JP2007157374A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】周辺回路から送信される信号への悪影響を抑制することができる発光装置を提供
する。
【解決手段】発光装置１は、基板３０上の発光領域Ａに設けられた複数の単位回路（画素
回路）Ｐを備え、複数の単位回路Ｐの各々はＯＬＥＤ素子７０を有する。ＯＬＥＤ素子７
０の共通電極７２は複数の単位回路Ｐに共通に設けられている。基板３０上における発光
領域Ａの外側に複数の単位回路Ｐの駆動に関係する信号を生成する走査線駆動回路１００
Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０が配置されている。発光領域Ａとこれらの周
辺回路の間に、共通電極７２に電位を供給するための第２電極用電源線１４０が設けられ
ている。発光領域Ａには、共通電極７２に電気的に接続されているとともに第２電極用電
源線１４０に電気的に接続されている補助配線１５０とを備える。周辺回路には共通電極
７２も補助配線１５０も重なっていない。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置およびこれを有する電子機器に関する。

発光素子の一種として、電界により励起して自己発光するエレクトロルミネッセント（
ＥＬ）素子が知られている。ＥＬ素子を用いた発光装置では、基板上に多数の画素回路が
マトリックス状に配置され、各画素回路にＥＬ素子が設けられている。ＥＬ素子は陽極と
陰極の間に挟まれた発光層を有する。発光層で発した光を放出する電極は、例えばＩＴＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）のような透明酸化物導電材料または金属の極めて
薄い膜から形成される。透明酸化物導電材料の抵抗は電極として普通に使用される金属導
電体よりも高い抵抗率を有し、金属の極めて薄い膜は断面積が小さいために抵抗が高い。

多数のＥＬ素子が設けられた基板では、基板における位置によって、ＥＬ素子に印加さ
れる電圧の降下がばらついてＥＬ素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。抵抗
が高い透明電極のために、特にその欠点が問題となる。陽極または陰極を広大な面積を有
するようにして複数のＥＬ素子に共通にすれば、その電極の抵抗が下げられるが、さらに
ＥＬ素子の輝度のばらつきを最小限に抑えることが望ましい。このため、抵抗率が低い導
電材料から形成されて格子状に配置された多数の補助配線を、透明な共通電極に重ねて電
気的に接続し、さらに補助配線を電源線に電気的に接続する技術が提案されている（特許
文献１）。この技術によれば、各ＥＬ素子の近傍に導電性が高い補助配線があるので、基
板における位置による電圧降下のばらつきが抑制され、輝度の不均衡を是正することがで
きる。

特開２００２−３１８５５３号公報

抵抗が高い透明な共通電極を使用する場合には、共通電極の面積が大きいほど、その抵
抗を低下させることができる。しかし、ＥＬ素子が設けられた基板には、ＥＬ素子の各々
に対応する画素回路だけでなく、画素回路の駆動または検査に関係する信号を生成する周
辺回路が配置されることが多い。共通電極または補助配線が周辺回路に重なった場合には
、周辺回路と共通電極または補助配線の隙間に寄生容量が発生し、周辺回路から送信され
る信号（例えば走査線駆動回路内のシフトレジスタが発生するシフトパルス）が悪影響を
受けるおそれがある。

そこで、本発明は、周辺回路から送信される信号への悪影響を抑制することができる発
光装置およびこれを有する電子機器を提供する。

本発明に係る発光装置は、基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記
複数の画素回路の各々は発光素子を有し、前記発光素子は第１電極、第２電極および前記
第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有し、前記第２電極は複数の画素回路に
共通に設けられた共通電極である発光装置であって、前記基板上における前記発光領域の
外側に配置され、前記複数の画素回路の駆動または検査に関係する信号を生成する周辺回
路と、前記発光領域と前記周辺回路の間に設けられ、前記第２電極に電位を供給するため
の第２電極用電源線と、前記発光領域に配置され、前記第２電極に電気的に接続されてい
るとともに前記第２電極用電源線に電気的に接続されている補助配線とを備える。前記周
辺回路には、前記第２電極も前記補助配線も重なっていない。

本発明によれば、周辺回路には第２電極も補助配線も重なっていないため、周辺回路と
第２電極または補助配線の隙間に寄生容量が発生することがない。従って、周辺回路から
伝送される信号への悪影響を抑制することができる。本明細書でいう発光素子としては、
有機発光ダイオードや無機発光ダイオード等が該当する。また、周辺回路は、例えば、発
光素子を駆動するための駆動回路、あるいは、発光素子や配線を検査するための検査回路
等が含まれ得る。本明細書でいう補助配線とは、第２電極つまり共通電極に重ねて電気的
に接続され、共通電極の抵抗を下げる導電体のことである。

