathode wiring 201E may overlap not only the display area 103 but also a part of the drive circuits 104a and 104b.
- the common electrode 225 may overlap with the drive circuits 104a and 104b.
- the undercoat layer 202 has contact holes between the display region 103 and the drive circuit 104a and between the display region 103 and the drive circuit 104b. Therefore, as shown in FIG. 11, the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 through the contact hole between the display region 103 and the drive circuit 104a. The common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 through a contact hole between the display region 103 and the drive circuit 104b.
- a region where the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 between the display region 103 and the drive circuit 104a is shown as a cathode contact 180a. Further, a region where the common electrode 225 is electrically connected to the cathode wiring 201 between the display region 103 and the drive circuit 104b is shown as a cathode contact 180b. Note that the description of FIG. 4 can be referred to for the structure of the cathode contacts 180a and 180b.
- the cathode wiring 201E is provided below the element formation layer 120, it can be provided in various shapes.
- the width of the cathode wiring 201E can be increased without being restricted by the area of the peripheral region 110. Thereby, the resistance of the cathode wiring 201E can be reduced.
- the area of the peripheral region 110 can be reduced. That is, the frame of the display device 100E can be reduced.
- the thickness of the display device 100E can be reduced.
- FIG. 12 is a schematic plan view of the display device 100F.
- a plurality of cathode contacts 190 that connect the cathode wiring 201 ⁇ / b> F and the common electrode 225 may be formed in the display region 103.
- the common electrode 225 is formed of a transparent conductive material, the resistance becomes high. Therefore, when the connection with the cathode wiring 201F is performed only in the peripheral region 110, the distance from the connection portion to the center of the screen is large. Causes a voltage drop. Therefore, by providing the cathode contact 190 also in the display region 103, the common electrode 225 and the cathode wiring 201F are directly connected near the center of the screen, so that the voltage drop in the display region 103 can be further suppressed. .
- the cathode contact 190 is provided, for example, by opening an insulating layer 223, an inorganic insulating layer 221, a planarizing layer 217, an interlayer insulating layer 214, a gate insulating layer 212, and an undercoat layer 202 between adjacent light emitting regions.
- the organic layer 224 is formed using a mask so as not to overlap with the opening for forming the cathode contact 190.
- cathode contacts for connecting the cathode wiring 201 and the common electrode 225 may be provided in the display region 103, respectively. Since the common electrode 225 and the cathode wiring 201 are directly connected in the display region 103, a voltage drop in the display region 103 can be further suppressed.
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Abstract
【課題】狭額縁化された表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置は、基板と、基板上の第１配線と、第１配線上の第１コンタクトホールを有する第１絶縁層と、第１絶縁層上に、表示領域に配列された各々が発光素子を有する複数の画素と、複数の発光素子に共通して設けられ、表示領域を囲む周辺領域において第１配線と第１コンタクトホールを介して電気的に接続される共通電極と、を有する。狭額縁化が図られた表示装置を提供することができる。
Description
本発明の一実施形態は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置に関する。
近年、表示装置として、有機ＥＬ材料を表示部の発光素子に用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されてきている。このような有機ＥＬ表示装置では、基板上にトランジスタと、トランジスタ上に発光素子とが形成されている。発光素子は、トランジスタと電気的に接続された画素電極と、発光層を有する有機層と、共通電極とがこの順で形成されている。発光素子は、画素電極と共通電極との一方をアノード（陽極）、他方をカソード（陰極）とし、アノードとカソードとの間に電流を流すことにより発光する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、共通電極は、表示領域の全域にわたる一枚の透明導電層で形成されており、発光層において発光した光は、共通電極を透過して外部に射出される。
有機ＥＬ表示装置は、視認性やコントラスト向上を目的とした高輝度化への要求が強まっており、そのために有機ＥＬ素子にはより大きな電流を供給することが求められる。従って、有機ＥＬ素子への電流供給経路はできるだけ低抵抗化することが望ましい。
カソード配線を低抵抗化するためには、厚み又は幅を増加させることが有効である。しかしながら、表示領域の周辺領域に、厚み又は幅が大きいカソード配線を設けると、表示装置の狭額縁化の妨げとなる。また、表示領域の拡大に伴いカソード配線長も長くなるため、周辺領域におけるカソード配線の占める割合がさらに高くなってしまう。
そこで、本発明は、狭額縁化が図られた表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板と、基板上の第１配線と、第１配線上の第１コンタクトホールを有する第１絶縁層と、第１絶縁層上に、表示領域に配列された各々が発光素子を有する複数の画素と、複数の発光素子に共通して設けられ、表示領域を囲む周辺領域において第１配線と第１コンタクトホールを介して電気的に接続される共通電極と、を有する。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する第１基板から画素電極に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（第１実施形態）
本実施形態に係る表示装置について、図１乃至図５を参照して説明する。
本実施形態に係る表示装置について、図１乃至図５を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した平面概略図である。図１に示すように、表示装置１００は、表示領域１０３及び表示領域１０３を囲む周辺領域１１０と、を有する。
表示領域１０３には、マトリクス状に配列された複数の画素１０９を有する。複数の画素の各々は、発光素子を有する。
周辺領域１１０には、複数の端子１０７を有する端子部１０８と、ドライバＩＣ１０５と、駆動回路１０４ａ、１０４ｂが設けられている。なお、周辺領域１１０とは、基板１０１において、表示領域１０３から基板１０１の端部までの領域をいう。また、基板１０１は、第１方向（図１ではｘ方向）に沿う第１の辺１０１ａと、第１方向と交差する第２方向（図１ではｙ方向）に沿う第２の辺１０１ｂと、第１の辺１０１ａと表示領域１０３を挟んで対向する第３の辺１０１ｃと、第２の辺と表示領域１０３を挟んで対向する第４の辺１０１ｄを有する。
端子部１０８は、基板１０１の第１方向に沿う第１の辺１０１ａと表示領域１０３との間に設けられており、ドライバＩＣ１０５は、端子部１０８と表示領域１０３との間に設けられている。また、駆動回路１０４ａは、基板１０１の第１方向と交差する第２の方向に沿う第２の辺１０１ｂと表示領域１０３との間に設けられている。また、駆動回路１０４ｂは、基板１０１の第２の辺１０１ｂと表示領域１０３を挟んで対向する第４の辺１０１ｄと表示領域１０３との間に設けられている。
駆動回路１０４ａ、１０４ｂは、画素１０９と接続される走査線に接続され、走査線駆動回路として機能する。また、ドライバＩＣ１０５には、画素１０９と接続される信号線に接続され、信号線駆動回路が組み込まれている。なお、図１においては、ドライバＩＣ１０５に、信号線駆動回路が組み込まれている例を示すが、ドライバＩＣ１０５とは別に、基板１０１上に信号線駆動回路が設けられていてもよい。
ドライバＩＣ１０５は、ＩＣチップのような形態で基板１０１上に配置してもよい。また、ドライバＩＣ１０５は、図示しないが、フレキシブルプリント回路基板上に設けてもよい。フレキシブルプリント回路基板は、基板１０１に設けられた端子部１０８と接続される。
各画素１０９には、ドライバＩＣ１０５から信号線を介して、画像データに応じた映像信号が与えられる。また、各画素１０９には、ドライバＩＣ１０５から駆動回路１０４ａ、１０４ｂと、走査線とを介して各画素１０９を選択する信号が与えられる。これらの信号により、画素１０９が有するトランジスタを駆動させて、画像データに応じた画面表示を行うことができる。
図２に、画素１０９の画素回路を示す。画素１０９は、少なくともトランジスタ２１０、トランジスタ２２０、発光素子２３０、及び保持容量２４０を有する。
トランジスタ２１０は、駆動トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタ２１０は、発光素子２３０に接続され、発光素子２３０の発光輝度を制御するトランジスタである。トランジスタ２１０は、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有する。また、トランジスタ２１０のゲートは、トランジスタ２２０に接続され、ソース、ドレインの一方が駆動電源線１４３に接続され、ソース、ドレインの他方が発光素子２３０の画素電極に接続されている。トランジスタ２１０は、ゲート－ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。
トランジスタ２２０は、選択トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタ２２０は、信号線１４２とトランジスタ２１０のゲートとの導通状態を制御する。トランジスタ２２０は、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有する。トランジスタ２２０のゲートが走査線１４１に接続され、ソース、ドレインの一方が信号線１４２に接続されて、ソース、ドレインの他方がトランジスタ２１０のゲートに接続されている。
保持容量２４０の一方の電極が、トランジスタ２１０のゲートに接続され、他方が駆動電源線１４３に接続される。駆動電源線１４３は一定電位が与えられているので、保持容量２４０によってトランジスタ２１０のゲート電位は一定期間保持される。保持容量２４０が駆動トランジスタ２１０のゲートとソースとの間に設けられる場合は、保持容量２４０によって駆動トランジスタ２１０のゲート－ソース間電圧は一定期間保持される。
発光素子２３０は、トランジスタ２１０と電気的に接続された画素電極と、画素電極上の有機層と、有機層上の共通電極とを有している。具体的には、発光素子２３０の画素電極がトランジスタ２１０のソース、ドレインの他方に接続され、共通電極がカソード配線２０１に接続されている。
発光素子２３０の画素電極は、画素１０９のそれぞれに設けられている。また、共通電極は、透明導電層が表示領域１０３の全域に亘って連続的に設けられている。透明導電層として、例えば、酸化インジウムスズなどの材料が用いられるが、透明導電層は、アルミニウムなどの金属と比較して抵抗が高い。そのため、表示領域の全域にわたる一枚の透明導電層に一様に電流を流すためには、面内で電圧降下が生じにくいようにすることが望ましい。また、共通電極に電流を供給するためのカソード配線にも大電流が流れる。したがって、カソード配線の抵抗値が十分に低くなるように形成する必要がある。
カソード配線を低抵抗化するためには、厚み又は幅を増加させることが有効である。しかしながら、表示領域の周辺領域に、厚み又は幅が大きいカソード配線を設けると、表示装置の狭額縁化の妨げとなる。また、表示領域の拡大に伴いカソード配線長も長くなるため、表示装置を大きくしていく際に、周辺領域におけるカソード配線の占める面積の割合がさらに高くなってしまう。