前記第２電極用電源線は、前記第２電極が前記第２電極用電源線に重なって電気的に接
続される部分を有しており、前記補助配線がこの部分に重なって前記第２電極に直接接触
していると好ましい。第２電極用電源線は第２電極とは異なる高さに形成されることが多
いため、第２電極用電源線と第２電極が重なって電気的に接続される部分には他の部分と
の段差が生じがちであり、これに伴い第２電極に段差による断線が生ずることがある。し
かし、第２電極にこのような段差による断線が生じたとしても、第２電極が第２電極用電
源線に重なる部分に重なって補助配線が第２電極に直接接触しているために、補助配線に
よって第２電極用電源線と第２電極の電気的接続が維持される。

前記周辺回路を覆って前記周辺回路を封止する回路保護膜と、前記回路保護膜を挟んで
前記周辺回路とは反対側に配置されており、前記回路保護膜に対向する面と、前記回路保
護膜とは反対の面とを有しており、前記回路保護膜に対向する面の凹凸よりも前記回路保
護膜とは反対の面の凹凸が小さい回路段差平坦化膜とを備え、前記回路段差平坦化膜が前
記周辺回路に重なっていると好ましい。

この態様では、回路段差平坦化膜が周辺回路に重なっていることにより、発光装置の製
造プロセスにおいて、周辺回路が回路段差平坦化膜により機械的に保護される。特に補助
配線または第２電極を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補助配線または第２電
極をパターニングするマスクが周辺回路と接触して周辺回路を破損することを防止できる
。また、例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が周辺回路に流れて破損するのを
防止することができる。

この態様において、前記基板の外周縁と前記発光領域の間に、外部装置と接続されて前
記画素回路に電流または信号を供給する端子が形成されており、前記画素回路と前記端子
を接続する配線は前記回路段差平坦化膜に覆われている部分を有していると好ましい。

画素回路と端子を接続する配線が回路段差平坦化膜に覆われている部分を有することに
より、発光装置の製造プロセスにおいて、この配線が回路段差平坦化膜により機械的に保
護される。特に補助配線または第２電極を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補
助配線または第２電極をパターニングするマスクがこの配線と接触して断線させることを
防止できる。また、例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が画素回路に流れて破
損するのを防止することができる。

前記発光素子の各々の前記発光層を画定する隔壁を備え、前記第２電極は前記隔壁を覆
っており、前記補助配線は前記第２電極を挟んで前記隔壁とは反対側に配置されており、
前記第２電極に密着していると好ましい。補助配線が第２電極に密着していることにより
、その密着した部分では、第２電極は劣化、例えば酸化から保護される。特に仕事関数が
低い導電体から第２電極を形成した場合または第２電極がこのような導電体を含む場合、
つまり第２電極が陰極である場合には、第２電極は化学的反応性が高く劣化しやすいので
、補助配線による第２電極の保護は有益である。このように第２電極の劣化を抑制するこ
とにより、第２電極の抵抗率を低いまま維持できる。

本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備える。このような電子機器として、発
光装置を表示装置に適用したパーソナルコンピュータ、携帯電話機、および携帯情報端末
などが該当し、また、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射
して潜像を形成するプリンタヘッドとして、発光装置を用いてもよい。

以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。図面においては
、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜発光装置＞
図１（Ａ）は、本発明の実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図であ
り、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の状態の後に共通電極７２をさらに形成した状態を示す平面
図であり、図２は、図１（Ｂ）の状態の後に補助配線１５０をさらに形成した状態を示す
平面図である。図３は発光装置１の部分断面図である。図４は発光装置１の図３とは別の
部分断面図である。

図１（Ａ）に示すように、この発光装置１は、パネル１０とフレキシブル基板２０とを
備える。パネル１０の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板２
０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic conductive film:異方性導電膜）
と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレ
キシブル基板２０には、データ線駆動回路２００が設けられており、さらに、フレキシブ
ル基板２０を介して各種の電源電圧がパネル１０に供給される。