また、カソード配線は、通常、数μｍから数十μｍの幅で設けられる。カソード配線の幅が小さいと配線抵抗が大きくなる。そのため、カソード配線に大電流が流れると、発熱量が増大する。
また、カソード配線は、通常、ドライバＩＣと表示領域とを接続する配線、又はドライバＩＣと駆動回路とを接続する配線と同じ層上に設けられる。そのため、ドライバＩＣと表示領域との間の領域において、配線構造が複雑化し、面積が大きくなってしまう。特に、高精細化に配線数が増大する場合には、より顕著となる。
そこで、本発明の一実施形態では、共通電極と電気的に接続されるカソード配線を、トランジスタが形成される層よりも下層に設ける。そして、共通電極を、アンダーコート層２０２のコンタクトホールを介して、カソード配線２０１と電気的に接続する。
図３に、図１に示す表示装置１００を、Ａ１－Ａ２線に沿って切断した断面概略図を示す。
図３に示すように、基板１０１上にはカソード配線２０１が設けられている。基板１０１は、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。また、基板１０２も、基板１０１と同様の材料を用いることができる。本実施形態では、基板１０１及び基板１０２として、可撓性を有する基板を用いて、表示装置１００を構成する例について説明する。基板１０１及び基板１０２として、可撓性を有する基板を用いることにより、表示装置１００を折り曲げることが可能となる。
カソード配線２０１は、例えば、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料を用いて、単層又は積層して形成することができる。カソード配線２０１は、チタン、アルミニウム、及びチタンを積層して形成することで、低抵抗化と、他層の配線との接続性の向上を実現することができる。また、カソード配線２０１は、図１に示すように表示領域１０３と重畳するように設けられている。
カソード配線２０１上にはアンダーコート層２０２が設けられている。アンダーコート層２０２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で形成される絶縁層である。アンダーコート層は、単層に限定されるわけではなく、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有していてもよい。アンダーコート層２０２は、基板１０１から不純物が素子形成層１２０に侵入することを防止するために設ける。
アンダーコート層２０２上には、素子形成層１２０が設けられている。素子形成層１２０には、画素１０９や駆動回路１０４ａ、１０４ｂを構成するトランジスタが複数形成されている。トランジスタは、典型的には、薄膜トランジスタを用いることができる。また、Ｎｃｈ型トランジスタ及びＰｃｈ型トランジスタのいずれも用いることができる。
また、素子形成層１２０上には、発光素子層１３０が設けられている。発光素子層１３０には、画素１０９を構成する発光素子が複数形成されている。なお、基板１０１において、発光素子層１３０が設けられた領域が、表示領域１０３に相当する。また、発光素子層１３０の最上層には、共通電極２２５が設けられている。共通電極２２５は、複数の画素に共通して設けられている。つまり、共通電極２２５表示領域１０３の全域に亘って連続した透明導電層で形成されている。
そして、共通電極２２５は、周辺領域１１０において、素子形成層１２０よりも下層に設けられたカソード配線２０１と電気的に接続されている。図１に示すように、共通電極２２５は、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３との間において、アンダーコート層２０２に設けられたコンタクトホールを介してカソード配線２０１と電気的に接続される。また、共通電極２２５は、基板１０１の第１の辺と表示領域１０３を挟んで対向する第３の辺と、表示領域１０３との間において、アンダーコート層２０２に設けられたコンタクトホールを介してカソード配線２０１と電気的に接続される。本明細書等において、共通電極２２５とカソード配線２０１とが電気的に接続された領域を、カソードコンタクトと呼ぶ。
図１及び図３において、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３との間において、共通電極２２５がカソード配線２０１と電気的に接続された領域を、カソードコンタクト１５０として示している。また、第３の辺と表示領域１０３との間において、共通電極２２５がカソード配線２０１と電気的に接続された領域を、カソードコンタクト１４０として示している。
また、カソード配線２０１は、端子部１０８が有する複数の端子１０７の少なくとも一つと電気的に接続されている。カソード配線２０１が端子１０７と電気的に接続された領域を、コンタクト１７０として示している。
素子形成層１２０の下にカソード配線２０１を設けることで、カソード配線２０１の幅を、周辺領域１１０の面積の制約を受けることなく大きくすることができる。これにより、カソード配線２０１の低抵抗化を図ることができる。また、周辺領域１１０に幅及び厚みが大きいカソード配線を設ける必要がなくなるため、周辺領域１１０の面積を削減することができる。つまり、表示装置１００の狭額縁化を図ることができる。
また、素子形成層１２０よりも下層にカソード配線２０１を設けることで、カソード配線２０１の幅及び厚みを大きくすることができる。これにより、カソード配線２０１の抵抗値を小さくすることができる。よって、カソード配線２０１に大電流が流れることによる発熱量を低減することができる。
また、素子形成層１２０よりも下層にカソード配線２０１を設けることで、カソード配線２０１を、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３とを接続する配線、及びドライバＩＣ１０５と駆動回路１０４ａ、１０４ｂとを接続する配線よりもさらに下の層に設けることができる。つまり、カソード配線２０１は、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３とを接続する配線、及びドライバＩＣ１０５と駆動回路１０４ａ、１０４ｂとを接続する配線と重畳させることができる。これにより、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３との間の領域にも、幅及び厚みが大きいカソード配線２０１を設けることができる。したがって、ドライバＩＣ１０５と表示領域１０３との間の領域の配線構造の簡略化及び狭額縁化を図ることができる。特に、高精細化に伴い配線数が増大する場合に有効である。また、駆動回路１０４ｂは、基板１０１の第２の辺と表示領域１０３を挟んで対向する第４の辺と、表示領域１０３との間に設けられている。
図３に示すように、共通電極２２５上には、封止層１６０が設けられている。封止層１６０は、発光素子層１３０に水分が侵入することを防止するために設けられる。封止層１６０は、無機絶縁層及び有機絶縁層を用いて形成することができる。封止層１６０上に、粘着材２３５を介して基板１０２が設けられている。
次に、素子形成層１２０、発光素子層１３０、及びカソードコンタクト１５０の構成について、図４を参照してより詳細に説明する。図４は、図１に示すＢ１－Ｂ２線に沿って切断した断面図である。
まず、複数のトランジスタが設けられる素子形成層１２０、及び複数の発光素子２３０が設けられる発光素子層１３０の構造について説明する。
図４に示すように、基板１０１上には、カソード配線２０１が設けられている。また、カソード配線２０１上には、アンダーコート層２０２が設けられている。
アンダーコート層２０２上には、トランジスタ２１０が設けられる。トランジスタ２１０の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。図４では、トランジスタ２１０は、トップゲート型である。トランジスタ２１０は、アンダーコート層２０２上に設けられた半導体層２１１、半導体層２１１を覆うゲート絶縁層２１２、ゲート絶縁層２１２上に設けられたゲート電極２１３を含む。また、トランジスタ２１０上には、ゲート電極２１３を覆う層間絶縁層２１４、層間絶縁層２１４上に設けられ、それぞれ半導体層２１１に接続されたソース電極又はドレイン電極２１５、ソース電極又はドレイン電極２１６が設けられている。なお、本実施形態では、層間絶縁層２１４が単層構造を有している例を説明しているが、層間絶縁層２１４は積層構造を有していてもよい。
なお、トランジスタ２１０を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。例えば、半導体層２１１としては、一般的にはポリシリコン、アモルファスシリコン、又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁層２１２としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極２１３は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。層間絶縁層２１４としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極２１５、ソース電極又はドレイン電極２１６は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。
なお、図４には図示しないが、ゲート電極２１３と同じ層には、ゲート電極２１３と同じ膜から形成された走査線１４１を設けることができる。また、図４には図示しないが、ソース電極又はドレイン電極２１５、ソース電極又はドレイン電極２１６と同じ層には、走査線１４１と交差する方向に延在する信号線１４２を設けることができる。
トランジスタ２１０上には、平坦化層２１７が設けられる。平坦化層２１７は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。特に図示しないが、平坦化層２１７は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
平坦化層２１７は、ソース電極又はドレイン電極２１５の一部を露出させるコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、後述する画素電極２２２とソース電極又はドレイン電極２１５とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極２１５の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極２１５が露出される。
平坦化層２１７に設けられたコンタクトホールには、透明導電層２１８が設けられる。透明導電層２１８は、平坦化層２１７が有するコンタクトホールに重畳し、コンタクトホールの底面で露出されたソース電極又はドレイン電極２１５と電気的に接続する。透明導電層２１８として、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えば、ＩＺＯ、ＺｎＯ）を使用することができる。
また、平坦化層２１７上には、導電層２１９が設けられる。導電層２１９は、ソース電極又はドレイン電極２１５及びソース電極又はドレイン電極２１６と同様の材料を用いて形成することができる。また、導電層２１９は、周辺領域１１０における引き回し配線や、画素１０９内で、付加的に設けられる容量素子の形成に用いられる。なお、ソース電極又はドレイン電極２１５上に透明導電層２１８を設けることにより、導電層２１９を形成する際のパターニングから保護することができる。一方、導電層２１９は、透明導電層２１８と同じ導電材料を用いて、同時に形成されても良い。
また、透明導電層２１８上には、無機絶縁層２２１が設けられる。無機絶縁層２２１として、窒化シリコン膜などを使用することが好ましい。無機絶縁層２２１には、ソース電極又はドレイン電極２１５と、透明導電層２１８とが重畳する領域において、コンタクトホールが形成されている。
本明細書等において、半導体層２１１から無機絶縁層２２１までが形成された層を、素子形成層１２０と呼ぶ。なお、素子形成層１２０は少なくともトランジスタが形成されていればよいため、それ以外の層は適宜省略されていてもよい。
また、無機絶縁層２２１上には、画素電極２２２が設けられている。画素電極２２２は、無機絶縁層２２１に設けられたコンタクトホールを介して、透明導電層２１８と接続されている。これにより、画素電極２２２は、ソース電極又はドレイン電極２１５と電気的に接続される。本実施形態の表示装置１００において、画素電極２２２は、発光素子２３０を構成する画素電極（陽極）として機能する。画素電極２２２は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、トップエミッション型である場合、画素電極２２２として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、画素電極２２２として上述した透明導電層を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。また、導電層２１９、無機絶縁層２２１、及び画素電極２２２により、付加容量を構成することができる。
なお、本実施形態では、透明導電層２１８を設ける構成について説明したが、本発明はこれに限定されない。透明導電層２１８を設けず、平坦化層２１７に設けられたコンタクトホールにおいて、ソース電極又はドレイン電極２１５と、画素電極２２２とを直接接続する構成とすることもできる。また、導電層２１９及び無機絶縁層２２１は、省略してもよい。
画素電極２２２上には、有機樹脂材料で構成される絶縁層２２３が設けられる。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。絶縁層２２３は、画素電極２２２上の一部に開口部を有する。絶縁層２２３は、互いに隣接する画素電極２２２の間に、画素電極２２２の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接する画素電極２２２を離隔する部材として機能する。このため、絶縁層２２３は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この絶縁層２２３から露出された画素電極２２２の一部が、発光素子２３０の発光領域となる。絶縁層２２３の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する有機層２２４の形成時に、画素電極２２２の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。絶縁層２２３は、画素電極２２２の端部を覆うだけでなく、平坦化層２１７が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。
画素電極２２２上には、有機層２２４が設けられる。有機層２２４は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子２３０の発光部として機能する。有機層２２４には、発光層以外に、正孔注入層及び／又は正孔輸送層、電子注入層及び／又は電子輸送層といった各種の電荷輸送層も含まれ得る。有機層２２４は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における絶縁層２２３の開口部を覆うように設けられる。
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を含む有機層２２４を設け、各画素電極２２２上に異なる発光層を含む有機層２２４を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。つまり、本実施形態において、有機層２２４の発光層は、隣接する画素電極２２２の間では不連続である。また、図示しないが、正孔注入層及び／又は正孔輸送層、電子注入層及び／又は電子輸送層は、隣接する画素電極２２２の間では連続して設けることができる。有機層２２４として、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。また、有機層２２４は、白色光を発する発光層を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。この場合、有機層２２４は、絶縁層２２３上にも設けられてもよい。