パネル１０には、発光領域Ａと、走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプ
リチャージ回路１２０が形成される回路領域Ｂが設けられている。プリチャージ回路１２
０は書き込み動作に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための回路
である。走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０は、
発光領域Ａの周辺にある周辺回路である。但し、周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良否を
検査する検査回路（図示せず）を含んでもよいし、データ線駆動回路２００が回路領域Ｂ
に設けられた周辺回路であってもよい。

発光領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交
差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯ
ＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含み、電流供給線１１３から給電を
受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。

図５は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャ
ネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯ
ＬＥＤ素子７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１
３に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ素子７０の陽極に接続される。また、
トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている
。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース
電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極
と接続される。

単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよ
び１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給
されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、デー
タ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ素子
７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

また、図１（Ａ）に示すように、発光領域Ａの外側の回路領域Ｂには、コの字状の第２
電極用電源線１４０が形成されている。第２電極用電源線１４０は、走査線駆動回路１０
０Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０と発光領域Ａとの間に配置されている。第
２電極用電源線１４０は、後述するようにＯＬＥＤ素子の陰極（第２電極）に電源電圧（
この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。ＯＬＥＤ素子は、
画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含
む）７４を有する（図３および図４参照）。共通電極７２は、矩形であって、図１（Ｂ）
に示すように発光領域Ａの全体および回路領域Ｂにわたって形成される。但し、共通電極
７２は、回路領域Ｂでは第２電極用電源線１４０に重なってはいるが、走査線駆動回路１
００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０には重なっていない。第２電極用電源線
１４０と共通電極７２は、図１（Ｂ）および図３に示すようにコンタクトホールＣＨで接
続されている。

また、図２に示すように、共通電極７２上には補助配線１５０が重なって直接接触して
いることにより、共通電極７２に電気的に接続されているとともに第２電極用電源線１４
０にも電気的に接続されている。補助配線１５０は、発光領域Ａに設けられる矩形の外枠
状の第１部分１５０ａと、回路領域Ｂに設けられる格子状の第２部分１５０ｂとを含んで
いる。補助配線１５０の矩形の外枠部分である第１部分１５０ａは、コの字状の第２電極
用電源線１４０の３辺に重なっているが、走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリ
チャージ回路１２０には重なっていない。発光領域Ａでは補助配線１５０の第１部分１５
０ａと画素電極７６とが接触しないように、補助配線１５０の第１部分１５０ａが格子状
に形成されている。つまりＯＬＥＤ素子７０の間に補助配線１５０の第１部分１５０ａと
が配置されている。本明細書でいう補助配線とは、共通電極７２に重ねて電気的に接続さ
れ、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。補助配線１５０は、回路領域Ｂにお
いて共通電極７２と広い面積で面接触するので、接続抵抗を下げることができる。したが
って、電源インピーダンスを大幅に低減することが可能となる。明確化のため、図６に、
図１（Ｂ）の一部を拡大して示す。

この実施形態では、周辺回路（走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ
回路１２０）には共通電極７２も補助配線１５０の第１部分１５０ａも重なっていないた
め、周辺回路と共通電極７２または補助配線１５０の第１部分１５０ａの隙間に寄生容量
が発生することがない。従って、周辺回路から伝送される信号（例えば走査線駆動回路１
００Ａ，１００Ｂ内のシフトレジスタが上記のように走査線１１１を選択するために発生
するシフトパルス）の劣化を抑制することができる。

図３にも示されるように、発光領域ＡにはＯＬＥＤ素子７０が形成される一方、回路領
域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される。同図に示すように、基板３
０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、および６０が形
成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０はｐチャネル
型である。トランジスタ４０，５０は走査線駆動回路１００Ａの一部であり、トランジス
タ６０とＯＬＥＤ素子７０は単位回路Ｐの一部である。

トランジスタ４０、５０、および６０は、基板３０の表面に形成された酸化珪素を主体
とする下地保護層３１の上に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０
１、５０１および６０１が形成される。シリコン層４０１、５０１および６０１を覆うよ
うに、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例
えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層４０１、５０１
および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が設けられる。トランジ
スタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ族元素がドーピングさ
れ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。ここで、Ｖ族元素がドー
ピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。

トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５
０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、
ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される
。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂ
となる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６
２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。この走査線１１１により、単位回路
Ｐと走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂとが接続される。