有機層２２４上及び絶縁層２２３上には、共通電極２２５が設けられる。共通電極２２５は、発光素子２３０を構成する共通電極（陰極）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、共通電極２２５としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電層（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。本実施形態では、絶縁層２２３から露出した画素電極２２２の一部（アノード）、有機層２２４（発光部）、及び共通電極２２５（カソード）によって発光素子２３０が構成される。
本明細書等において、画素電極２２２から共通電極２２５までの層を、発光素子層１３０と呼ぶ。
共通電極２２５は、複数の発光素子２３０に共通して設けられる。つまり、共通電極２２５は、表示領域１０３の全域に亘って連続した透明導電層で形成される。そして、共通電極２２５は、周辺領域１１０において、素子形成層１２０よりも下層に設けられたカソード配線２０１と電気的に接続される。
次に、共通電極２２５とカソード配線２０１とが接続されたカソードコンタクト１５０の構造について説明する。
カソードコンタクト１５０において、共通電極２２５は、アンダーコート層２０２が有するコンタクトホールを介してカソード配線２０１と電気的に接続されている。また、共通電極２２５は、複数の導電層を介して、カソード配線２０１と電気的に接続されている。共通電極２２５は、例えば、図４に示すように、導電層２４１、導電層２４２、及び透明導電層２４３を介して、カソード配線２０１と接続されている。導電層２４１は、ゲート電極２１３と同じ膜から形成されており、導電層２４２は、ソース電極又はドレイン電極２１５、２１５と同じ膜から形成されている。また、透明導電層２４３は、画素電極２２２と同じ膜から形成されている。
図４では、共通電極２２５は、導電層２４１、導電層２４２、及び透明導電層２４３を介して、カソード配線２０１と接続されている例を示すが、本発明はこれに限定されない。共通電極２２５とカソード配線２０１との間にさらに導電層が設けられていてもよいし、又は導電層２４１、導電層２４２、及び透明導電層２４３のうちいずれかの導電層が省略されていてもよい。共通電極２２５とカソード配線２０１との間に複数の導電層を設けることで、共通電極２２５の凹凸が軽減されるため、共通電極２２５の段差被覆性を向上させることができる。
なお、図４では、カソードコンタクト１５０の構造について説明したが、図１に示すカソードコンタクト１４０も、カソードコンタクト１５０と同様の構造を有している。
発光素子２３０及びカソードコンタクト１５０上を覆うように、封止層１６０が設けられている。封止層１６０は、無機絶縁層と有機絶縁層とを組み合わせて形成される。図４では、封止層として、無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、及び無機絶縁層２３３が順に積層された構成を示している。
封止層１６０上には、樹脂層２３４が設けられている。エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の樹脂を含んでいる。また、樹脂層２３４は、原料となるオリゴマーを湿式成膜法、蒸着法、又はスプレー法などによって塗布し、その後重合することで形成される。樹脂層２３４は、無機絶縁層２２１、無機絶縁層２３１、及び無機絶縁層２３３のパターニングのためのマスクとして機能する。樹脂層２３４をマスクとして、無機絶縁層２２１、無機絶縁層２３１、及び無機絶縁層２３３を除去することにより、層間絶縁層２１４及び配線２４５が露出される。
樹脂層２３４上には、粘着材２３５が設けられている。粘着材２３５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、粘着材２３５には、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。粘着材２３５に吸水物質が含まれることにより、表示装置１００の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子２３０に水分が到達することを遅らせることができる。また、粘着材２３５には、基板１０１と基板１０２との間の間隙を確保するためにスペーサを設けてもよい。このようなスペーサは、粘着材２３５に混ぜてもよいし、基板１０１上に樹脂等により形成してもよい。
基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。有機層２２７が白色光を出射する場合、基板１０２には、主面（基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色にそれぞれ対応するカラーフィルタ、及び隣り合うカラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスが設けられていてもよい。基板１０２側にカラーフィルタを形成しない場合は、例えば、封止層１６０上に直接カラーフィルタを形成し、その上から粘着材２３５を形成すればよい。
基板１０２の裏面（表示面側）には、偏光板２３６が設けられている。偏光板２３６は、例えば円偏光板である。基板１０２を省略し、アレイ基板に接着材を介して円偏光板を貼り付けてもよい。換言すれば、基板１０２が円偏光板である構造にしてもよい。
また、周辺領域１１０において、ゲート絶縁層２１２上には配線２４４が設けられ、層間絶縁層２１４上には配線２４５が設けられている。配線２４４及び配線２４５は、図１に示すドライバＩＣ１０５と電気的に接続されている。図４に示す周辺領域１１０は、表示領域１０３とドライバＩＣ１０５の近傍であるため、多数の配線が混在している。本実施形態では、カソード配線２０１を素子形成層１２０よりも下層に設けられているため、表示領域１０３とドライバＩＣ１０５の近傍における配線構造を簡略化及び狭額縁化を図ることができる。
次に、図１に示す端子１０７の構成について、図５及び図６を参照してより詳細に説明する。図５は、図１に示す端子１０７をＣ１－Ｃ２線に沿って切断した断面図である。
図５に示すように、基板１０１上にカソード配線２０１が設けられている。カソード配線２０１上にアンダーコート層２０２及びゲート絶縁層２１２が設けられている。アンダーコート層２０２及びゲート絶縁層２１２には、開口部が設けられている。ゲート絶縁層２１２上には、導電層２５１が設けられている。導電層２５１は、図４に示すゲート電極２１３と同じ膜から形成されている。導電層２５１は、アンダーコート層２０２及びゲート絶縁層２１２に設けられた開口部を介して、カソード配線２０１と接続されている。
導電層２５１上に層間絶縁層２１４が設けられており、層間絶縁層２１４には開口部が設けられている。層間絶縁層２１４上には導電層２５２が設けられている。導電層２５２は、ソース電極又はドレイン電極と同じ膜から形成されている。導電層２５２は、層間絶縁層２１４に設けられた開口部を介して、導電層２５２と接続されている。
導電層２５２上に無機絶縁層２２１が設けられている。無機絶縁層２２１には開口部が設けられている。無機絶縁層２２１上には、透明導電層２５３が設けられている。透明導電層２５３は、共通電極２２５と同じ膜から形成されている。透明導電層２５３は、無機絶縁層２２１に設けられた開口部を介して、導電層２５２と接続されている。
図示しないが、透明導電層２５３は、異方性導電膜を介して、フレキシブルプリント回路基板と電気的に接続される。つまり、フレキシブルプリント回路基板は、カソード配線２０１と電気的に接続される。
カソード配線は、通常、走査線又は信号線と同じ層上に設けられる。したがって、ドライバＩＣと端子部の間の領域には、走査線又は信号線とカソード配線とが設けられることになる。そのため、ドライバＩＣと端子部との間の領域において、配線構造が複雑化し、面積が大きくなってしまう。特に、高精細化に配線数が増大する場合には、より顕著となる。
図５に示す端子１０７の構成によれば、カソード配線２０１は、透明導電層２５３と重畳する領域で、透明導電層２５３と接続される。透明導電層２５３が設けられる領域において、フレキシブルプリント回路基板と電気的に接続する領域と、カソード配線２０１と電気的に接続する領域とが重畳する。
素子形成層１２０の下にカソード配線２０１を設けることで、走査線及び信号線よりもさらに下の層に設けることができる。したがって、ドライバＩＣ１０５と端子部１０８との間の領域にも、幅の大きいカソード配線２０１を設けることができる。これにより、ドライバＩＣ１０５と端子部１０８との間の領域の配線構造の簡略化及び狭額縁化を図ることができる。特に、高精細化に伴い配線数が増大する場合に有効である。
また、透明導電層２５３がフレキシブルプリント回路基板と電気的に接続される領域は、導電層２５１とカソード配線２０１とが接続される領域と、必ずしも重畳していなくてもよい。透明導電層２５３の近傍において、導電層２５１とカソード配線２０１とが接続されていればよい。
（第２実施形態）
本実施形態では、図５に示す端子１０７とは一部異なる構造の端子１０７Ａについて、図６を参照して説明する。図５に示す端子１０７と異なる点は、導電層２５１が設けられていない点である。
本実施形態では、図５に示す端子１０７とは一部異なる構造の端子１０７Ａについて、図６を参照して説明する。図５に示す端子１０７と異なる点は、導電層２５１が設けられていない点である。
図６に示すカソード配線２０１は、アンダーコート層２０２、ゲート絶縁層２１２、及び層間絶縁層２１４に設けられた開口部を介して、導電層２５２と接続されている。また、導電層２５２上には、無機絶縁層２２１が設けられており、無機絶縁層２２１に設けられた開口部を介して、導電層２５２と接続されている。導電層２５１のパターニング時に、カソード配線２０１の表面がエッチングで浸食されない材料が選択されている場合は、図６の構造を取ることができる。
図６に示す端子１０７Ａの構造によっても、フレキシブルプリント回路基板と、カソード配線２０１とを電気的に接続することができる。このように、素子形成層１２０の下にカソード配線２０１を設けることで、走査線及び信号線よりもさらに下の層に設けることができる。したがって、ドライバＩＣ１０５と端子部１０８との間の領域にも、幅の大きいカソード配線２０１を設けることができる。これにより、ドライバＩＣ１０５と端子部１０８との間の領域の配線構造の簡略化及び狭額縁化を図ることができる。特に、高精細化に伴い配線数が増大する場合に有効である。
（第３実施形態）
本実施形態では、図３に示す表示装置とは一部異なる構成を有する表示装置について、図７を参照して説明する。
本実施形態では、図３に示す表示装置とは一部異なる構成を有する表示装置について、図７を参照して説明する。
図７に示す表示装置１００Ａでは、基板１０１とカソード配線２０１との間に、さらにアンダーコート層２０３が設けられている。アンダーコート層２０３として、酸化シリコン及び窒化シリコンを用いることができる。基板１０１とカソード配線２０１との間にアンダーコート層２０３を設けることにより、基板１０１から不純物が素子形成層１２０に侵入することを抑制することができる。
なお、図示はしないが、カソード配線２０１とアンダーコート層２０２との間に、他の樹脂層をさらに設けてもよい。他の樹脂層として、例えば、基板１０１として例示した材料を使用することができる。
（第４実施形態）
本実施形態では、カソード配線２０１の形状について、図８を参照して説明する。図８は、表示装置１００Ｂの平面概略図である。
本実施形態では、カソード配線２０１の形状について、図８を参照して説明する。図８は、表示装置１００Ｂの平面概略図である。
図１に示す表示装置１００では、カソード配線２０１は、表示領域１０３と重なる平板状に設けられる例を示したが、本発明はこれに限定されない。図８に示すように、カソード配線２０１Ｂは、表示領域１０３の少なくとも一部と重畳していればよい。
図８に示すように、カソード配線２０１Ｂは、複数の配線２０１ａが第２方向に沿って設けられる形状を有している。つまり、カソード配線２０１Ｂは、表示領域１０３と重なるようにストライプ状に設けられている。配線２０１ａの幅Ｌ１は、例えば、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも大きくしてもよいし、周辺領域１１０の幅Ｌ３よりも大きくしてもよい。カソード配線２０１は、素子形成層１２０よりも下層に設けられるため、配線２０１ａの幅Ｌ１を大きくすることができる。なお、配線２０１ａの幅Ｌ１は、少なくともトランジスタ２２０と接続される信号線１４２の幅よりも大きければよい。また、配線２０１ａの本数は、特に限定されず、２本であってもよいし、４本以上であってもよい。また、複数の配線２０１ａの各々の幅Ｌ１は、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも小さくてもよい。この場合は、複数の配線２０１ａの幅Ｌ１の合計の幅が、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも大きく、周辺領域１１０の幅Ｌ３のよりも大きくするとよい。
図８に示した構成によると、第２方向（図１ではｙ方向）に平行にスリットが設けられるため、第１方向（図８ではｘ方向）が円弧となる方向に表示装置１００Ｂを曲げる際に、カソード配線２０１Ｂにクラックが入ることを抑制することができる。
また、カソード配線２０１の複数の配線２０１ａが設けられる位置についても、表示領域１０３の両端及び中央に設ける例について示したが、これに限定されない。また、複数の配線２０１ａの幅についても、全て同じ幅でなくてもよい。ただし、共通電極２２５に印加される電流量にばらつきが生じないように、複数の配線２０１ａは、左右対称となるように設けることが好ましい。
（第５実施形態）
本実施形態では、カソード配線２０１Ｃの形状について、図９を参照して説明する。図９は、表示装置１００Ｃの平面概略図である。
本実施形態では、カソード配線２０１Ｃの形状について、図９を参照して説明する。図９は、表示装置１００Ｃの平面概略図である。
図９に示すように、カソード配線２０１Ｃは、複数の配線２０２ｂが第１方向（図９ではｘ方向）に沿って設けられた形状を有している。つまり、カソード配線２０１Ｃは、表示領域１０３と重なるようにストライプ状に設けられている。配線２０１ｂの幅Ｌ４は、例えば、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも大きくしてもよいし、周辺領域１１０の幅Ｌ３よりも大きくしてもよい。カソード配線２０１Ｃは、素子形成層１２０よりも下層に設けられるため、配線２０１ａの幅Ｌ１及び配線２０１ｂの幅Ｌ４を大きくすることができる。なお、配線２０１ｂの幅Ｌ４は、少なくともトランジスタ２２０と接続される走査線１４１の幅よりも大きければよい。また、配線２０１ａの本数は、特に限定されず、２本であってもよいし、４本以上であってもよい。また、複数の配線２０１ｂの各々の幅Ｌ４は、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも小さくてもよい。この場合は、複数の配線２０１ｂの幅Ｌ１の合計の幅が、駆動回路１０４ａの幅Ｌ２よりも大きく、周辺領域１０３Ｌ３のよりも大きくするとよい。また、表示装置１００Ｃを、第１方向に沿って折り曲げる場合は、配線２０１ｂが設けられていないＤ１－Ｄ２線に沿って折り曲げることが好ましい。
図９に示した構成によると、第１方向に平行にスリットが設けられるため、第２方向が円弧となる方向に表示装置１００Ｃを曲げる際に、カソード配線２０１Ｃにクラックが入ることを抑制することができる。
また、カソード配線２０１Ｃの複数の配線２０１ｂが設けられる位置についても、表示領域１０３の上下に設ける例について示したが、これに限定されない。ただし、共通電極２２５に印加される電流量にばらつきが生じないように、複数の配線２０１ｂは、上下対称となるように設けることが好ましい。