第１層間絶縁層３３が、ゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３
２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに
、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電
極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３を貫通するコンタクトホールを介
してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。また、これらの電極と同一
の工程で第２電極用電源線１４０、データ線１１２および電流供給線１１３が形成される
。第２電極用電源線１４０は導電性を有するアルミニウム等の材料で形成される。このよ
うに第２電極用電源線１４０は、回路領域Ｂから発光領域Ａに延びる走査線１１１とは異
なる高さに配置されており、走査線１１１からは第１層間絶縁層３３で絶縁されている。

回路保護膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、
ドレイン電極６１を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設けられる。回路保護膜３４
は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い材料から形成されている。ま
た、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいて
も良い。回路保護膜３４により、トランジスタ４０、５０、および６０を封止し、これら
からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極やドレイン電極の下
に形成してもよい。回路保護膜３４は、第２電極用電源線１４０の上には形成されないが
、第２電極用電源線１４０の両サイドに密着している。

回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４および第２電極用電源線１４０の上層に設けら
れる。回路段差平坦化膜３５は、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜
３４とは反対の上面の凹凸が小さい。つまり、トランジスタ４０，５０，６０、走査線１
１１、データ線１１２、電流供給線１１３などにより生ずる凹凸を平坦化するために、回
路段差平坦化膜３５は用いられる。回路段差平坦化膜３５の材料には、例えば、アクリル
系、ポリイミド系の有機樹脂が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための
感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるい
は、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から蒸着により回路段差平坦化膜３５を形成し、
エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は一般に蒸着によって膜を形
成するため、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹
凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚
を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので回路
段差平坦化膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸
化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を回路段差平坦化膜３５に用いることもできる。

回路段差平坦化膜３５上には、発光領域Ａで画素電極７６（第１電極）が形成されてい
る。この実施形態における、画素電極７６はＯＬＥＤ素子７０の陽極であり、回路段差平
坦化膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０
のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料としては、仕事
関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適
である。

次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は画素電極７６と後述する共通電極７２とを絶縁
するとともに、単位回路Ｐごとに設けられた画素電極７６を互いに絶縁するものである。
また、この実施形態においては、隔壁３７は、画素電極７６および発光機能層７４を区画
している。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の材料である。この場合、
パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニング
しても良い。

次に、隔壁３７で画定された画素電極７６上の空間に、少なくとも発光層を含む発光機
能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材
料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層とし
て、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブ
ロック層の一部又は全部を備えていてもよい。また、発光機能層７４は、隔壁３７により
区画されていなくてもよく、すべてのＯＬＥＤ素子７０の画素電極７６および発光領域Ａ
内の隔壁３７上に設けられるものであってもよい。

次に、発光領域Ａの全体にわたってすべてのＯＬＥＤ素子７０の発光機能層７４および
発光領域Ａ内の隔壁３７を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。この実
施形態の共通電極７２をすべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能させるため、共通電
極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、
アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。ま
た、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望まし
い。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極
７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。

また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数
が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ_２のような酸化導電材料からなる
光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であ
ってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ_２のような酸化導電材料は緻密な素材であり
、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が発光
領域Ａおよび回路領域Ｂにわたって形成されているため、発光領域Ａの単位回路Ｐおよび
回路領域Ｂの周辺回路が、後述する発光素子段差平坦化膜８２で発生するガスまたは外気
から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上
記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れ
ているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに
、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第
２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記
の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し
、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。

このように、共通電極７２は透明であり、発光機能層７４で発生した光を外部に放出す
る。すなわち、この実施形態の発光装置１は、トップエミッションタイプである。但し、
共通電極に代えて画素電極を透明にして、ボトムエミッションタイプを実現してもよいし
、共通電極および画素電極を透明にして、デュアルエミッションタイプを実現してもよい
。

また、共通電極７２を形成するに先立って、第２電極用電源線１４０に重なっている最
も外側の隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成される。コンタクトホールＣＨは隔壁
３７および回路段差平坦化膜３５を貫通して第２電極用電源線１４０に到達する。このコ
ンタクトホールＣＨを介して第２電極用電源線１４０に共通電極７２が直接接触し電気的
に接続される。

共通電極７２上には補助配線１５０が重なって密着している。補助配線１５０は、隔壁
３７に重なる位置にのみ配置されている。従って、発光領域Ａにおいては、補助配線１５
０の第１部分１５０ａは画素電極７６に接触しないように格子状に形成されている。回路
領域Ｂにおいて、補助配線１５０の第２部分１５０ｂは、最も外側の隔壁３７に重なる位
置に配置され、第２電極用電源線１４０にも重なっている。補助配線１５０および共通電
極７２は、最も外側にある隔壁３７で終端し、周辺回路には重ならない。隔壁３７に重な
る位置で、補助配線１５０の第２部分１５０ｂはコンタクトホールＣＨにも入っており、
コンタクトホールＣＨ内で共通電極７２が第２電極用電源線１４０に直接接触する部分に
重なって第２電極用電源線１４０に直接接触している。共通電極７２のインピーダンスを
下げるため、補助配線１５０の材料としては抵抗率が小さい導電材料が好ましい。但し、
共通電極７２と同じ材料で形成してもよい。

コンタクトホールＣＨでは他の部分との段差が生じるために、これに伴い共通電極７２
に段差による断線が生ずることがある。しかし、共通電極７２にこのような段差による断
線が生じたとしても、コンタクトホールＣＨ内で補助配線１５０の第２部分１５０ｂが共
通電極７２に重なって直接接触しているために、補助配線１５０の第２部分１５０ｂによ
って第２電極用電源線１４０と共通電極７２の電気的接続が維持される。

隔壁３７上で補助配線１５０が共通電極７２に密着していることにより、その密着した
部分では、共通電極７２は劣化、例えば酸化から保護される。特に仕事関数が低い導電体
から共通電極７２を形成した場合または共通電極７２がこのような導電体を含む場合、つ
まり共通電極７２が陰極である場合には、共通電極７２は化学的反応性が高く劣化しやす
いので、補助配線１５０による共通電極７２の保護は有益である。このように共通電極７
２の劣化を抑制することにより、共通電極７２の抵抗率を低いまま維持できる。また、こ
の実施形態においては、共通電極７２の端部において補助配線１５０の第２部分１５０ｂ
が共通電極７２の外に突出しており、さらに外側を電極保護膜８０が覆っている。このよ
うに形成することによって、パネル１０の端部から入り込む水分や空気が共通電極７２を
劣化させたり、共通電極７２の面に沿って発光機能層７４に到達したりすることを抑制す
ることができる。

これらの共通電極７２およびその上の補助配線１５０を覆うように電極保護膜８０が形
成される。電極保護膜８０は、回路保護膜３４と同様に、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素
などのガス透過率が低い無機材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化
珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいても良い。さらに、電極保護膜８
０を覆うように発光素子段差平坦化膜８２が形成される。発光素子段差平坦化膜８２は、
電極保護膜８０に対向する面の凹凸よりも、電極保護膜８０と反対側にある面の凹凸が小
さくなるように形成された層、つまりコンタクトホールＣＨ、隔壁３７およびＯＬＥＤ素
子７０で生じた段差を平坦化する膜である。回路段差平坦化膜３５と同様に、酸化珪素等
の無機材料から蒸着により発光素子段差平坦化膜８２を形成し、エッチング等によりその
上面を平坦化してもよいが、回路段差平坦化膜３５に関して述べたのと同じ理由から、例
えばウレタン、アクリル、エポキシ、またはシアノアクリレート等の有機化合物で発光素
子段差平坦化膜８２を形成することが好ましい。また、隔壁３７が温度により伸縮しても
、後述するガスバリア層８４が割れないように、隔壁３７と類似の熱膨張係数を有する有
機化合物で発光素子段差平坦化膜８２を形成することが好ましい。発光素子段差平坦化膜
８２として有機化合物を用いる場合には、硬化する際や硬化後において第２平坦化膜８２
により発生するガスまたは不純物が下層に浸透する可能性があるが、電極保護膜８０によ
ってこれを防止し、ＯＬＥＤ素子７０の寿命を低下させないようにすることができる。

くわえて、発光素子段差平坦化膜８２を覆うようにガスバリア層８４を形成する。ガス
バリア層８４の材料には例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料
から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよ
いし、水素を含んでいても良い。ガスバリア層８４は、高密度プラズマ気相成長法によっ
て、高密度で硬度の大きい薄膜として形成される。ガスバリア層８４によって、外気や水
分が発光装置１の内部に浸入することが防がれる。