素子形成層１２０の下にカソード配線２０１Ｃを設けることで、カソード配線２０１Ｃの幅を、周辺領域１１０の面積の制約を受けることなく大きくすることができる。これにより、カソード配線２０１Ｃの低抵抗化を図ることができる。また、周辺領域１１０に幅及び厚みが大きいカソード配線を設ける必要がなくなるため、周辺領域１１０の面積を削減することができる。つまり、表示装置１００Ｃの狭額縁化を図ることができる。
（第６実施形態）
本実施形態では、カソード配線２０１Ｄの形状について、図１０を参照して説明する。図１０は、表示装置１００Ｄの平面概略図である。
本実施形態では、カソード配線２０１Ｄの形状について、図１０を参照して説明する。図１０は、表示装置１００Ｄの平面概略図である。
図１０に示すように、カソード配線２０１は、カソード配線２０１は、複数の配線２０１ａが第２方向（図１０ではｙ方向）に沿って設けられ、複数の配線２０２ｂが第１方向（図１０ではｘ方向）に沿って設けられた格子状の形状を有している。つまり、カソード配線２０１Ｄは、表示領域１０３と重なるように格子状に設けられている。配線２０１ａの幅Ｌ１及び配線２０１ｂの幅Ｌ４は、図８及び図９において説明した通りである。
図１０に示した構成によると、第１方向が円弧となる方向、あるいは第２方向が円弧となる方向のいずれに表示装置１００Ｄを曲げる場合においても、カソード配線２０１Ｄにクラックが入ることを抑制することができる。
素子形成層１２０の下にカソード配線２０１Ｄを設けることで、カソード配線２０１Ｄの幅を、周辺領域１１０の面積の制約を受けることなく大きくすることができる。これにより、カソード配線２０１Ｄの低抵抗化を図ることができる。また、周辺領域１１０に幅及び厚みが大きいカソード配線を設ける必要がなくなるため、周辺領域１１０の面積を削減することができる。つまり、表示装置１００Ｄの狭額縁化を図ることができる。
（第７実施形態）
本実施形態では、カソード配線２０１Ｅの形状について、図１１を参照して説明する。図１１は、表示装置１００Ｅの平面概略図である。
本実施形態では、カソード配線２０１Ｅの形状について、図１１を参照して説明する。図１１は、表示装置１００Ｅの平面概略図である。
また、図１１に示すように、カソード配線２０１Ｅは、表示領域１０３だけでなく、駆動回路１０４ａ、１０４ｂの一部と重畳していてもよい。また、図１１に示すように、共通電極２２５は、駆動回路１０４ａ、１０４ｂと重畳していてもよい。
また、アンダーコート層２０２は、表示領域１０３と駆動回路１０４ａとの間、及び表示領域１０３と駆動回路１０４ｂとの間にコンタクトホールを有している。そのため、図１１に示すように、共通電極２２５は、表示領域１０３と駆動回路１０４ａとの間で、コンタクトホールを介して、カソード配線２０１と電気的に接続されている。また、共通電極２２５は、表示領域１０３と駆動回路１０４ｂとの間で、コンタクトホールを介して、カソード配線２０１と電気的に接続されている。
表示領域１０３と駆動回路１０４ａとの間において、共通電極２２５がカソード配線２０１と電気的に接続された領域を、カソードコンタクト１８０ａをとして示している。また、表示領域１０３と駆動回路１０４ｂとの間において、共通電極２２５がカソード配線２０１と電気的に接続された領域を、カソードコンタクト１８０ｂとして示している。なお、カソードコンタクト１８０ａ、１８０ｂの構造については、図４の記載を参酌することができる。
図１１に示したように、カソード配線２０１Ｅは、素子形成層１２０よりも下層に設けられるため、様々な形状で設けることができる。素子形成層１２０の下にカソード配線２０１Ｅを設けることで、カソード配線２０１Ｅの幅を、周辺領域１１０の面積の制約を受けることなく大きくすることができる。これにより、カソード配線２０１Ｅの低抵抗化を図ることができる。また、周辺領域１１０に幅及び厚みが大きいカソード配線を設ける必要がなくなるため、周辺領域１１０の面積を削減することができる。つまり、表示装置１００Ｅの狭額縁化を図ることができる。また、表示装置１００Ｅの厚みを小さくすることができる。
（第８実施形態）
本実施形態では、カソード配線２０１Ｆの形状について、図１２を参照して説明する。図１２は、表示装置１００Ｆの平面概略図である。
本実施形態では、カソード配線２０１Ｆの形状について、図１２を参照して説明する。図１２は、表示装置１００Ｆの平面概略図である。
図１２に示すように、カソード配線２０１Ｆと共通電極２２５とを接続するカソードコンタクト１９０を、表示領域１０３内に複数形成しても良い。前述の通り、共通電極２２５を透明導電材料で形成する場合、高抵抗となるため、カソード配線２０１Ｆとの接続が周辺領域１１０のみで行われると、接続部から画面中央付近までは距離が大きく、電圧降下を生じる。そこで、表示領域１０３内にもカソードコンタクト１９０を設けることで、画面中央付近で直接、共通電極２２５とカソード配線２０１Ｆとが接続されるため、より表示領域１０３内の電圧降下を抑制することができる。カソードコンタクト１９０は、例えば隣接した発光領域の間で、絶縁層２２３、無機絶縁層２２１、平坦化層２１７、層間絶縁層２１４、ゲート絶縁層２１２、アンダーコート層２０２を開口して設けられる。
カソードコンタクト１９０を形成するための開口を設ける場合、有機層２２４がカソードコンタクト１９０を形成するための開口に重畳しないように、マスクを用いて形成されることが望ましい。
また、特に図示はしないが、表示装置１００、１００Ａ～１００Ｅにおいても、表示領域１０３内において、カソード配線２０１と共通電極２２５とを接続するカソードコンタクトをそれぞれ設けてもよい。表示領域１０３内で直接共通電極２２５とカソード配線２０１とが接続されるため、より表示領域１０３内の電圧降下を抑制することができる。
本発明の実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１００：表示装置、１００Ａ～１００Ｆ：表示装置、１０１：基板、１０２：基板、１０３：表示領域、１０４ａ：駆動回路、１０５：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：端子部、１０９：画素、１１０：周辺領域、１２０：素子形成層、１３０：発光素子層、１４１：走査線、１４２：信号線、１４３：駆動電源線、１４０：カソードコンタクト、１５０：カソードコンタクト、１６０：封止層、１７０：コンタクト、２０１：カソード配線、２０２：アンダーコート層、２０３：アンダーコート層、２１０：トランジスタ、２１１：半導体層、２１２：ゲート絶縁層、２１３：ゲート電極、２１４：層間絶縁層、２１５：ドレイン電極、２１６：ドレイン電極、２１７：平坦化層、２１８：透明導電層、２１９：導電層、２２０：トランジスタ、２２１：無機絶縁層、２２２：画素電極、２２３：絶縁層、２２４：有機層、２２５：共通電極、２３０：発光素子、２３１：無機絶縁層、２３２：有機絶縁層、２３３：無機絶縁層、２３４：樹脂層、２３５：粘着材、２３６：偏光板、２４０：保持容量、２４１：導電層、２４２：導電層、２４３：透明導電層、２４４：配線、２４５：配線、２５１：導電層、２５２：導電層、２５３：透明導電層
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上の第１配線と、
前記第１配線上の第１コンタクトホールを有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に、表示領域に配列された各々が発光素子を有する複数の画素と、
前記複数の発光素子に共通して設けられ、前記表示領域を囲む周辺領域において前記第１配線と前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続される共通電極と、を有する、表示装置。 - 前記基板上に、複数の端子を有する端子部及びドライバＩＣをさらに有し、
平面的に見て、前記端子部は、前記基板の第１方向に沿う第１の辺と前記表示領域との間に設けられ、
前記ドライバＩＣは、前記端子部と前記表示領域との間に設けられ、
前記共通電極は、前記ドライバＩＣと前記表示領域との間において、前記第１コンタクトホールを介して前記第１配線と接続される請求項１に記載の表示装置。 - 前記基板の前記第１方向と交差する第２方向に沿う第２の辺と前記表示領域との間に設けられた駆動回路と、