この実施形態では、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４が周辺回路（トランジ
スタ４０，５０を持つ走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０
）に重なっていることにより、発光装置の製造プロセスにおいて、周辺回路が回路段差平
坦化膜３５および回路保護膜３４により機械的に保護される。特に補助配線１５０または
共通電極７２を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補助配線１５０または共通電
極７２をパターニングするマスクが周辺回路と接触して周辺回路を破損することを防止で
きる。このようなマスクは回路段差平坦化膜３５および最も外側の隔壁３７に配置される
。また、例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が周辺回路に流れて破損するのを
防止することができる。緻密で脆弱な材料から形成されて薄い回路保護膜３４は衝撃に弱
いが、それよりも厚くて緩衝性のある回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４および周辺
回路に重なっていることにより、周辺回路への機械的な保護、および静電気からの保護は
より確実になる。

図４に示すように、基板３０の外周縁と発光領域Ａの間の回路領域Ｂには、データ線１
１２（図１（Ａ）参照）の端子１１２Ａが形成されている。端子１１２Ａは、フレキシブ
ル基板２０にＡＣＦで接着されてデータ線駆動回路２００に電気的に接続され、データ線
１１２を介して単位回路Ｐに信号を供給する。データ線１１２の端子１１２Ａ以外の部分
は回路保護膜３４で覆われており、さらに部分的に回路段差平坦化膜３５で覆われている
。データ線１１２が回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４に覆われている部分を有
することにより、発光装置の製造プロセスにおいて、データ線１１２が回路段差平坦化膜
３５および回路保護膜３４により機械的に保護される。特に補助配線１５０または共通電
極７２を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補助配線１５０または共通電極７２
をパターニングするマスクがデータ線１１２と接触して断線させることを防止できる。こ
のようなマスクは回路段差平坦化膜３５および最も外側の隔壁３７に配置される。また、
例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が単位回路Ｐに流れて破損するのを防止す
ることができる。緻密で脆弱な材料から形成されて薄い回路保護膜３４は衝撃に弱いが、
それよりも厚くて緩衝性のある回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４および周辺回路に
重なっていることにより、データ線１１２への機械的な保護、および単位回路Ｐの静電気
からの保護はより確実になる。

図４の断面図ではデータ線１１２が回路保護膜３４および回路段差平坦化膜３５が保護
されていることが示されているが、図１（Ａ）に示されるように、単位回路Ｐに電流を供
給する第１電極用電源線１３０および第２電極用電源線１４０には、データ線１１２に平
行に延びる部分があり、これらのデータ線１１２に平行に延びる部分には、フレキシブル
基板２０にＡＣＦで接着されて電源に電気的に接続される端子が設けられている。これら
の第１電極用電源線１３０および第２電極用電源線１４０も回路段差平坦化膜３５および
回路保護膜３４に覆われている部分を有することにより、発光装置の製造プロセスにおい
て機械的に保護され、静電気が流れることから保護される。

図３および図４に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回
路段差平坦化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁
３７がなく回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外
側には隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従っ
て、基板上回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側に
はやや高さが低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領
域Ｂ３があることにより、基板上における電極保護膜８０の高さを内側から外側に向けて
漸減させることができる。

発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する凹凸の大きい面（図中の下面
）と、電極保護膜８０と反対側にある平坦な面（図中の上面）をつなぐ傾斜面を有する。
発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面は第１の領域、第２の領域および第３の領域に重なり
第３の領域で終端する。発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面が第１の領域、第２の領域お
よび第３の領域に重なり第３の領域で終端することにより、緩やかな曲線を描くように発
光素子段差平坦化膜８２の傾斜面を形成しやすい。このため、発光素子段差平坦化膜８２
を覆うガスバリア層８４の屈曲角度も緩和されるので、ガスバリア層８４に応力が集中す
るのを抑制できる。特に、発光素子段差平坦化膜８２を粘性の高い液体状の有機化合物を
コーティングして固化させることにより形成する場合には、電極保護膜８０の表面に沿っ
て有機化合物が伸びるため、急激な屈曲のない傾斜面を形成しやすいので、ガスバリア層
８４の破壊を抑制できる。

＜変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が
可能である。
図３および図４に示すように、補助配線１５０は共通電極７２の上に面接触するように
形成され、補助配線１５０および共通電極７２を覆うように電極保護膜８０が形成される
が、逆に、補助配線１５０を共通電極７２の下に面接触するように形成してもよい。
補助配線１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成されるのであれば、共通電
極７２を形成する際に、補助配線１５０の段差や補助配線１５０の応力により共通電極７
２が断線する虞がない。一方、補助配線１５０を共通電極７２の下に面接触するように形
成する場合には、発光機能層７４を形成する前に、隔壁３７上に形成することができる。
発光機能層７４が形成されていないため、フォトリソグラフィなどにより補助配線１５０
のパターンを形成することができ、トランジスタ４０、５０、６０や走査線１１１などの
配線と同様の精度で補助配線１５０を形成することができる。

また、上述した各実施形態においては、共通電極７２はＯＬＥＤ素子７０の陰極であっ
たが、陽極であってもよい。
上述した各実施形態においては、すべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として単一の共通電
極７２が設けられているが、複数の共通電極を設けて、それぞれの共通電極が異なるＯＬ
ＥＤ素子７０の陰極となるように配置してもよい。
また、上述した各実施形態においては、コの字状の第２電極用電源線１４０が形成した
が、第２電極用電源線１４０は、発光領域Ａを挟み対向する２辺にのみ（例えば、走査線
駆動回路１００Ａ、１００Ｂと発光領域Ａとの間）に配置してもよい。

＜応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図７は、上記実施
形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成
を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１
と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボ
ード２００２が設けられている。この発光装置１はＯＬＥＤ素子７０を用いるので、視野
角が広く見易い画面を表示できる。

図８に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０
００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置
としての発光装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光
装置１に表示される画面がスクロールされる。

図９に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１およ
び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。電源スイッチ
４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１に表示
される。

本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図７から図９に示したもののほ
か、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ
、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜
像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレ
ーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

（Ａ）は本発明の実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に共通電極をさらに形成した状態を示す平面図である。 図１(Ｂ）の状態の後に補助配線をさらに形成した状態を示す平面図である。 同装置の部分断面図である。 同装置の図３とは別の部分断面図である。 同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。 図１（Ｂ）の一部の拡大図である。 本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。

符号の説明

１…発光装置、３０…基板、７０…ＯＬＥＤ素子（発光素子）、３４…回路保護膜、３
５…回路段差平坦化膜、３７…隔壁、７２…共通電極（第２電極）、７４…発光機能層、
７６…画素電極（第１電極）、１００Ａ，１００Ｂ…走査線駆動回路（周辺回路）、１１
１…走査線、１１２…データ線、１１２Ａ…端子、１１３…電源供給線、１２０…プリチ
ャージ回路（周辺回路）、１４０…第２電極用電源線、１５０…補助配線、Ａ…発光領域
、Ｂ…回路領域、Ｐ…単位回路（画素回路）。

Claims (6)

1. 基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記複数の画素回路の各々は発光
   素子を有し、前記発光素子は第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極の間
   に挟まれた発光層を有し、前記第２電極は複数の画素回路に共通に設けられた共通電極で
   ある発光装置であって、
   前記基板上における前記発光領域の外側に配置され、前記複数の画素回路の駆動または
   検査に関係する信号を生成する周辺回路と、
   前記発光領域と前記周辺回路の間に設けられ、前記第２電極に電位を供給するための第
   ２電極用電源線と、
   前記発光領域に配置され、前記第２電極に電気的に接続されているとともに前記第２電
   極用電源線に電気的に接続されている補助配線とを備え、
   前記周辺回路には、前記第２電極も前記補助配線も重なっていないことを特徴とする発
   光装置。
2. 前記第２電極用電源線は、前記第２電極が前記第２電極用電源線に重なって電気的に接続
   される部分を有しており、前記補助配線がこの部分に重なって前記第２電極に直接接触し
   ていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記周辺回路を覆って前記周辺回路を封止する回路保護膜と、前記回路保護膜を挟んで前
   記周辺回路とは反対側に配置されており、前記回路保護膜に対向する面と、前記回路保護
   膜とは反対の面とを有しており、前記回路保護膜に対向する面の凹凸よりも前記回路保護
   膜とは反対の面の凹凸が小さい回路段差平坦化膜とを備え、前記回路段差平坦化膜が前記
   周辺回路に重なっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
4. 前記基板の外周縁と前記発光領域の間に、外部装置と接続されて前記画素回路に電流また
   は信号を供給する端子が形成されており、
   前記画素回路と前記端子を接続する配線は前記回路段差平坦化膜に覆われている部分を
   有していることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記発光素子の各々の前記発光層を画定する隔壁を備え、
   前記第２電極は前記隔壁を覆っており、前記補助配線は前記第２電極を挟んで前記隔壁
   とは反対側に配置されており、前記第２電極に密着していることを特徴とする請求項１か
   ら請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光装置を備えた電子機器。

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