前記駆動回路と前記ドライバＩＣとを電気的に接続する第２配線と、前記画素と前記ドライバＩＣとを電気的に接続する第３配線と、をさらに有し、
前記第１配線は、前記第２配線及び前記第３配線と重畳する、請求項２に記載の表示装置。 - 前記第１絶縁層は、前記基板の前記第１の辺と前記表示領域を挟んで対向する第３の辺と、前記表示領域との間において、第２コンタクトホールをさらに有し、
前記共通電極は、前記第２コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続される、請求項３に記載の表示装置。 - 前記第１配線は、前記複数の端子の少なくとも一つと電気的に接続される、請求項２に記載の表示装置。
- 前記基板と前記第１配線との間に第２絶縁層をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記表示領域の少なくとも一部と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記表示領域の全域と重なる、請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記表示領域と重なり、前記第１方向に沿って伸びる複数の第４配線を有する、請求項２に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記表示領域と重なり、前記第１方向に沿って伸びる複数の第４配線と、前記第２方向に沿って伸びる複数の第５配線と、を有する、請求項３に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記表示領域及び前記駆動回路の少なくとも一部と重畳する、請求項３に記載の表示装置。
- 前記第１配線は、前記ドライバＩＣの少なくとも一部と重畳する、請求項２に記載の表示装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US16/983,083 US11417722B2 (en) | 2018-02-06 | 2020-08-03 | Display device including a low resistance cathode wiring |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018019076A JP7046627B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 表示装置 |
| JP2018-019076 | 2018-02-06 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US16/983,083 Continuation US11417722B2 (en) | 2018-02-06 | 2020-08-03 | Display device including a low resistance cathode wiring |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2019156024A1 true WO2019156024A1 (ja) | 2019-08-15 |
Family
ID=67548030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/003855 WO2019156024A1 (ja) | 2018-02-06 | 2019-02-04 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11417722B2 (ja) |
| JP (1) | JP7046627B2 (ja) |
| WO (1) | WO2019156024A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2021079412A1 (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-29 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102664769B1 (ko) * | 2018-08-20 | 2024-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| WO2023218637A1 (ja) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
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| JP2017211484A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224118B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
| JP4741200B2 (ja) | 2004-05-28 | 2011-08-03 | 共同印刷株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2011222146A (ja) | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP5775161B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-09-09 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル及び表示装置 |
| JP2013038229A (ja) | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Seiko Epson Corp | 電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器 |
| KR102213223B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2021-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP6500196B2 (ja) * | 2014-10-10 | 2019-04-17 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| KR20180004488A (ko) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2018
- 2018-02-06 JP JP2018019076A patent/JP7046627B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-04 WO PCT/JP2019/003855 patent/WO2019156024A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-08-03 US US16/983,083 patent/US11417722B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11417722B2 (en) | 2022-08-16 |
| JP2019138938A (ja) | 2019-08-22 |
| US20200365681A1 (en) | 2020-11-19 |
| JP7046627B2 (ja) | 2022-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19750566 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19750566 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |